TW201910403A - 光學構件用樹脂薄片、具備其之光學構件、積層體或發光元件以及光學構件用樹脂薄片之製造方法 - Google Patents

光學構件用樹脂薄片、具備其之光學構件、積層體或發光元件以及光學構件用樹脂薄片之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種樹脂薄片及其製造方法,該樹脂薄片作為光學構件之特性優異,於發光元件等裝置中使用時亦具有優異之性能。 本發明之光學構件用樹脂薄片特徵在於,在薄片寬度方向上,相對於薄片總膜厚,薄片末端厚度與薄片中央厚度之差為5.0%以內,薄片中央厚度為10~1000 μm之範圍內,並且薄片面積為225 mm2以上,至少含有1種以上螢光體或反射材。

Description

光學構件用樹脂薄片、具備其之光學構件、積層體或發光元件以及光學構件用樹脂薄片之製造方法
本發明涉及一種光學構件用樹脂薄片、具備其之光學構件、積層體或發光元件以及光學構件用樹脂薄片之製造方法。本發明尤其涉及一種平坦性優異、可用於照明及顯示裝置等之光學構件用樹脂薄片、具備其之光學構件、積層體或發光元件以及光學構件用樹脂薄片之製造方法。
效率、物性及耐久性優異之光學構件用樹脂薄片被用於LED等發光元件等裝置中。為將此種樹脂薄片積層於例如LED晶片上使用,要求其平坦性優異。一直以來,為製造此種樹脂薄片,一般採用卷對卷製程等連續製程,但連續製程適於大量製造大面積之薄片,並不適於LED等小批量多品種產品之製造。
專利文獻1中公開有於檢查系統中使用之薄片塗佈製造機。然而,專利文獻1中所記載之薄片塗佈製造機之基板為玻璃,並未公開於高分子薄膜等可撓性基板上塗佈之情形。此外,專利文獻2中公開有於製造處理液之膜時,先調節處理液之狀態,然後再形成膜之方法。然而,專利文獻2中亦未公開基板係高分子薄膜等可撓性基板。
專利文獻3中公開有基本之薄膜塗佈製造機,但關於如何控制其品質,可否獲得平坦性優異之薄片,並未公開。專利文獻4及5中雖然公開有薄片塗布製造機,但均適用於連續製程,未公開於光學構件用樹脂薄片之製造中使用相關薄片塗佈製造機之情形。 習知技術文獻 專利文獻
專利文獻1:美國專利第2010/0189880號說明書 專利文獻2:日本專利特開平10-76205號公報 專利文獻3:美國專利第4938994號 專利文獻4:國際公開第97/26999號 專利文獻5:日本專利特表2016-500382號公報
發明所欲解決之課題 因此,作為LED等發光元件中使用之光學構件用樹脂薄片,要求平坦性優異之樹脂薄片及其製造方法。尤其是藉由適於小批量製造之分批製程,而具備產品所容許之平坦性的光學構件用樹脂薄片及其製造方法,先前並不為人所知曉。
進而,作為具備光學構件用樹脂薄片之光學構件使用時,要求LED等發光元件效率良好,耐久性亦優異之樹脂薄片或具備其之發光元件。
本發明係為解決上述現有技術課題開發而成,目的在於提供一種樹脂薄片及其製造方法,該樹脂薄片作為光學構件之特性優異,於發光元件等裝置中使用時亦具有優異之性能。 解決問題之技術手段
本發明者等對上述課題銳意研究,從而完成本發明。即,本發明之目的可藉由如下光學構件用樹脂薄片而達成,該光學構件用樹脂薄片特徵在於,在薄片寬度方向上,相對於薄片總膜厚,薄片末端厚度與薄片中央厚度之差為5.0%以內,薄片中央厚度為10~1000 μm之範圍內,並且薄片面積為225 mm2 以上,至少含有1種以上螢光體或反射材。
所述薄片寬度及長度分別優選為15 mm以上,所述薄片面積優選為400 mm2 以上。
所述薄片中央厚度優選為30~900 μm之範圍內,在薄片寬度方向上,相對於薄片總膜厚,薄片末端厚度與薄片中央厚度之差優選為2.5%以內。
相對於薄片總重量,所述螢光體或反射材之含量優選為10~90質量%之範圍內。
所述螢光體或反射材優選具有分散於至少含有聚矽氧樹脂之黏合劑樹脂中的結構。
本發明之光學構件用樹脂薄片優選具有加熱熔融性。
本發明之光學構件用樹脂薄片優選包含: (A) 選自氧化物類螢光體、氮氧化物類螢光體、氮化物類螢光體、硫化物類螢光體、氟化物類螢光體及氧硫化物類螢光體中之1種或2種以上螢光體;以及 (B) 分子內具有由RA SiO3/2 (式中,RA 為碳原子數6~14之芳基)表示之芳基矽氧烷單元及由(R2 SiO2/2 )n (式中,R為可由鹵素原子取代之碳原子數1~20之烷基或者碳原子數6~14之芳基,n為3~1000範圍內之數)表示之聚二有機矽氧烷結構的有機聚矽氧烷。
相對於薄片總重量,成分(A)之含量優選為10~90質量%之範圍內。
成分(B)優選為至少包含成分(A)之固體粒子成分之黏合劑樹脂,且由{(R2 SiO2/2 )}a {RA SiO3/2 }1-a (式中,R及RA 為上述同樣之基團,a為0.8~0.2範圍內之數)表示之有機聚矽氧烷。
所述螢光體或反射材之至少一部分優選藉由有機矽化合物實施表面處理。
所述反射材優選為選自氧化鈦、氧化鋇、氧化鉻、氧化鐵、氮化硼及氮化鈦中之1種或2種以上。
本發明之光學構件用樹脂薄片可進而包含(C)二氧化矽粒子。
