TW201643984A - 舉升銷以及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

於執行關於晶圓的磊晶製程的製程腔室中，舉升銷穿過製程腔室中其上置有晶圓的承載盤的孔洞以支持晶圓，並且具有以玻璃碳材料形成的表面。

Description

舉升銷以及其製造方法
本發明關於舉升銷以及其製造方法，且更具體地，關於一種舉升銷以及其製造方法，於對晶圓進行的磊晶製程（epitaxial process）當中，該舉升銷穿過其上放置有晶圓的承載盤的孔洞以支撐晶圓。
通常，半導體器件可藉著於晶圓的基底（包含矽氧樹脂材料的薄型單晶基板）上執行以下製程而製造：FAB製程，其為於晶圓上形成具有電路圖案的多個晶片；接合製程，其為電連接透過FAB製程而製造的各個晶片；封膜製程，其保護使與基板連接的晶片不受外部影響；以及其他類似製程。在此，晶圓的提供方式為：薄削柱狀晶圓棒，其次執行使晶圓表面光滑化的拋光製程。
最近，由於半導體器件得到高度地整合，因此僅透過於晶圓表面上執行拋光製程的方式難以降低其表面粗糙度。因而難以於晶圓上實現細線寬度的電路圖案，特別是約12奈米至16奈米者。因此，對該些於其上執行了拋光製程的晶圓來進一步地執行磊晶製程，使得晶圓的表面粗糙度降低到約30%或甚至約50%的水平。
於此藉由使用磊晶設備執行磊晶製程，該磊晶設備包括：製程腔室，其內注入有矽烷氣體；承載盤，其上置有晶圓，且該晶圓上完整地於製程腔室當中進行了拋光製程；舉升銷，於穿過承載盤的孔洞時被驅動而上下移動，以放置晶圓於承載盤上、或是使晶圓自承載盤分離；以及加熱器，其提供製程腔室內部熱能，以使晶圓加熱至約為1000°C至1400°C之溫度。
更具體地說，磊晶製程以下述方式執行：提供至製程腔室中的矽烷氣體，透過來自加熱器的熱能而與晶圓表面產生反應以長晶，其次，進行長晶，以填補晶圓表面的空隙。因此，約數微米的薄膜形成於晶圓表面上，因此降低了晶圓的表面粗糙度，或是移除了晶圓上的缺陷以得到高品質晶圓。於此，當磊晶製程執行時，以加熱器方式加熱的晶圓達到約1000°C至1400°C，也因此微小彎曲現象必然會發生。
由於舉升銷直接接觸並支撐晶圓時會發生彎曲現象，所以舉升銷可能會在發生彎曲現象的晶圓上產生刮痕。進一步地，舉升銷是沿著承載盤往上／下移動方式而被驅動，因此會因為舉升銷與承載盤之間的摩擦產生震動，而刮痕、凹痕、掉落或是其他類似情況也可能發生。晶圓因刮痕、凹痕、掉落或其他類似情況而損傷，而晶圓的損傷引起粉塵的產生，因此，晶圓的表面品質可能會惡化。並且，以磊晶製程而在晶圓表面上所形成的薄膜之品質可能會惡化。
本發明揭露提供了一種舉升銷，能夠穩定地支撐發生彎曲現象的晶圓，從而能夠保持原有的晶圓品質。
本發明揭露提供一種舉升銷的製造方法。
本發明根據一示範實施例之樣態為：一種舉升銷，其穿過其上置有晶圓的承載盤的孔洞以支撐晶圓，前述承載盤置於製程腔室中，該製程腔室當中執行晶圓的磊晶製程，前述舉升銷的表面以玻璃碳材料形成，前述舉升銷包括：銷頭，配置於前述舉升銷的上部，前述上部接觸晶圓；軸桿，穿過前述承載盤的前述孔洞；以及銷頸，該銷頸包含介於前述銷頭與前述軸桿之間的外周表面，該外周表面傾斜地形成而使自前述銷頭至前述軸桿逐漸變窄。
