TW202238185A - 偏光膜、偏光板及圖像顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種能夠減少有機EL顯示裝置之消耗電力之偏光膜。本發明之實施方式之偏光膜包含含碘之聚乙烯醇系樹脂膜，且波長470 nm下之透過率大於波長600 nm下之透過率。又，本發明之偏光板包含該偏光膜、及配置於其至少單側之保護層。

Description

偏光膜、偏光板及圖像顯示裝置
本發明係關於一種偏光膜、偏光板及圖像顯示裝置。
近年來，以液晶顯示裝置及電致發光(EL)顯示裝置(例如，有機EL顯示裝置、無機EL顯示裝置)為代表之圖像顯示裝置迅速普及。關於有機EL顯示裝置，已知藉由將包含λ/4板之圓偏光板配置於有機EL元件之視認側，而防止外界光反射及背景映入等問題(例如，專利文獻1及2)。
另一方面，由於有機EL顯示裝置用於發光之消耗電力較大，故而謀求節能化。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2002-311239號公報 [專利文獻2]日本專利特開2002-372622號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明係為了解決上述先前之問題而成者，其主要目的在於提供一種能夠減少有機EL顯示裝置之消耗電力之偏光膜。 [解決問題之技術手段]
根據本發明之一態樣，提供一種偏光膜，其包含含碘之聚乙烯醇系樹脂膜，且 波長470 nm下之透過率大於波長600 nm下之透過率。 於一實施方式中，上述偏光膜之霧度為1%以下。 於一實施方式中，上述偏光膜之波長470 nm下之正交吸光度A 470為4.0以下。 於一實施方式中，上述偏光膜之波長470 nm下之正交吸光度A 470相對於波長600 nm下之正交吸光度A 600之比(A 470/A 600)為0.10～0.80。 於一實施方式中，上述偏光膜之單體透過率為42.0%～65.0%，偏光度為40.0%～99.998%。 於一實施方式中，上述偏光膜之厚度為12 μm以下。 根據本發明之另一態樣，提供一種偏光板，其包含上述偏光膜、及配置於該偏光膜之至少單側之保護層。 於一實施方式中，上述偏光板進而包含相位差層，該相位差層之波長550 nm下之面內相位差為100 nm～190 nm，該相位差層之遲相軸與上述偏光膜之吸收軸所成之角度為40°～50°。 根據本發明之另一態樣，提供一種圖像顯示裝置，其具備上述偏光板。 於一實施方式中，上述圖像顯示裝置係有機電致發光顯示裝置。 [發明之效果]
本發明之實施方式之偏光膜由於波長470 nm下之透過率大於波長600 nm下之透過率，故而能夠使短波長側之光相較於長波長側之光更積極地透過。藉由使用此種偏光膜，即便於減少消耗電力較大之藍色發光之量之情形時，亦能夠抑制短波長區域之亮度降低，結果能夠兼顧有機EL顯示裝置之節能化與高亮度化。
以下，對本發明之實施方式進行說明，但本發明並不限定於該等實施方式。
(用語及記號之定義) 本說明書中之用語及記號之定義如下所述。 (1)折射率(nx、ny、nz) 「nx」係面內折射率變得最大時之方向(即，遲相軸方向)之折射率，「ny」係在面內與遲相軸正交之方向(即，進相軸方向)之折射率，「nz」係厚度方向之折射率。 (2)面內相位差(Re) 「Re(λ)」係23℃下利用波長λ nm之光測得之面內相位差。例如，「Re(550)」係23℃下利用波長550 nm之光測得之面內相位差。在將層(膜)之厚度設為d(nm)時，Re(λ)可根據式：Re(λ)＝(nx－ny)×d求出。 (3)厚度方向之相位差(Rth) 「Rth(λ)」係23℃下利用波長λ nm之光測得之厚度方向之相位差。例如，「Rth(550)」係23℃下利用波長550 nm之光測得之厚度方向之相位差。在將層(膜)之厚度設為d(nm)時，Rth(λ)可根據式：Rth(λ)＝(nx－nz)×d求出。 (4)Nz係數 Nz係數可根據Nz＝Rth/Re求出。 (5)角度 本說明書中提及角度時，該角度包括相對於基準方向之順時針方向角度及逆時針方向角度兩者。因此，例如「45°」意指±45°。
A.偏光膜 本發明之實施方式之偏光膜包含含碘之聚乙烯醇系樹脂膜，且波長470 nm下之透過率(Ts 470)大於波長600 nm下之透過率(Ts 600)。換言之，本發明之實施方式之偏光膜滿足「1＜Ts 470/Ts 600」之關係，較佳為滿足「1.02≦Ts 470/Ts 600≦1.30」之關係。滿足此種關係之偏光膜能夠使短波長側之光相較於長波長側之光更積極地透過。
上述波長470 nm下之透過率(Ts 470)係於波長470 nm附近具有吸收之PVA(polyvinyl alcohol，聚乙烯醇)-I 3 -錯合物之含量所對應之值，通常，若PVA-I 3 -錯合物之含量增大，則波長470 nm下之透過率(Ts 470)降低。另一方面，波長600 nm下之透過率(Ts 600)係於波長600 nm附近具有吸收之PVA-I 5 -錯合物之含量所對應之值，通常，若PVA-I 5 -錯合物之含量增大，則波長600 nm下之透過率(Ts 600)降低。因此，滿足「1＜Ts 470/Ts 600」之關係之偏光膜具有如下特徵：與不滿足該關係之偏光膜相比，PVA-I 3 -錯合物相對於PVA-I 5 -錯合物之含有比較低。
偏光膜之Ts 470及Ts 600可根據目的而設為任意適當之值。Ts 470例如可為40.0%以上，較佳為42.0%以上，更佳為44.0%以上，又，例如可為80.0%以下，較佳為60.0%以下。又，Ts 600例如可為40.0%以上，較佳為41.0%以上，更佳為42.0%以上，又，例如可為70.0%以下，較佳為60.0%以下，更佳為50.0%以下。
偏光膜較佳為於波長380 nm～780 nm中任一波長下表現出吸收二色性。偏光膜之透過率(單體透過率：Ts)較佳為41.0%以上，更佳為42.0%以上，再佳的是42.5%以上。另一方面，偏光膜之透過率例如為65.0%以下，較佳為50.0%以下，更佳為48.0%以下。又，偏光膜之偏光度例如為40.0%以上，較佳為90.0%以上，更佳為94.0%以上，再佳的是96.0%以上，進而更佳為99.0%以上，進而更佳為99.5%以上，較佳為99.998%以下。代表性而言，上述透過率係使用紫外可見分光光度計進行測定，並進行視感度補正而得之Y值。代表性而言，上述偏光度可基於使用紫外可見分光光度計進行測定並進行視感度補正而得之平行透過率Tp及正交透過率Tc，根據下述式而求出。 偏光度(%)＝{(Tp－Tc)/(Tp＋Tc)} 1/2×100
於一實施方式中，代表性而言，12 μm以下之薄型偏光膜之透過率係將偏光膜(表面之折射率：1.53)與保護層(保護膜)(折射率：1.50)之積層體作為測定對象，使用紫外可見分光光度計進行測定。存在各層之界面處之反射率根據偏光膜之表面之折射率及/或保護層之與空氣界面相接之表面之折射率而發生變化，結果導致透過率之測定值發生變化之情形。因此，例如，於使用折射率並非1.50之保護層之情形時，可根據保護層之與空氣界面相接之表面之折射率而對透過率之測定值進行補正。具體而言，透過率之補正值C係使用保護層與空氣層之界面處與透射軸平行之偏光之反射率R 1(透射軸反射率)，由以下之式表示。 C＝R 1－R 0R 0＝((1.50－1) 2/(1.50＋1) 2)×(T 1/100) R 1＝((n 1－1) 2/(n 1＋1) 2)×(T 1/100) 此處，R 0係使用折射率為1.50之保護層時之透射軸反射率，n 1係所使用之保護層之折射率，T 1係偏光膜之透過率。例如，於使用表面折射率為1.53之基材(環烯烴系膜、附硬塗層之膜等)作為保護層之情形時，補正量C約為0.2%。於此情形時，可藉由將測得之透過率加上0.2%，而將表面折射率為1.53之偏光膜換算成使用折射率為1.50之保護層時之透過率。再者，根據基於上述式之計算，使偏光膜之透過率T 1變化2%時之補正值C之變化量為0.03%以下，偏光膜之透過率對補正值C之值造成之影響有限。又，於保護層具有表面反射以外之吸收之情形時，可根據吸收量而進行適當之補正。
偏光膜之波長470 nm下之正交吸光度A 470較佳為4.0以下，更佳為3.5以下，再佳的是3.0以下，進而更佳為2.5以下。又，正交吸光度A 470例如為0.2以上，較佳為1.0以上，更佳為1.5以上。再者，波長λ nm下之正交吸光度A λ可基於上述正交透過率Tc，根據下述式求出。 正交吸光度＝log10(100/Tc)
偏光膜之波長470 nm下之正交吸光度A 470相對於波長600 nm下之正交吸光度A 600之比(A 470/A 600)例如為0.80以下，較佳為0.70以下，更佳為0.60以下。比(A 470/A 600)例如為0.10以上，較佳為0.30以上，更佳為0.35以上。
