TW202012594A - 經塗覆之硫鋁酸鹽磷光體粒子 - Google Patents

經塗覆之硫鋁酸鹽磷光體粒子 Download PDF

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Abstract

本發明揭示硫鋁酸鹽磷光體粒子，其具有包含或基本上由氮化物組成之塗層，以及用於製成此類磷光體粒子之方法。磷光體轉換發光二極體可包含此類經塗覆之磷光體粒子。與氧化鋁塗層相比，該等硫鋁酸鹽磷光體粒子上之該等氮化物塗層提供對於水之顯著改良的障壁，且延長此種磷光體轉換發光二極體之操作壽命。

Description

經塗覆之硫鋁酸鹽磷光體粒子
本發明大體上係關於經塗覆之硫鋁酸鹽磷光體粒子，及係關於用於塗覆硫鋁酸鹽磷光體粒子之方法。
在過去幾年內，LED發光在節能發光同時實現高品質方面已得到巨大改良。LED發光之另一特徵為發光產品之極長使用壽命，通常具有大於25,000小時之L70 (光源將在其流明輸出下降至其初始輸出之70%之前操作的時間量)。相反地，現有光源LED替代物通常具有10,000小時之L70 (螢光發光)或在約1000小時災難性失效(白熾)。此長使用壽命為LED燈源中之所有組件之作用，但尤其是藍光或紫光發射二極體與下轉換磷光體材料之作用，該等磷光體材料吸收由二極體發射之光且將其轉換成其他顏色以完成可見光譜。當二極體退化時，LED變得不太亮，但保持其顏色平衡。然而，當磷光體退化時，LED通常變得不太亮且亦損失其顏色平衡。LED可呈現非白色調。根據使用者觀點，顏色偏移通常問題更大。
用於LED封裝之最常見架構為，將磷光體材料分散於聚矽氧基質中以形成漿液，且將此漿液沈積於亦包括發光二極體之反射杯區域中。封裝具有兩種類型之反射區域，一種為通常由塑料或陶瓷製成之漫反射表面，及另一種為由電接觸件形成之較強鏡面反射表面。通常，將鏡面反射表面用銀鍍覆以顯著地提高反射性且增加自封裝提取之光。
LED磷光體常常由主體中之活化劑離子(通常為二價銪或三價鈰)構成。活化劑離子直接吸收入射光且在製程(通常稱作下轉換)中發射較長波長之光。即，將入射光子自較高能量的藍色光子下轉換至較低能量的光子，諸如藍綠色、綠色、黃色、橙色或紅色。主體幫助調整活化劑之吸收及發射波長。另外，在活化劑周圍之主體之結晶度可在吸收及發射之效率中起巨大作用。
磷光體退化通常係歸因於在由LED產生之熱及光存在下水或氧氣的作用。對許多類型之磷光體塗覆層來防止自與磷光體接觸產生水或氧氣且從而促進退化已成為慣例通常，此等塗層為無機氧化物，且藉由液相(溶膠-凝膠)反應或氣相反應來沈積於磷光體上。
磷光體通常可經由三種機制退化。第一種，活化劑之氧化可消除其4f軌道至5d軌道之電荷轉移吸收，使其呈現不能夠吸收入射光。第二種，主體可化學上變形，從而改變活化劑之吸收及發射之能量。第三種，主體可物理上變形，從而損失活化劑周圍之結晶度，且降低活化劑之吸收及發射之效率。通常，針對主體之低溫化學變化亦將導致結晶度損失。此等退化之總體影響視主體在其原始或退化狀態中允許水或氧氣滲透至材料中的程度而定。舉例而言，相對於摻雜銪之鹼土正矽酸鹽磷光體，摻雜鈰之釔鋁石榴石磷光體材料之退化極為緩慢。