前述舉升銷之構造中的基底構件以玻璃碳塗佈於陶瓷而形成。
前述銷頭具有和晶圓接觸並呈圓形形狀之部位。
前述銷頭中的前述和晶圓接觸之接觸部位具有約11mm至約17mm之曲率半徑（R）。
前述銷頸的傾角為相對於形成在前述孔洞之上端部的傾角的正負5度範圍內。
前述軸桿的外徑小於前述孔洞的直徑約2%到約10%。
前述銷頭、前述軸桿和前述銷頸具有粗糙度約0.1微米到約0.5微米之表面。
本發明根據另一示範實施例之樣態為：一種製造舉升銷的方法，前述舉升銷穿過設置有晶圓的承載盤的孔洞以支撐晶圓，前述承載盤置於製程腔室內，該製程腔室中進行晶圓的磊晶製程，前述方法包含：準備基底之步驟，該基底包括具由玻璃碳材料構成之表面並和晶圓接觸以支撐晶圓之銷頭、穿過前述承載盤中的前述孔洞之軸桿、形成於前述銷頭和前述軸桿之間的銷頸；以及於晶圓的表面上執行鏡面處理之步驟。
前述執行鏡面處理之步驟當中，前述基底的表面被拋光至約 0.1微米 到約0.5微米之粗糙度。
前述準備基底之步驟當中，是用塗布玻璃碳於由陶瓷形成的基底構件的方式，來準備前述基部。
下面將配合附錄圖式詳細敘述示範實施例。本發明可以不同形式實施而不應被限定為此處的實施例內容。更確切地說，此些實施例僅為使本揭露徹底以及完整，並且對所屬領域技術者完全表達本發明的範圍。
應理解的是，當一元件被引述為與另一元件或一層之上；或是與其連接時，其可直接地位於該另一者之上，或是存在著一或多個中間層、膜、區域、片。或者，應理解地是，當一元件被引述為直接地置於或是當一元件被引述為直接地被置於另一元件之上或是與其連接時，於其間不會再存在其他元件。應理解的是，雖然在此使用「第一」、「第二」、「第三」等用語來形容不同的物件，例如不同的元件、組成、區域、層、以及／或部分，而此些物件不應被此些詞語所限定。
於接下來的敘述中，技術詞語僅使用於解釋特定的示範實施例，而非限定本發明。此處使用的所有詞語（包括技術與科學詞語）除了另行定義者以外，皆具有與本發明示範實施例的所屬領域技術者普遍所認知的相同意義。此外更應理解的是，諸如於普遍使用的字典中所定義的詞語，應該被解讀為與相關領域背景的含意一致，除非有明確地另行定義，否則不應該被解讀為或於理想化或是過度制式的意義。
配合參照較佳實施例的示意圖來敘述本發明實施例。就此而言，呈現結果與敘述形狀有所變化（例如製造工藝，以及／或公差）是可預料的。因此，本發明的示範實施例並不應該限定為此處描述的區域的形狀，而是可能包括經例如製造而導致的的形變。因此，於圖式中所繪製的區域為性質上示意，其形狀不需要繪製實際裝置的區域的形狀，也並不限定本發明的範圍。
圖1為繪製一磊晶裝置（epitaxial apparatus），其安裝有根據一示範實施例的舉升銷。
參照圖1，磊晶裝置100包括製程腔室200、加熱器300、上遮罩400、下遮罩500、承載盤600、舉升銷700，以及銷驅動組件800。
製程腔室200提供對晶圓執行磊晶製程的空間，而晶圓10上已執行過拋光製程。製程腔室200可包括：於其一側部的氣體供給組件210，氣體供給組件210噴射矽烷氣體以用於磊晶製程反應；以及氣體排放組件220。
