TW201837973A - 阻障層系統、具有其之光電裝置、以及在連續捲繞式製程中用於製造阻障層系統的方法 - Google Patents
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Abstract
在此敘述一種阻障層系統(100),適用於使用在光電裝置中。該阻障層系統包含:一可撓性基板(101);以及一第一阻障層(110)和一第二阻障層(120),其中第一阻障層(110)和第二阻障層(120)係配置成用以具有對於水/氧滲透的阻障性質。此外,該阻障層系統包含一聚合緩衝層(115),提供在第一阻障層(110)和第二阻障層(120)之間,其中聚合緩衝層(115)係配置成用以增加第一阻障層(110)和第二阻障層(120)之間的一滲透路徑長度。
Description
本揭露的實施例是關於適用於使用在光電裝置中的阻障層系統、以及在連續捲繞式製程中用於製造這類阻障層系統的方法。本揭露的實施例特別是關於包含沉積在可撓性基板上之層堆疊的阻障層系統。更具體地說,本揭露的實施例是關於以連續捲繞式真空沉積製程所製造的阻障層系統。
在封裝產業、半導體產業、和其他產業中,對於可撓性基板如塑膠膜或箔的處理是有著高度需求的。處理可由以所需的材料如金屬(特別是鋁)、半導體、和介電材料塗佈可撓性基板、蝕刻、和為了所需應用進行在基板上之其他處理步驟所組成。執行這項工作的系統典型地包含處理鼓,例如一圓柱形的輥子,處理鼓耦接到用於傳送基板的處理系統,且至少一部分的基板在其上被處理。因此,捲繞式(roll-to-roll, R2R)塗佈系統能夠提供高產量的系統。
製程如物理氣相沉積(physical vapor deposition, PVD)製程、化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)製程、和電漿輔助化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)製程,典型地能夠用於沉積能夠被塗佈到可撓性基板上之金屬薄層。特別是,捲繞式沉積系統在顯示器產業和光電(photovoltaic, PV)產業正經歷到需求強烈的增加。
由經塗佈之可撓性基板製成的產品的實例為觸控面板或有機發光二極體(organic light emitting diode, OLED)顯示器,由於它們較快的反應時間、較大的視角、較高的對比、較輕的重量、較低的功率、和對於可撓性基板的適應性,其近來在顯示器產業中相較於液晶顯示器(liquid crystal display, LCD)得到更大的關注。
所以多年來,光電裝置如顯示裝置或觸控面板已逐漸發展成多層的系統,其中不同的層具有不同的功能。然而,傳統的多層系統的品質,例如在阻障性質方面而言,仍有待改善。特別是,當暴露在水蒸氣或氧中時,有機發光裝置會遭受輸出降低或失效提前。
鑑於前述情況,存在提供適用於使用在光電裝置中的阻障層系統、以及用於製造這類阻障層系統的方法的需求,其克服至少部分現有技術中的問題。
鑑於上述情況,提供根據獨立項之阻障層系統、以及用於製造阻障層系統的方法。本揭露另外的方面、優點、和特徵,係藉由請求項、說明書、及所附圖式而明朗。
根據本揭露的一方面,提供一種阻障層系統,適用於使用在光電裝置中。該阻障層系統包含一可撓性基板、一第一阻障層、和一第二阻障層。第一阻障層和第二阻障層係配置成用以具有對於水/氧滲透的阻障性質。此外,該阻障層系統包含一聚合緩衝層,提供在第一阻障層和第二阻障層之間。聚合緩衝層係配置成用以增加第一阻障層和第二阻障層之間的一滲透路徑長度。
根據本揭露的另一方面,提供一種阻障層系統,適用於使用在光電裝置中。該阻障層系統包含聚合物材料的一可撓性基板、一第一阻障層、和一第二阻障層,其中第一阻障層和第二阻障層係配置成用以具有對於水/氧滲透的阻障性質。第一阻障層之一阻障層厚度TBR1
為50 nm ≤ TBR1
≤ 125 nm,且第二阻障層之一阻障層厚度TBR2
為50 nm ≤ TBR2
≤ 125 nm。此外,第一阻障層和第二阻障層係由SiNx
製成,且第一阻障層和第二阻障層各自具有一斷裂韌性(fracture toughness)KIc
為4 MPa m0.5
≤ KIc
≤ 6 MPa m0.5
。此外,阻障層系統包含一聚合緩衝層,提供在第一阻障層和第二阻障層之間。聚合緩衝層係配置成用以增加第一阻障層和第二阻障層之間的一滲透路徑長度,其中聚合緩衝層之一緩衝層厚度TBF
為250 nm ≤ TBF
≤ 350 nm,且其中聚合緩衝層係由nHA/EGDA20製成。
根據本揭露的又一方面,提供一種光電裝置,其具有在此所述之任何實施例的阻障層系統。
