TW201720238A - 用於真空塗佈之設備與製程 - Google Patents

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Abstract

在用於一真空室(175)中基板的真空處理之設備的情形中，該設備係包括一具有一塔架(41)的基板支承裝置(21)，該塔架(41)可以繞著一縱軸(40)加以旋轉，並且具有用於基板的保持裝置；以及一電漿放電裝置，其係被指定至該塔架(41)，所設置的是該電漿放電裝置係包括超過兩個具有激勵區域的板狀電極，其激勵區域係全部都被定向在該塔架(41)的方向上；並且一用於電漿放電的激勵之電源供應器裝置係被設置，至少一電壓係藉此被施加至該些電極中的至少兩個，該被激勵的電漿係至少作用在該塔架(41)的部分上、以及在可被配置於該些部分上的基板上。在製程的情形中，所設置的是該真空塗佈係藉由一種根據所述申請專利範圍中之一項的設備來加以執行的。

Description

用於真空塗佈之設備與製程
本發明係有關於一種用於基板的真空處理之設備與製程，其係具有獨立項的申請專利範圍的前言的特點。
具有一電漿CVD放電裝置之電漿CVD系統係經常被使用在用於利用鋁作為一反射層來塗佈反射器的裝置中，以便於在該鋁上產生一例如是具有電漿聚合的六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane,HMDSO)的保護層。
例如，EP 1 947 211 A1係揭示用於真空塗佈的批次類型的裝置，其中為了該基板的金屬化，被配置在真空室中的是一蒸發器(evaporator)塗佈裝置以及一電漿CVD放電裝置(在兩個文件中分別不同地被詳細設計)，以用於施加該電漿聚合的保護層以及一些繞著一中心軸旋轉的行星式基板保持器。在此例中，該電漿CVD放電裝置係由一對板電極所組成的，該對板電極係被配置在該些旋轉的工件保持器的周圍。由於該些基板保持器的大空間的需求，因而在此例中只能夠達成在大於10分鐘的範圍內的一段相當長的批次時間。
再者，DE 10 2010 032 591 A1係揭示一種具有一第一塔架(pylon)的用於基板的真空塗佈之設備，該第一塔架可以繞著一第一軸旋轉並 且具有用於基板的保持裝置。在此例中，為了增進生產率，至少一被指定到該蒸發器陣列的第二基板支承裝置係被設置有一第二塔架，該第二塔架可以繞著一第二軸旋轉並且具有用於基板的保持裝置。
另外具有一短許多的批次時間的批次裝置同樣是已知的，例如是在本案申請人的PylonMet類型的濺鍍裝置的情形中的4-5分鐘。
在這些裝置的情形中，該電漿CVD製程步驟是最長的單一製程，並且因而看起來加速此是特別所期望的。
該些文件US 2006/0124455 A1、US 5,750,207 A、DE 197 54 821 A1、US 8,101,246 B2、JP H06-45097 A以及DE 296 00 991 U1係分別揭示具有多個磁控管(magnetron)電極配置的電漿PVD裝置，其中被做成通過磁控管電極附近的基板係曝露到一電漿處理。
本發明之目的是提供一種其中該基板的一電漿處理可以在高品質、短的批次時間以及高的生產率，同時涉及小的努力下加以執行之設備及製程。
該目的係藉由獨立項申請專利範圍的特點來加以達成。有利的實施例可以取自於附屬項申請專利範圍。
根據本發明的用於在一真空室中的基板的真空處理之設備，係包括一具有一塔架的基板支承裝置，該塔架可以繞著一縱軸旋轉，並且具有用於基板的保持裝置，並且包括一被指定到該塔架的電漿CVD放電裝置。
一塔架是在此內容中被使用來指稱一細長的柱狀架構的術 語。該塔架的縱軸較佳的是相關於作為一參考系統的真空室被垂直地配置。一板狀電極係在以下被理解為表示一種金屬材料的一片狀的構件，當連接至一電源供應器時，其係適合用於產生一電漿放電。該些電極係具有激勵區域，該些激勵區域較佳的是在該塔架的縱軸的方向上細長的。一激勵區域是在此被使用來指稱在該電漿放電的激勵期間接觸該電漿的區域的術語。該些激勵區域可以是平面或彎曲的。該電漿CVD放電裝置的電極以及激勵區域係被指定到該塔架，其係以被保持在其上的基板是在該設備的操作期間，在該真空室中被曝露到藉由該些電極所產生的至少部分的電漿的此種方式來指定的。
該電漿功率在此係被理解為表示藉由一電源供應器裝置而被饋送至用於電漿產生的設備的電性功率。
該字詞品質係指該塗佈的性質的參數，尤其是一層厚度、一反射因數及/或一色彩壓印。
本發明係在以下實質從CVD塗佈的特點來加以呈現，所理解的是本發明亦包含其它類型的電漿處理，例如尤其是一輝光(glow)處理。
該設備的特徵是實際狀況為- 該電漿CVD放電裝置係包括超過兩個具有激勵區域的板狀電極，其激勵區域全部是被定向在該塔架的方向上，以及- 一用於一電漿放電的激勵的電源供應器裝置，至少一被施加至該些電極中的至少兩個的電壓係藉此而被提供，所激勵的電漿係至少作用在該塔架的部分以及在可被配置在該些部分上的基板上。
在此本文中，一電極係被稱為被定向在該塔架的方向上，這 是若其係以其激勵區域可以藉由一直線來連接至該塔架的一部分的表面的此種方式而在一相關於該塔架的幾何組態中。此在圖形上可以被理解為其中該電極是與該塔架為光學視覺的接觸的一種幾何組態。該電極以及該塔架的一幾何組態是被用來指稱其空間的配置的術語，而不論可能發生在該設備的操作期間的例如是氣體流動的進一步的物理參數為何。該些電極相關於彼此的幾何組態是被用來指稱其相關於彼此的空間的配置的術語，而不論可能發生在該設備的操作期間的進一步物理參數為何。
增加電極的數目係具有增加該些激勵區域的整體尺寸的功效，亦即相關電漿產生的有效的電極區域，其係限制在該電漿放電期間的電流流動。因此，尤其在一較高的電流以及因此較低的電壓下饋入該電漿相同的電漿功率是可能的，該電漿功率係決定電漿溫度以及因此的製程氣體的化學激勵。此係降低空氣側的供應線的絕緣手段以及透過該真空室的壁至該些電極的襯套的需求。本發明係對應於概念為在相同的電漿CVD功率以及該塗佈的品質下，例如若待被塗佈的工件是在產生該電漿的電極的激勵區域之視覺的範圍內的時間期間被增加，則該些工件的整體塗佈速率係被增大。
在本發明的另一實施例中，所設置的是a)該電漿CVD放電裝置係具有至少三個板狀電極，其中- 一具有一第一激勵區域的第一電極、一具有一第二激勵區域的第二電極、以及一具有一第三激勵區域的第三電極係被設置，該些激勵區域全部都被定向在該塔架的方向上，- 一用於在介於該第一、第二及第三激勵區域之間的區域中的一 電漿放電的激勵的電源供應器裝置，至少一被施加到至少兩個電極的電壓係藉此來加以提供。
