TW201924110A - 有機發光二極體顯示模組及其製作方法及電子裝置 - Google Patents

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Abstract

有機發光二極體顯示模組包括基體、形成在基體上之平坦層、形成在平坦層上及第二過孔內之陽極層、形成在平坦層及陽極層上之像素定義層、形成在第三過孔內並在陽極層上之發光層及陰極層。基體上形成有引線及電源線。平坦層開設第一及第二過孔，部分引線在第一過孔內。像素定義層形成有第三及與第一過孔連通之第四過孔，部分陽極層與第三過孔位置相對應。陰極層形成在像素定義層、發光層及引線上，陰極層包括間隔設置之複數導線區塊，導線區塊內有彎折之導電線，導電線之兩端分別連接引線及電源線。還揭露了顯示模組之製作方法及電子裝置。

Description

有機發光二極體顯示模組及其製作方法及電子裝置
本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種有機發光二極體顯示模組、有機發光二極體顯示模組之製作方法及電子裝置。
先前之柔性有機發光二極體顯示模組包括陽極、發光層及陰極，陰極呈整體之層狀以便於控制陽極及陰極給發光層施加電壓。當顯示模組發生彎曲時，顯示模組彎曲處之光學特性明顯較差，現有之顯示模組不能夠根據陰極獲得顯示模組上之各個位置之曲率半徑，從而顯示模組無法對顯示模組之各個位置做適當之顯示補償。
本發明之實施例提供一種有機發光二極體顯示模組、有機發光二極體顯示模組之製作方法及電子裝置。
本發明實施方式之有機發光二極體顯示模組，該顯示模組包括基體、平坦層、陽極層、像素定義層、發光層及陰極層；該基體上形成有引線及電源線；該平坦層形成在該基體上，該平坦層開設有第一過孔及第二過孔，部分該引線與該第一過孔之位置相對應；該陽極層形成在該平坦層上及該第二過孔內；該像素定義層形成在該平坦層及該陽極層上，該像素定義層形成有第三過孔及第四過孔，部分該陽極層與該第三過孔位置相對應，該第四過孔與該第一過孔連通；該發光層形成在該第三過孔內並在該陽極層上；該陰極層形成在該像素定義層、該發光層、及該引線上，該陰極層包括間隔設置之複數導線區塊，每個該導線區塊內設置有彎折之導電線，每個該導電線之一端與該引線連接，另一端與該電源線連接。
本發明實施方式之有機發光二極體顯示模組藉由將陰極層分割成多條導電線，因此根據每條導電線之曲率半徑能夠確定顯示模組之一個位置之曲率半徑，從而顯示模組能夠根據每條導電線之曲率半徑對顯示模組進行顯示補償。
本發明實施方式之電子裝置包括上述實施方式所述的顯示模組、電流計、處理器及記憶體；該電流計能夠藉由該引線與該導電線電性連接，並用於偵測流經該導電線之電流；該處理器用於根據該導電線之長度、該導電線之帕松比、該導電線之電阻率、該電流、及該電源線提供之電壓計算每個該導電線之形變量；該記憶體保存有該導電線之複數形變量值及與複數該形變量值對應之複數曲率半徑值，該處理器根據每個該導電線之形變量及該記憶體保存之複數該曲率半徑值確定該導電線之曲率半徑。
本發明實施方式之有機發光二極體顯示模組藉由將陰極層分割成多條導電線，從而便於藉由電流計獲得流經導電線之電流，如此，處理器能夠計算得到每條導電線之形變量，再根據每條導電線之形變量及記憶體保存之複數曲率半徑值確定導電線之曲率半徑。
本發明實施方式之有機發光二極體顯示模組之製作方法包括：提供一個基體，該基體上形成有引線及電源線；在該基體上形成平坦層，該平坦層開設有第一過孔及第二過孔，部分該引線與該第一過孔之位置相對應；在該平坦層上及該第二過孔內形成陽極層；在該平坦層及該陽極層上形成像素定義層，該像素定義層形成有第三過孔及第四過孔，部分該陽極層與該第三過孔之位置相對應，該第四過孔與該第一過孔連通；在該第三過孔內並在該陽極層上形成發光層；在該像素定義層、該發光層、及該引線上形成陰極層，該陰極層包括間隔設置之複數導線區塊，每個該導線區塊內設置有彎折之導電線，每個該導電線之一端與該引線連接，另一端與該電源線連接。
本發明實施方式之有機發光二極體顯示模組之製作方法製作之有機發光二極體顯示模組藉由將陰極層分割成多條導電線，因此根據每條導電線之曲率半徑能夠確定顯示模組之一個位置之曲率半徑，從而顯示模組能夠根據每條導電線之曲率半徑對顯示模組進行顯示補償。