正交吸光度A 470係排列於吸收軸方向上之PVA-I 3 -錯合物之含量所對應之值，通常，正交吸光度A 470較高意味著排列於吸收軸方向上之PVA-I 3 -錯合物之含量較多。另一方面，正交吸光度A 600係排列於吸收軸方向上之PVA-I 5 -錯合物之含量所對應之值，通常，正交吸光度A 600較高意味著排列於吸收軸方向上之PVA-I 5 -錯合物之含量較多。因此，比(A 470/A 600)較低意味著排列於吸收軸方向上之PVA-I 3 -錯合物之含量相對較少，排列於吸收軸方向上之PVA-I 5 -錯合物之含量相對較多。
偏光膜之霧度較佳為1%以下，更佳為0.8%以下，再佳的是0.6%以下。若霧度處於該範圍內，則能夠獲得具有高對比率之有機EL顯示裝置。
偏光膜中之碘濃度較佳為3重量%以上，更佳為4重量%～10重量%，更佳為4重量%～8重量%。再者，本說明書中「碘濃度」意指偏光膜中所包含之所有碘之量。更具體而言，於偏光膜中，碘以I -、I 2、I 3 -、PVA-I 3 -錯合物、PVA-I 5 -錯合物等形態存在，本說明書中之碘濃度意指該等形態全部包括在內之碘之濃度。碘濃度例如可根據由螢光X射線分析所得之螢光X射線強度及膜(偏光膜)厚度而算出。
代表性而言，偏光膜之厚度為25 μm以下，較佳為12 μm以下，更佳為1 μm～12 μm，再佳的是1 μm～7 μm，進而更佳為2 μm～5 μm。
B.偏光膜之製造方法 A項所記載之偏光膜例如可藉由包括如下步驟之製造方法而獲得：使水分率為15重量%以下且吸附配向有碘之PVA系樹脂膜與水性溶劑接觸。藉由使此種PVA系樹脂膜與水性溶劑接觸，形成PVA-I 3 -錯合物之多碘離子較形成PVA-I 5 -錯合物之多碘離子更優先地脫出，而引起脫色，結果能夠簡便地獲得滿足「1＜Ts 470/Ts 600」之關係之偏光膜。於一實施方式中，與水性溶劑接觸後之PVA系樹脂膜之波長λ nm下之透過率相對於與水性溶劑接觸前之透過率的上升比(ΔTs λ＝Ts λ(接觸後)/Ts λ(接觸前))滿足ΔTs 415＞ΔTs 470＞ΔTs 600之關係。
B-1.PVA系樹脂膜 代表性而言，水分率為15重量%以下且吸附配向有碘之PVA系樹脂膜(於本說明書中，亦稱為「未脫色原膜」)滿足「1≧Ts 470/Ts 600」之關係。又，未脫色原膜較佳為於波長380 nm～780 nm中任一波長下表現出吸收二色性且可作為偏光膜發揮功能之狀態。具體而言，未脫色原膜較佳為被施以延伸處理、碘染色處理、乾燥處理等各種處理之PVA系樹脂膜。
於一實施方式中，未脫色原膜之透過率(單體透過率：Ts)較佳為41.0%以上，更佳為42.0%以上，再佳的是42.5%以上。另一方面，未脫色原膜之透過率較佳為46.0%以下，更佳為45.0%以下。未脫色原膜之偏光度較佳為98.0%以上，更佳為99.0%以上，再佳的是99.9%以上。另一方面，未脫色原膜之偏光度較佳為99.998%以下。上述透過率及偏光度可以與偏光膜之透過率及偏光度相同之方式求出。
代表性而言，未脫色原膜之水分率為15重量%以下，較佳為12重量%以下，更佳為10重量%以下，再佳的是1重量%～5重量%。若未脫色原膜之水分率處於該範圍內，則與水性溶劑接觸時，能夠防止溶解及皺褶之產生。
代表性而言，未脫色原膜之厚度為25 μm以下，較佳為12 μm以下，更佳為1 μm～12 μm，再佳的是1 μm～7 μm，進而更佳為2 μm～5 μm。
未脫色原膜可使用單層PVA系樹脂膜來製作，亦可使用包含PVA系樹脂層(PVA系樹脂膜)之兩層以上之積層體來製作。使用兩層以上之積層體所製作之未脫色原膜在與水性溶劑接觸後，亦能夠避免產生皺褶等，並且較好地維持優異之光學特性(代表性而言，單體透過率及偏光度)。
B-1-1.使用兩層以上之積層體之未脫色原膜之製作 使用兩層以上之積層體之未脫色原膜之製作例如可藉由包括如下步驟之方法來進行：將包含鹵化物及PVA系樹脂之PVA系樹脂膜在與長條狀熱塑性樹脂基材之積層體之狀態下依序供至空中輔助延伸處理、染色處理、水中延伸處理及乾燥收縮處理。熱塑性樹脂基材與PVA系樹脂膜之積層體例如可藉由如下步驟而獲得：於長條狀熱塑性樹脂基材之單側形成包含鹵化物及PVA系樹脂之PVA系樹脂層(PVA系樹脂膜)而製成積層體。乾燥收縮處理例如包括如下步驟：藉由將該長條狀熱塑性樹脂基材與PVA系樹脂膜之積層體一面沿長度方向搬送一面進行加熱，而使其於寬度方向上收縮2%以上，並且使其乾燥直至該PVA系樹脂膜之水分率為15重量%以下為止。PVA系樹脂層中之鹵化物之含量較佳為相對於PVA系樹脂100重量份為5重量份～20重量份。水中延伸處理較佳為於硼酸水溶液中進行。乾燥收縮處理較佳為使用加熱輥進行處理，加熱輥之溫度較佳為60℃～120℃。根據此種製造方法，能夠獲得PVA系樹脂之配向度較高，且具有優異光學特性之未脫色原膜。
B-1-1-1.積層體之製作 作為熱塑性樹脂基材與PVA系樹脂層之積層體之製作方法，可採用任意適當之方法。較佳為藉由在熱塑性樹脂基材之表面塗佈包含鹵化物及PVA系樹脂之塗佈液，並進行乾燥，而於熱塑性樹脂基材上形成PVA系樹脂層。如上所述，PVA系樹脂層中之鹵化物之含量較佳為相對於PVA系樹脂100重量份為5重量份～20重量份。
作為塗佈液之塗佈方法，可採用任意適當之方法。例如可例舉：輥塗法、旋轉塗佈法、線棒塗佈法、浸漬塗佈法、模嘴塗佈法、淋幕式塗佈法、噴塗法、刮塗法(缺角輪塗佈法等)等。上述塗佈液之塗佈、乾燥溫度較佳為50℃以上。
PVA系樹脂層之厚度較佳為3 μm～40 μm，再佳的是3 μm～20 μm。
在形成PVA系樹脂層之前，可對熱塑性樹脂基材實施表面處理(例如，電暈處理等)，亦可於熱塑性樹脂基材上形成易接著層。藉由進行此種處理，能夠提高熱塑性樹脂基材與PVA系樹脂層之密接性。
熱塑性樹脂基材之厚度較佳為20 μm～300 μm，更佳為50 μm～200 μm。若未達20 μm，則有難以形成PVA系樹脂層之虞。若超過300 μm，則有例如在下述水中延伸處理中熱塑性樹脂基材吸收水需要之時間較長，並且延伸需要之負載過大之虞。
熱塑性樹脂基材之吸水率較佳為0.2%以上，再佳的是0.3%以上。熱塑性樹脂基材吸收水，水能夠發揮塑化劑的作用而使其塑化。結果能夠大幅降低延伸應力，能夠以高倍率進行延伸。另一方面，熱塑性樹脂基材之吸水率較佳為3.0%以下，再佳的是1.0%以下。藉由使用此種熱塑性樹脂基材，能夠防止製造時熱塑性樹脂基材之尺寸穩定性顯著降低而使所獲得之未脫色原膜之外觀變差等異常。又，能夠防止在水中延伸時基材斷裂，或者PVA系樹脂層自熱塑性樹脂基材剝離。再者，熱塑性樹脂基材之吸水率例如可藉由向構成材料中導入改性基來進行調整。吸水率係依據JIS K 7209所求出之值。
熱塑性樹脂基材之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為120℃以下。藉由使用此種熱塑性樹脂基材，能夠抑制PVA系樹脂層之結晶化，並且充分確保積層體之延伸性。進而，考慮到良好地利用水使熱塑性樹脂基材塑化、及良好地進行水中延伸之觀點，玻璃轉移溫度更佳為100℃以下，進而更佳為90℃以下。另一方面，熱塑性樹脂基材之玻璃轉移溫度較佳為60℃以上。藉由使用此種熱塑性樹脂基材，在上述包含PVA系樹脂之塗佈液之塗佈、乾燥時，能夠防止熱塑性樹脂基材發生變形(例如，凹凸、或鬆弛、皺褶等之產生)等異常，良好地製作積層體。又，能夠於合適之溫度(例如，60℃左右)下良好地進行PVA系樹脂層之延伸。再者，熱塑性樹脂基材之玻璃轉移溫度例如可藉由向構成材料中導入改性基、使用結晶化材料進行加熱來進行調整。玻璃轉移溫度(Tg)係依據JIS K 7121所求出之值。
作為熱塑性樹脂基材之構成材料，可採用任意適當之熱塑性樹脂。作為熱塑性樹脂，例如可例舉：聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂等酯系樹脂、降𦯉烯系樹脂等環烯烴系樹脂、聚丙烯等烯烴系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、其等之共聚物樹脂等。其中，較佳為降𦯉烯系樹脂、非晶質之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂。
於一實施方式中，較佳為使用非晶質之(未結晶化之)聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂。其中，尤佳為使用非晶性之(不易結晶化之)聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂。作為非晶性之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂之具體例，可例舉：進而包含間苯二甲酸及/或環己烷二羧酸作為二羧酸之共聚物、及進而包含環己烷二甲醇或二乙二醇作為二醇之共聚物。
