TW201534183A - 電感耦合型等離子體處理裝置及其自感應線圈及其用於製造半導體基片的方法 - Google Patents

Abstract

一種電感耦合型等離子體處理裝置及其自感應線圈，電感耦合型等離子體處理裝置包括一封閉殼體，其包括頂板。所述電感耦合型等離子體處理裝置包括位於所述頂板上的電感耦合線圈，所述電感耦合線圈對應於所述基片多個區域劃分為多個區域，以發射射頻能量到所述封閉殼體內，至少兩個區域的電感耦合線圈之間設置有至少一個自感應線圈，當電感耦合線圈通電時，所述自感應線圈自感應出與和相鄰的電感耦合線圈方向相反的電流，以產生和相鄰的電感耦合線圈方向相反的磁場，其中，所述自感應線圈是電浮地的。本發明能夠改善基片製程均一性。

Description

電感耦合型等離子體處理裝置及其自感應線圈及其用於製造半導體基片的方法

本發明涉及半導體製造領域，尤其涉及一種電感耦合型等離子體處理裝置及其自感應線圈及其用於製造半導體基片的方法。

等離子處理裝置利用真空反應室的工作原理進行半導體基片和等離子平板的基片的加工。真空反應室的工作原理是在真空反應室中通入含有適當刻蝕劑源氣體的反應氣體，然後再對該真空反應室進行射頻能量輸入，以啟動反應氣體，來激發和維持等離子體，以便分別刻蝕基片表面上的材料層或在基片表面上澱積材料層，進而對半導體基片和等離子平板進行加工。

圖1示出了習知技術的一種電感耦合等離子體處理裝置的結構示意圖，所述電感耦合等離子體處理裝置100包括一反應腔室105。在反應腔室105下方設置了一個用於承載和固定基片104的基台101。電感耦合線圈設置於反應腔室105的頂蓋上方；射頻電源103用於向所述電感耦合線圈供電，以向腔室內部耦合提供射頻能量。其中，所述電感耦合線圈包括中間線圈102a和週邊線圈102b。在製程過程中，從反應腔室105上部進入的反應氣體被中間線圈102a和週邊線圈102b產生的高能磁場電離，形成等離子體。等離子體在高能磁場的作用下向下運動，對固定於基台101上的基片104進行製程（例如刻蝕反應）。因此電感耦合線圈102產生的磁場的分佈情況會影響等離子體的分佈。

其中，中間線圈102a和週邊線圈102b一般為平面螺旋結構，在對應基片104中心區域所激發的磁場強度較強，而對應於基片104的週邊區域所激發的磁場強度較弱，因此使得反應腔室105內中心區域的等離子體密度較高，週邊區域的等離子體密度較低。

針對背景技術中的上述問題，本發明提出了一種電感耦合型等離子體處理裝置的自感應線圈及其用於製造半導體基片的方法。

本發明第一方面提供了一種用於電感耦合型等離子體處理裝置的自感應線圈，其中，所述電感耦合型等離子體處理裝置包括一封閉殼體，其包括頂板，其特徵在於： 所述電感耦合型等離子體處理裝置包括位於所述頂板上的電感耦合線圈，所述電感耦合線圈對應於所述基片多個區域劃分為多個區域，以發射射頻能量到所述封閉殼體內， 至少兩個區域的電感耦合線圈之間設置有至少一個自感應線圈，當電感耦合線圈通電時，所述自感應線圈自感應出與和相鄰的電感耦合線圈方向相反的電流，以產生和相鄰的電感耦合線圈方向相反的磁場， 其中，所述自感應線圈是電浮地的。

