TW202125668A - 基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供一種適於製造具有充分之性能之半導體元件的基板處理方法。 在本發明之解決手段中，基板WF具有設置成為功率元件之構造的複數個晶片區域RS，並設置有被處理膜501。藉由一面使基板WF旋轉，一面使感測器81於徑向上進行掃描，而測定在徑向上之被處理膜501之厚度輪廓。計算出厚度輪廓之平均厚度davg 。抽出厚度輪廓具有平均厚度davg 之至少一個徑向位置而作為至少一個候補位置。將至少一個候補位置之至少一者決定於至少一個測定位置。一面使基板WF旋轉，一面自噴嘴52朝基板WF之被處理膜501上供給處理液。一面使基板WF旋轉，一面藉由感測器81而在至少一個測定位置對被處理膜501之厚度的時間性變化進行監視。

Description

基板處理方法
本發明係關於基板處理方法，特別是關於使用處理液的基板處理方法。
習知，在半導體基板(以下，簡稱為「基板」)之製造步驟中，使用基板處理裝置而對基板進行各種處理。例如，進行使用處理液去除被形成在基板之上表面的膜的蝕刻處理。根據日本專利特開2003-97919號公報(專利文獻1)，在將蝕刻液供給至晶圓表面而蝕刻該表面之薄膜至膜厚中間的過程中，即時地檢測該薄膜之膜厚。接著，在該膜厚之檢測值到達至目標膜厚的時間點，停止蝕刻。藉此，可尋求於晶圓表面殘留有高精度地被控制為目標膜厚的薄膜。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2003-97919號公報
(發明所欲解決之問題)
因製程偏差等原因，在基板處理中之被處理膜的厚度並非在基板上之任一位置上均相同。由於上述公報所記載的基板處理並未考慮到此點，因此，存在有藉由包含有該基板處理的製造方法而所被製造的元件之性能成為不充分的情況。換言之，存在有具有充分性能之半導體元件的製造良率變低的情況。
本發明係鑑於以上所記載之問題而被完成者，其目的在於提供一種適於製造具有充分之性能之半導體元件的基板處理方法。 (解決問題之技術手段)
本發明之一態樣之基板處理方法係對至少一片基板進行處理者，該至少一片基板係具有徑向，具有設置成為功率元件之構造的複數個晶片區域，並設置有被處理膜；其具備有如下之步驟： (a) 藉由一面使上述基板旋轉，一面使感測器於上述徑向上掃描，而測定在上述徑向上的上述被處理膜之厚度輪廓的步驟； (b) 計算出上述厚度輪廓之平均厚度的步驟； (c) 抽出上述厚度輪廓具有上述平均厚度的至少一個徑向位置而作為至少一個候補位置的步驟； (d) 將上述至少一個候補位置之至少一者決定於至少一個測定位置的步驟； (e) 一面使上述基板旋轉，一面自噴嘴朝上述基板之上述被處理膜上供給處理液的步驟；及 (f) 一面使上述基板旋轉，一面藉由上述感測器而在上述至少一個測定位置對上述被處理膜之厚度的時間性變化進行監視的步驟。
本發明之另一態樣之基板處理方法係對至少一片基板進行處理者，該至少一片基板係具有徑向，具有設置成為非功率元件即半導體元件之構造的複數個晶片區域，並設置有被處理膜；其具備有如下之步驟： (a) 藉由一面使上述基板旋轉，一面使感測器於上述徑向上掃描，而測定在上述徑向上的上述被處理膜之厚度輪廓的步驟； (b) 計算出上述厚度輪廓之最小厚度的步驟； (c) 抽出上述厚度輪廓具有上述最小厚度的至少一個徑向位置而作為至少一個候補位置的步驟； (d) 將上述至少一個候補位置之至少一者決定於至少一個測定位置的步驟； (e) 一面使上述基板旋轉，一面自噴嘴朝上述基板之上述被處理膜上供給處理液的步驟；及 (f) 一面使上述基板旋轉，一面藉由上述感測器而在上述至少一個測定位置對上述被處理膜之厚度的時間性變化進行監視的步驟。 (對照先前技術之功效)
根據一態樣之基板處理方法，可精度良好地控制被處理膜之平均厚度。藉此，可使被處理膜之厚度不會過多或不足。因而，在具有沿著被處理膜之厚度方向的電流路徑的功率元件中，可避免起因於過大之厚度而成為電阻過大的情形，且可避免起因於過小之厚度而耐電壓不足的情形。
根據另一態樣之基板處理方法，可精度良好地控制被處理膜之最小厚度。藉此，可防止過度地進行基板處理。因而，可避免起因於被被處理膜所覆蓋的部位未意料地被侵蝕而對半導體元件之特性造成不良影響。
於本案說明書所揭示之技術關聯之目的、特徵、局面、優點係藉由以下所示之詳細說明與所附圖式而更加明瞭。
以下，一面參照所附圖式，一面對於實施形態進行說明。在以下之實施形態中，為了說明技術而亦表示詳細之特徵等，但該等僅為例示，為了能實施該實施形態，該等全部未必為必須之特徵。再者，圖式僅為概略地表示者，為了方便說明，而適宜地於圖式中省略構成或將構成簡略化。此外，時序圖中之時間寬度並非嚴謹地表示實際之時間寬度者。此外，不同圖式中分別所表示之構成等大小及位置之相互關係未必正確地被記載，而可適宜地變更。此外，在以下所示之說明中，對於相同之構成要素附加相同之符號並加以圖示，而對於該等構成要素之名稱與功能均設為相同。因此，為了避免重複，故存在有省略該等構成要素之詳細說明的情況。此外，在以下所記載之說明中，於記載為「具備」、「包含」或「具有」某構成要素等之情況下，除非特別強調，則並非為將其他構成要素之存在排除在外的排他性表現。此外，在以下所記載之說明中，表示相對性或絕對性之位置關係的表現，例如「於一方向上」、「沿著一方向」、「平行」、「正交」、「中心」、「同心」或「同軸」等，除非特別強調，則包含有嚴謹地表示其位置關係的情況，及角度或距離於公差或可獲得相同程度之功能的範圍內位移的情況。此外，在以下所記載之說明中，表示相等狀態之表現，例如「同一」、「相等」、「均一」或「均質」等，除非特別強調，則包含有表示嚴謹地相等之狀態的情況，及於公差或可獲得相同程度之功能的範圍內產生差值的情況。此外，在以下所記載之說明中，「使對象物於特定之方向上移動」等之表現，除非特別強調，則包含有使對象物與該特定之方向平行地移動的情況，及使對象物於具有該特定之方向的成分之方向上移動的情況。此外，在以下所記載之說明中，記載為「…之上表面」或「…之下表面」等之情況係除了成為對象之構成要素的上表面本身以外，亦包含有於成為對象之構成要素的上表面形成有其他構成要素的狀態。即，例如於記載為「被設置於甲之上表面的乙」之情況下，並不妨礙於甲與乙之間介存有其他之構成要素「丙」之情形。此外，在以下所記載之說明中，表示形狀之表現，例如「圓形形狀」等，除非特別強調，則包含有嚴謹地表示該形狀的情況，及於公差或可獲得相同程度之功能的範圍內形成有凹凸或倒角等的情況。
