TW202231136A

TW202231136A - 用於浮動變壓器耦合電漿腔室氣體板的承載環

Info

Publication number: TW202231136A
Application number: TW110134762A
Authority: TW
Inventors: 文胤彭; 安伯瑞許察翠; 克雷格羅斯理; 丹馬霍爾; 大衛塞頓
Original assignee: 美商蘭姆研究公司
Priority date: 2020-09-21
Filing date: 2021-09-17
Publication date: 2022-08-01
Also published as: US20230402264A1; JP2023543423A; KR20230071166A; CN116235275A; EP4214746A1; WO2022060688A1

Abstract

一種用於基板處理系統中之處理腔室的氣體分配組件包含：一氣體板，其包含複數孔洞，該複數孔洞設置成將一氣體混合物供應到該處理腔室的內部中；以及一承載環，設置成支撐該氣體板。該承載環包含一環狀本體以及一徑向朝內突出部分。該徑向朝內突出部分具有一第一內徑以及該環狀本體具有大於該第一內徑的一第二內徑，該徑向朝內突出部分界定一凸耳，且該氣體板配置在該承載環的該凸耳上。一介電窗配置在該氣體板上並且位於該氣體板及該承載環的上方，以使該氣體板被支撐在該承載環與該介電窗之間。

Description

用於浮動變壓器耦合電漿腔室氣體板的承載環

[相關申請案之交互參照]本申請案係主張美國臨時申請案第63/081,252號的優先權，其申請於2020年9月21日。以上所參照之申請案的整體揭露內容乃藉由參考文獻方式合併於此。

本揭露內容係與用於基板處理系統的氣體分配裝置相關。

在此提供的先前技術說明係為了大致呈現本揭露內容背景之目的。在該先前技術段落中所述之目前列名發明人之工作、以及不可以其他方式認定為申請時之先前技術的實施態樣敘述皆不被明示或暗示地承認為針對本揭露內容之先前技術。

在基板(例如半導體晶圓)的製造期間，可在處理腔室內執行蝕刻製程與沉積製程。將基板配置在處理腔室中的基板支架(例如靜電夾頭(ESC，electrostatic chuck)或基座)上。經由氣體分配裝置導入處理氣體並且在處理腔室中觸發電漿。

某些基板處理系統可設置成執行深矽蝕刻(DSiE，deep silicon etch)處理及/或快速交替製程(RAP，rapid alternating process)，其包含快速地切換蝕刻與沉積製程。例如，RAP可用於微機電系統(MEMS，microelectromechanical system)蝕刻、DSiE處理等等。

在其他特徵中，該環狀本體的該第二內徑係大於該氣體板的直徑。該環狀本體的該第二內徑係對應於位在該凸耳之一徑向朝內周邊處的一垂直表面，且該氣體板的厚度係大於該垂直表面的高度。該承載環包含陶瓷。該承載環包含氧化鋁。該承載環包含與該氣體板相同的材料。該承載環係由具有與該氣體板相同之CTE的材料所構成。該承載環具有釔氧化物塗層。

在其他特徵中，該承載環的一外周邊包含一環狀溝槽。該氣體分配組件更包含一升降環，該升降環配置圍繞該承載環的該外周邊，以及該升降環包含一環狀突出部，該環狀突出部朝內延伸到該承載環的該環狀溝槽內。該氣體板不與該升降環直接接觸。一種處理腔室包含該氣體分配組件，該處理腔室的一上部分包含一凹部以及該氣體分配組件係配置在該凹部內，且該氣體板不與該處理腔室直接接觸。

一種基板處理系統的處理腔室，該基板處理系統設置成執行變壓器耦合電漿處理，該處理腔室包含：一凹部，界定在該處理腔室的一上部分中；以及一承載環，配置在該凹部中。該承載環包含一環狀本體以及一徑向朝內突出部分，該徑向朝內突出部分具有一第一內徑，該環狀本體具有大於該第一內徑的一第二內徑，且該突出部分界定一凸耳。一氣體板配置在該承載環的該凸耳上，其中該氣體板包含複數孔洞，該複數孔洞設置成將一氣體混合物供應到該處理腔室的內部中。一介電窗配置在該氣體板上並且位於該氣體板及該承載環的上方，以使該氣體板被支撐在該承載環與該介電窗之間。該氣體板不與該處理腔室的該上部分直接接觸。

