TW202031486A - 光學膜結構、具有光學膜結構的無機氧化物製品以及製造其的方法 - Google Patents

Abstract

本案提供一種光學膜結構，包括：光學膜，包含約50 nm至約3000 nm之實體厚度及含矽氮化物或含矽氮氧化物。光學膜展現如在硬度堆疊上藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於18 GPa之最大硬度，此硬度堆疊包含安置於無機氧化物測試基板上的具有約2微米之實體厚度之測試光學膜，測試光學膜具有與光學膜相同的組成。此外，光學膜展現在400 nm之波長下小於1 × 10^-2 之光學消光係數(k)及在550 nm之波長下大於1.8之折射率(n)。

Description

光學膜結構、具有光學膜結構的無機氧化物製品以及製造其的方法

本申請案根據專利法主張在2018年11月15日申請之美國臨時申請案第62/767,948號之優先權的權益，該申請案之內容為本案之基礎且以其全文引用之方式併入本文中。

本發明是關於光學膜結構、具有薄且耐久之抗反射結構的光學膜結構以及製造其的製造方法，並且更特定而言是關於具有薄的多層抗反射塗層之光學膜結構。

護罩製品常常用於保護電子產品內之元件，提供用於輸入及/或顯示器及/或許多其他功能之使用者介面。此等產品包括行動裝置，例如智慧型電話、智慧型手錶、mp3播放器以及電腦平板。護罩製品亦包括建築製品、運輸製品（例如，用於汽車應用、火車、飛機、海輪等中的內部及外部顯示器及非顯示器製品）、用具製品，或可獲益於一定透明度、抗刮性、耐磨性或其組合之任何製品。自最大光透射率及最小反射率角度看，此等應用常常要求抗刮性及強光學效能特性。此外，對於一些護罩應用，在反射及/或透射上展現或察覺到之色彩並不隨著觀看角度變化而明顯地變化是有益的。在顯示器應用中，此是因為若反射或透射之色彩隨觀看角度變化至可察覺之程度，則產品之使用者將察覺顯示器之色彩或亮度之變化，此變化可減弱顯示器之感覺品質。在其他應用中，色彩之變化對裝置之美學外觀或其他功能態樣有負面影響。

此等顯示器及非顯示器製品常常用於具有封裝約束之應用中(例如，行動裝置)。特別地，此等應用中之許多應用可明顯地獲益於總厚度之減小，甚至幾個百分比之減小。另外，使用此等顯示器及非顯示器製品之應用中之許多應用獲益於低製造成本，例如，經由將原料成本最小化、將製程複雜性最小化及良率改良。可與現有顯示器及非顯示器製品相比的具有光學及機械性質效能屬性之較小封裝亦可服務減小製造成本之要求（例如，經由較少原料成本、經由抗反射結構中之層的數目之減小等）。

可藉由使用各種抗反射塗層來改良護罩製品之光學效能；然而，已知之抗反射塗層容易磨耗或磨損。此磨損可危害藉由抗反射塗層達成之任何光學效能改良。舉例而言，光學濾光片常常由多層塗層製成，此等多層塗層具有不同折射率且由光學透明之介電材料（例如，氧化物、氮化物及氟化物）製成。用於此等光學濾光片之典型氧化物中的大部分是寬帶隙材料，此等材料不具有例如硬度之必要機械性質，以用於行動裝置、建築製品、運輸製品或用具製品中。大部分氮化物及類鑽塗層可展現與經改良耐磨性關聯之硬度值，但此等材料對於此等應用未展現所要之透射率。

磨損傷害可包括自對立面對象（例如，手指）往復滑動接觸。另外，磨損傷害可產生熱，熱可使膜材料中之化學鍵降級且對護罩玻璃造成脫落及其他類型之傷害。由於常常在比導致刮擦之單一事件長的時間中經歷磨損傷害，但經歷磨損傷害的沉積之塗佈材料亦可氧化，氧化使塗層之耐用性進一步降級。

相應地，需要新的護罩製品及其製造方法，此等護罩製品耐磨，具有可接受或經改良之光學效能及較薄之光學結構。

根據本發明之一些實施例，提供一種光學膜結構，此光學膜結構包括：光學膜，包含約50 nm至約3000 nm之實體厚度及含矽氮化物或含矽氮氧化物。光學膜展現如在硬度堆疊上藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於18 GPa之最大硬度，此硬度堆疊包含安置於無機氧化物測試基板上的具有約2微米之實體厚度之測試光學膜，此測試光學膜具有與光學膜相同的組成。此外，光學膜展現在400 nm之波長下小於1 x 10^-2 之光學消光係數(k)及在550 nm之波長下大於1.8之折射率(n)。

根據本發明之一些實施例，提供一種光學製品，光學製品包括：無機氧化物基板，包含對置之主要表面；及光學膜結構，安置於無機氧化物基板之第一主要表面上，光學膜結構包含光學膜，光學膜包含約50 nm至約3000 nm之實體厚度及含矽氮化物或含矽氮氧化物。光學膜展現如在硬度堆疊上藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於18 GPa之最大硬度，此硬度堆疊包含安置於無機氧化物測試基板上的具有約2微米之實體厚度之測試光學膜，測試光學膜具有與光學膜相同的組成。此外，光學膜展現在400 nm之波長下小於1 x 10^-2 之光學消光係數(k)及在550 nm之波長下大於1.8之折射率(n)。

根據本發明之一些實施例，提供一種光學製品，光學製品包括：無機氧化物基板，包含對置之主要表面；及光學膜結構，安置於無機氧化物基板之第一主要表面上，此光學膜結構包含複數個光學膜。每一光學膜包含約50 nm至約3000 nm之實體厚度及含矽氧化物、含矽氮化物及含矽氮氧化物中之一者。包含含矽氮化物或含矽氮氧化物之每一光學膜展現如在硬度堆疊上藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於18 GPa之最大硬度，此硬度堆疊包含安置於無機氧化物測試基板上的具有約2微米之實體厚度之測試光學膜，此測試光學膜具有與包含含矽氮化物或含矽氮氧化物之每一光學膜相同的組成。此外，包含含矽氮化物或含矽氮氧化物之每一光學膜展現在400 nm之波長下小於1 x 10^-2 之光學消光係數(k)及在550 nm之波長下大於1.8之折射率(n)。

根據本發明之一些實施例，提供一種製造光學膜結構之方法，方法包括以下步驟：在濺鍍腔室內提供包含對置之主要表面之基板；在基板之第一主要表面上方濺鍍光學膜，光學膜包含約50 nm至約3000 nm之實體厚度及含矽氮化物或含矽氮氧化物；及自腔室移除光學膜及基板。光學膜展現如在硬度堆疊上藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於18 GPa之最大硬度，此硬度堆疊包含安置於無機氧化物測試基板上的具有約2微米之實體厚度之測試光學膜，此測試光學膜具有與光學膜相同的組成。此外，光學膜展現在400 nm之波長下小於1 x 10^-2 之光學消光係數(k)及在550 nm之波長下大於1.8之折射率(n)。

額外特徵及優點將在隨後之詳細描述中闡述，且將部分地自描述對熟習此項技術者顯而易見或藉由實踐包括隨後之詳細描述、申請專利範圍以及附圖的如本文中所描述之實施例來認識。

將理解，先前一般描述及隨後之詳細描述均僅為例示性的，且意欲提供概述或框架以理解申請專利範圍之本質及特性。

包括附圖以提供進一步理解，且此等附圖併入說明書中且構成說明書之一部分。圖式圖解一或多個實施例，且與描述一起用於藉由實例來解釋本發明之原理及操作。將理解，本說明書中及圖式中所揭示之本發明之各種特徵可以任何及全部組合使用。藉由非限制性實例，本發明之各種特徵可根據以下實施例彼此組合。

在以下詳細描述中，出於解釋及非限制目的，闡述揭示特定細節之示例實施例以提供對本發明之各種原理的透徹理解。然而，在已具有本發明之益處的情況下，普通熟習此項技術者將容易瞭解，本發明可在不背離本文中所揭示之特定細節之其他實施例中實踐。此外，可省略對熟知裝置、方法及材料之描述，以便不模糊對本發明之各種原理之描述。最後，如適用，相似元件符號指代相似元件。

範圍在本文中可表述為自「約」一個特定值及/或至「約」另一特定值。如本文中所使用，術語「約」意味著量、大小、公式、參數以及其他量及特性並非且不必精確，而視需要可為近似值及/或更大或更小，從而反映熟習此項技術者已知的公差、轉換因數、捨入、量測誤差及類似者以及其他因數。當術語「約」用於描述範圍之值或端點時，本發明應理解為包括所提及之特定值或端點。無論說明書中之範圍之數值或端點是否引用「約」，範圍之數值或端點意欲包括兩個實施例：一個實施例藉由「約」修飾，且一個實施例未藉由「約」修飾。將進一步理解，範圍中之每一者的端點在與另一端點相關及獨立於另一端點兩者上意義重大。

如本文中所使用之術語「實質」、「實質上」及其變形意欲說明所描述之特徵等於或近似等於一值或描述。舉例而言，「實質上平面之」表面意欲指示平坦或近似平坦之表面。此外，「實質上」意欲指示兩個值相等或近似相等。在一些實施例中，「實質上」可指示在彼此約10%內、例如在彼此約5%內或在彼此約2%內之值。

如本文中所使用之方向術語-例如上、下、右、左、前、後、頂部、底部-是僅參考所畫之圖使用且不欲暗示絕對定向。

除非另有明確說明，否則絕不意圖將本文中所闡述之任何方法解釋為需要方法之步驟以特定次序執行。相應地，在方法請求項未實際列舉方法之步驟將遵循之次序，或在申請專利範圍或描述中未另外特定說明步驟應限於特定次序的情況下，在任何方面絕不意圖應推斷次序。此對用於解釋之任何可能的非表示基礎成立，包括：關於步驟或操作流之配置的邏輯問題；自文法組織或標點衍生之普通意義；說明書中所描述之實施例的數目或類型。

如本文中所使用，單數形式「一」及「該」包括複數參照，除非上下文另外清楚地指示。因此，例如，參考一「組件」包括實施例具有兩個或更多個此種組件，除非上下文另外清楚地指示。

本發明之實施例是關於具有薄且耐久之抗反射結構的無機氧化物製品及其製造方法，並且更特定而言，是關於具有薄、多層抗反射塗層之製品，此等製品展現耐磨性、低反射性及無色透射及/或反射。此等製品之實施例擁有具有小於500 nm之總實體厚度的抗反射光學結構，同時保持與此等製品之期望應用（例如，作為顯示器裝置之蓋、外殼及基板、內部及外部汽車組件等）相關聯之硬度、耐磨性及光學性質。此外，此等製品之一些實施例擁有具有約50 nm至約3000 nm之實體厚度之光學膜。

參看第1圖，根據一或多個實施例之製品100可包括基板110，及安置於基板上之抗反射塗層120（在本文中亦被稱為「光學膜結構」）。基板110包括對置之主要表面112、114及對置之次要表面116、118。抗反射塗層120在第1圖中展示為安置於第一對置主要表面112上；然而，除了安置於第一對置主要表面112上之外或替代安置於第一對置主要表面112上，抗反射塗層120可安置於第二對置主要表面114及/或對置之次要表面中之一或兩者上。抗反射塗層120形成抗反射表面122。

再次參看第1圖，抗反射塗層120包括至少一種材料之至少一個層（在本文中亦被稱為「光學膜」），例如，層120A、120B及/或120C中之一或多者。因而，根據一些實施例，抗反射塗層可包括光學膜120A、120B或120C，不具有額外層（未圖示）。術語「層」及「膜」可包括單一層或可包括一或多個子層。此等子層可彼此直接接觸。此等子層可由同一材料或兩種或更多種不同之材料形成。在一或多個替代實施例中，此等子層可具有安置於此等子層之間的不同材料之介入層。在一或多個實施例中，層可包括一或多個連續且無中斷之層，及/或一或多個不連續且中斷之層（即，具有彼此鄰近地形成之不同材料之層）。可藉由離散沉積或連續沉積製程來形成層或子層。在一或多個實施例中，可僅使用連續沉積製程或替代地僅使用離散沉積製程來形成層。

如本文中所使用，術語「安置」包括塗佈、沉積及/或形成一材料至表面上。如本文中所定義，沉積之材料可構成層。片語「安置於……上」包括形成一材料至表面上以使得材料與表面接觸之例子，且亦包括在表面上形成材料且在沉積之材料與表面之間存在一或多種介入材料之例子。如本文中所定義，介入材料可構成層。

根據一或多個實施例，根據鋁氧化物SCE測試，製品100之抗反射塗層120（例如，如關於第1圖所示及所描述）之特性可在於耐磨性。如本文中所使用，「鋁氧化物SCE測試」是藉由使用由塔柏工業(Taber Industries)5750線性磨損試驗機提供動力之約1”衝程長度使樣本經受總重量為0.7 kg之商用800粒度鋁氧砂紙(10 mm x 10 mm)五十個(50)磨損週期而進行。接著根據鋁氧化物SCE測試，藉由根據一般熟習本發明之領域的技術者瞭解之原理，自磨損之樣本量測反射鏡面分量除外(specular component excluded; SCE)值來特性化耐磨性。更特定而言，SCE是離開抗反射塗層120之表面的漫反射之量度，如使用具有6 mm直徑孔隙之柯尼卡美能達(Konica-Minolta) CM700D所量測。根據一些實施，製品100之抗反射塗層120可展現如自鋁氧化物SCE測試獲得的小於0.4%、小於0.2%、小於0.18%、小於0.16%或甚至小於0.08%之SCE值。相比而言，商用抗反射塗層（諸如六層Nb₂ O₅ /SiO₂ 多層塗層）具有大於0.6%之砂紙研磨後SCE值。磨損引起之損傷使表面粗糙度增大，從而引起漫反射（即，SCE值）之增加。較低SCE值指示較不嚴重之損傷，此指示經改良之耐磨性。

可根據硬度來描述抗反射塗層120及製品100，硬度是藉由伯克維奇壓頭硬度測試量測。此外，一般熟習此項技術者可認識到，抗反射塗層120及製品100之耐磨性可與此等元件之硬度相關。如本文中所使用，「伯克維奇壓頭硬度測試」包括藉由用鑽石伯克維奇壓頭壓住抗反射塗層及製品之表面來量測此表面上的材料之硬度。伯克維奇壓頭硬度測試包括用鑽石伯克維奇壓頭壓住製品100之抗反射表面122或抗反射塗層120之表面（或抗反射塗層中之此等層中的任何一或多個層之表面）以形成至在約50 nm至約1000 nm之範圍內之壓痕深度（或抗反射塗層或層之整個厚度，無論哪一個厚度較小）的壓痕，及通常使用在以下各者中闡述之方法在沿著整個壓痕深度範圍之各種點處、沿著此壓痕深度之規定區段（例如，在約100 nm至約500 nm之深度範圍中）或在特定壓痕深度（例如，在100 nm之深度、在500 nm之深度等）處自此壓痕量測硬度：Oliver, W.C.；Pharr, G. M.之「用於使用負載及移位感測壓痕實驗判定硬度及彈性模數之改良技術(An improved technique for determining hardness and elastic modulus using load and displacement sensing indentation experiments)」（參見 J. Mater. Res. ,1992年第7卷第6期，1564-1583）；及Oliver, W.C.及Pharr, G.M.之「藉由儀器壓痕量測硬度及彈性模數：對方法之理解及改進之進步(Measurement of Hardness and Elastic Modulus by Instrument Indentation: Advances in Understanding and Refinements to Methodology)」（J. Mater. Res，2004年第19卷第1期，3-20）。此外，當在一壓痕深度範圍中（例如，在約100 nm至約500 nm之深度範圍內）量測硬度時，結果可報告為在規定範圍內之最大硬度，其中最大硬度是選自在彼範圍內之每一深度處所進行之量測。如本文中所使用，「硬度」及「最大硬度」兩者是指如此量測之硬度值，而非硬度值之平均值。類似地，當在一壓痕深度處量測硬度時，針對彼特定壓痕深度給出自伯克維奇壓頭硬度測試獲得之硬度的值。

典型地，在比下層基板硬之塗層的奈米壓痕量測方法（諸如藉由使用伯克維奇壓頭）中，量測之硬度可看上去最初由於在淺壓痕深度處形成塑膠區帶而增大，接著增大且在較深壓痕深度處達到最大值或平台區。此後，由於下層基板之影響，硬度開始在更深之壓痕深度處減小。在利用具有與塗層相比增大之硬度之基板的情況下，可看到相同效應；然而，由於下層基板之影響，硬度在較深壓痕深度處增大。

可選擇壓痕深度範圍及在特定壓痕深度範圍處之硬度值以識別本文中所描述之光學膜結構及其層在無下層基板之影響的情況下之特定硬度回應。當利用伯克維奇壓頭量測光學膜結構（當安置於基板上時）之硬度時，材料之永久變形之區域（塑膠區帶）與材料之硬度相關聯。在壓低期間，彈性應力場延伸超過永久變形之此區域。隨著壓痕深度增加，表觀硬度及模數受應力場與下層基板之相互作用影響。基板對硬度之影響在較深壓痕深度（即，通常在大於光學膜結構或層厚度之約10%的深度）處出現。此外，又一併發作用是硬度回應利用特定之最小負載以在壓痕製程期間發展完全塑性。在彼特定之最小負載之前，硬度展示整體上增大之趨勢。

在小壓痕深度（其亦可特性化為小負載）（例如，至多約50 nm）處，材料之表觀硬度看上去相對於壓痕深度急劇增大。此小壓痕深度區間不表示硬度之真正度量，而實情為，此小壓痕深度區間反映前述塑膠區帶之發展，此與壓頭之有限曲率半徑相關。在中間壓痕深度處，表觀硬度接近最大位準。在較深壓痕深度處，基板之影響隨著壓痕深度增大而變得更明顯。一旦壓痕深度超過光學膜結構厚度或層厚度之約30%，硬度即可開始急劇下降。

