TW202313322A - 光學積層體 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種對來自外部之入射光之反射率較低或抑制色偏之光學積層體。 本發明之光學積層體1具備表面處理層4、基材部2、及設置於基材部2之至少一個面之黏著劑層3a、3b。於積層於光半導體元件7時，基材部2相對於表面處理層4位於光半導體元件7側。表面處理層4係對光學積層體1賦予抗反射性及/或防眩性之層。基材部2中之基材層與鄰接於上述基材層之層或光學積層體1所包含之其他至少1層的折射率差為0.05以下。

Description

光學積層體
本發明係關於一種光學積層體。更具體而言，本發明係關於一種積層於光半導體元件而使用之光學積層體。
已知於設置於液晶顯示裝置所使用之背光裝置上之基板、設置於作為自發光型顯示裝置之有機電致發光(有機EL)顯示裝置之基板、或設置於作為下一代自發光型顯示裝置之mini/μLED面板之基板上，配置有複數個LED，且上述複數個LED具有由多層構造之光學積層體密封之構造(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2020-174047號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，於使用先前之光學積層體之情形時，容易於各層發生層間反射，因此存在以下等問題，即，來自外部之入射光於層間發生反射，反射率上升，RGB之光於層間分別發生折射，光程長度發生變化，產生色偏。
又，光學積層體有時使用偏光板等如光學膜般支持性或操作性較差之構件，為了支持該構件，需要組合使用基材。然而，用作基材之構件與其他層之構件相比，存在折射率較高之傾向，於此情形時，更容易出現層間反射。結果，存在反射率較高、視認性較差、產生色偏之問題。
本發明係基於上述情況而構思者，其目的在於提供一種對來自外部之入射光之反射率較低或抑制色偏之光學積層體。 [解決問題之技術手段]
本發明者為了達成上述目標而努力研究，結果發現藉由將構成上述光學積層體之基材部中之基材層與鄰接於基材層之層或上述光學積層體所包含之其他至少1層的折射率差控制為0.05以下，對來自外部之入射光之反射率較低，或者可抑制色偏。本發明係基於該等見解而完成者。
即，第1本發明提供一種光學積層體，其具備表面處理層、基材部、及設置於上述基材部之至少一個面之黏著劑層，且積層於光半導體元件而使用， 於將光學積層體積層於上述光半導體元件時，上述基材部相對於上述表面處理層位於光半導體元件側， 上述表面處理層係對上述光學積層體賦予抗反射性及/或防眩性之層，且 上述基材部中之基材層與鄰接於上述基材層之層的折射率差為0.05以下。
又，第2本發明提供一種光學積層體，其具備表面處理層、基材部、及設置於上述基材部之至少一個面之黏著劑層，且積層於光半導體元件而使用， 於將光學積層體積層於上述光半導體元件時，上述基材部相對於上述表面處理層位於光半導體元件側， 上述表面處理層係對上述光學積層體賦予抗反射性及/或防眩性之層，且 上述基材部中之基材層與上述光學積層體所含之其他至少1層的折射率差為0.05以下。
如上所述，第1及第2本發明之光學積層體於其構造中具備基材部。藉由使用該基材部中之基材層與鄰接於基材層之層或上述光學積層體所包含之其他至少1層的折射率差為0.05以下之原材料，於將上述光學積層體應用於圖像顯示裝置時，可減少鄰接層間及/或上述光學積層體之基材層與基材層以外之另一層之層間反射，可提供一種上述層間之反射率減小、或色偏得到抑制之圖像顯示裝置。
於第1及第2本發明之光學積層體中，上述基材層之相位差較佳為20 nm以下。藉由具有此種構成，於將上述光學積層體應用於圖像顯示裝置時，可提供一種自任意方向觀察畫面時外觀均一致、視認性提高之圖像顯示裝置。
第1及第2本發明之光學積層體較佳為，於將與具備上述表面處理層之一側相對的具備上述基材部之一側之面貼合於表面反射率為40.34%之片材而進行測定時，自斜向45°所測得之45°亮度相對於自正面之垂直方向所測得之正面亮度的比[45°亮度/正面亮度]為0.95～1.0。藉由具有此種構成，於將上述光學積層體應用於圖像顯示裝置時，可提供一種即便於斜向觀察時亦明亮之圖像顯示裝置。
第1及第2本發明之光學積層體較佳為，於將相對於上述表面處理層為上述基材層側之面貼合於表面之反射率為40.34%之片材而進行測定時，正面反射率為3.2%以下。藉由具有此種構成，於將上述光學積層體應用於圖像顯示裝置時，可防止因外界光之反射或圖像之映入等導致視認性降低，提供一種外觀經調整之圖像顯示裝置。
又，本發明提供一種光半導體裝置，其具備基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及積層於上述光半導體元件之上述光學積層體。此種光半導體裝置中，對來自外部之入射光之反射率較低或色偏得到抑制。
上述光半導體裝置亦可為自發光型顯示裝置。上述光半導體裝置於應用於具有顯示器之光半導體裝置時，自任意方向觀察時外觀均一致，視認性提高，且可有效地使光透過，因此可較佳地用作自發光型顯示裝置。
又，本發明提供一種圖像顯示裝置，其具備上述自發光型顯示裝置。 [發明之效果]
根據本發明之光學積層體，對來自外部之入射光之反射率較低，或者可抑制色偏。因此，於積層於光學積層體而使用時，自任意方向觀察時外觀均一致，視認性提高，且可有效地使光透過。進而，於應用於具有顯示器之光半導體裝置時，可以較先前低之光量有效率地進行使用，因此可製造經濟性優異之製品。
[光學積層體] 本發明之光學積層體至少具備表面處理層、基材部、及設置於上述基材部之至少一個面之黏著劑層。本發明之光學積層體係積層於光半導體元件而使用。
於將上述光學積層體積層於上述光半導體元件時，上述基材部相對於上述表面處理層位於光半導體元件側。即，於將上述光學積層體積層於上述光半導體元件時，採用將表面處理層、基材部、及光半導體元件依序積層而成之構造。
上述光學積層體中之表面處理層、黏著劑層、及基材部之積層構造可例舉[表面處理層/基材部/黏著劑層]、[表面處理層/黏著劑層/基材部]、[表面處理層/黏著劑層/基材部/黏著劑層]等。上述光學積層體較佳為具有將上述表面處理層、上述基材部、及上述黏著劑層依序積層而成之構造。
本發明之光學積層體除上述表面處理層、上述基材部、及上述黏著劑層外，亦可具備剝離襯墊。上述剝離襯墊例如係貼合於位於上述光學積層體之表面之黏著劑層而使用，且於使用光學積層體時剝落。再者，並非必須設置剝離襯墊。
又，本發明之光學積層體亦可於上述光學積層體之表面(例如上述表面處理層之表面)具備表面保護膜。可於使用前保護上述光學積層體之表面(例如上述表面處理層之表面)。再者，並非必須設置表面保護膜。
以下，對本發明之光學積層體之一實施方式進行說明。圖1係表示本發明之光學積層體之一實施方式之剖視圖。如圖1所示，光學積層體1可積層於配置於基板上之1個以上之光半導體元件而使用，且具備基材部2、黏著劑層3、表面處理層4、及剝離襯墊5。黏著劑層3包含設置於基材部2之兩面之一黏著劑層3a及另一黏著劑層3b。一黏著劑層(積層於光半導體元件之側之黏著劑層)3a包含第1黏著劑層31及第2黏著劑層32。另一黏著劑層3b係用於將基材部2及表面處理層4貼合，且包含第3黏著劑層33。表面處理層4設置於基材部2之另一面，且設置於光學積層體1之表面。剝離襯墊5貼附於黏著劑層3，具體而言，貼附於第2黏著劑層32之表面(與具有基材部2之側為相反側之表面)。換言之，光學積層體1依序具備表面處理層4、基材部2、黏著劑層3、及剝離襯墊5。
(基材部) 上述基材部成為上述光學積層體中之支持體，藉由具備上述基材部，使得上述光學積層體之操作性優異。上述基材部可為單層，亦可為相同之複數層或者組成或厚度等不同之複數層。於上述基材部包含複數個基材層之情形時，各層可藉由黏著劑層等其他層而貼合，亦可使基材層彼此直接貼合。再者，基材部所使用之基材層係將光學積層體積層於光半導體元件時與黏著劑層一起貼附至具備光半導體元件之基板之部分，於光學積層體之使用時(貼附時)剝離之剝離襯墊、或僅用於保護基材部表面之表面保護膜不包含於「基材部」。
上述基材部中之基材層與鄰接於上述基材層之層的折射率差較佳為0.05以下，更佳為0.04以下，進而較佳為0.03以下。若上述基材層與鄰接於上述基材層之層的折射率差為0.05以下，則可減少界面處之反射，使光半導體裝置之視認性優異，且不易產生色偏。再者，於上述基材部包含複數個基材層之情形時，只要複數個基材層中之至少1個基材層與鄰接於該基材層之層的折射率差處於上述範圍內即可。又，較佳為與上述基材層鄰接之兩個層中之至少1層與上述基材層的折射率差處於上述範圍內，尤佳為兩個層與上述基材層的折射率差處於上述範圍內。再者，於本說明書中，有時將成為上述折射率差之對比對象之上述基材層稱為「基材層(A)」。又，作為鄰接於上述基材層(A)之層，例如可例舉上述表面處理層、上述黏著劑層、除上述基材層(A)以外之基材層、將基材層彼此貼附之黏著劑層等。再者，上述鄰接之層之折射率為光學積層體之使用狀態下之值，於上述鄰接之層為硬化性黏著劑層等具有硬化性之層(硬化性層)之情形時，為該硬化性層已硬化之狀態下之值。
上述基材部中之基材層(基材層(A))與上述光學積層體所包含之除上述基材層(基材層(A))以外之層(其他層)中之1層的折射率差較佳為0.05以下，更佳為0.04以下，進而較佳為0.03以下。若上述基材層(A)與上述其他層中之1層的折射率差為0.05以下，則可減少於光學積層體整體引起之層間反射，光半導體裝置之視認性優異，且不易產生色偏。再者，於上述基材部包含複數個基材層之情形時，只要複數個基材層中之至少1個基材層與上述其他層的折射率差處於上述範圍內即可。又，較佳為上述基材層與上述光學積層體所包含之其他所有層的折射率差處於上述範圍內。又，上述光學積層體所包含之層例如可例舉上述表面處理層、上述黏著劑層、除上述基材層(A)以外之基材層、將基材層彼此貼附之黏著劑層等。再者，上述其他層之折射率為光學積層體之使用狀態下之值，於上述其他層為硬化性黏著劑層等具有硬化性之層(硬化性層)之情形時，為該硬化性層已硬化之狀態下之值。
上述基材層(A)之折射率較佳為1.43～1.55，更佳為1.48～1.53。藉由上述基材層(A)之折射率處於上述範圍，有與構成上述光學積層體之其他層(例如上述表面處理層或上述黏著劑層等)的折射率差減小之傾向，可降低界面處之反射率，光半導體裝置之視認性優異，且不易產生色偏。再者，於上述基材部包含複數個基材層之情形時，只要複數個基材層中之至少1個基材層之折射率處於上述範圍內即可，較佳為上述複數個基材層之折射率均處於上述範圍內。
上述基材層(A)之相位差較佳為20 nm以下，更佳為15 nm以下，進而較佳為10 nm以下。於使用相位差較大之基材層之情形時，有因多重反射而於偏振之光通過時視認到虹狀不均之傾向。與此相對，若上述基材部之相位差為20 nm以下(尤其為10 nm以下)，即便於偏振之光通過之情形時，虹狀不均之產生得到抑制，可使應用於圖像顯示裝置時之外觀一致。
上述基材部較佳為至少具有生質度30%以上之基材層。於上述基材部包含複數個基材層之情形時，上述複數個基材層可僅由生質度30%以上之基材層構成，亦可包含生質度30%以上之基材層及其他基材層。
藉由具有生質度30%以上之基材層作為基材部，上述光學積層體對環境友好。上述生質度30%以上之基材層之生質度係以來自生質之成分相對於構成上述生質度30%以上之基材層之樹脂成分之總量(100質量%)的質量比率之形式算出。
上述基材層(A)之拉伸彈性模數較佳為1.5～3.5 GPa，更佳為2～3.3 GPa。若上述拉伸彈性模數為1.5 GPa以上，則上述基材部具有適度之硬度，於將上述光學積層體貼合於光半導體元件之狀態下，光半導體元件之形狀不易顯現於表面，表面之平滑性優異。若上述拉伸彈性模數為3.5 GPa以下，則上述基材部具有適度之柔軟性，於將光半導體元件設為凸部、將複數個光半導體元件間之間隙設為凹部時，上述光學積層體對凹凸之追隨性優異，光半導體元件之嵌入性優異。
上述基材層(A)之斷裂伸長率較佳為2%以上，更佳為2.5%以上，進而較佳為3%以上。若上述斷裂伸長率為2%以上，則上述光學積層體對由光半導體元件所形成之凹凸之追隨性優異，光半導體元件之嵌入性更加優異。上述斷裂伸長率例如為100%以下。
