TW202129676A - 保險絲單元、保險絲元件及保護元件 - Google Patents
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Abstract
本發明之保險絲單元(1)具有配置於第1端子(20a)與第2端子(20b)之間之不具有貫通孔之平板狀之熔斷部(1e),熔斷部(1e)之寬度(1d)具有第1端子(20a)及第2端子(20b)之與熔斷部(1e)之接合部分之寬度(2d)之80%以上之長度。前述熔斷部(1e)之寬度(1d)較佳為前述接合部分之寬度(2d)之95%以上之長度。
Description
本發明係關於一種保險絲單元、保險絲元件及保護元件。
作為當在電路基板流過超過額定電流之過電流時,使電流路徑遮斷之電流遮斷元件,業已知悉保險絲元件。保險絲元件係藉由因過電流而保險絲單元發熱並熔斷,而遮斷電流路徑者。
例如,於專利文獻1中層記載一種保險絲,其具備:保險絲單元,其在熔斷部之兩側具有端子部;及外殼,其包圍熔斷部;且於熔斷部設置有缺口或複數個小孔。
又,於專利文獻2中,曾記載位於2個平板狀部間之保險絲與2個平板狀部一體地形成之晶片型保險絲。於專利文獻2中,曾記載在保險絲本體之兩端形成連結部,且連結部之長緣較保險絲本體之寬度尺寸更長之晶片型保險絲。
又,作為當在電路基板產生過電流之產生以外之異常時,使電流路徑遮斷之電流遮斷元件,業已知悉使用發熱體(加熱器)之保護元件。在保護元件中,因發熱體發出之熱,而保險絲單元熔斷。發熱體形成為藉由在過電流之產生以外之異常時電流流過而發熱。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1:日本特開2010-15715號公報
專利文獻2:日本專利第5737664號公報
[發明所欲解決之問題]
近年來,於保險絲元件及保護元件中,要求增大額定電流。
於先前之高額定保險絲元件中,有作為保險絲單元之材料,使用銅(熔點1085℃)等高熔點金屬之情形。在包含銅等高熔點金屬之保險絲單元中,於熔斷部形成局部發熱之發熱點。藉此,使結合於保險絲單元之熔斷部之端子不致被過度加熱,使安裝有保險絲元件之電子機器不致超過耐熱溫度。例如,於使用焊料形成電性連接之電子機器中,耐熱溫度為220℃左右。
保險絲單元之發熱點係藉由在熔斷部設置複數個小孔,或使熔斷部之寬度變細而形成。例如,於專利文獻1中曾記載在熔斷部設置有缺口或複數個小孔之保險絲單元。又,於專利文獻2中曾記載連結部之長緣較保險絲本體之寬度尺寸更長之晶片型保險絲。
又,於包含銅等高熔點金屬之保險絲單元中,必須確保發熱點與結合於熔斷部之端子之間之距離,以使端子不致因來自發熱點之熱而被過度加熱。其如以下所示般在額定電流較大之保險絲元件中,成為阻礙小型化之要因。
於配置於2個端子間之保險絲單元中,保險絲單元之長度(2個端子間之長度)與電阻值具有比例關係。因此,若增長保險絲單元,拉開發熱點與端子之距離,以使端子不致被過度加熱,則保險絲單元之電阻變大。因而,無法增大具備保險絲單元之保險絲元件之額定電流。
針對增長發熱點與結合於熔斷部之端子之間之距離,且抑制保險絲單元之電阻之增大,只要增大熔斷部之剖面積即可。然而,若增大熔斷部之剖面積,減小保險絲單元之電阻,則發熱點之發熱量增大。其結果為,為了抑制端子之過加熱,而必須進一步增長發熱點與端子之間之距離。
由此可知,於具備包含高熔點金屬之保險絲單元之保險絲元件中,難以兼顧保險絲元件之小型化、與額定電流之大電流化之兩者。
本發明係鑒於上述之事態而完成者,其目的在於提供一種能夠有助於保險絲元件及保護元件之額定電流之大電流化及小型化之保險絲單元。
又,本發明之目的在於提供一種具備上述保險絲單元之能夠有助於額定電流之大電流化及小型化之保險絲元件及保護元件。
[解決問題之技術手段]
本發明為了解決上述問題,而提供以下之機構。
(1)一種保險絲單元,其具有配置於第1端子與第2端子之間之不具有貫通孔之平板狀之熔斷部,且前述熔斷部之寬度具有前述第1端子及前述第2端子之與前述熔斷部之接合部分之寬度之80%以上之長度。
(2)如上述(1)之保險絲單元,其中前述熔斷部之寬度可為前述接合部分之寬度之95%以上之長度。
(3)如上述(1)或(2)之保險絲單元,其中前述熔斷部之熔斷溫度可為140℃~400℃。
(4)如上述(1)至(3)中任一項之保險絲單元,其中前述熔斷部可在厚度方向積層低熔點金屬層、與熔點高於前述低熔點金屬層之高熔點金屬層而形成。
(5)如上述(4)之保險絲單元,其中可行的是,前述低熔點金屬層包含Sn或以Sn為主成分之合金,前述高熔點金屬層包含選自Ag、Cu、以Ag為主成分之合金、及以Cu為主成分之合金之任一者。
(6)如上述(4)或(5)之保險絲單元,其中前述熔斷部可包含前述低熔點金屬層、及積層於前述低熔點金屬層之兩面之前述高熔點金屬層。
(7)如上述(1)至(6)中任一項之保險絲單元,其中前述熔斷部之寬度可為前述接合部分之寬度之200%以下之長度。
(8)如上述(1)至(7)中任一項之保險絲單元,其中前述第1端子及前述第2端子、與前述熔斷部可藉由導電連接構件接合。
(9)一種保險絲元件,其具備(1)至(8)中任一項之保險絲單元。
(10)如上述(9)之保險絲元件,其中前述第1端子及前述第2端子可配置於絕緣基板之表面。
(11)一種保護元件,其具備(1)至(8)中任一項之保險絲單元;且
具備加熱前述保險絲單元而使其熔斷之發熱體;
前述第1端子及前述第2端子配置於絕緣基板上;
前述保險絲單元跨於前述第1端子與前述第2端子之間而配置。
[發明之效果]
本發明之保險絲單元能夠有助於具備其之保險絲元件及保護元件之額定電流之大電流化及小型化。
