TW201532733A - 壓力控制裝置及具備該壓力控制裝置之研磨裝置 - Google Patents

壓力控制裝置及具備該壓力控制裝置之研磨裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201532733A
TW201532733A TW104100372A TW104100372A TW201532733A TW 201532733 A TW201532733 A TW 201532733A TW 104100372 A TW104100372 A TW 104100372A TW 104100372 A TW104100372 A TW 104100372A TW 201532733 A TW201532733 A TW 201532733A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pressure
command value
value
control unit
pid control
Prior art date
Application number
TW104100372A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI572446B (zh
Inventor
Nobuyuki Takahashi
Toru Maruyama
Suguru Sakugawa
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of TW201532733A publication Critical patent/TW201532733A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI572446B publication Critical patent/TWI572446B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/08—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving liquid or pneumatic means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/7722—Line condition change responsive valves
    • Y10T137/7758—Pilot or servo controlled
    • Y10T137/7761—Electrically actuated valve

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Control Of Fluid Pressure (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

本發明提供一種壓力控制裝置，能夠提高壓力的穩定性及相對於輸入信號的響應性這兩方面。從壓力指令值產生變化的時刻(t1)至PID控制開始點(t3)，PID控制部(5)停止補正指令值的生成，PID控制開始點(t3)後，PID控制部(5)生成補正指令值。從壓力指令值產生變化的時刻(t1)至PID控制開始點(t3)，調節器控制部(8)對壓力調整閥(6)的動作進行控制，以消除壓力指令值與第1壓力值之差，PID控制開始點(t3)後，調節器控制部(8)對壓力調整閥(6)的動作進行控制，以消除補正指令值與第1壓力值之差。

Description

壓力控制裝置及具備該壓力控制裝置之研磨裝置
本發明涉及一種壓力控制裝置，該壓力控制裝置對用於將晶圓等基板按壓到研磨墊上的壓力室內的壓力進行控制。另外，本發明涉及一種具有這種壓力控制裝置的研磨裝置。
圖15是表示用於研磨晶圓的研磨裝置的示意圖。如圖15所示，研磨裝置具有對研磨墊23進行支承的研磨台22以及將晶圓W按壓到研磨墊23上的頂環(top ring)30。研磨台22通過台軸22a而與配置在其下方的台用電動機29連接，並且研磨台22利用該台用電動機29而沿箭頭所示的方向旋轉。研磨墊23貼附於研磨台22的上表面，研磨墊23的上表面構成對晶圓W進行研磨的研磨面23a。頂環30固定於頂環旋轉軸27的下端。頂環30構成為能夠通過真空吸附而將晶圓W保持在該頂環30的下表面。
晶圓W的研磨如下那樣地進行。使頂環30及研磨台22分別沿箭頭所示的方向旋轉，將研磨液(漿料)從研磨液供給機構25供給到研磨墊23上。在該狀態下，下表面保持有晶圓W的頂環30下降而將晶圓W按壓到研磨墊23的研磨面23a上。晶圓W的表面通過研磨液所含的磨粒的機械作用和研磨液的化學作用而被研磨。這種研磨裝置已知為CMP(化學機械研磨)裝置。
在頂環30的下部設有由彈性膜形成的壓力室(圖15中未圖示)。加壓氣體被供給到該壓力室，利用壓力室內的壓力來調整晶圓W相對 於研磨墊23的研磨壓力。圖16是表示將氣體(空氣或氮等)供給到頂環30的壓力室而對壓力室內的壓力進行控制的壓力控制裝置100的示意圖。如圖16所示，壓力控制裝置100具有：對由氣體供給源供給的氣體的壓力進行調整的壓力調整閥101；對壓力調整閥101下游側的氣體的壓力(二次側壓力)進行測定的壓力傳感器102；以及基於由壓力傳感器102取得的壓力值而對壓力調整閥101的動作進行控制的調節器控制部103。這種結構的壓力控制裝置100已知為電-氣調節器。
壓力調整閥101具有：對由氣體供給源供給的氣體的壓力進行調整的先導閥110；對輸送至先導閥110的先導空氣的壓力進行調整的供氣用電磁閥111及排氣用電磁閥112。先導閥110具有：一部分由膜片形成的先導室115；以及與先導室115連接的閥芯116。先導空氣經供氣用電磁閥111而被輸送至先導室115內，先導室115內的先導空氣經排氣用電磁閥112而被排出。因此，通過操作供氣用電磁閥111及排氣用電磁閥112而調整先導室115內的壓力。調節器控制部103對電磁閥111、112的開閉動作進行控制，閥芯116隨先導室115內的壓力而移動。來自氣體供給源的氣體根據閥芯116的位置而通過先導閥110，或者先導閥110的下游側(二次側)的氣體經先導閥110而被排出。由此，先導閥110的下游側的氣體壓力即二次側壓力得到調整。
調節器控制部103與研磨裝置的研磨控制部50連接，並接受由研磨控制部50發送的壓力指令值。調節器控制部103對供氣用電磁閥111及排氣用電磁閥112的動作進行控制，以消除由壓力傳感器102測定的氣體的壓力當前值與壓力指令值之差，由此調整頂環30的壓力室內的壓力。
專利文獻1：日本特開2001-105298號公報
