TW201637257A - 透明有機發光顯示設備 - Google Patents

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Abstract

提供一種透明有機發光顯示設備，其包含：基底基板；設置於基底基板上之第一電極；設置於第一電極上之第二電極，第二電極包含設置於第一電極上之第一部分以及設置成與第一部分相鄰之第二部分，第二部分的氧含量與第一部分的氧含量不同；以及設置在第二電極的第一部分與第一電極之間的發光結構。

Description

透明有機發光顯示設備
本發明之例示性實施例係關於一種顯示設備及製造顯示設備之方法。更具體而言，本發明之例示性實施例係關於一種透明有機發光顯示設備及製造該顯示設備之方法。
顯示裝置利用像素發射光來顯示影像。有機發光顯示裝置包含具有有機發光二極體(OLED)之像素。OLED發射依據包含在OLED中的有機材料而定的波長的光。例如，OLED可包含使OLED發射紅色光、綠色光及藍色光中的一種的有機材料。有機發光顯示裝置藉由混合以複數個OLED的有機材料發射的光來顯示影像。
已發展出藉其顯示影像及使外部光穿過其中的透明有機發光顯示設備。透明顯示設備可傳輸外部光入射至其前部，以使使用者可看到設置在透明有機發光顯示設備後面的物體。
一或多個例示性實施例提供一種能增進外部光穿透其中之透明有機發光顯示設備。
一或多個例示性實施例亦提供一種製造透明有機發光顯示設備之方法。
根據例示性實施例，一種透明有機發光顯示設備包含：基底基板；設置於基底基板上之第一電極；設置於第一電極上之第二電極，第二電極包含設置於第一電極上之第一部分及設置成與第一部分相鄰之第二部分，第二部分的氧含量與第一部分的氧含量不同；以及設置在第一電極與第二電極的第一部分之間的發光結構。
在例示性實施例中，第二電極的第一部分可與第一電極重疊。第二電極的第二部分可不與第一電極重疊。
在例示性實施例中，第二電極的第二部分可包含大於約0.1重量百分比(wt%)的氧。第二電極的第一部分可包含小於約0.1 wt%的氧。
在例示性實施例中，第二電極之第一部分可包含鎂及/或銀。第二電極的第二部分可包含氧化鎂(magnesium oxide)及/或氧化銀(silver oxide)。
在例示性實施例中，第二電極的第二部分的厚度可與相鄰於第二電極的第二部分之第二電極的第一部分的厚度實質地相同。
在例示性實施例中，第二電極的厚度可為約10奈米(nm)至約13 nm。
在例示性實施例中，透明有機發光顯示設備可進一步包含設置成與第一電極重疊之像素定義層。像素定義層可定義其中設置發光結構的開口。
在例示性實施例中，藉由像素定義層定義的開口定義外部光藉以穿過之窗口。藉由以像素定義層定義的開口定義之窗口可與第二電極的第二部分重疊。
在例示性實施例中，透明有機發光顯示設備可進一步包含電性連接至第一電極之薄膜電晶體。定義開口之像素定義層可與薄膜電晶體重疊。
在例示性實施例中，第二電極可設置成與基底基板整體表面對應。
在例示性實施例中，透明有機發光顯示設備可進一步包含設置於第二電極上之密封基板，密封基板配置成自第二電極隔絕周圍空氣及濕氣。
在例示性實施例中，第二電極的第二部分可包含第一層、以及設置於第一層上之第二層。設置於第一層上之第二層可包含大於約0.1 wt%的氧。第二電極的第一部分及第二電極的第二部分的第一層可包含小於約0.1 wt%的氧。
在例示性實施例中，第二電極的第一部分及第二電極的第二部分的第一層可包含鎂及/或銀。第二電極的第二部分的第二層可包含氧化鎂及/或氧化銀。
在例示性實施例中，第二電極的第一部分的總厚度可為約10 nm至約13 nm。第二電極的第二部分的第一層及第二層的厚度之總和可為約10 nm至約13 nm。
在例示性實施例中，透明有機發光顯示設備可包含藉以顯示影像之複數個像素。複數個像素之中的每一個像素可包含外部光穿過之傳輸區域以及發射光以顯示影像之發光區域。第二電極的第二部分可對應於傳輸區域。第二電極的第一部分可對應於發光區域。
根據例示性實施例之製造透明有機發光顯示設備之方法可包含：於基底基板上形成第一電極；於第一電極上形成第二電極；在第一電極與第二電極之間形成發光結構；以及氧化部分的第二電極。
在例示性實施例中，第二電極可包含鎂及/或銀。第二電極的厚度可為約10 nm至約13 nm。
在例示性實施例中，氧化部分的第二電極可包含：提供遮罩於基底基板上之第二電極上，遮罩露出部分的第二電極，且氧化以基底基板上之第二電極上的遮罩所露出的部分的第二電極。
在例示性實施例中，在提供遮罩中，遮罩可設置於基底基板的上表面上。
在例示性實施例中，第二電極可包含第一部分以及與第一部分相鄰之第二部分。第一部分可在氧化部分的第二電極時不被氧化，且第二部分可在氧化部分的第二電極時被氧化。第二電極的第二部分可包含大於約0.1 wt%的氧。第二電極的第一部分可包含小於約0.1 wt%的氧。
因此，根據本發明之透明有機發光顯示設備的一或多個例示性實施例可包含設置在顯示區域及透明(例如，傳輸)區域中的第二電極。在傳輸區域中的第二電極可包含比顯示區域中的第二電極相對地較高的氧含量，而可改善在傳輸區域的外部光的穿透率。
此外，在製造透明有機發光顯示設備之方法的一或多個例示性實施例中，在顯示區域及傳輸區域中部分的單一整體的第二電極材料層同時經受氧化製程，以改善通過傳輸區域的外部光的穿透率，而可簡化製造透明有機發光顯示設備的製程且可改善生產良率。
現於下文中將參照顯示各種實施例之附圖更充分的描述本發明。然而，本發明可以各種不同形式實施，而不應理解為限制於本文所闡述的實施例。相反的，這些實施例的提供使得本揭露將徹底及完整，且將充分傳達本發明之範圍予此技術領域中具有通常知識者。全文中相似的參考符號表示相似的元件。
將理解的是，當元件被稱為於另一元件「上(on)」時，其可直接於其他層或可在其之間存在中間元件。反之，當元件被稱為直接地於另一元件「上(on)」時，其不存在中間元件。
將理解的是，雖然用語「第一(first)」、「第二(second)」、「第三(third)」等可在本文所使用以描述各種元件、構件、區域、層及/或部分，這些元件、構件、區域、層及/或部分並不被這些用語限制。這些用語僅用於區分一元件、構件、區域、層或部分與另一元件、構件、區域、層或部分。因此，下述之「第一元件(a first element,)」、「構件(component)」、「區域(region)」、「層(layer)」或「部分(section)」可被稱為第二元件、構件、區域、層或部分而不脫離本文的教示。