本發明之保險絲元件及保護元件由於具備本發明之保險絲單元,故能夠有助於額定電流之大電流化及小型化。
以下,針對本發明之保險絲單元、保險絲元件及保護元件,一面適宜地參照圖式,一面詳細地說明。以下之說明所利用之圖式為了便於說明本發明之特徵,有方便上將成為特徵之部分放大顯示之情形,而各構成要素之尺寸比率等有與實際不同之情形。以下之說明所例示之材料、尺寸等係一例,本發明並非係限定於其等者,可在發揮本發明之效果之範圍內適宜地變更而實施。
[第1實施形態(保險絲元件)]
圖1(a)係顯示第1實施形態之保險絲元件之俯視圖,圖1(b)係沿A-A'線切斷圖1(a)所示之保險絲元件之剖視圖。
本實施形態之保險絲元件10如圖1(a)所示般,具有:第1端子20a、第2端子20b、及配置於第1端子20a與第2端子20b之間之包含熔斷部1e之本實施形態之保險絲單元1。
(保險絲單元)
本實施形態之保險絲元件10所具備之保險絲單元1包含熔斷部1e。保險絲單元1將第1端子20a與第2端子20b電性連接。熔斷部1e(保險絲單元1)、與第1端子20a及第2端子20b藉由分別藉由焊料等導電連接構件接合,而被電性連接。
熔斷部1e如圖1(a)所示般係不具有貫通孔之厚度大致一定之平板狀者。如圖1(a)所示,熔斷部1e具有將連接第1端子20a與第2端子20b之方向設為長邊、將與連接第1端子20a與第2端子20b之方向大致正交之方向(以下有稱為「寬度方向」之情形)設為短邊之俯視大致長方形之形狀。
此外,於圖1(a)所示之保險絲元件10中,例舉具備將熔斷部1e設為俯視大致長方形之保險絲單元1之情形為例進行說明,但保險絲單元之熔斷部之形狀並不限定於俯視大致長方形。例如,熔斷部1e之寬度及厚度可並不一定。
熔斷部1e之熔斷溫度較佳為140℃~400℃。若熔斷部1e之熔斷溫度為140℃以上,則成為在通常之可使用之溫度下不熔斷之保險絲元件10,而較佳。若熔斷部1e之熔斷溫度為400℃以下,則可防止在熔斷時,第1端子20a及第2端子20b成為高溫,對第1端子20a及第2端子20b所連接之構件造成不良影響。
於本實施形態之保險絲元件10中,熔斷部1e(保險絲單元1)較佳為如圖1(b)所示般,由剖視矩形之平板狀之低熔點金屬層1a、及按照以大致一定之厚度被覆低熔點金屬層1a之全面之方式積層之高熔點金屬層1b形成。此情形下,熔斷部1e如圖1(b)所示般,具有包含低熔點金屬層1a、及積層於低熔點金屬層1a之厚度方向兩面之高熔點金屬層1b之3層構造,低熔點金屬層1a之所有側面由高熔點金屬層1b被覆。因而,抑制因保險絲元件10之製造步驟之回流時之加熱,而低熔點金屬層1a自熔斷部1e流出,或焊料等導電連接構件流入熔斷部1e。其結果為,抑制在保險絲元件10之製造步驟之回流時,因熔斷部1e(保險絲單元1)變形所致之熔斷部1e之電阻值變動,可容易製造熔斷特性穩定之保險絲元件10。
低熔點金屬層1a較佳為包含Sn或以Sn為主成分之合金者。以Sn為主成分之合金之Sn含有量較佳為50質量%以上,更佳為60質量%以上。作為以Sn為主成分之合金之例,可例舉Sn-Bi合金、In-Sn合金、Sn-Ag-Cu合金等。
高熔點金屬層1b為熔點高於低熔點金屬層1a之層,較佳為包含由低熔點金屬層1b之熔融物熔解之金屬材料之層。
高熔點金屬層1b之熔點較佳為相對於低熔點金屬層1a之熔點高100℃以上之溫度,且為900℃高溫度以下之範圍內。
高熔點金屬層1b較佳為包含選自Ag、Cu、以Ag為主成分之合金、及以Cu為主成分之合金之任一者,更佳為包含Ag或以Ag為主成分之合金。以Ag為主成分之合金之Ag含有量較佳為50質量%以上,更佳為60質量%以上。作為以Ag為主成分之合金之例,可例舉銀鈀合金。Ag為貴金屬,離子化傾向較低,於大氣中不易被氧化,而且容易由低熔點金屬層1a之熔融物熔解。因而,Ag或以Ag為主成分之合金,作為高熔點金屬層1b之材料,為合用。
熔斷部1e(保險絲單元1)例如可設為低熔點金屬層1a包含以Sn為主成分之合金,高熔點金屬層1b包含Ag,且低熔點金屬層1a之厚度與高熔點金屬層1b之厚度總計之比(低熔點金屬層1a:高熔點金屬層1b)為1:1~50:1者。此熔斷部1e之熔斷溫度成為140℃~400℃。
熔斷部1e(保險絲單元1)於低熔點金屬層1a包含以Sn為主成分之合金,高熔點金屬層1b包含Ag,且低熔點金屬層1a之厚度與高熔點金屬層1b之厚度總計之比(低熔點金屬層1a:高熔點金屬層1b)為10:1之情形下,體積電阻率(比電阻)成為約7.4 μΩ・cm。
保險絲單元1例如可使用鍍覆法來製造。具體而言,準備與保險絲單元1之低熔點金屬層1a對應之形狀之金屬箔,於金屬箔之表面全面,使用鍍覆法而形成高熔點金屬層1b。藉此,獲得低熔點金屬層1a之全面由具有大致一定之厚度之高熔點金屬層1b被覆之平板狀之保險絲單元1。
(第1端子、第2端子)
第1端子20a及第2端子20b於使用保險絲元件10時,藉由接合於未圖示之電路之端子部,而與電路電性連接。如圖1(a)所示,於第1端子20a之中心部,設置有包含圓形之貫通孔之安裝孔3a。於第2端子20b之中心部,與第1端子20a同樣地,設置有包含圓形之貫通孔之安裝孔3b。本實施形態之保險絲元件10例如使用螺栓等接合構件與安裝孔3a、3b,而拆裝自如地安裝於特定之位置。
如圖1(a)所示,第1端子20a及第2端子20b之與熔斷部1e之接合部分之寬度2d相同。又,第1端子20a及第2端子20b之平面形狀隔著熔斷部1e大致對稱,且相對於熔斷部1e之寬度1d方向中心大致對稱。