或者是，該些裝置的特徵是實際狀況為b)該電漿CVD放電裝置係具有至少四個板狀電極，其中- 一具有一第一激勵區域的第一電極、一具有一第二激勵區域的第二電極、一具有一第三激勵區域的第三電極、以及一具有一第四激勵區域的第四電極係被設置，該些激勵區域全部都被定向在該塔架的方向上，- 其中一用於在介於該第一、第二、第三及第四激勵區域之間的區域中的一電漿放電的激勵的電源供應器裝置，至少一被施加到該些電極中的至少兩個的電壓係藉此來加以提供。
不言而喻的是，本發明亦包含超過四個電極的例子，與被容置在該設備的真空室中的構件的封裝相關的問題，一般是漸增地發生在有超過四個電極時。同樣不言而喻的是，為了該基板的塗佈或其它處理，熟習此項技術者例如可以是藉由試驗和錯誤或是模擬，相關於批次時間以及品質來建立該些電極的激勵區域相關於彼此以及相關於該塔架的最佳的位置。
該些基板較佳的是三維的基板，例如是用於汽車領域、電腦通訊或是消費者電子設備中的應用，尤其是具有塑膠材料，但是亦具有金屬材料或玻璃，其有時亦以相對小的批次被訂製。
不言而喻的是，本發明大致係包含該些電極的一種組態，其中相較於一種只有兩個電極的組態而在其它都相同的真空室中的情形，基 板的塗佈的較高的塗佈速率以及相同的品質係在相同的電漿功率下被達成。
該設備的一實施例的特徵是實際狀況為在項目a)的情形中，在一給定的電漿功率下，相較於利用由在該真空室中該第一、第二及第三電極所構成的群組的只有兩個構件的一種幾何組態的基板的最大的塗佈速率，該第一、第二及第三電極係相關於彼此，以該設備可以在該基板的一較高的塗佈速率下加以操作的此種幾何組態來加以配置。
類似地，在項目b)的情形中，在一給定的電漿功率下，相較於利用由在該真空室中該第一、第二、第三及第四電極所構成的群組的只有兩個構件的一種幾何組態的基板的最大的塗佈速率，該第一、第二、第三及第四電極可以相關於彼此，以該設備可以在該基板的一較高的塗佈速率下加以操作的此種幾何組態來加以配置。
在本發明的另一實施例中，所提出的是該第一、第二及第三電極係相關於彼此，以對於由該第一、第二及第三電極所構成的群組的最多兩個構件，這些群組的激勵區域無法藉由一幾何直線來成對地連接至彼此的此種幾何組態來加以配置。
在本發明的另一實施例中，所提出的是該第一、第二、第三及第四電極係相關於彼此，以對於由該第一、第二、第三及第四電極所構成的群組的最多三個構件，這些構件的激勵區域無法藉由一幾何直線來成對地連接至彼此的此種幾何組態來加以配置。
所定義的是，兩個激勵區域係藉由一直線來連接至彼此，若此線係延伸通過該塔架被配置在其中的區域的話。
根據本發明，其激勵區域被定向在該塔架的方向上的電極的數目係被增大至每一被指定的塔架有至少三個或四個，其中，對於該些電極的最多兩個或三個構件而言，該些個別的激勵區域無法藉由一幾何直線來連接至彼此，以便於達成一在被保持在該塔架上的工件之整體電漿CVD塗佈速率上的增加。這些分別是在電極對的激勵區域的點之間的連接；例如是該第一及第三電極的激勵區域或是該第一及第二電極的激勵區域的點，在每一個情形中都是藉由一在這些點之間的直線來連接。本發明的此特點係反映概念為若產生該電漿的電極的激勵區域的個別的部分是盡可能大的與彼此視覺的接觸，則被饋入的電漿功率係被增大。
在以下被界定為位在兩個激勵區域之間的空間的區域是該室的體積的區域，該區域是在該些個別的激勵區域到彼此之上的一投影中被配置在該些激勵區域之間，或是藉由該些個別的激勵區域以及該兩個激勵區域的對應於彼此的側邊邊緣及上方邊緣的直接連線所形成的區域來加以圍繞的。在位於兩個激勵區域之間的空間的區域中，在該設備的操作期間產生的電漿密度係大致高於在該真空室的其它區域中的電漿密度，而至少在該設備的操作期間，在一真空室之內的氣體流動的影響係被忽略。在具有表面的法線是處於彼此平行的相對的矩形激勵區域的情形中，該空間的區域係具有一立方形的形式。
該設備的一實施例的特徵是實際狀況為，根據該些基板的所要的電漿處理的參數，該至少一電壓是一交流電壓，其較佳的是具有一界定的頻率、振幅或相位，或是一脈衝式電壓，其較佳的是具有一界定的脈衝頻率或振幅。
亦加以提出的是，為了達成高的塗佈速率以及高品質，在項目a)的情形中，對於由該第一、第二及第三電極所構成的群組的至少一電極，以及在項目b)的情形中，對於由該第一、第二、第三及第四電極所構成的群組的至少一電極，該電壓或電流強度是個別可用一閉迴路或開迴路的方式控制的。
該設備的一實施例的特徵是實際狀況為，尤其為了改善該塗佈的均一性，在項目a)的情形中，該第一、第二及第三電極係相關於彼此並且相關於該塔架，以對於由該第一、第二及第三電極所構成的群組的至少兩個構件，該塔架的具有可被配置在這些區域中的基板的至少部分的區域係延伸在位於該至少兩個構件的激勵區域之間的該空間的區域中的此種幾何組態來加以配置。
或者是，所提出的是在項目b)的情形中，該第一、第二、第三及第四電極係相關於彼此並且相關於該塔架，以對於由該第一、第二、第三及第四電極所構成的群組的至少兩個構件，該塔架的具有可被配置在這些區域中的基板的至少部分的區域係延伸在位於該至少兩個構件的激勵區域之間的該空間的區域中的此種幾何組態來加以配置。
位在兩個激勵區域之間的該空間的區域一般亦包含該真空室的未被填入該塔架以及該塔架所保持的基板之區域。換言之，可以說在本發明的情形中，可以假設的是其中該些激勵區域中的至少一個的表面的法線並不指向該塔架以及被保持在該塔架上的基板的方向上的激勵區域的區域係被設置。在該室的體積中的沒有待被塗佈的基板位在其中之部分內一般亦大致有電漿。然而，只要仍然有該塔架的具有附接至該塔架的基板 之部分的區域是被配置在該空間的區域中，則該基板的整體塗佈速率仍然會增加。不言而喻的是，為了該基板的塗佈或其它處理，熟習此項技術者可以例如是藉由試驗和錯誤或是模擬，相關於批次時間以及品質來建立該些電極的激勵區域相關於彼此以及相關於該塔架的最佳的位置。
該設備的另一實施例的特徵是實際狀況為，在項目a)的情形中，對於由該第一、第二及第三電極所構成的群組的至少一電極，以及在項目b)的情形中，對於由該第一、第二、第三及第四電極所構成的群組的至少一電極，該電壓是個別地可用一閉迴路或開迴路的方式控制的，藉此該塗佈電漿至該真空室的內部的空間及動態的狀況，尤其是該些電極的激勵區域相關於其它激勵區域以及相關於該塔架的位置之一更佳的調適係可達成的。
