TW201621055A - Ｌｅｄ之導線架用銅合金板條 - Google Patents

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Abstract

含有特定量的Fe、P、Zn及Sn且剩餘部分實質為Cu及不可避免的雜質所構成之Cu-Fe系銅合金板條，輥軋垂直方向的表面粗糙度為算術平均粗糙度Ra：未達0.06μm、十點平均粗糙度RzJIS：未達0.5μm，存在於表面之長度5μm以上、深度0.25μm以上的溝槽狀凹部在每200μm×200μm單位面積為2個以下、表面的微細結晶粒所構成之加工變質層的厚度為0.5μm以下。

Description

LED之導線架用銅合金板條
本發明是關於例如作為LED導線架來使用之銅合金板條(板及條)及具有Ag鍍膜之銅合金板條。
近年，使用發光二極體(LED：Light Emitting Diode)作為光源之發光裝置，因為節能且壽命長，在廣範圍的領域被普及化。LED元件固定於熱傳導性及導電性優異的銅合金導線架，而配置於封裝體中。為了將從LED元件發出的光效率良好地取出，在銅合金導線架的表面形成有作為反射膜之Ag鍍膜。LED封裝體是作為照明及個人電腦、行動電話等的背光來使用，因為必須使照明、畫面更為明亮，對於LED封裝體之高亮度化的要求變得越來越高。
為了使LED封裝體高亮度化，有將LED元件本身高亮度化的方法，還有將Ag鍍膜高品質化(高反射率化)的方法。然而，LED元件的高亮度化接近極限，僅謀求些微的高亮度化就會造成元件成本大幅提高。因此，近年來，對於Ag鍍膜之高反射率化的要求變強。作為具 有Ag鍍膜之導線架用銅合金，以往是使用算術平均粗糙度Ra為0.08μm左右的研磨精加工品、算術平均粗糙度Ra為0.06μm左右的輥軋精加工品。然而，形成Ag鍍膜後的反射率頂多為91%左右，而要求更高的反射率。
另一方面，主要作為照明用之高亮度LED的發熱量出乎意料的大，該熱會使LED元件本身、其周圍的樹脂劣化，而使LED的特長、即長壽命減損，LED元件的散熱對策受到重視。作為LED之導線架用銅合金，大多採用強度：450MPa、導電率：70%IACS左右的C194(參照專利文獻1,2)。然而，作為其散熱對策之一，是要求具有比C194更高的導電率(熱傳導率)之導線架用銅合金。
[專利文獻1]日本特開2011-252215號公報
[專利文獻2]日本特開2012-89638號公報(段落0058)
本發明的目的，是作為LED封裝體的散熱對策之一而使用具有比C194更高的導電率之Cu-Fe-P系銅合金作為導線架的材料，使形成於表面之鍍Ag反射膜的反射率提高而謀求LED封裝體之高亮度化。
為了使鍍Ag反射膜的反射率提高，雖可考慮將導線架材料、即銅合金板條的表面粗糙度降低，但單純這樣做並無法提高鍍Ag反射膜的反射率。依據本發明人等的認知，在銅合金板條的表面，在冷軋過程會形成油坑(oil-pit)、條紋圖案等之微細的缺陷，或是藉由研磨精加工而形成加工變質層，其等會影響鍍Ag反射膜之表面粗糙度及結晶粒徑等，而阻礙鍍Ag反射膜的反射率提高。本發明乃是基於此認知而開發完成的。
本發明的LED之導線架用銅合金板條(板及條)，係含有Fe：0.01~0.5mass%、P：0.01~0.20mass%、Zn：0.01~1.0mass%、Sn：0.01~0.15mass%，剩餘部分為Cu及不可避免的雜質所構成，按照必要，進一步含有Co、Al、Cr、Mg、Mn、Ca、Pb、Ni、Ti、Zr、Si、Ag之1種或2種以上合計0.02~0.3mass%。該銅合金板條，表面粗糙度為算術平均粗糙度Ra：未達0.06μm、十點平均粗糙度RzJIS：未達0.5μm，存在於表面之長度5μm以上、深度0.25μm以上之溝槽狀的凹部個數，在200μm×200μm正方形的面積內為2個以下(包含0個)，表面之微細結晶粒所構成之加工變質層的厚度為0.5μm以下。
