TW201736887A - 雷射加工裝置 - Google Patents

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內田高弘
梁瀨淳
齋藤昌利
室木佑斗
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天田米亞基股份有限公司
天田控股股份有限公司
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Abstract

本發明之課題在於使用面發光雷射實現適於雷射加工之高輸出及高品質之雷射光束。該面發光雷射10包含：VCSEL元件26，其將半導體基板32作為基材；以及輸出鏡28及窄頻帶化元件29，其等於該VCSEL元件26之上方自其發光面24相隔地配置。於雷射振盪動作中，自VCSEL元件26之活性區域38a受激發射之光SB中的於VCSEL元件26內部之多層反射鏡34與外部之輸出鏡28或窄頻帶化元件29之間反覆反射而共振放大之光作為單個雷射光束LB而提取至外部。

Description

雷射加工裝置
本發明係關於一種將面發光雷射用於雷射光源之雷射裝置，尤其係關於一種用於雷射加工較佳之雷射裝置。
近年來，主要於光通信、印表機、顯示器等雷射應用領域，面發光雷射(VCSEL，Vertical Cavity Surface Emitting Laser，垂直共振腔面射型雷射)正在普及。面發光雷射係自半導體基板與基板面垂直地出射雷射光束之類型之半導體雷射，作為相較於與基板面水平地出射雷射光束之一般(單發射極方式)之半導體雷射於高積體化、低耗電化、量產化方面有利之下一代之雷射光源而受到關注。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-114915號公報
目前普及之面發光雷射典型地具有4.7mm×4.7mm之發光面，以二維陣列之形式形成於上述發光面之各光束出射口之口徑為18μm，自此處出射之單個雷射光束之雷射輸出為數10 mW，二維陣列整體之雷射輸出最高亦只為100W左右，而且光束品質不佳。
為了實現面發光雷射之高輸出化，較為簡單之解決方法為增大光束出射口之口徑並增加數量，但問題在於該方法亦有極限，而且，越是增大光束出射口之口徑並增加數量，則藉由二維陣列整體所獲得之一束雷射光束之光束品質越是降低。因此，現狀為習知之面發光雷射無法用於需高輸出及高品質之雷射光束之雷射加工。
本發明係鑒於上述習知技術之問題點而完成者，提供一種使用面發光雷射實現高輸出及高品質之雷射光束之雷射裝置。
本發明之雷射裝置包含：第1面發光雷射，其出射具有與第1標準波長一致或近似之波長之一束第1雷射光束；第2面發光雷射，其出射具有與第2標準波長一致或近似之波長之一束第2雷射光束；及耦合單元，其將來自上述第1面發光雷射之上述第1雷射光束與來自上述第2面發光雷射之上述第2雷射光束在空間上多重合成，而出射合成雷射光束；上述第1及第2面發光雷射分別包含：面發光雷射元件，其包含半導體基板、形成於該半導體基板上之活性區域、及二維地離散設置於該活性區域上之多個發光口，將具有與既定之標準波長一致或近似之波長之光自各上述發光口朝相對於上述半導體基板之基板面垂直或傾斜之方向受激發射；以及輸出鏡，其配置於自上述面發光雷射元件之發光口相隔並與其對向之位置，以將自各上述發光口受激發射之光共振放大而提取單個雷射光束。
於上述構成中，藉由將雷射共振器之輸出鏡配置於自面發光雷射元件之發光口相隔並與其對向之位置的構成，能夠使自各發光口獲得之單個雷射光束之擴散角變小，藉此，即便增大發光口之口徑並增加數量，亦能夠儘量減少藉由面發光雷射元件整體所獲得之一束雷射光束內單個雷射光束彼此之重合或相互干擾，從而兼顧高輸出與光束品質。進而，藉由將自數個面發光雷射獲得之各一束雷射光束在空間上多重合成，能夠更有效率地實現雷射輸出之倍增化、即高輸出化。