該設備的另一實施例的特徵是實際狀況為，在項目a)的情形中，該第一、第二及第三電極係相關於彼此，以對於由該第一、第二及第三電極所構成的群組的至少兩個構件，該些激勵區域的表面法向量係實質垂直於彼此的此種幾何組態來加以配置。或者是，所提出的是在項目b)的情形中，該第一、第二、第三及第四電極係相關於彼此，以對於由該第一、第二、第三及第四電極所構成的群組的至少兩個構件，該些激勵區域的表面法向量係實質垂直於彼此的此種幾何組態來加以配置。在這些實施例的情形中，一特別高的電漿密度係被達成，因為該些激勵區域的尺寸相對位在激勵區域之間的體積的尺寸的比例是有利的。
較佳的是，該些激勵區域中的至少一個係平行於該塔架的縱軸來延伸，或是具有一平行於該塔架的縱軸而被配置的部分的區域。
較佳的是，該些電極的全部或至少某些個係被直接附接至該些相對的室壁。
在四個電極下，本發明係至少包含實施例為其中該些電極係被配置成使得該第一及第二電極係在一其中該塔架的縱軸所位在的平面的一側邊上被配置成與彼此實質相對的，並且該第三及第四電極係在該平面的另一側邊上被配置成與彼此實質相對的。
較佳的是，該些室壁係以平面的區域平行於該塔架的縱軸來延伸，或是具有平行於該塔架的縱軸之平面的區域。
該設備的另一實施例的特徵是實際狀況為至少一電極係被指定到該真空室壁的一固定的區域，並且具有一形狀是對應於該室壁在所指定的固定的區域中的形狀。在此例中，該至少一電極係藉由相對該真空室電性絕緣的固定裝置而被固定至該真空室，其係以此至少一電極的後側區域在該室壁的所指定的固定的區域中是與該室壁相隔一段距離的此種方式來加以固定的，該距離係如同所要的小於在該設備的操作期間的暗房(darkroom)距離。
為了避免寄生的電漿在一電極的附近的形成，例如從DE 41 09 619 C1或是EP 0 502 385 B1本身已經已知的，選擇介於一電極與另一物體之間的距離小於該暗房距離。
該暗房距離必須遠小於自由路徑長度，以便於避免一放電級聯(cascade)。該暗房距離的尺寸大致是根據在該電漿與一鄰接該電漿的表面之間的電位差，以及該製程氣體壓力與進一步的參數而定的。在通常的電漿塗佈裝置的操作參數下，該暗房距離是介於1mm到幾毫米之間。
通常，在該電漿CVD放電裝置中被使用於該些板電極的暗房屏蔽在技術上是複雜的，而且顯著增加該設計、製造以及操作的成本，因為該些電極並未被直接固定至該室壁。作為與該習知技術的一差異的是，在此實施例的情形中的電極並不需要任何相關該些室壁之分開的暗房屏蔽，因為在其固定的區域中，該些電極係在相隔一段小於該暗房距離的距離下，以其後側區域來依循該室壁的曲率。因此幾乎是自動地避免寄生的電漿在該電極的區域中的形成。
該設備的另一實施例的特徵是實際狀況為該室壁係在至少一被指定的固定的區域中具有一平面的表面，並且該至少一電極係具有一平面的後側區域。
該設備的另一實施例的特徵是實際狀況為至少一電極係被形成為一平板，並且該室壁係在所指定的固定的區域中被形成為一平面的表面。尤其較佳的是一實施例為其中至少真空室的該些電極被固定到的壁係用一平面的方式來加以形成，並且該些電極係被形成為平板或是具有一平面的後側區域的板。
較佳的是，該真空室係包括一第一平面的壁以及一第二平面的壁，該第二平面的壁係與該第一壁垂直且相對的。較佳的是，該真空室係被形成為一種類型的箱子，其具有直的壁以及一矩形基底區域。該真空室的一種偏離該矩形的形式之基底區域係同樣地內含於本發明中。
該設備的另一實施例的特徵是實際狀況為該室壁係在至少一被指定的固定的區域中具有一彎曲的表面，並且該至少一電極係具有以一種對應於該固定的區域的方式彎曲的一後側區域。
不言而喻的是，該表面的曲率在此較佳的是相關該塔架的縱軸而凹形地加以形成，以便於使得該些電極的激勵區域的良好的利用成為可能的。在此針對於凹面所使用的術語係如下的：若一區域是位在和該參考點或是一觀察者相同的切平面的側邊的一點的附近，則其係相關於該參考點或是該觀察者凹形地彎曲的。尤其較佳的是一實施例為其中至少該真空室的該些電極被固定到的壁係被形成為橫截面地圓形或是部份圓形的，並且該些電極係被形成為橫截面地圓形的、部份圓形的板，或是具有一橫截面地圓形或是部份圓形的後側區域的板。
在根據本發明的設備的另一實施例的情形中，其激勵區域相對於該真空室的一壁被傾斜地配置的至少一電極係被設置。有利的是，該至少一電極的激勵區域係被定向在該塔架的縱軸的方向上。相較於先前敘述的本發明的實施例，所考慮到的電極的固定以及用於暗房屏蔽的裝置的形成在此大致是更複雜的。
該設備的一實施例的特徵是實際狀況為該塔架係額外被指定一細長的濺鍍或蒸鍍塗佈裝置，以尤其是用於基板的金屬化。基板在批次模式中的有關於在一真空室內的金屬化以及一保護或其它功能層的施加之一整合的處理係因此為可行的。
該設備的一實施例的特徵是實際狀況為至少一濺鍍元件或濺鍍裝置，或是該蒸發器裝置的一蒸發器元件係被配置在該真空室的一區域中，其在項目a)的情形中係被配置在由該第一、第二及第三電極所構成的群組的兩個構件之間，並且在項目b)的情形中係被配置在由該第一、第二、第三及第四電極所構成的群組的兩個構件之間。
一般而言，該設備的另外的構件，例如是金屬蒸發器或泵送放電開口，可以有利的是被配置在彼此處於相鄰的電極之間的區域中。
本發明的以下的實施例係具有該些電極的配置的對稱性，其係有利於該塗佈的品質以及該塗佈速率的位準，因為該些電極尤其是被指定經有利決定的相關該塔架之相對的距離以及角度的關係。
該設備的一實施例的特徵是實際狀況為在項目a)的情形中，在一投影到一垂直於該縱軸而被配置的平面三角的圓形參考系統之上中，該第一電極係被配置在該第一區段中，該第二電極係被配置在該第二區段中，並且該第三電極係被配置在該第三區段中，或是該第一電極係被配置在該第一區段中、該第二電極係被配置在該第三區段中，並且該第三電極係被配置在該第二區段中，其中該些區段係在順時針的方向上加以編號，並且該參考系統亦藉由一限制所有的電極的投影的圓圈來加以界定。一圓圈的最小的半徑可被選擇為一圓圈的半徑，使得該圓圈剛好限制(circumscribe)該投影以及該些電極的周圍。