但是，在具有上述結構的壓力控制裝置中，有這樣的問題：壓力的穩定性或對輸入信號的響應性的某一方較低。即，若提高壓力的穩定性，則響應時間延長，若提高響應性，則壓力變得不穩定。
本發明的目的是，提供一種可使壓力的穩定性及對輸入信號的響應性這雙方均提高的壓力控制裝置。另外，本發明的目的是，提供一種具有這種壓力控制裝置的研磨裝置。
本發明的一態樣是一種壓力控制裝置，其特徵在於，具有：壓力調整閥，該壓力調整閥對從流體供給源供給的流體的壓力進行調整；第1壓力傳感器，該第1壓力傳感器對由所述壓力調整閥調整後的壓力進行測定；第2壓力傳感器，該第2壓力傳感器配置在所述第1壓力傳感器的下游側；PID(比例-積分-微分)控制部，該PID控制部生成補正指令值，該補正指令值用於消除從外部輸入的壓力指令值與由所述第2壓力傳感器測定的所述流體的第2壓力值之差；以及調節器控制部，該調節器控制部對所述壓力調整閥的動作進行控制，以消除所述壓力指令值及所述補正指令值中的任一方與由所述第1壓力傳感器測定的所述流體的第1壓力值之差，所述PID控制部構成為，從所述壓力指令值產生變化的時刻至PID控制開始點，停止所述補正指令值的生成，所述PID控制開始點後，生成所述補正指令值，所述調節器控制部構成為，從所述壓力指令值產生變化的時刻至所述PID控制開始點，對所述壓力調整閥的動作進行控制，以消除所述壓力指令值與所述第1壓力值之差，所述PID控制開始點後，對所述壓力調整閥的動作進行控制，以消除所述補正指令值與所述第1壓力值之差，所述PID控制開始點是 經過了預先設定的延遲時間的時刻。
本發明的另一態樣是一種研磨裝置，具有：對研磨墊進行支承的研磨台；將基板按壓到所述研磨台上的所述研磨墊上的頂環；對所述頂環的動作進行控制的研磨控制部；以及與所述頂環連接的壓力控制裝置。所述頂環具有用於將所述基板按壓到所述研磨墊上的壓力室，所述研磨裝置的特徵在於，所述壓力室內的壓力由所述壓力控制裝置調整，所述壓力控制裝置具有：壓力調整閥，該壓力調整閥對從流體供給源供給的流體的壓力進行調整；第1壓力傳感器，該第1壓力傳感器對由所述壓力調整閥調整後的壓力進行測定；第2壓力傳感器，該第2壓力傳感器配置在所述第1壓力傳感器的下游側；PID控制部，該PID控制部生成補正指令值，該補正指令值用於消除從所述研磨控制部輸入的壓力指令值與由所述第2壓力傳感器測定的所述流體的第2壓力值之差；以及調節器控制部，該調節器控制部對所述壓力調整閥的動作進行控制，以消除所述壓力指令值及所述補正指令值中的任一方與由所述第1壓力傳感器測定的所述流體的第1壓力值之差，所述PID控制部構成為，從所述壓力指令值產生變化的時刻至PID控制開始點，停止所述補正指令值的生成，所述PID控制開始點後，生成所述補正指令值，所述調節器控制部構成為，從所述壓力指令值產生變化的時刻至所述PID控制開始點，對所述壓力調整閥的動作進行控制，以消除所述壓力指令值與所述第1壓力值之差，所述PID控制開始點後，對所述壓力調整閥的動作進行控制，以消除所述補正指令值與所述第1壓力值之差，所述PID控制開始點是經過了預先設定的延遲時間的時刻。
由第1壓力傳感器及調節器控制部構成第1回路控制，由第2 壓力傳感器及PID控制部構成第2回路控制。從來自外部的壓力指令值(即目標壓力值)產生變化的時刻至PID控制開始點，第2回路控制僅與第1回路控制有關，而與壓力的控制無關。因此，壓力控制裝置可迅速跟隨壓力指令值的變化而調整壓力。PID控制開始點後，第1回路控制及第2回路控制這雙方與壓力的控制有關。因此，壓力控制裝置可穩定地調整壓力。
1‧‧‧壓力控制裝置
5‧‧‧PID控制部
6‧‧‧壓力調整閥
7‧‧‧內部壓力傳感器(第1壓力傳感器)
8‧‧‧調節器控制部
10‧‧‧先導閥
11‧‧‧供氣用電磁閥
12‧‧‧排氣用電磁閥
14‧‧‧先導室
15‧‧‧閥芯
22‧‧‧研磨台
22a‧‧‧台軸
23‧‧‧研磨墊
23a‧‧‧研磨面
25‧‧‧研磨液供給機構
27‧‧‧頂環旋轉軸
30‧‧‧頂環
31‧‧‧頂環主體
32‧‧‧擋環
34‧‧‧彈性膜(薄膜)
35‧‧‧夾緊板
36‧‧‧滾捲式膜片
39‧‧‧萬向接頭
40‧‧‧氣體供給源
50‧‧‧研磨控制部
64‧‧‧頂環頭
66‧‧‧旋轉筒
67‧‧‧定時帶輪
68‧‧‧頂環旋轉用電動機
69‧‧‧定時帶
70‧‧‧定時帶輪
71‧‧‧頂環頭罩殼
80‧‧‧頂環頭旋轉軸
81‧‧‧上下移動機構
82‧‧‧旋轉式接頭
83‧‧‧軸承
84‧‧‧橋部
85‧‧‧支承台
86‧‧‧支柱
88‧‧‧滾珠螺桿
88a‧‧‧螺紋軸
88b‧‧‧螺母
90‧‧‧伺服電動機
C1、C2、C3、C4、C5、C6‧‧‧壓力室
F1、F2、F3、F4、F5、F6‧‧‧流體通道
R1、R2、R3、R4、R5、R6‧‧‧電-氣調節器
P1、P2、P3、P4、P5、P6‧‧‧管道壓力傳感器(第2壓力傳感器)
圖1是表示具有本發明一實施方式的壓力控制裝置的研磨裝置的示圖。
圖2是表示研磨裝置的頂環的剖視圖。
圖3是表示研磨裝置一部分的立體圖。
圖4是表示本發明一實施方式的壓力控制裝置的示意圖。
圖5是表示壓力控制裝置的控制流程的示圖。
圖6是表示PID控制部不動作，僅調節器控制部進行動作時壓力控制裝置的控制流程的示圖。
圖7是表示隨著從研磨控制部輸入的壓力指令值的變化而變化的壓力當前值(第2壓力值)的曲線圖。
圖8(a)及圖8(b)是說明線性度評價及滯後性評價的示圖。
圖9(a)及圖9(b)是說明穩定性評價的示圖。
圖10(a)及圖10(b)是說明重複性評價的示圖。
圖11(a)及圖11(b)是說明溫度特性評價的示圖。
圖12是表示圖16所示的以往的壓力控制裝置的評價結果，和圖4所示的壓力控制裝置的評價結果的示圖。
圖13是用於說明將含有誤差的管道(in-line)壓力傳感器的輸出值補正為正確的輸出值的補正式的示圖。
圖14(a)是表示管道壓力傳感器的輸出值被補正前的線性度及滯後性的曲線的示圖，圖14(b)是表示管道壓力傳感器的輸出值被補正後的線性度及滯後性的曲線的示圖。
圖15是表示用於研磨晶圓的研磨裝置的示意圖。
圖16是表示以往的壓力控制裝置的示意圖。
下面，參照說明書附圖來說明本發明的實施方式。
圖1是表示具有本發明一實施方式的壓力控制裝置的研磨裝置的示圖。如圖1所示，研磨裝置具有：對研磨墊23進行支承的研磨台22；對研磨對象物即晶圓等基板進行保持並將其推壓到研磨台22的研磨墊23上的頂環(基板保持裝置)30。
研磨台22通過台軸22a而與配置在其下方的台用電動機29連接，且可繞該台軸22a旋轉。研磨墊23貼附於研磨台22的上表面，研磨墊23的表面23a構成對晶圓W進行研磨的研磨面。在研磨台22的上方設置有研磨液供給機構25，研磨液Q由該研磨液供給機構25供給到研磨台22的研磨墊23上。