第1端子20a及第2端子20b之平面形狀並非係限定於圖1(a)所示之例者。例如,安裝孔3a、3b之平面形狀並非係限定於圓形者,可為橢圓形、多角形等。又,可以第1端子20a及第2端子20b俯視成為C字狀之方式設置缺口,而取代安裝孔3a、3b。又,若第1端子20a及第2端子20b之與熔斷部1e之接合部分之寬度2d相同,則第1端子20a及第2端子20b之平面形狀可不必隔著熔斷部1e大致對稱,亦可相對於熔斷部1e之寬度1d方向中心並不大致對稱。
第1端子20a及第2端子20b係由具有導電性之材料形成。例如,第1端子20a及第2端子20b可設為包含Cu或以Cu為主成分之合金者。作為以Cu為主成分之合金之例,可例舉Cu-Ni合金。
於本實施形態之保險絲元件10中,如圖1(a)所示,俯視下之熔斷部1e之寬度1d具有第1端子20a及第2端子20b之與熔斷部1e之接合部分之寬度2d之80%以上之長度({1d/2d}×100≧80(%)),較佳為接合部分之寬度2d之95%以上之長度,更佳為超過100%。
於本說明書中,熔斷部之寬度方向之長度並非一定之情形之熔斷部1e之寬度1d,意指寬度方向之長度最短之部分之長度。又,第1端子20a及第2端子20b之與熔斷部1e之接合部分之寬度2d,意指第1端子20a及第2端子20b之最靠近熔斷部1e之部分之與熔斷部1e之寬度1d平行之長度。
若熔斷部1e之寬度1d為上述之80%以上之長度,則充分獲得因熔斷部1e之寬度1d較寬所產生之降低熔斷部1e之電阻之效果。
又,熔斷部1e之寬度1d較佳為第1端子20a及第2端子20b之與熔斷部1e之接合部分之寬度2d之200%以下,更佳為150%以下。若熔斷部1e之寬度1d為上述之200%以下之長度,則可抑制因熔斷部1e之寬度1d過寬所造成之對保險絲元件10之小型化之影響。
圖1(a)及圖1(b)所示之保險絲元件10可藉由周知之方法來製造。例如,可藉由下述方法來製造,即:將保險絲單元1(熔斷部1e)、與第1端子20a及第2端子20b藉由分別藉由焊料等導電連接構件接合,而電性連接。
本實施形態之保險絲元件10之熔斷部1e於在經由第1端子20a及第2端子20b接合之電路流過額定電流之期間未被熔斷。當於上述之電路流過超過額定電流之過電流時,熔斷部1e被熔斷,第1端子20a與第2端子20b之間斷線,而電路之電流路徑被遮斷。
於熔斷部1e為在厚度方向積層低熔點金屬層1a與高熔點金屬層1b而形成者之情形下,當於電路流過超過額定電流之過電流時,熔斷部1e之低熔點金屬層1a發熱而熔融,藉由產生之低熔點金屬層1a之熔融物,將高熔點金屬層1b熔解,而熔斷部1被快速熔斷。
本實施形態之保險絲元件10之熔斷部1e之寬度1d為第1端子20a及第2端子20b之與熔斷部1e之接合部分之寬度2d之80%以上之長度,由於具有寬度1d較寬之低電阻之熔斷部1e,故能夠有助於額定電流之大電流化。
進而,於本實施形態之保險絲元件10之熔斷部1e之熔斷溫度為400℃以下之情形下,可防止在熔斷時,第1端子20a及第2端子20b成為高溫,對第1端子20a及第2端子20b所連接之構件造成不良影響,且可防止安裝有保險絲元件10之電子機器超過耐熱溫度。因而,於熔斷部1e之熔斷溫度為400℃以下之情形下,無須於熔斷部設置複數個小孔,或使熔斷部之寬度變細,形成局部之發熱點,以使將第1端子20a及第2端子20b不致被過度加熱。
又,於熔斷部1e之熔斷溫度為400℃以下之情形下,無須於熔斷部1e形成發熱點且增長熔斷部1e之長度,增長發熱點與第1端子20a及第2端子20b之間之距離,以使第1端子20a及第2端子20b不致被過度加熱。因此,於熔斷部1e之熔斷溫度為400℃以下之情形下,與熔斷部1e之熔斷溫度超過400℃之情形比較,可縮短熔斷部1e之長度(第1端子20a與第2端子20b之間之距離)。
熔斷部1e(保險絲單元1)之長度與電阻值具有比例關係。因而,越縮短保險絲單元1之長度,則保險絲單元1之電阻值越降低。如上述般,於熔斷部1e之熔斷溫度為400℃以下之情形下,由於與熔斷部1e之熔斷溫度超過400℃之情形比較,可縮短熔斷部1e之長度,故可設為小型且更進一步低電阻之熔斷部1e。其結果為,可使保險絲元件10小型化,且可進一步增大額定電流。
又,於熔斷部1e之熔斷溫度為400℃以下之情形下,可縮短熔斷部1e之長度。因而,例如,與包含因熔點(1085℃)較高而熔斷部之熔斷溫度超過400℃之銅之保險絲單元(體積電阻率1.62 μΩ・cm)比較,即便以體積電阻率較高之材料形成熔斷部1e,亦可降低熔斷部1e之電阻值,且可增大額定電流。
[第2實施形態(保險絲元件)]
圖2(a)係顯示第2實施形態之保險絲元件之俯視圖。圖2(b)係自圖2(a)之下側觀察圖2(a)所示之保險絲元件之側視圖。圖2(c)係自圖2(a)之右側觀察圖2(a)所示之保險絲元件之側視圖。此外,圖2(a)及圖2(c)顯示卸下圖2(b)所示之保險絲元件20之罩構件5之狀態。
如圖2(a)~圖2(c)所示,保險絲元件20具備:保險絲單元11、絕緣基板4、及配置於絕緣基板4之表面4a之第1電極2a及第2電極2b。第1電極2a及第2電極2b分別作為導電連接於保險絲單元11之端子發揮功能。
圖2(a)~圖2(c)所示之第2實施形態之保險絲元件20所具備之保險絲單元11、與第1實施形態所具備之保險絲單元1不同之處,僅為在圖2(a)~圖2(c)所示之保險絲單元11中,連接第1電極2a與第2電極2b之方向之側面未由高熔點金屬層1b被覆,低熔點金屬層1a露出於側面。因而,第2實施形態之保險絲元件20所具備之保險絲單元11具有與第1實施形態所具備之保險絲單元1同樣之材料及層構造。因此,針對第2實施形態所具備之保險絲單元11,僅說明與第1實施形態所具備之保險絲單元1不同之處。
