TW202242093A - 細胞培養基質、其方法及用途 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種用於細胞培養之基質。本文亦揭示包含該基質之系統以及使用及製造該基質之方法。
Description
從基礎科學到臨床前藥物發現之應用，包括腫瘤生物學、神經退化性疾病及藥物毒性之研究，研究人員對3D球狀體模型之關注持續增長。三維(3D)細胞培養方法愈來愈多地被用於生成複雜的組織或腫瘤模型。
使用3D細胞培養方法及市場上可獲得之產品形成的球狀體存在許多差異，且此可能會影響其讀出結果。舉例而言，廣泛用於3D細胞培養之非黏附技術，包括超低附著(ULA)盤及懸滴法，已經被證實不合適，因為此等方法通常經由細胞聚集產生球狀體。此類球狀體一般維持其原始異質性且含有多種具有不同特徵之細胞，這將需要對細胞異質性有更好地瞭解。當數以萬計的細胞聚集成球狀體(亦即具有球形之團塊)時，由於缺乏營養及氧氣滲透，在數小時內形成廣泛的中央壞死核，且因此阻礙細胞增殖。在真正的癌症中，擴展性中央壞死為一種罕見的現象。
另外，Matrigel為常用於基於組織之細胞生長，諸如類器官形成之嵌入基質。但失焦、低效的化合物擴散及樣品分離之困難限制其用於基於3D球狀體之體外應用。
球狀體形成之標準化對於產生均一3D細胞培養物及自基於球狀體之分析及藥物篩選獲得可再現結果至關重要。因此，需要開發能夠可靠地形成單細胞衍生之球狀體的新的細胞培養系統及方法。
本發明提供一種用於培養細胞之細胞培養基質(下文稱為「基質」)。本文提供之基質包含塗佈聚電解質多層及吸收性聚合物之彈性體膜。本文所述之塗層有利於水合保存。其可防止細胞培養基質因在環境溫度下長期儲存而導致之不想要的表面裂紋。本發明亦提供一種包含該基質之細胞培養系統。本發明另提供該基質及包含其之細胞培養系統的用途及製備方法。
因此，本發明之一個態樣提供一種呈多層膜形式之基質，其包含聚電解質多層、吸收性聚合物及彈性體膜，其中吸收性聚合物沉積於彈性體膜之頂部，且聚電解質多層沉積於吸收性聚合物之頂部。與吸收性聚合物直接接觸之聚電解質可為聚陽離子或聚陰離子。基質之最外層可為聚陽離子或聚陰離子。
在一些實施例中，本文所述之彈性體為聚矽氧彈性體。在較佳實施例中，聚矽氧彈性體為聚二甲基矽氧烷(PDMS)。
適合之吸收性聚合物包括但不限於聚(乙烯醇) (PVA)、聚(乙二醇) (PEG)、PEG-丙烯酸酯、聚乙烯吡咯啶酮(PVP)、聚乙烯亞胺(PEI)、聚-L-丙交酯(PLLA)、聚-D-丙交酯(PDLA)、聚(L-丙交酯-共-D,L-丙交酯) (PLDLLA)、聚(乙醇酸) (PGA)、聚(乳酸-共-乙醇酸) (PL-co-GA)、聚(甲基丙烯酸甲酯) (PMMA)、聚(甲基丙烯酸羥乙酯) (p-HEMA)及其衍生物。
在一些實施例中，吸收性聚合物為PVA、PEG、PVP、PEI、PMMA或其衍生物。在一些實施例中，吸收性聚合物為PVA。在一些實施例中，吸收性聚合物為PEG或PEG-丙烯酸酯，諸如PEGMA、PEGDMA或PEGDA。在一些實施例中，吸收性聚合物為PLA或衍生物，諸如PLLA、PDLA或PLDLLA。在一些實施例中，吸收性聚合物為PGA或衍生物，諸如PLGA。在一些實施例中，吸收性聚合物為PMAA或衍生物，諸如pHEMA。
在某些實施例中，吸收性聚合物之體積為表面塗層總體積之0.01-10%。
本文所述之聚電解質多層包含至少一個層對(稱為「雙層」)，其包含陽離子聚電解質(稱為「聚陽離子」)及聚電解質(稱為「聚陰離子」)。在一些實施例中，聚陽離子為聚(胺基酸)。在一些實施例中，聚陰離子為聚(胺基酸)。在一些實施例中，聚陽離子及聚陰離子為聚(胺基酸)。本文所述之聚(胺基酸)可包含L及/或D胺基酸形式。如本文所述，聚電解質多層可藉由以交替方式沉積聚陽離子及聚陰離子經由逐層組裝而形成。
在一些實施例中，具有式(聚陽離子/聚陰離子)
n之聚電解質多層包含n個聚陽離子及聚陰離子之雙層，其中n為1至30範圍內之整數。在一些實施例中，n為1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，n在1-10、1-8、1-5、3-20、5-20、10-20、11-19、12-18、13-17或14-16之範圍內。
在一些實施例中，具有式聚陰離子(聚陽離子/聚陰離子)
n之聚電解質多層包含n+1層聚陰離子及n層聚陽離子，其中n為1至30範圍內之整數。在一些實施例中，n為1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，n在1-10、1-8、1-5、3-20、5-20、10-20、11-19、12-18、13-17或14-16之範圍內。
在一些實施例中，具有式聚陽離子(聚陰離子/聚陽離子)
n之聚電解質多層包含n+1層聚陽離子及n層聚陰離子，其中n為1至30範圍內之整數。在一些實施例中，n為1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，n在1-10、1-8、1-5、3-20、5-20、10-20、11-19、12-18、13-17或14-16之範圍內。
在一些實施例中，聚陽離子為聚(L-離胺酸) (PLL)、聚(L-精胺酸) (PLA)、聚(L-鳥胺酸) (PLO)、聚(L-組胺酸) (PLH)或其組合。在一較佳實施例中，聚陽離子為PLL。
在較佳實施例中，聚陰離子為聚(L-麩胺酸) (PLGA)、聚(L-天冬胺酸) (PLAA)或其組合。在一較佳實施例中，聚陰離子為PLGA。
在一些實施例中，該等聚電解質多層包含至少一個聚陽離子/聚陽離子之層對(亦即雙層)，其選自由以下組成之群：PLL/PLGA、PLL/PLAA、PLA/PLGA、PLA/PLAA、PLO/PLGA、PLO/PLAA、PLH/PLGA、PLH/PLAA及其組合。
在一些實施例中，本文所述之雙層包含PLL及PLGA之組合。在一些實施例中，本文所述之雙層包含PLO及PLGA之組合。在一些實施例中，本文所述之雙層包含PLH及PLGA之組合。在一些實施例中，本文所述之雙層包含PLA及PLGA之組合。
在一些實施例中，本文所述之雙層包含PLL及PLAA之組合。在一些實施例中，本文所述之雙層包含PLO及PLAA之組合。在一些實施例中，本文所述之雙層包含PLH及PLAA之組合。在一些實施例中，本文所述之雙層包含PLA及PLAA之組合。
在一些實施例中，本文所述之聚電解質多層的厚度可在30 nm至30 μm範圍內。在一些實施例中，表面塗層之厚度在100 nm至20 μm範圍內。在一些實施例中，表面塗層之厚度為200、400、600或800 nm。在一些實施例中，表面塗層之厚度為1、5、10、15或20 μm。
與習知培養方法相比，本發明之表面塗層提高多種細胞之增殖率，包括但不限於腫瘤細胞、富潛能及多潛能幹細胞及前驅細胞、造血細胞及免疫細胞。另外，具有高保水性之表面塗層提供如下優勢：防止表面塗層因在環境溫度下長期儲存而脫水所導致之不想要的表面裂紋。
在另一態樣中，本發明提供用於製備本發明之基質的方法。在一些實施例中，本文所述之方法包含以下步驟：(a)提供支撐物；(b)將彈性體施加於支撐物之表面上；(c)將吸收性聚合物施加於彈性體上；(d)在吸收性聚合物上依次沉積聚陽離子及聚陰離子之交替層以形成多層膜；及(e)自支撐物剝離多層膜以獲得基質。
在一些實施例中，彈性體為PDMS。在一些實施例中，PDMS包含疏水性表面。在一些實施例中，本文所述之方法包含以下步驟：(a)提供具有疏水性表面之PDMS膜；(b)藉由處理改質PDMS之疏水性表面；(c)將吸收性聚合物施加至PDMS之經改質表面；及(d)在吸收性聚合物上依次沉積交替的聚電解質層，從而獲得經塗佈之PDMS膜。
在一些實施例中，本文所述之處理為電漿處理、電暈放電或UV臭氧處理。在一些實施例中，PDMS之疏水性表面在處理後經照射或親水化。在一些實施例中，在將吸收性聚合物施加至PDMS之經改質表面後，使PDMS表面親水化。在一些實施例中，在將PVA施加至PDMS之經改質表面後，將PDMS之疏水性表面轉化為親水性表面。
在一些實施例中，PDMS之疏水性表面藉由矽氫化改質。在一些實施例中，矽氫化為鉑催化之矽氫化。在一些實施例中，在將PEG-丙烯酸酯施加至表面改質之PDMS後，使PDMS表面親水化。在一些實施例中，吸收性聚合物(例如PEG或PEG-丙烯酸酯)共價連接(亦即結合)至PDMS表面。可使用交聯劑來促進吸收性聚合物與彈性體之交聯。例示***聯劑包括但不限於馬來酸、甲醛、戊二醛、丁醛、硼酸鈉或其組合。
在一些實施例中，PDMS不含交聯。
本文所述之支撐物可由任何適合之材料製成。例示性材料包括但不限於金屬、玻璃及二氧化矽。在一些實施例中，支撐物由玻璃或矽晶圓製成。
在另一態樣中，本發明提供一種細胞培養製品，其表面塗佈有本發明之基質。例示性細胞培養製品包括但不限於細胞培養皿、細胞培養盤，諸如單孔及多孔盤，諸如6、12、96、384及1536孔盤。
在另一態樣中，本發明提供一種細胞培養系統，其包含本發明之細胞培養製品。在一些實施例中，細胞培養系統進一步包含細胞。在一些實施例中，細胞培養系統進一步包含培養基。
在一些實施例中，本文所揭示之細胞培養系統能夠將細胞，特別是單細胞或低密度細胞(例如，在一毫升中豐度小於1000之細胞)高效且可擴展地繁殖成3D，使得當前市場平台(例如，超低附著(ULA)盤、懸滴)上無法形成之困難細胞類型有可能形成3D細胞培養物。
如本文所揭示，聚電解質多層及培養基之一或多個參數可由使用者基於細胞之一或多個微環境選擇準則來選擇。
本文所揭示之細胞培養系統不僅能夠實現細胞附著及生長，且亦能夠收穫活的培養細胞(例如3D細胞培養物、組織及器官)。無法收穫活細胞為當前市場平台之重大缺陷，且其導致難以建立及維持足夠數目之細胞的生產能力。根據本發明實施例之一態樣，可自細胞培養系統收穫活細胞，包括80%至100%活的，或約85%至約99%活的，或約90%至約99%活的。舉例而言，在收穫的細胞中，至少80%為活的，至少85%為活的，至少90%為活的，至少91%為活的，至少92%為活的，至少93%為活的，至少94%為活的，至少95%為活的，至少96%為活的，至少97%為活的，至少98%為活的，或至少99%為活的。在一些實施例中，可使用細胞解離酶，例如胰蛋白酶、TrypLE或Accutase，自細胞培養表面釋放細胞。在較佳實施例中，細胞可在不使用細胞解離酶之情況下自細胞培養表面釋放。
在另一態樣中，本發明提供使用本文所揭示之基質培養細胞及視情況收穫細胞的方法。培養細胞之方法包含以下步驟：(a)提供本發明之基質；(b)在基質上接種細胞；(c)在適合的條件下培養細胞；及(d)視情況收穫培養的細胞。在一些實施例中，培養的細胞(亦即細胞產物)為3D細胞培養物，諸如球狀體。在一些實施例中，本文產生之球狀體黏附於基質。在一些實施例中，本文產生之球狀體半附著於基質。在一些實施例中，球狀體經由單細胞增殖衍生自單細胞。在一些實施例中，本發明之基質容納於細胞培養製品中。任何適合的製品均可用於例示性實施例之方法中。培養的細胞(例如培養及收穫的細胞)可用於各種應用，諸如分析及表徵、篩選藥物、分離單細胞衍生之純系、生成細胞庫及生成動物模型。
