TW202231854A - 液晶配向劑、液晶配向膜及液晶元件 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種聚合體的溶解性高、塗布性優異、且可獲得殘留電荷的蓄積得到抑制的液晶元件的液晶配向劑。聚合體成分為下述（I）及（II）中的至少任一者：（I）含有包含結構單元（A）以及結構單元（B）的聚合體[P]，所述結構單元（A）來源於具有式（1）所表示的部分結構的二胺或具有式（1）所表示的部分結構的含聚合性不飽和鍵的化合物，所述結構單元（B）具有選自由含氮的雜環結構及下述式（2）所表示的部分結構所組成的群組中的至少一種；（II）含有包含結構單元（A）的聚合體[P1]、以及包含結構單元（B）的聚合體[P2]。A ¹為碳數5以上的一價鏈狀烴基等。R ¹為氫原子或一價有機基。「* ²」及「* ³」是與碳原子的鍵結鍵。

Description

液晶配向劑、液晶配向膜及液晶元件

本發明有關一種液晶配向劑、液晶配向膜及液晶元件。

液晶元件被應用於自大型的液晶電視到智能手機等小型的顯示裝置的廣範圍的器件或用途中。隨著此種液晶元件的多用途化，要求液晶元件的更高品質化，在液晶元件中，嘗試了改善控制液晶分子的配向的液晶配向膜的各種特性（例如，參照專利文獻1）。

在專利文獻1中公開了：使液晶配向劑中含有具有來源於具有羧基的二胺的結構的聚合體、以及具有來源於具有三級氮原子的二胺的結構的聚合體，由此改善塗膜的摩擦耐性及液晶配向膜的電特性。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本專利特開2015-92222號公報

[發明所要解決的問題] 在專利文獻1的液晶配向劑中，認為通過聚合體所具有的羧基與三級氮原子的酸-鹼相互作用而液晶配向膜中的電荷效率良好地轉移，由此能夠抑制在液晶元件中因施加直流電壓而產生的殘留電荷的蓄積。然而，此情況下，有由於羧基與三級氮原子的酸-鹼相互作用而聚合體容易凝聚的傾向，擔心塗布性會降低。

本發明是鑒於上述課題而成，主要目的在於提供一種聚合體的溶解性高、塗布性優異、且可獲得殘留電荷的蓄積得到抑制的液晶元件的液晶配向劑。

[解決問題的技術手段] 本發明者等人為解決上述課題而進行了努力研究，從而發現，通過使用具有特定結構單元的聚合體，可解決上述課題，從而完成了本發明。具體而言，根據本發明而提供以下手段。

＜1＞ 一種液晶配向劑，含有聚合體成分，所述聚合體成分為下述（I）及（II）中的至少任一者： （I）含有包含結構單元（A）以及結構單元（B）的聚合體[P]，所述結構單元（A）來源於具有由下述式（1）所表示的部分結構的二胺或具有由下述式（1）所表示的部分結構的含聚合性不飽和鍵的化合物，所述結構單元（B）具有選自由含氮的雜環結構及下述式（2）所表示的部分結構所組成的群組中的至少一種； （II）含有包含所述結構單元（A）的聚合體[P1]、以及包含所述結構單元（B）的聚合體[P2]。 [化1]

（式（1）中，A ¹為碳數5以上的一價鏈狀烴基或脂環式烴基、或者在鏈狀烴基或脂環式烴基的碳-碳鍵間具有-O-的碳數3以上的一價基。「* ¹」表示與碳原子鍵結的鍵結鍵。） [化2]

（式（2）中，R ¹為氫原子或一價有機基。「* ²」及「* ³」分別表示與碳原子鍵結的鍵結鍵。）

＜1-1＞ 一種液晶配向劑，含有包含結構單元（A）以及結構單元（B）的聚合體[P]，所述結構單元（A）來源於具有由所述式（1）所表示的部分結構的二胺，所述結構單元（B）具有選自由含氮的雜環結構及所述式（2）所表示的部分結構所組成的群組中的至少一種。 ＜2＞ 一種液晶配向膜，使用所述＜1＞的液晶配向劑而形成。 ＜3＞ 一種液晶元件，包括所述＜2＞的液晶配向膜。

[發明的效果] 關於本發明的液晶配向劑，聚合體的溶解性高，塗布性優異。另外，根據本發明的液晶配向劑，可獲得殘留電荷的蓄積得到抑制的液晶元件。

以下，對本公開的液晶配向劑中所含的各成分、及視需要任意調配的其他成分進行說明。

此外，在本說明書中，所謂「烴基」是包含鏈狀烴基、脂環式烴基及芳香族烴基的含義。所謂「鏈狀烴基」是指不含環狀結構而僅由鏈狀結構構成的直鏈狀烴基及分支狀烴基。其中，可為飽和也可為不飽和。所謂「脂環式烴基」是指僅包含脂環式烴的結構作為環結構，而不含芳香環結構的烴基。其中，無須僅由脂環式烴的結構構成，也包括在其一部分中具有鏈狀結構的基團。所謂「芳香族烴基」，是指包含芳香環結構作為環結構的烴基。其中，無須僅由芳香環結構構成，也可在其一部分中包含鏈狀結構或脂環式烴的結構。所謂「芳香環」是包含芳香族烴環及芳香族雜環的含義。所謂「有機基」，是指自包含碳的化合物（即有機化合物）中除去任意的氫原子而成的原子團。

《液晶配向劑》 本公開的液晶配向劑為含有聚合體成分的聚合體組成物。所述聚合體成分滿足下述（I）及（II）中的至少任一者。 （I）含有聚合體[P]，所述聚合體[P]包含：來源於具有由下述式（1）所表示的部分結構的二胺或具有由下述式（1）所表示的部分結構的含聚合性不飽和鍵的化合物的結構單元（以下稱為結構單元（A））；以及具有選自由含氮的雜環結構及下述式（2）所表示的部分結構所組成的群組中的至少一種的結構單元（以下稱為結構單元（B））。 （II）含有包含結構單元（A）的聚合體[P1]、以及包含結構單元（B）的聚合體[P2]。

[化3]

（式（1）中，A ¹為碳數5以上的一價鏈狀烴基或脂環式烴基、或者在鏈狀烴基或脂環式烴基的碳-碳鍵間具有-O-的碳數3以上的一價基。「* ¹」表示與碳原子鍵結的鍵結鍵。） [化4]

（式（2）中，R ¹為氫原子或一價有機基。「* ²」及「* ³」分別表示與碳原子鍵結的鍵結鍵。）

以下，首先對作為第一實施方式的（I）的形態進行說明，繼而對作為第二實施方式的（II）的形態進行說明。此外，本公開的液晶配向劑也可滿足（I）及（II）兩者。即，本公開的液晶配向劑也可包含聚合體[P]、聚合體[P1]以及聚合體[P2]。

〔第一實施方式〕 第一實施方式的液晶配向劑含有包含結構單元（A）以及結構單元（B）的聚合體[P]，所述結構單元（A）來源於具有由下述式（1）所表示的部分結構的單體，所述結構單元（B）具有選自由含氮的雜環結構及下述式（2）所表示的部分結構所組成的群組中的至少一種。構成結構單元（A）的單體為二胺或含聚合性不飽和鍵的化合物。

＜聚合體[P]＞ 結構單元（A） 由所述式（1）所表示的部分結構通過膜形成時的加熱（後烘烤）而A ¹脫離，生成羧基。在所述式（1）中，當A ¹為碳數5以上的一價鏈狀烴基時，所述鏈狀烴基可為直鏈狀也可為分支狀。就獲得溶解性優異的聚合體的觀點而言，當A ¹為鏈狀烴基時，所述鏈狀烴基的碳數為5以上。另外，就使液晶配向膜的面內均勻性良好的觀點、及減少液晶元件中蓄積的殘留電荷的觀點而言，A ¹為鏈狀烴基時的碳數較佳為20以下，更佳為15以下，進而較佳為12以下。當A ¹為鏈狀烴基時，就示出良好的熱脫離性的方面而言，A ¹較佳為烷基，特別佳為三級烷基。

當A ¹為碳數5以上的一價脂環式烴基時，所述脂環式烴基可飽和也可不飽和，但其中較佳為飽和。當A ¹為脂環式烴基時，就獲得示出良好溶解性的聚合體的觀點而言，所述脂環式烴基的碳數為5以上，較佳為6以上。另外，就使液晶配向膜的面內均勻性良好的觀點、及減少液晶元件中蓄積的電荷的觀點而言，A ¹為脂環式烴基時的碳數較佳為20以下，更佳為15以下。

當所述式（1）中的A ¹為碳數5以上的一價鏈狀烴基或脂環式烴基時，其中，就熱脫離性良好的方面而言，由所述式（1）所表示的部分結構較佳為下述式（Y-1）所表示的部分結構。 [化5]

（式（Y-1）中，R ³及R ⁴分別獨立地為烷基，或者表示R ³與R ⁴相互結合並與R ³及R ⁴所鍵結的碳原子一起構成的碳數4以上的環結構。R ⁵為烷基。其中，在R ³及R ⁴均為甲基的情況下，R ⁵為碳數2以上。「*」表示鍵結鍵。）

作為所述式（Y-1）所表示的部分結構的具體例，可列舉下述式（M-1）～式（M-20）分別所表示的結構等。 [化6]

（式（M-1）～式（M-20）中，「*」表示與碳原子鍵結的鍵結鍵。）

當A ¹為在鏈狀烴基或脂環式烴基的碳-碳鍵間具有-O-的碳數3以上的一價基時，作為所述式（1）所表示的基，可列舉具有羧酸的縮醛酯結構或羧酸的縮酮酯結構的基。在A ¹中，就使液晶配向膜的面內均勻性良好的觀點、及減少液晶元件中蓄積的電荷的觀點而言，在鏈狀烴基或脂環式烴基的碳-碳鍵間具有-O-的一價基的碳數較佳為20以下，更佳為15以下。

作為羧酸的縮醛酯結構，例如可列舉下述式（X-1）及式（X-2）分別所表示的基等。 [化7]

（式（X-1）中，R ⁴及R ⁵分別獨立地為碳數1～15的烷基、或碳數3～15的環烷基。式（X-2）中，r為2～10的整數。「*」表示與碳原子鍵結的鍵結鍵。）

作為所述式（X-1）所表示的基的具體例，例如可列舉：1-甲氧基乙氧基羰基、1-乙氧基乙氧基羰基、1-丙氧基乙氧基羰基、1-丁氧基乙氧基羰基、1-環戊基氧基乙氧基羰基、1-環己基氧基乙氧基羰基、1-降冰片基氧基乙氧基羰基、(環己基)(甲氧基)甲氧基羰基、(環己基)(乙氧基)甲氧基羰基等。 作為所述式（X-2）所表示的基，例如可列舉2-四氫呋喃基氧基羰基、2-四氫吡喃基氧基羰基等。

作為羧酸的縮酮酯結構，例如可列舉下述式（X-3）～式（X-5）分別所表示的基等。 [化8]

（式（X-3）中，R ⁶為碳數1～12的烷基，R ⁷及R ⁸分別獨立地為碳數1～12的烷基或碳數3～20的脂環式烴基。式（X-4）中，R ⁹為碳數1～12的烷基。t為2～8的整數。式（X-5）中，R ¹⁰為碳數1～12的烷基。u為2～8的整數。「*」表示與碳原子鍵結的鍵結鍵。）