此外,本發明還涉及具備本發明之光學構件用樹脂薄片之光學構件。
進而,本發明還涉及具備本發明之光學構件用樹脂薄片之積層體。
本發明之積層體可進而具備剝離層。
此外,本發明還涉及具有藉由本發明之光學構件用樹脂薄片進行密封之結構的發光元件。
進而,本發明還涉及本發明之光學構件用樹脂薄片之製造方法,其特徵在於,於25℃時之黏度為10~10,000 mPa·s、潮濕狀態下膜厚為10~1000 μm之條件下,藉由薄片塗佈製造機將光學構件用樹脂薄片之原料塗佈於基材上進行製造。
於本發明之製造方法中,優選使用狹縫式塗佈機作為薄片塗佈製造機,於塗佈速度w (cm/sec)條件下,以液壓上升時間為1.0/w sec以下之條件進行製造。 發明效果
根據本發明,樹脂薄片之平坦性優異,故作為光學構件使用時有用。尤其是作為LED等發光元件之構件使用時,可提供波長轉換特性、光萃取效率及密封性能優異之構件。
又,本發明之光學構件用樹脂薄片之製造方法可藉由分批製程進行製造,適於小批量且多品種產品之製造。此外,由於可製造平坦性優異之光學構件用樹脂薄片,故可製造優異之樹脂薄片作為發光元件之構件。
以下,詳細說明本發明之光學構件用樹脂薄片。
本發明之光學構件用樹脂薄片特徵在於,在薄片寬度方向上,相對於薄片總膜厚,薄片末端厚度與薄片中央厚度之差為5.0%以內,薄片中央厚度為10~1000 μm之範圍內。薄片寬度方向係指與薄片長度方向垂直之方向,一般表示相對於將作為原料之組合物塗佈於基材上或單獨製膜之方向,與平面方向垂直之方向。再者,捲取薄片時捲取方向為長度方向,薄片寬度方向係與其垂直之方向。四邊形或大致四邊形之薄膜中,薄膜寬度方向係與長軸方向垂直之方向;正方形或大致正方形薄膜中,亦可將與該正方形或大致正方形之薄膜各邊垂直或平行之方向中之任一方向作為寬度方向。
本發明之光學構件用樹脂薄片特徵在於,在薄片寬度方向上,相對於薄片總膜厚,薄片末端厚度(μm)與薄片中央厚度(μm)之差(絕對值)為5.0%以內;相對於薄片總膜厚,薄片末端厚度與薄片中央厚度之差優選為4.0%以內,尤其優選為2.5%以內。再者,該薄片優選包含兩端之***在內,實質上面上並無凹凸之平坦且均勻之結構,薄片寬度方向之厚度之最大位移(差)優選為5.0%以內。此外,尤其優選為整個薄片中厚度之最大位移(差)為5.0%以內,且實質上為並無凹凸之平坦薄片。
本發明之光學構件用樹脂薄片特徵在於,其係例如薄片中央厚度超過10 μm之具有固定厚度的薄片材料,並且薄片內幾乎沒有厚度差,具有實質上平坦之結構。具體而言,其特徵在於,在薄片寬度方向上,薄片中央厚度為10~1000 μm之範圍內;優選薄片中央厚度為20~950 μm之範圍內,尤其優選薄片中央厚度為30~900 μm之範圍內。薄片中央厚度小於所述下限時,膜厚過薄,其作為光學構件用樹脂薄片之用途可能會受到限定;若超過所述上限,用作單層時膜厚會過厚,因此可能不適用於要求薄型化之發光元件等用途。
再者,本發明之光學構件用樹脂薄片係實質上沒有凹凸之平坦之樹脂薄片,因此不僅是單層,在重疊多個樹脂薄片層形成厚度均勻之樹脂薄片層時,亦具有不易因樹脂薄片間之凹凸產生氣泡捲入、變形以及缺陷的優點。即,本發明之光學構件用樹脂薄片具有10~1000 μm之厚度,但可將多個薄膜重疊形成超過1000 μm之樹脂薄片層,用於形成各種光學元件中所使用之光學構件。
本發明之光學構件用樹脂薄片具有固定之大小(面積),其特徵在於,薄片面積為225 mm2 以上。本發明之光學構件用樹脂薄片之薄片寬度及長度分別優選為15 mm以上,尤其優選為30 mm以上。此外,薄片面積優選為400 mm2 以上,尤其優選為900 mm2 以上。本發明之光學構件用樹脂薄片係實質上沒有凹凸之平坦薄膜,可以具有於剝離層上均勻塗佈作為原料之固化性組合物並使其固化之結構,因此,在長度方向上,只要長度能夠捲取至滾筒上,則可無限制地使用。又,該光學構件用樹脂薄片可切割為期望之大小及形狀使用。
本發明之光學構件用樹脂薄片特徵在於,至少含有1種以上螢光體或反射材。
作為本發明之光學構件用樹脂薄片中所包含之螢光體,只要可作為波長轉換材料發揮功能者,則無特別限定,可例示廣泛應用於發光二極體(LED)或有機發光二極體(OLED)中之由氧化物類螢光體、氮氧化物類螢光體、氮化物類螢光體、硫化物類螢光體、氟化物類螢光體及硫氧化物類螢光體等構成之黃色、紅色、綠色以及藍色發光螢光體。作為氧化物類螢光體,可列舉包含鈰離子之釔、鋁、石榴石類之YAG類綠色至黃色發光螢光體;包含鈰離子之鋱、鋁、石榴石類之TAG類黃色發光螢光體;以及包含鈰及銪離子之矽酸鹽類綠色至黃色發光螢光體。此外,作為氮氧化物類螢光體,可列舉包含銪離子之矽、鋁、氧、氮類之SiAlON類紅色至綠色發光螢光體。作為氮化物類螢光體,可列舉包含銪離子之鈣、鍶、鋁、矽、氮類之CASN類紅色發光螢光體。作為硫化物類螢光體,可列舉包含銅離子及鋁離子之ZnS類綠色發色螢光體。作為氟化物類螢光體,可列舉KSF螢光體(K2 SiF6 :Mn4+ )。作為硫氧化物類螢光體,可列舉包含銪離子之Y2 O2 S類紅色發光螢光體。螢光體可單獨使用,亦可組合2種以上使用。