本發明之銅合金板條，拉伸強度為450MPa以上，導電率為80%IACS以上，400℃×5分加熱後之硬度 降低未達10%，兼具有作為LED之導線架用所必要之強度、導電率及耐熱性。而且，依據本發明，具有高導電率(熱傳導率)的導線架成為散熱路徑，能使LED封裝體的散熱性提高。
此外，本發明的銅合金板條，可使形成於表面之鍍Ag反射膜的表面粗糙度成為十點平均粗糙度RzJIS：0.3μm以下，結果能使鍍Ag反射膜的反射率提高到92%以上，可實現LED封裝體之高亮度化。
圖1係顯示本發明的比較例(試驗No.11)之銅合金板條的表面形態(特別是凹部)之掃描型電子顯微鏡相片。
接下來，針對本發明作更具體的說明。
(銅合金之化學組成)
本發明的銅合金，係包含Fe：0.01~0.5mass%、P：0.01~0.20mass%、Zn：0.01~1.0mass%、Sn：0.01~0.15mass%，剩餘部分為Cu及不可避免的雜質所構成，按照必要含有Co、Al、Cr、Mg、Mn、Ca、Pb、Ni、Ti、Zr、Si、Ag之1種或2種以上合計0.02~0.3mass%以下。
在上述銅合金中，Fe的作用在於，與P形成化合物而使強度及導電率特性提高。然而，當Fe含量超過0.5mass%時，會導致銅合金的導電率及熱傳導率降低，當未達0.01mass%時，無法獲得作為LED用導線架所必要的強度。當P含量超過0.2mass%時，會使銅合金的導電率及熱傳導率劣化，當未達0.01mass%時，無法獲得作為LED用導線架所必要的強度。因此，將Fe含量設為0.01~0.5mass%，將P含量設為0.01~0.20mass%。此外，Fe含量和P的含量的比率[Fe/P]，基於強度及導電率的觀點，宜在2~5的範圍。
此外，Fe含量的下限較佳為0.03mass%，更佳為0.05mass%。此外，Fe含量的上限較佳為0.45mass%，更佳為0.40mass%。另一方面，P含量的下限較佳為0.015mass%，更佳為0.020mass%。此外，P含量的上限較佳為0.17mass%，更佳為0.15mass%。
Zn的作用在於，使焊料的耐熱剝離性提高，在將LED封裝體組裝於基板時可維持焊接可靠性。然而，當Zn含量未達0.01mass%時，難以滿足焊料的耐熱剝離性，當超過1.0mass%時，會使銅合金導電率及熱傳導率劣化。因此，將Zn含量設為0.01~1.0mass%。
Sn有助於銅合金的強度提高，當Sn含量未達0.01mass%時，無法獲得充分的強度。此外，當Sn含量超過0.20mass%時，會使銅合金的導電率及熱傳導率劣化。因此，將Sn含量設為0.01~0.20mass%。
此外，Zn含量的下限較佳為0.03mass%，更佳為0.05mass%。此外，Zn含量的上限較佳為0.80mass%，更佳為0.60mass%。
另一方面，Sn含量的下限較佳為0.02mass%，更佳為0.04mass%。此外，Sn含量的上限較佳為0.17mass%，更佳為0.15mass%。
作為副成分按照必要而添加之Co、Al、Cr、Mg、Mn、Ca、Pb、Ni、Ti、Zr、Si、Ag，具有將銅合金的強度、耐熱性提高的作用。為了將該等副成分添加於銅合金中而獲得前述作用，合計含量宜為0.02mass%以上。然而，當該等副成分的合計含量超過0.3mass%時，會使熱傳導性及導電率劣化。因此，在添加該等副成分時，將其合計含量設為0.02~0.3mass%。又因為Pb會使熱軋性降低，其含量宜為0.01mass%以下。
此外，副成分的合計含量較佳為0.03mass%以上，且較佳為0.2mass%以下。
(銅合金板條的表面性狀)
