TW202306242A

TW202306242A - 天線結構

Info

Publication number: TW202306242A
Application number: TW110127094A
Authority: TW
Inventors: 李建德; 楊政達
Original assignee: 啓碁科技股份有限公司
Priority date: 2021-07-23
Filing date: 2021-07-23
Publication date: 2023-02-01
Also published as: US20230028988A1; TWI784634B; US11749891B2

Abstract

一種天線結構，包括：一饋入輻射部、一第一輻射部、一第二輻射部、一短路部、一第一調諧器，以及一第二調諧器。饋入輻射部具有一饋入點。第一輻射部係耦接至饋入輻射部。第一輻射部係經由第一調諧器耦接至一接地電位。饋入輻射部係經由短路部耦接至接地電位。第二輻射部係鄰近於第一輻射部，並與第一輻射部分離。第二輻射部係經由第二調諧器耦接至接地電位。饋入輻射部係設置於第一調諧器和短路部之間。

Description

天線結構

本發明係關於一種天線結構，特別係關於一種寬頻帶(Wideband)之天線結構。

隨著行動通訊技術的發達，行動裝置在近年日益普遍，常見的例如：手提式電腦、行動電話、多媒體播放器以及其他混合功能的攜帶型電子裝置。為了滿足人們的需求，行動裝置通常具有無線通訊的功能。有些涵蓋長距離的無線通訊範圍，例如：行動電話使用2G、3G、LTE(Long Term Evolution)系統及其所使用700MHz、850 MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz、2100MHz、2300MHz以及2500MHz的頻帶進行通訊，而有些則涵蓋短距離的無線通訊範圍，例如：Wi-Fi、Bluetooth系統使用2.4GHz、5.2GHz和5.8GHz的頻帶進行通訊。

天線(Antenna)為無線通訊領域中不可缺少之元件。倘若用於接收或發射信號之天線其頻寬(Bandwidth)不足，則很容易造成行動裝置之通訊品質下降。因此，如何設計出小尺寸、寬頻帶之天線元件，對天線設計者而言是一項重要課題。

在較佳實施例中，本發明提出一種天線結構，包括：一饋入輻射部，具有一饋入點；一第一輻射部，耦接至該饋入輻射部；一第一調諧器，其中該第一輻射部係經由該第一調諧器耦接至一接地電位；一短路部，其中該饋入輻射部係經由該短路部耦接至該接地電位；一第二輻射部，鄰近於該第一輻射部，並與該第一輻射部分離；以及一第二調諧器，其中該第二輻射部係經由該第二調諧器耦接至該接地電位；其中該饋入輻射部係設置於該第一調諧器和該短路部之間。