頂環30具有：將晶圓W推壓到研磨面23a上的頂環主體31；以及對晶圓W進行保持以使晶圓W不會從頂環30飛出的擋環(retainer ring)32。頂環30與頂環旋轉軸27連接，且該頂環旋轉軸27利用上下移動機構81而相對於頂環頭64進行上下移動。利用該頂環旋轉軸27的上下移動， 使頂環30整體相對於頂環頭64進行升降而進行定位。在頂環旋轉軸27的上端安裝有旋轉式接頭82。
使頂環旋轉軸27及頂環30上下移動的上下移動機構81具有：通過軸承83而將頂環旋轉軸27支承成可旋轉的橋部84；安裝於橋部84的滾珠螺桿88；由支柱86支承的支承台85；以及設在支承台85上的伺服電動機90。對伺服電動機90進行支承的支承台85通過支柱86而固定於頂環頭64。
滾珠螺桿88具有：與伺服電動機90連接的螺紋軸88a；以及螺合該螺紋軸88a的螺母88b。頂環旋轉軸27與橋部84成為一體並上下移動。因此，若驅動伺服電動機90，則橋部84通過滾珠螺桿88而上下移動，由此，頂環旋轉軸27及頂環30進行上下移動。
頂環旋轉軸27通過鍵(未圖示)而與旋轉筒66連接。該旋轉筒66的外周部具有定時帶輪67。在頂環頭64上固定有頂環旋轉用電動機68，所述定時帶輪67通過定時帶69而與設於頂環旋轉用電動機68的定時帶輪70連接。因此，通過對頂環旋轉用電動機68進行旋轉驅動，旋轉筒66及頂環旋轉軸27通過定時帶輪70、定時帶69及定時帶輪67而進行一體旋轉，頂環30進行旋轉。頂環頭64由頂環頭旋轉軸80支承，頂環頭旋轉軸80可旋轉地支承在框架(未圖示)上。研磨裝置具有頂環旋轉用電動機68，對以伺服電動機90為代表的裝置內的各設備進行控制的研磨控制部50。
頂環30的下表面可保持晶圓W。頂環頭64構成為以頂環頭旋轉軸80為中心可回旋，且下表面保持有晶圓W的頂環30利用頂環頭64的回旋而從晶圓W的接受位置向研磨台22的上方位置移動。晶圓W的研磨如下那 樣進行。使頂環30及研磨台22分別旋轉，將研磨液Q從設在研磨台22上方的研磨液供給機構25供給到研磨墊23上。在該狀態下，使頂環30下降並將晶圓W推壓到研磨墊23的研磨面23a上。晶圓W與研磨墊23的研磨面23a滑動接觸，由此，晶圓W的表面被研磨。
下面，說明頂環30。圖2是表示頂環30的剖視圖。頂環30具有：通過萬向接頭39而與頂環旋轉軸27連接的頂環主體31；以及配置在頂環主體31下方的擋環32。
在頂環主體31的下方，配置有與晶圓W抵接的柔軟的薄膜(彈性膜)34，以及對薄膜34進行保持的夾緊板35。在薄膜34與夾緊板35之間設有四個壓力室(氣囊)C1、C2、C3、C4。四個壓力室C1、C2、C3、C4由薄膜34和夾緊板35形成。中央的壓力室C1是圓形，其它的壓力室C2、C3、C4是環狀。這些壓力室C1、C2、C3、C4排列在同心圓上。
壓力室C1、C2、C3、C4分別通過流體通道F1、F2、F3、F4而由氣體供給源(流體供給源)供給加壓空氣等的加壓氣體(加壓流體)。壓力室C1、C2、C3、C4利用未圖示的真空源而形成負壓。壓力室C1、C2、C3、C4的內部壓力可互相獨立地變化，由此，可獨立調整晶圓W所對應的四個區域即相對於中央部、內側中間部、外側中間部及周緣部的研磨壓力。另外，通過使頂環30整體升降，從而能以規定的壓力將擋環32推壓到研磨墊23上。
在夾緊板35與頂環主體31之間形成有壓力室C5，加壓氣體通過流體通道F5而由上述氣體供給源40供給到該壓力室C5。另外，利用未圖示的真空源而在壓力室C5形成負壓。由此，夾緊板35及薄膜34整體可向 上下方向移動。晶圓W的周端部由擋環32包圍，在研磨過程中晶圓W就不會從頂環30飛出。在構成壓力室C3的薄膜34的部位形成有開口，通過在壓力室C3形成真空，晶圓W就可由頂環30吸附保持。另外，通過將氮氣或清潔空氣等供給到該壓力室C3，晶圓W就脫離頂環30。
在頂環主體31與擋環32之間配置有環狀的滾捲式膜片(rolling diaphragm)36，在該滾捲式膜片36的內部形成有壓力室C6。壓力室C6通過流體通道F6而與上述氣體供給源40連接。氣體供給源40將加壓氣體供給到壓力室C6內，由此，將擋環32推壓到研磨墊23上。
與壓力室C1、C2、C3、C4、C5、C6連通的流體通道F1、F2、F3、F4、F5、F6分別設有電-氣調節器R1、R2、R3、R4、R5、R6。來自氣體供給源40的加壓氣體通過電-氣調節器R1~R6而供給到壓力室C1~C6內。電-氣調節器R1~R6通過調整從氣體供給源40供給的加壓氣體的壓力而控制壓力室C1~C6內的壓力。電-氣調節器R1~R6與PID控制部5連接，PID控制部5與研磨控制部50連接。另外，PID控制部5也可組裝到研磨控制部50內。壓力室C1~C6還與大氣開放閥(未圖示)連接，且也可將壓力室C1~C6設成大氣開放。
在電-氣調節器R1、R2、R3、R4、R5、R6與加壓氣體的使用點即頂環30之間設有管道壓力傳感器P1、P2、P3、P4、P5、P6。這些管道壓力傳感器P1~P6分別設於與壓力室C1~C6連通的流體通道F1~F6，對流體通道F1~F6內及壓力室C1~C6內的壓力進行計測。
圖3是表示電-氣調節器R1~R6及管道壓力傳感器P1~P6的配置的立體圖。如圖3所示，電-氣調節器R1~R6安裝在頂環旋轉用電動機68 上，而管道壓力傳感器P1~P6離開電-氣調節器R1~R6及頂環頭64而進行配置。這是為了防止因從頂環旋轉用電動機68、旋轉式接頭82等熱源發出的熱量所引起的管道壓力傳感器P1~P6的溫度漂移。為了遠離這些熱源，管道壓力傳感器P1~P6離開頂環頭64而進行配置。更具體地說，管道壓力傳感器P1~P6配置在頂環頭罩殼71的外側，且配置在研磨裝置的內部。
較佳是，管道壓力傳感器P1~P6設置在溫度被保持為恒定的環境內。例如，管道壓力傳感器P1~P6設置在頂環頭罩殼71之外等的研磨裝置內的開放空間內。一般而言，設置研磨裝置的潔淨室具有調溫裝置，潔淨室內的溫度被保持成恒定。因此，為使管道壓力傳感器P1~P6的周圍環境溫度保持成恒定，較佳是，將這些管道壓力傳感器P1~P6配置在接近潔淨室內溫度的研磨裝置內的開放空間內。例如，也可將管道壓力傳感器P1~P6配置於研磨裝置的頂蓋。此外，也可將管道壓力傳感器P1~P6設置在研磨裝置之外。例如，也可將管道壓力傳感器P1~P6放置在研磨裝置的外表面上或離開研磨裝置的場所。較佳是，管道壓力傳感器P1~P6的計測點儘量接近加壓氣體的使用點即頂環30。