如本文所述，細胞為活細胞。在一些實施例中，細胞為哺乳動物細胞。在一些實施例中，細胞為組織細胞、免疫細胞、內皮細胞、幹細胞、上皮細胞、間質細胞、間皮細胞、腫瘤細胞或腫瘤相關細胞。
如本文所述，培養細胞包含維持及/或增殖細胞。在一些實施例中，培養細胞包含維持細胞。在一些實施例中，培養細胞包含增殖細胞。在一些實施例中，培養細胞可進一步包含分化細胞。
在一些實施例中，細胞為幹細胞，諸如間質幹細胞(MSC)或富潛能幹細胞(PSC)，包括胚胎幹細胞(ESC)及誘導性富潛能幹細胞(iPSC)。
在一些實施例中，細胞為腫瘤細胞，且培養的細胞為腫瘤球狀體。腫瘤球狀體可衍生自細胞株、腫瘤組織或液體生檢。在一些實施例中，本文所述之腫瘤球狀體衍生自由癌症患者獲得之血液樣品分離的循環腫瘤細胞(CTC)。在一些實施例中，本文所述之血液樣品為全血。血液樣品可藉由液體生檢獲得。在一些實施例中，本文所述之癌症患者為患有轉移性癌症之人類癌症患者。在一些實施例中，血液樣品係在治療性治療之前、期間及/或之後自癌症患者獲得。
在一些實施例中，本發明之基質可用作貼片，例如附著於皮膚。本文產生之培養的細胞可用於細胞療法。
本發明之另一態樣提供一種活體外製備單細胞衍生之球狀體的方法，該方法包含以下步驟：(a)提供包含本發明之基質的細胞培養系統；(b)自樣品分離細胞(例如腫瘤細胞及/或腫瘤相關細胞)以提供經分離細胞；(c)將經分離細胞接種在基質上；及(d)在適合的培養基下培養細胞充足的時間以產生一或多個球狀體，其中一或多個球狀體為單細胞衍生的。
本發明之另一態樣提供分離單細胞衍生之純系的方法，各純系由基因相同的均質細胞群體構成。
相關申請案之交叉引用
本申請案主張2020年12月31日申請之美國臨時專利申請案第63/132,934號及2021年10月05日申請之美國臨時專利申請案第63/252,268號的優先權及權益，其揭示內容特此以全文引用之方式併入本文中。
本發明係關於一種可用於細胞培養，尤其3D細胞培養之基質。該基質包含可誘導形成高度均一之3D細胞培養物的表面塗層，使得任何其他低附著表面上無法形成之困難初級細胞類型有可能形成3D細胞培養物。本文所揭示之基質為可組態的、靈活的且可適應於多種組態之任何適合的細胞培養製品。
本發明之基質
本發明提供一種用於塗佈細胞培養製品或培養細胞之基質。本文所揭示之基質包含聚電解質多層、吸收性聚合物及彈性體膜(例如PDMS)，該等聚電解質多層包含一或多個聚電解質雙層。在一些情況下，基質如圖1中所示。如圖1中所示，104指示沉積在細胞培養盤202之孔201內的本發明之說明性基質。聚電解質多層103沉積於吸收性聚合物102之頂部。彈性體膜101直接沉積於孔表面201之頂部，而吸收性聚合物102沉積於彈性體膜101之頂部。
1)
彈性體
本文所揭示之基質包含彈性體膜作為支撐物。在一些實施例中，本文所述之彈性體為聚矽氧彈性體。本文所述之聚矽氧彈性體可為親水性或疏水性的。在一些實施例中，聚矽氧彈性體為親水性聚矽氧彈性體。在一些實施例中，聚矽氧彈性體為疏水性聚矽氧彈性體。在較佳實施例中，聚矽氧彈性體為聚二甲基矽氧烷(PDMS) (例如，以Dow Corning之Sylgard 184®、Alpine Technische Produkte GmbH之Alpagel K或Silicone Solutions之Nusil Shore 00為商品名銷售)。
在一些情況下，彈性體膜進一步包含一或多種礦物填料，諸如二氧化矽、氧化鋁、碳酸鈣或聚矽氧樹脂。彈性體膜可進一步包含一或多種添加劑，以增強例如顏色、流變性及/或存放期。
在一些情況下，聚矽氧彈性體膜之厚度可小於200 mm、小於100 mm、小於50 mm、小於40 mm、小於30 mm、小於20 mm、小於10 mm或小於1 mm。在一些情況下，聚矽氧彈性體膜之厚度小於100 mm。在一些情況下，聚矽氧彈性體膜之厚度小於50 mm。在一些情況下，聚矽氧彈性體膜之厚度小於10 mm。在一些情況下，聚矽氧彈性體膜之厚度小於1 mm。
2)
吸收性聚合物
本文所述之吸收性聚合物為親水性聚合物，其為水溶性的且可由於吸收及保留水溶液而溶脹。可用於本發明之吸收性聚合物的非限制性清單包括親水性及生物相容性等級之以下聚合物及其衍生物：聚(乙烯醇) (PVA)、乙烯乙烯醇共聚物(通常為不可生物降解材料，其親水程度取決於乙烯(疏水性)及乙烯醇(親水性)基團之分佈)、聚乙烯醇及乙烯乙烯醇之共聚物、聚丙烯酸酯組合物、聚胺基甲酸酯組合物、聚(乙二醇) (PEG)或稱為聚(氧乙烯) (POE)及聚(環氧乙烷) (PEO)，及其衍生物，包括但不限於聚乙二醇甲基丙烯酸酯(PEGMA)、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯(PEGDMA)及聚乙二醇二丙烯酸酯(PEGDA)；含氮材料，諸如聚丙烯醯胺(無丙烯醯胺毒性殘留物)、聚乙烯吡咯啶酮、聚乙烯胺及聚乙烯亞胺；帶電材料，諸如各種形式之聚(乳酸)亦稱為聚丙交酯(例如聚-L-丙交酯(PLLA)及其衍生物、聚-D-丙交酯(PDLA)及其衍生物、聚(L-丙交酯-共-D,L-丙交酯) (PLDLLA)及其衍生物)、聚(乙醇酸) (PGA)亦稱為聚乙交酯、乳酸及乙醇酸之共聚物聚(乳酸-共-乙醇酸) (PL-co-GA)、PLA及/或PGA與PEG之共聚物；聚甲基丙烯酸；聚(甲基丙烯酸羥乙酯) (poly-HEMA)，以及此項技術中已知的其他吸收性、親水性及生物相容性材料。
在一些實施例中，吸收性聚合物係選自由以下組成之群：聚(乙烯醇) (PVA)、乙烯乙烯醇之共聚物、聚乙烯醇及乙烯乙烯醇之共聚物、聚丙烯酸酯組合物、聚胺基甲酸酯組合物、聚(乙二醇) (PEG)、PEG-丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯(PEGMA)、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯(PEGDMA)、聚乙二醇二丙烯酸酯(PEGDA)、聚丙烯醯胺(PAM)、聚乙烯吡咯啶酮(PVP)、聚乙烯胺(PVAm)、聚乙烯亞胺(PEI)、聚-L-丙交酯(PLLA)、聚-D-丙交酯(PDLA)、聚(L-丙交酯-共-D,L-丙交酯) (PLDLLA)、聚(乙醇酸) (PGA)、聚(乳酸-共-乙醇酸) (PL-co-GA)、聚(甲基丙烯酸甲酯) (PMMA)及聚(甲基丙烯酸羥乙酯) (p-HEMA)。
在一些實施例中，吸收性聚合物係選自由以下組成之群：PVA、PEG、PEG-丙烯酸酯、聚丙交酯、PMMA、p-HEMA、其組合或衍生物。在一些實施例中，吸收性聚合物為PVA或其衍生物。在一些實施例中，吸收性聚合物為PEG或PEG-丙烯酸酯，諸如PEGMA、PEGDMA或PEGDA。在一些實施例中，吸收性聚合物為聚丙交酯或衍生物，諸如PLLA、PDLA或PLDLLA。在一些實施例中，吸收性聚合物為PGA或衍生物，諸如PLGA。在一些實施例中，吸收性聚合物為PMAA或衍生物，諸如pHEMA。
在一些實施例中，吸收性聚合物之平均分子量為約2,500 g/mol至約200,000 g/mol。在一些情況下，吸收性聚合物之平均分子量為約5,000 g/mol至約175,000 g/mol、約5,000 g/mol至約150,000 g/mol、約5,000 g/mol至約125,000 g/mol、約5,000 g/mol至約100,000 g/mol、約5,000 g/mol至約75,000 g/mol、約5,000 g/mol至約50,000 g/mol、約5,000 g/mol至約25,000 g/mol、約5,000 g/mol至約10,000 g/mol、約10,000 g/mol至約175,000 g/mol、約10,000 g/mol至約150,000 g/mol、約10,000 g/mol至約125,000 g/mol、約10,000 g/mol至約100,000 g/mol、約10,000 g/mol至約75,000 g/mol、約10,000 g/mol至約50,000 g/mol、約10,000 g/mol至約25,000 g/mol、約20,000 g/mol至約150,000 g/mol或約50,000 g/mol至約150,000 g/mol。
在一些實施例中，吸收性聚合物為PVA。PVA之平均分子量可在約10,000 g/mol至約125,000 g/mol範圍內。在一些情況下，PVA之平均分子量為約10,000 g/mol至約100,000 g/mol、約10,000 g/mol至約75,000 g/mol、約10,000 g/mol至約50,000 g/mol、約20,000 g/mol至約125,000 g/mol、約20,000 g/mol至約100,000 g/mol、約20,000 g/mol至約75,000 g/mol、約20,000 g/mol至約50,000 g/mol、約50,000 g/mol至約125,000 g/mol或約50,000 g/mol至約100,000 g/mol。
在一些實施例中，吸收性聚合物為PEG。在一些情況下，PEG之平均分子量為約200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300、1400、1450、1500、1600、1700、1800、1900、2000、2100、2200、2300、2400、2500、2600、2700、2800、2900、3000、3250、3350、3500、3750、4000、4250、4500、4600、4750、5000、5500、6000、6500、7000、7500、8000、10,000、12,000、20,000、35,000、40,000、50,000、60,000或100,000 Da。
在一些情況下，本文利用之PEG為離散PEG (dPEG)。離散PEG可為包含多於一個重複環氧乙烷單元之聚合PEG。在一些情況下，離散PEG包含2至60個、2至50個或2至48個重複環氧乙烷單元。在一些情況下，dPEG包含2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、22、24、26、28、30、35、40、42、48、50或更多個重複環氧乙烷單元。
在某些實施例中，吸收性聚合物之體積為表面塗層總體積之約0.01%至約10%。在一些情況下，吸收性聚合物為表面塗層總體積之約0.01%至約9% v/v、約0.01%至約8% v/v、約0.01%至約7% v/v、約0.01%至約6% v/v、約0.01%至約5% v/v、約0.01%至約4% v/v、約0.01%至約3% v/v、約0.01%至約2% v/v、約0.01%至約1% v/v、約0.1%至約10% v/v、約0.1%至約9% v/v、約0.1%至約8% v/v、約0.1%至約7% v/v、約0.1%至約6% v/v、約0.1%至約5% v/v、約0.1%至約4% v/v、約0.1%至約3% v/v、約1%至約10% v/v、約1%至約9% v/v、約1%至約8% v/v、約1%至約7% v/v、約1%至約6% v/v、約1%至約5% v/v、約1%至約4% v/v、約2%至約10% v/v或約5%至約10% v/v。在一些情況下，吸收性聚合物(例如PVA或PEG)之體積為表面塗層總體積之約0.01%、約0.05%、約0.1%、約0.5%、約1%、約2%、約3%、約4%、約5%、約6%、約7%、約8%、約9%或約10%。
