TW201712745A - 具有至少一個倒角之矽系組件及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於具有至少一個倒角的矽系組件，該組件由合併至少一個斜側壁蝕刻步驟和直立側壁的“Bosch”蝕刻之方法形成，藉此能達到美觀改良及改良對矽系晶圓進行微機械處理而形成之組件的機械強度。

Description

具有至少一個倒角之矽系組件及其製造方法
本發明係關於具有至少一個倒角之矽系微機械組件及其製造方法。更特定言之，本發明係關於作為機械處理矽系晶圓而形成的組件。
CH Patent 698837揭示一種時計組件之製造，其藉由微機械處理非晶狀或晶狀材料(如晶狀或多晶矽)進行。
此微機械處理通常藉深度反應性離子蝕刻(亦縮寫為"DRIE")進行。如圖1至4所示者，已知的微機械處理方法含括將遮罩1堆疊於基板3上(參照圖1，步驟A)，之後進行"Bosch"深度反應性離子蝕刻合併後續蝕刻階段(參照圖1，步驟B、D、E)，之後進行鈍化階段(參照圖1，步驟C，層4)以在晶圓中得到來自遮罩1的圖案，各向異性的，即，實質上直立的，蝕坑(etch)5(參照圖2和4)。
如圖3所示，"Bosch"深度反應性離子蝕刻的例子，以實線表示，用於蝕刻矽晶圓的SF6流(單位：sccm)為時間(單位：秒)的函數，而在虛線中，用於矽晶圓之鈍化(即，保護)的C4F8流(單位：sccm)為時間(單位：秒)的函數。因此顯見該等階段嚴格地連續進行且各者具有特定流和時間。
在圖3的例子中，出示SF6流於300sccm達7秒的第一蝕刻階段G1，之後為C4F8流於200sccm達2秒的第一鈍化階段P1，之後為SF6流再於300sccm達7秒的第二蝕刻階段G2，之後為C4F8流再於200sccm達2秒的第二鈍化階段P2等。因此注意到某些參數能夠改變"Bosch"深度反應性離子蝕刻程序以在直立蝕坑5之壁中得到或多或少之醒目的扇形。
數年的製造之後，發現這些直立蝕坑5未能完全滿足，特別是因為直角邊緣容易下切及所得組件的"粗糙"本質之故。
發明總論
本發明的目的是克服上述所有或部分缺點，此藉由提出新型的矽系微機械組件和新型的製法達成，特別地，藉微機械處理矽系晶圓以改良所形成的組件的美觀和改良機械強度。
本發明因此係關於製造矽系材料製的微機械 組件之方法，其包括以下步驟：a)取得矽系基板；b)在該基板的水平部分上形成有孔刺穿的遮罩；c)在蝕刻槽中，在基板的厚度部分從遮罩中的孔蝕刻出預定的斜壁，以形成該微機械組件的上部倒角表面；d)在蝕刻槽中，在該基板的厚度的至少一部分中，自步驟c)中製得的蝕坑底部蝕刻出實質上直立壁，以於上部倒角表面的下方形成該微機械組件的圍壁；e)使該微機械組件脫離該基板和該遮罩。
瞭解在相同蝕刻槽中得到兩種不同類型的蝕刻且未自槽移除基板。立即明瞭在步驟c)的斜蝕刻移除介於直立圍壁或經蝕刻的內壁之間的實質上直角邊以在相同基板和該基板的上部和下部表面形成數個微機械組件。亦可觀察到步驟c)中的斜蝕刻能夠得到明顯較開放的角度和實質上直線的蝕刻方向，此避免受限於"Bosch"深度反應性離子蝕刻的參數，其為，步驟d)中使用之與最佳化的直立蝕刻參數相左的參數。
根據本發明之其他有利的變數：-步驟c)係藉由使蝕刻氣體和鈍化氣體在蝕刻槽中混合以形成預定斜壁的方式達成；-在步驟c)中，連續的蝕刻氣流和鈍化氣流經脈衝以增進底部處的鈍化；-步驟d)係藉由在蝕刻槽中交替使用蝕刻氣流和鈍化氣流以形成實質上直立壁的方式達成； -在步驟d)和步驟e)之間，該方法另包含以下步驟f)：在預定斜壁和實質上直立壁上形成保護層，並讓步驟d)中製得的蝕坑底部沒有任何保護層和g)：在該蝕刻槽中，在該基板的殘留厚度中，自步驟d)中製得之無任何保護層的蝕坑底部蝕刻出第二個預定的斜壁，以形成微機械組件之下部倒角表面；-步驟g)係藉由在蝕刻槽中混合蝕刻氣體和鈍化氣體以形成第二預定斜壁的方式達成；-在步驟g)中，連續的蝕刻氣流和鈍化氣流經脈衝以增進底部處的蝕刻；-該步驟f)包含以下階段：f1)將預定斜壁和實質上直立壁加以氧化以形成保護性氧化矽層；和f2)方向性蝕刻該保護性氧化矽層以選擇性地自步驟d)中製造的蝕坑底部僅移除保護層的部分；-在步驟e)之前，該方法包含以下步驟h)：以金屬或金屬合金填補在該微機械組件的蝕刻期間所產生並由上部倒角表面、圍壁和下部倒角表面所形成的凹槽，以提供與該微機械組件的接合。