於較佳之實施方式中，熱塑性樹脂基材包含具有間苯二甲酸單元之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂。其原因在於，此種熱塑性樹脂基材之延伸性極其優異，並且能夠抑制延伸時之結晶化。認為這是由於藉由導入間苯二甲酸單元而對主鏈賦予了較大彎曲。聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂具有對苯二甲酸單元及乙二醇單元。間苯二甲酸單元之含有比率相對於全部重複單元之合計，較佳為0.1莫耳%以上，再佳的是1.0莫耳%以上。其原因在於，這樣能夠獲得延伸性極其優異之熱塑性樹脂基材。另一方面，間苯二甲酸單元之含有比率相對於全部重複單元之合計，較佳為20莫耳%以下，更佳為10莫耳%以下。藉由設為此種含有比率，能夠在下述乾燥收縮處理中良好地增加結晶度。
熱塑性樹脂基材可預先(形成PVA系樹脂層之前)進行延伸。於一實施方式中，沿長條狀熱塑性樹脂基材之橫向進行延伸。橫向較佳為與下述積層體之延伸方向正交之方向。再者，於本說明書中，所謂「正交」，亦包括實質上正交之情形。此處，所謂「實質上正交」，包括90°±5.0°之情形，較佳為90°±3.0°，再佳的是90°±1.0°。
熱塑性樹脂基材之延伸溫度相對於玻璃轉移溫度(Tg)，較佳為Tg－10℃～Tg＋50℃。熱塑性樹脂基材之延伸倍率較佳為1.5倍～3.0倍。
作為熱塑性樹脂基材之延伸方法，可採用任意適當之方法。具體而言，可為固定端延伸，亦可為自由端延伸。延伸方式可為乾式，亦可為濕式。熱塑性樹脂基材之延伸可以一階段進行，亦可以多階段進行。於以多階段進行之情形時，上述延伸倍率係各階段之延伸倍率之積。
如上所述，塗佈液包含鹵化物及PVA系樹脂。代表性而言，上述塗佈液係使上述鹵化物及上述PVA系樹脂溶解於溶劑中而成之溶液。作為溶劑，例如可例舉：水、二甲基亞碸、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、各種二醇類、三羥甲基丙烷等多元醇類、乙二胺、二伸乙基三胺等胺類。其等可單獨使用，或者將兩種以上組合使用。其中，較佳為水。關於溶液之PVA系樹脂濃度，相對於溶劑100重量份，較佳為3重量份～20重量份。若為此種樹脂濃度，則能夠形成與熱塑性樹脂基材密接之均勻塗佈膜。塗佈液中之鹵化物之含量較佳為相對於PVA系樹脂100重量份為5重量份～20重量份。
可於塗佈液中調配添加劑。作為添加劑，例如可例舉：塑化劑、界面活性劑等。作為塑化劑，例如可例舉乙二醇及甘油等多元醇。作為界面活性劑，例如可例舉非離子界面活性劑。為了進一步提高所獲得之PVA系樹脂層之均勻性及染色性、延伸性，可使用該等添加劑。
作為上述PVA系樹脂，可採用任意適當之樹脂。例如可例舉聚乙烯醇及乙烯-乙烯醇共聚物。聚乙烯醇可藉由使聚乙酸乙烯酯皂化而獲得。乙烯-乙烯醇共聚物可藉由使乙烯-乙酸乙烯酯共聚物皂化而獲得。PVA系樹脂之皂化度通常為85莫耳%～100莫耳%，較佳為95.0莫耳%～99.95莫耳%，再佳的是99.0莫耳%～99.93莫耳%。皂化度可依據JIS K 6726-1994而求出。藉由使用此種皂化度之PVA系樹脂，能夠獲得耐久性優異之未脫色原膜。於皂化度過高之情形時，有凝膠化之虞。
PVA系樹脂之平均聚合度可根據目的而適當地進行選擇。平均聚合度通常為1000～10000，較佳為1200～4500，再佳的是1500～4300。再者，平均聚合度可依據JIS K 6726-1994而求出。
作為上述鹵化物，可採用任意適當之鹵化物。例如可例舉碘化物及氯化鈉。作為碘化物，例如可例舉：碘化鉀、碘化鈉、及碘化鋰。其中，較佳為碘化鉀。
塗佈液中之鹵化物之量較佳為相對於PVA系樹脂100重量份為5重量份～20重量份，更佳為相對於PVA系樹脂100重量份為10重量份～15重量份。若相對於PVA系樹脂100重量份，鹵化物之量超過20重量份，則存在鹵化物滲出，而導致最終所獲得之未脫色原膜發生白濁之情形。
一般而言，藉由使PVA系樹脂層延伸，PVA系樹脂層中之聚乙烯醇分子之配向性提高，但若將延伸後之PVA系樹脂層浸漬於含水液體中，則存在聚乙烯醇分子之配向紊亂，配向性降低之情形。尤其於使熱塑性樹脂基材與PVA系樹脂層之積層體於硼酸水中延伸之情形時，為了使熱塑性樹脂基材之延伸穩定而以相對較高之溫度使上述積層體於硼酸水中延伸時，上述配向度降低之傾向較為顯著。例如一般於60℃下使PVA膜單質於硼酸水中延伸，相對於此，A-PET(熱塑性樹脂基材)與PVA系樹脂層之積層體之延伸係於70℃左右之溫度這種高溫下進行，於此情形時，延伸初期之PVA之配向性可能在藉由水中延伸而提高之前之階段中降低。相對於此，藉由製作包含鹵化物之PVA系樹脂層與熱塑性樹脂基材之積層體，在使積層體於硼酸水中延伸之前在空氣中進行高溫延伸(輔助延伸)，能夠促進輔助延伸後之積層體之PVA系樹脂層中之PVA系樹脂之結晶化。其結果為，於將PVA系樹脂層浸漬於液體中之情形時，與PVA系樹脂層不含鹵化物之情形相比，能夠抑制聚乙烯醇分子之配向之紊亂、及配向性之降低。藉此，經過染色處理及水中延伸處理等將積層體浸漬於液體中而進行之處理步驟所獲得之未脫色原膜之光學特性得以提高。
B-1-1-2.空中輔助延伸處理 尤其是，為了獲得較高之光學特性，選擇乾式延伸(輔助延伸)與硼酸水中延伸組合而成之2階段延伸方法。藉由如2階段延伸般導入輔助延伸，能夠在抑制熱塑性樹脂基材之結晶化的同時進行延伸，能夠解決後續硼酸水中延伸中因熱塑性樹脂基材之過度結晶化而導致延伸性降低之問題，使積層體以更高倍率延伸。進而，於在熱塑性樹脂基材上塗佈PVA系樹脂之情形時，為了抑制熱塑性樹脂基材之玻璃轉移溫度之影響，需要相較於通常在金屬轉筒上塗佈PVA系樹脂之情形降低塗佈溫度，結果可能引起如下問題：PVA系樹脂之結晶化相對降低，而無法獲得充分之光學特性。相對於此，藉由導入輔助延伸，即便於在熱塑性樹脂基材上塗佈PVA系樹脂之情形時，亦能夠提高PVA系樹脂之結晶性，能夠達成較高之光學特性。又，同時，藉由事先提高PVA系樹脂之配向性，在後續染色處理及延伸處理中浸漬於水中時，能夠防止PVA系樹脂之配向性降低及溶解等問題，能夠達成較高之光學特性。
空中輔助延伸之延伸方法可為固定端延伸(例如，使用拉幅延伸機進行延伸之方法)，亦可為自由端延伸(例如，使積層體通過周速不同之輥間進行單軸延伸之方法)，但為了獲得較高之光學特性，可積極地採用自由端延伸。於一實施方式中，空中延伸處理包括加熱輥延伸步驟，該步驟係將上述積層體沿其長度方向搬送，同時根據加熱輥間之周速差進行延伸。代表性而言，空中延伸處理包括區域延伸步驟及加熱輥延伸步驟。再者，區域延伸步驟與加熱輥延伸步驟之順序並無限定，可先進行區域延伸步驟，亦可先進行加熱輥延伸步驟。亦可省略區域延伸步驟。於一實施方式中，依序進行區域延伸步驟及加熱輥延伸步驟。又，於另一實施方式中，藉由在拉幅延伸機中抓持積層體端部，將拉幅機間之距離在行進方向上擴大而進行延伸(拉幅機間之距離之擴大為延伸倍率)。此時，寬度方向(相對於行進方向垂直之方向)上之拉幅機之距離被設定為任意地接近。可較佳地設定為相對於行進方向之延伸倍率，藉由自由端延伸使其接近。於自由端延伸之情形時，根據寬度方向之收縮率＝(1/延伸倍率) 1/2來計算。
空中輔助延伸可以一階段進行，亦可以多階段進行。於以多階段進行之情形時，延伸倍率係各階段之延伸倍率之積。空中輔助延伸中之延伸方向較佳為與水中延伸之延伸方向大致相同。
空中輔助延伸中之延伸倍率較佳為2.0倍～3.5倍。將空中輔助延伸與水中延伸組合時之最大延伸倍率相對於積層體之原本長度，較佳為5.0倍以上，更佳為5.5倍以上，再佳的是6.0倍以上。於本說明書中，所謂「最大延伸倍率」，意指積層體即將斷裂之前之延伸倍率，其係另行確認積層體斷裂時之延伸倍率，而較該值低0.2之值。
空中輔助延伸之延伸溫度可根據熱塑性樹脂基材之形成材料、延伸方式等而設定為任意適當之值。延伸溫度較佳為熱塑性樹脂基材之玻璃轉移溫度(Tg)以上，再佳的是熱塑性樹脂基材之玻璃轉移溫度(Tg)＋10℃以上，尤佳為Tg＋15℃以上。另一方面，延伸溫度之上限較佳為170℃。藉由在此種溫度下進行延伸，能夠抑制PVA系樹脂之結晶化快速進展，而抑制該結晶化所導致之異常(例如，妨礙利用延伸進行之PVA系樹脂層之配向)。空中輔助延伸後之PVA系樹脂之結晶化指數較佳為1.3～1.8，更佳為1.4～1.7。PVA系樹脂之結晶化指數可使用傅立葉變換紅外分光光度計，藉由ATR(Attenuated Total Reflectance，減弱全反射)法進行測定。具體而言，將偏光作為測定光而實施測定，使用所獲得之光譜之1141 cm -1及1440 cm -1之強度，根據下述式算出結晶化指數。 結晶化指數＝(I C/I R) 其中， I C：入射測定光進行測定時之1141 cm -1之強度 I R：入射測定光進行測定時之1440 cm -1之強度。