在此所用之詞語係僅為描述特定實施例之目的而非旨在用於限制。當在此使用時，除非文中另行明確地表示，否則「一(a)」、「一(an)」、「該(the)」等單數型式亦旨在包含複數型式，其包含「至少一個(at least one)」。「或(Or)」表示「及/或(and/or)」。如本文所使用的用語「及/或(and/or)」係包含一個或多個相關所列舉之項目的任何與所有組合。將進一步理解的是，當用語「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」或「包含(includes)」及/或「包含(including)」用於說明書中時，係指明所述特性、區域、整數、步驟、操作、元件及/或構件的存在，但是不排除一或更多其他特性、區域、整數、步驟、操作、元件、構件及/或及其群組的存在或增添。
此外，如「下部(lower)」或「底部(bottom)」及「上部(upper)」或「頂部(top)」之相對用語可在本文中用於描述圖式中所描繪之元件與另一元件的關係。將理解的是，除了圖式中描繪的方位之外，相對用語旨在包含裝置之不同方位。例如，如將圖式之一中的裝置翻轉時，被描述為在其他元件的「下部(lower)」側之元件將被轉向為在其他元件的「上部(upper)」側。因此，例示性用語「下部(lower)」可依據圖式的特定方向，同時包含「下部(lower)」與「上部(upper)」的方向。相似地，如將圖式之一中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「之下(below)」或「下面(beneath)」之元件將被轉向為在其他元件「之上(above)」。因此，例示性用語「之下(below)」或「下面(beneath)」能同時包含之上及之下的方向。
如本文所使用的用語「約(About)」或「大約(approximately)」係包含所述值且表示以所屬技術領域中具有通常知識者考慮到測量問題及與特定量的測量相關的誤差(亦即，測量系統的限制性)所定義的用於特定值的偏差的可接受範圍之中。例如，「約(about)」能表示在一或多個標準偏差之中或在所述值的± 30%、20%、10%、5%之中。
除非有其他定義，否則在本文中所使用的所有用語(包含技術用語與科學用語)都有與所屬技術領域中具有通常知識者的通常理解相同的意義。將進一步理解的是，例如那些在通常使用之字典定義的用語應解釋成具有與相關技術領域及本揭露之語境中之意義相符的意義，且除非在此有明白地定義，否則將不應以理想化或過度正式性來解釋。
文中參照截面圖說明例示性實施例，截面圖係為理想實施例的示意圖。因此，例如由於製造技術與/或公差可預期會導致其與說明之形狀的差異。因此，本文所述實施例不應該被解釋為限制於本文所示之特定區域的形狀，而是包含，例如製造，所導致形狀的誤差。舉例來說，區域說明或描述為平坦時，一般而言可具有粗糙與/或非線性的特徵。此外，所繪示的銳角可以是圓形。因此，在圖式中所說明的區域實際上為示意性，且其形狀意不在說明區域的準確形狀，且意不在限制申請專利範圍的範疇。
透明有機發光顯示設備的透明度可藉由穿過其中的外部光的穿透率來定義。然而，包含在透明有機發光顯示設備之中的用於顯示影像之元件可能造成穿過其中的外部光的穿透率降低。因此，期望一種用於增進穿過其中的外部光的穿透率之改良透明有機發光顯示設備。
在下文中，本發明將參照附圖進行詳細地說明。
第1圖係描繪根據本發明之透明有機發光顯示設備的像素的例示性實施例之平面圖。
參照第1圖，透明有機發光顯示設備包含定義於其中的複數個像素。複數個像素之中的像素可包含複數個子像素。根據例示性實施例，透明有機發光顯示設備的集體像素可包含第一子像素P1、第二子像素P2及第三子像素P3。
透明有機發光顯示設備的像素可包含光遮斷部分BL、發光部分及窗口W。像素的集體發光部分可包含分別對應於第一子像素至第三子像素P1、P2和P3之第一發光部分EP1、第二發光部分EP2及第三發光部分EP3。
第一發光部分EP1、第二發光部分EP2及第三發光部分EP3可根據透明有機發光顯示設備的像素的驅動而發出具有彼此不同顏色的光。在例示性實施例中，例如，第一發光部分EP1可發出紅色光，第二發光部分EP2可發出綠色光及第三發光部分EP3可發出藍色光。
第一發光部分EP1、第二發光部分EP2和及第三發光部分EP3可具有彼此不同的平坦區域。在例示性實施例中，例如，當第一發光部分EP1發出紅色光、第二發光部分EP2發出綠色光且第三發光部分EP3發出藍色光時，第一發光部分EP1的平坦區域可小於第二發光部分EP2的平坦區域，且第三發光部分EP3的平坦區域可大於第二發光部分EP2的平坦區域。
第一子像素至第三子像素P1、P2及P3中的每一個可劃分成電路區域CA、發光區域EA及傳輸區域TA。
用於驅動透明有機發光顯示設備的像素之電路可設置在電路區域CA中。電路區域CA可藉由光遮斷部分BL覆蓋，而可使外部光不穿過像素的電路區域CA。像素的電路區域CA亦可稱為像素的非顯示區域。
第一發光部分至第三發光部分EP1、EP2及EP3可設置在集合的發光區域EA中。發光區域EA的第一發光部分至第三發光部分EP1、EP2及EP3可根據像素的驅動而發出光，使透明有機發光顯示設備可顯示影像。像素的發光區域EA亦可稱為像素的顯示區域。
外部光穿過之窗口W可設置在傳輸區域TA中。入射至透明有機發光顯示設備的外部光可穿過窗口W，以使使用者經由窗口W可看到透明有機發光顯示設備後面的物體。像素的傳輸區域TA亦可稱為像素的光傳輸區域或影像傳輸區域。
此外，第二電極(參照第2圖的172及174)設置成與像素的整體平坦區域對應。第二電極可為用於發出用以顯示影像的光之透明有機發光顯示設備的發光結構(參照第2圖的160)的陰極電極。
第二電極可設置在像素的電路區域CA、發光區域EA及傳輸區域TA中的每一個的整體中。對應於第一發光部分至第三發光部分EP1、EP2及EP3之部分的第二電極的第二電極材料的氧含量可基於在像素的第一發光部分至第三發光部分EP1、EP2及EP3中的部分的第二電極的總重量而小於約0.1重量百分比(wt%)。在例示性實施例中，對應於第一發光部分至第三發光部分EP1、EP2及EP3之部分的第二電極的第二電極材料的氧含量可為零。
對應於傳輸區域TA之部分的第二電極的第二電極材料的氧含量可基於像素的傳輸區域TA中部分的第二電極的總重量為大於約0.1 wt%。在例示性實施例中，對應於傳輸區域TA之部分的第二電極的第二電極材料的氧含量可為約0.1 wt%至約10 wt%。
因此，在外部光穿過的傳輸區域TA中的第二電極的氧含量可大於約0.1 wt%，且在遮斷外部光的發光區域EA中的第二電極的氧含量可小於約0.1 wt%。
因而，在傳輸區域TA中的第二電極的氧含量可相對地高，而使在傳輸區域TA中的第二電極的穿透率可相對地高。因此，藉由改變在發光區域EA及傳輸區域TA中的第二電極的氧含量，可維持在發光區域EA中的發光品質且可改善在傳輸區域TA中的外部光的穿透率，而可改善通過傳輸區域TA的外部光的穿透性，以改善透明有機發光顯示設備的整體顯示品質。
第2圖係為沿著第1圖的I-I’線之截面圖。