根據本揭露的再一方面,提供一種在連續捲繞式製程中用於製造阻障層系統的方法。該方法包含在不破真空的情況下,提供一可撓性基板到至少一第一處理區、至少一第二處理區、和至少一第三處理區。此外,該方法包含在該至少一第一處理區中沉積無機材料的一第一阻障層到可撓性基板上、在該至少一第二處理區中沉積有機材料的一緩衝層到第一阻障層上、以及在該至少一第三處理區中沉積無機材料的一第二阻障層到緩衝層上。沉積第一阻障層、沉積緩衝層、和沉積第二阻障層特別是包含使用相同的前驅物。
實施例也針對用於進行所揭露之方法的設備,並包含用於執行所述之各個方法方面的設備部分。這些方法方面可以藉由硬體元件、以適當軟體編程的電腦、藉由二者的任意組合、或以任何其他方式執行。此外,根據本揭露的實施例也針對用於操作所述設備的方法。用於操作所述設備的方法包含用於進行設備的每個功能的方法方面。
現在將對於各種實施例進行詳細說明,其一或更多個實例係分別繪示於圖中。各個實例係以解釋本揭露的方式來提供,而非意味作為限制。例如,作為一實施例的一部分而被繪示或敘述的特徵,能夠被使用於或結合任一其他實施例,以產生又再一實施例。本揭露意欲包含這類修改和變化。
在以下對於圖式的敘述中,相同的元件符號是指示相同或類似的元件。一般來說,只會對於個別實施例的不同之處進行敘述。除非另有明確指明,否則對於一實施例的一個部分或方面的敘述也能夠應用到另一實施例的對應部分或方面。
在更詳細地敘述本揭露的各種實施例之前,先解釋關於在此使用的一些術語和表達的某些方面。
在本揭露中,「阻障層系統」應該被理解為一層堆疊,其具有對於水蒸氣和氧傳輸的阻障性質。在此所述的「阻障層系統」特別是能夠包含交替的層(二重物件(diades)),該些交替的層包含一聚合緩衝層和一阻障層。阻障層典型地包含矽氮化物(SiNx
),且聚合緩衝層典型地包含聚乙二醇甲基丙烯酸酯(polyethylene glycol methacrylate, PGMA)和/或乙二醇二胺(ethylene glycol diamine, EGDA)。更具體地說,在此所述的阻障層系統能夠被理解為一超高度阻障物(ultrahigh barrier, UHB)系統,具有低於10-4
的水汽穿透率(water vapor transmission rate, WVTR,單位為每日每平方公分幾克)和/或氧穿透率(oxygen transmission rate, OTR,單位為每日每平方公分幾克),特別是低於10-5
,更特別是低於10-6
。在此所述的阻障層系統特別是能夠為透明的。在此使用的用詞「透明」特別是能夠包含結構以相當低的散射傳輸光的能力,例如使得從中傳輸通過的光能夠實質上以清楚的方式被看見。
在本揭露中,「可撓性基板」可表徵為該基板係可彎曲的。例如,可撓性基板可為箔。特別是應該理解,在此所述的可撓性基板,能夠於在此所述的連續捲繞式製程中加以處理,例如是在於在此所述的捲繞式處理系統加以處理。在此所述的可撓性基板特別是適合用於在可撓性基板上製造塗層或電子裝置。在此所述的可撓性基板特別是能夠為透明的,例如,可撓性基板可由透明聚合物材料製成。更具體地說,在此所述的可撓性基板,可包含材料如聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚乙烯(polyethylene, PE)、聚醯亞胺(polyimide, PI)、聚氨酯(polyurethane, PU)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(poly(methacrylic acid methyl ester))、三乙醯纖維素(triacetyl cellulose)、三乙酸纖維素(cellulose triacetate, TAC)、環烯烴聚合物(cyclo olefin polymer)、聚(萘二甲酸乙二酯)(poly(ethylene naphthalate))、一或更多種金屬、紙、其組合、以及已被塗佈的基板如硬塗佈聚對苯二甲酸乙二酯(hard coated PET, HC-PET)或硬塗佈三乙酸纖維素(hard coated TAC, HC-TAC)和類似者。
在本揭露中,「阻障層」應該被理解為一層,其具有對於水蒸氣和氧傳輸的阻障性質。特別是,在此所述的阻障層能夠具有低於每日3×10-3
g/m2
)的水汽穿透率WVTR。例如,本揭露的阻障層能夠包含SiNx
,特別是由SiNx
組成。
在本揭露中,「聚合緩衝層」應該被理解為聚合物材料的一層,其包含聚乙二醇甲基丙烯酸酯(PGMA)和/或乙二醇二胺(EGDA)。特別是,在此所述的聚合緩衝層應該被理解為一層,其配置成用以增加通過緩衝層的一滲透路徑長度,例如是對於水蒸氣或氧而言的滲透路徑長度,例如是從緩衝層的一側到緩衝層的相反側的滲透路徑長度。
在本揭露中,「滲透路徑長度」應該被理解為,當一分子滲透通過一材料時,例如通過在此所述的聚合緩衝層時,該分子之一路徑的長度。
