TW201933467A - 雷射加工方法 - Google Patents

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波多野雄二
片山浩一
能丸圭司
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日商迪思科股份有限公司
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Abstract

[課題]本發明的課題在於提供一種雷射加工方法，防止碎片附著在對工件照射雷射光線所形成的分割槽的側壁。[解決手段] 一種雷射加工方法，對工件（晶圓10）照射具有吸收性的波長的雷射光線LB而施以槽加工，包含以下步驟：保護構件配設步驟，在工件（晶圓10）的上表面10a配設保護構件12；液層形成步驟，在工件（晶圓10）的上表面10a形成液層200；雷射光線照射步驟，透過該液層200照射雷射光線LB而對工件（晶圓10）的上表面10a施以槽加工，同時產生細微的氣泡（微氣泡B）；以及碎片除去步驟，藉由該氣泡（微氣泡B）的破裂而從槽110的內側除去碎片。

Description

雷射加工方法
本發明係關於一種雷射加工方法，其對工件照射具有吸收性的波長的雷射光線而加工工件。
IC、LSI等多種元件被交叉的多條分割預定線所劃分而形成在表面的晶圓係藉由分割槽被分割成一個個元件晶片，元件晶片係利用在行動電話、個人電腦、照明設備等的電子設備；其中，分割槽係藉由將對晶圓具有吸收性的波長的雷射光線照射分割預定線所形成。
又，當照射對晶圓具有吸收性的波長的雷射光線，則會產生所謂的碎片而附著在晶圓的上表面，降低元件的品質，故有在晶圓的上表面配設保護構件的情況（例如參照專利文獻1）。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-188475號公報。
[發明所欲解決的課題]
若根據記載於專利文獻1的技術，雖能抑制產生的碎片附著在晶圓的上表面，惟藉由雷射光線照射形成分割槽，且碎片會附著在形成於分割槽內側的側壁，在分割成一個個後的元件晶片的側壁會有碎片殘留的情況。如此一來，會有產生如後述問題的情況：殘留在元件晶片的側壁的碎片係降低元件晶片的抗折強度；或在元件晶片的搬出時碎片的一部分從元件晶片的側壁掉落，將元件晶片接合至配線框架時妨礙配線。
更進一步，碎片附著在藉由雷射光線照射所形成的分割槽的側壁之問題，在照射雷射光線而分割玻璃板以製成蓋玻璃的情況亦會發生，亦是降低蓋玻璃的品質的原因。
因此，本發明的目的在於提供一種雷射加工方法，在對工件照射雷射光線而形成分割槽的雷射加工方法中，能防止碎片附著在形成的分割槽的側壁。
[解決課題的技術手段]
若根據本發明，係提供一種雷射加工方法，對工件照射具有吸收性的波長的雷射光線而施以槽加工，具備以下步驟：保護構件配設步驟，在工件的上表面配設保護構件；液層形成步驟，實施該保護構件配設步驟後，在工件的上表面形成液層；雷射光線照射步驟，透過該液層照射雷射光線而對工件的上表面施以槽加工，同時產生細微的氣泡；以及碎片除去步驟，藉由該氣泡的破裂而從槽的內側除去碎片。
該工件為多個元件被交叉的多條分割預定線所劃分而形成在上表面的晶圓，該雷射光線照射步驟係沿著分割預定線照射雷射光線。較佳為，該雷射光線照射步驟係透過配設在該液層的上部的透明板照射雷射光線。
[發明功效]
若根據本發明，能從藉由雷射光線的照射所形成的槽的內側除去碎片，使碎片不殘留在元件的側壁，並抑制元件的抗折強度降低。又，藉由在液層形成步驟之前實施在工件的上表面配設保護構件的保護構件配設步驟，即使因產生的氣泡導致雷射光線散射，亦能抑制元件的外周損傷。