B-1-1-3.不溶化處理 視需要在空中輔助延伸處理之後且水中延伸處理及染色處理之前，實施不溶化處理。代表性而言，上述不溶化處理係藉由將PVA系樹脂層浸漬於硼酸水溶液中而進行。藉由實施不溶化處理，能夠對PVA系樹脂層賦予耐水性，而防止浸漬於水中時之PVA之配向性降低。關於該硼酸水溶液之濃度，相對於水100重量份，較佳為1重量份～4重量份。不溶化浴(硼酸水溶液)之液溫較佳為20℃～50℃。
B-1-1-4.染色處理 代表性而言，上述染色處理係藉由用碘將PVA系樹脂層染色而進行。具體而言，係藉由使PVA系樹脂層吸附碘而進行。作為該吸附方法，例如可例舉：使PVA系樹脂層(積層體)浸漬於含碘染色液中之方法、將該染色液塗佈於PVA系樹脂層之方法、將該染色液噴霧至PVA系樹脂層之方法等。較佳為將積層體浸漬於染色液(染色浴)中之方法。其原因在於，這樣能夠良好地吸附碘。
上述染色液較佳為碘水溶液。碘之調配量相對於水100重量份，較佳為0.05重量份～0.5重量份。為了提高碘於水中之溶解度，較佳為於碘水溶液中調配碘化物。作為碘化物，例如可例舉：碘化鉀、碘化鋰、碘化鈉、碘化鋅、碘化鋁、碘化鉛、碘化銅、碘化鋇、碘化鈣、碘化錫、碘化鈦等。其中，較佳為碘化鉀。碘化物之調配量相對於水100重量份，較佳為0.1重量份～10重量份，更佳為0.3重量份～5重量份。為了抑制PVA系樹脂之溶解，染色液之染色時之液溫較佳為20℃～50℃。於將PVA系樹脂層浸漬於染色液中之情形時，為了確保PVA系樹脂層之透過率，浸漬時間較佳為5秒～5分鐘，更佳為30秒～90秒。
染色條件(濃度、液溫、浸漬時間)可以最終所獲得之未脫色原膜之單體透過率成為期望值之方式進行設定。作為此種染色條件，較佳為使用碘水溶液作為染色液，將碘水溶液中之碘及碘化鉀之含量之比設為1：5～1：20。碘水溶液中之碘及碘化鉀之含量之比較佳為1：5～1：10。藉此，能夠獲得具有如下所述之光學特性之未脫色原膜。
在將積層體浸漬於含有硼酸之處理浴中之處理(代表性而言，為不溶化處理)之後連續地進行染色處理之情形時，存在該處理浴中所包含之硼酸混入染色浴中而使染色浴之硼酸濃度發生經時性變化，結果導致染色性變得不穩定之情況。為了抑制如上所述之染色性之不穩定化，染色浴之硼酸濃度之上限被調整為相對於水100重量份，較佳為4重量份，更佳為2重量份。另一方面，染色浴之硼酸濃度之下限相對於水100重量份，較佳為0.1重量份，更佳為0.2重量份，再佳的是0.5重量份。於一實施方式中，使用預先調配有硼酸之染色浴進行染色處理。藉此，能夠降低上述處理浴之硼酸混入染色浴中時之硼酸濃度之變化比率。預先調配於染色浴中之硼酸之調配量(即，並非來自上述處理浴之硼酸之含量)相對於水100重量份，較佳為0.1重量份～2重量份，更佳為0.5重量份～1.5重量份。
B-1-1-5.交聯處理 視需要在染色處理之後且水中延伸處理之前，實施交聯處理。代表性而言，上述交聯處理係藉由將PVA系樹脂層浸漬於硼酸水溶液中而進行。藉由實施交聯處理，能夠對PVA系樹脂層賦予耐水性，而防止後續水中延伸中浸漬於高溫水中時之PVA之配向性降低。該硼酸水溶液之濃度相對於水100重量份，較佳為1重量份～5重量份。又，於上述染色處理後進行交聯處理之情形時，較佳為進而調配碘化物。藉由調配碘化物，能夠抑制被PVA系樹脂層吸附之碘之溶出。碘化物之調配量相對於水100重量份，較佳為1重量份～5重量份。碘化物之具體例如上所述。交聯浴(硼酸水溶液)之液溫較佳為20℃～50℃。
B-1-1-6.水中延伸處理 水中延伸處理係將積層體浸漬於延伸浴中而進行。藉由水中延伸處理，能夠在低於上述熱塑性樹脂基材或PVA系樹脂層之玻璃轉移溫度(代表性而言，80℃左右)之溫度下進行延伸，能夠在抑制PVA系樹脂層之結晶化之同時，使其以高倍率延伸。結果能夠製造具有優異之光學特性之未脫色原膜。
積層體之延伸方法可採用任意適當之方法。具體而言，可為固定端延伸，亦可為自由端延伸(例如，使積層體通過周速不同之輥間進行單軸延伸之方法)。較佳為選擇自由端延伸。積層體之延伸可以一階段進行，亦可以多階段進行。於以多階段進行之情形時，下述積層體之延伸倍率(最大延伸倍率)係各階段之延伸倍率之積。
水中延伸較佳為將積層體浸漬於硼酸水溶液中而進行(硼酸水中延伸)。藉由使用硼酸水溶液作為延伸浴，能夠對PVA系樹脂層賦予耐受延伸時施加之張力之剛性、及不溶於水之耐水性。具體而言，硼酸可在水溶液中生成四羥基硼酸根陰離子並藉由氫鍵與PVA系樹脂交聯。結果能夠對PVA系樹脂層賦予剛性及耐水性，而良好地進行延伸，能夠製造具有優異之光學特性之未脫色原膜。
上述硼酸水溶液較佳為藉由使硼酸及/或硼酸鹽溶解於作為溶劑之水中而獲得。關於硼酸濃度，相對於水100重量份，較佳為1重量份～10重量份，更佳為2.5重量份～6重量份，尤佳為3重量份～5重量份。藉由使硼酸濃度為1重量份以上，能夠有效地抑制PVA系樹脂層之溶解，能夠製造更高特性之未脫色原膜。再者，除了硼酸或硼酸鹽以外，亦可使用使硼砂等硼化合物、乙二醛、戊二醛等溶解於溶劑中所獲得之水溶液。
較佳為於上述延伸浴(硼酸水溶液)中調配碘化物。藉由調配碘化物，能夠抑制被PVA系樹脂層吸附之碘之溶出。碘化物之具體例如上所述。碘化物之濃度相對於水100重量份，較佳為0.05重量份～15重量份，更佳為0.5重量份～8重量份。
延伸溫度(延伸浴之液溫)較佳為40℃～85℃，更佳為60℃～75℃。若為此種溫度，則能夠在抑制PVA系樹脂層之溶解之同時使其以高倍率延伸。具體而言，如上所述，基於與PVA系樹脂層形成之關係考慮，熱塑性樹脂基材之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為60℃以上。於此情形時，若延伸溫度低於40℃，則存在即便考慮到水對熱塑性樹脂基材之塑化，亦無法良好地進行延伸之虞。另一方面，延伸浴之溫度越高，PVA系樹脂層之溶解性越高，存在無法獲得優異之光學特性之虞。積層體於延伸浴中之浸漬時間較佳為15秒～5分鐘。
水中延伸之延伸倍率較佳為1.5倍以上，更佳為3.0倍以上。積層體之總延伸倍率相對於積層體之原本長度，較佳為5.0倍以上，再佳的是5.5倍以上。藉由達成此種較高之延伸倍率，能夠製造光學特性極其優異之未脫色原膜。此種較高之延伸倍率可藉由採用水中延伸方式(硼酸水中延伸)而達成。
B-1-1-7.乾燥收縮處理 上述乾燥收縮處理例如包括如下步驟：藉由將該長條狀熱塑性樹脂基材與PVA系樹脂膜之積層體一面沿長度方向搬送，一面進行加熱，而使其於寬度方向上收縮2%以上，並且使其乾燥直至該PVA系樹脂膜之水分率成為15重量%以下為止。就獲得穩定之外觀之觀點而言，較佳為使其乾燥直至水分率成為12重量%以下，更佳為10重量%以下，再佳的是1重量%～5重量%為止。
乾燥收縮處理可藉由區域加熱來進行，即，對整個區域進行加熱而進行，亦可藉由對搬送輥進行加熱(使用所謂加熱輥)而進行(加熱輥乾燥方式)。較佳為使用該兩種方式。藉由使用加熱輥進行乾燥，能夠有效率地抑制積層體之加熱捲縮，而製造外觀優異之未脫色原膜。具體而言，藉由使積層體以沿著加熱輥之狀態乾燥，能夠有效率地促進上述熱塑性樹脂基材之結晶化而增加結晶度，即便為相對較低之乾燥溫度，亦能夠良好地增加熱塑性樹脂基材之結晶度。其結果為，熱塑性樹脂基材增加了其剛性，成為可耐受乾燥引起之PVA系樹脂層之收縮之狀態，捲縮得到抑制。又，藉由使用加熱輥，能夠使積層體在維持平坦狀態的同時進行乾燥，因此，不僅能夠抑制捲縮，亦能夠抑制皺褶之產生。此時，藉由乾燥收縮處理使積層體於寬度方向上收縮，藉此能夠提高光學特性。其原因在於，這樣能夠有效地提高PVA及PVA/碘錯合物之配向性。由乾燥收縮處理所引起之積層體之寬度方向之收縮率較佳為1%～10%，更佳為2%～8%，尤佳為4%～6%。藉由使用加熱輥，能夠一面搬送積層體，一面使其連續地於寬度方向上收縮，能夠實現較高之生產性。
圖1係表示乾燥收縮處理之一例之概略圖。於乾燥收縮處理中，一面利用被加熱至特定溫度之搬送輥R1～R6、及導輥G1～G4來搬送積層體200，一面使其乾燥。於圖示例中，以對PVA系樹脂層之面與熱塑性樹脂基材之面交替地連續進行加熱之方式配置搬送輥R1～R6，但亦可以例如僅對積層體200之一面(例如熱塑性樹脂基材面)連續地進行加熱之方式配置搬送輥R1～R6。
可藉由調整搬送輥之加熱溫度(加熱輥之溫度)、加熱輥之數量、與加熱輥之接觸時間等，而控制乾燥條件。加熱輥之溫度較佳為60℃～120℃，再佳的是65℃～100℃，尤佳為70℃～80℃。能夠良好地增加熱塑性樹脂之結晶度，良好地抑制捲縮，並且能夠製造耐久性極其優異之光學積層體。再者，加熱輥之溫度可利用接觸式溫度計進行測定。於圖示例中，設置有6個搬送輥，但搬送輥只要為複數個即可，並無特別限制。搬送輥通常設置2個～40個，較佳為設置4個～30個。積層體與加熱輥之接觸時間(總接觸時間)較佳為1秒～300秒，更佳為1～20秒，再佳的是1～10秒。