加熱器300放置於製程腔室200中。加熱器300提供磊晶製程中的反應所用的熱能給晶圓10。更明確地說，加熱器300提供熱能，使晶圓10被加熱到約1000°C至約1400°C的磊晶製程之製程溫度。加熱器300置於製程腔室200中，因此實質上難以替換。因此，加熱器300可為具有長壽命並透過光提供均勻熱能的鹵素燈。此外，可提供多個加熱器300於製程腔室200內的上／下部，以便實質地供給熱能至晶圓10的上部以及下部。
於製程腔室200當中，上遮罩400以及下遮罩500為分別地置於：製程腔室200的上部所置的加熱器300之下；以及於製程腔室200的下部所置的加熱器300之上，以將晶圓10自多個加熱器300隔離。於此，上遮罩400與下遮罩500以一透明材料形成，使得由加熱器300產生的光可穿透之。更明確地說，上遮罩400以及下遮罩500可由石英材料形成。於此，上遮罩400的側部以及下遮罩500的側部均氣密性地連接至氣體供給組件210以及氣體排放組件220。因此，可避免矽烷氣體以外的諸氣體被導入至執行晶圓10的磊晶製程的空間中。
承載盤600置於製程腔室200內，更明確地說，介於上遮罩400以及下遮罩500之間，以於執行磊晶製程時支撐晶圓10。因此，乘載盤600可以具較高硬度以及較高熱傳導性的碳化矽（SiC）材料形成，使得由加熱器300的熱能可穩定地傳導至晶圓10。更明確地說，承載盤600可形成為具由石墨材料形成並且塗布有碳化矽（SiC）的基底構件之結構，以求製造效率。承載盤600藉由支撐機制610而被支撐並固定於預定的高度上。
舉升銷700將晶圓10置於承載盤600之上，或是支撐晶圓10，以於穿過垂直形成於承載盤600的孔洞620時，使晶圓10自承載盤600上分離。於此，為了穩定地支撐晶圓10，舉升銷700可配置在三處以上穿過承載盤600的孔洞620。
銷驅動組件800連接至舉升銷700的下部，以提供線形驅動力，使得舉升銷700可於垂直方向上被驅動。因此，銷驅動組件800可包括汽缸構造，該汽缸構造直接提供線形驅動力，並且可包括伺服馬達以及動力轉換機構的組合式構造，以轉換伺服馬達的扭力為線形方向。
接下來將連同磊晶製程的核心步驟，參照圖2至11，詳細地說明已於上面簡單敘述的舉升銷700之特徵。
圖2為具體描述於磊晶製程之前，於圖1所示磊晶裝置中舉升銷支撐晶圓的狀態之視圖。圖3為具體描述圖2中舉升銷接觸晶圓的部位之視圖。
進一步地參照圖2及圖3，為了執行磊晶製程，首先將其上已經完成拋光製程的晶圓10由外部載入，且當舉升銷700自承載盤600舉升時由舉升銷700來支撐晶圓10。
於此，舉升銷700包括：配置於舉升銷700之上部且直接與晶圓10直接接觸的銷頭710；穿過承載盤600的所述孔洞620的軸桿720；介於銷頭710與軸桿720之間，且連結銷頭710與軸桿720的銷頸730。於此，銷頭710的外徑形成為大於軸桿720的外徑．銷頸730的外周表面可傾斜地形成，而使自銷頭710至軸桿720逐漸變窄。
執行磊晶製程時的約1000°C至1400°C的製程溫度下，舉升銷700支撐著晶圓，並且被驅動以沿著承載盤600的孔洞620的垂直方向移動，舉升銷700必須具有足夠的硬度，以使基本上不會因晶圓10以及承載盤600之間的摩擦力而產生粉塵。並且，為了基本上地將舉升銷700支撐晶圓10時，因舉升銷700與晶圓10之間的接觸而產生的刮痕或是粉塵最小化，舉升銷700必須被加工為圓形，以使銷頭710與晶圓10處於點接觸狀態。