以下，針對本發明的實施形態的雷射加工方法，一邊參照附加圖式一邊詳細地說明。
本實施形態的雷射加工方法為包含如後述的步驟者，以下依序說明：保護構件配設步驟，在工件的上表面配設保護構件；液層產生步驟，在工件的上表面產生液層；雷射光線照射步驟，透過該液層照射雷射光線而對工件的上表面施以槽加工，同時產生細微的氣泡；以及除去步驟，藉由該氣泡的破裂而從槽的內側除去碎片。
（保護構件配設步驟）
在本實施形態中實施保護構件配設步驟時，首先準備作為工件的晶圓10與保護構件12。晶圓10如圖1（a）的中央所示，由圓盤狀的半導體所形成，並在晶圓10的上表面10a被格子狀地形成的分割預定線102所劃分的多個區域分別配設有元件100。
保護構件12由俯視呈相同於晶圓10的尺寸的圓盤形狀所形成，例如是具有10～50μm的厚度的氯乙烯薄片。在準備好的晶圓10的上表面10a黏貼保護構件12，藉此即結束保護構件配設步驟。附帶一提的是，保護構件12不限定為氯乙烯薄片，舉例而言，亦可從聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）、壓克力、環氧系或聚醯亞胺（PI）等的薄片構件選擇。
接著，令保護構件12黏貼在上表面10a的晶圓10使下表面10b朝下，黏貼至外周由框架F所保持的膠膜T的中央，從而使晶圓10、保護構件12及框架F一體化（參照圖1（b））。附帶一提的是，保護構件配設步驟亦可先將晶圓10對著由框架F支撐的膠膜T做黏貼，之後將保護構件12黏貼至保持在膠膜T的晶圓10的上表面10a。像這樣藉由膠膜T保持在框架F的晶圓10係被容納至可容納多個晶圓10的未圖示的卡匣箱。
施以保護構件配設步驟的晶圓10係搬送至圖2所示的雷射加工裝置2，實施如後述的步驟：液層產生步驟，在晶圓10的上表面10a產生液層；雷射光線照射步驟，透過液層照射雷射光線而對晶圓10的上表面10a施以槽加工，同時產生細微的氣泡；以及除去步驟，藉由氣泡的破裂而從槽的內側除去碎片。現針對雷射加工裝置2更具體地說明。
雷射加工裝置2配置在基台21上並具備：保持手段22，保持晶圓10；移動手段23，使保持手段22移動；框體26，由垂直壁部261與水平壁部262所形成，垂直壁部係於基台21上的移動手段23的側方立設在以箭號Z表示的Z方向，水平壁部係從垂直壁部261的上端部往水平方向延伸；液體供給機構4；以及雷射光線照射手段8。如圖所示，黏貼保護構件12的晶圓10係透過膠膜T被環狀的框架F所支撐而保持在保持手段22。附帶一提的是，上述雷射加工裝置2在實際的加工狀態，係構成為由外殼（為了說明方便而省略）等覆蓋整體，使粉塵或塵埃等不侵入內部。
圖3係表示對記載於圖2的雷射加工裝置2，將構成液體供給機構4的一部分的液體回收池60從雷射加工裝置2取出並做分解狀態的立體圖。
現一邊參照圖3，一邊針對雷射加工裝置2更進一步地詳細說明。在框體26的水平壁部262的內部，配設有構成雷射光線照射手段8的光學系統，光學系統透過保護構件12對保持在保持手段22的晶圓10照射雷射光線。在水平壁部262的前端部下表面側，配設有構成雷射照射機構8的一部分的聚光器86，同時在相對於聚光器86以圖中箭號X表示的方向相鄰的位置還配設有對準手段88。
在對準手段88係具備攝像元件（CCD），其使用穿過保護構件12而攝像晶圓10的表面10a的可見光。附帶一提的是，根據構成晶圓10與保護構件12的材質，亦可包含：紅外線照射手段，照射紅外線；光學系統，捕捉由紅外線照射手段照射的紅外線；以及攝像元件（紅外線CCD），輸出對應該光學系統捕捉的紅外線的電子訊號。