參照第2圖，透明有機發光顯示設備可包含基底基板100、緩衝層110、薄膜電晶體TFT、第一圖樣PT1、第一絕緣層120、第二圖樣PT2、第二絕緣層130、第一電極140、像素定義層150、發光結構160、第二電極及密封基板180。
基底基板100可包含透明絕緣基板。在例示性實施例中，例如，基底基板100可包含玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等。用於基底基板100的透明樹脂基板可包含聚亞醯胺類樹脂(polyimide-based resin)、丙烯醯類樹脂(acryl-based resin)、聚丙烯酸酯類樹脂(polyacrylate-based resin)、聚碳酸酯類樹脂(polycarbonate-based resin)、聚醚類樹脂(polyether-based resin)、含磺酸樹脂(sulfonic acid containing resin)、聚對苯二甲酸乙二醇酯類樹脂polyethyleneterephthalate-based resin)等。
緩衝層110可設置在基底基板100上。緩衝層110可降低或有效地避免金屬原子及/或雜質從基底基板100擴散至於基底基板100上的透明有機發光顯示設備的其他層。另外，在製造透明有機發光顯示設備的例示性實施例中，緩衝層110可在形成第一圖樣PT1的製程中調整連續的結晶化製程的熱傳輸率，因而得到實質地一致的第一圖樣PT1。
基底基板100可能具有相對地不規則的表面，緩衝層110可改善基底基板100的不規則的表面的平坦度。緩衝層110可包含矽化合物或利用矽化合物形成。在例示性實施例中，例如，緩衝層110可包含矽氧化物(silicon oxide, SiOx )、矽氮化物(silicon nitride, SiNx )、矽氮氧化物(silicon oxynitride, SiOx Ny )、矽碳氧化物(silicon oxycarbide, SiOx Cy )、矽氮碳化物(silicon carbon nitride, SiCx Ny )等。此材料可單獨或以其組合使用。緩衝層110可具有單一層結構或多層結構。在例示性實施例中，例如，緩衝層110可具有包含矽氧化物膜、矽氮化物膜、矽氮氧化物膜、矽碳氧化物膜或矽氮碳化物膜的單一層結構。另外，緩衝層110可具有包含矽氧化物膜、矽氮化物膜、矽氮氧化物膜、矽碳氧化物膜或矽氮碳化物膜等中的至少兩種的多層結構。
第一圖樣PT1可設置於緩衝層110上。第一圖樣PT1可包含矽(Si)。在例示性實施例中，第一圖樣PT1可包含含有二元化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)及/或四元化合物(ABxCyDz)的半導體氧化物。在例示性實施例中，例如，第一圖樣PT1可包含銦(In)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鉿(Hf)、鋯(Zr)及/或鎂(Mg)。
第一圖樣PT1可包含主動區域A、源極區域S和汲極區域D，以分別定義薄膜電晶體TFT的主動區域A、源極區域S和汲極區域D。此外，第一圖樣PT1可包含配置成傳輸驅動像素之訊號的訊號線。在例示性實施例中，例如，第一圖樣PT1可包含延長以沿實質地與第一方向垂直的第二方向延伸的數據線，且數據線可傳輸用於驅動像素的數據電壓。
第一絕緣層120可設置於緩衝層110上。於緩衝層110上的第一絕緣層120覆蓋第一圖樣PT1。第一絕緣層120可包含矽化合物、金屬氧化物等。在例示性實施例中，例如，第一絕緣層120可包含或利用矽氧化物(SiOx )、矽氮化物(SiNx )、矽氮氧化物(SiOx Ny )、鋁氧化物(aluminum oxide, AlOx )、鉭氧化物(tantalum oxide, Ta Ox )、鉿氧化物(hafnium oxide, HfOx )、鋯氧化物(zirconium oxide, ZrOx )、鈦氧化物(titanium oxide, TiOx )等形成。此材料可單獨或以其組合使用。此外，第一絕緣層120可具有包含矽氧化物及/或矽氮化物的單一層結構或多層結構。在例示性實施例中，第一絕緣層120可沿著第一圖樣PT1的外形以均勻的厚度設置(例如，均勻地形成)於緩衝層110上。第一絕緣層120的厚度是在與設置第一絕緣層120的下表面或外形垂直之方向。在此，第一絕緣層120可具有實質地較小的厚度，以使相對小之階級部分係形成在與第一圖樣PT1相鄰的部分的第一絕緣層120。在其他例示性實施例中，為了充分地覆蓋第一圖樣PT1，第一絕緣層120相較於第一圖樣PT1的厚度可設置為相對大之厚度以充分地覆蓋第一圖樣PT1，以使第一絕緣層120即使具有設置在其之下的第一圖樣PT1，也可具有實質地水平表面。
第二圖樣PT2可設置於第一絕緣層120上。第二圖樣PT2可包含金屬、合金、導電金屬氧化物、透明導電材料等。在例示性實施例中，例如，第二圖樣PT2可利用鋁(Al)、含鋁合金、鋁氮化物 (AlNx)、銀(Ag)、含銀合金、鎢(W)、鎢氮化物 (WNx)、銅(Cu)、含銅合金、鎳(Ni)、含鎳合金、鉻(Cr)、鉻氮化物(CrNx)、鉬(Mo)、含鉬合金、鈦(Ti)、鈦氮化物 (TiNx)、鉑(Pt)、鉭(Ta)、鉭氮化物 (TaNx)、釹(Nd)、鈧(Sc)、鍶釕氧化物 (strontium ruthenium oxide, SRO)、鋅氧化物 (zinc oxide, ZnOx)、銦錫氧化物(indium tin oxide, ITO)、錫氧化物(tin oxide, SnOx)、銦氧化物(indium oxide, InOx)、鎵氧化物(gallium oxide, GaOx)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide, IZO)等形成。此材料可單獨或以其組合使用。在例示性實施例中，第二圖樣PT2可具有單一層結構或多層結構。第二圖樣PT2可包含金屬膜、合金膜、金屬氮化物膜、導電金屬氧化物膜及/或透明導電膜。
第二圖樣PT2可包含薄膜電晶體TFT的閘極電極GE。閘極電極GE可與定義薄膜電晶體TFT的主動區域A之第一圖樣PT1的主動區域A重疊。因此，主動區域A、源極區域S、汲極區域D及閘極電極GE連同設置在其之間的一或多個絕緣層可共同地定義薄膜電晶體TFT。
此外，第二圖樣PT2可包含配置成傳輸驅動像素的訊號之訊號線。在例示性實施例中，例如，第二圖樣PT2可包含延長以在第一方向上延伸的閘極線，且閘極線可傳輸用於驅動像素之閘極訊號或掃描訊號。
