TW201802660A - 歸一化電容性感測量測以降低低接地體及雜訊的影響 - Google Patents

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Abstract

輸入裝置可以被電容性地耦接至接地和雜訊源,這會干擾輸入裝置檢測輸入物件的能力。為了減輕來自這些電容性耦接的影響,輸入裝置將已調變的電容性感測信號並行驅動到多個感測器電極上。該感測器電極被耦接至相應的類比前端(AFE),其為各感測器電極中的每一個生成輸出信號。該輸入裝置組合對於各感測器電極的輸出信號以生成歸一化值。例如,該輸出信號可以是數位值,它們被輸入裝置相加以生成歸一化值。該輸入裝置然後使各輸出信號中的每一個除以歸一化值以得到與各感測器電極中的每一個相對應的經過歸一化的信號。

Description

歸一化電容性感測量測以降低低接地體及雜訊的影響
本發明總體上涉及電子裝置以及在電容性感測期間對輸出信號進行歸一化。
包括近接感測器裝置(通常也被稱為觸摸板或觸摸感測器裝置)的輸入裝置被廣泛用在各種各樣的電子系統中。近接感測器裝置典型地包括常常通過表面劃界的感測區,近接感測器裝置在該感測區中決定一個或多個輸入物件的存在、位置和/或運動。近接感測器裝置可以被用來為電子系統提供界面。例如,近接感測器裝置常常被用作較大型電腦系統的輸入裝置(諸如整合在筆記本或桌上型電腦中的或者作為筆記本或桌上型電腦外設的不透明觸摸板)。近接感測器裝置還常常被用在較小型電腦系統中(諸如集成在行動電話中的觸摸螢幕)。
本文中所述的一個實施例是一種輸入裝置,其包括輸入裝置的感測區中的多個感測器電極和耦接至該多個感測器電極的處理系統。該處理系統被配置成將第一多個電容性感測信號並行驅動到第一組多個感測器電極上,因應於驅動第一多個電容性感測信號來生成與第一 組多個感測器電極相對應的第一多個輸出信號,使用第一多個輸出信號的組合來對與第一組中的多個感測器電極之一相對應的第一輸出信號進行歸一化,以及基於經過歸一化的第一輸出信號來決定輸入物件的位置。
本文中所述的另一實施例是一種處理系統,其包括:感測器模組,其被配置成將第一多個電容性感測信號並行驅動到第一組多個感測器電極上;以及決定模組,其被配置成因應於驅動第一多個電容性感測信號來生成與第一組多個感測器電極相對應的第一多個輸出信號,使用第一多個輸出信號的組合來對與第一組中的多個感測器電極之一相對應的第一輸出信號進行歸一化,以及基於經過歸一化的第一輸出信號來決定輸入物件的位置。
本文中所給出的另一實施例是一種方法,其包括將第一多個電容性感測信號並行驅動到第一組多個感測器電極上,其中該多個感測器電極在輸入裝置的感測區中。該方法包括因應於驅動第一多個電容性感測信號來生成與第一組多個感測器電極相對應的第一多個輸出信號,使用第一多個輸出信號的組合來對與第一組中的多個感測器電極之一相對應的第一輸出信號進行歸一化,以及基於經過歸一化的第一輸出信號來決定輸入物件的位置。
100‧‧‧輸入裝置
110‧‧‧處理系統
120‧‧‧感測區
130‧‧‧按鈕
140‧‧‧輸入物件
204‧‧‧感測模組
205‧‧‧電容性像素
208‧‧‧顯示驅動模組
210‧‧‧決定模組
240、625‧‧‧跡線
305‧‧‧接地
310‧‧‧顯示底盤
315‧‧‧裝置底盤
405A、410A‧‧‧輸出信號
405B、410B-Z‧‧‧輸出信號
405‧‧‧AFE
410‧‧‧輸出電流
500‧‧‧方法
505‧‧‧方塊
510‧‧‧方塊
515‧‧‧方塊
520‧‧‧方塊
525‧‧‧方塊
600‧‧‧系統
605‧‧‧第一組
610‧‧‧電極
620‧‧‧選擇邏輯
630‧‧‧第二組
圖1是根據本文中所述的實施例的包括輸入裝置的示例性系統的框圖;圖2圖示根據本文中所述的實施例的電容性感測像素的示例性圖案的部分;圖3圖示根據本文中所述的實施例的低接地體對電容性感測輸入裝置的影響;圖4圖示根據本文中所述的實施例的低接地體對電容性感 測輸入裝置的影響;圖5圖示根據本文中所述的實施例的用於對電容性感測測量結果進行歸一化的流程圖;以及圖6A和6B圖示根據本文中所述的實施例的使用不同的各組感測器電極來對電容性感測測量結果進行歸一化。
為了促進理解,在可能的情況下已經使用了相同的參考數字來指定各圖所共有的相同元件。預期可在沒有具體詳述的情況下在其他實施例上有利地利用在一個實施例中公開的元件。這裡提及的圖不應該被理解為按照比例來繪製,除非具體指出。而且,為了清楚呈現和解釋起見圖常常被簡化並且細節或部件被省略。圖和討論用來解釋在下面討論的原理,其中相似的指定表示相似的元件。
下面的詳細描述本質上僅僅是示例性的,並且不意在限制本公開內容或本公開內容的應用和使用。此外,不意在受前述技術領域、背景技術、發明內容或者下面的具體實施方式中所給出的任何明示或暗示理論的限制。
本發明的各種實施例提供促進提高的可用性的輸入裝置和方法。輸入裝置可以被電容性地耦接至接地,這會干擾輸入裝置檢測輸入物件的能力。通常,該輸入裝置不能控制這些耦接電容,它們會隨著輸入裝置的環境的變化而變化。接地的電容對由輸入裝置測得的電容性信號有顯著影響的情況在本文中被稱為低接地體(LGM、Low ground mass)狀況。例如,LGM可能太大,輸入裝置未能檢測歸因於對應於輸入裝置的觸摸或懸停(hover)事件的相對較小的電容性變化。此外,諸如電源雜訊或充電器雜訊之類的雜訊源可以影響由輸入裝置測得的輸出信號,這會阻止裝置檢測觸摸或懸停事件。
本文中的實施例描述了一種具有處理系統的輸入裝置,該處理系統使用歸一化來減輕或移除來自在電容性感測期間生成的電容性測量結果信號(也被稱為增量信號或電容的變化)的LGM或雜訊源的影響。照此,該處理系統將已調變的電容性感測信號並行驅動到多個感測器電極上。該感測器電極被耦接至相應的類比前端(AFE),其生成與各感測器電極中的每一個相對應的相應輸出信號。通過使用基線(baseline)測量結果,該處理系統為各感測器電極中的每一個決定電容性測量結果(例如增量(delta)信號)。該處理系統組合對於各感測器電極的電容性測量結果以生成歸一化值。例如,該電容性測量結果可以是數位值,它們被處理系統相加以決定歸一化值。該處理系統然後使各電容性測量結果中的每一個除以歸一化值以得到與各感測器電極中的每一個相對應的經過歸一化的電容性測量結果。因為LGM和雜訊源通常會等量地影響感測器電極,所以通過用各個電容性測量結果除以所有電容性測量結果的總和(即歸一化值)來從經過歸一化的測量結果移除LGM和雜訊。
現轉向附圖,圖1是根據本公開的實施例的示例性輸入裝置100的框圖。輸入裝置100可以被配置成向電子系統(未示出)提供輸入。如在本文檔中所使用的,術語“電子系統”(或者“電子裝置”)泛指能夠電子地處理資訊的任何系統。電子系統的一些非限制性示例包括所有尺寸和形狀的個人電腦,諸如桌上型電腦、筆記型電腦、上網電腦、平板電腦、網路瀏覽器、電子書閱讀器以及個人數位助理(PDA)。額外的示例電子系統包括組合的輸入裝置,諸如包括輸入裝置100和分開的操縱杆或按鍵開關的物理鍵盤。其他示例電子系統包括諸如數據輸入裝置(包括遠程控制器和游標)的外圍裝置以及數據輸出裝置(包括顯示螢幕和印表機)。其他示例包括遠程終端、資訊亭和視頻遊戲機(例如視頻遊戲控制台、便攜式戲裝置等等)。其他示例包括通信裝置(包括行動電話,諸如智慧電話),以及媒體裝置(包括錄音機、編輯器和播放器, 諸如電視、機上盒、音樂播放器、數位相框和數位相機)。另外,電子系統可以是輸入裝置的主機或從機。
輸入裝置100可以被實施為電子系統的物理部分,或者可以與電子系統物理地分開。視情況而定,輸入裝置100可以使用以下各項中的任何一個或多個來與電子系統的部分通信:總線、網路及其他有線或無線互連。示例包括I2C、SPI、PS/2、通用串行總線(USB)、藍牙、RF和IRDA。