保持手段22包含：矩形狀的X方向可動板30，在圖3以箭號X表示的X方向移動自如地搭載於基台21；矩形狀的Y方向可動板31，在以箭號Y表示的Y方向移動自如地搭載於X方向可動板30；圓筒狀的支柱32，固定在Y方向可動板31的上表面；以及矩形狀的蓋板33，固定在支柱32的上端。在蓋板33係配設有卡盤台34，其穿過形成在蓋板33上的長孔並往上方延伸。卡盤台34係構成為保持晶圓10且藉由未圖示的旋轉驅動手段呈可旋轉。在卡盤台34的上表面配置有圓形狀的吸附卡盤35，其由多孔質材料所形成且實質上水平地延伸。吸附卡盤35係藉由穿過支柱32的流路連接至未圖示的吸引手段，而在吸附卡盤35的周圍則均等地配置有4個夾具36。夾具36把持保持晶圓10的框架F。X方向為在圖3以箭號X表示的方向，Y方向為以箭號Y表示的方向且為垂直於X方向的方向。以X方向、Y方向所定出的平面實質上呈水平。
移動手段23包含X方向移動手段50以及Y方向移動手段52。X方向移動手段50係將馬達50a的旋轉運動透過球螺絲50b轉換成直線運動並傳達至X方向可動板30，使X方向可動板30沿著基台21上的導軌27、27在X方向中進退。Y方向移動手段52係將馬達52a的旋轉運動透過滾珠螺桿52b轉換成直線運動並傳達至Y方向可動板31，使Y方向可動板31沿著X方向可動板30上的導軌27、27在Y方向中進退。附帶一提的是，圖示雖予省略，在X方向移動手段50、Y方向移動手段52係分別配設有位置檢測手段，其正確地檢測卡盤台34的X方向位置、Y方向位置及周方向旋轉位置，從而X方向移動手段50、Y方向移動手段52及未圖示的旋轉驅動手段被驅動後，能將卡盤台34正確地對準在任意的位置與角度。上述X方向移動手段50為使保持手段22往加工進給方向移動的加工進給手段，Y方向移動手段52則為使保持手段22往分度進給方向移動的分度進給手段。
一邊參照圖2～圖4，一邊針對液體供給機構4的構成說明。液體供給機構4如圖2所示，具備：液體噴射器40；液體供給幫浦44；過濾器45；液體回收池60；管件46a，連接液體噴射器40與液體供給幫浦44；以及管件46b，連接液體回收池60與過濾器45。附帶一提的是，管件46a與管件46b可部分地或整體由彈性管件所形成。
如圖4（a）所示，液體噴射器40配設在聚光器86的下端部。現將液體噴射器40的分解圖以圖4（b）表示。從圖4（b）可理解，液體噴射器40由殼體42以及液體供給部43所構成。殼體42係俯視呈大致矩形狀，且由殼體上部構件421及殼體下部構件422所構成。在殼體上部構件421的上表面中央部，形成有用以結合聚光器86的圓形的開口部421a。又，在殼體上部構件421的下表面421c，配設有從聚光器86照射的雷射光線LB穿透的透明板423。透明板423例如是由玻璃板所形成，閉塞殼體上部構件421的下表面421c側並配設在對向於開口部421a的位置。殼體下部構件422具備側壁422b以及底壁422c。藉由側壁422b與底壁422c，在殼體下部構件422的內部形成有空間422a。在底壁422c，於中央處形成有往圖中以箭號X表示的X方向延伸的開口422d與沿著該開口422d的長軸方向的兩側而形成的傾斜部422e。開口422d的寬度係設定為1mm～2mm大小。在液體供給部43連結的以箭號Y表示的Y方向前側的側壁422b，形成有液體供給口422f。藉由將上述殼體上部構件421與殼體下部構件422從上下方向結合，而構成具備空間422a的殼體42；其中，空間422a係以由透明板48所形成的頂壁、側壁422b、底壁422c所構成。
液體供給部43具備：供給口43a，供給液體W；排出口（圖示省略），形成在對向於液體供給口422f的位置，且液體供給口422f形成在殼體42；以及連通路（圖示省略），連通供給口43a與該排出口。藉由將此液體供給部43相對於殼體42從Y方向的前側做安裝，從而形成液體噴射器40。