研磨控制部50生成各壓力室C1~C6的目標壓力值即壓力指令值。壓力室C1、C2、C3、C4的壓力指令值是基於與各壓力室C1、C2、C3、C4對應的晶圓表面的區域中的膜厚測定值而生成的。研磨控制部50將壓力指令值發送到PID控制部5，PID控制部5生成補正指令值，該補正指令值用於消除由管道壓力傳感器P1~P6計測後的壓力當前值與所對應的壓力指令值之差。PID控制部5將補正指令值發送到上述電-氣調節器R1~R6，電-氣調節器R1~R6動作，以使壓力室C1~C6內的壓力與所對應的補正指令值一 致。如此，具有多個壓力室的頂環30，由於可隨著研磨的推進而將晶圓表面上的各區域獨立地推壓到研磨墊23上，因此可均勻地研磨晶圓W的膜。
電-氣調節器R1~R6、管道壓力傳感器P1~P6及PID控制部5構成對頂環30的壓力室C1~C6內的壓力進行調整的壓力控制裝置1。電-氣調節器R1~R6具有彼此相同的結構，且並聯連接。同樣，管道壓力傳感器P1~P6具有彼此相同的結構，且並聯連接。管道壓力傳感器P1~P6分別與電-氣調節器R1~R6串聯連接。也可與多個電-氣調節器及多個管道壓力傳感器對應而設置多個PID控制部5。本實施方式的壓力控制裝置1具有多個電-氣調節器R1~R6及多個管道壓力傳感器P1~P6，但也可僅具有一個電-氣調節器及一個管道壓力傳感器。
下面，為了簡化說明，現參照圖4來說明具有一個電-氣調節器R1及一個管道壓力傳感器P1的壓力控制裝置1的一實施方式。如圖4所示，壓力控制裝置1具有：電-氣調節器R1；配置在該電-氣調節器R1的下游側(二次側)的管道壓力傳感器P1；以及與該管道壓力傳感器P1連接的PID控制部5。
電-氣調節器R1具有：對從氣體供給源40供給的氣體的壓力進行調整的壓力調整閥6；對壓力調整閥6的下游側的氣體的壓力(二次側壓力)進行測定的內部壓力傳感器(第1壓力傳感器)7；以及基於由內部壓力傳感器7取得的壓力值而對壓力調整閥6的動作進行控制的調節器控制部8。
壓力調整閥6具有：對從氣體供給源40供給的氣體的壓力進行調整的先導閥10；以及對輸送到先導閥10的先導空氣(pilot air)的壓力進行調整的供氣用電磁閥11及排氣用電磁閥12。先導閥10具有：一部分由膜片 形成的先導室14；以及與先導室14連接的閥芯15。先導空氣經供氣用電磁閥11而被輸送到先導室14內，先導室14內的先導空氣經排氣用電磁閥12而被排出。因此，通過對供氣用電磁閥11及排氣用電磁閥12進行操作，從而先導室14內的壓力被調整。調節器控制部8對電磁閥11、12的開閉動作進行控制，閥芯15隨著先導室14內的壓力而移動。來自氣體供給源40的氣體根據閥芯15的位置而通過先導閥10被排出，或者先導閥10的下游側(二次側)的氣體經由先導閥10而被排出。由此，先導閥10的下游側的氣體的壓力即二次側壓力被調整。具有這種結構的電-氣調節器R1，是對供氣用電磁閥11及排氣用電磁閥12的占空比進行控制來調整壓力的類型的電-氣調節器，但本發明並不限於這種類型，本發明也可適用於比例控制閥式、力平衡式等其它的電-氣調節器。
壓力調整閥6、調節器控制部8及內部壓力傳感器(第1壓力傳感器)7組裝成一體而構成了電-氣調節器R1，管道壓力傳感器(第2壓力傳感器)P1與電-氣調節器R1分離。管道壓力傳感器P1配置在內部壓力傳感器7的下游側，且設置在電-氣調節器R1與頂環30之間。較佳是，該管道壓力傳感器P1的壓力計測點為使用點即頂環30的附近。管道壓力傳感器P1對電-氣調節器R1的下游側的氣體的壓力即流體通道F1及壓力室C1內的當前壓力進行測定，並將所得到的壓力當前值發送到PID控制部5。
管道壓力傳感器P1具有比內部壓力傳感器7高的壓力測定精度。更具體地說，在作為表示壓力傳感器的壓力測定精度的指標而一般所使用的線性度、滯後性、穩定性、重複性等所有的評價項目中，管道壓力傳感器P1具有超過內部壓力傳感器7的精度。
內部壓力傳感器7及管道壓力傳感器P1配置在壓力調整閥6的下游側。因此，內部壓力傳感器(第1壓力傳感器)7對壓力調整閥6的二次側的壓力進行測定而取得其測定值(第1壓力值)，管道壓力傳感器(第2壓力傳感器)P1再對壓力調整閥6的二次側的壓力進行測定而取得其測定值(第2壓力值)。
如圖4所示，管道壓力傳感器P1還與研磨控制部50連接，且由管道壓力傳感器P1取得的壓力當前值也發送到研磨控制部50。研磨控制部50將該壓力當前值用作表示頂環的壓力室C1內的當前壓力的值，且基於壓力當前值而生成上述的壓力指令值。
PID控制部5與研磨裝置的研磨控制部50連接。由研磨控制部50生成的壓力指令值被發送到PID控制部5。PID控制部5生成補正指令值(模擬信號)，該補正指令值用於消除壓力當前值與壓力指令值之差，且將該補正指令值發送到調節器控制部8。調節器控制部8對供氣用電磁閥11及排氣用電磁閥12的動作進行控制，以消除從內部壓力傳感器7發送來的壓力值與補正指令值之差。
先導室14內的先導空氣使先導閥10的閥芯15動作，由此，氣體(空氣、氮等)的壓力被調整。先導閥10的下游側的氣體的壓力由內部壓力傳感器7測定，而且由配置在內部壓力傳感器7下游側的管道壓力傳感器P1測定。由內部壓力傳感器7取得的壓力當前值被反饋到調節器控制部8，由管道壓力傳感器P1取得的壓力當前值被反饋到PID控制部5。即，壓力控制裝置1具有雙重回路控制構造。
圖5是表示壓力控制裝置1的控制流程的示圖。由研磨裝置的 研磨控制部50生成的壓力指令值M1被輸入到PID控制部5，由管道壓力傳感器P1取得的壓力當前值(第2壓力值)N2也被輸入到PID控制部5。PID控制部5進行PID運算，並生成用於消除壓力指令值M1與壓力當前值N2之差的補正指令值M2。該補正指令值M2被送到電-氣調節器R1的調節器控制部8。
調節器控制部8對補正指令值M2與由內部壓力傳感器7取得的壓力當前值(第1壓力值)N1之差進行比較，並重複操作電磁閥11、12及取得壓力當前值N1(第1回路控制)，直至壓力當前值N1與補正指令值M2相等。在壓力當前值N1與補正指令值M2相等的場合，PID控制部5對壓力指令值M1與壓力當前值N2進行比較。在壓力當前值N2與壓力指令值M1不相等的場合，PID控制部5再次獲取壓力指令值M1與壓力當前值N2，再次生成用於消除壓力指令值M1與壓力當前值N2之差的補正指令值M2。重複生成補正指令值M2、第1回路控制及取得壓力當前值N2(第2回路控制)，直至壓力當前值N2與壓力指令值M1相等。較佳是，第1回路控制中的壓力當前值N1的取樣時間比第2回路控制中的壓力當前值N2的取樣時間短。
壓力指令值M1從研磨控制部50輸入到PID控制部5。該壓力指令值M1可隨著晶圓研磨的推進而變化。壓力控制裝置1中，需要迅速響應這種壓力指令值M1的變化而使頂環30的壓力室C1~C6內的壓力變化。此外，壓力控制裝置1中，還需要在使壓力室C1~C6內的壓力變化後使該壓力穩定。