如上所述，舉例而言，在確保自伯克維奇壓頭硬度測試獲得的塗層120及製品100之硬度及最大硬度值指示此等元件而非被基板110過度影響時，一般熟習此項技術者可考慮各種測試相關之考量。此外，一般熟習此項技術者亦可認識到，本發明之實施例令人意外地表明與抗反射塗層120相關聯之高硬度值，即使塗層120之相對低厚度（即，> 500 nm）。實際上，如下文在隨後章節中詳述之實例證明，抗反射塗層內之高RI層130B（在本文中亦被稱為光學膜130B）之硬度(參見例如第2A圖、第2B圖及第2C圖)可明顯地影響抗反射塗層120及製品100之總硬度及最大硬度，即使與此等層相關聯之相對低厚度值。此情況令人意外，此是因為詳述量測之硬度如何受例如抗反射塗層120之塗層的厚度直接影響的上述測試相關考量。一般而言，隨著塗層（在較厚基板上方）之厚度減小且隨著塗層中之較硬材料（例如，與在具有較低硬度之塗層內之其他層相比）之體積減小，將期望塗層的量測之硬度之趨勢朝向下層基板之硬度。儘管如此，包括抗反射塗層120（且亦藉由下文詳細地概述之實例例示）的本發明之製品100令人意外地展現與下層基板相比明顯較高的硬度值，因此表明塗層厚度（> 500 nm）、較高硬度材料之體積分數及光學性質之獨特組合。

在一些實施例中，製品100之抗反射塗層120可展現如在抗反射表面122上藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm之壓痕深度處量測的大於約8 GPa之硬度。抗反射塗層120可展現藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm之壓痕深度處量測的約8 GPa或更大、約9 GPa或更大、約10 GPa或更大、約11 GPa或更大、約12 GPa或更大、約13 GPa或更大、約14 GPa或更大或約15 GPa或更大之硬度。如本文中所描述，包括抗反射塗層120及任何額外塗層之製品100可展現如在抗反射表面122上藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm之壓痕深度處量測的約8 GPa或更大、約10 GPa或更大、約12 GPa或更大、約14 GPa或更大或約16 GPa或更大之硬度。此等量測之硬度值可藉由抗反射塗層120及/或製品100在約50 nm或更大或約100 nm或更大（例如，約100 nm至約300 nm、約100 nm至約400 nm、約100 nm至約500 nm、約100 nm至約600 nm、約200 nm至約300 nm、約200 nm至約400 nm、約200 nm至約500 nm或約200 nm至約600 nm）之壓痕深度中展現。類似地，藉由伯克維奇壓頭硬度測試量測的約8 GPa或更大、約9 GPa或更大、約10 GPa或更大、約11 GPa或更大、約12 GPa或更大、約13 GPa或更大、約14 GPa或更大、約15 GPa或更大或約16 GPa或更大之最大硬度值可藉由此抗反射塗層及/或製品在約50 nm或更大或約100 nm或更大（例如，約100 nm至約300 nm、約100 nm至約400 nm、約100 nm至約500 nm、約100 nm至約600 nm、約200 nm至約300 nm、約200 nm至約400 nm、約200 nm至約500 nm或約200 nm至約600 nm）之壓痕深度中展現。

抗反射塗層120可具有由材料本身製成之至少一個層或膜，此材料具有如藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度中量測的約18 GPa或更大、約19 GPa或更大、約20 GPa或更大、約21 GPa或更大、約22 GPa或更大、約23 GPa或更大、約24 GPa或更大、約25 GPa或更大以及其間的所有硬度值之最大硬度（如在此層之表面上量測的，此表面例如第2A圖之第二高RI層130B之表面）。此等量測是對安置於基板110上的包含具有約2微米之實體厚度的抗反射塗層120之指定層（例如，高RI層130B或光學膜130B）之硬度測試堆疊進行，以將先前所描述的厚度相關硬度量測影響減至最少。如藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度中所量測的，此層之最大硬度可在約18 GPa至約26 GPa之範圍內。此等最大硬度值可藉由至少一個層（例如，高RI層130B，如第2A圖所示）之材料在約50 nm或更大或100 nm或更大（例如，約100 nm至約300 nm、約100 nm至約400 nm、約100 nm至約500 nm、約100 nm至約600 nm、約200 nm至約300 nm、約200 nm至約400 nm、約200 nm至約500 nm或約200 nm至約600 nm）之壓痕深度中展現。在一或多個實施例中，製品100展現大於基板之硬度的硬度（此硬度可在抗反射表面之對置表面上量測）。類似地，硬度值可藉由至少一個層（例如，高RI層130B，如第2A圖所示）之材料在約50 nm或更大或約100 nm或更大（例如，約100 nm至約300 nm、約100 nm至約400 nm、約100 nm至約500 nm、約100 nm至約600 nm、約200 nm至約300 nm、約200 nm至約400 nm、約200 nm至約500 nm或約200 nm至約600 nm）之壓痕深度中展現。另外，在此等量測之壓痕深度範圍中的特定壓痕深度處（例如，在100 nm、200 nm等處）亦可觀測到與至少一個層（例如，高RI層130B）相關聯之此等硬度及/或最大硬度值。此外，根據一些實施，抗反射塗層120之至少一個層或光學膜（例如，高RI層130B）可具有在約50 nm至約3000 nm之範圍內之實體厚度。

來自抗反射塗層120與空氣之間的界面及來自抗反射塗層120與基板110之間的界面之反射波之間的光學干涉可引起在製品100中產生明顯色彩之光譜反射率及/或透射率振盪。如本文中所使用，術語「透射率」是定義為在給定波長範圍內的透射穿過一材料（例如，製品、基板或光學膜，或其部分）之入射光學功率的百分比。術語「反射率」類似地定義為在給定波長範圍內的自一材料（例如，製品、基板或光學膜，或其部分）反射之入射光學功率的百分比。在一或多個實施例中，透射率及反射率之特性化的光譜解析度小於5 nm或0.02 eV。色彩在反射中可更明顯。關於視角的反射之角色移歸因於關於入射照明角的光譜反射率振盪之偏移。關於視角的透射之角色移亦歸因於關於入射照明角的光譜透射率振盪之相同偏移。觀測到的關於入射照明角之色彩及角色移常常使裝置使用者分心或令人討厭，特別在具有清晰光譜特徵之照明下，例如在螢光燈照明及某種LED照明下。透射之角色移亦可在反射之角色移中起作用，反之亦然。透射及/或反射之角色移中之因素亦可包括由視角引起之角色移，或遠離可由藉由特定照明體或測試系統定義之材料吸收（稍微獨立於角度）造成的特定白點之色移。

可根據振幅來描述此等振盪。如本文中所使用，術語「振幅」包括反射率或透射率之峰至谷變化。片語「平均振幅」包括在光學波長區間內求平均的反射率或透射率之峰至谷變化。如本文中所使用，「光學波長區間」包括約400 nm至約800 nm（且更特別地，約450 nm至約650 nm）之波長範圍。

根據當在不同照明體下以相對於垂直入射之變化入射照明角觀看時的無色性及/或較小角色移，本發明之實施例包括抗反射塗層（例如，抗反射塗層120或光學膜結構120）以提供改良之光學效能。

本發明之一個態樣關於即使在照明體下以不同入射照明角觀看時亦展現反射及/或透射之無色的製品。在一或多個實施例中，製品展現在參考照明角與任何入射照明角之間的在本文中所提供之範圍內的約5或更小或約2或更小之反射及/或透射之角色移。如本文中所使用，片語「色移」（角或參考點）是指根據CIE L*、a*、b*比色系統的反射率及/或透射率之a*及b*兩者之變化。應理解，除非另有說明，否則本文中所描述之製品之L*座標在任何角或參考點處相同且不影響色移。舉例而言，角色移可使用以下等式(1)來判定：

其中a*₁ 及b*₁ 表示當以參考照明角（其可包括垂直入射）觀看時的製品之a*及b*座標，且a*₂ 及b*₂ 表示當以入射照明角觀看時的製品之a*及b*座標，限制條件為入射照明角不同於參考照明角，且在一些情況下與參考照明角相差約1度或更大、2度或更大，或約5度或更大，或約10度或更大，或約15度或更大，或約20度或更大。在一些例子中，約10或更小（例如，5或更小、4或更小、3或更小，或2或更小）的反射及/或透射之角色移是藉由當在照明體下以相對於參考照明角之各種入射照明角觀看時的製品展現。在一些例子中，反射及/或透射之角色移為約1.9或更小、1.8或更小、1.7或更小、1.6或更小、1.5或更小、1.4或更小、1.3或更小、1.2或更小、1.1或更小、1或更小、0.9或更小、0.8或更小、0.7或更小、0.6或更小、0.5或更小、0.4或更小、0.3或更小、0.2或更小，或0.1或更小。在一些實施例中，角色移可為約0。照明體可包括如藉由CIE判定之標準照明體，包括A照明體（表示鎢絲照明）、B照明體（日光模擬照明體）、C照明體（日光模擬照明體）、D系列照明體（表示自然日光）以及F系列照明體（表示各種類型之螢光照明）。在特定實例中，在CIE F2、F10、F11、F12或D65照明體下或更特別地在CIE F2照明體下，此等製品展示當以相對於參考照明角之入射照明角觀看時的約2或更小的反射及/或透射之角色移。

參考照明角可包括垂直入射（即，0度），或相對於垂直入射5度、相對於垂直入射10度、相對於垂直入射15度、相對於垂直入射20度、相對於垂直入射25度、相對於垂直入射30度、相對於垂直入射35度、相對於垂直入射40度、相對於垂直入射50度、相對於垂直入射55度或相對於垂直入射60度，限制條件為參考照明角之間的差及入射照明角與參考照明角之間的差為約1度或更大、2度或更大，或約5度或更大，或約10度或更大，或約15度或更大，或約20度或更大。相對於參考照明角，入射照明角可在以下各者之範圍內：偏離垂直入射約5度至約80度、約5度至約70度、約5度至約65度、約5度至約60度、約5度至約55度、約5度至約50度、約5度至約45度、約5度至約40度、約5度至約35度、約5度至約30度、約5度至約25度、約5度至約20度、約5度至約15度，以及在此等範圍之間的所有範圍及子範圍。當參考照明角是垂直入射時，製品可以且沿著在約2度至約80度、或約5度至約80度、或約10度至約80度、或約15度至約80度、或約20度至約80度之範圍內之所有入射照明角展現本文中所描述的反射及/或透射之角色移。在一些實施例中，當入射照明角與參考照明角之間的差為約1度或更大、2度或更大，或約5度或更大，或約10度或更大，或約15度或更大，或約20度或更大時，製品可以且沿著在約2度至約80度、或約5度至約80度、或約10度至約80度、或約15度至約80度、或約20度至約80度之範圍內之所有入射照明角展現本文中所描述的反射及/或透射之角色移。在一個實例中，製品可以偏離等於垂直入射之參考照明角在約2度至約60度、約5度至約60度或約10度至約60度之範圍內的任何入射照明角展現2或更小的反射及/或透射之角色移。在其他實例中，當參考照明角為10度且入射照明角為偏離參考照明角在約12度至約60度、約15度至約60度或約20度至約60度之範圍內之任何角度時，製品可展現2或更小的反射及/或透射之角色移。

在一些實施例中，可在參考照明角（例如，垂直入射）與在約20度至約80度之範圍內之入射照明角之間的所有角度下量測角色移。換言之，角色移可以在約0度至約20度、約0度至約30度、約0度至約40度、約0度至約50度、約0度至約60度或約0度至約80度之範圍內的所有角度量測且可小於約5或小於約2。

在一或多個實施例中，製品100在反射及/或透射中展現CIE L*、a*、b*比色系統中之色彩，使得在一照明體下（此照明體可包括如藉由CIE判定之標準照明體，包括A照明體（表示鎢絲照明）、B照明體（日光模擬照明體）、C照明體（日光模擬照明體）、D系列照明體（表示自然日光）以及F系列照明體（表示各種類型之螢光照明）），透射色彩或反射座標與參考點之間的距離或參考點色移小於約5或小於約2。在特定實例中，在CIE F2、F10、F11、F12或D65照明體下或更特別地在CIE F2照明體下，此等製品展現當以相對於參考照明角之入射照明角觀看時的約2或更小的反射及/或透射之色移。換言之，製品可展現在抗反射表面122處量測的具有相對於參考點之小於約2之參考點色移的透射色彩（或透射色彩座標）及/或反射色彩（或反射色彩座標），如本文中所定義。除非另有說明，否則透射色彩或透射色彩座標是在製品之兩個表面上、包括在抗反射表面122及製品的對置裸表面（即，114）處量測。除非另有說明，否則反射色彩或反射色彩座標僅在製品之抗反射表面122上量測。

在一或多個實施例中，參考點可為基板的在CIE L*、a*、b*比色系統中之原點(0, 0)（或色彩座標a* = 0，b* = 0）、色彩座標(-2, -2)或透射或反射色彩座標。應理解，除非另有說明，否則本文中所描述之此等製品之L*座標與參考點相同且不影響色移。在製品之參考點色移是參考基板定義的情況下，將製品之透射色彩座標與基板之透射色彩座標進行比較，且將製品之反射色彩座標與基板之反射色彩座標進行比較。

在一或多個特定實施例中，透射色彩及/或反射色彩之參考點色移可小於1或甚至小於0.5。在一或多個特定實施例中，透射色彩及/或反射色彩之參考點色移可為1.8、1.6、1.4、1.2、0.8、0.6、0.4、0.2、0，以及在此等範圍之間的所有範圍及子範圍。在參考點為色彩座標a* = 0、b* = 0之情況下，參考點色移是藉由等式(2)計算： (2)  參考點色移= √((a *_製品 )² + (b *_製品 )² )。 在參考點是色彩座標a* = -2、b* = -2之情況下，參考點色移是藉由等式(3)計算： (3)  參考點色移= √((a*_製品 +2)² + (b*_製品 +2)² )。 在參考點是基板之色彩座標之情況下，參考點色移是藉由等式(4)計算： (4)  參考點色移= √((a*_製品 -a*_基板 )² + (b*_製品 -b*_基板 )² )。

在一些實施例中，製品100可展現透射色彩（或透射色彩座標）及反射色彩（或反射色彩座標），使得當參考點是基板之色彩座標-色彩座標a* = 0、b* = 0及色彩座標a* = -2、b* = -2中之任一者時，參考點色移小於2。

在一些實施例中，在CIE L*、a*、b*比色系統中，在近垂直入射角下（即，在約0度下，或在法線之10度內），製品100可展現反射率的在約-10至約+2、約-7至約0、約-6至約-1、約-6至約0或約-4至約0之範圍內之一b*值（如僅在抗反射表面122處量測）。在其他實施中，在CIE L*、a*、b*比色系統中，在包括近垂直入射照明角的在約0至約60度（或約0度至約40度，或約0度至約30度）之範圍內的所有入射照明角下，製品100可展現反射率的在約-10至約+10、約-10至+2、約-8至約+8或約-5至約+5之範圍內之b*值（如僅在抗反射表面122處量測）。

在一些實施例中，在CIE L*、a*、b*比色系統中，在近垂直入射角下（即，在約0度下，或在法線之10度內），製品100可展現透射率的在約-2至約+2、約-1至約+2、約-0.5至約+2、約0至約+2、約0至約+1、約-2至約+0.5、約-2至約+1、約-1至約+1或約0至約+0.5之範圍內之b*值（如在製品之抗反射表面及對置之裸表面處量測）。在其他實施中，在CIE L*、a*、b*比色系統中，對於包括近垂直入射照明角的在約0至約60度（或約0度至約40度，或約0度至約30度）之範圍內的所有入射照明角，製品可展現透射率的在約-2至約+2、約-1至約+2、約-0.5至約+2、約0至約+2、約0至約+1、約-2至約+0.5、約-2至約+1、約-1至約+1或約0至約+0.5之範圍內之b*值。

在一些實施例中，在CIE L*、a*、b*比色系統中，在近垂直入射角下（即，在約0度下，或在法線之10度內），製品100可展現透射率的在約-2至約+2、約-1至約+2、約-0.5至約+2、約0至約+2、約0至約+1、約-2至約+0.5、約-2至約+1、約-1至約+1或約0至約+0.5之範圍內之a*值（如在製品之抗反射表面及對置之裸表面處量測）。在其他實施中，在CIE L*、a*、b*比色系統中，對於在約0至約60度（或約0度至約40度，或約0度至約30度）之範圍內的所有入射照明角，製品可展現透射率的在約-2至約+2、約-1至約+2、約-0.5至約+2、約0至約+2、約0至約+1、約-2至約+0.5、約-2至約+1、約-1至約+1或約0至約+0.5之範圍內之a*值。

在一些實施例中，在照明體D65、A及F2下，在處於約0度至約60度之範圍內之入射照明角下，製品展現透射率的在約-1.5至約+1.5（例如，-1.5至-1.2、-1.5至-1、-1.2至+1.2、-1至+1、-1至+0.5，或-1至0）之範圍內之a*值及/或b*值（在抗反射表面及對置之裸表面處）。

在一些實施例中，在CIE L*、a*、b*比色系統中，在近垂直入射角下（即，在約0度下，或在法線之10度內），製品100展現反射率的在約-10至約+5、-5至約+5（例如，-4.5至+4.5、-4.5至+1.5、-3至0、-2.5至-0.25）或約-4至+4之範圍內之a*值（僅在抗反射表面處）。在其他實施例中，在CIE L*、a*、b*比色系統中，在處於約0度至約60度之範圍內之入射照明角下，製品100展現反射率的在約-5至約+15 （例如，-4.5至+14）或約-3至+13之範圍內之a*值（僅在抗反射表面處）。

一或多個實施例之製品100或一或多個製品之抗反射表面122在處於約400 nm至約800 nm之範圍內的光學波長區間上可展現約94%或更大（例如，約94%或更大、約95%或更大、約96%或更大、約96.5%或更大、約97%或更大、約97.5%或更大、約98%或更大、約98.5%或更大或約99%或更大）的光平均光透射率。在一些實施例中，製品100或一或多個製品之抗反射表面122在處於約400 nm至約800 nm之範圍內的光學波長區間上可展現約2%或更小（例如，約1.5%或更小、約1%或更小、約0.75%或更小、約0.5%或更小或約0.25%或更小）之平均光反射率。在整個光學波長區間上或在光學波長區間之選定範圍（例如，在光學波長區間內之100 nm波長範圍、150 nm波長範圍、200 nm波長範圍、250 nm波長範圍、280 nm波長範圍，或300 nm波長範圍）上觀測到此等光透射率及光反射率值。在一些實施例中，此等光反射率及透射率值可為總反射率或總透射率（考慮到抗反射表面122及對置之主要表面114兩者上之反射率或透射率）。除非另有規定，否則平均反射率或透射率是在0度之入射照明角下量測（然而，此等量測可在45度或60度之入射照明角下提供）。