本發明之光學構件用樹脂薄片中所包含之反射材並無特別限定,優選為選自氧化鈦、氧化鋇、氧化鉻、氧化鐵、氮化硼及氮化鈦中之1種或2種以上。尤其優選為氧化鈦。
本發明之光學構件用樹脂薄片中所包含之螢光體或反射材優選具有分散於至少含有聚矽氧樹脂之黏合劑樹脂中的結構。又,為改善其於聚矽氧樹脂中之分散性,可藉由有機矽化合物對螢光體或反射材之至少一部分實施表面處理。具體而言,可藉由烷氧基矽烷、有機鹵代矽烷、有機矽氮烷、矽氧烷寡聚物等對螢光體或反射材之至少一部分實施表面處理。
相對於薄片總重量,本發明之光學構件用樹脂薄片中所包含之螢光體或反射材之含量優選為10~90質量%之範圍內,尤其優選為15~85質量%之範圍內。
本發明之光學構件用樹脂薄片優選包含: (A) 選自氧化物類螢光體、氮氧化物類螢光體、氮化物類螢光體、硫化物類螢光體、氟化物類螢光體及氧硫化物類螢光體中之1種或2種以上螢光體;以及(B)分子內具有由RA SiO3/2 (式中,RA 為碳原子數6~14之芳基)表示之芳基矽氧烷單元及由(R2 SiO2/2 )n (式中,R為可由鹵素原子取代之碳原子數1~20之烷基或者碳原子數6~14之芳基,n為3~1000範圍內之數)表示之聚二有機矽氧烷結構的有機聚矽氧烷。
相對於薄片之總重量,成分(A)之含量優選為10~90質量%之範圍,尤其優選為15~85質量%之範圍內。
成分(B)係至少包含成分(A)之固體例子成分之黏合劑樹脂,係包含具有芳基之T單元的樹脂-線型聚合物型有機聚矽氧烷。成分(B)之折射率高,且具有熱熔性,故容易形成均勻之薄膜狀固體層。
此種成分(B)係於分子內具有由RA SiO3/2 (式中,RA 為碳原子數6~14之芳基)表示之芳基矽氧烷單元及由(R2 SiO2/2 )n (式中,R為可由鹵素原子取代之碳原子數1~20之烷基或者碳原子數6~14之芳基,n為3~1000範圍內之數)表示之聚二有機矽氧烷結構的有機聚矽氧烷。
此處,碳原子數6~14之芳基係苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基或蒽基,自工業生產之觀點出發,優選為苯基。此外,R係甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基等烷基;苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、蒽基等芳基;或者用氟原子、氯原子、溴原子等鹵素原子取代與該等基團鍵合之氫原子之部分或全部的基團;自工業生產之觀點出發,優選為甲基或苯基。
更具體而言,成分(B)係擁有具有T單元:R1 SiO3/2 (R1 為一價有機基、羥基或碳原子數1~6之烷氧基,分子內所有R1 中至少一個以上為碳原子數6~14之芳基)、任意Q單元:SiO4/2 表示之矽氧烷單元之樹脂結構嵌段與(R2 SiO2/2 )n (式中,n為上述同樣之數,R為上述同樣之基團)表示之線型結構嵌段藉由矽伸烷基鍵或Si-O-Si鍵連結的結構,且具有RA SiO3/2 單元之樹脂-線型有機聚矽氧烷嵌段共聚物,於聚合物中連結樹脂結構嵌段與線型結構嵌段之矽伸烷基鍵或Si-O-Si鍵中,優選與樹脂結構鍵合之Si原子構成RA SiO3/2 單元。
成分(B)中之樹脂結構嵌段係對成分(B)整體賦予熱熔性之部分結構,係樹脂狀有機聚矽氧烷結構。相關結構形成由以RA SiO3/2 表示之芳基矽氧烷單元為必須成分,鍵合大量T單元或Q單元之樹脂狀有機聚矽氧烷所構成之部分結構。尤其是分子內含有大量苯基等芳基時,可使成分(B)之折射率上升。成分(B)優選為整體之20~80質量%含有由RA SiO3/2 (式中,RA 為上述同樣之基團)表示之芳基矽氧烷單元的有機聚矽氧烷,自上述熱熔性及折射率之觀點出發,尤其優選樹脂結構實質上僅由RA SiO3/2 表示之芳基矽氧烷單元形成。
線型結構係由(R2 SiO2/2 )n 所表示之非反應性嵌段,係R2 SiO2/2 所表示之二有機矽烷氧基單元至少3個單元以上、優選5個單元以上連結為鏈狀之結構。相關線型結構嵌段係對藉由本共聚物而形成之固體層賦予適度柔軟性之部分結構。式中,n為構成該部分結構之二有機矽烷氧基單元之聚合度,優選為3~250之範圍內,更優選為5~250、50~250、100~250之範圍內。部分結構中之n若超過上述上限,則源自線型結構之線型分子之性質會強烈顯現,導致薄膜成型性降低。另一方面,若n低於上述下限,線型分子之性質不充分,尤其於薄膜化時容易發生塌凹(cissing)現象等,無法實現均勻之塗佈等,可能無法實現成分(B)之特徵性物性。
構成線型結構之二有機矽烷氧基單元中之官能基R為烷基或芳基,該等基團對於同一分子中之樹脂結構及其官能基無反應性,於分子內不會發生縮合反應等聚合反應,需要維持線型結構。該等烷基及芳基為如上所述之基團,自工業觀點出發,優選為甲基或苯基。
