TW202214549A - 用於純化呈氣相的氟化烯烴之方法 - Google Patents

Abstract

本發明關於一種用於使用至少兩種具有不同平均孔徑的吸附劑來純化呈氣相的氟化烯烴之方法。

Description

用於純化呈氣相的氟化烯烴之方法

本發明關於一種用於純化氟化烯烴、尤其如六氟-1,3-丁二烯之方法。

六氟-1,3-丁二烯係具有交替雙鍵的無色氣態不飽和氟碳化合物。它係在半導體裝置製造中對於電漿、離子束或濺射蝕刻顯示出非常高的性能的蝕刻劑。由於其短的大氣壽命(＜ 1天)、其可忽略的全球變暖潛能值，以及其對平流層臭氧層的惰性，六氟-1,3-丁二烯係環境相容的氣體。六氟-1,3-丁二烯由首威公司(Solvay)以商標名Sifren®46銷售。

在半導體工業中採用的六氟-1,3-丁二烯必須具有極高的純度。為此，EP 1329442 A1描述了一種用於使用某些具有低平均孔徑的吸附劑、特別是分子篩5 Å來純化六氟-1,3-丁二烯之方法，因為六氟-1,3-丁二烯在雜質被吸附的同時明顯被排除在吸附劑之外，並且因此避免了有害分解反應的發生。

WO 2020/164912 A1描述了一種用於使用至少兩種具有高於6 Å的平均孔徑的吸附劑、尤其是矽膠與分子篩13X的組合，來純化氟化烯烴、尤其如六氟-1,3-丁二烯之方法。

然而，取決於待純化的粗六氟-1,3-丁二烯的初始組成，尤其是其中存在的雜質的性質和量，現有的純化方法可能不是足夠有效的。特別是當待純化的粗六氟-1,3-丁二烯中存在水時，它可能與用於其純化的某些吸附劑反應並且從而生成可能污染最終的六氟-1,3-丁二烯的新的雜質。

另一個問題在於用於運行基於吸附劑的純化方法的成本，尤其是因為某些吸附劑可能是相當昂貴的，並且總體成本比頻繁更換或再生吸附劑所必要的成本增加更多。

此外，大多數現有的基於使用吸附劑的純化方法在純化步驟之前需要將其活化之步驟，主要是用於去除殘留的水分。活化處理通常包括在乾燥的惰性氣氛下、在典型地範圍係從250℃至400℃的高溫下的熱處理。該步驟構成了附加的生產成本，因為它浪費能源、時間並且需要管理流出物。

因此，仍然需要一種用於純化六氟-1,3-丁二烯的改進之方法。因此，本申請之一個目的係提出一種用於純化六氟-1,3-丁二烯的改進之方法，該方法適於解決上述問題中的至少一個並且較佳的是若干個。在其他目的之中，本發明旨在提供一種快速、簡單、經濟和/或環境友好的純化方法，該方法可以以工業規模高效地運行，以及提供一種具有提高的純度、至少係適於電子應用的純度的六氟-1,3-丁二烯。

該等和其他目的係藉由根據本發明之方法來實現的。

因此，本發明之第一方面關於一種用於純化六氟-1,3-丁二烯之方法，該方法包括使包含六氟-1,3-丁二烯的氣態混合物與至少一種第一吸附劑和至少一種第二吸附劑接觸以純化所述氣體混合物之步驟，其中該至少一種第一吸附劑具有大於10 Å的平均孔徑且該至少一種第二吸附劑具有小於4 Å的平均孔徑。平均孔徑可以藉由技術人員已知的常規方法、特別地藉由氮吸附孔隙率測定法測量。

待純化的氣態混合物可以含有與六氟-1,3-丁二烯混合的各種雜質，如水，氫氟酸，氫鹵碳化合物，尤其地氫氟碳化合物和/或氫氯氟碳化合物，更特別地氫鹵烯烴，尤其地氫氟烯烴並且更特別地1,1,4,4-四氟-1,3-丁二烯或其異構物(下文稱為C4H2F4)。所述雜質可來自副產物的形成、來自殘留溶劑、未反應的起始材料和/或部分未反應的起始材料。