進一步地，所述電感耦合型等離子體處理裝置包括兩個區域的電感耦合線圈，分別對應於所述基片的中心區域和週邊區域。

進一步地，所述自感應線圈包括單圈線圈結構或多圈線圈結構。

進一步地，所述金屬線圈的圈數根據需要隔離的電場以及所述電感耦合型等離子體處理裝置的體積進行調整。

進一步地，所述電感耦合型等離子體處理裝置還包括可移動支架，帶動所述自感應線圈在垂直於所述電感耦合線圈所確定的平面的方向移動。

進一步地，所述自感應線圈的材料包括鋁、銅。

進一步地，所述自感應線圈連接有一冷卻裝置，用於冷卻所述自感應線圈自感應電流所產生的熱量。

進一步地，所述冷卻裝置包裹在所述自感應線圈的週邊，並且在冷卻裝置中通入冷卻氣體/液體，並外連一供應所述冷卻氣體/液體的冷卻氣體/液體循環裝置。

進一步地，所述冷卻裝置為一設置在自感應線圈旁的吹風裝置。

本發明第二方面提供了一種電感耦合型等離子體處理裝置，其特徵在於，所述電感耦合型等離子體處理裝置包括本發明第一方面所述的自感應線圈。

本發明第三方面提供了一種製造半導體基片的方法，其中，所述方法是在包括本發明第一方面所述的自感應線圈的電感耦合型等離子體處理裝置中進行的，其特徵在於： 放置基片於所述電感耦合型等離子體處理裝置中的基台上； 放置至少一個自感應線圈到所述頂板上的至少兩個區域的電感耦合線圈之間； 供應處理氣體到所述電感耦合型等離子體處理裝置的氣體注入器； 施加射頻能量到所述電感耦合線圈以對基片進行製程，並使得所述自感應線圈自感應出與和相鄰的電感耦合線圈方向相反的電流，以產生和相鄰的電感耦合線圈方向相反的磁場， 其中，所述自感應線圈是電浮地的。

本發明能夠有效地隔離中心線圈和週邊線圈之間的相互串擾。換言之，本發明相當於將自感應線圈覆蓋的基片對應的中心區域和週邊區域的等離子體密度的調節過程相互隔離，從而改善腔室內部的磁場均一性（即等離子體分佈均一性），以實現基片製程的均一性。

以下結合附圖，對本發明的具體實施方式進行說明。

本發明所述的實施方式提供改進的電感耦合型等離子體處理裝置及其自感應線圈。需要說明的是，「半導體工藝件」、「晶圓」和「基片」這些詞在隨後的說明中可能將被互換使用，在本發明中，它們都指在電感耦合型等離子體處理裝置內被加工的工藝件，工藝件不限於晶圓、基板、基片、大面積平板基板等。為了方便說明，本發明在實施方式說明和圖示中將主要以「基片」為例來作示例性說明。

圖2是根據本發明一個具體實施例的電感耦合型等離子體處理裝置的結構示意圖。圖2示出根據本發明一個實施例的電感耦合型等離子處理裝置200。應當理解，其中的電感耦合型等離子體處理裝置200僅僅是示例性的，所述200實際上也可以包括更少或額外的部件，部件的排列也可以不同於圖2中所示出。

圖2示出了根據本發明第一實施例的電感耦合等離子體處理裝置的截面圖。電感耦合等離子體處理裝置200 包括金屬側壁202和絕緣頂板204，構成一個氣密的真空封閉殼體，並且由抽真空泵（未示出）抽真空。所述絕緣頂板204 僅作為示例，也可以採用其它的頂板樣式，比如穹頂形狀的，帶有絕緣材料視窗的金屬頂板等。基台206包括一靜電夾盤（未示出），所述靜電夾盤上放置著待處理的基片W。偏置功率被施加到所述靜電夾盤上，以產生對基片W的夾持力。所述電感耦合型等離子體處理裝置200包括位於所述頂板上的電感耦合線圈，所述電感耦合線圈對應於所述基片W多個區域劃分為多個區域，以發射射頻能量到所述封閉殼體內，從而對基片進行製程。