鍍Ag反射膜的反射特性，會受鍍敷材料、即銅合金板狀的表面性狀影響，具體而言，會受到表面粗糙度、存在於表面之凹部個數、及形成於表面之加工變質層的厚度影響。
銅合金板條的表面粗糙度，在表面粗糙度最大的方向(通常為輥軋垂直方向)是設為：算術平均粗糙度Ra： 未達0.06μm、十點平均粗糙度RzJIS：未達0.5μm。算術平均粗糙度Ra及十點平均粗糙度RzJIS，是依JISB0601：2001。當算術平均粗糙度Ra為0.06μm以上、或十點平均粗糙度RzJIS超過0.5μm時，鍍Ag反射膜的表面粗糙度增大，無法使鍍Ag反射膜的反射率成為92%以上。
存在於表面之凹部，是長度5μm以上、深度0.25μm以上之溝槽狀凹部，該凹部的個數，在任意選擇之200μm×200μm正方形(一對的邊是與輥軋垂直方向平行)的範圍內為2個以下(包含0個)。前述凹部，是沿輥軋垂直方向或輥軋平行方向形成。在前述凹部及其附近，因為比除此以外的部分之凹凸更大，在Ag鍍膜的反射膜容易發生局部的凹凸。當在前述正方形範圍內之凹部個數超過2個時，在鍍Ag反射膜容易發生凹陷等，無法使鍍Ag反射膜的反射率成為92%以上。圖1顯示含有凹部之銅合金板條表面之掃描型電子顯微鏡相片。在圖1中，超過寬度5μm之溝槽狀的凹部與輥軋垂直方向大致平行地形成有2個(虛線所包圍的部位)，與輥軋平行方向大致平行地形成有1個(虛線所包圍的部位)。
在冷軋之銅合金板條的表面，從表面起依序形成有(1)非晶質的比耳拜(Beilby)層、(2)纖維化、微細化層(微細結晶粒層)、(3)彈性應變層。一般是將這3層合在一起稱為加工變質層。另一方面，在本發明，特別是將前述(1)和(2)合在一起稱為「由微細結晶粒所構成的加工變質層」。前述(1)及(2)層、與 前述(3)層及母材，因為結晶粒組織明顯不同而容易識別。加工變質層會影響鍍Ag反射膜的性狀，當前述微細結晶粒所構成的加工變質層(前述(1)和(2)層)的合計厚度超過0.5μm時，鍍Ag反射膜的表面粗糙度增大，無法使鍍Ag反射膜的反射率成為92%以上。因此，將微細結晶粒所構成之加工變質層的厚度設為0.5μm以下。此外，在精加工冷軋後實施研磨之銅合金板條，微細結晶粒所構成之加工變質層的厚度大多超過0.5μm。
(鍍Ag反射膜)
鍍Ag反射膜的表面形態，受作為材料之銅合金板條之表面性狀的影響很大。當銅合金板條的表面性狀(表面粗糙度、存在於表面之凹部的個數、形成於表面之加工變質層的厚度)在上述範圍內時，能使鍍Ag反射膜的表面粗糙度成為十點平均粗糙度RzJIS：0.3μm以下。鍍Ag反射膜的反射率，受到鍍Ag反射膜之結晶粒徑及鍍膜配向性的影響。當鍍Ag反射膜的表面粗糙度為十點平均粗糙度RzJIS：0.3μm以下時，能使鍍Ag反射膜的結晶粒徑成為13μm以上且鍍膜配向性((001)配向)成為0.4以上，而使鍍Ag反射膜的反射率提高到92%以上。另一方面，當鍍Ag反射膜的十點平均粗糙度RzJIS超過0.3μm時，無法使鍍Ag反射膜的結晶粒徑成為13μm以上且鍍膜配向性((001)配向)成為0.4以上，或是無法滿足前述結晶粒徑及鍍膜配向性之任一方，而無法使鍍Ag反 射膜的反射率提高到92%以上。
(銅合金板條的製造方法)
Cu-Fe-P系銅合金板條，通常是將鑄塊予以平面切削後，經由熱軋、熱軋後驟冷或固溶化處理，接著進行冷軋及析出退火後，進行精加工冷軋而製造出。冷軋及析出退火，可按照必要而反覆實施，精加工冷軋後可按照必要而進行低溫退火。本發明之銅合金板條的情況也是，不須將該製程本身予以大幅改變。適切的熔鑄及熱軋條件是如下述般，藉此可防止析出粗大的Fe、Fe-P、Fe-P-O等。