不受特別限制，相對於粗六氟-1,3-丁二烯的總體積，待藉由根據本發明之方法純化的粗六氟-1,3-丁二烯的初始純度可以按體積計等於或大於90%，特別地按體積計等於或大於95%，更特別地按體積計等於或大於98%，甚至更特別地按體積計等於或大於99%。尤其地，粗六氟-1,3-丁二烯可以包含從0 ppmv至1500 ppmv、特別地從5 ppmv至1000 ppmv的C4H2F4。尤其地，粗六氟-1,3-丁二烯可以包含從0 ppmv至1500 ppmv、特別地從8 ppmv至1000 ppmv的水。

與本發明之方法中使用的第一或第二吸附劑有關的表述「至少一種」意指可以使用多於一種具有所需特性的吸附劑以純化氣態混合物。根據一個實施方式，使包含六氟-1,3-丁二烯的氣態混合物與僅一種第一吸附劑和至少一種第二吸附劑接觸以純化所述氣體混合物。根據另一個實施方式，使包含六氟-1,3-丁二烯的氣態混合物與至少一種第一吸附劑和僅一種第二吸附劑接觸以純化所述氣體混合物。根據另一個實施方式，使包含六氟-1,3-丁二烯的氣態混合物與僅一種第一吸附劑和僅一種第二吸附劑接觸以純化所述氣體混合物。

至少一種第一吸附劑選自具有大於10 Å的平均孔徑的吸附劑。除了此種吸附劑用於從粗六氟-1,3-丁二烯中去除各種雜質、尤其是水分子的有效性之外，在第一和第二吸附劑按此順序佈置的情況下，其使用還可以有利地使得能夠將六氟-1,3-丁二烯純化到足以保持第二吸附劑以免過早降解的水平。因為六氟-1,3-丁二烯本身可能至少部分地吸附到第一吸附劑上，所以較佳的是選擇相對於六氟-1,3-丁二烯為惰性的第一吸附劑，也就是說形成在六氟-1,3-丁二烯將不與其反應的材料中。在本發明之框架中，第一吸附劑的材料的惰性可以藉由在第一吸附劑出口處的六氟-1,3-丁二烯中不存在「新的」雜質的形成和/或在過程運行結束時在經純化的六氟-1,3-丁二烯中不存在產率的顯著降低(典型地不超過5%減少)而強調。「新的」雜質意指在開始純化過程之前不存在於粗六氟-1,3-丁二烯中的雜質。

根據一個子實施方式，至少一種第一吸附劑可以選自具有大於10 Å且小於100 Å，更特別地大於10 Å且小於50 Å並且甚至更特別是大於10 Å且小於20 Å的平均孔徑的吸附劑。

根據一個實施方式，至少一種第一吸附劑選自適於至少去除(也就是說吸附)水的吸附劑。此種第一吸附劑與所述至少一種第二吸附劑一起有助於得到具有非常高純度的最終的六氟-1,3-丁二烯。在將氣態混合物首先用至少一種第一吸附劑純化並且隨後用至少一種第二吸附劑純化的情況下，其還特別適於增強至少一種第二吸附劑的壽命。實際上，在存在於粗六氟-1,3-丁二烯中的可能的雜質之中，水係最容易與第二吸附劑反應的一種。在藉由至少一種第二吸附劑操作的純化之前去除水有利地提高了所述第二吸附劑的效率，因為它可以專門致力於去除特定的有機雜質，如C4H2F4。此外，藉由避免水與構成第二吸附劑的材料的可能的反應，其避免了生成將污染最終的六氟-1,3-丁二烯的新的雜質。

具有大於10 Å的平均孔徑的可以用作本發明之框架中的第一吸附劑的合適的吸附劑包括矽膠、沸石13X、沸石MFI、活性氧化鋁、活性炭等。矽膠係更較佳的，尤其是考慮到其成本、其對六氟-1,3-丁二烯的惰性並且因為其有利地從待純化的含有六氟-1,3-丁二烯的粗氣體混合物中保留水。非常合適的矽膠包括來自首威公司的Tixosil®系列以及由格雷斯公司(Grace)供應的SYLOBEAD® SG B125。

在本發明之方法中應用的至少一種第二吸附劑選自具有小於4 Å的平均孔徑的吸附劑。第二吸附劑的孔徑可以有助於得到對於可能存在於待純化的六氟-1,3-丁二烯中的某些類型的有機雜質的更好的選擇性，如氫鹵碳化合物，特別地氫氟碳化合物(HFC)和/或氫氯氟碳化合物(HCFC)，更特別地氫鹵烯烴，特別地氫氟烯烴(HFO)並且甚至更特別地1,1,4,4-四氟-1,3-丁二烯或其異構物(C4H2F4)。此外，據信第二吸附劑的平均孔徑係足夠小的以避免六氟-1,3-丁二烯本身的吸附，這避免了與所述第二吸附劑的副反應以及因此另外的雜質的形成。