＜實施形態1＞ 圖1係概略地表示與本實施形態相關之基板處理裝置之構成例的圖。再者，從使構成容易理解的觀點上，存在有於該圖式中省略一部分構成要素，或加以簡略化而表示的情況。
基板處理裝置1係一片片地處理半導體晶圓等圓板狀之基板WF的單片式處理裝置。基板處理裝置1對基板WF進行蝕刻處理等之各種處理。基板處理裝置1係朝向X軸正向而依序地具備有分度區段2、處理區段3。此外，處理區段3係朝向X軸正向而依序地具備有搬送模組3A、處理模組3B。
分度區段2具備有：基板收容器21，其可將複數片之基板WF以積層狀態加以收容；平台22，其支撐基板收容器21；及分度機器人23，其自基板收容器21接取未處理之基板WF，又，將在處理區段3中處理所完成的基板WF朝基板收容器21交付。再者，平台22之數量係在圖1之例中為求簡化而設為一個，但亦可於Y軸方向上排列有其以上之數量。基板收容器21可為以密閉狀態收納基板WF的front opening unified pod(FOUP，前開式晶圓傳送盒)，亦可為standard mechanical inter face(SMIF，標準機械介面)盒或open cassette(OC，開放匣盒)等。分度機器人23例如具備有基台部23A、多關節臂23B、及相互於鉛直方向上隔開間隔而被設置的兩個手23C及手23D。基台部23A例如被固定至將基板處理裝置1之分度區段2的外形加以規定的框架。多關節臂23B被構成為可沿著水平面轉動的複數根臂部相互可轉動地被結合，且被構成為藉由在該臂部之結合部位即關節部變更臂部間之角度，而可使該臂部彎曲伸展。此外，多關節臂23B之基端部係可繞鉛直軸轉動地被結合至基台部23A。進而，多關節臂23B係可升降地被結合至基台部23A。手23C及手23D被構成為可分別保持一片基板WF。分度機器人23例如使用手23C自被保持在平台22的基板收容器21而將一片未處理之基板WF搬出。接著，分度機器人23自X軸負向將該基板WF交付至在搬送模組3A中的搬送機構31(後述)。進而，分度機器人23例如使用手23D而自搬送機構31接取一片處理完畢之基板WF。接著，分度機器人23將該基板WF收容於被保持在平台22的基板收容器21。
在處理區段3中之搬送模組3A具備有一面將一片或複數片基板WF保持為水平姿勢一面可進行搬送的搬送機構31。搬送機構31例如亦可為在藉由沿著XZ平面及XY平面所形成的間隔壁(於此未圖示)所被包圍的筒狀之搬送路上移動者。此外，搬送機構31亦可為於在X軸方向所延伸的軌道上被導引而往返移動者。藉由搬送機構31，基板WF係在接近至分度區段2的X軸負向之位置與接近至搬送機器人33(後述)的X軸正向之位置之間被搬送。
在處理區段3中之處理模組3B具備有：搬送機器人33，其搬送基板WF；及複數個液體處理單元34A、液體處理單元34B及液體處理單元34C，該等對自搬送機構31被供給的未處理之基板WF進行基板處理。搬送機器人33具備有水平驅動部33A、鉛直驅動部33B、手33C、手33D、及經由連結件33F而安裝有該等之構成且於鉛直方向上延伸的支柱33E。
水平驅動部33A使手33C及手33D於水平方向上移動。水平驅動部33A具備有平台133A、在平台133A之上表面朝水平方向往返移動的水平滑塊133B、及使水平滑塊133B移動的水平馬達133C。於平台133A之上表面設置有直線狀地延伸的軌道(於此未圖示)，水平滑塊133B之移動方向係藉由該軌道被限制。水平滑塊133B之移動例如藉由線性馬達機構或滾珠螺桿機構等之周知的機構而被實現。於水平滑塊133B之前端設置有手33C及手33D。當藉由水平馬達133C而使水平滑塊133B沿著軌道移動時，手33C及手33D成為可於水平方向上進退移動。換言之，水平驅動部33A使手33C及手33D自支柱33E於水平方向上朝離開及接近的方向移動。水平驅動部33A具備有使平台133A繞沿著鉛直方向之轉動軸線Z1轉動的轉動馬達133D。藉由轉動馬達133D，手33C及手33D可繞著轉動軸線Z1而在不干涉至支柱33E的範圍內轉動。
鉛直驅動部33B具備有鉛直滑塊133G、鉛直馬達133H。鉛直滑塊133G係卡合於被設在支柱33E之於鉛直方向上延伸的軌道(於此未圖示)。鉛直馬達133H使鉛直滑塊133G沿著該軌道而於鉛直方向上往返移動。鉛直滑塊133G之移動例如利用線性馬達機構或滾珠螺桿機構等之周知的機構而被實現。
連結件33F係連結鉛直滑塊133G及平台133A，且自下方支撐平台133A。藉由鉛直馬達133H使鉛直滑塊133G移動，而平台133A於鉛直方向上移動。藉此，手33C及手33D可於鉛直方向上升降移動。
再者，水平驅動部33A使手33C及手33D與水平方向平行地移動並非為必須，亦可使手33C及手33D在水平方向及鉛直方向的合成方向上移動。即，所謂「於水平方向移動」係指於具有水平方向之成分的方向移動。同樣，鉛直驅動部33B使手33C及手33D與鉛直方向平行地移動並非為必須，亦可使手33C及手33D在鉛直方向及水平方向的合成方向上移動。即，所謂「於鉛直方向移動」係指於具有鉛直方向之成分的方向移動。
搬送機器人33例如使用手33C而將被保持在搬送機構31的一片之未處理的基板WF搬出。接著，搬送機器人33例如自X軸負向將該基板WF配置在液體處理單元34A中之旋轉基座51A(後述)的上表面。