本發明之實施方式之附加方面和優點將在下面之描述中部分給出，部分將從下面之描述中變得明顯，或藉由本發明之實施方式之實踐瞭解到。
下面詳細描述本發明之實施方式，該實施方式之示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似之標號表示相同或類似之元件或具有相同或類似功能之元件。下面藉由參考附圖描述之實施方式是示例性的，僅用於解釋本發明，而不能理解為對本發明之限制。
在本發明之描述中，需要理解的是，術語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”、“頂”、“底”、“內”、“外”、“順時針”、“逆時針”等指示之方位或位置關係為基於附圖所示之方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指之裝置或元件必須具有特定之方位、以特定之方位構造和操作，因此不能理解為對本發明之限制。此外，術語“第一”、“第二”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示之技術特徵之數量。由此，限定有“第一”、“第二”之特徵可以明示或者隱含地包括一個或者更複數該特徵。在本發明之描述中，“複數”之含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體之限定。
在本發明之描述中，需要說明的是，除非另有明確之規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接或可以相互通訊；可以是直接相連，也可以藉由中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部之連通或兩個元件之相互作用關係。對於本領域之普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語在本發明中之具體含義。
在本發明中，除非另有明確之規定和限定，第一特徵在第二特徵之“上”或之“下”可以包括第一和第二特徵直接接觸，也可以包括第一和第二特徵不是直接接觸而是藉由它們之間之另外之特徵接觸。而且，第一特徵在第二特徵“之上”、“上方”和“上面”包括第一特徵在第二特徵正上方和斜上方，或僅僅表示第一特徵水平高度高於第二特徵。第一特徵在第二特徵“之下”、“下方”和“下面”包括第一特徵在第二特徵正下方和斜下方，或僅僅表示第一特徵水平高度小於第二特徵。
下文之揭露提供了許多不同之實施方式或例子用來實現本發明之不同結構。為了簡化本發明之揭露，下文中對特定例子之部件和設置進行描述。當然，它們僅僅為示例，並且目的不在於限制本發明。此外，本發明可以在不同例子中重複參考數位和/或參考字母，這種重複是為了簡化和清楚之目的，其本身不指示所討論各種實施方式和/或設置之間之關係。此外，本發明提供了之各種特定之製程和材料之例子，但是本領域普通技術人員可以意識到其他製程之應用和/或其他材料之使用。
請參閱第1圖至第3圖，本發明實施方式之有機發光二極體顯示模組100包括基體10、平坦層20、陽極層30、像素定義層40、發光層50及陰極層60。基體10上形成有引線11及電源線12。平坦層20形成在基體10上，平坦層20開設有第一過孔21及第二過孔22，部分引線11與第一過孔21之位置相對應。陽極層30形成在平坦層20上及第二過孔22內。像素定義層40形成在平坦層20及陽極層30上，像素定義層40形成有第三過孔41及第四過孔42，部分陽極層30與第三過孔41之位置相對應，第四過孔42與第一過孔21連通。發光層50形成在第三過孔41內並在陽極層30上。陰極層60形成在像素定義層40、發光層50、及引線11上，陰極層60包括間隔設置之複數導線區塊61，每個導線區塊61內設置有彎折之導電線612，每條導電線612之一端與引線11連接，另一端與電源線12連接。