構成上述基材部之基材層(上述基材層(A)及上述其他基材層)例如可例舉玻璃或塑膠基材(尤其為塑膠膜)等。構成上述塑膠基材之樹脂例如可例舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、離子聚合物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯共聚物、環狀烯烴系聚合物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等聚烯烴樹脂；聚胺基甲酸酯；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等聚酯；聚碳酸酯；聚醯亞胺系樹脂；聚醚醚酮；聚醚醯亞胺；芳香族聚醯胺、全芳香族聚醯胺等聚醯胺；聚苯硫醚；氟樹脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；三乙醯纖維素(TAC)等纖維素樹脂；矽酮樹脂；聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂；聚碸；聚芳酯；聚乙酸乙烯酯等。上述樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述基材層(A)較佳為包含聚碳酸酯系樹脂之層、即聚碳酸酯基材。若上述基材層(A)為聚碳酸酯基材，則基材部之剛性較高，上述光學積層體之操作性更加優異。
上述聚碳酸酯系樹脂可例舉藉由使二羥基化合物與光氣進行反應之光氣法、或使二羥基化合物與碳酸二苯酯等碳酸酯進行反應之酯交換法所獲得者。上述聚碳酸酯系樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述二羥基化合物可例舉作為構成聚碳酸酯系樹脂之二羥基化合物使用之公知或慣用者。於上述基材層(A)為聚碳酸酯基材之情形時，構成上述聚碳酸酯基材之聚碳酸酯系樹脂較佳為具有來自異山梨酯之結構單元作為來自上述二羥基化合物之結構單元。又，與使用二羥基二芳基化合物之通常之聚碳酸酯系樹脂之情形相比，紫外線耐受性優異。又，由於具有非晶性之傾向，故而與PET等晶質樹脂相比凹凸追隨性優異。
上述二羥基化合物亦可包含除異山梨酯以外之其他二羥基化合物。上述其他二羥基化合物例如可例舉二羥基二芳基化合物、二羥基脂環式烴化合物等具有環狀骨架之二羥基化合物。
上述其他二羥基化合物中，較佳為二羥基脂環式烴化合物，更佳為三環[5.2.1.0 2,6]癸烷二甲醇。
上述基材層(A)之厚度較佳為5～300 μm，更佳為20～150 μm。若上述厚度為5 μm以上，則光學積層體之支持性及操作性進一步提高。若上述厚度為300 μm以下，則可使光半積層體之厚度較薄，可使光半導體裝置更薄。
為了提高與黏著劑層之密接性、保持性等，亦可對上述基材部之具備上述黏著劑層之一側之表面實施例如電暈放電處理、電漿處理、磨砂加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、離子化輻射處理等物理處理；鉻酸處理等化學處理；利用塗佈劑(底塗劑)進行之易接著處理等表面處理。用以提高密接性之表面處理較佳為於基材部中之黏著劑層側之整個表面實施。
就作為支持體之功能及表面之耐擦傷性優異之觀點而言，上述基材部之厚度較佳為5 μm以上，更佳為10 μm以上。就透明性更加優異之觀點而言，上述基材部之厚度較佳為300 μm以下，更佳為200 μm以下。
(黏著劑層) 上述黏著劑層設置於上述基材部之至少一個面。於上述黏著劑層設置於上述基材部之兩面之情形時，兩面上之黏著劑層可相同，亦可為組成或厚度等不同之黏著劑層。又，設置於上述基材部之至少一個面之黏著劑層分別可為單層，亦可為組成或厚度等不同之複數層。
較佳為至少於相對於上述基材部為與光半導體元件積層之一側(即具備表面處理層之一側之相反側)具備上述黏著劑層。藉由具有此種構造，可使用上述黏著劑層貼合於光半導體元件。又，藉由將上述黏著劑層直接貼合於光半導體元件，可藉由上述黏著劑層來密封光半導體元件。
又，亦可對上述基材部於具備上述表面處理層之側(即與光半導體元件積層之側之相反側)具備上述黏著劑層。於上述表面處理層為後述表面處理積層體之情形時，可經由上述黏著劑層將上述基材部與上述表面處理積層體貼合。
構成上述黏著劑層之黏著劑並無特別限定，例如可例舉丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑(天然橡膠系、合成橡膠系、其等之混合系等)、矽酮系黏著劑、聚酯系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚醚系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、氟系黏著劑等。其中，就透明性優異、及密接性、耐候性、成本、黏著劑之設計容易度之方面而言，構成黏著劑層之黏著劑較佳為丙烯酸系黏著劑。上述黏著劑層較佳為包含丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系黏著劑層。上述黏著劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
於上述黏著劑層於上述基材部之積層有光學積層體之一側之面由複數層構成之情形時，上述黏著劑層較佳為包含具有硬化性之黏著劑層(硬化性黏著劑層)、及不具有硬化性之黏著劑層(非硬化性黏著劑層)。
(硬化性黏著劑層) 上述硬化性黏著劑層可例舉具有藉由放射線照射而硬化之性質之黏著劑層(放射線硬化性黏著劑層)、具有藉由熱而硬化之性質之黏著劑層(熱硬化性黏著劑層)。上述放射線例如可例舉電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、X射線等活性能量線。其中，較佳為紫外線。
上述放射線硬化性黏著劑層較佳為包含具有放射線聚合性官能基之聚合物作為基礎聚合物(即含有率最高之聚合物)。上述放射線硬化性黏著劑層中之上述具有放射線聚合性官能基之聚合物之含有率相對於上述放射線硬化性黏著劑層之總量100質量%較佳為50質量%以上(例如50～100質量%)，更佳為80質量%以上(例如80～100質量%)，進而較佳為90質量%以上(例如90～100質量%)。若上述含有率為50質量%以上，則放射線硬化性黏著劑層之硬化性更加優異，且側面之黏著性因放射線照射而進一步降低。又，光半導體元件密封用片材之透明性更進一步優異。
上述放射線聚合性官能基可例舉乙烯性不飽和基等包含碳-碳不飽和鍵之基等放射線自由基聚合性基、或放射線陽離子聚合性基等。上述包含碳-碳不飽和鍵之基例如可例舉乙烯基、丙烯基、異丙烯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基等。上述放射線陽離子聚合性基可例舉環氧基、環雜氧丁基、氧雜環戊烷基等。其中，較佳為包含碳-碳不飽和鍵之基，更佳為丙烯醯基、甲基丙烯醯基。上述放射線聚合性官能基可僅使用一種，亦可使用兩種以上。上述放射線聚合性官能基之位置可為聚合物側鏈、聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端之任一者。
具有上述放射線聚合性官能基之聚合物例如可藉由如下方法製作，即，使具有反應性官能基(第1官能基)之聚合物與具有可與上述第1官能基發生反應而形成鍵之官能基(第2官能基)及上述放射線聚合性官能基之化合物，於維持上述放射線聚合性官能基之放射線聚合性之狀態下進行反應而鍵結。因此，具有上述放射線聚合性官能基之聚合物較佳為包含來自具有上述第1官能基之聚合物之結構部、及來自具有上述第2官能基及放射線聚合性官能基之化合物之結構部。
上述第1官能基與上述第2官能基之組合例如可例舉羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸基、異氰酸基與羥基等。其等之中，就反應追蹤之容易度之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸基之組合、異氰酸基與羥基之組合。上述組合可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
具有上述放射線聚合性官能基之聚合物、即具有上述第1官能基之聚合物例如可例舉丙烯酸系聚合物、胺基甲酸酯丙烯酸酯系樹脂、環氧系樹脂、環氧丙烯酸酯系樹脂、氧雜環丁烷系樹脂、矽酮樹脂、矽酮丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂等。其中，較佳為丙烯酸系聚合物。上述聚合物可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述丙烯酸系聚合物係包含來自丙烯酸系單體(於分子中具有(甲基)丙烯醯基之單體成分)之結構單元作為聚合物之結構單元之聚合物。上述丙烯酸系聚合物可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述丙烯酸系聚合物較佳為以質量比率計包含最多來自(甲基)丙烯酸酯之結構單元之聚合物。
上述(甲基)丙烯酸酯例如可例舉可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯。上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯中之含烴基之(甲基)丙烯酸酯可例舉具有直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯等具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸芳酯等具有芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯等。上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述(甲基)丙烯酸烷基酯例如可例舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
上述(甲基)丙烯酸烷基酯之中，較佳為具有碳數為1～20(較佳為1～14、更佳為2～10、進而較佳為2～8)之直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯。若上述碳數處於上述範圍內，則容易調整上述丙烯酸系聚合物之玻璃轉移溫度，易於使放射線硬化性黏著劑層之黏著性更適當。
上述具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯例如可例舉：(甲基)丙烯酸環戊酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸環庚酯、(甲基)丙烯酸環辛酯等具有單環式脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸異𦯉酯等具有雙環式脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸雙環戊酯、(甲基)丙烯酸雙環戊氧基乙酯、(甲基)丙烯酸三環戊酯、(甲基)丙烯酸1-金剛烷基酯、(甲基)丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯、(甲基)丙烯酸2-乙基-2-金剛烷基酯等具有三環以上之脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯等。其中，較佳為具有單環式脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯，更佳為(甲基)丙烯酸環己酯。
上述具有芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯例如可例舉(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苄酯等。
具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯可例舉上述含烴基之(甲基)丙烯酸酯中之烴基中之1個以上之氫原子經烷氧基取代而成者，例如可例舉(甲基)丙烯酸之2-甲氧基甲酯、2-甲氧基乙酯、2-甲氧基丁酯等。
上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯之中，較佳為包含具有直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯，進而更佳為包含具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯。於此情形時，放射線硬化性黏著劑層之黏著性之平衡良好，光半導體元件之密封性更加優異。