在其他特徵中，該環狀本體的該第二內徑係大於該氣體板的直徑。該環狀本體的該第二內徑係對應於位在該凸耳之一徑向朝內周邊處的一垂直表面。該氣體板的厚度係大於該垂直表面的高度。該承載環的一外周邊包含一環狀溝槽。該處理腔室更包含一升降環，該升降環配置圍繞該承載環的該外周邊。該升降環包含一環狀突出部，該環狀突出部朝內延伸到該承載環的該環狀溝槽內。該氣體板不與該升降環直接接觸。

由詳細說明、請求項、及圖式，本揭露內容之其他領域的可應用性將變得顯而易見。詳細說明與具體範例僅係為了例示之目的而提出，並非意指限制本揭露內容的範圍。

基板處理系統可包含氣體分配裝置(例如噴淋頭)，該氣體分配裝置係配置在處理腔室的蓋子或上表面中。在設置成執行變壓器耦合電漿(TCP，transformer coupled plasma)處理的處理腔室中，氣體分配裝置可相當於一組件，其包含經配置而面向處理腔室之內部的氣體板(例如噴淋頭板)以及配置在氣體板之上方的介電窗。在某些範例中，充氣部(plenum)係界定在氣體板與介電窗之間。經由氣體分配裝置將處理氣體供應至處理腔室，並且在處理腔室的內部產生電漿。例如，RF信號係從TCP線圈發射而通過介電窗進入到處理腔室的內部中。

高功率與高溫製程可能會隨著時間而對氣體分配裝置的構件造成損傷與磨損。例如，氣體板被約束在介電窗與處理腔室的本體(例如壁的上端)之間。因此，限制了高功率製程所引起的熱膨脹。又，表面溫度梯度引起橫越氣體板的應力(例如周向應力或柱應力，其係隨著與氣體板之中心的徑向距離而增加)。隨著TCP功率增加所引起的熱膨脹與應力可能會引起氣體板及/或介電窗的損傷(例如破裂)。又，氣體板的熱可能被傳導至處理腔室的本體及/或基板處理系統的其他構件，此可能引起磨損增加及/或其他故障(例如因為過溫(over-temperature)情況所引起的互鎖(interlocks)跳脫)。亦可能因為重複的移除與重組而引起對氣體板之表面及/或邊緣的損傷(例如磨耗或剝落)。

依照本揭露內容之某些實施例的氣體分配組件包含承載環，該承載環係配置在氣體板的下方、在氣體板與處理腔室之間。氣體板係安裝在承載環內，以及介電窗係配置在氣體板與承載環的上方。氣體板不與處理腔室直接接觸。介電窗並非固定地附接至氣體板或承載環，而係鬆弛地被支撐在氣體板上。又，在氣體板之外周邊與承載環之間，於橫向方向上設置小間隙。例如，該間隙為大約0.001''或0.025 mm(例如介於0.00075''與0.00125''之間、或介於0.019 mm與0.032 mm之間)。因此，氣體板在橫向方向上的熱膨脹不受到限制。在某些實施例中，承載環的外周邊包含溝槽，該溝槽設置成與升降環介接。

承載環可由與氣體板相同的材料所構成或者由不同材料所構成。例如，承載環可由陶瓷所構成，例如氧化鋁或鋁氧化物(Al ₂O ₃)、鋁氮化物(AlN)等等。承載環的材料可經選擇而具有與氣體板相同或相似的熱膨脹係數(CTE，coefficient of thermal expansion)。可使用對處理腔室內之蝕刻及副產物材料具有抵抗性的材料來塗佈承載環，例如釔氧化物。因此，承載環對反應性電漿環境所引起的腐蝕具有抵抗性。