此外，搬送機器人33例如使用手33D而自液體處理單元34A內、液體處理單元34B內或液體處理單元34C內接取一片之處理完畢的基板WF。接著，搬送機器人33將該基板WF交付至搬送機構31。
液體處理單元34A、液體處理單元34B及液體處理單元34C係於Z軸正向上依序地被重疊，而構成處理塔TW。再者，液體處理單元之數量係在圖1之例中為求簡化而被設為三個，但亦可為其以上之數量。此外，於圖1中被表示為液體處理單元34A、液體處理單元34B及液體處理單元34C位於搬送機器人33之X軸正向，但液體處理單元34A、液體處理單元34B及液體處理單元34C所被配置的位置並不限於此情況，例如亦可被配置在搬送機器人33之X軸正向、Y軸正向或Y軸負向之任一者。
圖2係概略地表示在與本實施形態相關之基板處理裝置中之液體處理單元34A之構成例的圖。再者，液體處理單元34B及液體處理單元34C之構成亦與圖2所例示之情況相同。液體處理單元34A具備有：箱形的處理室50，其具有內部空間；旋轉卡盤51，其在處理室50內將一片基板WF以水平姿勢加以保持，且使基板WF繞著通過基板WF之中央部的鉛直之旋轉軸線Z2旋轉；及筒狀之處理液回收護罩511，其在繞著基板WF之旋轉軸線Z2而包圍旋轉卡盤51。
處理室50係藉由箱狀的間隔壁50A被包圍。於間隔壁50A形成有用於將基板WF搬入搬出至處理室50內的開口部50B。開口部50B係藉由閘門50C而被開閉。閘門50C係藉由閘門升降機構(於此未圖示)而在覆蓋開口部50B的閉位置(在圖2中以兩點鏈線所表示)與將開口部50B開放的開位置(在圖2中以實線所表示)之間被升降。於基板WF之搬入搬出時，搬送機器人33通過開口部50B而使手33C及33D進出至處理室50內。藉此，可使未處理之基板WF配置在旋轉卡盤51之上表面，或是自旋轉卡盤51取走處理完畢之基板WF。
旋轉卡盤51具備有：圓板狀的旋轉基座51A，其真空吸附水平姿勢之基板WF的下表面；旋轉軸51C，其自旋轉基座51A之中央部朝下方延伸；及旋轉馬達51D，其藉由使旋轉軸51C旋轉而使被吸附在旋轉基座51A的基板WF旋轉。再者，旋轉卡盤51不被限定於圖2所例示之真空吸附式的卡盤，例如亦可為夾持式的卡盤，其具備有自旋轉基座之上表面外周部朝上方突出的複數個卡盤銷，藉由該卡盤銷而夾持基板WF之周緣部。
液體處理單元34A具備有：處理液噴嘴52，其朝向被保持在旋轉卡盤51的基板WF之上表面吐出處理液；處理液臂152，其於前端安裝有處理液噴嘴52；處理液槽53，其貯存被供給至處理液噴嘴52的處理液；處理液配管54，其將處理液槽53內之處理液導引至處理液噴嘴52；送液裝置55(例如泵)，其將處理液槽53內之處理液輸送至處理液配管54；及處理液閥56，其對處理液配管54之內部進行開閉。
處理液臂152具備有旋轉驅動源152A、軸體152B、及一端被固定在軸體152B之上端且於另一端安裝有處理液噴嘴52的臂部152C。處理液臂152係藉由旋轉驅動源152A使軸體152B旋轉，藉此使被安裝在臂部152C之前端的處理液噴嘴52可沿著被保持在旋轉卡盤51的基板WF之上表面移動。即，被安裝在臂部152C之前端的處理液噴嘴52成為可於水平方向移動。於此，旋轉驅動源152A之驅動藉由後述之控制部被控制。
進而，液體處理單元34A具備有：循環配管57，其在較處理液閥56更上游側(即處理液槽53側)連接處理液配管54與處理液槽53；循環閥58，其對循環配管57之內部進行開閉；及溫度調節裝置59，其調節流動於循環配管57的處理液之溫度。處理液閥56及循環閥58之開閉係藉由後述之控制部被控制。於處理液槽53內之處理液被供給至處理液噴嘴52的情況下，打開處理液閥56，並關閉循環閥58。在該狀態下，藉由送液裝置55而自處理液槽53被輸送至處理液配管54的處理液係被供給至處理液噴嘴52。另一方面，於停止朝處理液噴嘴52供給處理液的情況下，關閉處理液閥56，並打開循環閥58。在該狀態下，藉由送液裝置55而自處理液槽53被輸送至處理液配管54的處理液係通過循環配管57而返回至處理液槽53內。因此，在停止朝處理液噴嘴52供給處理液的供給停止中，處理液係在藉由處理液槽53、處理液配管54及循環配管57所構成的循環路徑中持續循環。溫度調節裝置59係調節流動於循環配管57內的處理液之溫度。因此，處理液槽53內之處理液係於供給停止中在循環路徑被加熱，而被維持在較室溫更高的溫度。
此外，液體處理單元34A具備有：沖洗液噴嘴60，其朝向被保持在旋轉卡盤51的基板WF之上表面吐出沖洗液；沖洗液臂160，其於前端安裝有沖洗液噴嘴60；沖洗液配管61，其將來自沖洗液供給源(於此未圖示)的沖洗液供給至沖洗液噴嘴60；及沖洗液閥62，其對自沖洗液配管61朝沖洗液噴嘴60之沖洗液的供給及供給停止進行切換。作為沖洗液，使用DIW(去離子水)等。沖洗液臂160具備有旋轉驅動源160A、軸體160B、及一端被固定在軸體160B之上端且於另一端安裝有沖洗液噴嘴60的臂部160C。沖洗液臂160係藉由旋轉驅動源160A使軸體160B旋轉，藉此使被安裝在臂部160C之前端的沖洗液噴嘴60可沿著被保持在旋轉卡盤51的基板WF之上表面移動。即，被安裝在臂部160C之前端的沖洗液噴嘴60成為可於水平方向移動。於此，旋轉驅動源160A之驅動藉由後述之控制部被控制。於藉由處理液噴嘴52而將處理液供給至基板WF之後，自沖洗液噴嘴60將沖洗液供給至基板WF，藉此可沖洗附著在基板WF的處理液。
處理液回收護罩511係被設置為包圍旋轉卡盤51之周圍。較佳為處理液回收護罩511被構成為藉由未圖示之馬達而於鉛直方向上升降。於此情況下，處理液回收護罩511之上部係在其上端較被保持在旋轉基座51A的基板WF成為更上側的上位置與較該基板WF成為更下側的下位置之間升降。自基板WF之上表面朝外側飛散的處理液係被處理液回收護罩511之內側面所承接。接著，被處理液回收護罩511所承接的處理液係通過被設在處理室50之底部的排液口513而適宜地被排出至處理室50之外部。較佳為對自排液口513所被排出的處理液之至少一部分進行再利用。換言之，較佳為使已被排出的處理液之至少一部分藉由被返回至處理液槽53而被再利用。