第1圖示出根據在此所述之實施例的一阻障層系統100的示意圖。根據能夠和在此所述之任何其他實施例結合的實施例,阻障層系統100適用於使用在光電裝置中,包含一可撓性基板101、一第一阻障層110、和一第二阻障層120。例如,可撓性基板101可包含選自於由聚碳酸酯(polycarbonate)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(poly(methacrylic acid methyl ester))、三乙醯纖維素(triacetyl cellulose)、環烯烴聚合物(cyclo olefin polymer)、和聚(萘二甲酸乙二酯)(poly(ethylene naphthalate))所組成之群組中的一聚合物材料。第一阻障層110和第二阻障層120特別是配置成用以具有對於水/氧滲透的阻障性質。此外,該阻障層系統包含一聚合緩衝層115,提供在第一阻障層110和第二阻障層120之間,如第1圖示例性所示。更具體地說,如參照第3圖更詳細敘述地,聚合緩衝層115係配置成用以增加第一阻障層110和第二阻障層120之間的一滲透路徑長度。
因此,提供一種改良之阻障層系統。在此所述的阻障層系統的實施例特別是提供予一層系統,其相較於相較於傳統的阻障層系統具有改良之有對於水蒸氣或氧的阻障性質。如此一來,藉由在光電裝置如顯示裝置或觸控面板中利用在此所述的阻障層系統的實施例,能夠達成光電裝置產品耐久性的改良。
根據能夠和在此所述之任何其他實施例結合的實施例,聚合緩衝層115之一緩衝層厚度TBF
比第一阻障層110之一阻障層厚度TBR1
的一厚度比例TR能夠為1.5 ≤ TR = TBF
/ TBR1
≤ 4。例如,厚度比例TR可為TR=3,這例如是在其中緩衝層厚度TBF
= 300 nm且第一阻障層110之阻障層厚度TBR1
為TBR1
= 100 nm的構造中。根據另一實例,厚度比例TR可為TR=1.6,這例如是在其中緩衝層厚度TBF
= 400 nm且第一阻障層110之阻障層厚度TBR1
為TBR1
= 150 nm的構造中。
因此應該理解,如果在三個參數厚度比例TR、聚合緩衝層之緩衝層厚度TBF
、和第一阻障層之阻障層厚度TBR1
之中知道二個值,就能夠從等式TR = TBF
/ TBR1
計算出剩下的第三個值。
根據能夠和在此所述之任何其他實施例結合的實施例,聚合緩衝層115可具有大約400 nm之一厚度TBF
,特別是大約300 nm,更特別是大約250 nm。應該理解在本揭露中,用詞「大約」應包含從所相關的值偏離± 5% 的值。因此例如,大約400 nm應該被理解為400 nm ± 20 nm。
因此,藉由提供具有在此所述的聚合緩衝層的阻障層系統,改良了阻障層系統對於水蒸氣或氧的阻障性質。此外,聚合緩衝層115之緩衝層厚度TBF
比第一阻障層110之阻障層厚度TBR1
的厚度比例TR特別可有利於增加在此所述的阻障層系統的阻障性質。
示例性地參考第2圖,根據一些能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例,阻障層系統100可包含一第一聚合緩衝層114,提供在可撓性基板101和第一阻障層110之間。第一聚合緩衝層114特別是可配置成用以增加可撓性基板101和第一阻障層110之間的一滲透路徑長度。此外,第一聚合緩衝層114可具有一厚度TBF1
,對應於提供在第一阻障層110和第二阻障層120之間的聚合緩衝層115的厚度TBF
。更具體地說,第一聚合緩衝層114能夠包含選自於由聚乙二醇甲基丙烯酸酯(PGMA)、乙二醇二胺(EGDA)、和正六丙烯酸酯/乙二醇二胺(nHexa-Acrylate/ethylene glycol diamine, nHA/EGDA)所組成之群組中的至少一種材料,特別是nHA/EGDA20。
因此,藉由提供具有提供在可撓性基板101和第一阻障層110之間的第一聚合緩衝層114的阻障層系統,能夠改良阻障層系統對於水蒸氣或氧的阻障性質。
根據一些能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例,第一聚合緩衝層114之一第一緩衝層厚度TBF1
比第一阻障層110之一阻障層厚度TBR1
的一厚度比例TR1能夠為1.5 ≤ TR1 = TBF1
/ TBR1
≤ 4。例如,厚度比例TR1可為TR1=3,這例如是在其中第一緩衝層厚度TBF1
= 300 nm且第一阻障層110之阻障層厚度TBR1
為TBR1
= 100 nm. 的構造中。根據另一實例,厚度比例TR1可為TR1=1.6,這例如是在其中第一緩衝層厚度TBF1
= 400 nm且第一阻障層110之阻障層厚度TBR1