作為所述式（X-3）所表示的基的具體例，例如可列舉：1-甲基-1-甲氧基乙氧基羰基、1-甲基-1-乙氧基乙氧基羰基、1-甲基-1-丙氧基乙氧基羰基、1-甲基-1-丁氧基乙氧基羰基、1-甲基-1-環己基氧基乙氧基羰基、1-甲基-1-降冰片基氧基乙氧基羰基、1-環己基-1-甲氧基乙氧基羰基、1-環己基-1-丙氧基乙氧基羰基等。 作為所述式（X-4）所表示的基的具體例，例如可列舉：2-(2-甲基四氫呋喃基)氧基羰基、2-(2-甲基四氫吡喃基)氧基羰基等。 作為所述式（X-5）所表示的基，例如可列舉1-甲氧基環戊基氧基羰基、1-甲氧基環己基氧基羰基等。

就可獲得均衡地示出液晶配向劑的塗布性、液晶配向膜的面內均勻性、及液晶元件中蓄積的殘留電荷的減少效果的液晶配向劑的方面而言，結構單元（A）所具有的由所述式（1）所表示的部分結構較佳為選自由所述式（Y-1）所表示的結構、羧酸的縮醛酯結構、及羧酸的縮酮酯結構所組成的群組中的至少一種。所述式（1）中的鍵結鍵（* ¹）較佳為鍵結於烴基或構成雜環的烴結構，更佳為鍵結於芳香族烴環。

構成結構單元（A）的單體中，具有由所述式（1）所表示的部分結構的二胺（以下也稱為「第一單體」）只要是具有由所述式（1）所表示的部分結構以及兩個一級胺基的化合物即可，並無特別限定。作為第一單體，例如可列舉：下述式（4-1）所表示的化合物、式（4-2）所表示的化合物、式（4-3）所表示的化合物、及式（4-4）所表示的化合物等。 [化9]

（式（4-1）～式（4-4）中，X ³及X ⁵分別獨立地為單鍵、碳數1～3的烷二基、碳數1～3的氟烷二基、-O-、-S-、-COO-、-CH ₂O-、-NR ¹¹-或-CONR ¹¹-。R ¹¹為氫原子或碳數1～3的烷基。X ⁴為碳數1～5的烷二基。R ¹⁰為碳數1～10的烷基、或所述烷基所具有的氫原子的至少一個經所述式（1）所表示的基取代而成的一價基。A ¹與所述式（1）中的A ¹為相同含義。m1為1～4的整數。m2為0～4的整數。）

在所述式（4-1）～式（4-4）中，m1較佳為1或2，更佳為1。m2較佳為0～2，更佳為0或1。關於A ¹，可援用上述說明。

構成結構單元（A）的單體中，具有由所述式（1）所表示的部分結構的含聚合性不飽和鍵的化合物（以下也稱為「第二單體」）只要是具有由所述式（1）所表示的部分結構、以及聚合性不飽和鍵結基的化合物即可，並無特別限定。作為第二單體所具有的聚合性不飽和鍵結基，可列舉：(甲基)丙烯醯基、馬來醯亞胺基、乙烯基（包括烯基、乙烯基苯基、乙烯基醚基等中所含的乙烯基）等。作為第二單體的具體例，例如可列舉：下述式（6-1）所表示的化合物、式（6-2）所表示的化合物、及式（6-3）所表示的化合物等。 [化10]

（式（6-1）～式（6-3）中，E ¹為氫原子或甲基。E ²及E ³分別獨立地為二價烴基。A ¹與所述式（1）中的A ¹為相同含義。k為1～4的整數。）

在聚合體[P]中，就充分提高溶解性的改善效果、並且充分減少液晶元件中殘留電荷的蓄積的觀點而言，相對於聚合體[P]所具有的來源於單體的結構單元的總量（100莫耳%），結構單元（A）的含有比例較佳為2.5莫耳%以上。相對於聚合體[P]所具有的來源於單體的結構單元的總量，結構單元（A）的含有比例更佳為5莫耳%以上，進而較佳為10莫耳%以上，進而更佳為15莫耳%以上。另外，就使聚合體[P]所具有的結構單元（A）與結構單元（B）的比率成為較佳的範圍、更有效率地減少殘留電荷的蓄積的觀點而言，在結構單元（A）為來源於第一單體的結構單元的情況下，相對於聚合體[P]所具有的來源於單體的結構單元的總量，結構單元（A）的含有比例較佳為40莫耳%以下，更佳為35莫耳%以下，進而較佳為30莫耳%以下，進而更佳為25莫耳%以下。在結構單元（A）為來源於第二單體的結構單元的情況下，相對於聚合體[P]所具有的來源於單體的結構單元的總量，結構單元（A）的含有比例較佳為60莫耳%以下，更佳為55莫耳%以下，進而較佳為50莫耳%以下。此外，聚合體[P]所具有的結構單元（A）可僅為一種，也可為兩種以上。

結構單元（B） 結構單元（B）具有選自由含氮的雜環結構及所述式（2）所表示的部分結構所組成的群組中的至少一種（以下也稱為「特定含氮的結構」）。

結構單元（B）所具有的含氮的雜環結構可為芳香族雜環結構，也可為非芳香族雜環結構。作為它們的具體例，含氮的芳香族雜環結構例如可列舉具有吡咯環、咪唑環、吡唑環、***環、吡啶環、嘧啶環、噠嗪環、喹啉環、苯並咪唑環、咔唑環及吡嗪環、以及在這些環中具有取代基（例如，甲基、乙基等）的雜環的結構。含氮的非芳香族雜環結構例如可列舉具有哌啶環、哌嗪環、嗎啉環及六亞甲基亞胺環、以及在這些環中導入了取代基（例如，甲基、乙基等）的雜環的結構。它們中，結構單元（B）所具有的含氮的雜環結構較佳為具有選自由吡啶環、嘧啶環、吡嗪環、哌啶環、哌嗪環、喹啉環、苯並咪唑環及咔唑環所組成的群組中的至少一種的結構。

作為所述式（2）所表示的部分結構，可列舉二級胺基及三級胺基。在所述式（2）中，R ¹的一價有機基較佳為碳數1～10的一價烴基、或者利用熱或光而脫離的一價脫離性基（以下，也簡稱為「脫離性基」）。在R ¹為一價烴基的情況下，所述一價烴基較佳為碳數1～3的烷基、環己基或苯基，更佳為碳數1～3的烷基。

在R ¹為脫離性基的情況下，所述脫離性基較佳為利用熱而脫離的一價基（以下，也稱為「熱脫離性基」），例如可列舉：胺甲酸酯（carbamate）系保護基、醯胺系保護基、醯亞胺系保護基、磺醯胺系保護基等。它們中，就基於熱的脫離性高的方面而言，較佳為胺甲酸酯系保護基，作為其具體例，可列舉：叔丁氧基羰基、苄氧基羰基、1,1-二甲基-2-鹵代乙基氧基羰基、烯丙氧基羰基、2-(三甲基矽烷基)乙氧基羰基等。其中，就基於熱的脫離性優異、且可減少脫保護的部分在膜中的殘存量的方面而言，特別佳為叔丁氧基羰基（t-Boc（t-butyloxy carbonyl）基）。

R ¹較佳為氫原子、碳數1～12的一價烴基或熱脫離性基，更佳為氫原子、碳數1～6的一價烴基或叔丁氧基羰基。其中，就可進一步提高液晶元件中蓄積電荷的減少效果的方面而言，特別佳為氫原子、甲基或乙基。所述式（2）中的兩個鍵結鍵（* ²、* ³）較佳為鍵結於烴基或構成雜環的烴結構，更佳為兩個鍵結鍵中的至少一個鍵結於芳香環（芳香族烴環或芳香族雜環）。

聚合體[P]可在主鏈中具有特定含氮的結構，也可在側鏈部分具有特定含氮的結構。此處，在本說明書中，所謂聚合體的「主鏈」，是指聚合體中包含最長的原子的鏈的「主幹」部分。此外，容許所述「主幹」部分包含環結構。即，所謂「在主鏈具有特定含氮的結構」，是指所述結構構成主鏈的一部分。所謂「側鏈」是指自聚合體的「主幹」分支的部分。

獲得包含結構單元（B）的聚合體的方法並無特別限定。就可比較簡便地製造聚合體[P]的方面而言，較佳為使用具有選自由含氮的雜環及所述式（2）所表示的部分結構所組成的群組中的至少一種的單體（以下也稱為「第三單體」）進行聚合。

在結構單元（A）為來源於第一單體的結構單元的情況下，就簡便地獲得在一分子內包含結構單元（A）及結構單元（B）的聚合體的觀點而言，第三單體較佳為二胺化合物。具體而言，較佳為選自由下述式（3-1）所表示的化合物、下述式（3-2）所表示的化合物及下述式（3-3）所表示的化合物所組成的群組中的至少一種。 [化11]

（式（3-1）中，B ¹及B ³分別獨立地為二價芳香族烴基、二價含氮的雜環基、或-Z ¹-O-Z ²-（其中，Z ¹及Z ²分別獨立地為二價芳香族烴基。）。B ²為單鍵、二價烴基、或者在所述烴基的碳-碳鍵間具有選自由-O-、-NR ²-及-CO-NR ²-（其中，R ²為氫原子或一價有機基。）所組成的群組中的至少一種的二價基。X ¹及X ²分別獨立地為二價含氮的雜環基、或者所述式（2）所表示的二價基。L ¹及L ²分別獨立地為單鍵或二價連結基。m為0～2的整數。 式（3-2）中，B ⁴為二價有機基。Y ¹為具有選自由含氮的雜環及所述式（2）所表示的部分結構所組成的群組中的至少一種的一價基。 式（3-3）中，B ⁵為二價含氮的芳香環基。）

在所述式（3-1）中，作為B ¹及B ³的芳香族烴基，可列舉自苯環、萘環、蒽環等芳香族烴環除去兩個氫原子而成的基。B ¹及B ³中的芳香族烴基可在環部分具有取代基。作為所述取代基，例如可列舉：甲基、乙基等烷基；甲氧基、乙氧基等烷氧基；鹵素原子等。B ¹及B ³的含氮的雜環基較佳為自芳香族雜環除去兩個氫原子而成的基。所述芳香族雜環較佳為吡啶環、嘧啶環、吡嗪環或苯並咪唑環。 在B ²中，作為二價烴基，可列舉鏈狀烴基、脂環式烴基及芳香族烴基。作為R ²的一價有機基，可列舉碳數1～10的一價烴基及脫離性基。

當X ¹、X ²為二價含氮的雜環基時，作為所述含氮的雜環基，可列舉自作為結構單元（B）所具有的含氮的雜環結構而例示的含氮的雜環除去兩個氫原子而成的基。當X ¹、X ²為二價含氮的雜環基時，其中，X ¹、X ²較佳為自吡啶環、嘧啶環、吡嗪環、哌啶環、哌嗪環、喹啉環、苯並咪唑環或咔唑環、或者在這些環中導入了取代基（甲基、乙基等）的雜環除去兩個氫原子而成的基。 m較佳0或1。 L ¹、L ²較佳為單鍵或烷二基，更佳為單鍵。

在所述式（3-2）中，二價有機基較佳為具有芳香環的基，更佳為式（3-2）中的兩個一級胺基鍵結於同一芳香環或不同芳香環的基。所述芳香環較佳為芳香族烴環，更佳為苯環。