在一些實施例中，一或多個實施例之製品100、一或多個製品之抗反射表面122或呈抗反射層形式之額外塗層140（參見第3圖）在光學波長區間中可展現約1%或更小、約0.9%或更小、約0.8%或更小、約0.7%或更小、約0.6%或更小、約0.5%或更小、約0.4%或更小、約0.3%或更小或約0.2%或更小的可見光平均反射率。此等光平均反射率值可在處於約0°至約20°、約0°至約40°或約0°至約60°之範圍內之入射照明角下展現。如本文中所使用，「光平均反射率」藉由根據人眼之敏感度相對於波長光譜對反射率加權來模仿人眼之回應。根據例如CIE色彩空間約定之已知約定，光平均反射率亦可定義為反射光之輝度或三刺激Y值。光平均反射率在等式(5)中定義為光譜反射率R (λ )乘以照明體光譜I (λ )及與眼睛之光譜回應相關的CIE之色匹配函數

(λ)：

。

在一些實施例中，一或多個製品之抗反射表面122（即，當僅經由單面量測來量測抗反射表面122時）可展現約2%或更小、1.8%或更小、1.5%或更小、1.2%或更小、1%或更小、0.9%或更小、0.7%或更小、約0.5%或更小、約0.45%或更小、約0.4%或更小、約0.35%或更小、約0.3%或更小、約0.25%或更小或約0.2%或更小之可見光平均反射率。在如本發明中所描述的此等「單面」量測中，藉由將此表面耦合至指數匹配吸收體來移除來自第二主要表面（例如，第1圖所示之表面114）之反射。在一些情況下，當使用D65照明在約5度至約60度之整個入射照明角範圍中（在參考照明角為垂直入射之情況下）同時展現小於約5.0、小於約4.0、小於約3.0、小於約2.0、小於約1.5或小於約1.25之最大反射色移時，展現此等可見光平均反射率範圍。此等最大反射色移值表示自在相對於垂直入射約5度至約60度之任何角度下量測的最高色點值減去在同一範圍內之任何角度下量測的最低色點值。此等值可表示a*值之最大變化(a*_最高 -a*_最低 )、b*值之最大變化(b*_最高 -b*_最低 )、a*值及b*值兩者之最大變化，或量√((a*_最高 -a*_最低 )² +(b*_最高 -b*_最低 )² )之最大變化。

基板

基板110可包括無機氧化物材料，且可包括非晶基板、晶體基板或其組合。在一或多個實施例中，基板展現在約1.45至約1.55之範圍內之折射率，例如，1.45、1.46、1.47、1.48、1.49、1.50、1.51、1.52、1.53、1.54、1.55，以及在其間之所有折射率。

合適之基板110可展現在約30 GPa至約120 GPa之範圍內的彈性模數（或楊氏模數）。在一些例子中，基板之彈性模數可在以下各者之範圍內：約30 GPa至約110 GPa、約30 GPa至約100 GPa、約30 GPa至約90 GPa、約30 GPa至約80 GPa、約30 GPa至約70 GPa、約40 GPa至約120 GPa、約50 GPa至約120 GPa、約60 GPa至約120 GPa、約70 GPa至約120 GPa，以及在此等範圍之間的所有範圍及子範圍。如本發明中所列舉的基板本身之楊氏模數值是指如藉由一般類型之共振超音波分光術技術量測的值，此技術在題為「用於金屬及非金屬部件中之缺陷檢測的共振超音波分光術之標準指南(Standard Guide for Resonant Ultrasound Spectroscopy for Defect Detection in Both Metallic and Non-metallic Parts)」之ASTM E2001-13中闡述。

在一或多個實施例中，非晶基板可包括玻璃，玻璃可為強化的或非強化的。合適玻璃之實例包括鈉鈣玻璃、鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃、含鹼硼矽酸鹽玻璃及鹼金屬鋁硼矽酸鹽玻璃。在一些變形中，玻璃可不含氧化鋰。在一或多個替代實施例中，基板110可包括晶體基板，例如玻璃-陶瓷或陶瓷基板（基板可為強化的或非強化的），或可包括單晶體結構，例如藍寶石。在一或多個特定實施例中，基板110包括非晶基底（例如，玻璃）及晶體包層（例如，藍寶石層、多晶鋁氧層及/或或尖晶石(MgAl₂ O₄ )層）。

基板110可為實質上平面或片狀的，儘管其他實施例可利用彎曲或其他形狀或經雕刻之基板。基板110可為實質上光學清透、透明的且沒有光散射。在此等實施例中，基板在光學波長區間上可展現約85%或更大、約86%或更大、約87%或更大、約88%或更大、約89%或更大、約90%或更大、約91%或更大或約92%或更大之平均光透射。在一或多個替代實施例中，基板110可為不透明的，或在光學波長區間上展現小於約10%、小於約9%、小於約8%、小於約7%、小於約6%、小於約5%、小於約4%、小於約3%、小於約2%、小於約1%或小於約0%之平均光透射。在一些實施例中，此等光反射率及透射率值可為總反射率或總透射率（考慮到基板之兩個主要表面上之反射率或透射率）或可在基板之單一側上（即，僅在抗反射表面122上，而不考慮對置表面）觀測到。除非另有規定，否則平均反射率或透射率是在0度之入射照明角下量測（然而，此等量測可在45度或60度之入射照明角下提供）。基板110可視情況展現例如白色、黑色、紅色、藍色、綠色、黃色、橙色等之色彩。

另外或替代地，出於美觀及/或功能原因，基板110之實體厚度可沿著基板之尺寸中之一或多個改變。舉例而言，與基板110之更中心區域相比，基板110之邊緣可更厚。基板110之長度、寬度及實體厚度尺寸亦可根據製品100之應用或用途改變。

可使用多種不同製程來提供基板110。舉例而言，在基板110包括例如玻璃之非晶基板的情況下，各種形成方法可包括浮法玻璃製程、滾制製程、上拉製製程及下拉製製程，例如熔融拉製及溝槽拉製。

在形成後，可將基板110強化以形成強化基板。如本文中所使用，術語「強化基板」可指代已例如經由較大離子對基板之表面中之較小離子的離子交換而經化學強化之基板。然而，可利用例如熱回火或利用基板之多個部分之間的熱膨脹係數之不匹配創建壓縮應力及中心拉伸區域的此項技術中已知之其他強化方法，以形成強化基板。

在基板是藉由離子交換製程化學強化的情況下，基板之表面層中之離子由具有相同價位或氧化狀態之較大離子替換或與此等較大離子交換。離子交換製程通常藉由將基板浸沒在含有待與基板中之較小離子交換之較大離子的熔融鹽浴中來實行。熟習此項技術者將瞭解，離子交換製程之參數通常藉由基板之組成、所要壓縮應力(CS)及由強化操作產生的基板之壓縮應力(CS)層之所要深度（或層深度）判定，此等參數包括但不限於浴組成及溫度、浸沒時間、基板在鹽浴（或多個浴）中之浸沒次數、多個鹽浴之使用及額外步驟（例如，退火、沖洗及類似步驟）。舉例說明，可藉由浸沒在含鹽之至少一個熔融鹽浴中來達成含鹼金屬之玻璃基板的離子交換，此鹽例如但不限於較大鹼金屬離子之硝酸鹽、硫酸鹽及氯化物。熔融鹽浴之溫度通常在約380℃至多約450℃之範圍內，而浸沒時間在約15分鐘至多約40小時之範圍內。然而，亦可使用不同於上述之彼等溫度及浸沒時間的溫度及浸沒時間。

另外，將玻璃基板浸沒在多個離子交換浴中且浸沒之間具有沖洗及/或退火步驟的離子交換製程之非限制性實例描述於以下各者中：在2009年7月10日申請之Douglas C. Allan等人的題為「用於消費應用的具有壓縮表面之玻璃(Glass with Compressive Surface for Consumer Applications)」之美國專利申請案第12/500,650號中，此美國專利申請案主張在2008年7月11日申請之美國臨時專利申請案第61/079,995號的優先權權益，在此美國臨時專利申請案中，玻璃基板是藉由在多次連續之離子交換處理中浸沒在不同濃度之鹽浴中強化；及Christopher M. Lee等人在2012年11月20日發佈且題為「用於玻璃之化學強化的兩階段離子交換(Dual Stage Ion Exchange for Chemical Strengthening of Glass)」之美國專利8,312,739，此美國專利主張在2008年7月29日申請之美國臨時專利申請案第61/084,398號的優先權權益，在此美國臨時專利申請案中，玻璃基板是藉由在用流出物離子稀釋之第一浴中進行離子交換、繼而浸沒在流出物離子之濃度小於第一浴之第二浴中來強化。美國專利申請案第12/500,650號及美國專利第8,312,739號之內容以全文引用之方式併入本文中。

藉由離子交換達成的化學強化之程度可基於中心拉伸(central tension; CT)、峰值CS、壓縮深度（DOC，其是沿著厚度之點，其中壓縮變成拉伸）及離子層深度(depth of ion layer; DOL)之參數來量化。作為觀測到的最大壓縮應力之峰值CS可靠近基板110之表面或在強化玻璃內在各種深度處量測。峰值CS值可包括在強化基板之表面處的量測之CS(CS_s )。在其他實施例中，峰值CS是在強化基板之表面下方量測。壓縮應力（包括表面CS）藉由使用由Orihara Industrial Co., Ltd.（日本）製造的例如FSM-6000之可購得儀器之表面應力計(surface stress meter; FSM)量測。表面應力量測依賴於對應力光學係數(stress optical coefficient; SOC)之準確量測，應力光學係數與玻璃之雙折射率相關。轉而根據ASTM標準C770-16中所描述的題為「用於玻璃應力光學係數之量測的標準測試方法(Standard Test Method for Measurement of Glass Stress-Optical Coefficient)」之程序C（玻璃圓盤法）來量測SOC，程序C之內容以全文引用之方式併入本文中。如本文中所使用，DOC意味著本文中所描述的化學強化之鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃製品中之應力自壓縮變成拉伸所在的深度。DOC可根據離子交換處理而藉由FSM或散射光偏光儀(scattered light polariscope; SCALP)來量測。在玻璃製品中之應力是藉由將鉀離子交換至玻璃製品中產生的情況下，使用FSM量測DOC。在應力是藉由將鈉離子交換至玻璃製品中產生的情況下，使用SCALP量測DOC。在玻璃製品中之應力是藉由將鉀離子及鈉離子兩者交換至玻璃中產生的情況下，藉由SCALP量測DOC，此是因為咸信鈉之交換深度指示DOC且鉀離子之交換深度指示壓縮應力之量值的變化（但並非應力自壓縮至拉伸的變化）；藉由FSM來量測此等玻璃製品中之鉀離子之交換深度。使用此項技術中已知之散射光偏光儀(SCALP)技術來量測最大CT值。折射近場(refracted near-field; RNF)方法或SCALP可用於量測（以視覺或其他方式繪出地圖之圖形）完整的應力剖面。當利用RNF方法量測應力剖面時，在RNF方法中使用由SCALP提供之最大CT值。特別地，藉由RNF量測之應力剖面是力平衡的，且經校準至由SCALP量測提供之最大CT值。RNF方法描述於題為「用於量測玻璃樣本之剖面特性之系統及方法(Systems and methods for measuring a profile characteristic of a glass sample)」之美國專利第8,854,623號中，此美國專利以全文引用之方式併入本文中。特別地，RNF方法包括以下步驟：鄰近於一參考區塊置放玻璃製品、產生以1 Hz至50 Hz之速率在正交偏光之間切換的偏光切換光束、量測偏光切換之光束中的功率量以及產生偏光切換參考信號，其中在正交偏光中之每一者中的量測到之功率量在彼此的50%內。此方法進一步包括以下步驟：使偏光切換光束以不同深度透射穿過玻璃樣本及參考區塊進入玻璃樣本中，接著使用中繼光學系統將透射之偏光切換光束中繼至信號光偵測器，其中信號光偵測器產生偏光切換偵測器信號。方法亦包括以下步驟：將偵測器信號除以參考信號以形成正規化偵測器信號，及自正規化偵測器信號判定玻璃樣本之剖面特性。

在一些實施例中，強化基板110可具有250 MPa或更大、300 MPa或更大、400 MPa或更大、450 MPa或更大、500 MPa或更大、550 MPa或更大、600 MPa或更大、650 MPa或更大、700 MPa或更大、750 MPa或更大或800 MPa或更大之峰值CS。此強化基板可具有10 µm或更大、15 µm或更大、20 µm或更大（例如，25 µm、30 µm、35 µm、40 µm、45 µm、50 µm或更大）之DOC，及/或10 MPa或更大、20 MPa或更大、30 MPa或更大、40 MPa或更大（例如，42 MPa、45 MPa或50 MPa或更大），但小於100 MPa （例如，95、90、85、80、75、70、65、60、55 MPa或更小）之CT。在一或多個特定實施例中，此強化基板具有以下各者中之一或多個：大於500 MPa之峰值CS、大於15 µm之DOC及大於18 MPa之CT。

可用於基板中之示例玻璃可包括鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組合物或鹼金屬鋁硼矽酸鹽玻璃組合物，儘管預期其他玻璃組合物。此等玻璃組合物能夠藉由離子交換製程化學強化。一種示例玻璃組合物包含SiO₂ 、B₂ O₃ 及Na₂ O，其中(SiO₂ + B₂ O₃ ) ≥ 66 mol. %，且Na₂ O ≥ 9 mol. %。在一些實施例中，玻璃組合物包括約6 wt.%或更多之氧化鋁。在一些實施例中，基板包括具有一或多種鹼土氧化物之玻璃組合物，使得鹼土氧化物之含量為約5 wt.%或更多。在一些實施例中，合適之玻璃組合物進一步包含K₂ O、MgO或CaO中之至少一者。在一些實施例中，基板中所使用之玻璃組合物可包含61至75 mol.% SiO₂ ；7至15 mol.% Al₂ O₃ ；0至12 mol.% B₂ O₃ ；9至21 mol.% Na₂ O；0至4 mol.% K₂ O；0至7 mol.% MgO；以及0至3 mol.% CaO。

適合基板之又一示例玻璃組合物包含：60至70 mol.% SiO₂ ；6至14 mol.% Al₂ O₃ ；0至15 mol.% B₂ O₃ ；0至15 mol.% Li₂ O；0至20 mol.% Na₂ O；0至­10 mol.% K₂ O；0至8 mol.% MgO；0至10 mol.% CaO；0至5 mol.% ZrO₂ ；0至1 mol.% SnO₂ ；0至1 mol.% CeO₂ ；小於50 ppm As₂ O₃ ；以及小於50 ppm Sb₂ O₃ ；其中12 mol.% ≤ (Li₂ O + Na₂ O + K₂ O) ≤ 20 mol.%且0 mol.% ≤ (MgO + CaO) ≤ 10 mol.%。

適合基板之再一示例玻璃組合物包含：63.5至66.5 mol.% SiO₂ ；8至12 mol.% Al₂ O₃ ；0至3 mol.% B₂ O₃ ；0至5 mol.% Li₂ O；8至18 mol.% Na₂ O；0至5 mol.% K₂ O；1至7 mol.% MgO；0至2.5 mol.% CaO；0至3 mol.% ZrO₂ ；0.05至0.25 mol.% SnO₂ ；0.05至0.5 mol.% CeO₂ ；小於50 ppm As₂ O₃ ；以及小於50 ppm Sb₂ O₃ ；其中14 mol.% ≤ (Li₂ O + Na₂ O + K₂ O) ≤ 18 mol.%且2 mol.% ≤ (MgO + CaO) ≤ 7 mol.%。

在一些實施例中，適合基板110之鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組合物包含鋁氧、至少一種鹼金屬，且在一些實施例中，大於50 mol.%之SiO₂ ，在其他實施例中，58 mol.%或更多之SiO₂ ，且在另外其他實施例中，60 mol.%或更多之SiO₂ ，其中比率(Al₂ O₃ + B₂ O₃ )/∑改質劑（即，改質劑之總和）大於1，其中此等組份之比率以mol.%表示，且此等改質劑是鹼金屬氧化物。在特定實施例中，此玻璃組合物包含：58至72 mol.% SiO₂ ；9至17 mol.% Al₂ O₃ ；2至12 mol.% B₂ O₃ ；8至16 mol.% Na₂ O；以及0至4 mol.% K₂ O，其中比率(Al₂ O₃ + B₂ O₃ )/∑改質劑（即，改質劑之總和）大於1。

在一些實施例中，基板110可包括鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組合物，此鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組合物包含64至68 mol.% SiO₂ ；12至16 mol.% Na₂ O；8至12 mol.% Al₂ O₃ ；0至3 mol.% B₂ O₃ ；2至5 mol.% K₂ O；4至6 mol.% MgO；以及0至5 mol.% CaO，其中：66 mol.% ≤ SiO₂ + B₂ O₃ + CaO ≤ 69 mol.%；Na₂ O + K₂ O + B₂ O₃ + MgO + CaO + SrO > 10 mol.%；5 mol.% ≤ MgO + CaO + SrO ≤ 8 mol.%；(Na₂ O + B₂ O₃ ) － Al₂ O₃ ≤ 2 mol.%；2 mol.% ≤ Na₂ O － Al₂ O₃ ≤ 6 mol.%；以及4 mol.% ≤ (Na₂ O + K₂ O) － Al₂ O₃ ≤ 10 mol.%。

在一些實施例中，基板110可包含鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組合物，此鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組合物包含：2 mol.%或更多之Al₂ O₃ 及/或ZrO₂ ，或4 mol.%或更多之Al₂ O₃ 及/或ZrO₂ 。