此外，液體處理單元34A具備有：感測器81，其用於測定設在基板WF上的膜之膜厚；及測定臂181，其於前端安裝有感測器81。
作為感測器81，例如使用光學式之位移感測器等。配合成為測定對象的膜(具體而言，參照圖6而於後敘述之被處理膜501)而對於進行測定時自感測器81被照射至所對向之基板WF等的光之測定照射波長進行調整，藉此可測定各種膜(例如矽膜)之膜厚。
測定臂181具備有旋轉驅動源181A、軸體181B、及一端被固定在軸體181B之上端且於另一端安裝有感測器81的臂部181C。藉由旋轉驅動源181A使軸體181B旋轉，藉此使被安裝在臂部181C之前端的感測器81可沿著被保持在旋轉卡盤51的基板WF之上表面移動。即，被安裝在臂部181C之前端的感測器81成為可於水平方向移動。於此，旋轉驅動源181A之驅動藉由後述之控制部被控制。
測定臂181係位於至少較處理液臂152或沖洗液臂160更自基板WF之上表面離開的位置。即，測定臂181之鉛直方向的高度H1(自旋轉基座51A之上表面至臂部181C或感測器81為止的長度)係較處理液臂152之鉛直方向的高度H2(自旋轉基座51A之上表面至臂部152C或處理液噴嘴52為止的長度)或是沖洗液臂160之鉛直方向的高度H3(自旋轉基座51A之上表面至臂部160C或沖洗液噴嘴60為止的長度)更高。如此，藉由使測定臂181位於離開基板WF之上表面的位置，於將處理液等吐出至基板WF之上表面時，可抑制彈回之液體等附著至感測器81的情形。再者，亦可為如圖2所例示般，使測定臂181位於較處理液臂152及沖洗液臂160之兩者更離開自旋轉基座51A之上表面的位置。
圖3係表示在液體處理單元34A中之各個臂之位置例的俯視圖。處理液臂152、沖洗液臂160及測定臂181分別於旋轉基座51A之徑向(至少為具有徑向之成分的方向)可移動，而可對在旋轉卡盤51中所旋轉的基板WF之上表面進行掃描。
圖4係表示在基板處理裝置1(圖1)中之控制部7與其他之各要素之連接關係例的功能方塊圖。控制部7係被連接至各個液體處理單元之運作部(例如處理液閥56、循環閥58、沖洗液閥62、閘門50C或旋轉馬達51D等)、使搬送機構31驅動的驅動部(例如用於使搬送機構31往返移動的馬達等)、分度機器人23之運作部(例如用於使多關節臂23B驅動的馬達等)、搬送機器人33之運作部(例如水平馬達133C、轉動馬達133D或鉛直馬達133H等)，而控制該等之動作。
控制部7之硬體構成係與一般電腦相同。即，控制部7具備有進行各種運算處理的中央運算處理裝置(central processing unit，即CPU)71、記憶基本程式的讀取專用之記憶體即唯讀記憶體(read only memory，即ROM)72、記憶各種資訊的讀寫自如之記憶體即隨機存取記憶體(random access memory，即RAM)73、記憶控制用應用程式(程式)或資料等的非暫時性之記憶部74。CPU 71、ROM 72、RAM 73及記憶部74係藉由匯流排配線75等而相互地被連接。亦可為控制應用程式或資料於被記錄在非暫時性之記錄媒體(例如半導體記憶體、光學媒體或磁性媒體等)的狀態下被提供至控制部7。於此情況下，可為將自該記錄媒體讀取控制應用程式或資料的讀取裝置被連接至匯流排配線75。此外，亦可為控制應用程式或資料經由網路而自伺服器等被提供至控制部7。於此情況下，可為將與外部裝置進行網路通信的通信部連接至匯流排配線75。
於匯流排配線75連接有輸入部76及顯示部77。輸入部76包含有鍵盤及滑鼠等之各種輸入設備。作業員係經由輸入部76而將各種資訊輸入至控制部7。顯示部77係以液晶監視器等之顯示設備所構成，而顯示各種資訊。
圖5係概略地表示藉由基板處理方法而被處理之基板WF之構成例的俯視圖。本實施形態之基板處理方法係至少處理一片基板WF者，較佳為藉由前述之液體處理單元34A等之各液體處理單元而依序處理複數片基板WF者。基板WF之各者係具有在徑向上具有半徑R的圓形形狀。此外，基板WF之各者係具有複數個晶片區域RS。
圖6係沿著圖5之線VI-VI之概略的部分剖視圖。基板WF具有被處理膜501與元件構造層502。被處理膜501具有面501a、及於厚度方向(圖中為縱向)上與其相對的面501b。元件構造層502具有面對面501b的面502a、及其之相對的面502b。元件構造層502包含有半導體層。被處理膜501在典型上為半導體基板，例如為矽基板。於晶片區域RS之各者，設置有成為半導體元件的構造。再者，半導體元件係於在本實施形態中之基板處理方法之後，進而經由幾項追加步驟，而被取得為最後之製品。該等追加步驟包含有藉由切割基板WF而切開各晶片區域RS的步驟。
被處理膜501可為藉由對具有厚度dwf (例如1mm左右)的基板進行研磨，並藉由設為具有厚度dgr (例如50μm左右)的膜而被形成。在典型上，於基板之緣部不實施研磨，於此情況下，如圖6所示，基板WF係於寬度數mm左右之緣部上具有局部較厚的部分。以下，忽視該較厚之部分而進行說明。
於本實施形態1中，上述半導體元件為縱型功率元件。在典型上，縱型功率元件具有一對主電極(例如源極/汲極之對、射極/集極之對、或陽極/陰極之對)。於面502b上已經設置有一對主電極之一者，而一對主電極之另一者係於藉由在本實施形態中之基板處理方法而將被處理膜501之厚度自厚度dgr 減低為厚度dtgt 後，被形成在面501a上。藉由使厚度dtgt 並非過大，而可避免縱型功率元件之電阻成為過大的情形。此外，藉由使厚度dtgt 並非過小，而可避免縱型功率元件之耐電壓不足的情形。元件構造層502所包含有的半導體層可為被形成在被處理膜501上的磊晶層。該半導體層與磊晶層係因折射率之不同等而可光學性地進行區別。