於本發明之較佳之一態樣中，第1面發光雷射包含將單個雷射光束之波長窄頻帶化為第1標準波長附近之第1窄頻帶化元件，且第2面發光雷射包含將單個雷射光束之波長窄頻帶化為第2標準波長附近之第2窄頻帶化元件。藉由如此般於各面發光雷射中將單個雷射光束之波長鎖定於標準波長附近而進行窄頻帶化，能夠穩定且高精度地進行空間耦合。更具體而言，耦合單元可包含藉由波長耦合將第1雷射光束與第2雷射光束多重合成之波長耦合元件。根據此種波長耦合法，針對每一面發光雷射使雷射振盪波長(標準波長)偏移，藉此能夠容易地實現雷射輸出之倍增化或高輸出化。又，作為另一態樣，亦能夠使用偏光耦合元件藉由偏光耦合將第1及第2雷射光束多重合成。
於另一較佳之一態樣中，窄頻帶化元件兼用作輸出鏡。於此情形時，窄頻帶化元件不僅使波長窄頻帶化，亦作為主要之外部共振器發揮功能，將擴散角較小且波長被穩定地鎖定之單個雷射光束出射至外部。
於另一較佳之一態樣中，於各發光口中，重疊設置於 活性區域上之薄膜均相對於受激發射光具有透過性或無反射性之特性。根據該構成，受激發射至活性區域上之光由隔開相當之距離之外部之輸出鏡反射，故而能夠將自垂直方向傾斜地偏離(即，擴散角較大)之受激發射光有效地自單個雷射光束排除。
於另一較佳之一態樣中，耦合單元包含藉由波長耦合將第1及第2標準波長相互偏移之第1及第2雷射光束多重合成的波長耦合元件。或者，耦合單元包含藉由偏光耦合將第1及第2標準波長相同之第1及第2雷射光束多重合成的偏光耦合元件。亦可為併用波長耦合元件與偏光耦合元件之構成。藉由該構成，可任意增加用於合成雷射光束之高輸出化之面發光雷射之數量，而實現面發光雷射之雷射輸出之大幅度提高。
根據本發明之雷射裝置，藉由如上所述之構成及作用，能夠使用面發光雷射實現高輸出及高品質之雷射光束。
10、10A~10F‧‧‧面發光雷射(VCSEL)
14‧‧‧耦合單元
15‧‧‧光纖傳輸系統
16‧‧‧雷射出射部
18‧‧‧載置台
20‧‧‧控制部
22A、22B‧‧‧雷射電源
24‧‧‧發光面
26‧‧‧面發光雷射元件(VCSEL元件)
28‧‧‧輸出鏡
28a‧‧‧凸部
29‧‧‧窄頻帶化元件(VBG/VHG)
30‧‧‧發光口
32‧‧‧半導體基板
34‧‧‧多層反射鏡
36‧‧‧下部半導體層
38‧‧‧活性層
38a‧‧‧活性區域
40‧‧‧上部半導體層
42‧‧‧上部電極
42a‧‧‧開口部
44‧‧‧下部電極
50、50(1)、50(2)‧‧‧波長耦合元件
52‧‧‧入射單元(聚光透鏡)
54‧‧‧光纖
56、56(1)、56(2)、56(3)‧‧‧偏光耦合元件
E‧‧‧驅動電壓
LB‧‧‧單個雷射光束
M‧‧‧曲線
SB、SB'‧‧‧光
SLBA、SLBB、SLBC、SLBD、SLBE、SLBF‧‧‧一束雷射光束
SLBAB、SLBABCD、SLBABCDEF、SLBCD、SLBEF‧‧‧合成雷射光束
W‧‧‧被加工物
λSA、λSB‧‧‧標準波長
λK‧‧‧偏移
‧‧‧口徑
圖1係表示本發明之一實施形態中之雷射加工裝置之整體構成的圖。
圖2係表示上述雷射加工裝置所包含之面發光雷射之主要部分之外觀構成的立體圖。
圖3係示意性地表示上述面發光雷射中之發光面之二維陣列的俯視圖。
圖4係表示上述面發光雷射之構成之剖面圖。
圖5係表示於上述雷射加工裝置中用作波長耦合元件之分色鏡 之波長-反射率特性的圖。
圖6係表示另一實施形態中之雷射加工裝置之整體構成的圖。
圖7係表示另一實施形態中之雷射加工裝置之主要部分之構成的圖。
圖8係表示上述面發光雷射之構成之一變形例的剖面圖。
圖9係表示另一實施形態中之面發光雷射之構成的剖面圖。
以下，參照隨附圖式對本發明之較佳之實施形態進行說明。
[裝置整體之構成]