當Y ¹為具有含氮的雜環的一價基時，作為所述含氮的雜環，可列舉作為結構單元（B）所具有的含氮的雜環結構而例示的含氮的雜環等。當Y ¹為具有含氮的雜環的一價基時，其中，Y ¹較佳為具有吡啶環、嘧啶環、吡嗪環、哌啶環、哌嗪環、苯並咪唑環或喹啉環、或者在這些環中導入了取代基（甲基、乙基等）的雜環。這些雜環可與所述式（3-2）中的B ⁴直接鍵結，也可經由n價的連結基（其中，n為2以上的整數）鍵結。作為n價的連結基，可列舉：-O-、-NR-、-CO-NR-、碳數1～5的n價的鏈狀烴基、所述鏈狀烴基的任意的亞甲基被取代為-O-、-COO-、-NR-或-CO-NR-而成的二價基（其中，R為氫原子或一價有機基）等。

在所述式（3-3）中，作為B ⁵所具有的含氮的芳香環，可列舉：吡啶環、嘧啶環、吡嗪環、喹啉環、咔唑環、苯並咪唑環等。

在第三單體為二胺化合物的情況下，作為第三單體的具體例，例如可列舉：4,4'-二胺基二苯基胺、N-甲基-4,4'-二胺基二苯基胺、N-乙基-4,4'-二胺基二苯基胺、N-苯基-4,4'-二胺基二苯基胺、2,6-二胺基吡啶、3,4-二胺基吡啶、2,4-二胺基嘧啶、3,6-二胺基咔唑、N-甲基-3,6-二胺基咔唑、1,4-雙-(4-胺基苯基)-哌嗪、3,6-二胺基吖啶、N-乙基-3,6-二胺基咔唑、N-苯基-3,6-二胺基咔唑、N,N'-雙(4-胺基苯基)-聯苯胺、下述式（5-1）～式（5-22）分別所表示的化合物等。 [化12]

[化13]

[化14]

（式（5-1）～式（5-22）中，t為1～12的整數。n為1～5的整數。t-Boc表示叔丁氧基羰基。）

在結構單元（A）為來源於第二單體的結構單元的情況下，就簡便地獲得在一分子內包含結構單元（A）及結構單元（B）的聚合體的觀點而言，第三單體較佳為含聚合性不飽和鍵的化合物。作為第三單體的含聚合性不飽和鍵的化合物只要是具有特定含氮的結構以及聚合性不飽和鍵結基的化合物即可，並無特別限定。作為第三單體所具有的聚合性不飽和鍵結基，可列舉：(甲基)丙烯醯基、馬來醯亞胺基、乙烯基（包括烯基、乙烯基苯基、乙烯基醚基等中所含的乙烯基）等。

在第三單體為含聚合性不飽和鍵的化合物的情況下，作為第三單體的具體例，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-(二甲基胺基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(二乙基胺基)乙酯、(甲基)丙烯酸3-(二甲基胺基)丙酯、N-(4-二甲基胺基苯基)馬來醯亞胺、N-(4-二乙基胺基苯基)馬來醯亞胺、4-(二甲基胺基)苯乙烯、4-(二乙基胺基)苯乙烯、下述式（N-1）～式（N-9） [化15]

分別所表示的化合物等。此外，式（N-3）中的R為氫原子或甲基。

在聚合體[P]中，就充分提高溶解性的改善效果、並且充分減少殘留電荷的蓄積的觀點而言，相對於聚合體[P]所具有的來源於單體的結構單元的總量，結構單元（B）的含有比例較佳為0.25莫耳%以上。相對於聚合體[P]所具有的來源於單體的結構單元的總量，結構單元（B）的含有比例更佳為0.5莫耳%以上，進而較佳為2.5莫耳%以上。另外，在結構單元（A）為來源於第一單體的結構單元的情況下，就使聚合體[P]所具有的結構單元（A）與結構單元（B）的比率成為較佳的範圍、更有效率地減少殘留電荷的蓄積的觀點而言，相對於聚合體[P]所具有的來源於單體的結構單元的總量，結構單元（B）的含有比例較佳為45莫耳%以下，更佳為35莫耳%以下，進而較佳為30莫耳%以下，進而更佳為25莫耳%以下。在結構單元（A）為來源於第二單體的結構單元的情況下，相對於聚合體[P]所具有的來源於單體的結構單元的總量，結構單元（B）的含有比例較佳為50莫耳%以下，更佳為45莫耳%以下，進而較佳為40莫耳%以下。此外，聚合體[P]所具有的結構單元（B）可僅為一種，也可為兩種以上。

關於聚合體[P]所具有的結構單元（A）及結構單元（B）的比例，就充分獲得聚合體的溶解性及對殘留電荷的蓄積的減少效果的觀點而言，相對於聚合體[P]所具有的來源於單體的結構單元的總量，較佳為結構單元（A）的比例為5莫耳%～40莫耳%、且結構單元（B）的比例為0.25莫耳%～45莫耳%。就所述觀點而言，結構單元（A）及結構單元（B）的比例更佳為結構單元（A）的比例為10莫耳%～40莫耳%、且結構單元（B）的比例為0.5莫耳%～30莫耳%，進而較佳為結構單元（A）的比例為10莫耳%～30莫耳%、且結構單元（B）的比例為2.5莫耳%～30莫耳%，進而更佳為結構單元（A）的比例為15莫耳%～25莫耳%、且結構單元（B）的比例為2.5莫耳%～15莫耳%。

關於聚合體[P]所具有的結構單元（A）與結構單元（B）的比率，就充分獲得聚合體的溶解性、及對殘留電荷的蓄積的減少效果的觀點而言，較佳為結構單元（A）：結構單元（B）=1：0.01～3（莫耳比）。聚合體[P]所具有的結構單元（A）與結構單元（B）的比率（莫耳比）更佳為1：0.025～3，進而較佳為1：0.125～3，進而更佳為1：0.15～3。在第一單體為二胺化合物的情況下，相對於聚合體[P]所具有的來源於單體的結構單元的總量，聚合體[P]所具有的結構單元（A）與結構單元（B）的合計量較佳為50莫耳%以下。另外，在第一單體為含聚合性不飽和鍵的化合物的情況下，相對於聚合體[P]所具有的來源於單體的結構單元的總量，較佳為60莫耳%以下，更佳為50莫耳%以下。

關於聚合體[P] 聚合體[P]的主鏈並無特別限定。其中，就可形成與液晶的親和性及機械強度高、且可靠性高的液晶配向膜的方面、及單體的選擇自由度高的方面而言，聚合體[P]較佳為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺及加成聚合體所組成的群組中的至少一種。

（聚醯胺酸） 在聚合體[P]為聚醯胺酸的情況下，所述聚醯胺酸（以下也稱為「聚醯胺酸[P]」）較佳為通過使四羧酸二酐與包含第一單體及第三單體的二胺化合物反應的方法而製造。

（四羧酸二酐） 作為聚醯胺酸[P]的合成中使用的四羧酸二酐，例如可列舉：脂肪族四羧酸二酐、脂環式四羧酸二酐、芳香族四羧酸二酐等。作為它們的具體例，脂肪族四羧酸二酐可列舉1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、乙二胺四乙酸二酐等；脂環式四羧酸二酐可列舉：1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、2,3,5-三羧基環戊基乙酸二酐、5-(2,5-二氧代四氫呋喃-3-基)-3a,4,5,9b-四氫萘並[1,2-c]呋喃-1,3-二酮、5-(2,5-二氧代四氫呋喃-3-基)-8-甲基-3a,4,5,9b-四氫萘並[1,2-c]呋喃-1,3-二酮、2,4,6,8-四羧基雙環[3.3.0]辛烷-2:4,6:8-二酐、環戊烷四羧酸二酐、環己烷四羧酸二酐等；芳香族四羧酸二酐可列舉均苯四甲酸二酐、4,4'-(六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸酐、乙二醇雙偏苯三酸酐酯、4,4'-羰基二鄰苯二甲酸酐等，除此以外可使用日本專利特開2010-97188號公報中所記載的四羧酸二酐。作為四羧酸二酐，可單獨使用一種或者將兩種以上組合使用。

就可獲得相對於溶劑的溶解性高、示出良好的電特性及低殘像特性的液晶配向膜的方面而言，聚醯胺酸[P]的合成中使用的四羧酸二酐較佳為包含選自由脂肪族四羧酸二酐及脂環式四羧酸二酐所組成的群組中的至少一種化合物，更佳為包含脂環式四羧酸二酐。相對於聚醯胺酸[P]的合成中使用的四羧酸二酐的總量，脂環式四羧酸二酐的使用比例較佳為20莫耳%以上，更佳為40莫耳%以上，進而較佳為50莫耳%以上。

（二胺化合物） 聚醯胺酸[P]的合成中使用的二胺化合物可僅為第一單體及第三單體，也可並用與第一單體及第三單體不同的二胺（以下也稱為「其他二胺」）。作為其他二胺，可列舉：脂肪族二胺、脂環式二胺、芳香族二胺、二胺基有機矽氧烷等。

作為其他二胺的具體例，脂肪族二胺可列舉間二甲苯二胺、六亞甲基二胺等；脂環式二胺可列舉1,4-二胺基環己烷、4,4'-亞甲基雙(環己基胺)等；芳香族二胺可列舉對苯二胺、4,4'-二胺基二苯基甲烷、4-胺基苯基-4-胺基苯甲酸酯、4,4'-二胺基偶氮苯、3,5-二胺基苯甲酸、1,5-雙(4-胺基苯氧基)戊烷、1,2-雙(4-胺基苯氧基)乙烷、1,3-雙(4-胺基苯氧基)丙烷、1,6-雙(4-胺基苯氧基)己烷、雙[2-(4-胺基苯基)乙基]己二酸、4,4'-二胺基二苯基醚、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、4,4'-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、4,4'-(亞苯基二亞異丙基)雙苯胺、1-胺基-3-胺基甲基苯、4,4'-雙(4-胺基苯氧基)聯苯等主鏈型二胺； 十六烷氧基-2,4-二胺基苯、十八烷氧基-2,4-二胺基苯、十八烷氧基-2,5-二胺基苯、膽甾烷基氧基-3,5-二胺基苯、膽甾醇氧基-3,5-二胺基苯、膽甾烷基氧基-2,4-二胺基苯、膽甾醇氧基-2,4-二胺基苯、3,5-二胺基苯甲酸膽甾烷基酯、3,5-二胺基苯甲酸膽甾醇、3,5-二胺基苯甲酸羊毛甾烷基酯、3,6-雙(4-胺基苯甲醯基氧基)膽甾烷、3,6-雙(4-胺基苯氧基)膽甾烷、4-(4'-三氟甲氧基苯甲醯氧基)環己基-3,5-二胺基苯甲酸酯、1,1-雙(4-((胺基苯基)甲基)苯基)-4-丁基環己烷、3,5-二胺基苯甲酸=5ξ-膽甾烷-3-基、下述式（E-1） [化16]

