TW201917586A - 延長固態硬碟壽命之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種延長固態硬碟壽命之方法，其包含下列步驟：設定固態硬碟之邏輯儲存區塊之個數為快閃記憶體之實體儲存區塊之個數之二分之一。由快閃記憶體之控制單元讀取快閃記憶體之各實體儲存區塊之寫入/抹除次數。當寫入/抹除次數超過寫入/抹除上限值時，將實體儲存區塊由多層式儲存格式轉換為單層式儲存格式。其中，邏輯儲存區塊之個數為不變之固定值。

Description

延長固態硬碟壽命之方法
本案係關於一種延長固態硬碟壽命之方法，特別是有關於一種藉由對達到一定寫入/抹除次數之實體儲存區塊進行降階以達到延長使用壽命的延長固態硬碟壽命之方法。
NAND 快閃記憶體(Flash)是固態硬碟(SSD)用來承載、儲存資料的記憶體，固態硬碟可透過控制器(Controller)進行各種運算處理，而這些過程中的任何一個細節，都有可能影響到固態硬碟的產品效能表現、可靠度、穩定度等等。
快閃記憶體在格式上可分為單層式儲存(Single-Level Cell, SLC)、多層式儲存(Multiple-Level Cell, MLC)或是三層式儲存(Triple-Level Cell, TLC)，其是以記憶體單元陣列的方式來儲存資料，而記憶體單元是由一浮動閘極電晶體(floating-gate transistor)來進行實作，透過控制浮動閘極電晶體上的電荷個數來設定導通此記憶體單元之所需臨界電壓，進而儲存至少一位元以上的資訊，而當一特定電壓施加於浮動閘極電晶體的控制閘極上時，浮動閘極電晶體的導通狀態便會指示出浮動閘極電晶體中所儲存的一或多個二進位數字。
然而，當記憶體單元無法完全支援所寫入的電壓位準或是電壓位準發生漂移(shift)或沾黏(sticky)的問題時，則此時資料的寫入便會發生錯誤，而發生此種錯誤的區塊便稱之為故障區塊(Bad Block)。
在現行的故障區塊管理機制中，被判斷為故障區塊之使用區塊將永遠沒有再被使用的價值，因此，若能妥善使用該些可能成為故障區塊的使用區塊，使其在成為故障區塊前另可產生額外的功能，將可有效地提升固態硬碟之使用效率，並可避免成本上的浪費。
基於上述目的， 本發明係提供一種延長固態硬碟壽命之方法，其中固態硬碟承載快閃記憶體，快閃記憶體屬於多層式儲存快閃記憶體，延長固態硬碟壽命之方法包含下列步驟：設定固態硬碟之邏輯儲存區塊之個數為快閃記憶體之實體儲存區塊之個數之二分之一。由快閃記憶體之控制單元讀取快閃記憶體之各實體儲存區塊之寫入/抹除次數。當寫入/抹除次數超過寫入/抹除上限值時，將實體儲存區塊由多層式儲存格式轉換為單層式儲存格式。其中，邏輯儲存區塊之個數為不變之固定值。
較佳地，當複數個實體儲存區塊皆轉換為單層式儲存格式，且轉換後為單層式儲存格式之複數個實體儲存區塊之故障區塊比例大於預設比例時，固態硬碟可進入一唯讀狀態。
較佳地，各實體儲存區塊之容量於多層式儲存格式轉換為單層式儲存格式後，單層式儲存格式之各實體儲存區塊之容量為多層式儲存格式之各實體儲存區塊之容量的二分之一，當複數個實體儲存區塊皆轉換為單層式儲存格式時，快閃記憶體之容量等於固態硬碟之邏輯存取容量。