在熔鑄中，於1200℃以上的銅合金熔融液添加Fe使其溶解，之後也將熔融液溫度保持於1200℃以上而進行鑄造。當鑄塊中存在有粗大Fe粒子、Fe系夾雜物粒子(Cu-Fe-O、Fe-O等)時，容易發生製品之表面的凹部。因此，除了使所添加的Fe完全溶解、藉由控制溶解氛圍來防止鐵的氧化以外，藉由鑄造時的熔融液過濾，可有效地避免該等粒子進入鑄塊中。鑄塊的冷卻，在凝固時(固液共存時)及凝固後都是以1℃/秒以上的冷卻速度進行。為了獲得該冷卻速度，在連續鑄造或半連續鑄造的情況，必須使鑄模內的一次冷卻、鑄模正下方的二次冷卻充分發揮作用。在熱軋時，均質化處理是於900℃以上、較佳為950℃以上進行，於該溫度開始熱軋，將熱軋結束溫度設為650℃以上、較佳為700℃以上，熱軋結束後馬上用大量的水驟冷至300℃以下。
析出退火後，為了將形成於材料表面之氧化物除去，一般是將材料表面實施機械研磨。這時會在材料表面導入條紋狀的凹凸(研磨痕)，接著進行最終冷軋時，前述凹凸會變形，容易在製品(銅合金板條)上以前述條紋圖案的形式殘留。起因於該條紋圖案，可能發生無法滿足銅合金板條之前述表面粗糙度及凹部個數的規定的情況，因此較佳為在析出退火後不進行機械研磨。在還原氛圍下進行析出退火，為了避免在退火時於材料表面產生氧化膜，可省略析出退火後的機械研磨。
精加工冷軋中，藉由將輥軋用輥子的表面形狀轉印於材料表面而形成銅合金板條的表面粗糙度。因為本發明之銅合金板條的表面粗糙度(算術平均粗糙度Ra及十點平均粗糙度RzJIS)都非常小，對應於其目標之銅合金板條的表面粗糙度，必須對精加工冷軋的輥軋用輥子實施鏡面精加工。作為該輥軋用輥子，較佳為使用超硬合金所構成的高速鋼輥子、或矽鋁氮氧化物(SiAlON)等的氮化矽系的輥子。其中特別是矽鋁氮氧化物輥子，維氏硬度為1600左右，可將輥子的表面形態穩定地轉印在材料表面。
作為精加工冷軋的輥軋條件，必須將潤滑油、輥子的旋轉速度、軋縮率、拉伸張力(輥子出側張力)予以適切地組合，藉由依以下條件進行精加工輥軋，可製造出具有期望的表面性狀(表面粗糙度、凹部個數、加工變質層)之銅合金板條。
作為精加工冷軋的潤滑油，較佳為使用對於波長550nm的入射光之穿透度為90%以上的石蠟系潤滑油，且在溫度40℃左右進行輥軋。該穿透度是指：當二甲苯對於波長550nm的入射光之穿透度為100%時，上述潤滑油之相對穿透度。藉由使用該潤滑油，可抑制前述油坑的生成。
在精加工冷軋時，使用輥徑20~100mm左右的輥子，將輥子的旋轉速度設為200~700mpm、拉伸張力(出側張力)設為50~200N/mm2左右，經由1道次或複數道次的通板而進行加工率合計為20~70%的冷軋。在精加工冷軋是進行複數道次通板的情況，較佳為將第2道次以後之輥子的粗糙度設定成比第1道次之輥子的粗糙度更小，且將第2道次以後的輥軋速度設定成比第1道次的輥軋速度更慢。當輥子的旋轉速度小、拉伸張力小、且軋縮率大時，可對於材料表面良好地進行輥子的轉印，能在銅合金板條上確保小且穩定的表面粗糙度，也使凹部的個數減少。然而，當軋縮率大時，容易形成加工變質層。另一方面，當輥子的旋轉速度大、拉伸張力大、軋縮率小的情況，呈現相反的傾向。精加工冷軋之加工率只要按照其目的之機械性質來決定即可，在精加工冷軋後不進行去應力退火等的低溫退火的情況，該加工率宜為10~50%，進行輥軋後去應力退火的情況該加工率宜為30~90%。
[實施例1]
將表1,2所示組成的銅合金(合金No.1~24)，使用小型電爐在大氣中於木炭被覆下進行溶解，熔製成厚度50mm、寬度80mm、長度180mm的鑄塊。將製作出之上述鑄塊的表面、背面各實施5mm平面切削後，於950℃進行均質化處理，接著進行熱軋而成為厚度12mmt的板材，將其驟冷。將該板材的表面、背面分別實施約1mm的平面切削。對於該等的板材，反覆進行冷軋及500~550℃×2~5小時的析出退火後，使用鏡面精加工後之直徑50mm的矽鋁氮氧化物輥子，以40%的加工率進行精加工冷軋，製作出厚度0.2mm、寬度180mm的銅合金條而作為供試材。在精加工冷軋時，使用前述潤滑油，並將輥子的旋轉速度及拉伸張力設定在前述範圍內。