為了使放射線硬化性黏著劑層適切地表現出上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯所帶來之黏著性或對光半導體元件之密接性等基本特性，於構成具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物之總單體成分中，上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯之比率相對於上述總單體成分之總量(100莫耳%)較佳為40莫耳%以上，更佳為50莫耳%以上。又，就可與其他單體成分進行共聚並獲得該其他單體成分之效果之觀點而言，上述比率較佳為95莫耳%以下，更佳為80莫耳%以下。
構成具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物之總單體成分中的具有直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯之比率相對於上述總單體成分之總量(100莫耳%)較佳為30莫耳%以上，更佳為40莫耳%以上。又，上述比率較佳為90莫耳%以下，更佳為70莫耳%以下。
構成具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物之總單體成分中的具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯之比率相對於上述總單體成分之總量(100莫耳%)較佳為1莫耳%以上，更佳為5莫耳%以上。又，上述比率較佳為30莫耳%以下，更佳為20莫耳%以下。
為了上述第1官能基之導入或凝聚力、耐熱性等之改質，上述丙烯酸系聚合物亦可包含來自可與上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯進行共聚之其他單體成分之結構單元。上述其他單體成分例如可例舉含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含縮水甘油基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、含氮原子單體等含極性基單體等。上述其他單體成分分別可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述含羧基單體例如可例舉丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、馬來酸、富馬酸、丁烯酸等。上述酸酐單體例如可例舉馬來酸酐、伊康酸酐等。
上述含羥基單體例如可例舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等。
上述含縮水甘油基單體例如可例舉(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯等。
上述含磺酸基單體例如可例舉苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等。
上述含磷酸基單體例如可例舉2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等。
上述含氮原子單體例如可例舉(甲基)丙烯醯基嗎啉等含嗎啉基單體、(甲基)丙烯腈等含氰基單體、(甲基)丙烯醯胺等含醯胺基單體等。
較佳為含有含羥基單體作為構成上述丙烯酸系聚合物之上述含極性基單體。藉由使用含羥基單體，容易導入第1官能基。又，丙烯酸系聚合物及放射線硬化性黏著劑層之耐水性優異，即便於將光半導體元件密封用片材在高濕度環境下使用之情形時，亦不易產生白霧，抗白化性優異。
上述含羥基單體較佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯，更佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。
為了使放射線硬化性黏著劑層適切地表現出上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯所帶來之黏著性或對光半導體元件之密接性等基本特性，於構成具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物之總單體成分(100莫耳%)中，上述含極性基單體之比率較佳為5～50莫耳%，更佳為10～40莫耳%。尤其就放射線硬化性黏著劑層之耐水性亦更加優異之觀點而言，含羥基單體之比率較佳為處於上述範圍內。
為了於其聚合物骨架中形成交聯結構，上述丙烯酸系聚合物亦可包含來自可與構成丙烯酸系聚合物之單體成分進行共聚之多官能(甲基)丙烯酸酯之結構單元。上述多官能(甲基)丙烯酸酯例如可例舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。上述多官能(甲基)丙烯酸酯可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
為了使放射線硬化性黏著劑層適切地表現出上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯所帶來之黏著性或對光半導體元件之密接性等基本特性，於構成具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物之總單體成分(100莫耳%)中，上述多官能(甲基)丙烯酸酯之比率較佳為40莫耳%以下，更佳為30莫耳%以下。
製作具有反應性較高之異氰酸基之聚合物之技術難度較高，另一方面，就具有羥基之丙烯酸系聚合物之製作及獲取之容易性之觀點而言，上述第1官能基與上述第2官能基之組合之中，較佳為上述第1官能基為羥基且上述第2官能基為異氰酸基之組合。
具有上述放射性聚合性官能基及異氰酸基之化合物可例舉：甲基丙烯醯異氰酸酯、2-丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。上述化合物可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
就可進一步推進放射線硬化性黏著劑層之硬化之觀點而言，具有上述放射線聚合性官能基之丙烯酸系聚合物中，來自具有上述第2官能基及放射線聚合性官能基之化合物之結構部之含量相對於來自具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物之結構部之總量100莫耳較佳為0.5莫耳以上，更佳為1莫耳以上，進而較佳為3莫耳以上，進而較佳為10莫耳以上。上述含量例如為100莫耳以下。
就可進一步推進放射線硬化性黏著劑層之硬化之觀點而言，具有上述放射線聚合性官能基之丙烯酸系聚合物中，上述第2官能基相對於上述第1官能基之莫耳比[第2官能基/第1官能基]較佳為0.01以上，更佳為0.05以上，進而較佳為0.2以上，尤佳為0.4以上。又，就進一步減少放射線硬化性黏著劑層中之低分子量物質之觀點而言，上述莫耳比較佳為未達1.0，更佳為0.9以下。
具有上述放射線聚合性官能基之丙烯酸系聚合物例如可藉由如下方法製作，即，使包含具有第1官能基之單體成分之原料單體進行聚合(共聚)而獲得具有第1官能基之丙烯酸系聚合物，隨後使具有上述第2官能基及放射線聚合性官能基之化合物於維持放射線聚合性官能基之放射線聚合性之狀態下與丙烯酸系聚合物進行縮合反應或加成反應。
具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物係藉由使上述各種單體成分進行聚合而獲得。該聚合方法並無特別限定，例如可例舉溶液聚合法、乳化聚合法、塊狀聚合法、利用活性能量線照射之聚合方法(活性能量線聚合法)等。又，所獲得之丙烯酸系聚合物可為無規共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等之任一者。
進行單體成分之聚合時亦可使用各種普通溶劑。上述溶劑例如可例舉：乙酸乙酯、乙酸正丁酯等酯類；甲苯、苯等芳香族烴類；正己烷、正庚烷等脂肪族烴類；環己烷、甲基環己烷等脂環式烴類；甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類等有機溶劑。上述溶劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
單體成分之自由基聚合所使用之聚合起始劑、鏈轉移劑、乳化劑等並無特別限定，可適當選擇而使用。再者，丙烯酸系聚合物之重量平均分子量可利用聚合起始劑、鏈轉移劑之使用量、反應條件進行控制，並根據其等之種類適當調整其使用量。
單體成分之聚合所使用之聚合起始劑可根據聚合反應之種類使用熱聚合起始劑或光聚合起始劑(光起始劑)等。上述聚合起始劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述熱聚合起始劑並無特別限定，例如可例舉偶氮系聚合起始劑、過氧化物系聚合起始劑、氧化還原系聚合起始劑等。上述熱聚合起始劑之使用量相對於構成具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物之總單體成分之總量100質量%較佳為1質量%以下，更佳為0.005～1質量%，進而較佳為0.02～0.5質量%。
上述光聚合起始劑例如可例舉：安息香醚系光聚合起始劑、苯乙酮系光聚合起始劑、α-酮醇系光聚合起始劑、芳香族磺醯氯系光聚合起始劑、光活性肟系光聚合起始劑、苯偶姻系光聚合起始劑、苯偶醯系光聚合起始劑、二苯甲酮系光聚合起始劑、縮酮系光聚合起始劑、9-氧硫𠮿
Figure 111127886-001
系光聚合起始劑、醯基氧化膦系光聚合起始劑、二茂鈦系光聚合起始劑等。其中，較佳為苯乙酮系光聚合起始劑。
上述苯乙酮系光聚合起始劑例如可例舉：2,2-二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1-羥基環己基苯基酮、4-苯氧基二氯苯乙酮、4-(第三丁基)二氯苯乙酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、甲氧基苯乙酮等。
上述光聚合起始劑之使用量相對於構成具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物之總單體成分之總量100質量%較佳為0.005～1質量%，更佳為0.01～0.7質量%，進而較佳為0.18～0.5質量%。若上述使用量為0.005質量%以上(尤其為0.18質量%以上)，則易於將丙烯酸系聚合物之分子量控制得較小，有放射線硬化性黏著劑層之殘留應力變高、階差吸收性更良好之傾向。
具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物與具有上述第2官能基及放射線聚合性官能基之化合物之反應例如可於溶劑中於觸媒之存在下加以攪拌而進行。上述溶劑可例舉上文所記載之溶劑。上述觸媒係根據第1官能基及第2官能基之組合適當選擇。上述反應中之反應溫度例如為5～100℃，反應時間例如為1～36小時。
具有上述放射線聚合性官能基之丙烯酸系聚合物亦可具有來自交聯劑之結構部。例如，可使上述丙烯酸系聚合物交聯而進一步減少放射線硬化性黏著劑層中之低分子量物質。又，可提高丙烯酸系聚合物之重量平均分子量。再者，上述交聯劑係使除放射線聚合性官能基以外之官能基彼此(例如，第1官能基彼此、第2官能基彼此、或第1官能基與第2官能基)交聯者。上述交聯劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述交聯劑例如可例舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、脲系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、㗁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑、矽酮系交聯劑、矽烷系交聯劑等。上述交聯劑之中，就對光半導體元件之密接性優異之觀點、雜質離子較少之觀點而言，較佳為異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑，更佳為異氰酸酯系交聯劑。