成分(B)中之樹脂結構嵌段與線型結構嵌段優選藉由源自烯基與矽原子鍵合氫原子之間之矽氫化反應的矽伸烷基鍵或者源自樹脂結構或線型結構末端之縮合反應性基的Si-O-Si鍵進行連結。於本發明中,尤其優選與樹脂結構鍵合之Si原子構成R1 SiO3/2 單元,尤其優選具有下述部分結構(T-Dn)。自工業觀點出發,R1 優選為苯基,R優選為甲基或者苯基。
[化學式1]
於上述部分結構中,優選構成T單元之左側Si-O-鍵末端分別與氫原子或構成樹脂結構之其他矽氧烷單元、優選其他T單元鍵合。另一方面,右側Si-O-鍵末端與形成線型結構或樹脂結構之其他矽氧烷單元、三有機矽烷氧基單元(M單元)或氫原子鍵合。另外,於Si-O-鍵末端鍵合氫原子時,當然可形成矽烷醇基(Si-OH)。
自改善成分(B)之加熱熔融性、光萃取效率所要求之折射率、以及尤其是薄膜化時均勻塗佈性之觀點出發,成分(B)優選為僅由RA SiO3/2 表示之芳基矽氧烷單元以及R2 SiO2/2 表示之二有機矽氧烷單元構成之非反應性有機聚矽氧烷。更具體而言,成分(B)優選為由 {(R2 SiO2/2 )}a {RA SiO3/2 }1-a 表示之有機聚矽氧烷。式中,R及RA 為上述同樣之基團,a為0.8~0.2範圍內之數,更優選為0.8~0.4範圍內之數。
成分(B)優選具有加熱熔融性,具體而言,優選在25℃下具有非流動性,100℃時之熔融黏度為200,000 Pa·s以下。非流動性係指無負荷之狀態下不流動,例如,表示低於藉由JIS K 6863-1994「熱熔黏接劑之軟化點試驗方法」規定之採用熱熔黏接劑之環球法之軟化點試驗方法測定之軟化點的狀態。即,為使25℃下具有非流動性,軟化點必須高於25℃。成分(B)優選100℃之熔融黏度為200,000 Pa·s以下、100,000 Pa·s以下、50,000 Pa·s以下、20,000 Pa·s以下或者10~20,000 Pa·s之範圍內。100℃之熔融黏度為上述範圍內時,熱熔後冷卻至25℃後薄膜等之密接性良好。並且,藉由使用上述熔融黏度為100~15,000 Pa·s之成分(B),可抑制成型加工後薄膜等之變形及剝離。
相對於薄片之總重量,成分(B)之含量優選為10~90質量%之範圍內,尤其優選為15~85質量%之範圍內。
本發明之光學構件用樹脂薄片可包含(C)二氧化矽粒子。二氧化矽粒子可作為補強性填充材發揮作用,粒子形狀並無特別限定。可使用實心二氧化矽及中空二氧化矽中之任一個,但若使用中空二氧化矽,由於折射率之差異,可實現尤其高之光擴散性。
相對於薄片總重量,成分(C)之含量優選為0~70質量%之範圍內,尤其優選為0~50質量%之範圍內。
本發明之光學構件用樹脂薄片優選包含有機氫聚矽氧烷作為上述成分(A)之交聯劑,並且,優選包含固化性觸媒(矽氫化反應觸媒等)及固化延遲劑(抑制劑)。進而,優選包含所述有機氫聚矽氧烷或有機聚矽氧烷、尤其是矽氧烷聚合度為2~150之聚二有機矽氧烷作為增塑劑。
關於有機氫聚矽氧烷,可無限制地使用分子內具有2個以上矽原子鍵合氫原子之有機氫聚矽氧烷,成分(A)中具有烯基時,相對於成分(A)中之烯基1莫耳,有機氫聚矽氧烷中矽原子鍵合氫原子優選為0.2~5莫耳之量的範圍內。此外,有機氫聚矽氧烷之分子結構並無特別限定,可無特別限制地使用矽氧烷聚合度為1000以下之、選自直鏈狀、支鏈狀、樹脂狀或環狀中之1種或2種以上之有機氫聚矽氧烷。
關於固化性觸媒,可無特別限制地使用周知之固化劑,即矽氫化反應觸媒、縮合觸媒、光活化觸媒、過氧化物觸媒等,自控制反應之觀點出發,優選使用矽氫化反應觸媒。另外,使用矽氫化反應觸媒時,自控制操作作業性及固化性之觀點出發,可配伍周知之固化延遲劑。
只要不妨礙本發明之目的,本發明之光學構件用樹脂薄片可包含乙烯基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等有機官能性烷氧基矽烷化合物等黏著性改良劑等任意添加劑。又,作為其他任意成分,於不損壞本發明之技術效果之範圍內,可添加苯酚類、醌類、胺類、磷類、亞磷酸類、硫類、硫醚類等抗氧化劑;***類、二苯甲酮類等光穩定劑;磷酸酯類、鹵素類、磷類、銻類等阻燃劑;由陽離子類表面活性劑、陰離子類表面活性劑、非離子類表面活性劑等構成之1種以上之防靜電劑;以及染料、顏料等。但是,要實現薄膜化時,優選不添加平均一次粒徑超過100 nm之粒子成分。
出於後述成膜為薄片或薄膜之目的等,本發明之光學構件用樹脂薄片可分散於有機溶劑中進行塗佈。作為要使用之有機溶劑,只要是可使組合物中所有構成成分或部分構成成分溶解之化合物即可,其種類並無特別限定,優選使用沸點為80℃以上且小於200℃者。例如,可列舉異丙醇、三級丁醇、環己醇、環己酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、甲苯、二甲苯、均三甲基苯、1,4-二噁烷、二丁醚、苯甲醚、4-甲基苯甲醚、乙苯、乙氧基苯、乙二醇、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、2-甲氧基乙醇(乙二醇單甲醚)、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇單甲醚、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酸丙酯、1-甲氧基-2-丙基乙酸酯、1-乙氧基-2-丙基乙酸酯、八甲基環四矽氧烷、以及六甲基二矽氧烷等無鹵類溶劑;三氟甲基苯、1,2-雙(三氟甲基)苯、1,3-雙(三氟甲基)苯、1,4-雙(三氟甲基)苯、三氟甲基氯苯、三氟甲基氟苯、氫氟醚等鹵素類溶劑。該等有機溶劑可單獨使用,亦可混合兩種以上使用。自提高操作作業性、固體層之均勻性以及耐熱性之觀點出發,優選使用異丙醇、甲基異丁基酮等。