在基板110包括晶體基板之情況下，基板可包括單晶體，單晶體可包括Al₂ O₃ 。此等單晶體基板被稱為藍寶石。晶體基板之其他合適材料包括多晶鋁氧層及/或尖晶石(MgAl₂ O₄ )。

視情況，晶體基板110可包括可為強化或非強化之玻璃-陶瓷基板。合適玻璃-陶瓷之實例可包括Li₂ O-Al₂ O₃ -SiO₂ 體系（即，LAS體系）玻璃-陶瓷、MgO-Al₂ O₃ -SiO₂ 體系（即，MAS體系）玻璃-陶瓷及/或包括優勢晶相之玻璃-陶瓷，包括β-石英固體溶液、β-鋰輝石ss、堇青石以及二矽酸鋰。可使用本文中所揭示之化學強化製程將此等玻璃-陶瓷基板強化。在一或多個實施例中，MAS體系玻璃-陶瓷基板可在Li₂ SO₄ 熔融鹽中強化，藉此2Li⁺ 對Mg²⁺ 之交換可發生。

根據一或多個實施例，基板110可具有在約50 µm至約5 mm範圍內之實體厚度。示例基板110實體厚度在約50 µm至約500 µm之範圍內（例如，50、100、200、300、400或500 µm）。其他示例基板110實體厚度在約500 µm至約1000 µm之範圍內（例如，500、600、700、800、900或1000 µm）。基板110可具有大於約1 mm（例如，約2、3、4或5 mm）之實體厚度。在一或多個特定實施例中，基板110可具有2 mm或更小或小於1 mm之實體厚度。基板110可用酸拋光或以其他方式處理以移除或減少表面瑕疵之影響。

抗反射塗層

如第1圖所示，製品100之抗反射塗層120可包括複數個層120A、120B、120C（在本文中亦被稱為「光學膜」）。在一些實施例中，一或多個層可安置於與抗反射塗層120對置的基板110之側面上（即，主要表面114上）（未圖示）。在製品100之一些實施例中，如第1圖所示，層120C可充當封蓋層（例如，如第2A圖、第2B圖及第2C圖所示且在下文之章節中描述的封蓋層131）。

抗反射塗層120之實體厚度可在約50 nm至小於500 nm之範圍內。在一些例子中，抗反射塗層120之實體厚度可在以下範圍內：約10 nm至小於500 nm、約50 nm至小於500 nm、約75 nm至小於500 nm、約100 nm至小於500 nm、約125 nm至小於500 nm、約150 nm至小於500 nm、約175 nm至小於500 nm、約200 nm至小於500 nm、約225 nm至小於500 nm、約250 nm至小於500 nm、約300 nm至小於500 nm、約350 nm至小於500 nm、約400 nm至小於500 nm、約450 nm至小於500 nm、約200 nm至約 450 nm，以及在此等範圍之間的所有範圍及子範圍。舉例而言，抗反射塗層120之實體厚度可為10 nm至490 nm，或10 nm至480 nm，或10 nm至475 nm，或10 nm至460 nm，或10 nm至450 nm，或10 nm至450 nm，或10 nm至430 nm，或10 nm至425 nm，或10 nm至420 nm，或10 nm至410 nm，或10 nm至400 nm，或10 nm至350 nm，或10 nm至300 nm，或10 nm至250 nm，或10 nm至225 nm，或10 nm至200 nm，或15 nm至490 nm，或20 nm至490 nm，或25 nm至490 nm，或30 nm至490 nm，或35 nm至490 nm，或40 nm至490 nm，或45 nm至490 nm，或50 nm至490 nm，或55 nm至490 nm，或60 nm至490 nm，或65 nm至490 nm，或70 nm至490 nm，或75 nm至490 nm，或80 nm至490 nm，或85 nm至490 nm，或90 nm至490 nm，或95 nm至490 nm，或100 nm至490 nm，或10 nm至485 nm，或15 nm至480 nm，或20 nm至475 nm，或25 nm至460 nm，或30 nm至450 nm，或35 nm至440 nm，或40 nm至430 nm，或50 nm至425 nm，或55 nm至420 nm，或60 nm至410 nm，或70 nm至400 nm，或75 nm至400 nm，或80 nm至390 nm，或90 nm至380 nm，或100 nm至375 nm，或110 nm至370 nm，或120 nm至360 nm，或125 nm至350 nm，或130 nm至325 nm，或140 nm至320 nm，或150 nm至310 nm，或160 nm至300 nm，或170 nm至300 nm，或175 nm至300 nm，或180 nm至290 nm，或190 nm至280 nm，或200 nm至275 nm。

根據一些實施，抗反射塗層120之光學膜130B中之任何一或多者的實體厚度在約50 nm至約3000 nm之範圍內（參見例如第2C圖及下文之對應描述）。在一些例子中，抗反射塗層120之光學膜130B中之任何一或多者的實體厚度可在以下範圍內：約50 nm至小於約3000 nm、約100 nm至小於約3000 nm、約200 nm至小於約3000 nm、約300 nm至小於約3000 nm、約400 nm至小於約3000 nm、約500 nm至小於約3000 nm，以及在此等範圍之間的所有範圍及子範圍。

根據一些實施例，抗反射塗層120之層130B或光學膜130B中之任何一或多者的特性可在於如下之表面粗糙度(R_a )：小於3.0，小於2.5，小於2.0，或小於1.5，及其間的所有表面粗糙度(R_a )值。除非另有說明，否則抗反射塗層120之光學膜130B之表面粗糙度(Ra)是在膜130B沉積至測試玻璃基板上之後量測。

在一或多個實施例中，如第2A圖及第2B圖所示，製品100之抗反射塗層120可包括包含兩層或更多層之週期130。此外，抗反射塗層120可形成抗反射表面122，如在第2A圖及第2B圖中亦展示。在一或多個實施例中，兩層或更多層之特性可在於具有彼此不同的折射率。在一些實施例中，週期130包括第一低RI層130A及第二高RI層130B。第一低RI層130A及第二高RI層130B之折射率的差可為約0.01或更大、0.05或更大、0.1或更大，或甚至0.2或更大。在一些實施中，低RI層130A之折射率在基板110之折射率內，使得低RI層130A之折射率小於約1.8，且高RI層130B具有大於1.8之折射率。

如第2A圖所示，抗反射塗層120可包括複數個週期(130)。單一週期包括第一低RI層130A及第二高RI層130B，使得當設置複數個週期時，第一低RI層130A（為了說明表示為「L」）及第二高RI層130B （為了說明表示為「H」）以如下的層順序交替：L/H/L/H或H/L/H/L，使得第一低RI層及第二高RI層看上去沿著抗反射塗層120之實體厚度交替。在第2A圖中之實例中，抗反射塗層120包括三個週期130，使得分別存在三對低RI層130A及高RI層及130B。在第2B圖中之實例中，抗反射塗層120包括兩個週期130，使得分別存在兩對低RI層130A及高RI層及130B。在一些實施例中，抗反射塗層120可包括至多25個週期。舉例而言，抗反射塗層120可包括約2至約20個週期、約2至約15個週期、約2至約10個週期、約2至約12個週期、約3至約8個週期、約3至約6個週期。

在第2A圖及第2B圖中所示之製品100之實施例中，抗反射塗層120可包括額外封蓋層131，此額外封蓋層可包括折射率比第二高RI層130B低之材料。在一些實施中，封蓋層131之折射率與低RI層130A之折射率相同或實質上相同。

現在參看第2C圖，提供光學製品100，此光學製品包括：無機氧化物基板110，包含對置之主要表面（例如，主要表面112及114，展示於第1圖中）；及光學膜結構120，安置於無機氧化物基板之第一主要表面上。在一些實施例中，光學膜結構120可形成抗反射表面122，如在第2C圖中亦展示。此外，第2C圖中所描繪的光學製品100之光學膜結構120包括光學膜130A，此光學膜包含約50 nm至約3000 nm之實體厚度。如第2A圖所示，光學膜結構120包括單一光學膜130B；然而，在藉由第2C圖例示、但未以示意形式另外描繪之光學製品100的一些實施例中，介入層可存在於光學膜130B與基板110及/或封蓋層131（若存在）之間。此外，在此等實施中，光學膜130B是由含矽氮化物（例如，SiN_x ）或含矽氮氧化物（例如，SiO_x N_y ）製成。光學膜130B展現如在硬度堆疊上藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於18 GPa之最大硬度，此硬度堆疊包含安置於無機氧化物測試基板（例如，與無機氧化物基板110相當）上的具有約2微米之實體厚度之測試光學膜，此測試光學膜具有與光學膜130B相同的組成。此外，根據一些實施例，光學膜130B展現在400 nm之波長下小於1 x 10^-2 之光學消光係數(k)及在550 nm之波長下大於1.8之折射率(n)。此外，在第2C圖中所描繪的光學製品100之一些實施中，光學膜130B可為高RI層130B，如在本發明之其他章節中所描繪。

如本文中所使用，術語「低RI」及「高RI」是指抗反射塗層120內的每一層之RI相對於另一層之RI的相對值（例如，低RI > 高RI）。在一或多個實施例中，術語「低RI」在與第一低RI層130A或封蓋層131一起使用時包括約1.3至約1.7之範圍。在一或多個實施例中，術語「高RI」在與高RI層130B一起使用時包括約1.6至約2.5之折射率(n)之範圍。在一或多個實施例中，術語「高RI」在與高RI層130B一起使用時包括約1.8至約2.5之折射率(n)之範圍。在一些例子中，低RI及高RI之範圍可重疊；然而，在大部分例子中，抗反射塗層120之層具有關於RI之一般關係：低RI > 高RI。

根據另一實施（例如，如第2A圖、第2B圖及第2C圖所示），如在550 nm之波長下量測，抗反射塗層120之光學膜130B中之任何一或多者可具有大於1.8之折射率。在一些實施中，如在550 nm之波長下量測，光學膜130B之折射率在一些例子中大於1.8、大於1.9、大於2.0，或甚至大於2.1。在一些實施例中，抗反射塗層120之光學膜130B中之任何一或多者的特性可在於在400 nm之波長或300 nm之波長下小於1×10^-2 之光學消光係數(k)。根據一些實施例，如在400 nm或300 nm之波長下量測，光學膜130B的特性可在於小於1×10^-2 、小於5×10^-3 、小於1×10^-3 、小於5×10^-4 、小於1×10^-4 或小於5×10^-5 之光學消光係數(k)。

適合用於抗反射塗層120中之例示性材料包括：SiO₂ 、Al₂ O₃ 、GeO₂ 、SiO、AlO_x N_y 、AlN、氧摻雜之SiN_x 、SiN_x 、SiO_x N_y 、Si_u Al_v O_x N_y 、TiO₂ 、ZrO₂ 、TiN、MgO、HfO₂ 、Y₂ O₃ 、ZrO₂ 、類鑽碳以及MgAl₂ O₄ 。

用於低RI層130A中之合適材料之一些實例包括SiO₂ 、Al₂ O₃ 、GeO₂ 、SiO、AlO_x N_y 、SiO_x N_y 、Si_u Al_v O_x N_y 、MgO以及MgAl₂ O₄ 。用於第一低RI層130A（即，與基板110接觸之層130A）中之材料之氮含量可減至最小（例如，在例如Al₂ O₃ 及MgAl₂ O₄ 之材料中）。在一些實施例中，抗反射塗層120中之低RI層130A及封蓋層131（若存在）可包含含矽氧化物（例如，二氧化矽）、含矽氮化物（例如，氧摻雜之氮化矽、氮化矽等）及含矽氮氧化物（例如，氮氧化矽）中之一或多者。在製品100之一些實施例中，低RI層130A及封蓋層131包含含矽氧化物，例如，SiO₂ 。

用於高RI層130B中之合適材料之一些實例包括Si_u Al_v O_x N_y 、AlN、氧摻雜之SiN_x 、SiN_x 、Si₃ N₄ 、AlO_x N_y 、SiO_x N_y 、HfO₂ 、TiO₂ 、ZrO₂ 、Y₂ O₃ 、ZrO₂ 、Al₂ O₃ 以及類鑽碳。高RI層130B之材料的氧含量可減至最小，尤其在SiN_x 或AlN_x 材料中。前述材料可氫化至至多約30重量%。在一些實施例中，抗反射塗層120中之高RI層130B可包含含矽氧化物（例如，二氧化矽）、含矽氮化物（例如，氧摻雜之氮化矽、氮化矽等）及含矽氮氧化物（例如，氮氧化矽）中之一或多者。在製品100之一些實施例中，高RI層130B包含含矽氮化物，例如，Si₃ N₄ 。在高RI與低RI之間需要具有中等折射率之材料的情況下，一些實施例可利用AlN及/或SiO_x N_y 。高RI層之硬度可被特別地特性化。在一些實施例中，如藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度中（即，如在硬度測試堆疊上，此硬度測試堆疊具有安置於基板110上的層130B之2微米厚之材料層）量測的高RI層130B之最大硬度可為約18 GPa或更大、約20 GPa或更大、約22 GPa或更大、約24 GPa或更大、約26 GPa或更大，以及此等範圍之間的所有值。

在一或多個實施例中，製品100之抗反射塗層120之此等層中的至少一者可包括特定光學厚度範圍。如本文中所使用，術語「光學厚度」是藉由(n*d)判定，其中「n」是指子層之RI且「d」是指層之實體厚度。在一或多個實施例中，抗反射塗層120之此等層中之至少一者可包括在約2 nm至約200 nm、約10 nm至約100 nm或約15 nm至約100 nm之範圍內的光學厚度。在一些實施例中，抗反射塗層120中之所有層可各自具有在約2 nm至約200 nm、約10 nm至約100 nm或約15 nm至約100 nm之範圍內的光學厚度。在一些情況下，抗反射塗層120之至少一個層具有約50 nm或更大的光學厚度。在一些情況下，低RI層130A中之每一者具有在約2 nm至約200 nm、約10 nm至約100 nm或約15 nm至約100 nm之範圍內的光學厚度。在其他情況下，高RI層130B中之每一者具有在約2 nm至約200 nm、約10 nm至約100 nm或約15 nm至約100 nm之範圍內的光學厚度。在一些實施例中，高RI層130B中之每一者具有在以下各者之範圍內的光學厚度：約2 nm至約500 nm，或約10 nm至約490 nm，或約15 nm至約480 nm，或約25 nm至約475 nm，或約25 nm至約470 nm，或約30 nm至約465 nm，或約35 nm至約460 nm，或約40 nm至約455 nm，或約45 nm至約450 nm，以及在此等值之間的任何及全部子範圍。在一些實施例中，封蓋層131（參見第2A圖、第2B圖及第3圖）或不具封蓋層131之組態的最外部低RI層130A具有小於約100 nm、小於約90 nm、小於約85 nm或小於80 nm之實體厚度。

如前所述，製品100之實施例經配置，使得抗反射塗層120之此等層中之一或多者的實體厚度減至最小。在一或多個實施例中，高RI層130B及/或低RI層130A之實體厚度減至最小，使得此等層總共小於500 nm。在一或多個實施例中，高RI層130B、低RI層130A及任何封蓋層131之組合實體厚度小於500 nm、小於490 nm、小於480 nm、小於475 nm、小於470 nm、小於460 nm、小於約450 nm、小於440 nm、小於430 nm、小於425 nm、小於420 nm、小於410 nm、小於約400 nm、小於約350 nm、小於約300 nm、小於約250 nm或小於約200 nm，且全部總厚度值低於500 nm且高於10 nm。舉例而言，高RI層130B、低RI層130A及任何封蓋層131之組合實體厚度可為10 nm至490 nm，或10 nm至480 nm，或10 nm至475 nm，或10 nm至460 nm，或10 nm至450 nm，或10 nm至450 nm，或10 nm至430 nm，或10 nm至425 nm，或10 nm至420 nm，或10 nm至410 nm，或10 nm至400 nm，或10 nm至350 nm，或10 nm至300 nm，或10 nm至250 nm，或10 nm至225 nm，或10 nm至200 nm, 或15 nm至490 nm, 或20 nm至490 nm, 或25 nm至490 nm，或30 nm至490 nm，或35 nm至490 nm，或40 nm至490 nm，或45 nm至490 nm，或50 nm至490 nm，或55 nm至490 nm，或60 nm至490 nm，或65 nm至490 nm，或70 nm至490 nm，或75 nm至490 nm，或80 nm至490 nm，或85 nm至490 nm，或90 nm至490 nm，或95 nm至490 nm，或100 nm至490 nm，或10 nm至485 nm，或15 nm至480 nm，或20 nm至475 nm，或25 nm至460 nm，或30 nm至450 nm，或35 nm至440 nm，或40 nm至430 nm，或50 nm至425 nm，或55 nm至420 nm，或60 nm至410 nm，或70 nm至400 nm，或75 nm至400 nm，或80 nm至390 nm，或90 nm至380 nm，或100 nm至375 nm，或110 nm至370 nm，或120 nm至360 nm，或125 nm至350 nm，或130 nm至325 nm，或140 nm至320 nm，或150 nm至310 nm，或160 nm至300 nm，或170 nm至300 nm，或175 nm至300 nm，或180 nm至290 nm，或190 nm至280 nm，或200 nm至275 nm。

在一或多個實施例中，高RI層130B之組合實體厚度可特性化。舉例而言，在一些實施例中，高RI層130B之組合實體厚度可為約90 nm或更大、約100 nm或更大、約150 nm或更大、約200 nm或更大、約250 nm或更大或約300 nm或更大，但小於500 nm。此組合實體厚度是抗反射塗層120中之個別高RI層130B之實體厚度的計算組合，即使在存在介入低RI層130A或其他層時。在一些實施例中，亦可包含高硬度材料（例如，氮化物或氮氧化物）的高RI層130B之組合實體厚度可大於抗反射塗層之總實體厚度（或，替代地，在體積之上下文中提及）的30%。舉例而言，高RI層130B之組合實體厚度（或體積）可為抗反射塗層120之總實體厚度（或體積）的約30%或更大、約35%或更大、約40%或更大、約45%或更大、約50%或更大、約55%或更大，或甚至約60%或更大。