於本實施形態之保險絲元件20中,保險絲單元11如圖2(a)及圖2(b)所示般,具有:熔斷部11e,其配置於第1電極2a與第2電極2b之間;第1接合部11f,其藉由焊料等導電連接構件(未圖示)接合於第1電極2a上;及第2接合部11g,其藉由焊料等導電連接構件(未圖示)接合於第2電極2a上。如圖2(b)所示,於熔斷部11e與絕緣基板4之表面4a之間,形成空間。
於第2實施形態之保險絲元件20所具備之保險絲單元11中,如圖2(b)所示,與第1電極2a或第2電極2b接合之側面係由高熔點金屬層1b被覆。因此,抑制因保險絲元件20之製造步驟之回流時之加熱,而低熔點金屬層1a自熔斷部11e流出,或焊料等導電連接構件流入熔斷部11e。其結果為,抑制在保險絲元件20之製造步驟之回流時,因熔斷部11e(保險絲單元11)變形所致之熔斷部11e之電阻值變動,可容易製造熔斷特性穩定之保險絲元件20。
保險絲單元11例如可使用無電解鍍覆法來製造。具體而言,準備成為低熔點金屬層1a之帶狀(ribbon狀)之金屬箔。作為金屬箔,使用具有與連接第1電極2a與第2電極2b之方向之保險絲單元11之低熔點金屬層1a之長度對應之寬度者。其次,於金屬箔之表面,使用無電解鍍覆法,形成高熔點金屬層1b,而獲得帶狀之積層體。之後,將帶狀之積層體之長度切斷為特定之尺寸,而設為平板狀。藉此,獲得具有特定之矩形形狀,且低熔點金屬層1a露出於切斷面之保險絲單元11。該製造方法於製造小型保險絲單元之情形下,尤為合用。
於本實施形態之保險絲元件20中,亦與第1實施形態同樣地,如圖2(c)所示,俯視下之熔斷部11e之寬度1d具有第1電極2a及第2電極2b之與熔斷部11e之接合部分之寬度2d之80%以上之長度({1d/2d}×100≧80(%)),較佳為接合部分之寬度2d之95%以上之長度,更佳為超過100%。
本實施形態之保險絲元件20所具備之保險絲單元11之低熔點金屬層1a露出於連接第1電極2a與第2電極2b之方向之側面。亦即,相對於連接第1電極2a與第2電極2b之方向大致正交之方向之保險絲單元11之面之低熔點金屬層1a露出。因而,根據以下所示之理由,更佳為俯視下之熔斷部11e之寬度1d為超過第1電極2a或第2電極2b之與熔斷部11e之接合部分之寬度2d之100%之長度(寬度1d大於寬度2d)。亦即,藉由被覆保險絲單元11之與第1電極2a及第2電極2b接合之側面之高熔點金屬層1b,可更有效地抑制在保險絲元件20之製造步驟之回流時,焊料等導電連接構件與保險絲單元11之低熔點金屬層1a接觸。其結果為,抑制在回流時,因熔斷部11e(保險絲單元11)變形所致之熔斷部11e之電阻值變動,可容易地製造熔斷特性穩定之保險絲元件20。
絕緣基板4只要為具有電絕緣性者,則無特別限制,例如,可使用樹脂基板、陶瓷基板、樹脂與陶瓷之複合體基板等用作電路基板之周知之絕緣基板。作為樹脂基板,具體而言,可例舉環氧樹脂基板、酚樹脂基板、聚醯亞胺基板等。作為陶瓷基板,具體而言,可例舉氧化鋁基板、玻璃陶瓷基板、莫來石基板、氧化鋯基板等。作為複合體基板,具體而言,可例舉玻璃環氧基板。
第1電極2a及第2電極2b配置於絕緣基板4之對向之一對兩端部。第1電極2a及第2電極2b分別由Ag配線、Cu配線等導電圖案形成。
第1電極2a及第2電極2b之表面可分別為了抑制因氧化等所致之電極特性之變質,而由電極保護層被覆。作為電極保護層之材料,可使用鍍Sn膜、鍍Ni/Au膜、鍍Ni/Pd膜、鍍Ni/Pd/Au膜等。
第1電極2a及第2電極2b分別經由半圓孔21a、21b,與形成於絕緣基板4之背面4b之第1外部連接電極42a及第2外部連接電極42b電性連接。第1電極2a與第1外部連接電極42a之連接、及第2電極2b與第2外部連接電極42b之連接可經由通孔進行。
於本實施形態之保險絲元件20中,如圖2(b)所示,較佳為經由接著劑安裝罩構件5。藉由安裝罩構件5,而保護保險絲元件20之內部,且可防止在保險絲單元11熔斷時產生之熔融物之飛散。作為罩構件5之材料,可使用各種工程塑膠及/或陶瓷。
本實施形態之保險絲元件20係經由第1外部連接電極42a及第2外部連接電極42b安裝於電路基板(未圖示)之電流路徑上而使用。於在電路基板之電流路徑上流過額定電流之期間,保險絲元件20所具備之保險絲單元11之熔斷部11e未被熔斷。當在電路基板之電流路徑上流過超過額定電流之過電流時,藉由熔斷部11e熔斷,而第1電極2a與第2電極2b之間斷線,電路基板之電流路徑被遮斷。
於熔斷部11e為在厚度方向積層低熔點金屬層1a與高熔點金屬層1b而形成者之情形下,當於電路基板之電流路徑上流過超過額定電流之過電流時,熔斷部11e之低熔點金屬層1a發熱而熔融,藉由產生之低熔點金屬層1a之熔融物,將高熔點金屬層1b熔解,而熔斷部11e被快速熔斷。
本實施形態之保險絲元件20與第1實施形態之保險絲元件10同樣地,由於熔斷部11e之寬度1d具有為第1電極2a及第2電極2b之與熔斷部11e之接合部分之寬度2d之80%以上之長度之寬度1d較寬之低電阻之熔斷部11e,故能夠有助於額定電流之大電流化。
進而,於本實施形態之保險絲元件20之熔斷部11e之熔斷溫度為400℃以下之情形下,可防止在熔斷時,第1電極2a及第2電極2b成為高溫,對第1電極2a及第2電極2b所連接之構件、以及連接有第1外部連接電極42a及第2外部連接電極42b之電路基板造成不良影響。因而,與熔斷部11e之熔斷溫度超過400℃之情形比較,可縮短熔斷部11e之長度(第1電極2a與第2電極2b之間之距離),可使保險絲元件20小型化,且可更進一步增大額定電流。
[第3實施形態(保險絲元件)]
圖3(a)係顯示第3實施形態之保險絲元件之俯視圖。圖3(b)係自圖3(a)之下側觀察圖3(a)所示之保險絲元件之側視圖。圖3(c)係自圖3(a)之右側觀察圖3(a)所示之保險絲元件之側視圖。此外,圖3(a)及圖3(c)顯示卸下圖3(b)所示之保險絲元件25之罩構件5之狀態。圖3(d)係顯示圖3(a)所示之保險絲元件所具備之保險絲單元之立體圖。