在圖1中,輸入裝置100被示為近接感測器裝置(常常也被稱為“觸摸板”或“觸摸感測器裝置”),其被配置成感測由一個或多個輸入物件140在感測區120中提供的輸入。示例輸入物件包括手指和觸控筆,如圖1中所示。
感測區120包圍輸入裝置100上方、周圍、之內和/或附近的任何空間,在其中輸入裝置100能夠檢測用戶輸入(例如由一個或多個輸入物件140提供的用戶輸入)。特定感測區的尺寸、形狀和位置可能隨著不同實施例而廣泛變化。在一些實施例中,感測區120在一個或多個方向上從輸入裝置100的表面延伸到空間中直到信噪比阻礙足夠準確的對象檢測為止。在各種實施例中,該感測區120在特定方向上延伸的距離可以約為小於一毫米、幾毫米、幾釐米或更多,並且可以隨著所使用的感測技術的類型和期望的準確度而顯著變化。因此,一些實施例感測下面這樣的輸入:其包括與輸入裝置100的任何表面沒有接觸、與輸入裝置100的輸入表面(例如觸摸表面)的接觸、與某個量的施加力或壓力耦接的與輸入裝置100的輸入表面的接觸和/或其組合。在各種實施例中,輸入表面可以由感測器電極位於其中的殼體的表面、由施加在感測器電極或任何殼體之上的面板等提供。在一些實施例中,感測區120在被投影到輸入裝置100的輸入表面上時具有矩形形狀。
輸入裝置100可以利用感測器組件和感測技術的任何組合 來檢測感測區120中的用戶輸入。輸入裝置100包括用於檢測用戶輸入的一個或多個感測元件。作為若干非限制性示例,輸入裝置100可以使用電容性、彈性、電阻性、電感性、磁性、聲學、超聲和/或光學技術。
一些實施方式被配置成提供跨越一維、二維、三維或更高維空間的圖像。一些實施方式被配置成提供輸入沿著特定軸線或平面的投影。
在輸入裝置100的一些電阻性實施方式中,通過一個或多個間隔件元件將可撓性且導電的第一層與導電的第二層分開。在操作期間,產生橫跨多層的一個或多個電壓梯度。按壓可撓性第一層可以使其充分偏轉以創建多層之間的電接觸,導致反映多層之間的(一個或多個)接觸點的電壓輸出。這些電壓輸出可以被用於決定位置資訊。
在輸入裝置100的一些電感性實施方式中,一個或多個感測元件拾取諧振線圈或線圈對所感應的環路電流。電流的幅度、相位和頻率的一些組合然後可以被用來決定位置資訊。
在輸入裝置100的一些電容性實施方式中,施加電壓或電流以產生電場。附近的輸入物件引起電場的變化,並且產生電容性耦接的可檢測變化,其可以作為電壓、電流等的變化而被檢測。
一些電容性實施方式利用電容性感測元件的陣列或者其他規則或不規則圖案來產生電場。在一些電容性實施方式中,獨立的感測元件可以被歐姆地短接在一起以形成更大的感測器電極。一些電容性實施方式利用電阻片,其可以是電阻性均勻的。
一些電容性實施方式利用基於感測器電極與輸入物件之間的電容耦接的變化的“自電容”(或“絕對電容”)感測方法。在各種實施例中,感測器電極附近的輸入物件改變感測器電極附近的電場,由此改變所測得的電容性耦接。在一種實施方式中,絕對電容感測方法通過關於基準電壓(例如系統接地)調變感測器電極以及通過檢測感測器電極 與輸入物件之間的電容性耦接來操作。
一些電容性實施方式利用基於感測器電極之間的電容性耦接的變化的“互電容”(或“跨越電容”)感測方法。在各種實施例中,感測器電極附近的輸入物件改變感測器電極之間的電場,由此改變所測得的電容性耦接。在一種實施方式中,跨越電容感測方法通過檢測一個或多個發射器感測器電極(也稱為“發射器電極”或“發射器”)和一個或多個接收器感測器電極(也稱為“接收器電極”或“接收器”)之間的電容性耦接來操作。可以相對於基準電壓(例如系統接地)來調變發射器感測器電極以發射發射器信號。接收器感測器電極可以保持相對於基準電壓基本上恒定以促進對所產生的信號的接收。所產生的信號可以包括對應於一個或多個發射器信號和/或對應於環境干擾(例如其他電磁信號)的一個或多個來源的(一個或多個)影響。感測器電極可以是專用發射器或接收器,或者可以被配置成既發射又接收。
在圖1中,處理系統110被示出為輸入裝置100的部分。處理系統110被配置成操作輸入裝置100的硬體以檢測感測區120中的輸入。處理系統110包括一個或多個積體電路(IC)和/或其他電路部件的部分或全部。例如,用於互電容感測器裝置的處理系統可以包括被配置成利用發射器感測器電極發射信號的發射器電路,和/或被配置成利用接收器感測器電極接收信號的接收器電路。在一些實施例中,處理系統110還包括電子可讀指令,諸如韌體代碼、軟體代碼和/或諸如此類的電子可讀指令。在一些實施例中,組成處理系統110的部件被設置在一起,諸如在輸入裝置100的(一個或多個)感測元件附近。在其他實施例中,處理系統110的部件與近接輸入裝置100的(一個或多個)感測元件的一個或多個部件、以及別處的一個或多個部件物理上分開。例如,輸入裝置100可以是耦接到桌上型電腦的外圍裝置,並且處理系統110可以包括被配置成在桌上型電腦的中央處理單元以及與該中央處理單元分開的一個 或多個IC(可能具有相關聯的韌體)上運行的軟體。作為另一示例,輸入裝置100可以物理地整合在電話中,並且處理系統110可以包括作為電話的主處理器的部分的電路和韌體。在一些實施例中,處理系統110專用於實施輸入裝置100。在其他實施例中,處理系統110還執行其他功能,諸如操作顯示螢幕,驅動觸覺致動器等等。
處理系統110可以被實施為操控處理系統110的不同功能的一組模組。每個模組可以包括電路、韌體、軟體或其組合,其中電路是處理系統110的一部分。在各個實施例中,可以使用模組的不同組合。示例模組包括用於操作諸如感測器電極和顯示螢幕的硬體的硬體操作模組、用於處理諸如感測器信號和位置資訊的數據的數據處理模組、以及用於報告資訊的報告模組。別的示例模組包括被配置成操作(一個或多個)感測元件以檢測輸入的感測器操作模組、被配置成識別諸如模式改變手勢的手勢的識別模組、以及用於改變操作模式的模式改變模組。
在一些實施例中,處理系統110直接通過引起一個或多個動作來因應於感測區120中的用戶輸入(或用戶輸入的缺失)。示例動作包括改變操作模式以及諸如游標移動、選擇、選單導航及其他功能的GUI動作。在一些實施例中,處理系統110向電子系統的某個部分(例如向電子系統的與處理系統110分開的中央處理系統,如果這樣的獨立中央處理系統存在的話)提供關於輸入(或輸入的缺失)的資訊。在一些實施例中,電子系統的某個部分處理從處理系統110接收到的資訊以作用於用戶輸入,諸如促進完整範圍的動作,包括模式改變動作和GUI動作。
例如,在一些實施例中,處理系統110操作輸入裝置100的(一個或多個)感測元件以產生指示感測區120中的輸入(或輸入的缺失)的電信號。處理系統110可以在產生提供給電子系統的資訊時對電信號執行任何適當量的處理。例如,處理系統110可以對從感測器電極獲得的類比電信號進行數位化。作為另一示例,處理系統110可以執行濾波 或另外的信號調節。作為又一示例,處理系統110可以去掉或以另外方式計及基線,使得資訊反映電信號與基線之間的差別。作為再一示例,處理系統110可以決定位置資訊、將輸入識別為命令、識別手寫等等。
如在這裡使用的“位置資訊”廣泛地包括絕對位置、相對位置、速度、加速度及其他類型的空間資訊。示例性“零維(zero dimensional)”位置資訊包括近/遠或者接觸/沒有接觸資訊。示例性“一維”位置資訊包括沿著軸線的位置。示例性“二維”位置資訊包括平面中的運動。示例性“三維”位置資訊包括空間中的瞬時或平均速度。其他示例包括空間資訊的其他表示。關於一種或多種類型的位置資訊的歷史資料也可以被決定和/或存儲,例如包括隨著時間追蹤位置、運動或瞬時速度的歷史資料。
在一些實施例中,利用由處理系統110或由一些其他處理系統操作的額外輸入部件來實施輸入裝置100。這些額外輸入部件可以提供用於感測區120中的輸入的冗餘功能或一些其他功能。圖1示出感測區120附近可以被用來促進使用輸入裝置100來選擇項目的按鈕130。其他類型的附加輸入部件包括滑動條、滾珠、輪盤、開關等。相反地,在一些實施例中,可以不利用其他輸入部件來實現輸入裝置100。
