TW202124260A - 六方晶氮化硼粉末 - Google Patents

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田中孝明
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Abstract

本揭示的一態樣係提供純度為98質量%以上，比表面積為小於2.0m2 /g之六方晶氮化硼粉末。

Description

六方晶氮化硼粉末
本揭示係關於六方晶氮化硼粉末。
氮化硼係潤滑性、高熱傳導性、及絕緣性等優良。因此，氮化硼係用於固體潤滑材、熔融氣體及對於鋁等之脫模材、放熱材料用之填充材，以及燒結體用之原料等各種用途。
氮化硼粉末有被使用作為在鎂、鋁、及鋁合金等的模具鑄造中之脫模材。例如，將氮化硼粉末及分散劑與水一同混合調製成漿體，將該漿體塗佈在模具表面，經由燒接設置脫模層(例如，專利文獻1及專利文獻2等)。隨著模具形狀更加複雜化、精密化，作為脫模材使用之氮化硼粉末要求脫模性更優秀者。
氮化硼粉末能改善結晶性而可作為放熱材料使用。使結晶性改善並使粒子成長後的氮化硼的一次粒子具有鱗片形狀。因此，氮化硼的一次粒子，具有來自該形狀的熱異向性。從減低異向性的影響之觀點來看，有使上述一次粒子凝聚，將氮化硼作為凝聚粒子來使用的情形。已知有藉由將一次粒子控制在小粒徑製造凝聚粒子的技術(例如，專利文獻3)。此外，已知有製造作為放熱材料用之填充材使用之球形度高的亞微米球狀氮化硼微粒之技術(例如，專利文獻4)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開昭55-29506號公報 專利文獻2：日本特開昭63-270798號公報 專利文獻3：日本特開2016-60661號公報 專利文獻4：國際公開第2015/122379號
[發明所欲解決之課題]
本揭示之目的，係提供高泛用性的六方晶氮化硼粉末。此外本揭示之目的，係提供如上述六方晶氮化硼粉末的製造方法。 [解決課題之手段]
本揭示之一態樣係提供純度為98質量%以上，比表面積小於2.0m2 /g之六方晶氮化硼粉末。
上述六方晶氮化硼粉末由於為高純度，且比表面積小於2.0m2 /g，可使用於各種用途。例如，作為脫模材使用時，由於比表面積小，可形成緻密的脫模層，而可發揮優秀脫模性。此外，例如作為放熱用填料使用時，對於六方晶氮化硼粉末要求的特性係與脫模材共通，由於純度高、比表面積低，亦可發揮優秀填充性、優秀填料特性。此外，作為化妝品用途使用時，同樣由於六方晶氮化硼的純度較高、比表面積低，可成為可靠性優秀的適合原料。
上述六方晶氮化硼粉末，鈉及鈣的合計含量可小於50ppm，亦可為30ppm以下。藉由六方晶氮化硼粉末中鈉及鈣的合計含量在上述範圍內，例如，因為可更抑制雜質金屬對產品的含浸等，可作為脫模材使用於電子材料的製造中。此外六方晶氮化硼粉末中鈉及鈣的合計含量在上述範圍內，因為可較改善熱傳導性，也可作為放熱材料。
上述六方晶氮化硼粉末，一次粒子的平均粒徑可為2.0~35μm，一次粒子的平均粒徑亦可為9.0~30μm。藉由一次粒子的平均粒徑在上述的範圍內，因為可形成較緻密的脫模層，作為脫模材更為有用。 [發明之效果]
藉由本揭示，可提供泛用性高的六方晶氮化硼粉末。另外藉由本揭示，可提供如上述六方晶氮化硼粉末的製造方法。
