TW201547069A - 半導體導線架封裝及發光二極體封裝 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種半導體導線架封裝及發光二極體(LED)封裝。該半導體導線架封裝包括一晶粒墊、一引腳、一晶粒及一絕緣本體。該引腳係與該晶粒墊電隔離。該晶粒設置於該晶粒墊上且電連接至該引腳。該絕緣本體部分地封裝該晶粒墊及該引腳，且具有一頂面及一底面，其中該引腳之一部分摺疊至該絕緣本體之該頂面上。

Description

半導體導線架封裝及發光二極體封裝

本發明係關於半導體封裝(semiconductor package)，且更特定言之，係關於半導體導線架封裝及發光二極體(LED)封裝。

對於許多照明應用，發光二極體(light-emitting diode,LED)元件由於其所提供之優點(諸如，低成本、低能量消耗及相關環境益處)而受到青睞。傳統的LED元件包括含有LED晶片之至少一個LED封裝。LED元件效率不僅取決於LED晶片量子效率，而且取決於封裝設計。

LED元件在使用期間產生必須耗散之熱。熱不僅造成效率差，而且影響LED元件之長期可靠性。因此，LED元件通常包括用於較佳熱耗散之金屬散熱片。

一些LED封裝包括一預模製導線架(Pre-molded Lead Frame)(而非習知的陶瓷基板)用以攜載LED晶片。預模製導線架包括一預模製絕緣體以封裝具有多個電極及一熱墊(Thermal Pad)之導線架。電極及熱墊曝露於LED封裝之底部上。

然而，習知的LED封裝不能直接地表面黏著至金屬散熱片之導電表面，此係因為散熱片將使LED封裝之已曝露電極短路。通常，印刷電路板在習知的LED封裝與散熱片之間提供電絕緣緩衝器以克服此問題，但此解決方案顯著地增加製造成本。

另外，為了減少LED封裝與散熱片之間的熱阻抗，電路板常常具備貫穿電路板之熱通路(Thermal Via)或金屬嵌件(Metal Insert)。此等特徵反而會進一步增加製造成本。

另一LED封裝設計(被稱為板面晶片(Chip-On-Board,COB)封裝)包括安裝於金屬芯印刷電路板(Metal-Core Printed Circuit Board,MCPCB)上之LED晶片。MCPCB通常包括鋁板，鋁板具有塗佈於其前表面上之絕緣層及在絕緣層上之銅圖案，銅圖案提供電佈線及連接。

板面晶片(COB)LED封裝可直接地表面黏著至金屬散熱片之導電表面。然而，自LED晶片至散熱片之熱傳輸顯著地受到銅圖案與鋁芯之間的絕緣層阻礙，此情形導致低熱耗散效率。

根據一項實施例，一種半導體導線架封裝包括一晶粒墊；一引腳；一晶粒，其設置於該晶粒墊之一頂面上且電連接至該引腳之一主要部分，該主要部分設置於該晶粒墊上方。一絕緣本體部分地封裝該晶粒墊及該引腳，該引腳之一電極部分摺疊至該絕緣本體之一頂面上，該電極部分平行於該主要部分，其中該晶粒墊之一底面係自該絕緣本體之一底面曝露。

在一項實施例中，該晶粒墊之該曝露底面直接地接觸一散熱片。亦即，該晶粒墊之該底面熱附接(Thermally Attached)至該散熱片。因此，由該晶粒產生之熱可通過該晶粒墊及該散熱片而快速地耗散至空氣，此情形導致高熱耗散效率。

在一項實施例中，該引腳包括該主要部分、自該主要部分摺疊之一連接部分，及自該連接部分摺疊至該絕緣本體之該頂面上之該電極部分。該引腳之該連接部分摺疊至該絕緣本體之一凹口中，使得該連接部分自該絕緣本體之一側表面凹入。藉由使該連接部分自該絕緣本體之該側表面凹入，有效地減少在該引腳與該散熱片之間發生短路 之機會。