進一步地，在本發明的優選實施例中，所述電感耦合型等離子體處理裝置包括兩個區域的電感耦合線圈，分別對應於所述基片的中心區域和週邊區域。如圖2所示，第一射頻電源2081a和第二射頻電源2081b的射頻功率被施加到位於絕緣頂板204上的電感耦合線圈上。所述電感耦合線圈包括位於所述反應腔室頂蓋中心區域的中心電感耦合線圈和環繞在所述中心電感耦合線圈週邊的至少一個週邊電感耦合線圈。處理氣體從氣源通過氣體注入器（未示出）被供應到反應腔內，以點燃並維持等離子，從而對基片W進行加工。

如圖2所示，所述電感耦合線圈包括位於所述反應腔室頂蓋中心區域的中心線圈2101a和環繞在所述中心線圈2101a週邊的至少一個週邊線圈2101b。其中，所述中心線圈2101a和週邊線圈2101b都可以為平面螺旋結構的線圈，它們共同構成了本實施例的電感耦合型等離子體處理裝置中的電感耦合線圈。其中，第一射頻電源2081a向所述中心線圈210a供應射頻能量，第二射頻電源2081b向所述週邊線圈210b供應射頻能量，以共同產生向下的磁場，從而對基片W所對應的中心區域和週邊區域的等離子密度單獨進行調節，更易獲得所需的等離子分佈。

需要說明的是，在本實施例中，中心線圈和週邊線圈分別連接了不同的射頻電源，因此其輸出的射頻功率可以獨立調節。可選地，本發明的射頻電源可以為兩個相互獨立的電源設備，也可以為同一電源設備中兩個獨立的供電模組，分別向所述中心線圈和週邊線圈提供射頻功率，激發磁場。

進一步地，所述中心線圈2101a和所述週邊線圈2101b之間設置有至少一個自感應線圈2121，當中心線圈2101a和週邊線圈2101b通電時，其自感應出與相鄰的中心線圈2101a和週邊線圈2101b方向相反的電流。可選地，本發明提供的自感應線圈包括以下任一項或任多項：金屬線圈、金屬圓筒。其中，所述金屬線圈包括單圈線圈結構或多圈線圈結構。

圖2示出了本發明的優選實施例。在本實施例中，中心線圈2101a和週邊線圈2101b僅以單圈線圈結構示出。需要說明的是，在實際應用中，電感耦合線圈的配置包括多種形式，例如螺旋型、多圈線圈結構等。在本實施例中，自感應線圈2121也為單圈線圈。

圖3是本發明的原理示意圖，其是從腔室頂部往下看的俯視圖。其中，俯視圖中三個同心圓從裡到外分別為中心線圈2101a、自感應線圈2121、週邊線圈2101b。如圖所示，中心線圈2101a的電流方向為順時針方向，根據右手定律，其所能產生的磁場方向是垂直紙面向裡（圖3中以「叉」示出），其產生的磁場主要決定基片的中心區域磁場強度。同理，週邊線圈2101b的電流方向也必然為順時針方向，其所能產生的磁場方向是垂直紙面向裡（圖3中以「叉」示出），其產生的磁場主要決定基片的週邊區域磁場強度。根據法拉第定律，位於中心線圈2101a和週邊線圈2101b之間的自感應線圈2121為單圈線圈結構，會感應與中心線圈2101a和週邊線圈2101b電流方向相反的逆時針方向電流，從而形成垂直紙面向外的磁場。在圖2所示的中心線圈2101a、週邊線圈2101b和自感應線圈2121附近標記了其分別產生的磁場C1、C2、C3，所述磁場C1、C2、C3箭頭方向指示了中心線圈2101a、週邊線圈2101b和自感應線圈2121分別產生的磁場方向。如圖2所示，中心線圈2101a、週邊線圈2101b產生的電場方向是向下的，分別對應於基片W的中心區域和週邊區域，從而能引導等離子體轟擊基片W表面並與基片W表面反應完成製程。單圈線圈結構的自感應線圈2121產生的反應磁場方向與中心線圈2101a、週邊線圈2101b產生的電場方向相反，是向上的。在自感應線圈2121和中心線圈2101a以及週邊線圈2101b的相鄰區域，不論是它們產生的方向豎直朝上或朝下的磁場強度都趨於減弱，在它們的臨界區域電場方向更趨於0，從而能夠有效地隔離中心線圈2101a和週邊線圈2101b之間的相互串擾。換言之，本發明相當於將自感應線圈2121覆蓋的基片W對應的中心區域和週邊區域的等離子體密度的調節過程相互隔離，從而改善腔室內部的磁場均一性（即等離子體分佈均一性），以實現基片製程的均一性