藉由本揭示，例如，可提供可用於脫模材等的六方晶氮化硼粉末。
以下針對本揭示的實施形態進行說明。但是以下的實施形態，僅為說明本揭示之示例，本揭示並無限定於以下的內容之意圖。
本說明書中以「○○~△△」表示之數值範圍除非另有規定，係指「○○以上△△以下」的含意。本說明書中「份」又或是「%」除非另有規定，為質量標準。此外本說明書中壓力的單位除非另有規定，為表壓力，省略表示為「G」又或是「gage」。
本說明書中示例之材料除非另有規定，可使用單獨1種又或是組合2種以上。組成物中各成分的含量，在組成物中各成分的該物質存在多個時，除非另有規定，亦即存在於組成物中該多個物質的合計量。
六方晶氮化硼粉末的一實施形態為純度98質量%以上，比表面積小於2.0m2 /g。上述六方晶氮化硼粉末可使用於各種用途，例如，可作為固體潤滑材、脫模材、放熱材料用之填充材、化妝品用之原料，以及燒結體用之原料等各種用途使用。
六方晶氮化硼粉末的純度之下限值為98質量%以上，例如，可為99質量%以上。藉由六方晶氮化硼粉末的純度在上述範圍內，因為可抑制由雜質導致的熔點降低等，例如，作為脫模材時，即使於高溫中使用亦可維持足夠的脫模性。六方晶氮化硼粉末的純度，係以本案說明書的實施例中所記載的方法測定。
六方晶氮化硼粉末的比表面積之上限值小於2.0m2 /g，例如可為1.5m2 /g以下，又或是0.8m2 /g以下。上述比表面積之下限值，例如可為0.1m2 /g以上、0.2m2 /g以上，又或是0.3m2 /g以上。上述比表面積可在上述的範圍內調整，例如可為，0.1m2 /g以上小於2.0m2 /g，又或是0.2~1.5m2 /g。例如，可藉由調整將原料粉末加熱處理而形成一次粒子時的加熱溫度及加熱時間等，控制六方晶氮化硼粉末的比表面積。
本說明書中六方晶氮化硼粉末的比表面積，係根據JIS Z 8803：2013，使用測定裝置而測定。該比表面積，係利用使用了氮氣的BET一點法而算出的值。
六方晶氮化硼粉末中一次粒子的平均粒徑之上限值，例如可為35μm以下、30μm以下、25μm以下，又或是20μm以下。藉由一次粒子的平均粒徑之上限值在上述範圍內，例如，可更改善作為脫模材使用時之鑄模與脫模層間的密接性。此外，藉由縮小一次粒子的平均粒徑之上限值，可改善作為放熱材料用的填充材使用時的可操作性。上述一次粒子的平均粒徑之下限值，例如可為2.0μm以上、4.0μm以上、6.0μm以上，又或是9.0μm以上。藉由一次粒子的平均粒徑之下限值在上述範圍內，例如，作為脫模材使用時可形成更緻密的脫模層。上述一次粒子的平均粒徑可於上述的範圍內調整，例如可為2.0~35μm、2.0~30μm又或是9.0~30μm。一次粒子的平均粒徑，例如，可藉由調整原料粉末的組成、原料粉末的鍛燒時間等來控制。
本說明書中一次粒子的平均粒徑，係根據ISO 13320：2009，使用粒度分布測定機(日機裝股份有限公司製、商品名：MT3300EX)來測定。由上述測定所得到的平均粒徑，係經由體積統計值而得的平均粒徑，平均粒徑係中值粒徑值(d50)。測定粒度分布時，使用水作為分散該凝聚體的溶劑，使用六偏磷酸作為分散劑。此時水的折射率使用1.33之數值，且六方晶氮化硼粉末的折射率使用1.80之數值。