因此，舉升銷700亦可由玻璃碳形成，使得前述的硬度以及圓型加工都能得到滿足。更明確地說，玻璃碳為陶瓷材料，該陶瓷材料具有到達某種程度的足夠強度，以具有約147MPa的抗彎強度以及對應此強度的硬度，且其為穩定的材料，即使處於約2000°C的溫度下也不會改變特性。另外，相較於具有結晶相的碳化矽（Sic），在玻璃液晶狀態下的玻璃碳並不具有結晶相，因此玻璃碳具有相對較佳加工性的特徵，因而可對其進行圓形加工。
此外，玻璃碳的特徵為：其具有的表面粗糙度形成在約2至約3微米的相當低的程度，原因為其相較於其他陶瓷材料的玻璃液晶狀態。因此，於製造舉升銷700當中，銷頭710、軸桿720、銷頸730係以使用玻璃碳加工出基底形狀，然後執行鏡面表面處理製程，以拋光該基底，以便容易得到具有約0.1至約0.5微米表面粗糙度的平滑表面的舉升銷700。藉此，在執行磊晶製程過程中舉升銷700支撐著晶圓並且被驅動沿著承載盤600的孔洞620垂直方向移動的情形下，舉升銷700、晶圓10、承載盤600之間的摩擦可更為減少，以穩定地避免因摩擦而產生的粉塵產生。
根據上述實施例，雖然可知舉升銷700本身由形成玻璃碳形成，但應理解的是，亦可藉由將陶瓷材料所形成的基底構件全部地塗布玻璃碳來獲得同樣的結果。於此情況下，以陶瓷材料所形成的基底構件可包括氧化鋁（Al2 O3 ）、碳化矽（Sic）、石墨（C）的任何一者。
圖4為具體地描繪晶圓被置於圖1所示磊晶裝置中的磊晶製程用承載盤上之視圖。圖5為具體地描繪晶圓置於承載盤上的部位之視圖，而圖6為圖5中區域A的放大圖。
進一步參照圖4至圖6，接下來使用銷驅動組件800使舉升銷700往下移動，使得晶圓10被放置於承載盤600上。
於此，當磊晶製程執行時，舉升銷700的銷頸730必須避免由氣體供給組件210提供至晶圓的矽烷氣體從承載盤600的孔洞620漏出。在磊晶製程中，自加熱器300所產生的熱能均勻地傳送至放置於承載盤600上的晶圓10。然而，由於熱能流透過孔洞620的損失或漏溢至較低結構或是其他類似者，使得熱能無法均勻地傳遞至晶圓10。因此，孔洞620需要足夠的氣密性，以使在晶圓10上形成的薄膜上不致因磊晶製程而產生缺陷。為此，銷頸730的傾角a1較佳為：相對於形成在連結至銷頸730的孔洞620之上端部的傾角在正負5度範圍內。
此外，當舉升銷700的軸桿720外徑d2小於承載盤620的孔洞620內徑d1在內徑d1的約2%範圍內時，承載盤以及軸桿720之間的距離太小。因此，承載盤600以及軸桿720之間的摩擦力增加而粉塵產生的可能性提高。當舉升銷700的軸桿720外徑d2小於承載盤600的孔洞620內徑d1在內徑d1的約10%範圍以上時，在被驅動沿著孔洞620垂直移動時，軸桿720會水平地震動。因此舉升銷700無法穩定地支撐晶圓10。所以，舉升銷700的軸桿720較佳為：其外徑相對地比承載盤600的孔洞620的內徑d1更小約2%到約10%。