在一些情況下，吸收性聚合物(例如PVA或PEG)之重量/表面塗層之總重量為約1%至約50%。在一些情況下，吸收性聚合物之重量/表面塗層之總重量為約1%至約40%。在一些情況下，吸收性聚合物之重量/表面塗層之總重量為約1%至約30%。在一些情況下，吸收性聚合物之重量/表面塗層之總重量為約1%至約20%。在一些情況下，吸收性聚合物之重量/表面塗層之總重量為約1%至約10%。
3) 聚電解質多層
如本文所揭示，基質包含聚電解質多層(PEM)。本文所述之PEM包含複數個交替的帶相反電荷之聚合物(亦即聚電解質)層。本文所述之帶相反電荷之聚合物包含帶正電荷之聚電解質(在本文中亦稱為聚陽離子)及帶負電荷之聚電解質(在本文中亦稱為聚陰離子)之組合。
例示性聚陽離子包括但不限於聚(L-離胺酸) (PLL)、聚(L-精胺酸) (PLA)、聚(L-鳥胺酸) (PLO)、聚(L-組胺酸) (PLH)、聚乙烯亞胺(PEI)、聚[α-(4-胺基丁基)-L-乙醇酸] (PAGA)、甲基丙烯酸2-(二甲胺基)乙酯(DMAEMA)、甲基丙烯酸N,N-二乙胺基乙酯(DEAEMA)及其組合。在一些情況下，聚陽離子為PLL。在一些情況下，聚陽離子為PLO。在一些情況下，聚陽離子為PLH。在一些情況下，聚陽離子為PLA。
例示性聚陰離子包括但不限於聚-L-麩胺酸(PLGA)、聚-L-天冬胺酸(PLAA)、聚(丙烯酸)、聚(甲基丙烯酸) (PMAA)、聚(苯乙烯磺酸) (PSS)、聚(N-異丙基丙烯醯胺) (NIPAM)、聚(2-丙烯醯胺基-2-甲基-1-丙磺酸) (PAMPS)及其組合。在一些情況下，聚陰離子為PLGA。在一些情況下，聚陰離子為PLAA。
聚電解質多層可藉由以交替方式沉積聚陽離子及聚陰離子經由逐層組裝而形成。本文所述之聚電解質多層包括至少一個包括聚陽離子層及聚陰離子層之雙層。
在一些實施例中，PEM可包括約1個雙層至約100個雙層。在一些實施例中，PEM可包括約1個雙層至約50個雙層。在一些實施例中，PEM可包括約1個雙層至約30個雙層。在一些實施例中，PEM可包括約1個雙層至約20個雙層。在一些實施例中，雙層之數目為1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，雙層之數目在1-10、1-8、1-5、3-20、5-20、10-20、11-19、12-18、13-17或14-16之範圍內。在一些實施例中，雙層之數目為3。在一些實施例中，雙層之數目為4。在一些實施例中，雙層之數目為5。在一些實施例中，雙層之數目為6。在一些實施例中，雙層之數目為7。在一些實施例中，雙層之數目為8。在一些實施例中，雙層之數目為9。在一些實施例中，雙層之數目為10。在一些實施例中，雙層之數目為11。在一些實施例中，雙層之數目為12。在一些實施例中，雙層之數目為13。在一些實施例中，雙層之數目為14。在一些實施例中，雙層之數目為15。在一些實施例中，雙層之數目為16。在一些實施例中，雙層之數目為17。在一些實施例中，雙層之數目為18。在一些實施例中，雙層之數目為19。在一些實施例中，雙層之數目為20。
在一些實施例中，本文所述之聚電解質多層包含一或多個帶正電荷之聚電解質及帶負電荷之聚電解質的雙層，其中聚陽離子係選自PLL、PLO、PLH及PLA，且聚陰離子係選自PLGA及PLAA。在一些實施例中，組數在1至100、3至60、3至50或3至30之範圍內。在一些實施例中，組數大於3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，組數為3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，組數在1-10、1-8、1-5、3-20、5-20、10-20、11-19、12-18、13-17或14-16之範圍內。
在一些實施例中，本文所述之聚電解質多層包含一或多個PLL及PLGA之雙層。在一些實施例中，PLL及PLGA之雙層之數目在1至100、3至60、3至50或3至30之範圍內。在一些實施例中，雙層之數目大於3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，雙層之數目為3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，雙層之數目在1-10、1-8、1-5、3-20、5-20、10-20、11-19、12-18、13-17或14-16之範圍內。
在一些實施例中，本文所述之聚電解質多層包含一或多個PLO及PLGA之雙層。在一些實施例中，PLO及PLGA之雙層之數目在1至100、3至60、3至50或3至30之範圍內。在一些實施例中，雙層之數目大於3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，雙層之數目為3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，雙層之數目在1-10、1-8、1-5、3-20、5-20、10-20、11-19、12-18、13-17或14-16之範圍內。
在一些實施例中，本文所述之聚電解質多層包含一或多個PLH及PLGA之雙層。在一些實施例中，PLH及PLGA之雙層之數目在1至100、3至60、3至50或3至30之範圍內。在一些實施例中，雙層之數目大於3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，雙層之數目為3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，雙層之數目在1-10、1-8、1-5、3-20、5-20、10-20、11-19、12-18、13-17或14-16之範圍內。
在一些實施例中，本文所述之聚電解質多層包含一或多個PLA及PLGA之雙層。在一些實施例中，PLA及PLGA之雙層之數目在1至100、3至60、3至50或3至30之範圍內。在一些實施例中，雙層之數目大於3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，雙層之數目為3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，雙層之數目在1-10、1-8、1-5、3-20、5-20、10-20、11-19、12-18、13-17或14-16之範圍內。
在一些實施例中，本文所述之聚電解質多層包含一或多個PLL及PLAA之雙層。在一些實施例中，PLL及PLAA之雙層之數目在1至100、3至60、3至50或3至30之範圍內。在一些實施例中，雙層之數目大於3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，雙層之數目為3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，雙層之數目在1-10、1-8、1-5、3-20、5-20、10-20、11-19、12-18、13-17或14-16之範圍內。
在一些實施例中，本文所述之聚電解質多層包含一或多個PLO及PLAA之雙層。在一些實施例中，PLO及PLAA之雙層之數目在1至100、3至60、3至50或3至30之範圍內。在一些實施例中，雙層之數目大於3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，雙層之數目為3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，雙層之數目在1-10、1-8、1-5、3-20、5-20、10-20、11-19、12-18、13-17或14-16之範圍內。
在一些實施例中，本文所述之聚電解質多層包含一或多個PLH及PLAA之雙層。在一些實施例中，PLH及PLAA之雙層之數目在1至100、3至60、3至50或3至30之範圍內。在一些實施例中，雙層之數目大於3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，雙層之數目為3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，雙層之數目在1-10、1-8、1-5、3-20、5-20、10-20、11-19、12-18、13-17或14-16之範圍內。
在一些實施例中，本文所述之聚電解質多層包含一或多個PLA及PLAA之雙層。在一些實施例中，PLA及PLAA之雙層之數目在1至100、3至60、3至50或3至30之範圍內。在一些實施例中，雙層之數目大於3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，雙層之數目為3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。在一些實施例中，雙層之數目在1-10、1-8、1-5、3-20、5-20、10-20、11-19、12-18、13-17或14-16之範圍內。
作為薄膜之PEM的厚度可在廣泛的範圍內，例如在約30 nm至約30 μm或約100 nm至約20 μm範圍內。在一些實施例中，厚度為約100 nm至約500 nm、約500 nm至約1 μm或約1 μm至約10 μm。在一些實施例中，厚度為約200、400、600、800 nm，或兩者之間的任何數字。在一些實施例中，厚度為約1、5、10、15或20 μm，或兩者之間的任何數字。
許多方法可用於表徵PEM。在一些實施例中，該等方法可包含橢偏儀法(厚度)、具有耗散監測之石英晶體微天平(質量吸附、黏彈性)、接觸角分析(表面能)、傅立葉變換紅外光譜法(官能基)、X射線光電子光譜法(化學組成)、掃描電子顯微法(表面結構)及原子力顯微法(粗糙度/表面結構)。
在一些實施例中，PEM可藉由用移液管將聚陰離子或聚陽離子溶液以混合物形式或依次移至皿中/上而沉積。
在一些實施例中，PEM藉由浸塗形成於表面上。在浸塗中，將基質浸漬於聚電解質溶液中一定量的時間(通常為10-15分鐘)，接著多次沖洗且浸漬於相反電荷之第二聚電解質溶液中。重複此過程直至達成所需層數。
在一些實施例中，PEM藉由噴塗形成於表面上。在一些實施例中，聚電解質可噴灑至表面上3-10秒，隨後為10-30秒之休息/瀝幹期，藉由噴水洗滌表面3-20秒，再為10秒之休息期，且用相反電荷之聚電解質重複該循環。
在一些實施例中，PEM藉由旋塗形成於表面上。旋塗為一種高度受控的方法，用於系統之基於溶液之塗層。典型的旋塗程序包括旋塗10-15秒，藉由「旋塗」水沖洗至少一次，持續15-30秒，且用帶相反電荷之聚電解質重複該程序。洗滌步驟在旋塗中可能並非必需的。
4) 細胞培養基質之構築
本發明之另一態樣的特徵在於一種用於製造本發明之細胞培養基質的方法。本文所述之方法包含以下步驟：(a)提供支撐物；(b)將彈性體施加於支撐物之表面上；(c)將吸收性聚合物施加於彈性體上；(d)在吸收性聚合物上依次沉積交替的聚電解質層以形成多層膜；及(e)自支撐物剝離多層膜以獲得基質。