在一些實施例中,輸入裝置100包括觸摸螢幕界面,並且感測區120與顯示螢幕的有效區域的至少一部分重疊。例如,輸入裝置100可以包括與顯示螢幕重疊的基本上透明的感測器電極並且為相關聯的電子系統提供觸摸螢幕界面。顯示螢幕可以是能夠向用戶顯示視覺界面的任何類型的動態顯示器,並且可以包括任何類型的發光二極管(LED)、有機LED(OLED)、陰極射線管(CRT)、液晶顯示器(LCD)、等離子體、電致發光(EL)或其他顯示技術。輸入裝置100和顯示螢幕可以共享物理元件。例如,一些實施例可以將相同電子部件中的一些用於顯示和感測。作為另一示例,顯示螢幕可以部分或完全由處理系統110來操作。
應該理解,儘管在功能完備的裝置的背景下描述了本發明的許多實施例,但是本發明的機制能夠以多種形式被分佈成程式產品(例如軟體)。例如,本發明所述的機制可以被實現和分佈成可被電子處理器讀取的資訊承載介質(例如可被處理系統110讀取的非揮發電腦可讀和/或可記錄/可寫資訊承載介質)上的軟體程式。另外,本發明的實施例等同地適用,不管被用於執行所述分佈的介質的特定類型如何。非瞬態電子可讀介質的示例包括各種盤、記憶棒、存儲卡、存儲模組等等。電子可讀介質可以基於閃存、光、磁、全息或任何其他存儲技術。
圖2示出根據一些實施例被配置成在與一種圖案相關聯的感測區120中進行感測的電容性感測像素205(在下文中也被稱為電容性像素或感測像素)的示例性圖案的一部分。每一個電容性像素205都可以包括上述感測器電極中的一個或多個。為了清楚地說明和描述,圖2以簡單的矩形圖案給出電容性像素205的各區,並且沒有示出電容性像素205內的各種其他部件。在一個實施例中,電容性感測像素205是局部電容的區域(電容性耦接)。電容性像素205在第一操作模式中可以被形成在各個感測器電極與接地之間並且在第二操作模式中可以被形成在用作發射器和接收器電極的各組感測器電極之間。電容性耦接隨著與電容性像素205相關聯的感測區120中的輸入物件的近接度和運動而改變,並且因此可以被用作在輸入裝置的感測區120中存在輸入物件的指示。
示例性圖案(例如形成矩形陣列的矩陣)包括在共用平面中按X個列和Y個行佈置的電容性感測像素205X,Y的陣列(被統稱為像素205),其中X和Y是正整數,然而X和Y之一可以是零。預期感測像素205的圖案可以包括具有其他配置(諸如環形陣列、重複圖案、非重複圖案、非均勻陣列單行或列、或其他適當佈置)的多個感測像素205。此外,如將在下面更詳細討論的,感測像素205中的感測器電極可 以是任何形狀的,諸如圓形、矩形、菱形、星形、方形、非凸面、凸面、非凹面、凹面等等。如本文所述的,感測像素205被耦接至處理系統110。
在第一操作模式中,電容性感測像素205內的至少一個感測器電極可以被利用來經由絕對感測技術檢測輸入物件的存在。處理系統110中的感測器模組204(例如感測器電路)被配置成利用電容性感測信號(其可以已調變或解調)來使用每個像素205中的跡線240驅動感測器電極並且基於電容性感測信號來測量感測器電極和輸入裝置(例如自由空間或接地)之間的電容,其被處理系統110或其他處理器用來決定輸入物件或手指中的特徵的位置。換言之,根據一些實施例,感測器模組204被配置成利用電容性感測信號來驅動感測器電極並且基於測得的所產生的電容性感測信號中的變化來檢測輸入物件,其可能會受到輸入物件的存在的影響。
電容性像素205的各種電極通常與其他電容性像素205的電極歐姆隔離。此外,在像素205包括多個電極的情況下,該電極可以彼此歐姆隔離。也就是說,一個或多個絕緣體將感測器電極分開並且防止它們彼此電氣短接。
在第二操作模式中,電容性像素205中的感測器電極被利用來經由跨越電容感測技術來檢測輸入物件的存在。也就是說,處理系統110可以利用發射器信號來驅動像素205中的至少一個感測器電極並接收使用另一像素205中的其他感測器電極中的一個或多個產生的信號,在這裡所產生的信號包括與發射器信號相對應的影響。處理系統110或其他處理器利用所產生的信號來決定輸入物件的位置。
輸入裝置100可以被配置成以上述各模式中的任一個來操作。該輸入裝置100還可以被配置成在上述各模式的任兩個或更多個之間切換。
在一些實施例中,電容性像素205被“掃描”以決定這些電 容性耦接。也就是說,在一個實施例中,感測器電極中的一個或多個被驅動成發射該發射器信號。發射器可以***作成使得一個發射器電極一次發射,或者多個發射器電極同時發射。在多個發射器電極同時發射的情況下,多個發射器電極可發射同一發射器信號並且實際上產生有效地更大發射器電極。備選地,多個發射器電極可以發射不同發射器信號。例如,多個發射器電極可以根據一個或多個編碼方案來發射不同發射器信號,該一個或多個編碼方案使得獨立決定這些不同發射器信號對所產生的接收器電極的信號的組合影響。
被配置為接收器感測器電極的感測器電極可單個或多個地操作以獲取所產生的信號。所產生的信號可以被用來決定在電容性像素205處的電容性耦接的測量結果。
在其他實施例中,“掃描”像素205以決定這些電容性耦接包括利用已調變信號驅動以及測量感測器電極中的一個或多個的絕對電容。在另一實施例中,感測器電極可以***作成使得在多個電容性像素205中的感測器電極上同時驅動已調變信號。在此類實施例中,從一個或多個像素205中的每一個同時獲得絕對電容性測量結果。在一個實施例中,該輸入裝置100同時驅動多個電容性像素205中的感測器電極並且在同一感測週期中測量對於各像素205中的每一個的絕對電容性測量結果。在各種實施例中,處理系統110可以被配置成選擇性地驅動並接收感測器電極的一部分。例如,可以基於但不限於在主機處理器上運行的應用程序、輸入裝置的狀態、感測裝置的操作模式和所決定的輸入物件的位置來選擇感測器電極。在另一實施例中,輸入物件(例如手指)是利用已調變信號來驅動的發射器,而感測器電極是接收器。
來自電容性像素205的一組測量結果形成代表如上文所述的在像素205處的電容性耦接的電容性圖像(也是電容性幀)。可以獲取在多個時間段上的多個電容性圖像,並且它們之間的差異被用來導出關 於感測區中輸入的資訊。例如,在連續時間段上獲取的連續電容性圖像可以被用來跟蹤進入感測區、離開感測區以及在感測區內的一個或多個輸入物件的(一個或多個)運動。
在一些實施例中,電容性像素205中的感測器電極中的一個或多個包括在更新顯示螢幕的顯示器中使用的一個或多個顯示電極。在一個或多個實施例中,顯示電極包括Vcom電極(共用電極)的一個或多個區段、源極驅動線、柵極線、陽極電極或陰極電極或任何其他顯示元件。這些顯示電極可以被安置在適當的顯示螢幕襯底上。例如,電極可以被安置在一些顯示螢幕(例如共面切換(IPS)或平面至線路切換(PLS)有機發光二極管(OLED))中的透明襯底(玻璃襯底、TFT玻璃或任何其他透明材料)上、在一些顯示螢幕(例如圖案化的垂直對齊(PVA)或多域垂直對齊(MVA))的濾色鏡玻璃的底部上、在發射層(OLED)上、等等。在這樣的實施例中,被用作感測器和顯示器電極二者的電極還可以被稱為組合電極,因為它執行多個功能。
繼續參考圖2,耦接至感測器電極的處理系統110包括感測器模組204以及可選地顯示驅動模組208。在一個實施例中,感測器模組包括被配置成在期望輸入感測的時段期間將發射器信號驅動到感測器電極上並利用感測器電極接收所產生的信號的電路。在一個實施例中,感測器模組204包括發射器模組,其包括在期望輸入感測的時段期間將發射器信號驅動到感測器電極上的電路。發射器信號通常被調變並且在為輸入感測分配的時間段上包含一個或多個突發。發射器信號可以具有可改變以獲得感測區中的輸入物件的更魯棒位置資訊的幅度、頻率和電壓。在絕對電容性感測中使用的已調變信號可以與在跨越電容感測中使用的發射器信號相同或不同。感測器模組204可以被選擇性地耦接至電容性像素205中的感測器電極中的一個或多個。例如,感測器模組204可以被耦接至感測器電極的所選部分並且以絕對或跨越電容感測模式來 操作。在另一示例中,當以絕對感測模式進行操作時,感測器模組204可以被耦接至與當以跨越電容感測模式進行操作時不同的感測器電極。