使用所製作的供試材，依下述要領進行拉伸強度、導電率、焊料耐熱剝離性、及耐熱性之各測定試驗。測定結果顯示於表1。
(拉伸強度的測定)
從供試材以其長度方向與輥軋方向平行的方式採取3條JIS5號試驗片，依JISZ2241的規定進行拉伸試驗，測定其拉伸強度。使用3條試驗片之拉伸強度的平均值作為該供試材的拉伸強度。拉伸強度450MPa以上評價為合格。
(導電率的測定)
導電率是依JISH0505的規定進行測定。導電率80%IACS以上評價為合格(各供試材，n=1)。
(焊料耐熱剝離性的測定)
關於焊接，是將市售之Sn-3質量%Ag-0.5質量%Cu焊料保持於260℃而使其溶融，將從各供試材採取(n=3)之表面淨化之10mm寬度×35mm長度的各試驗片以浸漬速度25mm/sec、浸漬深度12mm、浸漬時間5sec浸漬於溶融焊料中。焊接裝置是使用Solder Checker(SAT5100型)。助焊劑是使用活性助焊劑。對於焊接後的試驗片，以175℃於大氣中進行72小時加熱。接著，對於該等的加熱試驗片，使用180度彎曲治具，以彎曲半 徑0.4mm進行180°彎曲後，將其拉直，在彎曲部內側貼合市售的膠帶，一口氣將膠帶從試驗片剝下。目視觀察剝下的膠帶，n=3之試驗片當中，將3條都看不出焊料剝離者評價為合格(○)，只要有1條看出焊料的剝離就評價為不合格(×)。
(耐熱性的測定)
取從各供試材採取的試驗片3個，使用顯微維氏硬度計，施加4.9N的荷重而分別測定400℃×5分加熱後的硬度H、及加熱前的硬度(H0)，算出硬度降低率R。取3個試驗片之硬度降低率的平均作為該供試材的硬度降低率。加熱後的硬度降低率R(%)以R={(H0-H)/H0}×100表示。硬度降低率R未達10%評價為合格。
如表1所示般，合金No.1~14之合金組成符合本發明的規定，拉伸強度大、導電率高、焊料耐熱剝離性優異、耐熱性也優異，適於作為LED的導線架用。
另一方面，如表2所示般，Fe,P,Zn,Sn之任一者的含量不符合本發明的規定之合金No.15~22、24，拉伸強度、導電率、焊料耐熱剝離性及耐熱性當中之1或2以上的特性不佳。合金No.15,24之Fe含量過剩，合金No.17之P含量過剩，合金No.19之Zn含量過剩，合金No.21之Sn含量過剩，合金No.23之副成分(Co,Mn等)的合計含量過剩，導電率皆低。合金No.16之Fe含量少，No.18之P含量少，拉伸強度都不足，耐熱性也差。合金 No.20之Zn含量少，焊料耐熱剝離性差。合金No.22之Sn含量少，拉伸強度不足。
[實施例2]
將表1,2所示組成的銅合金(合金No.1,2,3,10,15,24)，使用小型電爐在大氣中於木炭被覆下進行溶解，熔製成厚度50mm、寬度80mm、長度180mm的鑄塊。將所製作之上述鑄塊的表面、背面各實施5mm的平面切削後，於950℃進行均質化處理，接著進行熱軋而成為厚度12mmt的板材，將其驟冷。將該板材的表面、背面分別實施約1mm平面切削。對於該等的板材。反覆進行冷軋及500~550℃×2~5小時的析出退火後。使用鏡面精加工後之直徑50mm的矽鋁氮氧化物輥子，以40%的加工率進行精加工冷軋，製作出厚度0.2mm、寬度180mm的銅合金條而作為供試材。在精加工冷軋時，調整通板道次次數、最終及中間的各道次之矽鋁氮氧化物輥子的表面粗糙度、及輥子的旋轉速度，獲得具有各種表面粗糙度的銅合金條(表3的試驗No.1~20)。僅對於試驗No.7，在精加工冷軋後，將板表面實施機械研磨。
使用所製作的供試材(銅合金條)，依下述要領進行表面粗糙度(Ra,RzJIS)、加工變質層厚度、在200μm×200μm正方形的範圍內所觀察之長度5μm以上、深度0.25μm以上的溝槽狀的凹部個數之各測定試驗。測定結果如表3所示。
