TW201513147A - 電磁線圈、電磁線圈的製造方法、及電磁致動器 - Google Patents

Abstract

本發明之電磁線圈具備：導體捲體，藉由於預定軸線之周圍捲繞複數次之導體而形成；及陶瓷層，藉由熱噴塗而形成於導體捲體之預定軸線方向之端面，表面被平坦化。陶瓷層之厚度之最大值是設定成在預定軸線方向之端面中由複數之導體所形成之高低差之最大值之3倍以下。

Description

電磁線圈、電磁線圈的製造方法、及電磁致動器 發明領域

本發明是有關於用在電磁致動器等之電磁線圈。

發明背景

關於此種之電磁線圈，有的是將金屬製之冷卻板配置在將導體之線材捲繞複數次所形成之導體捲體之中心軸線方向(參考專利文獻1)。專利文獻1所記載之物是藉著由陶瓷層所成之高熱傳導絕緣構件而被覆冷卻板之表背面。

先行技術文獻 專利文獻

專利文獻1 日本特開2013-12645號公報

發明概要

然而，專利文獻1所記載之物是在導體捲體之中心軸線方向之端面，於複數次捲繞之導體之線材相互之間形成有凹陷，或是一部分之線材突出。因此，將冷卻板靠 在導體捲體之中心軸線方向之端面的情況下，該端面與冷卻板(詳細而言是高熱傳導絕緣構件)之接觸會不充分，導體捲體之散熱性會降低。

本發明是為了解決如此之課題而建構之發明，其主要目的是使電磁線圈之自軸線方向之端面之散熱性提升。

以下，記載用於解決上述課題之手段、及其作用效果。

第1手段是電磁線圈，其特徵在於具備：導體捲體，藉由於預定軸線之周圍捲繞複數次之導體而形成；及陶瓷層，藉由熱噴塗而形成於前述導體捲體之前述預定軸線方向之端面，表面被平坦化。

根據上述構成，藉由於預定軸線之周圍捲繞複數次之導體，而形成有導體捲體。在導體捲體之預定軸線方向之端面(以下，稱作「軸線方向端面」)，於複數次捲繞之導體相互之間形成有凹陷，或是一部分之導體突出。因此，例如將冷卻板靠在導體捲體之軸線方向端面的情況下，由導體捲體往冷卻板之熱傳達性會降低。

對此，藉由熱噴塗而於導體捲體之軸線方向端面形成有陶瓷層。因此，軸線方向端面之凹凸被陶瓷層埋住，可有效率地將熱由軸線方向端面往陶瓷層傳達。而且，陶瓷層之表面被平坦化。因此，可藉由將例如冷卻板靠在平坦化之陶瓷層之表面而有效率地將熱由陶瓷層往冷 卻板傳達。所以，可使電磁線圈之自軸線方向端面之散熱性提升。

另外，因為導體捲體之軸線方向端面藉由陶瓷層而變強固，故可使電磁線圈之強度提升。附帶一提，因為陶瓷一般是絕緣體，故即便於導體熱噴塗陶瓷，亦可防止導體相互短路。

在第2手段，前述陶瓷層之厚度之最大值是設定成在前述預定軸線方向之前述端面中由複數之前述導體所形成之高低差之最大值之3倍以下。

陶瓷層越厚則越可確實地將軸線方向端面之導體絕緣，另一方面，陶瓷層越薄則越提升由軸線方向端面往冷卻板之熱傳達性。對此，根據上述構成，陶瓷層之厚度之最大值是設定成在軸線方向端面中由複數之導體所形成之高低差之最大值之3倍以下。因此，可一面藉由陶瓷層將軸線方向端面之導體絕緣、一面抑制由軸線方向端面往冷卻板之熱傳達性降低。

在第3手段，前述陶瓷層之厚度之最大值是設定成在前述預定軸線方向之前述端面中由複數之前述導體所形成之高低差之最大值之略2倍。

根據上述構成，陶瓷層之厚度之最大值是設定成在軸線方向端面中由複數之導體所形成之高低差之最大值之略2倍。因此，可令陶瓷層之厚度為可將軸線方向端面之導體絕緣之最小限度之厚度而使由軸線方向端面往冷卻板之熱傳達性提升。