基於上述目的， 本發明再提供一種延長固態硬碟壽命之方法，其中固態硬碟承載快閃記憶體，快閃記憶體屬於三層式儲存快閃記憶體，延長固態硬碟壽命之方法包含下列步驟：設定固態硬碟之邏輯儲存區塊之個數為該快閃記憶體之實體儲存區塊之個數之三分之一。由快閃記憶體之控制單元讀取快閃記憶體之各實體儲存區塊之第一寫入/抹除次數。當第一寫入/抹除次數超過第一寫入/抹除上限值時，將實體儲存區塊由三層式儲存格式轉換為多層式儲存格式。由控制單元讀取轉換為多層式儲存格式之各實體儲存區塊之第二寫入/抹除次數。當第二寫入/抹除次數超過第二寫入/抹除上限值時，將轉換為多層式儲存格式之實體儲存區塊由多層式儲存格式轉換為單層式儲存格式。其中，邏輯儲存區塊之個數為不變之固定值。
較佳地，當複數個實體儲存區塊皆轉換為單層式儲存格式，且轉換後為單層式儲存格式之複數個實體儲存區塊之故障區塊比例大於預設比例時，固態硬碟可進入唯讀狀態。
較佳地，各實體儲存區塊之容量於三層式儲存格式轉換為多層式儲存格式後，多層式儲存格式之各實體儲存區塊之容量為三層式儲存格式之各實體儲存區塊之容量的三分之二，當複數個實體儲存區塊皆轉換為多層式儲存格式時，快閃記憶體之容量剩餘三分之二容量。
較佳地，各實體儲存區塊之容量於多層式儲存格式轉換為單層式儲存格式後，單層式儲存格式之各實體儲存區塊之容量為多層式儲存格式之各實體儲存區塊之容量的二分之一，當複數個實體儲存區塊皆轉換為單層式儲存格式時，快閃記憶體之容量等於固態硬碟之邏輯存取容量。
基於上述目的， 本發明又提供一種延長固態硬碟壽命之方法，其中固態硬碟承載快閃記憶體，快閃記憶體屬於三層式儲存快閃記憶體，延長固態硬碟壽命之方法包含下列步驟：設定固態硬碟之邏輯儲存區塊之個數為快閃記憶體之實體儲存區塊之個數之三分之一。由快閃記憶體之控制單元讀取快閃記憶體之各實體儲存區塊之寫入/抹除次數。當寫入/抹除次數超過寫入/抹除上限值時，將實體儲存區塊由三層式儲存格式轉換為單層式儲存格式。其中，邏輯儲存區塊之個數為不變之固定值。
較佳地，複數個實體儲存區塊皆轉換為單層式儲存格式，且轉換後為單層式儲存格式之複數個實體儲存區塊之故障區塊比例大於預設比例時，固態硬碟可進入唯讀狀態。
較佳地，各實體儲存區塊之容量於三層式儲存格式轉換為單層式儲存格式後，單層式儲存格式之各實體儲存區塊之容量為三層式儲存格式之各實體儲存區塊之容量的三分之一，當複數個實體儲存區塊皆轉換為單層式儲存格式時，快閃記憶體之容量等於固態硬碟之邏輯存取容量。
承上所述，本發明之延長固態硬碟壽命之方法藉由監控取得各實體儲存區塊之寫入/抹除次數，而據以判斷是否對其進行儲存格式之降階轉換，以使轉換後之實體儲存區塊得以繼續使用，而達到延長固態硬碟壽命之目的。
為利貴審查員瞭解本發明之特徵、內容與優點及其所能達成之功效，茲將本發明配合圖式，並以實施例之表達形式詳細說明如下，而其中所使用之圖式，其主旨僅為示意及輔助說明書之用，未必為本發明實施後之真實比例與精準配置，故不應就所附之圖式的比例與配置關係解讀、侷限本發明於實際實施上的權利範圍。
本發明之優點、特徵以及達到之技術方法將參照例示性實施例及所附圖式進行更詳細地描述而更容易理解，且本發明或可以不同形式來實現，故不應被理解僅限於此處所陳述的實施例，相反地，對所屬技術領域具有通常知識者而言，所提供的實施例將使本揭露更加透徹與全面且完整地傳達本發明的範疇，且本發明將僅為所附加的申請專利範圍所定義。
