TW201814955A - 可切換輻射器及其操作方法 - Google Patents

可切換輻射器及其操作方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201814955A
TW201814955A TW105141577A TW105141577A TW201814955A TW 201814955 A TW201814955 A TW 201814955A TW 105141577 A TW105141577 A TW 105141577A TW 105141577 A TW105141577 A TW 105141577A TW 201814955 A TW201814955 A TW 201814955A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
dielectric layer
voltage
conductive layer
switchable radiator
tunable dielectric
Prior art date
Application number
TW105141577A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI631763B (zh
Inventor
黃陳暐
陳常鈞
周家鈺
Original Assignee
台揚科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 台揚科技股份有限公司 filed Critical 台揚科技股份有限公司
Publication of TW201814955A publication Critical patent/TW201814955A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI631763B publication Critical patent/TWI631763B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/16—Dielectric waveguides, i.e. without a longitudinal conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/02—Coupling devices of the waveguide type with invariable factor of coupling
    • H01P5/022—Transitions between lines of the same kind and shape, but with different dimensions
    • H01P5/028—Transitions between lines of the same kind and shape, but with different dimensions between strip lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/12—Hollow waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
    • H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions

Landscapes

  • Waveguide Aerials (AREA)

Abstract

本揭露提供一種可切換輻射器，包括：一介電基板；位於該介電基板的一上表面上方且具有一槽部的一第一傳導層；位於該第一傳導層上方的一可調介電層；以及位於該可調介電層上方的一第二傳導層。該可調介電層於第一DC電壓具有第一介電常數，並且於第二DC電壓具有第二介電常數。該第二傳導層包含一第一信號區段、一第二信號區段、以及連接該第一信號區段與該第二信號區段的一阻抗匹配區段。該可切換輻射器的操作方法包含施加第一DC電壓至該可調介電層，以致能該可切換輻射器經由該槽部輻射能量，以及施加第二DC電壓至該可調介電層，以失能該可切換輻射器經由該槽部輻射能量。