在一些實施例中，當在抗反射表面122處量測時（例如，當例如經由在耦接至吸收體的後表面上使用指數匹配油或其他已知方法自製品100之未塗佈後表面（例如，第1圖中之114）移除反射時），抗反射塗層120在光學波長區間上展現1%或更小、0.9%或更小、0.8%或更小、0.7%或更小、0.6%或更小、0.5%或更小、0.4%或更小、0.3%或更小、0.25%或更小或0.2%或更小之光平均光反射率。在一些例子中，抗反射塗層120在例如約450 nm至約650 nm、約420 nm至約680 nm、約420 nm至約700 nm、約420 nm至約740 nm、約420 nm至約850 nm或約420 nm至約950 nm之其他波長範圍中可展現此平均光反射率。在一些實施例中，抗反射表面122在光學波長區間上展現約90%或更大、92%或更大、94%或更大、96%或更大或98%或更大之光平均光透射率。除非另有規定，否則平均反射率或透射率是在0度之入射照明角下量測（然而，此等量測可在45度或60度之入射照明角下提供）。

製品100可包括安置於抗反射塗層120上之一或多個額外塗層140，如第3圖所示。在一些實施例中，額外塗層140亦為抗反射塗層，例如，具有小於1%之單側光平均反射率。亦應理解，第3圖中所描繪之一或多個額外塗層140亦可以類似方式在第2A圖至第2C圖中所示的製品100之實施例中所使用之抗反射塗層120、光學膜結構120及/或封蓋層131上方使用。

在一或多個實施例中，額外塗層140亦可包括易清潔塗層。合適之易清潔塗層之實例描述於在2012年11月30日申請的題為「用於製造具有光學及易清潔塗層之玻璃製品的製程(PROCESS FOR MAKING OF GLASS ARTICLES WITH OPTICAL AND EASY-TO-CLEAN COATINGS)」之美國專利申請案第13/690,904號中，此案以全文引用之方式併入本文中。易清潔塗層可具有在約5 nm至約50 nm之範圍內的實體厚度且可包括已知材料，例如，氟化矽烷。在一些實施例中，易清潔塗層可具有在以下範圍內的實體厚度：約1 nm至約 40 nm、約1 nm至約30 nm、約1 nm至約25 nm、約1 nm至約20 nm、約1 nm至約15 nm、約1 nm至約10 nm、約5 nm至約50 nm、約10 nm至約50 nm、約15 nm至約50 nm、約7 nm至約20 nm、約7 nm至約15 nm、約7 nm至約12 nm，或約7 nm至約10 nm，以及在此等範圍之間的所有範圍及子範圍。

額外塗層140可包括抗刮塗層。抗刮塗層中所使用之例示性材料可包括無機碳化物、氮化物、氧化物、類鑽材料或此等材料之組合。抗刮塗層之合適材料之實例包括金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、金屬碳氧化物及/或其組合。例示性金屬包括B、Al、Si、Ti、V、Cr、Y、Zr、Nb、Mo、Sn、Hf、Ta以及W。可用於抗刮塗層中之材料的特定實例可包括Al₂ O₃ 、AlN、AlO_x N_y 、Si₃ N₄ 、SiO_x N_y 、Si_u Al_v O_x N_y 、鑽石、類鑽碳、Si_x C_y 、Si_x O_y C_z 、ZrO₂ 、TiO_x N_y 以及其組合。

在一些實施例中，額外塗層140包括易清潔材料與抗刮材料之組合。在一個實例中，此組合包括易清潔材料及類鑽碳。此等額外塗層140可具有在約5 nm至約20 nm之範圍內的實體厚度。額外塗層140之組成物可提供在單獨層中。舉例而言，類鑽碳材料可安置為第一層且易清潔材料可安置於類鑽碳之第一層上作為第二層。第一層及第二層之實體厚度可在上文關於額外塗層所提供之範圍內。舉例而言，類鑽碳之第一層可具有約1 nm至約20 nm或約4 nm至約15 nm（或更特別地，約10 nm）之實體厚度，且易清潔之第二層可具有約1 nm至約10 nm（或更特別地，約6 nm）之實體厚度。類鑽塗層可包括四面體非晶碳(Ta-C)、Ta-C:H及/或a-C-H。

本發明之又一態樣是關於一種用於形成本文中所描述之製品100（例如，如第1圖至第3圖所示）之方法。在一些實施例中，方法包括以下步驟：在塗佈室中提供具有主要表面之基板、在塗佈室中形成真空、在主要表面上形成具有約500 nm或更小之實體厚度的耐久之抗反射塗層、視情況在抗反射塗層上形成包含易清潔塗層及抗刮塗層中之至少一者的額外塗層，以及自塗佈室移除基板。在一或多個實施例中，抗反射塗層及額外塗層在同一個塗佈室中形成，或在不破壞真空之情況下在分離的塗佈室中形成。

根據本發明之另一態樣，提供用於形成本文中所描述的包括抗反射塗層120之光學膜130B之製品100的方法。方法包括以下步驟：在濺鍍腔室內提供包含對置之主要表面之基板；在基板之第一主要表面上方濺鍍光學膜，此光學膜包含約50 nm至約3000 nm之實體厚度及含矽氮化物或含矽氮氧化物；及自腔室移除光學膜及基板。在一些實施中，濺鍍是利用反應濺鍍製程、連線濺鍍製程或旋轉式金屬模式反應濺鍍製程進行，此等濺鍍製程中之每一者可利用適合特定製程之濺鍍設備、固定裝置及標靶進行，如一般熟習本發明之領域的技術者所理解。

在一或多個實施例中，方法可包括以下步驟：在載體上裝載基板，接著在裝載閘條件下使用此等載體將基板移動進出不同之塗佈室，使得真空在基板移動時被保留。

抗反射塗層120（例如，包括層130A、130B及131）及/或額外塗層140可使用各種沉積方法形成，此等沉積方法例如真空沉積技術、例如化學氣相沉積（例如，電漿增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition; PECVD)、低壓化學氣相沉積、大氣壓力化學氣相沉積以及電漿增強大氣壓力化學氣相沉積）、物理氣相沉積（例如，反應或無反應濺鍍或雷射剝蝕）、熱或電子束蒸發及/或原子層沉積。亦可使用基於液體之方法，例如噴塗或狹縫塗佈。在利用真空沉積之情況下，連線製程可用於在一次沉積處理中形成抗反射塗層120及/或額外塗層140。在一些例子中，真空沉積可藉由線性PECVD源進行。在方法及根據此方法製造的製品100之一些實施中，抗反射塗層120可使用濺鍍製程（例如，反應濺鍍製程）、化學氣相沉積(chemical vapor deposition; CVD)製程、電漿增強化學氣相沉積製程或此等製程之某一組合而製備。在一個實施中，包含低RI層130A及高RI層130B之抗反射塗層120可根據反應濺鍍製程而製備。根據一些實施例，製品100之抗反射塗層120（包括低RI層130A、高RI層130B及封蓋層131）是在旋轉鼓式塗佈機中使用金屬模式反應濺鍍製造。反應濺鍍製程條件係經由仔細實驗定義，以達成硬度、折射率、光學透明度、低色彩及受控膜應力之所要組合。

在先前方法之一些實施中，可利用濺鍍製程形成抗反射塗層120，包括其光學膜130B中之任一者。在氣相沉積、在此情況下濺鍍中形成的此等材料及膜之性質取決於許多製程及幾何參數。儘管精確的製程設定通常高度依賴於個別塗佈系統之特定細節，包括諸如樣本如何固持在固定裝置中、腔室之不同區段如何彼此屏蔽以將碎片及缺陷等減至最少等的細節，但可實施本發明之方法以定義在一系列不同塗佈系統、在此情況下一系列濺鍍系統中有用或較佳之製程條件及幾何形狀的範圍。舉例而言，投擲距離是濺鍍標靶與基板之間的實體距離，此距離可影響當在基板上沉積（生長）膜時的到達速率及與膜之電漿相互作用。此反過來可影響膜形態密度、硬度、化學性及光學特性。其他幾何效應及製程設定亦可經由變化之機制來影響膜性質。舉例而言，應用於濺鍍標靶之功率及濺鍍標靶之大小可影響電漿能量及轟炸濺鍍標靶之離子的能量，此能量與濺鍍離開標靶之原子及/或分子簇之能量相關，此反過來在標靶與基板之間的中轉及在原子及/或分子簇達到基板表面且沉積之後兩者中影響原子及/或分子簇之速度、反應性及可用於重新排列的能量。圓柱形濺鍍標靶在連續的連線及旋轉式金屬模式濺鍍塗佈系統兩者中使用，且通常在標靶長度及單位長度功率方面量化。相比而言，儘管平面濺鍍標靶可在全部種類之濺鍍系統中使用，但平面濺鍍標靶更一般地在盒型或實驗室規模濺鍍塗佈機中使用，且在標靶面積及單位面積功率方面量化。腔室壓力可影響標靶與基板之間的中轉中之濺鍍原子之原子碰撞，以及電漿能量、達到原子之能量及在膜形成於基板上時的氣體與膜之相互作用中的膜密度。功率頻率及脈衝亦對電漿能量、濺鍍之原子/分子能量等有重大影響，此等能量影響如上文所說明且為此項技術中已知的膜性質。動態沉積速率是量化一起產生基板上的時間及大小相依之膜沉積速率之多個製程及幾何參數之一種方式。基板溫度可影響膜生長速率以及可用於幫助原子/分子在基板表面上重新排列之能量，此是通常將高溫製程用於將膜密度及硬度最大化的原因。在較佳實施中，使用低溫製程(>350℃)，此是因為此等較低溫度允許在化學強化玻璃基板上沉積膜，而不減小經由諸如離子交換之製程在化學強化玻璃之表面中形成的有益壓縮應力。

根據形成本文中所描述的包括抗反射塗層120之光學膜130B之製品100的濺鍍方法（例如，反應、連線及旋轉式金屬模式）之一些實施，可調整且控制各種參數以最佳化且定製如此形成之光學結構的特定物理及光學性質。舉例而言，方法之實施例使用在約0.02 m至約0.3 m、約0.05 m至約0.2 m、約0.075 m至約0.15 m及在此等距離之間的所有濺鍍投擲距離之範圍內的濺鍍投擲距離。對於使用圓柱形濺鍍標靶之彼等濺鍍製程，此等標靶之長度可在約0.1 m至約4 m、約0.5 m至約2 m、約0.75 m至約1.5 m及在此等長度之間的所有標靶長度之範圍內。此外，圓柱形標靶可在約1 kW至約100 kW、約10 kW至約50 kW及其間的所有濺鍍功率值之濺鍍功率下使用。另外，圓柱形標靶可在標靶單位長度功率下使用，此標靶功率在約0.25 kW/m至約1000 kW/m、約1 kW/m至約20 kW/m及其間的所有單位長度功率值之範圍內。

根據形成本文中所描述的包括抗反射塗層120之光學膜130B之製品100的濺鍍方法（例如，反應、連線及旋轉式金屬模式）之另外實施，可調整且控制額外參數，以最佳化且定製如此形成之光學結構的特定物理及光學性質。舉例而言，方法之實施例可使用具有在以下範圍內之標靶總面積的平面濺鍍標靶：約100 cm² 至約20000 cm² ，或約500 cm² 至約5000 cm² ，及其間的所有面積值。此外，平面濺鍍標靶功率可設定在約1 kW至約100 kW、約10 kW至約50 kW及其間的所有濺鍍功率值之範圍內。另外，在如下範圍內的總面積之標靶功率下可使用平面標靶：約0.00005 kW/cm² 至約1 kW/cm² 、約0.0001 kW/cm² 至約0.01 kW/cm² ，及其間的所有總面積之功率值。更另外地，在如下範圍內的濺鍍面積之標靶功率下可使用平面標靶：約0.0002 kW/cm² 至約4 kW/cm² 、約0.0005 kW/cm² 至約0.05 kW/cm² ，及其間的所有濺鍍面積之功率值。

在形成本文中所描述的包括抗反射塗層120之光學膜130B之製品100的濺鍍方法（例如，反應、連線及旋轉式金屬模式）之其他實施中，可調整且控制各種其他參數，以最佳化且定製如此形成之光學結構的特定物理及光學性質。舉例而言，方法可使用在以下範圍內之動態沉積速率：約0.1 nm*(m/s)至約1000 nm*(m/s)、約0.5 nm*(m/s)至約100 nm*(m/s)、其間的所有沉積速率。作為另一實例，濺鍍腔室壓力可在以下範圍內：約0.5毫托至約25毫托、約2毫托至約15毫托、約2毫托至約10毫托、約4毫托至約12毫托、4毫托至約10毫托，以及在此等值之間的所有壓力。作為另一實例，方法可使用在如下範圍內之濺鍍電源頻率：約0 kHz至約200 kHz、約15 KHz至約75 kHz、約20 kHz至約60 kHz、約10 kHz至約50 kHz，及其間的所有功率頻率位準。

根據形成本文中所描述的包括抗反射塗層120之光學膜130B之製品100的濺鍍方法（例如，反應、連線及旋轉式金屬模式）之其他實施，可調整且控制包括濺鍍溫度、濺鍍標靶組成及濺鍍氣氛之其他參數，以最佳化且定製如此形成之光學結構的特定物理及光學性質。關於溫度，方法可使用小於300℃、小於250℃、小於220℃、小於200℃、小於150℃、小於125℃、小於100℃及低於此等值之所有濺鍍溫度的濺鍍溫度。關於濺鍍標靶組成，可使用呈半導體、金屬及基本形式之矽(Si)標靶。由於方法與氣氛有關，根據此等濺鍍製程可使用各種反應及非反應氣體，包括例如在一些實施例中併入至電漿中的氬氣、氮氣及氧氣。

另外，前述製程可用於塗佈具適合實驗室規模及製造規模製製程之各種大小的基板上方的此等膜及光學結構。舉例而言，合適之基板大小包括大於30 cm² 、大於50 cm² 、大於100 cm² 、大於200 cm² 或甚至大於400 cm² 之基板。

在一些實施例中，方法可包括以下步驟：控制抗反射塗層120（例如，包括其層130A、130B及131）及/或額外塗層140之實體厚度，使得實體厚度沿著抗反射表面122之區域之約80%或更多或在沿著基板區域之任何點處相對於每一層之目標實體厚度改變不超過約4%。在一些實施例中，抗反射層塗層120及/或額外塗層140之實體厚度受到控制，使得此實體厚度沿著約95%或更多的抗反射表面122之區域改變不超過約4%。

在第1圖至第3圖中所描繪的製品100之一些實施例中，抗反射塗層120之特性在於小於約+50 MPa（拉伸）至約-1000 MPa（壓縮）之殘餘應力。在製品100之一些實施中，抗反射塗層120之特性在於約-50 MPa至約-1000 MPa（壓縮）或約-75 MPa至約-800 MPa（壓縮）之殘餘應力。此外，根據一些實施，抗反射塗層120之一或多個光學膜130B之特性可在於約-50 MPa（壓縮）至約-2500 MPa（壓縮）、約-100 MPa（壓縮）至約-1500 MPa（壓縮）之殘餘應力及其間的所有殘餘應力值。除非另有說明，否則抗反射塗層120及/或其層或光學膜中之殘餘應力是藉由以下操作獲得：量測在沉積抗反射塗層120之前及之後的基板110之曲率，接著根據一般熟習本發明之領域之技術者已知且瞭解的原理根據史東納等式(Stoney equation)來計算殘餘膜應力。

本文中所揭示之製品100（例如，如第1圖至第3圖所示）可併入至裝置製品中，裝置製品例如具有顯示器之裝置製品（或顯示裝置製品）（例如，消費型電子設備，包括行動電話、平板、電腦、導航系統、可穿戴裝置（例如，手錶）及類似物）、擴增實境顯示器、平視顯示器、基於玻璃之顯示器、建築裝置製品、運輸裝置製品（例如，汽車、火車、飛機、海輪等）、用具裝置製品，或獲益於一定透明度、抗刮性、耐磨性或其組合之任何裝置製品。併有本文中所揭示之製品（例如，與第1圖至第3圖中所描繪之製品100一致）中之任一者的例示性裝置製品展示於第4A圖及第4B圖中。特別地，第4A圖及第4B圖展示消費型電子裝置400，此消費型電子裝置包括：外殼402，具有前表面404、後表面406及側表面408；電氣組件（未圖示），至少部分地在外殼內或全部在外殼內且至少包括控制器、記憶體及顯示器410，此顯示器處於或鄰近外殼之前表面；及蓋基板412，在外殼之前表面處或上方，使得蓋基板在顯示器上方。在一些實施例中，蓋基板412可包括本文中所揭示之此等製品中之任一者。在一些實施例中，外殼之部分或蓋玻璃中之至少一者包含本文中所揭示之製品。

根據一些實施例，製品100（例如，如第1圖至第3圖所示）可併入具有車輛內部系統之車輛內部內，如第5圖中所描繪。更特定而言，製品100可結合多種車輛內部系統使用。描繪車輛內部540，此車輛內部包括車輛內部系統544、548、552之三個不同實例。車輛內部系統544包括具有表面560之中心控制台底座556，此中心控制台底座包括顯示器564。車輛內部系統548包括具有表面572之儀錶盤底座568，此儀錶盤底座包括顯示器576。儀錶盤底座568通常包括亦可包括顯示器之儀錶面板580。車輛內部系統552包括具有表面588之儀錶盤轉向輪底座584及顯示器592。在一或多個實例中，車輛內部系統可包括底座，此底座是靠手、支柱、椅背、地板、頭靠、門板或包括表面的車輛之內部之任何部分。將理解，本文中所描述之製品100可在車輛內部系統544、548及552中之每一者中互換地使用。

根據一些實施例，製品100（例如，如第1圖至第3圖所示）可用於可以或不可與電子顯示器或電活動裝置整合之被動光學元件中，此被動光學元件例如透鏡、窗戶、燈罩、眼鏡或太陽鏡。

再次參看第5圖，顯示器564、576及592可各自包括外殼，此外殼具有前表面、後表面及側表面。至少一個電氣組件至少部分地處於外殼內。顯示元件處於或鄰近外殼之前表面。製品100（參見第1圖至第3圖）安置於顯示元件上方。將理解，如上文所解釋，製品100亦可在靠手、支柱、椅背、地板、頭靠、門板或包括表面的車輛之內部之任何部分上使用或結合靠手、支柱、椅背、地板、頭靠、門板或包括表面的車輛之內部之任何部分使用。根據各種實例，顯示器564、576及592可為車輛視覺顯示系統或車輛資訊系統。將理解，製品100可併入自主車輛之多種顯示器及結構組件中，且本文中提供的關於習知車輛之描述是非限制性的。 實例