為TBR1
= 150 nm的構造中。
因此應該理解,如果在三個參數厚度比例TR1、第一聚合緩衝層之緩衝層厚度TBF1
、和第一阻障層之阻障層厚度TBR1
之中知道二個值,就能夠從等式TR1 = TBF1
/ TBR1
計算出剩下的第三個值。在此所述的厚度比例TR1特別可有利於增加在此所述的阻障層系統的阻障性質。
根據能夠和在此所述之任何其他實施例結合的實施例,第一阻障層110之一阻障層厚度TBR1
為50 nm ≤ TBR1
≤ 300 nm。例如,第一阻障層110之阻障層厚度TBR1
能夠選自於一範圍,其具有下限50 nm,特別是下限75 nm,更特別是下限100 nm,並具有上限200 nm,特別是上限250 nm,更特別是上限300 nm。根據一些實例, 第一阻障層110之阻障層厚度TBR1
能夠為大約100 nm、大約150 nm、大約200 nm、或大約250 nm。
根據能夠和在此所述之任何其他實施例結合的實施例,第二阻障層120之一阻障層厚度TBR2
為50 nm ≤ TBR2
≤ 300 nm. 例如,第二阻障層120之阻障層厚度TBR2
能夠選自於一範圍,其具有下限50 nm,特別是下限75 nm,更特別是下限100 nm,並具有上限200 nm,特別是上限250 nm,更特別是上限300 nm。根據一些實例,第二阻障層120之阻障層厚度TBR2
能夠為大約100 nm、大約150 nm、大約200 nm、或大約250 nm。
根據能夠和在此所述之任何其他實施例結合的實施例,聚合緩衝層115可包含選自於由PGMA、EGDA、和nHA/EGDA所組成之群組中的至少一種材料,特別是nHA/EGDA20。
因此,藉由提供具有在此所述的聚合緩衝層的阻障層系統,能夠相較於傳統的阻障層系統改良阻障層系統的阻障性質。
第3圖示出根據在此所述之實施例的阻障層系統其中一部分的細節,以描述聚合緩衝層的功能。第3圖特別是示出具有一可撓性基板101、一第一阻障層110、一聚合緩衝層115、和一第二阻障層120的阻障層系統,如在此所述者。此外,在第3圖中,以黑色方塊指示第一阻障層110和第二阻障層120中的缺陷D。從第一阻障層110中之缺陷D開始、通過聚合緩衝層115、並到達第二阻障層120中之缺陷的虛線,係指示分子如水蒸氣或氧滲透通過層系統的滲透路徑。因此,如第3圖所示,藉由提供具有在此所述的聚合緩衝層的阻障層系統,能夠增加分子如水蒸氣或氧通過阻障層系統的滲透路徑長度,使得阻障層系統的阻障性質係相較於傳統的阻障層系統有所改良。
根據能夠和在此所述之任何其他實施例結合的實施例,第一阻障層110和第二阻障層120包含SiNx
。第一阻障層110和第二阻障層120特別是可由SiNx
組成。這類構造特別是可有利於改良阻障層系統對於水蒸氣或氧的阻障性質的。此外,第一阻障層和/或第二阻障層的斷裂韌性KIc
能夠為4 MPa m0.5
≤ KIc
≤ 6 MPa m0.5
。
根據能夠和在此所述之任何其他實施例結合的實施例,第一阻障層110之一水汽穿透率WVTR低於每日3×10-3
g/m2
。例如,第一阻障層110之水汽穿透率WVTR能夠為大約每日2×10- 3
g/m2
。特別是應該理解,水汽穿透率WVTR典型地是在40°C和100%的相對溼度(relative humidity, RH)下以滲透單元如滲透單元「Aquatran 2」進行量測。就此而言應該注意,隨著溫度和相對溼度降低,所量測到的水汽穿透率典型地也會跟著降低。例如,在20°C和50%的相對溼度(RH)下,量測到的水汽穿透率會比在40°C和100%的相對溼度(RH)下低大約10倍。
根據能夠和在此所述之任何其他實施例結合的實施例,第二阻障層120之一水汽穿透率WVTR低於每日3×10-3
g/m2
。例如,類似於第一阻障層110,第二阻障層120之水汽穿透率WVTR能夠為大約每日2×10- 3
g/m2
,例如是在40°C和100%的相對溼度(RH)下以滲透單元「Aquatran 2」進行量測。
示例性地參考第4A圖,根據能夠和在此所述之任何其他實施例結合的實施例,阻障層系統100更包括至少一個層堆疊130,提供在第二阻障層120上。該至少一個層堆疊130特別是能夠包含另一聚合緩衝層135和另一阻障層140。特別是,該另一聚合緩衝層135可配置成用以增加第二阻障層120和該另一阻障層140第二阻障層120和該另一阻障層140。更具體地說,該另一聚合緩衝層135可包含選自於由PGMA、EGDA、和nHA/EGDA所組成之群組中的至少一種材料,特別是nHA/EGDA20。此外,該另一聚合緩衝層135可具有大約400 nm之一厚度,特別是大約300 nm,更特別是大約250 nm。
根據能夠和在此所述之任何其他實施例結合的實施例,該另一阻障層140能夠包含SiNx