此外，本發明係關於自根據以上變體之任何者的方法得到的微機械組件，其特徵在於該組件包括矽系主體，該矽系主體的實質上直立圍壁經由上部倒角表面而與水平上部表面毗鄰。
有利地，根據本發明，藉由形成具有更縝密美觀修整之組件，該微機械組件的美觀性獲得顯著改良。 此外，實質上直線的倒角表面提供改良的機械強度，特別是藉由降低晶片之分別介於微機械組件的直立圍壁和/或內壁和上部和/或下部表面之間之實質上直角邊緣的可能性。
亦顯然直立圍壁和/或內壁提供減少的接觸表面，提供關於與其他組件之摩擦接觸的改良或與元件沿著微機械組件內壁***之改良。最後，因為倒角表面而使得直立圍壁和/或內壁的下凹區域更開闊，此能夠提高接收黏著劑或潤滑劑的體積容量。
根據本發明之其他的有利變體：-該主體之實質上直立的圍壁亦經由下部倒角表面而與水平下部表面毗鄰；-該微機械組件亦包含至少一個含括實質上直立內壁的凹槽且實質上直立內壁亦包含介於該水平上部和下部表面之間之居間的上部和下部倒角表面；-該至少一個凹槽以金屬或金屬合金至少部分填補以提供與該微機械組件之接合；-該微機械組件形成時計的機芯或外部零件的元件之全部或部分組件。
1‧‧‧遮罩
3‧‧‧基板
4‧‧‧層
5‧‧‧蝕坑
40‧‧‧上部矽層
41‧‧‧矽系基板
42‧‧‧氧化矽層
43‧‧‧遮罩
44‧‧‧下部矽層
45‧‧‧孔
46‧‧‧斜壁
47‧‧‧直立壁
48‧‧‧斜壁
49‧‧‧蝕坑
51‧‧‧蝕刻部
52‧‧‧保護層
53‧‧‧凹槽
101‧‧‧微機械組件
103‧‧‧矽系主體
104‧‧‧水平上部表面
105‧‧‧直立圍壁
106‧‧‧上部倒角表面
107‧‧‧下凹部分
108‧‧‧水平下部表面
109‧‧‧下部倒角表面
110‧‧‧凹槽
111‧‧‧複合的微機械組件
112‧‧‧金屬或金屬合金
113‧‧‧圓柱形凹陷
13‧‧‧步驟
15‧‧‧步驟
17‧‧‧步驟
19‧‧‧步驟
20‧‧‧步驟
21‧‧‧步驟
22‧‧‧步驟
23‧‧‧步驟
24‧‧‧步驟
25‧‧‧步驟
26‧‧‧步驟
27‧‧‧步驟
28‧‧‧步驟
29‧‧‧步驟
30‧‧‧步驟
32‧‧‧步驟
34‧‧‧步驟
由以下不具限制性的描述並參照附圖將明瞭其他特徵和優點，附圖中：-圖1至4係用以解釋本發明之範圍中使用的 "Bosch"深度反應性離子蝕刻的圖解；-圖5至10係根據本發明的第一具體實施例之微機械組件之製造步驟的圖；-圖11至16係根據本發明的第二具體實施例之微機械組件之製造步驟的圖；-圖17係根據本發明的第三具體實施例之微機械組件之製造步驟的圖；-圖18係根據本發明之製法的流程圖。
本發明係關於製造矽系材料製得之微機械組件之方法11。如圖18所示，根據第一具體實施例之方法11以單線圖解說明，包括取得矽系基板的第一步驟13。
"矽系"是指材料包括單晶矽、經摻雜的單晶矽、多晶矽、經摻雜的多晶矽、多孔矽、氧化矽、石英、矽石、氮化矽或碳化矽。當然，當矽系材料為晶相時，可使用任何結晶指向。
基本上，如圖9所示，矽系基板41可為矽在絕緣基板上(亦縮寫為"SOI")，其包含藉居間的氧化矽層42結合的上部矽層40和下部矽層44。但是，或者，該基板可包含添加至另一類型基底(例如，金屬基底)的矽層。
根據第一具體實施例之方法以在該基板41的水平部分上形成有孔45刺穿的遮罩43之步驟15接續。圖9的例子中，遮罩43形成於上部矽層40的上部上。遮 罩43由能夠耐得住方法11未來的蝕刻步驟的材料製得。因此，遮罩43可由氮化矽或由氧化矽製得。圖9的例子中，遮罩43由氧化矽製得。
有利地，根據本發明，根據第一具體實施例之方法11以在蝕刻槽中，在基板41的厚度部分從遮罩43中的孔45蝕刻出預定的斜壁46，以形成微機械組件的上部倒角表面的步驟17接續。
斜蝕刻步驟17並非上述"Bosch"深度反應性離子蝕刻。事實上，步驟17能夠得到更開闊的角度和實質上直線的蝕刻方向，此避免受限於"Bosch"深度反應性離子蝕刻的參數。事實上，通常認為，即使藉由修飾"Bosch"深度反應性離子蝕刻，具曲線蝕刻方向的開放角度無法超過10度。
事實上，如圖5和6可看出，有利地，根據本發明，步驟17係藉由在蝕刻槽中混合SF6蝕刻氣體和C4F8鈍化氣體以形成斜壁46的方式達成。更特定地，連續的SF6蝕刻氣流和C4F8鈍化氣流經脈衝以增進逐漸形成的凹槽的底部之鈍化。