不同於幾乎構成商用磷光體之全部的氧化物及氮化物磷光體，基於硫化物之磷光體(例如，硫鋁酸鹽磷光體)添加額外的LED失效機制。與水之水解反應可自磷光體釋放硫，該磷光體可藉由例如使LED封裝中之反射表面失澤來使效能退化。此變黑可極大地降低磷光體轉換LED之光輸出。因此，未能適當地塗覆硫化物磷光體可能比未能適當地塗覆氧化物或氮化物磷光體產生更大問題。
有效塗覆硫化物磷光體之能力受到此等磷光體與其氧化物或氮化物類似物之間的表面化學反應之差異阻礙。
在本發明之一個態樣中，硫鋁酸鹽磷光體粒子具有包含以下、基本上由以下或由以下組成之塗層：氮化物。氮化物塗層可包含、基本上由以下或由以下組成：例如氮化鋁、氮化鎵或其混合物。與氧化鋁塗層相比，硫鋁酸鹽磷光體粒子上之氮化物塗層提供對於水之顯著改良的障壁。此改良可歸因於氮化物塗覆前驅體與來自不穩定硫化物磷光體表面之揮發氣體之無反應性。
在本發明之另一態樣中，揭示用於製備此類經氮化物塗覆之硫鋁酸鹽磷光體粒子之方法。
在本發明之又一態樣中，磷光體轉換LED包含此類經氮化物塗覆之硫鋁酸鹽磷光體粒子。
當結合首先簡短描述之附圖來參考本發明之以下較詳細描述時，本發明之此等及其他實施例、特徵及優勢將對熟習此項技術者變得更顯而易見。
相關申請案之交互參照
本申請案主張標題為「Coated Thioaluminate Phosphor Particles」且於2018年5月30日申請之美國專利申請案第15/993,116號的優先權益。美國專利申請案第15/993,116號主張標題為「Coated Thioaluminate Phosphor Particles」且於2018年5月17日申請之美國臨時專利申請案第62/672,729號的優先權益，且亦主張標題為「Phosphors With Narrow Green Emission」且於2018年5月17日申請之美國臨時專利申請案第62/673,044號的優先權益。本段中標識之專利申請案中之每一者以全文引用之方式併入本文中。
本申請案與標題為「Phosphors With Narrow Green Emission」且於2018年5月28日申請之美國專利申請案第15/990,378號相關，其以全文引用之方式併入本文中。
本申請案亦與標題為「Phosphors With Narrow Green Emission」且於2017年5月10日申請之美國專利申請案第15/591,629號相關，其以全文引用之方式併入本文中。
應參考圖式閱讀以下實施方式，該等圖式描繪選擇性實施例且不意欲限制本發明之範疇。實施方式藉助於實例而非限制之方式來說明本發明之原理。此描述將明確地使得熟習此項技術者能夠進行且使用本發明，且描述本發明之若干實施例、修改、變化形式、替代方式及用途，包括何為當前認為進行本發明之最佳模式。除非上下文另外明確指示，否則如本說明書及所附申請專利範圍中所使用，單數形式「一(a/an)」及「該(the)」包括複數個參考物。
硫化物磷光體可具有極吸引人之光譜特性。特定言之，許多硫化物磷光體之發射光譜可能極其窄，其特徵在於低於50 nm之半高全寬(FWHM)，且有時如25至30 nm小。此光譜窄度可在顯示器背光及一般發光應用中極其吸引人。