又，舉升銷700以具有約0.1至0.5微米粗糙度的玻璃碳而形成，舉升銷700的下端的水平狀態可被準確地維持，該下端接觸銷驅動組件800。因此，藉由銷驅動組件800的舉升銷700的垂直衝程動作可隨時於預定位置上執行。
圖7為具體描繪於圖1所示磊晶裝置中執行磊晶製程時晶圓發生彎曲現象的狀態之視圖。進一步參照圖7，來自加熱器300的熱能、以及來自氣體供給組件210的矽烷氣體接著被提供至承載盤600上放置的晶圓10，且執行磊晶製程穩定地進行。此處，晶圓10中的彎曲現象是因加熱器300產生的熱能而自然地彎曲的。
構成舉升銷700的玻璃碳具有約3 W/m•K至約6 W/m•K的熱傳導率，此熱傳導率相對地低於其他陶瓷材料的熱傳導率。因此，當磊晶製程在執行時，舉升銷700僅由加熱器300傳導一部分的熱能至晶圓10。因此，一部分的晶圓10可避免導致劣化，該部分與舉升銷700接觸。更明確地說，當舉升銷700以非常高的熱傳導率的陶瓷材料（例如各具有約3W/m•K至約6W/m•K的氧化鋁（Al2 O3 ）、碳化矽（SiC））形成時，會透過舉升銷700而產生極大的熱能損失。此外，因舉升銷700的高熱傳導率，使得自加熱器300的熱能會因其通過舉升銷700而直接地傳導至晶圓10。因此，晶圓10當中接觸舉升銷700的部位的溫度高於其他的部位，因此，於晶圓10中接觸舉升銷700的部位上可能產生劣化印記。然而，當舉升銷700以本發明以玻璃碳形成時，因玻璃碳顯著的低熱傳導率而抑制了透過舉升銷700的熱能損失。因此能避免於晶圓10上產生劣化印記。
圖8為具體地描繪圖1於所示磊晶裝置中執行磊晶製程後，舉升銷支撐發生彎曲現象的晶圓的狀態之視圖。圖9為具體地描繪圖8中舉升銷接觸晶圓的部位之視圖。圖10為描繪圖9的區域B的放大圖，而圖11為描述根據圖10的舉升銷當中接觸晶圓銷頭的曲率半徑決定是否產生刮痕與粉塵之視圖。
進一步參照圖8至圖11，接著舉升銷700藉由銷驅動組件800往上移動，使得發生彎曲現象的晶圓10自承載盤600分離。
雖然如此，舉升銷700的銷頭710接觸發生彎曲現象的晶圓10的位置，根據晶圓10的彎曲程度而限定為相對於圖3所示接觸點相隔一預定距離g。於此，為了要穩定地支撐發生彎曲現象的晶圓10，銷頭710需具有一預定範圍的曲率半徑。下面將更詳細地敘述銷頭710的曲率半徑R。
於下面的表1中，當根據銷頭710的曲率半徑R的變化執行對300mm尺寸晶圓10的磊晶製程時，對於刮痕是否產生於晶圓10上／粉塵是否自晶圓10產生可進行確認並顯示其結果。於此，當未自晶圓10產生刮痕或粉塵時顯示為「良好」，否則顯示為「不佳」。
表1
參照表1，當銷頭710的曲率半徑R小於11公厘時，可確認到在所有情況下刮痕以及粉塵均產生，且當銷頭710的曲率半徑R大於17公厘時，可確認到所有情況下均產生刮痕。特別是，當銷頭710的曲率半徑R大於約23公厘時，可確認到連粉塵都一併產生。
參照上述結果，當銷頭710的曲率半徑R小於約11公厘時，似乎壓力集中於銷頭710接觸晶圓10的接觸點上，而當因晶圓的彎曲現象使得該接觸點移動的時候，刮痕與粉塵產生，而其並非所期望的。此外，當銷頭710的曲率半徑R大於約17公厘時，似乎由於銷頭710接觸晶圓10的局部接觸區域過大且接觸壓力集中於銷頭710的緣部而使刮痕以及粉塵產生，其並非所期望的。特別的是，當銷頭710的曲率半徑R大於約23公厘時，似乎因銷頭710的***面形狀接觸晶圓10，因而粉塵產生，且其更非為所期望的。因此，銷頭710中接觸晶圓10的部位，理想上具有約11公厘至約17公厘的曲率半徑R。