根據一個子實施方式，至少一種第二吸附劑可以選自具有大於1 Å且小於4 Å，特別地大於2 Å且小於4 Å並且更特別地大於3 Å且小於4 Å的平均孔徑的吸附劑。

根據一個實施方式，至少一種第二吸附劑選自適於去除(也就是說吸附)至少一種雜質的吸附劑，該至少一種雜質選自氫鹵碳化合物，更特別地選自氫氟碳化合物(HFC)和/或氫氯氟碳化合物(HCFC)，更特別地選自氫鹵烯烴，特別地選自氫氟烯烴(HFO)，甚至更特別地選自1,1,4,4-四氟-1,3-丁二烯及其異構物(C4H2F4)。

可以用作本發明之框架中的第二吸附劑的具有小於4 Å的平均孔徑的合適的吸附劑包括具有8員環孔的沸石。更特別地，可以提及的是沸石P、鈉菱沸石、合成菱沸石(SSZ-13、SSZ-62)等。合成菱沸石係較佳的，尤其是考慮到它對於可能存在於待純化的六氟-1,3-丁二烯中的主要有機雜質1,1,4,4-四氟-1,3-丁二烯(C4H2F4)及其異構物的選擇性。非常合適的菱沸石包括來自科萊恩公司(CLARIANT)的HCZC S(H形式)。以下說明書中任何提及的「菱沸石」係指合成菱沸石。

根據一個實施方式，將氣態混合物首先用至少一種第一吸附劑純化並且隨後用至少一種第二吸附劑純化。該實施方式特別適於提高第二吸附劑的壽命；它使得能夠減少其更換或其再生操作的頻率。

藉由根據本發明之方法獲得的六氟-1,3-丁二烯的最終純度按體積計等於或大於99.9%，較佳的是按體積計等於或大於99.95%，更較佳的是按體積計等於或大於99.98%，並且最較佳的是按體積計等於或大於99.99%。

可能留在經純化的六氟-1,3-丁二烯中的水的總量可以低於或等於200 ppmv，特別地低於或等於160 ppmv，特別地低於或等於80 ppmv，特別地低於或等於15 ppmv，特別地低於或等於8 ppmv。可能留在經純化的六氟-1,3-丁二烯中的水的總量可以等於或大於0 ppmv、0.001 ppmv，特別地等於或大於0.1 ppmv，特別地等於或大於1 ppmv。它可以藉由雷射二極體光譜法或氣相層析法(GC)測量。

可能留在經純化的六氟-1,3-丁二烯中的氫氟碳化合物的總量可以低於或等於500 ppmv，特別地低於或等於300 ppmv，特別地低於或等於200 ppmv，特別地低於或等於150 ppmv，特別地低於或等於100 ppmv，特別地低於或等於60 ppmv。可能留在經純化的六氟-1,3-丁二烯中的氫氟碳化合物的總量可以等於或大於0 ppmv、0.001 ppmv，特別地等於或大於0.1 ppmv，特別地等於或大於1 ppmv。它可以藉由常規方法，如氣相層析法或質譜法測量。

特別地，可能留在經純化的六氟-1,3-丁二烯中的1,1,4,4-四氟-1,3-丁二烯或其可能的異構物的總量可以低於或等於50 ppmv，特別地低於或等於30 ppmv，特別地低於或等於20 ppmv，特別地低於或等於10 ppmv，特別地低於或等於6 ppmv。可能留在純化的六氟-1,3-丁二烯中的1,1,4,4-四氟-1,3-丁二烯及其異構物的總量可以等於或大於0 ppmv、0.001 ppmv，特別地等於或大於0.1 ppmv，特別地等於或大於1 ppmv。它可以藉由任何已知之方法，如氣相層析法或質譜法測量。

在根據本發明之方法的更具體的實施方式中，至少一種第一吸附劑係矽膠並且至少一種第二吸附劑係菱沸石。就順序而言，較佳的是將六氟-1,3-丁二烯首先藉由至少所述矽膠純化並且然後藉由至少所述菱沸石純化。有利地，六氟-1,3-丁二烯可以藉由所述矽膠隨後接著藉由所述菱沸石以簡單有效的方式純化，而不需要任何其他純化手段。