所關注之經二價稀土活化的硫化物磷光體包括RE1-w Aw Mx Ey ，其中RE可為一或多種稀土元素(例如，Eu或Gd)，A可為選自Mg、Ca、Sr或Ba之群的一或多種元素，M可為選自Al、Ga、B、In、Sc、Lu或Y之群的一或多種元素，E包含硫且可為選自S、Se、O及Te之群的一或多種元素，w大於或等於零，且小於或等於約0.99或小於或等於1.0，2≤x≤4，並且4≤y≤7。此類磷光體在本文中可稱為硫鋁酸鹽或硫鋁酸鈣磷光體。通常，其能夠吸收藍光或紫外光且作為回應發射具有在可見光譜之綠色區域中之值波長之光。
此等硫鋁酸鹽磷光體可與水反應以釋放H2 S，且將硫化物主體之一部分轉換為氧化物。此變化影響磷光體之光學特性，通常將吸收偏移為高得多之能量以及由於在活化劑中心周圍結晶度之降低而降低吸收及發射強度。
游離硫化物，諸如其可自硫化物磷光體之水解中釋放為H2 S或類似物質，可在一定程度上破壞封裝。在較高濃度下，其可抑制用於包封之聚矽氧之固化。此固化之抑制意謂，磷光體可在封裝內移動，從而偏移LED之色點；及自接觸件至晶粒之線接合不受保護，從而使得LED由於電連接之斷裂而更傾向於災難性失效。在較低濃度下，硫化物可隨時間推移進行反應以使電接觸墊之銀及自接觸件至晶粒之線接合之金腐蝕且變黑。若存在陽離子硫源(諸如SO2 )，則此後者退化機制亦可開始起作用，且可藉由電流流動穿過封裝時所存在之電化學勢能來加速。
所有此等機制縮短磷光體轉換LED燈源之壽命。
如上文所指出，眾所周知的是，塗覆磷光體粒子可抑制水進入磷光體之過程且阻礙其退化。塗覆之常見方法為藉由溶膠-凝膠製程產生二氧化矽層或藉由化學氣相沈積產生氧化鋁層。
在溶膠-凝膠製程中，使磷光體粒子懸浮於溶劑中。溶劑含有塗覆前驅體，且啟動反應以使該前驅體在磷光體粒子上形成為連續塗層。視系統而定，可在磷光體存在下啟動前驅體，或在引入磷光體之前將其啟動。作為實例，可將磷光體攪拌於四乙氧基矽烷(TEOS)之水溶液或乙醇溶液中。隨後可藉由添加氨水溶液以改變pH且加速矽烷之水解速率來啟動塗覆製程，從而在磷光體上形成二氧化矽塗層。已知前驅體之其他類型，諸如異丙醇鈦乙醇溶液及硝酸鋁水溶液。已知許多其他溶膠-凝膠化學反應且可利用該等化學反應。
化學氣相沈積製程通常在流化床中流化之粒子上執行。流化床之產生通常需要將磷光體粉末置放於在底部具有氣體可滲透但粉末不可滲透之膜或玻璃料的管柱中。粉末藉由氣體之向上力來懸浮，該向上力抵消重力之向下力。此流化使得能夠進入磷光體粒子之所有表面，該等表面可能不另外暴露於固態粉末中或甚至攪拌溶液中。第二氣體流可載運塗層之第二前驅體，且可將其傳送至流化區域之中部附近。在圖1中描繪實例經流化之粒子塗覆系統。
一個此類流化系統配置使用氬氣作為流化氣體，且在兩種獨立流中使氬氣鼓泡通入水中隨後向上穿過玻璃料且穿過三甲基鋁(TMA)隨後進入流化區域之中間。將此等反應物混合於流化區域中，且將該區域加熱至100℃至300℃。隨後進行TMA之水解以在磷光體粒子上形成非晶形氧化鋁塗層。可使用除氬氣之外的其他惰性載氣，例如氮氣。
亦可在逐層製程(有時稱作原子層沈積(ALD))中沈積氧化鋁塗層，其中用低濃度之水處理磷光體粒子以在該等粒子之表面上形成水/氫氧化物層，將反應腔室抽空以移除所有水，且隨後用低濃度之TMA填充，該TMA與自水中留下之表面羥基反應以形成氧化鋁層。將腔室再次抽空且用低濃度之水進行填充，且重複該步驟直至已沈積所需之層數。