於圖1中表示本發明之一實施形態中之雷射加工裝置之構成。該雷射加工裝置係可應用於雷射焊接、雷射標記、雷射切斷、雷射開孔等各種雷射加工之雷射裝置，包含數個(該例中為2個)面發光雷射(VCSEL)10A、10B、耦合單元14、光纖傳輸系統15、雷射出射部16、載置台18、控制部20等構成。
控制部20控制該雷射加工裝置之各部及整體之動作。尤其是，對於各面發光雷射10A、10B，控制部20能夠通過個別之雷射電源22A、22B任意地控制其等之雷射振盪動作(連續振盪、脈衝振盪等)。又，於雷射出射部16搭載電流掃描器等掃描機構之情形、或於載置台18搭載XY平台等輸送機構之情形時，控制部20與雷射振盪動作同步地或者為了加工點之位置對準而控制該等運動機構之動作(掃描動作、工件輸送動作)。於控制部20亦連接有人機介面用之輸入輸出裝置等(未圖示)。
[面發光雷射之概略性之構成及作用]
於圖2中示意性地表示面發光雷射10A(10B)之主要部分之外觀及雷射出射狀態的情況。面發光雷射10A(10B)包含：板狀之面發光雷射元件(以下稱為「VCSEL元件」)26，其具有例如矩形之發光面24；板狀或塊狀之輸出鏡28，其於該VCSEL元件26之上方自其發光面24隔開適當之距離與該發光面24平行地配置；及板狀或塊狀之窄頻帶化元件29(圖1、圖4)，其於該輸出鏡28之上方與該輸出鏡28平行地配置。
如圖3所示，於VCSEL元件26之發光面24設置有於二維方向離散地或呈陣列狀地配置之多個發光口30。各發光口30之口徑明顯大於通常之口徑，例如於100~1000μm中選擇。發光口30之數量於圖3中為了簡化而以16(4×4)個圖示，但實際上為數百個以上或1000個以上。
自發光面24之各發光口30受激發射之光SB中的、於內置於VCSEL元件26之反射鏡34(圖4)與外部之輸出鏡28或窄頻帶化元件29之間反覆反射而共振放大之光，作為1條單個雷射光束LB而提取至輸出鏡28外。而且，同時被提取至輸出鏡28外之單個雷射光束LB全部合併而構成一束雷射光束SLBA(SLBB)。
於本實施形態中，於輸出鏡28外獲得之各單個雷射光束LB具有非常小之擴散角，即便於相當大之尺寸(100~1000μm)中選擇發光口30之口徑且提高密度，亦儘量減少一束雷射光束SLBA(SLBB)內之單個雷射光束LB彼此之重合或相互干擾，而使光束品質提高。
[面發光雷射之詳細之構成及作用]
於圖4中表示面發光雷射10A(10B)之內部之構成(剖 面構成)。VCSEL元件26係將例如GaAs系之半導體基板32作為基材，於該半導體基板32上，藉由通常之半導體製程，依次重疊形成多層反射鏡例如分佈式布拉格反射器(DBR，Distributed Bragg Reflector)34、單層或多層之下部半導體層36、活性層38、單層或多層之上部半導體層40及上部電極42，並於半導體基板32之背面形成下部電極44。通常，下部電極44經由絕緣體(未圖示)而結合於冷卻用之散熱片(未圖示)。
於下部半導體層36及上部半導體層40包含載子注入層。進而，於上部半導體層40亦包含抗反射膜。於本實施形態中，構成下部半導體層36及上部半導體層40之薄膜均相對於振盪波長之光具有無反射性或透過性之特性。於上部電極42形成有形成發光口30之開口部42a。活性層38之位於發光口30之正下方之部分形成活性區域38a。
於使該面發光雷射10A(10B)進行雷射振盪時，自雷射電源22A(22B)向上部電極42與下部電極44之間施加驅動電壓E。藉此，經由下部半導體層36及上部半導體層40將載子注入至活性層38，而自活性區域38a將與既定之標準波長λs一致或近似之光SB受激發射至發光口30外。
此處，針對該標準波長λs及其附近之波長，為了構成光共振器，而於VCSEL元件26內部之多層反射鏡34具有大致100%之反射率，外部之輸出鏡28具有例如1~90%、較佳為2~30%之反射率。自活性區域38a受激發射之光SB中的於多層反射鏡34與輸出鏡28或窄頻帶化元件29之間反覆反射而共振放大之光作為單個雷射光束LB而提取至輸出鏡28外。