在一些實施例中，該饋入輻射部係呈現一較短直條形，該第一輻射部係呈現一較長直條形，而該第一輻射部係大致垂直於該饋入輻射部。

在一些實施例中，該短路部係呈現一L字形。

在一些實施例中，該第二輻射部係呈現一直條形。

在一些實施例中，該第二輻射部和該第一輻射部之間形成一耦合間隙，而該耦合間隙之寬度係介於0.5mm至2mm之間。

在一些實施例中，該天線結構涵蓋一第一頻帶，而該第一頻帶係介於600MHz至960MHz之間。

在一些實施例中，該饋入輻射部和該第一輻射部之總長度係介於該第一頻帶之0.25倍至0.5倍波長之間。

在一些實施例中，該第二輻射部之長度係介於該第一頻帶之0.125倍至0.25倍波長之間。

在一些實施例中，該第一調諧器係耦接至該第一輻射部上之一第一連接點，而由該饋入點至該第一連接點之路徑長度係介於該第一頻帶之0.125倍至0.25倍波長之間。

在一些實施例中，該第一調諧器包括串聯耦接之一第一可變電容器和一第一切換器。

在一些實施例中，該第一可變電容器之電容值係介於0.7pF和8pF之間，而該第一切換器係選擇性地導通或斷開。

在一些實施例中，該第二調諧器包括串聯耦接之一第二可變電容器和一第二切換器。

在一些實施例中，該第二可變電容器之電容值係介於0.7pF和8pF之間，而該第二切換器係選擇性地導通或斷開。

在一些實施例中，該天線結構更包括：一第三輻射部，耦接至該饋入輻射部，其中該第三輻射部與該第一輻射部係大致朝相反方向作延伸。

在一些實施例中，該天線結構更包括：一第四輻射部，耦接至該接地電位，其中該第四輻射部係鄰近於該饋入點。

在一些實施例中，該天線結構更包括：一第五輻射部，耦接至該短路部，其中該第五輻射部係設置於該第三輻射部和該短路部之間。

在一些實施例中，該天線結構更涵蓋一第二頻帶、一第三頻帶，以及一第四頻帶，該第二頻帶係介於1575MHz至2690MHz之間，該第三頻帶係介於3200MHz至4200MHz之間，而該第四頻帶係介於5150MHz至5925MHz之間。

在一些實施例中，該饋入輻射部和該第三輻射部之總長度係介於該第二頻帶之0.25倍至0.5倍波長之間。

在一些實施例中，該第四輻射部之長度係介於該第三頻帶之0.5倍至1倍波長之間。

在一些實施例中，該第四輻射部和該饋入點之間距係介於該第三頻帶之0.125倍至0.25倍波長之間。

為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出本發明之具體實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

在說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。本領域技術人員應可理解，硬體製造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及申請專利範圍當中所提及的「包含」及「包括」一詞為開放式的用語，故應解釋成「包含但不僅限定於」。「大致」一詞則是指在可接受的誤差範圍內，本領域技術人員能夠在一定誤差範圍內解決所述技術問題，達到所述基本之技術效果。此外，「耦接」一詞在本說明書中包含任何直接及間接的電性連接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接至一第二裝置，則代表該第一裝置可直接電性連接至該第二裝置，或經由其它裝置或連接手段而間接地電性連接至該第二裝置。

以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。例如，若是本揭露書敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例，亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使上述第一特徵與第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外，以下揭露書不同範例可能重複使用相同的參考符號或(且)標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定所討論的不同實施例或(且)結構之間有特定的關係。

此外，其與空間相關用詞。例如「在…下方」、「下方」、「較低的」、「上方」、「較高的」及類似的用詞，係為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外，這些空間相關用詞意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，則在此使用的空間相關詞也可依此相同解釋。

第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之示意圖。天線結構100可以套用於一行動裝置(Mobile Device)，例如：一智慧型手機(Smart Phone)、一平板電腦(Tablet Computer)，或是一筆記型電腦(Notebook Computer)。在第1圖之實施例中，天線結構100至少包括一饋入輻射部(Feeding Radiation Element)110、一第一輻射部(Radiation Element)120、一第一調諧器(Tuner)130、一短路部(Shorting Element)140、一第二輻射部150，以及一第二調諧器160，其中饋入輻射部110、第一輻射部120、短路部140，以及第二輻射部150皆可用金屬材質製成，例如：銅、銀、鋁、鐵，或是其合金。

饋入輻射部110可以大致呈現一較短直條形。詳細而言，饋入輻射部110具有一第一端111和一第二端112，其中一饋入點(Feeding Point)FP係位於饋入輻射部110之第一端111處。饋入點FP更可耦接至一信號源(Signal Source)199，例如：一射頻(Radio Frequency，RF)模組，其可用於激發天線結構100。

第一輻射部120可以大致呈現一較長直條形，其中第一輻射部120可以大致垂直於饋入輻射部110。詳細而言，第一輻射部120具有一第一端121和一第二端122，其中第一輻射部120之第一端121係耦接至饋入輻射部110之第二端112，而第一輻射部120之第二端122為一開路端(Open End)。然而，本發明並不僅限於此。在另一些實施例中，第一輻射部120和饋入輻射部110之間之一夾角可介於45度至135度之間，例如：約70度、約80度、約90度、約100度，或是約110度。

第一調諧器130可提供一第一可調阻抗值(Tunable Impedance Value)。第一調諧器130係耦接至第一輻射部120上之一第一連接點(Connection Point)CP1。另外，第一輻射部120可經由第一調諧器130耦接至一接地電位VSS。例如，接地電位VSS可由一接地銅箔(Ground Copper Foil)所提供，其更可耦接至一系統接地面(System Ground Plane)(未顯示)。必須注意的是，饋入輻射部110係設置於第一調諧器130和短路部140之間。例如，第一調諧器130可位於饋入輻射部110之右側，而短路部140可位於饋入輻射部110之左側，但亦不僅限於此。

