TW202006088A - 附電路基板加工體及附電路基板加工方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供附電路基板加工體及附電路基板加工方法，其可構築簡略且低成本之製程，對於TSV形成、基板背面配線步驟之步驟適合性高、熱製程抗性優異、薄型基板之生產性高。 該附電路基板加工體之特徵係於支撐體上可剝離地積層暫時接著材層，且該暫時接著材層係可剝離地積層於於表面具有電路面且應加工背面之附電路基板之表面的附電路基板加工體，暫時接著材層係由熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)所成，聚合物層(A)於硬化後，自支撐體進行界面剝離時之剝離力於180°剝離試驗中為10~500mN/25mm，且聚合物層(A)於硬化後，自附電路基板進行界面剝離時之剝離力於180°剝離試驗中為50~1000mN/25mm。

Description

附電路基板加工體及附電路基板加工方法
本發明有關附電路基板加工體及附電路基板加工方法，尤其有關可有效獲得薄型附電路基板之附電路基板加工體及附電路基板加工方法。
3次元之半導體安裝對於用以實現更進一步之高密度、大容量化成為必須。所謂3次元安裝技術係使1個半導體晶片薄型化，進而藉由矽貫通電極(TSV：through silicon via)邊將其連線邊多層層合之半導體製作技術。為了實現此，必須對形成半導體電路之基板進行非電路形成面(亦稱為「背面」)研削而薄型化，進而對背面進行包含TSV之電極形成之步驟。以往，矽基板之背面研削步驟中，對於研削面之相反側貼附背面保護膠帶，而防止研削時之晶圓破損。然而，該膠帶之基材係使用有機樹脂膜，雖有柔軟性但相反地強度或耐熱性不充分，不適於進行TSV形成步驟或於背面之配線層形成步驟。
因此，提案經由接著層將半導體基板接合於矽、玻璃等之支撐體上，而可充分耐受背面研削、TSV或背面電極形成之步驟的系統。此時重要的是將基板接合於支撐體時之接著層。其必須可將基板無間隙地接合於支撐體且有耐受隨後步驟程度之充分耐久性，進而必須於最後可簡便地自支撐體剝離薄型晶圓。如此，由於最後剝離，故於本說明書中，將該接著層稱為暫時接著層(或暫時接著材層)。
作為迄今習知之暫時接著層與其剝離方法，提案有對含光吸收性物質之接著材照射高強度之光，使接著材層分解而自支撐體剝離接著材層之技術(專利文獻1)，及於接著材使用熱熔融性之烴系化合物，以加熱熔融狀態進行接合・剝離之技術(專利文獻2)。前者技術需要雷射等之昂貴裝置，且有每1片基板之處理時間變長等之問題。且後者之技術由於僅藉加熱控制故而簡便，但相反地由於在超過200℃之高溫之熱安定性不充分，故適用範圍狹小。進而該等暫時接著層亦不適於高階差基板之均一膜厚形成與對支撐體之完全接著。
又，提案有關於使用聚矽氧黏著劑於暫時接著材層之晶圓加工方法的技術(專利文獻3)。此方法係使用加成硬化型之聚矽氧黏著劑將基板接合於支撐體上，於剝離時浸漬於使聚矽氧樹脂溶解或分解之藥劑中而將基板與支撐體分離者。因此剝離需要非常長時間，難以適用於實際製造製程。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2004-64040號公報 [專利文獻2] 日本特開2006-328104號公報 [專利文獻3] 美國專利第7541264號公報
[發明欲解決之課題]
本發明係鑑於上述情況而完成者，其目的在於提供附電路基板加工體及附電路基板加工方法，其可構築簡略且低成本之製程，對於TSV形成、基板背面配線步驟之步驟適合性高，進而，對CVD之熱製程抗性優異，於附電路基板之研削等時並無產生附電路基板偏移之虞，支撐體乃至附電路基板之剝離容易，可自附電路基板無殘渣地剝離熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)，可提高薄型基板之生產性。 [用以解決課題之手段]
為了達成上述目的，本發明提供一種附電路基板加工體，其特徵係於支撐體上可剝離地積層暫時接著材層，且該暫時接著材層係可剝離地積層於於表面具有電路面且應加工背面之附電路基板之表面的依序由前述支撐體、前述暫時接著材層及前述附電路基板而成之附電路基板加工體， 前述暫時接著材層係由熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)所成， 積層於前述支撐體之前述聚合物層(A)於硬化後，自前述支撐體進行界面剝離時之剝離力於25mm寬試驗片之5mm/秒之180°剝離試驗中為10~500mN/25mm，且 積層於前述附電路基板之前述聚合物層(A)於硬化後，自前述附電路基板進行界面剝離時之剝離力於25mm寬試驗片之5mm/秒之180°剝離試驗中為50~1000mN/25mm。
此等附電路基板加工體由於具備具有由熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)所成之單層構造之暫時接著材層，故藉由該接著材層，容易實現附電路基板與支撐體之暫時接著，且即使使用高階差基板時，亦可以均一膜厚形成暫時接著材層。且，此等附電路基板加工體對於TSV形成、晶圓背面配線步驟之步驟適合性高，藉由使暫時接著層單層化而可構築簡單且低成本之製程，進而對CVD之熱製程耐性亦良好，於剝離前之薄型晶圓切斷之狀態亦可容易剝離，可提高薄型晶圓之生產性。又，本發明之熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)由於熱硬化後具有上述剝落剝離力，故於附電路基板之背面研削等並無產生附電路基板偏移之虞，即使暴露於高溫亦不剝離，支撐體或附電路基板之剝離容易，可自附電路基板無殘渣地剝離熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)。
