TW202133248A - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202133248A
TW202133248A TW109145394A TW109145394A TW202133248A TW 202133248 A TW202133248 A TW 202133248A TW 109145394 A TW109145394 A TW 109145394A TW 109145394 A TW109145394 A TW 109145394A TW 202133248 A TW202133248 A TW 202133248A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
nozzle
substrate
cup
arm
container
Prior art date
Application number
TW109145394A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI797523B (zh
Inventor
安武陽介
石井弘晃
酒井渉
池上裕
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW202133248A publication Critical patent/TW202133248A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI797523B publication Critical patent/TWI797523B/zh

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/04Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation
    • B05B13/0442Installation or apparatus for applying liquid or other fluent material to separate articles rotated during spraying operation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/0278Arrangement or mounting of spray heads
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/04Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/50Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/0221Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work characterised by the means for moving or conveying the objects or other work, e.g. conveyor belts
    • B05B13/0228Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work characterised by the means for moving or conveying the objects or other work, e.g. conveyor belts the movement of the objects being rotative
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B14/00Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/50Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter
    • B05B15/55Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter using cleaning fluids
    • B05B15/555Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter using cleaning fluids discharged by cleaning nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Formation And Processing Of Food Products (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本發明之課題在於提供一種基板處理裝置,其於將噴嘴朝容器收容時,不需要進行噴嘴之下降動作。 本發明之解決手段係,保持機構21水平地保持基板SB。旋轉機構22使保持基板SB的保持機構21旋轉。噴嘴51朝基板SB供給處理液。噴嘴臂52保持噴嘴51。臂作動機構53使噴嘴臂52在俯視下與基板SB重疊的處理位置、及在俯視下自基板SB偏離的退避位置之間移動。杯部3被配置在保持機構21之周圍,承接來自基板SB之處理液。杯作動機構40使杯部3在上方位置與下方位置之間上下地移動。第一容器61係以可與杯部3一體地上下移動之方式被固定於杯部3,且可收容在退避位置上的噴嘴51。

Description

基板處理裝置
本發明係關於基板處理裝置,尤其是關於用於使用處理液來處理基板的基板處理裝置。再者,針對基板包含有半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用玻璃基板、磁碟或光碟用之玻璃或陶瓷基板、有機EL (Electroluminescence,電致發光)用玻璃基板、太陽電池用玻璃基板或矽基板等。
根據日本專利特開2018-107397號公報(專利文獻1),揭示有一種基板處理裝置,其從自待機位置移動至基板上方的處理液噴嘴將處理液供給至基板。於基板處理裝置設有接住朝基板周圍所飛散之處理液的擋板。對於擋板連結有擋板升降驅動機構,而可配合來自控制部的升降指令使擋板升降。於基板處理裝置進而設有用於使移動至待機位置的噴嘴待機的待機匣盒。待機匣盒係於不自噴嘴對基板吐出處理液之期間,用於使噴嘴待機者。而且,於該待機中預備性地吐出處理液,即執行所謂之預分配處理。此時被吐出的處理液係被待機匣盒所捕集。待機匣盒具有容器。於該容器之上表面設有用於將噴嘴之前端部***至待機匣盒的開口部,在噴嘴從待機匣盒離開的狀態下,開口部成為開放狀態。另一方面,藉由噴嘴之前端部之***,而開口部被堵塞,且可以容器之內部承接自噴嘴所被吐出的處理液。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1:日本專利特開2018-107397號公報
(發明所欲解決之問題)
根據上述公報所記載之技術,於將噴嘴***至待機匣盒之容器的開口部時,需要進行噴嘴之下降移動。然而,其有不希望執行此一動作之情況。尤其是,於基板處理裝置不具有用於使噴嘴上下移動之作動機構之情況下,不可能進行上述下降移動。此外,即便為基板處理裝置具有用於使噴嘴上下移動之作動機構的情況下,仍有起因於噴嘴之下降移動而使基板處理裝置之動作複雜化的情形。
本發明係為了解決以上之問題所完成者,其目的在於提供一種基板處理裝置,其於將噴嘴朝容器收容時,不需要進行噴嘴之下降動作。 (解決問題之技術手段)
第一態樣係用於使用處理液來處理基板的基板處理裝置,其具備有:保持機構,其水平地保持上述基板;旋轉機構,其使保持上述基板的上述保持機構旋轉;噴嘴,其朝上述基板供給上述處理液;噴嘴臂,其保持上述噴嘴;臂作動機構,其使上述噴嘴臂在俯視下與上述基板重疊的處理位置、及俯視下自上述基板偏離的退避位置之間移動;杯部,其被配置在上述保持機構之周圍,承接來自上述基板的上述處理液;杯作動機構,其使上述杯部在上方位置與下方位置之間上下地移動;及第一容器,其以可與上述杯部一體地上下移動之方式被固定於上述杯部,且可收容在上述退避位置上的上述噴嘴。
第二態樣係於第一態樣之基板處理裝置中,上述第一容器於俯視下與上述杯部重疊。
第三態樣係於第一或第二態樣之基板處理裝置中,進而具備有:控制部,其控制上述臂作動機構及上述杯作動機構;上述控制部具有第一控制模式,該第一控制模式係於上述噴嘴位在上述退避位置時,以使上述杯部自上述下方位置朝上述上方位置移動之方式控制上述杯作動機構。
第四態樣係於第三態樣之基板處理裝置中,上述控制部具有第二控制模式,該第二控制模式係於上述杯部位在上述上方位置時,將上述噴嘴維持於在俯視下自上述基板偏離而較上述退避位置更靠內側的中間位置。
第五態樣係於第一至第四任一態樣之基板處理裝置中,進而具備有:第二容器,其可收容與上述退避位置不同之位置上的上述噴嘴。
第六態樣係於第一至第五任一態樣之基板處理裝置中,上述臂作動機構係以使上述噴嘴沿著直線而水平移動之方式使上述噴嘴臂移動。
第七態樣係於第一至第五任一態樣之基板處理裝置中,上述臂作動機構係以使上述噴嘴沿著圓弧而水平移動之方式使上述噴嘴臂移動。 (對照先前技術之功效)
根據第一態樣,可收容在退避位置上之噴嘴的第一容器係以可與杯部一體地上下移動之方式被固定於杯部,藉此,於噴嘴朝退避位置退避之後,可同時地一併進行使杯部上升的動作、及將噴嘴朝第一容器收容的動作。
根據第二態樣,第一容器係於俯視下與杯部重疊。藉此,可削減用於配置第一容器及杯部的面積。
根據第三態樣,控制部具有第一控制模式,該第一控制模式係於噴嘴位在退避位置時,以使杯部自下方位置朝上方位置移動之方式控制杯作動機構。藉此,可進行如下控制,該控制係用於同時地一併進行使杯部上升的動作、及將噴嘴朝第一容器收容的動作。