再者，在項目b)的情形中，可以設置的是在一投影到一具有一第一、第二、第三及第四象限的垂直於該縱軸而被配置的平面的笛卡兒參考系統之上中，該第一電極係被配置在該第一象限中，該第二電極係被配置在該第二象限中，該第三電極係被配置在該第三象限中，並且該第四電極係被配置在該第四象限中，或是該些電極係用此配置的排列中的一種來加以配置，其中該些象限係在順時針的方向上加以編號，並且該參考系統亦藉由一限制所有的電極的投影的方形來加以界定。該方形可以是限制所有的電極的投影的最小的方形。
該設備的一實施例的特徵是實際狀況為在項目a)的情形中，由該第一、第二及第三電極所構成的群組的一構件係具有一尺寸3G的一激勵區域，該尺寸3G是位在0.5*3G2到1.5*3G2之間，其中3G2是該群組的兩個其它構件的激勵區域的總面積。
在此例中，該尺寸3G可以是實質等於該尺寸3G2。
該設備的一實施例的特徵是實際狀況為在項目b)的情形中，由該第一、第二、第三及第四電極所構成的群組的兩個或三個構件係具有一總面積G的激勵區域，其中G是位在0.5*G'到1.5*G'之間，其中G'是該群組的其它多個構件或是其它一個構件的激勵區域的總面積。
在此例中，該尺寸G可以實質等於該尺寸G'。
該裝置的一實施例的特徵是實際狀況為在項目a)的情形中，由該第一、第二及第三電極所構成的群組的兩個構件係利用具有相同相位的交流電壓來加以操作。
在此例中，可以設置的是，該兩個構件的激勵區域的尺寸總和係等於該群組的其它構件的激勵區域的尺寸。
該裝置的一實施例的特徵是實際狀況為在項目a)的情形中，由該第一、第二、第三及第四電極所構成的群組的兩個構件係利用一具有相同相位的交流電壓來加以操作。
在此例中，該群組的兩個其它構件可以利用一具有相同相位，但是具有一與前兩個構件不同相位的交流電壓來加以操作。
在此例中，在一投影到一具有一第一、第二、第三及第四象限的垂直於該縱軸而被配置的平面的笛卡兒參考系統之上中，該前兩個構 件是位在該第一及/或第二象限中，並且該兩個其它構件是位在該第三及/或第四象限中。
再者，可以設置的是，在一投影到一具有一第一、第二、第三及第四象限的垂直於該縱軸而被配置的平面的笛卡兒參考系統之上中，該前兩個構件是位在該第一及/或第三象限中，並且該兩個其它構件是位在該第二及/或第四象限中。
再者，可以設置的是，在一投影到一具有一第一、第二、第三及第四象限的垂直於該縱軸而被配置的平面的笛卡兒參考系統之上中，該前兩個構件是位在該第一及/或第四象限中，並且該兩個其它構件是位在該第二及/或第三象限中。在此例中，該群組的所有構件都可以具有實質相同尺寸的激勵區域。
根據本發明的用於基板在一真空室中的真空處理的製程的特徵是實際狀況為，該真空處理係藉由根據本發明的一種設備來加以執行的。
該製程的另一實施例的特徵是實際狀況為，該基板藉由一電漿CVD製程的處理係藉由該電漿CVD放電裝置來加以執行的，尤其是用於一頂端塗佈至金屬化的基板表面的施加。
該塗佈較佳的是(但不是唯一或必要地)利用以下的製程參數來加以執行：
製程氣體密度：10-3mbar bis 10-2mbar
功率範圍：參考該些部分的電極的總面積的1kW/m2到8kW/m2
電壓範圍：在電極之間的500V到5kV的波峰電壓
交流供應電壓的頻率：1Hz到30MHz，較佳的是40kHz
在該激勵區域與該基板表面之間的距離較佳的是位在10cm-30cm的範圍中。
本發明的另一實施例的特徵是實際狀況為，該些基板藉助於一輝光放電的處理係藉由該電漿CVD放電裝置來加以執行的，尤其該基板在該塗佈之前的一利用其之預處理可加以執行。該些製程參數應該類似於該塗佈的情形來加以選擇，該輝光放電較佳的是發生在一氮及/或氧的氛圍中。一般而言，在此處理的情形中，通常是提供一介於1×10-3mbar到1×10-1mbar之間，較佳的是介於2×10-2mbar到8×10-2mbar之間的壓力。
1‧‧‧設備
10‧‧‧濺鍍塗佈裝置
10'‧‧‧蒸鍍塗佈裝置
12‧‧‧載入門
13‧‧‧連接
21‧‧‧基板支承裝置
24‧‧‧空間的區域
25‧‧‧空間的區域
26‧‧‧空間的區域
30a‧‧‧電極
30a1‧‧‧激勵區域
30b‧‧‧電極
30b1‧‧‧激勵區域
30c‧‧‧電極
30c1‧‧‧激勵區域
30d‧‧‧在電極30b及30c的邊緣之間的連接線
30e‧‧‧在電極30b及30c的邊緣之間的連接線
31a‧‧‧第一電極
31a1‧‧‧激勵區域
31b‧‧‧第二電極
31b1‧‧‧激勵區域
32a‧‧‧第三電極
32a1‧‧‧激勵區域
32b‧‧‧第四電極
32b1‧‧‧激勵區域
40‧‧‧縱軸
41‧‧‧塔架
161‧‧‧電連接線
162‧‧‧電連接線
163‧‧‧電連接線
164‧‧‧電連接線
170‧‧‧電源供應器
170a‧‧‧連線
170b‧‧‧連線
171‧‧‧電連接線
172‧‧‧電連接線
173‧‧‧電連接線
175‧‧‧真空室
175a、b、c‧‧‧室壁
I‧‧‧在參考系統中的部分的區域
II‧‧‧在參考系統中的部分的區域
III‧‧‧在參考系統中的部分的區域
A、B、C‧‧‧在三角參考系統中的分割點
K、L、M‧‧‧電漿塗佈裝置之量測到的值
本發明係在以下圖式中，以範例實施例以及圖式為基礎來更詳細地加以描述，本發明的其它特點及優點可以從該圖式取得，甚至是與申請專利範圍中的概要無關的其它特點及優點。相同或對應的元件或構件係被提供相同的元件符號。
在概要的圖式中：圖1a、b係以一投影到一垂直於一塔架的縱軸而被配置的平面三角的圓形參考系統之上，來展示根據本發明的一種具有一塔架以及三個電極之設備的構件；圖1c係以一投影到一垂直於該縱軸而被配置的平面的笛卡兒參考系統之上，來展示根據本發明的一種具有一塔架以及四個電極之設備的構件；圖2a係以一平面圖來展示根據本發明的一種具有一塔架、平行於該室 壁而被配置的電極以及一真空室之設備的構件的橫截面的圖示；圖2b係以一平面圖來展示根據本發明的一種具有一塔架、被配置在室壁的角落中的電極以及一真空室之設備的構件的橫截面的圖示；圖3係展示根據圖2a的根據本發明的用於真空塗佈之設備的互連的圖示；圖4係展示根據圖2a的根據本發明的用於真空塗佈之設備的進一步互連的圖示；圖5係展示根據圖2a的根據本發明的用於真空塗佈之設備的進一步互連的圖示；以及圖6係展示利用各種用於真空塗佈的設備的測試塗佈的比較結果的圖示。
在圖1a、b中，根據本發明的針對於兩種典型的配置的一種具有電極30a、30b、30c之設備的構件係概要地以一投影到一平面三角的圓形參考系統之上來加以表示，該圓形參考系統係垂直於一塔架41的縱軸40來加以配置，並且具有均等尺寸的區段I、II、III。該些區段I、II、III係藉由一圓圈的半徑以及在該圓圈的線上的點A、B、C來加以界定的。