請參閱第1圖，其係為本發明之主機系統與記憶體儲存裝置之示意圖。一般來說，記憶體儲存裝置300可包含一控制器310與記憶體晶片320，其中此記憶體晶片320通常為一非揮發性記憶體，且此記憶體儲存裝置300與主機系統200共同使用。主機系統200可以將一資料寫入至此記憶體儲存裝置300，或是從記憶體儲存裝置300讀取此資料。而此記憶體儲存裝置300通常可為一隨身碟、記憶卡或是固態硬碟(Solid State Drive, SSD)等的可複寫式非揮發性記憶體儲存裝置。
續言之，本發明之主機系統200包含電腦210與輸出/輸入裝置220，其中電腦210可包含中央處理器211、動態隨機存取記憶體212(Dynamic Random Access Memory, DRAM)、系統匯流排213及資料傳輸介面214，輸出/輸入裝置220則可包含滑鼠、鍵盤、螢幕、印表機、麥克風及喇叭等。然而，可以理解的是，本發明之輸出/輸入裝置220並不侷限於上述之裝置，更可包含其他裝置。系統匯流排213可連接中央處理器211、動態隨機存取記憶體212及資料傳輸介面214，可用以降低成本和促進模組化。
在本發明之實施例中，記憶體儲存裝置300係透過資料傳輸介面214與電腦210進行連接。更進一步地說明，電腦210可透過中央處理器211、動態隨機存取記憶體212及輸出/輸入裝置220之操作，將資料寫入至記憶體儲存裝置300，或者是從記憶體儲存裝置300讀取資料，其中資料傳輸介面214可包含SCSI(Small Computer System Interface)、ATA(Advanced Technology Attachment)、SAS(Serial Attached SCSI)或SATA(Serial Advanced Technology Attachment)介面。
請參閱第2圖，其係為本發明之快閃記憶體與主機系統之示意圖。請一併參閱第1圖，如圖所示，快閃記憶體100即為第1圖中之記憶體儲存裝置300，而此快閃記憶體100係透過連接器150與主機系統200進行連接，其中連接器150內之傳輸介面係包含第1圖內之資料傳輸介面214，而連接器150本身可以為SATA連接器、SAS連接器、iSCSI連接器、USB連接器或M.2連接器，而快閃記憶體100本身則可為多層式儲存快閃記憶體或三層式儲存快閃記憶體。
續言之，快閃記憶體100中可包含控制單元110、資料快取區120及複數個實體儲存區塊130，控制單元110用以執行以硬體型式或是韌體型式實作的多個邏輯閘或控制指令，並且根據主機系統200的指令在實體儲存區塊130中進行資料的寫入、讀取與抹除等操作。實體儲存區塊130包含複數個資料儲存頁131，用以儲存來自主機所寫入之資料，且其係控制單元110在快閃記憶體100中進行資料抹除時之最小單位，在本實施例中，實體儲存區塊130之格式可為多層式儲存格式或三層式儲存格式，即，實體儲存區塊130本身可屬於多層式儲存快閃記憶體或三層式儲存快閃記憶體。
請參閱第3圖，其係為本發明之延長固態硬碟壽命之方法之第一流程圖。如圖所示，本發明之延長固態硬碟壽命之方法係以固態硬碟承載快閃記憶體，快閃記憶體屬於多層式儲存快閃記憶體，而延長固態硬碟壽命之方法包含下列步驟：
在步驟S31中：設定固態硬碟之邏輯儲存區塊之個數為快閃記憶體之實體儲存區塊之個數之二分之一。其中，邏輯儲存區塊之個數為不變之固定值。
在步驟S32中：由快閃記憶體之控制單元讀取快閃記憶體之各實體儲存區塊之寫入/抹除次數。
在步驟S33中：當寫入/抹除次數超過寫入/抹除上限值時，將實體儲存區塊由多層式儲存格式轉換為單層式儲存格式，其中此寫入/抹除上限值可視實際需求來訂定。