根據第四態樣,控制部具有第二控制模式,該第二控制模式係於杯部位在上方位置時,將噴嘴維持於在俯視下自基板偏離而較退避位置更靠內側的中間位置。藉此,即便為噴嘴朝退避位置之移動係在因位在上方位置之杯部而被阻礙的情況下,仍可藉由將噴嘴維持在中間位置,而避免自噴嘴朝基板的液體滴落。
根據第五態樣,基板處理裝置具有可收容與退避位置不同之位置上之噴嘴的第二容器。藉此,即便於第一容器之位置以外之位置,仍可收容噴嘴。
根據第六態樣,臂作動機構係以使噴嘴沿著直線而水平移動之方式使噴嘴臂移動。藉此,可以高精度進行沿著該直線方向的位置控制。
根據第七態樣,臂作動機構係以使噴嘴沿著圓弧而水平移動之方式使噴嘴臂移動。藉此,可以簡單之臂作動機構而使噴嘴廣範圍地移動。
以下,基於圖式而對於本發明之實施形態進行說明。再者,於以下之圖式中,對於相同或相等之部分附加相同之參照編號而不重複其說明。
<實施形態1> 圖1係概略地表示本實施形態1中之基板處理系統100之構成的俯視圖。基板處理系統100包含有裝載埠LP、分度機器人IR、中央機器人CR、控制部90(控制器)、至少一個處理單元UT(在圖1中為四個處理單元)。複數個處理單元UT係用於處理基板SB(晶圓)者,其中至少一者之詳細內容係與後述之基板處理裝置101對應。基板處理裝置101係可使用於基板處理的單片式裝置,例如為可使用於將附著在基板SB之有機物除去之處理的單片式裝置。基板處理裝置101可具有腔室80。於此情況下,藉由控制腔室80內之環境氣體,而可在所期望之環境氣體中進行基板處理。
控制部90可控制於基板處理系統100所具備有的各部之動作。載體C之各者係收容基板SB的收容器。裝載埠LP係保持複數個載體C的收容器保持機構。分度機器人IR可在裝載埠LP與基板載置部PS之間搬送基板SB。中央機器人CR可將基板SB自基板載置部PS及至少一個處理單元UT中之任一者朝另一者搬送。藉由以上構成,分度機器人IR、基板載置部PS及中央機器人CR係作為在處理單元UT各者與裝載埠LP之間搬送基板SB的搬送機構而發揮功能。
未處理之基板SB係藉由分度機器人IR而自載體C被取出,經由基板載置部PS而被交接至中央機器人CR。中央機器人CR將該未處理之基板SB搬入至處理單元UT。處理單元UT對基板SB進行處理。處理完畢之基板SB係藉由中央機器人CR而自處理單元UT被取出,配合需要而經過其他處理單元UT之後,經由基板載置部PS而被交接至分度機器人IR。分度機器人IR將處理完畢之基板SB搬入至載體C。藉由以上流程,進行對於基板SB的處理。
圖2係概略地表示於圖1之基板處理系統100所包含有之控制部90之構成的方塊圖。控制部90可藉由具有電路的一般電腦所構成。具體而言,控制部90具有CPU(Central Processing Unit,中央處理單元)91、ROM(Read Only Memory,唯讀記憶體)92、RAM(Random Access Memory,隨機存取記憶體)93、記憶裝置94、輸入部96、顯示部97及通信部98、及將該等相互連接的匯流排線95。
ROM 92存放基本程式。RAM 93被供作CPU 91進行既定處理時的作業區域。記憶裝置94係藉由快閃記憶體或硬碟裝置等之非揮發性記憶裝置所構成。輸入部96係藉由各種開關或觸控面板等所構成,而自操作員接受處理配方等之輸入設定指示。顯示部97例如藉由液晶顯示裝置及燈等所構成,於藉由CPU 91所進行之控制下,顯示各種資訊。通信部98具有經由LAN(Local Area Network,區域網路)等的資料通信功能。於記憶裝置94預先設定有對於構成基板處理系統(圖1)的各裝置之控制的複數種模式。藉由CPU 91執行處理程式94P,而選擇上述複數種模式中之一個模式,藉由該模式控制各裝置。此外,處理程式94P亦可被記憶於記錄媒體。若使用該記錄媒體,則可將處理程式94P安裝在控制部90。此外,控制部90所執行的功能之一部分或全部未必一定必須藉由軟體來實現,亦可藉由專用之邏輯電路等之硬體來實現。
圖3係概略地表示於基板處理系統100(圖1)所包含有之基板處理裝置101之構成的俯視圖,圖4係將在圖3中噴嘴51與噴嘴臂52之噴嘴51附近部之圖示加以省略的俯視圖。於該等圖中,為了方便說明,除了基板處理裝置101以外,亦顯示藉由其裝置所被處理的基板SB。圖5係沿著圖3之線V-V之概略的剖視圖,且為概略地表示自噴嘴51朝基板SB吐出處理液之液流LF之步驟的圖。基板處理裝置101係用於使用處理液來處理基板SB者。
基板處理裝置101具有旋轉卡盤20、噴嘴51、噴嘴臂52、臂作動機構53、杯部3、杯作動機構40、第一容器61、收納構件24。旋轉卡盤20具有保持機構21及旋轉機構22。
保持機構21水平地保持基板SB。旋轉機構22使保持基板SB的保持機構21繞通過基板SB之中心而朝鉛直方向延伸的旋轉軸CX旋轉(參照圖5中之箭頭AR)。旋轉軸CX係沿著上下方向。旋轉機構22具有沿著旋轉軸CX延伸的軸22X、使軸22X繞旋轉軸CX旋轉的馬達22M。旋轉機構22係藉由收納構件24被覆蓋而藉此被保護。