具體地，引線11可以完全露出在基體10上（如第1圖所示）；或者，引線11之一部分露出在基體10外（例如當引線11與柵極層17位於同一層時）。引線11之一端與導電線612之一端電性連接，引線11之另一端可以與其他電子元件（例如，電路板）電性連接也可以不電性連接任何電子元件。發光層50包括間隔設置之複數發光單元51，每個發光單元51對應一個顯示模組100之像素單元。每個導線區塊61可以與複數發光單元51對應，並且每個導線區塊61內之導電線612與對應之複數發光單元51均電性連接；或者，每個導電區塊61也可以與一個發光單元51對應，每個導電區塊61內之導電線612與對應之一個發光單元51電性連接。電源線12之一端與導電線612電性連接，電源線12之另一端與顯示模組100外部之電源電性連接以藉由電源線12給導電線612供電。
本發明實施方式之有機發光二極體顯示模組100藉由將陰極層60分割成多條導電線612，因此根據每條導電線612之曲率半徑能夠確定顯示模組100之一個位置之曲率半徑，從而顯示模組100能夠根據每條導電線612之曲率半徑對顯示模組100進行顯示補償。
請參閱第1圖，本發明實施方式之有機發光二極體顯示模組100包括基體10、平坦層20、陽極層30、像素定義層40、發光層50及陰極層60。
基體10包括引線11、電源線12、基材13、緩衝層14、半導體層15、第一絕緣層16、柵極層17、第二絕緣層18、汲極191、源極192。緩衝層14形成在基材13上，半導體層15形成在緩衝層14上，第一絕緣層16形成在緩衝層14及半導體層15上，柵極層17形成在第一絕緣層16上，第二絕緣層18形成在柵極層17及第一絕緣層16上。半導體層15包括間隔設置之複數半導體單元151。汲極191形成在第二絕緣層18之遠離第一絕緣層16之一側上並穿過第二絕緣層18及第一絕緣層16與半導體單元151之一端電性連接。源極192形成在第二絕緣層18之遠離第一絕緣層16之一側上並穿過第二絕緣層18及第一絕緣層16與半導體單元151之另一端電性連接。半導體單元151、汲極191、源極192及柵極層17共同組成薄膜電晶體(Thin-film transistor)。引線11可形成在第二絕緣層18之遠離第一絕緣層16之一側上。電源線12可以形成在第二絕緣層18之遠離第一絕緣層16之一側上。基材13可以呈圓形、橢圓形、矩形、三角形、五邊形、六邊形或任意多邊形之片狀結構，基材13之材料可包括玻璃或聚醯亞胺(Polyimide, PI)。緩衝層14之材料可包括銅酞菁(CuPc)。第一絕緣層16之材料可包括二氧化矽(SiO2)。第二絕緣層18之材料可包括二氧化矽(SiO2)。
平坦層20形成在基體10上，具體地，平坦層20形成在汲極191、源極192、引線11及第二絕緣層18上。平坦層20開設有第一過孔21及第二過孔22。第一過孔21與引線11之位置相對應以使部分引線11位元於第一過孔21內。第二過孔22與汲極191之位置相對應對應以使部分汲極191位元於第二過孔22內，當平坦層20上及第二過孔22內沒有形成陽極層30時，部分汲極191從第二過孔22露出。當引線11上沒有設置像素定義層40及陰極層60時，引線11之一部分從平坦層20露出。平坦層20之材料可包括光刻膠。
陽極層30形成在平坦層20上及第二過孔22內。陽極層30之一部分位於第二過孔22內並與汲極191電性連接。
像素定義層40形成在平坦層20及陽極30上。像素定義層40形成有第三過孔41及第四過孔42。部分陽極層30與第三過孔41之位置相對應以使部分陽極層30位元於第三過孔41內，當像素定義層40上沒有設置發光層50時，部分陽極層30從第三過孔41露出。第四過孔42與第一過孔21對應並連通，當像素定義層40沒有設置陰極層60時，引線11之一部分從平坦層20露出。像素定義層40之材料可包括光刻膠。
發光層50形成在第三過孔41內並在陽極層30上。發光層50包括複數發光單元51，每個發光單元51藉由陽極30與一條對應之汲極191電性連接。每個發光單元51對應一個顯示模組100之像素單元。
請參閱第1圖至第3圖，陰極層60形成在像素定義層40、發光層50、及引線11上，陰極層60包括間隔設置之複數導線區塊61，每個導線區塊61內設置有彎折之導電線612，每條導電線612之一端與引線11連接，另一端穿過像素定義層40及平坦層20與電源線12連接。導線區塊61呈陣列分佈在像素定義層40、發光層50及引線11上。每個導電區塊61也可以與一個發光單元51對應，每個導電區塊61內之導電線612與對應之一個發光單元51電性連接。導電線612之材料可為鎂(Mg)、鎂銀合金(MgAg)、鎂鐿合金(YbMg)中之任意一種。