較佳的是，方法在等於或高於100毫巴(絕對值)且等於或低於2000毫巴(絕對值)的初始壓力下進行。

還較佳的是，方法在等於或高於5℃且等於或低於40℃的初始溫度下進行。

如本文所使用的術語「初始」旨在表示氣態混合物在與至少包含第一和第二吸附劑的序列中的主吸附劑接觸之前的溫度和壓力。

還較佳的是，將氣態混合物通過吸附劑的流速設定為等於或高於2 g/min且等於或低於200 g/min。

在較佳的實施方式中，至少第一和第二吸附劑存在於同一吸附筒的不同區域中。因此，在純化方法中僅使用一個吸附筒，並且至少兩種吸附劑位於一個筒內的不同區域中，較佳的是在連續的區域中，從而允許氣態混合物與吸附劑一個接一個地接觸。

在另一個較佳的實施方式中，在本發明中使用的吸附劑存在於不同的吸附筒中，使得氣態混合物可以與吸附劑一個接一個地接觸並且吸附劑可以單獨地再生。

根據一個實施方式，至少該第一吸附劑和/或第二吸附劑、並且較佳的是在本發明之純化方法中使用的任何吸附劑，在與氣態混合物接觸之前未進行熱處理。相比於先前技術的純化方法，在先前技術的純化方法中經常被稱為「活化」的預處理包括在惰性氣氛下將吸附劑保持在升高的溫度下，典型地在150℃與400℃之間，以在吸附劑的第一次使用前去除其中的水分，本發明之純化方法不需要這樣之步驟。它有利地使得能夠實現生產節約，因為它避免時間、能源的浪費以及流出物(主要是水、二氧化碳和使用的惰性氣體)的管理。

純化方法可以被重複多次(必要時)以實現最終六氟-1,3-丁二烯的所需純度。因此，可以設置循環回路以在純化單元的下游回收經純化的六氟-1,3-丁二烯並將其送回到純化單元的上游。

根據本發明之純化方法可以包括所述至少一種第一吸附劑和/或第二吸附劑的再生步驟。再生步驟可以包括或在於待再生吸附劑的熱處理，較佳的是在範圍從200℃至400℃，更較佳的是從250℃至350℃、甚至更較佳的是從280℃至300℃的溫度下。壓力條件沒有特別限制：再生步驟可以有利地在大氣壓下進行。

根據本發明純化的六氟-1,3-丁二烯可以純形式使用。然而，通常希望作為與其他氟化蝕刻氣體的混合物使用本發明之六氟-1,3-丁二烯以控制氣體混合物的碳/氟比率。此外，可能希望與合適的惰性氣體(像氮氣、氬氣或氙氣)或與氧氣的混合物。

因此，本發明之另外的方面係一種用於生產根據本發明之氣體混合物之方法，該方法包括上述用於純化六氟-1,3-丁二烯之方法和隨後將經純化的六氟-1,3-丁二烯與選自由以下組成之群組中的另外的氣體混合：惰性氣體、氧氣和另一種氟化蝕刻氣體，以及在這樣之方法中形成的氣體混合物。

特別地，本發明之一個目的係一種氣體混合物，其包含六氟-1,3-丁二烯和至少一種選自由以下組成之群組中的另外的氣體：惰性氣體、氧氣和另一種氟化蝕刻氣體，其中相對於該氣體混合物的總體積，水的體積比小於200 ppmv並且氫氟碳化合物的體積比小於500 ppmv。特別地在所述氣體混合物中，相對於該氣體混合物的總體積，1,1,4,4-四氟-1,3-丁二烯或其異構物的體積比較佳的是小於50 ppmv。

更特別地，所述氣體混合物可以包含六氟-1,3-丁二烯和至少一種選自由以下組成之群組中的另外的氣體：惰性氣體、氧氣和另一種氟化蝕刻氣體，其中相對於該氣體混合物的總體積，水的體積比等於或大於0 ppmv且小於100 ppmv並且氫氟碳化合物的體積比等於或大於0 ppmv且小於200 ppmv。特別地在所述氣體混合物中，相對於該氣體混合物的總體積，1,1,4,4-四氟-1,3-丁二烯或其異構物的體積比較佳的是等於或大於0 ppmv且小於20 ppmv。