1‧‧‧半導體導線架封裝

1a‧‧‧半導體導線架封裝

11‧‧‧外部散熱片

12‧‧‧晶粒墊

14‧‧‧引腳

16‧‧‧肋狀物

18‧‧‧固定元件

20‧‧‧條帶部分

22‧‧‧絕緣本體

23‧‧‧中心開口

24‧‧‧上部中心開口

25‧‧‧上部內側壁

26‧‧‧下部中心開口

27‧‧‧下部內側壁

28‧‧‧LED晶粒

30‧‧‧導線

32‧‧‧封裝物

33‧‧‧頂面

34‧‧‧連接器

50‧‧‧扣件

60‧‧‧外部電力供應電路系統

62‧‧‧接點或電線

111‧‧‧開口

121‧‧‧頂面

122‧‧‧底面

123‧‧‧底面

141‧‧‧主要部分

141a‧‧‧底面

142‧‧‧連接部分

143‧‧‧電極部分

181‧‧‧通孔

201‧‧‧第一桿體部分

202‧‧‧第二桿體部分

221‧‧‧頂面

222‧‧‧底面

223‧‧‧凹口

224‧‧‧側表面

225‧‧‧側壁

281‧‧‧光轉換層

341‧‧‧中心環

342‧‧‧頂部肋狀物

343‧‧‧底座

344‧‧‧垂直部分

圖1說明根據一項實施例之安裝至散熱片之半導體導線架封裝的立體示意圖；圖2說明沿著圖1之線2-2的剖面圖；圖3說明沿著圖1之線3-3的剖面圖；圖4說明沿著圖1之線4-4的剖面圖；圖4A說明圖4之半導體導線架封裝的剖面圖，該半導體導線架封裝係藉由電線而連接至外部電力供應電路系統；圖5說明根據另一實施例之半導體導線架封裝的立體示意圖；圖6說明圖5之半導體導線架封裝的俯視圖，該半導體導線架封裝係經由連接器而安裝至外部散熱片；圖7、圖8、圖9、圖10、圖11、圖12、圖13、圖14、圖15、圖16、圖17、圖18說明根據一項實施例之用於製造半導體導線架封裝之製程；及圖19至圖20說明根據另一實施例之用於製造半導體導線架封裝之製程。

參看圖1，說明根據一項實施例之半導體導線架封裝1。半導體導線架封裝1包括晶粒墊12、至少一個引腳14(例如，兩個引腳14)、至少一個肋狀物16(例如，四個肋狀物16)、至少一個固定元件18(例如，兩個固定元件18)、絕緣本體22、至少一個導線30(例如，三個導線30)、至少一個晶粒28(例如，兩個晶粒28)、至少一個光轉換層281(例如，兩個光轉換層281)，及封裝物32。

晶粒墊12用於攜載晶粒28。在此實施例中，晶粒28為發光二極體(LED)晶粒，且黏附至晶粒墊12。因此，半導體導線架封裝1為LED 封裝。晶粒墊12之材料為諸如銅之金屬。

雖然諸圖中說明兩個晶粒28，但在另一實施例中，半導體導線架封裝1包括僅單一晶粒28。在又一實施例中，半導體導線架封裝1包括兩個以上晶粒28。

絕緣本體22(亦被稱作外殼)部分地封裝晶粒墊12及引腳14，藉此形成預模製導線架，且絕緣本體22具有頂面221、底面222、至少一個凹口223(例如，兩個凹口223)，及中心開口23。凹口223設置於絕緣本體22之邊緣上。更特定言之，絕緣本體22之側表面224垂直地延伸於絕緣本體22之頂面221與底面222之間，且凹口223形成於側表面224內。

絕緣本體22之上部內側壁25界定絕緣本體22中之上部中心開口24。絕緣本體22之下部內側壁27界定絕緣本體22之下部中心開口26。中心開口23包括下部中心開口26及上部中心開口24。

上部中心開口24係與下部中心開口26連通，且上部中心開口24之尺寸大於下部中心開口26之尺寸。下部中心開口26曝露晶粒墊12之部分，晶粒28設置於曝露之晶粒墊12之部分，且上部中心開口24曝露引腳14之部分，導線30係接合至曝露引腳14之部分。絕緣本體22之材料可為封膠材料，諸如，透明或半透明聚合物、軟凝膠(Soft Gel)、彈性體(Elastomer)、樹脂、環氧樹脂(Epoxy Resin)、聚矽氧(Silicone)，或環氧樹脂-聚矽氧混合式樹脂(Epoxy-Silicone Hybrid Resin)。