Description

可切換輻射器及其操作方法
本揭露係關於一種可切換的輻射器及其操作方法，特別係關於一種包含傳送信號之可調介電質的可切換輻射器及其操作方法。
近年來，隨著通訊產業的發展，已經發展出不同應用的各種通訊產品，並且對於適用於產業標準的天線設計有很大的需求。此外，在許多已知的微波與無線射頻收發器裝置中，需要將信號自多層電路板的一側轉移至另一側，並且希望以最少的功率消耗進行信號轉移。傳統上，藉由微帶(microstrip)傳輸線完成信號轉移。 在先前技術中，夾心帶線槽孔天線(stripline slot antenna)為眾所周知的。通常藉由在夾心帶線夾層電路(stripline sandwich circuit)的一接地平面上進行蝕刻輻射槽孔而形成天線。夾心帶線夾層(stripline sandwich)結構包括一傳導帶以及位於兩個接地平面之間的一傳輸線。能量耦合至傳輸線上方的槽部，具有電場傳播於其上，其中電場受限於接地平面之間的介電邊界內。 上文之「先前技術」說明僅係提供背景技術，並未承認上文之「先前技術」說明揭示本揭露之標的，不構成本揭露之先前技術，且上文之「先前技術」之任何說明均不應作為本案之任一部分。
本揭露係關於一種可切換的輻射器及其操作方法。 本揭露的實施例提供一種可切換輻射器，包括：一介電基板；一第一傳導層，具有一槽部且位於該介電基板的一上表面上方；一可調介電層，位於該第一傳導層上方，其中該可調介電層於一第一DC電壓具有一第一介電常數，並且於一第二DC電壓具有一第二介電常數；以及一第二傳導層，位於該可調介電層上方，其中該第二傳導層包括一第一信號區段、一第二信號區段、以及連接該第一信號區段與該第二信號區段的一阻抗匹配區段。 本揭露的實施例另提供一種可切換輻射器，包括：一波導結構，包含一傳導殼，該傳導殼具有一槽部於該傳導殼的一上金屬內；一可調介電層，位於該上金屬上方，其中該可調介電層於一第一DC電壓具有一第一介電常數，並且於一第二DC電壓具有一第二介電常數；以及一傳導層，位於該可調介電層上方；其中該傳導殼形成一電感負載，以及該可調介電層與該傳導層形成一電容負載。 在本揭露的實施例中，該可切換輻射器另包括一底部傳導層，位於該介電基板的一下表面下方。 在本揭露的實施例中，該可切換輻射器另包括一電壓施加裝置經配置以施加一DC電壓至該可調介電層，以控制該可調介電層的介電常數。 在本揭露的實施例中，該電壓施加裝置經配置以經由該第一傳導層與該第二傳導層施加DC電壓而至該可調介電層。 在本揭露的實施例中，該第一信號區段與該第二信號區段具有一有效電長度，該有效電長度實質等於一操作頻率之四分之一波長的奇數倍，以及該可切換輻射器於該操作頻率為一關閉狀態。 在本揭露的實施例中，該槽部暴露該介電基板的該上表面，以及該可調介電層覆蓋該槽部。 在本揭露的實施例中，該槽部為一U形槽，將該第一傳導層實質分隔為一第一次金屬部分與一第二次金屬部分，該第一信號區段位於該第一次金屬部分上方，該第二信號區段位於該第二次金屬部分上方，以及該阻抗匹配區段位於該U形槽上方。 在本揭露的實施例中，該電壓施加裝置經配置以經由該上金屬與該傳導層而施加該DC電壓至該可調介電層。 在本揭露的實施例中，該槽部為一I形槽，以及該傳導層為一H形導體。 在本揭露的實施例中，其中該傳導殼環繞一波導凹槽，該槽部暴露該波導凹槽，以及該可調介電層覆蓋該槽部。 在本揭露的實施例中，該可切換輻射器包括具有一槽部的一第一傳導層、一第二傳導層、以及位於該第一傳導層與該第二傳導層之間的一可調介電層，以及該可切換輻射器的操作方法包括改變施加至該可調介電層的一DC電壓，以改變該可切換輻射器的一輻射性質。 