上述異氰酸酯系交聯劑(多官能異氰酸酯化合物)例如可例舉：1,2-伸乙基二異氰酸酯、1,4-伸丁基二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯等低級脂肪族聚異氰酸酯類；伸環戊基二異氰酸酯、伸環己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯、氫化二甲苯二異氰酸酯等脂環族聚異氰酸酯類；2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、4,4'-二苯甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等芳香族聚異氰酸酯類等。又，上述異氰酸酯系交聯劑例如亦可例舉三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯加成物、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯加成物、三羥甲基丙烷/苯二甲基二異氰酸酯加成物等。
來自上述交聯劑之結構部之含量並無特別限定，相對於具有上述放射線聚合性官能基之丙烯酸系聚合物之除來自上述交聯劑之結構部以外之總量100質量%較佳為含有5質量%以下，更佳為0.001～5質量%，進而較佳為0.01～3質量%。
上述放射線硬化性黏著劑層亦可於無損本發明之效果之範圍內包含具有上述放射線聚合性官能基之聚合物以外之其他成分。上述其他成分可例舉：交聯促進劑、黏著賦予樹脂(松香衍生物、聚萜烯樹脂、石油樹脂、油溶性酚等)、低聚物、防老化劑、填充劑(金屬粉、有機填充劑、無機填充劑等)、抗氧化劑、塑化劑、軟化劑、界面活性劑、抗靜電劑、表面潤滑劑、整平劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、聚合抑制劑、粒狀物、箔狀物等。上述其他成分分別可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
(非硬化性黏著劑層) 形成上述放射線非硬化性黏著劑層之黏著劑可使用不具有放射線硬化性、即不含具有放射線硬化性之化合物之公知或慣用之壓敏型黏著劑。然而，可包含少量自積層之其他層移行而滲入之不可避免之具有放射線硬化性之化合物。上述黏著劑例如可例舉：丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑(天然橡膠系、合成橡膠系、其等之混合系等)、矽酮系黏著劑、聚酯系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚醚系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、氟系黏著劑等。其中，就密接性、耐候性、成本、黏著劑之設計容易度之方面而言，構成放射線非硬化性黏著劑層之黏著劑較佳為丙烯酸系黏著劑。上述放射線非硬化性黏著劑層較佳為包含丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系黏著劑層。上述黏著劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述丙烯酸系黏著劑層含有丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物。上述丙烯酸系聚合物係包含丙烯酸系單體作為構成聚合物之單體成分之聚合物。即，上述丙烯酸系聚合物包含來自丙烯酸系單體之結構單元。再者，丙烯酸系聚合物可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述丙烯酸系黏著劑層中之上述丙烯酸系聚合物之含有率並無特別限定，相對於上述黏著劑層之總量100質量%較佳為50質量%以上(例如50～100質量%)，更佳為80質量%以上(例如80～100質量%)，進而較佳為90質量%以上(例如90～100質量%)。若上述含有率為50質量%以上，則光半導體元件密封用片材之透明性更加優異。
上述丙烯酸系聚合物較佳為以(甲基)丙烯酸烷基酯作為必需之單體成分而構成(形成)之聚合體。即，上述丙烯酸系聚合物較佳為包含(甲基)丙烯酸烷基酯作為結構單元。
上述(甲基)丙烯酸酯例如可例舉可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯。上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯中之含烴基之(甲基)丙烯酸酯可例舉上述具有直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯、上述具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯、上述具有芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯等。上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述(甲基)丙烯酸烷基酯之中，較佳為具有碳數為1～20(較佳為1～14、更佳為2～10，進而較佳為2～8)之直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯。若上述碳數處於上述範圍內，則容易調整上述丙烯酸系聚合物之玻璃轉移溫度，易於使放射線非硬化性黏著劑層之黏著性更適當。
上述具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯之中，較佳為具有單環式脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯，更佳為(甲基)丙烯酸環己酯。
上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯之中，較佳為包含具有直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯，進而更佳為包含具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯。於此情形時，放射線非硬化性黏著劑層之黏著性之平衡良好，光半導體元件之密封性更加優異。
為了使放射線非硬化性黏著劑層適切地表現出上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯所帶來之黏著性或對光半導體元件之密接性等基本特性，於構成上述丙烯酸系聚合物之總單體成分中，上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯之比率相對於上述總單體成分之總量(100莫耳%)較佳為40莫耳%以上，更佳為50莫耳%以上。又，就可與其他單體成分進行共聚並獲得該其他單體成分之效果之觀點而言，上述比率較佳為95莫耳%以下，更佳為80莫耳%以下。
構成上述丙烯酸系聚合物之總單體成分中的具有直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯之比率相對於上述總單體成分之總量(100莫耳%)較佳為30莫耳%以上，更佳為40莫耳%以上。又，上述比率較佳為90莫耳%以下，更佳為70莫耳%以下。
構成上述丙烯酸系聚合物之總單體成分中的具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯之比率相對於上述總單體成分之總量(100莫耳%)較佳為1莫耳%以上，更佳為5莫耳%以上。又，上述比率較佳為30莫耳%以下，更佳為20莫耳%以下。
為了凝聚力、耐熱性等之改質，上述丙烯酸系聚合物亦可包含來自上述含極性基單體等上述其他單體成分之結構單元。上述其他單體成分分別可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
較佳為含有含羥基單體作為構成上述丙烯酸系聚合物之上述含極性基單體。於此情形時，丙烯酸系聚合物及放射線非硬化性黏著劑層之耐水性優異，即便於將光半導體元件密封用片材在高濕度環境下使用之情形時，亦不易產生白霧，抗白化性優異。
上述含羥基單體較佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯，更佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。
為了使放射線非硬化性黏著劑層適切地表現出上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯所帶來之黏著性或對光半導體元件之密接性等基本特性，於構成上述丙烯酸系聚合物之總單體成分(100莫耳%)中，上述含極性基單體之比率較佳為5～50莫耳%，更佳為10～40莫耳%。尤其就放射線非硬化性黏著劑層之耐水性亦更加優異之觀點而言，較佳為含羥基單體之比率處於上述範圍內。
為了於其聚合物骨架中形成交聯結構，上述丙烯酸系聚合物亦可包含來自可與構成丙烯酸系聚合物之單體成分進行共聚之多官能性單體之結構單元。上述多官能性單體除上述多官能(甲基)丙烯酸酯外，可例舉環氧(甲基)丙烯酸酯(例如聚縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯)、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等於分子內具有(甲基)丙烯醯基及其他反應性官能基之單體等。上述多官能性單體可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
為了使放射線非硬化性黏著劑層適切地表現出上述可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯所帶來之黏著性或對光半導體元件之密接性等基本特性，於構成上述丙烯酸系聚合物之總單體成分(100莫耳%)中，上述多官能性單體之比率較佳為40莫耳%以下，更佳為30莫耳%以下。
上述丙烯酸系聚合物亦可具有來自上述交聯劑之結構部。例如，可使上述丙烯酸系聚合物交聯而進一步減少放射線硬化性黏著劑層中之低分子量物質。又，可提高丙烯酸系聚合物之重量平均分子量。上述交聯劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述丙烯酸系聚合物可藉由與上述具有第1官能基之丙烯酸系聚合物相同之方法製作。
上述丙烯酸系聚合物之重量平均分子量並無特別限定，較佳為10萬～300萬，更佳為20萬～250萬。若上述重量平均分子量處於上述範圍內，則放射線非硬化性黏著劑層之黏著性之平衡良好，光半導體元件之密封性更加優異。再者，上述重量平均分子量係指藉由凝膠滲透層析法(GPC)進行測定並根據聚苯乙烯換算所算出之值。
上述放射線非硬化性黏著劑層亦可於無損本發明之效果之範圍內包含上述基礎聚合物以外之其他成分。上述其他成分可例舉作為上述放射線硬化性黏著劑層可包含之其他成分所例示及說明之成分。上述其他成分分別可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
又，上述非硬化性黏著劑層較佳為於積層於光學積層體時位於成為光半導體元件側之光學積層體表面(於具備剝離襯墊之情形時為除剝離襯墊外之積層體表面)。例如，於圖1所示之光學積層體1中，黏著劑層3a包含作為硬化性黏著劑層之第1黏著劑層31及作為非硬化性黏著劑層之第2黏著劑層32。第2黏著劑層32位於除剝離襯墊5外之光學積層體1之與表面處理層4為相反側之表面。
若上述非硬化性黏著劑層位於上述表面，則於將上述光學積層體用作後述光半導體元件密封用片材且上述光半導體元件密封用片材將光半導體元件密封時，上述非硬化性黏著劑層對光半導體元件及基板之密接性優異，光半導體元件之密封性優異。而且，密封後上述硬化性黏著劑層因放射線照射等而硬化，密封用片材側面之密接性降低。藉此，於平鋪狀態下鄰接之光半導體裝置中之黏著劑層彼此之密接性較低，將鄰接之光半導體裝置彼此拉離時，不易出現片材之缺損或鄰接之光半導體裝置之片材之附著。又，於將光學積層體積層於光半導體元件而製作光半導體裝置且隨後進行切割時，可抑制切割部分之黏膩感，可製作外觀良好之光半導體裝置。
上述黏著劑層亦可含有包含著色劑之層。若具有此種構成，則於將上述光半導體裝置平鋪而應用於顯示器時，可於使用光半導體裝置時抑制各光半導體元件所發出之光之混色而提高對比度，又，於不使用光半導體裝置時，可防止金屬配線等所導致之反射，使顯示器之外觀良好。上述包含著色劑之層可僅具有一層，亦可具有兩層以上。例如，上述包含著色劑之層可為上述硬化性黏著劑層及上述非硬化性黏著劑層之任一者，亦可為該兩者。