因此瞭解步驟17能夠得到更開闊的角度，基本上在圖5例中約45度，代替使用經最佳參數修飾之"Bosch"深度反應性離子蝕刻所得的最大10度。有利地，根據本發明，步驟17因此可提供準確的開口角度。介於未來的直立壁47和斜壁46之間的角度極易重現且可有利地介於實質上0°和實質上45°之間。如以上的解釋，特別 地，相較於"Bosch"深度反應性離子蝕刻，蝕刻角度可能超過10°，此較為優良。較佳地，根據本發明之介於未來的直立壁47和斜壁46之間的角度大於10°並低於45°，且更佳者，大於20°並低於40°。
此外，使用濕蝕刻或乾蝕刻，例如，僅使用SF6氣體，連續流脈衝得以改良蝕刻方向性，且甚至可提供實質上截錐形壁而非球形壁(有時稱為異向性蝕刻)。
欲得到圖5中的壁46的形狀，例如，可施用圖6的序列。此序列包括500sccm的SF6流與150sccm的C4F8流混合1.2秒的第一階段P1，400sccm的SF6流與250sccm的C4F8流混合0.8秒的第二階段P2，之後再度500sccm的SF6流與150sccm的C4F8流混合1.2秒的第三階段P1，及之後再度400sccm的SF6流與250sccm的C4F8流混合0.8秒的第四階段P2等。
因此注意到連續流脈衝增進逐漸形成的凹槽的底部的鈍化，此將逐漸限制，在步驟17中，可能的蝕坑49開口(此為其深度的函數)和，順便地，在上層40的上部中之較寬的蝕坑49開口直到蝕坑49開口比上層40的上部中的孔45為寬為止，此如圖5所示。
根據第一具體實施例之方法11以蝕刻步驟19接續，在相同蝕刻槽中和使用相同的遮罩43，在基板41的層40的厚度的至少一部分自第一蝕坑49底部蝕刻出實質上直立壁47，以在上部倒角表面的下方形成微機械組件之實質上直立的圍壁。
該實質上直立蝕刻步驟19基本上是上述"Bosch"深度反應性離子蝕刻，即，交替的蝕刻氣流和鈍化氣流在蝕刻槽中，以形成實質上直立壁。
因此，步驟19得以用於相對於遮罩43之實質上直立蝕刻的方向，此如圖7所示，所示者為步驟19之後得到之部。藉此得到的蝕刻部51，其底部實質上形成直角四邊形，其之後進行錐形漸縮處理。
第一具體實施例以微機械組件脫離基板41和遮罩43的步驟21終結。更特定言之，在圖7所示例子中，步驟21可包括脫氧階段22以移除氧化矽遮罩43和，可能地，居間氧化矽層42的一部分，及之後以助力(例如，選擇性化學蝕刻)脫離基板41的脫離階段23。
在圖18中以單線圖解說明之方法11的第一具體實施例可以在相同蝕刻槽中使用兩種不同類型的蝕刻且不須自槽移除基板。立刻明瞭步驟17的斜蝕刻移除介於經蝕刻的直立圍壁和/或內壁與基板41的層40的上部和下部表面之間之實質上直角邊，以在相同基板41上形成一或多個微機械組件。
亦觀察到步驟17的斜蝕刻能夠得到更大的開口角度和實質上直線的蝕刻方向，此避免受限於"Bosch"深度反應性離子蝕刻的參數及後者在步驟19中以最佳直立蝕刻參數使用。
有利地，根據本發明，該微機械組件101製成圖16的例子中的擒縱裝置(pallet)，藉由提供更縝密的 修整，其美觀性獲明顯改良。事實上，相較於圖4，微機械組件101的縝密本質立刻變得明顯。
如由圖8(其為組件101的一部分的放大圖)可更清楚看出者，微機械組件101因此包括矽系主體103，該主體103的直立圍壁105經由上部倒角表面106而與水平上部表面104毗鄰。
因此清楚實質上直線的上部倒角表面106提供改良的機械強度，特別是藉由降低晶片分別介於微機械組件101的直立圍壁和/或內壁105和上部或下部表面104之間之實質上直角邊緣的可能性。
亦清楚看出實質上直立圍壁105提供減少的接觸表面，提供關於與其他組件之摩擦接觸的改良或微機械組件101的兩個實質上直立壁105之間的銷釘式擒縱裝置(pallet-stone)之***之改良。最後，因為上部倒角表面106，所以實質上直立圍壁和/或內壁105的下凹部分更開闊，此能夠提高接收黏著劑或潤滑劑的體積容量，如圖16中見到的下凹部分107的情況，其可用於接收使擒縱叉瓦接合至擒縱叉的材料。
根據本發明的第二具體實施例，方法11以相同特徵和技術效果包含與第一具體實施例相同的步驟13至19。方法11的第二具體實施例另包括圖18中的雙線所示的步驟。