為了簡化事項，該設備的例如是室壁等等的進一步的構件並未加以表示。不言而喻的是，該些電極的其它配置也是可能的；例如，其中該些區段I、II、III是具有不同尺寸的配置。該些電極30a、30b、30c係具有全部都被定向在該塔架41的方向上的激勵區域30a1、30b1、30c1。
該些電極30a、30b、32a係相關於彼此，以該些激勵區域 30a1、30b1、32a1成對地藉由一幾何直線來連接的此種幾何組態來加以配置。在其它實施例的情形中，對於最多兩個電極而言，該些個別的激勵區域無法藉由一幾何直線來連接至彼此，以便於達成在被保持在該塔架上的工件的整體電漿CVD塗佈速率上的一增加。例如，兩個電極可以具有平行於彼此對準的激勵區域。
該些電極30a、30b、30c係藉由電連接線171、172、173來連接至一電源供應器170，並且較佳的是利用交流電壓來加以操作。在圖1a中，每一個電極30a、30b、30c係個別地連接至該電源供應器。在圖1b中，兩個電極30b、30c係連接至該電源供應器170的一連線。在圖1b中，該些電極30b、30c係因此在相同的相位以及相同的振幅下加以操作。
不言而喻的是，在根據圖1a的配置中的電極30a-30c可以對應地加以互連，因而例如該些電極30a、30b係利用相同的相位及振幅來加以操作。尤其在上一個例子中，因而是：該些激勵區域30a1、30b1較佳的是具有相同或大致相同的尺寸。該激勵區域30c1係具有一較佳的是等於或大致等於該兩個其它激勵區域30a1、30b1的尺寸的總和。然而，該些激勵區域的此種設計在該些電極的其它配置的情形中也可能是有利的。
在圖1c中，根據本發明的一種具有一塔架41以及一電漿CVD放電裝置的四個電極31a、31b、32a、32b之設備的構件係以一投影到一垂直於該縱軸40而被配置的平面的笛卡兒參考系統之上來加以表示。
在具有第一、第二、第三及第四象限I、II、III、IV的參考系統中，該第一電極31a係被配置在該第一象限I中，該第二電極31b係被配置在該第二象限II中，該第三電極32a係被配置在該第三象限III中，並 且該第四電極32係被配置在該第四象限IV中，其中該些象限I、II、III、IV係用順時針的方向來加以編號。該參考系統是一方形，其係限制所有的電極(31a、31b、32a、32b)的投影。亦可以設置的是，該些電極係用此配置的排列中之一來加以配置。
該塔架41是可繞著一縱軸40旋轉的。該塔架通常具有一150cm到200cm的長度。在圖1c中，為了單純的緣故，該基板支承裝置或是由該裝置所支承的基板的任一個並沒有進一步的細節被表示出。同樣為了單純的緣故而未被表示的是該設備的例如是室壁等等的進一步的構件，然而該些室壁係結合圖2a來加以論述。
該些電極係由一適當的金屬來加以製造的。較佳的是，該些電極31a、31b、32a、32b係被形成為平板，其較佳的是具有均等或大致均等尺寸的激勵區域31a1、31b1、32a1、32b1，但亦可以是具有不同的尺寸。
該些電極31a、31b、32a、32b係沿著該塔架41的縱軸40縱向地延伸。較佳的是，該些電極31a、31b、32a、32b係在該塔架41的整個長度上延伸至基板被保持或是可被保持於該處的範圍。該些電極31a、31b、32a、32b本身亦可以更進一步加以細分，不言而喻的是在該些細分的元件之間的距離應該被保持為小的，以便於避免所產生的電漿的不均一性。
該第一電極31a以及該第二電極31b係具有相關於彼此而被定向的激勵區域31a1、31b1，其係以該塔架41的具有可被配置在這些區域中的基板之區域係延伸在該空間的區域25中的此種方式來加以配置，該空間的區域25係位在該第一電極31a以及該第二電極31b的激勵區域31a1、31b1之間。類似地，該第三電極32a以及該第四電極32b係具有相關於彼 此而被定向的激勵區域34a、34b，其係以該塔架41的具有可被配置在這些區域中的基板之區域係延伸在該空間的區域26中的此種方式來加以配置，該空間的區域26係位在該第三電極32a以及該第四電極32b的激勵區域34a、34b之間。
該電漿CVD放電裝置係藉由並未在圖1c中加以表示的線來連接至一電源供應器，以用於在該設備的操作期間，至少在該基板支承裝置41和該些基板係被配置於其中的一區域內的一電漿放電的激勵，以便於使得該些基板的一電漿處理成為可能的。該些電極的互連係在以下的本文中進一步加以描述。
在圖2a中，一種用於在一具有一矩形基底區域的真空室175中的基板(較佳的是三維的基板)的真空塗佈之設備1係以一簡化的圖示來加以展示，以例如是應用在汽車領域、電腦、通訊或是消費者電子設備或類似者中。該些基板較佳的是由一塑膠材料所組成的，儘管其它材料也是可行的。該真空室175係包括室壁175a、175b、175c，用於泵的連接13係被設置在該室壁175c的區域中。一載入門12係在該些室壁175a、175b的末端側的區域中垂直地加以設置。
該濺鍍或蒸發器裝置10、10'的縱軸40較佳的是平行於該縱軸40來加以對準的，不言而喻的是一具有例如是小於10°的小角度的偏移之對準亦內含於本發明中。
本發明亦包含具有用於基板的行星式保持裝置的基板支承裝置的實施例，其係可以繞著不同於該塔架41可旋轉所繞著的縱軸40之軸來旋轉的。
該些電極31a、32a以及31b、32b係和彼此間隔開，並且分別附接至相對的室壁175a及175b。
該些激勵區域31a1、31b1的部分的區域係分別延伸超出該塔架41到該些室壁175a及175b之上的投影。
如同在圖1c中，該電漿CVD放電裝置係藉由並未在圖2a中加以表示的線來連接至一電源供應器，以用於在該設備的操作期間，至少在該基板支承裝置41和該些基板係被配置於其中的一區域內的一電漿放電的激勵，以便於使得該些基板的一電漿處理成為可能的。該些電極的互連係在以下的本文中進一步加以描述。
該電漿CVD放電裝置可以被設計來用於基板表面的預處理及/或用於電漿塗佈，尤其是藉由電漿CVD。尤其，一用於例如是六甲基二矽氧烷(HMDSO)的反應氣體的入口亦可加以設置。
除了並未加以表示的例如是用於製程氣體的饋送裝置的構件以外，該設備1係包括濺鍍裝置10、10'，該些濺鍍裝置10、10'為細長的且係平行於該縱軸40，並且分別被配置在相對的室壁175a、175b上，而在該些間隔開的電極31a及32a與31b及32b之間。該些濺鍍裝置10、10'或是蒸鍍裝置的其它位置同樣也是可行的。
