TW201516460A - 嵌入式表面擴散器 - Google Patents

嵌入式表面擴散器 Download PDF

Info

Publication number
TW201516460A
TW201516460A TW103135273A TW103135273A TW201516460A TW 201516460 A TW201516460 A TW 201516460A TW 103135273 A TW103135273 A TW 103135273A TW 103135273 A TW103135273 A TW 103135273A TW 201516460 A TW201516460 A TW 201516460A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
layer
implementations
refractive index
pixels
Prior art date
Application number
TW103135273A
Other languages
English (en)
Inventor
Jyothi Karri
Ion Bita
Jian Jim Ma
Sapna Patel
Lai Wang
Original Assignee
Qualcomm Mems Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qualcomm Mems Technologies Inc filed Critical Qualcomm Mems Technologies Inc
Publication of TW201516460A publication Critical patent/TW201516460A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/12—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements by surface treatment, e.g. by irradiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0043—Inhomogeneous or irregular arrays, e.g. varying shape, size, height
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0056—Arrays characterized by the distribution or form of lenses arranged along two different directions in a plane, e.g. honeycomb arrangement of lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
    • G02B5/021—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place at the element's surface, e.g. by means of surface roughening or microprismatic structures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
    • G02B5/0236—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

一種擴散器堆疊可包括具有一第一折射率之一第一薄膜及接近該第一薄膜之一第二薄膜。該第二薄膜可具有高於該第一折射率之一第二折射率。該第一薄膜與該第二薄膜之間的一界面可包括具有實質上隨機化大小的微透鏡之一陣列。該等微透鏡可包括為實質上球形、多邊形、圓錐形等的特徵之區段。該第一薄膜及該第二薄膜可安置於一像素陣列與一實質上透明之基板之間。一抗反射層可安置於該第一薄膜與該第二薄膜之間。

Description

嵌入式表面擴散器 【優先權】
本申請案主張題為「EMBEDDED SURFACE DIFFUSER」且在2013年10月18日申請的美國專利申請案第14/057,975號之優先權，該申請在此被以引用的方式併入。
本發明係關於擴散器堆疊，特定言之，適合於顯示器件之擴散器堆疊。
機電系統(EMS)包括具有電及機械元件之器件、致動器、換能器、感測器、光學組件(例如，鏡)及電子器件。可以包括(但不限於)微尺度及奈米尺度之多種尺度製造EMS。舉例而言，微機電系統(MEMS)器件可包括具有範圍自約一微米至數百微米或更大之大小的結構。奈米機電系統(NEMS)器件可包括具有小於一微米之大小(例如，包括小於數百奈米之大小)的結構。可使用沈積、蝕刻、微影及/或蝕刻掉基板及/或所沈積材料層之部分或添加層以形成電及機電器件的其他微機械加工製程來創造機電元件。
一類型之EMS器件叫作干涉調變器(IMOD)。如本文中所使用，術語IMOD或干涉光調變器指使用光學干涉之原理選擇性吸收及/或反射光之器件。在一些實施中，IMOD可包括高度反射性金屬板及部分吸收性且部分透明及/或反射性板，且能夠在施加了恰當電信號後相 對運動。在一實施中，一個板可包括沈積於基板上之靜止層，且另一板可包括與靜止層分開一氣隙之反射膜。一個板相對於另一者之位置可改變入射於IMOD上的光之光學干涉及反射光譜。IMOD器件具有廣泛範圍之應用，且預期用於改良現有產品及創造新產品過程中，尤其係具有資訊顯示能力之彼等產品。
在諸如干涉調變器(IMOD)顯示器之反射性顯示器中，包括一擴散器層或堆疊可為有利的。此等擴散器可改良顯示器件之視角。又，包括IMOD顯示器之反射性顯示器可具有光源之鏡面反射，其可顯得眩光且藉此降級在顯示器上展示的影像，且擴散器可減少此等鏡面反射。
本發明之系統、方法及器件各具有若干創新態樣，其中無單一者單獨負責本文中所揭示之合乎需要的屬性。
本發明中描述的標的物之一創新態樣可實施於一種裝置中，該裝置包括：一第一薄膜，其具有一第一折射率；及一第二薄膜，其接近該第一薄膜，該第二薄膜具有高於該第一折射率之一第二折射率。該第一薄膜與該第二薄膜之間的一界面可包括具有實質上隨機化大小的微透鏡之陣列。
在一些實施中，該等微透鏡可包括實質上球形、多邊形或圓錐形特徵之部分。該等微透鏡可包括形成於該第一薄膜中之凹面。該等微透鏡可包括該第二薄膜之填充該等凹面的部分。
該裝置亦可包括接近該第二薄膜而安置之一像素陣列及接近該第一薄膜而安置之一實質上透明之基板。在一些實施中，該等像素可包括干涉調變器(IMOD)像素。在一些此等實施中，該等IMOD像素可包括多態IMOD像素。在一些此等實施中，該像素陣列中之一單一像素可與多個微透鏡對應。舉例而言，該像素陣列中之一單一像素可與 10個或10以上微透鏡對應。
該實質上透明之基板可能夠充當一光導。在一些實施中，該光導可包括複數個光提取特徵，其能夠自該光導提取光且能夠將該光之至少一部分提供至該像素陣列。在一些實施中，一包覆層可安置於該實質上透明之基板與該第一薄膜之間。舉例而言，該包覆層可具有低於該第一折射率之一第三折射率。在一些實施中，該第一薄膜具有比該實質上透明之基板之折射率低的一折射率。
該裝置可包括一控制系統，其可能夠處理影像資料且可能夠根據該經處理之影像資料控制該像素陣列。該控制系統可包括能夠將至少一信號發送至該像素陣列的一驅動器電路及能夠將該影像資料之至少一部分發送至該驅動器電路的一控制器。該裝置可包括能夠將該影像資料發送至該控制系統之一影像源模組。該影像源模組可包括一接收器、收發器及傳輸器中之至少一者。該裝置可包括一輸入器件，其能夠接收輸入資料且能夠將該輸入資料傳達至該控制系統。
本發明中描述的標的物之另一創新態樣可實施於一種製造一擴散器堆疊之方法中。該方法可涉及將具有一第一折射率之一第一薄膜沈積於一實質上透明之層上。在一些實施中，該實質上透明之層可包括具有低於該第一折射率之一第三折射率的一包覆層及一實質上透明之基板。該方法可涉及將可在本文中被稱作「凹坑」或「凹面」之特徵蝕刻至該第一薄膜中。在一些實施中，該等凹面可具有實質上隨機之大小。
在一些實施中，該方法可涉及在該蝕刻製程後將一抗反射層沈積於該第一薄膜上。在一些實施中，該抗反射層可為保形的。該方法可涉及將一第二薄膜沈積於該第一薄膜上(或該抗反射層上)，以形成具有實質上隨機化大小的微透鏡之陣列。在一些實施中，該第二薄膜可具有高於該第一折射率之一第二折射率。
該方法可涉及在該第二薄膜上形成一像素陣列。在一些實施中，該等像素可包括干涉調變器(IMOD)像素，其中之至少一些可為多態IMOD像素。
此說明書中所描述的標的物之一或多個實施之細節在隨附圖式及以下描述中闡明。雖然在此發明內容中提供之實例主要就基於MEMS之顯示器來描述，但本文中提供之概念可適用於其他類型之顯示器，諸如，液晶顯示器(LCD)、有機有機發光二極體(OLED)顯示器、電泳顯示器及場發射顯示器。其他特徵、態樣及優勢將自描述、圖式及申請專利範圍變得顯而易見。應注意，以下諸圖之相對尺寸可能未按比例繪製。
12‧‧‧顯示元件
13‧‧‧光
14‧‧‧可移動反射層
14a‧‧‧反射性子層
14b‧‧‧支撐層
14c‧‧‧傳導層
15‧‧‧光
16‧‧‧光學堆疊
16a‧‧‧吸收體層/光學吸收體
16b‧‧‧介電質
18‧‧‧柱/支撐柱
19‧‧‧間隙
20‧‧‧透明基板
21‧‧‧處理器
22‧‧‧陣列驅動器
23‧‧‧黑色遮罩結構
24‧‧‧列驅動器電路
25‧‧‧犧牲層
26‧‧‧行驅動器電路
27‧‧‧網路介面
28‧‧‧圖框緩衝器