第4手段是電磁線圈的製造方法，其特徵在於具 備：將導體於預定軸線之周圍捲繞複數次而形成導體捲體之步驟；於前述導體捲體之前述預定軸線方向之端面將陶瓷熱噴塗而形成陶瓷層之步驟；及對前述陶瓷層之表面進行研削而予以平坦化之步驟。

根據上述步驟，導體於預定軸線之周圍捲繞複 數回次而形成導體捲體。此時，在導體捲體之軸線方向端面，於複數次捲繞之導體相互之間形成有凹陷，或是一部分之導體突出。

在此，於導體捲體之軸線方向端面熱噴塗陶瓷 而形成陶瓷層。藉此，軸線方向端面之凹凸被陶瓷層埋住，而且軸線方向端面之導體藉由陶瓷層而絕緣。在此階段，受到軸線方向端面之凹凸之影響，陶瓷層之表面亦會形成有凹凸。於是，可藉由對陶瓷層之表面進行研削而予以平坦化，來製造第1手段之電磁線圈。

第5手段是電磁致動器，其特徵在於具備：第1~ 第3之任1手段之電磁線圈；及與前述陶瓷層對向而配置之冷卻構件。

根據上述構成，電磁致動器是具備第1~第3之任 1手段之電磁線圈，與電磁線圈之陶瓷層對向而配置有冷卻構件。因此，可藉由將冷卻構件靠在平坦化之陶瓷層之表面而有效率地將熱由陶瓷層往冷卻構件傳達，可使電磁線圈之自軸線方向端面之散熱性提升。

在第6手段，於前述陶瓷層與前述冷卻構件之間 形成有接著劑層，前述陶瓷層之熱傳導率是比前述接著劑層之熱傳導率還高。

根據上述構成，於陶瓷層與冷卻構件之間形成 有接著劑層，陶瓷層與冷卻構件藉由接著劑層而接著。在此，因為陶瓷層之熱傳導率比接著劑層之熱傳導率還高，故就使熱傳達性提升而言，令接著劑層變薄會比令陶瓷層變薄有利。

對此，因為陶瓷層之表面已為平坦化，故不需 要藉由接著劑層來埋住陶瓷層之凹凸，可抑制接著劑層之厚度增加。結果，即便在藉由接著劑層來將陶瓷層與冷卻構件接著的情況下，亦可有效率地將熱由導體捲體之軸線方向端面往冷卻構件傳達。

10‧‧‧電磁閥(電磁致動器)

11‧‧‧框體

12‧‧‧電磁線圈

12a‧‧‧導體捲體

12b‧‧‧導體

12c‧‧‧陶瓷層

12d‧‧‧陶瓷層

13‧‧‧固定鐵心

14‧‧‧熱管(冷卻構件)

15‧‧‧導引部

16‧‧‧可動鐵心

17‧‧‧彈簧構件

18‧‧‧密封構件

20‧‧‧流路塊

21‧‧‧流入通路

21a‧‧‧流入埠

22‧‧‧流出通路

22a‧‧‧流出埠

23‧‧‧閥室

30‧‧‧X射線產生裝置(電磁致動器)

31‧‧‧框體(冷卻構件)