加熱輥可設置於加熱爐(例如，烘箱)內，亦可設置於通常之生產線(室溫環境下)。較佳為設置於具備送風機構之加熱爐內。藉由併用加熱輥乾燥與熱風乾燥，能夠抑制加熱輥間之急遽溫度變化，能夠容易地控制寬度方向上之收縮。熱風乾燥之溫度較佳為20℃～100℃。又，熱風乾燥時間較佳為1秒～300秒。熱風之風速較佳為10 m/s～30 m/s左右。再者，該風速係加熱爐內之風速，可藉由小型葉輪式數位風速計進行測定。
B-1-1-8.其他處理 較佳為在水中延伸處理之後且乾燥收縮處理之前，實施洗淨處理。代表性而言，上述洗淨處理係藉由將PVA系樹脂層浸漬於碘化鉀水溶液中而進行。
B-1-2.使用單層PVA系樹脂膜之未脫色原膜之製作 使用單層PVA系樹脂膜之未脫色原膜之製作可藉由如下步驟而進行：對具有自持性(即，無需由基材支持)之長條狀PVA系樹脂膜進行染色及延伸(代表性而言，在硼酸水溶液中使用輥延伸機之單軸延伸)，繼而，使其乾燥直至水分率成為15重量%以下，較佳為12重量%以下，更佳為10重量%以下，再佳的是1重量%～5重量%為止。上述染色例如可藉由將PVA系樹脂膜浸漬於碘水溶液中而進行。上述單軸延伸之延伸倍率較佳為3～7倍。延伸可於染色處理後進行，亦可在染色的同時進行。又，還可在延伸之後進行染色。視需要對PVA系樹脂膜實施膨潤處理、交聯處理、洗淨處理等。例如，藉由在染色之前將PVA系樹脂膜浸漬於水中進行水洗，不僅能夠將PVA系樹脂膜表面之污垢及抗黏連劑洗淨，而且能夠使PVA系樹脂膜膨潤而防止染色不均等。
B-2.水性溶劑 作為水性溶劑，可使用任意適當之溶劑，只要能夠使碘自未脫色原膜溶出即可。水性溶劑例如可為水或水與水溶性有機溶劑之混合物。作為水溶性有機溶劑，可較佳地例示：甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇等碳數為1個～4個之低級單醇及甘油、乙二醇等多元醇。
B-3.接觸方法 作為與水性溶劑之接觸方法，並無特別限制，可採用浸漬、噴霧、塗佈等任意適當之方法。就使未脫色原膜表面之整個面與水性溶劑均勻地接觸之觀點而言，較佳為浸漬。
與水性溶劑之接觸時間及接觸時之水性溶劑之溫度可根據所期望之Ts 470、Ts 600、A 470、A 600等而適當地設定。藉由延長接觸時間或提高水性溶劑之溫度，透過率(尤其是Ts 470)趨於變大，又，正交吸光度(尤其是A 470)趨於變小。接觸時間例如可為10分鐘以下，較佳為60秒～9分鐘，更佳為60秒～4分鐘。水性溶劑之溫度可較佳為20℃～70℃，更佳為30℃～65℃，再佳的是40℃～60℃。
未脫色原膜與水性溶劑之接觸可藉由僅使未脫色原膜之單面與水性溶劑接觸而進行，亦可藉由使兩面與水性溶劑接觸而進行。因此，可將使用[PVA系樹脂層/樹脂基材]之積層體所製作之[未脫色原膜/樹脂基材]之積層體或[未脫色原膜/保護層]之積層體用於與水性溶劑之接觸。或者，可將使用單層PVA系樹脂膜所製作之未脫色原膜直接用於與水性溶劑之接觸，或者以單側設置有保護層之積層體之狀態用於與水性溶劑之接觸。
B-4.其他處理 亦可視需要將藉由與水性溶劑接觸所獲得之偏光膜供至乾燥處理。乾燥溫度例如可為20℃～100℃，較佳為30℃～80℃。代表性而言，乾燥後之偏光膜之水分率為15重量%以下，較佳為12重量%以下，更佳為10重量%以下，再佳的是1重量%～5重量%。
C.偏光板 本發明之實施方式之偏光板包含偏光膜、及配置於該偏光膜之至少單側之保護層，可視需要進而包含相位差層。再者，於本說明書中，有時將包含相位差層之偏光板稱為附相位差層之偏光板。
偏光板之b*值例如為-3以下，較佳為-4以下，更佳為-20～-5。b*值處於該範圍內之偏光板由於短波長區域之光之透過率較高，故而呈現出帶藍色之色相。
C-1.偏光板之整體構成 圖2係本發明之一實施方式之偏光板之概略剖視圖。偏光板100包含：偏光膜10、配置於偏光膜10之一側之第1保護層12、及配置於偏光膜10之另一側之第2保護層14。
圖3係本發明之另一實施方式之包含相位差層之偏光板之概略剖視圖。附相位差層之偏光板200a包含：偏光膜10、配置於偏光膜10之一側之第1保護層12、配置於偏光膜10之另一側之第2保護層14、及配置於第2保護層14之配置有偏光膜10之側之相反側的第1相位差層20。可根據目的而省略第1保護層12及第2保護層14中一者。例如，於相位差層20亦可作為偏光膜10之保護層發揮功能之情形時，亦可省略第2保護層14。
圖4係本發明之又一實施方式之包含相位差層之偏光板之概略剖視圖。附相位差層之偏光板200b包含：偏光膜10、配置於偏光膜10之一側之第1保護層12、及配置於偏光膜10之另一側之第2保護層14，於第2保護層14之配置有偏光膜10之側之相反側，依序設置有第1相位差層20、第2相位差層30及導電層或附導電層之各向同性基材40。代表性而言，第2相位差層30表現出折射率特性為nz＞nx＝ny之關係。代表性而言，第2相位差層30以及導電層或附導電層之各向同性基材40係視需要設置之任意之層，可省略其中任一者或兩者。再者，於設置有導電層或附導電層之各向同性基材之情形時，附相位差層之偏光板可應用於圖像顯示元件(例如，有機EL元件)與偏光板之間組裝有觸控感測器之所謂內部觸控面板型輸入顯示裝置。
第1相位差層20之Re(550)例如為100 nm～190 nm。又，第1相位差層20之遲相軸與偏光膜10之吸收軸所成之角度例如為40°～50°。
上述實施方式可適當進行組合，亦可對上述實施方式中之構成要素施加本領域中顯而易見之改變。例如，可將第2相位差層30之外側設置有附導電層之各向同性基材40的構成替換為光學等效構成(例如，第2相位差層與導電層之積層體)。
本發明之實施方式之偏光板或附相位差層之偏光板可進而包含其他相位差層。其他相位差層之光學特性(例如，折射率特性、面內相位差、Nz係數、光彈性係數)、厚度、配置位置等可根據目的而適當地進行設定。
本發明之偏光板可為片狀，亦可為長條狀。於本說明書中，所謂「長條狀」，意指相對於寬度，長度夠長之細長形狀，例如包括相對於寬度，長度為10倍以上，較佳為20倍以上之細長形狀。長條狀偏光板可捲繞成卷狀。於附相位差層之偏光板為長條狀之情形時，偏光板及相位差層亦為長條狀。於此情形時，偏光膜較佳為於長度方向上具有吸收軸。第1相位差層較佳為在與長度方向成40°～50°之角度之方向上具有遲相軸之斜向延伸膜。若偏光膜及第1相位差層為此種構成，則能夠利用卷對卷方式製作附相位差層之偏光板。
就實用方面而言，於相位差層之與偏光板相反之側設置有黏著劑層(未圖示)，附相位差層之偏光板可貼附於圖像顯示元件。進而，較佳為在附相位差層之偏光板供使用之前，於黏著劑層之表面暫時黏貼剝離膜。藉由暫時黏貼剝離膜，能夠保護黏著劑層，並且形成捲筒。
偏光板之總厚度較佳為150 μm以下，更佳為120 μm以下，再佳的是100 μm以下，進而更佳為90 μm以下，進而更佳為85 μm以下。總厚度之下限例如可為30 μm。
C-2.偏光膜 作為偏光膜，可使用A項中記載之偏光膜。
C-3.保護層 第1保護層及第2保護層係分別以可用作偏光膜之保護層之任意適當之膜的形式形成。作為該膜之主成分材料之具體例，可例舉：三乙醯纖維素(TAC)等纖維素系樹脂、及聚酯系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚降𦯉烯系、聚烯烴系、(甲基)丙烯酸系、乙酸酯系等之透明樹脂等。又，亦可例舉：(甲基)丙烯酸系、胺基甲酸酯系、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯系、環氧系、矽酮系等之熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。除此以外，例如還可例舉矽氧烷系聚合物等玻璃質系聚合物。又，亦可使用日本專利特開2001-343529號公報(WO01/37007)中記載之聚合物膜。作為該膜之材料，例如可使用含有側鏈具有經取代或未經取代之醯亞胺基之熱塑性樹脂、以及側鏈具有經取代或未經取代之苯基及腈基之熱塑性樹脂的樹脂組合物，例如可例舉：具有包含異丁烯及N-甲基順丁烯二醯亞胺之交替共聚物、以及丙烯腈-苯乙烯共聚物的樹脂組合物。該聚合物膜例如可為上述樹脂組合物之擠出成形物。
保護層之厚度較佳為5 μm～200 μm，更佳為10 μm～100 μm，再佳的是10 μm～60 μm。
C-4.第1相位差層 第1相位差層可根據目的而具有任意適當之光學特性及/或機械特性。代表性而言，第1相位差層具有遲相軸。於一實施方式中，如上所述，第1相位差層之遲相軸與偏光膜之吸收軸所成之角度θ為40°～50°，較佳為42°～48°，再佳的是約45°。若角度θ處於此種範圍內，則如下所述藉由將第1相位差層設為λ/4板，能夠獲得具有非常優異之圓偏光特性(其結果為，非常優異之抗反射特性)之附相位差層之偏光板。