在一蒸發器設備的情形中，並非是所表示的濺鍍裝置10、10'，而是細長的蒸發器裝置亦可加以設置，其通常具有一些沿著一未加以表示的縱軸而被配置的蒸發器元件，其例如是用豎琴的方式，利用細長的支撐元件而被配置在一框架狀的結構中。該些蒸發器元件較佳的是被填入鋁導線。當其例如是由於一電流正在通過而加熱時，該金屬係蒸發，因而 金屬蒸氣係從該蒸發器陣列的區域冒出，並且擴散到周圍的空間而且沉積在該些工件上。
該些電極31a、31b、32a、32b係在其所指定的固定區域中，藉由一電性絕緣的固定裝置而被固定至該些真空室壁175a、175b。在此例中，該些電極31a、31b、32a、32b的後側區域係與所指定的固定區域中的室壁175a、175b相隔一段距離，該距離係如所要的小於在該設備的操作期間的暗房距離。在所表示的實施例中，該些後側區域以及該些固定區域係被形成為平面的對應的區域。不言而喻的是，具有該些後側區域以及該些室壁的彎曲的區域的實施例亦被本發明所涵蓋。此的例子是具有一圓柱形或橢圓形的基底區域的真空室。
在圖2b中，根據本發明的用於基板的背塗佈之設備1的另一實施例係以一截面的圖示來加以展示，其係具有兩個雙電極，該兩個雙電極係包括被傾斜地配置在該真空室175的角落中的電極31a、31b、32a、32b；以及具有一縱軸40的一塔架41。該些電極32a、32b可以是可移動的，以便於輕易地傳輸該塔架41進入該真空室175，或是離開該真空室175。與圖2a的實施例相比較，該些電極31a、31b、32a、32b的固定以及用於暗房屏蔽的形成的裝置在此是更加複雜的。在另一方面，可利用於封裝的更佳的空間利用係加以獲得。
圖3-5係展示根據圖2的根據本發明的用於真空塗佈之設備1的互連的圖示，其中電極係平行於該真空室的壁來加以配置。同樣內含於本發明的是具有至少一如同在圖2b中所表示的相關於該真空室的壁被傾斜地定向的電極、以及亦具有如同在圖3至5中所表示的電極的互連線之設 備。根據具有在以下所提出的電極的互連線的本發明，該些電極的中間位置係相關於該壁、相關於彼此以及相關於該塔架亦內含於本發明。
根據圖3，一用於在該些電極31a、31b、32a、32b之間的電漿放電的激勵之電源供應器170係被設置。該電漿放電的激勵係藉由施加至少一電壓至該第一、第二、第三及/或第四電極31a、31b、32a、32b而發生。為此目的，該電源供應器170較佳的是包括一或多個用於產生電源的產生器、一匹配網路，以及一用於將該電源耦接至該雙電極的發送器。該耦接係藉由電連接線161、162、163及164來產生，該些電連接線161、162、163及164係連接至該電源供應器170，而且亦連接至該些電極31a、31b、32a、32b。具有一界定的頻率、振幅以及相位的電壓較佳的是被施加至該第一、第二、第三及/或第四電極31a、31b、32a、32b。較佳的是，該電源供應器170係被設計成使得該電源的頻率、振幅以及相位是針對於每一個電極31a、31b、32a、32b，個別地可用一閉迴路或開迴路的方式控制的。相對應地，該些電極31a、31b、32a、32b係藉由電連接線161、162、163及164來連接至該電源供應器170的連線170a-170d。
亦如同進一步在以下的圖4及5的實施例的情形中，較佳的是提供該些電極31a、31b、32a、32b在浮接的電位處的互連，其中因此該些電極31a、31b、32a、32b並沒有電連接至接地。該些電極31a、31b、32a、32b係因此相關該真空室175或是其它電性接地點為電性絕緣的。
在圖3中，亦如同進一步在以下的圖4及5的實施例的情形中，該些箭頭係描繪在沒有電漿的情形中的電場的簡化的分布，以及該些電極31a、31b、32a、32b在該設備的較佳操作中的瞬間的位置。在此例中 的箭頭是從較低的電位的一位置指向較高的電位的一位置，並且用簡化的術語來說，其係對應於負電荷載子在此種位置之間的一移動方向。尤其，在圖3的圖示中，該些電極31a及32b與該些電極32a及31b係利用具有相同相位(選配的是振幅亦相同)的電壓來加以操作。在此例中，該些電極31a及32b係連接至該電源供應器170的一共同的電連線，並且該些電極32a及31b係連接至該電源供應器170的一共同的電連線。
該電源供應器170在圖3中係特別以該第一電極31a是一與該第二及第四電極31b、32b相反的極，並且該第三電極32a是一與該第二及第四電極31b、32b相反的極的此種方式來加以設計。在此本文中，一第一電極的一相反的極係被理解為表示一第二電極是位在一高於該第一電極的電位，因此特別是具有一不同的極性。在交流電壓的情形中，此定義係有關於在一特定的時點的瞬間的電位或是瞬間的極性。
圖4係展示本發明的一實施例，其中該電源供應器170係以該些電極31a、32a或是31b、32b是利用具有相同相位(選配的是振幅亦相同)的電壓來操作的此種方式來加以設計。換言之，該第一電極31a是一與該第二及第四電極31b、32b相反的極，並且該第三電極32a是一與該第二及第四電極31b、32b相反的極。
圖5係展示本發明的一較佳實施例，其中該電源供應器170係以該些電極31a、31b或是32a、32b是利用具有相同相位(選配的是振幅亦相同)的電壓來操作的此種方式來加以設計。換言之，該第一電極31a是該第四電極32b的一相反的極，並且該第三電極32a是該第二電極31b的一相反的極。
相較於現有的裝置，當利用相同量的反應性氣體以及相同的電漿功率時，本發明係使得在該電漿CVD塗佈速率上的一顯著的增加成為可能的。在此方面而言，圖6係展示利用各種用於真空塗佈的設備的測試塗佈的結果K、L及M，其中K、L係表示具有兩個電極的裝置的結果，並且M係表示利用根據本發明的一種具有在圖2a中的一種配置的四個電極的設備的結果。所展示的是，針對於電漿聚合的六甲基二矽氧烷(HMDSO)在鋁基板上的沉積，利用一100sccm HMDSO的反應性氣體流，在150秒內以及其它相同的製程參數下所沉積的層的厚度之結果。在本發明的情形中，該層厚度的加倍是明顯的。該塗佈的品質在所有的情形中都是相同的。
1‧‧‧設備
31a‧‧‧第一電極
31b‧‧‧第二電極
32a‧‧‧第三電極
32b‧‧‧第四電極
161‧‧‧電連接線
162‧‧‧電連接線
170‧‧‧電源供應器