具體而言,保持機構21係在基板SB之所被處理之主面朝向上方的狀態下,一面將基板SB保持為大致水平姿勢一面可進行旋轉的機構。此處所謂之水平姿勢係基板SB之厚度方向沿著鉛直方向的狀態。藉由旋轉機構22所被旋轉的保持機構21係使基板SB繞通過其主面之中心部的鉛直之(假想的)旋轉軸CX旋轉。旋轉軸CX較佳為通過基板SB之中心。保持機構21例如具有大致圓板形狀。保持機構21係被設置為其上表面呈大致水平,其中心軸與旋轉軸CX大致一致。在圖3之例中,保持機構21之直徑係較基板SB之直徑為小。於保持機構21之下表面連結有大致圓筒狀之軸22X。
於旋轉卡盤20設有抽吸機構MV。抽吸機構MV具有抽吸孔25、抽吸配管26、開閉閥(未圖示)、泵(未圖示)。具體而言,於保持機構21之上表面設有抽吸孔25。抽吸孔25係經由延伸在軸22X之內部空間的抽吸配管26及開閉閥(未圖示)而被連接至泵(未圖示)。該泵及該開閉閥係電性地被連接至控制部90(圖1)。控制部90控制該泵及該開閉閥之動作。該泵係依照控制部90之控制而可選擇性地供給負壓與正壓。在基板SB以大致水平姿勢被放置在保持機構21之上表面的狀態下,當泵供給負壓時,保持機構21之抽吸孔25自下方吸著保持基板SB。當泵供給正壓時,自保持機構21之上表面可取下基板SB。於該構成中,吸著保持基板SB的保持機構21係藉由旋轉機構22而被旋轉。
再者,保持機構21亦可具有複數個機械性之卡盤銷,該卡盤銷係於保持機構21上表面之周緣部附近隔開適當之間隔而被設置,以取代抽吸孔25。該複數個卡盤銷保持基板SB。此情況之基板保持機構例如為較基板SB稍大之圓板狀。該複數個卡盤銷係以基板SB在較基板保持機構21之上表面稍高之位置成為大致水平姿勢之方式裝卸自如地保持基板SB。各卡盤銷係藉由與控制部90(圖1)電性地連接的馬達等而選擇性地可切換為抵接至基板SB之周緣而保持基板SB的狀態、及自基板SB之周緣離開而放開基板SB的狀態。
噴嘴51朝基板SB供給處理液。具體而言,噴嘴51係自基板SB之上方朝向基板SB吐出處理液之液流LF。噴嘴臂52保持噴嘴51。臂作動機構53係藉由控制部90(圖1)被控制,藉此使噴嘴臂52在俯視下與基板SB重疊的處理位置(參照圖3)、及俯視下自基板SB偏離的退避位置(參照圖8)之間移動。具體而言,臂作動機構53係以使噴嘴51沿著直線而水平移動之方式使噴嘴臂52移動(參照圖3及圖8)。該直線之延伸方向包含基板SB之徑向的成分,較佳為沿著徑向。
處理液係自處理液源55經由閥56而被供給至噴嘴51。閥56係藉由控制部90(圖1)被控制。當閥56被設定為開狀態時,自噴嘴51吐出處理液之液流LF(圖5)。再者,於圖5以外之圖中,省略閥56及處理液源55之圖示。
杯部3係被配置於保持機構21之周圍,承接藉由離心力而自旋轉之基板SB所飛散的處理液。杯作動機構40藉由控制部90被控制,藉此使杯部3在上方位置(圖5)與下方位置(圖7)之間上下地移動。杯作動機構40係被腔室底部BM所支撐,因而可使杯部3距離腔室底部BM的高度產生變化。於杯部3位在上方位置時,杯部3之上部的內緣係以可充分地承接自基板SB所飛散之處理液之方式,位在較保持機構21之上表面(保持機構21支撐基板SB的支撐面)足夠高的位置。於杯部3位在下方位置時,杯部3整體係以成為不妨礙基板SB或噴嘴51移動之方式,位在較保持機構21之上表面更低的位置。
具體而言,杯部3可具有底部31、內側擋板32、及外側擋板33。內側擋板32及外側擋板33各者之上部係為了有效率地承接自基板SB所飛散的處理液,而具有越靠近基板SB成為越高的內表面。此外,如圖5所示,於內側擋板32及外側擋板33各者之上部的內端,亦可設有用於防止杯部3暫時所承接的處理液再次朝基板SB飛散的垂下部。為了使底部31、內側擋板32、及外側擋板33各者獨立地移動,杯作動機構40亦可具有底部作動機構41、內側擋板作動機構42、及外側擋板作動機構43,該等機構係例如藉由步進馬達所構成。內側擋板32及外側擋板33各者為筒形狀之構件,而為包圍保持機構21的擋板。外側擋板33包圍內側擋板32。此外,外側擋板33覆蓋內側擋板32之上表面。再者,亦可設置單一擋板或三個以上之擋板,以取代該等兩個擋板。底部31被配置於內側擋板32之下方,承接在內側擋板32內落下的處理液。底部31亦可具有用於排出處理液的排出口(未圖示)。再者,作為變形例,亦可進而設置有承接在內側擋板32與外側擋板33之間落下之處理液的底部。
第一容器61係可收容在退避位置上之噴嘴51者。噴嘴51可在第一容器61內進行預分配,或被洗淨。如圖5所示,第一容器61係朝向上方而具有開口部。第一容器61係以可與杯部3一體地上下移動之方式而被固定於杯部3。於杯部3位在下方位置時(參照圖9),第一容器61之開口部係位在較噴嘴51之下端更低的位置。此外,於杯部3位在上方位置時(參照圖10),第一容器61之開口部係位在較噴嘴51之下端更高的位置。於圖5之例中,杯部3係被安裝在外側擋板33之上表面上,因而第一容器61係在俯視下(圖4)與杯部3重疊。
圖6係概略地表示在本實施形態1中之將噴嘴51收容於第一容器61之方法的流程圖。