。該另一阻障層140特別是可由SiNx
組成。此外,該另一阻障層140之阻障層厚度TBRF
能夠為50 nm ≤ TBRF
≤ 300 nm。例如,該另一阻障層140之阻障層厚度TBRF
能夠選自於一範圍,其具有下限50 nm,特別是下限75 nm,更特別是下限100 nm,並具有上限200 nm,特別是上限250 nm,更特別是上限300 nm。根據一些實例,該另一阻障層140之阻障層厚度TBRF
能夠為大約100 nm、大約150 nm、大約200 nm、或大約250 nm。
根據能夠和在此所述之任何其他實施例結合的實施例,該另一阻障層140之一水汽穿透率WVTR of the further阻障層140低於每日3×10-3
g/m2
。例如,類似於第一阻障層110或第二阻障層120,該另一阻障層140之水汽穿透率WVTR能夠為大約每日2×10- 3
g/m2
,例如是在40°C和100%的相對溼度(RH)下以滲透單元「Aquatran 2」進行量測。
在第4B圖中,示出第4A圖之阻障層系統其中一部分的細節。第4B圖特別是示出具有一可撓性基板101、一第一阻障層110、一聚合緩衝層115、一第二阻障層120、另一聚合緩衝層135、和另一阻障層140的阻障層系統,如在此所述者。此外,在第4B圖中,以黑色方塊指示第一阻障層110、第二阻障層120、和另一阻障層140中的缺陷D。從第一阻障層110之缺陷D開始、通過聚合緩衝層115、第二阻障層120之缺陷D、和另一聚合緩衝層135、並到達另一阻障層140中之缺陷D的虛線,係指示分子如水蒸氣或氧滲透通過層系統的滲透路徑。因此,如第4B圖所示,藉由提供具有在此所述的至少一個層堆疊130的阻障層系統,能夠增加分子如水蒸氣或氧通過阻障層系統的滲透路徑長度,使得阻障層系統的阻障性質係相較於傳統的阻障層系統有所改良。因此應該理解,藉由提供另外的對應於該至少一個層堆疊130的層堆疊,還能再進一步地改良阻障層系統的阻障性質。
根據能夠和在此所述之其他實施例結合的一實例,適用於使用在光電裝置中的阻障層系統100包含聚合物材料的一可撓性基板101、一第一阻障層110、和一第二阻障層120,其中第一阻障層和第二阻障層係配置成用以具有對於水/氧滲透的阻障性質。第一阻障層之一阻障層厚度TBR1
為50 nm ≤ TBR1
≤ 125 nm,且第二阻障層之一阻障層厚度TBR2
為50 nm ≤ TBR2
≤ 125 nm。此外,第一阻障層和第二阻障層係由SiNx
製成,且第一阻障層和第二阻障層各自具有一斷裂韌性KIc
為4 MPa m0.5 ≤ KIc
≤ 6 MPa m0.5
。此外,阻障層系統100包含一聚合緩衝層115包含一第一阻障層110和第二阻障層120之間。聚合緩衝層係配置成用以增加第一阻障層和第二阻障層之間的一滲透路徑長度,其中聚合緩衝層之一緩衝層厚度TBF
為250 nm ≤ TBF
≤ 350 nm,且其中聚合緩衝層係由nHA/EGDA20製成。
因此,考慮到在此所述的阻障層系統的實施例,應該理解,該阻障層系統相當適合於在連續捲繞式製程中加以製造,特別是在連續捲繞式真空沉積製程中加以製造。
作為一個實例,用於製造根據在此所述之實施例的阻障層系統的一處理系統300的示意圖係示於第5圖。特別是,第5圖示出一捲繞式處理系統,其配置成用於進行在連續捲繞式製程中用於製造阻障層系統的方法,該方法如示例性參照第7圖更詳細敘述者。
如第5圖示例性所示,處理系統300能夠包含至少三個腔室部分,例如一第一腔室部分302A、一第二腔室部分302B、和一第三腔室部分302C。在第三腔室部分302C,一或更多個沉積源630和一選擇性的蝕刻站430能夠提供作為處理工具。一可撓性基板101,例如在此所述的可撓性基板,係提供在一第一輥764上,該第一輥764例如是具有一繞軸。可撓性基板從第一輥764解繞,如以箭頭108所示之基板運動方向所指示者。一分隔牆701係提供來分隔第一腔室部分302A和第二腔室部分302B。分隔牆701能夠更提供有複數個間隙閘740,以允許可撓性基板101從中通過。一真空凸緣312提供在第二腔室部分302B和第三腔室部分302C之間,其能夠提供有開口,以接納至少部分的處理工具。
可撓性基板101移動通過提供在一塗佈鼓710並對應於沉積源630之位置的複數個沉積區。在操作過程中,塗佈鼓710繞著軸旋轉,使得可撓性基板101在箭頭108的方向上移動。根據一些實施例,可撓性基板101經由一、二、或更多個輥子,從第一輥764引導到塗佈鼓710,並從塗佈鼓710引導到第二輥764’,第二輥764’例如是具有一繞軸,可撓性基板101在其處理之後於第二輥764’上捲繞。