因此，在形成蝕坑51的步驟19之後，第二具體實施例的方法11以在斜壁46和實質上直立壁47上 形成保護層52使得蝕坑51底部沒有任何保護層的步驟25接續，此如圖12所示。
較佳地，保護層52由氧化矽製得。事實上，如圖11和12中所示，步驟25可包含第一階段24，該階段用以氧化基板41的整個頂部，即，遮罩43(當以氧化矽製造時)，和蝕坑51的壁，以在遮罩43上形成增加的厚度和在斜壁46、直立壁47和蝕坑51的底部上形成厚度，以形成保護性氧化矽層52，此如圖11所示。
第二階段26則含括方向性蝕刻保護層52以自遮罩43的一部分和自僅在圖12所示之蝕坑51底部上之保護層52的全部選擇性地移除水平氧化矽表面。
根據第二具體實施例之方法11可以在相同蝕刻槽中蝕刻自步驟19中製得之無任何保護層52的蝕坑51底部在基板41的剩餘厚度中的第二預定斜壁48的步驟27接續，以形成微機械組件的下部倒角表面。
斜蝕刻步驟27，如同步驟17，並非如上述步驟19之"Bosch"深度反應性離子蝕刻。因此，與保護層52合併，步驟27能夠得到明顯較開放的角度和實質上直線的蝕刻方向，此避免受限於"Bosch"深度反應性離子蝕刻的參數。事實上，通常認為，即使藉由修飾"Bosch"深度反應性離子蝕刻，具曲線蝕刻方向的開放角度無法超過10度。
因此，如圖13和15中可見到者，有利地，根據本發明，步驟27係藉由在蝕刻槽中混合SF6蝕刻氣 體和C4F8鈍化氣體以形成第二斜壁48的方式達成。更特定地，連續的SF6蝕刻氣流和C4F8鈍化氣流較佳地經脈衝以增進逐漸形成的凹槽的底部之鈍化。
因此瞭解步驟27能夠得到更開闊的角度，基本上在圖13例中約45度，代替使用經最佳參數修飾之"Bosch"深度反應性離子蝕刻所得的最大10度。有利地，根據本發明，步驟27因此可提供準確的開口角度，無須修飾斜壁46表面和直立壁47。介於直立壁47和斜壁48之間的角度極易重現且可有利地介於實質上0°和實質上45°之間。如以上的解釋，特別地，相較於"Bosch"深度反應性離子蝕刻，蝕刻角度可能超過10°，此較為優良。較佳地，根據本發明之介於直立壁47和斜壁48之間的角度大於10°並低於45°，且更佳者，大於20°並低於40°。
此外，連續流脈衝得以改良蝕刻方向性，且甚至可以濕蝕刻或乾蝕刻(例如，僅使用SF6氣體)提供實質上截錐形壁而非球形壁(有時稱為各向異性蝕刻)。
欲得到圖13中的壁48的形狀，例如，可施用與圖6相反的序列。此序列因此可包括SF6流與C4F8流混合第一段時間的第一階段，之後為以提高的SF6流和降低的C4F8流混合第二段時間的第二階段，及之後再度進行第一和第二階段等。
因此注意到連續流脈衝增進逐漸形成的凹槽的底部的蝕刻，此可能在步驟27中，逐漸寬化蝕坑53開口(此為其深度的函數)和，順便地，得到在上層40的下 部中之較寬的蝕坑53開口直到所得蝕坑53開口比遮罩43中的孔45為寬且比步驟27開始時之蝕坑51底部的截面為寬為止，此如圖13所示，此未修飾先前得到的蝕坑51。
如同第一具體實施例，第二具體實施例以微機械組件脫離基板41的層40和遮罩43的步驟21終結。更特定地，在圖14和15所示例子中，步驟21可包括脫氧階段21以移除氧化矽遮罩43、保護層52和，可能地，圖13中所示居間的氧化矽層42的全部或一部分，及之後以助力(例如，選擇性化學蝕刻)脫離基板41的脫離階段23，此如圖14所示。
圖18中的單和雙線圖解說明方法11的第二具體實施例移除介於經蝕刻的直立圍壁和/或內壁與基板41的層40的上部和下部水平表面之間之實質上直角邊緣，以在相同基板41上形成一或多個微機械組件。
亦可觀察到步驟17和27的斜蝕刻能夠得到更大的開口角度和實質上直線的蝕刻方向，此避免受限於"Bosch"深度反應性離子蝕刻的參數及後者在步驟19中以最佳直立蝕刻參數使用。
有利地，根據本發明，該微機械組件101製成圖16的例子中的表盤棘輪裝置，藉由提供更縝密的修整，其美觀性獲明顯改良。事實上，相較於圖4，微機械組件101在上部表面104和下部表面108二者上的縝密本質立刻變得明顯。
如由圖8和14可更清楚看出者，微機械組件101因此包括矽系主體103，該主體103的直立圍壁105經由上部倒角表面106而與水平上部表面104毗鄰，並經由下部倒角表面109而與水平下部表面108毗鄰。
因此瞭解實質上直線的上部和下部倒角表面106、109提供改良的機械強度，特別是藉由降低晶片之分別介於微機械組件101的直立圍壁和/或內壁105和上部和/或下部水平表面104、108之間之實質上直角邊緣的可能性。