31a‧‧‧前端部

31b‧‧‧外周部

31c‧‧‧底部

31d‧‧‧內周部

32‧‧‧電磁線圈

32a‧‧‧導體捲體

32b‧‧‧導體

32c‧‧‧陶瓷層

32d‧‧‧陶瓷層

33‧‧‧孔徑部

33a‧‧‧通路

34‧‧‧標的

52‧‧‧電磁線圈

52a‧‧‧導體捲體

52b‧‧‧導體

52c‧‧‧陶瓷層

52d‧‧‧陶瓷層

52e‧‧‧接著層

52f‧‧‧接著劑層

A‧‧‧領域

Ab‧‧‧領域

B‧‧‧領域

Bb‧‧‧領域

BM‧‧‧電子束

C‧‧‧領域

Cb‧‧‧領域

S‧‧‧資料

t11、t12、t21、t22、t31、t32‧‧‧最大值

t13、t23、t33‧‧‧最小值

圖1是顯示電磁閥及流路塊的截面圖。

圖2是領域A的擴大截面圖。

圖3是顯示與領域A對應之領域Ab之部分之製造方法的擴大截面圖。

圖4是顯示X射線產生裝置的截面圖。

圖5是領域B的擴大截面圖。

圖6是顯示與領域B對應之領域Bb之部分之製造方法的擴大截面圖。

圖7是顯示電磁閥之變更例的截面圖。

圖8是領域C的擴大截面圖。

圖9是顯示與領域C對應之領域Cb之部分之製造方法的 擴大截面圖。

用以實施發明之形態 (第1實施形態)

以下，一面參考圖面一面說明第1實施形態。本實施形態是作為將流體之流路開關之電磁閥而具體化。

如圖1所示，流路塊20是藉由不鏽鋼或鋁等之金屬而形成長方體狀。於流路塊20之內部形成有流入通路21及流出通路22。於流路塊20之上部形成有閥室23。閥室23是於流路塊20之上面開口。流入通路21之一端是於流路塊20之預定之側面開口，流入通路21之另一端是與閥室23連通。流入通路21於預定之側面開口之部分是成為流入埠21a。流出通路22之一端是於流路塊20之預定之側面開口，流出通路22之另一端是與閥室23連通。流出通路22於預定之側面開口之部分是成為流出埠22a。於流入埠21a及流出埠22a是分別連接使流體流通之配管等。

於流路塊20之上面安裝有電磁閥10。電磁閥10(電磁致動器)具備有：框體11、電磁線圈12、固定鐵心13、熱管14、導引部15、可動鐵心16、彈簧構件17、及密封構件18。

框體11是藉由鐵等之強磁性體形成圓筒狀。固定鐵心13是藉由鐵等之強磁性體形成圓柱狀。電磁線圈12具備有藉由將圓線之導體於固定鐵心13之外周捲繞複數次而形成圓筒狀之導體捲體12a。圓線之導體之表面是被覆 有絕緣體。電磁線圈12是以於固定鐵心13之軸線方向排列的方式設有2個。附帶一提，固定鐵心13之軸線及電磁線圈12之軸線相當於預定軸線。

上述熱管14(冷卻構件)具備有可嵌合於固定鐵心13之外周之環狀部、與環狀部連接之管部。熱管14是以銅或鋁等熱傳導率高之材質形成，於內部封入揮發性液體之已為公眾所知悉者。熱管14之環狀部是嵌合於固定鐵心13之外周。熱管14是設在上側之電磁線圈12之上方、上側之電磁線圈12與下側之電磁線圈12之間、及下側之電磁線圈12之下方。

導引部15是藉由鐵等之強磁性體而形成有底之圓筒狀。於上述框體11之內部收納有固定鐵心13、2個電磁線圈12、3個熱管14之環狀部、及導引部15之上部。而且，導引部15之上面(底面)接合於固定鐵心13之下面，導引部15之外周面接合於框體11之內周面。

可動鐵心16是藉由鐵等之強磁性體而形成圓柱狀。可動鐵心16是形成為比在導引部15之內部形成之圓柱狀之空間稍微小。上述密封構件18(閥體)是藉由橡膠等之彈性體而形成圓板狀。上述彈簧構件17是藉由鋁等之非磁性體而形成圓板狀。

在可動鐵心16之下面，於中央安裝有密封構件18，於密封構件18之外周安裝有彈簧構件17。彈簧構件17之外緣部被上述流路塊20與導引部15夾持。於導引部15之內部配置有可動鐵心16。密封構件18是與上述流入通路21 之連通上述閥室23之部分對向。密封構件18是以遮斷流入通路21與閥室23之連通的方式被彈簧構件17賦予勢能。