根據一些實施例,沉積源630能夠被配置成用於沉積在此所述的層堆疊的層。作為一個實例,至少一沉積源能夠是適用於第一阻障層110的沉積,至少一沉積源能夠是適用於聚合緩衝層115的沉積,且至少一沉積源能夠是適用於第二阻障層120的沉積。此外,能夠提供適用於另一聚合緩衝層135之沉積的至少一沉積源、和適用於另一阻障層140之沉積的至少一沉積源。除此之外,可提供適用於第一聚合緩衝層114之沉積的一沉積源。
在一些實施方案中,第一腔室部分302A分隔成一插頁腔室部單元302A1和一基板腔室部單元302A2。例如,插頁輥766/766’和插頁輥子305能夠提供作為處理系統300的模組元件。處理系統300能夠更包含一預加熱單元394,以加熱可撓性基板。再者,除此之外或替代性地,能夠提供一前處理電漿源392,例如一射頻(radio frequency, RF)電漿源,以在進入第三腔室部分302C之前使用電漿處理基板。
根據又另外的能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例,也能夠選擇性地提供一光學量測單元494和/或一或更多個離子化單元492 ,光學量測單元494用於評估基板處理的結果,離子化單元492用於調適基板上的電荷。
根據一些實施例,可根據沉積製程和經塗佈之基板的後續應用來選擇沉積材料。例如,可根據聚合緩衝層和阻障層個別的材料來選擇沉積源的沉積材料,如在此所述者。
示例性地參考第6圖,根據本揭露的一方面,提供一光電裝置150,其具有根據在此所述之實施例的一阻障層系統100。
因此,在此所述的阻障層系統能夠有利地使用在光學應用中,例如OLED的保護。然而應該理解,本揭露的阻障層系統也能夠使用在不同的應用中。作為一個實例,本揭露的阻障層系統能夠使用在封裝領域中,例如對於氧的高度防護是有利的食物如新鮮的義大利麵、肉切片、乾果、或點心的封裝。此外,在此所述的阻障層系統可提供氣體阻障和透明性質,以提供產品的可視性。
示例性地參考第7圖,於此敘述在連續捲繞式製程中用於製造阻障層系統的一方法200的實施例。根據能夠和在此所述之任何其他實施例結合的實施例,該方法包含(見方塊210)在不破真空的情況下,提供一可撓性基板到至少一第一處理區、至少一第二處理區、和至少一第三處理區。例如,該第一處理區可包含一第一沉積源,其適用於第一阻障層110的沉積。該第二處理區可包含一沉積源,其適用於聚合緩衝層115的沉積。該第三處理區可包含一沉積源,其適用於第二阻障層120的沉積。
或者,例如是用於製造參照第2圖所述之阻障層系統,該第一處理區可包含一第一沉積源,其適用於第一聚合緩衝層114的沉積,該第二處理區可包含一沉積源,其適用於第一阻障層110的沉積,且該第三處理區可包含一沉積源,其適用於聚合緩衝層115的沉積。
此外,該方法包含(見方塊220)在該至少一第一處理區中,沉積無機材料的一第一阻障層110到可撓性基板101上,(見方塊230)在該至少一第二處理區中,沉積有機材料的一聚合緩衝層115到第一阻障層110上,以及(見方塊240)在該至少一第三處理區中,沉積無機材料的一第二阻障層120到聚合緩衝層115上。沉積第一阻障層110、沉積聚合緩衝層115、和沉積第二阻障層120典型地包含使用相同的前驅物。
或者,該方法包含(見方塊220)在該至少一第一處理區中,沉積有機材料的一第一聚合緩衝層114到可撓性基板上,(見方塊230)在該至少一第二處理區中,沉積無機材料的一第一阻障層110到第一聚合緩衝層114上,以及(見方塊240)在該至少一第三處理區中,沉積有機材料的一聚合緩衝層115到第一阻障層110上。沉積第一聚合緩衝層114、沉積第一阻障層110、和沉積聚合緩衝層115典型地包含使用相同的前驅物。
根據能夠和在此所述之任何其他實施例結合的實施例,沉積第一阻障層110、沉積第一聚合緩衝層114和/或沉積聚合緩衝層115、以及沉積第二阻障層120包含使用PECVD製程和/或熱絲化學氣相沉積(hot wire chemical vapor deposition, HWCVD)製程。例如,在此所述的第一阻障層110、和/或第一聚合緩衝層114、和/或聚合緩衝層115、和/或第二阻障層120可使用低溫微波PECVD製程加以沉積。
根據能夠和在此所述之任何其他實施例結合的實施例,使用相同的前驅物包含使用選自於由六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane, HMDSO)、四甲基環四矽氧烷(tetramethyl cyclotetrasiloxane, TOMCAT, C4
H16
O4
Si4
)、六甲基二矽氮烷(hexamethyldisilazane, HMDSN, [(CH3
)3Si]2
NH)、和四乙氧基矽烷(tetraethyl orthosilicate, TEOS, Si(OC2
H5
)4
)所組成之群組中的至少一前驅物。