在各種實施例中,感測器模組204可以包括接收器模組,其包括被配置成在期望輸入感測的時段期間利用感測器電極接收包括與發射器信號相對應的影響的所產生的信號的電路。在一個或多個實施例中,接收器模組被配置成將已調變信號驅動到各像素205之一中的第一感測器電極上並且接收與已調變信號相對應的所產生的信號以決定感測器電極的絕對電容中的變化。接收器模組可以決定輸入物件在感測區120中的位置或者可以向另一模組或處理器(例如決定模組210或電子裝置的處理器(即主機處理器))提供包括指示所產生的信號的資訊的信號,以決定輸入物件在感測區120中的位置。在一個或多個實施例中,接收器模組包括多個接收器,在這種情況下每個接收器可以是類比前端(AFE)。
在一個或多個實施例中,電容性感測(或輸入感測)以及顯示更新可以在至少部分重疊的時段期間發生。例如,當組合電極被驅動用於顯示更新時,該組合電極還可以被驅動用於電容性感測。或者使電容性感測和顯示更新可以包括在與當感測器電極被配置用於電容性感測時至少部分重疊的時間段中調變顯示裝置的(一個或多個)基準電壓和/或調變用於顯示器的至少一個顯示電極。在另一實施例中,電容性感測和顯示更新可以在非重疊時段期間(也被稱為非顯示更新時段)發生。在各種實施例中,該非顯示更新時段可以在對於顯示幀的兩個顯示線的顯示線更新時段之間發生並且可以在時間上至少與顯示更新時段一樣長。在這樣的實施例中,非顯示更新時段可以被稱為長水平消隱時段、長h消隱時段或分布式消隱時段。在其他實施例中,該非顯示更新時段可包括水平消隱時段或垂直消隱時段。處理系統110可以被配置成在不同非顯示更新時間的任何組合的任一個或多個期間驅動用於電容性感測的 感測器電極。
顯示驅動模組208包括被確認用來在非感測(例如顯示更新)時段期間向顯示裝置的顯示器提供顯示圖像更新資訊的電路。該顯示驅動模組208可以包括有感測器模組204或者與感測器模組204分開。在一個實施例中,處理系統包括第一集成控制器,其包括顯示驅動模組208和感測器模組204的至少一部分(即發射器模組和/或接收器模組)。在另一實施例中,處理系統包括:第一集成控制器,其包括顯示驅動模組208;和第二集成控制器,其包括感測器模組204。在又一實施例中,處理系統包括第一集成控制器,其包括顯示驅動模組208和發射器模組或接收器模組之一;和第二集成控制器,其包括感測器模組204和發射器模組或接收器模組的另一個。
圖3圖示根據本文中所述的實施例的LGM對電容性感測輸入裝置的影響。具體來說,圖3圖示在接地305、輸入物件140和輸入裝置100之間的各種電容。如所示的,輸入裝置100包括裝置底盤315和支撐電容性感測像素205的顯示器底盤310。裝置底盤315可以包括輸入裝置100的殼體以及裝置100的內部計算元件(諸如電腦處理器、上述處理系統110中的一些或所有、輸入/輸出接口、天線和無線發射器和接收器)。該裝置底盤315經由電容Chc耦接至輸入物件140並經由電容C1耦接至接地305。電容Chc和C1的值根據圖3中各部件的關係而變化。例如,如果輸入裝置100被用戶的手(即輸入物件140)握住,則電容Chc會比C1更大很多。然而,如果輸入裝置100被放置在桌子上,則電容C1比Chc更大。
顯示器底盤310還經由電容C2電容性地耦接至接地305並且輸入物件140經由電容C3電容性地耦接至接地305。在一個實施例中,電容C1、C2和C3的組合決定隨著輸入裝置100的環境的變化而變化的系統的LGM。輸入裝置100可能不具有用來測量輸入裝置100在環 境中的位置的任何機構,並且因此不能準確地決定LGM的電容是否會負面地影響輸入裝置100測量電容Ct(即在輸入物件140和電容性感測像素205之一之間耦接的電容)的能力。
此外,圖3包括電壓源Vfc、Vn和Vm,它們可以引入影響因應於電容性感測信號而生成的輸出信號的雜訊。雜訊源Vfc表示經由輸入物件140被引入到電容性像素205中的手指耦接的雜訊。例如,可以將任何數目的不同週期性信號從人體發射至隨後通過輸入裝置100測量的電容性感測像素205。雜訊源Vn表示可以源於裝置底盤315和接地305之間的充電器的雜訊。也就是說,當被***充電器或某一種類的電源適配器時,不同的週期性信號可以被耦接至裝置底盤315中,這會影響使用電容性感測像素205測量的信號。
電壓源Vm是已調變信號(即電容性感測信號),其是由裝置底盤315中的電源(未被示出)生成的並且被顯示器底盤310用來調變電容性感測像素205。如下面更詳細描述的,用Vm表示的已調變信號允許輸入裝置測量像素205和輸入裝置140之間的電容性耦接。然而,除了提供電容性感測信號之外,電源還會將不想要的雜訊引入源Vm中,這會影響使用像素205測得的信號。
為了減輕或移除上述LGM和雜訊源的影響,輸入裝置100對從輸出信號和從將電容性感測信號(例如Vm)驅動到電容性感測像素205中的感測器電極上導出的增量信號(或電容性測量結果)進行歸一化。如下面更詳細描述的,輸入裝置100使用電容性感測信號來同時調變多個像素205中的感測器電極。因為LGM和雜訊源通常對像素205產生相同的影響,所以從輸出信號以及調變感測器電極導出的增量信號的和可以被用作用來減輕或移除來自各個增量信號的LGM和雜訊源的歸一化值。
圖4圖示根據本文中所述的實施例的LGM對電容性感測 輸入裝置100的影響。圖4圖示與圖3中所示的相同的部件和耦接電容,但是具體添加的電流和電路部件。具體來說,圖4圖示由使用電容性感測信號來調變像素205得到的各種電流。另外,圖4示出對應於電容性感測像素之一(即像素205A)的電容。像素205A中的電容Ct是試圖測量的輸入裝置100的電容。在該絕對電容實施例中,輸入裝置100試圖測量可以被用來檢測輸入物件140的存在的電容Ct中的變化。像素205A中的電容Ctb表示像素205A和裝置底盤315之間的電容性耦接。
使用組合電容來示出剩餘的電容性感測像素(即像素205B-Z),在這種情況下電容Cp表示像素205B-Z和輸入物件140之間的總電容並且電容Cpb表示像素250B-Z和裝置底盤315之間的總電容。電容性感測像素205被耦接至相應的AFE 405。在一個示例中,各像素205中的每一個中的感測器電極被耦接至各AFE 405中的相應一個。總體來說,AFE 405包括用於因應於將電容性感測信號驅動到像素205中的感測器電極上來生成輸出信號(例如數位信號)的電路,諸如積分器、開關和類比到數位轉換器(ADC)。在一個實施例中,該處理系統通過將輸出電流410與基線測量結果進行比較來導出增量信號,由此識別電容或電荷中的變化。儘管本文中的實施例描述使用絕對電容感測來決定像素205和輸入物件140之間的電容的變化,但是在另一實施例中,可以從由驅動當執行跨越電容感測時使用的發射器電極上的發射器信號產生的信號導出增量信號。
在一個實施例中,輸入裝置可以包括與電容性感測像素205相同數目的AFE 405。然而,在另一實施例中,輸入裝置可具有比像素205更少數目的AFE 405。在該示例中,多個電容性感測像素205中的感測器電極可以被選擇性地耦接至同一AFE 405。
對應於像素205A的輸出電流410A和對應於像素205B-Z的輸出電流410B-Z被發射至顯示器底盤310。使用硬體或韌體,處理系 統110(未被示出)中的決定模組可以對從輸出電流410A-Z導出的增量信號進行歸一化以減輕LGM和雜訊源對輸出電流410A-Z的影響。
圖5圖示根據本文所述的實施例的用於對電容性測量結果進行歸一化的方法500的流程圖。在方塊505處,處理系統中的感測器模組將電容性感測信號並行驅動到多個感測器電極上。在一個實施例中,感測器模組將電容性感測信號驅動到圖4中所示的電容性感測像素205A-Z中的每一個中的感測器電極上。電容性感測信號可以是任何已調變信號,例如方波、正弦曲線、鋸齒、等等。