於步驟S10(圖6),杯部3係自上方位置朝下方位置被移動。具體而言,使噴嘴51位在處理位置(參照圖3)且杯部3位在上方位置(參照圖5)的配置朝噴嘴51位在處理位置(參照圖3)且杯部3位在下方位置(參照圖7)的配置進行轉移。
於步驟S20,噴嘴51自處理位置(參照圖3及圖5)朝退避位置(參照圖8及圖9)被移動。
於步驟S30,執行控制部90(圖1)所具有的第一控制模式。具體而言,於噴嘴51位在退避位置而作為上述步驟S20之結果時(參照圖9),以使杯部3自下方位置朝上方位置移動之方式控制杯作動機構40(圖5)。其結果,如圖10所示,噴嘴51被收容於第一容器61。
根據本實施形態,可收容在退避位置上之噴嘴51的第一容器61係以可與杯部3一體地上下移動之方式被固定於杯部3,藉此,於噴嘴51朝退避位置退避之後,可同時地一併進行使杯部3上升的動作、及將噴嘴51朝第一容器61收容的動作。
第一容器61(圖4)係在俯視下與杯部3重疊。藉此,可削減用於配置第一容器61及杯部3的面積。
控制部90(圖1)具有第一控制模式,該第一控制模式係於噴嘴51位在退避位置時(參照圖9),以使杯部3自下方位置朝上方位置移動之方式控制杯作動機構40(參照圖10)。藉此,可進行如下控制,該控制係用於同時地一併進行使杯部3上升的動作、及將噴嘴51朝第一容器61收容的動作。
臂作動機構53係以使噴嘴51沿著直線而水平移動之方式使噴嘴臂52移動(參照圖3及圖8)。換言之,臂作動機構53為直線運動(linear)致動器。藉此,可以高精度進行沿著該直線方向的位置控制。尤其是,於進行僅在基板SB周緣上之基板處理、即進行晶邊處理的情況下,嚴密地要求噴嘴51在基板SB徑向上之位置精度,因此,應用直線運動致動器係特別地有效。晶邊處理用之噴嘴51通常具有如下吐出口,該吐出口係被配置成沿著從上下方向所傾斜的方向而吐出處理液之液流LF(圖5)。典型而言,如圖示般,液流LF係朝向下方外側被吐出。於此情況下,為了在徑向上精確地管理基板SB上之被處理區域,不僅要求噴嘴51之水平位置的精度,亦對上下位置的精度有所要求。根據本實施形態,於將噴嘴51收容在第一容器61時,不需要使噴嘴51朝上下方向移動。藉此,可將噴嘴51之上下方向上的位置設為固定值而精確地被管理。因而,可避免噴嘴51之上下方向上之位置之未意料到的偏移。因而,可提高晶邊處理之位置精度。
<實施形態2> 圖11係概略地表示在本實施形態2中之將噴嘴51收容於容器之方法的流程圖。
於步驟S1(圖11),執行控制部90(圖1)所具有的第二控制模式。具體而言,控制部90係以於杯部3位在上方位置時(參照圖5)使噴嘴51自處理位置朝中間位置(參照圖12)移動之方式,控制臂作動機構53。該中間位置係,在俯視下自基板SB偏離且較退避位置(參照圖10)更靠內側之位置。而且,控制部90係將杯部3維持在上方位置,且將噴嘴51維持在中間位置。
於步驟S2(圖11),一面維持藉由上述步驟S1所進行之配置,一面進行不使用噴嘴51之某些基板處理。典型而言為,為了除去附著在基板SB上之處理液而使基板SB旋轉的處理,換言之,即進行基板乾燥處理。
於步驟S15(圖11),杯部3係自上方位置(參照圖12)朝下方位置(參照圖13)移動。於步驟S25(圖11),噴嘴51係自中間位置(參照圖13)朝退避位置(參照圖9)移動。其後,與前述之實施形態1同樣地進行步驟S30(圖11)(參照圖10)。
再者,除了控制部90具有第二控制模式以外,本實施形態2係與前述之實施形態1相同。
根據本實施形態,藉由第二控制模式,於杯部3位在上方位置時將噴嘴51維持在中間位置。藉此,即便為噴嘴51朝退避位置之移動係在因位在上方位置的杯部3而被阻礙的情況下,仍可藉由將噴嘴51維持在中間位置,而避免自噴嘴51朝基板SB上的液體滴落。
<實施形態3> 圖14及圖15各者係以噴嘴51位在處理位置之狀態及位在退避位置之狀態概略地表示本實施形態3中之基板處理裝置102之構成的俯視圖。基板處理裝置102具有臂作動機構53M,以取代臂作動機構53(圖3:實施形態1)。臂作動機構53M係以使噴嘴51沿著圓弧而水平移動之方式使噴嘴臂52移動。再者,臂作動機構53M亦可不僅如上述使噴嘴51水平移動,且亦可使其垂直移動。
除上述內容以外,本實施形態3係與上述之實施形態1或2相同。
根據本實施形態,臂作動機構53M係如上述般以使噴嘴51沿著圓弧而水平移動之方式使噴嘴臂52移動。藉此,可以簡單之臂作動機構而使噴嘴51廣範圍地移動。
<實施形態4> 圖16係概略地表示在本實施形態4中之基板處理裝置103之構成的俯視圖。基板處理裝置103除了基板處理裝置102(圖14:實施形態3)之構成以外,還具有第二容器62。第二容器62係可收容與退避位置不同之位置上的噴嘴51。藉此,即便在第一容器61之位置以外之位置,仍可收容噴嘴51。於圖示之構成中,第二容器62係遠離杯部3被配置在杯部3之外側。第二容器62可與第一容器61不同地,為不能與杯部3一體地上下移動者。作為變形例,第二容器62亦可遠離杯部3而被配置在杯部3之內側。