上述六方晶氮化硼粉末，鈉及鈣亦可以為低含量。鈉及鈣的合計含量，例如可為小於50ppm、40ppm以下、35ppm以下、30ppm以下、20ppm以下，又或是10ppm以下。此外，鈉及鈣的合計含量也可以是檢測機器的檢測極限以下。藉由鈉及鈣的合計含量在上述範圍內，例如，作為脫模材使用時，可減低產品表面因雜質金屬的影響而導致之顏色不均的發生、及雜質金屬向產品中移動等而導致之絕緣特性降低的發生等。上述產品為電子材料等時，使用上述六方晶氮化硼粉末的效果會更明顯。可經由例如原料粉末的組成、及酸洗等調整上述六方晶氮化硼粉末中鈉及鈣的含量。在六方晶氮化硼粉末的製造中，常使用鹼金屬又或是鹼土金屬作為添加劑，其中，常使用鈉及鈣。因此，六方晶氮化硼粉末中容易顯示有這些元素。因此，從可更改善上述效果之觀點來看，以減低鈉及鈣的合計含量為佳。此外，將鈉及鈣的合計值調整在上述範圍時，鈉含量可為30ppm以下、20ppm以下，又或是10ppm以下，鈣含量可為40ppm以下、30ppm以下，又或是20ppm以下。
上述六方晶氮化硼粉末取決於製造方法等，除了鈉及鈣以外，還可含有其他金屬元素。就其他金屬元素而言，可舉例為錳、鐵及鎳等。上述六方晶氮化硼粉末，以其他金屬元素的含量亦低為佳。上述六方晶氮化硼粉末，錳、鐵及鎳的個別含量可為20ppm以下、10ppm以下，又或是5ppm以下。此外，錳、鐵及鎳的個別含量，亦可以是檢測機器的檢測極限以下。
本說明書中六方晶氮化硼粉末中的金屬含量，係以ICP發射光譜法的加壓酸分解法所測定。
六方晶氮化硼粉末取決於製造方法等，可含有多個一次粒子凝聚的凝聚塊。六方晶氮化硼粉末含有上述凝聚塊時，上述凝聚塊的含量，以六方晶氮化硼粉末的總量為標準，例如可為8質量%以下、5質量%以下、3質量%以下，又或是1.5質量%以下。藉由上述凝聚塊的含量在上述範圍內，例如，作為脫模材使用時，可形成均勻度更進一步優秀的脫模層，可改善脫模層的脫模性。六方晶氮化硼粉末以不含有上述凝聚塊為佳。
上述六方晶氮化硼粉末，例如，可由以下的方法製造。六方晶氮化硼粉末製造方法的一實施形態，係具有下述步驟：將含有含碳化合物及含硼化合物之原料粉末，在含有具有氮原子作為構成元素之化合物的氣體環境，且在0.25MPa以上小於5.0MPa的壓力下，以1600℃以上小於1850℃的溫度加熱處理，獲得加熱處理物之第一之步驟，以及以比上述第一之步驟更高的溫度，將上述加熱處理物鍛燒獲得六方晶氮化硼粉末的第二之步驟。
第一之步驟，係將原料粉末在含有氮原子作為構成元素之化合物的存在下，經由加壓及加熱生成氮化硼之步驟。原料粉末係含有含碳化合物及含硼化合物。
含碳化合物係含有碳原子作為構成元素之化合物。含碳化合物，與含硼化合物及具有氮原子作為構成元素之化合物進行反應而形成氮化硼。含碳化合物可使用純度高且較便宜的原料。如此含碳化合物，可舉例為碳黑及乙炔黑等。
含硼化合物係含有硼作為構成元素之化合物。含硼化合物，係與含碳化合物及含有氮原子作為構成元素之化合物進行反應而形成氮化硼之化合物。含硼化合物，可使用純度高且較便宜的原料。如此含硼化合物，可舉例為硼酸及氧化硼等。
含硼化合物包含硼酸時，上述製造方法，例如，亦可具備調製原料粉末之步驟，該原料粉末之調製步驟，更可含有將含硼化合物脫水之步驟。藉由具有將含硼化合物脫水之步驟，可改善第一之步驟所得到的氮化硼之產量。