本發明實施方式之有機發光二極體顯示模組100藉由將陰極層60分割成多條導電線612，因此根據每條導電線612之曲率半徑能夠確定顯示模組100之一個位置之曲率半徑，從而顯示模組100能夠根據每條導電線612之曲率半徑對顯示模組100進行顯示補償。
本發明實施方式之有機發光二極體顯示模組100還具有以下有益效果：第一，引線11形成在第二絕緣層18之遠離第一絕緣層16之一側上，從而製作引線11不需要額外之基材，進而便於製作厚度更薄之顯示模組100。
第二，每個導電區塊61內之導電線612與對應之一個發光單元51電性連接，便於每條導電線612能夠給一個對應之發光單元51提供一個電壓。
在某些實施方式中，上述實施方式之引線11形成在第一絕緣層16上，引線11與柵極層17在同一層上。第二絕緣層18開設有與第一過孔21及第四過孔42均對應之第五過孔（圖未示），部分引線11與第五過孔之位置相對應以使部分引線11位元於第五過孔內，引線11能夠從第五過孔及第一過孔21露出。引線11形成在第一絕緣層16之遠離緩衝層14之一側上，從而製作引線11不需要額外之基材，進而便於製作厚度更薄之顯示模組100。
請參閱第1圖，在某些實施方式中，顯示模組100還包括封裝層70，封裝層70形成在像素定義層40及陰極層60上並覆蓋像素定義層40及陰極層60。封裝層70用於隔絕陰極層60與水汽、氧氣接觸以避免陰極層60與水汽及氧氣發生化學反應而導致陰極層60失效。
請參閱第4圖，在某些實施方式中，顯示模組100還包括導體層101，導電層101設置在第一過孔21內並位於引線11與陰極層60之間，引線11藉由導電層101與陰極層60電連接。具體地，相對於引線11之材料特性與導電線612之材料特性之相近程度，導體層101之材料特性與引線11之材料特性更相近，並且導體層101之材料特性與導電線612之材料特性也更相近，從而提升了導電線612與引線11之間之電連接之穩定性。
請參閱第1圖、第5圖及第6圖，本發明實施方式之電子裝置200包括上述任意一實施方式之有機發光二極體顯示模組100、電流計80、處理器201及記憶體202。電流計80能過藉由引線11與導電線612電性連接，電流計80能夠用於偵測流經導電線612之電流。處理器201用於根據導電線612之長度、導電線612之帕松比、導電線612之電阻率、流經導電線612之電流、及電源線12給導電線612提供之電壓計算每條導電線612之形變量。記憶體202保存有導電線612之複數形變量值及與複數形變量值對應之複數曲率半徑值，處理器201根據每條導電線612之形變量及記憶體202保存之複數曲率半徑值確定導電線612之曲率半徑。
具體地，電流計80、處理器201、記憶體202均可以設置在電子裝置200中之主機板203上，電流計80（或主機板203）可藉由柔性電路板與顯示模組100電性連接。當顯示模組100用於顯示影像畫面時，處理器201控制引線11與電流計80斷開連接以使導電線612可作為顯示模組100之陰極；當需要偵測顯示模組100之曲率半徑時，處理器201控制引線11與電流計80電連接以使導電線612可作為應變電阻使用。
由於顯示模組100在使用時，顯示模組100主要受到垂直於顯示模組100之按壓力，而顯示模組100基本不會受到沿顯示模組100四周向外之拉力，垂直於顯示模組100之按壓力會使顯示模組100發生彎曲形變。因此導電線612之形變量基本由垂直於顯示模組100之按壓力引起，也即是導電線612之形變量基本由顯示模組100及導電線612之彎曲形成。從而導電線612之形變量會與一條導電線612之曲率半徑對應。根據公式：（1）（2） 其中，公式（1）及公式（2）中之ΔR為導電線612發生形變後之電阻變化量，R為導電線612發生形變前之電阻，μ為導電線612之帕松比，ε=ΔL/L（ΔL為導電線612發生形變量，L為導電線612發生形變前之長度），Δρ為導電線612發生形變後之電阻率變化量，ρ為導電線612發生形變前之電阻率，K為導電線612之應變靈敏度。根據公式（1）、公式（2）、流經導電線612之電流、及電源線12給導電線612提供之電壓能夠計算每條導電線612之形變量，再根據每條導電線612之形變量及記憶體202保存之複數曲率半徑值確定導電線612之曲率半徑。