29‧‧‧驅動器控制器
30‧‧‧顯示器陣列或面板
32‧‧‧繫栓
34‧‧‧可變形層
35‧‧‧分隔層
40‧‧‧顯示器件
41‧‧‧外殼
43‧‧‧天線
45‧‧‧揚聲器
46‧‧‧麥克風
47‧‧‧收發器
48‧‧‧輸入器件
50‧‧‧電源供應器
52‧‧‧調節硬體
80‧‧‧用於IMOD顯示器或顯示元件之製造製程
100‧‧‧擴散器堆疊
105‧‧‧低折射率薄膜
110‧‧‧高折射率薄膜
205‧‧‧基板
210‧‧‧像素陣列
212‧‧‧微透鏡
2121‧‧‧微透鏡
2122‧‧‧微透鏡
215‧‧‧光提取特徵
220‧‧‧包覆層
225‧‧‧抗反射層
226‧‧‧單一像素
227‧‧‧光源
229‧‧‧鈍化層
230‧‧‧微透鏡間區域
300‧‧‧方法
405‧‧‧光阻材料
410‧‧‧凹面
505‧‧‧側壁
圖1為包括擴散器堆疊之實例元件之方塊圖。
圖2A至圖2C展示穿過擴散器堆疊之實例之橫截面。
圖2D及圖2E展示具有不同深度及曲率半徑的微透鏡之實例。
圖3為概述製造擴散器堆疊之製程之一實例之流程圖。
圖4A至圖4F為說明在製造擴散器堆疊之製程之一實例中的階段之橫截面圖。
圖5A至圖5C說明在製造包括實質上圓錐形特徵之部分的微透鏡之製程之一個實例中的階段。
圖6A及圖6B展示具有不同形狀的微透鏡之實例。
圖7展示描繪在干涉調變器(IMOD)顯示器件之一系列像素中的兩個鄰近像素之等角視圖之一實例。
圖8展示併有一3x3 IMOD顯示器之一電子器件的系統方塊圖之一實例。
圖9A至9E為IMOD顯示元件之不同實施之橫截面說明。
圖10為說明用於IMOD顯示器或顯示元件之製造製程之流程圖。
圖11A至圖11E為在製造IMOD顯示器或顯示元件之製程中的各種階段之橫截面說明。
圖12A及圖12B展示說明包括如本文中所描述之一觸控感測器的顯示器件之系統方塊圖之實例。
各種圖式中之相同參考數字及標示指示相同元件。
為了描述本發明之創新態樣之目的，以下描述係有關某些實施。然而，一般熟習此項技術者將易於認識到，本文中之教示可以許多不同方式來應用。所描述之實施方案可實施於可能夠顯示影像(無論係運動(諸如，視訊)或是靜止(諸如，靜態影像)的，且無論係文字、圖形或是圖像)的任何器件、裝置或系統中。更明確而言，預期所描述之實施可包括於諸如(但不限於)以下各者之多種電子器件中或與該等電子器件相關聯：行動電話、具備多媒體網際網路能力之蜂巢式電話、行動電視接收器、無線器件、智慧型手機、Bluetooth®器件、個人資料助理(PDA)、無線電子郵件接收器、手持型或攜帶型電腦、迷你筆記型電腦、筆記型電腦、智慧筆記型電腦、平板電腦、印表機、影印機、掃描器、傳真器件、全球定位系統(GPS)接收器/導航器、攝影機、數位媒體播放器(諸如，MP3播放器)、攝錄影機、遊戲控制台、手錶、時鐘、計算器、電視監視器、平板顯示器、電子閱讀器件(例如，電子閱讀器)、電腦監視器、自動顯示器(包括里程錶及速度計顯示器等)、座艙控制器及/或顯示器、相機景觀顯示器(諸如，車輛中的後視相機之顯示器)、電子相片、電子廣告牌或標識、投影儀、架構結構、微波爐、冰箱、立體聲系統、匣式錄音機或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、收音機、攜帶型記憶體晶片、洗衣機、乾燥器、洗衣機/乾燥器、停車儀、封裝(諸如，在包括微機電系統(MEMS)應用程式之機電系統(EMS)應用程式以及非EMS應用程式 中)、美學結構(諸如，關於一件珠寶或服裝的影像之顯示)及多種EMS器件。本文中之教示亦可用於非顯示器應用中，諸如，(但不限於)電子切換器件、射頻濾波器、感測器、加速計、迴轉儀、運動感測器件、磁力計、用於消費型電子器件之慣性組件、消費型電子器件產品之零件、變容器、液晶器件、電泳器件、驅動方案、製造製程及電子測試設備。因此，教示並不意欲限於僅在圖中描繪之實施，而取而代之，具有廣泛適用性，如將易於對一般熟習此項技術者顯而易見。
提供足夠混濁度同時使反射及非吾人所樂見之偽影最小化可具有挑戰性。此外，當前可用擴散器大體由塑膠或類似材料形成。此材料可具有過低而不能與其他製造製程相容之熔點。本文中描述之一些實施提供可實質上透明(具有少量反向散射及低的反射率)同時提供相當大的混濁度值之擴散器。
本文中描述之一些實施包括一種裝置，其具有具第一折射率之第一薄膜及接近該第一薄膜之第二薄膜。該第二薄膜可具有高於第一折射率之第二折射率。該第一薄膜與該第二薄膜之間的一界面可包括具有實質上隨機化大小的微透鏡之陣列。微透鏡可包括實質上球形、多邊形、圓錐形等的特徵之區段。根據一些實施，第一及第二薄膜可安置於顯示器件像素陣列與一實質上透明之基板(諸如，玻璃基板、聚合物基板等)之間。
微透鏡可包括形成於第一薄膜中之凹面或凹坑。舉例而言，可根據蝕刻製程(其可包括乾式蝕刻及/或濕式蝕刻)使凹面形成於第一薄膜中。該等微透鏡可包括該第二薄膜之填充該等凹面的部分。第二薄膜之此等部分可為實質上填充凹面的鈍化層之部分。在一些實施中，抗反射層可安置於第一薄膜與第二薄膜之間。在一些實施中，抗反射層與形成於第一薄膜中之凹面或凹坑一致。
可實施本發明中所描述的標的物的特定實施以實現以下潛在優 點中的一或多者。一些實施可提供提供少量反向散射及低反射率同時提供相當大的混濁度值之擴散器堆疊。一些擴散器堆疊具有足夠高以與其他製造製程相容之熔點。舉例而言，一些此等擴散器堆疊具有足夠高使得諸如干涉調變器(IMOD)像素之一像素陣列可形成於擴散器堆疊上而不使擴散器堆疊熔化或變形之熔點。在實質上透明之基板(諸如，顯示器基板)與一像素陣列之間而非在基板之相對邊上形成擴散器堆疊可提供改良之光學性質，諸如，改良之解析度。當將擴散器堆疊定位得較遠離像素時，此組態可藉由使由像素形成之影像變模糊而降低解析度。當將擴散器堆疊較靠近像素定位時，解析度保持較高且擴散器堆疊可增大視角且減少鏡面反射。
圖1為包括擴散器堆疊之實例元件之方塊圖。在此實例中，擴散器堆疊100包括具有第一折射率之第一薄膜一低折射率薄膜105。擴散器堆疊100亦包括第二薄膜一高折射率薄膜110，在此實例中，其具有高於第一折射率之第二折射率。然而，在替代實施中，第二薄膜可具有低於第一折射率之折射率。第一折射率與第二折射率之間的差愈高，則擴散器堆疊之混濁度愈高。因此，對於高混濁度實施，第二折射率將大於第一折射率及基板之折射率。在此實例中，低折射率薄膜105與高折射率薄膜110之間的界面包括具有實質上隨機化大小的微透鏡之陣列。
圖2A至圖2C展示穿過擴散器堆疊之實例之橫截面。在此等實例中，擴散器堆疊100安置於基板205上，在此等實例中，基板205為玻璃基板。在一些實施中，玻璃基板可包括硼矽酸鹽玻璃、鹼石灰玻璃、石英、PyrexTM或其他合適的玻璃材料。在替代實施中，基板205可包括合適的實質上透明之非玻璃材料，諸如，聚碳酸酯、丙烯酸、聚對苯二甲酸伸乙酯(PET)或聚醚醚酮(PEEK)。
此處，擴散器堆疊100包括低折射率薄膜105及高折射率薄膜 110。在一些實施中，低折射率薄膜105可包括具有相對低折射率之一或多種材料，諸如，SiO2、SiOC(碳摻雜氧化矽)、旋塗式玻璃(SOG)、氟化鎂(MgF2)、聚四氟乙烯(PTFE)等。在一些實施中，低折射率薄膜105可具有在1微米至10微米、或1微米至5微米或1微米至3微米之範圍中的厚度。
高折射率薄膜110可包括具有比低折射率薄膜105之折射率高的折射率之一或多種材料。舉例而言，在一些實施中，高折射率薄膜110可包括SiNxOx。如由一般熟習此項技術者已知，可藉由變化氮對氧之比率及/或藉由變化濺鍍製程期間之壓力來控制SiNxOx之折射率。因此，由SiNxOx形成的薄膜之折射率可實質上變化，例如，自1.7或1.7以下至2或2以上。在替代性實例中，高折射率薄膜110可包括SiNx、ZrO2、TiO2及/或Nb2O5。在一些實施中，高折射率薄膜110可具有在1微米至10微米之範圍中的厚度。
在圖2A至圖2C中展示之實施中，低折射率薄膜105與高折射率薄膜110之間的界面包括具有實質上隨機化大小的微透鏡212之陣列。在此等實例中，微透鏡212包括實質上球形特徵之部分。然而，在替代性實例中，微透鏡212可包括其他形狀，諸如，實質上多邊形或圓錐形特徵之部分。
如以下更詳細地描述，在一些實施中，微透鏡212之陣列可藉由將具有實質上隨機化大小之特徵蝕刻至低折射率薄膜105中且用高折射率薄膜110填充該等特徵來形成。在一些實施中，蝕刻製程可包括乾式蝕刻製程及/或濕式蝕刻製程。在一些實施中，可經由實質上填充第一薄膜中之凹面的高折射率鈍化塗層之沈積來形成高折射率薄膜110。然而，在替代性實施中，可藉由將具有實質上隨機化大小之特徵蝕刻至較高折射率薄膜中且用較低折射率薄膜填充該等特徵來形成微透鏡212之該陣列。一些實施可包括在較高折射率薄膜與較低折射 率薄膜之間的抗反射層，例如，如本文中其他處所描述。
在圖2A至圖2C中展示之實例中，像素陣列210安置於擴散器堆疊100上。如以下更詳細地描述，在一些實施中，像素陣列210可製造於擴散器堆疊100上。舉例而言，擴散器堆疊100可製造於包括基板205之實質上透明之堆疊上，且隨後，像素陣列210可製造於擴散器堆疊100上。如上所指出，具有安置於諸如基板205之「顯示器玻璃」與像素陣列210之間的擴散器堆疊100可為有利的。然而，簡單地在典型擴散薄膜上製造像素陣列210可將並不可行。此等薄膜通常由具有相對低熔點之聚合物製成。製造像素陣列210(諸如，IMOD陣列)之製程通常涉及溫度實質上高於此熔點之階段。。因此，若吾人將試圖在典型擴散薄膜上製造IMOD陣列，則該擴散薄膜將在製造製程期間熔化。