於此情形時，如圖4所示，自VCSEL元件26之發光口30以與VCSEL元件26之基板面垂直或接近於垂直之角度出射者如實線SB所示般，於輸出鏡28之對向面(下表面)大致垂直地反射而返回至發光口30中。然而，自發光口30以一定角度以上之角度擴散而出射者如一點鏈線SB'所示般，於輸出鏡28之對向面(下表面)傾斜地反射而不返回至發光口30中。藉此，以相對於VCSEL元件26之基板面垂直或接近於垂直之角度傳輸之光SB於多層反射鏡34與輸出鏡28或窄頻帶化元件29之間反覆反射而共振放大，故而擴散角較小之單個雷射光束LB被提取至輸出鏡28外。
如此般，於本實施形態中，於VCSEL元件26之活性區域38a上受激發射之光SB由隔開相當之距離之外部之輸出鏡28反射，故而能夠將自垂直方向傾斜地偏離(即，擴散角較大)之受激發射光SB'有效地自單個雷射光束排除，藉此，能夠有效地使於輸出鏡28外獲得之單個雷射光束LB之擴散角縮小。
進而，於本實施形態中，作為用以進一步縮小單個雷射光束LB之擴散角之手段，較佳為具備準直器。因此，例如可如圖4所示般，於輸出鏡28之與發光口30對向之部位之上表面形成球面狀之凸部28a，而使輸出鏡28具有準直透鏡之功能。或者，雖省略圖示，但亦可為如下構成，即，於輸出鏡28外例如於輸出鏡28與窄頻帶化元件29之間或者於窄頻帶化元件29外配置獨立之準直透鏡。
窄頻帶化元件29例如包含體積布拉格光柵(VBG，Volume Bragg Grating)或體積全像光柵(VHG，Volume Holographic Grating)，亦作為外部共振器發揮功能，將自面發光雷射10A(10B) 出射之單個雷射光束LB或一束雷射光束SLBA(SLBB)之波長間隔窄頻帶化為足夠窄之頻帶λSA±△λA(λSB±△λB)，且抑制中心波長之偏差而鎖定於標準波長λSA(λSB)附近。此處，於一面發光雷射10中之雷射振盪之標準波長λSA與另一面發光雷射10B中之雷射振盪之標準波長λSB之間，以各者之波長間隔不重疊之方式，設置一定之偏移λK(圖5)。作為一例，λSA=950nm，λSB=960nm，△λA、△λB=0.1~3nm，λK=10nm。
根據本實施形態，VCSEL元件26之發光口30具有較大之口徑(100~1000μm)，而且，雷射振盪之波長以窄頻帶被穩定地鎖定，故而能夠實現100mW以上之高輸出之單個雷射光束LB。因此，藉由在VCSEL元件26之1個晶片上例如以每1個為100mW地設置1000個以上之此種口徑較大之發光口30，可獲得具有100W以上之雷射輸出且高光束品質之一束雷射光束SLBA(SLBB)。
[裝置整體之作用]
於本實施形態中，如上所述，藉由包含VCSEL元件26、輸出鏡28及窄頻帶化元件29之一對面發光雷射10A、10B，輸出包含具有較大之光束直徑並且擴散角較小之經窄頻帶化之多個高輸出單個雷射光束LB且各者之波長不相互重合的一束雷射光束SLBA、SLBB。
於圖1中，自一面發光雷射10A輸出之一束雷射光束SLBA與自另一面發光雷射10B輸出之一束雷射光束SLBB於同一平面上相互正交地入射至耦合單元14。該耦合單元14包含具有如圖5之曲線M所示之反射率特性之分色鏡50，使一雷射光束SLBA透 過，並且將另一雷射光束SLBB呈直角地回折而沿雷射光束SLBA行進之方向反射。此處，兩雷射光束SLBA、SLBB由於各自之波長不重合，故而藉由波長耦合而在空間上多重合成。尤其是，於兩個面發光雷射10A、10B中，藉由窄頻帶化元件29將兩雷射光束SLBA、SLBB之波長鎖定於各者之標準波長λSA、λSB附近而進行窄頻帶化，故而能夠於分色鏡50中進行穩定且高精度之波長耦合。
於分色鏡50中藉由兩雷射光束SLBA、SLBB之波長耦合而獲得之合成雷射光束SLBAB經由包含入射單元(聚光透鏡)52及光纖54之光纖傳輸系統15而傳輸至雷射出射部16，並藉由雷射出射部16內之聚光透鏡(未圖示)聚光照射至載置台18上之被加工物W。