塗層之準確厚度將部分由所使用之方法來決定；ALD將形成最薄塗層，CVD將形成較厚塗層，而溶膠-凝膠總體上將形成厚得多之塗層。
藉由不同溶膠-凝膠方法來塗覆硫鋁酸鹽磷光體材料的嘗試，由於磷光體之化學反應性，已導致磷光體材料之吸收及發射特性顯著退化。
藉由CVD/流化床方法或利用三甲基鋁及水之ALD方法來在硫鋁酸鹽磷光體材料上形成氧化鋁或氧化鋁加其他金屬氧化物塗層之嘗試更成功，原因在於材料在塗覆製程期間不展示完全退化。然而，此等塗覆方法不形成使磷光體材料能夠經受正常LED可靠性測試之障壁。
正常地，藉由觀測其在不同條件下一段時間內之流明維持及顏色偏移，作為經封裝之LED之部分測試磷光體。典型測試將為高溫操作壽命(HTOL)測試，其使LED在高溫下在測試爐中通電。HTOL測試之典型溫度為85℃及125℃，且典型持續時間為1008小時及6000小時。另一典型測試將為濕式高溫操作壽命(WHTOL)測試，其中LED可全時間通電，或可在高溫及經控制之高濕度下在測試爐中以規則間隔循環供電。WHTOL測試之典型條件為60℃/90%相對濕度(60/90)及85℃/85%相對濕度(85/85)，且典型持續時間為1008小時。成功標準可視執行測試之人而變化，但大體上在WHTOL測試1008小時之後流明維持應至少大於80%。即，結束時之亮度應為初始亮度之至少80%，且如藉由Δu'v' (如在自測試時間開始至測試時間結束的CIE 1976顏色空間中量測之色彩座標之變化)所量測之顏色偏移應至少小於0.007。
另外，藉由使磷光體粉末經受硝酸銀之溶液，可測試經塗覆之硫化物磷光體在硫中密封性塗覆之效果。溶液中之銀離子將與溶液尚未由塗層屏蔽之任何硫化物反應且形成黑色Ag2 S。此黑色沈澱一旦形成就易於可見，且其出現之時間可用作塗覆效果之量規。
舉例而言，經氧化鋁塗覆之摻雜銪的硫代鎵酸鍶(一種研究很好之磷光體)之一些樣品，在硝酸銀溶液中持續近似336小時並不變暗，且在60/90測試之1008小時後維持其初始亮度之近似80%。
對比而言，經氧化鋁塗覆之摻雜銪的硫鋁酸鈣之更穩固樣品中之一些在硝酸銀溶液中在近似20分鐘後變暗且僅在測試之168小時後未能維持其初始亮度之80%。
如圖2中所展示，藉由XPS，硫2p區域中之經氧化鋁塗層塗覆之硫代鎵酸鍶(STG)磷光體及經氧化鋁塗層塗覆之硫鋁酸鈣磷光體的分析展示可忽略的(若存在)STG之訊號，但硫鋁酸鈣磷光體之160與172 eV (大約3個原子%)之間的明顯強度。如由各種測試方法(硝酸銀溶液及經封裝之LED測試)所測定，預期此硫將與濕度反應且促使磷光體失效。推測，硫鋁酸鹽磷光體在塗覆製程期間揮發硫化物，隨後該硫化物不斷地與塗層之外層一起再沈積。
為了幫助測試關於硫在硫鋁酸鹽之塗層中之推測，藉由與質譜分析法耦合之熱解重量分析法(TGA-MS)來分析若干未經塗覆之硫鋁酸鈣磷光體。在此技術中，將樣品在流動氣體下加熱，監測其質量，且藉由質譜分析法來分析廢氣。特定言之，將硫鋁酸鈣磷光體(其經受若干種不同處理方案)在惰性氣體(氬氣)下加熱，且展示在至多約300℃之溫度下對應於H2 S之質量數34作為主要質量損失。實例資料集展示於圖3中。在圖3中亦展示：質量數44對應於CO2 或CH2 CHO，質量48對應於SO或CH3 SH，質量64對應於SO2 ，且質量66對應於H2 S2 。