第1相位差層較佳為表現出折射率特性為nx＞ny≧nz之關係。代表性而言，第1相位差層係為了對偏光板賦予抗反射特性而設置，於一實施方式中，可作為λ/4板發揮功能。於此情形時，第1相位差層之面內相位差Re(550)較佳為100 nm～190 nm，更佳為110 nm～170 nm，再佳的是130 nm～160 nm。再者，此處，「ny＝nz」不僅包括ny與nz完全相等之情形，亦包括實質上相等之情形。因此，在無損本發明之效果之範圍內，可能存在ny＜nz之情形。
第1相位差層之Nz係數較佳為0.9～3，更佳為0.9～2.5，再佳的是0.9～1.5，尤佳為0.9～1.3。藉由滿足此種關係，於將所獲得之附相位差層之偏光板用於圖像顯示裝置之情形時，能夠達成非常優異之反射色相。
第1相位差層可表現出相位差值根據測定光之波長而變大之逆波長色散特性，亦可表現出相位差值根據測定光之波長而變小之正波長色散特性，還可表現出相位差值幾乎不根據測定光之波長而變化之平坦之波長色散特性。於一實施方式中，第1相位差層表現出逆波長色散特性。於此情形時，相位差層之Re(450)/Re(550)較佳為0.8以上且未達1，更佳為0.8以上0.95以下。若為此種構成，則能夠實現非常優異之抗反射特性。
第1相位差層包含光彈性係數之絕對值較佳為2×10 -11m 2/N以下，更佳為2.0×10 -13m 2/N～1.5×10 -11m 2/N，再佳的是1.0×10 -12m 2/N～1.2×10 -11m 2/N之樹脂。若光彈性係數之絕對值處於此種範圍內，則於加熱時產生收縮應力之情形時，不容易發生相位差變化。結果能夠良好地防止所獲得之圖像顯示裝置之熱不均。
第1相位差層可為樹脂膜之延伸膜或液晶配向固化層。包含樹脂膜之延伸膜之第1相位差層之厚度較佳為70 μm以下，更佳為45 μm～60 μm。若第1相位差層之厚度處於此種範圍內，則能夠良好地抑制加熱時之捲縮，並且良好地調整貼合時之捲縮。又，於如下所述第1相位差層包含聚碳酸酯系樹脂膜之實施方式中，第1相位差層之厚度較佳為40 μm以下，更佳為10 μm～40 μm，再佳的是20 μm～30 μm。藉由使第1相位差層包含具有此種厚度之聚碳酸酯系樹脂膜，能夠抑制捲縮之發生，並且亦有助於彎折耐久性及反射色相之提高。
作為可形成第1相位差層之樹脂之代表例，可例舉：聚碳酸酯系樹脂、聚酯碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯醇縮醛系樹脂、聚芳酯系樹脂、環狀烯烴系樹脂、纖維素系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、丙烯酸系樹脂。該等樹脂可單獨使用，亦可組合(例如，摻合、共聚)使用。於第1相位差層包含表現出逆波長色散特性之樹脂膜之情形時，可較佳地使用聚碳酸酯系樹脂或聚酯碳酸酯系樹脂(以下，有時簡稱為聚碳酸酯系樹脂)。
作為上述聚碳酸酯系樹脂，可使用任意適當之聚碳酸酯系樹脂，只要能夠獲得本發明之效果即可。例如，聚碳酸酯系樹脂包含：來自茀系二羥基化合物之結構單元、來自異山梨糖醇系二羥基化合物之結構單元、以及來自選自由脂環式二醇、脂環式二甲醇、二乙二醇、三乙二醇或聚乙二醇、及伸烷基二醇或螺二醇所組成之群中之至少1種二羥基化合物的結構單元。較佳為聚碳酸酯系樹脂包含：來自茀系二羥基化合物之結構單元、來自異山梨糖醇系二羥基化合物之結構單元、以及來自脂環式二甲醇之結構單元及/或來自二乙二醇、三乙二醇或聚乙二醇之結構單元；再佳的是包含：來自茀系二羥基化合物之結構單元、來自異山梨糖醇系二羥基化合物之結構單元、及來自二乙二醇、三乙二醇或聚乙二醇之結構單元。聚碳酸酯系樹脂亦可視需要包含來自其他二羥基化合物之結構單元。再者，可較佳地用於本發明之聚碳酸酯系樹脂之詳情例如記載於日本專利特開2014-10291號公報、日本專利特開2014-26266號公報、日本專利特開2015-212816號公報、日本專利特開2015-212817號公報、日本專利特開2015-212818號公報中，該記載作為參考而援用於本說明書中。
上述聚碳酸酯系樹脂之玻璃轉移溫度較佳為110℃以上150℃以下，更佳為120℃以上140℃以下。若玻璃轉移溫度過低，則耐熱性趨於變差，膜成形後有可能引起尺寸變化，又，存在降低所獲得之有機EL面板之圖像品質之情形。若玻璃轉移溫度過高，則存在膜成形時之成形穩定性變差之情形，又，存在損害膜之透明性之情形。再者，玻璃轉移溫度可依據JIS K 7121(1987)而求出。
上述聚碳酸酯系樹脂之分子量可由比濃黏度來表示。比濃黏度係使用二氯甲烷作為溶劑，將聚碳酸酯濃度精確製備成0.6 g/dL，於溫度20.0℃±0.1℃下使用烏氏黏度管進行測定。比濃黏度之下限通常較佳為0.30 dL/g，更佳為0.35 dL/g以上。比濃黏度之上限通常較佳為1.20 dL/g，更佳為1.00 dL/g，再佳的是0.80 dL/g。若比濃黏度小於上述下限值，則有時會引起成形品機械強度變小之問題。另一方面，若比濃黏度大於上述上限值，則有時會引起成形時之流動性降低，生產性及成形性降低之問題。
可使用市售之膜作為聚碳酸酯系樹脂膜。作為市售品之具體例，可例舉：帝人公司製造之商品名「PURE-ACE WR-S」、「PURE-ACE WR-W」、「PURE-ACE WR-M」、日東電工公司製造之商品名「NRF」。
第1相位差層例如可藉由使由上述聚碳酸酯系樹脂形成之膜延伸而獲得。作為由聚碳酸酯系樹脂形成膜之方法，可採用任意適當之成形加工法。作為具體例，可例舉：壓縮成形法、轉移成形法、射出成形法、擠出成形法、吹塑成形法、粉末成形法、FRP(Fiber Reinforced Plastics，纖維強化塑膠)成形法、流延塗佈法(例如，流延法)、壓延成形法、熱壓法等。較佳為擠出成形法或流延塗佈法。其原因在於，能夠提高所獲得之膜之平滑性，獲得良好之光學均勻性。成形條件可根據所使用之樹脂之組成及種類、相位差層所需之特性等而適當地進行設定。再者，如上所述，關於聚碳酸酯系樹脂，由於膜製品多為市售品，故而可將該市售膜直接供至延伸處理。
樹脂膜(未延伸膜)之厚度可根據第1相位差層之所需之厚度、所需之光學特性、下述延伸條件等而設定為任意適當之值。較佳為50 μm～300 μm。
上述延伸可採用任意適當之延伸方法、延伸條件(例如，延伸溫度、延伸倍率、延伸方向)。具體而言，可單獨使用自由端延伸、固定端延伸、自由端收縮、固定端收縮等各種延伸方法，亦可同時或逐次使用該等延伸方法。關於延伸方向，亦可沿長度方向、寬度方向、厚度方向、斜向等各種方向或維度進行延伸。延伸之溫度相對於樹脂膜之玻璃轉移溫度(Tg)，較佳為Tg－30℃～Tg＋60℃，更佳為Tg－10℃～Tg＋50℃。
可藉由適當地選擇上述延伸方法、延伸條件，而獲得具有上述所需之光學特性(例如，折射率特性、面內相位差、Nz係數)之相位差膜。
於一實施方式中，相位差膜係藉由使樹脂膜單軸延伸或固定端單軸延伸而製作。作為固定端單軸延伸之具體例，可例舉一面使樹脂膜沿長度方向移行，一面使其沿寬度方向(橫向)延伸之方法。延伸倍率較佳為1.1倍～3.5倍。
於另一實施方式中，相位差膜可藉由使長條狀樹脂膜沿相對於長度方向成上述角度θ之方向連續地斜向延伸而製作。藉由採用斜向延伸，能夠獲得具有相對於膜之長度方向成角度θ之配向角(於角度θ之方向上具有遲相軸)之長條狀延伸膜，例如，與偏光膜積層時能夠實現卷對卷方式，能夠簡化製造步驟。再者，角度θ可為附相位差層之偏光板中偏光膜之吸收軸與相位差層之遲相軸所成之角度。如上所述，角度θ較佳為40°～50°，更佳為42°～48°，再佳的是約45°。
作為用於斜向延伸之延伸機，例如可例舉：可沿橫向及/或縱向附加左右不同之速度之進給力或拉伸力或者牽引力之拉幅式延伸機。拉幅式延伸機包括橫向單軸延伸機、同時雙軸延伸機等，可採用任意適當之延伸機，只要能夠使長條狀樹脂膜連續地斜向延伸即可。
藉由在上述延伸機中分別適當地控制左右之速度，能夠獲得具有上述所需之面內相位差，且於上述所需之方向上具有遲相軸之相位差層(實質上為長條狀相位差膜)。
上述膜之延伸溫度可根據相位差層所需之面內相位差值及厚度、所使用之樹脂之種類、所使用之膜之厚度、延伸倍率等而變化。具體而言，延伸溫度較佳為Tg－30℃～Tg＋30℃，再佳的是Tg－15℃～Tg＋15℃，最佳為Tg－10℃～Tg＋10℃。藉由以此種溫度進行延伸，能夠獲得本發明中具有適當特性之第1相位差層。再者，Tg係膜之構成材料之玻璃轉移溫度。
C-5.第2相位差層 如上所述，第2相位差層可為表現出折射率特性為nz＞nx＝ny之關係之所謂正C板。藉由使用正C板作為第2相位差層，能夠良好地防止斜向之反射，能夠實現抗反射功能之大視野角化。於此情形時，第2相位差層之厚度方向之相位差Rth(550)較佳為-50 nm～-300 nm，更佳為-70 nm～-250 nm，再佳的是-90 nm～-200 nm，尤佳為-100 nm～-180 nm。此處，「nx＝ny」不僅包括nx與ny嚴格相等之情形，亦包括nx與ny實質上相等之情形。即，第2相位差層之面內相位差Re(550)可未達10 nm。