該雷射加工裝置藉由將高輸出及高光束品質之合成雷射光束SLBAB聚光照射至被加工物W，而能夠以所需規格良好地進行雷射焊接、雷射標記、雷射切斷、雷射開孔等各種雷射加工。
[其他實施形態或變形例]
根據本發明之技術思想，作為上述實施形態之延伸或變形，可實現各種其他實施形態。
圖6所示之實施形態表示使用偏光耦合元件56代替波長耦合元件50作為耦合單元14之構成例。
於此情形時，自一面發光雷射10A以P偏光之形式輸出具有標準波長λSA之一束雷射光束SLBA，自另一面發光雷射10B以S偏光之形式輸出具有標準波長λSB之一束雷射光束SLBB。此處，標準波長λSA與標準波長λSB選定為相同值。雖省略圖示，但可使用1/2波長板而獲得P偏光或S偏光。波長耦合元件50例 如包含偏振分光鏡，藉由偏光耦合將相互正交地入射之雷射光束SLBA、SLBB在空間上多重合成，沿直線前進側之雷射光束SLBA之行進方向出射具有標準波長λSA(λSB)之合成雷射光束SLBAB。
圖7所示之實施形態係於耦合單元14中併用波長耦合元件50及偏光耦合元件56，並大幅度(圖示之例為6個)增加用於合成雷射光束之高輸出化之面發光雷射(VCSEL)10之數量。
於此情形時，6個面發光雷射(VCSEL)10A~10F分割為3組之對(10A/10B)、(10C/10D)、(10E/10F)。於第1組之對(10A/10B)中，自一面發光雷射10A以P偏光之形式輸出具有標準波長λSA之一束雷射光束SLBA，自另一面發光雷射10B以S偏光之形式輸出具有標準波長λSB(其中，λSB=λSA)之一束雷射光束SLBB。繼而，兩雷射光束SLBA、SLBB相互正交地入射至第1偏光耦合元件56(1)，並於此處進行偏光耦合，從而獲得具有標準波長λSA(λSB)之合成雷射光束SLBAB。
同樣地，於第2組之對(10C/10D)中，自一面發光雷射10C以P偏光之形式輸出具有標準波長λSC(其中，λSC=λSA+λK1)之一束雷射光束SLBC，自另一面發光雷射10D以S偏光之形式輸出具有標準波長λSD(其中，λSD=λSC)之一束雷射光束SLBD。繼而，兩雷射光束SLBC、SLBD相互正交地入射至第2偏光耦合元件56(2)，並於此處進行偏光耦合，從而獲得具有標準波長λSC(λSD)之合成雷射光束SLBCD。又，於第3組之對(10E/10F)中，自一面發光雷射10E以P偏光之形式輸出具有標準波長λSE(其中，λSE=λSC+λK2)之一束雷射光束SLBE，自另一面發光雷射10F以S偏光之形式輸出具有標準波長λSF(其中，λSF=λSE)之一束雷射光束SLBF。繼 而，兩雷射光束SLBE、SLBF相互正交地入射至第3偏光耦合元件56(3)，並於此處進行偏光耦合，從而獲得具有標準波長λSE(λSF)之合成雷射光束SLBEF。
自第1偏光耦合元件56(1)出射之具有標準波長λSA(λSB)之合成雷射光束SLBAB與自第2偏光耦合元件56(2)出射之具有標準波長λSC(λSD)之合成雷射光束SLBCD相互正交地入射至第1波長耦合元件50(1)，並於此處進行波長耦合，從而獲得具有2種標準波長λSA(λSB)、λSC(λSD)之合成雷射光束SLBABCD。
該合成雷射光束SLBABCD入射至第2波長耦合元件50(2)，並和與其正交之來自第3組之對(10E/10F)之具有標準波長λSE(λSF)之合成雷射光束SLBEF進行波長耦合。如此一來，自第2波長光耦合元件50(2)朝向後段之雷射光學系統(未圖示)出射具有6個面發光雷射10A~10F之雷射輸出全部合併所得之3種標準波長λSA(λSB)、λSC(λSD)、λSE(λSF)之高輸出之合成雷射光束SLBABCDEF。