且前述情況下，前述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)係含有下述成分之組成物的硬化物：(A-1) 1分子中具有2個以上烯基之有機聚矽氧烷，(A-2) 1分子中具有2個以上鍵結於矽原子之氫原子(Si-H基)之有機氫聚矽氧烷，及(A-3)鉑系觸媒，且該組成物含有以前述(A-2)成分中之Si-H基相對於前述(A-1)成分中之烯基的莫耳比為0.3至10之量。
作為用以形成具有前述剝落剝離力之熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)之熱硬化前組成物，舉例為包含此等(A-1)~(A-3)之組成物。
且前述(A-1) 1分子中具有2個以上烯基之有機聚矽氧烷較好包含以SiO4/2 表示之矽氧烷單位(Q單位)。
依據包含此等(A-1)之組成物的硬化物，由於成為具有上述剝落剝離力者故確實較佳。
又，較好前述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)係除了前述(A-1)成分、前述(A-2)成分、前述(A-3)成分以外，又含有(A-4)有機溶劑、(A-5)反應控制劑之任一者或其兩者之組成物的硬化物。
藉由於用以形成熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)之熱硬化前組成物含有(A-4)有機溶劑，而可調節組成物黏度，可調製能成為目的膜厚之溶液。且，藉由添加(A-5)反應控制劑，而可提高保存時之安定性。
又，前述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)之硬化物含有0.001~ 60.000莫耳%之以R1 R2 R3 SiO1/2 表示之矽氧烷單位(M單位)、10.000~ 99.999莫耳%之以R4 R5 SiO2/2 表示之矽氧烷單位(D單位)、0.000~0.005莫耳%之以R6 SiO3/2 表示之矽氧烷單位(T單位)、0.000~60.000莫耳%之以SiO4/2 表示之矽氧烷單位(Q單位)(但，R1 ~R6 分別表示未取代或經取代之1價烴基)。
依據熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)硬化後成為此等膜，而可滿足期望之彈性模數。
且該情況下，前述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)之硬化物於25℃下之儲存彈性模數為1×106 ~1×109 Pa。
依據熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)硬化後成為此等彈性模數之膜，由於可充分耐受附電路基板薄型化之研削步驟，由於基板之翹曲變小故於步驟中不易發生難對應至裝置等之問題，故而較佳。
又，本發明提供一種附電路基板加工方法，其特徵係包含 (a)準備前述附電路基板加工體之步驟， (b)使前述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)熱硬化之步驟， (c)研削或研磨前述附電路基板的背面之步驟， (d)對前述附電路基板的背面實施加工之步驟， (e)自前述附電路基板加工體分離前述支撐體之步驟，及 (f)自已分離前述支撐體之前述附電路基板加工體分離前述聚合物層(A)之硬化膜，僅取出前述附電路基板之步驟。
又，本發明提供一種附電路基板加工方法，其特徵係包含 (a)準備前述附電路基板加工體之步驟， (b)使前述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)熱硬化之步驟， (c)研削或研磨前述附電路基板的背面之步驟， (d)對前述附電路基板的背面實施加工之步驟， (g)自前述附電路基板加工體一體分離前述支撐體與前述聚合物層(A)，僅取出前述附電路基板之步驟。
依據此等附電路基板加工方法，由於附電路基板與支撐體之接合中使用本發明之單層暫時接著材層，故使用該暫時接著材層，可容易製造具有貫通電極構造或凸塊連接構造之薄型晶圓(薄型附電路基板)。且，依據此等剝離步驟，可容易自經施以加工之附電路基板剝離支撐體。
又，該情況下，前述步驟(a)中作為準備附電路基板加工體之步驟，較好包含 (a-1)於前述支撐體上積層前述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)之未硬化組成物層之步驟，及 (a-2)經由前述聚合物層(A)之未硬化組成物層貼合前述支撐體與前述附電路基板之步驟。
又該情況下，前述步驟(a)中作為準備附電路基板加工體之步驟，較好包含 (a-3)於前述附電路基板上積層前述聚合物層(A)之未硬化組成物層之步驟，及 (a-4)經由前述聚合物層(A)之未硬化組成物層貼合前述附電路基板與前述支撐體之步驟。
上述步驟(a)中作為準備附電路基板加工體之步驟，舉例該等方法。 [發明效果]
本發明之附電路基板加工體中之暫時接著材層具有單層構造，由於藉單層處理即可完成，故可構築簡便且低成本之製程，藉由使用熱硬化性矽氧烷聚合物層作為暫時接著層，不產生樹脂之熱分解，當然亦不產生高溫時之樹脂流動，由於耐熱性高，故可適用於廣範圍之半導體成膜製程，對於具有階差之晶圓，亦可形成膜厚均一性高的接著材層，由於該膜厚均一性而可容易獲得50μm以下之均一薄型附電路基板，進而，製作薄型附電路基板後，可容易於室溫自支撐體剝離，故可容易地製造容易斷裂的薄型附電路基板。
以下更詳細說明本發明。 本發明人等為達成上述目的而進行積極檢討之結果，發現藉由成為使用由硬化後具有特定剝落剝離力之熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)所成之單層系的熱硬化性暫時接著層之附電路基板加工體，可簡單地製造具有貫通電極構造或凸塊連接構造之薄型附電路基板的附電路基板加工體及附電路基板加工方法。