兩個引腳14係與晶粒墊12電隔離，且每一該等引腳14具有主要部分141、連接部分142及電極部分143(例如，作為正電極及負電極)。主要部分141嵌入於絕緣本體22中，且主要部分141之一部分係自絕緣本體22之上部中心開口24曝露，且經由導線30而電連接至晶粒28。連接部分142連接主要部分141及電極部分143，且設置於凹口223 中。

在此實施例中，連接部分142延伸出絕緣本體22之外，且設置於凹口223之側壁225上(參見圖4)。連接部分142經摺疊成使得連接部分142實質上垂直於主要部分141。雖然可將各種特徵描述為垂直、平行或具有其他關係，但按照本發明，熟習此項技術者應理解，該等特徵可不精確地垂直或平行，而是僅在可接受之製造容許度內實質上垂直或平行。

電極部分143設置於絕緣本體22之頂面221上，且用於外部電連接。電極部分143經摺疊成使得電極部分143實質上垂直於連接部分142，且電極部分143實質上平行於主要部分141。在此實施例中，引腳14(主要部分141、連接部分142及電極部分143)之材料為諸如銅之金屬。引腳14及晶粒墊12可稱作導線架。

封裝物32設置於中心開口23(亦即，下部中心開口26及上部中心開口24)中，以封裝晶粒28及導線30。封裝物32係可由透明聚合物或半透明聚合物(例如，軟凝膠、彈性體、樹脂、環氧樹脂、聚矽氧，或環氧樹脂-聚矽氧混合式樹脂)製成。

為了改良自晶粒28之發光之均一性，可使光隨著其被發射而散射。因此，可將散射粒子添加至封裝物32中以使光通過封裝物32時隨機地折射。

在此實施例中，封裝物32之頂面33係與絕緣本體22之頂面221共平面；然而，在其他實施例中，封裝物32之頂面33可凸出以形成凸透鏡結構。

光轉換層281設置於封裝物32與晶粒28之間。光轉換層281實質上覆蓋晶粒28之頂面，且亦可覆蓋每一導線30之部分。

光轉換層281包括光轉換物質之粒子，諸如，螢光粒子。自晶粒28發射之光(例如，藍光)係可由光轉換物質轉換成不同色彩(諸如，綠 色、黃色及紅色)之光，且該等不同色彩接著可混合以產生白光。

然而，在其他實施例中，可針對單色LED封裝省略光轉換層281。或者，可藉由封裝物32中之光轉換物質來替換光轉換層281。

肋狀物16之部分及固定元件18係自絕緣本體22曝露。固定元件18係經由肋狀物16而連接至晶粒墊12。在此實施例中，固定元件18為板，且具有用於外部連接之通孔181。肋狀物16及固定元件18之材料為諸如銅之金屬。

參看圖2，說明沿著圖1之線2-2的剖面圖，其中半導體導線架封裝1進一步安裝至外部散熱片11以形成LED模組。晶粒墊12具有頂面121及底面122。晶粒28設置於晶粒墊12之頂面121上。晶粒墊12之底面122係與絕緣本體22之底面222共平面，以便自絕緣本體22之底面222曝露且直接地接觸散熱片11。亦即，晶粒墊12之底面122熱附接至散熱片11。

因此，由晶粒28產生之熱係可通過晶粒墊12及散熱片11而快速地耗散至空氣，此情形導致高熱耗散效率。此外，晶粒墊12、肋狀物16及固定元件18為藉由沖壓而形成之同一板，使得肋狀物16彎曲，且固定元件18之底面123係與晶粒墊12之底面122共平面。固定元件18用以緊固至散熱片11。

在此實施例中，扣件50位於固定元件18之通孔181及散熱片11之開口111內，以將半導體導線架封裝1緊固至散熱片11。扣件50及散熱片11之開口111可具有螺紋。然而，可以理解的是，固定元件18可黏附或焊接至散熱片11。另外，固定元件18之底面123係與晶粒墊12之底面122共平面，使得當固定元件18緊固至散熱片11時，晶粒墊12之底面122同時地接觸散熱片11。