本揭露的實施例另提供一種可切換輻射器包括：一波導結構，該波導結構包含一傳導殼，該傳導殼具有一槽部、一傳導層、以及位於該傳導殼與該傳導層之間的一可調介電層，其中該傳導殼形成一電感負載，以及該可調介電層與該傳導層形成一電容負載；以及該可切換輻射器的操作方法包括改變施加至該可調介電層的一DC電壓，以改變該可切換輻射器的一輻射性質。 在本揭露的實施例中，改變施加至該可調介電層的DC電壓係經由該第一傳導層與該第二傳導層而施加至該可調介電層。 在本揭露的實施例中，改變施加至該可調介電層的一DC電壓係經由該傳導殼與該傳導層而施加至該可調介電層。 在本揭露的實施例中，改變施加至該可調介電層的DC電壓改變該可調介電層的一介電常數。 在本揭露的實施例中，該操作方法包括施加一第一DC電壓至該可調介電層，以致能該可切換輻射器經由該槽部輻射能量，以及施加一第二DC電壓至該可調介電層，以失能該可切換輻射器經由該槽部輻射能量。 在本揭露的實施例中，該電感負載與該電容負載形成輻射結構，其中該操作方法包括：施加一第一DC電壓至該可調介電層，以失能該可切換輻射器經由該輻射結構輻射能量，以及施加一第二DC電壓至該可調介電層，以致能該可切換輻射器經由該輻射結構輻射能量。 上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。
本揭露之以下說明伴隨併入且組成說明書之一部分的圖式，說明本揭露之實施例，然而本揭露並不受限於該實施例。此外，以下的實施例可適當整合以下實施例以完成另一實施例。 「一實施例」、「實施例」、「例示實施例」、「其他實施例」、「另一實施例」等係指本揭露所描述之實施例可包含特定特徵、結構或是特性，然而並非每一實施例必須包含該特定特徵、結構或是特性。再者，重複使用「在實施例中」一語並非必須指相同實施例，然而可為相同實施例。 本揭露係關於一種可切換的輻射器及其操作方法。為了使得本揭露可被完全理解，以下說明提供詳細的步驟與結構。顯然，本揭露的實施不會限制該技藝中的技術人士已知的特定細節。此外，已知的結構與步驟不再詳述，以免不必要地限制本揭露。本揭露的較佳實施例詳述如下。然而，除了詳細說明之外，本揭露亦可廣泛實施於其他實施例中。本揭露的範圍不限於詳細說明的內容，而是由申請專利範圍定義。 圖1為三維示意圖，例示說明本揭露實施例的可切換輻射器10；圖2為分解示意圖，例示說明本揭露實施例的可切換輻射器10。在本揭露的實施例中，可切換輻射器10包括介電基板11、位於介電基板11之下表面下方的底部傳導層13、位於介電基板11之上表面上方的第一傳導層20、位於第一傳導層20上方的可調介電層30、以及位於可調介電層30上方的第二傳導層40。 在本揭露的實施例中，介電基板11為玻璃纖維基板，並且底部傳導層13、第一傳導層20與第二傳導層40係由導體(例如銅)形成。在本揭露的實施例中，底部傳導層13實質覆蓋介電基板11的下表面。 在本揭露的實施例中，第一傳導層20包括槽部25(例如U形槽)，將第一傳導層20實質分為第一次金屬部分21A與第二次金屬部分21B。在本揭露的實施例中，第二傳導層40包括第一信號區段41A、第二信號區段41B、以及連接第一信號區段41A與第二信號區段41B的阻抗匹配區段41C。在本揭露的實施例中，第一信號區段41A係位於第一次金屬部分21A上方，第二信號區段41B係位於第二次金屬部分21B上方，以及阻抗匹配區段41C係位於U形槽25上方。 圖3例示本揭露實施例之可調介電層30在不同DC電壓之介電常數變化。在本揭露的實施例中，可調介電層30由液晶組成，其於第一DC電壓(DC1)具有第一介電常數(εL )，並且於第二DC電壓(DC2)具有第二介電常數(εH )，其中第一介電常數(εL )低於第二介電常數(εH )。