如圖1所示，本發明之附電路基板加工體10係於支撐體1上可剝離地積層暫時接著材層2，且該暫時接著材層2可剝離地積層於於表面具有電路面且應加工背面之附電路基板3之表面的依序由前述支撐體1、前述暫時接著材層2、前述附電路基板3而成之附電路基板加工體。亦即，暫時接著材層2介隔於於表面具有電路面且應加工背面之附電路基板3與附電路基板3加工時支撐附電路基板3之支撐體1之間。本發明中，暫時接著材層2係由熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)所成。
＜暫時接著材層＞ -熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)- 本發明之附電路基板加工體之構成要素的熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)於硬化後(亦即，以聚合物層(A)積層於支撐體上之狀態硬化後)，具有如自支撐體界面剝離時之剝離力於25mm寬試驗片以5mm/秒上拉剝離之180°剝離試驗中為10~500mN/25mm，較好為30~500 mN/25mm，更好為50~200mN/25mm之剝落剝離力。本發明之熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)由於於硬化後自支撐體界面剝離時之剝離力為10mN以上，故於附電路基板之背面加工步驟等中不會剝離，由於為500mN以下，故容易將聚合物層(A)之硬化膜自支撐體剝離。
再者，本發明中，積層於附電路基板之聚合物層(A)於硬化後(亦即，以聚合物層(A)積層於附電路基板上之狀態硬化後)，具有如自附電路基板界面剝離時之剝離力於25mm寬試驗片以5mm/秒上拉剝離之180°剝離試驗中為50~1000mN/25mm，較好為70~1000mN/25mm，更好為80~500mN/25mm之剝落剝離力。本發明之熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)由於於熱硬化後自附電路基板界面剝離時之剝離力為50mN以上，故於附電路基板之背面加工步驟等中不會剝離，尤其即使通過高溫製程亦不產生剝離，由於為1000mN以下，故容易藉由膠帶將聚合物層(A)之硬化膜自附電路基板剝離。
為了形成具有此等剝落剝離力之熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)之熱硬化前組成物舉例為含有下述者， (A-1) 1分子中具有2個以上烯基之有機聚矽氧烷， (A-2) 1分子中具有2個以上鍵結於矽原子之氫原子(Si-H基)之有機氫聚矽氧烷，但為以(A-2)成分中之Si-H基相對於(A-1)成分中之烯基的莫耳比成為0.3至10之量， (A-3)鉑系觸媒。
又，亦可含有(A-4)有機溶劑、(A-5)反應控制劑之任一者或其兩者作為任意成分，該情況下，(A-5)反應控制劑相對於前述(A-1)及前述(A-2)成分之合計100質量份，可為0~8.0質量份。
以下針對(A-1)~(A-5)成分加以說明。 (A-1)成分 (A-1)成分係1分子中具有2個以上烯基之有機聚矽氧烷，例如為1分子中含有2個以上烯基之直鏈狀或分支狀之二有機聚矽氧烷，或具有以SiO4/2 單位表示之矽氧烷單位(Q單位)之樹脂構造的有機聚矽氧烷。尤其較好為1分子中含有0.6mol%(烯基莫耳數/Si莫耳數)~9mol%之烯基的二有機聚矽氧烷，或樹脂構造之有機聚矽氧烷。
作為此等有機聚矽氧烷具體可舉例為下述式(1)、(2)、(3)所示者。該等可單獨使用1種，亦可混合2種以上使用。
Figure 02_image001
(式中，R7 分別獨立為不具有脂肪族不飽和鍵之1價烴基，X分別獨立為含有烯基之1價有機基，a為0~3之整數，m、n係2a+m成為1分子中烯基含量成為0.6mol%~9mol%之數，p、q係p+2成為1分子中烯基含量成為0.6mol%~9mol%之數，e分別獨立為1~3之整數，b、c、d係(c+d)/b成為0.3~3.0，d/(b+c+d)成為0.01~0.6之數)。
上述式中，作為R7 較好為碳原子數1~10之1價烴基，若例示，則為甲基、乙基、丙基、丁基等之烷基；環己基等之環烷基；苯基、甲苯基等之芳基等，特佳為甲基等之烷基或苯基。
作為X之含有烯基之1價有機基較好為碳原子數2~10之有機基，舉例為乙烯基、烯丙基、己烯基、辛烯基等之烯基；丙烯醯基丙基、丙烯醯基甲基、甲基丙烯醯基丙基等之(甲基)丙烯醯基烷基；丙烯醯氧基丙基、丙烯醯氧基甲基、甲基丙烯醯氧基丙基、甲基丙烯醯氧基甲基等之(甲基)丙烯醯氧基烷基；環己烯基乙基、乙烯氧基丙基等之含烯基之1價烴基，特別就工業上而言較好為乙烯基。
上述通式(1)中，a為0~3之整數，a若為1~3，則由於分子鏈末端經烯基封端，故反應良好，藉由此分子鏈末端烯基，可於短時間完成反應而較佳。再者，就成本面而言，a=1就工業上較佳。該含有烯基之二有機聚矽氧烷之性狀較好為油狀或生橡膠狀。該含有烯基之二有機聚矽氧烷可為直鏈狀亦可為分支狀。
上述通式(3)係具有SiO4/2 單位之樹脂構造的有機聚矽氧烷，式中e分別獨立為1~3之整數，但就成本面而言，e=1就工業上較佳。且，e之平均值與d/(b+c+d)之乘積較好為0.02~1.50，更好為0.03~1.0。該樹脂構造之有機聚矽氧烷較好作為溶解於有機溶劑之溶液而使用。
(A-2)成分 (A-2)成分為交聯劑，係1分子中具有至少2個，較好3個以上之鍵結於矽原子之氫原子(Si-H基)之有機氫聚矽氧烷。可使用直鏈狀、分支狀或環狀者。
前述(A-2)成分之有機氫聚矽氧烷之25℃下的黏度較好為1~5,000 mPa・s，更好為5~500mPa・s。該有機氫聚矽氧烷亦可混合2種以上。(A-2)成分之使用量係調配為(A-2)成分中之SiH基相對於(A-1)成分中之烯基量的莫耳比(SiH基/烯基)為0.3至10，特別是1.0~8.0之範圍。該SiH基與烯基之莫耳比若為0.3以上，則交聯密度亦不會變低，亦不會引起黏著劑層未硬化之問題。若為10以下，則亦不會使交聯密度過於變高，可獲得充分黏著力及觸黏。且，前述莫耳比若為10以下，則可增長處理液之可使用時間。