本發明實施方式之有機發光二極體顯示模組100藉由將陰極層60分割成多條導電線612，從而便於藉由電流計80獲得流經導電線612之電流，如此，處理器201能夠計算得到每條導電線612之形變量，再根據每條導電線612之形變量及記憶體202保存之複數曲率半徑值確定導電線612之曲率半徑。
請參閱第6圖，在某些實施方式中，電流計80之數量為複數，導電線612之數量為多條，多條導電線612對應複數電流計80，每個電流計80用於偵測流經對應之導電線612之電流。如此，複數電流計80能夠獲得流經每條導電線612之電流。
請參閱第6圖及第7圖，在某些實施方式中，顯示模組100從開始顯示當前訊框畫面到開始顯示下一訊框畫面之間包括畫面顯示時間和曲率偵測時間。處理器201還用於： 在畫面顯示時間內，控制電流計80與引線11斷開連接、並給導電線612施加有顯示驅動訊號以驅動顯示模組100顯示影像畫面；及 在曲率偵測時間內，控制電流計80與引線11導通以使電流計80偵測導電線612之電流。
具體地，曲率偵測時間小於或等於使用者不能分辨之時間（例如，30毫秒）。由於殘影現象，人眼所看到之畫面消失後，人眼仍能繼續保留畫面0.1-0.4秒左右之影像，因此使用者能夠始終能夠“看到”顯示模組100顯示之畫面。本實施方式之畫面顯示時間等於曲率偵測時間。在其他實施方式中，畫面顯示時間小於曲率偵測時間；或者，畫面顯示時間大於曲率偵測時間。
本實施方式之導電線612在畫面顯示時間內可用於作為顯示模組100之電極，導電線612在曲率偵測時間內可用於作為應變電阻，因此本實施方式之顯示模組100不需要設置應變電阻也能夠偵測顯示模組100之曲率半徑。
請參閱第8圖及第9圖，在某些實施方式中，顯示模組100還包括觸控偵測電路90，觸控偵測電路90能夠藉由引線11與導電線612連接並用於偵測與用戶觸控對應之觸控訊號，顯示模組100從開始顯示當前訊框畫面到開始顯示下一訊框畫面之間包括畫面顯示時間、曲率偵測時間、和觸控偵測時間。處理器201還用於： 在畫面顯示時間內，控制電流計80與引線11斷開連接、控制觸控偵測電路90與引線11斷開連接、並給導電線612施加有顯示驅動訊號以驅動顯示模組100顯示影像畫面； 在曲率偵測時間內，控制電流計80與引線11導通以使電流計80偵測導電線612之電流；及 在觸控偵測時間內，控制觸控偵測電路90與引線11導通以使觸控偵測電路90偵測導電線612產生之觸控訊號。
具體地，曲率偵測時間與觸控偵測時間之和小於或等於使用者不能分辨之時間（例如，30毫秒）。由於殘影現象，人眼所看到之畫面消失後，人眼仍能繼續保留畫面0.1-0.4秒左右之影像，因此使用者能夠始終能夠“看到”顯示模組100顯示之畫面。本實施方式之畫面顯示時間、曲率偵測時間及觸控偵測時間均相等。在其他實施方式中，畫面顯示時間小於曲率偵測時間及觸控偵測時間；或者，畫面顯示時間大於曲率偵測時間及觸控偵測時間。
本實施方式之導電線612在畫面顯示時間內可用於作為顯示模組100之電極，導電線612在曲率偵測時間內可用於作為應變電阻，導電線612在觸控偵測時間內可用於作為觸控電極，因此本實施方式之顯示模組100不需要設置應變電阻也能夠偵測顯示模組100之曲率半徑；同時顯示模組100不需要設置觸控電極也能夠偵測使用者觸控顯示模組100之觸控位置。
在某些實施方式中，顯示模組100從開始顯示當前訊框畫面到開始顯示下一訊框畫面之間之時間小於或等於20毫秒。
由於顯示模組100從開始顯示當前訊框畫面到開始顯示下一訊框畫面之間之時間小於或等於20毫秒，因此曲率偵測時間小於20毫秒，從而曲率偵測時間小於或等於使用者不能分辨之時間（例如，30毫秒），由於殘影現象，人眼所看到之畫面消失後，人眼仍能繼續保留畫面0.1-0.4秒左右之影像，因此使用者能夠始終能夠“看到”顯示模組100顯示之畫面；或者，曲率偵測時間與觸控偵測時間之和小於20毫秒，從而曲率偵測時間與觸控偵測時間之和小於或等於使用者不能分辨之時間（例如，30毫秒），由於殘影現象，人眼所看到之畫面消失後，人眼仍能繼續保留畫面0.1-0.4秒左右之影像，因此使用者能夠始終能夠“看到”顯示模組100顯示之畫面。