170a‧‧‧連線
170b‧‧‧連線
175‧‧‧真空室

Claims (29)

  1. 一種用於在一真空室(175)中基板的真空處理之設備，其係包括一具有一塔架(41)的基板支承裝置(21)，該塔架(41)可以繞著一縱軸(40)旋轉，並且具有用於基板的保持裝置，以及一電漿CVD放電裝置，其被指定到該塔架(41)，其特徵在於該電漿CVD放電裝置係包括超過兩個具有激勵區域的板狀電極，其之該些激勵區域係全部都被定向在該塔架(41)的方向上，以及一用於一電漿放電的激勵的電源供應器裝置係被設置，至少一電壓係藉此而被施加至該些電極中的至少兩個，該被激勵的電漿係至少作用在該塔架(41)的部分上以及在可被配置於其上的基板上。
  2. 根據申請專利範圍第1項之設備，其特徵在於a)該電漿CVD放電裝置係具有一群組的至少三個板狀電極，其中一具有一第一激勵區域(30a1)的第一電極(30a)、一具有一第二激勵區域(30b1)的第二電極(30b)以及一具有一第三激勵區域(30c1)的第三電極(30c)係被設置，該些激勵區域(30a1、30b1、30c1)全部都被定向在該塔架(41)的方向上，以及一用於一電漿放電的激勵的電源供應器裝置(170)係被設置，至少一電壓係藉此而被施加至該些電極(30a、30b、30c)中的至少兩個，該被激勵的電漿係至少作用在該塔架(41)的部分上以及在可被配置於其上的基板上，或是b)該電漿CVD放電裝置係具有一群組的至少四個板狀電極，其中 一具有一第一激勵區域(30a1)的第一電極(30a)、一具有一第二激勵區域(31b1)的第二電極(31b)、一具有一第三激勵區域(32a1)的第三電極(32a)以及一具有一第四激勵區域(32b1)的第四電極(32b)係被設置，該些激勵區域(30a1、31b1、32a1、32b1)全部都被定向在該塔架(41)的方向上，其中一用於一電漿放電的激勵的電源供應器裝置(170)係被設置，至少一電壓係藉此而被施加至該些電極(31a、31b、32a、32b)中的至少兩個，該被激勵的電漿係至少作用在該塔架(41)的部分上以及在可被配置於其上的基板上。
  3. 根據申請專利範圍第2項的項目a)之設備，其特徵在於在一給定的電漿功率下，相較於利用由在該真空室(175)中該第一、第二及第三電極(30a、30b、30c)所構成的群組的只有兩個構件的一種幾何組態的基板的最大塗佈速率，該第一、第二及第三電極(30a、30b、30c)係相關於彼此，以該設備可以在該基板的一較高的塗佈速率下加以操作的此種幾何組態來加以配置。
  4. 根據申請專利範圍第2項的項目b)之設備，其特徵在於在一給定的電漿功率下，相較於利用由在該真空室(175)中該第一、第二、第三及第四電極(31a、31b、32a、32b)所構成的群組的只有兩個構件的一種幾何組態的基板的最大的塗佈速率，該第一、第二、第三及第四電極(31a、30b、32a、32b)係相關於彼此，以該設備可以在該基板的一較高的塗佈速率下加以操作的此種幾何組態來加以配置。
  5. 根據前述申請專利範圍第2至4項的任一項之設備，其特徵在於在項目a)的情形中，該第一、第二及第三電極(30a、30b、32a)係相關於彼此，以對於由該第一、第二及第三電極(30a、30b、32a)所構成的群組的最多兩個構 件，這些群組的該些激勵區域(30a1、30b1、32a1)無法藉由一幾何直線來成對地連接至彼此的此種幾何組態來加以配置，或是在項目b)的情形中，該第一、第二、第三及第四電極(31a、31b、32a、32b)係相關於彼此，以對於由該第一、第二、第三及第四電極(31a、31b、32a、32b)所構成的群組的最多三個構件，這些構件的該些激勵區域(31a1、31b1、32a1、32b1)無法藉由一幾何上的直線來成對地連接至彼此的此種幾何組態來加以配置。
  6. 根據申請專利範圍第3或4項之設備，其特徵在於在項目a)的情形中，該第一、第二及第三電極(30a、30b、30c)係相關於彼此並且相關於該塔架(41)，以對於由該第一、第二及第三電極(30a、30b、30c)所構成的群組的至少兩個構件，該塔架(41)的具有可被配置在這些區域中的基板的至少部分的區域係延伸在位於該些激勵區域(30a1、30b1、30c1)之間的該空間的區域(30e)中的此種幾何組態來加以配置，或是在項目b)的情形中，該第一、第二、第三及第四電極(31a、31b、32a、32b)係相關於彼此並且相關於該塔架(41)，以對於由該第一、第二、第三及第四電極(31a、31b、32a、32b)所構成的群組的至少兩個構件，該塔架(41)的具有可被配置在這些區域中的基板的至少部分的區域係延伸在位於該至少兩個構件的該些激勵區域(31a1、31b1、32a1、32b1)之間的該空間的區域(25、26)中的此種幾何組態來加以配置。
  7. 根據申請專利範圍第3或4項之設備，其特徵在於該至少一電壓是一交流電壓，較佳的是具有一界定的頻率、振幅或相位，或是一脈衝式電壓， 較佳的是具有一界定的脈衝頻率或振幅。
  8. 根據申請專利範圍第3或4項之設備，其特徵在於，在參照回項目a)的範圍內，對於由該第一、第二及第三電極(30a、30b、30c)所構成的群組的至少一電極(30a、30b、30c)、以及在參照回項目b)的範圍內，對於由該第一、第二、第三及第四電極(31a、31b、32a、32b)所構成的群組的至少一電極(31a、31b、32a、32b)，該電壓是個別可用一閉迴路或開迴路的方式控制的。
  9. 根據申請專利範圍第3或4項之設備，其特徵在於在項目a)的情形中，該第一、第二及第三電極(30a、30b、30c)係相關於彼此，以對於由該第一、第二及第三電極(30a、30b、30c)所構成的群組的至少兩個構件，該些激勵區域(30a1、30b1、30c1)的表面法向量係實質垂直於彼此的此種幾何組態來加以配置，在項目b)的情形中，該第一、第二、第三及第四電極(31a、31b、32a、32b)係相關於彼此，以對於由該第一、第二、第三及第四電極(31a、31b、32a、32b)所構成的群組的至少兩個構件，該些激勵區域(31a1、31b1、32a1)的表面法向量係實質垂直於彼此的此種幾何組態來加以配置。