第二絕緣層130可設置於其上包含第二圖樣PT2之第一絕緣層120上。第二絕緣層130可具有單一層結構或包含至少兩個絕緣膜之多層結構。第二絕緣層130可包含有機材料或利用有機材料形成。在例示性實施例中，例如，第二絕緣層130可包含或利用光阻、丙烯醯類樹脂、聚亞醯胺類樹脂、聚醯胺類樹脂(polyamide-based resin)、矽氧烷類樹脂(siloxane-based resin)等形成。此材料可單獨或以其組合使用。此外，第二絕緣層130可包含無機材料或利用無機材料來形成。在例示性實施例中，例如，第二絕緣層130可包含矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物、矽碳氧化物、鋁、鎂、鋅、鉿、鋯、鈦、鉭、鋁氧化物、鈦氧化物、鉭氧化物、鎂氧化物、鋅氧化物、鉿氧化物、鋯氧化物、鈦氧化物等形成。此材料可單獨或以其組合使用。
第一電極140可設置於第二絕緣層130上。第一電極140可例如透過定義在或通過第二絕緣層130及第一絕緣層120所形成之接觸孔而電性連接至薄膜電晶體TFT。
第一電極140可根據透明有機發光顯示設備的發射型而包含反射材料或透射材料。在例示性實施例中，例如，第一電極140可包含或利用鋁、含鋁合金、鋁氮化物、銀、含銀合金、鎢、鎢氮化物、銅、含銅合金、鎳、含鎳合金、鉻、鉻氮化物、鉬、含鉬合金、鈦、鈦氮化物、鉑、鉭、鉭氮化物、釹、鈧、鍶釕氧化物、鋅氧化物、銦錫氧化物、錫氧化物、銦氧化物、鎵氧化物、銦鋅氧化物等形成。此材料可單獨或以其組合使用。在例示性實施例中，第一電極140可具有單一層結構或多層結構。第一電極140可包含金屬膜、合金膜、金屬氮化物膜、導電金屬氧化物膜及/或透明導電膜。
像素定義層150可設置於其上包含第一電極140之第二絕緣層130上。像素定義層150可包含有機材料或無機材料。在例示性實施例中，例如，像素定義層150可包含或利用光阻、丙烯醯類樹脂、聚丙烯醯類樹脂、聚亞醯胺類樹脂、矽化合物等形成。
像素定義層150可定義分別對應於外部光穿過的傳輸區域TA中的窗口(參照第1圖的W)以及對應於發光的發光部分(參照第1圖的EP1、EP2及EP3)之開口。因此，像素定義層150可遮斷對應於第1圖的光遮斷部分BL的光。第一電極140係藉由以在發光部分中的部分的像素定義層150所定義之開口露出。
發光結構160可位於藉由以部分像素定義層150所定義之開口露出之第一電極140上。發光結構160可自在開口的底部露出的第一電極140延伸以被設置於開口處的像素定義層150的側壁上。在製造透明有機發光顯示設備的例示性實施例中，發光結構160可由雷射誘導熱成像製程、印刷製程等形成。
發光結構160可包含有機發光層(EL)、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等。在例示性實施例中，複數個有機發光層可根據顯示設備的顏色像素分別地利用用於產生例如紅色光(R)、綠色光(G)及藍色光(B)之顏色光之發光材料來形成。在部分例示性實施例中，個別發光結構160的有機發光層可在其中包含分別用於產生紅色光、綠色光及藍色光之複數個堆疊發光材料，且可組合此類顏色光以使個別發光結構160發出白色光。
第二電極可設置於像素定義層150、發光結構160及第二絕緣層130上。第二電極可包含第一部分172及第二部分174。第二電極可包含金屬。在例示性實施例中，例如，第二電極可包含諸如鎂及/或銀的材料。第二電極的厚度可為約10奈米(nm)至約13 nm。厚度是在與設置第二電極的下表面或外形垂直之方向。
第二電極的第一部分172可延長以設置於發光結構160上及像素定義層150上。第一部分172可包含金屬。在例示性實施例中，例如，第一部分172可包含例如鎂及/或銀的材料，且第一部分172的厚度為約10 nm至約13 nm。
形成第二電極的第一部分172之材料的氧含量可小於約0.1 wt%。在例示性實施例中，第二電極的第一部分172的氧含量可為零。
第二電極的第二部分174可延長以設置於第二絕緣層130及像素定義層150上。第二部分174可包含金屬氧化物。在例示性實施例中，例如，第二部分174可包含例如鎂氧化物及/或銀氧化物之材料，且第二部分174的厚度可為約10 nm至13 nm。
第二電極的第二部分174的氧含量可大於約0.1 wt%。在例示性實施例中，第二電極的第二部分174的氧含量可為約0.1 wt%至約10 wt%。
第二電極的第一部分172及第二部分174的厚度可彼此實質地相同。
密封基板180可設置於第二電極172及174上。密封基板180可包含透明材料且配置以減小或有效地避免周圍空氣及濕氣滲透至透明有機發光顯示設備中。密封基板180可例如藉由密封劑(未圖示)與基底基板100結合，以密封在基底基板100與密封基板180之間或在設置於基底基板100上之透明有機發光顯示設備之層與密封基板180之間的空間。
乾燥劑或填充劑可填充至藉由密封劑密封的上述定義的空間中。替代密封基板180的薄密封膜可設置或形成於第二電極上，以保護第二電極及發光結構160免於周圍空氣或濕氣的影響。密封膜可具有其中包含或由例如矽氧化物或矽氮化物之無機材料形成的層以及例如環氧化合物(epoxy)或聚亞醯胺的層交替地堆疊之結構。然而，本發明不限於此，且密封膜的結構可為任意數目之具有透明薄膜形式的密封結構。
再次參照第1圖及第2圖，透明有機發光顯示設備可包含定義於其中的複數個像素。在複數個像素之中的像素可包含第一子像素P1、第二子像素P2及第三子像素P3。
第一子像素P1可包含光遮斷部分BL、第一發光部分EP1及在傳輸區域TA中的窗口W。
光遮斷部分BL可遮斷外部光。在第一子像素P1中的像素定義層150可作用為其光遮斷部分BL。
第一發光部分EP1可發出光以顯示影像。在第一子像素P1的發光區域EA中的部分的像素定義層150之間的發光結構160可作用為其第一發光部分EP1。
第二子像素P2可包含光遮斷部分BL、第二發光部分EP2及在傳輸區域TA中的窗口W。
光遮斷部分BL可遮斷外部光。在第二子像素P2中的像素定義層150可作用為其光遮斷部分BL。
第二發光部分EP2可發出光以顯示影像。在第二子像素P2的發光區域EA中的部分的像素定義層150之間的發光結構160可作用為其第二發光部分EP2。
第三子像素P3可包含光遮斷部分BL、第三發光部分EP3及在傳輸區域TA中的窗口W。
光遮斷部分BL可遮斷外部光。在第三子像素P3中的像素定義層150可作用為其光遮斷部分BL。
第三發光部分EP3可發出光以顯示影像。在第三子像素P3的發光區域EA中的部分的像素定義層150之間的發光結構160可作用為其第三發光部分EP3。
第3圖係描繪根據本發明之透明有機發光顯示設備的另一例示性實施例之截面圖
參照第3圖，除了第二電極之外，透明有機發光顯示設備可與第1圖的透明有機發光顯示設備實質地相同。因此，將簡短地說明或省略關於相同元件的任何進一步詳細描述。
透明有機發光顯示設備可包含定義於其中的複數個像素。
在複數個像素之中的個別像素可包含光遮斷部分、發光部分及窗口W。發光部分可根據像素的驅動而發出光。
每一個子像素，及因此每一個像素可劃分成電路區域CA、發光區域EA及傳輸區域TA。
用於驅動透明有機發光顯示設備的像素的電路可設置在電路區域CA中。發光部分可設置在發光區域EA中。窗口W可設置在傳輸區域TA中。