將藉由以下實例來進一步闡明各種實施例。 實例1

藉由以下操作來形成實例1之如此製造的樣本（「實例1」）：提供具有69 mol.% SiO₂ 、10 mol.% Al₂ O₃ 、15 mol.% Na₂ O及5 mol.% MgO之標稱化學成分之玻璃基板，及在玻璃基板上沉積具有五(5)個層之抗反射塗層，如第2B圖及下面的表1中所示。使用反應濺鍍製程來沉積此實例中之此等如此製造的樣本中之每一者的抗反射塗層（例如，與本發明中概括之抗反射塗層120一致）。

假設實例1之模型化樣本（「實例1-M」）使用組成與此實例之如此製造的樣本中所使用之玻璃基板相同的玻璃基板。此外，假設此等模型化樣本中之每一者的抗反射塗層具有如下面的表1中所示之層材料及實體厚度。除非另有說明，否則在近垂直入射下量測對全部實例報告之光學性質。 表1：實例1之抗反射塗層屬性

元件符號 (參見第2B圖)	材料	折射率	實例 1-M	實例 1
厚度 (nm)
不適用	空氣	1.0
131	SiO2	1.48	84.7	86.0
130B	Six Ny	2.05	96.1	97.9
130A	SiO2	1.48	21.2	21.7
130B	Six Ny	2.05	20.3	20.1
130A	SiO2	1.48	25.0	25.0
110	玻璃基板	1.51
總厚度			247.3	250.7
反射之色彩	Y		0.35	0.28
L*		3.2	5.8
a*		-1.2	0.9
b*		-2.7	-5.7
硬度 (GPa)	@ 100 nm深度			10.6
	@ 500 nm深度			8.8
最大硬度 (100 nm至500 nm深度)	Hmax (GPa)			11.4
深度(nm)			147.0
膜應力	(MPa)			-466
表面粗糙度， Ra	(nm)			0.83

實例2

藉由以下操作來形成實例2之如此製造的樣本（「實例2」）：提供具有69 mol.% SiO₂ 、10 mol.% Al₂ O₃ 、15 mol.% Na₂ O及5 mol.% MgO之標稱化學成分之玻璃基板，及在玻璃基板上沉積具有五(5)個層之抗反射塗層，如第2B圖及下面的表2中所示。使用反應濺鍍製程來沉積此實例中之此等如此製造的樣本中之每一者的抗反射塗層（例如，與本發明中概括之抗反射塗層120一致）。

假設實例2之模型化樣本（「實例2-M」）使用組成與此實例之如此製造的樣本中所使用之玻璃基板相同的玻璃基板。此外，假設此等模型化樣本中之每一者的抗反射塗層具有如下面的表2中所示之層材料及實體厚度。 表2：實例2之抗反射塗層屬性

元件符號 (參見第2B圖)	材料	折射率	實例 2-M	實例 2
厚度 (nm)
不適用	空氣	1.0
131	SiO2	1.48	81.7	81.1
130B	Six Ny	2.05	119.0	117.8
130A	SiO2	1.48	33.3	32.7
130B	Six Ny	2.05	14.2	14.4
130A	SiO2	1.48	25.0	25.0
110	玻璃基板	1.51
總厚度			273.2	271.0
反射之色彩	Y		0.56	0.47
L*		5.1	6.4
a*		-1.5	-0.3
b*		-3.4	-3.7
硬度 (GPa)	@ 100 nm深度			11.1
	@ 500 nm深度			8.9
最大硬度 (100 nm至500 nm深度)	Hmax (GPa)			11.8
深度(nm)			135.0
膜應力	(MPa)			-521
表面粗糙度， Ra	(nm)			0.91

實例3

藉由以下操作來形成實例3之如此製造的樣本（「實例3」）：提供具有69 mol.% SiO₂ 、10 mol.% Al₂ O₃ 、15 mol.% Na₂ O及5 mol.% MgO之標稱化學成分之玻璃基板，及在玻璃基板上沉積具有五(5)個層之抗反射塗層，如第2B圖及下面的表3中所示。使用反應濺鍍製程來沉積此實例中之此等如此製造的樣本中之每一者的抗反射塗層（例如，與本發明中概括之抗反射塗層120一致）。

假設實例3之模型化樣本（「實例3-M」）使用組成與此實例之如此製造的樣本中所使用之玻璃基板相同的玻璃基板。此外，假設此等模型化樣本中之每一者的抗反射塗層具有如下面的表3中所示之層材料及實體厚度。 表3：實例3之抗反射塗層屬性

元件符號 (參見第2B圖)	材料	折射率	實例 3-M	實例 3
厚度 (nm)
不適用	空氣	1.0
131	SiO2	1.48	90.7	89.7
130B	Six Ny	2.05	70.0	69.9
130A	SiO2	1.48	23.3	21.5
130B	Six Ny	2.05	27.5	27.5
130A	SiO2	1.48	25.0	25.0
110	玻璃基板	1.51
總厚度			236.5	233.6
反射之色彩	Y		0.28	0.24
L*		2.5	2.9
a*		0.1	-0.9
b*		-3.1	-1.3
硬度 (GPa)	@ 100 nm深度			10.5
	@ 500 nm深度			8.9
最大硬度 (100 nm至500 nm深度)	Hmax (GPa)			10.7
深度(nm)			135.0
膜應力	(MPa)			-523
表面粗糙度， Ra	(nm)			0.83

實例3A

藉由以下操作來形成實例3A之如此製造的樣本（「實例3A」）：提供具有69 mol.% SiO₂ 、10 mol.% Al₂ O₃ 、15 mol.% Na₂ O及5 mol.% MgO之標稱化學成分之玻璃基板，及在玻璃基板上沉積具有五(5)個層之抗反射塗層，如第2B圖及下面的表3A中所示。使用反應濺鍍製程來沉積此實例中之此等如此製造的樣本中之每一者的抗反射塗層（例如，與本發明中概括之抗反射塗層120一致）。

假設實例3A之模型化樣本（「實例3-M」）使用組成與此實例之如此製造的樣本中所使用之玻璃基板相同的玻璃基板。此外，假設此等模型化樣本中之每一者的抗反射塗層具有如下面的表3A中所示之層材料及實體厚度。 表3A：實例3A之抗反射塗層屬性

元件符號 (參見第2B圖)	材料	折射 率	實例 3-M	實例 3A
厚度 (nm)
不適用	空氣	1.0
131	SiO2	1.48	90.7	90.8
130B	Six Ny	2.05	70.0	73.5
130A	SiO2	1.48	23.3	20.6
130B	Six Ny	2.05	27.5	27.4
130A	SiO2	1.48	25.0	25.0
110	玻璃基板	1.51
總厚度			236.5	237.4
反射之色彩	Y		0.28	0.24
L*		2.5	4.3
a*		0.1	0.7
b*		-3.1	-3.7
硬度 (GPa)	@ 100 nm深度			10.2
	@ 500 nm深度			8.8
最大硬度 (100 nm至500 nm深度)	Hmax (GPa)			10.5
深度(nm)			135.0
膜應力	(MPa)			-517
表面粗糙度， Ra	(nm)			0.85

實例4

藉由以下操作來形成實例4之如此製造的樣本（「實例4」）：提供具有69 mol.% SiO₂ 、10 mol.% Al₂ O₃ 、15 mol.% Na₂ O及5 mol.% MgO之標稱化學成分之玻璃基板，及在玻璃基板上沉積具有七(7)個層之抗反射塗層，如第2A圖及下面的表4中所示。使用反應濺鍍製程來沉積此實例中之此等如此製造的樣本中之每一者的抗反射塗層（例如，與本發明中概括之抗反射塗層120一致）。

假設實例4之模型化樣本（「實例4-M」）使用組成與此實例之如此製造的樣本中所使用之玻璃基板相同的玻璃基板。此外，假設此等模型化樣本中之每一者的抗反射塗層具有如下面的表4中所示之層材料及實體厚度。 表4：實例4之抗反射塗層屬性

元件符號 (參見第2A圖)	材料	折射 率	實例 4-M	實例 4
厚度 (nm)
不適用	空氣	1.0
131	SiO2	1.48	87.0	89.5
130B	Six Ny	2.05	135.1	136.1
130A	SiO2	1.48	9.3	9.2
130B	Six Ny	2.05	135.7	138.3
130A	SiO2	1.48	28.0	28.1
130B	Six Ny	2.05	19.7	19.9
130A	SiO2	1.48	25.0	25.0
110	玻璃基板	1.51
總厚度			439.7	446.1
反射之色彩	Y		0.41	0.39
L*		3.7	6.5
a*		-0.8	-3.0
b*		-4.0	-5.1
硬度 (GPa)	@ 100 nm深度			11.3
	@ 500 nm深度			10.3
最大硬度 (100 nm至500 nm深度)	Hmax (GPa)			13.5
深度(nm)			172.0
膜應力	(MPa)			-724
表面粗糙度， Ra	(nm)			1.00

實例5

藉由以下操作來形成實例5之如此製造的樣本（「實例5」）：提供具有69 mol.% SiO₂ 、10 mol.% Al₂ O₃ 、15 mol.% Na₂ O及5 mol.% MgO之標稱化學成分之玻璃基板，及在玻璃基板上沉積具有五(5)個層之抗反射塗層，如第2B圖及下面的表5中所示。使用反應濺鍍製程來沉積此實例中之此等如此製造的樣本中之每一者的抗反射塗層（例如，與本發明中概括之抗反射塗層120一致）。

假設實例5之模型化樣本（「實例5-M」）使用組成與此實例之如此製造的樣本中所使用之玻璃基板相同的玻璃基板。此外，假設此等模型化樣本中之每一者的抗反射塗層具有如下面的表5A中所示之層材料及實體厚度。 表5A：實例5之抗反射塗層屬性

元件符號 (參見第2B圖)	材料	折射率	實例 5-M	實例 5
厚度 (nm)
不適用	空氣	1.0
131	SiO2	1.48	82.2	81.9
130B	Six Ny	2.05	225.0	226.6
130A	SiO2	1.48	15.7	16.7
130B	Six Ny	2.05	28.2	27.9
130A	SiO2	1.48	25.0	25.0
110	玻璃基板	1.51
總厚度			376.0	378.0
反射之色彩	Y		0.80	0.77
L*		7.2	10.2
a*		-2.0	-1.2
b*		-4.4	-5.5
硬度 (GPa)	@ 100 nm深度			11.9
	@ 500 nm深度			9.7
最大硬度 (100 nm至500 nm深度)	Hmax (GPa)			13.7
深度(nm)			200.0
膜應力	(MPa)			-770
表面粗糙度， Ra	(nm)			0.99

實例5A

藉由以下操作來形成實例5A之如此製造的樣本（「實例5A」）：提供具有69 mol.% SiO₂ 、10 mol.% Al₂ O₃ 、15 mol.% Na₂ O及5 mol.% MgO之標稱化學成分之玻璃基板，及在玻璃基板上沉積具有五(5)個層之抗反射塗層，如第2B圖及下面的表5B中所示。使用反應濺鍍製程來沉積此實例中之此等如此製造的樣本中之每一者的抗反射塗層（例如，與本發明中概括之抗反射塗層120一致）。

假設實例5A之模型化樣本（「實例5-M」）使用組成與此實例之如此製造的樣本中所使用之玻璃基板相同的玻璃基板。此外，假設此等模型化樣本中之每一者的抗反射塗層具有如下面的表5A中所示之層材料及實體厚度。 表5B：實例5A之抗反射塗層屬性

元件符號 (參見第2B圖)	材料	折射率	實例 5-M	實例 5A
厚度 (nm)
不適用	空氣	1.0
131	SiO2	1.48	82.2	85.1
130B	Six Ny	2.05	225.0	220.9
130A	SiO2	1.48	15.7	19.6
130B	Six Ny	2.05	28.2	27.8
130A	SiO2	1.48	25.0	25.0
110	玻璃基板	1.51
總厚度			376.0	378.5
反射之色彩	Y		0.80	0.88
L*		7.2	9.4
a*		-2.0	-3.5
b*		-4.4	-2.5
硬度 (GPa)	@ 100 nm深度			10.9
	@ 500 nm深度			9.7
最大硬度 (100 nm至500 nm深度)	Hmax (GPa)			12.8
深度(nm)			172.0
膜應力	(MPa)			-78
表面粗糙度， Ra	(nm)			1.03

現在參看第6圖，提供實例1、實例2、實例3、實例4、實例5及實例5A之如此製造的製品的硬度對壓痕深度之曲線圖。第6圖中所示之資料是藉由對實例1至5A之樣本使用伯克維奇壓頭硬度測試而產生。如自第6圖顯而易見，硬度值在150至250 nm之壓痕深度處達到峰值。此外，實例4、實例5及實例5A之如此製造的樣本在100 nm及500 nm之壓痕深度處展現最高硬度值，且在100 nm至 500 nm之壓痕深度內展現最高最大硬度值。

現在參看第7圖，提供在近垂直入射下量測或針對近垂直入射估計的上文在實例1至實例5A中概述之樣本之第一表面的反射之色彩座標的曲線圖。如自第7圖顯而易見，在由來自實例中之每一者的如此製造且模型化之樣本展現的色彩座標之間存在相當好的關聯性。此外，由第7圖所示之樣本展現的色彩座標指示與本發明之抗反射塗層相關聯之有限色移。 實例6

實例6是針對兩組模型化樣本。特別地，假設實例6之模型化樣本（「實例3-M」及「實例6-M」）使用組成與此實例之如此製造的樣本中所使用之玻璃基板相同的玻璃基板。請注意，實例6中之實例3-M模型化樣本使用與實例3、即實例3-M中所使用之抗反射塗層相同的組態。然而，實例6-M樣本具有類似之抗反射塗層組態，但具有與基板接觸之較厚低RI層。更特定而言，假設此等模型化樣本中之每一者的抗反射塗層具有如下面之表6中所示的層材料及實體厚度。如自表6中所示資料顯而易見，與模型化樣本實例3-M相比，實例6-M樣本展現甚至更低之光平均反射率（即，Y值）。 表6：實例6之抗反射塗層屬性

元件符號 (參見第2B圖)	材料	折射 率	實例 3-M	實例 6-M
厚度 (nm)
不適用	空氣	1.0
131	SiO2	1.48	90.7	89.3
130B	Six Ny	2.05	70.0	70.0
130A	SiO2	1.48	23.3	26.3
130B	Six Ny	2..05	27.5	23.5
130A	SiO2	1.48	25.0	53.6
110	玻璃基板	1.51
總厚度			236.5	262.62
反射之色彩	Y		0.28	0.196
L*		2.5	1.8
a*		0.1	4.3
b*		-3.1	-5.2

現在參看第8圖，為自經受鋁氧鏡面分量除外(SCE)測試之樣本獲得的先前實例（具體言之實例1至實例5）之樣本提供SCE值之曲線圖。此外，亦報告來自比較製品（「比較實例1」）之SCE值，此比較製品包括與實例1至實例5中所使用之基板相同的基板且具有包含鈮氧化物及矽氧化物之習知抗反射塗層。顯著地，來自本發明之實例1至實例5之樣本（即，實例1至實例5）展現約0.2%或更小之SCE值，是針對比較樣本（比較實例1）報告之SCE值的三分之一（或更少）。如前所述，較低SCE值指示較不嚴重之磨損相關損傷。

現在參看第9圖，根據本發明，提供與高RI層130B一致的包含SiN_x 之高折射率層材料（即，適合如第2A圖及第2B圖所示之高RI指數層130B之材料）之硬度測試堆疊的硬度(GPa)對壓痕深度(nm)之曲線圖。顯著地，第9圖中之曲線圖是藉由對測試堆疊使用伯克維奇壓頭硬度測試而獲得，此測試堆疊包含與實例1至實例5A中之基板一致的基板及包含SiN_x 之具有約2微米之厚度的高指數RI層，以將本發明中較早所描述之基板及其他測試相關製品的影響減至最小。相應地，在第9圖中觀測到的2微米厚樣本上之硬度值指示本發明之抗反射塗層120中所使用的更薄之高RI層之實際固有材料硬度。 實例7

實例7是關於在玻璃基板上方形成光學膜，與第2C圖中所描繪之光學製品100一致。更特定而言，此實例之光學膜包含SiN_x 或SiO_x N_y 且是根據下文的表7中所描繪之製程參數根據旋轉式金屬模式濺鍍製程形成。在根據本發明中概述之旋轉式金屬模式濺鍍方法形成此等光學膜時，明顯地，在濺鍍腔室內，類金屬濺鍍在濺鍍標靶之區域中發生且對氮化物或氮氧化物之反應在感應耦合電漿(inductively coupled plasma；ICP)區域中發生。

如下文的表7中所說明，調整用於產生SiN_x 或SiO_x N_y 光學膜之旋轉式金屬模式濺鍍方法中的各種製程參數。此等參數包括：濺鍍標靶之數目、應用於每一標靶之功率(kW)、總標靶功率(kW)、濺鍍標靶處之氬氣(Ar)氣體流量(sccm)、ICP功率(kW)、ICP區域中之氬氣(Ar)氣體流量(sccm)、ICP區域中之氮氣(N₂ )氣體流量(sccm)以及ICP區域中之氧氣(O₂ )氣體流量(sccm)。如表7中亦說明，對此實例之光學膜量測各種性質。此等性質包括：如在550 nm下量測之折射率(n)；如在400 nm下量測之消光係數(k)；膜厚度(nm)；膜殘餘應力(MPa)，其中負值指示壓縮之殘餘應力；以及如在500 nm之深度處量測的伯克維奇硬度(GPa)。 表7：實例7的利用旋轉式金屬模式濺鍍製程製造之光學膜的性質及製程參數