在一些實施例中，本文所述之彈性體為矽彈性體。在一些實施例中，矽彈性體為聚二甲基矽氧烷(PDMS)。在一些實施例中，PDMS包含親水性表面。在一些實施例中，PDMS包含疏水性表面。在一些實施例中，採用表面改質將PDMS疏水性表面轉化為親水性表面。
在一些實施例中，製備本發明之基質的方法包含以下步驟：(a)提供具有疏水性表面之PDMS；(b)藉由處理改質PDMS之疏水性表面；(c)將吸收性聚合物施加至PDMS之經改質表面；及(d)在吸收性聚合物上依次沉積交替的聚電解質層，從而獲得包含多層膜之基質。
在一些實施例中，處理包含電漿處理、電暈放電或UV臭氧處理。在一些實施例中，PDMS之疏水性表面在處理後經照射。在一些實施例中，在將吸收性聚合物施加至PDMS之經改質表面後，使PDMS表面親水化。在一些實施例中，在將PVA施加至PDMS之經改質表面後，PDMS之疏水性表面可轉化為親水性表面。在一些實施例中，PDMS之疏水性表面藉由矽氫化改質。在一些實施例中，在將PEG-丙烯酸酯施加至表面改質之PDMS後，使PDMS表面親水化。在一些實施例中，PDMS與PEG交聯以提供經親水化之PDMS表面。可使用交聯劑來促進吸收性聚合物與PDMS之間的交聯。例示***聯劑包括但不限於馬來酸、甲醛、戊二醛、丁醛、硼酸鈉及其組合。
如本文所述，若表面上之水滴的接觸角小於90度(接觸角定義為穿過水滴內部的角度)，則該表面為親水性的。實施例包括接觸角為90度至0度之親水性表面；技術人員應立即理解，明確規定之界限之間的所有範圍及值均考慮在內，例如以下中之任一者可用作上限或下限：90、80、70、60、50、40、30、20、10、5、2、0度。
在一些實施例中，本文所述之基質包含(聚陰離子/聚陽離子)
n/ X /PDMS，其中聚陰離子/聚陽離子係選自PLGA/PLL、PLAA/PLL、PLGA/PLA、PLAA/PLA、PLGA/PLO、PLAA/PLO、PLGA/PLH及PLAA/PLH，X為PVA、PEG、PEG-丙烯酸酯或PVP，且n為1至20範圍內之整數，視情況為1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20。在一些實施例中，n在1-10、1-8、1-5、3-20、5-20、10-20、11-19、12-18、13-17或14-16之範圍內。在一些實施例中，X為PEG-丙烯酸酯，且PEG-丙烯酸酯交聯至PDMS。在一些實施例中，X為PVA，且PDMS及PVA不含交聯。
在一些實施例中，本文所述之基質包含(聚陽離子/聚陰離子)
n/ X /PDMS，其中聚陽離子/聚陰離子係選自PLL/PLGA、PLL/PLAA、PLA/PLGA、PLA/PLAA、PLO/PLGA、PLO/PLAA、PLH/PLGA及PLH/PLAA，X為PVA、PEG、PEG-丙烯酸酯或PVP，且n為1至20範圍內之整數，視情況為1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20。在一些實施例中，n在1-10、1-8、1-5、3-20、5-20、10-20、11-19、12-18、13-17或14-16之範圍內。在一些實施例中，X為PEG-丙烯酸酯，且PEG-丙烯酸酯交聯至PDMS。在一些實施例中，X為PVA，且PDMS及PVA不含交聯。
在一些實施例中，本文所述之基質包含聚陽離子(聚陰離子/聚陽離子)
n/ X /PDMS，其中聚陰離子/聚陽離子係選自PLGA/PLL、PLAA/PLL、PLGA/PLA、PLAA/PLA、PLGA/PLO、PLAA/PLO、PLGA/PLH及PLAA/PLH，X為PVA、PEG、PEG-丙烯酸酯或PVP，且n為1至20範圍內之整數，視情況為1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20。在一些實施例中，n在1-10、1-8、1-5、3-20、5-20、10-20、11-19、12-18、13-17或14-16之範圍內。在一些實施例中，X為PEG-丙烯酸酯，且PEG-丙烯酸酯交聯至PDMS。在一些實施例中，X為PVA，且PDMS及PVA不含交聯。
在一些實施例中，本文所述之基質包含聚陰離子(聚陽離子/聚陰離子)
n/ X /PDMS，其中聚陽離子/聚陰離子係選自PLL/PLGA、PLL/PLAA、PLA/PLGA、PLA/PLAA、PLO/PLGA、PLO/PLAA、PLH/PLGA及PLH/PLAA，X為PVA、PEG、PEG-丙烯酸酯或PVP，且n為1至20範圍內之整數，視情況為1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20。在一些實施例中，n在1-10、1-8、1-5、3-20、5-20、10-20、11-19、12-18、13-17或14-16之範圍內。在一些實施例中，X為PEG-丙烯酸酯，且PEG-丙烯酸酯交聯至PDMS。在一些實施例中，X為PVA，且PDMS及PVA不含交聯。
本文所述之彈性體膜的表面塗層可為脫水或水合的。在一些實施例中，表面塗層處於脫水狀態。在其他實施例中，表面塗層處於水合狀態。如本文所用，「脫水狀態」及「水合狀態」各自指相對於表面塗層之總體積的水溶液(例如水)之體積。在脫水狀態下，水溶液(例如水)之體積為表面塗層總體積之小於20%、小於15%、小於10%、小於5%、小於1%或小於0.5%。在水合狀態下，水溶液(例如水)之體積為表面塗層總體積之至少20%、至少30%、至少40%、至少50%、至少60%或更高。
在一些實施例中，本文所述之彈性體膜的表面塗層包含水溶液(例如水)。在一些情況下，水溶液(例如水)為表面塗層總重量之約1重量%至約60重量%。在一些情況下，水溶液(例如水)為表面塗層總重量之約1重量%至約50重量%、約1重量%至約40重量%、約1重量%至約30重量%、約1重量%至約20重量%、約10重量%至約60重量%、約10重量%至約50重量%、約10重量%至約40重量%、約10重量%至約30重量%、約10重量%至約20重量%、約20重量%至約60重量%、約20重量%至約50重量%、約20重量%至約40重量%或約30重量%至約60重量%。
在一些實施例中，基質進一步包含填料。在一些情況下，填料包含礦物填料，諸如但不限於二氧化矽、氧化鋁、碳酸鈣或聚矽氧樹脂。
聚陽離子及聚陰離子以及吸收性聚合物中之每一者可溶解於水溶液中以用於本發明。該水溶液不含或基本上不含有機溶劑。應理解，水溶液中可能存在一些少量的有機溶劑，例如作為聚合後殘留在聚合物中之一些有機溶劑的結果。如本文所用，「基本上不含」在其涉及水溶液中之有機溶劑時，意謂水溶液包含少於1重量%之有機溶劑。在許多實施例中，水溶液含有少於0.8%、少於0.5%、少於0.2%或少於0.1%之有機溶劑。
聚陽離子及聚陰離子以及吸收性聚合物中之每一者可以任何適合之濃度溶解於水溶液中，以用於塗佈之目的。
細胞培養系統
本發明提供一種細胞培養系統，其包括包含本發明之基質的細胞培養製品，且經組態以培養細胞。
本文所揭示之基質可組態且可適應於多種組態之任何適合的細胞培養製品。例示性細胞培養製品包括但不限於細胞培養皿、細胞培養盤，諸如單孔及多孔盤，諸如6、12、96、384及1536孔盤。本文所述之細胞培養製品可由任何適合之材料製成，包括玻璃材料，諸如鈉鈣玻璃、派熱司玻璃(pyrex glass)、維柯玻璃(vycor glass)、石英玻璃；矽；塑膠或聚合物，諸如聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、環烯烴聚合物、環烯烴共聚物、聚氯乙烯、聚胺基甲酸酯、聚酯、聚醯胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸甲酯及聚甲基丙烯酸甲酯或其衍生物或其類似物。
在一些實施例中，細胞培養系統進一步包含細胞。在一些實施例中，細胞來源於細胞株。在一些實施例中，細胞為哺乳動物細胞。在一些實施例中，細胞為人類細胞。在一些實施例中，細胞為組織細胞、免疫細胞、內皮細胞、幹細胞、上皮細胞、間質細胞、間皮細胞、癌細胞或腫瘤相關細胞。在一些實施例中，細胞培養系統進一步包含培養基。
本文所揭示之細胞培養系統不僅能夠實現細胞附著及生長，且亦能夠收穫活的培養細胞(例如3D細胞培養物、組織及器官)。根據本發明之一些實施例，細胞培養系統可用於收穫活細胞，包括80%至100%活的，或約85%至約99%活的，或約90%至約99%活的。舉例而言，在收穫的細胞中，至少80%為活的，至少85%為活的，至少90%為活的，至少91%為活的，至少92%為活的，至少93%為活的，至少94%為活的，至少95%為活的，至少96%為活的，至少97%為活的，至少98%為活的，或至少99%為活的。在一些實施例中，可使用或不使用細胞解離酶，例如胰蛋白酶、TrypLE或Accutase，自細胞培養系統釋放細胞。
其方法及用途
1) 用於培養細胞之方法
在不受任何特定理論束縛之情況下，咸信本文所揭示之基質能夠使得細胞穩健繁殖及/或穩定維持。因此，本發明提供一種用於培養細胞之方法。該方法包含以下步驟：(a)提供包含本發明之基質的細胞培養系統；(b)在基質表面上接種細胞；及(c)在適合的培養基下培養細胞。在一些實施例中，細胞培養一段充足的時間以形成球狀體。在較佳實施例中，球狀體為3D球狀體。在一些實施例中，本文所述之球狀體係經由單細胞增殖產生。在一些實施例中，本文所述之球狀體係在無細胞聚集之情況下經由單細胞增殖產生。在一些實施例中，球狀體具有均一的尺寸。
在一些實施例中，本文所述之細胞可來源於細胞株、組織切片或液體生檢。在一些實施例中，細胞為哺乳動物細胞。在一些實施例中，細胞為人類細胞。在一些實施例中，細胞為組織細胞、免疫細胞、內皮細胞、幹細胞、上皮細胞、間質細胞、間皮細胞、癌細胞或腫瘤相關細胞。
在一些實施例中，本文所述之細胞為幹細胞，諸如間質幹細胞(MSC)或富潛能幹細胞(PSC)，包括胚胎幹細胞(ESC)及誘導性富潛能幹細胞(iPSC)。
在一些實施例中，本文所述之細胞為癌細胞。本文所述之例示性癌症包括但不限於急性淋巴癌、急性骨髓性白血病、肺泡橫紋肌肉瘤、骨癌、腦癌、乳癌、肛門癌、肛管或肛門直腸癌、眼癌、肝內膽管癌、關節癌、頸部癌、膽囊或胸膜癌、鼻、鼻腔或中耳癌、口腔癌、外陰癌、慢性淋巴白血病、慢性骨髓癌、結腸癌、食道癌、子宮頸癌、胃腸道類癌瘤、神經膠質瘤、霍奇金淋巴瘤、下咽癌、腎癌、喉癌、肝癌、肺癌、惡性間皮瘤、黑素瘤、多發性骨髓瘤、鼻咽癌、非霍奇金淋巴瘤、卵巢癌、胰臟癌、腹膜癌、網膜及腸系膜癌、咽癌、***癌、直腸癌、腎癌、皮膚癌、小腸癌、軟組織癌、胃癌、睪丸癌、甲狀腺癌、輸尿管癌及膀胱癌。
在一些實施例中，本文所述之細胞為腫瘤相關細胞。例示性腫瘤相關細胞包括但不限於腫瘤細胞叢、腫瘤浸潤性淋巴球(TIL)、癌症相關巨噬細胞樣細胞(CAML)、腫瘤相關巨噬細胞(TAM)、腫瘤相關單核球/巨噬細胞譜系細胞(MMLC)、癌症幹細胞、腫瘤微栓子、腫瘤相關基質細胞(TASC)、腫瘤相關骨髓細胞(TAMC)、腫瘤相關調節性T細胞(Treg)、癌症相關纖維母細胞(CAF)、腫瘤源性內皮細胞(TEC)、腫瘤相關嗜中性球(TAN)、腫瘤相關血小板(TAP)、腫瘤相關免疫細胞(TAI)、骨髓源性抑制細胞(MDSC)及其組合。