因此，為了迅速響應壓力指令值M1的變化，當壓力指令值M1變化時，壓力控制裝置1使PID控制部5的PID動作停止，僅使調節器控制部8動作。圖6是表示PID控制部5不動作而僅僅調節器控制部8進行動作時的 壓力控制裝置1的控制流程的示圖。在壓力指令值M1剛產生變化後，如圖6所示，僅第1回路控制進行動作並調整壓力。由於第2回路控制不動作，因此，壓力室C1~C6內的壓力迅速跟隨壓力指令值M1的變化而變化。在壓力指令值M1產生變化，且進一步經過了預先設定的延遲時間後，第1回路控制及第2回路控制雙方進行動作來控制壓力。因此，壓力室C1~C6內的壓力穩定。
圖7是表示隨著從研磨控制部50輸入的壓力指令值的變化而變化的壓力當前值(第2壓力值)N2的曲線圖。如圖7所示，從時刻t1至PID控制開始點t3，PID控制部5停止生成補正指令值M2。時刻t1是壓力指令值M1從SV1變化為SV2的時刻，PID控制開始點t3是經過了上述的延遲時間(用符號DT表示)後的時刻。在PID控制部5停止生成補正指令值M2的期間，調節器控制部8對壓力調整閥6的動作進行控制，以消除壓力指令值M1與壓力當前值(第1壓力值)N1之差。因此，從壓力指令值M1產生變化的時刻t1至PID控制開始點t3，壓力調整閥6的二次側壓力由調節器控制部8控制。
延遲時間DT是在壓力指令值M1產生變化後首次滿足規定條件時開始。該規定條件是，壓力當前值(第2壓力值)N2相對於變化後的壓力指令值M1的偏差處於規定範圍(-E~+E)內。在圖7所示的曲線圖中，時刻t2是延遲時間DT的始點。在該時刻t2，壓力當前值N2相對於變化後的壓力指令值M1的偏差處於規定範圍(-E~+E)內。因此，時刻t2是在壓力指令值M1產生變化後首次滿足上述規定條件的時刻。
圖7的時刻t3是結束了(經過了)預先設定的延遲時間DT後的時刻。該時刻t3是上述的PID控制開始點。在該PID控制開始點t3，PID控制 部5開始生成補正指令值M2。因此，在PID控制開始點t3以後，調節器控制部8對壓力調整閥6的動作進行控制，以消除補正指令值M2與壓力當前值N1之差。即，在PID控制開始點t3以後，同時執行第1回路控制和第2回路控制。
圖7的時刻t4是壓力指令值M1進一步從SV2變化到SV3的時刻。在該時刻t4，在壓力指令值M1產生變化的同時，滿足上述的規定條件。即，當壓力指令值M1變化時，壓力當前值(第2壓力值)N2相對於變化後的壓力指令值M1的偏差處於規定的範圍(-E~+E)內。因此，延遲時間DT在時刻t4開始，在時刻t5結束。該時刻t5是上述的PID控制開始點。在該PID控制開始點t5，PID控制部5再次開始生成補正指令值M2。在PID控制開始點t5以後，調節器控制部8對壓力調整閥6的動作進行控制，以消除補正指令值M2與壓力當前值N1之差。
下面，對這種結構的壓力控制裝置1的評價結果進行說明。對於上述結構的壓力控制裝置1的評價，實施了線性度、滯後性、穩定性及重複性這四個項目。圖8(a)及圖8(b)是說明線性度評價及滯後性評價的示圖。線性度評價如下那樣實施。如圖8(a)所示，使氣體的壓力從0直線地上升到500hPa，然後使其直線地減少到0hPa，期間由管道壓力傳感器P測定了氣體的壓力。
圖8(b)是表示使氣體的壓力以0hPa 500hPa 0hPa的方式直線變化時由管道壓力傳感器P1測定的壓力值(傳感器輸出值)的曲線圖。圖8(b)所示的理想直線是，當使氣體的壓力直線地變化時由理想的壓力傳感器的輸出值所畫出的理想的直線。線性度是理想直線上的理想值與管道壓力傳感器P1所對應的輸出值之差的最大值。滯後性是壓力上升時的傳感器輸 出值與壓力減少時的傳感器輸出值之差的最大值。
圖9(a)及圖9(b)是說明穩定性評價的示圖。穩定性評價如下那樣實施。如圖9(a)所示，將氣體的壓力以250hPa維持2小時，期間由管道壓力傳感器P1測定了氣體的壓力。
圖9(b)是表示對維持成250hPa的氣體壓力測定2小時的管道壓力傳感器P1的輸出值的曲線圖。如圖9(b)所示，氣體壓力是恒定的，但管道壓力傳感器P1的輸出值稍微產生變動。穩定性是對維持成恒定壓力的氣體壓力進行了測定規定時間時的管道壓力傳感器P1輸出值的最大值與最小值之差。
圖10(a)及圖10(b)是說明重複性評價的示圖。重複性評價如下那樣實施。如圖10(a)所示，將氣體壓力在0hPa與250hPa之間以規定時間間隔予以切換，期間由管道壓力傳感器P1測定了氣體壓力。
圖10(b)是表示將氣體壓力在0hPa與250hPa之間予以定期切換時由管道壓力傳感器P1測定的壓力值(傳感器輸出值)的曲線圖。如圖10(b)所示，重複性評價是將壓力在0hPa與規定值之間予以重複切換，壓力處於上述規定值時所取得的傳感器輸出值的平均值。
對於評價項目，也可包含下面說明的溫度特性評價。圖11(a)及圖11(b)是說明溫度特性評價的示圖。溫度特性評價如下那樣實施。如圖11(a)所示，使維持成壓力為250hPa的氣體的溫度從25度上升到80度，再使其下降到25度，期間由管道壓力傳感器P1測定氣體壓力。
圖11(b)是表示使氣體的溫度從25度上升到80度，再使其下降到25度時由管道壓力傳感器P1測定的壓力值(傳感器輸出值)的曲線圖。如 圖11(b)所示，氣體壓力為恒定，但傳感器輸出值因溫度而稍微產生變動。溫度特性是使恒定壓力的氣體的溫度變化時傳感器輸出值的最大值與最小值之差。
圖12是表示圖16所示的以往的壓力控制裝置的評價結果與圖4所示的壓力控制裝置的評價結果的示圖。圖12所示的綜合評價分數，是將線性度、滯後性、穩定性及重複性的各評價項目的分數中最差的數值(最大的數值)予以合計後的數值，分數越小表示測定精度越高。從圖12可知，在所有的評價項目中，本實施方式的壓力控制裝置都超過以往的壓力控制裝置。因此，本發明的壓力控制裝置能正確地控制頂環的壓力室內的壓力。
管道壓力傳感器P1如上所述，是高精度的壓力傳感器，但有時管道壓力傳感器P1的輸出值因某些原因而偏離正確值。在這種情況下，進行管道壓力傳感器P1的校正。管道壓力傳感器P1的校正使用比管道壓力傳感器P1更高精度的壓力傳感器(下面稱為超高精度壓力傳感器)來進行。超高精度壓力傳感器與管道壓力傳感器P1連接，在該狀態下，使氣體壓力直線地變化。氣體壓力由超高精度壓力傳感器及管道壓力傳感器P1同時測定，這些壓力傳感器的輸出值被送到PID控制部5。
PID控制部5對預先設定的多個壓力值中的超高精度壓力傳感器的輸出值與管道壓力傳感器P1的輸出值進行比較，決定多個輸出值中的輸出值之間的差。PID控制部5進一步生成用於消除上述多個壓力值中的輸出值之間的差的變換式。該變換式是用於將管道壓力傳感器P1的輸出值變換成超高精度壓力傳感器所對應的輸出值的變換式。換言之，變換式是將包含誤差在內的管道壓力傳感器P1的輸出值補正成正確的輸出值的補正 式。
圖13是表示變換式的示圖。在圖13中，橫軸表示管道壓力傳感器P1的輸出值(即補正前的傳感器輸出值)，縱軸表示超高精度壓力傳感器的輸出值(即補正後的傳感器輸出值)。用於對管道壓力傳感器P1的輸出值進行補正的變換式被表示為管道壓力傳感器P1的輸出值的函數，且如圖13所示，被畫作曲線形曲線圖或折線形曲線圖。通過向變換式輸入管道壓力傳感器P1的輸出值，可獲得補正後的傳感器輸出值。