	製程設定	量測之膜性質
光學膜	標靶之數目	至每一標靶之功率，kW	總標靶功率，kW	每標靶之Ar，sccm	ICP功率，kW	ICP Ar，sccm	ICP N2 ，sccm	ICP O2 ，sccm	550 nm下之(n)	400 nm下之(k)	膜厚度，nm	膜應力，MPa	500 nm下之硬度， GPa
SiOx Ny	4	8	32	110	3	80	200	20	2.034	6.04E-03	2144	-895	20.8
SiNx	4	7	28	480	4	80	200	0	2.014	7.50E-04	2000	-50	21.0
SiOx Ny	4	9	36	110	4	80	200	30	2.016	5.43E-03	2189	-886	21.2
SiOx Ny	4	8	32	110	3	80	200	10	2.087	9.30E-03	2108	-955	21.6
SiOx Ny	4	9	36	110	4	80	200	20	2.007	1.97E-03	2175	-906	21.7
SiOx Ny	4	9	36	110	4	80	200	20	2.058	8.22E-03	2173	-844	21.7
SiOx Ny	4	7	28	110	3	80	200	10	2.008	5.66E-04	2131	-876	21.8
SiOx Ny	4	8	32	110	4	80	250	20	2.002	6.27E-04	2041	-981	21.9
SiOx Ny	4	7	28	110	4	80	200	10	2.002	4.17E-04	2138	-941	22.0
SiOx Ny	4	6	24	110	4	80	200	10	2.016	5.62E-04	1953	-2448	22.2
SiOx Ny	4	8	32	110	4	80	200	10	2.018	8.28E-04	2130	-943	22.2
SiNx	4	6	24	110	4	80	200	0	2.053	6.36E-04	1560	-1135	22.5
SiOx Ny	3	7	21	110	3	80	200	5	2.040	9.39E-04	1841	-1141	22.5
SiNx	3	6	18	110	2	80	100	0	2.092	6.48E-03	2057	-930	22.7
SiNx	3	8	24	110	4	80	150	0	2.046	6.31E-04	1960	-1155	22.8
SiOx Ny	3	7	21	110	3	80	150	5	2.051	6.80E-04	1946	-1182	22.9
SiNx	3	7	21	110	3	80	200	0	2.034	4.58E-04	1866	-768	22.9
SiNx	4	7	28	180	4	80	200	0	2.058	8.25E-04	2000	-1000	25.0

實例8

實例8是關於在玻璃基板上方形成光學膜，與第2C圖中所描繪之光學製品100一致。更特定而言，此實例之光學膜包含SiN_x 且是根據下文的表8中所描繪之製程參數根據連線濺鍍製程形成。

如下文的表8中所說明，調整用於產生SiN_x 光學膜之連線濺鍍方法中的各種製程參數。此等參數包括：應用於標靶之功率(kW)、標靶之功率的頻率(kHz)、氬氣(Ar)氣體流量(sccm)、氮氣(N₂ )氣體流量(sccm)、氧氣(O₂ )氣體流量(sccm)（即，對於此實例中之所有膜，0 sccm）、氣體流量壓力（毫托）以及膜沉積速率（nm*m/分鐘）。如表8中亦說明，對此實例之光學膜量測各種性質。此等性質包括：光學膜厚度(nm)；如在550 nm下量測之折射率(n)；如在400 nm下量測之消光係數(k)；膜殘餘應力(MPa)，其中負值指示壓縮之殘餘應力；以及如自在每一膜之整個深度中獲得之硬度資料獲得的伯克維奇最大硬度(GPa)。 表8：實例8的利用連線濺鍍製程製造之光學膜的性質及製程參數

	製程設定	量測之膜性質
光學膜	功率 (kw)	功率ν，kHz	Ar流量，sccm	N2 流量，sccm	O2 流量，sccm	壓力，毫托	沉積速率， nm*m/分鐘	膜厚度，nm	550 nm下之(n)	400 nm下之(k)	膜應力，Mpa	最大硬度，Gpa
SiNx	36	45	785	490	0	9	104.8	466	2.035	4.18E-05	-257	22.4
SiNx	36	45	377	348	0	4.5	114.3	508	2.071	3.98E-05	-1208	19.4
SiNx	36	45	555	520	0	7.5	98.8	439	2.039	1.78E-03	-786	19.1
SiNx	36	25	360	450	0	4.5	98.1	436	2.044	1.00E-03	-1253	19.0
SiNx	36	45	475	438	0	6	102.8	457	2.046	3.70E-05	-1044	18.9
SiNx	36	45	620	580	0	9	91.7	407	2.032	4.58E-03	-619	18.6
SiNx	36	45	667	409	0	7.5	115.9	515	2.060	6.59E-05	-1115	18.6
SiNx	36	45	830	460	0	9	113.7	379	2.030	5.66E-03	-209	18.4
SiNx	30	45	555	520	0	7.5	97.4	512	2.035	4.27E-03	-833	18.3
SiNx	36	45	452	624	0	7.5	83.7	372	2.038	5.70E-03	-990	18.2
SiNx	36	45	875	400	0	9	124.4	711	2.045	3.03E-05	-160	18

實例9

實例9是關於在玻璃基板上方形成光學膜，與第2C圖中所描繪之光學製品100一致。更特定而言，此實例之光學膜包含SiN_x 且是根據使用單腔室之盒型濺鍍設備的反應濺鍍製程形成，如根據下文的表9中所描繪之製程參數進行。

如下文的表9中所說明，調整用於產生SiN_x 光學膜之連線濺鍍方法中的各種製程參數。此等參數包括：應用於標靶之功率(kW)、氬氣(Ar)氣體流量(sccm)、氮氣(N₂ )氣體流量(sccm)、氧氣(O₂ )氣體流量(sccm)（即，對於此實例中之所有膜，0 sccm）以及氣體流量壓力（毫托）。如表9中亦說明，對此實例之光學膜量測各種性質。此等性質包括：光學膜厚度(nm)；如在550 nm下量測之折射率(n)；如在300 nm下量測之消光係數(k)；膜殘餘應力(MPa)，其中負值指示壓縮之殘餘應力；如自在每一膜之整個深度中獲得之硬度資料獲得的伯克維奇最大硬度(GPa)；以及如在2 µm x 2 µm測試區上量測的每一膜之表面粗糙度(R_a ) (nm)。 表9：實例9的利用反應濺鍍製程製造之光學膜的性質及製程參數

	製程設定	量測之膜性質
光學膜	功率，kW	Ar流量， sccm	N2 流量， sccm	O2 流量， sccm	壓力，毫托	膜厚度，nm	550 nm下之(n)	300 nm下之(k)	膜應力，MPa	最大厚度 (Gpa)	Ra ，nm 2x2 µm量測區
SiNx	0.5	30	30	0	2	663	2.047	1.01E-04	-1722	21.1	0.917
SiNx	0.5	30	30	0	3	593	2.048	3.94E-04	-897	20.3	1.18
SiNx	0.5	30	30	0	4	557	2.027	1.11E-03	-286	19.5	1.48
SiNx	0.5	30	30	0	5	514	1.994	3.49E-03	-241	17.2	1.81

如本文中所使用，如一般熟習本發明之領域之技術者所理解的，本發明中之「AlO_x N_y 」、「SiO_x N_y 」及「Si_u Al_x O_y N_z 」材料包括根據下標「u」、「x」、「y」及「z」之特定數值及範圍所描述的各種氮氧化鋁、氮氧化矽及氮氧化矽鋁材料。即，通常用「整數公式」描述來描述固體，例如Al₂ O₃ 。亦通常使用等效「原子分數公式」描述來描述固體，例如Al_0.4 O_0.6 ，其等效於Al₂ O₃ 。在原子分數公式中，公式中之所有原子之總和為0.4 + 0.6 = 1，且公式中之Al及O之原子分數分別為0.4及0.6。原子分數描述在許多一般教科書中描述，且原子分數描述常常用於描述合金。參見例如：(i) Charles Kittel, Introduction to Solid State Physics, seventh edition, John Wiley & Sons, Inc., NY, 1996,pp. 611-627；(ii) Smart and Moore, Solid State Chemistry, An introduction, Chapman & Hall University and Professional Division, London, 1992, pp. 136-151；及(iii) James F. Shackelford, Introduction to Materials Science for Engineers, Sixth Edition, Pearson Prentice Hall, New Jersey, 2005, pp. 404-418。

再次參考本發明中之「AlO_x N_y 」、「SiO_x N_y 」及「Si_u Al_x O_y N_z 」材料，下標允許一般熟習此項技術者在不規定特定下標值的情況下將此等材料稱為一類材料。大體上關於例如氧化鋁之合金而言，在不規定特定下標值的情況下，吾人可稱之為Al_v O_x 。描述Al_v O_x 可表示Al₂ O₃ 或Al_0.4 O_0.6 。若選擇v + x總計為1（即，v + x = 1），則公式可為原子分數描述。類似地，可描述更複雜之混合物，例如Si_u Al_v O_x N_y ，其中再次，若總和u + v + x + y等於1，則吾人可具有原子分數描述情況。

再一次參考本發明中之「AlO_x N_y 」、「SiO_x N_y 」及「Si_u Al_x O_y N_z 」材料，此等表示法允許一般熟習此項技術者容易與此等材料及其他材料進行比較。即，原子分數公式在比較中有時更容易使用。舉例而言，由(Al₂ O₃ )_0.3 (AlN)_0.7 組成之示例合金幾乎等效於公式描述Al_0.448 O_0.31 N_0.241 以及Al₃₆₇ O₂₅₄ N₁₉₈ 。構成(Al₂ O_3)0.4 (AlN_)0.6 之另一示例合金幾乎等效於公式描述Al_0.438 O_0.375 N_0.188 及Al₃₇ O₃₂ N₁₆ 。原子分數公式Al_0.448 O_0.31 N_0.241 及Al_0.438 O_0.375 N_0.188 相對容易彼此進行比較。舉例而言，Al之原子分數減小0.01，O之原子分數增加0.065且N之原子分數減小0.053。將整數公式描述Al₃₆₇ O₂₅₄ N₁₉₈ 與Al₃₇ O₃₂ N₁₆ 進行比較需要更詳細之計算及考慮。因此，使用固體之原子分數公式描述有時是較佳的。儘管如此，通常使用Al_v O_x N_y ，此是因為此公式捕獲含有Al、O及N原子之任何合金。

關於光學膜80之先前材料（例如，AlN）中之任一者，如一般熟習本發明之領域之技術者所理解，下標「u」、「x」、「y」及「z」中之每一者可自0變至1，此等下標之總和將小於或等於一，且組合物之餘量是材料中之第一元素（例如，Si或Al）。另外，一般熟習本領域之技術者可認識到，「Si_u Al_x O_y N_z 」可經組態，使得「u」等於零且材料可描述為「AlO_x N_y 」。更進一步，光學膜80之先前組合物排除可導致純元素形式（例如，純矽、純鋁金屬、氧氣等）的下標之組合。最後，一般熟習此項技術者亦將認識到，先前組合物可包括未明確指示之其他元素（例如，氫），此可產生非化學計量組合物（例如，SiN_x 對Si₃ N₄ ）。相應地，光學膜之先前材料可指示根據先前組合物表示中的下標之值而定的SiO₂ -Al₂ O₃ -SiN_x -AlN或SiO₂ -Al₂ O₃ -Si₃ N₄ -AlN相圖內之可用空間。

實施例1. 提供一種光學膜結構，此光學膜結構包括：光學膜，包含約50 nm至約3000 nm之實體厚度及含矽氮化物或含矽氮氧化物。光學膜展現如在硬度堆疊上藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於18 GPa之最大硬度，此硬度堆疊包含安置於無機氧化物測試基板上的具有約2微米之實體厚度之測試光學膜，此測試光學膜具有與光學膜相同的組成。此外，光學膜展現在400 nm之波長下小於1 x 10^-2 之光學消光係數(k)及在550 nm之波長下大於1.8之折射率(n)。

實施例2. 如實施例1之製品，其中光學膜進一步包含在約-50 MPa（壓縮）至約-2500 MPa（壓縮）之範圍內的殘餘應力。

實施例3. 如實施例1之製品，其中光學膜進一步包含在約-100 MPa（壓縮）至約-1500 MPa（壓縮）之範圍內的殘餘應力。

實施例4. 如實施例1至3中任一者之製品，其中光學膜之實體厚度為約200 nm至約3000 nm，並且此外其中光學膜在沉積至玻璃基板上時展現小於3.0 nm之表面粗糙度(R_a )。

實施例5. 如實施例1至3中任一者之製品，其中光學膜之實體厚度為約200 nm至約3000 nm，並且此外其中光學膜在沉積至玻璃基板上時展現小於1.5 nm之表面粗糙度(R_a )。

實施例6. 如實施例1至5中任一者之製品，其中光學膜展現如在硬度測試堆疊上藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於20 GPa之最大硬度，此硬度測試堆疊包含安置於無機氧化物測試基板上的具有約2微米之實體厚度之測試光學膜，此測試光學膜具有與光學膜相同的組成，並且此外其中光學膜展現在400 nm之波長下小於5 x 10^-3 之光學消光係數(k)。

實施例7. 如實施例1至5中任一者之製品，其中光學膜展現如在硬度測試堆疊上藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於22 GPa之最大硬度，此硬度測試堆疊包含安置於無機氧化物測試基板上的具有約2微米之實體厚度之測試光學膜，此測試光學膜具有與光學膜相同的組成，並且此外其中光學膜展現在400 nm之波長下小於1 x 10^-3 之一學消光係數(k)。

實施例8. 提供一種光學製品，此光學製品包括：無機氧化物基板，包含對置之主要表面；及光學膜結構，安置於無機氧化物基板之第一主要表面上，此光學膜結構包含光學膜，光學膜包含約50 nm至約3000 nm之實體厚度及含矽氮化物或含矽氮氧化物。光學膜展現如在硬度測試堆疊上藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於18 GPa之最大硬度，此硬度測試堆疊包含安置於無機氧化物測試基板上的具有約2微米之實體厚度之測試光學膜，此測試光學膜具有與光學膜相同的組成。此外，光學膜展現在400 nm之波長下小於1 x 10^-2 之光學消光係數(k)及在550 nm之波長下大於1.8之折射率(n)。

實施例9. 如實施例8之製品，其中光學膜進一步包含在約-100 MPa（壓縮）至約-1500 MPa（壓縮）之範圍內的殘餘應力。

實施例10. 如實施例8或9之製品，其中光學膜之實體厚度為約200 nm至約3000 nm，並且此外其中光學膜在沉積至玻璃基板上時展現小於1.5 nm之表面粗糙度(R_a )。

實施例11. 如實施例8至10中任一者之製品，其中光學膜展現如在硬度測試堆疊上藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於20 GPa之最大硬度，此硬度測試堆疊包含安置於無機氧化物測試基板上的具有約2微米之實體厚度之測試光學膜，此測試光學膜具有與光學膜相同的組成，並且此外其中光學膜展現在400 nm之波長下小於5 x 10^-3 之光學消光係數(k)。

實施例12. 如實施例8至10中任一者之製品，其中光學膜展現如在硬度測試堆疊上藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於22 GPa之最大硬度，此硬度測試堆疊包含安置於無機氧化物測試基板上的具有約2微米之實體厚度之測試光學膜，此測試光學膜具有與光學膜相同的組成，並且此外其中光學膜展現在400 nm之波長下小於1 x 10^-3 之光學消光係數(k)。

實施例13. 提供一種光學製品，此光學製品包括：無機氧化物基板，包含對置之主要表面；及光學膜結構，安置於無機氧化物基板之第一主要表面上，此光學膜結構包含複數個光學膜。每一光學膜包含約50 nm至約3000 nm之實體厚度及含矽氧化物、含矽氮化物及含矽氮氧化物中之一者。包含含矽氮化物或含矽氮氧化物之每一光學膜展現如在硬度堆疊上藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於18 GPa之最大硬度，此硬度堆疊包含安置於無機氧化物測試基板上的具有約2微米之實體厚度之測試光學膜，此測試光學膜具有與包含含矽氮化物或含矽氮氧化物之每一光學膜相同的組成。此外，包含含矽氮化物或含矽氮氧化物之每一光學膜展現在400 nm之波長下小於1 x 10^-2 之光學消光係數(k)及在550 nm之波長下大於1.8之折射率(n)。

實施例14. 如實施例13之製品，其中此些光學膜包含至少一個光學膜，至少一個光學膜包含含矽氧化物、具有如在測試樣本上藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於5 GPa之最大硬度。

實施例15. 如實施例13或14之製品，此製品進一步包含：抗反射(AR)塗層，安置於基板之第一主要表面上方，此AR塗層具有小於1%之單側光平均反射率。

實施例16. 如實施例13至15中任一者之製品，其中製品展現反射率的約-10至+2之a*值及b*值，a*值及該b*值各自在近垂直入射照明角下在光學膜結構上量測。

實施例17. 如實施例13至16中任一者之製品，其中製品展現透射率的約-2至+2之a*值及b*值。

實施例18. 如實施例13至17中任一者之製品，其中製品展現如藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於10 GPa之最大硬度。

實施例19. 如實施例13至17中任一者之製品，其中製品展現如藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於14 GPa之最大硬度。

實施例20. 如實施例13至17中任一者之製品，其中製品展現如藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於16 GPa之最大硬度。

實施例21. 如實施例13至20中任一者之製品，其中無機氧化物基板包含選自由鈉鈣玻璃、鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃、含鹼硼矽酸鹽玻璃及鹼金屬鋁硼矽酸鹽玻璃組成之群組的玻璃。

實施例22. 如實施例13至21中任一者之製品，其中玻璃經化學增強且包含具有250 MPa或更大之峰值CS的壓縮應力(compressive stress; CS)層，此CS層在化學強化玻璃內自第一主要表面延伸至約10微米或更大之壓縮深度(depth of compression; DOC)。

實施例23. 提供一種製造光學膜之方法，此方法包括以下步驟：在濺鍍腔室內提供包含對置之主要表面之基板；在基板之第一主要表面上方濺鍍光學膜，光學膜包含約750 nm至約3000 nm之實體厚度及含矽氮化物或含矽氮氧化物；及自腔室移除光學膜及基板。此外，濺鍍是利用旋轉式金屬模式濺鍍製程進行，此旋轉式金屬模式濺鍍製程使用複數個濺鍍標靶、約10 kW至約50 kW之總濺鍍功率及每一標靶處的約50 sccm至約600 sccm之氬氣流動速率。