在方塊510處,耦接至感測器電極的AFE因應於驅動電容性感測信號為多個感測器電極中的每一個生成輸出信號。因為電容性感測信號被並行驅動到感測器電極,所以總體上以與LGM和任何雜訊相同的方式來影響對於感測器電極的輸出信號。例如,參考圖4,電容C1、C2和C3的值(它們設置了LGM的當前狀況)以相同的方式來影響對於所有像素205的輸出電流410。類似地,如果當在方塊505處驅動電容性感測信號時充電器(Vn)、電源(Vm)或手指耦接的雜訊源(Vm)引起雜訊,則該雜訊出現在所有所生成的輸出電流410中。用方程式1來表示LGM、雜訊源和輸入物件140對輸出信號405A的影響:
Figure TW201802660AD00001
用方程式2來示出LGM、雜訊源和輸入物件140對與像素205B-Z相對應的輸出信號405B-C的影響:
Figure TW201802660AD00002
在方程1和2中,V’m和V’n是對應量的時間導數。如所示的,輸出信號取決於兩個電流i5和i6關於時間的積分(除了將電壓的時間導數V’m和V’n減小到它們的幅度之外這使方程式保持不變)以及潛在地 根據積分添加至方程的常數(其通常是AFE總的積分器的基準電壓)。
在方塊515處,處理系統使用基線測量結果(例如基線電流)來識別對於各輸出信號中的每一個的電容的變化(電容測量結果或增量信號)。在方程式3和4中示出基線電流,在這種情況下,手指(即輸入物件140)和人體的剩餘部分具有對所有像素205的可忽略的耦接並且Ct和Cp的值是零。
Figure TW201802660AD00003
Figure TW201802660AD00004
為了檢測輸入物件140的觸摸(或懸停)事件的存在,從電流i5和i6中(或者等同地,它們的積分(即電荷))減去基線電流i5b和i6b(其可以是當輸入物件不近接感測區時在前一電容性感測時段期間捕獲的)來產生電容相對於基線電流的變化。在方程式5和6中示出這些減法的結果。
Figure TW201802660AD00005
Figure TW201802660AD00006
方程式5和6圖示電流(或電荷)i5和i6的變化通常顯著依賴於LGM和雜訊。
在方塊520處,處理系統中的決定模組使用對應於其他感測器電極的電容中的變化的組合來對與感測器電極之一相對應的電容中的變化(例如在方程式5和6中示出的增量電流或增量信號)進行歸一化以移除或減輕LGM和雜訊的影響。在一個實施例中,該組合是對於在方塊505期間感測的所有感測器電極的所有增量信號的和。換種方式,決 定模組將對於所有電容性感測像素的增量信號相加以生成歸一化值並且然後使各個增量信號中的每一個除以歸一化值。在方程式7中示出對針對像素205A的輸出信號進行歸一化的影響(即電流i5)。
Figure TW201802660AD00007
具體來說,方程式7圖示使用像素205的所有測得的增量信號的和來對針對像素205A的增量信號進行歸一化。結果是已經從像素205A的增量信號移除LGM和雜訊的影響。方程式7中保持的僅有的相關性是輸入物件140和像素205中感測器電極之間的電容性耦接的結果。當輸入物件140近接包括像素205的感測區時,方程式7的分母比分子增長得更快地多,從而導致輸入物件到感測器-區距離的比之間的近線性關係。儘管當電容Cp變得大時信號降低,但是處理系統可以通過根據△i6改變檢測的閾值或者使經過歸一化的信號乘以測量非零輸出電流410的電容性感測像素的總數來補償。
決定模組可以使用歸一化值來對與在方塊505期間感測的感測器電極相對應的各增量信號中的每一個進行歸一化。也就是說,該決定模組可以為各電容感測像素205中的每一個生成經過歸一化的增量信號。儘管處理系統中的決定模組(例如硬體或韌體)可以執行方塊520,但是在其他實施例中,可通過輸入裝置中的中央處理器或通過軟體來執行該歸一化。
在方塊525處,決定模組使用經過歸一化的電容變化(即經過歸一化的增量信號)來檢測輸入物件的位置。在一個實施例中,該決定模組將經過歸一化的增量信號與一個或多個閾值相比較。基於電容相對於基線測量結果的變化,模組模組可以決定輸入物件是否位於感測區的包括電容性感測像素的一部分。通過利用對於電容性感測像素的經過歸一化的增量信號中的每一個來重複該過程,決定模組可以決定輸入物件在那裡與感測區相互作用,即輸入物件接觸或懸停在感測區上的位 置。儘管該功能被描述為在處理系統中的決定模組中發生,但是在其他實施例中,可通過中央處理器或通過軟體來執行方塊525。
圖6A和6B圖示根據本文中所述的實施例的使用不同的各組感測器電極來對電容性感測測量結果進行歸一化。輸入裝置可以不包括與電容性感測像素205一樣多的AFE 140。照此,輸入裝置可以不會同時生成來自感測區120中的所有感測器電極610的輸出信號。系統600圖示輸入裝置,其包括二十個感測器電極610,但是僅10個AFE 405。照此,當將電容性感測信號驅動到感測器電極610上時,AFE 405可以生成對於僅10個感測器電極610的輸出信號。
在圖6A中,最前面的兩行感測器電極610形成第一組605。各感測器電極610中的每一個經由跡線615耦接至選擇邏輯620。通過使用控制信號,選擇邏輯620選擇性地將跡線615以及由此感測器電極610耦接至AFE 405。因此,在圖6A中所圖示的時段中,僅第一組605中的感測器電極610被電氣耦接至AFE 405,而剩餘的電極610(即感測區120中的下半部分的電極610)沒有。如上文所述,方法500可以被用來將電容性感測信號驅動到第一組605感測器電極610上並且使用AFE 405生成輸出信號。
通過使用根據輸出信號生成的增量信號,處理系統110(未被示出)中的決定模組可以將來自第一組605的增量信號相加以生成歸一化值。該決定模組然後可以對與感測器電極610和AFE 405中的每一個相對應的增量信號進行歸一化以輸出第一經過歸一化的增量信號。在該示例中,該決定模組通過用由AFE 405生成的各個增量信號除以第一歸一化值來生成10個經過歸一化的增量信號。這些經過歸一化的增量信號然後可以被評估以檢測輸入物件在感測區120的上半部分中的位置。
圖6B是與圖6A中所示的相同的系統600,但是在AFE 405生成對應於第二組630中的感測器電極610的輸出信號的不同時段。換 種方式,輸入裝置將電容性感測信號驅動到在感測區120的下半部分上的第二組630中的10個感測器電極610。感測器電極610經由跡線625耦接至選擇邏輯620。使用控制信號,選擇邏輯620將第二組630中的感測器電極610耦接至AFE 405。
通過使用根據輸出信號生成的增量信號,決定模組將來自第二組630的電極610的增量信號相加以生成第二歸一化值。該決定模組然後可以對與第二組630中的感測器電極610中的每一個相對應的各個增量信號進行歸一化以生成經過歸一化的增量信號。在該示例中,該決定模組通過用由AFE 405生成的各個增量信號除以第二歸一化值來生成10個經過歸一化的輸出信號。這些經過歸一化的增量信號可以被評估以檢測輸入物件在感測區120的下半部分中的位置。
以這種方式,處理系統110可以通過為每一組電極生成歸一化值來評估各組感測器電極610。換種方式,處理系統110為每一組電極生成一個相應的歸一化值,其被用於對與該組中的感測器電極610相對應的各增量信號進行歸一化。照此,處理系統110不需要與像素205以及感測器電極610的數目相同的AFE 405的數目,這可以降低輸入裝置的成本和其中的空間。作為代替,處理系統110可以使用多個不同的感測時段(每一個都用於一個組)來為感測區120中的所有電容性感測像素205生成經過歸一化的增量信號。此外,在一個實施例中,感測時段可以與顯示更新交錯。例如,處理系統110可以在顯示幀中的垂直或水平消隱時段期間為第一組605感測器電極610生成經過歸一化的增量信號。處理系統110然後可以在顯示幀中的另一消隱時段期間在為第二組630感測器電極610生成經過歸一化的增量信號之前更新顯示器中的一行或多行顯示像素。