上述著色劑較佳為黑色系著色劑。上述黑色系著色劑可使用公知或慣用之用以呈黑色之著色劑(顏料、染料等)。黑色系著色劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。又，亦可使用與呈黑色以外之顏色之著色劑組合並調配而作為黑色系著色劑發揮作用之著色劑。
上述黏著劑層之厚度(基材部之一個面上之黏著劑層之總厚度)較佳為20～800 μm，更佳為30～700 μm，進而較佳為50～600 μm。若上述厚度為20 μm以上，則基材部與被黏著體之黏著性更加優異。若上述厚度為800 μm以下，則可使黏著劑層之厚度較薄，可使光半導體裝置更薄。
上述黏著劑層(各層)之折射率較佳為1.40～1.55，更佳為1.43～1.53。若上述折射率處於上述範圍內，則有與構成上述光學積層體之其他層(例如上述基材部等構成上述基材部之其他層)的折射率差減小之傾向，可降低界面處之反射率，光半導體裝置之視認性優異，且不易產生色偏。再者，上述黏著劑層之折射率為光學積層體之使用狀態下之值，於上述黏著劑層包含硬化性黏著劑層之情形時，為硬化性黏著劑層已硬化之狀態下之值。
關於上述黏著劑層之折射率，可調整基礎聚合物等樹脂成分之種類或組成、或者填料等添加劑之含量等。然而，於利用填料等添加劑進行調整之情形時，儘管調整了折射率，但有對其他光學物性(例如霧度等)造成影響之情況，作為光學用途之積層體時有綜合調整非常繁雜之情形。另一方面，於調整樹脂成分之種類或組成之情形時，可例舉選定構成樹脂之單體成分之組合之方法。於使用具有共軛環者作為單體成分之情形時，有折射率提高之傾向，於使用矽酮或氟成分等之情形時，有折射率降低之傾向。例如，作為提高折射率之方法，可使用使包含芳香環且折射率相對較高之單體成分進行共聚之方法，反之，作為降低折射率之方法，可藉由使含有含氟單體且折射率相對較低之成分進行共聚而加以調整。於此情形時，與利用填料等添加劑進行調整之情形相比，對其他光學特性(霧度等)之影響相對較小，有作為光學用途之積層體時不難進行綜合調整之情況。
(表面處理層) 上述表面處理層係對上述光學積層體賦予抗反射性及/或防眩性之層。於將上述光學積層體積層於光半導體元件時，上述表面處理層設置於相對於上述基材部位與上述光半導體元件相反之一側。藉由具備上述表面處理層，於將上述光半導體裝置應用於顯示器時，可抑制顯示器之光澤或光之反射，使顯示器之外觀良好。上述賦予防眩性之層可例舉防眩處理層。上述賦予抗反射性之層可例舉抗反射處理層。於上述表面處理層為賦予抗反射性及防眩性之層之情形時，上述防眩處理層及抗反射處理層可為單一之層，亦可為相互不同之層。
上述表面處理層為防眩處理層及/或抗反射處理層，該層亦可為設置於上述基材部或上述黏著劑層等構成上述光學積層體之層中之至少一層之表面上之層。此種表面處理層係藉由對構成上述光學積層體之層表面(例如上述基材部表面)實施防眩處理及/或抗反射處理而形成。防眩處理及抗反射處理可分別使用公知或慣用之方法來實施。
上述表面處理層較佳為具有光學膜、及設置於上述光學膜之一個面之防眩處理層及/或抗反射處理層之表面處理積層體。偏光板等光學膜通常有支持性或操作性較差之傾向，藉由與上述基材部組合而使用，可利用兩者之優勢。又，藉由使用上述表面處理積層體，上述光學積層體可直接應用於光學構件。上述光學膜或表面處理積層體可例舉抗反射(AR，anti-reflection)膜、偏光板、相位差板等。
上述抗反射處理層可使用公知或慣用之抗反射處理層，例如可例舉防反射處理層。
上述防反射處理層可藉由抗反射層形成用塗敷液而形成。上述抗反射層形成用塗敷液亦可包含例如樹脂、含氟元素添加劑、中空粒子、實心粒子、及稀釋溶劑等，例如可將其等混合而製造。
上述樹脂例如可例舉熱硬化性樹脂、因紫外線或光而硬化之游離輻射硬化性樹脂。亦可使用市售之熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等作為上述樹脂。
作為上述熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂，例如可使用藉由熱、光(紫外線等)或電子束等而硬化之具有丙烯酸酯基及甲基丙烯酸酯基之至少一者之硬化型化合物，例如可例舉矽酮樹脂、聚酯樹脂、聚醚樹脂、環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、醇酸樹脂、螺縮醛樹脂、聚丁二烯樹脂、多硫醇多烯樹脂、多元醇等多官能化合物之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯等低聚物或預聚物等。其等可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
為了上述硬化型樹脂之硬化，例如亦可添加硬化劑。上述硬化劑並無特別限定，例如可適當使用公知或慣用之聚合起始劑(例如熱聚合起始劑、光聚合起始劑等)。上述硬化劑之添加量並無特別限定，相對於上述抗反射層形成用塗敷液中之上述樹脂100質量份，例如可為0.5質量份以上、1.0質量份以上、1.5質量份以上、2.0質量份以上、或2.5質量份以上，亦可為15質量份以下、13質量份以下、10質量份以下、7質量份以下、或5質量份以下。
上述含氟元素添加劑並無特別限定，例如可為分子中包含氟之有機化合物或無機化合物。上述有機化合物並無特別限定，例如可例舉含氟防污塗佈劑、含氟丙烯酸系化合物、含氟及矽丙烯酸系化合物等。上述含氟元素添加劑之添加量並無特別限定，例如相對於上述抗反射層形成用塗敷液中之固形物成分整體之質量，上述固形物成分中之氟元素之質量例如可為0.05質量%以上、0.1質量%以上、0.15質量%以上、0.20質量%以上、或0.25質量%以上，亦可為20質量%以下、15質量%以下、10質量%以下、5質量%以下、或3質量%以下。又，例如相對於上述抗反射層形成用塗敷液中之上述樹脂100質量份，上述含氟元素添加劑之質量例如可為0.05質量份以上、0.1質量份以上、0.15質量份以上、0.20質量份以上、或0.25質量份以上，亦可為20質量份以下、15質量份以下、10質量份以下、5質量份以下、或3質量份以下。
上述中空粒子並無特別限定，例如可為二氧化矽粒子、丙烯酸粒子、丙烯酸-苯乙烯共聚粒子等。上述二氧化矽粒子例如可例舉商品名「Thrulya 5320」、商品名「Thrulya 4320」等(以上由日揮觸媒化成股份有限公司製造)。上述中空粒子之重量平均粒徑並無特別限定，例如可為30 nm以上、40 nm以上、50 nm以上、60 nm以上、或70 nm以上，亦可為150 nm以下、140 nm以下、130 nm以下、120 nm以下、或110 nm以下。上述中空粒子之形狀並無特別限制，例如可為顆粒狀之大致球形，亦可為粉末等不定形者，較佳為大致球形者，更佳為長徑比為1.5以下之大致球形之粒子，最佳為球形之粒子。藉由添加上述中空粒子，例如可實現上述抗反射層之低折射率、良好之抗反射特性等。上述中空粒子之添加量並無特別限定，相對於上述抗反射層形成用塗敷液中之上述樹脂100質量份，例如可為30質量份以上、50質量份以上、70質量份以上、90質量份以上、或100質量份以上，亦可為300質量份以下、270質量份以下、250質量份以下、200質量份以下、或180質量份以下。就抗反射層之低折射率化之觀點而言，較佳為上述中空粒子之添加量不會過少，就確保抗反射層之機械特性之觀點而言，較佳為上述中空粒子之添加量不會過多。
上述實心粒子並無特別限定，例如可為二氧化矽粒子、氧化鋯粒子、含鈦粒子(例如氧化鈦粒子)等。上述二氧化矽粒子例如可例舉商品名「MEK-2140Z-AC」、商品名「MIBK-ST」、商品名「IPA-ST」等(以上由日產化學股份有限公司製造)。上述實心粒子之重量平均粒徑並無特別限定，例如可為5 nm以上、10 nm以上、15 nm以上、20 nm以上、或25 nm以上，亦可為3300 nm以下、250 nm以下、200 nm以下、150 nm以下、或100 nm以下。上述實心粒子之形狀並無特別限制，例如可為顆粒狀之大致球形，亦可為粉末等不定形者，較佳為大致球形者，更佳為長徑比為1.5以下之大致球形之粒子，最佳為球形之粒子。藉由添加上述實心粒子，例如上述含氟元素添加劑易於不均勻地分佈於已塗敷之上述抗反射層形成用塗敷液之表面，抗反射層之耐擦傷性優異，可實現低折射率、良好之抗反射特性等。上述實心粒子之添加量並無特別限定，相對於上述抗反射層形成用塗敷液中之上述樹脂100質量份，例如可為5質量份以上、10質量份以上、15質量份以上、20質量份以上、或25質量份以上，亦可為150質量份以下、120質量份以下、100質量份以下、或80質量份以下。
上述稀釋溶劑例如可為包含甲基異丁基酮(MIBK)及丙二醇單甲醚乙酸酯(PMA)之混合溶劑。此情形時之混合比率並無特別限定，於將MIBK之質量設為100質量份之情形時，PMA之質量例如可為20質量份以上、50質量份以上、100質量份以上、150質量份以上、或200質量份以上，亦可為400質量份以下、350質量份以下、300質量份以下、或250質量份以下。
上述稀釋溶劑例如亦可為除甲基異丁基酮及丙二醇單甲醚乙酸酯外進而包含第三丁醇之混合溶劑。此情形時之混合比率並無特別限定，於將甲基異丁基酮之質量設為100質量份之情形時，PMA之質量例如可為10質量份以上、30質量份以上、50質量份以上、80質量份以上、或100質量份以上，亦可為200質量份以下、180質量份以下、150質量份以下、130質量份以下、或110質量份以下。又，於將MIBK之質量設為100質量份之情形時，第三丁醇之質量例如可為10質量份以上、30質量份以上、50質量份以上、80質量份以上、或100質量份以上，亦可為200質量份以下、180質量份以下、150質量份以下、130質量份以下、或110質量份以下。
上述稀釋溶劑之添加量亦無特別限定，例如，相對於抗反射層形成用塗敷液整體之質量之固形物成分之質量例如可為0.1質量%以上、0.3質量%以上、0.5質量%以上、1.0質量%以上、或1.5質量%以上，亦可為20質量%以下、15質量%以下、10質量%以下、5質量%以下、或3質量%以下。就確保塗敷性(潤濕、整平)之觀點而言，較佳為上述固形物成分之含有率不會過高，就防止風乾不均、白化等由乾燥引起之外觀不良之觀點而言，較佳為上述固形物成分之含有率不會過低。
可應用公知或慣用之防眩處理層作為上述防眩處理層。上述防眩處理層可採用公知或慣用者，通常形成為於樹脂中分散有作為防眩劑之無機或有機粒子之層。
上述防眩處理層並無特別限定，例如使用包含樹脂、粒子、及觸變賦予劑之防眩處理層形成材料而形成，且藉由上述粒子及上述觸變賦予劑之凝聚而於上述防眩處理層之表面形成凸狀部。藉由該構成，防眩處理層具有兼顧防眩性、及防白斑之優異之顯示特性，而且儘管利用粒子之凝聚而形成防眩處理層，仍可防止產生成為外觀缺陷之防眩處理層表面之突起狀物而提高製品之良率。
上述樹脂例如可例舉熱硬化性樹脂、因紫外線或光而硬化之游離輻射硬化性樹脂。亦可使用市售之熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等作為上述樹脂。
作為上述熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂，例如可使用藉由熱、光(紫外線等)或電子束等而硬化之丙烯酸酯基及甲基丙烯酸酯基之至少一者之硬化型化合物，例如可例舉矽酮樹脂、聚酯樹脂、聚醚樹脂、環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、醇酸樹脂、螺縮醛樹脂、聚丁二烯樹脂、多硫醇多烯樹脂、多元醇等多官能化合物之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯等低聚物或預聚物等。其等可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