(A-3)成分 (A-3)成分係鉑系觸媒(亦即鉑族金屬觸媒)，舉例為例如氯化鉑酸、氯化鉑酸之醇溶液、氯化鉑酸與醇之反應物、氯化鉑酸與烯烴化合物之反應物、氯化鉑酸與含乙烯基之矽氧烷之反應物等。
前述(A-3)成分之添加量為有效量，通常相對於前述(A-1)及(A-2)成分之合計，作為鉑族金屬分計(質量換算)為1~5,000ppm，較好為5~ 2,000ppm。若為1ppm以上，則亦不會使矽氧暫時接著材組成物之硬化性降低，交聯密度亦不會降低，保持力亦不會降低。若為5,000ppm以下，則可增長處理浴之可使用時間。
(A-4)成分 (A-4)成分為有機溶劑。聚合物層(A)係將其熱硬化前樹脂組成物藉由旋轉塗佈、輥塗佈器等方法形成於支撐體上。藉由旋轉塗佈等之方法，於支撐體上形成聚合物層(A)時，樹脂較好作為溶液進行塗佈。此時使用之有機溶劑，若為可溶解(A-1)~(A-3)及(A-5)成分之溶劑，則未特別限制，但可較好地使用戊烷、己烷、環己烷、異辛烷、壬烷、癸烷、對-薄荷烷、蒎烯、異十二烷、檸檬烯等之烴系溶劑或矽氧系溶劑。溶劑之含量相對於樹脂100質量份，為10~900質量份，較好為25~400質量份，更好為40~300質量份。
(A-5)成分 (A-5)成分係反應控制劑，係未調合矽氧暫時接著材組成物或塗佈於基材時，為了於加熱硬化前使處理液不引起增黏或膠凝化而根據需要任意添加者。
作為具體例，舉例為3-甲基-1-丁炔-3-醇、3-甲基-1-戊炔-3-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、1-乙炔基環己醇、3-甲基-3-三甲基矽氧基-1-丁炔、3-甲基-3-三甲基矽氧基-1-戊炔、3,5-二甲基-3-三甲基矽氧基-1-己炔、1-乙炔基-1-三甲基矽氧基環己烷、雙(2,2-二甲基-3-丁炔氧基)二甲基矽烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-二乙烯基二矽氧烷等，較好為1-乙炔基環己醇及3-甲基-1-丁炔-3-醇。
前述(A-5)成分之調配量，通常相對於前述(A-1)及(A-2)成分之合計100質量份，若為0~8.0質量份之範圍即可，較好為0.01~8.0質量份，特佳為0.05~2.0質量份。若為8.0質量份以下，則矽氧暫時接著材組成物之硬化性亦不會降低，若為0.01質量份以上，則充分發揮反應控制效果。
且，該聚合物層(A)熱硬化前組成物溶液中，為了提高耐熱性可添加習知抗氧化材。
且，前述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)較好形成為膜厚為10~ 150μm之間而使用。膜厚若為10μm以上，則可使基板與支撐體無間隙地貼合，可充分耐受附電路基板之薄型化之研削加工，該聚合物層(A)之膜厚若為150μm以下，則於TSV形成步驟等之熱處理步驟中並無產生樹脂變形之虞，於實用上可耐受故而較佳。又，該熱硬化性矽氧烷中，為了更提高耐熱性，亦可添加50質量份以下之氧化矽等填料。
前述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)之硬化物較好含有0.001~ 60.000莫耳%之以R1 R2 R3 SiO1/2 表示之矽氧烷單位(M單位)、10.000~ 99.999莫耳%之以R4 R5 SiO2/2 表示之矽氧烷單位(D單位)、0.000~0.005莫耳%之以R6 SiO3/2 表示之矽氧烷單位(T單位)、0.000~60.000莫耳%之以SiO4/2 表示之矽氧烷單位(Q單位)，更好前述M單位含有0.001~ 35.000莫耳%，前述D單位含有30.000~ 99.999莫耳%，前述T單位含有0.000~ 0.001莫耳%，前述Q單位含有0.000~ 50.000莫耳%。
上述中，有機取代基R1 、R2 、R3 、R4 、R5 及R6 係非取代或取代之1價烴基，較好碳原子數1~10，具體甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、正戊基、環戊基、正己基等之烷基、環己基等之環烷基、苯基、甲苯基等之芳基等之烴基，該等氫原子之一部分或全部經鹵原子取代之基，特佳為甲基及苯基。
且熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)之硬化膜於25℃下之儲存彈性模數較好為1×106 ~1×109 Pa。
熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)若硬化後成為如此彈性模數之膜，則可充分耐受附電路基板之薄型化的研削步驟，由於基板翹曲變小，故不易發生無法對應於裝置等之問題，故而較佳。
-任意成分- 本發明所用之暫時接著劑中，除上述各成分以外可添加任意成分。可使用例如聚二甲基矽氧烷、聚二甲基二苯基矽氧烷等之非反應性聚有機矽氧烷；酚系、醌系、胺系、磷系、亞磷酸酯系、硫系、硫醚系等之抗氧化劑；***系、二苯甲酮系等之光安定劑；磷酸酯系、鹵系、磷系、銻系等之難燃劑；陽離子活性劑、陰離子活性劑、非離子系活性劑等之抗靜電劑；作為用以降低塗佈時之黏度之溶劑，可使用甲苯、二甲苯等之芳香族系溶劑、己烷、辛烷、異鏈烷等之脂肪族系溶劑、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等之酮系溶劑、乙酸乙酯、乙酸異丁酯等之酯系溶劑、二異丙醚、1,4-二噁烷等之醚系溶劑、或該等之混合溶劑等。
本發明之暫時接著材層係包含上述(A-1)~(A-3)，任意混合(A-4)、(A-5)作成接著溶液，或薄膜化而形成者。