在圖2B及圖2C中展示之實例中，基板205能夠充當光導。在此等實施中，包覆層220安置於基板205與低折射率薄膜105之間。包覆層220可具有比低折射率薄膜105低之折射率，且可允許基板205充當光導。舉例而言，若低折射率薄膜105由SiO2形成，則包覆層220可由旋塗式玻璃、MgF2或SiOC形成。在一些實施中，包覆層220可為大約1微米厚或更厚，且具有1.38或以下之折射率。然而，在一些實施中，低折射率薄膜105之折射率可足夠低，使得無額外包覆層對於基板205充當光導係必要的。
圖2C展示光源227之一實例，其包括(在此實例中)將光提供至基板205之發光二極體。在圖2B及圖2C中展示之實例中，基板205包括複數個光提取特徵215，其能夠自光導提取光且將光之至少一部分提供至像素陣列210。應理解，圖2B及圖2C係示意性的，且光提取特徵215之形狀及密度可根據應用而變化，且僅經相對於該陣列之微透鏡212之大小及密度示意性地展示。
在圖2C中展示之實例中，光提取特徵215能夠充當觸控面板之電 極。此處，鈍化層229形成於光提取特徵215上。
如同圖2A中展示之實施，圖2B及圖2C之實例亦包括微透鏡212之陣列。在圖2C中展示之實例中，像素陣列210中之一單一像素226與多個微透鏡212對應。在一些實施中，像素陣列210中之一單一像素226可與10個或10個以上微透鏡212對應。在一些實例中，像素陣列210中之一單一像素226可與25個或25個以上微透鏡212對應。
為了達成擴散器堆疊100之高混濁度值，需要使在鏡面方向上反射之光(歸因於在平介電質-介電質界面處之菲涅爾反射)最小化。因此，微透鏡212可經緊密地裝填，使得僅存在少量未由微透鏡212佔據之區域，來自該區域之光可以鏡面方式自擴散器堆疊100反射。
若微透鏡212按規則或週期性圖案形成，則可產生諸如波紋效應及繞射圖案之偽影。因此，在各種實施中，微透鏡212可具有實質上隨機之大小及/或分佈，以便避免此等偽影。在圖2A至圖2C中展示之實例中，該等微透鏡具有不同大小，其中之每一者具有一曲率半徑(ROC)及一深度。ROC及/或深度可隨機化。
圖2D及圖2E展示具有不同深度及曲率半徑的微透鏡之實例。首先參看圖2D，微透鏡2121具有曲率半徑ROC1及深度d1。圖2D亦提供微透鏡間區域230，來自該區域之光可在鏡面方向上反射。
如與微透鏡2121比較，圖2E之微透鏡2122具有較大曲率半徑ROC2。然而，微透鏡2122具有相對較小深度d2。因此，較大ROC未必與較大深度對應。
在一些實施中，微透鏡212之曲率半徑及/或深度可選自隨機或準隨機分佈。舉例而言，微透鏡212之曲率半徑可選自高斯隨機分佈，對於該分佈，具有一指定平均值及一指定標準差。在各種實施中，隨機分佈中的曲率半徑之平均值可範圍自2微米至10微米，或2微米至6微米。在各種實施中，至第一層之表面內的凹面之深度可範圍自200 nm(0.2微米)至5微米，或500nm(0.5微米)至2.5微米。在一些實施中，深度與曲率半徑之隨機或準隨機分佈相對地類似，而在其他實施中，深度及曲率半徑兩者皆具有隨機或準隨機分佈。濕式蝕刻製程傾向於產生具有稍微均勻深度之凹面，而乾式蝕刻製程傾向於產生較隨機深度。
可藉由變化ROC及/或低折射率薄膜105與高折射率薄膜110之折射率之間的差來控制擴散器堆疊100之混濁度。此等折射率之間的較高差產生較高混濁度值，其指示增大之擴散。然而，折射率之間的較高差亦造成在低折射率薄膜105與高折射率薄膜110之間的界面處的較多菲涅耳反射及反向散射，此可減小像素陣列210之反射性像素之反射性對比率。舉例而言，折射率之間的較高差可減小MS-IMOD像素之反射性對比率。對於一些反射性顯示器，擴散器具有大約70%至80%之混濁度值。舉例而言，對於包括具有大約70%至80%之混濁度值的擴散器之反射性顯示器，在一些實施中，第一層與第二層之折射率之間的差為大約0.3或0.3以上。然而，對於極低混濁度實施，第一層與第二層之折射率之間的差可相對小。
在圖2B中展示之實例中，一抗反射層225安置於低折射率薄膜105與高折射率薄膜110之間。抗反射層225可減少微透鏡212的菲涅耳反射及反向散射之量。在此實例中，抗反射層225實質上與在低折射率薄膜105中形成的凹面之形狀一致。可(例如)在使微透鏡212形成於低折射率薄膜105中後且在沈積高折射率薄膜110前沈積抗反射層225。
在一些實施中，該抗反射層可包括SiNxOx。如上所指出，可根據氮對氧之比率及/或藉由變化濺鍍製程期間之壓力來控制SiNxOx之折射率。因此，可根據用以形成擴散器堆疊100之其他材料恰當地選擇由SiNxOx形成的抗反射層225之折射率。以下提供一些實例。然而，在替代性實施中，抗反射層225可包括其他材料，諸如，MgF2。
在一些實例中，抗反射層225可為四分之一波長折射率匹配層。在一些實施中，根據以下等式(1)及(2)選擇抗反射層225之厚度(d AR )及折射率(n AR )：
在等式(1)中，n Film 1表示第一薄膜(例如，低折射率薄膜105)之折射率，且n Film 2表示第二薄膜(例如，高折射率薄膜110)之折射率。若抗反射層225薄，則其可採用低折射率薄膜105中的凹面之形狀。高折射率薄膜110之形狀可與第一薄膜中的凹面之形狀一致。因此，包括一抗反射層225可實質上不改變擴散層之混濁度，但仍然可減少微透鏡212的菲涅耳反射及反向散射之量。
表1展示對於具有及不具有抗反射層225之擴散器堆疊的光學性質之模擬結果之一些實例：
表1中表示之一個擴散器堆疊100包括SiO2之低折射率薄膜105(具有折射率1.46)及SiNxOx之第二薄膜(具有折射率1.71)。表1中表示之另一擴散器堆疊包括SOG之低折射率薄膜105(其具有折射率1.4)，及SiNxOx之第二薄膜(具有折射率2)。在後者情況下，低折射率薄膜105亦可充當一包覆層，以用於允許基板205充當光導。替代地或另 外，擴散器堆疊100亦可包括在低折射率薄膜105與基板205之間的一單獨包覆層220(例如，如圖2B中所展示)，以確保用於基板205充當光導之足夠內部反射。
在表1中展示之實例中，添加抗反射層225可將反向散射減少大約10%，且可改良前向透射。然而，添加抗反射層225可實質上不影響混濁度值。
圖3為概述製造擴散器堆疊之製程之一實例之流程圖。方法300之操作未必按圖3中展示之次序來執行。此外，方法300可涉及比圖3中所展示多或少的區塊。在此實例中，方法300開始於區塊305，其涉及將具有第一折射率之第一薄膜沈積於實質上透明之層上。舉例而言，區塊305可涉及物理氣相沈積(PVD)製程、化學氣相沈積(CVD)製程或用於沈積薄膜之另一此種製程。在一些實施中，第一折射率低於基板之折射率。在一些實施中，實質上透明之層可包括一包覆層及一實質上透明之基板。包覆層可具有低於第一折射率之折射率。
此處，區塊310涉及將凹面蝕刻至第一薄膜中。在此實例中，凹面具有實質上隨機之大小。舉例而言，凹面可具有實質上隨機之曲率半徑及/或深度。在此實施中，可選區塊315涉及在蝕刻製程後將抗反射層沈積於第一薄膜上。區塊315可(例如)涉及PVD製程、CVD製程等。在一些實施中，沈積抗反射層包括保形地沈積抗反射層，使得其與經蝕刻第一薄膜之形狀一致。區塊320可涉及PVD製程、CVD製程等。此處，區塊320涉及將第二薄膜沈積於第一薄膜或抗反射層上，以形成具有實質上隨機化大小的微透鏡之陣列。在此實例中，第二薄膜具有高於第一折射率之第二折射率。在一些實施中，沈積之第二薄膜使第一薄膜或第一薄膜與抗反射層之堆疊的構形平坦化。
圖4A至圖4F為說明在製造擴散器堆疊之製程之一實例中的階段之橫截面圖。圖4A說明沈積於基板205上的低折射率薄膜105之一實 例。圖4A中展示之組態可(例如)在圖3之區塊305後產生。
在圖4B中展示之階段，光阻材料405已經沈積於低折射率薄膜105上且經圖案化。圖4B中展示的光阻材料405之特定圖案僅為一實例。在替代性實施中，可根據灰階微影製程處理光阻材料405。常供乾式蝕刻技術使用之灰階微影允許形成至基板內的凹面之壁之曲率之較大控制。灰階技術允許將凹面形成至光阻表面上，且可接著使用蝕刻劑將形成於光阻上之表面轉印至基板。
在圖4C中展示之階段，凹面已蝕刻至第一薄膜中。因此，圖4C與諸如圖3之區塊310之製程的製程之完成對應。在此實例中，凹面具有實質上隨機化大小且已經藉由濕式蝕刻製程形成。然而，在其他實施中，該製程可包括乾式蝕刻製程。以下參看圖5A及圖5B描述一些此等實例。
在此實施中，光阻材料405已經圖案化，使得凹面410之曲率半徑及/或深度具有隨機或準隨機分佈。舉例而言，凹面410之曲率半徑可選自高斯隨機分佈，對於該分佈，具有一指定平均值及一指定標準差。在一些實例中，可根據至少部分基於分子動力學之原理的電腦模擬來選擇凹面410之配置。舉例而言，可根據至少部分基於分子動力學之電腦模擬來選擇用以圖案化光阻材料405的遮罩之佈局。
在圖4D中展示之階段，光阻材料405已經移除，且一抗反射層225已沈積於低折射率薄膜105上。在此實施中，抗反射層225實質上與凹面410之形狀一致。
在圖4E中展示之實例中，高折射率薄膜110層已經沈積於抗反射層225上。高折射率薄膜110之部分已經沈積於抗反射層225上之凹面410中，以形成微透鏡212。因此，所得擴散器堆疊100包括具有實質上隨機之大小微透鏡212的陣列。在此等實例中，微透鏡212包括實質上球形特徵之部分。然而，在替代性實例中，微透鏡212可包括其他 形狀，諸如，實質上多邊形或圓錐形特徵之部分。
圖4F展示接近擴散器堆疊100的像素陣列210之一實例。在此實例中，像素陣列210已經製造於擴散器堆疊100上。以下提供製造像素陣列210之一些實例，尤其在圖10中。在圖10中，在區塊82中提及之「基板」可包括基板205、低折射率薄膜105及高折射率薄膜110，此係由於陣列像素210形成於基板205及擴散器堆疊100兩者上。