液體噴射器40藉由具備如上述的構成，從液體供給幫浦44排出的液體W係供給至液體供給部43的供給口43a，流經液體供給部43的內部的連通路與排出口而供給至殼體42的液體供給口422f，再流經殼體42的空間422a而從形成在底壁422c的開口422d噴射出。液體噴射器40如圖2所示，液體供給部43與殼體42係以並排在Y方向的方式安裝在聚光器86的下端部。藉此，形成在殼體42的底壁422c的開口422d係以沿著加工進給方向的X方向延伸的方式對準。
現返回至圖2與圖3，針對液體回收池60說明。如圖3所示，液體回收池60具備外框體61以及兩個防水蓋66。
外框體61具備：外側壁62a，往圖中以箭號X表示的X方向延伸；外側壁62b，往圖中以箭號Y表示的Y方向延伸；內側壁63a與63b，在外側壁62a與62b的內側空開預定間隔，平行於外側壁62a與62b地配置；以及底壁64，連結外側壁62a與62b的下緣，還連結內側壁63a與63b的下緣。藉由外側壁62a與62b、內側壁63a與63b、底壁64，形成長軸方向沿著X方向且短軸方向沿著Y方向的長方形的液體回收路70。在構成液體回收路70的內側壁63a與63b的內側，形成有上下地貫通的開口60A。在構成液體回收路70的底壁64，設有在X方向、Y方向的些微的傾斜，在成為液體回收路70的最低位置的角部（圖中左邊的角落），則配設有液體排出孔65。液體排出孔65係連接管件46b，且透過管件46b連接至過濾器45。附帶一提的是，外框體61較佳為由耐腐蝕與耐生鏽的不鏽鋼製的板材所形成。
兩個防水蓋66不論何者皆具備：兩個固定模具66a，由門形狀所形成；以及蓋構件66b，以蛇腹狀且具有防水性的樹脂製成。固定模具66a係以能跨越在外框體61的Y方向中對向配設的兩個內側壁63a的尺寸形成，並安裝在蓋構件66b的兩端部。兩個防水蓋66的固定模具66a其中一個係分別固定在內側壁63b，內側壁63b是以在外框體61的X方向中對向的方式配設。像這樣構成的液體回收池60係藉由未圖示的固定具固定在雷射加工裝置2的基台21上。保持手段22的蓋板33係呈以兩個防水蓋66的固定模具66a彼此夾住的方式安裝。附帶一提的是，在蓋構件33的X方向中的端面係呈相同於固定模具66a的門形形狀，且相同於固定模具66a，為在Y方向跨越外框體61的對向的內側壁63a的尺寸，故蓋構件33在將液體回收池60的外框體61設置在基台21後，被安裝至防水蓋66。若根據上述構成，當蓋板33藉由X方向移動手段50往X方向移動，則蓋板33會沿著液體回收池60的內側壁63a移動。附帶一提的是，關於防水蓋66與蓋構件33的安裝方法並不限定為上述順序，例如可為如後述的方式：在將兩個防水蓋66安裝至外框體61的內側壁63b之前，預先安裝蓋構件33，再對先安裝在基台21的外框體61安裝防水蓋66。
現返回至圖2繼續說明，液體供給機構4藉由具備上述構成，從液體供給幫浦44的排出口44a排出的液體W係經由管件46a供給至液體噴射器40。供給至液體噴射器40的液體W係從開口422d朝向下方噴射；其中，開口形成在液體噴射器40的殼體42的底壁。從液體噴射器40噴射的液體W則在液體回收池60被回收。在液體回收池60被回收的液體W係流過液體回收路70，被設在液體回收路70的最低位置的液體排出孔65所收集。由液體排出孔65所收集的液體W則經由管件46b導引至過濾器45，在過濾器45中除去雷射加工屑（碎片）或灰塵、塵埃等，再返回至液體供給幫浦44。像這樣，由液體供給幫浦44排出的液體W係循環於液體供給機構4內。