（式（E-1）中，X ^I及X ^II分別獨立地表示單鍵、-O-、*-COO-或*-OCO-（其中，「*」表示與X ^I的鍵結鍵。）。R ^I為碳數1～3的烷二基。R ^II為單鍵或碳數1～3的烷二基。R ^III為碳數1～20的烷基、烷氧基、氟烷基、或氟烷氧基。a為0或1。b為0～3的整數。c為0～2的整數。d為0或1。其中，1≦a+b+c≦3。） 所表示的化合物、在側鏈具有肉桂酸酯結構的二胺等側鏈型二胺等， 二胺基有機矽氧烷可列舉1,3-雙(3-胺基丙基)-四甲基二矽氧烷等。作為所述式（E-1）所表示的化合物，例如可列舉下述式（E-1-1）～式（E-1-4）分別所表示的化合物等。 [化17]

在合成聚醯胺酸[P]時，相對於聚醯胺酸[P]的合成中使用的二胺化合物的總量，其他二胺的使用比例較佳為70莫耳%以下，更佳為60莫耳%以下，進而較佳為50莫耳%以下。作為其他二胺，可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。

（聚醯胺酸的合成） 聚醯胺酸[P]可通過使四羧酸二酐與二胺化合物，視需要與分子量調整劑一起進行反應而獲得。在聚醯胺酸[P]的合成反應中，四羧酸二酐與二胺化合物的使用比例較佳為相對於二胺化合物的胺基1當量而四羧酸二酐的酸酐基成為0.2當量～2當量的比例。作為分子量調整劑，例如可列舉：馬來酸酐、鄰苯二甲酸酐、衣康酸酐等酸單酐，苯胺、環己胺、正丁胺等單胺化合物，異氰酸苯酯、異氰酸萘酯等單異氰酸酯化合物等。相對於所使用的四羧酸二酐以及二胺化合物的合計100質量份，分子量調整劑的使用比例較佳設為20質量份以下。

聚醯胺酸[P]的合成反應較佳的是在有機溶媒中進行。此時的反應溫度較佳為-20℃～150℃，反應時間較佳為0.1小時～24小時。作為反應中使用的有機溶媒，例如可列舉：非質子性極性溶媒、酚系溶媒、醇系溶媒、酮系溶媒、酯系溶媒、醚系溶媒、鹵化烴、烴等。作為它們的具體例，較佳為使用選自由N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、γ-丁內酯、四甲基脲、六甲基磷醯三胺、間甲酚、二甲酚及鹵化苯酚所組成的群組中的一種以上作為反應溶媒，或者使用這些的一種以上與其他有機溶媒（例如丁基溶纖劑、二乙二醇二***等）的混合物。有機溶媒的使用量（a）較佳設為四羧酸二酐及二胺的合計量（b）相對於反應溶液的總量（a+b）而成為0.1質量%～50質量%的量。

以所述方式而獲得溶解聚醯胺酸[P]而成的聚合體溶液。所述聚合體溶液可直接供於液晶配向劑的製備，也可在將聚合體溶液中所含的聚醯胺酸[P]分離後供於液晶配向劑的製備。

＜聚醯胺酸酯＞ 在聚合體[P]為聚醯胺酸酯的情況下，所述聚醯胺酸酯（以下也稱為「聚醯胺酸酯[P]」）例如可通過如下方法等而獲得：[I]使聚醯胺酸[P]與酯化劑反應的方法；[II]使四羧酸二酯與包含特定二胺的二胺化合物反應的方法；[III]使四羧酸二酯二鹵化物與包含特定二胺的二胺化合物反應的方法。聚醯胺酸酯[P]可僅具有醯胺酸酯結構，也可為醯胺酸結構與醯胺酸酯結構並存的部分酯化物。使聚醯胺酸酯[P]溶解而成的反應溶液可直接供於液晶配向劑的製備，也可在將反應溶液中所含的聚醯胺酸酯[P]分離後供於液晶配向劑的製備。

＜聚醯亞胺＞ 在聚合體[P]為聚醯亞胺的情況下，所述聚醯亞胺（以下也稱為「聚醯亞胺[P]」），例如可通過對以所述方式合成的聚醯胺酸[P]進行脫水閉環並加以醯亞胺化而獲得。聚醯亞胺[P]可為對作為其前體的聚醯胺酸[P]所具有的全部醯胺酸結構進行脫水閉環而成的完全醯亞胺化物，也可為僅對醯胺酸結構的一部分進行脫水閉環，使醯胺酸結構與醯亞胺環結構並存的部分醯亞胺化物。聚醯亞胺[P]較佳為醯亞胺化率為20%～99%，更佳為30%～90%。此外，醯亞胺化率是以百分率來表示醯亞胺環結構的數量相對於聚醯亞胺的醯胺酸結構的數量與醯亞胺環結構的數量的合計而言所占的比例。此處，醯亞胺環的一部分可為異醯亞胺環。

聚醯胺酸[P]的脫水閉環較佳為利用將聚醯胺酸[P]溶解於有機溶媒中，在所述溶液中添加脫水劑及脫水閉環催化劑，視需要進行加熱的方法來進行。所述方法中，作為脫水劑，例如可使用乙酸酐、丙酸酐、三氟乙酸酐等酸酐。相對於聚醯胺酸[P]的醯胺酸結構的1莫耳，脫水劑的使用量較佳設為0.01莫耳～20莫耳。作為脫水閉環催化劑，例如可使用吡啶、三甲吡啶、二甲吡啶、三乙胺等三級胺。相對於所使用的脫水劑1莫耳，脫水閉環催化劑的使用量較佳設為0.01莫耳～10莫耳。作為脫水閉環反應中所使用的有機溶媒，可列舉作為聚醯胺酸[P]的合成中所使用的有機溶媒而例示的有機溶媒。脫水閉環反應的反應溫度較佳為0℃～180℃。反應時間較佳為1.0小時～120小時。此外，含有聚醯亞胺[P]的反應溶液可直接供於液晶配向劑的製備，也可在將聚醯亞胺[P]分離後供於液晶配向劑的製備。

關於聚合體[P]的溶液黏度，當製成濃度10質量%的溶液時，較佳為具有10 mPa·s～800 mPa·s的溶液黏度，更佳為具有15 mPa·s～500 mPa·s的溶液黏度。此外，溶液黏度（mPa·s）是使用E型旋轉黏度計，在25℃下對使用聚合體[P]的良溶媒（例如，γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯烷酮等）所製備的濃度10質量%的聚合體溶液測定而得的值。

聚合體[P]的通過凝膠滲透色譜法（gel permeation chromatography，GPC）測定的聚苯乙烯換算的重量平均分子量（Mw）較佳為1,000～500,000，更佳為2,000～300,000。另外，由Mw與通過GPC測定的聚苯乙烯換算的數量平均分子量（Mn）的比表示的分子量分佈（Mw/Mn）較佳為7以下，更佳為5以下。

（加成聚合體） 在聚合體[P]為加成聚合體的情況下，所述加成聚合體（以下也稱為「加成聚合體[P]」）可通過將包含第二單體及第三單體的含聚合性不飽和鍵的化合物聚合而獲得。就可形成液晶配向性優異的液晶配向膜的方面而言，加成聚合體[P]較佳為選自由聚(甲基)丙烯酸酯及馬來醯亞胺系聚合體（包括苯乙烯-馬來醯亞胺系共聚體）所組成的群組中的至少一種。

在合成加成聚合體[P]時，也可使用除第二單體及第三單體以外的單體（以下也稱為「其他含聚合性不飽和鍵的化合物」）。作為其他含聚合性不飽和鍵的化合物，可列舉：(甲基)丙烯酸化合物、苯乙烯化合物、共軛二烯化合物、馬來醯亞胺化合物等。

作為其他含聚合性不飽和鍵的化合物的具體例，(甲基)丙烯酸化合物例如可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯（例如，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯等）、(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸三甲氧基矽烷基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧環己基甲酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧基丁酯、及(甲基)丙烯酸4-羥基丁基縮水甘油酯等不飽和羧酸酯。

苯乙烯化合物可列舉：苯乙烯、甲基苯乙烯、二乙烯基苯及4-(縮水甘油氧基甲基)苯乙烯等。共軛二烯化合物可列舉1,3-丁二烯及2-甲基-1,3-丁二烯等。馬來醯亞胺化合物可列舉：N-甲基馬來醯亞胺、N-環己基馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺、N-(4-縮水甘油基氧基苯基)馬來醯亞胺、N-縮水甘油基馬來醯亞胺等。在合成加成聚合體[P]時，作為其他不飽和單體，可單獨使用一種，也可組合使用兩種以上。

加成聚合體[P]例如可通過在聚合引發劑的存在下將單體聚合而獲得。作為所使用的聚合引發劑，例如較佳為2,2'-偶氮雙(異丁腈)、2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮雙(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)等偶氮化合物。相對於反應中使用的所有單體100質量份，聚合引發劑的使用比例較佳設為0.01質量份～30質量份。

聚合反應較佳為在有機溶媒中進行。作為反應中使用的有機溶媒，例如可列舉醇、醚、酮、醯胺、酯、烴化合物等，較佳為二乙二醇乙基甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯等。反應溫度較佳設為30℃～120℃，反應時間較佳設為1小時～36小時。有機溶媒的使用量（a）較佳設為反應中使用的單體的合計量（b）相對於反應溶液的全體量（a+b）而成為0.1質量%～60質量%的量。

對於加成聚合體[P]，通過GPC測定的聚苯乙烯換算的重量平均分子量（Mw）較佳為250～500,000，更佳為500～100,000。另外，由Mw與通過GPC測定的聚苯乙烯換算的數量平均分子量（Mn）的比表示的分子量分佈（Mw/Mn）較佳為8以下，更佳為6以下。

相對於液晶配向劑中所含的固體成分的總量（即，液晶配向劑的除溶媒以外的成分的合計質量），液晶配向劑中的聚合體[P]的含有比例較佳為40質量%以上，更佳為50質量%以上，進而較佳為60質量%以上。此外，在製備液晶配向劑時，作為聚合體[P]，可單獨使用一種，也可將兩種以上組合使用。

＜其他成分＞ 液晶配向劑除了含有聚合體[P]以外，視需要也可含有與聚合體[P]不同的成分（以下也稱為「其他成分」）。

（其他聚合體） 本公開的液晶配向劑也可含有不具有結構單元（A）及結構單元（B）中的至少一者的聚合體（以下也稱為「其他聚合體（1）」）作為聚合體成分。其他聚合體（1）的主骨架並無特別限定。作為其他聚合體（1），例如可列舉：聚醯胺酸、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺、聚有機矽氧烷、聚酯、聚烯胺、聚脲、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯並噁唑前體、聚苯並噁唑、纖維素衍生物、聚縮醛、(甲基)丙烯酸系聚合體、苯乙烯系聚合體、馬來醯亞胺系聚合體、或苯乙烯-馬來醯亞胺系共聚體。其中，就與聚合體[P]並用時和液晶的親和性高的方面、及可提高液晶元件的可靠性的方面而言，其他聚合體（1）較佳為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺、聚有機矽氧烷、及包含來源於具有碳-碳不飽和鍵的單體的結構單元的聚合體所組成的群組中的至少一種。包含來源於具有碳-碳不飽和鍵的單體的結構單元的聚合體較佳為選自由(甲基)丙烯酸系聚合體、苯乙烯系聚合體、馬來醯亞胺系聚合體、及苯乙烯-馬來醯亞胺系共聚體所組成的群組中的至少一種。

在使液晶配向劑含有其他聚合體（1）的情況下，相對於聚合體[P]與其他聚合體（1）的合計量，其他聚合體（1）的含有比例較佳為50質量%以下，更佳為40質量%以下，進而較佳為30質量%以下。作為其他聚合體，可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。