具有nz＞nx＝ny之折射率特性之第2相位差層可由任意適當之材料形成。第2相位差層較佳為包含含有以垂直配向固定之液晶材料的膜。能夠垂直配向之液晶材料(液晶化合物)可為液晶單體，亦可為液晶聚合物。作為該液晶化合物及該相位差層之形成方法之具體例，可例舉日本專利特開2002-333642號公報之[0020]～[0028]中記載之液晶化合物及該相位差層之形成方法。於此情形時，第2相位差層之厚度較佳為0.5 μm～10 μm，更佳為0.5 μm～8 μm，再佳的是0.5 μm～5 μm。
C-6.導電層或附導電層之各向同性基材 導電層可藉由任意適當之成膜方法(例如，真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法、離子鍍覆法、噴霧法等)於任意適當之基材上成膜金屬氧化物膜而形成。作為金屬氧化物，例如可例舉：氧化銦、氧化錫、氧化鋅、銦-錫複合氧化物、錫-銻複合氧化物、鋅-鋁複合氧化物、銦-鋅複合氧化物。其中，較佳為銦-錫複合氧化物(ITO)。
於導電層包含金屬氧化物之情形時，該導電層之厚度較佳為50 nm以下，更佳為35 nm以下。導電層之厚度之下限較佳為10 nm。
導電層可自上述基材轉印至第1相位差層(或第2相位差層，如果存在)，僅將導電層作為附相位差層之偏光板之構成層，亦可作為與基材之積層體(附導電層之基材)積層於第1相位差層(或第2相位差層，如果存在)。較佳為上述基材具有光學各向同性，因此，導電層可作為附導電層之各向同性基材用於附相位差層之偏光板。
作為光學各向同性之基材(各向同性基材)，可採用任意適當之各向同性基材。作為構成各向同性基材之材料，例如可例舉：以降𦯉烯系樹脂或烯烴系樹脂等不具有共軛系之樹脂作為主骨架之材料、丙烯酸系樹脂之主鏈中具有內酯環或戊二醯亞胺環等環狀結構之材料等。若使用此種材料，則形成各向同性基材時，能夠將分子鏈配向所伴隨之相位差之顯現抑製得較小。各向同性基材之厚度較佳為50 μm以下，更佳為35 μm以下。各向同性基材之厚度之下限例如為20 μm。
上述導電層及/或上述附導電層之各向同性基材之導電層可視需要被圖案化。藉由進行圖案化，能夠形成導通部及絕緣部。結果能夠形成電極。電極可作為感測與觸控面板之接觸之觸控感測器電極而發揮功能。作為圖案化方法，可採用任意適當之方法。作為圖案化方法之具體例，可例舉：濕式蝕刻法、網版印刷法。
D.圖像顯示裝置 上述C項中記載之偏光板可應用於圖像顯示裝置。因此，本發明包括具備該偏光板之圖像顯示裝置。作為圖像顯示裝置之代表例，可例舉：液晶顯示裝置、電致發光(EL)顯示裝置(例如，有機EL顯示裝置、無機EL顯示裝置)。其中，就能夠藉由藍色發光量之降低而實現節能化之方面而言，較佳為有機EL顯示裝置。 [實施例]
以下，藉由實施例對本發明具體地進行說明，但本發明並不受到該等實施例限定。各特性之測定方法如下所述。再者，只要無特別明確記載，則實施例及比較例中之「份」及「%」係重量基準。 (1)厚度 使用製品名「Linear Gauge MODEL D-10HS」(尾崎製作所公司製造)進行測定。 (2)單體透過率、偏光度及正交吸光度 針對實施例及比較例中所獲得之PVA系樹脂膜(偏光膜或未脫色原膜)與保護層之積層體，自PVA系樹脂膜側使用紫外可見分光光度計(大塚電子公司製造之「LPF-200」)進行測定，將所測得之單體透過率Ts、平行透過率Tp、正交透過率Tc分別作為PVA系樹脂膜之Ts、Tp及Tc。針對附相位差層之偏光板，自相位差層側以相同方式測定單體透過率Ts。該等Ts、Tp及Tc係藉由JIS Z8701之2度視野(C光源)進行測定並進行視感度補正而得之Y值。再者，保護層之折射率係1.53，偏光膜之與保護層相反之側之表面之折射率為1.53。 根據所獲得之Tp及Tc，由下述式求出偏光度P。 偏光度P(%)＝{(Tp－Tc)/(Tp＋Tc)} 1/2×100 又，使用各波長下所測得之Tc，由下述式求出各波長時之正交吸光度。 正交吸光度＝log10(100/Tc) 又，將波長470 nm及600 nm下所測得之Ts分別設為Ts 470及Ts 600。 再者，關於分光光度計，亦可使用日本分光公司製造之「V-7100」等進行相同之測定，確認不管使用哪一種分光光度計，均能夠獲得相同之測定結果。 (3)水分率 將剛經過乾燥處理後之未脫色原膜(於以積層體之形式延伸之情形時，延伸基材被剝離)切成100 mm×100 mm以上之大小，利用電子天平測定處理前重量。其後，將其投入至保持為120℃之加熱烘箱內2小時，測定取出後之重量(處理後重量)，根據下述式求出水分率。 水分率[%]＝(處理前重量－處理後重量)/處理前重量×100 (4)霧度 使用日本電色工業公司製造之製品名「霧度計(NDH-5000)」，依據JISK7136進行測定。 (5)正面反射色相 使用無紫外線吸收功能之丙烯酸系黏著劑將實施例及比較例中所獲得之附相位差層之偏光板貼合於反射板(TORAY FILMS公司製造，商品名「DMS-X42」；反射率86%，無偏光板時之反射色相a*＝-0.22，b*＝0.32)上而製作測定樣本。此時，以附相位差層之偏光板之相位差層側與反射板對向之方式進行貼合。針對該測定樣本，使用分光測色計(柯尼卡美能達製造之CM-2600d)以SCE(Specular Component Exclude，排除鏡面反射分量)方式測定a*值及b*值。
[實施例1-1] 1.偏光膜及偏光板之製作 將厚度30 μm之PVA系樹脂膜(可樂麗製造，製品名「PE3000」)之長條捲筒一面浸漬於30℃之水浴中，一面沿搬送方向延伸至2.2倍後，浸漬於碘濃度0.04重量%、鉀濃度0.3重量%之30℃水溶液中進行染色，與此同時以完全未延伸之膜(原本長度)為基準使其延伸至3倍。繼而，將該延伸膜一面浸漬於硼酸濃度3重量%、碘化鉀濃度3重量%之30℃之水溶液中，一面以原本長度為基準進一步延伸至3.3倍，繼而，一面浸漬於硼酸濃度4重量%、碘化鉀濃度5重量%之60℃水溶液中，一面以原本長度為基準進一步延伸至6倍，最後，於保持為60℃之烘箱內實施5分鐘之乾燥處理，藉此製作厚度12 μm之偏光膜(未脫色原膜a1)。所獲得之未脫色原膜a1之水分率為10.0重量%，單體透過率為42.5%。
於所獲得之未脫色原膜a1之單面塗佈PVA系樹脂水溶液(日本合成化學工業公司製造，商品名「GOHSEFIMER(註冊商標)Z-200」，樹脂濃度：3重量%)，並貼合環烯烴系膜(日本瑞翁公司製造，Zeonor，厚度：25 μm)，而獲得具有[未脫色原膜a1/保護層]之構成之光學積層體。再者，作為保護層，可使用設置有硬塗層之保護層，作為此種保護層，例如可例示：附硬塗層之環烯烴系膜(ZEON公司製造，製品名「G-Film」，總厚度27 μm(膜厚度25 μm＋硬塗層厚度2 μm))等。
將上述光學積層體切斷成50 mm×45 mm之尺寸，將其在經由丙烯酸系黏著劑層(厚度15 μm)以未脫色原膜側表面為露出面之方式貼合於玻璃板之狀態下浸漬於55℃之水中9分鐘。繼而，於50℃下乾燥5分鐘，藉此獲得具有[偏光膜A1/保護層]之構成之偏光板。
2.構成相位差層之相位差膜之製作 2-1.聚酯碳酸酯系樹脂之聚合 使用包括2個具備攪拌翼及控制為100℃之回流冷凝器之立式反應器的批次式聚合裝置進行聚合。添加雙[9-(2-苯氧基羰基乙基)茀-9-基]甲烷29.60質量份(0.046 mol)、異山梨糖醇(ISB)29.21質量份(0.200 mol)、螺二醇(SPG)42.28質量份(0.139 mol)、碳酸二苯酯(DPC)63.77質量份(0.298 mol)及作為觸媒之乙酸鈣一水合物1.19×10 -2質量份(6.78×10 -5mol)。對反應器內進行減壓氮氣置換後，利用熱媒進行加溫，於內部溫度成為100℃之時點開始攪拌。以升溫開始40分鐘後使內部溫度達到220℃，並保持該溫度之方式進行控制，同時開始減壓，達到220℃之後耗費90分鐘使其為13.3 kPa。將伴隨著聚合反應副產之苯酚蒸氣導入至100℃之回流冷凝器中，使苯酚蒸氣中所包含之若干量之單體成分回到反應器中，將未冷凝之苯酚蒸氣導入至45℃之冷凝器中進行回收。將氮氣導入至第1反應器中，暫時先複壓至大氣壓後，將第1反應器內之經低聚化之反應液移至第2反應器內。繼而，開始第2反應器內之升溫及減壓，耗費50分鐘使內部溫度為240℃，使壓力為0.2 kPa。其後，進行聚合直至成為特定攪拌動力為止。於達到特定動力之時點將氮氣導入至反應器內進行複壓，將所生成之聚酯碳酸酯系樹脂擠出至水中，切割線料而獲得顆粒。
2-2.相位差膜之製作 將所獲得之聚酯碳酸酯系樹脂(顆粒)於80℃下真空乾燥5小時後，使用具備單軸擠出機(東芝機械公司製造，料缸設定溫度：250℃)、T型模頭(寬度200 mm，設定溫度：250℃)、冷卻輥(設定溫度：120～130℃)及卷取機之膜制膜裝置，製作厚度130 μm之長條狀樹脂膜。將所獲得之長條狀樹脂膜一面以可獲得特定相位差之方式進行調整一面使其延伸，而獲得厚度48 μm之相位差膜。延伸條件係，於寬度方向上延伸溫度為143℃，延伸倍率為2.8倍。所獲得之相位差膜之Re(550)為141 nm，Re(450)/Re(550)為0.86，Nz係數為1.12。