  10. 根據申請專利範圍第3或4項之設備，其特徵在於在項目a)的情形中，由該第一、第二及第三電極(30a、30b、30c、32b)所構成的群組的至少一電極(30a、30b、32a)，以及在項目b)的情形中，由該第一、第二、第三及第四電極(31a、31b、32a、32b)所構成的群組的至少一電極(31a、31b、30c、32b)，係被指定到該真空室壁(175a、175b)的一固定的區域，並且具有一形狀是對應於在所指定的固定的區域中的該室壁(175a、175b)的形狀， 其中該至少一電極係藉由電性絕緣的固定裝置，以此至少一電極的後側區域係在該室壁(175a、175b)的所指定的固定的區域中與該室壁(175a、175b)相隔一段距離，該距離係如所要的小於在該設備的操作期間的暗房距離的此種方式而被固定至該真空室(175)。
  11. 根據申請專利範圍第10項之設備，其特徵在於該室壁(175a、175b)係在至少一被指定的固定的區域中具有一平面的表面，並且該至少一電極係具有一平面的後側區域。
  12. 根據申請專利範圍第10項之設備，其特徵在於該室壁(175a、175b)係在至少一被指定的固定的區域中具有一彎曲的表面，並且該至少一電極係具有以一種對應於該固定的區域的方式彎曲的一後側區域。
  13. 根據申請專利範圍第3或4項之設備，其特徵在於該設備係包括一被指定到該塔架(41)的細長的濺鍍或蒸鍍塗佈裝置(10、10')，其較佳的是用於該基板的金屬化。
  14. 根據申請專利範圍第3或4項之設備，其特徵在於該濺鍍裝置(10)的至少一濺鍍元件或是該蒸發器裝置(10')的一蒸發器元件係被配置在該真空室(175)的一區域中，在項目a)的情形中，該區域係被配置在由該第一、第二及第三電極(31a、30b、30c、32b)所構成的群組的兩個構件之間，並且在項目b)的情形中，該區域係被配置在由該第一、第二、第三及第四電極(31a、31b、30c、32b)所構成的群組的兩個構件之間。
  15. 根據申請專利範圍第3或4項之設備，其特徵在於在項目a)的情形中，在一投影到一垂直於該縱軸(40)而被配置的平面三角的圓形參考系統之上中，該第一電極(30a)係被配置在該第一區段(I)中，該第二電極(30b)係被 配置在該第二區段(II)中，並且該第三電極(30c)係被配置在該第三區段(III)中，或是該第一電極(30a)係被配置在該第一區段(I)中，該第二電極(30b)係被配置在該第三區段(III)中，並且該第三電極(30c)係被配置在該第二區段(II)中，其中該些區段(I、II、III)係在順時針的方向上加以編號，並且該參考系統亦藉由限制所有的電極(30a、30b、30c)的投影之最小的圓圈來加以界定。
  16. 根據申請專利範圍第3或4項之設備，其特徵在於在項目b)的情形中，在一投影到一垂直於該縱軸(40)而被配置的具有一第一、第二、第三及第四象限(I、II、III、IV)的平面的笛卡兒參考系統之上中，該第一電極(31a)係被配置在該第一象限(I)中，該第二電極(31b)係被配置在該第二象限(II)中，該第三電極(32a)係被配置在該第三象限(III)中，並且該第四電極(32b)係被配置在該第四象限(IV)中、或是特徵在於該些電極係以此配置的排列中的一種來加以配置，其中該些象限(I、II、III、IV)係在順時針的方向上加以編號，並且該參考系統亦藉由限制所有的電極(31a、31b、32a、32b)的投影之最小的方形來加以界定。
  17. 根據申請專利範圍第3或4項之設備，其特徵在於在項目a)的情形中，由該第一、第二及第三電極(30a、30b、30c)所構成的群組的一構件係具有一尺寸3G的一激勵區域，該尺寸3G是位在0.5*3G2到1.5*3G2之間，其中3G2是該群組的另外兩個構件的激勵區域的總面積。
  18. 根據申請專利範圍第17項之設備，其特徵在於該尺寸3G係實質等於該尺寸3G2。
  19. 根據申請專利範圍第3或4項之設備，其特徵在於在項目b)的情形中，由該第一、第二、第三及第四電極(31a、31b、32a、32b)所構成的群組 的兩個或三個構件係具有一總面積G的激勵區域，其中G是位在0.5*G'到1.5*G'之間，其中G'是該群組的其它多個構件或是其它一個構件的激勵區域的總面積。
  20. 根據申請專利範圍第19項之設備，其特徵在於該尺寸G係實質等於該尺寸G'。
  21. 根據申請專利範圍第3或4項之設備，其特徵在於在項目a)的情形中，由該第一、第二及第三電極(30a、30b、30c)所構成的群組的兩個構件係利用具有相同相位的交流電壓來加以操作。
  22. 根據申請專利範圍第21項之設備，其特徵在於該兩個構件的激勵區域的尺寸總和係等於該群組的其它構件的激勵區域的尺寸。
  23. 根據申請專利範圍第3或4項之設備，其特徵在於在項目b)的情形中，由該第一、第二及第三電極(31a、31b、32a、32b)所構成的群組的兩個構件係利用具有相同相位的交流電壓來加以操作。
  24. 根據申請專利範圍第23項之設備，其特徵在於該群組的該兩個其它構件可以利用一具有相同相位，但是具有一不同於該前兩個構件的相位的交流電壓來加以操作。
  25. 根據申請專利範圍第24項之設備，其特徵在於在一投影到一垂直於該縱軸(40)而被配置的具有一第一、第二、第三及第四象限(I、II、III、IV)的平面的笛卡兒參考系統之上中，該前兩個構件是位在該第一及/或第二象限中，並且該兩個其它構件是位在該第三及/或第四象限中。
  26. 根據申請專利範圍第25項之設備，其特徵在於在一投影到一垂直於該縱軸(40)而被配置的具有一第一、第二、第三及第四象限(I、II、III、IV) 的平面的笛卡兒參考系統之上中，該前兩個構件是位在該第一及/或第三象限中，並且該兩個其它構件是位在該第二及/或第四象限中。
  27. 根據申請專利範圍第26項之設備，其特徵在於在一投影到一垂直於該縱軸(40)而被配置的具有一第一、第二、第三及第四象限(I、II、III、IV)的平面的笛卡兒參考系統之上中，該前兩個構件是位在該第一及/或第四象限中，並且該兩個其它構件是位在該第二及/或第三象限中。
  28. 根據申請專利範圍第25項之設備，其特徵在於該群組的全部的構件係具有實質相同的尺寸的激勵區域。
  29. 一種用於在一真空室(175)中基板的真空塗佈之製程，其特徵在於該真空塗佈係藉由根據前述申請專利範圍的任一項之一設備來加以執行的。
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