圖5係表示：將液體噴射器40以穿過聚光器86的方式在X方向切斷的剖面，同時導引雷射光線LB至液體噴射器40的雷射光線照射手段8的光學系統的方塊圖。如圖5所示，雷射光線照射手段8包含：震盪器82，震盪出脈衝狀的雷射光線LB；反射鏡91，適當地變更從震盪器82震盪出的雷射光線LB的光路；以及聚光器86。震盪器82為震盪出對晶圓10具有吸收性的波長的雷射光線LB者，且包含調整震盪出的雷射光線LB的輸出的衰減器等（圖示省略）。從震盪器82震盪出的雷射光線LB係被反射鏡91變更光路，並由聚光器86具備的聚光透鏡86a所聚光，再經過透明板423、殼體42的內部的空間422a及開口422d往下方照射。附帶一提的是，可配置以高速旋轉的多面鏡來取代上述反射鏡91。藉由旋轉的多面鏡，只要令雷射光線LB以往返開口422d內的方式做反射，即能有效率地施以雷射加工；其中，開口係以往X方向延伸的方式形成。
更進一步，雷射光線照射手段8還具備未圖示的聚光點位置調整手段。聚光點位置調整手段的具體構成的圖示雖予省略，惟具備有驅動手段，其在上下方向調整由聚光器86所聚光的雷射光線LB的聚光點的位置。
現返回至圖2繼續說明，在水平壁部262的前端部下表面，配設有上述聚光器86，同時還配設有與聚光器86在X方向空開間隔裝設的對準手段88。對準手段88係被利用為：將保持在保持台32的工件攝像並檢測應施以雷射加工的區域，且用以進行聚光器86與晶圓10的加工位置的對位。雷射加工裝置2大致具備如上述的構成，現針對實施接續上述保護構件配設步驟之步驟的具體態樣於以下說明。
（液層形成步驟）
藉由上述保護構件配設步驟而配設有保護構件12的晶圓10係以容納在未圖示的卡匣箱的狀態，載置於雷射加工裝置2的預定的位置。從卡匣箱搬出晶圓10，將黏貼有保護構件12的上表面10a朝上並載置於卡盤台34的吸附卡盤35上，再作動未圖示的吸引源產生吸引力，使晶圓10被卡盤台34吸引保持。更進一步，藉由夾具36等固定保持晶圓10的框架F。
若將晶圓10保持在吸附卡盤35後，藉由移動手段23使卡盤台34往X方向與Y方向適當地移動，讓卡盤台34上的晶圓10定位在對準手段88的正下方。若將晶圓10定位在對準手段88的正下方後，藉由對準手段88攝像晶圓10上方。接著，基於由對準手段88攝像的晶圓10的圖像，藉由圖案匹配等的方法，進行晶圓10與聚光器86的對位。基於由此對位得到的位置資訊，藉由使卡盤台34移動，使聚光器86定位在晶圓10上的加工開始位置的上方。接著，藉由未圖示的聚光點位置調整手段使聚光器86往Z軸方向移動，將聚光點定位在分割預定線中單端部的表面高度；其中，表面高度係為晶圓10的雷射光線LB的照射開始位置。如上述，在聚光器86的下端部係配設有液體供給機構4的液體噴射器40，並以構成液體噴射器40的殼體下部構件422的下表面與黏貼在晶圓10的上表面10a的保護構件12的表面，形成例如是0.5mm～2.0mm大小的空間。
藉由對準手段88實施聚光器86與晶圓10的對位後，則透過液體回收池60的液體回收路70，對液體供給機構4填充必要且足夠的液體W，並作動液體供給幫浦44。作為循環於液體供給機構4的內部的液體W，例如是利用純水。
液體供給機構4藉由具備上述構成，從液體供給幫浦44的排出口44a排出的液體W係經由管件46a供給至液體噴射器40的供給口43a。如圖6所示，供給至液體噴射器40的供給口43a的液體W係從液體噴射器40的殼體下部構件422朝向下方噴射。從液體噴射器40噴射的液體W係供給至黏貼在晶圓10的上表面10a的保護構件12上，並流過晶圓10的保護構件12上。藉由以液體W填滿液體噴射器40與保護構件12之間，而形成液層200（一併參照圖7（a））。