本發明之光學構件用樹脂薄片之硬度對基材亦有依賴性,故無特別限定,但實際使用時優選為鉛筆硬度2B以上。
本發明之光學構件用樹脂薄片尤其適宜用作構成積層體結構之固體層,尤其是作為構成發光元件或發光元件所使用之積層體之固體層,優選配置於與空氣之界面上。
於一實施方式中,本發明之光學構件用樹脂薄片可作為具備剝離層之積層體之構件使用。於剝離層上形成有本發明之光學構件用樹脂薄片時,可自剝離層剝離本發明之光學構件用樹脂薄片或具備其之積層構件並使用。作為本發明之積層體,可例示具備以下構成之積層體。另外,於以下例示中,「/」係指各層與積層體之積層方向(一般為垂直于基材之厚度方向)相向之意。此外,基材與剝離層可為一體或同一層(材質或設置物理性凹凸以便具有剝離性之基材),各層亦可由多層構成。
例1:基材/剝離層/本發明之光學構件用樹脂薄片/其他任意層 例2:基材/剝離層/本發明之光學構件用樹脂薄片/其他任意層/剝離層/基材
尤其如例2所示,具有由兩個剝離層將本發明之光學構件用樹脂薄片或具備其之光學構件夾於中間之構成時,可於基材保護之狀態下對具備本發明之光學構件用樹脂薄片的構件進行運輸,可於期望之時間、場所將具備剝離層之基材自積層體兩面分離,僅將本發明之光學構件用樹脂薄片或光學構件配置或積層至期望之結構體、例如發光元件光源上等。因此,於可改善操作作業性方面有用。
積層體中所使用之基材並無特別限制,可例示板紙、瓦楞紙、白土塗佈紙、聚烯烴層壓紙、尤其是聚乙烯層壓紙、合成樹脂薄膜、天然纖維布、合成纖維布、人工皮革布以及金屬箔等。尤其優選合成樹脂薄膜,作為合成樹脂,可例示聚醯亞胺、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、環聚烯烴以及尼龍等。基材優選為薄膜狀或薄片狀。其厚度並無特別限制,可根據用途設計為期望之厚度。另外,如後所述,亦可為基材自身作為剝離層發揮功能之材質,亦可具有於基材表面以物理方式形成微細凹凸等以便具有剝離性之結構。
剝離層亦被稱為剝離襯墊、離型層或剝離塗層,優選為具有聚矽氧類剝離劑、氟類剝離劑、醇酸類剝離劑或氟聚矽氧類剝離劑等之剝離塗佈性能的剝離層,亦可於基材表面以物理方式形成微細凹凸,或為不易與本發明之光學構件用樹脂薄片發生附著之基材自身。
積層體中之其他層可為1層以上,亦可為2層以上具備不同功能之多層。此外,於本發明之光學構件用樹脂薄片上所積層之積層構件整體厚度並無特別限定,但優選為10 μm以上,自操作作業性之觀點出發,優選為50~10,000 μm,尤其優選為100~5,000 μm。
本發明之光學構件用樹脂薄片及具備其之積層體可作為密封片使用,可具有配置於有機發光二極體等發光元件之光源上並密封之結構。此處,若本發明之光學構件用樹脂薄片包含螢光體,則自光源發出之光會被轉換波長。
於一實施方式中,本發明之光學構件用樹脂薄片係於25℃時之黏度為10~10,000 mPa·s、潮濕狀態下膜厚為10~1000 μm之條件下,藉由薄片塗佈製造機將光學構件用樹脂薄片之原料塗佈於基材上進行製造。
本發明之光學構件用樹脂薄片之製造方法中所使用之基材優選為可撓性基材。具體而言,可使用針對上述積層體中所使用之基材而列舉的基材。
關於將塗佈液塗佈於可撓性基材之方法,周知有淋幕式塗佈、棒式塗佈等,淋幕式塗佈係適於大量生產之塗佈方法,不適於小批量之分批製程。此外,棒式塗佈於塗佈黏度尤其高之塗佈液或包含粒子之塗佈液時,存在薄片表面無法均勻之問題。
對此,採用施用器或狹縫式塗佈機之方法可相對容易地實現小批量之分批製程,故適宜作為本發明之光學構件用樹脂薄片之製造方法。尤其優選使用狹縫式塗佈機。
關於本發明之光學構件用樹脂薄片之製造方法中可使用之狹縫式塗佈機,依據附圖進行說明。圖1表示本發明一實施方式之薄片塗佈製造機之塗佈頭的概略圖。
如圖1所示,塗佈頭1具備腔室2及槽縫3。使用泵等將要塗佈之塗佈用組合物供給至腔室2內。自塗佈頭1之側面或槽縫3之相反一側供應塗佈用組合物。
優選於塗佈速度w (cm/sec)條件下,以液壓上升時間為1.0/w sec以下之條件向腔室2供應塗佈用組合物。塗佈開始時需要於塗佈頭與基材之間迅速形成穩定之球狀物,若液壓上升時間為上述以下,則可減少塗佈開始時膜厚不均勻所致之薄片損失。
腔室2之形狀並無特別限定,可為圓形或半圓形。此外,為防止塗佈過程中組合物洩漏,於至少一個側面上具備栓塞。
槽縫3係自腔室2向基材排出塗佈用組合物時之流道。與腔室2一樣,為防止塗佈過程中組合物洩漏,於至少一個側面上具備栓塞。又,可設置調整機構,以便能變更槽縫3之寬度及長度。