(表面粗糙度的測定)
從所製作之供試材的板寬度中央部切出寬度20mm、長度50mm的試驗片(長度50mm的方向與輥軋方向平行)，對於該中央部附近，使用AFM(原子力顯微鏡，Atomic Force Microscope)觀察輥軋垂直方向之供試材的表面狀態，求出表面粗糙度曲線(AFM外形輪廓)，根據該AFM外形輪廓求出Ra(算術平均粗糙度)及RzJIS(十點平均粗糙度)。對於1個試驗片進行3部位的測定，取其最大值作為該供試材的表面粗糙度。
(加工變質層厚度的測定)
從各供試材之板寬度中央部切出與輥軋方向及板厚方向平行的剖面(長度20mm)，作為觀察試料。對於各觀察試料，將任意選擇之3部位的前述剖面以40000倍使用SEM(掃描型電子顯微鏡)觀察，求出各觀察部位之微細結晶粒所構成的加工變質層厚度之最大值，取3視野之觀察值的最大值作為該供試材之「微細結晶粒所構成」加工變質層厚度。當該加工變質層厚度為0.1μm左右或更薄的情況，由於厚度無法正確地測定，在表3的加工變質層厚度欄用「-」表示。
(凹部個數的測定)
將各供試材之板寬度中央部的表面以1500倍使用 SEM觀察，測定在200μm×200μm正方形(一對的邊與輥軋垂直方向平行)的範圍內所觀察之長度5μm以上的溝槽狀的凹部個數。當觀察到長度5μm以上的凹部的情況，對於各凹部，將長度方向中央部以與長度方向垂直地切斷，將其剖面以40000倍使用SEM觀察而測定凹部的最大深度，計算最大深度0.25μm以上之凹部數量。對於各試料，觀察任意選擇的3視野(各200μm×200μm)，取凹部個數最多的視野之個數作為該試料的凹部個數。關於試驗No.7，因為研磨痕而無法明確地識別凹部。
接著，對於從所製作的供試材(銅合金條)之板寬度中央部採取之寬度30mm、長度50mm的3條試驗片(長度50mm方向與輥軋方向平行)，依下述條件進行鍍Ag，對於該Ag鍍膜材，依下述要領進行表面粗糙度、Ag鍍膜配向性、Ag鍍膜粒徑、反射率、封裝體組裝後的亮度之測定試驗。測定結果如表3所示。
(鍍Ag條件)
對於各供試材，進行電解脫脂(5Adm2×60sec)、酸洗(20mass%硫酸×5sec)，進行厚度0.1~0.2μm之Cu快速電鍍後，進行厚度2.5μm之鍍Ag。Ag鍍液的組成如下述般。Ag濃度：80g/L、遊離KCN濃度：120g/L、碳酸鉀濃度：15g/L、添加劑(商品名：Ag20-10T(美泰樂科技SA製))：20ml/L。
(Ag鍍膜材之表面粗糙度的測定)
使用所製作的Ag鍍膜材，利用AFM(Atomic Force Microscope)觀察輥軋垂直方向之供試材的表面狀態，求出表面粗糙度曲線(AFM外形輪廓)，根據該AFM外形輪廓求取RzJIS(十點平均粗糙度)。取對於3條試驗片所測定之測定值的最大值作為該供試材的RzJIS。
(Ag鍍膜配向性、Ag鍍膜粒徑的測定)
使用所製作之Ag鍍膜材，依據EBSD(電子背向散射繞射，Electron BackscatterDiffraction)分析，對於3條試驗片測定Ag鍍膜配向性及Ag鍍膜粒徑。EBSD分析是使用TSL公司製的MSC-2200，以測定步長(step)：0.2μm、測定區域：60×60μm的條件進行。對於3條試驗片的測定結果，可視為相同的結果。此外，在求取Ag鍍膜的平均粒徑(圓等效直徑)時，將鄰接之測定點間的方位差為5°以上的情況視為Ag鍍膜的粒界，使用完全被該粒界所包圍的區域作為結晶粒。取對於3條試驗片所測定之測定值的平均值，作為該供試材的平均粒徑。
(Ag鍍膜材之反射率的測定)
使用柯尼卡美能達株式會社製之分光測色計CM-600d，測定所製作的Ag鍍膜材之全反射率(正反射率+擴散反射率)。全反射率92%以上評價為合格。取對於從各供試材採取之3條試驗片之全反射率的平均值，作為該 供試材的全反射率。