實施例24. 如實施例23之方法，其中光學膜包含約-50 MPa（壓縮）至約-2500 MPa（壓縮）之殘餘應力。

實施例25. 如實施例23或24之方法，其中光學膜展現如藉由伯克維奇壓頭硬度測試在500 nm之壓痕深度處量測的大於20 GPa之硬度。

實施例26. 如實施例23至25中任一者之方法，其中光學膜展現在400 nm之波長下小於1 x 10^-2 之光學消光係數(k)及在550 nm之波長下大於2.0之折射率(n)。

實施例27. 提供一種製造光學膜之方法，此方法包括以下步驟：在濺鍍腔室內提供包含對置之主要表面之基板；在基板之第一主要表面上方濺鍍光學膜，此光學膜包含約50 nm至約1000 nm之實體厚度及含矽氮化物或含矽氮氧化物；及自腔室移除光學膜及基板。此外，濺鍍是利用連線濺鍍製程進行，此連線濺鍍製程使用濺鍍標靶、約10 kW至約50 kW之濺鍍功率、約15 kHz至約75 kHz之濺鍍功率頻率、約200 sccm至約1000 sccm之氬氣流動速率及約2毫托至約10毫托之濺鍍腔室壓力。

實施例28. 如實施例27之方法，其中光學膜包含約-100 MPa（壓縮）至約-1500 MPa（壓縮）之殘餘應力。

實施例29. 如實施例27或28之方法，其中光學膜展現如在硬度測試堆疊上藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於18 GPa之最大硬度，此硬度測試堆疊包含安置於無機氧化物測試基板上的具有約2微米之實體厚度之測試光學膜，此測試光學膜具有與光學膜相同的組成。

實施例30. 如實施例27至29中任一者之方法，其中光學膜展現在400 nm之波長下小於1 x 10^-2 之光學消光係數(k)及在550 nm之波長下大於2.0之折射率(n)。

實施例31. 提供一種製造光學膜之方法，此方法包括以下步驟：在濺鍍腔室內提供包含對置之主要表面之基板；在基板之第一主要表面上方濺鍍光學膜，此光學膜包含約50 nm至約1000 nm之實體厚度及含矽氮化物或含矽氮氧化物；及自腔室移除光學膜及基板。此外，濺鍍是利用反應濺鍍製程進行，此反應濺鍍製程使用濺鍍標靶、約0.1 kW至約5 kW之濺鍍功率、約10 sccm至約100 sccm之氬氣流動速率及約1毫托至約10毫托之濺鍍腔室壓力。

實施例32. 如實施例31之方法，其中光學膜包含約-100 MPa（壓縮）至約-2000 MPa（壓縮）之殘餘應力。

實施例33. 如實施例31或32之方法，其中光學膜展現如在硬度測試堆疊上藉由伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之壓痕深度範圍中量測的大於16 GPa之最大硬度，此硬度測試堆疊包含安置於無機氧化物測試基板上的具有約2微米之實體厚度之測試光學膜，此測試光學膜具有與光學膜相同的組成。

實施例34. 如實施例31至33中任一者之方法，其中光學膜展現在300 nm之波長下小於1 x 10^-2 之光學消光係數(k)及在550 nm之波長下大於2.0之折射率(n)。

實施例35. 提供一種消費型電子產品，此消費型電子產品包括：外殼，包含前表面、後表面及側表面；電氣組件，至少部分地在外殼內，此等電氣組件包含控制器、記憶體及顯示器，顯示器處於或鄰近外殼之前表面；及蓋基板，安置於顯示器上方。此外，外殼之一部分或蓋基板中之至少一者包含實施例1至7之光學膜結構中之任一者的光學膜結構，或實施例8至22中之任一者的光學製品。

在實質上不背離本發明之精神及各種原理的情況下，可對本發明之上述實施例作出許多改變及修改。所有此等修改及改變在本文中意欲包括在本發明之範疇內且受以下申請專利範圍保護。舉例而言，本發明之各種特徵可根據以下實施例進行組合。

100:光學製品 110:無機氧化物基板 112:主要表面 114:主要表面 116:次要表面 118:次要表面 120:抗反射塗層/光學膜結構 120A:層 120B:層 120C:層 122:抗反射表面 130:週期 130A:光學膜/第一低RI層 130B:光學膜/第二高RI層 131:封蓋層 140:額外塗層 400:消費型電子裝置 402:外殼 404:前表面 406:後表面 408:側表面 410:顯示器 412:蓋基板 540:車輛內部 544:車輛內部系統 548:車輛內部系統 552:車輛內部系統 556:中心控制台底座 560:表面 564:顯示器 568:儀錶盤底座 572:表面 576:顯示器 580:儀錶面板 584:儀錶盤轉向輪底座 588:表面 592:顯示器

當參考附圖閱讀本發明之以下詳細描述時，將更好地理解本發明之此等及其他特徵、態樣及優點，在附圖中：

第1圖是根據一或多個實施例之製品之側視圖；

第2A圖是根據一或多個實施例之製品之側視圖；

第2B圖是根據一或多個實施例之製品之側視圖；

第2C圖是根據一或多個實施例之製品之側視圖；

第3圖是根據一或多個實施例之製品之側視圖；

第4A圖是併有本文中所揭示之製品中之任一者的例示性電子裝置之平面圖；

第4B圖是第4A圖之例示性電子裝置之透視圖；

第5圖是車輛內部之透視圖，車輛內部具有可併有本文中所揭示之製品中之任一者的車輛內部系統；

第6圖是本文中所揭示之製品的硬度對壓痕深度之曲線圖；

第7圖是在本文中所揭示之製品之近垂直入射下量測或針對本文中所揭示之製品之近垂直入射計算的第一表面之反射色彩座標之曲線圖；

第8圖是自經受鋁氧化物SCE測試的本發明之製品獲得及自包含鈮氧化物及矽氧化物之比較抗反射塗層獲得的鏡面分量除外(specular component excluded; SCE)值之曲線圖；

第9圖是根據一實施例之高折射率層材料之硬度測試堆疊的硬度對壓痕深度之曲線圖，高折射率層材料適合用於本發明之抗反射塗層及製品中。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:光學製品

110:無機氧化物基板

112:主要表面

114:主要表面

116:次要表面

118:次要表面

120:抗反射塗層/光學膜結構

120A:層

120B:層

120C:層

122:抗反射表面

Claims (35)

1. 一光學膜結構，包含： 一光學膜，包含約50 nm至約3000 nm之一實體厚度及一含矽氮化物或一含矽氮氧化物， 其中該光學膜展現如在一硬度測試堆疊上藉由一伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之一壓痕深度範圍中量測的大於18 GPa之一最大硬度，該硬度測試堆疊包含安置於一無機氧化物測試基板上的具有約2微米之一實體厚度之一測試光學膜，該測試光學膜具有與該光學膜相同的組成，並且 此外其中該光學膜展現在400 nm之一波長下小於1 x 10^-2 之一光學消光係數(k)及在550 nm之一波長下大於1.8之一折射率(n)。
2. 如請求項1所述之膜結構，其中該光學膜進一步包含在約-50 MPa（壓縮）至約-2500 MPa（壓縮）之範圍內的一殘餘應力。
3. 如請求項1所述之膜結構，其中該光學膜進一步包含在約-100 MPa（壓縮）至約-1500 MPa（壓縮）之範圍內的一殘餘應力。
4. 如請求項1至3中任一項所述之膜結構，其中該光學膜之該實體厚度為約200 nm至約3000 nm，並且此外其中該光學膜在沉積至一玻璃基板上時展現小於3.0 nm之一表面粗糙度(R_a )。
5. 如請求項1至3中任一項所述之膜結構，其中該光學膜之該實體厚度為約200 nm至約3000 nm，並且此外其中該光學膜在沉積至一玻璃基板上時展現小於1.5 nm之一表面粗糙度(R_a )。
6. 如請求項1至3中任一項所述之膜結構，其中該光學膜展現如在一硬度測試堆疊上藉由一伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之一壓痕深度範圍中量測的大於20 GPa之一最大硬度，該硬度測試堆疊包含安置於一無機氧化物測試基板上的具有約2微米之一實體厚度之一測試光學膜，該測試光學膜具有與該光學膜相同的組成，並且此外其中該光學膜展現在400 nm之一波長下小於5 x 10^-3 之一光學消光係數(k)。
7. 如請求項1至3中任一項所述之膜結構，其中該光學膜展現如在一硬度測試堆疊上藉由一伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之一壓痕深度範圍中量測的大於22 GPa之一最大硬度，該硬度測試堆疊包含安置於一無機氧化物測試基板上的具有約2微米之一實體厚度之一測試光學膜，該測試光學膜具有與該光學膜相同的組成，並且此外其中該光學膜展現在400 nm之一波長下小於1 x 10^-3 之一光學消光係數(k)。
8. 一種光學製品，包含： 一無機氧化物基板，包含對置之主要表面；以及 一光學膜結構，安置於該無機氧化物基板之一第一主要表面上，該光學膜結構包含一光學膜，該光學膜包含約50 nm至約3000 nm之一實體厚度及一含矽氮化物或一含矽氮氧化物， 其中該光學膜展現如在一硬度測試堆疊上藉由一伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之一壓痕深度範圍中量測的大於18 GPa之一最大硬度，該硬度測試堆疊包含安置於一無機氧化物測試基板上的具有約2微米之一實體厚度之一測試光學膜，該測試光學膜具有與該光學膜相同的組成，並且 此外其中該光學膜展現在400 nm之一波長下小於1 x 10^-2 之一光學消光係數(k)及在550 nm之一波長下大於1.8之一折射率(n)。
9. 如請求項8所述之製品，其中該光學膜進一步包含在約-100 MPa（壓縮）至約-1500 MPa（壓縮）之範圍內的一殘餘應力。
10. 如請求項8所述之製品，其中該光學膜之該實體厚度為約200 nm至約3000 nm，並且此外其中該光學膜在沉積至一玻璃基板上時展現小於1.5 nm之一表面粗糙度(R_a )。
11. 如請求項8至10中任一項所述之製品，其中該光學膜展現如在一硬度測試堆疊上藉由一伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之一壓痕深度範圍中量測的大於20 GPa之一最大硬度，該硬度測試堆疊包含安置於一無機氧化物測試基板上的具有約2微米之一實體厚度之一測試光學膜，該測試光學膜具有與該光學膜相同的組成，並且此外其中該光學膜展現在400 nm之一波長下小於5 x 10^-3 之一光學消光係數(k)。
12. 如請求項8至10中任一項所述之製品，其中該光學膜展現如在一硬度測試堆疊上藉由一伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之一壓痕深度範圍中量測的大於22 GPa之一最大硬度，該硬度測試堆疊包含安置於一無機氧化物測試基板上的具有約2微米之一實體厚度之一測試光學膜，該測試光學膜具有與該光學膜相同的組成，並且此外其中該光學膜展現在400 nm之一波長下小於1 x 10^-3 之一光學消光係數(k)。
13. 一種光學製品，包含： 一無機氧化物基板，包含對置之主要表面；以及 一光學膜結構，安置於該無機氧化物基板之一第一主要表面上，該光學膜結構包含複數個光學膜， 其中每一光學膜包含約5 nm至約3000 nm之一實體厚度，及一含矽氧化物、一含矽氮化物及一含矽氮氧化物中之一者， 其中包含一含矽氮化物或一含矽氮氧化物之每一光學膜展現如在一硬度測試堆疊上藉由一伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之一壓痕深度範圍中量測的大於18 GPa之一最大硬度，該硬度測試堆疊包含安置於一無機氧化物測試基板上的具有約2微米之一實體厚度之一測試光學膜，該測試光學膜具有與包含一含矽氮化物或一含矽氮氧化物之每一光學膜相同的組成，並且 此外其中包含一含矽氮化物或一含矽氮氧化物之每一光學膜展現在400 nm之一波長下小於1 x 10^-2 之一光學消光係數(k)及在550 nm之一波長下大於1.8之一折射率(n)。
14. 如請求項13所述之製品，其中該些光學膜包含至少一個光學膜，該至少一個光學膜包含一含矽氧化物、具有如在一測試樣本上藉由一伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之一壓痕深度範圍中量測的大於5 GPa之一最大硬度。
15. 如請求項13所述之製品，進一步包含： 一抗反射(AR)塗層，安置於該基板之該第一主要表面上方，該AR塗層具有小於1%之一單側光平均反射率。
16. 如請求項13所述之製品，其中該製品展現反射率的約-10至+2之a*值及b*值，該a*值及該b*值各自在一近垂直入射照明角下在該光學膜結構上量測。
17. 如請求項13所述之製品，其中該製品展現透射率的約-2至+2之a*值及b*值。
18. 如請求項13至17中任一項所述之製品，其中該製品展現如藉由一伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之一壓痕深度範圍中量測的大於10 GPa之一最大硬度。
19. 如請求項13至17中任一項所述之製品，其中該製品展現如藉由一伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之一壓痕深度範圍中量測的大於14 GPa之一最大硬度。
20. 如請求項13至17中任一項所述之製品，其中該製品展現如藉由一伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之一壓痕深度範圍中量測的大於16 GPa之一最大硬度。
21. 如請求項13至17中任一項所述之製品，其中該無機氧化物基板包含選自由一鈉鈣玻璃、鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃、含鹼硼矽酸鹽玻璃及鹼金屬鋁硼矽酸鹽玻璃組成之群組的一玻璃。
22. 如請求項13至17中任一項所述之製品，其中該玻璃經化學增強且包含具有250 MPa或更大之一峰值CS的一壓縮應力(CS)層，該CS層在該化學強化玻璃內自該第一主要表面延伸至約10微米或更大之一壓縮深度(DOC)。
23. 一種製造一光學膜結構之方法，該方法包含以下步驟： 在一濺鍍腔室內提供包含對置之主要表面之一基板； 在該基板之一第一主要表面上方濺鍍一光學膜，該光學膜包含約750 nm至約3000 nm之一實體厚度及一含矽氮化物或一含矽氮氧化物，及 自該腔室移除該光學膜及該基板， 其中該濺鍍是利用一旋轉式金屬模式濺鍍製程進行，該旋轉式金屬模式濺鍍製程使用複數個濺鍍標靶、約10 kW至約50 kW之一總濺鍍功率及每一標靶處的約50 sccm至約600 sccm之一氬氣流動速率。
24. 如請求項23所述之方法，其中該光學膜包含約-50 MPa（壓縮）至約-2500 MPa（壓縮）之一殘餘應力。
25. 如請求項23所述之方法，其中該光學膜展現如藉由一伯克維奇壓頭硬度測試在500 nm之一壓痕深度處量測的大於20 GPa之一硬度。
26. 如請求項23至25中任一項所述之方法，其中該光學膜展現在400 nm之一波長下小於1 x 10^-2 之一光學消光係數(k)及在550 nm之一波長下大於2.0之一折射率(n)。
27. 一種製造一光學膜結構之方法，該方法包含以下步驟： 在一濺鍍腔室內提供包含對置之主要表面之一基板； 在該基板之一第一主要表面上方濺鍍一光學膜，該光學膜包含約50 nm至約1000 nm之一實體厚度及一含矽氮化物或一含矽氮氧化物，及 自該腔室移除該光學膜及該基板， 其中該濺鍍是利用一連線濺鍍製程進行，該連線濺鍍製程使用一濺鍍標靶、約10 kW至約50 kW之一濺鍍功率、約15 kHz至約75 kHz之一濺鍍功率頻率、約200 sccm至約1000 sccm之一氬氣流量及約2毫托至約10毫托之一濺鍍腔室壓力。
28. 如請求項27所述之方法，其中該光學膜包含約-100 MPa（壓縮）至約-1500 MPa（壓縮）之一殘餘應力。
29. 如請求項27所述之方法，其中該光學膜展現如在一硬度測試堆疊上藉由一伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之一壓痕深度範圍中量測的大於18 GPa之一最大硬度，該硬度測試堆疊包含安置於一無機氧化物測試基板上的具有約2微米之一實體厚度之一測試光學膜，該測試光學膜具有與該光學膜相同的組成。
30. 如請求項27至29中任一項所述之方法，其中該光學膜展現在400 nm之一波長下小於1 x 10^-2 之一光學消光係數(k)及在550 nm之一波長下大於2.0之一折射率(n)。
31. 一種製造一光學膜結構之方法，該方法包含以下步驟： 在一濺鍍腔室內提供包含對置之主要表面之一基板； 在該基板之一第一主要表面上方濺鍍一光學膜，該光學膜包含約50 nm至約1000 nm之一實體厚度及一含矽氮化物或一含矽氮氧化物，及 自該腔室移除該光學膜及該基板， 其中該濺鍍是利用一反應濺鍍製程進行，該反應濺鍍製程使用一濺鍍標靶、約0.1 kW至約5 kW之一濺鍍功率、約10 sccm至約100 sccm之一氬氣流量及約1毫托至約10毫托之一濺鍍腔室壓力。
32. 如請求項31所述之方法，其中該光學膜包含約-100 MPa（壓縮）至約-2000 MPa（壓縮）之一殘餘應力。
33. 如請求項31所述之方法，其中該光學膜展現如在一硬度測試堆疊上藉由一伯克維奇壓頭硬度測試在約100 nm至約500 nm之一壓痕深度範圍中量測的大於16 GPa之一最大硬度，該硬度測試堆疊包含安置於一無機氧化物測試基板上的具有約2微米之一實體厚度之一測試光學膜，該測試光學膜具有與該光學膜相同的組成。
34. 如請求項31至33中任一項所述之方法，其中該光學膜展現在300 nm之一波長下小於1 x 10^-2 之一光學消光係數(k)及在550 nm之一波長下大於2.0之一折射率(n)。
35. 一種消費型電子產品，包含： 一外殼，包含一前表面、一後表面及側表面； 電氣組件，至少部分地在該外殼內，該等電氣組件包含一控制器、一記憶體及一顯示器，該顯示器處於或鄰近該外殼之該前表面；以及 一蓋基板，安置於該顯示器上方， 其中該外殼之一部分或該蓋基板中之至少一者包含如請求項1至3所述之光學膜結構中之任一者的光學膜結構，或如請求項8至10或請求項13至17中任一項所述之光學製品。

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