向基材塗佈塗佈用組合物時,使塗佈頭1靠近基材,經由腔室2及槽縫3,將塗佈用組合物供應給基材,使塗佈頭1或基材中之任一個沿一方向移動。此時,塗佈頭與基材之距離優選保持為固定距離。此外,亦可將兩者之相對速度保持為固定,使兩者移動、塗佈。
又,塗佈頭1之前端部可與基材平行,亦可不平行。另外,槽縫與基材之角度並無特別限定,例如槽縫可垂直於基材,亦可不垂直。
圖2表示本發明一實施方式之薄片塗佈製造機之概略圖,除塗佈頭1以外,還具備工作台4、塗佈頭之固定台5、用於使塗佈頭沿上下方向移動之可動部6、以及用於使工作台沿橫向移動之可動部7。
工作台4係用於載置基材之支持台,優選具備固定手段用於確保塗佈過程中基材不會移動。固定手段可為例如自設置於工作台4表面之抽吸口實施之抽吸,或者使用金屬件等進行物理性固定。
塗佈頭1配置於工作台4之上方,藉由固定台5及可動部6固定塗佈頭1。固定台5與工作台4相互獨立,塗佈時固定台5或工作台4沿橫向移動。工作台4要移動時,工作台4藉由可動部7而沿橫向移動。固定台5要移動時,固定台5可藉由沿工作台4兩側設置之移動軌道而移動。
塗佈頭1可藉由可動部6,相對於工作台4而沿上下方向移動。因此,可根據要塗佈之塗佈用組合物之物性、要塗佈之膜厚、塗佈時工作台4或固定台5之移動速度等,改變塗佈頭1與工作台4之間之距離。
本發明之光學構件用樹脂薄片可以積層體之形態使用,亦可僅剝離配置於剝離層上之樹脂薄片而使用。被剝離之樹脂薄片自身可作為光學構件對發光元件進行密封,故可使用。
形成於基材或剝離層上之樹脂薄片可根據需要適當裁切、使用。尤其是對於膜厚易不均勻之端部,藉由裁切,可進一步提高膜之平坦性。 實施例
以下,藉由實施例詳細說明本發明,但本發明並不限定於實施例。另外,實施例中,份均指質量份。 (有機聚矽氧烷之合成) 合成例1
於2L四磨口圓底燒瓶中裝入苯基矽倍半氧烷水解產物(324 g、2.37 mol之Si)與丙酸丙酯(275 g)並混合。於氮氣環境下一邊使該混合物回流一邊加熱30分鐘,使其發生反應。將反應混合物冷卻至100℃後,添加二乙醯氧基末端聚苯基甲基矽氧烷(矽氧烷聚合度:170)之丙酸丙酯溶液(66%、610.8 g)。加熱回流2小時後,放置一晚。添加乙烯基甲基二乙醯氧基矽烷(21 g、0.11 mol之Si),使混合物回流1小時後,加水(57 mL),實施共沸脫水,藉此降低乙酸濃度。將所獲得之反應混合物冷卻至100℃後,添加甲基三乙醯氧基矽烷與乙基三乙醯氧基矽烷之1:1混合物(38.7 g、0.17 mol之Si),回流1小時。加水(57 mL),實施共沸脫水,藉此降低乙酸濃度。再重複該操作2次後,餾去部分丙酸丙酯,從而獲得具有透明樹脂-線型聚合物結構之有機聚矽氧烷的丙酸丙酯溶液(重均分子量:83000,固體部分濃度:74.2%)。
對上述溶液添加鉑之二乙烯基二矽氧烷錯合物,確保鉑含量為1 ppm,平均單元式: (HMe2 SiO1/2 )0.60 (PhSiO3/2 )0.4 之SiH/Vi之比為1,再添加丙酸丙酯,製備合計包含75.5%矽氧烷之丙酸丙酯溶液。 合成例2
於2L四磨口圓底燒瓶中裝入苯基矽倍半氧烷水解產物(324 g、2.37 mol之Si)與甲苯(268 g)並混合。於氮氣環境下一邊使該混合物回流一邊加熱30分鐘,使其發生反應。將反應混合物冷卻至100℃後,添加二乙醯氧基末端聚苯基甲基矽氧烷(矽氧烷聚合度:100)之甲苯溶液(65%、608 g)。一邊使反應混合物回流一邊對其加熱2小時,之後,添加甲基三乙醯氧基矽烷(38 g、0.17 mol之Si),使混合物回流2.5小時。添加乙烯基甲基二乙醯氧基矽烷(21 g、0.11 mol之Si),使混合物回流2小時後添加水(76 mL),使之共沸30分鐘,等待有機層分離後,自下去除水層。接著,將水替換為飽和食鹽水,再重複同樣的步驟2次,使乙酸濃度降低後,再進而用水重複同樣的步驟2次。餾去部分甲苯,從而獲得具有透明樹脂-線型聚合物結構之有機聚矽氧烷的甲苯溶液(重均分子量:60000,固體部分濃度:75.8%)。使用旋轉蒸發器對該甲苯溶液重複3次關於添加丙酸丙酯去除甲苯之操作,獲得具有透明樹脂-線型聚合物結構之有機聚矽氧烷的丙酸丙酯溶液(固體部分濃度:78%)。
對上述溶液添加鉑之二乙烯基二矽氧烷錯合物,確保鉑含量為1 ppm,平均單元式: (HMe2 SiO1/2 )0.60 (PhSiO3/2 )0.4 之SiH/Vi之比為1,再添加丙酸丙酯,製備合計包含75.5%矽氧烷之丙酸丙酯溶液。 (樹脂薄片用組合物之製備) 實施例1
對上述合成例1所獲得之溶液8.0 g、螢光體(Intematix公司製,NYAG 4454-L)5.93 g、二氧化矽粒子(Denka公司製,FB-5SDC,平均粒徑:5 μm)9.59 g以及丙酸丙酯3.25 g混合,使用具備真空脫氣機構之自轉公轉式攪拌機(THINKY公司製,ARV-310LED)攪拌至均勻,獲得樹脂薄片用組合物1。其係具有2173 mPa·s (10 1/s)與5105 mPa·s (1 1/s)黏度之觸變性溶液。使用塗佈機(PI-1210 FILM COATER),藉由井元製作所製框架施用器(IMC-3501型),於Daicel Value Coating製T788 PET薄膜上以260 μm之間隙進行塗佈。之後,將被塗佈之薄片於70℃烘箱中乾燥30分鐘。所獲得之薄片為寬150 mm×長310 mm之長方形薄片。