換言之，改變施加於可調介電層30的DC電壓可改變可調介電層30A的介電常數。 參閱圖1，在本揭露的實施例中，可切換輻射器10另包括電壓施加裝置15，經配置以施加DC電壓至可調介電層30，因而控制可調介電層30的介電常數。在本揭露的實施例中，電壓施加裝置15係經配置以經由第一傳導層20與第二傳導層40而施加DC電壓至可調介電層30。 在本揭露的實施例中，施加第二DC電壓(DC2)於可調介電層30時，可調介電層30與第二傳導層40形成短路而連接第一次金屬部分21A與第二次金屬部分21B，可調介電層30與第二傳導層40形成之短路繞過槽部25，使得可切換輻射器10無法輻射能量，其中可切換輻射器10作為在第一傳導層20的兩個終端22A、22B之間傳送信號的微帶線。當可切換輻射器10作為在第一傳導層20的兩個終端22A、22B之間傳送信號的微帶線時，底部傳導層13作為接地平面。 在本揭露的實施例中，藉由具有一有效電長度(effective electrical length)的傳導線實現第一信號區段41A與第二信號區段41B，該有效電長度實質等於操作頻率之四分之一波長的奇數倍，以及藉由連接第一信號區段41A與第二信號區段41B的傳導線實現阻抗匹配區段41C。在一些實施例中，該傳導線具有一有效電長度，該有效電長度實質等於該操作頻率之四分之一波長的奇數倍。 圖4例示本揭露實施例之可切換輻射器10在不同電壓及頻率之輻射性質(輻射強度或輻射功率)的變化。假設可切換輻射器10經設計以於操作頻率(F1)操作，由於可調介電層30偏壓於第二DC電壓(DC2)，可切換輻射器10於操作頻率的輻射性質為低位準，亦即可切換輻射器10可視為處於關閉狀態並且無法經由槽部25輻射能量。當可調介電層30偏壓於第一DC電壓(DC1)，可切換輻射器10於操作頻率的輻射性質為相對高位準，亦即可切換輻射器10可視為於開啟狀態，並且可經由槽部25輻射能量。 換言之，改變施加於可調介電層30的DC電壓可改變可切換輻射器10於操作頻率的輻射性質，亦即施加第一DC電壓(DC1)至可調介電層30，可以致能可切換輻射器10經由槽部25輻射能量，以及施加第二DC電壓(DC2)至可調介電層30，可以失能可切換輻射器10經由槽部25輻射能量。 此外，當可調介電層30的偏壓電壓從第二DC電壓(DC2)改變為第一DC電壓(DC1)時，可切換輻射器10的輻射性質之波形相對於頻率偏移(亦即沿著橫軸偏移)，因而可切換輻射器10的輻射性質於另一頻率(F2)為相對低位準，但於操作頻率(F1)為相對高位準。 圖5為三維示意圖，例示本揭露實施例的可切換輻射器60；圖6為分解示意圖，例示本揭露實施例之可切換輻射器60。在本揭露的實施例中，可切換輻射器60包括波導結構70，其包含傳導殼71，具有在傳導殼70之上金屬73中的槽部75；位於該上金屬73上方的可調介電層80，以及位於可調介電層80上方的傳導層90。 在本揭露的實施例中，可調介電層80類似於可調介電層30，其於第一DC電壓(DC1)具有第一介電常數(εL )，並且於第二DC電壓(DC2)具有第二介電常數(εH )；換言之，改變施加至可調介電層80的DC電壓，改變可調介電層80的介電常數。在本揭露的實施例中，傳導殼71形成電感負載(inductive loading)，並且可調介電層80與傳導層90形成電容負載。 在本揭露的實施例中，可切換輻射器60另包括電壓施加裝置65，經配置以施加DC電壓至可調介電層80，以控制可調介電層80的介電常數。在本揭露的實施例中，電壓施加裝置65經配置以經由上金屬73與傳導層90而施加DC電壓至可調介電層80。