TW201439358A - 用於自我定心的製程屏蔽之物理氣相沉積目標 - Google Patents

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Abstract

在一些實施例中，一種供具有製程屏蔽的基板處理腔室中使用的目標組件可包括：背板，具有第一側及相對的第二側，其中該第二側包含具有第一直徑的第一表面，藉由第一邊緣約束該第一表面；目標材料，具有黏合至背板之第一表面的第一側；其中第一邊緣為背板與目標材料之間的一界面；及複數個槽縫，沿背板之外部週邊安置以在使用期間相對於製程屏蔽對準目標組件，其中在背板之第一側中形成複數個槽縫及該等複數個槽縫僅部分延伸至背板中。

Description

用於自我定心的製程屏蔽之物理氣相沈積目標
本發明之實施例大體而言係關於物理氣相沈積處理設備。
在當前物理氣相沈積(physical vapor deposition；PVD)腔室中，通常將製程屏蔽安裝至物理氣相沈積腔室主體中，與目標分離。目標通常安裝在物理氣相沈積腔室之可移除蓋上及隨後下降至腔室主體中用於處理。然而，發明者已發現，此配置可不當地導致製程屏蔽與目標對準不精確。發明者已進一步發現，對於使用施加至目標的較高頻率之射頻(radio frequency；RF)能量之應用，目標與屏蔽之間的對準對控制任何電漿不規則性及電弧事件變得更加關鍵，該等電漿不規則性及電弧事件可負面影響物理氣相沈積腔室中的沈積品質。當前物理氣相沈積腔室使用與目標及製程屏蔽分離的特徵以對準兩個部件。然而，發明者已觀察到，對於某些應用，此類特徵未能充分對準目標及製程屏蔽。
因此，發明者已提供用於物理氣相沈積處理的改良 裝置。
本發明提供用於物理氣相沈積的裝置。在一些實施例中，一種基板處理腔室可包括：腔室主體，具有內容積；腔室蓋，安置於腔室主體的頂部上，其中該腔室蓋包含旋轉軸，該旋轉軸經配置以將腔室蓋旋轉至腔室主體上；製程屏蔽，安置於腔室主體內且位於腔室蓋下方；及目標組件，耦接至腔室蓋之下表面，該下表面在腔室蓋處於關閉位置中時面向內容積，該目標組件包含：背板，具有第一側及相對的第二側，其中該第二側包含具有第一直徑的第一表面，藉由第一邊緣約束該第一表面；目標材料，具有黏合至背板之第一表面的第一側；其中第一邊緣為背板與目標材料之間的界面；及複數個槽縫，沿背板之外部週邊安置以在蓋處於關閉位置中時相對於製程屏蔽對準目標組件，其中在背板之第一側中形成複數個槽縫及該等複數個槽縫朝向背板之第二側延伸至一深度，該深度小於背板之厚度。
在一些實施例中，一種供具有製程屏蔽的基板處理腔室中使用的目標組件可包括：背板，具有第一側及相對的第二側，其中該第二側包含具有第一直徑的第一表面，藉由第一邊緣約束該第一表面；目標材料，具有黏合至背板之第一表面的第一側；其中第一邊緣為背板與目標材料之間的界面；及複數個槽縫，沿背板之外部週邊安置以在使用期間相對於製程屏蔽對準目標組件，其中在背板之第一側中形成複數個槽縫及該等槽縫僅部分延伸至背板中。
在下文中描述本發明之其他及進一步實施例。
100‧‧‧製程腔室
102‧‧‧基板支撐基座
104‧‧‧基板
106‧‧‧目標材料
108‧‧‧接地外殼壁
110‧‧‧饋送結構
112‧‧‧主體
114‧‧‧第一端
115‧‧‧中央開口
116‧‧‧第二端
118‧‧‧射頻電源
120‧‧‧直流電源
122‧‧‧源分配平板
124‧‧‧孔
125‧‧‧導電構件
126‧‧‧第一端
128‧‧‧面向目標的表面
130‧‧‧第二端
132‧‧‧面向源分配平板的表面
134‧‧‧腔室蓋
136‧‧‧腔室主體
138‧‧‧目標組件
139‧‧‧絕緣間隙
140‧‧‧接地屏蔽
142‧‧‧上腔室適配器
144‧‧‧內容積
146‧‧‧背板
150‧‧‧製程屏蔽
152‧‧‧內表面
154‧‧‧外表面
156‧‧‧唇部
158‧‧‧中央開口
160‧‧‧開口
162‧‧‧銷
164‧‧‧伸長環形主體
166‧‧‧第一端
168‧‧‧第一部分
170‧‧‧第一距離
176‧‧‧第一支撐構件
186‧‧‧覆蓋環
188‧‧‧向上延伸的內部部分
200‧‧‧第一側
202‧‧‧第二側
204‧‧‧槽縫
206‧‧‧柱坑孔
208‧‧‧凹槽
210‧‧‧第一表面
214‧‧‧第一邊緣
216‧‧‧第一側
218‧‧‧第一線性表面
220‧‧‧第二線性表面
222‧‧‧弧形表面
224‧‧‧外部週邊
226‧‧‧凹部
400‧‧‧斜面週邊邊緣
402‧‧‧側壁
500‧‧‧第一表面
502‧‧‧第一部分
504‧‧‧槽縫上表面
可參考隨附圖式中描述的本發明之說明性實施例來理解上文已簡要概述且在下文將更詳細論述之本發明之實施例。然而，應注意，隨附圖式僅圖示出本發明之典型實施例，且因此該等圖式不欲視為本發明範疇之限制，因為本發明可允許其他同等有效之實施例。
第1圖圖示根據本發明之一些實施例的處理腔室之橫截面示意圖。
第2A圖至第2C圖圖示根據本發明之一些實施例之目標組件之各種視圖。