例示性細胞包括低密度細胞、單細胞、稀有細胞或其組合。低密度細胞可為在接種時在基質上每平方公分少於5000個的細胞，例如在基質上每平方公分不超過約1、5、10、20、50、100、200、300、500、1000、2000、3000、4000或4500中之任一者。
在一些實施例中，在步驟(c)中接種經分離細胞包含將細胞以每平方公分一個細胞至10個細胞之密度平板接種於基質表面(亦即細胞生長表面)上。在一些實施例中，在步驟(c)中接種經分離細胞包含將細胞以每平方公分10個細胞至100個細胞之密度平板接種於基質表面上。在一些實施例中，在步驟(c)中接種經分離細胞包含將細胞以每平方公分100個細胞至1000個細胞之密度平板接種於基質表面上。
在一些實施例中，將細胞培養一段時間，範圍介於約2天至約5週，諸如約3至約14天，例如約7天。在一些實施例中，將細胞培養3天，且球狀體之平均直徑在約40 μm至約200 μm範圍內。
在例示性實施例之方法中可採用任何適合的培養基。例示性培養基包括但不限於達爾伯克氏改良伊格爾氏培養基(Dulbecco's modified Eagle's medium，DMEM)、表皮生長因子(EGF)及/或鹼性纖維母細胞生長因子(bFGF)、達爾伯克氏改良伊格爾氏培養基(DMEM)補充有B27補充劑、表皮生長因子(EGF)及鹼性纖維母細胞生長因子(bFGF)之混合物。
2) 製備單細胞衍生之球狀體的方法
在另一態樣中，本發明提供一種製備單細胞衍生之球狀體的方法，該方法包含以下步驟：(a)提供包含本發明之基質的細胞培養系統；(b)在基質表面上接種細胞；及(d)在適合的培養基下培養細胞一段充足的時間以形成球狀體，其中該等球狀體為單細胞衍生的。本文所述之球狀體係經由單細胞增殖產生。在一些實施例中，球狀體具有均一的尺寸。在一些實施例中，單細胞衍生之純系半附著或鬆散地附著於本發明之基質上。
在一些實施例中，細胞來源於細胞株。在一些實施例中，細胞為哺乳動物細胞。在一些實施例中，細胞為人類細胞。在一些實施例中，細胞為組織細胞、免疫細胞、內皮細胞、幹細胞、上皮細胞、間質細胞、間皮細胞、癌細胞或腫瘤相關細胞。
在一些實施例中，細胞為幹細胞，諸如間質幹細胞(MSC)或富潛能幹細胞(PSC)，包括胚胎幹細胞(ESC)及誘導性富潛能幹細胞(iPSC)。
在一些實施例中，細胞為癌細胞。在一些實施例中，細胞為癌細胞。在某些實施例中，癌細胞分離自人類原發性腫瘤組織。在某些實施例中，癌細胞分離自癌症患者之血液樣品。本文所述之例示性癌症包括但不限於急性淋巴癌、急性骨髓性白血病、肺泡橫紋肌肉瘤、骨癌、腦癌、乳癌、肛門癌、肛管或肛門直腸癌、眼癌、肝內膽管癌、關節癌、頸部癌、膽囊或胸膜癌、鼻、鼻腔或中耳癌、口腔癌、外陰癌、慢性淋巴白血病、慢性骨髓癌、結腸癌、食道癌、子宮頸癌、胃腸道類癌瘤、神經膠質瘤、霍奇金淋巴瘤、下咽癌、腎癌、喉癌、肝癌、肺癌、惡性間皮瘤、黑素瘤、多發性骨髓瘤、鼻咽癌、非霍奇金淋巴瘤、卵巢癌、胰臟癌、腹膜癌、網膜及腸系膜癌、咽癌、***癌、直腸癌、腎癌、皮膚癌、小腸癌、軟組織癌、胃癌、睪丸癌、甲狀腺癌、輸尿管癌及膀胱癌。
在一些實施例中，細胞為腫瘤相關細胞。例示性腫瘤相關細胞包括但不限於腫瘤細胞叢、腫瘤浸潤性淋巴球(TIL)、癌症相關巨噬細胞樣細胞(CAML)、腫瘤相關巨噬細胞(TAM)、腫瘤相關單核球/巨噬細胞譜系細胞(MMLC)、癌症幹細胞、腫瘤微栓子、腫瘤相關基質細胞(TASC)、腫瘤相關骨髓細胞(TAMC)、腫瘤相關調節性T細胞(Treg)、癌症相關纖維母細胞(CAF)、腫瘤源性內皮細胞(TEC)、腫瘤相關嗜中性球(TAN)、腫瘤相關血小板(TAP)、腫瘤相關免疫細胞(TAI)、骨髓源性抑制細胞(MDSC)及其組合。
例示性細胞包括低密度細胞、單細胞、稀有細胞或其組合。低密度細胞可為在接種時在基質上每平方公分少於5000個的細胞，例如在基質上每平方公分不超過約1、5、10、20、50、100、200、300、500、1000、2000、3000、4000或4500中之任一者。
在一些實施例中，在步驟(c)中接種經分離細胞包含將細胞以每平方公分一個細胞至10個細胞之密度平板接種於基質表面(亦即細胞生長表面)上。在一些實施例中，在步驟(c)中接種經分離細胞包含將細胞以每平方公分10個細胞至100個細胞之密度平板接種於基質表面上。在一些實施例中，在步驟(c)中接種經分離細胞包含將細胞以每平方公分100個細胞至1000個細胞之密度平板接種於基質表面上。
在一些實施例中，培養步驟發生在2-8天之時間段內(例如，2、3、4、5、6、7或8天)。在其他實施例中，培養步驟發生在7-14天之時間段內(例如，7、8、9、10、11、12、13或14天)。在其他實施例中，培養步驟發生在1-4週之時間段內(例如，1、2、3或4週)。在一些實施例中，將細胞培養3天，且球狀體之平均直徑在約40 μm至約200 μm範圍內。
在例示性實施例之方法中可採用任何適合的培養基。例示性培養基包括但不限於達爾伯克氏改良伊格爾氏培養基(DMEM)、表皮生長因子(EGF)及/或鹼性纖維母細胞生長因子(bFGF)、達爾伯克氏改良伊格爾氏培養基(DMEM)補充有B27補充劑、表皮生長因子(EGF)及鹼性纖維母細胞生長因子(bFGF)之混合物。
在一些實施例中，單細胞衍生之球狀體的尺寸小於200 μm的直徑。在一些實施例中，單細胞衍生之球狀體的尺寸小於150 μm的直徑。在一些實施例中，單細胞衍生之球狀體的尺寸為約40、50、60、70、80、90、100、110、120、130或140 μm的直徑。
在某些實施例中，單細胞衍生之球狀體可用於篩選治療劑。在某些實施例中，篩選治療劑之方法包含：(a)將測試物質施加至其產生之單細胞衍生之球狀體；及(b)評估測試物質對單細胞衍生之球狀體的影響。在一些實施例中，用成像系統分析測試物質之影響，例如分析基因或蛋白質之生物化學活性及/或表現量。
在一些實施例中，其產生之單細胞衍生之球狀體為腫瘤球狀體。在一些實施例中，本文所述之測試物質為化學治療藥物，諸如細胞毒性或細胞抑制性化學治療藥物。在一些實施例中，治療劑為免疫檢查點抑制劑，諸如免疫檢查點抑制劑。在一些實施例中，治療劑為核酸藥物。在一些實施例中，治療劑為治療性細胞組合物，其包括但不限於T細胞、自然殺手(NK)細胞及樹突狀細胞。
在一些實施例中，將細胞培養一段時間，範圍介於約2天至約5週，諸如約3至約14天，例如約7天。在一些實施例中，將細胞培養3天，且至少一個3D球狀體之平均直徑在約40 μm至約200 μm範圍內。
在一些態樣中，本文提供一種根據採用本文所述之細胞培養系統之培養方法中之任一者產生之單細胞衍生之球狀體(例如腫瘤球狀體)。在一些態樣中，提供一種根據採用本文所述之細胞培養系統之培養方法中之任一者衍生的單細胞衍生之球狀體(例如腫瘤球狀體)庫。
3) 分離單細胞衍生之純系的方法
隨著基因體編輯技術進入常規實驗室中實行，單細胞衍生之純系變得愈來愈重要。限制稀釋法為分離單細胞之傳統方法，其依賴於單純系性之統計概率，該概率會隨著方案之微小變化而顯著改變。該技術雖然在分離單細胞方面效率極低，但保持細胞活力。相反，流動式細胞測量術可高效率地提供單細胞純系，但對細胞活力產生負面影響。此等平台之共同特點為其一般以含有大量細胞之懸浮液開始，該等細胞藉由隨機限制在微結構中『個別化』。當細胞群體較小時，此等方法均為不切實際的，因為其在混合及/或轉移過程中產生相當大的細胞損失。本發明之方法提供一種用於分離活的單細胞純系之高效替代方案。在一些實施例中，該方法不需要將細胞單獨限制在微結構中。
在一些實施例中，本文提供一種分離單細胞衍生之純系的方法。本文所述之方法包含：1)使用包含本發明之基質的細胞培養系統培養異質細胞群體，以獲得包含單細胞衍生之純系的複數個細胞純系；及2)自細胞培養系統分離單細胞衍生之純系。
在一些實施例中，異質細胞群體包含黏附細胞。在一些實施例中，異質細胞群體包含非黏附細胞。在一些實施例中，異質細胞群體包含自細胞株分離之細胞。在一些實施例中，異質細胞群體包含自個體之液體生檢分離之細胞。在一些實施例中，異質細胞群體包含自個體之組織生檢分離之細胞。在一些實施例中，異質細胞群體包含已經基因工程改造之細胞。在一些實施例中，異質細胞群體包含已經工程改造以包含基因突變之細胞。在一些實施例中，異質細胞群體包含已經工程改造以包含異源核苷酸序列之細胞。
在一些實施例中，單細胞衍生之純系半附著或鬆散地附著於本發明之基質上。
在一些實施例中，在培養7天或更多天後，在細胞培養系統中未觀察到細胞碎片。
在一些實施例中，培養步驟發生在2-8天之時間段內(例如，2、3、4、5、6、7或8天)。在其他實施例中，培養步驟發生在7-14天之時間段內(例如，7、8、9、10、11、12、13或14天)。在其他實施例中，培養步驟發生在1-4週之時間段內(例如，1、2、3或4週)。
在一些實施例中，單細胞衍生之純系形成單細胞衍生之球狀體。在一些實施例中，單細胞衍生之純系的直徑為約40 µm至約200 µm。在一些實施例中，單細胞衍生之純系的直徑為約50 µm至約150 µm。在一些情況下，單細胞衍生之純系的直徑為約50 µm至約120 µm、約50 µm至約100 µm、約50 µm至約80 µm、約50 µm至約60 µm、約80 µm至約150 µm、約80 µm至約120 µm、約80 µm至約100 µm、約100 µm至約200 µm、約100 µm至約150 µm或約100 µm至約120 µm。
在一些情況下，單細胞衍生之純系形成單細胞衍生之球狀體。在一些情況下，球狀體包含約8至約1000個細胞。在一些情況下，球狀體包含約8至約800個細胞、約8至約500個細胞、約8至約400個細胞、約8至約300個細胞、約8至約200個細胞、約8至約100個細胞、約10至約1000個細胞、約10至約800個細胞、約10至約500個細胞、約10至約400個細胞、約10至約300個細胞、約10至約200個細胞、約10至約100個細胞、約50至約1000個細胞、約50至約800個細胞、約50至約500個細胞、約50至約400個細胞、約50至約300個細胞、約50至約200個細胞、約100至約1000個細胞、約100至約800個細胞、約100至約500個細胞、約100至約400個細胞、約100至約300個細胞、約300至約1000個細胞、約300至約800個細胞、約300至約500個細胞、約500至約1000個細胞或約500至約800個細胞。
在一些實施例中，安置於基質上之至少10%之細胞形成單細胞衍生之球狀體。在一些實施例中，安置於基質上之至少20%之細胞形成單細胞衍生之球狀體。在一些實施例中，安置於基質上之至少30%之細胞形成單細胞衍生之球狀體。在一些實施例中，安置於基質上之至少40%之細胞形成單細胞衍生之球狀體。在一些實施例中，安置於基質上之至少50%之細胞形成單細胞衍生之球狀體。在一些實施例中，安置於基質上之至少60%之細胞形成單細胞衍生之球狀體。在一些實施例中，安置於基質上之至少70%之細胞形成單細胞衍生之球狀體。