在本揭露的實施例中，電感負載與電容負載形成輻射結構。 在本揭露的實施例中，槽部75為I形槽，以及傳導層90為H形導體。在本揭露的實施例中，傳導殼71環繞波導凹槽77，其中無線射頻能量傳播於波導結構70的兩個終端79A、79B之間，槽部75暴露波導凹槽77，以及可調介電層80覆蓋槽部75。 圖7例示本揭露實施例之可切換輻射器60在不同電壓及頻率之的輻射性質(輻射強度或輻射功率)的變化。在本揭露的實施例中，假設可切換輻射器60經設計以操作於操作頻率(F1)，由於可調介電層80偏壓於第二DC電壓(DC2)時，可切換輻射器60於操作頻率的輻射性質為高位準，亦即可切換輻射器60處於開啟狀態，可以經由輻射結構而輻射能量。當可調介電層80偏壓於第一DC電壓(DC1)時，可切換輻射器60於操作頻率的輻射性質為相對低位準，亦即可切換輻射器60處於關閉狀態，無法經由輻射結構而輻射能量。 換言之，改變施加至可調介電層80的DC電壓可改變可切換輻射器60於操作頻率的輻射性質，亦即施加第一DC電壓(DC1)至可調介電層80，使得可切換輻射器60無法經由輻射結構輻射能量，以及施加第二DC電壓(DC2)至可調介電層80，使得可切換輻射器60可以經由輻射結構輻射能量。 此外，當可調介電層80的偏壓電壓從第二DC電壓(DC2)改變為第一DC電壓(DC1)時，可切換輻射器60的輻射性質之波形沿著橫軸偏移，因而可切換輻射器60的輻射性質於操作頻率(F1)為相對低位準，而於另一頻率(F2)為相對高位準。 雖然已詳述本揭露及其優點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多製程，並且以其他製程或其組合替代上述的許多製程。 再者，本申請案的範圍並不受限於說明書中所述之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法與步驟之特定實施例。該技藝之技術人士可自本揭露的揭示內容理解可根據本揭露而使用與本文所述之對應實施例具有相同功能或是達到實質相同結果之現存或是未來發展之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟。據此，此等製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟係包含於本申請案之申請專利範圍內。
10‧‧‧可切換輻射器
11‧‧‧介電基板
13‧‧‧底部傳導層
15‧‧‧電壓施加裝置
20‧‧‧第一傳導層
21A‧‧‧第一次金屬部分
21B‧‧‧第二次金屬部分
22A‧‧‧終端
22B‧‧‧終端
25‧‧‧槽部
30‧‧‧可調介電層
40‧‧‧第二傳導層
41A‧‧‧第一信號區段
41B‧‧‧第二信號區段
41C‧‧‧阻抗匹配區段
60‧‧‧可切換輻射器
65‧‧‧電壓施加裝置
70‧‧‧波導結構
71‧‧‧傳導殼
73‧‧‧上金屬
75‧‧‧槽部
79A‧‧‧終端
79B‧‧‧終端
80‧‧‧可調介電層
90‧‧‧傳導層
參閱詳細說明與申請專利範圍結合考量圖式時，可得以更全面了解本申請案之揭示內容，圖式中相同的元件符號係指相同的元件。 圖1為三維示意圖，例示本揭露實施例的可切換輻射器。 圖2為分解示意圖，例示本揭露實施例的可切換輻射器。 圖3例示本揭露實施例之可調介電層在不同DC電壓之介電常數變化。 圖4例示本揭露實施例之可切換輻射器在不同電壓及頻率之輻射性質(輻射強度或輻射功率)的變化。 圖5為三維示意圖，例示本揭露實施例的可切換輻射器。 圖6為分解示意圖，例示本揭露實施例的可切換輻射器。 圖7例示本揭露實施例之可切換輻射器在不同電壓及頻率之的輻射性質(輻射強度或輻射功率)的變化。