透明有機發光顯示設備可包含基底基板100、緩衝層110、薄膜電晶體TFT、第一圖樣PT1、第一絕緣層120、第二圖樣PT2、第二絕緣層130、第一電極140、像素定義層150、發光結構160、第二電極及密封基板180。
基底基板100可包含透明絕緣基板。
緩衝層110可設於基底基板100上。緩衝層110可降低或有效地避免金屬原子及/或雜質自基底基板100擴散至於基底基板100上的透明有機發光顯示設備的其他層。另外，在製造透明有機發光顯示設備的例示性實施例中，緩衝層110可在形成第一圖樣PT1的製程中調整連續的結晶化製程的熱傳輸率，因而得到實質地一致的第一圖樣PT1。
第一圖樣PT1可設置於緩衝層110上。第一圖樣PT1可包含矽(Si)。在另一例示性實施例中，第一圖樣PT1可包含半導體氧化物等。
第一圖樣PT1可包含主動區域A、源極區域S和汲極區域D，以分別地定義薄膜電晶體TFT的主動區域A、源極區域S和汲極區域D。此外，第一圖樣PT1可包含配置成傳輸用於驅動像素的訊號之訊號線。
第一絕緣層120可設置於緩衝層110上。於緩衝層110上的第一絕緣層120覆蓋第一圖樣PT1。第一絕緣層120可包含矽化合物、金屬氧化物等。
第二圖樣PT2可設置於第一絕緣層120上。第二圖樣PT2可包含金屬、合金、導電金屬氧化物、透明導電材料等。
第二圖樣PT2可包含薄膜電晶體TFT的閘極電極GE。閘極電極GE可與定義薄膜電晶體TFT的主動區域A、源極區域S及汲極區域D之第一圖樣PT1的主動區域A重疊。因此，主動區域A、源極區域S、汲極區域D及閘極電極GE可共同地定義具有設置在其之間的一或多個絕緣層之薄膜電晶體TFT。
此外，第二圖樣PT2可包含配置成傳輸用於驅動像素的訊號之訊號線。
第二絕緣層130可設置於其上包含第二圖樣PT2的第一絕緣層120上。第二絕緣層130可利用有機材料或無機材料形成。
第一電極140可設置於第二絕緣層130上。第一電極140可透過定義在或通過第二絕緣層130及第一絕緣層120形成之接觸孔而電性連接至薄膜電晶體TFT。
第一電極140可根據透明有機發光顯示設備的發射類型而包含反射材料或透射材料。
像素定義層150可設置於其上包含第一電極140之第二絕緣層130上。像素定義層150可包含有機材料或無機材料。
像素定義層150可定義分別對應於外部光穿過的傳輸區域TA中的窗口(參照第1圖的W)以及發光的發光部分(參照第1圖的EP1、EP2及EP3)之開口。
發光結構160可位於藉由以部分的像素定義層150所定義之開口露出的第一電極140上。
第二電極可設置於像素定義層150、發光結構160及第二絕緣層130上。第二電極可包含第一部分172及第二部分174。第二電極可包含金屬。在例示性實施例中，例如，第二電極可包含鎂及/或銀，且具有約10 nm至約13 nm的厚度。
第二電極的第一部分172可延長以被設置於發光結構160上及像素定義層150上。第一部分172可包含金屬。在例示性實施例中，例如，第一部分172可包含鎂及/或銀，且具有約10 nm至約13 nm的厚度。
第二電極的第一部分172的氧含量可小於約0.1 wt%。在例示性實施例中，第二電極的第一部分172的氧含量可為零。
第二電極的第二部分174可延長以設置於第二絕緣層130上及像素定義層150上。第二部分174可包含第一層174a及設置於第一層174a上之第二層174b。
第一層174a可包含金屬。在例示性實施例中，例如，第一層174a可包含鎂及/或銀。第二電極的第二部分174的第一層174a的氧含量可小於約0.1 wt%。在例示性實施例中，第二電極的第二部分174的第一層174a的氧含量可為零。
第二層174b可包含金屬氧化物。在例示性實施例中，例如，第二層174b可包含鎂氧化物及/或銀氧化物。第二電極的第二部分的第二層174b的氧含量可大於約0.1 wt%。在例示性實施例中，第二電極的第二部分的第二層174b的氧含量可為約0.1 wt%至約10 wt%。
在此，第一層174a及第二層174b的厚度的總和可為約10 nm至約13 nm。
第二電極的第一部分172的總厚度或最大厚度可與第一層174a及第二層174b的厚度的總和實質地相同。
密封基板180可設置於第二電極上。密封基板180可包含透明材料且配置成降低或有效地避免周圍空氣及濕氣滲透至透明有機發光顯示設備中。乾燥劑或填充劑可填充至基底基板100與密封基板180之間或設置於基底基板100上的透明有機發光顯示設備的層與密封基板180之間的空間中。
第4A圖至第4L圖係描繪製造第1圖的透明有機發光顯示設備之方法的例示性實施例之截面圖。
參照第4A圖，緩衝層110可形成於基底基板100上。
基底基板100可包含透明絕緣基板。在例示性實施例中，例如，基底基板100可包含玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等。用於基底基板100的透明樹脂基板可包含聚亞醯胺類樹脂、丙烯醯類樹脂、聚丙烯酸酯類樹脂、聚碳酸酯類樹脂、聚醚類樹脂、含磺酸樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯類樹脂等。
於基底基板100上可設置緩衝層110。於基底基板100上藉由自旋塗佈製程、化學氣相沉積(CVD)製程、電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)製程、高密度電漿化學氣相沉積(HDP-CVD)製程、印刷製程等而可得到緩衝層110。
參照第4B圖，第一圖樣PT1可形成於緩衝層110上。第一圖樣可包含含有對應於薄膜電晶體(參照第4D圖的TFT)的主動區域A、源極區域S及汲極區域D之主動區域A、源極區域S及汲極區域D的主動圖樣。此外，第一圖樣PT1可包含配置成驅動像素的訊號線。在例示性實施例中，例如，第一圖樣PT1可包含延長以在與第一方向實質地垂直的第二方向上延伸之數據線，且數據線可傳輸用於驅動像素之數據電壓。
在例示性實施例中，半導體材料層(未圖示)可形成於緩衝層110上，且接著可藉由圖樣化半導體材料層以於緩衝層110上形成初步的主動層(未示出)。可於初步的主動層上進行結晶化製程，以在緩衝層110上形成包含主動圖樣之第一圖樣PT1。在此，半導體材料層可由CVD製程、PECVD製程、低壓化學氣相沉積(LPCVD)製程、濺鍍製程、印刷製程等形成。當半導體材料層包含非晶矽時，形成的主動圖樣可包含多晶矽。用於形成主動圖樣之結晶化製程可包含雷射照射製程、熱處理製程、利用催化劑的熱製程等。在部分例示性實施例中，於緩衝層110上形成半導體材料層及/或初步的主動層之後，可於半導體材料層及/或初步的主動層上進行脫氫製程。脫氫製程可降低半導體材料層及/或初步的主動層的氫濃度，以使最終形成的薄膜電晶體TFT的主動圖樣可具有改善的電性特性。