參看圖3，說明沿著圖1之線3-3的剖面圖，其中半導體導線架封裝1進一步安裝至散熱片11。引腳14之主要部分141之水平線高於晶粒 墊12之水平線，亦即，引腳14之主要部分141所處的平面位於晶粒墊12所處的平面上方。亦即，引腳14之主要部分141設置於晶粒墊12上方且與晶粒墊12隔開。

在本實施例中，引腳14之主要部分141之底面141a係由絕緣本體22覆蓋，使得可在不使引腳14短路的情況下將半導體導線架封裝1直接地安裝至金屬散熱片11。

引腳14之主要部分141與晶粒墊12之間的絕緣本體22之部分界定下部中心開口26，且引腳14之主要部分141上的絕緣本體22之部分界定上部中心開口24。更特定言之，絕緣本體22之下部內側壁27延伸於引腳14之主要部分141與晶粒墊12之間，且界定下部中心開口26。絕緣本體22之上部內側壁25延伸於引腳14之主要部分141與絕緣本體22之頂面221之間，且界定上部中心開口24。

參看圖4，說明沿著圖1之線4-4的剖面圖。參看圖4A，圖4之半導體導線架封裝1係藉由一對接點或電線62(圖4A中僅顯示一個)而連接至外部電力供應電路系統60，該對接點或電線62緊固至引腳14之曝露電極部分143。外部電力供應電路系統60將電流傳送至半導體導線架封裝1，使得LED晶粒28可產生光。

在此實施例中，引腳14(主要部分141、連接部分142及電極部分143)係一體成形，且被摺疊兩次以分別形成主要部分141、連接部分142及電極部分143。引腳14之一部分(亦即，連接部分142)摺疊至凹口223之側壁225上，使得連接部分142自絕緣本體22之側表面224凹入，且引腳14之另一部分(亦即，電極部分143)進一步摺疊至絕緣本體22之頂面221上。

凹口223之位置對應於引腳14之摺疊部分(亦即，連接部分142及電極部分143)。在某些實施例中，連接部分142係自絕緣本體22之側表面224凹入至少0.15mm，藉此有效地減少在引腳14與散熱片11之 間發生短路之機會，如下文進一步所論述。

在一項實施例中，半導體導線架封裝1不具有凹口223，且連接部分142設置於側表面224上，此情形縮短引腳14與散熱片11之間的距離，且可導致在引腳14與散熱片11之間發生短路之可能性增加。另外，在所說明實施例中，當自絕緣本體22之底面222進行檢視時，晶粒墊12之底面122曝露，但引腳14之主要部分141之底面141a未曝露。

參看圖5，說明根據另一實施例之半導體導線架封裝1a。半導體導線架封裝1a實質上相似於圖1之半導體導線架封裝1，且相同元件賦予相同標號。此實施例之半導體導線架封裝1a與圖1之半導體導線架封裝1之間的差異為：半導體導線架封裝1a不具有半導體導線架封裝1之固定元件18。因此，肋狀物16僅一部分自絕緣本體22之側曝露。

參看圖6，說明圖5之俯視圖，其中半導體導線架封裝1a係經由連接器34(圖6中之影線區域)而進一步安裝至外部散熱片11。連接器34包含中心環341、兩個頂部肋狀物342、兩個底座343及兩個垂直部分344。中心環341設置於絕緣本體22之頂面221上，且對應於絕緣本體22之上部中心開口24。中心環341之內徑稍微大於上部中心開口24之直徑。

頂部肋狀物342自中心環341延伸至絕緣本體22之兩個角落，且分別經由兩個垂直部分344而連接底座343。底座343之底面係與晶粒墊12之底面122共平面，且每一該等底座343之形狀配合絕緣本體22之角落，以便鎖定絕緣本體22。扣件50用以通過底座343之通孔(未圖示)而將半導體導線架封裝1a緊固至散熱片11。