其次，一面參照圖7至圖9，一面於以下對在本實施形態中之基板處理方法進行說明。再者，該基板處理方法係藉由基板處理裝置1(圖1)而被進行者。具體而言，該基板處理方法係在以下之狀態被進行者：經由分度機器人23、搬送機構31及搬送機器人33而將被收容在基板收容器21(圖1)的基板WF搬入至任一之液體處理單元，進而被保持在旋轉卡盤51(圖2)。
圖7及圖8之各者係表示在本實施形態1中之基板處理方法之例的時序圖及流程圖。
首先，進行沖洗處理(圖8：步驟ST11)。在沖洗處理中，藉由控制部7(圖4)之控制而自沖洗液噴嘴60(圖3)吐出沖洗液。藉此，在基板WF之面501a(圖6)上的附著物等被沖洗。作為沖洗液，例如使用有DIW(去離子水)。
其次，進行乾燥處理(圖8：步驟ST12)。在乾燥處理中，藉由控制部7之控制，於對基板WF供給IPA(異丙醇)等之後，藉由使旋轉基座51A旋轉而使基板WF被乾燥。
其次，進行在徑向上之被處理膜501之厚度輪廓之測定(圖8：步驟ST21)。具體而言，一面使基板WF旋轉，一面使感測器81於徑向上進行掃描，藉此測定厚度輪廓。感測器81之掃描係藉由控制部7之控制來使測定臂181之臂部181C轉動而藉此被進行。圖9係說明上述步驟ST21之例的示意圖。藉由感測器81之掃描SC，而獲得對於徑向之位置r的厚度d之輪廓。相較於基板WF之旋轉速度，若掃描SC之速度足夠慢，則可唯一地獲得依存於徑向的厚度輪廓。例如，於在徑向上的感測器81之位置r為r1 、r2 及r3 之各者時，在圓周C1 、C2 及C3 上的被處理膜501之厚度的平均值而作為厚度d被檢測。
其次，進行控制部7之算術處理。首先，自厚度輪廓(圖9)計算出平均厚度davg (圖8：步驟ST22A)。其次，於後述之厚度測定中特別被注目的至少一個候補位置被抽出(圖8：步驟ST23A)。具體而言，厚度輪廓具有平均厚度davg 的至少一個徑向位置r而作為至少一個候補位置被抽出。於圖9所示之例中，抽出三個位置ravg1 、ravg2 、ravg3 。
其次，進行測定位置之決定(圖8：步驟ST24)。具體而言，至少一個(於上述例中為三個)候補位置之至少哪一者被決定於至少一個測定位置。以下，對於該方法之例進行詳述。
圖10係表示為了設定測定位置之決定條件而顯示部77(圖4)對作業員所顯示之畫面SW之例的圖。畫面SW具有厚度輪廓視窗DA1、及選擇視窗DA2。較佳為厚度輪廓視窗DA1除了厚度輪廓外，亦顯示上述之候補位置。於圖示之例中，顯示位置ravg1 、ravg2 及ravg3 之各者的座標16mm、55mm及125mm。此外，較佳為厚度輪廓視窗DA1顯示推薦下限值rL 及推薦上限值rU 。推薦下限值rL 及推薦上限值rU 係預先被決定的正值，且關於基板WF之半徑R而為滿足0＜rL ＜rU ＜R者。較佳為R/3≦rL ＜2R/3且R/3＜rU ≦2R/3，於圖10中，rL =R/3且rU =2R/3。再者，圖10之例係對應於R=150mm左右之情況。
關於位置r，0≦r＜R/3之範圍係於處理液噴嘴52位在基板WF之中心附近時，處理液變厚且其液面容易變得不穩定的範圍，而不適於高精度之厚度測定。另一方面，2R/3＜r之範圍係因基板WF之旋轉的影響而容易使厚度測定被擾亂，於旋轉之偏心較大的情況下，測定特別地被擾亂。此外，因為被測定的圓周之長度較大，所以測定值容易產生偏差。
輸入部76(圖4)可為受理將至少一個候補位置(於圖10中為三個候補位置ravg1 、ravg2 、ravg3 )中之任一者決定於至少一個測定位置的指示。具體而言，可受理藉由作業員來選擇選擇視窗DA2之按鈕BT1~BT5之哪一者。於作業員選擇按鈕BT1之情況下，位置ravg1 被包含在測定位置，於選擇按鈕BT2之情況下，位置ravg2 被包含在測定位置，於選擇按鈕BT3之情況下，位置ravg3 被包含在測定位置。於作業員選擇按鈕BT4之情況下，作為測定位置而選擇複數個候補位置中最接近推薦位置rc 者作為測定位置。推薦位置rc 較佳為推薦下限值rL 以上且推薦上限值rU 以下，例如為推薦下限值rL 及推薦上限值rU 的平均值。於圖10之例中，當選擇按鈕BT4時，結果將位置ravg2 決定於測定位置。於作業員選擇按鈕BT5之情況下，測定位置被限制在rL 以上rU 以下。於圖10之例中，當選擇按鈕BT5時，結果將位置ravg2 決定於測定位置。
再者，於上述內容中，已對於決定測定位置時作業員賦予指示的情況而進行說明，但亦可無作業者之指示而藉由控制部7被決定。此外，測定位置之數量為一個以上的任意數。於測定位置之數量為複數之情況下，在後述之厚度之時間性變化的監視中，可藉由適宜地移動感測器81而監視各測定位置之厚度。亦可為將基於在該等複數個測定位置之厚度而所被計算出的代表厚度視為在測定位置之厚度。代表厚度例如為在複數個測定位置之厚度的平均。於測定位置之數量為一個之情況下，在後述之厚度之時間性變化的監視中，感測器81之位置可被固定在測定位置，或是亦可為於在測定位置之間歇性監視的空檔時，離開測定位置。
其次，開始供給處理液(圖8：步驟ST25)。藉此，一面使基板WF旋轉，一面自處理液噴嘴52朝基板WF之被處理膜501上供給處理液。藉此，對基板WF之被處理膜501進行蝕刻處理等。例如，使用氫氟酸(HF)與硝酸(HNO3 )之混合液即氟硝酸，而對作為被處理膜501的矽膜進行蝕刻處理。
其次，於如上述般供給處理液時，進行厚度之時間性變化的監視(圖8：步驟ST26)。具體而言，一面使基板WF旋轉，一面藉由感測器81而在上述之至少一個測定位置(例如在圖9中之位置ravg2 )上監視被處理膜501之厚度的時間性變化。
於供給處理液時，較佳為對處理液噴嘴52賦予在徑向上之週期性位移SC2(圖3)。除此之外，較佳為亦對感測器81賦予在徑向上之週期性位移SC1(圖3)。於此情況下，感測器81最接近至基板WF之中心的時間點係與處理液噴嘴52最接近至基板WF之中心的時間點不同。較佳為感測器81之位移SC1之週期與處理液噴嘴52之位移SC2之週期為同一週期，且感測器81最接近至基板WF之中心的時間點即為處理液噴嘴52最遠離基板WF之中心的時間點。藉此，容易確保處理液撞擊至基板WF上的位置與感測器81之位置間的距離。因而，容易確保處理液之液面為不穩定之位置與感測器81之位置間的距離。其結果，可穩定地進行感測器81之測定。