圖5A至圖5C說明在製造包括實質上圓錐形特徵之部分的微透鏡之製程之一個實例中的階段。在此實例中，在圖5A中描繪之階段，光阻材料405已經沈積於低折射率薄膜105上，且經圖案化。然而，在此實例中，凹面410係藉由乾式蝕刻製程形成。在圖5A中描繪之階段，側壁505在此實例中實質上垂直，且凹面410具有實質上相同深度。
圖5B展示在熱回流製程後的圖5A之堆疊之一實例。在圖5B中描繪之階段，回流製程已改變側壁505之形狀。在替代性實施中，回流製程可產生側壁505之其他形狀，諸如，彎曲形狀。
圖5C展示在經由光阻材料405蝕刻後且至圖5B中展示的低折射率薄膜105之部分內之凹面之一實例。圖5C可(例如)描繪自乾式蝕刻製程產生之凹面410，乾式蝕刻製程已將圖5B之光阻材料405之構形轉印至圖5C之低折射率薄膜105內。在此實例中，所得凹面410為實質上圓錐形。因此，若凹面410填充有高折射率薄膜110，則所得微透鏡212亦將為實質上圓錐形。
圖6A及圖6B展示具有不同形狀的微透鏡之實例。在圖6A中展示之實例中，微透鏡212已在乾式蝕刻製程後形成於八邊形凹面410中。因此，微透鏡212在橫截面上為八邊形。在圖6B中展示之實例中，凹面410在橫截面上為實質上圓形，且已經藉由濕式蝕刻製程形成。因此，所得微透鏡212在橫截面上為實質上圓形。
圖7展示描繪IMOD顯示器件之一系列像素中的兩個鄰近像素之等角視圖之一實例。IMOD顯示器件包括一或多個干涉MEMS顯示元件。在此等器件中，MEMS顯示元件之像素可定位於明狀態或暗狀態中。在亮(「鬆弛」、「斷開」或「接通」)狀態中，顯示元件將大部分入射之可見光反射(例如)至使用者。相反地，在暗(「致動」、「閉合」或「關斷」)狀態中，顯示元件幾乎不反射入射之可見光。在一些實施中，可顛倒接通與關斷狀態之光反射性質。MEMS像素可能夠在允許除黑及白之外之彩色顯示的特定波長下顯著反射。在一些實施中，藉由使用多個顯示元件，可達成不同強度之原色及不同灰度陰影。
IMOD顯示器件可包括可以列及行配置的IMOD顯示元件之陣列。該陣列中之每一顯示元件可至少包括定位成彼此相距可變且可控制距離以形成氣隙(亦被稱作光學間隙、空腔或光學諧振腔)的一對反射及半反射層，諸如，可移動反射層(亦即，可移動層，亦被稱作機械層)及固定部分反射層(亦即，靜止層)。可移動反射層可在至少兩個位置之間移動。舉例而言，在第一位置(亦即，鬆弛位置)中，可移動反射層可定位在距固定部分反射層一段距離處。在第二位置(亦即，致動位置)中，可移動反射層可更靠近部分反射層定位。取決於可移動反射層之位置及入射光之波長，自兩個層反射之入射光可相長或相消地干涉，從而針對每一顯示元件產生總體反射或非反射狀態。在一些實施中，顯示元件可在未致動時處於反射狀態中，從而反射可見光譜內之光，且可當在致動時處於暗狀態中，從而吸收及/或相消地干涉可見範圍內之光。然而，在一些其他實施中，IMOD顯示元件可在未致動時處於暗狀態中，且在致動時處於反射狀態中。在一些實施中，施加電壓之引入可驅動顯示元件改變狀態。在一些其他實施中，施加之電荷可驅動顯示元件改變狀態。
圖7中的陣列之所描繪部分包括呈IMOD顯示元件12之形式的兩 個鄰近干涉MEMS顯示元件。在右側(如所說明)之顯示元件12中，說明可移動反射層14在光學堆疊16附近、鄰近或觸碰光學堆疊16，處於致動位置中。在右側上之顯示元件12上施加的電壓Vbias足夠移動可移動反射層14且亦將其維持在致動位置中。在左側(如所說明)之顯示元件12中，說明可移動反射層14處於距光學堆疊16(其包括部分反射層)一段距離(其可基於設計參數而預定)之鬆弛位置中。在左側之顯示元件12上施加的電壓V0不足以引起可移動反射層14至致動位置(諸如，右邊之顯示元件12之致動位置)之致動。
在圖7中，大體用指示入射於IMOD顯示元件12上之光13及自左側之顯示元件12反射之光15的箭頭說明IMOD顯示元件12之反射性質。入射於顯示元件12上的多數光13可經由透明基板20朝向光學堆疊16透射。入射於光學堆疊16上的光之一部分可經由光學堆疊16之部分反射層透射，且一部分將經由透明基板20反射回。光13之經由光學堆疊透射的部分可自可移動反射層14朝向(且經由)透明基板20反射回。在自光學堆疊16之部分反射層反射之光與自可移動反射層14反射之光之間的干涉(相長及/或相消)將部分判定在器件之檢視或基板側上自顯示元件12反射的光15之波長之強度。在一些實施中，透明基板20可為玻璃基板(有時被稱作玻璃板或面板)。該玻璃基板可為或包括(例如)硼矽酸鹽玻璃、鹼石灰玻璃、石英、Pyrex或其他合適的玻璃材料。在一些實施中，該玻璃基板可具有0.3毫米、0.5毫米或0.7毫米之厚度，但在一些實施中，該玻璃基板可更厚(諸如，數十毫米)或更薄(諸如，小於0.3毫米)。在一些實施中，可使用非玻璃基板，諸如，聚碳酸酯、丙烯酸、聚對苯二甲酸伸乙酯(PET)或聚醚醚酮(PEEK)基板。在此實施中，非玻璃基板將很可能具有小於0.7毫米之厚度，但該基板取決於設計考慮因素而可較厚。在一些實施中，可使用非透明基板，諸如，基於金屬箔或不鏽鋼之基板。舉例而言，包括固定反射層 及部分透射且部分反射之可移動層的基於反向IMOD之顯示器可經調適成自基板的與圖7之顯示元件12相對的側檢視且可由非透明基板支撐。
光學堆疊16可包括單一層或若干層。該(等)層可包括電極層、部分反射且部分透射層及透明介電層中之一或多者。在一些實施中，光學堆疊16為導電的、部分透光的且部分反射的，且可(例如)藉由將以上層中之一或多者沈積至透明基板20上來製造。電極層可自多種材料形成，諸如，各種金屬，例如，氧化銦錫(ITO)。該部分反射層可由諸如各種金屬(例如，鉻及/或鉬)、半導體及介電質的部分反射性之多種材料形成。部分反射層可由一或多個材料層形成，且該等層中之每一者可由單一材料或材料之組合形成。在一些實施中，光學堆疊16之某些部分可包括充當部分光學吸收體及電導體兩者的單一半透明厚度之金屬或半導體，而不同的較能導電之層或部分(例如，光學堆疊16或顯示元件之其他結構的層或部分)可用以在IMOD顯示元件之間用匯流排傳送信號。光學堆疊16亦可包括覆蓋一或多個傳導性層或導電/部分吸收性層之一或多個絕緣或介電層。
在一些實施中，光學堆疊16之該(等)層中的至少一些可經圖案化為平行條帶，且可形成顯示器件中之列電極，如下文進一步描述。如將由一般熟習此項技術者理解，術語「經圖案化」在本文中用以指遮蔽以及蝕刻製程。在一些實施中，可將高度傳導性且反射性材料(諸如，鋁(Al))用於可移動反射層14，且此等條帶可形成顯示器件中之行電極。可移動反射層14可形成為一或多個經沈積金屬層之一系列平行帶(與光學堆疊16之列電極正交)以形成沈積於支撐件上之柱狀物，諸如，說明之柱18，且介入犧牲材料位於柱18之間。當蝕刻掉犧牲材料時，界定之間隙19或光學腔室可形成於可移動反射層14與光學堆疊16之間。在一些實施中，柱18之間的間距可為大約1μm至1000μm，而 間隙19可大致小於10,000埃(Å)。
在一些實施中，可將每一IMOD顯示元件(無論是在致動或是鬆弛狀態中)視為由固定反射層及移動反射層形成之電容器。當不施加電壓時，可移動反射層14保持處於機械鬆弛狀態中，如由在圖7中左側之顯示元件12說明，在可移動反射層14與光學堆疊16之間具有間隙19。然而，當將一電位差(亦即，電壓)施加至選定列及行中之至少一者時，形成於對應的顯示元件處之列電極與行電極之相交處的電容器變得帶電，且靜電力將電極一起拉動。若施加之電壓超過一臨限值，則可移動反射層14可變形且在光學堆疊16附近或遠離光學堆疊16移動。光學堆疊16內之一介電層(未圖示)可防止短路且控制層14與16之間的分隔距離，如由在圖7中右側之經致動顯示元件12說明。與施加之電位差的極性無關，該行為可相同。雖然陣列中之一系列顯示元件可在一些例子中被稱為「列」或「行」，但一般熟習此項技術者將易於理解，將一方向稱為「列」且將另一方向稱為「行」係任意的。再聲明，在一些定向上，可將列考慮為行，且將行考慮為列。在一些實施中，可將列稱作「共同」線且可將行稱作「段」線，或可將行稱為「共同」線且可將列稱為「段」線。此外，顯示元件可均勻地配置於正交的列及行(「陣列」)中，或以非線性組態配置，例如，具有相對於彼此之某些位置偏移(「馬賽克」)。術語「陣列」及「馬賽克」可指任一組態。因此，雖然顯示器被稱作包括「陣列」或「馬賽克」，但元件自身不需要彼此正交地配置，或按均勻分佈安置，而在任何例子中，可包括具有不對稱形狀及不均勻分佈之元件的配置。
圖8為說明一電子器件之系統方塊圖，該電子器件併有包括IMOD顯示元件之三個元件乘三個元件陣列的基於IMOD之顯示器。該電子器件包括處理器21，該處理器可能夠執行一或多個軟體模組。除執行作業系統外，處理器21亦可能夠執行一或多個軟體應用程式， 包括web瀏覽器、電話應用程式、電子郵件程式或任何其他軟體應用程式。
處理器21可能夠與一陣列驅動器22通信。陣列驅動器22可包括將信號提供至(例如)顯示器陣列或面板30之列驅動器電路24及行驅動器電路26。圖7中說明的IMOD顯示器件之橫截面由圖8中之線1-1展示。雖然圖8為清晰起見說明IMOD顯示元件之3×3陣列，但顯示器陣列30可含有非常大的數目個IMOD顯示元件，且在列中與在行中具有不同數目個IMOD顯示元件，且反之亦然。
IMOD顯示器及顯示元件之結構之細節可廣泛地變化。圖9A至圖9E為IMOD顯示元件之不同實施之橫截面說明。圖9A為IMOD顯示元件之橫截面說明，其中將金屬材料條帶沈積於大體自基板20正交地延伸之支撐件18上，從而形成可移動反射層14。在圖9B中，每一IMOD顯示元件之可移動反射層14在形狀上為大體正方形或矩形，且在繫栓32上附接至在拐角處或附近之支撐件。在圖9C中，可移動反射層14在形狀上為大體正方形或矩形，且自可包括可撓性金屬之可變形層34懸掛。可變形層34可在可移動反射層14之周邊直接或間接連接至基板20。此等連接在本文中被稱作「經整合」支撐件或支援柱18之實施。圖9C中展示之實施具有自將可移動反射層14之光學功能自其機械功能去耦所導出之額外益處，其中之後者由可變形層34進行。此去耦允許用於可移動反射層14之結構設計及材料及用於可變形層34之結構設計及材料彼此獨立地最佳化。