原料粉末除了含碳化合物及含硼化合物以外，亦可含有其他化合物。就其他化合物而言，可舉例作為成核劑之氮化硼粉末等。藉由原料粉末含有作為成核劑之氮化硼粉末，能夠較容易控制合成出的氮化硼粉末之平均粒徑。原料粉末宜含有成核劑。原料粉末含有成核劑時，容易調整氮化硼粉末之比表面積，較容易製造出比表面積小於2.0m2 /g之氮化硼粉末。
在使用作為成核劑的氮化硼粉末的情況，作為成核劑之氮化硼粉末的含量，以原料粉末100質量份為標準，例如可為0.05~8質量份。藉由將上述成核劑的含量下限值設為0.05質量份以上，可更改善含有成核劑之效果。將上述成核劑的含量上限值設為8質量份以下，可改善氮化硼粉末的產量。
含有氮原子作為構成元素之化合物，係與含碳化合物及含硼化合物進行反應而形成氮化硼之化合物。含有氮原子作為構成元素之化合物，例如舉例為氮及氨等。含有氮原子作為構成元素之化合物，能以氣體(意即含氮之氣體)的型態供給。從促進氮化反應所致之氮化硼之形成的觀點、及減低成本之觀點來看，含氮之氣體以含有氮氣為佳，以氮氣為較佳。使用多個氣體的混合氣體作為含氮之氣體時，混合氣體中氮氣的比例，以95體積/體積%以上為佳。
第一之步驟可在加壓下進行。第一之步驟中壓力的下限值雖為0.25MPa以上，例如，可為0.30MPa以上，又或是0.50MPa以上。令第一之步驟中壓力的下限值在上述範圍內，可抑制作為副產物之碳化硼的生成，亦可抑制氮化硼粉末的比表面積增加。第一之步驟中壓力的上限值為小於5.0MPa，例如，可為4.0MPa以下、3.0MPa以下、2.0MPa以下、1.0MPa以下，又或是小於1.0MPa。藉由令第一之步驟中壓力的上限值在上述範圍內，可抑制氧化硼的揮發量的下降，並能縮短鍛燒時間。可在上述範圍內調整第一之步驟的壓力，例如，可為0.25MPa以上小於5.0MPa、0.25~1.0MPa，又或是0.25MPa以上小於1.0MPa。
第一之步驟可在加熱下進行。第一之步驟中加熱溫度的下限值，雖為1600℃以上，例如，可為1650℃以上，又或是1700℃以上。藉由令第一之步驟中加熱溫度的下限值在上述範圍內，可促進原料粉末的反應，並能改善由第一之步驟得到的氮化硼的產量。令第一之步驟中加熱溫度的下限值在上述範圍內，亦可將會混入至原料粉末中的鈉及鈣等金屬元素(之後會成為雜質金屬元素之金屬元素)更充分地排出至系統外。第一之步驟中加熱溫度的上限值，例如為小於1850℃，亦可為1800℃以下，又或是1750℃以下。藉由令第一之步驟中加熱溫度的上限值在上述範圍內，可充分抑制副產物的生成。第一之步驟的加熱溫度可在上述範圍內調整，例如可為1650℃以上小於1850℃、1650~1800℃。第一之步驟中升溫速度並無特別限制，例如可為0.5℃/分以上。
第一之步驟中的加熱時間，例如可為2小時以上，又或是3小時以上。此外，第一之步驟中的加熱時間，例如亦可為12小時以下、10小時以下，又或是8小時以下。第一之步驟的加熱時間可在上述範圍內調整，例如，可為2~12小時，又或是2~10小時。此外，本說明書中的加熱時間，意指加熱對象物體的周遭環境溫度到達預定溫度後，維持在該溫度的時間。
第二之步驟，係將第一之步驟中獲得的含有氮化硼之加熱處理物，在具有氮原子作為構成元素之化合物的存在下，更於加壓及高溫進行加熱，使提高了結晶性的氮化硼之一次粒子(六方晶氮化硼之一次粒子)成長並脫碳之步驟。粒子成長而得到的六方晶氮化硼之一次粒子具有鱗片狀之形狀。