於目前的實施例中，可理解的是雖然執行範例以確認在晶圓10具有300公厘尺寸情形下的銷頭710的曲率半徑R範圍，相較於300公厘尺寸晶圓，由於其他200公厘尺寸或是400公厘尺寸晶圓的彎曲現象而導致不同的曲率半徑，因此上述的銷頭710的曲率半徑R的範圍亦可實施，即實施於200公厘尺寸或是400公厘尺寸晶圓。
其次，執行磊晶製程後，穩定地由舉升銷700所支撐的晶圓10被帶到外部，接著執行製造高度積體化半導體器件的製程，該半導體器件具有約12奈米至約16奈米的線寬。
依此，執行磊晶製程的製程腔室200中具承載盤600，而當舉升銷700穿過其上置有晶圓10的承載盤600的孔洞620時，舉升銷700被驅動為往上或往下移動，以實質地支撐晶圓10；而舉升銷700以玻璃碳材料所製造，該玻璃碳具有較高硬度，使得舉升銷700中接觸晶圓10的部位可被加工為圓形，並使得磊晶製程過程中發生彎曲現象的晶圓10可在不發生刮痕以及粉塵的情形下得到穩定的支撐。
因此，當使用舉升銷執行磊晶製程時，用於降低晶圓10表面的表面粗糙度的薄膜得以穩定地形成。因此，可以由晶圓10所製成的高度積體化半導體器件的品質可得到改善，並且可期待得到半導體器件的高良率。
根據本發明的實施例，於晶圓上執行磊晶製程的製程腔室中具承載盤，而當舉升銷穿過其上置有晶圓的承載盤的孔洞時，舉升銷被驅動為往上或往下移動，以實質地支撐晶圓；而舉升銷以玻璃碳材料所製造，該玻璃碳具有較高硬度，使得舉升銷中接觸晶圓的部位可被加工為圓形，並使得磊晶製程過程中發生彎曲現象的晶圓可在不因刮痕、凹痕、掉落或是其他類似情形而發生粉塵的狀態下得到穩定的支撐。
因此，當使用舉升銷執行磊晶製程時，可穩定地於晶圓表面上形成減少表面粗糙度的薄膜。是以，由晶圓所製成的高度積體化半導體器件的品質可得到改善，並且同時可期望得到半導體器件的高良率。
雖然如上敘述實施例，熟悉本領域技術者可在不脫離附錄申請專利範圍所定義的本發明精神以及範圍內進行修改以及變化。
如上述般，本發明藉由使用玻璃碳材料來製造磊晶製程使用的舉升銷，以避免刮痕以及粉塵自舉升銷產生，使得舉升銷接觸晶圓的部位得以加工成圓形。因此，可避免當執行磊晶製程時因舉升銷產生刮痕以及粉塵，並且從而用於改善晶圓品質。
10‧‧‧晶圓
100‧‧‧磊晶裝置
200‧‧‧製程腔室
210‧‧‧氣體供給組件
220‧‧‧氣體排放組件
300‧‧‧加熱器
400‧‧‧上遮罩
500‧‧‧下遮罩
600‧‧‧承載盤
610‧‧‧支撐機制
620‧‧‧孔洞
700‧‧‧舉升銷
710‧‧‧銷頭
720‧‧‧軸桿
730‧‧‧銷頸
800‧‧‧銷驅動組件
a1‧‧‧傾角
d1‧‧‧（孔洞）內徑
d2‧‧‧（孔洞）外徑
g‧‧‧預定距離
A、B‧‧‧區域
R‧‧‧曲率半徑
R5、R8、R11、R14、R17、R20、R23、R26‧‧‧曲率半徑
藉由下面的敘述並結合附錄的圖式，示範實施例將可更詳細地被理解。