Claims (20)

  1. 一種可切換輻射器，包括： 一介電基板； 一第一傳導層，具有一槽部且位於該介電基板的一上表面上方； 一可調介電層，位於該第一傳導層上方，其中該可調介電層於一第一DC電壓具有一第一介電常數，並且於一第二DC電壓具有一第二介電常數；以及 一第二傳導層，位於該可調介電層上方，其中該第二傳導層包括一第一信號區段、一第二信號區段、以及連接該第一信號區段與該第二信號區段的一阻抗匹配區段。
  2. 如請求項1所述之可切換輻射器，另包括一底部傳導層，位於該介電基板的一下表面下方。
  3. 如請求項1所述之可切換輻射器，另包括一電壓施加裝置，經配置以施加DC電壓至該可調介電層，以控制該可調介電層的介電常數。
  4. 如請求項3所述之可切換輻射器，其中該電壓施加裝置經配置以經由該第一傳導層與該第二傳導層而施加該DC電壓至該可調介電層。
  5. 如請求項1所述之可切換輻射器，其中該第一信號區段與該第二信號區段具有一有效電長度，該有效電長度實質等於一操作頻率之四分之一波長的奇數倍，以及該可切換輻射器於該操作頻率為一關閉狀態。
  6. 如請求項1所述之可切換輻射器，其中該槽部暴露該介電基板的該上表面，以及該可調介電層覆蓋該槽部。
  7. 如請求項1所述之可切換輻射器，其中該槽部為一U形槽，將該第一傳導層實質分隔為一第一次金屬部分與一第二次金屬部分，該第一信號區段位於該第一次金屬部分上方，該第二信號區段位於該第二次金屬部分上方，以及該阻抗匹配區段位於該U形槽上方。
  8. 一種可切換輻射器，包括： 一波導結構，包含一傳導殼，該傳導殼具有一槽部，位於該傳導殼的一上金屬內； 一可調介電層，位於該上金屬上方，其中該可調介電層於一第一DC電壓具有一第一介電常數，並且於一第二DC電壓具有一第二介電常數；以及 一傳導層，位於該可調介電層上方； 其中該傳導殼形成一電感負載，以及該可調介電層與該傳導層形成一電容負載。
  9. 如請求項8所述之可切換輻射器，另包括一電壓施加裝置，該電壓施加裝置經配置以施加DC電壓至該可調介電層，以控制該可調介電層的介電常數。
  10. 如請求項9所述之可切換輻射器，其中該電壓施加裝置經配置以經由該上金屬與該傳導層而施加該DC電壓至該可調介電層。
  11. 如請求項8所述之可切換輻射器，其中該槽部為一I形槽，以及該傳導層為一H形導體。
  12. 如請求項8所述之可切換輻射器，其中該傳導殼環繞一波導凹槽，該槽部暴露該波導凹槽，以及該可調介電層覆蓋該槽部。
  13. 一種可切換輻射器的操作方法，該可切換輻射器包括具有一槽部的一第一傳導層、一第二傳導層、以及位於該第一傳導層與該第二傳導層之間的一可調介電層；其中該操作方法包括改變施加至該可調介電層之一DC電壓，以改變該可切換輻射器的一輻射性質。
  14. 如請求項13所述之可切換輻射器的操作方法，其中改變施加至該可調介電層之DC電壓係經由該第一傳導層與該第二傳導層而施加至該可調介電層。
  15. 如請求項13所述之可切換輻射器的操作方法，其中改變施加至該可調介電層之DC電壓改變該可調介電層的一介電常數。
  16. 如請求項13所述之可切換輻射器的操作方法，該操作方法包括施加一第一DC電壓至該可調介電層，以致能該可切換輻射器經由該槽部輻射能量；以及施加一第二DC電壓至該可調介電層，以失能該可切換輻射器經由該槽部輻射能量。
  17. 一種可切換輻射器的操作方法，該可切換輻射器包括一波導結構，該波導結構包含一傳導殼，該傳導殼具有一槽部、一傳導層、以及位於該傳導殼與該傳導層之間的一可調介電層；其中該傳導殼形成一電感負載，以及該可調介電層與該傳導層形成一電容負載；其中該操作方法包括改變施加至該可調介電層之一DC電壓，以改變該可切換輻射器的一輻射性質。
  18. 如請求項17所述之可切換輻射器的操作方法，其中改變施加至該可調介電層之DC電壓係經由該傳導殼與該傳導層而施加至該可調介電層。
  19. 如請求項17所述之可切換輻射器的操作方法，其中改變施加至該可調介電層之DC電壓改變該可調介電層的一介電常數。
  20. 如請求項17所述之可切換輻射器的操作方法，其中該電感負載與該電容負載形成一輻射結構，該操作方法包括施加一第一DC電壓至該可調介電層，以失能該可切換輻射器經由該輻射結構輻射能量，以及施加一第二DC電壓至該可調介電層，以致能該可切換輻射器經由該輻射結構輻射能量。
TW105141577A 2016-10-14 2016-12-15 可切換輻射器及其操作方法 TWI631763B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/293,732 US10044087B2 (en) 2016-10-14 2016-10-14 Switchable radiators and operating method for the same
US15/293,732 2016-10-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201814955A true TW201814955A (zh) 2018-04-16
TWI631763B TWI631763B (zh) 2018-08-01