用於形成上述防眩處理層之粒子之主要功能在於使所形成之防眩處理層之表面成為凹凸形狀而賦予防眩性，及控制防眩處理層之霧度值。防眩處理層之霧度值可藉由控制上述粒子與上述樹脂的折射率差來設計。上述粒子例如有無機粒子及有機粒子。上述無機粒子並無特別限制，例如可例舉：氧化矽粒子、氧化鈦粒子、氧化鋁粒子、氧化鋅粒子、氧化錫粒子、氧化鋯粒子、碳酸鈣粒子、硫酸鋇粒子、滑石粒子、高嶺土粒子、硫酸鈣粒子等。又，上述有機粒子並無特別限制，例如可例舉：聚甲基丙烯酸甲酯樹脂粉末、矽酮樹脂粉末、聚苯乙烯樹脂粉末、聚碳酸酯樹脂粉末、丙烯酸-苯乙烯樹脂粉末、苯并胍胺樹脂粉末、三聚氰胺樹脂粉末、聚烯烴樹脂粉末、聚酯樹脂粉末、聚醯胺樹脂粉末、聚醯亞胺樹脂粉末、聚氟乙烯樹脂粉末等。該等無機粒子及有機粒子可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述防眩處理層亦可包含觸變賦予劑。藉由包含上述觸變賦予劑，可容易地控制上述粒子之凝聚狀態。用於形成上述防眩處理層之觸變賦予劑例如可例舉有機黏土、氧化聚烯烴、改性脲等。上述觸變賦予劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
為了改善與上述樹脂之親和性，上述有機黏土較佳為經有機化處理之黏土。有機黏土例如可例舉層狀有機黏土。上述有機黏土可自行製備，亦可使用市售品。上述市售品例如可例舉：商品名「Lucentite SAN」、商品名「Lucentite STN」、商品名「Lucentite SEN」、商品名「Lucentite SPN」、商品名「Somasif ME-100」、商品名「Somasif MAE」、商品名「Somasif MTE」、商品名「Somasif MEE」、商品名「Somasif MPE」(以上由Katakura & Co-op Agri股份有限公司製造)；商品名「S-BEN」、商品名「S-BEN C」、商品名「S-BEN E」、商品名「S-BEN W」、商品名「S-BEN P」、商品名「S-BEN WX」、商品名「S-BEN N-400」、商品名「S-BEN NX」、商品名「S-BEN NX80」、商品名「S-BEN NO12S」、商品名「S-BEN NEZ」、商品名「S-BEN NO12」、商品名「S-BEN NE」、商品名「S-BEN NZ」、商品名「S-BEN NZ70」、商品名「Orgonite」、商品名「Orgonite D」、商品名「Orgonite T」(以上由Ho Jun股份有限公司製造)；商品名「Kunipia F」、商品名「Kunipia G」、商品名「Kunipia G4」(以上由Kunimine Industries股份有限公司製造)；商品名「Tixogel VZ」、商品名「Kraton HT」、商品名「Kraton 40」(以上由Rockwood Additives公司製造)等。
上述氧化聚烯烴可自行製備，亦可使用市售品。上述市售品例如可例舉商品名「Disparlon 4200-20」(楠本化成股份有限公司製造)、商品名「Fronon SA300」(共榮社化學股份有限公司製造)等。
上述改性脲係異氰酸酯單體或其加成物與有機胺之反應物。上述改性脲可自行製備，亦可使用市售品。上述市售品例如可例舉商品名「BYK410」(商品名，BYK公司製造)等。
上述表面處理層之折射率較佳為1.40～1.55，更佳為1.43～1.53。若上述折射率處於上述範圍內，則有與構成上述光學積層體之其他層(例如構成上述基材部之其他層)的折射率差減小之傾向，可使界面處之反射率降低，光半導體裝置之視認性優異，且不易產生色偏。再者，於上述表面處理層為包含光學膜之表面處理積層體之情形時，使用上述表面處理積層體之折射率作為上述表面處理層之折射率。
於圖1所示之光學積層體1中，表面處理層4係包含光學膜41、及設置於光學膜41表面之防眩-抗反射處理層42的表面處理積層體。表面處理層4中之光學膜41與基材部2係經由第3黏著劑層33而貼合。
(剝離襯墊) 上述剝離襯墊係用以於將上述光學積層體積層於光半導體元件時被覆而保護位於上述基材部之光半導體元件側之黏著劑層表面的元件，且於將光學半導體元件貼合於配置有光半導體元件之基板時自該積層體剝落。
上述剝離襯墊例如可例舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、利用氟系剝離劑或丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑進行過表面塗佈之塑膠膜或紙類等。
上述剝離襯墊之厚度例如為10～200 μm，較佳為15～150 μm，更佳為20～100 μm。若上述厚度為10 μm以上，則於加工剝離襯墊時不易因切口而導致斷裂。若上述厚度為200 μm以下，則於使用時更容易自上述黏著劑層將剝離襯墊剝離。
(光學積層體) 上述基材層(A)與上述黏著劑層的折射率差較佳為0.10以下，更佳為0.07以下，進而較佳為0.05以下。若上述折射率差為0.10以下，則於將上述光學積層體應用於圖像顯示裝置時，可於基材層(A)與黏著劑層之間減少光之反射，其結果為，因該層間之反射率降低故而光半導體元件之光提取效率優異，且可抑制色偏。再者，於具備複數層上述黏著劑層之情形時，只要上述基材層(A)與至少1層之黏著劑層的折射率差處於上述範圍內即可，較佳為上述基材層(A)與上述光學積層體中之所有黏著劑層的折射率差處於上述範圍內。再者，上述黏著劑層之折射率為光學積層體之使用狀態下之值，於上述黏著劑層為硬化性黏著劑層等具有硬化性之層(硬化性層)之情形時，為該硬化性層已硬化之狀態下之值。
上述基材層(A)與上述表面處理層的折射率差較佳為0.10以下，更佳為0.07以下，進而較佳為0.05以下。若上述折射率差為0.10以下，則於將上述光學積層體應用於圖像顯示裝置時，可於基材層(A)與表面處理層之間減少光之反射，其結果為，因該層間之反射率降低故而光半導體元件之光提取效率優異，且可抑制色偏。再者，於上述表面處理層為包含光學膜之表面處理積層體之情形時，使用上述表面處理積層體之折射率作為上述表面處理層之折射率。
上述光學積層體中，將與具備上述表面處理層之一側相對的具備上述基材部側之一側之面貼合於正面反射率為40.34%之片材而進行測定時，自相對於正面之垂直方向斜向45°測得之亮度(45°亮度)相對於自上述正面之垂直方向測得之亮度(正面亮度)的比[45°亮度/正面亮度]較佳為0.95以上(例如0.95～1.0)，更佳為0.97以上，進而較佳為0.98以上。若上述比為0.95以上，則於將上述光學積層體應用於圖像顯示裝置時，可提供自任意方向觀察上述圖像顯示裝置均明亮且外觀良好之圖像顯示裝置。再者，上述比為光學積層體之使用狀態下之值，於例如上述光學積層體具備硬化性層之情形時，為該層已硬化之狀態下之值。
上述光學積層體中，將與具備上述表面處理層之一側相對的具備上述基材部側之一側之面貼合於正面反射率為40.34%之片材而進行測定時，正面反射率較佳為3.2%以下，更佳為3.1%以下。藉由上述正面反射率為3.2%以下，於應用於圖像顯示裝置時，可提供一種防止因外界光之反射或圖像之映入等導致視認性降低、外觀經調整之圖像顯示裝置。再者，上述正面反射率為光學積層體之使用狀態下之值，於例如上述光學積層體具備硬化性層之情形時，為該層已硬化之狀態下之值。
對本發明之光學積層體之製造方法之一實施方式進行說明。例如，圖1所示之光學積層體1可利用下述方法製作。首先，於基材部2形成第1黏著劑層31。第1黏著劑層31可藉由如下方式製作，即，將形成第1黏著劑層31之黏著劑組合物塗佈於基材部2之一個面而形成黏著劑組合物層，隨後進行利用加熱之脫溶劑或熱硬化等硬化，從而使該黏著劑組合物層固化。於使第1黏著劑層31之厚度較厚之情形時，亦可將另外於剝離襯墊之剝離處理面上以相同之方式製作之第1黏著劑層重疊於形成於基材部2上之第1黏著劑層上而積層。
形成上述第1黏著劑層之黏著劑組合物可為任一形態。例如，黏著劑組合物可為乳液型、溶劑型(溶液型)、熱熔型(hot-melt type)等。其中，就易於獲得生產性優異之黏著劑層之方面而言，較佳為溶劑型。
另一方面，於另外準備之剝離襯墊5之剝離處理面上形成第2黏著劑層32。第2黏著劑層32可藉由如下方式製作，即，將形成第2黏著劑層32之黏著劑組合物塗佈於剝離襯墊5之剝離處理面上而形成黏著劑組合物層，隨後進行利用加熱之脫溶劑或硬化，從而使該黏著劑組合物層固化。繼而，將第2黏著劑層積層於第1黏著劑層上。以此方式獲得具有[基材部2/第1黏著劑層31/第2黏著劑層32/剝離襯墊5]之構成之積層體。
形成上述第2黏著劑層之黏著劑組合物可為任一形態。例如，黏著劑組合物可為乳液型、溶劑型(溶液型)、活性能量線硬化型、熱熔型(hot-melt type)等。其中，就易於獲得生產性優異之黏著劑層之方面而言，較佳為溶劑型、活性能量線硬化型黏著劑組合物。
另一方面，製作表面處理層4及第3黏著劑層33之積層體。具體而言，例如可於另外準備之剝離襯墊之剝離處理面上，以與第2黏著劑層32相同之方式形成第3黏著劑層33，繼而將作為經抗反射處理及/或防眩處理之光學膜之表面處理層4的非處理面貼合於第3黏著劑層33上而進行製作。繼而，剝離上述剝離襯墊而露出第3黏著劑層33，並貼合於上述積層體之基材部2之未形成第1黏著劑層31之表面。上述黏著劑組合物之塗佈方法例如可採用公知或慣用之塗佈方法，可例舉輥塗敷、絲網塗敷、凹版塗敷等。又，各種層之積層可使用公知之輥或貼合機來進行。以此方式，可製作圖1所示之光學積層體1。
再者，光學積層體1並不限定於上述方法，亦可將基材部2與表面處理層4經由接著劑層33進行積層，繼而將第1黏著劑層31及第2黏著劑層32適當組合並依序積層於基材部2之露出面而進行製作。
本發明之光學積層體係直接或間接地積層於光半導體元件而使用。本發明之光學積層體較佳為積層於配置有光半導體元件之基板上而使用。本發明之光學積層體較佳為用於將配置於基板上之1個以上之光半導體元件密封之片材(有時稱為「光半導體元件密封用片材」)。再者，於本說明書中，「將光半導體元件密封」係指將光半導體元件之至少一部分嵌入至光學積層體所具備之黏著劑層內。
藉由使用本發明之光學積層體，將本發明之光學積層體貼合於配置有光半導體元件之基板上，可獲得光半導體裝置。於本發明之光學積層體為光半導體元件密封用片材之情形時，可藉由如下方式獲得光半導體裝置，即，經由上述光半導體元件密封用片材中之黏著劑層或其他黏著劑層將上述光半導體元件密封用片材貼合於配置有光半導體元件之基板上，利用上述黏著劑層將光半導體元件密封。
於上述光半導體元件密封用片材於基材部之與表面處理層側相反之一側具有黏著劑層之情形時，具體而言，首先，自上述光半導體元件密封用片材將剝離襯墊剝離而露出上述黏著劑層面。繼而，將上述光半導體元件密封用片材之露出面即黏著劑層面貼合於具備基板及配置於上述基板上之光半導體元件(較佳為複數個光半導體元件)之光學構件的配置有光半導體元件之基板面，於上述光學構件具備複數個光半導體元件之情形時進而以上述黏著劑層填充複數個光半導體元件間之間隙之方式進行配置，從而將複數個光半導體元件一起密封。以此方式，可使用上述光半導體裝置密封用片材將光半導體元件密封。又，亦可使用上述光半導體裝置密封用片材於減壓環境下或者藉由一面加壓一面貼合而將光半導體元件密封。此種方法例如可例舉日本專利特開2016-29689號公報或日本專利特開平6-97268所揭示之方法。
[光半導體裝置] 可使用本發明之光學積層體製作光半導體裝置。使用本發明之光學積層體所製造之光半導體裝置具備基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及積層於上述光半導體元件之本發明之光學積層體。於上述光學積層體具備硬化性黏著劑層之情形時，上述光半導體裝置中之上述黏著劑層亦可硬化。於本發明之光學積層體為光半導體元件密封用片材之情形時，上述黏著劑層將上述光半導體元件密封。
上述光半導體元件例如可例舉藍色發光二極體、綠色發光二極體、紅色發光二極體、紫外線發光二極體等發光二極體(LED)。
於上述光半導體裝置中上述光學積層體為上述光半導體元件密封用片材之情形時，上述光半導體元件密封用片材較佳為將複數個光半導體元件一起密封。
圖2表示使用圖1所示之光學積層體1之光半導體裝置之一實施方式。圖2所示之光半導體裝置10具備基板6、配置於基板6之一個面之複數個光半導體元件7、及將光半導體元件7密封之光學積層體之硬化物1'。光學積層體之硬化物1'中，剝離襯墊5已自光學積層體1剝離，並形成有藉由放射線照射將作為放射線硬化性黏著劑層之第1黏著劑層31硬化而形成之硬化密封層31'。複數個光半導體元件7一起密封於硬化密封部31'及第2黏著劑層32。第2黏著劑層32追隨由複數個光半導體元件7所形成之凹凸形狀而密接於光半導體元件7及基板6，並將光半導體元件7嵌入其中。
再者，於圖2所示之光半導體裝置10中，光半導體元件7被完全地嵌入至第2黏著劑層32內而密封，且由硬化密封層31'間接地密封。上述光半導體裝置並不限定於此種態樣，亦可為如下態樣，即，光半導體元件7之一部分自第2黏著劑層32突出，該一部分嵌入至硬化密封層31'內，且利用第2黏著劑層32及硬化密封層31'將光半導體元件7完全地嵌入而密封。