再者,對於上述以外之內容,本實施形態4係與前述之實施形態3相同。此外,作為變形例,第二容器62亦可應用於前述之實施形態1或2。
<實施形態5> 圖17係概略地表示在本實施形態5中之基板處理裝置104之構成的剖視圖。基板處理裝置104係晶邊處理用者。基板處理裝置104除了基板處理裝置101(圖5:實施形態1)之構成以外,還具有氣體噴嘴81、閥86、氣體源85。氣體噴嘴81之外緣具有圓形形狀。氣體噴嘴81之圓形形狀之半徑係較基板SB之半徑為小。
氣體係自氣體源85經由閥86而被供給至氣體噴嘴81。氣體源85可為惰性氣體源,例如為氮氣源。閥86係藉由控制部90(圖1)被控制。氣體噴嘴81係具有朝向下方的開口82、及朝向外方的開口83。當閥86被設定為開狀態時,自開口82及開口83各者吐出氣流F1及F2。藉由氣流F1,防止處理液未意料到地侵入至基板SB中央附近的情形。藉由氣流F2,抑制自杯部3跳回的處理液到達基板SB的情形。氣流F2較佳為偏離噴嘴51之吐出口與其正下方而流動。藉此,可防止氣流F2擾亂處理液之液流LF之行進方向。
於包含本實施形態的各實施形態中,較佳為,內側擋板32及外側擋板33各者具有垂下部32A及垂下部33A。垂下部32A及垂下部33A各者係自內側擋板32及外側擋板33上部之內端朝下方延伸。垂下部32A及垂下部33A各者具有防止內側擋板32及外側擋板33所承接之處理液朝基板SB返回的效果。另一方面,不希望垂下部32A及垂下部33A容易使來自基板SB之處理液朝基板SB反射。因而,較佳為,內側擋板32及外側擋板33各者上部之內端中在俯視下(參照圖3)最接近噴嘴51之部分不具有垂下部32A及垂下部33A。於此情況下,在噴嘴51之處理位置附近,內側擋板32及外側擋板33所承接的處理液變得容易朝基板SB返回。而可藉由上述之氣流F2來抑制該返回。
然而,僅藉由氣流F2之作用,仍有無法充分地防止來自杯部3之處理液返回基板SB的情形。於是,較佳為,使氣體噴嘴81之圓形形狀之半徑成為基板SB之半徑的2/3以上。於此情況下,自基板SB中央至其周邊的寬廣區域係被氣體噴嘴81所覆蓋,而該區域係用以阻擋自杯部3跳回的處理液。
再者,對於上述內容以外之構成,由於其與上述之實施形態1的構成大致相同,因而對於相同或所對應的要素附加相同符號,而不重複其說明。
以上已對本發明作詳細之說明,但上述說明之所有態樣僅為例示,本發明不受該等態樣限定。未例示之無數個變形例應被解釋為,在未脫離本發明之範圍而可推知並獲得者。上述各實施形態及各變形例中所說明之各構成只要不相互矛盾,則可適當地組合或省略。
3:杯部 20:旋轉卡盤 21:保持機構 22:旋轉機構 22M:馬達 22X:軸 24:收納構件 25:抽吸孔 26:抽吸配管 31:底部 32:內側擋板 32A、33A:垂下部 33:外側擋板 40:杯作動機構 41:底部作動機構 42:內側擋板作動機構 43:外側擋板作動機構 51:噴嘴 52:噴嘴臂 53、53M:臂作動機構 55:處理液源 56:閥 61:第一容器 62:第二容器 80:腔室 81:氣體噴嘴 82、83:開口 85:氣體源 86:閥 90:控制部 91:CPU 92:ROM 93:RAM 94:記憶裝置 94P:處理程式 95:匯流排線 96:輸入部 97:顯示部 98:通信部 100:基板處理系統 101~104:基板處理裝置 AR:箭頭 BM:腔室底部 C:載體 CR:中央機器人 CX:旋轉軸 F1、F2:氣流 IR:分度機器人 LF:液流 LP:裝載埠 MV:抽吸機構 PS:基板載置部 SB:基板 UT:處理單元
圖1係概略地表示在本發明之實施形態1中之基板處理系統之構成的俯視圖。 圖2係概略地表示於圖1之基板處理系統所包含有之控制部之構成的方塊圖。 圖3係概略地表示於圖1之基板處理系統所包含有之基板處理裝置之構成的俯視圖。 圖4係將在圖3中噴嘴與噴嘴臂之噴嘴附近部之圖示省略的俯視圖。 圖5係沿著圖3之線V-V之概略的剖視圖,且為概略地表示自噴嘴朝基板吐出處理液之步驟的圖。 圖6係概略地表示在本發明之實施形態1中之將噴嘴收容於容器之方法的流程圖。 圖7係概略地表示在圖6中之使杯部自上方位置朝下方位置移動之步驟後之情況的剖視圖。 圖8係概略地表示在圖6中之使噴嘴自處理位置朝退避位置移動之步驟後之情況的俯視圖。 圖9係沿著圖8之線IX-IX之概略的剖視圖。 圖10係概略地表示在圖6中之使杯部自下方位置朝上方位置移動之步驟後之情況的剖視圖。 圖11係概略地表示在本發明之實施形態2中之將噴嘴收容於容器之方法的流程圖。 圖12係概略地表示在圖11中之使噴嘴自處理位置朝中間位置移動之步驟後之情況的俯視圖。 圖13係概略地表示在圖11中之使杯部自上方位置朝下方位置移動之步驟後之情況的剖視圖。 圖14係以噴嘴位在處理位置的狀態概略地表示在本發明之實施形態3中之基板處理裝置之構成的俯視圖。 圖15係以噴嘴位在退避位置的狀態概略地表示圖14之基板處理裝置之構成的俯視圖。 圖16係概略地表示在本發明之實施形態4中之基板處理裝置之構成的俯視圖。 圖17係概略地表示在本發明之實施形態5中之基板處理裝置之構成的剖視圖。