上述之步驟S31至S33可由控制單元進行操作。關於上述之各實體儲存區塊可分別包含複數個資料儲存頁。舉例來說，實體儲存區塊(Block)可以由128個資料儲存頁(Page)所組成，而每一個資料儲存頁的大小可以為512Byte，或者是512Byte之倍數，如1024Byte或是2048Byte，然而，可以理解的是，本發明並不以此為限，實體儲存區塊也可以由64個資料儲存頁或是256個資料儲存頁所組成。
當複數個實體儲存區塊皆轉換為單層式儲存格式，且轉換後為單層式儲存格式之複數個實體儲存區塊之故障區塊比例大於一預設比例時，固態硬碟進入一唯讀狀態；其中，預設比例可以隨固態硬碟之製造商自由設定，而目前一般常見之設定則為6.8%。
各實體儲存區塊從多層式儲存格式轉換為單層式儲存格式後，單層式儲存格式之各實體儲存區塊之容量將會成為多層式儲存格式之各實體儲存區塊之容量的二分之一，在本實施例中，由於一開始多層式儲存格式之各實體儲存區塊之個數即為固態硬碟之邏輯儲存區塊之個數之二倍，故當複數個多層式儲存格式之實體儲存區塊皆轉換為單層式儲存格式後，此時轉換後之單層式儲存格式之實體儲存區塊將會是初始時多層式儲存格式之各實體儲存區塊的1/2容量，換句話說，此時快閃記憶體之容量將會等於固態硬碟之邏輯存取容量。
舉例來說，多層式儲存格式之快閃記憶體之容量為100G，並將其邏輯存取容量設定為50G，在此情況下，主機可透過映射表(Mapping table)的對應方式來自動選擇將資料儲存至多層式儲存格式之實體儲存區塊中，由於實際上可供存取的實體儲存區塊為邏輯存取容量的兩倍，故相較於其他的多層式儲存格式之快閃記憶體，如一般的50G容量的快閃記憶體，本實施例之快閃記憶體之寫入/抹除次數將會成為其他多層式儲存格式之快閃記憶體的兩倍。更詳細地說明，現行之多層式儲存格式之快閃記憶體之寫入/抹除次數約3,000~5,000次，在本實施例中，由於實際所存取之實體儲存區塊為邏輯存取容量之兩倍，故使用者將會認為其所使用之快閃記憶體在邏輯存取容量下，其寫入/抹除次數可高達6,000~10,000次。
請參閱第4圖，其係為本發明之延長固態硬碟壽命之方法之第二流程圖。如圖所示，本發明另一實施例之延長固態硬碟壽命之方法係以固態硬碟承載快閃記憶體，快閃記憶體屬於三層式儲存快閃記憶體延長固態硬碟壽命之方法包含下列步驟：
在步驟S41中：設定固態硬碟之邏輯儲存區塊之個數為快閃記憶體之實體儲存區塊之 個數之三分之一。其中，邏輯儲存區塊之個數為不變之固定值。
在步驟S42中：由快閃記憶體之控制單元讀取快閃記憶體之各實體儲存區塊之第一寫入/抹除次數。
在步驟S43中：當第一寫入/抹除次數超過第一寫入/抹除上限值時，將實體儲存區塊由三層式儲存格式轉換為多層式儲存格式。
在步驟S44中：由控制單元讀取轉換為多層式儲存格式之各實體儲存區塊之第二寫入/抹除次數。
在步驟S45中：當第二寫入/抹除次數超過第二寫入/抹除上限值時，將轉換為多層式儲存格式之實體儲存區塊由多層式儲存格式轉換為單層式儲存格式。
其中，上述之步驟S41至S45可由控制單元進行操作。關於上述之各實體儲存區塊可分別包含複數個資料儲存頁。舉例來說，實體儲存區塊(Block)可以由128個資料儲存頁(Page)所組成，而每一個資料儲存頁的大小可以為512Byte，或者是512Byte之倍數，如1024Byte或是2048Byte，然而，可以理解的是，本發明並不以此為限，實體儲存區塊也可以由64個資料儲存頁或是256個資料儲存頁所組成。