在如此之構成中，若將電流流於電磁線圈12， 則可動鐵心16(密封構件18)抵抗彈簧構件17之賦予力而往固定鐵心13側拉過去。藉此，流入通路21與閥室23連通，流體由流入通路21通過閥室23而往流出通路22流通。若使流於磁線圈12之電流停止，則密封構件18被彈簧構件17往與固定鐵心13相反之側賦予勢能。藉此，流入通路21與閥室23之連通被密封構件18遮斷。

若將電流流於電磁線圈12，則上述導體捲體12a 會發熱。電磁線圈12之熱是由導體捲體12a之軸線方向之端面(軸線方向端面)朝熱管14之環狀部傳達。另外，電磁線圈12之熱是由導體捲體12a之內周面透過固定鐵心13或框體11而朝熱管14之環狀部傳達。

在此，在導體捲體12a之軸線方向端面，於複數 次捲繞之圓線之導體相互之間形成有凹陷，或是一部分之圓線之導體突出。因此，將熱管14之環狀部靠在導體捲體12a之軸線方向端面的情況下，由導體捲體12a往熱管14之環狀部之熱傳達性會降低。

對此，本實施形態是於導體捲體12a之軸線方向 端面藉由熱噴塗而形成有陶瓷層。圖2是導體捲體12a之軸線方向端面之周邊之領域A的擴大截面圖。

如該圖所示，在藉由複數次捲繞之圓線之導體 12b而形成之導體捲體12a之軸線方向端面，於導體12b相 互之間形成有凹陷。於導體捲體12a之軸線方向端面，以埋住導體12b相互之間之凹陷的方式藉由氧化鋁之熱噴塗而形成有陶瓷層12c。藉此，導體捲體12a之軸線方向端面是被陶瓷層12c所覆蓋。氧化鋁是使用純度98%以上者。陶瓷層12c之表面受到平坦化，加工成預定之平滑度。特別是，因為氧化鋁之純度為98%以上，故可將陶瓷層12c之表面加工成非常地平滑。

陶瓷層12c之厚度之最大值t12成為由相互鄰接之導體12b所形成之高低差之最大值t11之略1.5倍(3倍以下)。在此，陶瓷層12c越厚則越可確實地將導體捲體12a之軸線方向端面之導體12b絕緣，另一方面，陶瓷層12c越薄則越提升由軸線方向端面往熱管14之環狀部之熱傳達性。另外，陶瓷層12c之厚度之最小值t13成為比高低差之最大值t11還小。

而且，使熱管14之環狀部抵接陶瓷層12c之表面。熱管14之環狀部之表面亦是已加工成預定之平滑度。因此，陶瓷層12c之表面與熱管14之環狀部之表面之接觸面積變大。

如此之電磁線圈12是藉由以下之製造方法來製造。圖3是顯示與領域A對應之領域Ab之部分之製造方法的擴大截面圖。

首先，於上述固定鐵心13之周圍將圓線之導體12b捲繞複數次，而形成導體捲體12a。

接著，於導體捲體12a之軸線方向端面將氧化鋁 熱噴塗，而形成陶瓷層12d。藉此，軸線方向端面之凹凸被陶瓷層12d埋住，而且軸線方向端面之導體12b藉由陶瓷層12d而絕緣。附帶一提，在本實施形態，導體12b亦藉由被覆於導體12b之表面之絕緣體而絕緣。在此階段，受到軸線方向端面之凹凸之影響，於陶瓷層12d之表面亦形成有凹凸。陶瓷層12d之厚度是成為由導體12b所形成之高低差之最大值t11之略3倍。附帶一提，在陶瓷層12d中，靠近導體捲體12a之部分是陶瓷層12c。

接著，對陶瓷層12d之表面進行研削而予以平坦化，僅殘留陶瓷層12c。藉此，陶瓷層12c之厚度之最大值t12是成為高低差之最大值t11之略1.5倍。另外，對陶瓷層12c之表面進行研磨而加工成預定之平滑度。藉由以上之步驟而製造電磁線圈12。