在一些實施例中，本文所述之方法進一步包含分析單細胞衍生之純系，從而獲得單細胞之特徵。在一些情況下，分析單細胞衍生之純系的步驟包含對單細胞衍生之純系進行定序分析。在一些實施例中，分析步驟包含進行基因分型分析。在一些實施例中，基因分型分析為基於PCR之分析。在一些實施例中，基因分型分析為基於陣列雜交之分析。在一些實施例中，分析步驟包含分析複本數變異。在一些實施例中，分析步驟包含分析基因突變。在一些實施例中，分析步驟包含分析單核苷酸多形現象。
在一些實施例中，分析單細胞衍生之純系的步驟包含對單細胞衍生之純系進行蛋白質體分析。例示性蛋白質體分析包括凝膠電泳，諸如聚丙烯醯胺凝膠電泳(PAGE)、十二烷基硫酸鈉聚丙烯醯胺凝膠電泳(SDS-PAGE)、二維凝膠電泳或毛細管電泳；高效液相層析(HPLC)；及親和層析。
在一些實施例中，單細胞之特徵包含以下一或多項：基因型、表觀遺傳概況、基因或蛋白質之表現量、對藥物之反應、耐藥性概況或轉移潛力。
在一些態樣中，本文提供一種根據採用本文所述之細胞培養系統之培養方法中之任一者產生的單細胞衍生之純系。在一些態樣中，提供一種根據採用本文所述之細胞培養系統之培養方法中之任一者衍生的單細胞衍生之純系庫。
套組
在某些實施例中，本文揭示一種套組或製品，其包含本文所述之細胞培養基質。在一些情況下，該套組進一步包含經分隔以接收一或多個容器(諸如小瓶、管及其類似物)之封裝或容器，每個容器均包含待用於本文所述之方法中之各別要素中之一者。適合的容器包括例如瓶子、小瓶、注射器及試管。在一個實施例中，容器由多種材料形成，諸如玻璃或塑膠。
在一些情況下，該套組進一步包含列出內含物及/或使用說明之標籤及具有使用說明之包裝插頁，例如使用本文所述之細胞培養基質培養異質細胞群體以獲得包含單細胞衍生之純系之複數個細胞純系的說明。通常亦將包括一套說明。
特定術語
除非另外定義，否則本文所用之所有技術及科學術語具有與熟習所主張之主題所屬技術者通常所理解相同之含義。應理解，前述一般描述及以下詳細描述僅為例示性及解釋性的且不限制所主張之任何主題。在本申請案中，除非另外特定陳述，否則單數之使用包括複數。必須指出，除非上下文另外明確指示，否則如本說明書及隨附申請專利範圍中所使用，單數形式「一(a/an)」及「該」包括複數個指示物。在本申請案中，除非另有陳述，否則「或」之使用意謂「及/或」。此外，術語「包括(including)」以及諸如「包括(include)」、「包括(includes)」及「包括(included)」之其他形式的使用並非限制性的。
如本文所用，範圍及量可表示為「約」特定值或範圍。約亦包括準確量。因此，「約5 µL」意謂「約5 µL」，且亦意謂「5 µL」。一般而言，術語「約」包括預計在實驗誤差內之量。
本文所用之章節標題僅用於組織目的而不應理解為限制所描述之主題。
如本文所用，術語「包含」欲意謂方法包括所敍述之步驟或要素，但不排除其他。「基本上由……組成」應意謂使申請專利範圍僅為包括步驟或要素而開放，該等步驟或要素不會實質性地影響所主張之方法的基本及新穎特徵。「由……組成」應意謂排除申請專利範圍中未規定之任何要素或步驟。由此等過渡術語中之每一者定義之實施例均在本發明之範疇內。
如本文所用，術語「帶正電荷之聚電解質」涵蓋包含兩個或更多個正電荷之複數個單體單元或非聚合分子。在一些情況下，帶正電荷之聚電解質亦涵蓋複數個單體單元或非聚合分子，其包含正電荷基團、中性電荷基團或負電荷基團，淨電荷為正。
如本文所用，術語「陽離子聚合物」涵蓋複數個單體單元或非聚合分子。在一些情況下，陽離子聚合物為合成聚合物。在其他情況下，陽離子聚合物為天然聚合物。
如本文所用，術語「陽離子多肽」係指包含兩個或更多個正電荷之多肽。在一些情況下，陽離子多肽包含帶正電荷之胺基酸殘基、帶負電荷之殘基及極性殘基，但多肽之淨電荷為正。在一些情況下，陽離子多肽之長度為8至100個胺基酸。在一些情況下，陽離子多肽之長度為8至80、8至50、8至40、8至30、8至25、8至20、8至15、10至100、10至80、10至50、10至40、10至30、10至20、20至100、20至80、20至50、20至40、20至30、30至100、30至80、30至50、40至100、40至80或50至100個胺基酸。
如本文所用，術語「帶負電荷之聚電解質」涵蓋包含兩個或更多個負電荷之複數個單體單元或非聚合分子。在一些情況下，帶負電荷之聚電解質亦涵蓋複數個單體單元或非聚合分子，其包含正電荷基團、中性電荷基團或負電荷基團，淨電荷為負。
如本文所用，術語「陰離子聚合物」涵蓋複數個單體單元或非聚合分子。在一些情況下，陰離子聚合物為合成聚合物。在其他情況下，陰離子聚合物為天然聚合物。
如本文所用，術語「陰離子多肽」係指包含兩個或更多個負電荷之多肽。在一些情況下，陰離子多肽包含帶正電荷之胺基酸殘基、帶負電荷之殘基及極性殘基，但多肽之淨電荷為負。在一些情況下，陰離子多肽之長度為8至100個胺基酸。在一些情況下，陰離子多肽之長度為8至80、8至50、8至40、8至30、8至25、8至20、8至15、10至100、10至80、10至50、10至40、10至30、10至20、20至100、20至80、20至50、20至40、20至30、30至100、30至80、30至50、40至100、40至80或50至100個胺基酸。
如本文所用，術語「吸收性聚合物」涵蓋包含一或多個親水性基團之複數個單體單元或非聚合分子。在一些情況下，吸收性聚合物對水溶液為可滲透的。在其他情況下，吸收性聚合物為不可滲透的或不吸收水溶液。在一些情況下，吸收性聚合物涵蓋非反應性聚合物，或不含反應性基團(例如與另一種化合物形成共價鍵之基團)之聚合物。
如本文所用，術語「聚合物」包括均聚物及共聚物、分支鏈及非分支鏈以及天然或合成聚合物。
如本文所用，術語「彈性體」係指具有黏彈性、低結晶度及高非晶形含量之聚合物。在一些情況下，與其他材料相比，彈性體具有低楊氏模量及高斷裂伸長率。在一些情況下，彈性體為由碳、氫、氧及/或矽之單體產生的非晶形聚合物。
如本文所用，免疫細胞涵蓋嗜中性球、嗜酸性球、嗜鹼性球、肥大細胞、單核球、巨噬細胞、樹突狀細胞、自然殺手細胞及淋巴球(B細胞及T細胞)。
內皮細胞為排列在血管及***之內表面的細胞。例示性內皮細胞包括高內皮微靜脈(HEV)骨髓內皮及腦內皮。
上皮細胞為排列在器官及血管之外表面以及內部器官內腔之內表面的細胞。例示性上皮細胞包括鱗狀上皮細胞、立方體上皮細胞及柱狀上皮細胞。
如本文所用，術語「幹細胞」涵蓋成人幹細胞及胚胎幹細胞。例示性幹細胞包括造血幹細胞、間質幹細胞(MSC)、神經幹細胞、上皮幹細胞、皮膚幹細胞、胚胎幹細胞(ESC)及誘導性富潛能幹細胞(iPSC)。
實例
此等實例僅出於說明之目的提供且不限制本文所提供之申請專利範圍之範疇。
實例 1 ：本發明之基質的構築
具有疏水性表面之
PDMS
的製備
製備具有疏水性表面之PDMS的程序包括以10:1 (w/w)之比率混合由PDMS 單體A及固化劑B組成的PDMS混合物(Sylgard 184聚矽氧彈性體套組，Dow Corning)。將混合物倒入培養皿中且在70℃下固化15小時。所得PDMS膜，約1 mm厚，為疏水性的。
可採用任何適合之PDMS親水性表面改質來將疏水性表面轉化為親水性表面。以下為PDMS親水性表面改質之例示性實施例。
經由
PVA
沉積對
PDMS
進行
親水性表面改質
處理之第一步為將PDMS表面暴露於氧電漿，接著將經電漿氧化之PDMS表面暴露於1-2 wt% PVA水溶液持續短時間段(例如10分鐘)。氧電漿處理在PDMS表面上產生表面矽烷醇基團(Si-OH)、醇羥基(C-OH)及羧酸(COOH)之自由基物種，且此等物種允許PVA分子與經活化PDMS表面之間的氫鍵結，此產生永久親水化表面。經PVA處理之PDMS表面長期保持親水性。
可應用接觸角度量測來檢查PVA沉積對PDMS表面特性之影響。用電漿及PVA處理之PDMS顯示出比未處理之PDMS更低的水-空氣接觸角。具有PVA塗層之經電漿氧化之PDMS表面的表面粗糙度高於未處理之PDMS表面的表面粗糙度。
經由矽氫化及
PEG
結合對
PDMS
進行親水性表面改質
圖6說明經由矽氫化對PDMS進行的例示性親水性表面改質。聚(乙二醇)甲基醚丙烯酸酯(PEG-丙烯酸酯)可用於經由PDMS表面上PEG-丙烯酸酯鏈之共價鍵結來改質PDMS之疏水性表面。在PDMS表面上併入SiH基團涉及使用酸催化將PDMS之Me
2SiO與PHMS之HMeSiO進行交換。此使得PDMS在其表面上具有高濃度的SiH基團。
處理之第一步為藉由將PDMS浸沒於聚氫甲基矽氧烷(PHMS)之甲醇溶液中而將SiH基團引入至PDMS表面上(PDMS-SiH)。添加催化量之三氟甲磺酸，且將系統設置在室溫下約30分鐘。PDMS表面隨後依次用溶劑(例如甲醇、己烷)沖洗，以移除殘餘反應物，且在真空下乾燥。
處理之第二步為藉由將PDMS-SiH樣品引入PEG-丙烯酸酯及二乙二醇二甲醚之混合物(1:3，v/v)中來製備經PEG改質之PDMS表面。向反應混合物中添加催化量之Karstedt催化劑(鉑-二乙烯基四甲基二矽氧烷複合物)，且在70℃下攪拌足夠的反應時間。與未處理之PDMS相比，經改質之PDMS表面表現出更低的水-空氣接觸角及更高的表面能。
聚電解質多層之堆積
PLL (MW 150K-300K)、PLGA (MW 50K-100K)、PLO (0.01%)溶液、PLH (MW 5K-25K)、PLA (MW 15K-70K)可購自Sigma-Aldrich (St. Louis, MO, USA)。將聚陽離子及聚陰離子均溶解於Tris-HCl緩衝液(pH 7.4)中，且沉積於用Tris-HCl緩衝液沖洗後之PVA或PEG塗佈之表面上。沉積每層聚陽離子或聚陰離子且培育10分鐘，隨後用Tris-HCl緩衝液洗滌3次，持續2、1及1分鐘。PLL/PLGA、PLO/PLGA、PLH/PLGA及PLA/PLGA多層膜可如下藉由在PVA或PEG塗佈之表面上逐層自組裝來製造。
PLL
/
PLGA
多層
在一些實施例中，聚電解質多層為PLL/PLGA多層，其可藉由在PVA/PDMS或PEG/PDMS之表面上依次沉積PLL及PLGA來構築。各沉積步驟包含將PLL或PLGA溶液添加至盤表面，培育10分鐘且洗滌3次，持續2、1及1分鐘。
在一個實施例中，構築由(PLGA/PLL)
3/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLL)
5/PVA/PDMS構成之基質塗層。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLL)
10/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLL)
15/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLL(PLGA/PLL)
3/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLL (PLGA/PLL)
5/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLL (PLGA/PLL)
10/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLL (PLGA/PLL)