亦清楚顯示直立圍壁105提供減低的接觸表面，提供與其他組件之改良的摩擦接觸或與元件沿著微機械組件內壁的***之改良。
最後，因為上部和下部倒角表面106、109而使得直立圍壁和/或內壁105的下凹部分更開闊，此能夠提高接收黏著劑或潤滑劑的體積容量，此如圖16中可見到的下凹部分107的情況，其可用於接收使銷釘式擒縱裝置接合至擒縱裝置的材料。
根據本發明的第三具體實施例，方法11以相同特徵和技術效果包含與第二具體實施例相同的步驟13至27和階段22。方法11的第三具體實施例另包括圖18中的三線所示的步驟。
因此，在基板41的脫氧階段22之後，根據第三具體實施例的方法11以金屬或金屬合金填補在蝕刻藉上部倒角表面、圍壁和下部倒角表面形成的微機械組件 的17、19和27期間內製造的凹槽，以提供至微機械組件之接合的步驟29接續。
較佳例子中，基板41的下層44經高度摻雜並作為藉電鍍填補的直接或間接基底。因此，步驟29可包括在遮罩43頂部上和蝕坑53的一部分中形成模具(例如，以光敏性樹脂製得)的第一階段30。第二階段32含括自下層44(至少介於該微機械矽系組件和蝕坑53中形成的模具的一部分之間)電鍍金屬零件112。最後，第三階段34含括移除在階段30中形成的模具。
第三具體實施例以複合的微機械組件藉選擇性化學蝕刻脫離基板41的階段23終結。
方法11的第三具體實施例，圖18中的單、雙和三線所示，移除分別介於直立圍壁和/或內壁及基板41的上部和下部水平表面之間的實質上直角邊緣以在相同基板41上形成一或多個複合的矽系和金屬微機械組件111。
亦可觀察到步驟17和27的斜蝕刻能夠得到明顯較大的開口角度和實質上直線方向的蝕刻，此避免受限於"Bosch"深度反應性離子蝕刻的參數及後者在步驟19中以最佳直立蝕刻參數使用。
有利地，根據本發明，該複合的微機械組件能夠製成圖16例中的表盤棘輪裝置，藉由提供更縝密的修整，其美觀性獲明顯改良。事實上，相較於圖4，複合的微機械組件111在上部表面104和下部表面108二者上 的縝密本質立刻變得明顯。
如由圖17可更清楚顯示者，複合的微機械組件111因此包括矽系主體103，該主體103的直立圍壁105經由上部倒角表面106而與水平上部表面104毗鄰，並再經由下部倒角表面109而與水平下部表面108毗鄰。
因此瞭解實質上直線的上部和下部倒角表面106、109提供改良的機械強度，特別是藉由降低晶片分別介於複合的微機械組件111的直立圍壁和/或內壁105和上部和/或下部水平表面104、108之間之實質上直角邊緣的可能性。
亦清楚顯示直立圍壁105提供減低的接觸表面，提供與其他組件之改良的摩擦接觸。此外，因為上部和下部倒角表面106、109而使得直立圍壁和/或內壁105的下凹部分更開闊，此能夠提高接收金屬或金屬合金零件的體積容量，此如圖16中可見到的下凹部分107的情況，其可在電鍍步驟29期間內經填補。因此瞭解電澱積將無法移除，因為倒角表面106、109和下凹部分107的形狀，且甚至因高耐切剪性而受益。
最後，至少一個凹槽110，形成內壁，至少部分以金屬或金屬合金112填補以接合至複合的微機械組件111。因此，在圖17例中，凹槽110將留下圓柱形凹陷113，使得當金屬或金屬合金零件112藉倒角表面106、109的形狀和可能的下凹部分107之助而膨脹時，複合的微機械組件111以非常良好的機械強度被帶到元件(例 如，芯夾)上。
當然，本發明不限於所示實例，而是能夠作出嫻於此技術之人士想得到的各種變化和修飾。特別地，氧化步驟20、28，用以使得矽壁平滑，可分別在介於步驟19和21之間或介於步驟27和21之間進行。
此外，金屬或金屬合金零件112甚至可以在步驟29中重疊於蝕坑53上以形成僅由金屬或金屬合金製得之複合的微機械組件111的額外功用。
最後，微機械組件101或複合的微機械組件111不限於施用於圖16所示的表盤棘輪裝置。因此，微機械組件101或複合的微機械組件111可形成時計的機芯或外部零件的元件之全部或部分組件。