部分的主動圖樣可藉由摻雜雜質，以使摻雜的部分可具有高於主動圖樣的剩餘區域的電傳導性。
參照第4C圖，第一絕緣層120可形成於第一圖樣PT1上。
第一絕緣層120可藉由CVD製程、自旋塗佈製程、PECVD製程、濺鍍製程、真空蒸發製程、HDP-CVD製程、印刷製程等形成
參照第4D圖，第二圖樣PT2可形成於第一絕緣層120上 。
在例示性實施例中，於第一絕緣層120上可形成第一導電材料層(未圖示)，且接著第一導電材料層可藉由利用額外的蝕刻遮罩的光刻製程或蝕刻製程進行部分的蝕刻。因此，第二圖樣PT2可被提供於第一絕緣層120上。第一導電材料層可藉由印刷製程、濺鍍製程、CVD製程、脈衝雷射沉積(PLD)製程、真空蒸發製程、原子層沉積(ALD)製程等形成。
第二圖樣PT2可包含薄膜電晶體TFT的閘極電極GE。閘極電極GE可與定義薄膜電晶體TFT的主動區域A之第一圖樣PT1之主動區域A重疊。因此，主動區域A、源極區域S、汲極區域D及閘極電極GE連同設置在其之間的一或多個絕緣層可共同地定義薄膜電晶體TFT。
此外，第二圖樣PT2可包含配置成驅動像素的訊號線。在例示性實施例中，例如，第二圖樣PT2可包含延長以在第一方向上延伸之閘極線，且閘極線可傳輸用於驅動像素的閘極訊號或掃描訊號。
參照第4E圖，於其上包含第二圖樣PT2之第一絕緣層120上可形成第二絕緣層130。
第二絕緣層130可藉由CVD製程、自旋塗佈製程、PECVD製程、濺鍍製程、真空蒸發製程、HDP-CVD製程、印刷製程等形成。
參照第4F圖，第一電極140可形成於第二絕緣層130上。
露出薄膜電晶體TFT的汲極區域D之接觸孔可藉由部分地蝕刻第一絕緣層120及第二絕緣層130形成。接著，第二導電材料層可形成於第二絕緣層130上以填充接觸孔。之後，第一電極140可藉由圖樣化第二導電材料層而得到。在此，第二導電材料層可藉由印刷製程、濺鍍製程、CVD製程、脈衝雷射沉積(PLD)製程、真空蒸發製程、原子層沉積(ALD)製程等形成。
參照第4G圖，像素定義層150形成於其上包含第一電極140之第二絕緣層130上。
像素定義層150可藉由例如以自旋塗佈製程、噴塗製程、印刷製程、CVD製程、PECVD製程、HDP-CVD製程等沉積像素定義材料層而獲得。在例示性實施例中，可部分地蝕刻像素定義材料層以形成部分地露出第一電極140的開口及對應於窗口(參照第1圖的W)之開口。由部份的像素定義層150定義的開口可定義透明有機發光顯示設備的顯示區域、非顯示區域及傳輸區域。
參照第4H圖，發光結構160可形成於其上包含像素定義層150之第一電極140上。
發光結構160可形成於藉由以部分的像素定義層150定義的開口露出的第一電極140上。發光結構160可藉由雷射誘導熱成像製程、印刷製程等形成。
參照第4I圖，初步第二電極170可形成於發光結構160、像素定義層150及第二絕緣層130上。
初步第二電極170可藉由與用於形成透明有機發光顯示設備的第二電極的材料相關之印刷製程、濺鍍製程、CVD製程、ALD製程、真空蒸發製程、PLD製程等形成。
在例示性實施例中，例如，初步第二電極170可包含例如鎂及/或銀的材料，且初步第二電極170的厚度可為約10 nm至約13 nm。
參照第4J圖及第4K圖，第二電極的第一部分172及第二部分174可藉由部分地氧化初步第二電極170形成。
在例示性實施例中，遮罩MASK可設置於初步第二電極170上，以覆蓋電路區域CA及發光區域EA。遮罩MASK可為精細金屬遮罩(FMM)。之後，未被遮罩MASK覆蓋及對應於傳輸區域TA之部分的初步第二電極170可例如藉由氧氣電漿處理(藉由第4J圖的向下箭頭所指出)進行氧化。
在此，遮罩MASK可設置於基底基板100上，且氧氣可以自頂部往底部的方向被提供，而可氧化初步第二電極170。因此，基底基板100與面向上方而形成於其上的層可進行上述製程，以使遮罩MASK設置在包含基底基板100及形成於其上的層之集合的顯示基板之上。因此，雖然透明有機發光顯示設備具有增加的平面尺寸，但是由於遮罩MASK設置於顯示基板之上且與電路區域CA及發光區域EA重疊，而可降低由於遮罩MASK的變形或凹陷而造成的缺陷。
分別與遮罩MASK重疊及不與遮罩MASK重疊之部分的單一整體第二電極材料層係同時經受上述的氧化處理。即使第二電極的第一部分172及第二部分174係從同時地經受上述氧化處理之相同第二電極材料層所形成，第二電極的第一部分172及第二部分174的氧含量具有彼此不同的氧含量。
再次參照第4K圖，第二電極可包含對應於電路區域CA、發光區域EA的第一部分172以及對應於傳輸區域TA之第二部分174。
第二電極的第一部分172可包含金屬。在例示性實施例中，例如，第一部分172可包含鎂及/或銀，第一部分172的厚度可為約10 nm至約13 nm。
第二電極的第一部分172的氧含量可小於約0.1 wt%。在例示性實施例中，第二電極的第一部分172的氧含量可為零。
第二電極的第二部分174可包含金屬氧化物。在例示性實施例中，例如，第二部分174可包含鎂氧化物及/或銀氧化物，且第二部分174的厚度可為約10 nm至約13 nm。
第二電極的第二部分174的氧含量可大於約0.1 wt%。在例示性實施例中，第二電極的第二部分174的氧含量可為約0.1 wt%至約10 wt%。
第二電極的第一部分172和第二部分174的厚度可彼此實質地相同。
參照第4L圖，可例如藉由利用密封基板180自透明有機發光顯示設備的外部的環境密封第二電極。
密封基板180可包含透明材料，且可減少或有效地避免周圍空氣和濕氣滲透至透明有機發光顯示設備中。密封基板180可例如藉由密封劑(未圖示)與基底基板100結合，以密封基底基板100與密封基板180之間或設置於基底基板100上的透明有機發光顯示設備的層與密封基板180之間的空間。
第5A圖至第5D圖係描繪製造第3圖的透明有機發光顯示設備之方法的例示性實施例之截面圖。
參照第5A圖，緩衝層110可形成於基底基板100上。
基底基板100可包含透明絕緣基板。在例示性實施例中，例如，基底基板100可包含玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等。用於基底基板100的透明樹脂基板的例子可包含聚亞醯胺類樹脂、丙烯醯類樹脂、聚丙烯酸酯類樹脂、聚碳酸酯類樹脂、聚醚類樹脂、含磺酸樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯類樹脂等。
緩衝層110可設置於基底基板100上。緩衝層110可藉由自旋塗佈製程、化學氣相沉積(CVD)製程、電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)製程、高密度電漿化學氣相沉積(HDP-CVD)製程、印刷製程等而在基底基板100上得到。