第二之步驟係在加壓下進行。第二之步驟中壓力可與第一之步驟相同，亦可為相異。第二之步驟中壓力的下限值，例如可為0.25MPa以上、0.30MPa以上，又或是0.50MPa以上。藉由令第二之步驟中壓力的下限值在上述範圍內，可更改善得到的六方晶氮化硼粉末的純度。第二之步驟中壓力的上限值，雖然並無特別限制，例如可為小於5.0MPa、4.0MPa以下、3.0MPa以下、2.0MPa以下、1.0MPa以下，又或是小於1.0MPa。藉由令第二之步驟中壓力的上限值在上述範圍內，能更減低六方晶氮化硼粉末的製造成本，具有工業上的優勢。第二之步驟的壓力可在上述範圍內調整，例如可為小於0.25MPa以上5.0MPa、0.25~1.0MPa，又或是0.25MPa以上小於1.0MPa。
第二之步驟中的加熱溫度係設定為比第一之步驟更高的溫度。第二之步驟中加熱溫度的下限值，例如可為1850℃以上，又或是1900℃以上。藉由令第二之步驟中加熱溫度的下限值在上述範圍內，可更改善六方晶氮化硼的純度，同時亦可促進一次粒子的成長，而更減少六方晶氮化硼粉末的比表面積。第二之步驟中加熱溫度的上限值，例如可為2050℃以下，又或是2000℃以下。藉由令第二之步驟中加熱溫度的上限值在上述範圍內，可抑制六方晶氮化硼的黃化。第二之步驟中加熱溫度可在上述範圍內調整，例如可為1850~2050℃，又或是1900~2025℃。
第二之步驟中的加熱時間(高溫鍛燒時間)，例如可為0.5小時以上，又或是1小時以上。藉由令第二之步驟中加熱時間在上述範圍內，可更改善六方晶氮化硼的純度，同時可令一次粒子更充分地成長。第二之步驟中加熱時間，例如亦可為30小時以下，又或是25小時。藉由令第二之步驟中加熱時間在上述範圍內，可以較便宜地製造六方晶氮化硼粉末。第二之步驟的加熱時間可在上述範圍內調整，例如可為0.5~30小時，又或是0.5~25小時。
上述製造方法，除了第一之步驟及第二之步驟以外，亦可更含有其他步驟。其他步驟，可舉例為上述原料粉末的調製步驟、原料粉末的脫水步驟及原料粉末的加壓成形步驟等。上述製造方法具有原料粉末的加壓成形步驟時，可在原料粉末以高密度存在之環境下進行鍛燒，能改善第一之步驟得到的氮化硼的產量。
上述六方晶氮化硼粉末的製造方法，意即應用碳還原法之製造方法。藉由上述製造方法，可輕易得到一次粒子的平均粒徑及比表面積被調製過的六方晶氮化硼粉末。得到的六方晶氮化硼之一次粒子，相較於使用其它製造方法時，有得到厚的一次粒子之傾向，據推測此事乃為容易調整比表面積的原因。
以上雖然說明了數個實施形態，本揭示並不限定於上述實施形態。此外，針對上述實施形態之說明內容可以相互適用。 [實施例]
以下針對本揭示以實施例及比較例進行更詳細的說明。此外，本揭示並不限定為以下實施例。
[實施例1] [六方晶氮化硼粉末的調製] 將硼酸(高純度化學研究所股份有限公司製)100質量份，及乙炔碳(Denka股份有限公司製、等級名稱：HS100)25質量份，使用HENSCHEL攪拌機混合得到混合粉末(原料粉末)。將得到的混合粉末放入250℃的乾燥機，維持3小時進行硼酸的脫水。將脫水後的混合粉末200g放入壓製成型機直徑100Φ的模內，以加熱溫度：200℃及壓製壓力：30MPa的條件進行成型。將如此方式得到的原料粉末的成型體用於鍛燒。