在氣體板的外周邊處，承載環係作為熱隔斷件(例如散熱器)的功能。由於熱梯度在氣體板之外周邊處最為劇烈，所以承載環明顯降低熱膨脹所引起之損傷的可能性。又，承載環降低從氣體板到處理腔室之本體的熱傳遞量，此降低周邊構件的磨損(並且增加其使用壽命)、降低互鎖跳脫的可能性等等。在包含升降環的實施例中，升降環係與承載環介接，而非與氣體板介接。因此，承載環係作為氣體板、介電窗、以及該組件之其他構件的承重接點(load bearing contact)的功能。依此方式，使在移除與重組期間對氣體板與介電窗造成損傷的可能性降至最低。若承載環被磨損或損傷，可替換承載環而不替換氣體板或該組件的其他構件。

現在參考圖1A，顯示依照本揭露內容之某些實施例之基板處理系統10的一範例。基板處理系統10包含線圈驅動電路11。如圖所示，線圈驅動電路11包含RF源12以及調諧電路13。調諧電路13可直接連接至一或更多感應變壓器耦合電漿(TCP)線圈16。或者，調諧電路13可藉由可選的反向電路15而連接至線圈16之其中一或更多者。調諧電路13將RF源12的輸出調諧至期望的頻率及/或期望的相位，匹配線圈16的阻抗並且在TCP線圈16之間均分功率。反向電路15用以選擇性地切換通過TCP線圈16之其中一或更多者的電流的極性。在某些範例中，線圈驅動電路11實施變電器耦合電容調諧(TCCT，transformer coupled capacitive tuning)匹配網路以驅動TCP線圈16。

氣體分配裝置或組件18包含噴淋頭(例如氣體板)20以及介電窗24。在某些實施例中，充氣部可界定在氣體板20與介電窗24之間。氣體板20係配置在介電窗24與處理腔室28之間。在某些實施例中，介電窗24含有陶瓷。在某些實施例中，氣體板20包含陶瓷或另一介電材料。處理腔室28更包含基板支架(或基座)32。基板支架32可包含靜電夾頭(ESC)、或機械夾頭或其他類型的夾頭。

在操作中，經由氣體板20(例如穿過氣體板的複數孔洞)將處理氣體供應至處理腔室28，並且在處理腔室28的內部產生電漿40。例如，RF信號係從TCP線圈發射而通過介電窗24進入到處理腔室28的內部中。RF信號激發處理腔室28內的氣體分子而產生電漿40。電漿40蝕刻基板34的曝露表面。RF源50與偏壓匹配電路52可用以在操作期間對基板支架32施加偏壓以控制離子能。

氣體輸送系統56可用以將處理氣體混合物供應至處理腔室28。氣體輸送系統56可包含處理與惰性氣體源57(例如包含沉積氣體、蝕刻氣體、載氣、惰性氣體等等)、例如閥與流量比控制器(例如質量流量控制器(MFC，mass flow controllers))的氣體計量系統58-1與58-2、以及各別的歧管59-1與59-2。例如，氣體計量系統58-1與歧管59-1可經配置以在蝕刻期間將蝕刻氣體混合物提供至處理腔室28，而氣體計量系統58-2與歧管59-2可經配置以在沉積期間將沉積氣體混合物提供至處理腔室28。例如，蝕刻與沉積氣體混合物可通過線圈16並且經由介電窗24中的各別通道而提供至氣體板20的充氣部。加熱器/冷卻器64可用以將基板支架32加熱/冷卻至一預定溫度。排放系統65包含閥66以及幫浦67，以藉由吹掃或抽空，將反應物從處理腔室28移除。

控制器54可用以控制蝕刻製程。控制器54監視系統參數，並且控制氣體混合物的輸送、電漿的觸發、維持與熄滅、反應物的移除等等。此外，控制器54可控制線圈驅動電路11、RF源50、以及偏壓匹配電路52等等的各種方面。在某些實施例中，基板支架32係溫度可調的。在某些實施例中，溫度控制器68可連接至配置在基板支架32中的複數加熱元件70，例如熱控制元件(TCE，thermal control elements)。溫度控制器68可用以控制複數加熱元件70，以控制基板支架32與基板34的溫度。