如圖3(a)~圖3(c)所示,保險絲元件25具備:圖3(d)所示之保險絲單元15、絕緣基板4、及配置於絕緣基板4之表面4a之第1電極2a及第2電極2b。與第2實施形態同樣地,第1電極2a及第2電極2b分別作為導電連接於保險絲單元15之端子發揮功能。
圖3(a)~圖3(c)所示之第3實施形態之保險絲元件25、與第2實施形態所示之保險絲元件20不同之處,僅為圖3(a)~圖3(c)所示之保險絲元件25所具備之保險絲單元15之第1接合部15f及第2接合部15g之高熔點金屬層1b之厚度(形狀)。因而,於第3實施形態中,僅說明與第2實施形態不同之處,針對與第2實施形態相同之構件賦予相同之符號,且省略說明。
於第3實施形態之保險絲元件25所具備之保險絲單元15中,如圖3(b)及圖3(d)所示,第1接合部15f及第2接合部15g之高熔點金屬層1b之厚度變得較熔斷部15e更厚。藉此,圖3(b)及圖3(d)所示之保險絲單元15之切斷面成為犬骨形狀。第1接合部15f係藉由焊料等導電連接構件(未圖示)接合於第1電極2a之部分。又,第2接合部15g係藉由焊料等導電連接構件(未圖示)接合於第2電極2b之部分。因此,於第3實施形態之保險絲元件25中,藉由形成第1接合部15f及第2接合部15g之高熔點金屬層1b,可更有效地抑制在保險絲元件25之製造步驟之回流時,焊料等導電連接構件與保險絲單元15之低熔點金屬層1a接觸。其結果為,更有效地抑制在回流時,因熔斷部15e(保險絲單元15)變形所致之熔斷部15e之電阻值變動,可容易地製造熔斷特性穩定之保險絲元件25。
保險絲單元15例如可使用電解鍍覆法來製造。具體而言,準備成為低熔點金屬層1a之帶狀(ribbon狀)之金屬箔。作為金屬箔,使用具有與連接第1電極2a與第2電極2b之方向之保險絲單元15之低熔點金屬層1a之長度對應之寬度。其次,於金屬箔之表面,使用電解鍍覆法,形成高熔點金屬層1b,而獲得帶狀之積層體。之後,將帶狀之積層體之長度切斷為特定之尺寸,而設為平板狀。藉此,獲得具有特定之矩形形狀,且低熔點金屬層1a露出於切斷面之保險絲單元15。
此外,於本實施形態中,藉由電解鍍覆加工時之電流集中,而於帶狀之金屬箔之寬度方向端部形成較寬度方向中心部更厚之高熔點金屬層1b。因而,如圖3(d)所示,保險絲單元15成為第1接合部15f及第2接合部15g之高熔點金屬層1b之厚度較熔斷部15e更厚,且具有犬骨形狀之切斷面者。該製造方法於製造小型保險絲單元之情形下,尤為合用。
於本實施形態之保險絲元件25中,亦與第1實施形態及第2實施形態同樣地,如圖3(c)所示般,俯視下之熔斷部15e之寬度1d具有第1電極2a及第2電極2b之與熔斷部15e之接合部分之寬度2d之80%以上之長度({1d/2d}×100≧80(%)),較佳為接合部分之寬度2d之95%以上之長度,更佳為超過100%。
本實施形態之保險絲元件25所具備之保險絲單元15之低熔點金屬層1a露出於連接第1電極2a與第2電極2b之方向之側面。因此,與第2實施形態同樣地,俯視下之熔斷部15e之寬度1d更佳為超過第1電極2a及第2電極2b之與熔斷部15e之接合部分之寬度2d之100%之長度。
本實施形態之保險絲元件25與第1實施形態及第2實施形態之保險絲元件同樣地,由於熔斷部15e之寬度1d具有為第1電極2a及第2電極2b之與熔斷部15e之接合部分之寬度2d之80%以上之長度的寬度1d較寬之低電阻之熔斷部15e,故能夠有助於額定電流之大電流化。
進而,於本實施形態之保險絲元件25之熔斷部11e之熔斷溫度為400℃以下之情形下,可防止在熔斷時,第1電極2a及第2電極2b成為高溫,對第1電極2a及第2電極2b所連接之構件、以及連接有第1外部連接電極42a及第2外部連接電極42b之電路基板造成不良影響。因而,與熔斷部11e之熔斷溫度超過400℃之情形比較,可縮短熔斷部11e之長度(第1電極2a與第2電極2b之間之距離),可使保險絲元件25小型化,且可更進一步增大額定電流。
[第4實施形態(保險絲元件)]
圖4(a)係顯示第4實施形態之保險絲元件之俯視圖。圖4(b)係自圖4(a)之下側觀察圖4(a)所示之保險絲元件之側視圖。圖4(c)係自圖4(a)之右側觀察圖4(a)所示之保險絲元件之側視圖。此外,圖4(a)及圖4(c)顯示卸下圖4(b)所示之保險絲元件40之罩構件5之狀態。
如圖4(a)~圖4(c)所示,保險絲元件40具備:保險絲單元50、絕緣基板4、及配置於絕緣基板4之表面4a之第1電極2a及第2電極2b。
於第4實施形態中,作為保險絲單元50,具備與第2實施形態所具備之保險絲單元11同樣之保險絲單元。換言之,圖4(a)所示之垂直保險絲元件40之絕緣基板4之面內方向之保險絲單元50之剖面之構成、與圖2(a)所示之垂直於保險絲元件20之絕緣基板4之面內方向之保險絲單元20之剖面之構成同樣。因此,於第4實施形態中,省略針對保險絲單元50之熔斷溫度、材料、層構造之說明。
本實施形態之保險絲元件40所具備之保險絲單元50如圖4(a)及圖4(b)所示般,具有:熔斷部51,其配置於第1電極2a與第2電極2b之間;第1接合部52a,其藉由焊料等導電連接構件(未圖示)接合於第1電極2a上;及第2接合部52b,其藉由焊料等導電連接構件(未圖示)接合於第2電極2b上。如圖4(b)所示,於熔斷部51與絕緣基板4之表面4a之間,形成空間。
於本實施形態中,如圖4(b)所示般,保險絲單元50自第1電極2a上及第2電極2b上遍及於絕緣基板4之側面而連續覆蓋。藉此,第1電極2a及第2電極2b、與配置於絕緣基板4之背面4b之第1外部連接電極42a及第2外部連接電極42b經由保險絲單元50電性連接。