將上述成型體靜置於碳環境爐內，在加壓至0.8MPa的氮氣環境下以升溫速度：5℃/分升溫至1800℃，保持在1800℃3小時，進行上述成型體的加熱處理(第一之步驟)。之後，碳環境爐內以升溫速度：5℃/分更升溫至2000℃，保持在2000℃7小時，將上述成型體之加熱處理物以高溫鍛燒(第二之步驟)。鍛燒後以HENSCHEL攪拌機將鬆散地凝聚的氮化硼粉碎，通過篩孔：75μm的篩，得到通過了篩的粉末。以如此方式調製六方晶氮化硼粉末。
[六方晶氮化硼粉末的性狀] 對於如上述方式得到的六方晶氮化硼粉末，進行了粉末的純度、粉末的比表面積、一次粒子的平均粒徑，及粉末中鈣及鈉的合計含量之測定。具體來說，係由下述方法進行測定。結果表示於表1。
[六方晶氮化硼粉末的純度] 六方晶氮化硼粉末的純度係由以下方法求得。具體來說，首先將樣品以氫氧化鈉進行鹼分解，經由水蒸氣蒸餾法由分解液蒸餾出氨，並收集至硼酸水溶液中。藉由以硫酸標準液滴定此收集液，求得上述樣品中氮原子(N)的含量。之後，根據下式(1)，決定樣品中六方晶氮化硼(hBN)的含量，計算出六方晶氮化硼粉末的純度。
樣品中六方晶氮化硼(hBN)的含量[質量%]=氮原子(N)的含量[質量%]×1.772…(1)
另外，六方晶氮化硼的式量係使用24.818g/mol、氮原子的原子量係使用14.006g/mol。
[六方晶氮化硼粉末的比表面積] 含有一次粒子的凝聚體之六方晶氮化硼粉末的比表面積，係依循JIS Z8803：2013記載的方法，使用測定裝置測定而得。該比表面積，係透過使用了氮氣之BET一點法而計算出的值。
[一次粒子的平均粒徑：中值粒徑(d50)] 測定了六方晶氮化硼粉末中一次粒子的平均粒徑。六方晶氮化硼一次粒子的平均粒徑，係依循ISO 13320：2009記載的方法，使用粒度分布測定機(日機裝股份有限公司製、商品名：MT3300EX)測定。另外，得到的平均粒徑，係根據體積統計值之平均粒徑，為中值粒徑值(d50)。測定粒度分布時，分散該凝聚體之溶劑係使用水，分散劑係使用六偏磷酸。此時水的折射率使用1.33之數值，此外，六方晶氮化硼粉末的折射率使用1.80之數值。
[六方晶氮化硼粉末中鈣及鈉的合計含量] 六方晶氮化硼粉末中鈣及鈉的含量，以ICP發射光譜法的加壓酸分解法測定。鈣及鈉的合計值係為合計含量。另外，表1及表2中，「N.D.」係表示測定對象之元素為檢測極限值以下。
[使用六方晶氮化硼粉末作為脫模材的評價] 進行如上述方式得到的六方晶氮化硼粉末之作為脫模材的評價(脫模性的評價)。首先，如以下方式調製為塗布脫模材的對象之成型體。在氧含量：1.0%且比表面積：10m2 /g的氮化矽粉末中，添加氧化釔2.5mol%，加入甲醇以濕式球磨機濕式混合5小時得到混合物。過濾得到的混合物，將過濾收集物乾燥而得到混合粉末。將上述混合粉末填充至模具，以20MPa的成形壓經模具成形後，經由以200MPa的成形壓進行CIP成形，製造板狀的成形體(5mm×50mm×50mm)。
接下來，將如上述得到的六方晶氮化硼粉末分散於正己烷溶液，調製濃度：1質量%的漿體。將調製過的漿體，以在上述成形體上成為厚度10μm之方式塗布在上述成型體的兩面，進行乾燥而製造設置了脫模層之基材。以同樣方法製造30個基材，準備堆疊了30個該基材的塊體。將該塊體靜置於設有碳加熱器的電子爐內，在1900℃及0.9MPa的條件下鍛燒6小時。以目視觀察鍛燒後之上述基材彼此的剝離面，以下述標準評價脫模性。A意即脫模性為最優秀。