如在下文中更詳細地說明，依照本揭露內容之某些實施例的氣體分配組件18包含配置在氣體板20與處理腔室28的本體之間的承載環100。

現在參考圖1B與1C並且繼續參考圖1A，更詳細地說明包含承載環100的氣體分配組件18。承載環100係配置在氣體板20的下方、在氣體板20與處理腔室28的上部分104之間。例如，處理腔室28的上部分104可相當於處理腔室28的外壁、蓋子、或上表面，以界定凹部或袋部108，其設置成容納氣體分配組件18。在某些實施例中，承載環100被支撐在凹部108內的台階或凸耳112上，且氣體板20被安裝在承載環100內。例如，徑向朝內突出部分114具有第一內徑116。突出部分114係從環狀本體118朝內突出，該環狀本體具有大於第一內徑116的第二內徑120。承載環100的第一內徑116、第二內徑120、以及突出部分114界定台階或凸耳124，且氣體板20被配置在凸耳124上。

在承載環100的第二內徑120(即，位在凸耳124之徑向朝內周邊處的垂直表面)與氣體板20的外周邊132之間，於橫向方向上設置小間隙128。換言之，承載環100的第二內徑120係大於氣體板20的直徑。在某些實施例中，間隙128為大約0.025''或0.635 mm(例如介於0.020''與0.030''之間、或介於0.508 mm與0.762 mm之間)。因此，氣體板20係『浮動』於承載環100與介電窗24之間，且氣體板20在橫向方向上的熱膨脹不受到限制。介電窗24係配置在氣體板20與承載環100的上方。在某些實施例中，介電窗24並非固定地附接至氣體板20或承載環100，而係鬆弛地被支撐在氣體板20上。換言之，介電窗24並未被接合(例如使用黏著劑、機械式扣件等等)。因此，介電窗24不會阻止氣體板20的熱膨脹。

參考圖1B，在某些實施例中，密封部件136與140(例如O形環136與140)係分別配置在承載環100與處理腔室28的上部分104之間以及在承載環100與介電窗24之間。例如，密封部件136與140係配置在承載環100、處理腔室28之上部分104、以及介電窗24的各別表面中的溝槽144內。密封部件136與140密封處理腔室28以維持真空完整性。雖然溝槽144之其中一者被顯示在承載環100的下表面中，但在其他實施例(未顯示)中，溝槽144可位在上部分104的上表面中(未顯示)。同樣地，雖然溝槽144之其中一者被顯示在介電窗24的下表面中，但在其他實施例(未顯示)中，溝槽144可位在承載環100的上表面中(未顯示)。

在某些實施例中，承載環100的外周邊包含環狀溝槽148，該環狀溝槽設置成與升降環152介接。升降環152包含環狀突出部156，該環狀突出部延伸到溝槽148內，以將承載環100及氣體分配組件18保持在升降環152內。藉由降下與升起升降環152，可將氣體分配組件18安裝到處理腔室28內以及從該處理腔室加以移除。氣體板20並非與升降環152或處理腔室28的壁/延伸部分直接接觸。相反地，承載環100係與升降環152及處理腔室28的壁/延伸部分直接接觸。因此，當升降環152用於移除氣體分配組件18時，承載環100係作為氣體板20及介電窗24的承重接點的功能。

承載環100可由與氣體板20相同的材料所構成或者由不同材料所構成。在某些實施例中，承載環100可由陶瓷所構成，例如氧化鋁或鋁氧化物(Al ₂O ₃)、鋁氮化物(AlN)等等。在某些實施例中，承載環100的材料可具有與氣體板20之CTE相同或相似(例如在其增減5%之範圍內)的熱膨脹係數(CTE)。在某些實施例中，可使用對處理腔室內之蝕刻及副產物材料具有抵抗性的材料來塗佈承載環100，例如釔氧化物。因此，承載環100對反應性電漿環境所引起的腐蝕具有抵抗性。

依照本揭露內容之某些實施例，圖2為包含承載環204之示範氣體分配組件200的等角視圖。如以上圖1A、1B、以及1C所述，承載環204設置成支撐氣體板208。介電窗212係配置在承載環204以及氣體板208的上方，以使氣體板208被支撐在承載環204與介電窗212之間。