短路部140可以大致呈現一L字形。詳細而言，短路部140具有一第一端141和一第二端142，其中短路部140之第一端141係耦接至接地電位VSS，而短路部140之第二端142係耦接至饋入輻射部110上之一第二連接點CP2。亦即，饋入輻射部110可經由短路部140耦接至接地電位VSS。

第二輻射部150可以大致呈現一直條形。第二輻射部150係鄰近於第一輻射部120，並可與第一輻射部120完全分離。必須注意的是，本說明書中所謂「鄰近」或「相鄰」一詞可指對應之二元件間距小於一既定距離(例如：5mm或更短)，但通常不包括對應之二元件彼此直接接觸之情況(亦即，前述間距縮短至0)。詳細而言，第二輻射部150具有一第一端151和一第二端152，其中第二輻射部150之第二端152為一開路端。例如，第二輻射部150之第二端152和第一輻射部120之第二端122可以大致朝相反且互相遠離之方向作延伸。在一些實施例中，第二輻射部150係與第一輻射部120大致互相平行，其中第二輻射部150和第一輻射部120之間可形成一耦合間隙(Coupling Gap)GC1。

在另一些實施例中，饋入輻射部110、第一輻射部120、短路部140，以及第二輻射部150之每一者之具體形狀尚可根據不同需求進行調整。舉例而言，饋入輻射部110、第一輻射部120、短路部140，以及第二輻射部150之任一者可改為一不等寬直條形、一L字形、一T字形、一U字形，或是一蜿蜒形狀，但亦不僅限於此。

第二調諧器160可提供一第二可調阻抗值。第二調諧器160係耦接至第二輻射部150之第一端151。另外，第二輻射部150可經由第二調諧器160耦接至接地電位VSS。必須理解的是，藉由第一調諧器130和第二調諧器160來進行阻抗調整，天線結構100將能在不額外增加設計面積之條件下仍可涵蓋所需之寬頻操作。

在一些實施例中，天線結構100可形成於一介質基板(Dielectric Substrate)上(未顯示)。例如，前述之介質基板可為一印刷電路板(Printed Circuit Board，PCB)或是一軟性電路板(Flexible Printed Circuit，FPC)。天線結構100可為一平面式結構，但本發明不並僅限於此。在另一些實施例中，天線結構100可為一立體結構，並藉由雷雕技術(Laser Direct Structuring，LDS)來形成於任一支撐元件上(未顯示)。

第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構200之示意圖。第2圖和第1圖相似。在第2圖之實施例中，天線結構200之一第一調諧器230包括串聯耦接之一第一可變電容器(Variable Capacitor)C1和一第一切換器(Switch Element)235，而天線結構200之一第二調諧器260包括串聯耦接之一第二可變電容器C2和一第二切換器265。詳細而言，第一可變電容器C1具有一第一端和一第二端，其中第一可變電容器C1之第一端係耦接至第一連接點CP1，而第一可變電容器C1之第二端係耦接至一第一節點N1。第一切換器235具有一第一端和一第二端，其中第一切換器235之第一端係耦接至第一節點N1，而第一切換器235之第二端係耦接至接地電位VSS。第一切換器235可以選擇性地導通或斷開。第二可變電容器C2具有一第一端和一第二端，其中第二可變電容器C2之第一端係耦接至第二輻射部150之第一端151，而第二可變電容器C2之第二端係耦接至一第二節點N2。第二切換器265具有一第一端和一第二端，其中第二切換器265之第一端係耦接至第二節點N2，而第二切換器265之第二端係耦接至接地電位VSS。第二切換器265可以選擇性地導通或斷開。在一些實施例中，第一可變電容器C1、第二可變電容器C2、第一切換器235，以及第二切換器265皆可根據來自一處理器(Processor)之一控制信號來進行操作(未顯示)。第2圖之天線結構200之其餘特徵皆與第1圖之天線結構100類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100(或200)之返回損失(Return Loss)圖，其中橫軸代表操作頻率(MHz)，而縱軸代表返回損失(dB)。如第3圖所示，一第一曲線CC1、一第二曲線CC2、…、一第八曲線CC8，以及一第九曲線CC9可對應於第一調諧器230和第二調諧器260所提供之不同阻抗值。例如，若第一切換器235和第二切換器265皆導通且第一可變電容器C1和第二可變電容器C2皆提供其最大電容值，則天線結構100(或200)之操作特性將可如第一曲線CC1所述。若第一切換器235和第二切換器265皆導通且第一可變電容器C1和第二可變電容器C2皆提供其最小電容值，則天線結構100(或200)之操作特性將可如第八曲線CC8所述。另外，若第一切換器235和第二切換器265皆斷開，則天線結構100(或200)之操作特性將可如第九曲線CC9所述。根據第3圖之量測結果，天線結構100(或200)至少可涵蓋一第一頻帶(Frequency Band)FB1，其中第一頻帶FB1可介於600MHz至960MHz之間。然而，本發明並不僅限於此。在另一些實施例中，第一頻帶FB1亦可介於400MHz至960MHz之間，以包括相對更低之一頻率區間。