參看圖7至圖18，說明根據一實施例之用於製造半導體導線架封裝之半導體製程。

參看圖7，提供導線架。導線架包括橫越彼此之複數個條帶部分20以界定複數個單元。每一該等單元包括晶粒墊12、至少一個引腳 14、至少一個肋狀物16、至少一個固定元件18、至少一個第一桿體部分201及至少一個第二桿體部分202。可藉由沖壓或蝕刻銅板來形成導線架之圖案。

在此實施例中，每一該等單元包括兩個引腳14、四個肋狀物16及兩個固定元件18。在此實施例中，每一該等固定元件18板，且具有用於外部連接之通孔181。肋狀物16連接固定元件18及晶粒墊12，且固定元件18係藉由第一桿體部分201而連接至條帶部分20。引腳14沿著晶粒墊12而延伸，且不連接晶粒墊12。每一該等引腳14具有主要部分141、連接部分142及電極部分143。連接部分142連接主要部分141及電極部分143。電極部分143係藉由第二桿體部分202而連接至條帶部分20。

參看圖8，說明沿著圖7之線8-8的剖面圖。晶粒墊12具有頂面121及底面122。主要部分141具有底面141a。引腳14之主要部分141之水平線高於晶粒墊12之水平線。亦即，引腳14之主要部分141設置於晶粒墊12上方且與晶粒墊12隔開。

參看圖9，說明沿著圖7之線9-9的剖面圖。在此實施例中，晶粒墊12、肋狀物16及固定元件18為藉由沖壓而形成之同一板，使得肋狀物16彎曲，且固定元件18之底面123係與晶粒墊12之底面122共平面。因此，當固定元件18緊固至散熱片11(圖2)時，晶粒墊12之底面122同時地接觸散熱片11。

參看圖10，形成絕緣本體22以部分地封裝晶粒墊12及引腳14，且絕緣本體22具有至少一個凹口223及一中心開口23。凹口223設置於絕緣本體22之邊緣上。中心開口23包括下部中心開口26及上部中心開口24。上部中心開口24係與下部中心開口26連通，且上部中心開口24之尺寸大於下部中心開口26之尺寸。下部中心開口26曝露晶粒墊12之部分，晶粒28設置於曝露之晶粒墊12之部分，且上部中心開口24曝露 引腳14之主要部分141之一部分，導線30係接合至該曝露引腳14之主要部分141之部分。絕緣本體22之材料可為封膠材料，諸如，透明或半透明聚合物、軟凝膠(Soft Gel)、彈性體(Elastomer)、樹脂、環氧樹脂(Epoxy Resin)、聚矽氧(Silicone)，或環氧樹脂-聚矽氧混合式樹脂(Epoxy-Silicone Hybrid Resin)。。

參看圖11，說明沿著圖10之線11-11的剖面圖。絕緣本體22進一步具有頂面221、底面222、至少一個凹口223，及中心開口23。引腳14之主要部分141與晶粒墊12之間的絕緣本體22之部分界定下部中心開口26，且引腳14之主要部分141上的絕緣本體22之部分界定上部中心開口24。

參看圖12，說明沿著圖10之線12-12的剖面圖。晶粒墊12之底面122係與絕緣本體22之底面222共平面，以便自絕緣本體22之底面222曝露。肋狀物16之部分及固定元件18係自絕緣本體22曝露。

參看圖13，說明沿著圖10之線13-13的剖面圖。凹口223之位置對應於引腳14之連接部分142及電極部分143。因此，連接部分142及電極部分143通過凹口223而延伸出絕緣本體22之外。

參看圖14，附接晶粒28至晶粒墊12之頂面121。在此實施例中，晶粒28為發光二極體(LED)晶粒，且黏附至晶粒墊12。接著，至少一個導線30自晶粒28接合至引腳14之主要部分141之曝露部分。接著，光轉換層281經塗覆以覆蓋晶粒28之頂面，且亦可覆蓋每一導線30之部分。

光轉換層281包括光轉換物質之粒子，諸如，螢光粒子。自晶粒28發射之光(例如，藍光)係可由光轉換物質轉換成不同色彩(諸如，綠色、黃色及紅色)之光，且該等不同色彩接著可混合以產生白光。然而，在其他實施例中，可針對單色LED封裝省略光轉換層281。