圖4是根據本發明又一具體實施例的電感耦合等離子體處理裝置的結構示意圖。本實施例是一個變形例，其中，自感應線圈2122是多圈線圈結構，具體地，相當於圖2所示的實施例的單圈閉合線圈的簡單平行累加，相互之間並無連接關係。如圖4所示，自感應線圈2122是由三圈閉合單圈線圈組合而成的，三圈線圈都會產生與中心線圈2102a和週邊線圈2102b相反的感應電流，從而產生比圖2所示的單層線圈更強的感應磁場。本實施例的多圈線圈結構在其他條件不變的情況下，隔離效果更好，腔室內的等離子體分佈更加均勻。然而，這樣的設置會佔用較多的腔室空間。

需要說明的是，自感應線圈若為線圈結構，線圈的具體圈數越多，隔離能力自然越好，但是考慮到真空處理腔室的面積十分可貴，線圈圈數越少越節約成本。本領域技術人員應當理解，至於自感應線圈的具體線圈數量需要由所需隔離能力以及腔室面積權衡考慮。所述金屬線圈的圈數根據需要隔離的電場以及所述電感耦合型等離子體處理裝置的體積進行調整。

圖5是根據本發明再一具體實施例的電感耦合等離子體處理裝置的結構示意圖。其中，電感耦合等離子體處理裝置200的絕緣頂板204設置有三個區域的線圈，分別為第一線圈2104a、第二線圈2104b、第三線圈2104c。所述第一線圈2104a、第二線圈2104b、第三線圈2104c分別對應基片W的中心區域、中間區域和週邊區域。其中，第一射頻電源2084a、第二射頻電源2084b和第三射頻電源2084c分別對所述第一線圈2104a、第二線圈2104b、第三線圈2104c提供射頻能量，以對基片W進行製程。所述電感耦合等離子體處理裝置200包括第一自感應線圈2124a和第二自感應線圈2124b，其中，所述第一自感應線圈2124a設置於第一線圈2104a和第二線圈2104b之間，所述第二自感應線圈2124b設置於第二線圈2104b和第三線圈2104c之間。具體地，所述第一自感應線圈2124a用於隔離第一線圈2104a和第二線圈2104b之間的電磁干擾，第二自感應線圈2124b用於隔離第二線圈2104b和第三線圈2104c之間的電磁干擾。

本領域技術人員應當理解，隔離裝置應當按照電感耦合等離子體處理裝置絕緣頂板上的線圈分區數量確定。線圈分區越多，隔離裝置也越多，隔離效果也更好，腔室內的等離子體分佈更加均勻。本發明適用於兩個線圈分區以上的電感耦合等離子體處理裝置。

圖6是根據本發明另一具體實施例的電感耦合等離子體處理裝置的結構示意圖。如圖6所示，本發明還可以在中心線圈2105a和週邊線圈2105b之間設置可移動的自感應線圈2125，以對中心線圈2105a和週邊線圈2105b產生的磁場進行相互隔離，並通過自感應線圈位置的移動實現隔離效果的最優化，消除了磁場間的相互干擾，改善了等離子體密度分佈的均勻性。具體地，在本實施例中，電感耦合型等離子體處理裝置200還包括可移動支架（未示出），以帶動所述自感應線圈2125在垂直於絕緣頂板204的方向移動，也即在圖6中所示的垂直方向移動。由於實際加工工藝和設備大小的限制，所述自感應線圈2125的大小是有限的，其高度與所述反應腔的高度成預定比例，因此在自感應線圈2125的圓筒開口處會有磁場的洩漏，仍然會導致線圈之間的相互干擾，本實施例的自感應線圈2125可以在垂直方向移動，使得在實際的使用和調節過程中，可以通過自感應線圈2125在垂直方向的位置的微調，使得洩漏的磁場之間的干擾對等離子體的分佈影響最小，實現最佳的隔離效果。