3:杯部
20:旋轉卡盤
21:保持機構
22:旋轉機構
22M:馬達
22X:軸
24:收納構件
25:抽吸孔
26:抽吸配管
31:底部
32:內側擋板
33:外側擋板
40:杯作動機構
41:底部作動機構
42:內側擋板作動機構
43:外側擋板作動機構
51:噴嘴
52:噴嘴臂
55:處理液源
56:閥
61:第一容器
101:基板處理裝置
AR:箭頭
BM:腔室底部
CX:旋轉軸
LF:液流
MV:抽吸機構
SB:基板

Claims (7)

  1. 一種基板處理裝置,其係用於使用處理液來處理基板者;其具備有: 保持機構,其水平地保持上述基板; 旋轉機構,其使保持上述基板的上述保持機構旋轉; 噴嘴,其朝上述基板供給上述處理液; 噴嘴臂,其保持上述噴嘴; 臂作動機構,其使上述噴嘴臂在俯視下與上述基板重疊的處理位置、及俯視下自上述基板偏離的退避位置之間移動; 杯部,其被配置在上述保持機構之周圍,承接來自上述基板的上述處理液; 杯作動機構,其使上述杯部在上方位置與下方位置之間上下地移動;及 第一容器,其以可與上述杯部一體地上下移動之方式被固定於上述杯部,且可收容在上述退避位置上的上述噴嘴。
  2. 如請求項1之基板處理裝置,其中, 上述第一容器於俯視下與上述杯部重疊。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置,其中,進而具備有: 控制部,其控制上述臂作動機構及上述杯作動機構; 上述控制部具有第一控制模式,該第一控制模式係於上述噴嘴位在上述退避位置時,以使上述杯部自上述下方位置朝上述上方位置移動之方式控制上述杯作動機構。
  4. 如請求項3之基板處理裝置,其中, 上述控制部具有第二控制模式,該第二控制模式係於上述杯部位在上述上方位置時,將上述噴嘴維持於在俯視下自上述基板偏離而較上述退避位置更靠內側的中間位置。
  5. 如請求項1或2之基板處理裝置,其中,進而具備有: 第二容器,其可收容與上述退避位置不同之位置上的上述噴嘴。
  6. 如請求項1或2之基板處理裝置,其中, 上述臂作動機構係以使上述噴嘴沿著直線而水平移動之方式使上述噴嘴臂移動。
  7. 如請求項1或2之基板處理裝置,其中, 上述臂作動機構係以使上述噴嘴沿著圓弧而水平移動之方式使上述噴嘴臂移動。
TW109145394A 2019-12-25 2020-12-22 基板處理裝置 TWI797523B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019233844A JP7364460B2 (ja) 2019-12-25 2019-12-25 基板処理装置
JP2019-233844 2019-12-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202133248A true TW202133248A (zh) 2021-09-01
TWI797523B TWI797523B (zh) 2023-04-01

Family

ID=76575923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109145394A TWI797523B (zh) 2019-12-25 2020-12-22 基板處理裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11839893B2 (zh)
JP (1) JP7364460B2 (zh)
KR (1) KR102683557B1 (zh)
CN (1) CN114846582A (zh)
TW (1) TWI797523B (zh)
WO (1) WO2021131972A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102677969B1 (ko) * 2020-12-30 2024-06-26 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4606234B2 (ja) 2005-04-15 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 液処理方法及び液処理装置
KR101258002B1 (ko) * 2010-03-31 2013-04-24 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5258999B2 (ja) 2012-06-19 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 液処理におけるノズル洗浄方法及びその装置