在一個實施例中,可以從不是因應於驅動同時電容性感測信號而生成的增量信號導出歸一化值。例如,輸入裝置可以在第一時間 段期間將電容性感測信號驅動到第一組605感測電極610上並存儲所產生的增量信號。在第二時間段期間,輸入裝置將電容性感測信號驅動到第二組630感測電極610上並測量所產生的增量信號。輸入裝置然後可將在第一和第二時間段期間生成的所有增量信號相加以生成歸一化值。輸入裝置可以除以(即歸一化)在第一和第二時間段期間測得的各個增量信號中的每一個以生成20個經過歸一化的增量信號,其可以被用來如上所述那樣檢測輸入物件。LGM緩慢地變化,並且因此LGM對在第一和第二時間段期間測得的增量信號的影響將是基本相同的(假設兩個時間段彼此在例如小於1秒內發生)。因此,通過對增量信號進行歸一化來移除LGM對增量信號的影響。
然而,許多雜訊源具有短的持續時間(例如短尖峰)或隨著時間迅速變化。因此,將在第一和第二時間段期間測得的增量信號組合以生成全域歸一化值可能意味著對增量信號進行歸一化不會移除或減輕雜訊源對增量信號的影響。也就是說,雜訊源可能影響在第一時間段期間測得的增量信號而不是在第二時間段期間測得的增量信號。然而,使用全域歸一化值的一個優點是輸入裝置不具有在第一和第二組605、630之間的邊界處由使用歸一化值而產生的不連續性,該歸一化值是僅使用來自每一組中的感測器電極610的增量信號導出的。但是當針對每一組像素(例如第一和第二組605、630)使用分開的歸一化值時,邊界處的不連續性僅在每個像素的檢測分辨率不足夠小的情況下發生。如果存在足夠的分辨率,則分開的歸一化值將不會在各組之間的邊界處產生任何不連續性。
因此,為了最佳地解釋根據本技術的實施例及其特定應用以及由此使得熟此技藝者能夠做出和使用本技術,給出這裡闡述的實施例和示例。然而,熟此技藝者將會認識到,僅為了說明和示例目的給出了以上的描述和示例。所闡述的描述並不意在是窮舉的或者將本公開內 容限於所公開的精確形式。
505‧‧‧步驟
510‧‧‧步驟
515‧‧‧步驟
520‧‧‧步驟

Claims (20)

  1. 一種輸入裝置,其包括:該輸入裝置的感測區中的多個感測器電極;以及耦接至該多個感測器電極的處理系統,該處理系統被配置成:將第一多個電容性感測信號並行驅動到第一組多個感測器電極上;因應於驅動第一多個電容性感測信號來生成與第一組多個感測器電極相對應的第一多個電容性測量結果;使用第一多個輸出信號的組合來對與第一組中的多個感測器電極之一相對應的第一電容性測量結果進行歸一化;以及基於經過歸一化的第一電容性測量結果來決定輸入物件的位置。
  2. 如請求項1所述的輸入裝置,其中該第一多個電容性測量結果的組合是與第一組多個感測器電極相對應的所有第一多個電容性測量結果的總和。
  3. 如請求項1所述的輸入裝置,其中該處理系統被配置成:使用第一多個電容性測量結果的組合來對與第一組中的多個感測器電極的第二感測器電極相對應的第二電容性測量結果進行歸一化;以及基於經過歸一化的第二電容性測量結果來決定輸入物件的位置。
  4. 如請求項3所述的輸入裝置,其中基於第一和第二電容性測量結果來決定輸入物件的位置包括:基於經過歸一化的第一和第二電容性測量結果來檢測電容的變化。
  5. 如請求項1所述的輸入裝置,其中該處理系統被配置成執行絕對電容性感測以便為第一組多個感測器電極生成第一多個電容性測量結果,並且其中第一多個電容性測量結果包括從將由類比前端生成的輸出信號與基線測量結果進行比較而導出的增量信號。
  6. 如請求項1所述的輸入裝置,其中以共用面板上的矩形陣列來佈置該多個感測器電極。
  7. 如請求項1所述的輸入裝置,其中該處理系統被配置成:將第二多個電容性感測信號並行驅動到第二組多個感測器電極上,其中該第二組多個感測器電極在感測區中;生成通過驅動第二多個電容性感測信號而引起的與第二組多個感測器電極相對應的第二多個電容性測量結果;使用第二多個電容性測量結果的組合來對與第二組中的多個感測器電極之一相對應的第二電容性測量結果進行歸一化;以及基於經過歸一化的第二電容性測量結果來決定輸入物件的位置。
  8. 一種處理系統,其包括:感測器模組,其被配置成將第一多個電容性感測信號並行驅動到第一組多個感測器電極上;決定模組,其被配置成:因應於驅動第一多個電容性感測信號來生成與第一組多個感測器電極 相對應的第一多個電容性測量結果;使用第一多個電容性測量結果的組合來對與第一組中的多個感測器電極之一相對應的第一電容性測量結果進行歸一化;以及基於經過歸一化的第一電容性測量結果來決定輸入物件的位置。
  9. 如請求項8所述的處理系統,其中該第一多個電容性測量結果的組合是與第一組多個感測器電極相對應的所有第一多個電容性測量結果的總和。
  10. 如請求項8所述的處理系統,其中該決定模組被配置成:使用第一多個電容性測量結果的組合來對與第一組中的多個感測器電極的第二感測器電極相對應的第二電容性測量結果進行歸一化;以及基於經過歸一化的第二電容性測量結果來決定輸入物件的位置。
  11. 如請求項10所述的處理系統,其中基於第一和第二電容性測量結果來決定輸入物件的位置包括:基於經過歸一化的第一和第二電容性測量結果來檢測電容的變化。
  12. 如請求項8所述的處理系統,其中該決定模組被配置成執行絕對電容性感測以便為第一組多個感測器電極生成第一多個電容性測量結果。
  13. 如請求項8所述的處理系統,其中決定輸入物件的位置包括:決定輸入物件在由多個感測器電極建立的感測區內的位置。
  14. 如請求項8所述的處理系統,其中該感測器模組被配置成將第二多個電容性感測信號並行驅動到第二組多個感測器電極上,其中該第二組多個感測器電極連同第一組多個感測器電極都在感測區中;其中該決定模組被配置成:生成通過驅動第二多個電容性感測信號而引起的與第二組多個感測器電極相對應的第二多個電容性測量結果;使用第二多個電容性測量結果的組合來對與第二組中的多個感測器電極之一相對應的第二電容性測量結果進行歸一化;以及基於經過歸一化的第二電容性測量結果來決定輸入物件的位置。
  15. 一種輸入方法,其包括:將第一多個電容性感測信號並行驅動到第一組多個感測器電極上,其中該多個感測器電極在輸入裝置的感測區中;因應於驅動第一多個電容性感測信號來生成與第一組多個感測器電極相對應的第一多個電容性測量結果;使用第一多個電容性測量結果的組合來對與第一組中的多個感測器電極之一相對應的第一電容性測量結果進行歸一化;以及基於經過歸一化的第一電容性測量結果來決定輸入物件的位置。
  16. 如請求項15所述的方法,其中該第一多個電容性測量結果的組合是與第一組多個感測器電極相對應的所有第一多個電容性測量結果的總 和。
  17. 如請求項15所述的方法,進一步包括:使用第一多個電容性測量結果的組合來對與第一組中的多個感測器電極的第二感測器電極相對應的第二電容性測量結果進行歸一化;以及基於經過歸一化的第二電容性測量結果來決定輸入物件的位置。
  18. 如請求項15所述的方法,其中生成第一多個電容性測量結果進一步包括:執行絕對電容性感測以便為第一組多個感測器電極生成第一多個電容性測量結果。
  19. 如請求項15所述的方法,其中以共用面板上的矩形陣列來佈置該多個感測器電極。