在某些實施例中，介電窗212包含入口或開口216。在電漿處理期間，透過介電窗212中的開口216，以氣體分配組件200將氣體混合物供應至處理腔室。例如，充氣部220係界定在介電窗212與氣體板208之間。透過開口216所供應的氣體混合物被分配而遍佈於充氣部220並且透過複數孔洞224進入到處理腔室中。

依照本揭露內容之某些實施例，圖3為包含承載環304、氣體板308、以及介電窗312之氣體分配組件300的分解圖。處理腔室的上部分316界定凹部320，該凹部設置成容納氣體分配組件300。如以上圖1A、1B、以及1C所述，承載環304設置成支撐氣體板308。介電窗312係配置在承載環304以及氣體板308的上方，以使氣體板308被支撐在承載環304與介電窗312之間。

升降環324係配置圍繞承載環304的外周邊。例如，升降環324包含環狀突出部(例如，如圖1C所示之環狀突出部156)，其朝內延伸到承載環304之外周邊中的環狀溝槽內。當組裝並安裝於處理腔室之上部分316中的凹部320內時，氣體板308不與處理腔室之上部分316或升降環324之任一者直接接觸。

上述說明內容在本質上僅為例示性，而絕非意圖限制本揭露內容、其應用、或用途。本揭露內容的廣泛教示可以各種形式實施。因此，雖然本揭露內容包括特定的範例，但由於當研究圖式、說明書、與下列請求項時，其他修改將變得顯而易見，故本揭露內容之真實範圍不應如此受限。應理解，在不改變本揭露內容之原理的情形下，方法中之一或更多步驟可以不同順序(或同時)執行。又，雖然實施例之每一者係於以上描述為具有某些特徵，但關於本揭露內容之任何實施例所述之該等特徵之任何一者或多者可在任何其他實施例中實施、及/或與其特徵組合(即使並未明確描述該組合)。換言之，所述實施例並非相互排斥，且一或更多實施例彼此的置換維持在本揭露內容之範圍內。

在元件之間(例如，在模組、電路元件、半導體層等等之間)的空間與功能上的關係乃使用包括「連接」、「接合」、「耦合」、「鄰近」、「在…旁」、「在…之上」、「上方」、「下方」、與「配置」之各種用語描述。除非明確地描述為「直接」，否則當於上述揭露內容中描述第一與第二元件之間的關係時，該關係可為在第一與第二元件之間不存在其他中介元件的直接關係，但亦可為在第一與第二元件之間存在一或更多中介元件(空間上或功能上)的間接關係。如在此所使用，詞組「A、B、與C之至少一者」應解釋成意指使用非排除性邏輯OR之邏輯(A OR B OR C)，且不應解釋成意指「A之至少一者、B之至少一者、與C之至少一者」。

在某些實作中，控制器為系統的部分，該系統可為上述範例的部分。此種系統可包含半導體處理設備，其包含處理工具、腔室、處理用平台、及/或特定處理構件(晶圓基座、氣體流動系統等等)。這些系統可與電子元件整合在一起，該電子元件用以在處理半導體晶圓或基板之前、期間、以及之後，控制這些系統的操作。該電子元件可被稱為『控制器』，其可控制該系統的各種構件或子部件。可根據處理需求及/或系統類型，將該控制器程式化，以控制在此所揭露之任何製程，其包含處理氣體的輸送、溫度設定(例如，加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻(RF，radio frequency)產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流率設定、流體輸送設定、位置與操作設定、進入及離開與一特定系統連接或介接之一工具及其他搬運工具及/或負載室的晶圓搬運。

大體而言，該控制器可被定義為具有各種積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子元件，其接收指令、發出指令、控制操作、進行清理操作、進行終點測量等等。該積體電路可包含具有韌體形式而儲存有程式指令的晶片、數位信號處理器(DSP，digital signal processor)、被定義為特定用途積體電路(ASIC，application specific integrated circuits)的晶片、及/或執行程式指令(例如軟體)的一或更多微處理器、或微控制器。程式指令可為以各種獨立設定值(或程式檔案)形式傳送至控制器的指令，以定義用以在半導體晶圓上或對一系統實現特定製程的操作參數。在某些實施例中，這些操作參數可為製程工程師所定義之配方的部分，以在晶圓之一或更多層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶粒的加工期間實現一或更多處理步驟。