＜附電路基板加工方法＞ 本發明之附電路基板加工方法之特徵係使用本發明之附電路基板加工體，進行具有半導體電路等之附電路基板之加工的方法，亦即作為附電路基板與支撐體之接著層係使用由上述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)之單層所成之暫時接著材層。藉由本發明之附電路基板加工方法所得之薄型化之附電路基板之厚度典型上為5~300μm，更典型為10~100μm。
本發明之附電路基板加工方法係包含 (a)準備本發明之附電路基板加工體之步驟， (b)使前述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)熱硬化之步驟， (c)研削或研磨前述附電路基板的背面之步驟， (d)對前述附電路基板的背面實施加工之步驟， (e)自前述附電路基板加工體分離前述支撐體之步驟，及 (f)自已分離前述支撐體之前述附電路基板加工體分離前述聚合物層(A)之硬化膜，僅取出前述附電路基板之步驟，或者包含 (a)準備本發明之附電路基板加工體之步驟， (b)使前述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)熱硬化之步驟， (c)研削或研磨前述附電路基板的背面之步驟， (d)對前述附電路基板的背面實施加工之步驟， (g)自前述附電路基板加工體一體分離前述支撐體與前述聚合物層(A)，僅取出前述附電路基板之步驟。
[步驟(a)] 步驟(a)係準備本發明之附電路基板加工體之步驟。該步驟係將於表面具有電路形成面且於背面具有電路非形成面之附電路基板之前述電路形成面，經由由熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)所成之暫時接著材層與支撐體接合，而製造、準備本發明之附電路基板加工體之步驟，且包含 (a-1)於前述支撐體上積層前述聚合物層(A)之未硬化組成物層之步驟，及 (a-2)經由前述聚合物層(A)之未硬化組成物層貼合前述支撐體與前述附電路基板之步驟，或包含 (a-3)於前述附電路基板上積層前述聚合物層(A)之未硬化組成物層之步驟，及 (a-4)經由前述聚合物層(A)之未硬化組成物層貼合前述附電路基板與前述支撐體之步驟。
(a-1)步驟或(a-3)步驟中，積層聚合物層(A)之未硬化組成物層時，可以薄膜形成於附電路基板或支撐體上，或者，可將個別溶液藉由旋轉塗佈器、狹縫塗佈器、噴霧塗佈器等之方法形成，較好使用旋轉塗佈法。該情況下，旋轉塗佈後，對應於其溶劑之揮發條件，於80 ~200℃之溫度，進行預烘烤後，供於使用。
(a-2)步驟或(a-4)步驟中，經由聚合物層(A)將支撐體與附電路基板接合之步驟，較好於40~200℃，更好於60~180℃之溫度區域，於該溫度下減壓(特別是真空下)，將該基板均一壓著，而形成附電路基板與支撐體接合之附電路基板加工體(積層體基板)。此時，作為晶圓貼合裝置，舉例為市售之晶圓接合裝置例如EVG公司之EVG520IS、850TB、SUSS公司之XBC300、東晶電子公司之SynapseV等。
具有電路形成面及電路非形成面之附電路基板為一面係電路形成面，另一面係電路非形成面之附電路基板。本發明可使用之附電路基板通常為半導體晶圓。作為該半導體晶圓之例，不僅為矽晶圓，亦可舉例為鍺晶圓、鎵-砷晶圓、鎵-磷晶圓、鎵-砷-鋁晶圓等。該晶圓厚度並未特別限制，典型上為600~800μm，更典型為625~775μm。
作為支撐體，可使用矽晶圓或玻璃板、石英晶圓等之基板而未特別限制。本發明中，並無必要通過支撐體對暫時接著材層照射放射能量線，故支撐體不需要為光透過性。
[步驟(b)] 步驟(b)係使前述聚合物層(A)熱硬化之步驟。形成附電路基板加工體(晶圓加工體、積層體基板)後，於120~250℃，較好140~200℃加熱10分鐘~4小時，較好加熱30分鐘~2小時，進行前述聚合物層(A)之硬化。
[步驟(c)] 步驟(c)係將與支撐體接合之附電路基板之背面(電路非形成面)進行研削或研磨之步驟，亦即將步驟(a)準備之附電路基板加工體之附電路基板背面側進行研削或研磨，使該附電路基板厚度變薄之步驟。附電路基板背面之研削加工方式並未特別限制，可採用習知研削方式。研削較好對附電路基板與研磨石(金剛石等)施加水邊冷卻邊進行。作為研削加工附電路基板背面之裝置舉例為例如DISCO(股)製DAG-810(商品名)等。又，亦可CMP研磨附電路基板背面側。
[步驟(d)] 步驟(d)係對研削電路非形成面之附電路基板加工體，亦即對藉由背面研削或背面研磨而薄型化之附電路基板之背面(電路非形成面)實施加工之步驟。該步驟包含以晶圓等級使用之各種製程。作為例舉例為電極形成、金屬配線形成、保護膜形成等。更具體而言，舉例為用以形成電極等之金屬濺鍍、蝕刻金屬濺鍍層之濕蝕刻、用以成為金屬配線形成之遮罩之光阻劑塗佈、曝光及顯影之圖型形成、光阻劑之剝離、乾蝕刻、金屬鍍敷形成、用以形成TSV之矽蝕刻、矽表面之氧化膜形成等之以往習知之製程。又，該等以外，亦可藉由切割等方法將經背面研削而薄型化之晶圓切斷為晶片尺寸。
[步驟(e)] 步驟(e)係將步驟(d)中施以加工之附電路基板加工體自支撐體分離之步驟，亦即，對薄型化之附電路基板施以各種加工後，自附電路基板加工體將支撐體剝離之步驟。該剝離步驟舉例為一般在室溫至60℃左右之比較低溫條件實施，將附電路基板加工體之附電路基板或支撐體之一者預先水平固定，另一者以距水平方向具有一定角度而拉起之方法，及於經研削之附電路基板之研削面貼上保護膜，將附電路基板與聚合物層(A)與保護膜一體以剝離方式自附電路基板加工體剝離之方法等。
本發明中可適用該等剝離方法之任一者，但將附電路基板加工體之附電路基板預先水平固定，將支撐體以距水平方向具有一定角度而拉起之方法更適合。該等剝離方法通常於室溫實施。
又，使於步驟(d)實施加工之附電路基板自支撐體分離之步驟(e)較好包含 (e-1)於實施加工之附電路基板之加工面接著切割膠帶之步驟 (e-2)於吸附面真空吸附切割膠帶面之步驟 (e-3)於吸附面溫度為10℃至100℃之溫度範圍，將前述支撐體自實施加工之前述附電路基板掀離而剝離之步驟。藉由如此，可容易自實施加工之附電路基板剝離支撐體，且可容易地進行隨後之切割步驟。