上述雜質的下限可能落在測量工具的定量極限之內。對於水來說，定量極限應該出現在如藉由微GC測量的8 ppmv以下。對於氫氟碳化合物來說，定量極限應該出現在如藉由GC測量的4 ppm以下。

藉由將希望量的六氟-1,3-丁二烯和任何其他希望的氣體壓縮或壓到壓力瓶中可以容易地製備本發明之氣體混合物。

此外，本發明關於一種用於生產半導體材料、太陽能面板、平面板或微機電系統之方法、或清潔用於半導體製造的設備的腔室之方法，其包括使用根據本發明純化的六氟-1,3-丁二烯或根據本發明之氣體混合物。較佳的用途係在生產微機電系統中。

如果藉由援引併入本文的任何專利、專利申請和公開物的揭露內容與本申請之說明相衝突到了可能導致術語不清楚的程度，則本說明應優先。

圖1示出了用於本發明之方法的合適的設備。初始罐 C1容納有粗六氟-1,3-丁二烯。罐 C1中的六氟-1,3-丁二烯的量可以藉由天平測量。最終罐 C2被浸沒在處於-78℃下的冷卻浴(乾冰和丙酮的混合物)中。不銹鋼管 A1容納有吸附床。它具有18 mm的內徑和406 mm的長度。它係雙層夾套的並且連接至冷卻浴，以能夠在內部發生放熱反應的情況下冷卻床。測量管 A1之前和之後氣態混合物的壓力和溫度。所有管道均由不銹鋼製成。

以下描述使用如圖1所示的設備的本發明方法的典型順序。

在使用之前吸附劑都不進行預處理：將它們直接裝載到管 A1中或儲存用於隨後使用。

一旦管 A1裝入所需的吸附劑，就將其安裝在設備中並且在真空下檢查設備的密封性。

之後，將最終罐 C2浸沒到冷卻浴中並且將2500 g的粗六氟-1,3-丁二烯裝入罐 C1。罐 C1中的壓力通常在從1.5巴至1.8巴(絕對值)的範圍內。

然後使粗六氟-1,3-丁二烯通過管 A1，並且在最終罐 C2中藉由冷凝收集如此純化的六氟-1,3-丁二烯。藉由相應地調整針閥 V1 、 V2和 V3，手動控制流量從5 g/min至25 g/min。

在所有粗六氟-1,3-丁二烯均已通過管 A1後，藉由關閉閥 V4將罐 C2隔離，並且然後使其升溫至室溫。

分析罐 C2中的經純化的六氟-1,3-丁二烯樣品，並且將分析結果與粗六氟-1,3-丁二烯的分析結果進行比較。

下面的實例將進一步詳細解釋本發明，但是不旨在限制本發明之範圍。

實例 1： 使用矽膠和菱沸石的組合來純化六氟 -1,3- 丁二烯

對於此試驗，在首先與氣態混合物接觸的管 A1的末端處，首先向管A1中裝入1300 g矽膠(由格雷斯公司供應的Sylobead SG B 125，平均孔徑為12.5 Å)，該矽膠不經任何預處理。之後，在朝向最終罐 C2的管 A1的末端處，向管 A1的其餘部分中裝入1300 g的菱沸石(由科萊恩公司供應的HCZC S(H形式)，平均孔徑為3.8 Å)，該菱沸石不經任何預處理。因此，管 A1裝有兩個分開的吸附床，第一個床具有矽膠並且隨後的床具有菱沸石。按照上述典型程序，在5 g/min的流速、在壓力錶 P2測得的1.2巴(絕對值)的壓力和熱電偶 T2測得的10℃的溫度下，純化初始量的2500 g六氟-1,3-丁二烯。

來自罐 C1的粗六氟-1,3-丁二烯和來自罐 C2的經純化的六氟-1,3-丁二烯的分析的結果示於表1中。

[表1]：分析結果

雜質(ppmv) 相對於總的六氟-1,3-丁二烯	罐C1	罐C2
水	＜ 1000	＜ 8
C4H2F4	＜ 200	＜ 5
總的氫氟碳化合物(ppmv)	＜ 1500	＜ 50