A：任一基材彼此能自然脫模，且基材的剝離面上沒有發現來自雜質的黑點等。 B：任一基材彼此能自然脫模，且基材的剝離面上發現少量來自雜質的黑點等。 C：基材彼此無法脫模，又或是基材的剝離面上發現來自雜質的黑點。
[實施例2] 實施例2係第二之步驟的加熱溫度為1900℃，除此以外，以與實施例1同樣方法製造六方晶氮化硼粉末。實施例2的六方晶氮化硼粉末的評價結果表示於表1。
[實施例3] 實施例3係第一之步驟及第二之步驟的壓力為0.3MPa，除此以外，以與實施例1同樣方法製造六方晶氮化硼粉末。實施例3的六方晶氮化硼粉末的評價結果表示於表1。
[實施例4] 實施例4係在實施例1的原料粉末中，摻合了作為成核劑之六方晶氮化硼(Denka股份有限公司製、等級名稱：GP)1質量份，除此以外，以與實施例1同樣方法製造六方晶氮化硼粉末。實施例4的六方晶氮化硼粉末的評價結果表示於表1。
[實施例5] 實施例5係將在實施例1得到的六方晶氮化硼粉末，使用氣流式粉碎機(第一實業股份有限公司製、商品名：PJM-80)，粉碎壓力：0.2MPa之粉碎條件，進一步以氣流粉碎，除此以外，以與實施例1同樣方法製造六方晶氮化硼粉末。實施例5的六方晶氮化硼粉末的評價結果表示於表1。
[實施例6] 實施例6係在實施例1的原料粉末中，更摻合作為成核劑之六方晶氮化硼(Denka股份有限公司製、等級名稱：SGP)10質量份，及將第二之步驟中的加熱時間設為40小時，除此以外，以與實施例1同樣方法製造六方晶氮化硼粉末。實施例6的六方晶氮化硼粉末的評價結果表示於表1。
[比較例1] 以市售品的六方晶氮化硼粉末作為比較例1。比較例1的六方晶氮化硼粉末的評價結果表示於表2。
[比較例2] 比較例2係將第二之步驟中的加熱溫度從2000℃變更為1800℃，除此以外，以與實施例1同樣方法製造六方晶氮化硼粉末。比較例2的六方晶氮化硼粉末的評價結果表示於表2。
[比較例3] 比較例3係令第一之步驟及第二之步驟中的壓力為0.2MPa，除此以外，以與實施例1同樣方法製造六方晶氮化硼粉末。比較例3的六方晶氮化硼粉末的評價結果表示於表2。另外，在比較例3的製造條件下，相比於實施例1，爐內的汙染程度較大。
[表1]
Figure 02_image001
[表2]
Figure 02_image003
[產業上的利用性]
藉由本揭示，可提供泛用性高的六方晶氮化硼粉末。此外藉由本揭示，可提供如上述的六方晶氮化硼粉末的製造方法。

Claims (5)

  1. 一種六方晶氮化硼粉末，純度為98質量%以上，比表面積小於2.0m2 /g。
  2. 如請求項1之六方晶氮化硼粉末，其中，鈉及鈣的合計含量小於50ppm。
  3. 如請求項1或2之六方晶氮化硼粉末，其中，鈉及鈣的合計含量為30ppm以下。
  4. 如請求項1或2中任一項之六方晶氮化硼粉末，其中，一次粒子的平均粒徑為2.0~35μm。
  5. 如請求項1或2中任一項之六方晶氮化硼粉末，其中，一次粒子的平均粒徑為9.0~30μm。
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