[步驟(f)] 步驟(f)係自已分離支撐體之附電路基板加工體分離聚合物層(A)之硬化膜，僅取出附電路基板之步驟。於步驟(e)剝離前述支撐體後，較好藉由膠帶剝除自實施加工之附電路基板剝離前述聚合物層(A)之硬化膜。
該剝離步驟一般在室溫至60℃左右之比較低溫條件實施，將附電路基板加工體預先水平固定，將對露出之聚合物層(A)貼合剝離用膠帶材，藉由剝除方式將該膠帶材拉起，可將聚合物層(A)之硬化膜自實施加工之附電路基板剝離。作為膠帶材若為可剝離則亦可使用任何膠帶材，但尤其較好為使用矽氧黏著材之膠帶，例如可較好地使用寺岡製作所(股)製聚酯膜黏著膠帶No.646S、No.648等。
[步驟(g)] 步驟(g)係自步驟(d)之實施加工之附電路基板加工體一體分離前述支撐體與前述聚合物層(A)，僅取出前述附電路基板之步驟，亦即，對經薄型化之附電路基板實施各種加工後，自附電路基板加工體僅分離經薄型化之附電路基板之步驟。該步驟一般在室溫至60℃左右之比較低溫條件實施，且舉例為將附電路基板加工體之附電路基板或支撐體之一者預先水平固定，另一者以距水平方向具有一定角度而拉起之方法，及於經研削之附電路基板之研削面貼上保護膜，將附電路基板與保護膜以剝離方式自附電路基板加工體剝離之方法等。
本發明中可適用該等剝離方法之任一者，但將附電路基板加工體之附電路基板預先水平固定，將支撐體以距水平方向具有一定角度而拉起之方法，及於經研削之附電路基板之研削面貼上保護膜，將附電路基板與保護膜以剝離方式剝離之方法更適合。該等剝離方法通常於室溫實施。
又，自實施加工之附電路基板一體分離支撐體及聚合物層(A)而僅取出附電路基板之步驟(g)較好包含 (g-1)於實施加工之附電路基板之加工面接著切割膠帶之步驟 (g-2)於吸附面真空吸附切割膠帶面之步驟 (g-3)於吸附面溫度為10℃至100℃之溫度範圍，將前述支撐體自實施加工之前述附電路基板掀離而剝離之步驟。藉由如此，可容易自實施加工之附電路基板剝離支撐體，且可容易地進行隨後之切割步驟。
且，步驟(f)至步驟(g)自實施加工之附電路基板加工體僅分離附電路基板後，可進行(h)附電路基板表面之洗淨步驟。洗淨處理可藉由利用有機溶劑、鹼溶液、酸溶液等之濕式製程，或乾蝕刻等之乾式製程等而實施。
前述步驟(h)可使用例如烴系有機溶劑，具體舉例為戊烷、己烷、環己烷、癸烷、異壬烷、對-薄荷烷、蒎烯、異十二烷、檸檬烯等。該等溶劑可單獨使用1種亦可組合2種以上使用。且不易去除時，亦可於上述溶劑中添加鹼類、酸類。作為鹼類之例可使用乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、三乙胺、氨等之胺類，氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨、氫氧化四丙銨、氫氧化四丁銨等之銨鹽類。作為酸類可使用乙酸、草酸、苯磺酸、十二烷基苯磺酸等之有機酸。添加量於洗淨液中濃度計，為0.01~10質量%，較好為0.1~5質量%。且為了提高殘存物之去除性，亦可添加既有之界面活性劑。作為洗淨方法，舉例有使用上述液以覆液進行洗淨之方法、以噴霧器噴霧之洗淨方法、浸漬於洗淨液槽之方法。溫度較好為10~80℃，更好為15~65℃，若需要，則以該等洗淨液進行洗淨後，最終藉由水洗或醇進行清洗，進行乾燥處理，亦可獲得薄型晶圓。 [實施例]
以下顯示實施例及比較例更具體說明本發明，但本發明不限定於該等實施例。
(樹脂溶液調製例1) 於由於分子側鏈具有2.5莫耳%乙烯基之數平均分子量(Mn)為3萬之聚二甲基矽氧烷100質量份及甲苯200質量份所成之溶液中，添加混合下述式(M-1)所示之有機氫聚矽氧烷40質量份、乙炔基環己醇0.7質量份。進而添加鉑觸媒CAT-PL-5(信越化學工業(股)製) 0.2質量份，以0.2μm之膜過濾器過濾，獲得熱硬化性矽氧聚合物溶液(A1)。又，樹脂溶液中，含有Si-H基之有機氫聚矽氧烷相對於具有烯基之有機聚矽氧烷中之烯基的莫耳比為1.1。
Figure 02_image003
[樹脂溶液調製例2] 於由於分子側鏈具有2.5莫耳%乙烯基之數平均分子量(Mn)為3萬之聚二甲基矽氧烷50質量份及甲苯100質量份所成之溶液中，混合由SiO4/2 單位(Q單位) 50莫耳%、(CH3 )3 SiO1/2 單位(M單位) 48莫耳%及(CH2 =CH)3 SiO1/2 單位(Vi單位) 2莫耳%所成之樹脂構造之乙烯基甲基矽氧烷50質量份及甲苯100質量份所成之溶液、及上述有機氫聚矽氧烷(M-1) 40質量份、乙炔基環己醇0.7質量份。進而添加鉑觸媒CAT-PL-5 0.2質量份，以0.2μm之膜過濾器過濾，獲得硬化時含有Q單位之熱硬化性矽氧聚合物溶液(A2)。Q單位以Si-NMR測定。又，樹脂溶液中，含有Si-H基之有機氫聚矽氧烷相對於具有烯基之有機聚矽氧烷中之烯基的莫耳比為1.0。
[樹脂溶液調製例3] 於由於分子側鏈具有2.5莫耳%乙烯基之數平均分子量(Mn)為3萬之聚二甲基矽氧烷50質量份及甲苯100質量份所成之溶液中，混合由於分子側鏈具有0.1莫耳%乙烯基之數平均分子量(Mn)為10萬之聚二甲基矽氧烷50質量份及甲苯100質量份所成之溶液、有機氫聚矽氧烷(M-1) 20質量份、乙炔基環己醇0.7質量份。進而添加鉑觸媒CAT-PL-5 0.2質量份，以0.2μm之膜過濾器過濾，獲得熱硬化性矽氧聚合物溶液(A3)。又，樹脂溶液中，含有Si-H基之有機氫聚矽氧烷相對於具有烯基之有機聚矽氧烷中之烯基的莫耳比為1.0。