（溶劑） 本公開的液晶配向劑是以聚合體[P]及視需要而使用的其他成分較佳為分散或者溶解於適當的溶媒中而成的液狀的組合物的形式來製備。

作為溶劑，較佳使用有機溶媒。作為其具體例，可列舉：N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、1,2-二甲基-2-咪唑烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、苯酚、γ-丁內酯、γ-丁內醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、二丙酮醇、1-己醇、2-己醇、丙烷-1,2-二醇、3-甲氧基-1-丁醇、乙二醇單甲醚、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、乙二醇甲醚、乙二醇***、乙二醇-正丙醚、乙二醇-異丙醚、乙二醇-正丁醚（丁基溶纖劑）、乙二醇二甲醚、乙二醇***乙酸酯、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二***、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單***、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單***乙酸酯、二異丁基酮、丙酸異戊酯、異丁酸異戊酯、二異戊醚、碳酸亞乙酯、碳酸亞丙酯、丙二醇單甲醚（propylene glycol monomethyl ether，PGME）、二乙二醇二***乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯（propylene glycol monomethyl ether acetate，PGMEA）、丙二醇二乙酸酯、環戊烷、環己烷等。它們可單獨使用一種或將兩種以上混合使用。

作為液晶配向劑中含有的其他成分，除了上述以外，例如可列舉：交聯劑、抗氧化劑、金屬螯合物化合物、硬化促進劑、表面活性劑、填充劑、分散劑、光增感劑等。其他成分的調配比例可在不損及本發明的效果的範圍內，根據各化合物而適宜選擇。

液晶配向劑中的固體成分濃度（液晶配向劑的溶媒以外的成分的合計質量占液晶配向劑的總質量的比例）是考慮黏性、揮發性等而適宜選擇，較佳為1質量%～10質量%的範圍。若固體成分濃度為1質量%以上，則可充分確保塗膜的膜厚，容易獲得示出良好的液晶配向性的液晶配向膜。另一方面，若固體成分濃度為10質量%以下，則可使塗膜為適當的厚度，容易獲得示出良好的液晶配向性的液晶配向膜，另外，液晶配向劑的黏性變得適度而有能夠使塗布性變良好的傾向。

〔第二實施方式〕 第二實施方式的液晶配向劑含有包含結構單元（A）的聚合體[P1]、以及包含結構單元（B）的聚合體[P2]。關於結構單元（A）及結構單元（B），與第一實施方式相同，可援用第一實施方式的說明。

此外，聚合體[P1]為實質上不具有結構單元（B）的聚合體，聚合體[P2]為實質上不具有結構單元（A）的聚合體。此處，在本說明書中，所謂「實質上不具有」特定的結構單元，是指相對於所述聚合體所具有的來源於單體的結構單元的總量而小於0.5莫耳%，且是指較佳為0.2莫耳%以下、更佳為0.1莫耳%以下。

在包含聚合體[P1]以及聚合體[P2]的液晶配向劑中，聚合體[P1]及聚合體[P2]的主鏈並無特別限定。就與液晶的親和性、機械強度及可靠性的觀點而言，聚合體[P1]及聚合體[P2]較佳為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺及加成聚合體所組成的群組中的至少一種。具體而言，可列舉以下形態作為較佳例。 ＜1＞ 聚合體[P1]及聚合體[P2]為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種的形態。 ＜2＞ 聚合體[P1]及聚合體[P2]中的一者為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種，另一者為加成聚合體的形態。

聚合體[P1]及聚合體[P2]中，作為聚醯胺酸、聚醯胺酸酯或聚醯亞胺的聚合體較佳為具有來源於脂環式四羧酸二酐的結構單元。關於脂環式四羧酸二酐的例示及較佳含有比例，可援用第一實施方式的說明。

在第二實施方式的液晶配向劑中，就充分獲得聚合體的溶解性及對殘留電荷的蓄積的減少效果的觀點而言，聚合體[P1]與聚合體[P2]的比率較佳為使得液晶配向劑中的結構單元（A）與結構單元（B）的比率（莫耳比）成為結構單元（A）：結構單元（B）=1：0.01～3。液晶配向劑中的結構單元（A）與結構單元（B）的比率（莫耳比）更佳為1：0.025～3，進而較佳為1：0.125～3，進而更佳為1:0.15～3。

第二實施方式的液晶配向劑除了含有聚合體[P1]及聚合體[P2]以外，視需要也可含有與聚合體[P1]及聚合體[P2]不同的成分。作為所述成分，可列舉不具有結構單元（A）及結構單元（B）中的任一者的聚合體（以下也稱為「其他聚合體（2）」）、溶劑等。關於其他聚合體（2）的主骨架，可列舉與第一實施方式中作為其他聚合體（1）例示的聚合體相同的主骨架。關於溶劑等的詳細情況與第一實施方式相同，可援用上述說明。

《液晶配向膜及液晶元件》 本公開的液晶配向膜可通過如上述那樣製備的液晶配向劑而製造。另外，本公開的液晶元件包括使用上述所說明的液晶配向劑而形成的液晶配向膜。液晶元件中的液晶的驅動方式並無特別限定，例如可應用於扭轉向列（Twisted Nematic，TN）型、超扭轉向列（Super Twisted Nematic，STN）型、垂直配向（Vertical Alignment，VA）型（包含垂直配向-多域垂直配向（Vertical Alignment-Multi-domain Vertical Alignment，VA-MVA）型、垂直配向-圖案垂直配向（Vertical Alignment-Patterned Vertical Alignment，VA-PVA）型等）、共面切換（In-Plane Switching，IPS）型、邊緣場切換（Fringe Field Switching，FFS）型、光學補償彎曲（optically compensated bend，OCB）型、聚合體穩定配向（Polymer Sustained Alignment，PSA）等各種模式。液晶元件例如可利用包括以下的步驟1～步驟3的方法來製造。步驟1根據所需的動作模式而使用不同的基板。步驟2以及步驟3在各動作模式中共通。

＜步驟1：塗膜的形成＞ 首先，通過在基板上塗布液晶配向劑，較佳為對塗布面進行加熱而在基板上形成塗膜。作為基板，例如可使用：浮法玻璃、鈉玻璃等玻璃；包含聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚醚碸、聚碳酸酯、聚(脂環式烯烴)等塑料的透明基板。作為設置於基板的透明導電膜，可使用包含氧化錫（SnO ₂）的奈塞（NESA）膜（美國PPG公司注冊商標）、包含氧化銦-氧化錫（In ₂O ₃-SnO ₂）的氧化銦錫（indium tin oxide，ITO）膜等。在製造TN型、STN型或VA型的液晶元件的情況下，使用設置有經圖案化的透明導電膜的兩片基板。另一方面，在製造IPS型或FFS型液晶元件的情況下，使用設置有經圖案化為梳齒狀的電極的基板、與未設置電極的相向基板。

液晶配向劑向基板的塗布方法並無特別限定，例如可通過旋塗方式、印刷方式（例如，膠版印刷方式、柔版印刷方式等）、噴墨方式、狹縫塗布方式、棒塗方式、擠出模（extrusion die）方式、直接凹版塗布機（direct gravure coater）方式、腔室刮刀塗布機（chamber doctor coater）方式、膠版凹版塗布機（offset gravure coater）方式、含浸塗布機方式、MB塗布機方式法等來進行。

在塗布液晶配向劑後，出於防止所塗布的液晶配向劑的流掛等目的，較佳為實施預加熱（預烘烤）。預烘烤溫度較佳為30℃～200℃，預烘烤時間較佳為0.25分鐘～10分鐘。其後，進一步將溶劑去除，視需要以對聚合體中所存在的醯胺酸結構進行熱醯亞胺化為目的而實施煆燒（後烘烤）步驟。此時的煆燒溫度（後烘烤溫度）較佳為80℃～280℃，更佳為80℃～250℃。後烘烤時間較佳為5分鐘～200分鐘。所形成的膜的膜厚較佳為0.001 μm～1 μm。

＜步驟2：配向處理＞ 在製造TN型、STN型、IPS型或FFS型液晶元件的情況下，對所述步驟1中形成的塗膜實施賦予液晶配向能力的處理（配向處理）。由此，液晶分子的配向能力被賦予至塗膜而形成液晶配向膜。作為配向處理，較佳為使用對基板上所形成的塗膜的表面利用棉花等進行擦拭的摩擦處理、或對塗膜進行光照射以對其賦予液晶配向能力的光配向處理。在製造垂直配向型的液晶元件的情況下，可將所述步驟1中形成的塗膜直接用作液晶配向膜，為了進一步提高液晶配向能力，也可對所述塗膜實施配向處理。

用於光配向的光照射可通過以下方法等來進行：對後烘烤步驟後的塗膜進行照射的方法；對預烘烤步驟後且後烘烤步驟前的塗膜進行照射的方法；在預烘烤步驟及後烘烤步驟的至少任一者中，在塗膜的加熱中對塗膜進行照射的方法。作為照射至塗膜的放射線，例如可使用包含150 nm～800 nm的波長的光的紫外線及可見光線。較佳為包含200 nm～400 nm的波長的光的紫外線。在放射線為偏光時，可為直線偏光，也可為部分偏光。在所使用的放射線為直線偏光或部分偏光的情況下，照射可自垂直於基板面的方向進行，也可自斜方向進行，或者也可將這些方向加以組合而進行。非偏光的放射線時的照射方向設為斜方向。

作為所使用的光源，例如可列舉：低壓水銀燈、高壓水銀燈、氘燈、金屬鹵化物燈、氬共振燈、氙燈、準分子激光等。放射線的照射量較佳為200 J/m ²～30,000 J/m ²，更佳為500 J/m ²～10,000 J/m ²。在用於賦予配向能力的光照射後，也可進行對基板表面使用例如水、有機溶媒（例如，甲醇、異丙醇、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、丁基溶纖劑、乳酸乙酯等）或它們的混合物進行清洗的處理、或對基板進行加熱的處理。

＜步驟3：液晶單元的構築＞ 準備兩片以所述方式形成有液晶配向膜的基板，在相向配置的兩片基板間配置液晶，由此製造液晶單元。在製造液晶單元時，例如可列舉如下方法等：以液晶配向膜相向的方式隔著間隙將兩枚基板相向配置，使用密封劑將兩枚基板的周邊部貼合，在由基板表面與密封劑所包圍的單元間隙內注入填充液晶並將注入孔封閉的方法、利用液晶滴注（one drop fill，ODF）方式的方法。作為密封劑，例如可使用含有硬化劑及作為間隔物的氧化鋁球的環氧樹脂等。作為液晶，可列舉向列液晶、碟狀液晶，其中較佳為向列液晶。

在PSA模式下，進行如下處理：將聚合性化合物（例如，多官能(甲基)丙烯酸酯化合物等）與液晶一起填充至單元間隙內，並且在液晶單元的構築後，在對一對基板所具有的導電膜間施加電壓的狀態下，對液晶單元進行光照射。在製造PSA型的液晶元件時，聚合性化合物的使用比例相對於液晶的合計100質量份而例如為0.01質量份～3質量份，較佳為0.05質量份～1質量份。