液體W流過晶圓10的保護構件12上後，會流過液體回收池60的液體回收路70，並由設在液體回收路70的最低位置的液體排出孔65所收集。由液體排出孔65所收集的液體W係經由管件46b被導引至過濾器45，在過濾器45中被淨化再返回至液體供給幫浦44。像這樣，由液體供給幫浦44排出的液體W係循環於液體供給機構4內，從而維持在液體噴射器40與保護構件12之間形成有液層200的狀態（液層形成步驟）。
（雷射光線照射步驟）
如圖7（a）所示，在由液體供給機構4實施液層形成步驟且形成有液層200的狀態，一邊作動雷射光線照射手段8一邊作動X方向移動手段50。藉此使卡盤台34相對於加工進給方向（X方向）以預定的移動速度做加工進給，此時，如圖7（a）所示，從聚光器86照射的雷射光線LB係穿透液體噴射器40的透明板423、空間422a及液層200，從開口422d照射至晶圓10。如上述，藉由實施液層形成步驟而在空間422a內產生有水的流動，惟因為配設有透明板423，所以從上方照射的雷射光線LB不會受到水流的影響而照射至下方側。
在上述雷射加工裝置2中的雷射加工條件例如能用以下的加工條件實施。
雷射光線的波長：355nm。
平均輸出 ：3W。
重複頻率 ：50kHz。
加工進給速度 ：100mm/s。
在上述雷射加工條件，作為穿透液體W且對於晶圓10具有吸收性的波長係選擇355nm的雷射光線，惟本發明並非限定為此，只要從穿透液體W且對構成晶圓10的材質具有吸收性的波長中適當選擇即可，可從226nm、355nm、532nm等的波長選擇。如圖7（a）所示，雷射光線LB透過形成在殼體42的開口422d，沿著形成在保護構件12與晶圓10的上表面10a的分割預定線102照射，而對晶圓10施以圖7（b）所示的用以形成槽110的燒蝕加工（槽加工）。當施以此槽加工，則在晶圓10中被雷射光線LB照射的槽110會同時產生碎片與細微的氣泡（微氣泡）B（雷射光線照射步驟）。附帶一提的是，此微氣泡B為具有μm等級的直徑的氣泡，其直徑並非統一，例如是含有直徑50μm以下的氣泡而構成。
（碎片除去步驟）
因雷射光線LB的照射而產生在槽110內的微氣泡B係攪拌槽110的內部，另外藉由微氣泡B的破裂，而除去以孔蝕現象的原理附著於槽110的內壁的碎片（碎片除去步驟）。然後，如圖7（b）所示，在形成於晶圓10上的縫隙，液體W係以預定的流速恆常供給而形成液層200。藉此，產生在雷射光線LB的照射位置附近的微氣泡B會從形成在晶圓10的槽110與液體W一起被推出至外部。從預定的分割預定線的加工開始位置到加工終點位置，實施雷射光線照射步驟與碎片除去步驟後，藉由作動移動手段23而往Y方向分度進給，對鄰接的未加工的分割預定線實施相同於上述的雷射光線照射步驟與碎片除去步驟。更進一步，藉由未圖示的旋轉驅動手段將晶圓10做90度旋轉，對形成在晶圓10的全部的分割預定線102實施上述雷射光線照射步驟與碎片除去步驟。
在本實施形態，藉由實施保護構件配設步驟而將保護構件12黏貼至晶圓10上。如上述，在形成於晶圓10上的縫隙因為液體W係以預定的流速恆常流過而形成液層200，且一邊還實施雷射光線照射步驟與碎片除去步驟，所以即使不黏貼保護構件12，亦能對晶圓10的上表面10a抑制碎片的附著。然而，當在上述晶圓10的上表面形成液層200且實施了施以槽加工的雷射光線照射步驟，則如圖7（b）所示，在形成槽110時，會伴隨槽110中微氣泡B的產生。此微氣泡B從槽110排出時會橫跨雷射光線LB的光路，會有雷射光線LB的一部分因此微氣泡B散射而損傷元件100的上表面10a側的外周的情況。在本實施形態中的雷射加工方法係藉由保護構件12配設在晶圓10的上表面10a，即使微氣泡B橫跨雷射光線LB而引起散射，亦能具有抑制元件100的外周被損傷的問題的功效。亦即，保護構件12係以相異於上述專利文獻1所記載的技術的目的而配設，且具有全新的作用功效。