[樹脂溶液調製例4] 於由於分子側鏈具有2.5莫耳%乙烯基之數平均分子量(Mn)為3萬之聚二甲基矽氧烷25質量份及甲苯50質量份所成之溶液中，混合由於分子側鏈具有0.1莫耳%乙烯基之數平均分子量(Mn)為10萬之聚二甲基矽氧烷25質量份及甲苯50質量份所成之溶液、由SiO4/2 單位(Q單位) 50莫耳%、(CH3 )3 SiO1/2 單位(M單位) 48莫耳%及(CH2 =CH)3 SiO1/2 單位(Vi單位) 2莫耳%所成之樹脂構造之乙烯基甲基矽氧烷50質量份及甲苯100質量份所成之溶液、及有機氫聚矽氧烷(M-1) 35質量份、乙炔基環己醇0.7質量份。進而添加鉑觸媒CAT-PL-5 0.2質量份，以0.2μm之膜過濾器過濾，獲得硬化時含有Q單位之熱硬化性矽氧聚合物溶液(A4)。Q單位以Si-NMR測定。又，樹脂溶液中，含有Si-H基之有機氫聚矽氧烷相對於具有烯基之有機聚矽氧烷中之烯基的莫耳比為1.1。
[樹脂溶液調製例5] 於由於分子側鏈具有0.1莫耳%乙烯基之數平均分子量(Mn)為10萬之聚二甲基矽氧烷20質量份及甲苯50質量份所成之溶液中，混合由SiO4/2 單位(Q單位) 50莫耳%、(CH3 )3 SiO1/2 單位(M單位) 48莫耳%及(CH2 =CH)3 SiO1/2 單位(Vi單位) 2莫耳%所成之樹脂構造之乙烯基甲基矽氧烷80質量份及甲苯160質量份所成之溶液、及有機氫聚矽氧烷(M-1) 35質量份、乙炔基環己醇0.7質量份。進而添加鉑觸媒CAT-PL-5 0.2質量份，以0.2μm之膜過濾器過濾，獲得熱硬化性矽氧聚合物溶液(A5)。又，樹脂溶液中，含有Si-H基之有機氫聚矽氧烷相對於具有烯基之有機聚矽氧烷中之烯基的莫耳比為0.9。
[樹脂溶液調製例6] 於由於分子側鏈具有0.1莫耳%乙烯基之數平均分子量(Mn)為10萬之聚二甲基矽氧烷100質量份及甲苯200質量份所成之溶液中，混合以(M-2)所示之有機氫聚矽氧烷0.5質量份、乙炔基環己醇0.7質量份。進而添加鉑觸媒CAT-PL-5(信越化學工業(股)製) 0.5質量份，以0.2μm之膜過濾器過濾，獲得熱硬化性矽氧聚合物溶液(A6)。又，樹脂溶液中，含有Si-H基之有機氫聚矽氧烷相對於具有烯基之有機聚矽氧烷中之烯基的莫耳比為2.9。
Figure 02_image005
(實施例1~5及比較例1、2) -剝落剝離力試驗-支撐體 於作為支撐體之200mm矽晶圓(厚：725μm)上旋轉塗佈上述(A1)~ (A6)溶液後，藉加熱板於50℃加熱3分鐘，將對應於(A)層之材料形成為表1所示膜厚，放入氮氣環境下之200℃烘箱中2小時，使聚合物層(A)硬化。隨後於聚合物層(A)上貼附5條150mm長×25mm寬之聚醯亞胺膠帶，去除未張貼膠帶之部分的(A)層。使用島津製作所公司之AUTOGRAPH (AG-1)自膠帶之一端以180°剝離，以5mm/秒之速度剝下120mm，將此時施加之力的平均(120mm衝程×5次)作為該暫時接著層之剝落剝離力。又，剝離界面為聚合物層(A)與矽晶圓表面間之情況設為合格，記載測定結果，為膠帶糊面與聚合物層(A)表面間之情況設為不合格，表示為「×」。以後之試驗於判定為「×」之時點終止評價。
-剝落剝離力試驗-基板 於表面全面形成有高10μm、直徑40μm之銅柱之200mm附銅柱矽晶圓(厚：725μm)上旋轉塗佈上述(A1)~ (A5)溶液後，藉加熱板於50℃加熱3分鐘，將對應於(A)層之材料形成為表1所示膜厚，放入氮氣環境下之200℃烘箱中2小時，使聚合物層(A)硬化。隨後於聚合物層(A)上貼附5條150mm長×25mm寬之聚醯亞胺膠帶，去除未張貼膠帶之部分的(A)層。使用島津製作所公司之AUTOGRAPH (AG-1)自膠帶之一端以180°剝離，以5mm/秒之速度剝下120mm，將此時施加之力的平均(120mm衝程×5次)作為該暫時接著層之剝落剝離力。又，剝離界面為聚合物層(A)與附銅柱矽晶圓表面間之情況設為合格，記載測定結果，於膠帶糊面與聚合物層(A)表面間，或於中途聚合物層(A)斷離等會使剝離界面變化之情況設為不合格，表示為「×」。以後之試驗於判定為「×」之時點終止評價。
-接著性試驗- 於作為支撐體之200mm矽晶圓(厚：700μm)上旋轉塗佈上述(A1)~ (A5)溶液後，藉加熱板於50℃加熱3分鐘，將對應於(A)層之材料形成為表1所示膜厚。對於其，將於表面全面形成有高10μm、直徑40μm之銅柱之直徑200mm矽晶圓(厚：725μm)以銅柱面對向於聚合物層(A)面之方式，使用EVG公司之晶圓接合裝置EVG520IS於真空中接合，製作附電路基板加工體(積層體)。於接合溫度為50℃，接合時之腔室內壓力為10-3 mbar以下，荷重為10kN實施。接合後，暫時使用烘箱於200℃將已接合之基板加熱2小時，實施(A)層之硬化後，冷卻至室溫，隨後以目視確認界面之接著狀況，於界面未發生氣泡等異常時評價為良好且以「○」表示，發生異常時評價為不良且以「×」表示。
-背面研削耐性試驗- 對於接著性試驗後之附電路基板加工體，以研磨機(DISCO製，DAG810)使用金剛石研磨石進行矽晶圓之背面研削。研磨至最終基板厚50μm後，以光學顯微鏡(100倍)調查有無龜裂、剝離等異常。未發生異常時評價為良好且以「○」表示，發生異常時評價為不良且以「×」表示。
-耐熱性試驗- 調查將背面研削矽晶圓後之附電路基板加工體於260℃之加熱板上加熱10分鐘後之外觀有無異常。未發生外觀異常時評價為良好且以「○」表示，雖稍見到晶圓變形，但無孔洞發生、晶圓鼓起或晶圓破損等之異常時評價為大致良好且以「△」表示，發生孔洞、晶圓鼓起、晶圓破損等之外觀異常時評價為不良且以「×」表示。
-支撐體剝離性試驗- 藉以下方法評價支撐體之剝離性。首先，對結束耐熱性試驗後之薄型化至50μm之晶圓加工面(電路非形成面)側使用切割框貼合切割膠帶，藉由真空吸附該切割膠帶面，固定於吸附板上。隨後，於室溫，以針組於玻璃之1點上拉而剝離玻璃基板。50μm之晶圓無龜裂而可剝離時以「○」表示，發生龜裂等異常時評價為不良且以「×」表示。