上述光半導體裝置亦可為將各光半導體裝置平鋪而成者。即，上述光半導體裝置中，亦可將複數個光半導體裝置於平面方向上配置成磚塊狀。
圖3表示配置複數個光半導體裝置而製作之光半導體裝置之一實施方式。圖3所示之光半導體裝置20係將複數個光半導體裝置10以縱向4個、橫向4個共計16個之方式於平面方向配置(平鋪)成磚塊狀而成者。於鄰接之2個光半導體裝置10間之交界20a，光半導體裝置10彼此鄰接，但其等可容易地拉離，不易產生光學積層體側面之缺損、或上述光學積層體側面中缺損之樹脂自鄰接之光半導體裝置之一者附著於另一者。
上述光半導體裝置較佳為液晶畫面之背光裝置，尤佳為整面直下型背光裝置。又，可藉由將上述背光裝置與顯示面板組合而製作圖像顯示裝置。於上述光半導體裝置為液晶畫面之背光裝置之情形時，光半導體元件為LED元件。例如，於上述背光裝置中，於上述基板上配置有用於向各LED元件傳送發光控制信號之金屬配線層。發出紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之各色光之各LED元件係隔著金屬配線層交替地排列於顯示面板之基板上。金屬配線層係藉由銅等金屬所形成，且反射各LED元件之發光而降低圖像之視認性。又，RGB之各色之各LED元件發出之光混色，對比度降低。
又，上述光半導體裝置較佳為自發光型顯示裝置。又，可藉由將上述自發光型顯示裝置與視需要使用之顯示面板組合而製作圖像顯示裝置。於上述光半導體裝置為自發光型顯示裝置之情形時，光半導體元件為LED元件。上述自發光型顯示裝置可例舉有機電致發光(有機EL)顯示裝置或上述背光裝置等。例如，於上述自發光型顯示裝置中，於上述基板上積層有用於向各LED元件傳送發光控制信號之金屬配線層。發出紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之各色光之各LED元件係隔著金屬配線層交替地排列於基板上。金屬配線層係藉由銅等金屬所形成，且調整各LED元件之發光程度而顯示各顏色。
本發明之光學積層體可用於彎折而使用之光半導體裝置、例如具有可彎折之圖像顯示裝置(軟性顯示器)(尤其是可摺疊之圖像顯示裝置(foldable display))之光半導體裝置。具體而言，可用於可摺疊之背光裝置及可摺疊之自發光型顯示裝置等。
本發明之光學積層體可較佳地用於上述光半導體裝置為小型LED顯示裝置之情形及為微型LED顯示裝置之情形之任一者。
[光半導體裝置之製造方法] 上述光半導體裝置例如可藉由包含將上述光學積層體積層於設置於上述基板上之上述光半導體元件之步驟(積層步驟)的製造方法進行製造。於上述光學積層體為上述半導體元件密封用片材之情形時，上述製造方法亦可於上述積層步驟中，將上述半導體元件密封用片材貼合於上述光半導體元件而藉由上述黏著劑層將上述光半導體元件嵌入。
於上述光學積層體具有硬化性黏著劑層之情形時，上述製造方法亦可進而包含如下步驟(硬化步驟)，即，對經過上述積層步驟而獲得之積層體，使上述硬化性黏著劑層硬化而獲得上述硬化物，上述積層體具備上述基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及積層於上述光半導體元件之上述光學積層體。上述製造方法亦可進而包含切割經過上述積層步驟或上述硬化步驟而獲得之上述積層體而獲得光半導體裝置之步驟(切割步驟)。又，上述製造方法亦可進而包含將上述切割步驟中所獲得之複數個光半導體裝置以於平面方向接觸之方式排列之平鋪步驟。以下，適當參考圖2所示之光半導體裝置10及圖3所示之光半導體裝置20之製造方法進行說明。
(積層步驟) 於上述積層步驟中，將上述光學積層體貼合於配置有光半導體元件之基板而積層，較佳為藉由上述黏著劑層將光半導體元件嵌入。於上述積層步驟中，具體而言，如圖4所示，將剝離襯墊5已剝離之光學積層體1之黏著劑層3a以與基板6之配置有光半導體元件7之面對向之方式進行配置，將光學積層體1貼合於基板6之配置有光半導體元件7之面，並如圖5所示將光半導體元件7嵌入至第2黏著劑層32。為了於切割步驟中切斷端部而使尺寸一致，如圖4所示，貼合所使用之基板6較圖2所示之光半導體裝置10中之基板6於平面方向上延伸得更寬，且於基板6之端部附近未配置光半導體元件7。又，進行貼合之光學積層體1較貼合所使用之基板6於平面方向上延伸得更寬。即，積層步驟中所貼合之光學積層體1之與基板6對向之面的面積較積層步驟中所貼合之基板6之與光學積層體1對向之面的面積大。
上述貼合時之溫度例如處於室溫至150℃之範圍內。又，亦可於上述貼合時進行減壓或加壓。可藉由減壓或加壓抑制於黏著劑層與基板或光半導體元件之間形成空隙。又，於上述積層步驟中，較佳為於減壓下貼合光學積層體，隨後進行加壓。進行減壓之情形時之壓力例如為1～100 Pa，減壓時間例如為5～600秒。又，進行加壓之情形時之壓力例如為0.05～0.5 MPa，減壓時間例如為5～600秒。
(硬化步驟) 於上述硬化步驟中，根據硬化性黏著劑層之硬化性之種類進行硬化。於上述黏著劑層具有熱硬化性之情形時進行加熱，於具有放射線硬化性之情形時進行放射線照射。於上述硬化步驟中，對於配置有上述光半導體元件之上述基板貼合上述光學積層體而成之積層體(例如上述積層步驟中所獲得之積層體)，實施加熱或放射線照射而使上述黏著劑層硬化。於上述硬化步驟中，具體而言，如圖6所示，使第1黏著劑層31硬化而形成硬化密封層3'，獲得光學積層體之硬化物1'。上述加熱時之溫度例如處於80～200℃之範圍內，加熱時間例如為1分鐘～24小時。又，如上所述，上述放射線可例舉電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、X射線等。其中，較佳為紫外線。放射線照射時之溫度例如處於室溫至100℃之範圍內，照射時間例如為1分鐘～1小時。
(切割步驟) 於上述切割步驟中，對經過上述積層步驟或上述硬化步驟之積層體進行切割。此處，於進行切割步驟之積層體中，如上所述，光學積層體之硬化物1'及基板6較最終所獲得之光半導體裝置10於平面方向上延伸得更寬。而且，於上述切割步驟中，將光學積層體之硬化物及基板之側端部切割而去除。具體而言，於圖7所示之鏈線之位置進行切割而將側端部去除。上述切割可藉由公知或慣用之方法進行，例如可藉由使用切割刀之方法或雷射照射而進行。以此方式，可製造例如圖2所示之光半導體裝置10。
(平鋪步驟) 於上述平鋪步驟中，將上述切割步驟中所獲得之複數個光半導體裝置以於平面方向上接觸之方式並排平鋪。以此方式，可製造例如圖3所示之光半導體裝置20。 [實施例]
以下例舉實施例而更詳細地對本發明進行說明，但本發明並不限定於該等實施例。
實施例1 ＜抗反射層/防眩層/TAC膜＞ (防眩層) 將作為防眩層形成材料所包含之樹脂之紫外線硬化型胺基甲酸酯丙烯酸酯樹脂(新中村化學公司製造、商品名「NK OLIGO UA-53H-80BK」)40質量%、以季戊四醇三丙烯酸酯為主成分之多官能丙烯酸酯(大阪有機化學工業股份有限公司製造、商品名「Viscoat#300」)57.5質量份、含有氧化鋯粒子及紫外線硬化性樹脂之光學調整層用組合物之稀釋液(「Opstar Z7540」、JSR公司製造)2.5質量份、矽酮粒子(Momentive Performance Materials Japan LLC製造、商品名「Tospearl 130ND」2.8質量份、作為觸變賦予劑之有機黏土即合成膨潤石(Kunimine Industries股份有限公司製造、商品名「Sumecton SAN」)2.5質量份、光聚合起始劑(BASF公司製造、商品名「OMNIRAD907」)3質量份、交聯丙烯酸-苯乙烯共聚樹脂之微粒子(積水化成品工業公司製造、商品名「SSX-103DXE」)6.5質量份、及整平劑(共榮社化學股份有限公司製造、商品名「LE-303」)0.1質量份進行混合。再者，上述有機黏土係利用甲苯以固形物成分成為6質量份之方式進行稀釋而使用。利用甲苯/環戊酮混合溶劑(質量比64/36)，以固形物成分濃度成為38質量份之方式對該混合物進行稀釋，並使用超音波分散機製備防眩層形成材料(塗敷液)。
準備透明塑膠膜(三乙醯纖維素(TAC)膜、商品名「TJ40UL」、Fuji Film股份有限公司、厚度：40 μm)。使用線棒塗佈器將上述防眩層形成用材料塗佈於上述透明塑膠膜之單面而形成塗膜。繼而，藉由以95℃加熱1分鐘而使上述塗膜乾燥。其後，利用高壓水銀燈照射累計光量300 mJ/cm 2之紫外線，對上述塗膜進行硬化處理而製作防眩層(厚度6.5 μm)。
(抗反射層) 將以季戊四醇三丙烯酸酯為主成分之多官能丙烯酸酯(商品名「Viscoat#300」、大阪有機化學工業股份有限公司製造)100質量份、中空奈米二氧化矽粒子(商品名「Thrulya 5320」、日揮觸媒化成股份有限公司製造)100質量份、實心奈米二氧化矽粒子(商品名「MIBK-ST」、日產化學股份有限公司製造、固形物成分30質量%、質量平均粒徑10 nm)40質量份、含氟元素添加劑(商品名「KY-1203」、信越化學工業股份有限公司製造)12質量份、光聚合起始劑(商品名「OMNIRAD907」、IGM. RESINS B. V公司製造)5質量份、及光聚合起始劑(商品名「OMNIRAD2959」、IGM. RESINS B. V公司製造)5質量份進行混合。向該混合物中添加將甲基異丁基酮及丙二醇單甲醚乙酸酯以70：30質量比進行混合而成之混合溶劑作為稀釋溶劑而使整體之固形物成分成為1.5質量%，並進行攪拌而製備抗反射層形成用材料。
使用線棒塗佈器將上述抗反射層形成用材料塗敷至表面具有上述防眩層之TAC膜之防眩層面。以80℃對塗敷之上述抗反射層形成用材料加熱1分鐘使其乾燥而形成塗膜。利用高壓水銀燈對乾燥後之塗膜照射累計光量300 mJ/cm 2之紫外線而進行硬化處理。藉此，使上述塗膜硬化，形成厚度0.1 μm之抗反射層。以上述方式製作具有[抗反射層/防眩層/TAC膜]之積層構造之表面處理層。
＜抗反射層/防眩層/TAC膜/黏合黏著劑層＞ 將作為單體成分之丙烯酸2-乙基己酯69.7質量份、丙烯酸2-甲氧基乙酯10質量份、丙烯酸2-羥基乙酯13質量份、N-乙烯基-2-吡咯啶酮6質量份、N-羥基乙基丙烯醯胺1.3質量份、作為聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈0.1質量份、及作為聚合溶劑之乙酸乙酯200質量份投入至可分離式燒瓶並導入氮氣，同時攪拌1小時。以此方式將聚合系內之氧去除，隨後升溫至63℃，進行10小時之反應後添加乙酸乙酯，從而獲得固形物成分濃度30質量份之丙烯酸系聚合物溶液。對上述丙烯酸系聚合物100質量份添加作為交聯劑之異氰酸酯系交聯劑(商品名「Takenate D110N」、三井化學股份有限公司製造)0.2質量份、作為矽烷偶合劑之γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷(商品名「KBM-403」、信越化學工業股份有限公司製造)0.15質量份、作為交聯促進劑之對乙二胺加成環氧丙烷而成之多元醇(商品名「EDP-300」、ADEKA股份有限公司製造)0.2質量份，從而製備黏著劑組合物(溶液)。其次，將上述黏著劑組合物以乾燥後之厚度成為25 μm之方式塗佈至剝離襯墊(隔離件)(商品名「MRF38」、Mitsubishi Chemical股份有限公司製造)之剝離處理面上，於常壓下以60℃加熱1分鐘並以155℃加熱1分鐘而使其乾燥，獲得作為黏合黏著劑層之雙面黏著片材。繼而，使用手動輥以不含氣泡之方式將黏合黏著劑層之黏著面貼合於上文所獲得之表面處理層中之TAC膜之非處理面。以此方式製作具有[抗反射層/防眩層/TAC膜/黏合黏著劑層/剝離襯墊]之積層構造之積層體。
＜聚碳酸酯膜/紫外線硬化性黏著劑層/非硬化性黏著劑層＞ (紫外線硬化性黏著劑層) 將丙烯酸丁酯189.77質量份、丙烯酸環己酯38.04質量份、丙烯酸2-羥基乙酯85.93質量份、作為聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈0.94質量份、及作為聚合溶劑之甲基乙基酮379.31質量份投入至在1 L之圓底可分離式燒瓶裝備有可分離式罩、分液漏斗、溫度計、氮氣導入管、李比希冷凝器、真空密封件、攪拌棒、攪拌翼之聚合用實驗裝置中並進行攪拌，同時於常溫下進行6小時之氮氣置換。其後，於氮氣之流入下一面攪拌一面於65℃下保持4小時繼而於75℃下保持2小時而進行聚合，從而獲得樹脂溶液。 繼而，將所獲得之樹脂溶液冷卻至室溫。隨後，向上述樹脂溶液添加甲基丙烯酸2-異氰酸乙酯(商品名「Karenz MOI」、昭和電工股份有限公司製造)5.74質量份作為具有聚合性碳-碳雙鍵之化合物。進而添加二月桂酸二丁基錫(IV)(Fuji Film Wako Pure Chemical股份有限公司製造)0.03質量份，並於空氣氛圍下於50℃攪拌24小時而獲得基礎聚合物。 對所獲得之基礎聚合物之固形物成分100質量份混合異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」、Tosoh股份有限公司製造、固形物成分75質量份)1.5質量份、及2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名「omnirad 651」、IGM Resins Italia Srl公司製造)1質量份。使用甲苯作為稀釋溶劑以固形物成分率成為20～40質量份之方式進行調整，獲得黏著劑溶液(1)。