圖1為描繪一磊晶裝置的示意結構圖，該磊晶裝置安裝有根據一實施例的舉升銷。
圖2為具體描繪於磊晶製程之前，舉升銷於圖1所示磊晶裝置支撐晶圓的狀態之視圖。
圖3為具體描繪舉升銷與圖2中晶圓接觸的部位之視圖。
圖4為具體描繪出示於圖1的磊晶裝置中的磊晶製程用承載盤上所放置的晶圓的狀態之視圖。
圖5為具體地描繪於承載盤上放置晶圓的部位之視圖。
圖6為圖5所示區域A的放大圖。
圖7為具體描繪當於圖1所示磊晶裝置中執行磊晶製程時，晶圓中發生的彎曲現象的狀態之視圖。
圖8為具體描繪於在圖1所示磊晶裝置中執行磊晶製程之後，舉升銷支撐發生彎曲現象的晶圓的狀態之視圖。
圖9為具體描繪於圖8中舉升銷接觸晶圓的部位。
圖10為圖9所示區域B的放大圖。
圖11為描述根據圖10的舉升銷中接觸晶圓的銷頭的曲率半徑，決定是否產生刮痕及粉塵。
10‧‧‧晶圓
100‧‧‧磊晶裝置
200‧‧‧製程腔室
210‧‧‧氣體供給組件
220‧‧‧氣體排放組件
300‧‧‧加熱器
400‧‧‧上遮罩
500‧‧‧下遮罩
610‧‧‧支撐機制
620‧‧‧孔洞
700‧‧‧舉升銷
800‧‧‧銷驅動組件

Claims (10)

  1. 一種舉升銷，其穿過其上置有晶圓的承載盤的孔洞，以支撐晶圓，前述承載盤置於製程腔室中，該製程腔室當中執行晶圓的磊晶製程，前述舉升銷的表面以玻璃碳材料形成，前述舉升銷包含： 　　銷頭，形成於前述舉升銷的上部，前述上部接觸晶圓； 　　軸桿，穿過前述承載盤的前述孔洞；以及 　　銷頸，該銷頸包含介於前述銷頭與前述軸桿之間的外周表面，該外周表面傾斜地形成而使自前述銷頭至前述軸桿逐漸變窄。
  2. 如請求項1所記載的舉升銷，其構造中的基底構件以玻璃碳塗佈於陶瓷而形成。
  3. 如請求項1所記載的舉升銷，其中，前述銷頭包含和晶圓接觸並呈圓形形狀之部位。
  4. 如請求項3前述之舉升銷，其中，前述銷頭中的前述和晶圓接觸之接觸部位具有約11mm至約17mm之曲率半徑（R）。
  5. 如請求項1前述之舉升銷，其中， 前述銷頸的傾角為相對於形成在前述孔洞之上端部的傾角的正負5度範圍內。
  6. 如請求項1前述之舉升銷，其中，前述軸桿的外徑小於前述孔洞的直徑約2%到約10%。
  7. 如請求項1前述之舉升銷，其中，前述銷頭、前述軸桿和前述銷頸包含粗糙度為約0.1微米到約0.5微米之表面。
  8. 一種製造舉升銷的方法，前述舉升銷穿過設置有晶圓的承載盤的孔洞以支撐晶圓，前述承載盤置於製程腔室內，該製程腔室中進行晶圓的磊晶製程，前述方法包含： 　　準備基底之步驟，該基底包括：銷頭，其具由玻璃碳材料構成之表面，並和晶圓接觸以支撐晶圓；軸桿，其穿過前述承載盤中的前述孔洞；銷頸，其形成於前述銷頭和前述軸桿之間；以及 　　於晶圓的表面上執行鏡面處理之步驟。
  9. 如請求項8之製造舉升銷的方法，其中，於前述執行鏡面處理之步驟當中，前述基底的表面被拋光至約 0.1微米 到約0.5微米之粗糙度。
  10. 如請求項8之製造舉升銷的方法，其中，前述準備基底之步驟當中，是用塗布玻璃碳於由陶瓷形成的基底構件的方式，來準備前述基部。
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