以上詳述之本實施形態具有以下之優點。

‧於導體捲體12a之軸線方向端面藉由熱噴塗而形成有陶瓷層12c。因此，軸線方向端面之凹凸被陶瓷層12c埋住，可有效率地將熱由軸線方向端面往陶瓷層12c傳達。而且，陶瓷層12c之表面為平坦化。因此，可藉由將熱管14之環狀部靠在平坦化之陶瓷層12c之表面而有效率地將熱由陶瓷層12c往熱管14之環狀部傳達。所以，可使電磁線圈12之自軸線方向端面之散熱性提升。

‧因為導體捲體12a之軸線方向端面藉由陶瓷層12c而變強固，故可使電磁線圈12之強度提升。

‧陶瓷層12c之厚度之最大值t12是設定成在軸 線方向端面中由複數之導體12b所形成之高低差之最大值t11之略1.5倍(3倍以下)。因此，可一面藉由陶瓷層12c將軸線方向端面之導體12b絕緣，一面抑制由軸線方向端面往熱管14之環狀部之熱傳達性降低。另外，因為陶瓷層12c是藉由非磁性體之氧化鋁以最小限度之厚度形成，故可抑制陶瓷層12c對電磁線圈12產生之磁通有影響。

(第2實施形態)

以下，一面參考圖面一面說明第2實施形態。本實施形態是作為X射線產生裝置而具體化。圖4是顯示X射線產生裝置30的截面圖。

如該圖所示，X射線產生裝置30(電磁致動器)具備有框體31、電磁線圈32、孔徑部33、及標的34。

框體31(冷卻構件)是藉由鐵等之強磁性體而形成，具有圓錐狀之前端部31a、大徑之圓筒狀之外周部31b、圓板狀之底部31c、及小徑之圓管狀之內周部31d。藉由框體31而形成磁路。

電磁線圈32具備有藉由將帶狀(膜狀)之導體32b於框體31之內周部31d之外周捲繞複數次而形成圓筒狀之導體捲體32a。帶狀之導體32b之表面是被覆有絕緣體。導體捲體32a之前端部是形成與框體31之前端部31a之形狀對應之圓錐狀。附帶一提，框體31之內周部31d之軸線及電磁線圈32之軸線相當於預定軸線。

孔徑部33是藉由黃銅或銅等之非磁性體而形成圓柱狀。於孔徑部33之中心形成有電子束BM之通路33a。 孔徑部33是安裝於框體31之內周部31d之前端。於框體31之前端部31a之前端面安裝有標的34。標的34是藉由鎢等而形成，藉由電子束BM衝突而使X射線產生。

在如此之構成中，若將電流流於電磁線圈32則 產生磁通，該磁通是通過藉由框體31所形成之磁路。藉此，電子束BM在通過孔徑部33之際收斂，收斂之電子束BM是與標的34衝突。然後，由標的34產生之X射線朝資料S照射。

另外，若將電流流於電磁線圈32，則導體捲體 32a會發熱。電磁線圈32之熱是由導體捲體32a朝框體31傳達。框體31是藉由未圖示之機構來冷卻。

在此，在導體捲體32a之軸線方向端面，於複數 次捲繞之帶狀之導體32b相互之間形成有凹陷，或是一部分之帶狀之導體32b突出。特別是，因為導體捲體32a之前端部是形成圓錐狀，故容易由相互鄰接之導體32b形成高低差。因此，將框體31之前端部31a靠在導體捲體32a之軸線方向端面的情況下，由導體捲體32a往框體31之前端部31a之熱傳達性會降低。