請參閱第1圖、第10圖及第11圖，本發明實施方式之有機發光二極體顯示模組100之製作方法包括： S1，提供一個基體10，基體10上形成有引線11及電源線12； S2，在基體10上形成平坦層20，平坦層20開設有第一過孔21及第二過孔22，部分引線11與第一過孔21之位置相對應； S3，在平坦層20上及第二過孔22內形成陽極層30； S4，在平坦層20及陽極層30上形成像素定義層40，像素定義層40形成有第三過孔41及第四過孔42。部分陽極層30與第三過孔41之位置相對應，第四過孔42與第一過孔21連通； S5，在第三過孔41內並在陽極層30上形成發光層50； S6，在像素定義層40、發光層50、及引線11上形成陰極層60，陰極層60包括間隔設置之複數導線區塊61，每個導線區塊61內設置有彎折之導電線612，每個導電線612之一端與引線11連接，另一端與電源線12連接。
本發明實施方式之有機發光二極體顯示模組100之製作方法製作之有機發光二極體顯示模組100藉由將陰極層60分割成多條導電線612，因此根據每條導電線612之曲率半徑能夠確定顯示模組100之一個位置之曲率半徑，從而顯示模組100能夠根據每條導電線612之曲率半徑對顯示模組100進行顯示補償。
請參閱第12圖及第14圖，在某些實施方式中，在像素定義層40、發光層50、及引線11上形成陰極層60之步驟（步驟S6）包括： S61，利用精細金屬屏蔽(fine metal mask, FMM)製程在像素定義層40、發光層50、及引線11上製作初始陰極層64； S62，切割初始陰極層64以得到陰極層60。
具體地，初始陰極層64可藉由鐳射切割形成，陰極層60包括間隔設置之複數導線區塊61，每個導線區塊61內設置有彎折之導電線612，每個導電線612之一端與引線11連接，另一端與電源線12連接。由於FMM製程為現有的製程，因而製作初始陰極層64所需要之設備容易獲得從而降低了陰極層60之製作成本。
請參閱第13圖及第14圖，在某些實施方式中，在像素定義層40、發光層50、及引線11上形成陰極層60之步驟（步驟S6）包括： S63，在像素定義層40、發光層50、及引線11上蒸鍍初始陰極層64； S64，切割初始陰極層64以得到陰極層60。
具體地，初始陰極層64可藉由鐳射切割形成，陰極層60包括間隔設置之複數導線區塊61，每個導線區塊61內設置有彎折之導電線612，每個導電線612之一端與引線11連接，另一端與電源線12連接。由於蒸鍍為現有的製程，因而製作初始陰極層64所需要之設備容易獲得從而降低了陰極層60之製作成本。
請參閱第15圖，在某些實施方式中，有機發光二極體顯示模組100之製作方法還包括： 利用薄膜封裝技術(Thin Film Encapsulation, TFE)在陰極層60及像素定義層40上設置製作封裝層70以得到顯示模組100。
封裝層70用於隔絕陰極層60與水汽、氧氣接觸以避免陰極層60與水汽及氧氣發生化學反應，從而提升顯示模組100之使用壽命。
在本說明書之描述中，參考術語“某些實施方式”、“一個實施方式”、“一些實施方式”、“示意性實施方式”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等之描述意指結合該實施方式或示例描述之具體特徵、結構、材料或者特點包含於本發明之至少一個實施方式或示例中。在本說明書中，對上述術語之示意性表述不一定指的是相同之實施方式或示例。而且，描述之具體特徵、結構、材料或者特點可以在任何之一個或複數實施方式或示例中以合適之方式結合。
此外，術語“第一”、“第二”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示之技術特徵之數量。由此，限定有“第一”、“第二”之特徵可以明示或者隱含地包括至少一個該特徵。在本發明之描述中，“複數”之含義是至少兩個，例如兩個，三個等，除非另有明確具體之限定。
