TW201712420A - 畫素結構 - Google Patents

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Abstract

一種畫素結構，包括掃描線、資料線、分享訊號線、主動元件、第一畫素電極、第二畫素電極、分享開關元件、第一分享電容器以及第二分享電容器。分享訊號線平行於掃描線設置。第一畫素電極與主動元件電性連接。第二畫素電極與第一畫素電極分離開來且與主動元件電性連接。分享開關元件與分享訊號線以及主動元件電性連接。第一分享電容器包括上電極以及下電極，彼此重疊設置。上電極與分享開關元件電性連接。第二分享電容器包括第一電極以及第二電極，彼此重疊設置。第一電極與第一畫素電極電性連接，且第二電極與分享開關元件電性連接。

Description

畫素結構
本發明是有關於一種畫素結構，且特別是有關於一種顯示面板的畫素結構。
隨著光電與半導體技術上的進步，其帶動了平面顯示器之蓬勃發展。在諸多平面顯示器中，液晶顯示器由於因具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及低電磁干擾等優越特性，因而成為市場之主流。目前，液晶顯示器在顯示畫面時通常具備廣視角的特性，以滿足多位使用者同時觀看同一台顯示裝置的需求。然而，具備廣視角特性之顯示器所存在的色偏（color washout）現象也是為人所詬病。為了解決色偏之問題，現有技術上的畫素結構之設計會降低顯示面板的開口率(aperture ratio)或帶來影像殘留的問題(image sticking)。因此，如何克服上述問題並兼顧顯示開口率以及廣視角顯示效果，為目前所欲研究的主題。
本發明提供一種畫素結構，可用以解決色偏以及影像殘留的問題，且可同時提高顯示開口率並兼顧廣視角的顯示效果。
本發明的畫素結構包括掃描線、資料線、分享訊號線、主動元件、第一畫素電極、第二畫素電極、分享開關元件、第一分享電容器以及第二分享電容器。分享訊號線於掃描線設置。主動元件與掃描線以及資料線電性連接。第一畫素電極與主動元件電性連接。第二畫素電極與第一畫素電極分離開來且與主動元件電性連接。分享開關元件與分享訊號線以及主動元件電性連接。第一分享電容器包括上電極以及下電極。上電極以及下電極彼此重疊設置，其中，上電極與分享開關元件電性連接。第二分享電容器包括第一電極以及第二電極。第一電極以及第二電極彼此重疊設置，其中，第一電極與第一畫素電極電性連接，且第二電極與分享開關元件電性連接。
基於上述，本發明的畫素結構包括有上電極以及下電極彼此重疊設置的第一分享電容器，以及第一電極以及第二電極彼此重疊設置的第二分享電容器。因此，本發明的畫素結構可用以解決色偏以及影像殘留的問題，且可同時提高顯示開口率並兼顧廣視角的顯示效果。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1為本發明一實施例的顯示面板之剖面示意圖。請參照圖1，顯示面板100包括畫素陣列基板110、對向基板120以及顯示介質130。顯示面板100例如是液晶顯示面板或是其他形式之顯示面板。
畫素陣列基板110包括基板sub1以及畫素陣列PA。基板sub1之材質可為玻璃、石英、有機聚合物或是金屬等等。畫素陣列PA配置在基板sub1上，且畫素陣列PA包括多個畫素結構。關於畫素結構之設計將於後文中詳細地描述。
對向基板120位於畫素陣列基板110的對向側。對向基板120包括基板sub2以及電極層EL。基板sub2之材質可為玻璃、石英或有機聚合物等等。電極層EL是全面地覆蓋於基板sub2上。電極層EL為透明導電層，其材質包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物或者是銦鋅氧化物。
顯示介質130位於畫素陣列基板110與對向基板120之間。當顯示面板100為液晶顯示面板時，顯示介質130例如是液晶分子。畫素陣列基板110與對向基板120之間設置有多個間隙物SP。間隙物SP與畫素陣列基板110以及對向基板120接觸以維持適當的晶穴間隙。特別是，間隙物SP是設置在畫素陣列PA的各個畫素結構中。
圖2為本發明一實施例的畫素結構示意圖。為了清楚地說明本發明之實施例，圖2僅繪示出圖1之畫素陣列PA的其中一個畫素結構，此領域技術人員應可以理解，圖1之畫素陣列PA實際上即是由多個圖2所示之畫素結構組成陣列形式所構成。請參考圖2，畫素結構200包括掃描線SL、資料線DL、分享訊號線SgL、主動元件TFT、第一畫素電極PE1、第二畫素電極PE2、分享開關元件SWE、第一分享電容器SC1以及第二分享電容器SC2。
在本實施例中，掃描線SL與資料線DL彼此交越設置。換言之，掃描線SL的延伸方向與資料線DL的延伸方向不平行，較佳的是，掃描線SL的延伸方向與資料線DL的延伸方向垂直。另外，分享訊號線SgL平行於掃描線SL設置。基於導電性的考量，掃描線SL、資料線DL與分享訊號線SgL一般是使用金屬材料。然，本發明不限於此，根據其他實施例，掃描線SL、資料線DL與分享訊號線SgL也可以使用其他導電材料。例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料、或是金屬材料與其它導材料的堆疊層。另外，遮光圖案層(未繪示)是對應於掃描線SL以及資料線DL設置，並用以防止漏光。