使用膜厚計(Nikon公司製,DIGIMICRO MFC-101A)對所獲得之薄片寬度方向之膜厚進行測定,結果為103±1 μm之均勻膜。 實施例2
對上述合成例1所獲得之溶液8.0 g、螢光體(Intematix公司製,NYAG 4454-L)15.53 g以及丙酸丙酯1.75 g混合,使用具備真空脫氣機構之自轉公轉式攪拌機(THINKY公司製,ARV-310LED)攪拌至均勻,獲得樹脂薄片用組合物2。其黏度為3269 mPa·s (10 1/s)。使用塗佈機(PI-1210 FILM COATER),藉由井元製作所製框架施用器(IMC-3501型),於Daicel Value Coating製T788 PET薄膜上以253 μm之間隙進行塗佈。之後,將被塗佈之薄片於70℃烘箱中乾燥30分鐘。所獲得之薄片為寬150 mm×長310 mm之長方形薄片。
使用膜厚計(Nikon公司製,DIGIMICRO MFC-101A)對所獲得之薄片寬度方向之膜厚進行測定,結果為103±1 μm之均勻膜。 實施例3
對上述合成例1所獲得之溶液40.0 g及螢光體(Intematix公司製,NYAG 4454-S)7.56 g混合,使用具備真空脫氣機構之自轉公轉式攪拌機(THINKY公司製,ARV-310LED)攪拌至均勻,獲得樹脂薄片用組合物3。其黏度為10573 mPa·s (10 1/s)。使用塗佈機(PI-1210 FILM COATER),藉由井元製作所製框架施用器(IMC-3501型),於Daicel Value Coating製T788 PET薄膜上以236 μm之間隙進行塗佈。之後,將被塗佈之薄片於70℃烘箱中乾燥30分鐘。所獲得之薄片為寬150 mm×長310 mm之長方形薄片。
使用膜厚計(Nikon公司製,DIGIMICRO MFC-101A)對所獲得之薄片寬度方向之膜厚進行測定,結果為93±1 μm之均勻膜。 實施例4
對上述合成例1所獲得之溶液40.0 g、螢光體(Intematix公司製,NYAG 4454-S)7.33 g及Reolosil(DM-30)0.25 g混合,使用具備真空脫氣機構之自轉公轉式攪拌機(THINKY公司製,ARV-310LED)攪拌至均勻,獲得樹脂薄片用組合物4。其黏度為11988 mPa·s (10 1/s)。使用塗佈機(PI-1210 FILM COATER),藉由井元製作所製框架施用器(IMC-3501型),於Daicel Value Coating製T788 PET薄膜上以236 μm之間隙進行塗佈。之後,將被塗佈之薄片於70℃烘箱中乾燥30分鐘。所獲得之薄片為寬160 mm×長310 mm之長方形薄片。
使用膜厚計(Nikon公司製,DIGIMICRO MFC-101A)對所獲得之薄片寬度方向之膜厚進行測定,結果為93±1 μm之均勻膜。 實施例5
對上述合成例2所獲得之溶液40.0 g及氧化鈦(SX-3103、平均0.2 μmD)20.12 g混合,使用具備真空脫氣機構之自轉公轉式攪拌機(THINKY公司製,ARV-310LED)攪拌至均勻,獲得樹脂薄片用組合物5。其黏度為9554 mPa·s (10 1/s)。使用塗佈機(PI-1210 FILM COATER),藉由井元製作所製框架施用器(IMC-3501型),於Daicel Value Coating製T788 PET薄膜上以254 μm之間隙塗佈樹脂薄片用組合物5。之後,將被塗佈之薄片於70℃烘箱中乾燥30分鐘。所獲得之薄片為寬160 mm×長310 mm之長方形薄片。
使用膜厚計(Nikon公司製,DIGIMICRO MFC-101A)對所獲得之薄片寬度方向之膜厚進行測定,結果為106±2 μm之均勻膜。 比較例1
對於實施例3中所製備之樹脂薄片用組合物3,使用棒(R.D.Specialties公司製,No.10)塗佈於剝離薄片(Daicel公司製T788)上。之後,將被塗佈之薄片於70℃烘箱中乾燥30分鐘。所獲得之薄片為寬150 mm×長300 mm之長方形薄片。
使用膜厚計(Nikon公司製,DIGIMICRO MFC-101A)對所獲得之薄片寬度方向之膜厚進行測定,結果為42~54 μm之不均勻膜(薄片末端厚度與薄片中央厚度之差為12 μm)。
如上所述,實施例1~5可獲得實質上平坦之光學構件用樹脂薄片,而於製法不同之比較例1中,則未能獲得平坦之光學構件用樹脂薄片。 產業上之可利用性
本發明之光學構件用樹脂薄片及具備其之積層體適宜用作LED等光學元件中所使用之光學構件。並且,優選使用本發明之光學構件用樹脂薄片之製造方法,用於製造小批量且多品種之光學構件用樹脂薄片。
1‧‧‧塗佈頭
2‧‧‧腔室
3‧‧‧槽縫
4‧‧‧工作台