儘管上面已經示出和描述了本發明之實施方式，可以理解的是，上述實施方式是示例性的，不能理解為對本發明之限制，本領域之普通技術人員在本發明之範圍內可以對上述實施方式進行變化、修改、替換和變型，本發明之範圍由權利要求及其等同物限定。
1000‧‧‧顯示裝置
100‧‧‧保護膜層結構
10‧‧‧基體
11‧‧‧引線
12‧‧‧電源線
13‧‧‧基材
14‧‧‧緩衝層
15‧‧‧半導體層
151‧‧‧半導體單元
16‧‧‧第一絕緣層
17‧‧‧柵極層
18‧‧‧第二絕緣層
191‧‧‧汲極
192‧‧‧源極
20‧‧‧平坦層
21‧‧‧第一過孔
22‧‧‧第二過孔
30‧‧‧陽極層
40‧‧‧像素定義層
41‧‧‧第三過孔
42‧‧‧第四過孔
50‧‧‧發光層
51‧‧‧發光單元
60‧‧‧陰極層
61‧‧‧導線區塊
612‧‧‧導電線
64‧‧‧初始陰極層
70‧‧‧封裝層
200‧‧‧電子裝置
201‧‧‧處理器
202‧‧‧記憶體
203‧‧‧主機板
80‧‧‧電流計
90‧‧‧觸控偵測電路
第1圖是本發明某些實施方式之顯示模組之剖視圖。 第2圖是本發明某些實施方式之陰極層之平面示意圖。 第3圖是本發明某些實施方式之導電線分別與電源線及引線連接之平面示意圖。 第4圖是本發明某些實施方式之顯示模組之剖視圖。 第5圖是本發明某些實施方式之電子裝置之平面示意圖。 第6圖是本發明某些實施方式之處理器控制電流計與導電線連接之原理示意圖。 第7圖是本發明某些實施方式之顯示模組之工作原理示意圖。 第8圖是本發明某些實施方式之處理器控制電流計或觸控偵測電路分別與導電線連接之原理示意圖。 第9圖是本發明某些實施方式之顯示模組之工作原理示意圖。 第10圖是本發明某些實施方式之顯示模組之製作方法之流程示意圖。 第11圖是本發明某些實施方式之顯示模組之製作方法之原理示意圖。 第12圖是本發明某些實施方式之顯示模組之製作方法之流程示意圖。 第13圖是本發明某些實施方式之顯示模組之製作方法之流程示意圖。 第14圖是本發明某些實施方式之顯示模組之製作方法之原理示意圖。 第15圖是本發明某些實施方式之顯示模組之製作方法之原理示意圖。

Claims (14)

  1. 一種有機發光二極體顯示模組，其中，該顯示模組包括： 一基體，該基體上形成有一引線及一電源線； 形成在該基體上之一平坦層，該平坦層開設有一第一過孔及一第二過孔，部分該引線與該第一過孔之位置相對應； 形成在該平坦層上及該第二過孔內之一陽極層； 形成在該平坦層及該陽極層上之一像素定義層，該像素定義層形成有一第三過孔及一第四過孔，部分該陽極層與該第三過孔位置相對應，該第四過孔與該第一過孔連通； 形成在該第三過孔內並在該陽極層上之一發光層； 形成在該像素定義層、該發光層、及該引線上之一陰極層，該陰極層包括間隔設置之複數導線區塊，每個該導線區塊內設置有彎折之一導電線，每個該導電線之一端與該引線連接，另一端與該電源線連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示模組，其中，該基體包括： 一基材； 設置該基材上之一緩衝層； 形成在該緩衝層上之一半導體層； 形成在該緩衝層及該半導體層上之一第一絕緣層； 形成在該第一絕緣層上之一柵極層； 形成在該柵極層及該第一絕緣層上之一第二絕緣層； 與該半導體層電性連接之一汲極及一源極，該引線、該汲極及該源極形成在該第二絕緣層上，該汲極與該第二過孔之位置相對應。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的顯示模組，其中，該基體包括： 一基材； 設置該基材上之一緩衝層； 形成在該緩衝層上之一半導體層； 形成在該緩衝層及該半導體層上之一第一絕緣層； 形成在該第一絕緣層上之柵極層及該引線； 形成在該柵極層及該引線上之一第二絕緣層，該第二絕緣層開設有與該第一過孔對應之一第五過孔，部分該引線與該第五過孔之位置相對應； 與該半導體層電性連接之一汲極及一源極，該汲極及該源極形成在該第二絕緣層上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的顯示模組，其中，複數該導線區塊呈陣列分佈在該像素定義層、該發光層、及該引線上。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的顯示模組，其中，該導電線之材料包括鎂、鎂銀合金、鎂鐿合金中之任一種。