此等分析指出硫鋁酸鹽磷光體表面之不相容性及用於沈積基於氧化物之塗層的化學性質。此不相容性出現係因為塗覆化學物質自表面揮發一些硫且將其作為塗層之一部分再沈積，從而為水創造連續反應途徑以滲透塗層且與磷光體材料反應/使磷光體材料降解。
由於在嘗試將氧化物塗層塗覆至硫鋁酸鈣磷光體中所發現之缺陷結果，對發明者而言變得顯而易見的是，需要在塗覆方法方面進行大量改變。發明者隨後開發一種涉及用氮化物層而非用氧化鋁塗覆硫鋁酸鹽磷光體材料之經改良之塗覆方法。例如，氮化鋁、氮化鎵及兩者之混合物可適合於此類塗層。在此製程中，純氨氣或具有惰性氣體之氨氣用作流化氣體且三甲基鋁可用作鋁源以沈積氮化鋁層。或者，三甲基鎵可取代三甲基鋁以沈積氮化鎵層而非氮化鋁層。可在製程中藉由使用三甲基鋁及三甲基鎵二者來沈積經混合之氮化鋁及氮化鎵層。
另一塗層，諸如氧化鋁、二氧化矽或氧化鋁及二氧化矽，可藉由例如上文所描述之塗覆方法中之一者視情況添加於氮化鋁層上方。在一些變化形式中，在氮化鋁層下方可存在氧化物層，其在沈積氮化物塗層之前在洗滌磷光體粒子期間形成。因此，在一些變化形式中，在氮化物層上方及下方可存在氧化物或其他層。
下表1顯示一系列塗層試驗之資料，其全部均用相同磷光體批次進行。對於各塗覆實驗，此等資料為參考值、向反應器中裝入之磷光體之量、回收磷光體之量、在塗覆循環期間反應器保持之溫度、塗覆循環之持續時間、氬氣穿過三甲基鋁鼓泡器且進入反應器之流動速率(L/min)、無水氨進入反應器之流動速率(L/min)、所使用之氮氣與鋁前驅體之重量比及在反應器中相對於磷光體之量所形成的氮化鋁的理論量。
下表2顯示在塗覆之前且在塗層試驗中之每一者之後對於磷光體樣品的光譜資料。另外，一單獨批次之磷光體藉由ALD進行塗覆，且顯示在塗覆之前及塗覆之後樣品之光譜資料。
藉由使磷光體粉末經受上文所描述之硝酸銀溶液測試，來測試用氮化鋁或用Al2 O3 塗覆之硫鋁酸鹽樣品。在此等測試中，將幾毫克經塗覆之磷光體置放於小瓶中。將幾毫升0.01 M AgNO3 (aq) 添加至瓶中，且記錄當由裸眼觀測到由於形成銀硫化物而預定含量變黑時的時間。所記錄之時間為失效時間(TTF)，且給出塗覆效果之相對量規。下表3報導具有最佳Al2 O3 塗層的樣品、具有經ALD沈積之AlN塗層的樣品及具有CVD AlN塗層之兩個樣品失效的AgNO3 時間。在19分鐘之後，在最佳Al2 O3 塗層中觀測到變暗。經40分鐘，經ALD之AlN樣品已變暗。在3小時之後，在較早之經CVD的AlN (NBG20180326)樣品中觀測到變暗，而在4.5小時之後，在較晚之經CVD的AlN (NBG20180327)樣品中第一次觀測到變暗。
此等測試結果(例如，對於NBG20180327)展示，300℃之反應溫度足以在硫鋁酸鹽磷光體粒子上提供氮化鋁之障壁塗層，該障壁塗層比製備用於此研究之最佳氧化鋁塗層更有效。橫截面NBG20180327磷光體粒子之掃描電子顯微鏡術(SEM)及穿透式電子顯微鏡術展示，氮化鋁障壁塗層為多晶的且具有50-60 nm之厚度。藉由EDS來鑑別氮化鋁。用最佳氧化鋁塗層塗覆之橫截面硫鋁酸鹽磷光體粒子之掃描電子顯微鏡術(SEM)及穿透式電子顯微鏡術展示，氧化鋁塗層具有大於200 nm之厚度。