在製造液晶顯示裝置的情況下，繼而，在液晶單元的外側表面貼合偏光板，獲得液晶顯示元件。作為偏光板，可列舉利用乙酸纖維素保護膜夾持被稱為「H膜」的偏光膜而成的偏光板、或者包含H膜其自身的偏光板，所述「H膜」是一邊使聚乙烯基醇延伸配向一邊吸收碘而成。

此外，通過製成包含聚合體[P]的液晶配向劑而可使液晶配向劑的塗布性良好、且可獲得殘留電荷的蓄積減少的液晶元件的理由尚不確定，但認為為如下所述。根據包含具有羧基的結構單元以及具有鹼性基的結構單元的聚合體，認為可通過羧基與鹼性基之間的酸-鹼相互作用而效率良好地進行液晶配向膜中的電荷的轉移，可減少液晶元件中蓄積的電荷。另一方面，在包含含有具有羧基的結構單元以及具有鹼性基的結構單元的聚合體的液晶配向劑中，認為由於羧基與鹼性基的酸-鹼相互作用而聚合體容易凝聚，塗布性降低。與此相對，第一實施方式的液晶配向劑包含聚合體[P]，所述聚合體[P]具有作為具有羧基的結構單元的所述結構單元（A），且具有作為具有鹼性基的結構單元的所述結構單元（B），根據所述第一實施方式的液晶配向劑，認為通過利用具有適度大小的基（A ¹）來保護羧基，可產生位阻，另外，可減少脫離的基A ¹在膜中的殘存量，由此有助於液晶配向劑的塗布性及減少殘留電荷的蓄積。

另外，認為在製成具有結構單元（A）的聚合體[P1]與具有結構單元（B）的聚合體[P2]的摻合體系的情況下可謂也相同。即，包含具有羧基的結構單元的聚合體與包含具有鹼性基的結構單元的聚合體中，認為由於羧基與鹼性基的酸-鹼相互作用而聚合體成分容易凝聚。與此相對，根據包含聚合體[P1]以及聚合體[P2]的第二實施方式的液晶配向劑，認為通過利用具有適度大小的基（A ¹）來保護羧基，可產生位阻，另外，可減少脫離的基A ¹在膜中的殘存量，由此在獲得對殘留電荷蓄積的減少效果的同時可提高塗布性。

本發明的液晶元件可有效地應用於各種用途。具體而言，例如可用作鐘錶、便攜式遊戲機、文字處理器（word processor）、筆記本型個人計算機、汽車導航系統（car navigation system）、攝像機（camcorder）、個人數字助理（Personal Digital Assistant，PDA）、數字照相機（digital camera）、移動電話、智能手機、各種監視器、液晶電視、訊息顯示器等各種顯示裝置或調光裝置、相位差膜等。

[實施例] 以下，基於實施例對實施方式進行更詳細的說明，但並不由以下的實施例而對本發明限定性地解釋。此外，實施例、比較例中的「份」及「%」只要無特別說明則為質量基準。

在以下的例子中，通過以下方法來測定聚合體的重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn、聚合體溶液中的聚醯亞胺的醯亞胺化率、聚合體溶液的溶液黏度。以下的實施例中所使用的原料化合物及聚合體的需要量是通過視需要重複進行下述合成例中所示的合成規模下的合成來確保。

[重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn] 重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn是通過以下條件下的GPC而測定的聚苯乙烯換算值。 管柱：東曹（Tosoh）（股）製造，TSKgelGRCXLII 溶劑：四氫呋喃 溫度：40℃ 壓力：68 kgf/cm ²

[聚醯亞胺的醯亞胺化率] 將聚醯亞胺的溶液投入至純水中，將所獲得的沉澱在室溫下充分地減壓乾燥後，溶解於氘化二甲基亞碸中，以四甲基矽烷作為基準物質，在室溫下測定氫譜核磁共振（ ¹H-nuclear magnetic resonance， ¹H-NMR）。根據所獲得的 ¹H-NMR光譜，利用下述數式（1）而求出醯亞胺化率[%]。 醯亞胺化率[%]=（1-（A ¹/（A ²×α）））×100  …（1） （數式（1）中，A ¹是在化學位移10 ppm附近出現的來源於NH基的質子的峰值面積，A ²是來源於其他質子的峰值面積，α是其他質子相對於聚合體的前體（聚醯胺酸）中的NH基的1個質子的個數比例。） [聚合體溶液的溶液黏度] 聚合體的溶液黏度是使用E型黏度計在25℃下測定。

以下的實施例及比較例中使用的化合物的簡稱為如下所述。此外，以下，有時將式（X）所表示的化合物簡單表示為「化合物（X）」。 [化18]

[化19]

[化20]

[化21]

[化22]

[化23]

[化24]

＜聚合體的合成＞ 1.聚醯胺酸的合成 [合成例1] 將作為四羧酸二酐的環丁烷-1,2:3,4-四羧酸二酐20莫耳份、2,3,5-三羧基環戊基乙酸二酐50莫耳份及均苯四甲酸二酐30莫耳份、以及作為二胺化合物的化合物（d-1）5莫耳份、4,4'-二胺基二苯基甲烷45莫耳份、膽甾烷醇氧基-2,4-二胺基苯20莫耳份、及化合物（d-14）30莫耳份溶解於N-甲基-2-吡咯烷酮（N-methyl-2-pyrrolidone，NMP）中，在室溫下進行6小時反應，獲得含有15質量%的聚醯胺酸（將其設為聚合體（PA-1））的溶液。分取少量的所述溶液，加入NMP而製成濃度10質量%的溶液並進行測定，所測定的溶液黏度為100 mPa·s。

[合成例2～合成例16] 將所使用的四羧酸二酐及二胺化合物的種類和量如下述表1所記載那樣進行變更，除此以外，進行與合成例1相同的操作，獲得聚醯胺酸（聚合體（PA-2）～聚合體（PA-16））。

2.聚醯亞胺的合成 [合成例17] 將作為四羧酸二酐的2,3,5-三羧基環戊基乙酸二酐100莫耳份、以及作為二胺化合物的化合物（d-2）30莫耳份、膽甾烷醇氧基-2,4-二胺基苯30莫耳份、及化合物（d-15）40莫耳份溶解於NMP中，在室溫下進行6小時反應，獲得含有15質量%的聚醯胺酸的溶液。 繼而，在所獲得的聚醯胺酸溶液中追加NMP而製成聚醯胺酸濃度10質量%的溶液，添加吡啶及乙酸酐而在60℃下進行4小時脫水閉環反應。在脫水閉環反應後，利用新的NMP對系統內的溶媒進行溶媒置換，由此獲得含有10質量%的、醯亞胺化率為80%的聚醯亞胺（將其設為聚合體（PI-1））的溶液。所獲得的聚合體的溶液黏度為100 mPa·s。

[合成例18] 將所使用的四羧酸二酐及二胺化合物的種類和量如表1所記載那樣進行變更，除此以外進行與合成例17相同的操作，獲得聚醯亞胺（將其設為聚合體（PI-2））。所獲得的聚合體（PI-2）的醯亞胺化率為50%。

[表1]

	合成例1	合成例2	合成例3	合成例4	合成例5	合成例6	合成例7	合成例8	合成例9	合成例10	合成例11	合成例12	合成例13	合成例14	合成例15	合成例16	合成例17	合成例18
聚合體名稱	PA-1	PA-2	PA-3	PA-4	PA-5	PA-6	PA-7	PA-8	PA-9	PA-10	PA-11	PA-12	PA-13	PA-14	PA-15	PA-16	PI-1	PI-2
酸酐 [莫耳份]	c-1	20			20	50	20	20	20	20	20	20	20	20	20	20	20		20
c-2	50	100		50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	30	30	50	100	50
c-3	30			30		30	30	30	30	30	30	30	30	30	30	30		30
c-4			100
c-5														20	20
二胺[莫耳份]	d-1	5					30		90	30	30
d-2																	30
d-3		10										30
d-4			30
d-5				30							30
d-6							30						30	10
d-7	45				50	30	40				40	40		40		20		50
d-8									40	40								20
d-9				40		40							20		60
d-10			40
d-11	20				20									30	30	30	30
d-12														10	10			30
d-13		40
d-14	30				30		30	10
d-15		50	30														40
d-16				30
d-17									30				50			50
d-18										30
d-19											30
d-20												30
d-21														10

3.聚有機矽氧烷的合成 [合成例19] 在1000 ml三口燒瓶中裝入2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷90.0 g、甲基異丁基酮500 g、及三乙胺10.0 g，在室溫下混合。繼而，歷時30分鐘自滴液漏斗滴加去離子水100 g後，在回流下進行混合的同時在80℃下進行6小時反應。反應結束後，取出有機層，利用0.2質量%硝酸銨水溶液將其清洗至清洗後的水成為中性為止後，在減壓下將溶媒及水蒸餾去除。適量添加甲基異丁基酮，獲得作為具有環氧基的聚有機矽氧烷的聚合體（ESSQ-1）的50質量%溶液。 在500 ml三口燒瓶中加入化合物（CA-1）6.28 g（相對於聚合體（ESSQ-1）所具有的環氧基量為20莫耳%）、化合物（CA-2）3.44 g（相對於聚合體（ESSQ-1）所具有的環氧基量為10莫耳%）、四丁基溴化銨2.00 g、含聚合體（ESSQ-1）的溶液80 g、及甲基異丁基酮239 g，在90℃下攪拌18小時。冷卻至室溫後，利用蒸餾水重複進行10次分液清洗操作。之後，回收有機層，利用旋轉蒸發器重複進行兩次濃縮與NMP稀釋後，使用NMP，以固體成分濃度成為10質量%的方式進行調整，獲得聚合體（PS-1）的NMP溶液。

4.加成聚合體（苯乙烯-馬來醯亞胺系聚合體）的合成 [合成例20] 氮氣下，在100 mL二口燒瓶中加入作為聚合單體的化合物（MA-1）10莫耳份、化合物（MA-2）10莫耳份、甲基丙烯酸35莫耳份、及甲基丙烯酸縮水甘油酯45莫耳份、作為自由基聚合引發劑的2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)2莫耳份、以及作為溶媒的四氫呋喃50 ml，在70℃下聚合5小時。在甲醇中進行再沉澱後，對沉澱物進行過濾，在室溫下真空乾燥8小時，由此獲得目標聚合體（PM-1）。通過GPC且以聚苯乙烯換算而測定的重量平均分子量Mw為30000，分子量分佈Mw/Mn為2。

[合成例21～合成例24] 將所使用的單體的種類及量如下述表2所記載那樣進行變更，除此以外進行與合成例20相同的操作，獲得加成聚合體（聚合體（PM-2）～聚合體（PM-5））。

[表2]

	聚合體名稱	單體[莫耳份]
MA-1	MA-2	MA-3	MA-4	MA-5	MA-6	MA-7	MA-8	MA-9	MA-10	MA-11	MA-12	MA-13
合成例20	PM-1	10	10										35	45
合成例21	PM-2			5	5	45	30	10		5
合成例22	PM-3			5		45			40	10
合成例23	PM-4			5	10	35	10		30		10
合成例24	PM-5				30	15	10		20		20	5

5.液晶配向劑的製備及評價 [實施例1：PSA型液晶顯示元件] （1）液晶配向劑（AL-1）的製備 在包含合成例1中所獲得的聚合體（PA-1）100質量份的溶液中，加入包含合成例19中所獲得的聚合體（PS-1）10質量份的溶液、化合物（Ad-1）5質量份、以及作為溶劑的NMP及丁基溶纖劑（butyl cellosolve，BC），製成溶劑組成為NMP/BC=50/50（質量比）、固體成分濃度為4.0質量%的溶液。利用孔徑為0.2 μm的過濾器對所述溶液進行過濾，由此製備液晶配向劑（AL-1）。