JP2015023048A (ja) 2013-07-16 2015-02-02 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2015046522A (ja) 2013-08-29 2015-03-12 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6751634B2 (ja) 2016-09-21 2020-09-09 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6762184B2 (ja) 2016-09-26 2020-09-30 株式会社Screenホールディングス 回収配管洗浄方法および基板処理装置
JP2018107397A (ja) 2016-12-28 2018-07-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6914050B2 (ja) 2017-02-15 2021-08-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6975630B2 (ja) 2017-02-27 2021-12-01 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6876570B2 (ja) 2017-07-28 2021-05-26 株式会社Screenホールディングス 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム

Also Published As

Publication number Publication date
CN114846582A (zh) 2022-08-02
US20220388020A1 (en) 2022-12-08
US11839893B2 (en) 2023-12-12
WO2021131972A1 (ja) 2021-07-01
KR20220103786A (ko) 2022-07-22
JP2021103718A (ja) 2021-07-15
KR102683557B1 (ko) 2024-07-10
TWI797523B (zh) 2023-04-01
JP7364460B2 (ja) 2023-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6503194B2 (ja) 基板処理装置
JP4527670B2 (ja) 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP5128918B2 (ja) 基板処理装置
JP6653608B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW202133248A (zh) 基板處理裝置
JP2009135293A (ja) 基板処理装置
JP6258122B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
JP5204589B2 (ja) 基板処理ユニットおよび基板処理装置
JP2017183310A (ja) 液処理装置
KR20220037977A (ko) 기판 세정 장치, 기판 처리 장치 및 기판 세정 방법
JP4601341B2 (ja) 基板処理装置
JPH10216606A (ja) 回転式基板処理装置および基板回転保持装置ならびにその設計方法
KR102121241B1 (ko) 기판 처리 장치
JP7174581B2 (ja) レシピ表示装置、レシピ表示方法、およびレシピ表示プログラム
JP7526085B2 (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP5643688B2 (ja) 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP2013168676A (ja) 基板処理装置
KR102265859B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP5396460B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2009260036A (ja) 基板処理装置および基板処理システム
JP2017175119A (ja) 基板洗浄装置
JP2024044924A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
KR102262112B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
JP2024044905A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
TW202213607A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法