-膠帶剝落剝離性試驗- 藉以下方法評價膠帶剝落剝離性試驗。首先，結束至支撐體剝離性試驗之晶圓接著以真空吸附將切割膠帶面固定於吸附板上。隨後，將寺岡製作所(股)製聚酯膜黏著膠帶No.648貼於表面露出之聚合物層(A)之硬化膜上，進行膠帶剝落剝離而自晶圓剝離聚合物層(A)之硬化膜。50μm之晶圓無龜裂而可剝離時以「○」表示，發生龜裂異常等時評價為不良且以「×」表示。
Figure 02_image007
如表1所示，可知滿足本發明要件之實施例1~5之暫時接著及剝離容易。另一方面，比較例1由於(A)層之剝落剝離力過強，故無法剝離支撐體。且由於比較例2之剝離力比比較例1又更強，故於剝離力測定之時點無法測定。可知藉由將剝離力設定為適當值，可確保製程性。
又，本發明並非限定於上述實施形態者。上述實施形態為例示，凡具有與本發明之申請專利範圍中記載之技術思想實質上相同構成，發揮同樣作用效果者，均包含於本發明之技術範圍內。
1‧‧‧支撐體 2‧‧‧暫時接著材層(熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)) 3‧‧‧附電路基板 10‧‧‧附電路基板加工體
圖1係顯示本發明之附電路基板加工體之一例的剖面圖。
1‧‧‧支撐體
2‧‧‧暫時接著材層(熱硬化性矽氧烷聚合物層(A))
3‧‧‧附電路基板
10‧‧‧附電路基板加工體

Claims (10)

  1. 一種附電路基板加工體，其特徵係於支撐體上可剝離地積層暫時接著材層，且該暫時接著材層係可剝離地積層於於表面具有電路面且應加工背面之附電路基板之表面的依序由前述支撐體、前述暫時接著材層及前述附電路基板而成之附電路基板加工體， 前述暫時接著材層係由熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)所成， 積層於前述支撐體之前述聚合物層(A)於硬化後，自前述支撐體進行界面剝離時之剝離力於25mm寬試驗片之5mm/秒之180°剝離試驗中為10~500mN/25mm，且 積層於前述附電路基板之前述聚合物層(A)於硬化後，自前述附電路基板進行界面剝離時之剝離力於25mm寬試驗片之5mm/秒之180°剝離試驗中為50~1000mN/25mm。
  2. 如請求項1之附電路基板加工體，其中前述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)係含有下述成分之組成物的硬化物， (A-1) 1分子中具有2個以上烯基之有機聚矽氧烷， (A-2) 1分子中具有2個以上鍵結於矽原子之氫原子(Si-H基)之有機氫聚矽氧烷，及 (A-3)鉑系觸媒， 且該組成物含有以前述(A-2)成分中之Si-H基相對於前述(A-1)成分中之烯基的莫耳比為0.3至10之量。
  3. 如請求項2之附電路基板加工體，其中前述(A-1) 1分子中具有2個以上烯基之有機聚矽氧烷包含以SiO4/2 表示之矽氧烷單位(Q單位)。
  4. 如請求項2或3之附電路基板加工體，其中前述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)係除了前述(A-1)成分、前述(A-2)成分、前述(A-3)成分以外，又含有(A-4)有機溶劑、(A-5)反應控制劑之任一者或其兩者之組成物的硬化物。
  5. 如請求項1或2之附電路基板加工體，其中前述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)之硬化物含有0.001~60.000莫耳%之以R1 R2 R3 SiO1/2 表示之矽氧烷單位(M單位)、10.000~99.999莫耳%之以R4 R5 SiO2/2 表示之矽氧烷單位(D單位)、0.000~0.005莫耳%之以R6 SiO3/2 表示之矽氧烷單位(T單位)、0.000~60.000莫耳%之以SiO4/2 表示之矽氧烷單位(Q單位) (但，R1 ~R6 分別表示未取代或經取代之1價烴基)。
  6. 如請求項1或2之附電路基板加工體，其中前述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)之硬化物於25℃下之儲存彈性模數為1×106 ~1×109 Pa。
  7. 一種附電路基板加工方法，其特徵係包含 (a)準備如請求項1至6中任一項之附電路基板加工體之步驟， (b)使前述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)熱硬化之步驟， (c)研削或研磨前述附電路基板的背面之步驟， (d)對前述附電路基板的背面實施加工之步驟， (e)自前述附電路基板加工體分離前述支撐體之步驟，及 (f)自已分離前述支撐體之前述附電路基板加工體分離前述聚合物層(A)之硬化膜，僅取出前述附電路基板之步驟。
  8. 一種附電路基板加工方法，其特徵係包含 (a)準備如請求項1至6中任一項之附電路基板加工體之步驟， (b)使前述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)熱硬化之步驟， (c)研削或研磨前述附電路基板的背面之步驟， (d)對前述附電路基板的背面實施加工之步驟， (g)自前述附電路基板加工體一體分離前述支撐體與前述聚合物層(A)，僅取出前述附電路基板之步驟。
  9. 如請求項7或8之附電路基板加工方法，其中前述步驟(a)中作為準備附電路基板加工體之步驟，係包含 (a-1)於前述支撐體上積層前述熱硬化性矽氧烷聚合物層(A)之未硬化組成物層之步驟，及 (a-2)經由前述聚合物層(A)之未硬化組成物層貼合前述支撐體與前述附電路基板之步驟。
  10. 如請求項7或8之附電路基板加工方法，其中前述步驟(a)中作為準備附電路基板加工體之步驟，係包含 (a-3)於前述附電路基板上積層前述聚合物層(A)之未硬化組成物層之步驟，及 (a-4)經由前述聚合物層(A)之未硬化組成物層貼合前述附電路基板與前述支撐體之步驟。
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