如上述，對晶圓10中全部的分割預定線實施雷射光線照射步驟與碎片除去步驟後，能將晶圓10搬送至未圖示的卡匣容納，或能搬送至後續步驟而實施賦予外力做分割的分割步驟。
包含上述微氣泡B與碎片的液體W係如圖2所理解，會流過蓋板33與防水蓋66上並導引至液體回收路70。導引至液體回收路70的液體W係一邊將因燒蝕加工所產生的微氣泡B放出至外部，一邊流過液體回收路70，再從形成在液體回收路70的最底部的液體排出孔65排出。從液體排出孔65排出的液體W係藉由管件46b被導引至過濾器45，而重新供給至液體供給幫浦44。像這樣藉由液體W循環於液體供給機構4，由過濾器45適當地捕捉碎片或灰塵等，使液體W維持在乾淨的狀態，而可繼續實施上述雷射加工方法。
2‧‧‧雷射加工裝置
4‧‧‧液體供給機構
8‧‧‧雷射光線照射手段
10‧‧‧晶圓（板狀的工件）
21‧‧‧基台
22‧‧‧保持手段
23‧‧‧移動手段
26‧‧‧框體
261‧‧‧垂直壁部
262‧‧‧水平壁部
30‧‧‧X方向可動板
31‧‧‧Y方向可動板
33‧‧‧蓋板
34‧‧‧卡盤台
35‧‧‧吸附卡盤
40‧‧‧液體噴射器
42‧‧‧殼體
421‧‧‧殼體上部構件
422‧‧‧殼體下部構件
423‧‧‧透明板（頂壁）
43‧‧‧液體供給部
44‧‧‧液體供給幫浦
50‧‧‧X方向移動手段
52‧‧‧Y方向移動手段
60‧‧‧液體回收池
65‧‧‧液體排出孔
70‧‧‧液體回收路
82‧‧‧震盪器
86‧‧‧聚光器
88‧‧‧對準手段
91‧‧‧反射鏡
100‧‧‧元件
102‧‧‧分割預定線
110‧‧‧槽
200‧‧‧液層
LB‧‧‧雷射光線
W‧‧‧液體
圖1係表示本實施形態的雷射加工方法中保護構件配設步驟的實施態樣的立體圖。
圖2係實施本實施形態的雷射加工方法的雷射加工裝置的整體立體圖。
圖3係表示分解圖2所示的雷射加工裝置的一部分的分解立體圖。
圖4係表示裝設在圖2所示的雷射加工裝置的（a）液體噴射器的立體圖與（b）分解液體噴射器的分解立體圖。
圖5係表示裝設在圖2所示的雷射加工裝置的雷射光線照射手段的光學系統的方塊圖與將液體噴射器以X方向切斷的剖面圖。
圖6係用以說明本實施形態的雷射加工方法中液層形成步驟的實施態樣的立體圖。
圖7係本實施形態的雷射加工方法中（a）表示雷射光線照射步驟的實施態樣的將液體噴射器以Y方向切斷的剖面圖；與（b）表示碎片除去步驟的實施態樣的液體噴射器的一部分擴大剖面圖。

Claims (3)

  1. 一種雷射加工方法，對工件照射具有吸收性的波長的雷射光線而施以槽加工，具備以下步驟： 保護構件配設步驟，在工件的上表面配設保護構件； 液層形成步驟，實施該保護構件配設步驟後，在工件的上表面形成液層； 雷射光線照射步驟，透過該液層照射雷射光線而對工件的上表面施以槽加工，同時產生細微的氣泡；以及 碎片除去步驟，藉由該氣泡的破裂而從槽的內側除去碎片。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之雷射加工方法，其中， 該工件為多個元件被交叉的多條分割預定線所劃分而形成在上表面的晶圓， 該雷射光線照射步驟係沿著分割預定線照射雷射光線。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之雷射加工方法，其中， 該雷射光線照射步驟係透過配設在該液層的上部的透明板照射雷射光線。
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