對此，本實施形態是於導體捲體32a之軸線方向 端面(圓錐狀面)藉由熱噴塗而形成有陶瓷層。圖5是導體捲體32a之軸線方向端面之周邊之領域B的擴大截面圖。

如該圖所示，在藉由複數次捲繞之帶狀之導體 32b而形成之導體捲體32a之軸線方向端面，於導體32b相互之間形成有凹陷。於導體捲體32a之軸線方向端面，以 埋住導體32b相互之間之凹陷的方式藉由氧化鋁之熱噴塗而形成有陶瓷層32c。藉此，導體捲體32a之軸線方向端面是被陶瓷層32c所覆蓋。陶瓷層32c之圓錐狀面之表面受到平坦化，加工成預定之平滑度。

陶瓷層32c之厚度之最大值t22成為由相互鄰接 之導體32b所形成之高低差之最大值t21之略2倍(3倍以下)。另外，陶瓷層32c之厚度之最小值t23是成為略等於高低差之最大值t21。

而且，使框體31之前端部31a抵接於陶瓷層32c 之表面。框體31之前端部31a亦是已加工成預定之平滑度。

如此之電磁線圈32是藉由以下之製造方法來製 造。圖6是顯示與領域B對應之領域Bb之部分之製造方法的擴大截面圖。

首先，於上述框體31之內周部31d之周圍將帶狀之導體12b捲繞複數次，而形成導體捲體32a。

接著，於導體捲體32a之軸線方向端面(圓錐狀面)將氧化鋁熱噴塗，而形成陶瓷層32d。在此階段，受到軸線方向端面之凹凸之影響，於陶瓷層32d之表面亦形成有凹凸。陶瓷層32d之厚度是成為由導體32b形成之高低差之最大值t21之略3倍。附帶一提，在陶瓷層32d中，靠近導體捲體32a之部分是陶瓷層32c。

接著，對陶瓷層32d之圓錐狀面(曲面)之表面進行研削而予以平坦化，僅殘留陶瓷層32c。藉此，陶瓷層 32c之厚度之最大值t22是成為高低差之最大值t21之略2倍。另外，對陶瓷層32c之表面進行研磨而加工成預定之平滑度。藉由以上之步驟而製造電磁線圈32。

以上詳述之本實施形態具有以下之優點。

‧於導體捲體32a之軸線方向端面(圓錐狀面)藉 由熱噴塗而形成有陶瓷層12c。因此，軸線方向端面之凹凸被陶瓷層32c埋住，可有效率地將熱由軸線方向端面往陶瓷層32c傳達。而且，陶瓷層12c之圓錐狀面(曲面)之表面為平坦化。因此，可藉由將框體31之前端部31a靠在平坦化之陶瓷層12c之表面而有效率地將熱由陶瓷層32c往框體31之前端部31a傳達。所以，可使電磁線圈32之自軸線方向端面之散熱性提升。

‧因為導體捲體32a之軸線方向端面藉由陶瓷層 12c而變強固，故可使電磁線圈32之強度提升。

‧陶瓷層32c之厚度之最大值t22是設定成在軸 線方向端面中由複數之導體32b所形成之高低差之最大值t21之略2倍。因此，可一面藉由陶瓷層32c將軸線方向端面之導體32b絕緣，一面抑制由軸線方向端面往框體31之前端部31a之熱傳達性降低。另外，因為陶瓷層32c是藉由非磁性體之氧化鋁以最小限度之厚度形成，故可抑制陶瓷層32c對電磁線圈32產生之磁通有影響。

亦可將上述各實施形態如以下地改變而實施。 附帶一提，與上述各實施形態同一之構件是藉由加上同一符號而省略說明。

‧如圖7、8所示，亦可藉由帶狀(膜狀)之導體52b與帶狀(膜狀)之接著層52e來形成電磁線圈52之導體捲體52a。此情況下，帶狀之導體52b之表面未被絕緣體所被覆，相互鄰接之導體52b是藉由接著層52e而接著及絕緣。接著層52e是藉由樹脂等之絕緣體而形成。附帶一提，接著層52e亦可是藉由帶狀之絕緣體與帶狀之接著劑而構成。