圖9D為IMOD顯示元件之另一橫截面說明，其中可移動反射層14包括反射性子層14a。可移動反射層14擱置於支撐結構(諸如，支撐柱18)上。支撐柱18提供可移動反射層14與下部靜止電極之分開，在說明之IMOD顯示元件中，下部固定電極可為光學堆疊16之部分。舉例而言，當可移動反射層14處於鬆弛位置中時，間隙19形成於可移動反 射層14與光學堆疊16之間。可移動反射層14亦可包括一傳導層14c(其可經組態以充當電極)及一支撐層14b。在此實例中，導電層14c安置於支撐層14b之遠離基板20的一側上，且反射性子層14a安置於支撐層14b之接近基板20的另一側上。在一些實施中，反射性子層14a可為傳導性的，且可安置於支撐層14b與光學堆迭16之間。支撐層14b可包括介電材料(例如，氮氧化矽(SiON)或二氧化矽(SiO2))之一或多個層。在一些實施中，支撐層14b可為層之堆疊，諸如，SiO2/SiON/SiO2三層堆疊。反射性子層14a及傳導層14c中之任一者或兩者可包括(例如)具有大約0.5%銅(CU)或另一反射性金屬材料的鋁(Al)合金。在介電支撐層14b上方及下方使用傳導性層14a及14c可平衡應力且提供增強型傳導。在一些實施中，出於多種設計目的(諸如，達成可移動反射層14內之具體應力分佈)，反射性子層14a及傳導層14c可由不同材料形成。
如在圖9D中所說明，一些實施亦可包括一黑色遮罩結構23或暗薄膜層。黑色遮罩結構23可形成於光學非活性區中(諸如，在顯示元件之間或在支撐柱18下)以吸收環境或雜散光。黑色遮罩結構23亦可藉由抑制光自顯示器之非活性部分反射或經由顯示器之非活性部分透射來改良顯示器件之光學性質，藉此增大對比率。另外，黑色遮罩結構23之至少一些部分可為傳導性，且經組態以充當電匯流層。在一些實施中，行電極可連接至黑色遮罩結構23以減小連接之列電極的電阻。黑色遮罩結構23可使用包括沈積及圖案化技術之多種方法來形成。黑色遮罩結構23可包括一或多個層。在一些實施中，黑色遮罩結構23可為標準具或干涉堆疊結構。舉例而言，在一些實施方案中，黑色遮罩結構23包括充當光學吸收器之鉬鉻(MoCr)層、SiO2層及充當反射器及匯流層之鋁合金，其中厚度之範圍分別為大約30Å至80Å、500Å至1000Å及500Å至6000Å。可使用包括光微影及乾式蝕刻之多 種技術來圖案化一或多個層，包括(例如)用於MoCr及SiO2層之四氟甲烷(或四氟化碳，CF4)及/或氧(O2)，及用於鋁合金層之氯(Cl2)及/或三氯化硼(BCl3)。在此等干涉堆疊黑色遮罩結構23中，可使用傳導性吸收體在每一列或行之光學堆疊16中的下部靜止電極之間傳輸或用匯流排傳送信號。在一些實施中，分隔層35可用以大體將光學堆疊16(諸如，吸收體層16a)中之電極(或導體)與黑色遮罩結構23中之傳導層電隔離。
圖9E為IMOD顯示元件之另一橫截面說明，其中可移動反射層14為自撐式。雖然圖9D說明在結構上及/或材料上與可移動反射層14截然不同之支撐柱18，但圖9E之實施包括與可移動反射層14整合之支撐柱。在此實施中，可移動反射層14在多個位置處接觸下伏光學堆疊16，且可移動反射層14之曲率提供足夠支撐，使得當IMOD顯示元件上之電壓不足以引起致動時，可移動反射層14返回至圖9E之未致動位置。以此方式，可移動反射層14之向下彎曲或彎折以接觸基板或光學堆疊16的部分可被考慮為「經整合」支撐柱。為了清晰起見，此處展示可含有複數個若干不同層的光學堆疊16之一實施，其包括光學吸收體16a及介電質16b。在一些實施中，光學吸收體16a可充當靜止電極及部分反射層兩者。在一些實施中，光學吸收體16a可比可移動反射層14薄一個數量級。在一些實施中，光學吸收體16a比反射性子層14a薄。
在諸如圖9A至圖9E中展示之實施的實施中，IMOD顯示元件形成直視器件之一部分，在直視器件中，可自透明基板20之前側查看影像，在此實例中，前側為與上面形成有IMOD顯示元件之側相對的側。在此等實施中，器件之背部分(亦即，顯示器件之在可移動反射層14後方的任何部分，包括(例如)圖9C中說明之可變形層34)可經組態且***作，而不影響或負面影響顯示器件之影像品質，此係因為反 射層14光學屏蔽器件之彼等部分。舉例而言，在一些實施中，匯流排結構(未說明)可包括於可移動反射層14後方，該可移動反射層提供將調變器之光學性質與調變器之機電性質分開的能力，諸如電壓定址及由此定址產生之移動。
圖10為說明用於IMOD顯示器或顯示元件之製造製程80之流程圖。圖11A至圖11E為在用於製造IMOD顯示器或顯示元件之製造製程80中的各種階段之橫截面說明。在一些實施中，製造製程80可經實施以製造一或多個EMS器件，諸如IMOD顯示器或顯示元件。此EMS器件之製造亦可包括圖10中未展示之其他區塊。製程80開始於區塊82，其中在基板20上形成光學堆疊16。圖11A說明形成於基板20上之此光學堆疊16。基板20可為諸如玻璃或塑膠(諸如，上文關於圖7所論述之材料)之透明基板。基板20可為可撓的或相對剛性且不彎折，且可已經受先前製備製程(諸如，清潔)，以有助於光學堆疊16之有效形成。如上文所論述，光學堆疊16可為導電的、部分透光的、部分反射的且部分吸收的，且可(例如)藉由將具有所要性質之一或多個層沈積至透明基板20上來製造。
在圖11A中，光學堆疊16包括具有子層16a及16b之多層結構，但在一些其他實施中可包括或多或少之子層。在一些實施中，子層16a、16b中之一者可組態有光學吸收及導電性質兩者(諸如，組合之導體/吸收體子層16a)。在一些實施中，子層16a及16b中之一者可包括鉬-鉻(鉬鉻或MoCr)或具有合適的複合折射率之其他材料。另外，子層16a及16b中之一或多者可經圖案化成平行條帶，且可形成顯示器件中之列電極。此圖案化可藉由遮罩及蝕刻製程或此項技術中已知之另一合適製程來執行。在一些實施中，子層16a及16b中之一者可為絕緣或介電層，諸如，沈積於一或多個下伏金屬及/或氧化物層(諸如，一或多個反射及/或導電層)上的上部子層16b。此外，光學堆疊16可經 圖案化成個別且平行條帶，其形成顯示之列。在一些實施中，即使子層16a及16b在圖11A至圖11E中展示為稍厚，但光學堆疊之子層中的至少一者(諸如，光學吸收層)可非常薄(例如，相對於本發明中描繪之其他層)
製程80在區塊84處繼續在光學堆疊16上形成犧牲層25。因為犧牲層25稍後經移除(見區塊90)以形成腔室犧牲層19，所以犧牲層25未展示於所得IMOD顯示元件中。圖11B說明一部分製造之器件，其包括形成於光學堆疊16上之犧牲層25。犧牲層25在光學堆疊16上之形成可包括按經選擇以在隨後移除後提供具有所要的設計大小之間隙或空腔19(亦見圖11E)之厚度沈積二氟化氙(XeF2)可蝕刻材料，諸如，鉬(Mo)或非晶矽(Si)。可使用諸如物理氣相沈積(PVD，其包括許多不同技術，諸如，濺鍍)、電漿增強型化學氣相沈積(PECVD)、熱化學氣相沈積(熱CVD)或旋塗之沈積技術來進行犧牲材料之沈積。
製程80在區塊86處繼續形成諸如支撐柱18之支撐結構。支撐柱18之形成可包括圖案化犧牲層25以形成支撐結構孔隙，接著使用諸如PVD、PECVD、熱CVD或旋塗之沈積方法，將材料(諸如，聚合物或無機材料，如氧化矽)沈積至孔隙內以形成支撐柱18。在一些實施中，形成於犧牲層中之支撐結構孔隙可延伸穿過犧牲層25及光學堆疊16兩者至下伏基板20，使得支撐柱18之下部端接觸基板20。替代地，如在圖11C中所描繪，形成於犧牲層25中之孔隙可延伸穿過犧牲層25，但不穿過光學堆疊16。舉例而言，圖11E說明支撐柱18之與光學堆疊16之上表面接觸的下部端。支撐柱18或其他支撐結構可藉由將支撐結構材料之層沈積於犧牲層25上且圖案化支撐結構材料之位置遠離犧牲層25中之孔隙的部分來形成。支撐結構可位於孔隙內(如圖11C中所說明)，但亦可至少部分在犧牲層25之一部分上延伸。如上所指出，犧牲層25及/或支撐柱18之圖案化可藉由遮蔽及蝕刻製程來執 行，但亦可藉由替代性圖案化方法來執行。
製程80在區塊88處繼續形成可移動反射層或膜(諸如，圖11D中所說明之可移動反射層14)。可藉由使用一或多個沈積步驟(包括(例如)反射層(諸如，鋁、鋁合金或其他反射材料)沈積)連同一或多個圖案化、遮罩及/或蝕刻步驟而形成可移動反射層14。可移動反射層14可經圖案化成形成(例如)顯示器之行的個別且平行條帶。可移動反射層14可導電，且被稱作導電層。在一些實施中，可移動反射層14可包括複數個子層14a、14b及14c，如圖11D中所展示。在一些實施中，諸如子層14a及14c的子層中之一或多者可包括針對其光學性質選擇之高度反射性子層，且另一子層14b可包括針對其機械特性選擇之機械子層。在一些實施中，機械子層可包括介電材料。由於犧牲層25仍存在於在區塊88處形成的部分製造之IMOD顯示元件中，因此可移動反射層14在此階段通常不可移動。含有犧牲層25的部分製造之IMOD顯示元件在本文中亦可被稱為「未釋放」IMOD。
製程80繼續在區塊90處形成空腔19。空腔19可藉由將犧牲材料25(在區塊84處所沈積)曝露至蝕刻劑來形成。舉例而言，可藉由乾式化學蝕刻藉由將犧牲層25在移除所要量之材料有效的時間週期內曝露至氣態或蒸汽態蝕刻劑(諸如，自固體XeF2得出之蒸汽)來移除諸如Mo或非晶Si之可蝕刻犧牲材料。犧牲材料通常經相對於包圍該空腔19之結構選擇性地移除。亦可使用其他蝕刻方法，諸如，濕式蝕刻及/或電漿蝕刻。由於犧牲層25在區塊90期間經移除，因此可移動反射層14在此階段之後通常可移動。在移除了犧牲材料25之後，所得完全或部分製造之IMOD顯示元件在本文中可被稱作「釋放」IMOD。