15/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLL)
3/ PEG/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLL)
5/ PEG /PDMS構成之基質塗層。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLL)
10/ PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLL)
15/ PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLL(PLGA/PLL)
3/ PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLL (PLGA/PLL)
5/P PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLL (PLGA/PLL)
10/ PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLL (PLGA/PLL)
15/PEG/PDMS構成之基質。
PLO/PLGA
多層
在一些實施例中，聚電解質多層為PLO/PLGA多層，其可藉由在PVA/PDMS或PEG/PDMS之表面上依次沉積PLO及PLGA來構築。各沉積步驟包含將PLO或PLGA溶液添加至盤表面，培育10分鐘且洗滌3次，持續2、1及1分鐘。
在一個實施例中，構築由(PLGA/PLO)
3/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLO)
5/PVA/PDMS構成之基質塗層。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLO)
10/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLO)
15/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLO (PLGA/PLO)
3/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLO (PLGA/PLO)
5/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLO (PLGA/PLO)
10/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLO (PLGA/PLO)
15/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLO)
3/ PEG/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLO)
5/ PEG /PDMS構成之基質塗層。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLO)
10/ PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLO)
15/ PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLO (PLGA/PLO)
3/ PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLO (PLGA/PLO)
5/P PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLO (PLGA/PLO)
10/ PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLO (PLGA/PLO)
15/PEG/PDMS構成之基質。
PLH
/
PLGA
多層
在一些實施例中，聚電解質多層為PLH/PLGA多層，其可藉由在PVA/PDMS或PEG/PDMS之表面上依次沉積PLH及PLGA來構築。各沉積步驟包含將PLH或PLGA溶液添加至盤表面，培育10分鐘且洗滌3次，持續2、1及1分鐘。
在一個實施例中，構築由(PLGA/PLH)
3/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLH)
5/PVA/PDMS構成之基質塗層。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLH)
10/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLH)
15/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLH (PLGA/PLH)
3/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLH (PLGA/PLH)
5/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLH (PLGA/PLH)
10/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLH (PLGA/PLH)
15/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLH)
3/ PEG/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLH)
5/ PEG /PDMS構成之基質塗層。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLH)
10/ PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLH)
15/ PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLH (PLGA/PLH)
3/ PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLH (PLGA/PLH)
5/P PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLH (PLGA/PLH)
10/ PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLH (PLGA/PLH)
15/PEG/PDMS構成之基質。
PLA
/
PLGA
多層
在一些實施例中，聚電解質多層為PLA/PLGA多層，其可藉由在PVA/PDMS或PEG/PDMS之表面上依次沉積PLA及PLGA來構築。各沉積步驟包含將PLA或PLGA溶液添加至盤表面，培育10分鐘且洗滌3次，持續2、1及1分鐘。
在一個實施例中，構築由(PLGA/PLA)
3/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLA)
5/PVA/PDMS構成之基質塗層。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLA)
10/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLA)
15/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLA (PLGA/PLA)
3/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLA (PLGA/PLA)
5/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLA (PLGA/PLA)
10/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLA (PLGA/PLA)
15/PVA/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLA)
3/ PEG/PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLA)
5/ PEG /PDMS構成之基質塗層。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLA)
10/ PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由(PLGA/PLA)
15/ PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLA (PLGA/PLA)
3/ PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLA (PLGA/PLA)
5/P PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLA (PLGA/PLA)
10/ PEG /PDMS構成之基質。在一個實施例中，構築由PLA (PLGA/PLA)
15/PEG/PDMS構成之基質。
耗散型石英晶體微天平
(
QCM
-
D
)
量測
QCM實驗在Q-Sense E4 (Biolin Scientific AB/Q-sence, Sweden)下進行。在0.1M十二烷基硫酸鈉中清洗經氧化矽(SiO
2)塗佈之石英晶體晶片(AT-cut石英晶體，f0 = 5 MHz)，接著用Milli-Q水沖洗，在氮氣下乾燥且暴露於氧電漿20秒。對於QCM-D量測，腔室穩定在25℃且所有量測均在第三諧波(15 MHz)下記錄。為了模擬連續表面塗層，QCM-D腔室中各塗佈步驟之濃度及洗滌條件為相同的。約1%牛血清白蛋白(BSA，Millipore, Bedford, MA)用於非特異性吸附研究，且引入腔室中之表面上。
表面化學分析
本發明之表面塗層的化學組成係藉由在矽晶圓上進行C
60(10 kV, 10 nA)蝕刻之X射線光電子光譜法(XPS；VersaProbe III, PHI)來分析。所用通能為93.9 eV，步長為0.5 eV。量測樣品層中碳、氮、氧及矽之相對原子濃度，最大厚度為10 nm。
藉由使用原子力顯微鏡
(
AFM
)
量測表面粗糙度
本發明之表面塗層的粗糙度係使用原子力顯微鏡(AFM；Nanowizard 3, JPK instrument)以輕敲模式來量測。將諧振頻率為134 kHz之矽懸臂用於實驗。
實例 2 ：單細胞衍生之球狀體的形成
圖7展示在供應完全DMEM培養基之癌細胞生長過程中的第1、2、3、4、5、6及7天，在本發明之基質上培養之HCT116結腸直腸癌細胞的延時顯微鏡觀察結果。(影像由Leica DMI6000B延時顯微鏡在10倍物鏡下拍攝)。