於本實施形態中,第1接合部52a與第1外部連接電極42a電性連接,作為導電連接於保險絲單元50之熔斷部51之端子發揮功能。又,第2接合部52b與第2外部連接電極42b電性連接,作為導電連接於保險絲單元50之熔斷部51之端子發揮功能。
於本實施形態之保險絲元件40中,由於包含帶狀之保險絲單元50之一部分之第1接合部52a及第2接合部52b作為端子發揮功能,故俯視下之熔斷部51之寬度與第1接合部52a及第2接合部52b之寬度相同。因此,俯視下之熔斷部51之寬度具有第1接合部52a及第2接合部52b之與熔斷部51之接合部分之寬度之100%之長度。
於本實施形態之保險絲元件40中,絕緣基板4、第1電極2a及第2電極2b、第1外部連接電極42a及第2外部連接電極42b可使用與第2實施形態之保險絲元件20相同之保險絲元件。
又,本實施形態之保險絲元件40與第2實施形態之保險絲元件20同樣地,如圖4(b)所示,較佳為經由接著劑安裝罩構件5。作為罩構件5之材料,可使用與第2實施形態之保險絲元件20同樣之材料。
本實施形態之保險絲元件40係經由第1外部連接電極42a及第2外部連接電極42b安裝於電路基板(未圖示)之電流路徑上而使用。當在電路基板之電流路徑上流過超過額定電流之過電流時,藉由熔斷部51熔斷,而第1電極2a與第2電極2b之間斷線,電路基板之電流路徑被遮斷。
於熔斷部51為在厚度方向積層低熔點金屬層1a與高熔點金屬層1b而形成者之情形下,當於電路基板之電流路徑上流過超過額定電流之過電流時,熔斷部51之低熔點金屬層1a發熱而熔融,藉由產生之低熔點金屬層1a之熔融物,將高熔點金屬層1b熔解,而熔斷部51被快速熔斷。
本實施形態之保險絲元件40由於具有熔斷部51之寬度為第1接合部52a及第2接合部52b之與熔斷部51之接合部分之寬度之100%之長度之寬度較寬之低電阻之熔斷部51,故能夠有助於額定電流之大電流化。
進而,於本實施形態之保險絲元件40之熔斷部51之熔斷溫度為400℃以下之情形下,可防止在熔斷時,第1電極2a及第2電極2b成為高溫,對第1電極2a及第2電極2b所連接之構件、以及連接有第1外部連接電極42a及第2外部連接電極42b之電路基板造成不良影響。因而,與熔斷部51之熔斷溫度超過400℃之情形比較,可縮短熔斷部51之長度(第1接合部52a與第2接合部52b之間之距離),可使保險絲元件40小型化,且可更進一步增大額定電流。
[第5實施形態(保護元件)]
圖5(a)係顯示第5實施形態之保護元件之俯視圖。圖5(b)係沿B-B'線切斷圖5(a)所示之保護元件之剖視圖。圖5(c)係自圖5(a)之右側觀察圖5(a)所示之保護元件之側視圖。此外,圖5(a)及圖5(c)顯示卸下圖5(b)所示之保護元件30之罩構件5之狀態。
如圖5(a)~圖5(c)所示,保護元件30具備:保險絲單元11、加熱保險絲單元11而使其熔斷之發熱體7、絕緣基板4、及配置於絕緣基板4之表面4a之第1電極2a及第2電極2b。於本實施形態之保護元件30中,如圖5(b)所示,保險絲單元11跨於第1電極2a與第2電極2b之間而配置。亦即,保險絲單元11自第1電極2a架設至第2電極2b。第1電極2a及第2電極2b分別作為導電連接於保險絲單元11之端子發揮功能。進而,本實施形態之保護元件30具有:連接於發熱體7之第1發熱體電極9a及第2發熱體電極9b、及連接於第2發熱體電極9b之發熱體引出電極9。
第5實施形態之保護元件30,作為保險絲單元11、絕緣基板4、及第1電極2a及第2電極2b,具備與第2實施形態之保險絲元件20所具備者同樣者。因此,於第5實施形態中,省略針對保險絲單元11之熔斷溫度、材料、層構造之說明。又,於第5實施形態中,省略針對絕緣基板4、與第1電極2a及第2電極2b之說明。
於本實施形態之保護元件30中,保險絲單元11如圖5(a)及圖5(b)所示般,具有:熔斷部11e,其配置於第1電極2a與第2電極2b之間;第1接合部11f,其藉由焊料等導電連接構件(未圖示)接合於第1電極2a上;及第2接合部11g,其藉由焊料等導電連接構件(未圖示)接合於第2電極2b上。
又,於本實施形態之保護元件30中,如圖5(b)所示,熔斷部11e之絕緣基板4側之面、與發熱體引出電極9被電性連接。熔斷部11e與發熱體引出電極9藉由焊料等導電連接構件(未圖示)電性連接。
於本實施形態之保護元件30中,如圖5(b)所示,熔斷部11e於剖視下朝與絕緣基板4之表面4a為相反側設為凸狀之形狀。而且,於熔斷部11e與絕緣基板4之表面4a之間,配置:發熱體7,其配置於絕緣基板4之表面4a;絕緣構件8,其被覆發熱體7;及發熱體引出電極9,其介隔著絕緣構件8形成於發熱體7上。
發熱體7之電阻較高,係由藉由通電而發熱之高電阻導電性材料形成。作為高電阻導電性材料,例如可例舉包含鎳鉻合金、W、Mo、Ru之材料等。發熱體7例如可藉由將上述之高電阻導電性材料與樹脂黏合劑等混合形成糊狀物,將該糊狀物使用網印技術在絕緣基板4之表面4a形成圖案並進行煅燒之方法等而形成。
絕緣構件8係由玻璃等絕緣材料形成。
發熱體引出電極9介隔著絕緣構件8與發熱體7對向配置。藉此,發熱體7介隔著絕緣構件8及發熱體引出電極9與保險絲單元11之熔斷部11e重疊。藉由此重疊構造,可將發熱體7產生之熱高效率地傳遞至熔斷部11e。
於本實施形態之保護元件30中,亦與第2實施形態之保險絲元件20同樣地,如圖5(c)所示,俯視下之熔斷部11e之寬度1d具有第1電極2a及第2電極2b之與熔斷部11e之接合部分之寬度2d之80%以上之長度({1d/2d}×100≧80(%)),較佳為接合部分之寬度2d之95%以上之長度,更佳為超過100%。