圖12A及圖12B展示說明包括如本文中所描述之一觸控感測器的顯示器件之系統方塊圖之實例。顯示器件40可為(例如)蜂巢式或行動電話。然而，顯示器件40之相同組件或其輕微變化亦說明各種類型之 顯示器件，諸如，電視、電腦、平板電腦、電子閱讀器、手持型器件及攜帶型媒體器件。
顯示器件40包括一外殼41、一顯示器30、一擴散器堆疊100、一天線43、一揚聲器45、一輸入器件48及一麥克風46。外殼41可自多種製造製程中之任一者形成，包括射出模製及真空成形。此外，外殼41可自包括(但不限於)以下多種材料中之任何者製造：塑膠、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷或其組合。外殼41可包括可與其他不同色彩或含有不同標識、圖像或符號之抽取式部分互換的抽取式部分(未圖示)。
顯示器30可為如本文中所描述之多種顯示器中之任一者，包括雙穩態或類比顯示器。顯示器30亦可包括平板顯示器，諸如，電漿、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD；或非平板顯示器，諸如，CRT或其他管式器件。此外，顯示器30可包括如本文中所描述的基於IMOD之顯示器。
顯示器件40之組件示意性地說明於圖12B中。顯示器件40包括一外殼41，且可包括至少部分圍封於其中之額外組件。舉例而言，顯示器件40包括一網路介面27，其包括可耦接至收發器47之天線43。網路介面27可為用於可在顯示器件40上顯示之影像資料的源。因此，網路介面27為影像源模組之一個實例，但處理器21及輸入器件48亦可充當影像源模組。收發器47連接至處理器21，處理器21連接至調節硬體52。調節硬體52可能夠調節信號(諸如，濾波或另外操縱信號)。調節硬體52可連接至揚聲器45及麥克風46。處理器21亦可連接至輸入器件48及驅動器控制器29。驅動器控制器29可耦接至圖框緩衝器28，且耦接至陣列驅動器22，陣列驅動器22又可耦接至顯示器陣列30。顯示器件40中之一或多個元件(包括未在圖12B中具體描繪之元件)可能夠充當記憶體器件且能夠與處理器21通信。在一些實施中，電源供應器50可將電力提供至特定顯示器件40設計中之實質上所有組件。
在此實例中，顯示器件40亦包括一擴散器堆疊100。在此實例中，擴散器堆疊100包括低折射率薄膜及高折射率薄膜。在此實施中，低折射率薄膜與高折射率薄膜之間的界面包括具有實質上隨機化大小的微透鏡之陣列。
網路介面27包括天線43及收發器47，使得顯示器件40可經由網路與一或多個器件通信。網路介面27亦可具有減輕(例如)處理器21之資料處理要求的一些處理能力。天線43可傳輸及接收信號。在一些實施中，天線43根據IEEE 16.11標準(包括IEEE 16.11(a)、(b)或(g))或IEEE 802.11(包括IEEE 802.11a、b、g、n)及其另外實施來傳輸及接收RF信號。在一些其他實施中，天線43根據Bluetooth®標準傳輸及接收RF信號。在蜂巢式電話之情況下，天線43可經設計以接收分碼多重存取(CDMA)、分頻多重存取(FDMA)、分時多重存取(TDMA)、全球行動通信系統(GSM)、GSM/通用封包無線電服務(GPRS)、增強型資料GSM環境(EDGE)、陸上集群無線電(TETRA)、寬頻CDMA(W-CDMA)、演進資料最佳化(EV-DO)、1xEV-DO、EV-DO Rev A、EV-DO Rev B、高速封包存取(HSPA)、高速下行鏈路封包存取(HSDPA)、高速上行鏈路封包存取(HSUPA)、演進型高速封包存取(HSPA+)、長期演進(LTE)、AMPS或用以在無線網路(諸如，利用3G、4G或5G技術之系統)內通信之其他已知信號。收發器47可預先處理自天線43接收之信號，使得其可由處理器21接收及進一步操縱。收發器47亦可處理自處理器21接收之信號，使得該等信號可經由天線43自顯示器件40傳輸。
在一些實施中，收發器47可由接收器替換。此外，在一些實施中，網路介面27可由影像源替換，影像源可儲存或產生待發送至處理器21之影像資料。處理器21可控制顯示器件40之總體操作。處理器21自網路介面27或影像源接收資料，諸如，經壓縮之影像資料，且將資 料處理成原始影像資料或處理成可易於處理成原始影像資料之格式。處理器21可發送經處理之資料至驅動器控制器29或至圖框緩衝器28以供儲存。原始資料通常指識別一影像內之每一位置處之影像特性的資訊。舉例而言，此等影像特性可包括色彩、飽和度及灰度階。
處理器21可包括微控制器、CPU或邏輯單元以控制顯示器件40之操作。調節硬體52可包括用於將信號傳輸至揚聲器45且用於接收來自麥克風46之信號的放大器及濾波器。調節硬體52可為顯示器件40內之離散組件，或可併入於處理器21或其他組件內。
驅動器控制器29可直接自處理器21或自圖框緩衝器28獲取由處理器21所產生之原始影像資料，且可適當地重新格式化該原始影像資料以用於高速傳輸至陣列驅動器22。在一些實施中，驅動器控制器29可將原始影像資料重新格式化為具有光柵狀格式之資料流，以使得其具有適合於跨顯示器陣列30掃描之時間次序。接著驅動控制器29將經格式化之資訊發送至陣列驅動器22。儘管諸如LCD控制器之驅動器控制器29常常作為獨立積體電路(IC)而與系統處理器21相關聯，但可以許多方式來實施此等控制器。舉例而言，控制器可作為硬體嵌入處理器21中、作為軟體嵌入處理器21中，或與陣列驅動器22一起完全整合於硬體中。
陣列驅動器22可自驅動器控制器29接收經格式化之資訊，且可將視訊資料重新格式化為一組平行之波形，該組波形被每秒許多次地施加至來自顯示器的x-y顯示元件矩陣之數百且有時數千個(或更多)導線。
在一些實施中，驅動器控制器29、陣列驅動器22及顯示器陣列30適合於本文所描述之任何類型的顯示器。舉例而言，驅動器控制器29可為習知顯示控制器或雙穩態顯示控制器(諸如，IMOD顯示元件控制器)。另外，陣列驅動器22可為習知顯示驅動器或雙穩態顯示驅動 器(諸如，IMOD顯示元件驅動器)。此外，顯示器陣列30可為習知顯示器陣列或雙穩態顯示器陣列(諸如，包括IMOD顯示元件陣列之顯示器)。在一些實施中，驅動器控制器29可與陣列驅動器22整合在一起。此實施可適用於高度整合之系統(例如，行動電話、攜帶型電子器件、手錶或小面積顯示器)中。
在一些實施中，輸入器件48可能夠允許(例如)使用者控制顯示器件40之操作。輸入器件48可包括小鍵盤(諸如，QWERTY鍵盤或電話小鍵盤)、按鈕、開關、搖臂、觸敏螢幕、與顯示器陣列30整合之觸敏式螢幕或壓敏或熱敏膜。麥克風46可能夠充當用於顯示器件40之輸入器件。在一些實施中，經由麥克風46之話音命令可用於控制顯示器件40之操作。
電源供應器50可包括多種能量儲存器件。舉例而言，電源供應器50可為可再充電電池，諸如，鎳鎘電池或鋰離子電池。在使用可再充電電池之實施中，可使用來自(例如)壁式插座或光伏打器件或陣列之電力對可再充電電池充電。替代地，可再充電電池組可為可無線充電式。電源供應器50亦可為可再生能源、電容器或太陽能電池(包括塑膠太陽能電池或太陽能電池漆)。電源供應器50亦可能夠自壁式插座接收電力。
在一些實施中，控制可程式化性駐留於可位於電子顯示系統中之若干處的驅動器控制器29中。在一些其他實施中，控制可程式化性駐留於陣列驅動器22中。上文所描述之最佳化可實施於任何數目個硬體及/或軟體組件中及以各種組態來實施。
如本文中所使用，指項目清單「中之至少一者」的片語指彼等項目之任何組合，包括單一成員。作為實例，「a、b或c中之至少一者」意欲涵蓋：a、b、c、a-b、a-c、b-c及a-b-c。
結合本文中揭示之實施所描述之各種說明性邏輯、邏輯區塊、 模組、電路及演算法程序可實施為電子硬體、電腦軟體或兩者之組合。硬體與軟體之互換性已經大體按功能性描述，且說明於上文所描述之各種說明性組件、區塊、模組、電路及程序中。將此功能性實施於硬體或是軟體中取決於特定應用及強加於整個系統上之設計約束。
用以實施結合本文中所揭示之態樣而描述的各種說明性邏輯、邏輯區塊、模組及電路之硬體及資料處理裝置可藉由通用單晶片或多晶片處理器、數位信號處理器(DSP)、特殊應用積體電路(ASIC)、場可程式化閘陣列(FPGA)或其他可程式化邏輯器件、離散閘或電晶體邏輯、離散硬體組件或其經設計以執行本文中所描述之功能的任何組合來實施或執行。通用處理器可為微處理器，或任何習知處理器、控制器、微控制器或狀態機。處理器亦可實施為計算器件之組合，例如，一DSP與一微處理器之組合、複數個微處理器、一或多個微處理器結合DSP核心或任何其他此組態。在一些實施中，特定程序及方法可由具體針對給定功能之電路執行。
在一或多個態樣中，所描述之功能可以硬體、數位電子電路、電腦軟體、韌體(包括在此說明書中揭示之結構及其結構等效物)或其任何組合來實施。此說明書中所描述之標的物之實施亦可實施為編碼於電腦儲存媒體上的一或多個電腦程式(亦即，電腦程式指令之一或多個模組)以供資料處理裝置執行或控制資料處理裝置之操作。
若以軟體實施，則該等功能可作為一或多個指令或程式碼而儲存於電腦可讀媒體(諸如，非暫時性媒體)上或經由電腦可讀媒體(諸如，非暫時性媒體)傳輸。本文中揭示的方法或演算法之程序可實施於可駐留於電腦可讀媒體上之處理器可執行軟體模組中。電腦可讀媒體包括電腦儲存媒體及通信媒體(包括可經啟用以將電腦程式自一處轉移至另一處的任何媒體)兩者。儲存媒體可為可由電腦存取之任何 可用媒體。作為實例而非限制，非暫時性媒體可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其他光碟儲存器、磁碟儲存器或其他磁性儲存器件或可用以按指令或資料結構之形式儲存所要程式碼且可由電腦存取的任何其他媒體。又，可將任何連接恰當地稱為電腦可讀媒體。如本文中所使用之磁碟及光碟包括緊密光碟(CD)、雷射光碟、光學光碟、數位多功能光碟(DVD)、軟碟及blu-ray光碟，其中磁碟通常以磁性方式再生資料，而光碟用雷射以光學方式再生資料。以上各者的組合亦應包括於電腦可讀媒體之範疇內。另外，方法或演算法之操作可作為程式碼及指令中之一者或任何組合或集合而駐留於機器可讀媒體及電腦可讀媒體上，可將機器可讀媒體及電腦可讀媒體併入至電腦程式產品內。