圖8所示之實施形態以如下構成為特徵，即，於面發光雷射(VCSEL)10中，將輸出鏡28個別地設置於與VCSEL元件26之各發光口30對應之位置。於此情形時，為了儘可能地縮小單個雷射光束LB之擴散角，亦可使各輸出鏡28具有準直透鏡之功能，或者，可於各輸出鏡28之後段配置獨立之準直透鏡(未圖示)。
圖9所示之實施形態以如下構成為特徵，即，於面發光雷射(VCSEL)10中，使窄頻帶化元件29兼用作輸出鏡28。即，窄頻帶化元件29不僅使波長窄頻帶化，亦作為外部共振器發揮功能，故而可將其用作輸出鏡。於此情形時，為了儘可能縮小單個雷射光束LB之擴散角，亦可於窄頻帶化元件29之後段配置準直透鏡 (未圖示)。
再者，上述實施形態如上所述較佳地採用如下構成：於上部半導體層40設置抗反射膜，進而將上部半導體層40之各層設為無反射性或透過性。然而，作為一變形例或一構成例，亦可於上部半導體層40中設置反射性之膜。
又，本發明之雷射裝置應用於如上述實施形態般之雷射加工裝置時具有特別大之優點，但亦可應用於例如雷射醫療裝置等其他用途。
10A、10B‧‧‧面發光雷射(VCSEL)
14‧‧‧耦合單元
15‧‧‧光纖傳輸系統
16‧‧‧雷射出射部
18‧‧‧載置台
20‧‧‧控制部
22A、22B‧‧‧雷射電源
26‧‧‧面發光雷射元件(VCSEL元件)
28‧‧‧輸出鏡
29‧‧‧窄頻帶化元件(VBG/VHG)
50‧‧‧波長耦合元件
52‧‧‧入射單元(聚光透鏡)
54‧‧‧光纖
SLBA、SLBB‧‧‧一束雷射光束
SLBAB‧‧‧合成雷射光束

Claims (10)

  1. 一種雷射裝置，其包含：第1面發光雷射，其出射具有與第1標準波長一致或近似之波長之一束第1雷射光束；第2面發光雷射，其出射具有與第2標準波長一致或近似之波長之一束第2雷射光束；及耦合單元，其將來自上述第1面發光雷射之上述第1雷射光束與來自上述第2面發光雷射之上述第2雷射光束在空間上多重合成，而出射合成雷射光束；上述第1及第2面發光雷射分別包含：面發光雷射元件，其包含半導體基板、形成於該半導體基板上之活性區域、及二維地離散設置於該活性區域上之多個發光口，將具有與既定之標準波長一致或近似之波長之光自各上述發光口朝相對於上述半導體基板之基板面垂直或傾斜之方向受激發射；以及輸出鏡，其配置於自上述面發光雷射元件之發光口相隔並與其對向之位置，以將自各上述發光口受激發射之光共振放大而提取單個雷射光束。
  2. 如請求項1之雷射裝置，其中，上述第1面發光雷射包含將上述單個雷射光束之波長窄頻帶化為上述第1標準波長附近之第1窄頻帶化元件，且上述第2面發光雷射包含將上述單個雷射光束之波長窄頻帶化為上述第2標準波長附近之第2窄頻帶化元件。
  3. 如請求項2之雷射裝置，其中，上述第1及第2窄頻帶化元件係獨立於上述輸出鏡而設置。
  4. 如請求項2之雷射裝置，其中，上述第1及第2窄頻帶化元件兼用作上述輸出鏡。
  5. 如請求項1至4中任一項之雷射裝置，其中，於各上述發光口中，重疊設置於上述活性區域上之薄膜均相對於上述受激發射之光具有透過性或無反射性之特性。
  6. 如請求項1至5中任一項之雷射裝置，其中，上述輸出鏡具有用以對上述單個雷射光束進行準直之透鏡功能。
  7. 如請求項1至5中任一項之雷射裝置，其中，獨立於上述輸出鏡而設置用以對上述單個雷射光束進行準直之光學透鏡。
  8. 如請求項1至7中任一項之雷射裝置，其中，上述耦合單元包含藉由波長耦合將上述第1雷射光束與上述第2雷射光束多重合成之波長耦合元件。
  9. 如請求項1至8中任一項之雷射裝置，其中，上述耦合單元包含藉由偏光耦合將上述第1雷射光束與上述第2雷射光束多重合成之偏光耦合元件。
  10. 如請求項1至9中任一項之雷射裝置，其包含：光纖傳輸系統，其用以將自上述耦合單元出射之上述合成雷射光束通過光纖而傳輸；及雷射出射部，其將自上述光纖之另一端提取之上述合成雷射光束朝向被處理體聚光照射。
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