本實施形態之保護元件30與第2實施形態之保險絲元件20同樣地,如圖5(b)所示般,較佳為經由接著劑安裝罩構件5。作為罩構件5之材料,可使用與第2實施形態之保險絲元件20同樣之材料。
如圖5(a)所示,第1電極2a及第2電極2b配置於絕緣基板4之表面4a之對向之一對兩端部。第1發熱體電極9a及第2發熱體電極9b配置於絕緣基板4之表面4a之對向之另一對兩端部。
第1電極2a、第2電極2b、第1發熱體電極9a、第2發熱體電極9b、發熱體引出電極9分別由Ag配線、Cu配線等導電圖案形成。
又,第1電極2a、第2電極2b、第1發熱體電極9a、第2發熱體電極9b、發熱體引出電極9可分別為了抑制因氧化等所致之電極特性之變質,而由電極保護層被覆。作為電極保護層之材料,可使用鍍Sn膜、鍍Ni/Au膜、鍍Ni/Pd膜、鍍Ni/Pd/Au膜等。
於本實施形態之保護元件30中,第1電極2a、第2電極2b、第1發熱體電極9a分別經由半圓孔,與形成於絕緣基板4之背面4b之第1外部連接電極42a、第2外部連接電極42b、發熱體饋電電極6電性連接。第1電極2a與第1外部連接電極42a之連接、第2電極2b與第2外部連接電極42b之連接、第1發熱體電極9a與發熱體饋電電極6之連接可以通孔進行。第2發熱體電極9b與發熱體引出電極9之連接可藉由通孔(未圖示)等周知之方法進行。
於本實施形態之保護元件30中,形成:至發熱體饋電電極6、第1發熱體電極9a、發熱體7、第2發熱體電極9b、發熱體引出電極9、保險絲單元11之熔斷部11e之通電路徑、及至第1外部連接電極42a、第1電極2a、熔斷部11e、第2電極2b、第2外部連接電極42b之通電路徑。
本實施形態之保護元件30經由第1外部連接電極42a、第2外部連接電極42b、發熱體饋電電極6安裝於電路基板(未圖示)之電流路徑上而使用。藉此,例如,保護元件30之熔斷部11e經由第1外部連接電極42a及第2外部連接電極42b而與電路基板之電流路徑連接,發熱體7經由發熱體饋電電極6而與設置於電路基板之電流控制元件連接。
於本實施形態之保護元件30中,若於電路基板發生異常,則藉由電路基板搜具備之電流控制元件,經由發熱體饋電電極6將發熱體7通電。藉此,發熱體7發熱,經由絕緣構件8及發熱體引出電極9將熔斷部11e加熱,熔斷部11e被熔斷。藉此,第1電極2a與第2電極2b之間斷線,電路基板之電流路徑被遮斷。
於熔斷部11e為在厚度方向積層低熔點金屬層1a與高熔點金屬層1b而形成者之情形下,當藉由電路基板所具備之電流控制元件將發熱體7通電時,熔斷部11e之低熔點金屬層1a被加熱而熔融,藉由產生之低熔點金屬層1a之熔融物,將高熔點金屬層1b熔解,而熔斷部11e被快速熔斷。
本實施形態之保護元件30與第2實施形態之保險絲元件20同樣地,由於熔斷部11e之寬度1d具有為第1電極2a及第2電極2b之與熔斷部11e之接合部分之寬度2d之80%以上之長度之寬度1d較寬之低電阻之熔斷部11e,故能夠有助於額定電流之大電流化。
進而,於本實施形態之保護元件30之熔斷部11e之熔斷溫度為400℃以下之情形下,可防止在熔斷時,第1電極2a及第2電極2b成為高溫,對第1電極2a及第2電極2b所連接之構件、以及連接有第1外部連接電極42a及第2外部連接電極42b之電路基板造成不良影響。因而,與熔斷部11e之熔斷溫度超過400℃之情形比較,可縮短熔斷部11e之長度(第1電極2a與第2電極2b之間之距離),可使保護元件30小型化,且可更進一步增大額定電流。
[第6實施形態(保護元件)]
圖6(a)係顯示第6實施形態之保護元件之俯視圖。圖6(b)係自圖6(a)之下側觀察圖6(a)所示之保護元件之側視圖。圖6(c)係自圖6(a)之右側觀察圖6(a)所示之保護元件之側視圖。此外,圖6(a)及圖6(c)顯示卸下圖6(b)所示之保護元件60之罩構件5之狀態。
如圖6(a)~圖6(c)所示,保護元件60具備:保險絲單元11、加熱保險絲單元11而使其熔斷之發熱體17、絕緣基板4、及配置於絕緣基板4之表面4a之第1電極2a及第2電極2b。於本實施形態之保護元件60中,如圖6(b)所示,保險絲單元11跨於第1電極2a與第2電極2b之間而配置。亦即,保險絲單元11自第1電極2a架設至第2電極2b。第1電極2a及第2電極2b分別作為導電連接於保險絲單元11之端子發揮功能。進而,本實施形態之保護元件60具有連接於發熱體17之發熱體引出電極19。
第6實施形態之保護元件60、與第5實施形態之保護元件30不同之處,僅為熔斷部11e之形狀、發熱體17及絕緣構件18之配置、連接於發熱體17之配線之配置。因而,於第6實施形態中,僅說明與第5實施形態不同之處,針對與第5實施形態相同之構件賦予相同之符號,且省略說明。
於本實施形態之保護元件60中,與第5實施形態之保護元件30不同,如圖6(b)所示般,將熔斷部11e之連接第1電極2a與第2電極2b之方向之側面設為剖視矩形狀。亦即,熔斷部11e之面中之相對於連接第1電極2a與第2電極2b之方向大致正交之方向之面之形狀為矩形狀。而且,於熔斷部11e與絕緣基板4之表面4a之間,配置發熱體引出電極19。又,於絕緣基板4之背面4b,配置發熱體17、及被覆發熱體17之絕緣構件18。
發熱體引出電極19介隔著絕緣基板4與發熱體17對向配置。藉此,發熱體17介隔著絕緣基板4及發熱體引出電極19與保險絲單元11之熔斷部11e重疊。藉由此重疊構造,可將發熱體17產生之熱高效率地傳遞至熔斷部11e。
於本實施形態之保護元件60中,亦與第5實施形態之保護元件30同樣地,如圖6(c)所示,俯視下之熔斷部11e之寬度1d具有第1電極2a及第2電極2b之與熔斷部11e之接合部分之寬度2d之80%以上之長度({1d/2d}×100≧80(%)),較佳為接合部分之寬度2d之95%以上之長度,更佳為超過100%。