在一些實施例中，天線結構100(或200)之操作原理可如下列所述。第二輻射部150可由饋入輻射部110和第一輻射部120所耦合激發，以形成前述之第一頻帶FB1。短路部140可用於微調第一頻帶FB1之阻抗匹配(Impedance Matching)。另外，第一調諧器130和第二調諧器160則可用於大幅增加天線結構100之操作頻寬(Operation Bandwidth)。

在一些實施例中，天線結構100(或200)之元件尺寸可如下列所述。饋入輻射部110和第一輻射部120之總長度L1可介於天線結構100之第一頻帶FB1之0.25倍至0.5倍波長之間(λ/4～λ/2)。第一輻射部120之寬度W1可介於1mm至5mm之間。第二輻射部150之長度L2可介於天線結構100之第一頻帶FB1之0.125倍至0.25倍波長之間(λ/8～λ/4)。第二輻射部150之寬度W2可介於1mm至5mm之間。由饋入點FP至第一連接點CP1之路徑長度L3可介於天線結構100之第一頻帶FB1之0.125倍至0.25倍波長之間(λ/8～λ/4)。短路部140之寬度W3可介於1mm至5mm之間。耦合間隙GC1之寬度可介於0.5mm至2mm之間。第一可變電容器C1之電容值可介於0.7pF和8pF之間。第二可變電容器C2之電容值可介於0.7pF和8pF之間。以上尺寸範圍係根據多次實驗結果而求出，其有助於最佳化天線結構100(或200)之操作頻寬和阻抗匹配。

以下實施例將介紹天線結構100之其他變化形態，其亦可發揮相似之功效。必須理解的是，這些圖式和敘述僅為舉例，並非用於限制本發明之範圍。

第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構400之示意圖。第4圖和第1圖相似。在第4圖之實施例中，天線結構400更包括一第三輻射部470、一第四輻射部480，以及一第五輻射部490，其均可用金屬材質製成。

第三輻射部470可以大致呈現一直條形，其可大致垂直於饋入輻射部110。詳細而言，第三輻射部470具有一第一端471和一第二端472，其中第三輻射部470之第一端471係耦接至饋入輻射部110之第二端112，而第三輻射部470之第二端472為一開路端。例如，第三輻射部470之第二端472與第一輻射部120之第二端122可大致朝相反且互相遠離之方向作延伸。在一些實施例中，饋入輻射部110、第一輻射部120，以及第三輻射部470之一組合係大致呈現一T字形。

第四輻射部480可以大致呈現一較細L字形，其中第四輻射部480係鄰近於饋入點FP。詳細而言，第四輻射部480具有一第一端481和一第二端482，其中第四輻射部480之第一端481係耦接至接地電位VSS，而第四輻射部480之第二端482為一開路端。例如，第四輻射部480之第二端482和第三輻射部470之第二端472可大致朝相同方向作延伸。

第五輻射部490可以大致呈現另一較細L字形，其中第五輻射部490係設置於第三輻射部470和短路部140之間。詳細而言，第五輻射部490具有一第一端491和一第二端492，其中第五輻射部490之第一端491係耦接至短路部140上之一第三連接點CP3，而第五輻射部490之第二端492為一開路端。例如，第五輻射部490之第二端492和第三輻射部470之第二端472可大致朝相同方向作延伸。第4圖之天線結構400之其餘特徵皆與第1圖之天線結構100類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。