第一圖樣PT1可形成在緩衝層110上。第一圖樣PT1可包含具有對應於薄膜電晶體TFT的主動區域A、源極區域S及汲極區域D之主動區域A、源極區域S和汲極區域D的主動圖樣。此外，第一圖樣PT1可包含配置以驅動像素之訊號線。在例示性實施例中，例如，第一圖樣PT1可包含延長以在與第一方向實質地垂直的第二方向上延伸之數據線，且數據線可傳輸用於驅動像素的數據電壓。
在例示性實施例中，半導體材料層(未圖示)可形成於緩衝層110上，且接著可藉由圖樣化半導體材料層以將初步的主動層(未示出)形成於緩衝層110上。可於初步的主動層上進行結晶化製程，以在緩衝層110上形成包含主動圖樣之第一圖樣PT1。在此，半導體材料層可藉由CVD製程、PECVD製程、低壓化學氣相沉積(LPCVD)製程、濺鍍製程、印刷製程等形成。當半導體材料層包含非晶矽時，形成的主動圖樣可包含多晶矽。用於形成主動圖樣之結晶化製程可包含雷射照射製程、熱處理製程、利用催化劑的熱製程等。在部分例示性實施例中，於緩衝層110上形成半導體材料層及/或初步的主動層之後，可於半導體材料層及/或初步的主動層上進行脫氫製程。脫氫製程可降低半導體材料層及/或初步的主動層的氫濃度，以使最終形成的主動圖樣可具有改善的電性特性。
部分的主動圖樣可以雜質摻雜，以使摻雜的部分可具有高於主動圖樣的剩餘區域的電傳導性。
第一絕緣層120可形成於第一圖樣PT1上。
第一絕緣層120可藉由CVD製程、自旋塗佈製程、PECVD製程、濺鍍製程、真空蒸發製程、HDP-CVD製程、印刷製程等形成。
第二圖樣PT2可形成於第一絕緣層120上。
在例示性實施例中，第一導電材料層(未圖示)可形成於第一絕緣層120上，接著可利用額外的蝕刻遮罩藉由光刻製程或蝕刻製程部分地蝕刻第一導電材料層。因此，第二圖樣PT2可被提供於第一絕緣層120上 。第一導電材料層可藉由印刷製程、濺鍍製程、CVD製程、脈衝雷射沉積(PLD)製程、真空蒸發製程、原子層沉積(ALD)製程等形成 。
第二圖樣PT2可包含薄膜電晶體TFT的閘極電極GE。閘極電極GE可與定義薄膜電晶體TFT的主動區域A之第一圖樣PT1的主動區域A重疊。因此，主動區域A、源極區域S、汲極區域D及閘極電極GE連同在其之間設置的一或多個絕緣層可共同地定義薄膜電晶體TFT。
此外，第二圖樣PT2可包含配置以驅動像素之訊號線。在例示性實施例中，例如，第二圖樣PT2可包含延長以在第一方向上延伸之閘極線，且閘極線可傳輸用於驅動像素之閘極訊號或掃描訊號。
第二絕緣層130可形成於其上包含第二圖樣PT2的第一絕緣層120上。
第二絕緣層130可藉由CVD製程、自旋塗佈製程、PECVD製程、濺鍍製程、真空蒸發製程、HDP-CVD製程、印刷製程等形成。
第一電極140可形成於第二絕緣層130上。
露出薄膜電晶體TFT的汲極區域D之接觸孔可藉由部分地蝕刻第一絕緣層120及第二絕緣層130形成。接著，第二導電材料層可形成於第二絕緣層130上以填充接觸孔。之後，第一電極140可藉由圖樣化第二導電材料層而得到。在此，第二導電材料層可藉由印刷製程、濺鍍製程、CVD製程、脈衝雷射沉積(PLD)製程、真空蒸發製程、原子層沉積(ALD)製程等形成。
像素定義層150可形成於其上包含第一電極140之第二絕緣層130上。
像素定義層150可例如藉由自旋塗佈製程、噴塗製程(spray process)、印刷製程、CVD製程、PECVD製程、HDP-CVD製程等沉積像素定義層而得到。在例示性實施例中，可部分地蝕刻像素定義材料層以形成部分地露出第一電極140的開口及對應於窗口(參照第1圖的W)之開口。由部分的像素定義層150定義的開口可定義透明有機發光顯示設備的顯示區域、非顯示區域及傳輸區域。
發光結構160可形成於其上包含像素定義層150之第一電極140上。
發光結構160可形成於藉由以部分的像素定義層150定義的開口露出之第一電極140上。發光結構160可藉由雷射誘導熱成像製程、印刷製程等形成。
初步第二電極170可形成於發光結構160、像素定義層150及第二絕緣層130上。
初步第二電極170可藉由印刷製程、濺鍍製程、CVD製程、ALD製程、真空蒸發製程、PLD製程等形成。
在例示性實施例中，例如，初步第二電極170可包含例如鎂及/或銀的材料，且初步第二電極170的厚度可為約10 nm至約13 nm。
參照第5B圖及第5C圖，第一部分172及第二部分174可藉由部分地氧化初步第二電極170而形成。
在例示性實施例中，遮罩MASK可設置於初步第二電極170上，以覆蓋電路區域CA及發光區域EA。遮罩MASK可為精細金屬遮罩(FMM)。之後，未被遮罩MASK覆蓋及對應於傳輸區域TA之上部的初步第二電極170可例如藉由氧氣電漿處理(藉由第5B圖的向下箭頭所指出)進行氧化。
在此，遮罩MASK可設置於基底基板上，且氧氣可以自頂部往底部的方向提供，而可氧化初步第二電極170。因此，基底基板100與面向上方而形成於其上的層可進行上述製程，以使遮罩MASK設置在包含基底基板100及形成於其上的層之集合的顯示基板之上。因此，雖然透明有機發光顯示設備具有增加的平面尺寸，但是由於遮罩MASK設置於顯示基板上並與電路區域CA及發光區域EA重疊，故可降低由於遮罩MASK的變形或凹陷而造成的缺陷。
再次參照第5C圖，第二電極可包含對應於電路區域CA及發光區域EA之第一部分172以及對應於傳輸區域TA之第二部分174。
第二電極的第一部分172可包含金屬。在例示性實施例中，例如，第一部分172可包含鎂及/或銀，且第一部分172的厚度可為約10 nm至約13 nm。
第二電極的第二部分174可包含第一層174a及第二層174b。第二層174b可藉由氧化形成第二部分174的材料的上部而形成於第一層174a上。第一層174a可藉由氧化形成第二部分174的材料的上部而不被氧化。
第二層174b可包含金屬氧化物。在例示性實施例中，例如，第二層174b可包含鎂氧化物及/或銀氧化物。
第一部分172的總厚度或最大厚度可與第二部分174的第一層174a及第二層174b的厚度之總和實質地相同。
參照第5D圖，第二電極可利用密封基板180自外部密封。
密封基板180可包含透明材料，且可減少或有效地避免周圍空氣和濕氣滲透至透明有機發光顯示設備中。密封基板180可例如藉由密封劑(未圖示)與基底基板100結合，以密封基底基板100與密封基板180之間或設置於基底基板100上的透明有機發光顯示設備的層與密封基板180之間的空間。
因此，根據本發明之透明有機發光顯示設備的一或多個例示性實施例可包含設置在包含電路區域與發光區域之顯示區域及透明(例如，傳輸)區域中的第二電極。與在顯示區域中的第二電極相比，在傳輸區域中的第二電極可包含相對地較高的氧含量，而可改善外部光在傳輸區域的穿透率。
此外，在製造透明有機發光顯示設備之方法的一或多個例示性實施例中，在顯示區域及傳輸區域中部分的單一整體的第二電極材料層同時經受氧化製程，以改善通過傳輸區域的外部光的穿透率，而可簡化製造透明有機發光顯示設備的製程且可改善生產良率。