接著，施加封裝物32於中心開口23(亦即，下部中心開口26及上 部中心開口24)中，以封裝晶粒28及導線30。封裝物32係可由透明聚合物或半透明聚合物(例如，軟凝膠、彈性體、樹脂、環氧樹脂、聚矽氧，或環氧樹脂-聚矽氧混合式樹脂)製成。

為了改良自晶粒28之發光之均一性，可使光隨著其被發射而散射。因此，可將散射粒子添加至封裝物32中以使光隨著其通過封裝物32時隨機地折射。在此實施例中，封裝物32之頂面33係與絕緣本體22之頂面221共平面；然而，在其他實施例中，封裝物32之頂面可凸出以形成凸透鏡結構。

參看圖14及圖15，切掉第二桿體部分202。

參看圖16，向上摺疊引腳14之連接部分142。

參看圖17，說明沿著圖16之線17-17的剖面圖。在此實施例中，連接部分142摺疊於凹口223之側壁225上，且實質上垂直於主要部分141。同時，引腳14之電極部分143自絕緣本體22之頂面221突起。

參看圖18，引腳14之電極部分143摺疊至絕緣本體22之頂面221上，使得電極部分143實質上垂直於連接部分142，且電極部分143實質上平行於主要部分141。電極部分143用於外部電連接。接著，第一桿體部分201被切掉，以獲得圖1之半導體導線架封裝1。

參看圖19至圖20，說明根據另一實施例之用於製造半導體導線架封裝之半導體製程。

參看圖19，提供導線架。此實施例之導線架實質上相似於圖7之導線架，且相同元件賦予相同標號。此實施例之導線架與圖7之導線架之間的差異為：此實施例之導線架不具有圖7之導線架之固定元件18，且肋狀物16直接地連接條帶部分20。因此，在相同尺寸之導線架中，此實施例之設計具有較多單元，此情形增加封裝密度。

參看圖20，形成絕緣本體22以部分地封裝晶粒墊12及引腳14，如圖10。接著，附接晶粒28至晶粒墊12之頂面121，將導線30自晶粒 28接合至引腳14之主要部分141之曝露部分，塗覆光轉換層281以覆蓋晶粒28之頂面，且亦可覆蓋每一導線30之部分，如圖10及圖14。

此實施例之後續步驟相同於圖15至圖18之步驟，以便獲得圖5之半導體導線架封裝1a。

雖然已參考本發明之特定實施例而描述及說明本發明，但此等描述及說明並不限制本發明。熟習此項技術者應理解，在不脫離如由隨附申請專利範圍界定的本發明之真實精神及範疇的情況下，可進行各種改變且可代用等效者。該等說明可未必按比例繪製。在本發明中之技藝性轉譯與實際裝置之間可歸因於製造程序及容許度而存在差別。本發明可存在未被特定地說明之其他實施例。本說明書及圖式應被視為說明性的而非限制性的。可進行修改以使特定情形、材料、物質組合、方法或程序適應於本發明之目標、精神及範疇。所有此等修改意欲在此處隨附之申請專利範圍之範疇內。雖然已參考以特定次序所執行之特定操作而描述本文所揭示之方法，但應理解，在不脫離本發明之教示的情況下，可對此等操作進行組合、再分或重新排序以形成等效方法。因此，除非本文中有特定指示，否則該等操作之次序及分組不為本發明之限制。

1‧‧‧半導體導線架封裝

11‧‧‧外部散熱片

12‧‧‧晶粒墊

14‧‧‧引腳

16‧‧‧肋狀物

18‧‧‧固定元件

22‧‧‧絕緣本體

23‧‧‧中心開口

24‧‧‧上部中心開口

25‧‧‧上部內側壁

26‧‧‧下部中心開口

27‧‧‧下部內側壁

28‧‧‧LED晶粒

30‧‧‧導線

32‧‧‧封裝物

50‧‧‧扣件

121‧‧‧頂面

141‧‧‧主要部分

142‧‧‧連接部分

143‧‧‧電極部分

181‧‧‧通孔

221‧‧‧頂面

222‧‧‧底面

223‧‧‧凹口

224‧‧‧側表面

281‧‧‧光轉換層

Claims (20)