當複數個實體儲存區塊皆轉換為單層式儲存格式，且轉換後為單層式儲存格式之複數個實體儲存區塊之故障區塊比例大於預設比例時，固態硬碟可進入唯讀狀態；其中，預設比例可以隨固態硬碟之製造商自由設定，而目前一般常見之設定則為6.8%。
而，各實體儲存區塊從三層式儲存格式轉換為多層式儲存格式後，多層式儲存格式之各實體儲存區塊之容量將會成為三層式儲存格式之各實體儲存區塊之容量的三分之二，在本實施例中，由於一開始三層式儲存格式之各實體儲存區塊之個數即為固態硬碟之邏輯儲存區塊之個數之三倍，故當複數個三層式儲存格式之實體儲存區塊皆轉換為多層式儲存格式後，此時轉換後之多層式儲存格式之實體儲存區塊將會是初始時三層式儲存格式之各實體儲存區塊的2/3容量，換句話說，此時快閃記憶體之實際可存取容量將會等於固態硬碟之邏輯存取容量的兩倍。
在一實施例中，三層式儲存格式之快閃記憶體之容量為100G，並將其邏輯存取容量設定為33.3G，在此情況下，主機可透過映射表(Mapping table)的對應方式來自動選擇將資料儲存至三層式儲存格式之實體儲存區塊中，由於實際上可供存取的實體儲存區塊為邏輯存取容量的三倍，故相較於其他的三層式儲存格式之快閃記憶體，本實施例之快閃記憶體之寫入/抹除次數將會成為其他三層式儲存格式之快閃記憶體的三倍。而當轉換成多層式儲存格式之實體儲存區塊，此時其容量將成為66.67G，而其寫入/抹除次數也將成為其他66.7G容量多層式儲存格式之快閃記憶體的二倍，其原因已於上述揭露，故在此不進行贅述。
請參閱第5圖，其係為本發明之延長固態硬碟壽命之方法之第三流程圖。如圖所示，本發明之延長固態硬碟壽命之方法係以固態硬碟承載快閃記憶體，快閃記憶體屬於三層式儲存快閃記憶體，而延長固態硬碟壽命之方法包含下列步驟：
在步驟S51中：設定固態硬碟之邏輯儲存區塊之個數為快閃記憶體之實體儲存區塊之個數之三分之一。其中，邏輯儲存區塊之個數為不變之固定值。
在步驟S52中：由快閃記憶體之控制單元讀取快閃記憶體之各實體儲存區塊之寫入/抹除次數。
在步驟S53中：當寫入/抹除次數超過寫入/抹除上限值時，將實體儲存區塊由三層式儲存格式轉換為單層式儲存格式。
上述之步驟S51至S53可由控制單元進行操作。關於上述之各實體儲存區塊可分別包含複數個資料儲存頁。舉例來說，實體儲存區塊(Block)可以由128個資料儲存頁(Page)所組成，而每一個資料儲存頁的大小可以為512Byte，或者是512Byte之倍數，如1024Byte或是2048Byte，然而，可以理解的是，本發明並不以此為限，實體儲存區塊也可以由64個資料儲存頁或是256個資料儲存頁所組成。
當複數個實體儲存區塊皆轉換為單層式儲存格式，且轉換後為單層式儲存格式之複數個實體儲存區塊之故障區塊比例大於預設比例時，固態硬碟進入一唯讀狀態；其中，預設比例可以隨固態硬碟之製造商自由設定，而目前一般常見之設定則為6.8%。
各實體儲存區塊從三層式儲存格式轉換為單層式儲存格式後，單層式儲存格式之各實體儲存區塊之容量將會成為三層式儲存格式之各實體儲存區塊之容量的三分之一，在本實施例中，由於一開始三層式儲存格式之各實體儲存區塊之個數即為固態硬碟之邏輯儲存區塊之個數之三倍，故當複數個三層式儲存格式之實體儲存區塊皆轉換為單層式儲存格式後，此時轉換後之單層式儲存格式之實體儲存區塊將會是初始時三層式儲存格式之各實體儲存區塊的1/3容量，換句話說，此時快閃記憶體之容量將會等於固態硬碟之邏輯存取容量。