實例 3 ：細胞株衍生之腫瘤球狀體的產生
本發明之基質提供生物相容性多層塗佈表面，其能夠使細胞黏附以進行細胞增殖，且亦提供直接在表面上形成球狀體之不積垢特徵。為了比較，圖8A-C展示HCT116結腸直腸癌細胞在各種培養盤上體外培養4、7及14天之結果。(A)組織培養盤(TCP)，(B)包含經PVA/PDMS塗佈之表面的培養盤，及(C)包含經(PLL/PLGA)
15/PVA/PDMS塗佈之表面的培養盤。細胞黏附於TCP及經PVA/PDMS塗佈之表面上，而細胞在經(PLL/PLGA)
15/PVA/PDMS塗佈之表面上形成球狀體(亦即腫瘤球狀體)。
實例 4 ：患者來源之腫瘤球狀體的產生
用各種患者來源之臨床樣品測試包含本發明之基質的細胞培養系統，結果是成功培養且形成球狀體。圖9A-D展示患者來源之臨床樣品的體外培養結果：(A)來自穿刺生檢之乳癌細胞在組織培養盤(TCP)上生長2週，(B)來自穿刺生檢之乳癌細胞在本發明之基質上生長2週，(C)來自腫瘤組織之尿道上皮癌細胞在本發明之基質上生長2週，(D)來自腫瘤組織之結腸直腸癌細胞在本發明之基質上生長2週。
其產生之球狀體可進一步有益於醫學治療及應用之未來診斷及指導，例如：非侵入性早期癌症偵測、個人用藥指導、治療前及治療後的耐藥性調查、基於免疫細胞之癌症療法的細胞活性評估，且藉由使用體外培養之患者來源之初級CTC細胞提供大量材料來闡明參與癌症進展的機制。
實例 5 ：人類來源之球狀體的產生
圖10展示患者來源之正常***細胞及結腸直腸細胞樣品以及患者來源之乳癌細胞及結腸直腸癌細胞腫瘤樣品在本發明之基質上生長2週之體外培養結果。
雖然本文已顯示及描述本發明之較佳實施例，但對於熟習此項技術者應顯而易見，此類實施例僅藉助於實例提供。熟習此項技術者現將在不背離本發明之情況下想到許多變化、改變及取代。應理解，本文所述之本發明實施例的各種替代方案可用於實踐本發明。預期以下申請專利範圍界定本發明之範疇，且因此涵蓋此等申請專利範圍及其等效物之範疇內的方法及結構。
101:彈性體
102:吸收性聚合物
103:聚電解質多層
201:孔
202:細胞培養製品
301:聚陰離子
302:聚陽離子
圖1A為本發明之基質之一實施例的側視截面圖。吸收性聚合物102沉積於彈性體101 (例如PDMS)上。101與102未交聯。301為聚陰離子。302為聚陽離子。103為聚電解質多層之一實施例，包括301及302之4個雙層。最外層為301。
圖1B為本發明之基質之一實施例的側視截面圖。吸收性聚合物102沉積於彈性體101 (例如PDMS)上。101與102交聯。301為聚陰離子。302為聚陽離子。103為聚電解質多層之一實施例，包括301及302之4個雙層。最外層為301。
圖2A為本發明之基質之一實施例的側視截面圖。吸收性聚合物102沉積於彈性體101 (例如PDMS)上。101與102未交聯。301為聚陰離子。302為聚陽離子。103為聚電解質多層之一實施例，包括5層302及4層301。最外層為302。
圖2B為本發明之基質之一實施例的側視截面圖。吸收性聚合物102沉積於彈性體101 (例如PDMS)上。101與102交聯。301為聚陰離子。302為聚陽離子。103為聚電解質多層之一實施例，包括5層302及4層301。最外層為302。
圖3A為本發明之基質之一實施例的側視截面圖。吸收性聚合物102沉積於彈性體101 (例如PDMS)上。101與102未交聯。301為聚陰離子。302為聚陽離子。103為聚電解質多層之一實施例，包括301及302之4個雙層。最外層為302。
圖3B為本發明之基質之一實施例的側視截面圖。吸收性聚合物102沉積於彈性體101 (例如PDMS)上。101與102交聯。301為聚陰離子。302為聚陽離子。103為聚電解質多層之一實施例，包括301及302之4個雙層。最外層為302。
圖4A為本發明之基質之一實施例的側視截面圖。吸收性聚合物102沉積於彈性體101 (例如PDMS)上。101與102未交聯。301為聚陰離子。302為聚陽離子。103為聚電解質多層之一實施例，包括5層301及4層302。最外層為301。
圖4B為本發明之基質之一實施例的側視截面圖。吸收性聚合物102沉積於彈性體101 (例如PDMS)上。101與102交聯。301為聚陰離子。302為聚陽離子。103為聚電解質多層之一實施例，包括5層301及4層302。最外層為301。
圖5展示細胞培養製品202之一例示性實施例。201為細胞培養製品之孔，用於容納包含彈性體(例如PDMS) 101、吸收性聚合物102及聚電解質多層103之基質104。104可***細胞培養製品202中之201中。202可視為用於細胞培養之6、12、24、96及更多孔盤。
圖6說明PDMS之表面改質的反應方案。第一步為將SiH基團引入至PDMS表面上(PDMS-SiH)。第二步涉及形成PEG-PDMS結合物。
圖7展示在供應完全DMEM培養基之癌細胞生長過程中的第1、2、3、4、5、6及7天，在本發明之基質上培養之HCT116結腸直腸癌細胞的延時顯微鏡觀察結果。(影像由Leica DMI6000B延時顯微鏡在10倍物鏡下拍攝)。
圖8A-C展示HCT116結腸直腸癌細胞在各種培養盤上體外培養4、7及14天之結果。(A)組織培養盤(TCP)，(B)包含經PVA/PDMS塗佈之表面的培養盤，及(C)包含經(PLL/PLGA)
15/PVA/PDMS塗佈之表面的培養盤。細胞黏附於TCP及經PVA/PDMS塗佈之表面上，而細胞在經(PLL/PLGA)
15/PVA/PDMS塗佈之表面上形成球狀體。
圖9A-D展示患者來源之臨床樣品的體外培養結果：(A)來自穿刺生檢之乳癌細胞在組織培養盤(TCP)上生長2週，(B)來自穿刺生檢之乳癌細胞在本發明之基質上生長2週，(C)來自腫瘤組織之尿道上皮癌細胞在本發明之基質上生長2週，(D)來自腫瘤組織之結腸直腸癌細胞在本發明之基質上生長2週。
圖10展示患者來源之正常***細胞及結腸直腸細胞樣品以及患者來源之乳癌細胞及結腸直腸癌細胞腫瘤樣品在本發明之基質上生長2週之體外培養結果。
101:彈性體
102:吸收性聚合物
103:聚電解質多層
301:聚陰離子
302:聚陽離子
Claims (32)
- 一種用於細胞培養之基質，該基質包含具有表面塗層之彈性體膜，該表面塗層包含： a) 吸收性聚合物，其中該吸收性聚合物沉積於該彈性體膜之表面上，及 b) 聚電解質多層，其中該吸收性聚合物與該等聚電解質多層之聚陽離子或聚陰離子直接接觸， 其中該彈性體為聚二甲基矽氧烷(PDMS)。
- 如請求項1之基質，其中該吸收性聚合物係選自由以下組成之群：聚(乙烯醇) (PVA)、聚(乙二醇) (PEG)、PEG-丙烯酸酯、聚乙烯吡咯啶酮(PVP)、聚乙烯亞胺(PEI)、聚-L-丙交酯(PLLA)、聚-D-丙交酯(PDLA)、聚(L-丙交酯-共-D,L-丙交酯) (PLDLLA)、聚(乙醇酸) (PGA)、聚(乳酸-共-乙醇酸) (PL-co-GA)、聚(甲基丙烯酸甲酯) (PMMA)、聚(甲基丙烯酸羥乙酯) (p-HEMA)及其衍生物。
- 如請求項2之基質，其中該吸收性聚合物為PVA、PEG、PEG-丙烯酸酯、PVP、PEI、PMMA或其衍生物。
- 如請求項2之基質，其中該吸收性聚合物為PVA、PEG或PEG-丙烯酸酯。
- 如請求項1之基質，其中該吸收性聚合物結合至PDMS。
- 如請求項1之基質，其中該吸收性聚合物及該PDMS未結合。
- 如請求項1之基質，其中該聚陽離子為聚(胺基酸)。
- 如請求項1之基質，其中該聚陰離子為聚(胺基酸)。
- 如請求項1之基質，其中該聚陽離子係選自由以下組成之群：聚(L-離胺酸) (PLL)、聚(L-精胺酸) (PLA)、聚(L-鳥胺酸) (PLO)、聚(L-組胺酸) (PLH)及其組合。
- 如請求項9之基質，其中該聚陽離子為PLL、PLA、PLO或PLH。
- 如請求項1之基質，其中該聚陰離子為聚(L-麩胺酸) (PLGA)、聚(L-天冬胺酸) (PLAA)或其組合。
- 如請求項1之基質，其中(聚陽離子/聚陰離子)之雙層係選自由以下組成之群：PLL/PLGA、PLL/PLAA、PLA/PLGA、PLA/PLAA、PLO/PLGA、PLO/PLAA、PLH/PLGA、PLH/PLAA及其組合。
- 如請求項1之基質，其中該等聚電解質多層係經由逐層組裝而形成。
- 如請求項1之基質，其中該等聚電解質多層包含n個雙層，其中n為1至30範圍內之整數，且其中最外層為聚陽離子或聚陰離子。
- 如請求項1之基質，其中該等聚電解質多層包含n個(聚陽離子/聚陰離子)之雙層及附加聚陰離子層，其中n為1至30範圍內之整數，且其中最外層為聚陰離子。
- 如請求項1之基質，其中該等聚電解質多層包含n個(聚陰離子/聚陽離子)之雙層及附加聚陽離子層，其中n為1至30範圍內之整數，且其中最外層為聚陽離子。
- 如請求項1之基質，其中該基質係藉由包含以下步驟之方法製備： a) 提供具有疏水性表面之PDMS， b) 藉由處理改質PDMS之該疏水性表面， c) 將吸收性聚合物施加至該PDMS之經改質表面，及 d) 在該吸收性聚合物上依次沉積聚陽離子及聚陰離子之交替層，以形成呈多層膜形式之基質。
- 如請求項17之基質，其中該處理為電漿處理、電暈放電或UV臭氧處理。
- 如請求項17之基質，其中該處理為矽氫化。
- 如請求項17之基質，其中PDMS之該疏水性表面在該處理後經照射或親水化。
- 如請求項17之基質，其中在將該吸收性聚合物施加至PDMS之該經改質表面後使該PDMS表面親水化。
- 如請求項17之基質，其中該吸收性聚合物為PVA、PEG或PEG-丙烯酸酯。
- 如請求項17之基質，其中該吸收性聚合物與該PDMS表面交聯。
- 如請求項17之基質，其中該PDMS不含交聯。
- 一種細胞培養系統，其包含如請求項1之基質。
- 如請求項25之細胞培養系統，其進一步包含細胞及/或培養基。
- 一種用於培養細胞之方法，該方法包含： a)提供包含如請求項1之基質的細胞培養系統， b)在該基質上接種細胞，及 c)在適合的培養基下培養該等細胞一段充足的時間以形成一或多個球狀體。
- 如請求項27之方法，其中該一或多個球狀體係經由單細胞增殖產生。
- 如請求項27之方法，其中該一或多個球狀體之平均直徑在50 μm與150 μm之間。
- 如請求項27之方法，其中該接種包含將該等細胞以每平方公分少於1000個細胞之密度平板接種於該基質上。
- 一種用於獲得及視情況表徵單細胞衍生之球狀體的方法，其包含：(a)在如請求項1之基質上培養異質細胞群體，以獲得至少一個安置於表面塗層上之單細胞衍生之球狀體，其中該單細胞為該異質細胞群體中之細胞；及視情況(b)分析該單細胞衍生之球狀體，從而獲得該單細胞之至少一個特徵。
- 一種用於個性化藥物篩選之方法，其包含：(a)在如請求項1之基質上培養包含來源於癌症患者之腫瘤細胞的複數個細胞，以獲得至少一個安置於表面塗層上之單細胞衍生之類腫瘤，其中該單細胞為該複數個細胞中之腫瘤細胞；及(b)使該類腫瘤與一或多種候選藥劑接觸，且偵測該類腫瘤中是否存在指示對治療癌症之治療功效的一或多種變化。
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