藉非限制例，微機械組件101或複合的微機械組件111可因此形成游絲、衝針、擺輪、芯夾、滾軸、擒縱裝置(如擒縱叉軸(pallet-staff)、齒輪掣子桿(pallet-lever)、擒縱叉(pallet-fork)、銷釘式擒縱裝置或保護銷(guard pin))、擺輪組(如擺輪、芯夾(arbor)或分輪(pinion))、條板(bar)、錶盤、自動盤(oscillating weight)、上鏈柄軸(winding stem)、軸承、錶殼(如中殼(case middle)或horn、撥盤(dial)、軸盤(flange)、錶圈(bezel)、計時器(push-piece)、錶冠(crown)、背殼(case back)、指針(hand)、錶鏈(bracelet)(如，鏈帶(link))、裝飾、貼飾、水晶、扣環、刻度盤面(dial foot)、撥針柄軸(setting stem)或計時器軸(push-piece shaft)的全部或一部 分。
101‧‧‧微機械組件
103‧‧‧矽系主體
104‧‧‧水平上部表面
105‧‧‧直立圍壁
106‧‧‧上部倒角表面
107‧‧‧下凹部分

Claims (14)

  1. 一種用於製造由矽系材料製得之微機械組件(101，111)之方法(11)，其包含以下步驟：a)取得矽系基板(40)；b)在該基板(40)的水平部分上形成有孔(45)刺穿的遮罩(43)；c)在蝕刻槽中，在基板(40)的厚度部分從遮罩(43)中的孔(45)蝕刻出預定的斜壁(46)，以形成該微機械組件(101，111)的上部倒角表面(106)；d)在蝕刻槽中，在該基板(40)的厚度的至少一部分中，自步驟c)中製得的蝕坑(49)底部蝕刻出實質上直立壁(47)，以於上部倒角表面(106)的下方形成該微機械組件(101，111)的圍壁(105)；e)使該微機械組件(101，111)脫離該基板(40)和該遮罩(43)。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法(11)，其中步驟c)係藉由使蝕刻氣體和鈍化氣體在蝕刻槽中混合以形成預定斜壁(46)的方式達成。
  3. 如申請專利範圍第2項之方法(11)，其中在步驟c)中，連續的蝕刻氣流和鈍化氣流係經脈衝以增進底部處的鈍化。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法(11)，其中步驟d)係藉由在蝕刻槽中交替使用蝕刻氣流和鈍化氣流以形成實質上直立壁(47)的方式達成。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法(11)，其中在步驟d)和步驟e)之間，該方法另包含以下步驟：f)在預定斜壁(46)和實質上直立壁(47)上形成保護層(52)，並讓步驟d)中製得的蝕坑(51)底部沒有任何保護層；g)在該蝕刻槽中，在該基板(40)的殘留厚度中，自步驟d)中製得之無任何保護層的蝕坑(51)底部蝕刻出第二個預定的斜壁(48)，以形成微機械組件(101，111)之下部倒角表面(109)。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法(11)，其中步驟g)係藉由在蝕刻槽中混合蝕刻氣體和鈍化氣體以形成第二預定斜壁(48)的方式達成。
  7. 如申請專利範圍第6項之方法(11)，其中在步驟g)中，連續的蝕刻氣流和鈍化氣流係經脈衝以增進底部處的蝕刻。
  8. 如申請專利範圍第5項之方法(11)，其中該步驟f)包含以下階段：f1)將預定斜壁(46)和實質上直立壁(47)加以氧化以形成保護性氧化矽層(52)；f2)方向性蝕刻該保護性氧化矽層(52)以選擇性地自步驟d)中製造的蝕坑(51)底部僅移除保護層(52)的部分。
  9. 如申請專利範圍第5項之方法(11)，其中在步驟e)之前，該方法(11)包含以下步驟：h)以金屬或金屬合金填補在該微機械組件(101， 111)的蝕刻期間所產生並由上部倒角表面(106)、圍壁(105)和下部倒角表面(109)所形成的凹槽(53)，以提供與該微機械組件(101，111)的接合。
  10. 一種自申請專利範圍第1項之方法得到的微機械組件(101，111)，其中該微機械組件包含矽系主體(103)，該主體的實質上直立圍壁(105)經由上部倒角表面(106)而與水平上部表面(104)毗鄰。
  11. 如申請專利範圍第10項之微機械組件(101，111)，其中該主體(103)的實質上直立圍壁(105)亦經由下部倒角表面(109)而與水平下部表面(108)毗鄰。