在某些實作中，該控制器可為電腦的一部分或耦合至該電腦，該電腦係與該系統整合在一起、耦合至該系統、或網路連接至該系統、或為其組合。例如，該控制器可位在「雲端(cloud)」中或為晶圓廠主電腦系統的全部或一部分，此可允許晶圓處理的遠端存取。該電腦可對該系統進行遠端存取，以監視加工操作的當前進度、檢查過去加工操作的歷史、從複數加工操作來檢查趨勢或性能指標、改變當前處理的參數、依當前處理來設定處理步驟、或開始新的製程。在某些範例中，遠端電腦(例如伺服器)可透過網路將處理配方提供給系統，該網路可包含區域網路或網際網路。該遠端電腦可包含使用者介面，其可進行參數及/或設定值的輸入或程式化，這些參數及/或設定值之後從該遠端電腦傳送至該系統。在某些範例中，該控制器接收具有資料形式的指令，該指令規定待於一或更多操作期間執行之每一處理步驟的參數。吾人應理解這些參數可特定於待執行之製程的類型以及該控制器所介接或控制之工具的類型。因此，如上所述，可以下列方式來分配該控制器：例如藉由包含以網路連接在一起並且為一共同目的(例如在此所述的製程與控制)而運作的一或更多分離控制器。為此種目的而分配的控制器之一範例可為在腔室上之一或更多積體電路，該積體電路係與遠端設置(例如平台等級或作為遠端電腦之部分)的一或更多積體電路通信，以聯合控制在腔室上的製程。

示範的系統可包含但不限於電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉清洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清理腔室或模組、斜邊蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD，physical vapor deposition)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD，chemical vapor deposition)腔室或模組、原子層沉積(ALD，atomic layer deposition)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE，atomic layer etch)腔室或模組、離子植入腔室或模組、塗佈顯影(track)腔室或模組、以及可聯合或用於半導體晶圓之加工及/或製造的任何其他半導體處理系統。

如上所述，根據待由該工具所執行的處理步驟，該控制器可與下列其中一或多者進行通信：其他工具電路或模組、其他工具構件、群集(cluster)工具、其他工具介面、相鄰工具、鄰近工具、設置遍佈於工廠的工具、主電腦、另一控制器、或用於原料運送而將晶圓容器運至與運離半導體製造廠中之工具位置及/或裝載通道的工具。

10:基板處理系統 11:線圈驅動電路 12:RF源 13:調諧電路 15:反向電路 16:TCP線圈 18:氣體分配組件 20:氣體板 24:介電窗 28:處理腔室 32:基板支架 34:基板 40:電漿 50:RF源 52:偏壓匹配電路 54:控制器 56:氣體輸送系統 57:處理與惰性氣體源 58-1:氣體計量系統 58-2:氣體計量系統 59-1:歧管 59-2:歧管 64:加熱器/冷卻器 65:排放系統 66:閥 67:幫浦 68:溫度控制器 70:加熱元件 100:承載環 104:上部分 108:凹部(袋部) 112:凸耳(台階) 114:徑向朝內突出部分 116:第一內徑 118:環狀本體 120:第二內徑 124:凸耳(台階) 128:間隙 132:外周邊 136:密封部件 140:密封部件 144:溝槽 148:環狀溝槽 152:升降環 156:環狀突出部 200:氣體分配組件 204:承載環 208:氣體板 212:介電窗 216:開口(入口) 220:充氣部 224:孔洞 300:氣體分配組件 304:承載環 308:氣體板 312:介電窗 316:上部分 320:凹部 324:升降環

本揭露內容將由詳細說明與附圖而變得更受到完整瞭解，其中：

依照本揭露內容，圖1A為包含用於氣體分配裝置之示範承載環之基板處理系統的功能方塊圖；

依照本揭露內容之某些實施例，圖1B例示包含承載環的示範氣體分配組件；

圖1C顯示圖1B之示範承載環與氣體板的放大圖；

依照本揭露內容之某些實施例，圖2為包含承載環之示範氣體分配組件的等角視圖；以及

依照本揭露內容之某些實施例，圖3為包含承載環之氣體分配組件的分解圖。

在該等圖式中，參考符號可重複使用以指示相似及/或相同的元件。

20:氣體板

100:承載環

114:徑向朝內突出部分

116:第一內徑

118:環狀本體

120:第二內徑

124:凸耳(台階)