此外,根據一些能夠和在此所述之任何其他實施例結合的實施例,該方法可包含沉積在此所述的至少一個層堆疊130。應該理解,沉積該至少一個層堆疊130包含沉積另一聚合緩衝層135和沉積另一阻障層140. 此外應該理解,能夠使用為了沉積另一聚合緩衝層135以及為了沉積另一阻障層140所對應調適的沉積源。該另一聚合緩衝層135能夠按照其他的聚合緩衝層如聚合緩衝層115或第一聚合緩衝層114來沉積。該另一阻障層140能夠按照其他的阻障層如第一阻障層110或第二阻障層120來沉積。
鑑於前述內容,應該理解在此所述之實施例係提供予改良之阻障層系統、以及用於製造這類改良之阻障層系統的方法,特別是為了光電裝置中的使用。
雖然前述內容是關於本揭露的實施例,但可在不背離本揭露的基本範圍的情況下,設計出本揭露其他和更進一步的實施例,本揭露的範圍係由下列的申請專利範圍決定。
特別是,此書面敘述使用實例以對於本揭露進行揭露,包含其最佳模式,並且也使得本發明所屬技術領域中任何具有通常知識者能夠實行所述題材,包含製造和使用任何裝置或系統、及執行任何被納入的方法。雖然前述內容已揭露各種特定的實施例,上述實施例中不互相違背的技術特徵係可彼此結合。可專利範圍係由請求項決定,且如果申請專利範圍具有不異於請求項之字面語言的結構元件、或如果申請專利範圍包含與請求項之字面語言無實質上差異的等價結構元件,則其他的實例也意欲被包括在請求項的範圍之中。
100‧‧‧阻障層系統
101‧‧‧可撓性基板
108‧‧‧箭頭
110‧‧‧第一阻障層
114‧‧‧第一聚合緩衝層
115‧‧‧聚合緩衝層
120‧‧‧第二阻障層
130‧‧‧層堆疊
135‧‧‧聚合緩衝層
140‧‧‧阻障層
150‧‧‧光電裝置
200‧‧‧方法
210‧‧‧方塊
220‧‧‧方塊
230‧‧‧方塊
240‧‧‧方塊
300‧‧‧處理系統
302A‧‧‧第一腔室部分
302A1‧‧‧插頁腔室部單元
302A2‧‧‧基板腔室部單元
302B‧‧‧第二腔室部分
302C‧‧‧第三腔室部分
305‧‧‧插頁輥子
312‧‧‧真空凸緣
392‧‧‧前處理電漿源
394‧‧‧預加熱單元
430‧‧‧蝕刻站
492‧‧‧離子化單元
494‧‧‧光學量測單元
630‧‧‧沉積源
701‧‧‧分隔牆
710‧‧‧塗佈鼓
740‧‧‧間隙閘
764‧‧‧第一輥
764'‧‧‧第二輥
766‧‧‧插頁輥
766'‧‧‧插頁輥
D‧‧‧缺陷
TBF‧‧‧厚度
TBF1‧‧‧厚度
TBR1‧‧‧阻障層厚度
TBR2‧‧‧阻障層厚度
為了能夠理解本揭露上述特徵的細節,可以參照實施例,得到對於簡單總括於上之揭露內容更詳細的敘述。所附圖式是關於本揭露的實施例,並敘述如下: 第1和2圖示出根據在此所述之實施例的阻障層系統的示意圖。 第3圖示出根據在此所述之實施例的阻障層系統其中一部分的細節,以描述聚合緩衝層的功能。 第4A圖示出根據在此所述之實施例的阻障層系統的示意圖。 第4B圖示出第4A圖之阻障層系統其中一部分的細節,以描述聚合緩衝層的功能。 第5圖示出用於製造根據在此所述之實施例的阻障層系統的處理系統的示意圖。 第6圖示出具有根據在此所述之實施例的阻障層系統的光電裝置。 第7圖示出描述根據在此所述之實施例的在連續捲繞式製程中用於製造阻障層系統的方法的流程圖。
Claims (20)
- 一種阻障層系統(100),適用於使用在光電裝置中,包括: 一可撓性基板(101); 一第一阻障層(110)和一第二阻障層(120),其中該第一阻障層(110)和該第二阻障層(120)係配置成用以具有對於水/氧滲透的阻障性質;以及 一聚合緩衝層(115),提供在該第一阻障層(110)和該第二阻障層(120)之間,其中該聚合緩衝層(115)係配置成用以增加該第一阻障層(110)和該第二阻障層(120)之間的一滲透路徑長度。
- 如申請專利範圍第1項所述之阻障層系統(100),其中該聚合緩衝層(115)之一緩衝層厚度TBF 比該第一阻障層(110)之一阻障層厚度TBR1 的一厚度比例TR為1.5 ≤ TR = TBF / TBR1 ≤ 4。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之阻障層系統(100),其中該第一阻障層(110)之該阻障層厚度TBR1 為50 nm ≤ TBR1 ≤ 300 nm。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之阻障層系統(100),其中該第二阻障層(120)之一阻障層厚度TBR2 為50 nm ≤ TBR2 ≤ 300 nm。
- 如申請專利範圍第3項所述之阻障層系統(100),其中該第二阻障層(120)之一阻障層厚度TBR2 為50 nm ≤ TBR2 ≤ 300 nm。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之阻障層系統(100),其中該聚合緩衝層(115)包括選自於由PGMA、EGDA、和nHA/EGDA所組成之群組中的至少一種材料。