該等結果中的一些係在測量工具的定量極限之內：這係在水的情況下，對其來說定量極限出現在如藉由微GC測量的低於8 ppmv。藉由GC定量C4H2F4和總的HFC。

A1:管 C1:罐 C2:罐 P1:壓力錶 P2:壓力錶 T1:熱電偶 T2:熱電偶 V1:閥 V2:閥 V3:閥 V4:閥

[圖1]示出了一種設備執行根據本發明之方法的流程圖。

A1:管

C1:罐

C2:罐

P1:壓力錶

P2:壓力錶

T1:熱電偶

T2:熱電偶

V1:閥

V2:閥

V3:閥

V4:閥

Claims (15)

1. 一種用於純化六氟-1,3-丁二烯之方法，該方法包括使包含六氟-1,3-丁二烯的氣態混合物與至少一種第一吸附劑和至少一種第二吸附劑接觸以純化所述氣體混合物之步驟，其中該至少一種第一吸附劑具有大於10 Å的平均孔徑且該至少一種第二吸附劑具有小於4 Å的平均孔徑。
2. 如請求項1之方法，其中，該至少一種第一吸附劑具有大於10 Å且小於100 Å、特別地大於10 Å且小於50 Å並且更特別地大於10 Å且小於20 Å的平均孔徑。
3. 如請求項1或2之方法，其中，該至少一種第二吸附劑具有大於1 Å且小於4 Å、特別地大於2 Å且小於4 Å並且更特別地大於3 Å且小於4 Å的平均孔徑。
4. 如請求項1至3中任一項之方法，其中，該至少一種第一吸附劑適於至少去除水分子，所述至少一種第一吸附劑較佳的是矽膠。
5. 如請求項1至4中任一項之方法，其中，該至少一種第二吸附劑適於去除至少一種雜質，該至少一種雜質選自氫鹵碳化合物，更特別地選自氫氟碳化合物和/或氫氯氟碳化合物，更特別地選自氫鹵烯烴，特別地選自氫氟烯烴，甚至更特別地選自1,1,4,4-四氟-1,3-丁二烯及其異構物，所述至少一種第二吸附劑較佳的是沸石並且更較佳的是菱沸石。
6. 如請求項1至5中任一項之方法，其中，將該氣態混合物首先用該至少一種第一吸附劑純化並且隨後用該至少一種第二吸附劑純化。
7. 如請求項1至6中任一項之方法，其中，在等於或高於100毫巴(絕對值)且等於或低於2000毫巴(絕對值)的初始壓力下，使該氣態混合物與該至少一種第一吸附劑和該至少一種第二吸附劑接觸。
8. 如請求項1至7中任一項之方法，其中，在等於或高於5℃且等於或低於40℃的初始溫度下，使該氣態混合物與該至少一種第一吸附劑和該至少一種第二吸附劑接觸。
9. 如請求項1至8中任一項之方法，其中，在等於或高於2 g/min且等於或低於200 g/min的流速下，使該氣態混合物與該至少一種第一吸附劑和該至少一種第二吸附劑接觸。
10. 如請求項1至9中任一項之方法，其中，該至少一種第一吸附劑和該至少一種第二吸附劑存在於同一吸附筒的不同區域中。
11. 如請求項1至9中任一項之方法，其中，該至少一種第一吸附劑和該至少一種第二吸附劑存在於兩個不同的吸附筒中。
12. 如請求項1至11中任一項之方法，其中，該至少一種第一吸附劑和/或該至少一種第二吸附劑在與該氣態混合物接觸之前未進行熱處理。
13. 一種用於生產氣體混合物之方法，該方法包括如請求項1至12中任一項之方法和隨後將經純化的六氟-1,3-丁二烯與選自由以下組成之群組中的另外的氣體混合：惰性氣體、氧氣和另一種氟化蝕刻氣體。
14. 一種氣體混合物，其包含六氟-1,3-丁二烯和至少一種選自由以下組成之群組中的另外的氣體：惰性氣體、氧氣和另一種氟化蝕刻氣體，其中相對於該氣體混合物的總體積，可能包含在其中的水的體積比小於200 ppmv且可能包含在其中的氫氟碳化合物的體積比小於500 ppmv。
15. 一種用於生產半導體材料、太陽能面板、平面板或微機電系統之方法、或清潔用於半導體製造的設備的腔室之方法，其包括使用如請求項1至12中任一項之經純化的六氟-1,3-丁二烯或如請求項14之氣體混合物。

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