第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構400之返回損失(Return Loss)圖，其中橫軸代表操作頻率(MHz)，而縱軸代表返回損失(dB)。根據第5圖之量測結果，天線結構400更可涵蓋一第二頻帶FB2、一第三頻帶FB3，以及一第四頻帶FB4。例如，第二頻帶FB2可介於1575MHz至2690MHz之間，第三頻帶FB3可介於3200MHz至4200MHz之間，而第四頻帶FB4可介於5150MHz至5925MHz之間。因此，天線結構400將至少可支援新世代5G通訊中sub-6GHz之寬頻操作。

在一些實施例中，天線結構400之操作原理可如下列所述。饋入輻射部110和第三輻射部470可共同激發產生前述之第二頻帶FB2。第四輻射部480可激發產生前述之第三頻帶FB3。饋入輻射部110、短路部140，以及第五輻射部490可共同激發產生前述之第四頻帶FB4。換言之，第三輻射部470、第四輻射部480，以及第五輻射部490之加入有助於增加天線結構400之高頻頻寬。

在一些實施例中，天線結構400之元件尺寸可如下列所述。饋入輻射部110和第三輻射部470之總長度L4可介於天線結構400之第二頻帶FB2之0.25倍至0.5倍波長之間(λ/4～λ/2)。第三輻射部470之寬度W4可介於1mm至5mm之間。第四輻射部480之長度L5可介於天線結構400之第三頻帶FB3之0.5倍至1倍波長之間(λ/2～1λ)。第四輻射部480之寬度W5可介於1mm至4mm之間。第四輻射部480和饋入點FP之間距D1可介於天線結構400之第三頻帶FB3之0.125倍至0.25倍波長之間(λ/8～λ/4)。由饋入點FP經由第二連接點CP2和第三連接點CP3再至第五輻射部490之第二端492之路徑長度L6可介於天線結構400之第四頻帶FB4之0.25倍至0.5倍波長之間(λ/4～λ/2)。第五輻射部490之寬度W6可介於1mm至4mm之間。以上尺寸範圍係根據多次實驗結果而求出，其有助於最佳化天線結構400之操作頻寬和阻抗匹配。

本發明提出一種新穎之天線結構，其包括二個調諧器。與傳統設計相比，本發明至少具有可調阻抗值、小尺寸、寬頻帶，以及低製造成本等優勢，故其很適合應用於各種各式之行動通訊裝置當中。

值得注意的是，以上所述之元件尺寸、元件形狀，以及頻率範圍皆非為本發明之限制條件。天線設計者可以根據不同需要調整這些設定值。本發明之天線結構並不僅限於第1-5圖所圖示之狀態。本發明可以僅包括第1-5圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之，並非所有圖示之特徵均須同時實施於本發明之天線結構當中。

在本說明書以及申請專利範圍中的序數，例如「第一」、「第二」、「第三」等等，彼此之間並沒有順序上的先後關係，其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。

本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100,200,400:天線結構 110:饋入輻射部 111:饋入輻射部之第一端 112:饋入輻射部之第二端 120:第一輻射部 121:第一輻射部之第一端 122:第一輻射部之第二端 130,230:第一調諧器 140:短路部 141:短路部之第一端 142:短路部之第二端 150:第二輻射部 151:第二輻射部之第一端 152:第二輻射部之第二端 160,260:第二調諧器 199:信號源 235:第一切換器 265:第二切換器 470:第三輻射部 471:第三輻射部之第一端 472:第三輻射部之第二端 480:第四輻射部 481:第四輻射部之第一端 482:第四輻射部之第二端 490:第五輻射部 491:第五輻射部之第一端 492:第五輻射部之第二端 C1:第一可變電容器 C2:第二可變電容器 CC1:第一曲線 CC2:第二曲線 CC8:第八曲線 CC9:第九曲線 CP1:第一連接點 CP2:第二連接點 CP3:第三連接點 D1:間距 FB1:第一頻帶 FB2:第二頻帶 FB3:第三頻帶 FB4:第四頻帶 FP:饋入點 GC1:耦合間隙 L1,L2,L3,L4,L5,L6:長度 N1:第一節點 N2:第二節點 VSS:接地電位 W1,W2,W3,W4,W5,W6:寬度