此外，本發明提供的自感應線圈連接有一冷卻裝置，用於冷卻所述自感應線圈自感應電流過程中所產生的熱量。示例性地，冷卻裝置可以包裹在作為自感應線圈的線圈週邊，並且在冷卻裝置中通入冷卻氣體/液體，並外連一冷卻氣體/液體循環裝置。再例如，將作為自感應線圈的線圈挖空成中空結構，並且在其中通入冷卻氣體/液體，並外連一冷卻氣體/液體循環裝置作為冷卻裝置使用。甚至，本發明可以在自感應線圈旁邊連接一吹風裝置作為冷卻裝置。本領域技術人員應當理解，冷卻裝置在習知技術中已有成熟的技術支援，本發明不限於以上任何示例性的冷卻裝置。為簡明起見，不再贅述。

圖7是習知技術的技術效果對比示意圖，其示出了以基片W的原點o為中切線得到的整個腔室的磁場分佈和等離子體濃度分佈示意圖。如圖7所示，中心線圈102a和週邊線圈102b所產生的磁場強度由其周圍的陰影示出，可知，在區域a部分兩者發生相互串擾。圖7的下部分以圓圈和其顏色深淺示出了基片W上方的等離子體濃度的強度分佈情況，其中，顏色越深表示等離子體濃度越大，顏色越淺表示等離子體濃度越小。如圖7所示，在基片W的原點o附近的中心區域以及遠離其原點o的邊緣區域，等離子體濃度變化起伏很大，可見在基片W表面的等離子體濃度分佈均一性很差，因此製程的均一性也比較差。

圖8是本發明的技術效果對比示意圖，其示出了以基片W的原點o為中切線得到的整個腔室的磁場分佈和等離子體濃度分佈示意圖。如圖9所示，中心線圈2101a和週邊線圈2101b所產生的磁場強度由其周圍的陰影示出，可知，在中心線圈2101a和週邊線圈2101b的相鄰區域b兩者的相互串擾極大減輕。中心線圈2101a和週邊線圈2101b所產生的磁場被隔離。圖8的下部分以圓圈和其顏色深淺示出了基片W上方的等離子體濃度的強度分佈情況，其中，顏色越深表示等離子體濃度越大，顏色越淺表示等離子體濃度越小。如圖8所示，在基片W的原點o附近的中心區域以及遠離其原點o的邊緣區域，等離子體濃度變化起伏不大，可見在基片W表面的等離子體濃度分佈均一性得到極大改善，因此製程的均一性也得到極大改善。

本發明第二方面提供了一種電感耦合型等離子體處理裝置，其中，所述電感耦合型等離子體處理裝置包括本發明第一方面所述的自感應線圈。

本發明協力廠商面提供了一種製造半導體基片的方法，其中，所述方法是在根據本發明第一方面所述的電感耦合型等離子體處理裝置中進行的。

如圖2所示，所述製造半導體基片的方法包括： 放置基片W於所述電感耦合型等離子體處理裝置200中的基台206上； 放置一自感應線圈2121到所述頂板上的中心線圈2101a和週邊線圈2101b之間； 供應處理氣體到所述電感耦合型等離子體處理裝置的氣體注入器（未示出）； 通過第一射頻電源2081a向所述中心線圈210a施加射頻能量，通過第二射頻電源2081b向所述週邊線圈210b施加射頻能量，以對基片W進行製程，並使得所述自感應線圈2121自感應出與和相鄰的中心線圈2101a和週邊線圈2101b方向相反的電流，以產生和相鄰的中心線圈2101a和週邊線圈2101b方向相反的磁場，其中，所述自感應線圈2121是電浮地的。