（2）溶解性的評價 將所述（1）中製備的液晶配向劑（AL-1）在-15℃的冷凍庫中保管7天后，將液晶配向劑解凍至室溫，測定解凍後的液晶配向劑中的顆粒數，由此評價聚合體的溶解性。顆粒數的測定中使用液中顆粒傳感器（理音（Rion）（股）製造 KL-20A），對液晶配向劑10 ml測定兩次大小為1.0 μm以上的微粒的數量，將其平均值作為液晶配向劑中的顆粒數。此時，在光源波長：780 nm、樣品吸引速度：10 ml/min的條件下進行測定。 評價中，將顆粒數為5個/ml以下的情況設為「良好（○）」，將為6個/ml以上且10個/ml以下的情況設為「可（△）」，將為11個/ml以上的情況設為「不良（×）」。在所述實施例中，為溶解性良好的評價。

（3）液晶組合物的製備 相對於向列液晶（默克（Merck）公司製造，MLC-6608）10 g，添加5質量%的下述式（L1-1）所表示的液晶性化合物以及0.3質量%的下述式（L2-1）所表示的光聚合性化合物並進行混合，獲得液晶組合物LC1。 [化25]

（4）PSA型液晶顯示元件的製造 使用液晶配向膜印刷機（日本寫真印刷（股）製造），將以上所製備的液晶配向劑（AL-1）塗布於分別具有包含ITO電極的導電膜的兩片玻璃基板的各電極面上，在80℃的加熱板上加熱（預烘烤）1分鐘而將溶媒去除。之後，在潔淨烘箱內、氮氣環境下以230℃進行30分鐘後烘烤，形成平均膜厚0.1 μm的塗膜，由此獲得一對（兩片）具有液晶配向膜的基板。此外，所使用的電極的圖案與PSA模式中的電極圖案為同一種圖案。 繼而，在所述一對基板中一個基板的具有液晶配向膜的面的外緣，塗布放入有直徑5.5 μm的氧化鋁球的環氧樹脂接著劑後，以液晶配向膜面相向的方式進行重疊、壓接，並使接著劑硬化。繼而，自液晶注入口向一對基板間填充上述中所製備的液晶組合物LC1後，利用丙烯酸系光硬化接著劑將液晶注入口封閉，由此製造液晶單元。之後，在對液晶單元的導電膜間施加頻率60 Hz的交流10 V而液晶驅動的狀態下，利用使用金屬鹵化物燈作為光源的紫外線照射裝置，以100,000 J/m ²的照射量來照射紫外線。此外，所述照射量是使用以波長365 nm為基準進行測量的光量計測定而得的值。之後，將偏光板以其偏光方向相互正交且與液晶配向膜的紫外線的光軸在基板面上的射影方向呈45°角度的方式貼合於基板的外側兩面，由此製造PSA型液晶顯示元件。

（5）殘留DC/電阻的評價 對所述（4）中製造的液晶顯示元件，在60℃下施加5分鐘的5 V的電壓後，進行1秒鐘的短路，之後保持開放狀態10分鐘，通過介電吸收法測定此時液晶顯示元件內所蓄積的電荷。評價中，將電壓的測定值為0.20 V以下的情況設為「良好（○）」，將大於0.21 V且小於0.50 V的情況設為「可（△）」，將為0.51 V以上的情況設為「不良（×）」。在所述實施例中，電壓值低（即，液晶顯示元件內所蓄積的電荷少）而為良好的評價。

（6）塗布性（面內均勻性）的評價 將所述（1）中製備的液晶配向劑（AL-1）在-15℃的冷凍庫中保管7天后，將液晶配向劑解凍至室溫，使用解凍後的液晶配向劑，對塗布性（面內均勻性）進行評價。評價是使用JET-CM連續式噴墨印刷機（紀州技研工業（股）製造），將解凍後的液晶配向劑以乾燥膜厚成為0.1 μm的液量在ITO基板上實施連續塗布。自液晶配向劑的塗布開始起至在基板整個面上完成液晶配向劑的塗布、並進行煆燒為止所需的時間為10分鐘。將所獲得的配向膜塗布基板在加熱板上以80℃預烘烤1分鐘，之後，在潔淨烘箱內、氮氣環境下以230℃進行30分鐘後烘烤後，利用20倍的顯微鏡觀察液晶配向膜的周邊部及中央部。此時，將無針孔及塗布不均（膜厚不均等）的情況判斷為「良好（○）」，將觀測到針孔及塗布不均中的至少任一者的情況判斷為「不良（×）」。

[實施例6～實施例13、比較例1～比較例9] 將液晶配向劑的組成如表3所示那樣進行變更，除此方面以外，以與實施例1相同的溶劑組成及固體成分濃度製備液晶配向劑。另外，使用各個液晶配向劑，與實施例1同樣地評價溶解性及塗布性，並且製造PSA型液晶顯示元件來進行殘留DC/電阻的評價。將它們的結果示於表3中。此外，表3中，配向劑組成中各成分的括號內的數值表示調配量（質量份）。

[實施例2：光垂直型液晶顯示元件] （1）液晶配向劑的製備、以及溶解性及塗布性的評價 將液晶配向劑的組成如表3所示那樣進行變更，除此方面以外，以與實施例1相同的溶劑組成及固體成分濃度製備液晶配向劑（AL-2）。另外，使用液晶配向劑（AL-2），與實施例1同樣地進行溶解性及塗布性的評價。將其結果示於表3中。

（2）光垂直型液晶顯示元件的製造 使用旋轉器將上述中製備的液晶配向劑（AL-2）塗布於包含ITO膜的帶透明電極的玻璃基板的透明電極面上，利用80℃的加熱板進行1分鐘預烘烤。之後，在對箱內進行了氮氣置換的烘箱中，在230℃下加熱1小時而形成膜厚0.1 μm的塗膜。繼而，對所述塗膜表面使用Hg-Xe燈及格蘭-泰勒棱鏡（glan-taylor prism），自相對於基板法線傾斜40°的方向照射包含313 nm的明線的偏光紫外線1,000 J/m ²而賦予液晶配向能力。重複進行相同的操作，製作一對（兩片）具有液晶配向膜的基板。 在所述基板中的一片基板的具有液晶配向膜的面的外周，通過絲網印刷塗布加入有直徑3.5 μm的氧化鋁球的環氧樹脂接著劑後，使一對基板的液晶配向膜面相向，以各基板的紫外線的光軸在基板面的投影方向成為逆平行的方式進行壓接，在150℃下歷時1小時使接著劑熱硬化。繼而，自液晶注入口向基板間的間隙中填充負型液晶（默克（Merck）公司製造，MLC-6608）後，利用環氧系接著劑將液晶注入口封閉。進而，為了將液晶注入時的流動配向除去，將其在130℃下加熱後緩緩冷卻至室溫為止。接著，將偏光板以其偏光方向相互正交且與液晶配向膜的紫外線的光軸在基板面上的射影方向呈45°角度的方式貼合於基板的外側兩面，由此製造光垂直型液晶顯示元件。

（3）殘留DC/電阻的評價 對於所述（2）中製造的光垂直型液晶顯示元件，與所述實施例1的（5）同樣地進行殘留DC/電阻的評價。將其結果示於表3中。

[實施例3] 將液晶配向劑的組成如表3所示那樣進行變更，除此方面以外，以與實施例2相同的溶劑組成及固體成分濃度製備液晶配向劑（AL-3）。另外，使用液晶配向劑（AL-3），與實施例1同樣地評價溶解性及塗布性，並且製造光垂直型液晶顯示元件來進行殘留DC/電阻的評價。將其結果示於表3中。

[實施例4：使用光配向法的FFS型液晶顯示元件] （1）液晶配向劑的製備、以及溶解性及塗布性的評價 將液晶配向劑的組成如表3所示那樣進行變更，除此方面以外，以與實施例1相同的溶劑組成及固體成分濃度製備液晶配向劑（AL-4）。另外，使用液晶配向劑（AL-4），與實施例1同樣地進行溶解性及塗布性的評價。將其結果示於表3中。

（2）使用光配向法的FFS型液晶顯示元件的製造 準備在單面依序層疊有平板電極、絕緣層及梳齒狀電極的玻璃基板（第一基板）、以及未設置電極的相向玻璃基板（第二基板）。繼而，使用旋轉器將液晶配向劑（AL-4）分別塗布於第一基板的電極形成面及第二基板的其中一個基板面上，並利用80℃的加熱板加熱（預烘烤）1分鐘。之後，在對箱內進行了氮置換的230℃的烘箱中，進行30分鐘乾燥（後烘烤），而形成平均膜厚0.1 μm的塗膜。使用Hg-Xe燈自基板法線方向對所獲得的塗膜照射包含經直線偏光的254 nm的明線的紫外線1,000 J/m ²而進行光配向處理。此外，所述照射量是使用以波長254 nm為基準而測量的光量計進行測量而得的值。繼而，將實施了光配向處理的塗膜在230℃的潔淨烘箱中加熱30分鐘而進行熱處理，形成液晶配向膜。 接著，對於形成有液晶配向膜的一對基板中的其中一個基板，在具有液晶配向膜的面的外緣，通過絲網印刷塗布加入有直徑3.5 μm的氧化鋁球的環氧樹脂接著劑。之後，以光照射時的偏光軸在基板面上的投影方向成為反平行的方式，將基板重疊壓接，在150℃下歷時1小時使接著劑進行熱硬化。繼而，自液晶注入口將負型液晶（默克（Merck）公司製造，MLC-6608）填充至一對基板間後，利用環氧系接著劑將液晶注入口封閉，獲得液晶單元。進而，為了將液晶注入時的流動配向除去，將其在120℃下加熱後緩緩冷卻至室溫。之後，將偏光板貼合於液晶單元的基板的外側兩面，獲得液晶顯示元件。另外，分別將後烘烤後的紫外線照射量在100 J/m ²～10,000 J/m ²的範圍內進行變更而實施所述一系列的操作，由此製造紫外線照射量不同的三個以上的液晶顯示元件，將示出最良好的配向特性的曝光量（最佳曝光量）的液晶顯示元件用於以下評價。

（3）殘留DC/電阻的評價 對於所述（2）中製造的光FFS型液晶顯示元件，與所述實施例1的（5）同樣地進行殘留DC/電阻的評價。將其結果示於表3中。

[實施例5：使用摩擦法的FFS型液晶顯示元件] （1）液晶配向劑的製備、以及溶解性及塗布性的評價 將液晶配向劑的組成如表3所示那樣進行變更，除此方面以外，以與實施例1相同的溶劑組成及固體成分濃度製備液晶配向劑（AL-5）。另外，使用液晶配向劑（AL-5），與實施例1同樣地進行溶解性及塗布性的評價。將其結果示於表3中。