其次，進行停止處理液之供給 (圖8：步驟ST27)。具體而言，基於在至少一個測定位置(例如在圖9中之位置ravg2 )上的被處理膜501之厚度，而停止對基板WF之表面上的處理液之供給。對於該具體方法之例係如後述。較佳為步驟ST27以在至少一個測定位置將被處理膜501之厚度保持在20μm以上之方式而被進行，更佳為以保持在30μm以上之方式而被進行。
其次，進行沖洗處理(圖8：步驟ST31)。具體而言，藉由控制部7之控制而自沖洗液噴嘴60吐出沖洗液。藉此，基板WF上之處理液等被沖洗。作為沖洗液，例如可使用DIW(去離子水)。其次，與前述之步驟ST12同樣地進行乾燥處理(圖8：步驟ST32)。其次，為了確認基板處理之結果，可再次進行厚度輪廓之測定(圖8：步驟ST41)。
藉由以上內容，進行本實施形態1之基板處理。
圖11係對於決定停止處理液之供給 (步驟ST27(圖8))之時間點之方法之例而進行說明的曲線圖。圖中，線Gact 係在測定位置上的厚度d之檢測值，於成為d=dcor 的時間t=tact 時，停止處理液之供給。在此， dcor =dtgt +MG被滿足，厚度dtgt 為目標值，補正值MG係預先被決定之補正厚度。即便停止處理液之供給，至自基板WF上完全地去除處理液為止仍需要某程度之時間，因此，基板處理之進行並不會立刻停止。補正值MG係考慮到此點而被決定，其例如為1~2μm左右。
如前述，在本實施形態中之基板處理方法可為依序處理複數片基板WF者。於此情況下，在藉由於圖8所示之方法而處理第一基板WF後，藉由再次進行該方法而處理第二基板WF。在此，第二基板WF係於第一基板WF之後馬上被處理的基板。此時，可為，自處理液噴嘴52朝第一基板WF之被處理膜501上被供給的處理液之至少一部分係作為自處理液噴嘴52朝第二基板WF之被處理膜501上被供給的處理液而被再利用。藉此，可抑制處理液之消耗量，但另一方面，處理液特性之歷時性變化變得無法忽視。於此，如本實施形態般，藉由感測器81而監視基板處理方法之進行，因應其結果而調整處理時間等之處理條件則變得更重要。
如上述般，於處理第一基板WF及第二基板WF的情況下，可基於第一基板WF之時間性變化的監視結果(圖8：步驟ST26)，而如線Gmin 及線Gmax (圖11)所示般計算出第二基板WF之時間性變化的預測範圍。例如可對於第一基板WF之線Gact 的斜率，乘上預先被決定之大於0且小於1之係數及預先被決定之大於1之係數之各者，藉此而決定線Gmax 及線Gmin 之斜率。於此情況下，若於既定之時間點(例如時間t=tact )，第二基板WF之線Gact 脫離線Gmax 與線Gmin 間之範圍時，較佳為控制部7對作業員發出警告。藉此，可對作業員警告以下的情形：基板處理之進行速度相較於立即之前的基板處理而更顯著地產生變動。此外，亦可為控制部7不僅發出警告，並停止基板WF之連續性處理。
圖12係說明在實施形態1中之測定厚度輪廓之變形例的曲線圖。本變形例對於被設置在晶片區域RS之成為縱型功率元件的構造具有溝槽閘極構造的情況，特別地較佳。對應於溝槽，被處理膜501之厚度輪廓係如圖示般具有局部地較小之值。由於要將如此般之值自後續之算術處理的考量中排除在外，因而於本變形例中，以推定厚度(於圖12之例中為100μm)作為基準，僅將處在預先被決定之容許範圍內之厚度使用於厚度輪廓。換言之，僅將厚度輪廓中處在預先被決定之容許範圍內之厚度使用於其後之算術處理(在本實施形態中為圖13之步驟ST22A)。推定厚度之資訊可為受理自輸入部76。容許範圍例如以推定厚度作為基準而為±2%，在圖12之例中為98μm以上且102μm以下。
＜實施形態2＞ 於本實施形態2中，亦與前述之實施形態1同樣，於晶片區域RS(圖5及圖6)之各者設置有成為半導體元件的構造。然而，於本實施形態2中，與實施形態1不同，半導體元件為非功率元件(例如影像感測器元件、記憶體元件、及邏輯元件之任一者)。被處理膜501(圖6)係於該等非功率元件之製造過程中需要，但對於最後之製品為不需要者(例如為了暫時地支撐於最後所需要的元件構造而所被使用的基底基板)。於此，較佳為藉由在本實施形態中之基板處理方法而盡可能地去除被處理膜501。藉由去除被處理膜501而可使半導體元件小型化。特別是於影像感測器元件之受光面為面502a(圖6)的情況下，由於被處理膜501遮蔽光路，故而該去除在對確保感度而言為重要。另一方面，當基板處理過度地進行時，存在有起因於未意料地侵蝕被被處理膜501所覆蓋的元件構造層502(圖6)，而對半導體元件之特性造成不良影響的顧慮。於此，藉由對被處理膜501之最小厚度dmin 進行管理，而可抑制上述之侵蝕。為了充分地防止侵蝕，通常較佳為不將最小厚度dmin 減低至零。然而，於元件構造層502之面502a係藉由蝕刻停止膜(例如氮化矽膜)被保護的情況下，將最小厚度dmin 減低至零係可較為容易。
於基板處理方法中，在前述之實施形態1中管理平均厚度davg (圖9)，相對於此，在本實施形態2中，因上述理由而管理被處理膜501之最小厚度dmin 。以下，主要對與在實施形態1中之基板處理方法的不同進行說明。
圖13係表示在本實施形態2中之基板處理方法之例的流程圖。至步驟ST21為止與實施形態1相同。
其次，進行控制部7之算術處理。具體而言，首先，自厚度輪廓(圖14)計算出最小厚度dmin (圖13：步驟ST22B)。其次，於厚度測定中特別被注目的至少一個候補位置被抽出(圖8：步驟ST23B)。具體而言，厚度輪廓具有最小厚度dmin 的至少一個徑向位置r而作為至少一個候補位置被抽出。於圖14所示之例中，抽出一個位置rmin 。