主動元件TFT可以是底部閘極型薄膜電晶體或是頂部閘極型薄膜電晶體。主動元件TFT與掃描線SL以及資料線DL電性連接。主動元件TFT包括閘極G、源極S、第一汲極D1、第二汲極D2以及通道(未繪示)。閘極G與掃描線SL連接，且源極S位於閘極G上方。第一汲極D1對應源極S設置，且與第一畫素電極PE1電性連接。第二汲極D2對應源極S設置，且與第二畫素電極PE2電性連接。在本實施例中，第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2是以塊狀電極來表示，但不限於此。舉例來說，第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2亦可以是具有狹縫圖案的電極。
第一畫素電極PE1是與主動元件TFT電性連接。特別是，第一接觸窗CW1位於主動元件TFT之第一汲極D1與第一畫素電極PE1之間以使兩者電性連接。第二畫素電極PE2與第一畫素電極PE1分離開來且與主動元件TFT電性連接。特別是，第二接觸窗CW2位於主動元件TFT之第二汲極D2與第二畫素電極PE2之間以使兩者電性連接，其中，第一接觸窗CW1以及第二接觸窗CW2位於掃描線SL的同一側。另外，第一接觸窗CW1與第二接觸窗CW2位於掃描線SL以及分享訊號線SgL之間。再者，第一畫素電極PE1與分享訊號線SgL部分重疊，而第二畫素電極PE2與掃描線SL部分重疊。
在本實施例中，分享開關元件SWE與分享訊號線SgL以及主動元件TFT電性連接。分享開關元件SWE包括閘極Ga、源極Sa、汲極Da以及通道(未繪示)。
第一分享電容器SC1包括上電極TE以及下電極BE。上電極TE以及下電極BE彼此重疊設置，其中，上電極TE與分享開關元件SWE電性連接。另外，間隙物SP是對應設置在第一分享電容器SC1的上方，因此可達到節省空間之優點。
第二分享電容器SC2包括第一電極FE以及第二電極SE，且第一電極FE以及第二電極SE彼此重疊設置。第一電極FE與第一畫素電極PE1電性連接，且第一電極FE與第一畫素電極PE1可為同一層。第二電極SE與分享開關元件SWE電性連接。另外，第二分享電容器SC2更包括第三電極TdE。第三電極TdE與第二電極SE重疊設置。第三電極TdE與掃描線SL電性連接，且第三電極TdE與掃描線SL可為同一層。
在本實施例中，畫素結構200更包括共用電極圖案CEP與第一畫素電極PE1以及第二畫素電極PE2重疊設置，以形成第一儲存電容器以及第二儲存電容器。另外，第一分享電容器SC1之下電極BE與共用電極圖案CEP連接，且下電極BE與共用電極圖案CEP可為同一層。承上所述，畫素結構200中第一分享電容器SC1以及第二分享電容器SC2之設計可用以解決色偏以及影像殘留的問題，並且可同時提高顯示開口率並兼顧廣視角的顯示效果。
圖3為本發明另一實施例的畫素結構示意圖。接著，請參考圖3進行說明。圖3的畫素結構300與圖2的畫素結構200類似，因此相同元件以相同標號表示，且不予贅述。圖3的畫素結構300與圖2的畫素結構200的差異在於，畫素結構300的第二分享電容器SC2不包括第三電極TdE。相對的，畫素結構300的第二分享電容器之第二電極SE更包括延伸部EP，而延伸部EP與掃描線SL重疊設置。承上所述，畫素結構300中第一分享電容器SC1以及第二分享電容器SC2之設計可用以解決色偏以及影像殘留的問題，並且可同時提高顯示開口率並兼顧廣視角的顯示效果。
綜上所述，本發明畫素結構包括有上電極TE以及下電極BE彼此重疊設置的第一分享電容器SC1，以及第一電極FE以及第二電極SE彼此重疊設置的第二分享電容器SC2。另外，第一畫素電極PE1與分享訊號線SgL部分重疊，而第二畫素電極PE2與掃描線SL部分重疊。因此，本發明的畫素結構設計可用以解決色偏以及影像殘留的問題，並且可同時提高顯示開口率並兼顧廣視角的顯示效果。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧顯示面板
110‧‧‧畫素陣列基板
120‧‧‧對向基板
130‧‧‧顯示介質
200、300‧‧‧畫素結構
Sub1、Sub2‧‧‧基板
PA‧‧‧畫素陣列
EL‧‧‧電極層
SP‧‧‧間隙物
SL‧‧‧掃描線
DL‧‧‧資料線
SgL‧‧‧分享訊號線
TFT‧‧‧主動元件
G、Ga‧‧‧閘極
S、Sa‧‧‧源極
Da‧‧‧汲極
D1‧‧‧第一汲極
D2‧‧‧第二汲極
PE1‧‧‧第一畫素電極
PE2‧‧‧第二畫素電極
CW1‧‧‧第一接觸窗
CW2‧‧‧第二接觸窗
SWE‧‧‧分享開關元件
SC1‧‧‧第一分享電容器
SC2‧‧‧第二分享電容器
TE‧‧‧上電極
BE‧‧‧下電極
FE‧‧‧第一電極
SE‧‧‧第二電極
TdE‧‧‧第三電極
CEP‧‧‧共用電極圖案
EP‧‧‧延伸部
圖1為本發明一實施例的顯示面板之剖面示意圖。 圖2為本發明一實施例的畫素結構示意圖。 圖3為本發明另一實施例的畫素結構示意圖。
200‧‧‧畫素結構
SP‧‧‧間隙物
SL‧‧‧掃描線
DL‧‧‧資料線
SgL‧‧‧分享訊號線
TFT‧‧‧主動元件
G、Ga‧‧‧閘極
S、Sa‧‧‧源極
Da‧‧‧汲極
D1‧‧‧第一汲極
D2‧‧‧第二汲極
PE1‧‧‧第一畫素電極
PE2‧‧‧第二畫素電極
CW1‧‧‧第一接觸窗
CW2‧‧‧第二接觸窗
SWE‧‧‧分享開關元件
SC1‧‧‧第一分享電容器
SC2‧‧‧第二分享電容器
TE‧‧‧上電極
BE‧‧‧下電極
FE‧‧‧第一電極
SE‧‧‧第二電極
TdE‧‧‧第三電極
CEP‧‧‧共用電極圖案