Family

ID=61904140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105141577A TWI631763B (zh) 2016-10-14 2016-12-15 可切換輻射器及其操作方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10044087B2 (zh)
TW (1) TWI631763B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10090571B2 (en) * 2016-10-24 2018-10-02 Microelectronics Technology, Inc. Transmission switch containing tunable dielectrics and operating method for the same
US11165149B2 (en) * 2020-01-30 2021-11-02 Aptiv Technologies Limited Electromagnetic band gap structure (EBG)

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6727535B1 (en) * 1998-11-09 2004-04-27 Paratek Microwave, Inc. Ferroelectric varactor with built-in DC blocks
CA2352166A1 (en) 1998-12-11 2000-06-15 Paratek Microwave, Inc. Electrically tunable filters with dielectric varactors
US6333719B1 (en) 1999-06-17 2001-12-25 The Penn State Research Foundation Tunable electromagnetic coupled antenna
EA003712B1 (ru) 1999-09-14 2003-08-28 Паратек Майкровэйв, Инк. Фазированные антенные решетки с последовательным возбуждением и диэлектрическими фазовращателями
US6538603B1 (en) 2000-07-21 2003-03-25 Paratek Microwave, Inc. Phased array antennas incorporating voltage-tunable phase shifters
US6377440B1 (en) 2000-09-12 2002-04-23 Paratek Microwave, Inc. Dielectric varactors with offset two-layer electrodes
WO2002049143A1 (en) * 2000-12-12 2002-06-20 Paratek Microwave, Inc. Electrically tunable notch filters
US6690251B2 (en) 2001-04-11 2004-02-10 Kyocera Wireless Corporation Tunable ferro-electric filter
AU2002230805A1 (en) * 2001-12-14 2003-06-30 Midwest Research Institute Tunable circuit for tunable capacitor devices
US6972727B1 (en) * 2003-06-10 2005-12-06 Rockwell Collins One-dimensional and two-dimensional electronically scanned slotted waveguide antennas using tunable band gap surfaces
KR100802120B1 (ko) * 2006-07-03 2008-02-11 삼성전자주식회사 마이크로 튜닝과 매크로 튜닝이 가능한 무선 단말기용안테나
US20100096678A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-22 University Of Dayton Nanostructured barium strontium titanate (bst) thin-film varactors on sapphire
US8648676B2 (en) * 2011-05-06 2014-02-11 The Royal Institution For The Advancement Of Learning/Mcgill University Tunable substrate integrated waveguide components
US9000866B2 (en) * 2012-06-26 2015-04-07 University Of Dayton Varactor shunt switches with parallel capacitor architecture

Also Published As

Publication number Publication date
TWI631763B (zh) 2018-08-01
US20180108970A1 (en) 2018-04-19
US10044087B2 (en) 2018-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Haraz et al. Dense dielectric patch array antenna with improved radiation characteristics using EBG ground structure and dielectric superstrate for future 5G cellular networks
El Hajj et al. A novel investigation of a broadband integrated inverted-F antenna design; application for wearable antenna
CN107785671B (zh) 一种频率可重构微带贴片八木天线及重构方法
Ranjan et al. Circularly slotted flower shaped UWB filtering antenna with high peak gain performance
Varshney et al. A survey on different feeding techniques of rectangular microstrip patch antenna
TWI593164B (zh) 印刷電路多層基片中短路槽孔線之實施方法及其印刷電路
Kumar et al. X‐band antenna printed on a multilayered substrate
TWI631763B (zh) 可切換輻射器及其操作方法
Xu et al. Printed multi‐band compound meta‐loop antenna with hybrid‐coupled SRRs
Azim et al. An effective technique based on off‐set fed patch to enhance the bandwidth of microstrip planar antenna
US9692131B2 (en) Antenna and the manufacturing method thereof
Sakakibara et al. Broadband and planar microstrip-to-waveguide transitions in millimeter-wave band
CN107248617A (zh) 微带贴片天线
Xia et al. Rectangular dielectric resonator antenna fed by offset tapered copper and graphene microstrip lines for 5G communications
Tuan et al. Bandwidth extension of planar microstrip-to-waveguide transition by via-hole locations at both sides of microstrip line
Patel et al. Electrically small inverted L planar patch antenna for wireless application
Astuti et al. Size reduction of cavity backed slot antenna using half mode substrate integrated waveguide structure
CN106450598B (zh) 一种宽带宽移相范围反射型可调移相器及其设计方法
Chang et al. Broadband dielectric resonator antenna with metal coating
Ping Equivalent circuit model of octagonal ultra wideband (UWB) antenna
Shirinabadi et al. Design of a printed non‐planar dual‐polarised log‐periodic dipole array
Li A microstrip patch antenna for 5G mobile communications
Kumar et al. Blue-tooth shaped SIW antenna for RADAR Applications
Necibi et al. A New 30 GHz AMC/PRS RFID Reader Antenna with Circular Polarization
Paliwal et al. An experimental investigation of reconfigurable UWB modified octagonal microstrip monopole patch antenna with switchable and tunable band-notched characteristic