3.附相位差層之偏光板之製作 經由丙烯酸系黏著劑(厚度15 μm)將上述2.中所獲得之相位差膜貼合於上述1.中所獲得之偏光板之偏光膜表面。此時，以偏光膜之吸收軸與相位差膜之遲相軸成45°之角度之方式進行貼合。以此方式獲得具有[相位差層/偏光膜A1/保護層]之構成之附相位差層之偏光板。
[實施例1-2] 在65℃之水中浸漬3分鐘來代替在55℃之水中浸漬9分鐘，除此以外，以與實施例1-1相同之方式獲得具有[偏光膜A2/保護層]之構成之偏光板。又，除了使用該偏光板以外，以與實施例1-1相同之方式獲得附相位差層之偏光板。
[實施例1-3] 在23℃之水中浸漬31小時來代替在55℃之水中浸漬9分鐘，除此以外，以與實施例1-1相同之方式獲得具有[偏光膜A3/保護層]之構成之偏光板。又，除了使用該偏光板以外，以與實施例1-1相同之方式獲得附相位差層之偏光板。
[比較例1] 將以與實施例1-1相同之方式所製作之具有[未脫色原膜a1/保護層]之構成之光學積層體用作偏光板。又，除了使用該偏光板以外，以與實施例1-1相同之方式獲得附相位差層之偏光板。
[實施例2-1] 使用長條狀且Tg約為75℃之非晶質之間苯二甲酸共聚聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度：100 μm)作為熱塑性樹脂基材，對樹脂基材之單面實施電暈處理。 向聚乙烯醇(聚合度4200，皂化度99.2莫耳%)及乙醯乙醯基改性PVA(日本合成化學工業公司製造，商品名「GOHSEFIMER」)以9：1混合而成之PVA系樹脂100重量份中添加碘化鉀13重量份，使由此所得者溶解於水中，而製備PVA水溶液(塗佈液)。 於樹脂基材之電暈處理面塗佈上述PVA水溶液並於60℃下進行乾燥，藉此形成厚度13 μm之PVA系樹脂層，而製作積層體。 使所獲得之積層體於130℃之烘箱內沿縱向(長度方向)單軸延伸至2.4倍(空中輔助延伸處理)。 繼而，將積層體浸漬於液溫40℃之不溶化浴(相對於水100重量份調配硼酸4重量份所獲得之硼酸水溶液)中30秒鐘(不溶化處理)。 繼而，一面調整濃度以使最終所獲得之未脫色原膜之單體透過率(Ts)為42.3%，一面浸漬於液溫30℃之染色浴(相對於水100重量份以1：7之重量比調配碘與碘化鉀所獲得之碘水溶液)中60秒鐘(染色處理)。 繼而，將其浸漬於液溫40℃之交聯浴(相對於水100重量份調配碘化鉀3重量份並調配硼酸5重量份所獲得之硼酸水溶液)中30秒鐘(交聯處理)。 其後，將積層體一面浸漬於液溫70℃之硼酸水溶液(硼酸濃度4重量%，碘化鉀濃度5重量%)中，一面於周速不同之輥間沿縱向(長度方向)以總延伸倍率為5.5倍之方式進行單軸延伸(水中延伸處理)。 其後，將積層體浸漬於液溫20℃之洗淨浴(相對於水100重量份調配碘化鉀4重量份所獲得之水溶液)中(洗淨處理)。 其後，一面在保持為約90℃之烘箱中進行乾燥，一面使其與表面溫度保持為約75℃之SUS製加熱輥接觸(乾燥收縮處理)。由乾燥收縮處理所引起之積層體之寬度方向上之收縮率為2%。 以此方式於樹脂基材上形成水分率為4.5%，厚度為5.4 μm之未脫色原膜，藉由UV(ultraviolet，紫外線)硬化型接著劑(厚度1.0 μm)將環烯烴系膜(日本瑞翁公司製造，Zeonor，厚度：25 μm)貼合於未脫色原膜之表面，其後，將樹脂基材剝離而獲得具有[未脫色原膜b1/保護層]之構成之光學積層體。
將上述光學積層體切斷成50 mm×45 mm之尺寸，將其在經由丙烯酸系黏著劑層(厚度15 μm)以未脫色原膜側表面為露出面之方式貼合於玻璃板之狀態下浸漬於50℃之水中9分鐘。繼而，於50℃下乾燥5分鐘，藉此獲得具有[偏光膜B1/保護層]之構成之偏光板。又，除了使用該偏光板以外，以與實施例1-1相同之方式獲得具有[相位差層/偏光膜B1/保護層]之構成之附相位差層之偏光板。
[實施例2-2] 在60℃之水中浸漬3分鐘來代替在50℃之水中浸漬9分鐘，除此以外，以與實施例2-1相同之方式獲得具有[偏光膜B2/保護層]之構成之偏光板。又，除了使用該偏光板以外，以與實施例1-1相同之方式獲得附相位差層之偏光板。
[比較例2] 將以與實施例2-1相同之方式所製作之具有[未脫色原膜b1/保護層]之構成之光學積層體用作偏光板。又，除了使用該偏光板以外，以與實施例1-1相同之方式獲得附相位差層之偏光板。
針對上述實施例及比較例中所獲得之未脫色原膜、偏光膜、附相位差層之偏光板，評價各種特性。將結果示於表1中。 [表1]
   接觸條件 未脫色原膜 偏光膜 附相位差層之偏光板
厚度 (μm) 水分量 (wt%) Ts 470(%) Ts 600(%) ΔTs 470 ΔTs 600 Ts 470/Ts 600 偏光膜之Ts 470/未脫色原膜之Ts 470 A 470 A 6 00 A 470/A 600 Ts(Y值) (%) 偏光度(%) 霧度 (%) Ts(Y值) (%) a*值 b*值
比較例1 無接觸 12 10 41.3 42.4 1.00 1.00 0.97 1.00 4.45 5.00 0.890 42.5 99.996 0.5 4.7 2.0 -0.6
實施例1-1 55℃，9 min 43.4 42.3 1.05 1.00 1.02 1.05 1.96 4.52 0.434 42.8 99.559 0.4 5.3 3.0 -7.8
實施例1-2 65℃, 3 min 44.5 42.3 1.08 1.00 1.05 1.08 1.62 4.18 0.388 43.0 99.107 0.3 5.5 6.7 -17.4
實施例1-3 23℃，31 hours 75.3 59.2 1.82 1.40 1.27 1.82 0.27 0.60 0.440 64.2 42.300 0.8 37.0 -5.0 -19.6
比較例2 無接觸 5.4 4.5 41.2 42.2 1.00 1.00 0.98 1.00 4.04 4.88 0.829 42.3 99.990 0.7 5.0 2.2 -1.1
實施例2-1 50℃，9 min 47.2 44.6 1.15 1.06 1.06 1.14 1.26 2.23 0.563 45.5 94.620 0.6 6.8 0.1 -12.2
實施例2-2 60℃，3 min 47.4 45.0 1.15 1.07 1.05 1.15 1.26 2.14 0.587 45.9 94.352 0.3 7.3 -1.1 -14.1
由表1表明，實施例之偏光膜滿足「1＜Ts 470/Ts 600」之關係，能夠使短波長側之光相較於長波長側之光更積極地透過。 [產業上之可利用性]
本發明之偏光膜可較佳地用於液晶顯示裝置及EL顯示裝置等圖像顯示裝置，尤其是用於有機EL顯示裝置。
10:偏光膜 12:第1保護層 14:第2保護層 20:保護層 30:相位差層 40:黏著劑層 100:偏光板 200:積層體 200a:附相位差層之偏光板 200b:附相位差層之偏光板 R1～R6:搬送輥 G1～G4:導輥
圖1係表示使用加熱輥之乾燥收縮處理之一例之概略圖。 圖2係本發明之一實施方式之偏光板之概略剖視圖。 圖3係本發明之一實施方式之偏光板之概略剖視圖。 圖4係本發明之一實施方式之偏光板之概略剖視圖。
10:偏光膜
12:第1保護層
14:第2保護層
100:偏光板

Claims (10)

  1. 一種偏光膜，其包含含碘之聚乙烯醇系樹脂膜，且 波長470 nm下之透過率大於波長600 nm下之透過率。
  2. 如請求項1之偏光膜，其霧度為1%以下。
  3. 如請求項1或2之偏光膜，其波長470 nm下之正交吸光度A 470為4.0以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之偏光膜，其波長470 nm下之正交吸光度A 470相對於波長600 nm下之正交吸光度A 600之比(A 470/A 600)為0.10～0.80。
  5. 如請求項1至4中任一項之偏光膜，其單體透過率為42.0%～65.0%，偏光度為40.0%～99.998%。
  6. 如請求項1至5中任一項之偏光膜，其厚度為12 μm以下。
  7. 一種偏光板，其包含如請求項1至6中任一項之偏光膜、及配置於該偏光膜之至少單側之保護層。
  8. 如請求項7之偏光板，其進而包含相位差層， 該相位差層之波長550 nm下之面內相位差為100 nm～190 nm， 該相位差層之遲相軸與上述偏光膜之吸收軸所成之角度為40°～50°。
  9. 一種圖像顯示裝置，其具備如請求項7或8之偏光板。
  10. 如請求項9之圖像顯示裝置，其係有機電致發光顯示裝置。
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