Claims (11)

  1. 一種畫素結構，包括： 一掃描線以及一資料線； 一分享訊號線，平行該掃描線設置； 一主動元件，與該掃描線以及該資料線電性連接； 一第一畫素電極，與該主動元件電性連接； 一第二畫素電極，與該第一畫素電極分離開來且與該主動元件電性連接； 一分享開關元件，與該分享訊號線以及該主動元件電性連接； 一第一分享電容器，其包括一上電極以及一下電極，且該上電極以及該下電極彼此重疊設置，其中該上電極與該分享開關元件電性連接；以及 一第二分享電容器，其包括一第一電極以及一第二電極，且該第一電極以及該第二電極彼此重疊設置，其中該第一電極與該第一畫素電極電性連接，且該第二電極與該分享開關元件電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第二分享電容器更包括一第三電極，該第三電極與該第二電極重疊設置，且該第三電極與該掃描線電性連接。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第二分享電容器之該第二電極更包括一延伸部，該延伸部與該掃描線重疊設置。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，更包括一遮光圖案層，對應該掃描線以及該資料線設置。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，更包括一間隙物，對應設置在該第一分享電容器的上方。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該主動元件包括： 一閘極，與該掃描線連接； 一源極，位於該閘極上方； 一第一汲極，對應該源極設置，且與該第一畫素電極電性連接； 一第二汲極，對應該源極設置，且與該第二畫素電極電性連接。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的畫素結構，更包括： 一第一接觸窗，位於該第一汲極與該第一畫素電極之間以使兩者電性連接；以及 一第二接觸窗，位於該第二汲極與該第二畫素電極之間以使兩者電性連接，其中該第一接觸窗以及該第二接觸窗位於該掃描線的同一側。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的畫素結構，其中該第一接觸窗與該第二接觸窗位於該掃描線以及該分享訊號線之間。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的畫素結構，其中該第一畫素電極與該分享訊號線部分重疊，且該第二畫素電極與該掃描線部分重疊。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，更包括一共用電極圖案，與該第一畫素電極以及該第二畫素電極重疊設置，以形成一第一儲存電容器以及一第二儲存電容器。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的畫素結構，其中該第一分享電容器之該下電極與該共用電極圖案連接。
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