圖14(a)是表示管道壓力傳感器P1的輸出值被補正前的線性度及滯後性的曲線圖的示圖，圖14(b)是表示管道壓力傳感器P1的輸出值被補正後的線性度及滯後性的曲線圖的示圖。從圖14(a)的曲線圖及圖14(b)的曲線圖可知，線性度通過變換式而得到改善。因此，基於補正後的傳感器輸出值，而可進行更正確的壓力控制。
上述的實施方式，是以具有本發明所屬技術領域之通常知識的人員能實施本發明為目的而記載的。上述實施方式的各種變形例若是本行業人員就當然可實施，本發明的技術構思還可適用於其它的實施方式。因此，本發明不限於所記載的實施方式，應由基於申請專利範圍所定義的技術構思的最寬範圍來解釋。

Claims (6)

  1. 一種壓力控制裝置，其特徵在於，具有：壓力調整閥，該壓力調整閥對從流體供給源供給的流體的壓力進行調整；第1壓力傳感器，該第1壓力傳感器對由所述壓力調整閥調整後的壓力進行測定；第2壓力傳感器，該第2壓力傳感器配置在所述第1壓力傳感器的下游側；PID控制部，該PID控制部生成補正指令值，該補正指令值用於消除從外部輸入的壓力指令值與由所述第2壓力傳感器測定的所述流體的第2壓力值之差；以及調節器控制部，該調節器控制部對所述壓力調整閥的動作進行控制，以消除所述壓力指令值及所述補正指令值中的任一方與由所述第1壓力傳感器測定的所述流體的第1壓力值之差，所述PID控制部構成為，從所述壓力指令值產生變化的時刻至PID控制開始點，停止所述補正指令值的生成，所述PID控制開始點後，生成所述補正指令值，所述調節器控制部構成為，從所述壓力指令值產生變化的時刻至所述PID控制開始點，對所述壓力調整閥的動作進行控制，以消除所述壓力指令值與所述第1壓力值之差，所述PID控制開始點後，對所述壓力調整閥的動作進行控制，以消除所述補正指令值與所述第1壓力值之差，所述PID控制開始點是經過了預先設定的延遲時間的時刻。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的壓力控制裝置，其中所述延遲時間是在所述壓力指令值產生變化後首次滿足規定條件時開始的，所述規定條件是所 述第2壓力值相對於變化後的所述壓力指令值的偏差處於規定範圍內。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的壓力控制裝置，其中關於包含線性度、滯後性、穩定性及重複性在內的評價項目，所述第2壓力傳感器具有比所述第1壓力傳感器高的壓力測定精度。
  4. 一種研磨裝置，具有：對研磨墊進行支承的研磨台；將基板按壓到所述研磨台上的所述研磨墊上的頂環；對所述頂環的動作進行控制的研磨控制部；以及與所述頂環連接的壓力控制裝置，所述頂環具有用於將所述基板按壓到所述研磨墊上的壓力室，所述研磨裝置的特徵在於，所述壓力室內的壓力由所述壓力控制裝置調整，所述壓力控制裝置具有：壓力調整閥，該壓力調整閥對從流體供給源供給的流體的壓力進行調整；第1壓力傳感器，該第1壓力傳感器對由所述壓力調整閥調整後的壓力進行測定；第2壓力傳感器，該第2壓力傳感器配置在所述第1壓力傳感器的下游側；PID控制部，該PID控制部生成補正指令值，該補正指令值用於消除從所述研磨控制部輸入的壓力指令值與由所述第2壓力傳感器測定的所述流體的第2壓力值之差；以及調節器控制部，該調節器控制部對所述壓力調整閥的動作進行控制，以消除所述壓力指令值及所述補正指令值中的任一方與由所述第1 壓力傳感器測定的所述流體的第1壓力值之差，所述PID控制部構成為，從所述壓力指令值產生變化的時刻至PID控制開始點，停止所述補正指令值的生成，所述PID控制開始點後，生成所述補正指令值，所述調節器控制部構成為，從所述壓力指令值產生變化的時刻至所述PID控制開始點，對所述壓力調整閥的動作進行控制，以消除所述壓力指令值與所述第1壓力值之差，所述PID控制開始點後，對所述壓力調整閥的動作進行控制，以消除所述補正指令值與所述第1壓力值之差，所述PID控制開始點是經過了預先設定的延遲時間的時刻。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的研磨裝置，其中所述延遲時間是在所述壓力指令值產生變化後首次滿足規定條件時開始的，所述規定條件是所述第2壓力值相對於變化後的所述壓力指令值的偏差處於規定範圍內。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的研磨裝置，其中關於包含線性度、滯後性、穩定性及重複性在內的評價項目，所述第2壓力傳感器具有比所述第1壓力傳感器高的壓力測定精度。
TW104100372A 2014-01-09 2015-01-07 壓力控制裝置及具備該壓力控制裝置之研磨裝置 TWI572446B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014002526A JP6085572B2 (ja) 2014-01-09 2014-01-09 圧力制御装置および該圧力制御装置を備えた研磨装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201532733A true TW201532733A (zh) 2015-09-01
TWI572446B TWI572446B (zh) 2017-03-01

Family

ID=53614616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104100372A TWI572446B (zh) 2014-01-09 2015-01-07 壓力控制裝置及具備該壓力控制裝置之研磨裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9370852B2 (zh)
JP (1) JP6085572B2 (zh)
KR (1) KR101711717B1 (zh)
CN (1) CN104772691B (zh)
SG (1) SG10201500100TA (zh)
TW (1) TWI572446B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI673134B (zh) * 2015-11-27 2019-10-01 日商荏原製作所股份有限公司 校正裝置及校正方法
TWI750377B (zh) * 2017-05-30 2021-12-21 日商荏原製作所股份有限公司 校正方法及記錄有校正程序之非暫態電腦可讀取記錄媒介