128:間隙

132:外周邊

136:密封部件

144:溝槽

148:環狀溝槽

152:升降環

156:環狀突出部

Claims

一種氣體分配組件，用於一基板處理系統中之一處理腔室，該氣體分配組件包含：一氣體板，包含複數孔洞，該複數孔洞設置成將一氣體混合物供應到該處理腔室的內部中；一承載環，設置成支撐該氣體板，其中該承載環包含一環狀本體以及一徑向朝內突出部分，其中該徑向朝內突出部分具有一第一內徑以及該環狀本體具有大於該第一內徑的一第二內徑，其中該徑向朝內突出部分界定一凸耳，且其中該氣體板配置在該承載環的該凸耳上；以及一介電窗，配置在該氣體板上並且位於該氣體板及該承載環的上方，以使該氣體板被支撐在該承載環與該介電窗之間。
如請求項1所述之氣體分配組件，其中該環狀本體的該第二內徑係大於該氣體板的直徑。
如請求項1所述之氣體分配組件，其中該環狀本體的該第二內徑係對應於位在該凸耳之一徑向朝內周邊處的一垂直表面，且其中該氣體板的厚度係大於該垂直表面的高度。
如請求項1所述之氣體分配組件，其中該承載環包含陶瓷。
如請求項1所述之氣體分配組件，其中該承載環包含氧化鋁。
如請求項1所述之氣體分配組件，其中該承載環包含與該氣體板相同的材料。
如請求項1所述之氣體分配組件，其中該承載環係由具有與該氣體板相同之CTE的材料所構成。
如請求項1所述之氣體分配組件，其中該承載環具有釔氧化物塗層。
如請求項1所述之氣體分配組件，其中該承載環的一外周邊包含一環狀溝槽。
如請求項9所述之氣體分配組件，更包含一升降環，該升降環配置圍繞該承載環的該外周邊，其中該升降環包含一環狀突出部，該環狀突出部朝內延伸到該承載環的該環狀溝槽內。
如請求項10所述之氣體分配組件，其中該氣體板不與該升降環直接接觸。
一種處理腔室，包含如請求項11所述之該氣體分配組件，其中該處理腔室的一上部分包含一凹部以及該氣體分配組件係配置在該凹部內，且其中該氣體板不與該處理腔室直接接觸。
一種基板處理系統的處理腔室，該基板處理系統設置成執行變壓器耦合電漿處理，該處理腔室包含：一凹部，界定在該處理腔室的一上部分中；一承載環，配置在該凹部中，其中該承載環包含一環狀本體以及一徑向朝內突出部分，其中該徑向朝內突出部分具有一第一內徑，其中該環狀本體具有大於該第一內徑的一第二內徑，且其中該突出部分界定一凸耳；一氣體板，配置在該承載環的該凸耳上，其中該氣體板包含複數孔洞，該複數孔洞設置成將一氣體混合物供應到該處理腔室的內部中；以及一介電窗，配置在該氣體板上並且位於該氣體板及該承載環的上方，以使該氣體板被支撐在該承載環與該介電窗之間，其中該氣體板不與該處理腔室的該上部分直接接觸。
如請求項13所述之基板處理系統的處理腔室，其中該環狀本體的該第二內徑係大於該氣體板的直徑。
如請求項13所述之基板處理系統的處理腔室，其中該環狀本體的該第二內徑係對應於位在該凸耳之一徑向朝內周邊處的一垂直表面，且其中該氣體板的厚度係大於該垂直表面的高度。
如請求項13所述之基板處理系統的處理腔室，其中該承載環的一外周邊包含一環狀溝槽。
如請求項16所述之基板處理系統的處理腔室，更包含一升降環，該升降環配置圍繞該承載環的該外周邊，其中該升降環包含一環狀突出部，該環狀突出部朝內延伸到該承載環的該環狀溝槽內。
如請求項17所述之基板處理系統的處理腔室，其中該氣體板不與該升降環直接接觸。