需要說明的是，在習知技術中，電感耦合型等離子體處理裝置的自感應線圈一般是起到「抵擋」的作用。具體地，習知技術通常在電感耦合型等離子體處理裝置的電感耦合線圈之間設置一隔離擋板，例如隔離擋板以電磁遮罩材料製成，因此在隔離擋板的高度範圍內能夠有效阻擋相鄰電感耦合線圈的磁場線。並且，習知技術的隔離擋板通常是接地的，因此其水準方向的感應電流得到了有效遮罩，其電勢為零。而本發明的自感應線圈正是利用了這樣的感應電流，因此無須接地。此外，習知技術的隔離擋板通常具有預定高度，在預定高度範圍內，其相鄰電感耦合線圈之間的磁場線被有效隔離，但是一旦超出預定範圍以外，其相鄰電感耦合線圈之間的磁場線就會相互串擾。而眾所周知，真空處理腔室內部的面積非常珍貴，隔離擋板不可能達到較高高度，也就不能夠完全隔離相鄰電感耦合線圈。而本發明的自感應線圈由於能夠自感應與相鄰線圈幾乎等量的電流，因此可以自動地抵消相鄰線圈的串擾，所以不論其高度如何都能起到隔離相鄰線圈的作用，這更加說明了本發明的優越性。

此外，本發明提供的用於電感耦合型等離子體處理裝置的自感應線圈無需外接任何的電源裝置或者接地端，只要其周圍有電感耦合線圈且所述電感耦合線圈通電並產生了電流，所述自感應線圈就會快速自動地產生與相鄰的電感耦合線圈方向相反的磁場，從而隔離相鄰電感耦合線圈的相互串擾。本領域技術人員應當理解，真空處理裝置中的體積非常珍貴，本發明提供的自感應線圈無需外接任何裝置節約了腔室體積，降低了成本，節約了資源。

儘管本發明的內容已經通過上述優選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本領域技術人員閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的請求項來限定。

100‧‧‧電感耦合等離子體處理裝置
101‧‧‧基台
102‧‧‧電感耦合線圈
102a‧‧‧中間線圈
102b‧‧‧週邊線圈
103‧‧‧射頻電源
104‧‧‧固定基片
105‧‧‧反應腔室
200‧‧‧電感耦合型等離子處理裝置
202‧‧‧金屬側壁
204‧‧‧絕緣頂板
206‧‧‧基台
2081a‧‧‧第一射頻電源
2081b‧‧‧第二射頻電源
2084a‧‧‧第一射頻電源
2084b‧‧‧第二射頻電源
2084c‧‧‧第三射頻電源
210a‧‧‧中心線圈
210b‧‧‧週邊線圈
2101a‧‧‧中心線圈
2101b‧‧‧週邊線圈
2102a‧‧‧中心線圈
2102b‧‧‧週邊線圈
2104a‧‧‧第一線圈
2104b‧‧‧第二線圈
2104c‧‧‧第三線圈
2105a‧‧‧中心線圈
2105b‧‧‧週邊線圈
2121‧‧‧自感應線圈
2122‧‧‧自感應線圈
2124a‧‧‧第一自感應線圈
2124b‧‧‧第二自感應線圈
2125‧‧‧自感應線圈
a‧‧‧區域
b‧‧‧區域
C1‧‧‧磁場
C2‧‧‧磁場
C3‧‧‧磁場
o‧‧‧原點
W‧‧‧基片