在導體捲體52a之軸線方向端面，以埋住導體52b相互之間之凹陷的方式藉由氧化鋁之熱噴塗而形成有陶瓷層52c。藉此，導體捲體52a之軸線方向端面是被陶瓷層52c所覆蓋。因為氧化鋁是絕緣體，故即便於導體52b熱噴塗氧化鋁，亦可防止導體52b相互短路。陶瓷層52c之圓錐狀面之表面受到平坦化，加工成預定之平滑度。因為在此氧化鋁之純度亦是98%以上，故可將陶瓷層52c之表面加工成非常地平滑。

陶瓷層52c之厚度之最大值t32是成為由相互鄰接之導體52b所形成之高低差之最大值t31之略2倍(3倍以下)。另外，陶瓷層52c之厚度之最小值t33是成為略等於高低差之最大值t31。

而且，陶瓷層52c之表面與框體11(冷卻構件)之表面藉由接著劑層52f而接著。框體11是藉由未圖示之機構來冷卻。接著劑層52f之厚度是比陶瓷層52c之厚度之最大值t32還薄。陶瓷層52c之熱傳導率是比接著劑層52f之熱傳導率還高。

圖9是顯示與領域C對應之領域Cb之部分之製造 方法的擴大截面圖。於導體捲體52a之軸線方向端面熱噴塗氧化鋁而形成陶瓷層52d。陶瓷層52d之厚度是成為由導體52b所形成之高低差之最大值t31之略4倍。接著，對陶瓷層52d之表面進行研削而予以平坦化，僅殘留陶瓷層52c。附帶一提，在陶瓷層52d中，靠近導體捲體52a之部分是陶瓷層52c。

根據上述構成，陶瓷層52c之厚度之最大值t32 是設定成在軸線方向端面中由複數之導體52b所形成之高低差之最大值t31之略2倍。因此，可令陶瓷層52c之厚度為可將軸線方向端面之導體52b絕緣之最小限度之厚度而使由軸線方向端面往框體11之熱傳達性提升。特別是，因為導體52b形成帶狀、未被絕緣體所被覆，故可有效率地將熱由導體捲體52a之軸線方向端面(導體52b之端面)往陶瓷層52c傳達。此情況下，導體捲體52a(電磁線圈52)之軸線方向之長度可以是導體捲體52a之直徑之1/2以下之長度，宜是導體捲體52a之直徑之1/3以下之長度。藉此，在導體捲體52a之軸線方向中，由中間部分至陶瓷層52c之距離變短，可更有效率地將熱往陶瓷層52c傳達。另外，因為陶瓷層52c是藉由非磁性體之氧化鋁以最小限度之厚度形成，故可抑制陶瓷層52c對電磁線圈52產生之磁通有影響。另外，因為導體捲體52a之軸線方向端面藉由陶瓷層52c而變強固，故可抑制易於互相滑動之帶狀之導體52b與接著層52e之滑動。所以，可抑制電磁線圈52之扭曲，可使電磁線圈之強度提升。特別是在電磁線圈52是圓柱狀或橢 圓柱狀、長圓柱狀的情況下，可有效地使對扭曲之強度提升。

因為陶瓷層52c之熱傳導率比接著劑層52f之熱 傳導率還高，故就使熱傳達性提升而言，令接著劑層52f變薄會比令陶瓷層52c變薄有利。對此，因為陶瓷層52c之表面已為平坦化，故不需要藉由接著劑層52f來埋住陶瓷層52c之凹凸，可抑制接著劑層52f之厚度增加。結果，即便在藉由接著劑層52f來將陶瓷層52c與框體11接著的情況下，亦可有效率地將熱由導體捲體52a之軸線方向端面往框體11傳達。

‧亦可在圖2中使用方線之導體來代替圓線之導 體12b。

‧導體捲體12a、52a之形狀並不限於圓筒狀， 亦可採用橢圓筒狀或多角形筒狀等。

‧亦可將電磁線圈12、32、52適用於其他之電 磁致動器。

‧亦可藉由氧化鋯或氧化鈦、氧化鎂等之陶瓷 之熱噴塗來形成陶瓷層12c、32c、52c。

10‧‧‧電磁閥(電磁致動器)