熟習此項技術者可容易地顯而易見對本發明中所描述之實施的各種修改，且在不脫離本發明之精神或範疇的情況下，本文中所定義之一般原理可應用於其他實施。因此，申請專利範圍並不意欲限於本文中所展示之實施，而應符合與本文中揭示之本發明、原理及新穎特徵相一致之最廣泛範疇。另外，一般熟習此項技術者將易於瞭解，有時為了易於描述諸圖而使用術語「上部」及「下部」，且該等術語指示對應於在適當定向之頁面上的圖之定向的相對位置，且可能並不反映如所實施之IMOD(或任何其他器件)之正確定向。
在分開實施之情況下描述於此說明書中之某些特徵亦可在單一實施中組合地實施。相反地，在單一實施之情況下所描述之各種特徵亦可分開來在多個實施中或以任何合適子組合而實施。此外，雖然上文可將特徵描述為以某些組合起作用且甚至一開始按此來主張，但來自所主張之組合之一或多個特徵在一些情況下可自該組合刪除，且所主張之組合可針對子組合或子組合之變化。
類似地，儘管在圖式中以特定次序來描繪操作，但不應將此理 解為需要以所展示之特定次序或以依序次序執行此等操作，或所有所說明操作經執行以達成合乎需要的結果。另外，圖式可按流程圖之形式示意性地描繪一或多個實例程序。然而，未描繪之其他操作可併入於示意性說明之實例程序中。舉例而言，可在說明之操作中之任何者前、後、同時或之間執行一或多個額外操作。在某些情況下，多任務及並行處理可為有利的。此外，不應將在上述實施中之各種系統組件之分開理解為需要在所有實施中之此分開，且應理解，所描述之程式組件及系統可大體上在單一軟體產品中整合在一起或經封裝至多個軟體產品中。另外，其他實施處於下列申請專利範圍之範疇內。在一些情況下，申請專利範圍中所敍述之動作可以不同次序執行且仍達成合乎需要的結果。
105‧‧‧低折射率薄膜
110‧‧‧高折射率薄膜
205‧‧‧基板
215‧‧‧光提取特徵
220‧‧‧包覆層
225‧‧‧抗反射層

Claims (23)

  1. 一種裝置，其包含：一第一薄膜，其具有一第一折射率；一第二薄膜，其接近該第一薄膜，該第二薄膜具有高於該第一折射率之一第二折射率，該第一薄膜與該第二薄膜之間的一界面包括具有實質上隨機化大小的微透鏡之一陣列。
  2. 如請求項1之裝置，其中該等微透鏡包括實質上球形、多邊形或圓錐形特徵之部分。
  3. 如請求項1之裝置，其中該等微透鏡包括形成於該第一薄膜中之凹面。
  4. 如請求項3之裝置，其中該等微透鏡包括該第二薄膜之填充該等凹面的部分。
  5. 如請求項1之裝置，其進一步包含安置於該第一薄膜與該第二薄膜之間的一保形抗反射層。
  6. 如請求項1之裝置，其進一步包含：一像素陣列，其接近該第二薄膜而安置；及一實質上透明之基板，其接近該第一薄膜而安置。
  7. 如請求項6之裝置，其進一步包含安置於該實質上透明之基板與該第一薄膜之間的一包覆層，該包覆層具有低於該第一折射率之一第三折射率。
  8. 如請求項6之裝置，其中該實質上透明之基板能夠充當一光導。
  9. 如請求項8之裝置，其中該光導包括複數個光提取特徵，其能夠自該光導提取光且能夠將該光之至少一部分提供至該像素陣列。
  10. 如請求項6之裝置，其進一步包含能夠處理影像資料且能夠根據 該經處理之影像資料控制該像素陣列之一控制系統。
  11. 如請求項10之裝置，其中該控制系統進一步包含：一驅動器電路，其能夠將至少一信號發送至該像素陣列；及一控制器，其能夠將該影像資料之至少一部分發送至該驅動器電路。
  12. 如請求項11之裝置，其進一步包含：一影像源模組，其能夠將該影像資料發送至該控制系統，其中該影像源模組包括一接收器、收發器及傳輸器中之至少一者。
  13. 如請求項12之裝置，其進一步包含：一輸入器件，其能夠接收輸入資料且能夠將該輸入資料傳達至該控制系統。
  14. 如請求項6之裝置，其中該等像素包括干涉調變器(IMOD)像素。
  15. 如請求項14之裝置，其中該等IMOD像素包括多態IMOD像素。
  16. 如請求項6之裝置，其中該像素陣列中之一單一像素與10個或10個以上微透鏡對應。
  17. 如請求項6之裝置，其中該第一薄膜具有比該實質上透明之基板之折射率低的一折射率。
  18. 一種方法，其包含：將具有一第一折射率之一第一薄膜沈積於一實質上透明之層上；將凹面蝕刻至該第一薄膜中，該等凹面具有實質上隨機之大小；接近該第一薄膜沈積一第二薄膜以形成具有實質上隨機化大小的微透鏡之一陣列，該第二薄膜具有高於該第一折射率之一第二折射率。
  19. 如請求項18之方法，其進一步包含：在該第二薄膜上形成一像素陣列。
  20. 如請求項19之方法，其中該等像素包括干涉調變器(IMOD)像素。
  21. 如請求項20之方法，其中該等IMOD像素包括多態IMOD像素。
  22. 如請求項18之方法，其中該實質上透明之層包括：一包覆層，其具有低於該第一折射率之一第三折射率；及一實質上透明之基板。
  23. 如請求項18之方法，其進一步包含：在該蝕刻製程後，將一抗反射層保形地沈積於該第一薄膜上；及將第二層沈積於該抗反射層上。
TW103135273A 2013-10-18 2014-10-09 嵌入式表面擴散器 TW201516460A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/057,975 US20150109675A1 (en) 2013-10-18 2013-10-18 Embedded surface diffuser

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201516460A true TW201516460A (zh) 2015-05-01

Family

ID=51846967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103135273A TW201516460A (zh) 2013-10-18 2014-10-09 嵌入式表面擴散器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20150109675A1 (zh)
JP (1) JP2017500596A (zh)
KR (1) KR20160074537A (zh)
CN (1) CN105612436B (zh)
TW (1) TW201516460A (zh)
WO (1) WO2015057513A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI575300B (zh) * 2015-08-31 2017-03-21 中強光電股份有限公司 投影裝置以及照明系統
TWI807368B (zh) * 2021-07-15 2023-07-01 友達光電股份有限公司 視角補償膜及使用其之顯示裝置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108254981B (zh) * 2016-12-29 2021-04-06 宏碁股份有限公司 像素结构、显示面板及其操作方法
US10795059B2 (en) * 2017-07-20 2020-10-06 Wavefront Technology, Inc. Ultra thin Fresnel lenses and other optical elements
CN109887974B (zh) * 2019-03-01 2021-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示器及其制作方法
EP3771929A1 (en) 2019-07-29 2021-02-03 Viavi Solutions Inc. Encapsulated diffuser
TWI757048B (zh) * 2020-01-20 2022-03-01 新加坡商視覺技術創投私人有限公司 3d光柵和3d顯示裝置
US11290109B1 (en) * 2020-09-23 2022-03-29 Qualcomm Incorporated Multibit multi-height cell to improve pin accessibility
US20220352417A1 (en) * 2021-04-28 2022-11-03 Raxium, Inc. Emitter system assembly and method of forming

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5555476A (en) * 1993-08-30 1996-09-10 Toray Industries, Inc. Microlens array sheet for a liquid crystal display, method for attaching the same and liquid crystal display equipped with the same
JPH0772810A (ja) * 1993-09-02 1995-03-17 Toray Ind Inc マイクロレンズアレイシートおよびそれを用いた液晶ディスプレイ