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105773397B (zh) * 2016-03-09 2017-09-29 天津华海清科机电科技有限公司 化学机械抛光多区压力在线控制算法
JP2017185589A (ja) * 2016-04-06 2017-10-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置
CN107813220A (zh) * 2016-09-13 2018-03-20 清华大学 压力加载膜
EP3318787A1 (de) * 2016-11-03 2018-05-09 VAT Holding AG Vakuumventilsystem zum geregelten betrieb eines vakuumprozesses
JP7079164B2 (ja) * 2018-07-06 2022-06-01 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および基板洗浄方法
WO2020084523A2 (en) * 2018-10-25 2020-04-30 3M Innovative Properties Company Robotic paint repair systems and methods
US11731232B2 (en) * 2018-10-30 2023-08-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Irregular mechanical motion detection systems and method
TWI689678B (zh) * 2019-03-07 2020-04-01 台灣氣立股份有限公司 真空電控比例閥
TWI689679B (zh) * 2019-03-08 2020-04-01 台灣氣立股份有限公司 真空大容量電控比例閥
CN110497317B (zh) * 2019-07-25 2024-05-03 杭州电子科技大学 一种适用于自动打磨设备的恒压装置
CN110883680B (zh) * 2019-12-17 2021-08-10 杭州众硅电子科技有限公司 用于化学机械平坦化设备的抛光头压力控制设备及方法
JP7424322B2 (ja) * 2021-01-19 2024-01-30 Smc株式会社 流体圧力制御装置
CN113547437B (zh) * 2021-08-09 2022-05-27 河南科技学院 一种实验室用多功能研抛机
CN113894696B (zh) * 2021-10-29 2023-01-24 北京烁科精微电子装备有限公司 一种抛光监测装置和抛光监测方法
CN114166952B (zh) * 2021-12-08 2023-08-29 北京晶亦精微科技股份有限公司 一种吸附检测装置及吸附检测方法
CN116533127B (zh) * 2023-07-06 2023-10-31 浙江晶盛机电股份有限公司 抛光压力调节方法、装置、计算机设备和存储介质

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5919672A (ja) * 1982-07-19 1984-02-01 Toshiba Corp ポリシング装置の加工圧力制御装置
US5799688A (en) * 1990-12-20 1998-09-01 Jetec Company Automatic flow control valve
JP3410513B2 (ja) * 1993-06-30 2003-05-26 不二越機械工業株式会社 圧力が精密制御されるウエハ−研磨装置
US5762539A (en) * 1996-02-27 1998-06-09 Ebara Corporation Apparatus for and method for polishing workpiece
US6594542B1 (en) * 1996-10-04 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Method and system for controlling chemical mechanical polishing thickness removal
US6129613A (en) * 1998-01-30 2000-10-10 Philips Electronics North America Corp. Semiconductor manufacturing apparatus and method for measuring in-situ pressure across a wafer
US6246474B1 (en) * 1998-04-29 2001-06-12 Particle Measuring Systems, Inc. Method and apparatus for measurement of particle size distribution in substantially opaque slurries
JP3763975B2 (ja) * 1998-07-21 2006-04-05 株式会社荏原製作所 トップリング制御装置及びポリッシング装置
JP2001105298A (ja) 1999-10-04 2001-04-17 Speedfam Co Ltd 流体加圧式キャリアの内圧安定化装置
US6857947B2 (en) * 2002-01-17 2005-02-22 Asm Nutool, Inc Advanced chemical mechanical polishing system with smart endpoint detection
TW556259B (en) * 2002-09-09 2003-10-01 Taiwan Semiconductor Mfg Method and system for controlling slurry flow rate using dual mode hybrid control
JP4718107B2 (ja) * 2003-05-20 2011-07-06 株式会社荏原製作所 基板保持装置及び研磨装置
JP2007507079A (ja) 2003-07-09 2007-03-22 ピーター ウォルターズ サーファス テクノロジーズ ゲーエムベーハー ウント コー． カーゲー 平坦な作業物、詳細には半導体ウェーハの化学的機械研磨のための保持具