於本實施形態之保護元件60中,若於電路基板發生異常,則藉由電路基板所具備之電流控制元件,將發熱體17通電。藉此,發熱體17發熱,經由絕緣基板4及發熱體引出電極19將熔斷部11e加熱,熔斷部11e被熔斷。藉此,第1電極2a與第2電極2b之間斷線,電路基板之電流路徑被遮斷。
於熔斷部11e為在厚度方向積層低熔點金屬層1a與高熔點金屬層1b而形成者之情形下,當藉由電路基板所具備之電流控制元件將發熱體17通電時,熔斷部11e之低熔點金屬層1a被加熱而熔融,藉由產生之低熔點金屬層1a之熔融物,將高熔點金屬層1b熔解,而熔斷部11e被快速熔斷。
本實施形態之保護元件60與第5實施形態之保護元件30同樣地,由於熔斷部11e之寬度1d具有為第1電極2a及第2電極2b之與熔斷部11e之接合部分之寬度2d之80%以上之長度之寬度1d較寬之低電阻之熔斷部11e,故能夠有助於額定電流之大電流化。
進而,於本實施形態之保護元件60之熔斷部11e之熔斷溫度為400℃以下之情形下,可防止在熔斷時,第1電極2a及第2電極2b成為高溫,對第1電極2a及第2電極2b所連接之構件、以及連接有第1外部連接電極42a及第2外部連接電極42b之電路基板造成不良影響。因而,與熔斷部11e之熔斷溫度超過400℃之情形比較,可縮短熔斷部11e之長度(第1電極2a與第2電極2b之間之距離),可使保護元件60小型化,且可更進一步增大額定電流。
本發明申請案基於2019年8月23日於日本申請之日本發明專利申請2019-152939號而主張其優先權,且其內容為本申請案所引用。
1, 11, 15, 50:保險絲單元
1a:低熔點金屬層
1b:高熔點金屬層
1d, 2d:寬度
1e, 11e, 15e, 51:熔斷部
1f, 11f, 15f, 52a:第1接合部
1g, 11g, 15g, 52b:第2接合部
2a:第1電極
2b:第2電極
3a, 3b:安裝孔
4:絕緣基板
4a:表面
4b:背面
5:罩構件
6:發熱體饋電電極
7, 17:發熱體
8, 18:絕緣構件
9, 19:發熱體引出電極
9a:第1發熱體電極
9b:第2發熱體電極
10, 20, 25, 40:保險絲元件
20a:第1端子
20b:第2端子
21a, 21b:半圓孔
30, 60:保護元件
42a:第1外部連接電極
42b:第2外部連接電極
52a:第1接合部
52a:第2接合部
A-A':線
圖1(a)係顯示第1實施形態之保險絲元件之俯視圖,圖1(b)係沿A-A'線切斷圖1(a)所示之保險絲元件之剖視圖。
圖2(a)係顯示第2實施形態之保險絲元件之俯視圖。圖2(b)係自圖2(a)之下側觀察圖2(a)所示之保險絲元件之側視圖。圖2(c)係自圖2(a)之右側觀察圖2(a)所示之保險絲元件之側視圖。
圖3(a)係顯示第3實施形態之保險絲元件之俯視圖。圖3(b)係自圖3(a)之下側觀察圖3(a)所示之保險絲元件之側視圖。圖3(c)係圖3(a)所示之保險絲元件之自圖3(a)之右側觀察之側視圖。圖3(d)係顯示圖3(a)所示之保險絲元件所具備之保險絲單元之立體圖。
圖4(a)係顯示第4實施形態之保險絲元件之俯視圖。圖4(b)係自圖4(a)之下側觀察圖4(a)所示之保險絲元件之側視圖。圖4(c)係自圖4(a)之右側觀察圖4(a)所示之保險絲元件之側視圖。
圖5(a)係顯示第5實施形態之保護元件之俯視圖。圖5(b)係沿B-B'線切斷圖5(a)所示之保護元件之剖視圖。圖5(c)係自圖5(a)之右側觀察圖5(a)所示之保護元件之側視圖。
圖6(a)係顯示第6實施形態之保護元件之俯視圖。圖6(b)係自圖6(a)之下側觀察圖6(a)所示之保護元件之側視圖。圖6(c)係自圖6(a)之右側觀察圖6(a)所示之保護元件之側視圖。
1:保險絲單元
1a:低熔點金屬層
1b:高熔點金屬層
1d,2d:寬度
1e:熔斷部
3a,3b:安裝孔
10:保險絲元件
20a:第1端子
20b:第2端子
A-A':線
Claims (11)
- 一種保險絲單元,其具有配置於第1端子與第2端子之間之不具有貫通孔之平板狀之熔斷部;且 前述熔斷部之寬度具有前述第1端子及前述第2端子之與前述熔斷部之接合部分之寬度之80%以上之長度。
- 如請求項1之保險絲單元,其中前述熔斷部之寬度為前述接合部分之寬度之95%以上之長度。
- 如請求項1之保險絲單元,其中前述熔斷部之熔斷溫度為140℃~400℃。
- 如請求項1之保險絲單元,其中前述熔斷部在厚度方向積層低熔點金屬層、及熔點高於前述低熔點金屬層之高熔點金屬層而形成。
- 如請求項4之保險絲單元,其中前述低熔點金屬層包含Sn或以Sn為主成分之合金;且 前述高熔點金屬層包含選自Ag、Cu、以Ag為主成分之合金、及以Cu為主成分之合金之任一者。
- 如請求項4之保險絲單元,其中前述熔斷部包含:前述低熔點金屬層、及積層於前述低熔點金屬層之兩面之前述高熔點金屬層。
- 如請求項1之保險絲單元,其中前述熔斷部之寬度為前述接合部分之寬度之200%以下之長度。
- 如請求項1之保險絲單元,其中前述第1端子及前述第2端子、與前述熔斷部藉由導電連接構件接合。
- 一種保險絲元件,其具備請求項1至8中任一項之保險絲單元。
- 如請求項9之保險絲元件,其中前述第1端子及前述第2端子配置於絕緣基板之表面。
- 一種保護元件,其具備:如請求項1至8中任一項之保險絲單元、及 加熱前述保險絲單元而使其熔斷之發熱體;且 前述第1端子及前述第2端子配置於絕緣基板上; 前述保險絲單元跨於前述第1端子與前述第2端子之間而配置。
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