將以擠出製膜之形式將聚碳酸酯樹脂(商品名「DURABIO T7450A」、Mitsubishi Chemical股份有限公司製造)製作成厚度70 μm而成之聚碳酸酯膜作為基材層，將該黏著劑溶液(1)以乾燥後之厚度成為112.5 μm之方式塗佈於上述基材層上，於常壓下以50℃加熱1分鐘並以125℃加熱5分鐘而使其乾燥，從而形成紫外線硬化性黏著劑層(1)。另一方面，將上文所獲得之黏著劑溶液(1)以乾燥後之厚度成為112.5 μm之方式塗佈於剝離襯墊(商品名「MRF38」、Mitsubishi Chemical股份有限公司製造)之剝離處理面上，於常壓下以50℃加熱1分鐘並以125℃加熱5分鐘而使其乾燥，從而形成紫外線硬化性黏著劑層(2)。
繼而，使用手動輥以不含氣泡之方式將形成於聚碳酸酯膜上之紫外線硬化性黏著劑層(1)及形成於剝離襯墊上之紫外線硬化性黏著劑層(2)之黏著劑層面彼此貼合，形成1層紫外線硬化性黏著劑層。隨後將剝離襯墊剝離。以此方式製作具有[聚碳酸酯膜/紫外線硬化性黏著劑層]之構成之積層體。
(非硬化性黏著劑層) 將丙烯酸丁酯189.77質量份、丙烯酸環己酯38.04質量份、丙烯酸2-羥基乙酯85.93質量份、作為聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈0.94質量份、及作為聚合溶劑之甲基乙基酮379.31質量份投入至在1 L之圓底可分離式燒瓶裝備有可分離式罩、分液漏斗、溫度計、氮氣導入管、李比希冷凝器、真空密封件、攪拌棒、攪拌翼之聚合用實驗裝置中並進行攪拌，同時於常溫下進行6小時之氮氣置換。隨後，於氮氣之流入下一面攪拌一面於65℃下保持4小時繼而於75℃下保持2小時而進行聚合，從而獲得樹脂溶液。 向所獲得之樹脂溶液中，對基礎聚合物之固形物成分100質量份混合異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」、Tosoh股份有限公司製造、固形物成分75質量份)1.5質量份。使用甲苯作為稀釋溶劑以固形物成分率成為20～40質量份之方式進行調整，獲得黏著劑溶液(2)。
將該黏著劑溶液(2)以乾燥後之厚度成為25 μm之方式塗佈於剝離襯墊(商品名「MRF38」、Mitsubishi Chemical股份有限公司製造)之剝離處理面上，並於常壓下以125℃加熱2分鐘而使其乾燥，從而形成非硬化性黏著劑層。
(聚碳酸酯膜/紫外線硬化性黏著劑層/非硬化性黏著劑層) 使用手動輥以不含氣泡之方式將上述非硬化性黏著劑層貼合於具有[聚碳酸酯膜/紫外線硬化性黏著劑層]之積層構造之積層體之紫外線硬化性黏著劑層面。以此方式製作具有[聚碳酸酯膜/紫外線硬化性黏著劑層/非硬化性黏著劑層/剝離襯墊]之積層構造之積層體。
＜光學積層體(光半導體密封片材)＞ 自具有[聚碳酸酯膜/黏合黏著劑層/剝離襯墊]之構成之積層體將剝離襯墊剝落，並使用手動輥以不含氣泡之方式將露出之黏合黏著劑層面貼合於具有[聚碳酸酯膜/紫外線硬化性黏著劑層/非硬化性黏著劑層/剝離襯墊]之構成之積層體之基材面。隨後，於50℃進行48小時之熟化，製作具有[抗反射層/防眩層/TAC膜/黏合黏著劑層/聚碳酸酯膜/紫外線硬化性黏著劑層/非硬化性黏著劑層/剝離襯墊]之層構成之實施例1之光學積層體。
實施例2 除使用COP膜(商品名「ZeonorFilm」、日本瑞翁公司製造)代替聚碳酸酯膜作為基材層以外，以與實施例1相同之方式製作光學積層體(光半導體元件密封用片材)。
實施例3 除將表面處理層之基材變更為丙烯酸系樹脂膜(商品名「HTX」、Kaneka公司製造、厚度40 μm)代替TAC膜以外，以與實施例1相同之方式製作實施例3之光學積層體(光半導體元件密封用片材)。
實施例4 除對非硬化性黏著劑層藉由材料調整而調節折射率以外，以與實施例1相同之方式製作實施例4之光學積層體(光半導體元件密封用片材)。
比較例1 除使用PET膜(商品名「Diafoil T100-75S」、Mitsubishi Chemical股份有限公司製造、厚度75 μm)代替聚碳酸酯膜作為基材層以外，以與實施例1相同之方式製作比較例1之光學積層體(光半導體元件密封用片材)。
比較例2 除使用PET膜(商品名「Diafoil T100-75S」、Mitsubishi Chemical股份有限公司製造、厚度75 μm)代替聚碳酸酯膜作為基材層以外，以與實施例3相同之方式製作比較例2之光學積層體(光半導體元件密封用片材)。
比較例3 除使用PET膜(商品名「Diafoil T100-75S」、Mitsubishi Chemical股份有限公司製造、厚度75 μm)代替聚碳酸酯膜作為基材層以外，以與實施例4相同之方式製作比較例3之光學積層體(光半導體元件密封用片材)。 ＜評價＞ 對實施例及比較例中所獲得之光學積層體進行以下評價。將結果示於表1。
(1)折射率 對實施例及比較例中使用或製作之各表面處理層及基材層，使用折射率測定裝置(商品名「稜鏡耦合器型號2010/M」、Metricon公司製造)對(550)nm下之折射率進行測定。對各例之黏著劑層(無基材雙面黏著片材)，使用阿貝折射計(商品名「DR-M4」、ATAGO公司製造)於測定波長589 nm、測定溫度25℃之條件對折射率進行測定。對於紫外線硬化性黏著劑層，另外準備以2個剝離襯墊夾持紫外線硬化性黏著劑層而成之積層體，於後述正面反射率所記載之紫外線照射條件下進行紫外線照射而使上述紫外線硬化性黏著劑層硬化，並對所獲得之黏著劑層進行測定。
(2)正面反射率 使用以正面反射率成為40.34%之方式於丙烯酸系樹脂板印刷有金屬配線者作為有機EL裝置代替品。繼而，自實施例及比較例中所獲得之光學積層體將剝離襯墊剝離而使黏著劑層露出，將露出之黏著劑層貼合於上述有機EL裝置代替品，進而於下述紫外線照射條件下進行紫外線照射而使紫外線硬化性黏著劑層硬化，從而製作試驗樣品。繼而，對試驗樣品之表面處理層側表面，使用分光測色計(商品名「CM2600D」、Konica Minolta公司製造)利用依據JIS Z8722之方法對正面反射率進行測定。 ＜紫外線照射條件＞ 紫外線照射裝置：商品名「UM810」、日東精機股份有限公司製造 光源：高壓水銀燈照射強度：50 mW/cm 2(測定機器：商品名「紫外線照度計UT-101」、牛尾電機股份有限公司製造) 照射時間：100秒 累計光量：5000 mJ/cm 2
(3)亮度 對上述(2)中製作之試驗樣品，自表面處理層側表面，於白燈點亮狀態下，使用視角特性評價裝置(商品名「EZ-Contract160D」、ELDIM公司製造)對亮度進行測定。根據該測定資料，將使極角0°時之方位角各偏轉15°所得之資料之平均值作為正面亮度，將使極角45°時之方位角各偏轉15°所得之資料之平均值作為45°之斜向亮度，算出數值。
(4)基材層之相位差 對實施例及比較例中使用之基材層，於23℃之環境下，使用商品名「AxoAcan」(Axometrics公司製造)對相位差進行測定。
(5)色相差 對上述(2)中製作之試驗樣品，自表面處理層側表面，確認於使極角及方位角偏轉時是否可視認到外觀不均。若未確認到不均則評為○，將可視認到外觀不均但品質方面不存在問題者評為△，將品質方面存在問題者評為×。
◎[表1]
表1  
   實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 比較例1 比較例2 比較例3
折射率 表面處理層 1.49 1.49 1.51 1.49 1.49 1.53 1.49
黏合黏著劑層 1.49 1.49 1.49 1.49 1.49 1.49 1.49
基材層 1.51 1.53 1.51 1.51 1.61 1.61 1.61
硬化性黏著劑層 1.48 1.48 1.48 1.48 1.48 1.48 1.48
非硬化性黏著劑層 1.48 1.48 1.48 1.53 1.48 1.48 1.53
正面反射率(%) 2.98 3.01 3.06 3.05 3.3 3.31 3.39
斜向(45°)/正面亮度 0.986 0.978 0.983 0.985 0.931 0.933 0.941
相位差(nm) 7 2 5 2 3561 3926 4261
色相差 ○ ○ ○ ○ △ △ △
如表1所示，本發明之光學積層體(實施例)被評價為：基材部中之基材層與鄰接於基材層之層、或光學積層體所包含之至少其他1層的折射率差為0.05以下，反射率降低，相位差、色相差亦較小，減少了層間反射，色偏得到抑制。
另一方面，於基材部中之基材層與鄰接於基材層之層、或構成光學積層體之其他層的折射率差超過0.05之情形時(比較例1～3)，反射率、色相差與實施例相比增大，引起了層間反射，確認到色偏。
1:光學積層體 1':光學積層體之硬化物 2:基材部 3:黏著劑層 3a:黏著劑層 3b:黏著劑層 4:表面處理層 5:剝離襯墊 6:基板 7:光半導體元件 10:光半導體裝置 20:光半導體裝置 20a:交界 31:第1黏著劑層 31':硬化密封層 32:第2黏著劑層 33:第3黏著劑層 41:光學膜 42:防眩-抗反射處理層
圖1係表示本發明之光學積層體之一實施方式之剖視圖。 圖2係使用圖1所示之光學積層體之光半導體裝置之剖視圖。 圖3係表示平鋪圖2所示之光半導體裝置而製作之光半導體裝置之一實施方式之外觀圖。 圖4係示出光半導體裝置之製造方法之一實施方式中的積層步驟之情況之剖視圖。 圖5係於圖4所示之積層步驟後所獲得之積層體之剖視圖。 圖6係對圖5所示之積層體實施硬化步驟而獲得之積層體之剖視圖。 圖7係表示圖6所示之積層體之切割步驟中之切割位置的剖視圖。
1':光學積層體之硬化物
2:基材部
6:基板
7:光半導體元件
10:光半導體裝置
31':硬化密封層
32:第2黏著劑層

Claims (8)

  1. 一種光學積層體，其具備表面處理層、基材部、及設置於上述基材部之至少一個面之黏著劑層，且積層於光半導體元件而使用， 於將上述光學積層體積層於上述光半導體元件時，上述基材部相對於上述表面處理層位於光半導體元件側， 上述表面處理層係對上述光學積層體賦予抗反射性及/或防眩性之層，且 上述基材部中之基材層與鄰接於上述基材層之層的折射率差為0.05以下。
  2. 一種光學積層體，其具備表面處理層、基材部、及設置於上述基材部之至少一個面之黏著劑層，且積層於光半導體元件而使用， 於將上述光學積層體積層於上述光半導體元件時，上述基材部相對於上述表面處理層位於光半導體元件側， 上述表面處理層係對上述光學積層體賦予抗反射性及/或防眩性之層，且 上述光學積層體所包含之其他至少1層與上述基材部中之基材層的折射率差為0.05以下。
  3. 如請求項1或2之光學積層體，其中上述基材層之相位差為20 nm以下。
  4. 如請求項1或2之光學積層體，其中將上述光學積層體之與具備上述表面處理層之一側相對的具備上述基材部之一側之面貼合於表面反射率為40.34%之片材而進行測定時，自斜向45°所測得之45°亮度相對於自正面之垂直方向所測得之正面亮度的比[45°亮度/正面亮度]為0.95～1.0。
  5. 如請求項1或2之光學積層體，其中將上述光學積層體之與具備上述表面處理層之一側相對的具備上述基材部之一側之面貼合於表面反射率為40.34%之片材而進行測定時，正面反射率為3.2%以下。
  6. 一種光半導體裝置，其具備基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及積層於上述光半導體元件之如請求項1或2之光學積層體。
  7. 如請求項6之光半導體裝置，其係自發光型顯示裝置。
  8. 一種圖像顯示裝置，其具備如請求項7之自發光型顯示裝置。
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