（2）使用摩擦法的FFS型液晶顯示元件的製造 準備在單面依序層疊有平板電極、絕緣層及梳齒狀電極的玻璃基板（第一基板）、以及未設置電極的相向玻璃基板（第二基板）。繼而，使用旋轉器將上述中製備的液晶配向劑（AL-5）分別塗布於第一基板的電極形成面及第二基板的其中一個基板面，並利用80℃的加熱板進行1分鐘預烘烤。之後，在對箱內進行了氮置換的烘箱中，以230℃加熱1小時而形成膜厚0.1 μm的塗膜。對於所述塗膜，利用具有捲繞有尼龍布的輥的摩擦機器，以輥轉速1000 rpm、平臺移動速度2.5 cm/sec、毛壓入長度0.4 mm進行摩擦處理。之後，在超純水中進行1分鐘超聲波清洗，繼而在100℃潔淨烘箱中乾燥10分鐘，由此獲得具有液晶配向膜的一對基板。 在所述一對基板中一片基板的具有液晶配向膜的面的外周，通過絲網印刷塗布放入有直徑3.5 μm的氧化鋁球的環氧樹脂接著劑後，以各自的液晶配向膜面相向的方式進行重疊、壓接，並使接著劑硬化。繼而，自液晶注入口向一對基板間填充向列液晶（默克（Merck）公司製造，MLC-6608）後，利用丙烯酸系光硬化接著劑將液晶注入口封閉，並將偏光板貼合於基板的外側的兩面，由此製造摩擦FFS型液晶顯示元件。

（3）殘留DC/電阻的評價 對於所述（2）中製造的摩擦FFS型液晶顯示元件，與所述實施例1的（5）同樣地進行殘留DC/電阻的評價。將其結果示於表3中。

[表3]

	模式	配向劑組成	評價
配向劑 名稱	聚合體1 （質量份）	聚合體2 （質量份）	添加劑 （質量份）	溶解性	殘留DC/電阻	塗布性 （面內均勻性）
實施例1	PSA	AL-1	PA-1（100）	PS-1（5）	Ad-1（10）	〇	〇	〇
實施例2	光VA	AL-2	PI-1（100）	PM-1（10）	Ad-1（10）	〇	〇	〇
實施例3	光VA	AL-3	PA-2（100）			〇	〇	〇
實施例4	光水平	AL-4	PA-3（100）		Ad-2（10）	〇	〇	〇
實施例5	摩擦	AL-5	PA-4（100）		Ad-2（10）	〇	〇	〇
實施例6	PSA	AL-6	PA-1（70）	PI-2（30）	Ad-1（10）	〇	〇	〇
實施例7	PSA	AL-7	PA-7（100）	PS-1（5）		〇	△	〇
實施例8	PSA	AL-8	PA-8（100）	PS-1（5）		△	△	〇
實施例9	PSA	AL-9	PA-5（50）	PA-14（50）		〇	△	〇
實施例10	PSA	AL-10	PA-5（100）	PM-2（10）	Ad-1（10）	〇	△	〇
實施例11	PSA	AL-11	PA-14（100）	PM-3（30）	Ad-1（10）	〇	△	〇
實施例12	PSA	AL-12	PA-15（100）	PM-4（20）	Ad-1（10）	〇	〇	〇
實施例13	PSA	AL-13	PA-14（100）	PM-5（10）	Ad-1（10）	〇	〇	〇
比較例1	PSA	AR-1	PA-5（100）	PS-1（5）		〇	×	〇
比較例2	PSA	AR-2	PA-6（100）	PS-1（5）		×	×	×
比較例3	PSA	AR-3	PA-9（100）	PS-1（5）		×	〇	×
比較例4	PSA	AR-4	PA-10（100）	PS-1（5）		△	〇	×
比較例5	PSA	AR-5	PA-11（100）	PS-1（5）		〇	×	×
比較例6	PSA	AR-6	PA-12（100）	PS-1（5）		〇	×	×
比較例7	PSA	AR-7	PA-13（100）	PS-1（5）		〇	△	×
比較例8	PSA	AR-8	PA-6（50）	PA-16（50）		△	△	×
比較例9	PSA	AR-9	PA-16（100）	PM-2（30）		△	△	×

如由表3而明確，使用包含聚合體[P]的液晶配向劑的實施例1～實施例8、實施例12、實施例13中，聚合體的溶解性、殘留DC特性及塗布性均為良好或可。它們中，與使用在結構單元（B）中包含熱脫離性基的聚合體（PA-7）的實施例7、使用相對於結構單元（A）而增多了結構單元（B）的比率的聚合體（PA-8）的實施例8相比，實施例1～實施例6的任一評價均良好而特別優異。

另外，關於使用包含聚合體[P1]及聚合體[P2]的液晶配向劑的實施例9～實施例11，聚合體的溶解性、殘留DC特性及塗布性也均為良好或可。其中，實施例9～實施例11的液晶配向劑的殘留DC特性為可的評價。根據這些結果，可謂同一聚合體的包含結構單元（A）以及結構單元（B）的形態與分開包含具有結構單元（A）的聚合體[P1]和具有結構單元（B）的聚合體[P2]的形態相比，殘留DC特性的改善效果高而優異。

與此相對，使用不具有結構單元（A）及結構單元（B）中的任一者的聚合體的比較例1～比較例7中，聚合體的溶解性、低殘留DC特性及塗布性中的至少任一評價為不良。即，使用不包含具有鹼性基的結構單元的聚合體的比較例1中，殘留DC特性為不良，使用不包含具有酸性基的結構單元的聚合體的比較例2中，任一評價均為不良。另外，使用包含具有未經保護的羧基的結構單元的聚合體的比較例3、比較例7、以及使用包含具有經叔丁氧基羰基保護的羧基的結構單元的聚合體的比較例4中，塗布性為不良的評價。進而，使用包含具有經大體積的基保護的羧基的結構單元的聚合體的比較例5、比較例6中，殘留DC特性及塗布性為不良的評價。此外，認為在將如叔丁氧羰基那樣體積不太大的基作為保護基的情況下，體積排除效果不充分，因此聚合體的溶解性略有降低，且塗布性不充分。另外，認為在將大體積的基作為保護基的情況下（比較例5、比較例6），由酸-鹼相互作用引起的電荷輸送不充分，另外，由於脫離的保護基所帶來的影響，殘留DC特性及塗布性不充分。

另外，在作為包含如下的聚合體、即包含具有未經保護的羧基的結構單元的聚合體、以及具有結構單元（B）的聚合體[P2]的液晶配向劑的比較例8、比較例9中，聚合體的溶解性及低殘留DC特性為可的評價，塗布性為不良的評價。

根據以上而明確，通過使用在聚合體成分中包含結構單元（A）以及結構單元（B）的液晶配向劑，可製造聚合體的溶解性、低殘留DC特性及塗布性良好的液晶配向膜。

Claims (13)

1. 一種液晶配向劑，含有聚合體成分， 所述聚合體成分為下述（I）及（II）中的至少任一者： （I）含有包含結構單元（A）以及結構單元（B）的聚合體[P]，所述結構單元（A）來源於具有由下述式（1）所表示的部分結構的二胺或具有由下述式（1）所表示的部分結構的含聚合性不飽和鍵的化合物，所述結構單元（B）具有選自由含氮的雜環結構及下述式（2）所表示的部分結構所組成的群組中的至少一種； （II）含有包含所述結構單元（A）的聚合體[P1]、以及包含所述結構單元（B）的聚合體[P2]，

   

   式（1）中，A ¹為碳數5以上的一價鏈狀烴基或脂環式烴基、或者在鏈狀烴基或脂環式烴基的碳-碳鍵間具有-O-的碳數3以上的一價基；「* ¹」表示與碳原子鍵結的鍵結鍵，

   

   式（2）中，R ¹為氫原子或一價有機基；「* ²」及「* ³」分別表示與碳原子鍵結的鍵結鍵。
2. 如請求項1所述的液晶配向劑，其中，所述聚合體[P]為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺及加成聚合體所組成的群組中的至少一種。
3. 如請求項1或請求項2所述的液晶配向劑，其中，所述聚合體[P1]及所述聚合體[P2]為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺及加成聚合體所組成的群組中的至少一種。
4. 如請求項3所述的液晶配向劑，其中，所述聚合體[P1]及所述聚合體[P2]為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種。
5. 如請求項3所述的液晶配向劑，其中，所述聚合體[P1]及所述聚合體[P2]中的一者為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種，另一者為加成聚合體。
6. 如請求項1或請求項2所述的液晶配向劑，其中，相對於所述聚合體[P]所具有的來源於單體的結構單元的總量，所述聚合體[P]所具有的所述結構單元（A）與所述結構單元（B）的合計量為50莫耳%以下， 所述聚合體[P]所具有的所述結構單元（A）與所述結構單元（B）的比率以莫耳比計為結構單元（A）：結構單元（B）=1：0.025～3。
7. 如請求項1或請求項2所述的液晶配向劑，其中，所述結構單元（B）為來源於具有選自由含氮的雜環結構及所述式（2）所表示的部分結構所組成的群組中的至少一種的二胺的結構單元，或者為來源於具有選自由含氮的雜環結構及所述式（2）所表示的部分結構所組成的群組中的至少一種的含聚合性不飽和鍵的化合物的結構單元。
8. 如請求項1或請求項2所述的液晶配向劑，其中，所述結構單元（B）為來源於選自由下述式（3-1）所表示的化合物、下述式（3-2）所表示的化合物及下述式（3-3）所表示的化合物所組成的群組中的至少一種的結構單元，

   

   式（3-1）中，B ¹及B ³分別獨立地為二價芳香族烴基、二價含氮的雜環基、或-Z ¹-O-Z ²-，其中，Z ¹及Z ²分別獨立地為二價芳香族烴基；B ²為單鍵、二價烴基、或者在所述烴基的碳-碳鍵間具有選自由-O-、-NR ²-、-CO-NR ²-及-NR ²-CO-，其中，R ²為氫原子或一價有機基，所組成的群組中的至少一種的二價基；X ¹及X ²分別獨立地為二價含氮的雜環基、或者所述式（2）所表示的二價基；L ¹及L ²分別獨立地為單鍵或二價連結基；m為0～2的整數； 式（3-2）中，B ⁴為二價有機基；Y ¹為具有選自由含氮的雜環及所述式（2）所表示的部分結構所組成的群組中的至少一種的一價基； 式（3-3）中，B ⁵為二價含氮的芳香環基。
9. 如請求項1或請求項2所述的液晶配向劑，其中，所述結構單元（A）具有選自由下述式（Y-1）所表示的結構、羧酸的縮醛酯結構、及羧酸的縮酮酯結構所組成的群組中的至少一種作為所述由所述式（1）所表示的部分結構，

   

   式（Y-1）中，R ³及R ⁴分別獨立地為烷基，或者表示R ³與R ⁴相互結合並與R ³及R ⁴所鍵結的碳原子一起構成的碳數4以上的環結構；R ⁵為烷基；其中，在R ³及R ⁴均為甲基的情況下，R ⁵為碳數2以上；「*」表示鍵結鍵。
10. 如請求項1或請求項2所述的液晶配向劑，其中，所述結構單元（A）為來源於具有由所述式（1）所表示的部分結構的二胺的結構單元， 所述聚合體[P]具有來源於脂環式四羧酸二酐的結構單元。
11. 如請求項1或請求項2所述的液晶配向劑，其中，所述聚合體[P1]及所述聚合體[P2]中的至少一者為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種，且具有來源於脂環式四羧酸二酐的結構單元。
12. 一種液晶配向膜，使用如請求項1至請求項11中任一項所述的液晶配向劑而形成。
13. 一種液晶元件，包括如請求項12所述的液晶配向膜。