圖1是電感耦合等離子體處理裝置的結構示意圖； 圖2是根據本發明一個具體實施例的電感耦合等離子體處理裝置的結構示意圖； 圖3是本發明的原理示意圖； 圖4是根據本發明又一具體實施例的電感耦合等離子體處理裝置的結構示意圖； 圖5是根據本發明再一具體實施例的電感耦合等離子體處理裝置的結構示意圖； 圖6是根據本發明另一具體實施例的電感耦合等離子體處理裝置的結構示意圖； 圖7是習知技術的技術效果對比示意圖； 圖8是本發明的技術效果示意圖。

200‧‧‧電感耦合型等離子處理裝置

202‧‧‧金屬側壁

204‧‧‧絕緣頂板

206‧‧‧基台

2081a‧‧‧第一射頻電源

2081b‧‧‧第二射頻電源

2101a‧‧‧中心線圈

2101b‧‧‧週邊線圈

2121‧‧‧自感應線圈

C1‧‧‧磁場

C2‧‧‧磁場

C3‧‧‧磁場

W‧‧‧基片

Claims (11)

1. 一種用於電感耦合型等離子體處理裝置的自感應線圈，其中，所述電感耦合型等離子體處理裝置包括一封閉殼體，其包括頂板，其特徵在於： 所述電感耦合型等離子體處理裝置包括位於所述頂板上的電感耦合線圈，所述電感耦合線圈對應於所述基片多個區域劃分為多個區域，以發射射頻能量到所述封閉殼體內， 至少兩個區域的電感耦合線圈之間設置有至少一個自感應線圈，當電感耦合線圈通電時，所述自感應線圈自感應出與和相鄰的電感耦合線圈方向相反的電流，以產生和相鄰的電感耦合線圈方向相反的磁場， 其中，所述自感應線圈是電浮地的。
2. 如請求項1所述的自感應線圈，其中所述電感耦合型等離子體處理裝置包括兩個區域的電感耦合線圈，分別對應於所述基片的中心區域和週邊區域。
3. 如請求項2所述的自感應線圈，其中所述自感應線圈包括單圈線圈結構或多圈線圈結構。
4. 如請求項3所述的自感應線圈，其中所述金屬線圈的圈數根據需要隔離的電場以及所述電感耦合型等離子體處理裝置的體積進行調整。
5. 如請求項1所述的自感應線圈，其中所述電感耦合型等離子體處理裝置還包括可移動支架，帶動所述自感應線圈在垂直於所述電感耦合線圈所確定的平面的方向移動。
6. 如請求項1所述的自感應線圈，其中所述自感應線圈的材料包括鋁、銅。
7. 如請求項1所述的自感應線圈，其中所述自感應線圈連接有一冷卻裝置，用於冷卻所述自感應線圈自感應電流所產生的熱量。
8. 如請求項7所述的自感應線圈，其中所述冷卻裝置包裹在所述自感應線圈的週邊，並且在冷卻裝置中通入冷卻氣體/液體，並外連一供應所述冷卻氣體/液體的冷卻氣體/液體循環裝置。
9. 如請求項7所述的自感應線圈，其中所述冷卻裝置為一設置在自感應線圈旁的吹風裝置。
10. 一種電感耦合型等離子體處理裝置，其特徵在於，所述電感耦合型等離子體處理裝置包括如請求項1至9中任一項所述的自感應線圈。
11. 一種製造半導體基片的方法，其中，所述方法是在包括如請求項1至9中任一項所述的自感應線圈的電感耦合型等離子體處理裝置中進行的，其特徵在於： 放置基片於所述電感耦合型等離子體處理裝置中的基台上； 放置至少一個自感應線圈到所述頂板上的至少兩個區域的電感耦合線圈之間； 供應處理氣體到所述電感耦合型等離子體處理裝置的氣體注入器； 施加射頻能量到所述電感耦合線圈以對基片進行製程，並使得所述自感應線圈自感應出與和相鄰的電感耦合線圈方向相反的電流，以產生和相鄰的電感耦合線圈方向相反的磁場， 其中，所述自感應線圈是電浮地的。