JP4108023B2 (ja) * 2003-09-09 2008-06-25 株式会社荏原製作所 圧力コントロールシステム及び研磨装置
JP3639584B1 (ja) 2003-09-26 2005-04-20 Ｔｄｋ株式会社 磁場配向成形装置及び配向磁場発生装置
US6901761B1 (en) * 2004-02-24 2005-06-07 General Electric Company System and method for regulating pressure of pilot air to combustor of gas turbine
US7207871B1 (en) * 2005-10-06 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Carrier head with multiple chambers
JP2007181893A (ja) * 2006-01-06 2007-07-19 Komatsu Ltd 研磨装置における圧力制御装置
JP2008137103A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Ebara Corp 基板保持装置、基板研磨装置、及び基板研磨方法
JP5744382B2 (ja) 2008-07-24 2015-07-08 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
KR101004435B1 (ko) * 2008-11-28 2010-12-28 세메스 주식회사 기판 연마 장치 및 이를 이용한 기판 연마 방법
JP5397084B2 (ja) * 2009-08-19 2014-01-22 株式会社大真空 研磨装置
JP2013171088A (ja) * 2012-02-17 2013-09-02 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の露光光形成方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5905359B2 (ja) * 2012-07-23 2016-04-20 株式会社荏原製作所 圧力制御装置および該圧力制御装置を備えた研磨装置
TWM464315U (zh) * 2013-06-20 2013-11-01 Wei Kuang Automation Co Ltd 熱熔膠供膠壓力控制裝置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI673134B (zh) * 2015-11-27 2019-10-01 日商荏原製作所股份有限公司 校正裝置及校正方法
TWI750377B (zh) * 2017-05-30 2021-12-21 日商荏原製作所股份有限公司 校正方法及記錄有校正程序之非暫態電腦可讀取記錄媒介

Also Published As

Publication number Publication date
JP6085572B2 (ja) 2017-02-22
US9370852B2 (en) 2016-06-21
KR101711717B1 (ko) 2017-03-02
CN104772691B (zh) 2017-10-13
TWI572446B (zh) 2017-03-01
CN104772691A (zh) 2015-07-15
KR20150083432A (ko) 2015-07-17
SG10201500100TA (en) 2015-08-28
JP2015131351A (ja) 2015-07-23
US20150224620A1 (en) 2015-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI572446B (zh) 壓力控制裝置及具備該壓力控制裝置之研磨裝置
US9381614B2 (en) Pressure regulator, polishing apparatus having the pressure regulator, and polishing method
US9662761B2 (en) Polishing apparatus
US10569381B2 (en) Polishing method and polishing apparatus
US6450200B1 (en) Flow control of process gas in semiconductor manufacturing
US10792784B2 (en) Leak checking method, and computer-readable storage medium for performing the leak checking method
TW201009528A (en) Automatic pressure regulator for flow controller
US6363959B1 (en) Fluid pressure regulator with differential pressure setting control
US10391603B2 (en) Polishing apparatus, control method and recording medium
US9707661B2 (en) Polishing method and polishing apparatus
KR20100035697A (ko) 인덱싱 장치
JP4778549B2 (ja) 真空圧力制御システム及び真空圧力制御プログラム
JP5118216B2 (ja) 真空圧力制御システム及び真空圧力制御プログラム
TWI727121B (zh) 工件硏磨頭
JP2007181895A (ja) 研磨装置における圧力制御装置
JP2006088250A (ja) 研磨装置
KR20190143370A (ko) 연마 장치, 연마 방법 및 연마 제어 프로그램
US20240207995A1 (en) Polishing device and method for adjusting pressure control unit
JP7219009B2 (ja) 基板保持装置およびドライブリングの製造方法
JP2019128809A (ja) 圧力制御方法および圧力制御装置、並びに該圧力制御装置を備えた研磨装置
CN114721444A (zh) 一种压力控制器及其控制方法
JP2008223912A (ja) 外部パイロット式高感度圧力調整弁の構造