- 如申請專利範圍第3項所述之阻障層系統(100),其中該聚合緩衝層(115)包括選自於由PGMA、EGDA、和nHA/EGDA所組成之群組中的至少一種材料。
- 如申請專利範圍第4項所述之阻障層系統(100),其中該聚合緩衝層(115)包括選自於由PGMA、EGDA、和nHA/EGDA所組成之群組中的至少一種材料。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之阻障層系統(100),其中該第一阻障層(110)和該第二阻障層(120)包括SiNx ,特別是其中該第一阻障層和該第二阻障層由SiNx 組成。
- 如申請專利範圍第9項所述之阻障層系統(100),其中該第一阻障層和該第二阻障層由SiNx 組成。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之阻障層系統(100),其中該第一阻障層(110)之一水汽穿透率WVTR低於每日3×10-3 g/m2 。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之阻障層系統(100),其中該第二阻障層(120)之一水汽穿透率WVTR低於每日3×10-3 g/m2 。
- 如申請專利範圍第11項所述之阻障層系統(100),其中該第二阻障層(120)之一水汽穿透率WVTR低於每日3×10-3 g/m2 。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之阻障層系統(100),更包括至少一個層堆疊(130),提供在該第二阻障層(120)上,其中該至少一個層堆疊(130)包括另一聚合緩衝層(135)和另一阻障層(140)。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之阻障層系統(100),其中該可撓性基板(101)包括選自於由聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、三乙醯纖維素、環烯烴聚合物、和聚(萘二甲酸乙二酯)所組成之群組中的一聚合物材料。
- 一種阻障層系統(100),適用於使用在光電裝置中,包括: 聚合物材料的一可撓性基板(101); 一第一阻障層(110)和一第二阻障層(120),其中該第一阻障層和該第二阻障層係配置成用以具有對於水/氧滲透的阻障性質, 其中該第一阻障層之一阻障層厚度TBR1 為50 nm ≤ TBR1 ≤ 125 nm,其中該第二阻障層之一阻障層厚度TBR2 為50 nm ≤ TBR2 ≤ 125 nm, 其中該第一阻障層和該第二阻障層係由SiNx 製成,且 其中該第一阻障層和該第二阻障層各自具有一斷裂韌性KIc 為4 MPa m0.5 ≤ KIc ≤ 6 MPa m0.5 ;以及 一聚合緩衝層(115),提供在該第一阻障層和該第二阻障層之間, 其中該聚合緩衝層係配置成用以增加該第一阻障層和該第二阻障層之間的一滲透路徑長度, 其中該聚合緩衝層之一緩衝層厚度TBF 為250 nm ≤ TBF ≤ 350 nm,且 其中該聚合緩衝層係由nHA/EGDA20製成。
- 一種光電裝置(150),具有如申請專利範圍第1至16項中任一項所述之阻障層系統(100)。
- 一種在連續捲繞式製程中用於製造阻障層系統的方法(200),該方法包括: 在不破真空的情況下,提供一可撓性基板到至少一第一處理區、至少一第二處理區、和至少一第三處理區; 在該至少一第一處理區中,沉積無機材料的一第一阻障層到該可撓性基板上; 在該至少一第二處理區中,沉積有機材料的一緩衝層到該第一阻障層上;以及 在該至少一第三處理區中,沉積無機材料的一第二阻障層到該緩衝層上; 其中沉積該第一阻障層、沉積該緩衝層、和沉積該第二阻障層包含使用相同的前驅物。
- 如申請專利範圍第18項所述之用於製造阻障層系統的方法(200),其中沉積該第一阻障層、沉積該緩衝層、和沉積該第二阻障層包含使用PECVD製程和/或HWCVD製程。
- 如申請專利範圍第18或19項所述之用於製造阻障層系統的方法(200),其中使用相同的前驅物包含使用選自於由六甲基二矽氧烷(HMDSO)、四甲基環四矽氧烷(TOMCAT, C4 H16 O4 Si4 )、六甲基二矽氮烷(HMDSN, [(CH3 )3 Si]2 NH)、和四乙氧基矽烷(TEOS, Si(OC2 H5 )4 )所組成之群組中的至少一前驅物。
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