在一實施例中，三層式儲存格式之快閃記憶體之容量為100G，並將其邏輯存取容量設定為33.3G，在此情況下，主機可透過映射表(Mapping table)的對應方式來自動選擇將資料儲存至三層式儲存格式之實體儲存區塊中，由於實際上可供存取的實體儲存區塊為邏輯存取容量的兩倍，故相較於其他的三層式儲存格式之快閃記憶體，本實施例之快閃記憶體之寫入/抹除次數將會成為其他33.3G容量多層式儲存格式之快閃記憶體的三倍。
承上所述，本發明之延長固態硬碟壽命之方法藉由監控取得各實體儲存區塊之寫入/抹除次數，而據以判斷是否對其進行儲存格式之降階轉換，以使轉換後之實體儲存區塊得以繼續使用，而達到延長固態硬碟壽命之目的。
以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。
100‧‧‧快閃記憶體
110‧‧‧控制單元
120‧‧‧資料快取區
130‧‧‧實體儲存區塊
131‧‧‧資料儲存頁
140‧‧‧多餘儲存空間
150‧‧‧連接器
200‧‧‧主機系統
210‧‧‧電腦
211‧‧‧中央處理器
212‧‧‧動態隨機存取記憶體
213‧‧‧系統匯流排
214‧‧‧資料傳輸介面
220‧‧‧輸出/輸入裝置
300‧‧‧記憶體儲存裝置
310‧‧‧控制器
320‧‧‧記憶體晶片
S31至S33、S41至S45、S51至S53‧‧‧步驟
第1圖係為本發明之主機系統與記憶體儲存裝置之示意圖。 第2圖係為本發明之快閃記憶體與主機系統之示意圖。 第3圖係為本發明之延長固態硬碟壽命之方法之第一步驟流程圖。 第4圖係為本發明之延長固態硬碟壽命之方法之第二步驟流程圖。 第5圖係為本發明之延長固態硬碟壽命之方法之第三步驟流程圖。

Claims (10)

  1. 一種延長固態硬碟壽命之方法，其中該固態硬碟承載一快閃記憶體，該快閃記憶體屬於一多層式儲存快閃記憶體，該延長固態硬碟壽命之方法係包含下列步驟： 設定該固態硬碟之一邏輯儲存區塊之個數為該快閃記憶體之一實體儲存區塊之個數之二分之一； 由該快閃記憶體之控制單元讀取該快閃記憶體之各該實體儲存區塊之一寫入/抹除次數；以及 當該寫入/抹除次數超過一寫入/抹除上限值時，將該實體儲存區塊由一多層式儲存格式轉換為一單層式儲存格式； 其中，該邏輯儲存區塊之個數係為不變之一固定值。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之延長固態硬碟壽命之方法，其中當該複數個實體儲存區塊皆轉換為該單層式儲存格式，且轉換後為該單層式儲存格式之該複數個實體儲存區塊之故障區塊比例大於一預設比例時，該固態硬碟係進入一唯讀狀態。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之延長固態硬碟壽命之方法，其中各該實體儲存區塊之容量於該多層式儲存格式轉換為該單層式儲存格式後，該單層式儲存格式之各該實體儲存區塊之容量係為該多層式儲存格式之各該實體儲存區塊之容量的二分之一，當該複數個實體儲存區塊皆轉換為該單層式儲存格式時，該快閃記憶體之容量係等於該固態硬碟之一邏輯存取容量。