(封裝體組裝後之亮度的測定)
使用所製作的Ag鍍膜材組裝成LED封裝體，將該LED封裝體設置於小型積分球內，進行全光束測定。小型積分球的規格為株式會社Spectra Co-op製、型式：SLM系列、尺寸10吋。封裝體組裝後的亮度2.05lm以上評價為合格。取對於從各供試材採取之3條試驗片之測定值的平均值，作為該供試材之組裝後的亮度。
如表3所示般，試驗No.1~6,12,14,16之合金組成、銅合金板的表面粗糙度(Ra,RzJIS)、加工變質層厚度、及凹部個數符合本發明的規定，全都是Ag鍍膜後的反射率為92%以上，封裝體組裝後的亮度(全光束)為2.05lm以上。全都是Ag鍍膜材的表面粗糙度RzJIS為0.3μm以下，Ag鍍膜配向性((001)配向)為0.4以上，Ag鍍膜的結晶粒徑為13μm以上。
另一方面，合金組成雖符合本發明的規定，但銅合金板的表面粗糙度(Ra,RzJIS)、加工變質層厚度、及凹部個數之任一者不符合本發明的規定之試驗No.7~11,13,15,17，Ag鍍膜後的反射率及封裝體組裝後的亮度(全光束)差。全都是Ag鍍膜材的表面粗糙度RzJIS超過0.3μm，Ag鍍膜配向性((001)配向)未達0.4，Ag鍍膜的結晶粒徑未達13μm。
合金組成雖不符合本發明的規定，但銅合金板的表面粗糙度(Ra,RzJIS)、加工變質層厚度、及凹部個數符合本發明的規定之試驗No.18,20，Ag鍍膜後的反射率為92%以上，封裝體組裝後的亮度(全光束)為2.05lm以上。全都是Ag鍍膜材的表面粗糙度RzJIS為0.3μm以下，Ag鍍膜配向性((001)配向)為0.4以上，Ag鍍膜的結晶粒徑為13μm以上。
合金組成及銅合金板的表面粗糙度(Ra,RzJIS)不符合本發明的規定之No.19，Ag鍍膜後的反射率及封裝體組裝後的亮度(全光束)差。此外，No.19之Ag鍍膜材的 表面粗糙度RzJIS超過0.3μm，Ag鍍膜配向性((001)配向)未達0.4，Ag鍍膜的結晶粒徑未達13μm。
雖是詳細地參照特定的實施態樣來說明本發明，在不脫離本發明之精神和範圍內可施加各種變更及修正，此乃所屬技術領域具有通常知識者所明白的。
本申請案是根據2014年8月22日申請之日本特許出願(特願2014-169481)，將其內容以參照的方式援用於此。
[產業利用性]
本發明之具有Ag鍍膜的銅合金板條，具有高導電率，能使鍍Ag反射膜的反射率提高，適用於LED之導線架。

Claims (3)

  1. 一種LED之導線架用銅合金板條，其特徵在於，係含有Fe：0.01~0.5mass%、P：0.01~0.20mass%、Zn：0.01~1.0mass%、Sn：0.01~0.15mass%，剩餘部分為Cu及不可避免的雜質所構成，表面粗糙度為算術平均粗糙度Ra：未達0.06μm、十點平均粗糙度RzJIS：未達0.5μm，存在於表面之長度5μm以上、深度0.25μm以上之溝槽狀的凹部個數，在一對的邊與輥軋垂直方向平行之200μm×200μm正方形的範圍內為2個以下，表面之微細結晶粒所構成之加工變質層的厚度為0.5μm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之LED之導線架用銅合金板條，其中，進一步含有：Co、Al、Cr、Mg、Mn、Ca、Pb、Ni、Ti、Zr、Si、Ag之1種或2種以上合計0.02~0.3mass%。
  3. 一種具有Ag鍍膜之銅合金板條，其特徵在於，在如申請專利範圍第1或2項所述之銅合金板條的表面形成Ag鍍膜，在前述銅合金板條之輥軋垂直方向所測定的表面粗糙度為十點平均粗糙度RzJIS：0.3μm以下。
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