第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之示意圖。第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之示意圖。第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之返回損失圖。第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之示意圖。第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之返回損失圖。

100:天線結構

110:饋入輻射部

111:饋入輻射部之第一端

112:饋入輻射部之第二端

120:第一輻射部

121:第一輻射部之第一端

122:第一輻射部之第二端

130:第一調諧器

140:短路部

141:短路部之第一端

142:短路部之第二端

150:第二輻射部

151:第二輻射部之第一端

152:第二輻射部之第二端

160:第二調諧器

199:信號源

CP1:第一連接點

CP2:第二連接點

FP:饋入點

GC1:耦合間隙

L1,L2,L3:長度

W1,W2,W3:寬度

VSS:接地電位

Claims

一種天線結構，包括：一饋入輻射部，具有一饋入點；一第一輻射部，耦接至該饋入輻射部；一第一調諧器，其中該第一輻射部係經由該第一調諧器耦接至一接地電位；一短路部，其中該饋入輻射部係經由該短路部耦接至該接地電位；一第二輻射部，鄰近於該第一輻射部，並與該第一輻射部分離；以及一第二調諧器，其中該第二輻射部係經由該第二調諧器耦接至該接地電位；其中該饋入輻射部係設置於該第一調諧器和該短路部之間。
如請求項1所述之天線結構，其中該饋入輻射部係呈現一較短直條形，該第一輻射部係呈現一較長直條形，而該第一輻射部係大致垂直於該饋入輻射部。
如請求項1所述之天線結構，其中該短路部係呈現一L字形。
如請求項1所述之天線結構，其中該第二輻射部係呈現一直條形。
如請求項1所述之天線結構，其中該第二輻射部和該第一輻射部之間形成一耦合間隙，而該耦合間隙之寬度係介於0.5mm至2mm之間。
如請求項1所述之天線結構，其中該天線結構涵蓋一第一頻帶，而該第一頻帶係介於600MHz至960MHz之間。
如請求項6所述之天線結構，其中該饋入輻射部和該第一輻射部之總長度係介於該第一頻帶之0.25倍至0.5倍波長之間。
如請求項6所述之天線結構，其中該第二輻射部之長度係介於該第一頻帶之0.125倍至0.25倍波長之間。
如請求項6所述之天線結構，其中該第一調諧器係耦接至該第一輻射部上之一第一連接點，而由該饋入點至該第一連接點之路徑長度係介於該第一頻帶之0.125倍至0.25倍波長之間。
如請求項1所述之天線結構，其中該第一調諧器包括串聯耦接之一第一可變電容器和一第一切換器。
如請求項10所述之天線結構，其中該第一可變電容器之電容值係介於0.7pF和8pF之間，而該第一切換器係選擇性地導通或斷開。
如請求項1所述之天線結構，其中該第二調諧器包括串聯耦接之一第二可變電容器和一第二切換器。
如請求項12所述之天線結構，其中該第二可變電容器之電容值係介於0.7pF和8pF之間，而該第二切換器係選擇性地導通或斷開。
如請求項1所述之天線結構，更包括：一第三輻射部，耦接至該饋入輻射部，其中該第三輻射部與該第一輻射部係大致朝相反方向作延伸。
如請求項14所述之天線結構，更包括：一第四輻射部，耦接至該接地電位，其中該第四輻射部係鄰近於該饋入點。
如請求項15所述之天線結構，更包括：一第五輻射部，耦接至該短路部，其中該第五輻射部係設置於該第三輻射部和該短路部之間。
如請求項16所述之天線結構，其中該天線結構更涵蓋一第二頻帶、一第三頻帶，以及一第四頻帶，該第二頻帶係介於1575MHz至2690MHz之間，該第三頻帶係介於3200MHz至4200MHz之間，而該第四頻帶係介於5150MHz至5925MHz之間。
如請求項17所述之天線結構，其中該饋入輻射部和該第三輻射部之總長度係介於該第二頻帶之0.25倍至0.5倍波長之間。
如請求項17所述之天線結構，其中該第四輻射部之長度係介於該第三頻帶之0.5倍至1倍波長之間。
如請求項17所述之天線結構，其中該第四輻射部和該饋入點之間距係介於該第三頻帶之0.125倍至0.25倍波長之間。