  4. 一種延長固態硬碟壽命之方法，其中該固態硬碟承載快閃記憶體，該快閃記憶體屬於一三層式儲存快閃記憶體，該延長固態硬碟壽命之方法係包含下列步驟： 設定該固態硬碟之一邏輯儲存區塊之個數為該快閃記憶體之一實體儲存區塊之個數之三分之一； 由該快閃記憶體之一控制單元讀取該快閃記憶體之各該實體儲存區塊之一第一寫入/抹除次數； 當該第一寫入/抹除次數超過一第一寫入/抹除上限值時，將該實體儲存區塊由一三層式儲存格式轉換為一多層式儲存格式； 由該控制單元讀取轉換為該多層式儲存格式之各該實體儲存區塊之一第二寫入/抹除次數；以及 當該第二寫入/抹除次數超過一第二寫入/抹除上限值時，將轉換為該多層式儲存格式之該實體儲存區塊由該多層式儲存格式轉換為一單層式儲存格式； 其中，該邏輯儲存區塊之個數係為不變之一固定值。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之延長固態硬碟壽命之方法，其中當該複數個實體儲存區塊皆轉換為該單層式儲存格式，且轉換後為該單層式儲存格式之該複數個實體儲存區塊之故障區塊比例大於一預設比例時，該固態硬碟係進入一唯讀狀態。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之延長固態硬碟壽命之方法，其中各該實體儲存區塊之容量於該三層式儲存格式轉換為該多層式儲存格式後，該多層式儲存格式之各該實體儲存區塊之容量係為該三層式儲存格式之各該實體儲存區塊之容量的三分之二，當該複數個實體儲存區塊皆轉換為該多層式儲存格式時，該快閃記憶體之容量係剩餘三分之二容量。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之延長固態硬碟壽命之方法，其中各該實體儲存區塊之容量於該多層式儲存格式轉換為該單層式儲存格式後，該單層式儲存格式之各該實體儲存區塊之容量係為該多層式儲存格式之各該實體儲存區塊之容量的二分之一，當該複數個實體儲存區塊皆轉換為該單層式儲存格式時，該快閃記憶體之容量係等於該固態硬碟之一邏輯存取容量。
  8. 一種延長固態硬碟壽命之方法，其中該固態硬碟承載一快閃記憶體，該快閃記憶體屬於一三層式儲存快閃記憶體，該延長固態硬碟壽命之方法係包含下列步驟： 設定該固態硬碟之一邏輯儲存區塊之個數為該快閃記憶體之一實體儲存區塊之個數之三分之一； 由該快閃記憶體之控制單元讀取該快閃記憶體之各該實體儲存區塊之一寫入/抹除次數；以及 當該寫入/抹除次數超過一寫入/抹除上限值時，將該實體儲存區塊由一三層式儲存格式轉換為一單層式儲存格式； 其中，該邏輯儲存區塊之個數係為不變之一固定值。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之延長固態硬碟壽命之方法，其中當該複數個實體儲存區塊皆轉換為該單層式儲存格式，且轉換後為該單層式儲存格式之該複數個實體儲存區塊之故障區塊比例大於一預設比例時，該固態硬碟係進入一唯讀狀態。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之延長固態硬碟壽命之方法，其中各該實體儲存區塊之容量於該三層式儲存格式轉換為該單層式儲存格式後，該單層式儲存格式之各該實體儲存區塊之容量係為該三層式儲存格式之各該實體儲存區塊之容量的三分之一，當該複數個實體儲存區塊皆轉換為該單層式儲存格式時，該快閃記憶體之容量係等於該固態硬碟之一邏輯存取容量。
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