JP4213897B2 (ja) * 2001-08-07 2009-01-21 株式会社日立製作所 マイクロレンズアレイの転写原型の製造方法
US6859326B2 (en) * 2002-09-20 2005-02-22 Corning Incorporated Random microlens array for optical beam shaping and homogenization
JP4096810B2 (ja) * 2003-01-28 2008-06-04 セイコーエプソン株式会社 凹部付き基板の製造方法、凹部付き基板、マイクロレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ
JP2004287372A (ja) * 2003-01-28 2004-10-14 Seiko Epson Corp 凹部付き基板の製造方法、凹部付き基板、マイクロレンズ用凹部付き基板、マイクロレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ
US20050224694A1 (en) * 2004-04-08 2005-10-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. High efficiency microlens array
US7508571B2 (en) * 2004-09-27 2009-03-24 Idc, Llc Optical films for controlling angular characteristics of displays
US7561323B2 (en) * 2004-09-27 2009-07-14 Idc, Llc Optical films for directing light towards active areas of displays
US20060066586A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Gally Brian J Touchscreens for displays
JP2006284831A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置及び電子機器
US7394594B2 (en) * 2006-05-08 2008-07-01 Bright View Technologies, Inc. Methods for processing a pulsed laser beam to create apertures through microlens arrays
KR100837402B1 (ko) * 2006-08-24 2008-06-12 삼성전자주식회사 광각 확산기 및 이를 적용한 액정표시장치
WO2008127403A2 (en) * 2006-11-03 2008-10-23 Trustees Of Tufts College Biopolymer optofluidic device and method of manufacturing the same
US8068710B2 (en) * 2007-12-07 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Decoupled holographic film and diffuser
GB2461907A (en) * 2008-07-17 2010-01-20 Sharp Kk Angularly restricted display
JP2010266829A (ja) * 2009-05-18 2010-11-25 Three M Innovative Properties Co 光学部材およびこれを用いたデバイス
JP5449539B2 (ja) * 2009-05-29 2014-03-19 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 照明デバイスおよび照明デバイスの製造方法
TWI738824B (zh) * 2010-03-26 2021-09-11 友輝光電股份有限公司 一種形成光學膜的方法
US8670171B2 (en) * 2010-10-18 2014-03-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display having an embedded microlens array
US20120236042A1 (en) * 2011-03-15 2012-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. White point tuning for a display

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI575300B (zh) * 2015-08-31 2017-03-21 中強光電股份有限公司 投影裝置以及照明系統
US9915863B2 (en) 2015-08-31 2018-03-13 Coretronic Corporation Projection apparatus and illumination system
TWI807368B (zh) * 2021-07-15 2023-07-01 友達光電股份有限公司 視角補償膜及使用其之顯示裝置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105612436A (zh) 2016-05-25
JP2017500596A (ja) 2017-01-05
WO2015057513A1 (en) 2015-04-23
CN105612436B (zh) 2018-06-05
KR20160074537A (ko) 2016-06-28
US20150109675A1 (en) 2015-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201516460A (zh) 嵌入式表面擴散器
TWI599794B (zh) 機電系統裝置及製造其之方法
TWI576635B (zh) 用於顯示器件之斜角端面
US20150251917A1 (en) Method of patterning pillars
US20130241939A1 (en) High capacitance density metal-insulator-metal capacitors
TW201617682A (zh) 非對稱光轉向特徵
US20160231471A1 (en) Integrated diffuser with variable-index microlens layer
US20130100090A1 (en) Electromechanical systems variable capacitance device
TWI481897B (zh) 具有ｒｇｂ吸收器的多狀態干涉量測調制器（ｉｍｏｄ）、包括此種imod的裝置及用於製造此種imod的方法
US20150022876A1 (en) Multi-state interferometric modulator with color attenuator
US9715102B2 (en) Electromechanical systems device with hinges for reducing tilt instability
US20130100065A1 (en) Electromechanical systems variable capacitance device
TWI623783B (zh) 用於達到不變的色彩偏軸視野之光纖陣列
US20160027410A1 (en) Content update from a display driver in mobile applications
US20150355454A1 (en) Absorber stack for multi-state interferometric modulators
TW201636677A (zh) 在微機電系統顯示器中之抗潛變反射結構
US20160011340A1 (en) Microlens color shift control
US20140192060A1 (en) Controlling movable layer shape for electromechanical systems devices
US9715156B2 (en) Interferometric modulator mirror design without metal layer in the hinge
US20160103515A1 (en) Triaxial lattice array of interferometric modulator pixels
US20140098109A1 (en) Movable layer design for stress control and stiffness reduction
US20130100518A1 (en) Tuning movable layer stiffness with features in the movable layer
TW201430379A (zh) 像素致動電壓調諧