5‧‧‧固定台
6‧‧‧可動部
7‧‧‧可動部
[圖1]表示本發明一實施方式之薄片塗佈製造機之塗佈頭的概略圖。 [圖2]表示本發明一實施方式之薄片塗佈製造機之概略圖。

Claims (18)

  1. 一種光學構件用樹脂薄片,其特徵在於,在薄片寬度方向上,相對於薄片總膜厚,薄片末端厚度與薄片中央厚度之差為5.0%以內,薄片中央厚度為10~1000 μm之範圍內,並且薄片面積為225 mm2 以上,至少含有1種以上螢光體或反射材。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光學構件用樹脂薄片,其中,所述薄片寬度及長度分別為15 mm以上,所述薄片面積為400 mm2 以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之光學構件用樹脂薄片,其中,所述薄片中央厚度為30~900 μm之範圍內,在薄片寬度方向上,相對於薄片總膜厚,薄片末端厚度與薄片中央厚度之差為2.5%以內。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之光學構件用樹脂薄片,其中,相對於薄片總重量,所述螢光體或反射材之含量為10~90質量%之範圍內。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之光學構件用樹脂薄片,其中,所述螢光體或反射材具有分散於至少含有聚矽氧樹脂之黏合劑樹脂中的結構。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之光學構件用樹脂薄片,其中,具有加熱熔融性。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之光學構件用樹脂薄片,其包含:(A)選自氧化物類螢光體、氮氧化物類螢光體、氮化物類螢光體、硫化物類螢光體、氟化物類螢光體及氧硫化物類螢光體中之1種或2種以上螢光體;以及(B)分子內具有由RA SiO3/2 (式中,RA 為碳原子數6~14之芳基)表示之芳基矽氧烷單元及由(R2 SiO2/2 )n (式中,R為可由鹵素原子取代之碳原子數1~20之烷基或者碳原子數6~14之芳基,n為3~1000範圍內之數)表示之聚二有機矽氧烷結構的有機聚矽氧烷。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之光學構件用樹脂薄片,其中,相對於薄片總重量,成分(A)之含量為10~90質量%之範圍內。
  9. 如申請專利範圍第7或8項所述之光學構件用樹脂薄片,其中,成分(B)係至少包含成分(A)之固體粒子成分之黏合劑樹脂,且由{(R2 SiO2/2 )}a {RA SiO3/2 }1-a (式中,R及RA 為上述同樣之基團,a為0.8~0.2範圍內之數)表示之有機聚矽氧烷。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項所述之光學構件用樹脂薄片,其中,所述螢光體或反射材之至少一部分藉由有機矽化合物實施表面處理。
  11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項所述之光學構件用樹脂薄片,其中,所述反射材為選自氧化鈦、氧化鋇、氧化鉻、氧化鐵、氮化硼及氮化鈦中之1種或2種以上。
  12. 如申請專利範圍第1至11項中任一項所述之光學構件用樹脂薄片,其進而含有(C)二氧化矽粒子。
  13. 一種光學構件,其具備申請專利範圍第1至12項中任一項所述之光學構件用樹脂薄片。
  14. 一種積層體,其具備申請專利範圍第1至12項中任一項所述之光學構件用樹脂薄片。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之積層體,其進而具備剝離層。
  16. 一種發光元件,其具有藉由申請專利範圍第1至12項中任一項所述之光學構件用樹脂薄片進行密封之結構。
  17. 一種光學構件用樹脂薄片之製造方法,其係申請專利範圍第1至12項中任一項所述之光學構件用樹脂薄片的製造方法,其特徵在於,於25℃時之黏度為10~10,000 mPa·s、潮濕狀態下膜厚為10~1000 μm之條件下,藉由薄片塗佈製造機將光學構件用樹脂薄片之原料塗佈於基材上進行製造。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之光學構件用樹脂薄片之製造方法,其中,使用狹縫式塗佈機作為所述薄片塗佈製造機,於塗佈速度w (cm/sec)條件下,以液壓上升時間為1.0/w sec以下之條件進行製造。
TW107124589A 2017-07-28 2018-07-17 光學構件用樹脂薄片、具備其之光學構件、積層體或發光元件以及光學構件用樹脂薄片之製造方法 TWI848915B (zh)

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