1. 一種結構，其包含：一晶粒墊(Die Pad)；一引腳(Lead)；一晶粒，其設置於該晶粒墊之一頂面上且電連接至該引腳之一主要部分，該主要部分設置於該晶粒墊上方；及一絕緣本體，其部分地封裝該晶粒墊及該引腳，該引腳之一電極部分摺疊至該絕緣本體之一頂面上，該電極部分平行於該主要部分，其中該晶粒墊之一底面係自該絕緣本體之一底面曝露。
2. 如請求項1之結構，其中該晶粒墊之該底面係與該絕緣本體之該底面共平面。
3. 如請求項1之結構，其中該引腳之該主要部分所處的一平面係與該晶粒墊所處的一平面隔開。
4. 如請求項1之結構，其中該引腳之該主要部分之一底面係由該絕緣本體覆蓋。
5. 如請求項1之結構，其進一步包含一散熱片，該晶粒墊之該底面直接地接觸該散熱片。
6. 如請求項5之結構，其進一步包含一固定元件，該固定元件連接至該晶粒墊且緊固至該散熱片，其中該絕緣本體之該底面、該晶粒墊之該底面及該固定元件之一底面共平面且直接地接觸該散熱片。
7. 如請求項1之結構，其中該引腳進一步包含一連接部分，該連接部分垂直於該主要部分及該電極部分。
8. 如請求項1之結構，其中該絕緣本體包含一下部內側壁，該下部 內側壁延伸於該引腳之該主要部分與該晶粒墊之間，該下部內側壁界定一下部中心開口，該下部中心開口曝露該晶粒墊。
9. 如請求項8之結構，其中該絕緣本體包含一上部內側壁，該上部內側壁延伸於該絕緣本體之該頂面與該引腳之該主要部分之間，該上部內側壁界定一上部中心開口，該上部中心開口曝露該引腳之該主要部分。
10. 如請求項1之結構，其中該絕緣本體進一步包含一上部中心開口及一下部中心開口，該上部中心開口曝露該引腳之該主要部分，該下部中心開口曝露該晶粒墊，該上部中心開口及該下部中心開口界定該絕緣本體之一中心開口，該結構進一步包含：一封裝物，其設置於該中心開口中。
11. 如請求項10之結構，其中該封裝物之一頂面係與該絕緣本體之該頂面共平面。
12. 一種結構，其包含：一晶粒墊；一引腳，其包含：一主要部分；一連接部分；及一電極部分；一晶粒，其設置於該晶粒墊上且電連接至引腳之該主要部分；及一絕緣本體，其部分地封裝該晶粒墊及該引腳之該主要部分，該絕緣本體包含：一頂面，其具有設置於其上之該電極部分；一底面；及一側表面，其延伸於該頂面與該底面之間，該側表面包含一 凹口，該連接部分設置於該凹口中。
13. 如請求項12之結構，其中該連接部分係自該側表面凹入。
14. 如請求項12之結構，其中該凹口包含一側壁，該連接部分設置於該側壁上。
15. 如請求項12之結構，其中該連接部分垂直於該主要部分及該電極部分，且該主要部分平行於該電極部分。
16. 如請求項12之結構，其中該絕緣本體進一步包含一中心開口，該中心開口包含：一下部中心開口，其曝露該晶粒墊；及一上部中心開口，其曝露該引腳之該主要部分。
17. 如請求項16之結構，其中該晶粒為一發光二極體(LED)晶粒，該結構進一步包含一封裝物，該封裝物位於該中心開口中且封裝該LED晶粒。
18. 一種方法，其包含：部分地封裝一晶粒墊及一引腳於一絕緣本體中，其中該晶粒墊之一底面係自該絕緣本體之一底面曝露；附接一晶粒至該晶粒墊之一頂面；將一導線自該晶粒接合至該引腳之一主要部分；及將該引腳之一連接部分摺疊於該絕緣本體之一凹口之一側壁上。
19. 如請求項18之方法，其進一步包含：將該引腳之一電極部分摺疊至該絕緣本體之一頂面上。
20. 如請求項19之方法，其中該絕緣本體之該底面及該晶粒墊之該底面共平面，該方法進一步包含：將一散熱片直接地接觸該絕緣本體之該底面及該晶粒墊之該底面。