本發明的一或多個例示性實施例可應用至有機發光顯示設備，且應用至具有有機發光顯示設備之電子裝置。在例示性實施例中，本發明可應用至例如電腦監視器、電視、筆記型電腦、數位相機、行動電話、智慧型手機、 智慧型平板、個人數位助理(PDA)、可攜式多媒體播放器(PMP)、MP3播放器、導航系統、視訊電話等電子裝置。
前述係為本發明的說明，且不解釋為其限制。雖然描述了本發明之一些例示性實施例，然而所屬技術領域中具有通常知識者將輕易理解的是，在未實質上脫離本發明的新穎教示及優點下，對於例示性實施例之許多修改是可能的。據此，所有如此的修改係旨在被包含在如申請專利範圍所定義的本發明之範疇內。在申請專利範圍中，功能手段用語(means-plus-function)條款係旨在涵蓋本文中所描述之執行所述功能的結構，且不僅只有結構等同物，而是亦包含等價的結構。因此，應理解的是，前述係為本發明的說明，且並非解釋為限於所揭露的特定例示性實施例，而對所揭露的例示性實施例之修改以及其他例示性實施例係旨在包含於所附申請專利範圍的範疇內。本發明係藉由下列申請專利範圍定義，具申請專利範圍的等價物被包含於其中。
100‧‧‧基底基板
110‧‧‧緩衝層
120‧‧‧第一絕緣層
130‧‧‧第二絕緣層
140‧‧‧第一電極
150‧‧‧像素定義層
160‧‧‧發光結構
170‧‧‧初步第二電極
172‧‧‧第一部分
174‧‧‧第二部分
174a‧‧‧第一層
174b‧‧‧第二層
180‧‧‧密封基板
A‧‧‧主動區域
BL‧‧‧光遮斷部分
CA‧‧‧電路區域
D‧‧‧汲極區域
EA‧‧‧發光區域
EP1‧‧‧第一發光部分
EP2‧‧‧第二發光部分
EP3‧‧‧第三發光部分
GE‧‧‧閘極電極
MASK‧‧‧遮罩
P1‧‧‧第一子像素
P2‧‧‧第二子像素
P3‧‧‧第三子像素
PT1‧‧‧第一圖樣
PT2‧‧‧第二圖樣
S‧‧‧源極區域
TA‧‧‧傳輸區域
TFT‧‧‧薄膜電晶體
W‧‧‧窗口
本發明之上述及其它特徵將藉由參照附圖詳細描述其例示性實施例而變得顯而易知，其中：
第1圖係描繪根據本發明之透明有機發光顯示設備的像素的例示性實施例之平面圖；
第2圖係為沿著第1圖的I-I’線之截面圖；
第3圖係描繪根據本發明之透明有機發光顯示設備的另一例示性實施例之截面圖；
第4A圖至第4L圖係描繪製造第1圖的透明有機發光顯示設備之方法的例示性實施例之截面圖；以及
第5A圖至第5D圖係描繪製造第3圖的透明有機發光顯示設備之方法的例示性實施例之截面圖。
100‧‧‧基底基板
110‧‧‧緩衝層
120‧‧‧第一絕緣層
130‧‧‧第二絕緣層
140‧‧‧第一電極
150‧‧‧像素定義層
160‧‧‧發光結構
172‧‧‧第一部分
174‧‧‧第二部分
180‧‧‧密封基板
A‧‧‧主動區域
CA‧‧‧電路區域
D‧‧‧汲極區域
EA‧‧‧發光區域
GE‧‧‧閘極電極
PT1‧‧‧第一圖樣
PT2‧‧‧第二圖樣
S‧‧‧源極區域
TA‧‧‧傳輸區域
TFT‧‧‧薄膜電晶體

Claims (10)

  1. 一種透明有機發光顯示設備，其包含： 一基底基板； 一第一電極，係設置於該基底基板上； 一第二電極，係設置於該第一電極上，該第二電極係包含：    一第一部分；及    一第二部分，係設置成與該第一部份相鄰，該第二部分之氧含量係與該第一部份的氧含量不同；以及 一發光結構，係設置在該第一電極與該第二電極的該第一部分之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之透明有機發光顯示設備，其中： 該第二電極的該第一部分與該第一電極重疊， 該第二電極的該第二部分不與該第一電極重疊， 該第二電極的該第二部分係包含大於約0.1 wt%的氧，以及 該第二電極的該第一部分係包含小於約0.1 wt%的氧。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之透明有機發光顯示設備，其中： 該第二電極的該第一部分係包含鎂、銀或其任意組合，以及 該第二電極的該第二部分係包含鎂氧化物、銀氧化物或其任意組合。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之透明有機發光顯示設備，其中該第二電極的該第二部分的厚度係與該第二電極的該第二部分相鄰之該第二電極的該第一部分的厚度實質地相同。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之透明有機發光顯示設備，其中該第二電極的厚度係為約10奈米至約13奈米。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之透明有機發光顯示設備，其進一步包含： 一像素定義層，係設置成與該第一電極重疊，以及 一薄膜電晶體，係電性連結至該第一電極， 其中，該像素定義層定義一開口，該發光結構設置在該開口中， 藉由該像素定義層所定義之該開口來定義一窗口，且外部光通過該窗口， 藉由以該像素定義層所定義之該開口來定義的該窗口係與該第二電極的該第二部分重疊，以及 定義該開口之該像素定義層與該薄膜電晶體重疊。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之透明有機發光顯示設備，其中該第二電極的該第二部分係包含： 一第一層；及 一第二層，係設置於該第一層上， 設置於該第一層上之該第二層係包含大於約0.1 wt%的氧，以及 該第二電極的該第一部分及該第二電極的該第二部分之該第一層係包含小於約0.1 wt%的氧。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之透明有機發光顯示設備，其中該第二電極的該第一部分及該第二電極的該第二部分之該第一層係包含鎂、銀或其任意組合，以及 該第二電極的該第二部分的該第二層係包含鎂氧化物、銀氧化物或其任意組合。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之透明有機發光顯示設備，其中該第二電極的該第一部分的總厚度係為約10奈米至約13奈米，以及 該第二電極的該第二部分的該第一層及該第二層的厚度之總和係為約10奈米至約13奈米。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之透明有機發光顯示設備，其中： 該透明有機發光顯示設備係包含複數個像素，且藉由該複數個像素顯示一影像， 該複數個像素之中的每一個像素係包含：    一傳輸區域，外部光穿過該傳輸區域；及    一發光區域，在該發光區域中發光以顯示該影像， 該第二電極的該第二部分係對應於該傳輸區域，以及 與該第二電極的該第二部分相鄰之該第二電極的該第一部分對應於該發光區域。
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