11‧‧‧框體

12‧‧‧電磁線圈

12a‧‧‧導體捲體

13‧‧‧固定鐵心

14‧‧‧熱管(冷卻構件)

15‧‧‧導引部

16‧‧‧可動鐵心

17‧‧‧彈簧構件

18‧‧‧密封構件

20‧‧‧流路塊

21‧‧‧流入通路

21a‧‧‧流入埠

22‧‧‧流出通路

22a‧‧‧流出埠

23‧‧‧閥室

A‧‧‧領域

Claims (18)

1. 一種電磁線圈，其特徵在於具備：導體捲體，藉由於預定軸線之周圍捲繞複數次之導體而形成；及陶瓷層，藉由熱噴塗而形成於前述導體捲體之前述預定軸線方向之端面，表面被平坦化。
2. 如請求項1之電磁線圈，其中前述導體捲體之前述預定軸線方向之端面之凹凸被前述陶瓷層埋住。
3. 如請求項1之電磁線圈，其中於前述導體捲體之前述預定軸線方向之端面以埋住前述導體相互之間之凹陷的方式形成有前述陶瓷層。
4. 如請求項1之電磁線圈，其中前述導體捲體之前述預定軸線方向之端面之前述導體藉由前述陶瓷層而絕緣。
5. 如請求項1之電磁線圈，其中前述導體捲體之前述預定軸線方向之端面藉由前述陶瓷層而變強固。
6. 如請求項1之電磁線圈，其中前述導體是形成帶狀，互相鄰接之前述導體是藉由帶狀之接著劑層而接著及絕緣。
7. 如請求項1之電磁線圈，其中前述陶瓷層之厚度之最大值是設定成在前述預定軸線方向之前述端面中由複數之前述導體所形成之高低差之最大值之3倍以下。
8. 如請求項1之電磁線圈，其中前述陶瓷層之厚度之最大值是設定成在前述預定軸線方向之前述端面中由複數 之前述導體所形成之高低差之最大值之略2倍。
9. 如請求項1之電磁線圈，其中前述導體捲體是藉由將前述導體於固定鐵心之外周捲繞複數次而形成。
10. 一種電磁線圈的製造方法，其特徵在於具備：將導體於預定軸線之周圍捲繞複數次而形成導體捲體之步驟；於前述導體捲體之前述預定軸線方向之端面將陶瓷熱噴塗而形成陶瓷層之步驟；及對前述陶瓷層之表面進行研削而予以平坦化之步驟。
11. 如請求項10之電磁線圈的製造方法，其中形成前述陶瓷層之步驟包含：於前述導體捲體之前述預定軸線方向之端面將陶瓷熱噴塗而埋住前述導體捲體之前述預定軸線方向之端面之凹凸之步驟。
12. 如請求項10或11之電磁線圈的製造方法，其中形成前述陶瓷層之步驟包含：於前述導體捲體之前述預定軸線方向之端面將陶瓷熱噴塗而將前述導體捲體之前述預定軸線方向之端面之導體絕緣之步驟。
13. 如請求項10或11之電磁線圈的製造方法，其中形成前述陶瓷層之步驟包含：於前述導體捲體之前述預定軸線方向之端面將陶瓷熱噴塗而將前述導體捲體之前述預定軸線方向之端面變強固之步驟。
14. 一種電磁致動器，其特徵在於具備：如請求項1~9之任一項之電磁線圈；及 與前述陶瓷層對向而配置之冷卻構件。
15. 如請求項14之電磁致動器，其中於前述陶瓷層與前述冷卻構件之間形成有將前述陶瓷層與前述冷卻構件接著之接著劑層，前述陶瓷層之熱傳導率是比前述接著劑層之熱傳導率還高。
16. 如請求項14之電磁致動器，其中使前述陶瓷層與前述冷卻構件抵接。
17. 如請求項14之電磁致動器，其中前述冷卻構件是電磁閥之框體。
18. 如請求項14之電磁致動器，其中前述冷卻構件是於內部封入揮發性液體之熱管。