  20. 如請求項15所述的方法,進一步包括:將第二多個電容性感測信號並行驅動到第二組多個感測器電極上,其中該第二組多個感測器電極在感測區中;生成通過驅動第二多個電容性感測信號而引起的與第二組多個感測器電極相對應的第二多個電容性測量結果;使用第二多個電容性測量結果的組合來對與第二組中的多個感測器電極之一相對應的第二電容性測量結果進行歸一化;以及基於經過歸一化的第二電容性測量結果來決定輸入物件的位置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI671665B (zh) * 2018-06-07 2019-09-11 李尚禮 觸控感測裝置及其感測方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170046005A1 (en) * 2015-08-12 2017-02-16 Cirque Corporation Avoiding noise when using multiple capacitive measuring integrated circuits
KR102630789B1 (ko) * 2016-08-01 2024-01-30 삼성전자주식회사 터치 입력을 처리하는 방법 및 전자 장치
US10474286B2 (en) 2016-10-25 2019-11-12 Lg Display Co., Ltd. Touch display device, active pen, touch system, touch circuit, and pen recognition method
GB2574588A (en) * 2018-06-06 2019-12-18 Cambridge Touch Tech Ltd Pressure sensing apparatus and method
KR102336301B1 (ko) * 2018-08-03 2021-12-09 주식회사 하이딥 터치센서패널 및 터치입력장치
KR102259904B1 (ko) * 2019-11-27 2021-06-03 주식회사 하이딥 터치 입력 장치
US11703983B2 (en) * 2020-03-25 2023-07-18 Sensortek Technology Corp Capacitance sensing circuit
CN111708457B (zh) * 2020-06-17 2023-11-10 北京集创北方科技股份有限公司 自电容数据的处理方法及装置
KR20230090679A (ko) * 2021-12-15 2023-06-22 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE295629T1 (de) 1996-12-10 2005-05-15 David W Caldwell Differentieller berührungssensor und steuerungsschaltung dafür
US6057903A (en) 1998-08-18 2000-05-02 International Business Machines Corporation Liquid crystal display device employing a guard plane between a layer for measuring touch position and common electrode layer
US7315300B2 (en) 2003-12-31 2008-01-01 3M Innovative Properties Company Touch sensitive device employing impulse reconstruction
US7656168B2 (en) 2005-11-28 2010-02-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Neutralizing electromagnetic noise for a capacitive input device
US7643011B2 (en) 2007-01-03 2010-01-05 Apple Inc. Noise detection in multi-touch sensors
WO2009027629A1 (en) 2007-08-26 2009-03-05 Qrg Limited Capacitive sensor with reduced noise
US20090174675A1 (en) 2008-01-09 2009-07-09 Dave Gillespie Locating multiple objects on a capacitive touch pad
US8471570B2 (en) 2008-01-15 2013-06-25 Pixcir Microelectronics Co., Ltd. Device for quantifying an electric unbalance and touch detection system incorporating it
US8830180B2 (en) 2008-04-10 2014-09-09 Atmel Corporation Capacitive position sensor
US8810542B2 (en) 2008-09-10 2014-08-19 Apple Inc. Correction of parasitic capacitance effect in touch sensor panels
US9927924B2 (en) 2008-09-26 2018-03-27 Apple Inc. Differential sensing for a touch panel
EP2204726A1 (en) 2008-12-30 2010-07-07 STMicroelectronics R&D Oy Touch screen controller
US8456443B2 (en) 2009-07-24 2013-06-04 Synaptics Incorporated Single-layer touch sensors
US8269511B2 (en) 2009-09-08 2012-09-18 Synaptics Incorporated Sensing and defining an input object
US8411066B2 (en) 2010-01-05 2013-04-02 3M Innovative Properties Company High speed noise tolerant multi-touch touch device and controller therefor
KR20110091380A (ko) 2010-02-05 2011-08-11 삼성전자주식회사 터치 패널의 노이즈 보상 방법 및 장치
US20110242045A1 (en) 2010-04-06 2011-10-06 Tae Kwang Park Noise blocking in a capacitive touch device
US8493356B2 (en) * 2010-04-22 2013-07-23 Maxim Integrated Products, Inc. Noise cancellation technique for capacitive touchscreen controller using differential sensing
US8743062B2 (en) 2010-12-03 2014-06-03 Apple Inc. Noise reduction for touch controller
TWI402731B (zh) 2010-12-14 2013-07-21 Au Optronics Corp 觸控面板及降低觸控面板上共同電壓耦合的雜訊的方法
US20120182252A1 (en) 2011-01-17 2012-07-19 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Differential Capacitive Touchscreen or Touch Panel