其次，進行測定位置之決定(圖8：步驟ST24)。具體而言，至少一個候補位置之至少哪一者被決定於至少一個測定位置。於圖14之例中，由於僅抽出一個候補位置rmin ，因此將其直接決定於測定位置。再者，存在有藉由厚度d之有效數字等而抽出複數個候補位置的可能性，於此情況下，可藉由與在實施形態1中所說明之方法同樣的方法而自該等之中適宜地選擇至少一個測定位置。其次，與實施形態1同樣，進行如下步驟：開始處理液之供給(圖8：步驟ST25)、及厚度之時間性變化之監視(圖8：步驟ST26)。
其次，進行停止處理液之供給 (圖8：步驟ST27)。具體而言，基於在至少一個測定位置(在圖14之例中為位置rmin )上的被處理膜501之厚度，而停止對基板WF表面上的處理液之供給。較佳為步驟ST27以在至少一個測定位置將被處理膜501之厚度減低至10μm以下之方式而被進行，例如減低至4μm左右。再者，停止處理液之供給的時間點可參照圖11而藉由與於實施形態1中所說明之方法同樣的方法來被決定。
其後，與實施形態1同樣地進行步驟ST31、步驟ST32及步驟ST41，藉此進行本實施形態之基板處理。再者，在上述內容中特別記載之特徵以外係與上述之實施形態1大致相同，因此不重複其說明。
再者，實施形態1及2之任一者可依照於圖7所示之時序進行實施，但本發明之基板處理方法並不被限定於該時序。例如，如圖15所示，亦可於沖洗處理中進行厚度輪廓之測定，藉此可縮短處理時間。
在以上所記載之實施形態中，存在有亦對於該等構成要素之材質、材料、尺寸、形狀、相對配置關係或實施條件等進行記載的情況，但該等僅為全部態樣中之一例，而並不侷限於本案說明書所記載者。因此，未例示之無數個變形例、及均等物均可被設想為在本案說明書所揭示之技術範圍內。例如，包含有將至少一個構成要素加以變形之情況、增加之情況或省略之情況。
此外，將以上所記載之實施形態中被記載之各個構成要素設想為軟體或韌體，或是亦設想為與其對應之硬體，於該兩者之概念中，該等構成要素均稱為「部」或「處理迴路」(circuitry，電路)等。
1:基板處理裝置 2:分度區段 3:處理區段 3A:搬送模組 3B:處理模組 7:控制部 21:基板收容器 22:平台 23:分度機器人 23A:基台部 23B:多關節臂 23C:手 23D:手 31:搬送機構 33:搬送機器人 33A:水平驅動部 33B:鉛直驅動部 33C:手 33D:手 33E:支柱 33F:連結件 34A:液體處理單元 34B:液體處理單元 34C:液體處理單元 50:處理室 50A:間隔壁 50B:開口部 50C:閘門 51:旋轉卡盤 51A:旋轉基座 51C:旋轉軸 51D:旋轉馬達 52:處理液噴嘴 53:處理液槽 54:處理液配管 55:送液裝置 56:處理液閥 57:循環配管 58:循環閥 59:溫度調節裝置 60:沖洗液噴嘴 61:沖洗液配管 62:沖洗液閥 71:CPU 72:ROM 73:RAM 74:記憶部 75:匯流排配線 76:輸入部 77:顯示部 81:感測器 133A:平台 133B:水平滑塊 133C:水平馬達 133D:轉動馬達 133G:鉛直滑塊 133H:鉛直馬達 152:處理液臂 152A:旋轉驅動源 152B:軸體 152C:臂部 160:沖洗液臂 160A:旋轉驅動源 160B:軸體 160C:臂部 181:測定臂 181A:旋轉驅動源 181B:軸體 181C:臂部 501:被處理膜 501a:面 501b:面 502:元件構造層 502a:面 502b:面 511:處理液回收護罩 513:排液口 BT1~BT5:按鈕 C1 、C2 、C3 :圓周 DA1:厚度輪廓視窗 DA2:選擇視窗 d、dgr 、dtgt 、dwf :厚度 davg :平均厚度 dmin :最小厚度 Gact 、Gmax 、Gmin :線 H1、H2、H3:高度 MG:補正值 R:半徑 RS:晶片區域 r、r1 、r2 、r3 、ravg1 、ravg2 、ravg3 、rmin :位置 rc :推薦位置 rL :推薦下限值 rU :推薦上限值 SC:掃描 SC1、SC2:位移 SW:畫面 TW:處理塔 WF:基板 Z1:轉動軸線 Z2:旋轉軸線
圖1係概略地表示在實施形態1中之基板處理裝置之構成例的圖。 圖2係概略地表示圖1之液體處理單元之構成例的圖。 圖3係圖2之液體處理單元之主要部分的俯視圖。 圖4係表示圖1之基板處理裝置之各要素與控制部之連接關係例的功能方塊圖。 圖5係概略地表示藉由基板處理方法而被處理之基板之構成例的俯視圖。 圖6係沿著圖5之線VI-VI之概略的部分剖視圖。 圖7係表示在實施形態1中之基板處理方法之例的時序圖。 圖8係與圖7對應的流程圖。 圖9係說明在實施形態1中之測定厚度輪廓之例的示意圖。 圖10係表示在實施形態1中之用於設定測定位置之決定條件之設定畫面例的圖。 圖11係對於在實施形態1中之決定停止處理液之供給之時間點的方法之例而進行說明的曲線圖。 圖12係說明在實施形態1中之測定厚度輪廓之變形例的曲線圖。 圖13係表示在實施形態2中之基板處理方法之例的流程圖。 圖14係說明在實施形態2中之測定厚度輪廓之例的示意圖。 圖15係表示圖7之變形例的時序圖。
81:感測器
C1、C2、C3:圓周
d:厚度
davg:平均厚度
r1、r2、r3、ravg1、ravg2、ravg3、rmin:位置
SC:掃描
WF:基板

Claims (19)