  12. 如申請專利範圍第10項之微機械組件(101，111)，其中該微機械組件另包含至少一個含括實質上直立內壁的凹槽(110)且該實質上直立內壁亦包含介於水平上部和下部表面之間之居間的上部和下部倒角表面。
  13. 如申請專利範圍第12項之微機械組件(101，111)，其中該至少一個凹槽(110)以金屬或金屬合金(112)至少部分填補以提供與該微機械組件(101，111)之接合。
  14. 如申請專利範圍第10至13項中任一項之微機械組件(101，111)，其中該微機械組件(101，111)形成時計的機芯或外部零件的元件之全部或部分。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10818625B1 (en) 2019-06-19 2020-10-27 Nanya Technology Corporation Electronic device
TWI727285B (zh) * 2019-03-22 2021-05-11 瑞士商尼瓦克斯 法爾公司 矽游絲的製造方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107934905B (zh) * 2017-11-24 2020-02-28 中国矿业大学 一种微机电***的运动部件及其加工方法
EP3543795A1 (fr) * 2018-03-20 2019-09-25 Patek Philippe SA Genève Procede de fabrication de composants horlogers en silicium
CH715242A2 (fr) 2018-08-09 2020-02-14 Nivarox Sa Composant notamment horloger avec une topologie de surface et son procédé de fabrication.
EP3709102B1 (fr) * 2019-03-14 2024-07-10 Omega SA Composant d'horlogerie ou de bijouterie a base ceramique et a decor structure
JP6908064B2 (ja) * 2019-03-14 2021-07-21 セイコーエプソン株式会社 時計用部品、時計用ムーブメントおよび時計
EP3764169B1 (fr) * 2019-07-10 2023-03-15 Patek Philippe SA Genève Procede pour depolir par endroits un composant horloger en silicium
JP7238657B2 (ja) * 2019-07-16 2023-03-14 セイコーエプソン株式会社 時計用部品、時計用ムーブメントおよび時計
TW202129077A (zh) * 2019-10-11 2021-08-01 日商聯合精密科技股份有限公司 金屬加工部件及其製造方法、具備該金屬加工部件的部件搭載模組
US11712766B2 (en) * 2020-05-28 2023-08-01 Toyota Motor Engineering And Manufacturing North America, Inc. Method of fabricating a microscale canopy wick structure having enhanced capillary pressure and permeability

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH065566A (ja) * 1992-06-17 1994-01-14 Sony Corp 順テーパー形状を得るエッチング方法
CH698837B1 (fr) 2003-02-06 2009-11-13 Eta Sa Mft Horlogere Suisse Spiral de résonateur balancier-spiral et son procédé de fabrication.