  6. 一種電子裝置，其中，該電子裝置包括： 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的顯示模組； 一電流計，該電流計能夠藉由該引線與該導電線電性連接，並用於偵測流經該導電線之一電流； 一處理器，該處理器用於根據該導電線之長度、該導電線之帕松比、該導電線之電阻率、該電流、及該電源線提供之電壓計算每個該導電線之形變量；及 一記憶體，該記憶體保存有該導電線之複數形變量值及與複數該形變量值對應之複數曲率半徑值，該處理器根據每個該導電線之形變量及該記憶體保存之複數該曲率半徑值確定該導電線之曲率半徑。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的電子裝置，其中，該電流計之數量為複數，該導電線之數量為多條，多條該導電線對應複數該電流計，每個該電流計用於偵測流經對應之該導電線之電流。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的電子裝置，其中，該顯示模組從開始顯示當前訊框畫面到開始顯示下一訊框畫面之間包括一畫面顯示時間和一曲率偵測時間；該處理器還用於： 在該畫面顯示時間內，控制該電流計與該引線斷開連接、並給該導電線施加有顯示驅動訊號以驅動該顯示模組顯示影像畫面；及 在該曲率偵測時間內，控制該電流計與該引線導通以使該電流計偵測該導電線之電流。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的電子裝置，其中，該顯示模組還包括一觸控偵測電路，該觸控偵測電路能夠藉由該引線與該導電線連接並用於偵測與用戶觸控對應之觸控訊號，該顯示模組從開始顯示當前訊框畫面到開始顯示下一訊框畫面之間包括一畫面顯示時間、一曲率偵測時間、和一觸控偵測時間；該處理器還用於： 在該畫面顯示時間內，控制該電流計與該引線斷開連接、控制該觸控偵測電路與該引線斷開連接、並給該導電線施加有顯示驅動訊號以驅動該顯示模組顯示影像畫面； 在該曲率偵測時間內，控制該電流計與該引線導通以使該電流計偵測該導電線之電流；及 在該觸控偵測時間內，控制該觸控偵測電路與該引線導通以使該觸控偵測電路偵測該導電線產生之觸控訊號。
  10. 如申請專利範圍第8項或第9項所述的電子裝置，其中，該顯示模組從開始顯示當前訊框畫面到開始顯示下一訊框畫面之間之時間小於或等於20毫秒。
  11. 一種有機發光二極體顯示模組之製作方法，其中，該製作方法包括： 提供一基體，該基體上形成有一引線及一電源線； 在該基體上形成一平坦層，該平坦層開設有一第一過孔及一第二過孔，部分該引線與該第一過孔之位置相對應； 在該平坦層上及該第二過孔內形成一陽極層； 在該平坦層及該陽極層上形成一像素定義層，該像素定義層形成有一第三過孔及一第四過孔，部分該陽極層與該第三過孔之位置相對應，該第四過孔與該第一過孔連通； 在該第三過孔內並在該陽極層上形成一發光層； 在該像素定義層、該發光層、及該引線上形成一陰極層，該陰極層包括間隔設置之複數導線區塊，每個該導線區塊內設置有彎折之一導電線，每個該導電線之一端與該引線連接，另一端與該電源線連接。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的顯示模組之製作方法，其中，該在該像素定義層、該發光層、及該引線上形成陰極層之步驟包括： 利用精細金屬屏蔽製程在該像素定義層、該發光層、及該引線上製作一初始陰極層； 切割該初始陰極層以得到該陰極層。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的顯示模組之製作方法，其中，該在該像素定義層、該發光層、及該引線上形成一陰極層之步驟包括： 在該像素定義層、該發光層、及該引線上蒸鍍一初始陰極層； 切割該初始陰極層以得到該陰極層。
  14. 如申請專利範圍第11項所述的顯示模組之製作方法，其中，該製作方法還包括： 利用薄膜封裝技術在該陰極層上設置製作一封裝層以得到該顯示模組。
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