US9952720B2 (en) 2011-03-29 2018-04-24 Synaptics Incorporated Capacitive touch screen interference detection and operation
KR101746704B1 (ko) 2011-04-18 2017-06-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
TWI524224B (zh) 2011-06-22 2016-03-01 夏普股份有限公司 觸控面板系統及電子機器
US9965105B2 (en) 2011-12-28 2018-05-08 Synaptics Incorporated Systems and methods for detecting low ground mass conditions in sensor devices
TWI463367B (zh) 2012-01-10 2014-12-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 觸控面板及抗雜訊單元及雜訊處理方法
US20130265242A1 (en) 2012-04-09 2013-10-10 Peter W. Richards Touch sensor common mode noise recovery
JP5579780B2 (ja) * 2012-06-06 2014-08-27 パナソニック インテレクチュアル プロパティ コーポレーション オブ アメリカ 入力装置、入力支援方法及びプログラム
US9182432B2 (en) * 2012-07-18 2015-11-10 Synaptics Incorporated Capacitance measurement
US20140062952A1 (en) 2012-09-05 2014-03-06 Cypress Semiconductor Corporation Reducing common mode noise in touch applications
US9280240B2 (en) 2012-11-14 2016-03-08 Synaptics Incorporated System and method for finite element imaging sensor devices
KR20140070211A (ko) * 2012-11-30 2014-06-10 삼성전기주식회사 터치 감지 장치 및 터치 감지 방법
US9535545B2 (en) 2013-06-28 2017-01-03 Atmel Corporation Common mode noise suppression during hovering and proximity detection
US8766950B1 (en) * 2013-09-30 2014-07-01 Synaptics Incorporated Modulated power supply for reduced parasitic capacitance
US9244581B2 (en) * 2013-09-30 2016-01-26 Synaptics Incorporated Modulated power supply for reduced parasitic capacitance
US20150091842A1 (en) 2013-09-30 2015-04-02 Synaptics Incorporated Matrix sensor for image touch sensing
KR102178797B1 (ko) 2013-10-04 2020-11-16 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서를 포함하는 표시 장치
US9274662B2 (en) 2013-10-18 2016-03-01 Synaptics Incorporated Sensor matrix pad for performing multiple capacitive sensing techniques
KR20150058712A (ko) 2013-11-20 2015-05-29 삼성전자주식회사 싱글 엔드 터치 신호를 생성하는 터치 스크린 콘트롤러, 터치 스크린 시스템 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US9933879B2 (en) 2013-11-25 2018-04-03 Apple Inc. Reconfigurable circuit topology for both self-capacitance and mutual capacitance sensing
KR102239367B1 (ko) * 2013-11-27 2021-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
KR101548819B1 (ko) 2013-11-29 2015-08-31 삼성전기주식회사 터치스크린 장치 및 그의 터치 감지 방법
JP6369805B2 (ja) * 2013-12-24 2018-08-08 Tianma Japan株式会社 タッチセンサ装置及び電子機器並びにタッチジェスチャー検知プログラム
US9785279B2 (en) * 2014-01-31 2017-10-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Touch distance based on a column weighted sensor value
JP6171998B2 (ja) * 2014-03-14 2017-08-02 ソニー株式会社 情報処理装置、入力装置、情報処理方法及びプログラム
US9454278B2 (en) * 2014-04-25 2016-09-27 Synaptics Incorporated Weighting for display noise removal in capacitive sensors
US9703431B2 (en) * 2014-06-03 2017-07-11 Synaptics Incorporated Noise detection and mitigation for capacitive sensing devices
US20170060288A1 (en) * 2015-08-26 2017-03-02 Ramaprasad SUBRAMANIAN Capacitive touch sensing with lumped sensors

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI671665B (zh) * 2018-06-07 2019-09-11 李尚禮 觸控感測裝置及其感測方法

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Publication number Publication date
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US20180004338A1 (en) 2018-01-04

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