EP1557875A1 (en) * 2003-12-29 2005-07-27 STMicroelectronics S.r.l. Process for forming tapered trenches in a dielectric material
EP1955346B8 (en) * 2005-11-28 2011-09-21 ABB Research Ltd. Contact configurations for mems relays and mems switches and method for making same
US7829465B2 (en) * 2006-08-09 2010-11-09 Shouliang Lai Method for plasma etching of positively sloped structures
EP1921042A1 (fr) * 2006-11-10 2008-05-14 ETA SA Manufacture Horlogère Suisse Procédé de fabrication de pièces de micromécanique multiniveaux en silicium et pièces ainsi obtenues
EP2235742B1 (en) * 2007-12-21 2020-02-12 Solvay Fluor GmbH Process for the production of microelectromechanical systems
US20100013060A1 (en) * 2008-06-22 2010-01-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming a conductive trench in a silicon wafer and silicon wafer comprising such trench
CH699476B1 (fr) * 2008-08-29 2013-03-28 Patek Philippe Sa Geneve Procédé de fabrication d'un composant horloger en silicium.
EP2189854A1 (fr) * 2008-11-21 2010-05-26 Nivarox-FAR S.A. Procédé de fabrication d'une pièce de micromécanique
EP2230207A1 (fr) * 2009-03-13 2010-09-22 Nivarox-FAR S.A. Moule pour galvanoplastie et son procédé de fabrication
EP2263971A1 (fr) * 2009-06-09 2010-12-22 Nivarox-FAR S.A. Pièce de micromécanique composite et son procédé de fabrication
US8847400B2 (en) * 2010-09-15 2014-09-30 Ps4 Luxco S.A.R.L. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and data processing device
EP2484628A1 (fr) * 2011-02-03 2012-08-08 Nivarox-FAR S.A. Pièce de micromécanique à faible ruguosité de surface
JP5613620B2 (ja) * 2011-05-27 2014-10-29 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
US8481341B2 (en) * 2011-11-05 2013-07-09 Tokyo Electron Limited Epitaxial film growth in retrograde wells for semiconductor devices
FR2984594A1 (fr) * 2011-12-20 2013-06-21 St Microelectronics Crolles 2 Procede de realisation d'une tranchee profonde dans un substrat de composant microelectronique
CN103578967A (zh) * 2012-07-19 2014-02-12 上海华虹Nec电子有限公司 改善沟槽型igbt 栅极击穿能力的制备方法
US8765609B2 (en) * 2012-07-25 2014-07-01 Power Integrations, Inc. Deposit/etch for tapered oxide
CN103035561B (zh) * 2012-08-31 2015-04-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 深沟槽顶部倾斜角形成的工艺方法
JP5725052B2 (ja) * 2013-02-01 2015-05-27 セイコーエプソン株式会社 ノズルプレートの製造方法及び流体噴射ヘッドの製造方法
JP6025201B2 (ja) * 2013-02-22 2016-11-16 セイコーインスツル株式会社 回転部品、ムーブメント、時計、及び回転部品の製造方法
CH708453B1 (fr) * 2013-08-20 2017-05-15 Sigatec Sa Procédé de fabrication d'une pièce de micro-mécanique et pièce fabriquée à l'aide de ce procédé.
CN103456620B (zh) * 2013-09-11 2016-03-02 中微半导体设备(上海)有限公司 半导体结构的形成方法
US9496337B2 (en) * 2013-12-19 2016-11-15 Infineon Technologies Austria Ag Method for producing a semiconductor device having a beveled edge termination

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI727285B (zh) * 2019-03-22 2021-05-11 瑞士商尼瓦克斯 法爾公司 矽游絲的製造方法
US10818625B1 (en) 2019-06-19 2020-10-27 Nanya Technology Corporation Electronic device
TWI716054B (zh) * 2019-06-19 2021-01-11 南亞科技股份有限公司 電子裝置

Also Published As

Publication number Publication date
RU2016125516A (ru) 2017-12-26
EP3109199B1 (fr) 2022-05-11
US20160378064A1 (en) 2016-12-29
EP3109199A1 (fr) 2016-12-28
JP2017007086A (ja) 2017-01-12
RU2710522C1 (ru) 2019-12-26
TWI736533B (zh) 2021-08-21
JP6381586B2 (ja) 2018-08-29
CN106276779A (zh) 2017-01-04
CN106276779B (zh) 2019-04-16
US10197973B2 (en) 2019-02-05

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