在額外測試中，將樣品附著至具有雙面膠帶之玻璃載片，浸沒於硝酸銀溶液中，且在幾個小時之過程內進行觀測。比較四個樣品：用Al2 O3 塗覆之硫化鋅，展示於圖4A中；用AlN塗覆之硫化鋅，展示於圖4B中；用此前所鑑別之最佳氧化鋁塗層塗覆之硫鋁酸鹽磷光體樣品NBG20180301，展示於圖4C中；及用AlN塗覆之相同磷光體批次的樣品(實例NBG20180327)，展示於圖4D中。在約8小時之後，比較樣品。具有氧化鋁塗層之硫化鋅展示不變暗，而經氮化鋁塗覆之硫化鋅展示一定百分比之變暗。具有氧化鋁塗層之磷光體樣品使少量綠光磷光體粒子留下，然而其幾乎已完全變暗(圖4C)，而經氮化鋁塗覆之樣品呈現小於一半變暗(圖4D)。
本發明之經氮化物塗覆之硫鋁酸鹽磷光體可以任何習知方式與激發源光學耦合。較常見方法中之一者為將綠光發射磷光體(諸如本文中所揭示之經氮化物塗覆之硫鋁酸鹽磷光體)與紅色磷光體及視情況選用之藍色及/或黃色磷光體組合。可將磷光體組合在一起，且隨後將其添加至包封物(諸如聚矽氧、環氧樹脂或一些其他聚合物)，或可在將磷光體添加至包封物期間將其組合。隨後可將裝載磷光體之包封物置於激發源，諸如發射紫外光、紫光或藍光之LED或雷射二極體之光學路徑中。一種常見方法為將一或多種磷光體之漿液沈積於含有LED晶粒之LED (發光二極體)封裝中。隨後使漿液固化，從而形成經包封之LED封裝。其他方法包括使包封物形成一種形狀或將包封物塗覆於可能已經呈特定形狀或隨後可形成特定形狀之基板上。另外，可將含有磷光體之包封物安置於光導之內部耦合區域上或其附近(例如，塗覆於其上)，或安置於光導(諸如意欲用於顯示器中的光導)之外部耦合區域上。或者，可將磷光體組合物以薄膜形式沈積於LED晶粒或另一基板上，且隨後光學耦合至光源。激發源與本發明之磷光體之組合可一般用於發光、壁龕發光應用、顯示器背光或其他發光應用中。 表1 塗層試驗資料
Figure 108117086-A0304-0001
 表2 光譜資料：
Figure 108117086-A0304-0002
 表3 耐AgNO3 性測試數據：
Figure 108117086-A0304-0003
本發明為說明性的且非限制性的。鑒於本發明，其他修改將對熟習此項技術者顯而易見，且意欲處於所附申請專利範圍之範疇內。
圖1展示磷光體粒子上之用於化學氣相沈積之實例流化床反應器的示意圖。 圖2展示兩種經塗覆之磷光體樣品在硫2p區域中的x射線光電子分析光譜。 圖3展示未經塗覆之硫鋁酸鈣磷光體之樣品的實例熱重量-質譜分析資料。 圖4A展示在AgNO3 測試之後用Al2 O3 塗覆之ZnS樣品的顯微鏡影像。 圖4B展示在AgNO3 測試之後用AlN塗覆之ZnS樣品的顯微鏡影像。 圖4C展示在AgNO3 測試之後用Al2 O3 塗覆之硫鋁酸鈣磷光體粒子的顯微鏡影像。 圖4D展示在AgNO3 測試之後用AlN塗覆之硫鋁酸鈣磷光體粒子的顯微鏡影像。

Claims (25)

  1. 一種發光物質組合物，其包含： 硫化物磷光體材料之粒子，其包含稀土活化劑離子；及 各粒子上之氮化物塗層。
  2. 如請求項1之發光物質組合物，其中該氮化物塗層包含氮化鋁。