  1. 一種基板處理方法，其係對至少一片基板進行處理者，該至少一片基板係具有徑向，具有設置成為功率元件之構造的複數個晶片區域，並設置有被處理膜；其具備有如下之步驟： (a) 藉由一面使上述基板旋轉，一面使感測器於上述徑向上掃描，而測定在上述徑向上的上述被處理膜之厚度輪廓的步驟； (b) 計算出上述厚度輪廓之平均厚度的步驟； (c) 抽出上述厚度輪廓具有上述平均厚度的至少一個徑向位置而作為至少一個候補位置的步驟； (d) 將上述至少一個候補位置之至少一者決定於至少一個測定位置的步驟； (e) 一面使上述基板旋轉，一面自噴嘴朝上述基板之上述被處理膜上供給處理液的步驟；及 (f) 一面使上述基板旋轉，一面藉由上述感測器而在上述至少一個測定位置對上述被處理膜之厚度的時間性變化進行監視的步驟。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中，進而具備有： (g) 基於在上述至少一個測定位置的上述被處理膜之厚度，而停止處理液朝上述基板之表面上供給的步驟。
  3. 如請求項2之基板處理方法，其中， 上述步驟(g)係以在上述至少一個測定位置將上述被處理膜之厚度保持在20μm以上之方式而被進行。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中， 於上述步驟(e)中，對上述噴嘴賦予在上述徑向上之週期性的位移， 於上述步驟(f)中，對上述感測器賦予在上述徑向上之週期性的位移，上述感測器最接近至上述基板之中心的時間點係與上述噴嘴最接近至上述基板之中心的時間點不同。
  5. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中， 上述至少一片基板包含有第一基板及第二基板，上述基板處理方法係於藉由進行上述步驟(a)至上述步驟(f)而處理上述第一基板之後，藉由再次進行上述步驟(a)至上述步驟(f)而處理上述第二基板， 用於上述第一基板之上述步驟(e)中的上述處理液之至少一部分係作為用於上述第二基板之上述步驟(e)中的上述處理液而被再利用。
  6. 如請求項5之基板處理方法，其中， 上述第二基板係於上述第一基板之後馬上被處理的基板， 其進而具備有：基於上述第一基板之上述步驟(f)之結果，計算出上述第二基板之上述步驟(f)中之上述時間性變化之預測範圍的步驟。
  7. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中， 上述基板具有半徑R， 於上述步驟(d)中，滿足0＜rL ＜rU ＜R的正值rL 及rU 預先被決定，將上述測定位置限制在rL 以上rU 以下。
  8. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中， 上述步驟(d)包含有： (d1) 顯示上述至少一個候補位置的步驟；及 (d2) 受理將上述至少一個候補位置中之任一者決定於上述至少一個測定位置的指示的步驟。
  9. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中， 上述步驟(a)包含有： (a1) 受理上述被處理膜之推定厚度之資訊的步驟； 於上述步驟(a)中，以上述推定厚度作為基準，僅將處在預先被決定之容許範圍內的厚度用於上述厚度輪廓。
  10. 如請求項9之基板處理方法，其中， 上述功率元件具有溝槽閘極構造。
  11. 一種基板處理方法，其係對至少一片基板進行處理者，該至少一片基板係具有徑向，具有設置成為非功率元件即半導體元件之構造的複數個晶片區域，並設置有被處理膜；其具備有如下之步驟： (a) 藉由一面使上述基板旋轉，一面使感測器於上述徑向上掃描，而測定在上述徑向上的上述被處理膜之厚度輪廓的步驟； (b) 計算出上述厚度輪廓之最小厚度的步驟； (c) 抽出上述厚度輪廓具有上述最小厚度的至少一個徑向位置而作為至少一個候補位置的步驟； (d) 將上述至少一個候補位置之至少一者決定於至少一個測定位置的步驟； (e) 一面使上述基板旋轉，一面自噴嘴朝上述基板之上述被處理膜上供給處理液的步驟；及 (f) 一面使上述基板旋轉，一面藉由上述感測器而在上述至少一個測定位置對上述被處理膜之厚度的時間性變化進行監視的步驟。
  12. 如請求項11之基板處理方法，其中，進而具備有： (g) 基於在上述至少一個測定位置的上述被處理膜之厚度，而停止處理液朝上述基板之表面上供給的步驟。
  13. 如請求項12之基板處理方法，其中， 上述步驟(g)係以在上述至少一個測定位置將上述被處理膜之厚度減低至10μm以下之方式而被進行。
  14. 如請求項11至13中任一項之基板處理方法，其中， 於上述步驟(e)中，對上述噴嘴賦予在上述徑向上之週期性的位移， 於上述步驟(f)中，對上述感測器賦予在上述徑向上之週期性的位移，上述感測器最接近至上述基板之中心的時間點係與上述噴嘴最接近至上述基板之中心的時間點不同。
  15. 如請求項11至13中任一項之基板處理方法，其中， 上述至少一片基板包含有第一基板及第二基板，上述基板處理方法係於藉由進行上述步驟(a)至上述步驟(f)而處理上述第一基板之後，藉由再次進行上述步驟(a)至上述步驟(f)而處理上述第二基板， 用於上述第一基板之上述步驟(e)中的上述處理液之至少一部分係作為用於上述第二基板之上述步驟(e)中的上述處理液而被再利用。
  16. 如請求項15之基板處理方法，其中， 上述第二基板係於上述第一基板之後馬上被處理的基板， 其進而具備有：基於上述第一基板之上述步驟(f)之結果，計算出上述第二基板之上述步驟(f)中之上述時間性變化之預測範圍的步驟。
  17. 如請求項11至13中任一項之基板處理方法，其中， 上述基板具有半徑R， 於上述步驟(d)中，滿足0＜rL ＜rU ＜R的正值rL 及rU 預先被決定，將上述測定位置限制在rL 以上rU 以下。
  18. 如請求項11至13中任一項之基板處理方法，其中， 上述步驟(d)包含有： (d1) 顯示上述至少一個候補位置的步驟；及 (d2) 受理將上述至少一個候補位置中之任一者決定於上述至少一個測定位置的指示的步驟。
  19. 如請求項11至13中任一項之基板處理方法，其中， 上述半導體元件係影像感測器元件、記憶體元件、及邏輯元件之任一者。
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