  3. 如請求項1之發光物質組合物，其中該氮化物塗層基本上由氮化鋁組成。
  4. 如請求項1之發光物質組合物，其中該氮化物塗層包含氮化鎵。
  5. 如請求項1之發光物質組合物，其中該氮化物塗層基本上由氮化鎵組成。
  6. 如請求項1之發光物質組合物，其中該硫化物磷光體材料能夠吸收藍光、紫光或紫外光且作為回應發射峰波長在可見光譜之綠光區域中之光。
  7. 如請求項1之發光物質組合物，其中該氮化物塗層直接地安置於該硫化物磷光體材料上。
  8. 如請求項1之發光物質組合物，其中各粒子包含安置於該硫化物磷光體材料與該氮化鋁塗層之間的氧化物層。
  9. 如請求項1之發光物質組合物，其中各粒子包含安置於該氮化物塗層上之至少第二塗層。
  10. 如請求項9之發光物質組合物，其中該第二塗層包含至少一種氧化物。
  11. 如請求項1之發光物質組合物，其中該硫化物磷光體材料之特徵在於式RE1-w Aw Mx Ey ，其中： RE為稀土元素或稀土元素之混合物； A係選自由以下組成之群：鎂、鈣、鍶、鋇及其混合物； M係選自由以下組成之群：鋁、鎵、硼、銦、鈧、鎦、釔及其混合物； E包含硫且係選自由以下組成之群：硫、硒、氧、碲及其混合物； 0≤w≤1.0； 2≤x≤4；及 4≤y≤7。
  12. 如請求項11之發光物質組合物，其中該氮化物塗層包含氮化鋁。
  13. 如請求項11之發光物質組合物，其中該氮化物塗層基本上由氮化鋁組成。
  14. 如請求項13之發光物質組合物，其中該氮化物塗層直接地安置於該硫化物磷光體材料上。
  15. 如請求項13之發光物質組合物，其中各粒子包含安置於該硫化物磷光體材料與該氮化鋁塗層之間的氧化物層。
  16. 一種發光裝置，其包含： 發光二極體，其發射一次光；及 硫化物磷光體材料之粒子，其包含稀土活化劑離子； 其中該硫化物磷光體材料能夠吸收該一次光之至少一部分且作為回應發射二次光，該二次光具有長於該一次光之波長的波長，且該硫化物磷光體材料之各粒子包含氮化物塗層。
  17. 如請求項16之發光裝置，其中該氮化物塗層包含氮化鋁。
  18. 如請求項16之發光裝置，其中該氮化物塗層基本上由氮化鋁組成。
  19. 如請求項16之發光裝置，其中該氮化物塗層包含氮化鎵。
  20. 如請求項16之發光裝置，其中該氮化物塗層基本上由氮化鎵組成。
  21. 如請求項16之發光裝置，其中該二次光具有在可見光譜之綠光區域中之峰波長。
  22. 如請求項21之發光裝置，其中該硫化物磷光體材料之特徵在於式RE1-w Aw Mx Ey ，其中： RE為稀土元素或稀土元素之混合物； A係選自由以下組成之群：鎂、鈣、鍶、鋇及其混合物； M係選自由以下組成之群：鋁、鎵、硼、銦、鈧、鎦、釔及其混合物； E包含硫且係選自由以下組成之群：硫、硒、氧、碲及其混合物； 0≤w≤1.0； 2≤x≤4；及 4≤y≤7。
  23. 如請求項22之發光裝置，其中RE為銪。
  24. 如請求項23之發光裝置，其中該一次光為藍光。
  25. 如請求項24之發光裝置，其中該二次光具有在可見光譜之綠光區域中之峰波長。
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