第3A圖至第3B圖圖示根據本發明之一些實施例之第一位置中的目標組件及週圍結構之剖視圖。
第4A圖至第4B圖圖示根據本發明之一些實施例之第二位置中的目標組件及週圍結構之剖視圖。
第5A圖至第5B圖圖示根據本發明之一些實施例之第三位置中的目標組件及週圍結構之剖視圖。
為了促進理解，在可能的情況下，已使用相同元件符號代表諸圖共用之相同元件。諸圖並未按比例繪製且可為了清晰而簡化。應設想，一個實施例之元件及特徵可有利地併入其他實施例而無需贅述。
本文提供用於改良物理氣相沈積(PVD)處理設備的方法及裝置。本發明提供改良的目標組件設計，該等目標組 件設計可在極高頻率射頻頻率及/或用於在物理氣相沈積腔室中濺射沈積的源材料之範圍內使用。本發明之目標組件之實施例可藉由提供製程屏蔽與目標材料之間改良的對準來有利地減少或防止目標材料與製程屏蔽之間的電弧及改良晶圓沈積對稱性。如本文所使用，術語對準(align)或對準(alignment)指目標材料與製程屏蔽之同心置放，以使得目標材料之外緣與目標材料附近的製程屏蔽主體之內表面之間的第一距離之間隙為實質均勻的。
第1圖圖示根據本發明之一些實施例之物理氣相沈積腔室或製程腔室100之橫截面示意圖。適宜物理氣相沈積腔室之實例包括ENDURA®物理氣相沈積處理腔室，該處理腔室可購自美國加州聖克拉拉市的應用材料公司。來自應用材料公司或其他製造商的其他處理腔室亦可受益於本文所揭示之發明裝置。
在一些實施例中，製程腔室100具有腔室蓋134，該腔室蓋安置於腔室主體136的頂部上。腔室主體具有內容積144。製程腔室100進一步包含製程屏蔽150，該製程屏蔽安置於腔室主體136內且位於目標組件138下方。製程屏蔽150防止濺射目標材料沈積在腔室之側壁(例如，上腔室適配器142)上。如第1圖所圖示，在第一支撐構件176頂部上的腔室主體136內支撐製程屏蔽150。在一些實施例中，第一支撐構件176可為上腔室適配器142之突出部分。
製程屏蔽150包含伸長環形主體164，該環形主體具有界定伸長環形主體164之中央開口158的外表面154及 內表面152。在一些實施例中，伸長環形主體164由導電材料(諸如不銹鋼、鋁或類似者)製成。唇部156自伸長環形主體164之第一端166附近的伸長環形主體164之外表面154徑向向外延伸以使得伸長環形主體164之第一部分168朝向第一端166延伸超過唇部156。唇部156包含複數個開口160。在開口160中之各者中安置銷162。銷162可由適宜製程可相容介電材料製成以將射頻熱目標組件138與接地製程屏蔽150電氣隔離。在一些實施例中，用陶瓷(例如，氧化鋁)製造銷162。在一些實施例中，將銷162壓入配合至開口160中及不可從開口中移除該等銷。在一些實施例中，在開口中放置銷162前，可藉由在加熱屏蔽擴大開口160的同時冷卻銷162緊縮大小來將銷162配合至開口中。在室溫下，銷162將擴大及開口將緊縮，從而改良開口160內的銷162之配合。
可從腔室主體136的頂部上旋轉打開腔室蓋134以(例如)安裝或替換目標或用於對製程腔室100執行維護。在一些實施例中，腔室蓋134可繞一水平旋轉軸至少自如第1圖圖示之關閉位置移動至打開位置。舉例而言，繞旋轉軸以一弧形在關閉位置與打開位置之間移動腔室蓋134。在一些實施例中，腔室蓋134包括目標組件138。目標組件138耦接至腔室蓋134之下表面，該下表面在腔室蓋134處於關閉位置中時面向腔室主體136之內容積144。
第2A圖至第2C圖圖示根據本發明之一些實施例之目標組件138之各種視圖。目標組件138包含背板146，該背板支撐目標材料106。背板146包含第一側200及相對的第二 側202，且該背板視需要可為圓形或其他形狀以支撐具有特定形狀的目標及以配合在具有特定幾何形狀的腔室中。第二側202包含凹部226，藉由具有第一直徑212的第一表面210界定該凹部，藉由第一邊緣214約束該第一表面(如第2C圖所示)。在一些實施例中，第一直徑212為約17.10吋至約17.60吋。
在一些實施例中，背板146可包含諸如銅鋅、銅鉻或與目標材料106相同的材料之導電材料，以使得射頻功率及直流功率可經由背板146耦接至目標材料106。或者，背板146可不導電及背板146可包括諸如電氣引線或類似者之導電元件(未圖示)。在一些實施例中，背板之厚度約為約0.50吋與約0.620吋之間。
如第2C圖最佳地看出，在凹部226中安置目標材料106及該目標材料具有黏合至背板146之第一表面210的第一側216。第一邊緣214為背板146與目標材料106之間的界面，該界面亦稱為黏合線。選擇第一直徑212以確保僅目標材料106而非背板146處於黑暗空間區域內，該黑暗空間區域位於第1圖所示之目標材料106之外緣與伸長環形主體164之內表面152之間。黑暗空間區域內不具有背板146有利地避免背板材料之濺射。目標材料106包含待在濺射期間於基板104上沈積之材料，諸如金屬或金屬氧化物。在一些實施例中，目標材料可為鈦、鈷、鉭或銅。
返回至第2A圖至第2C圖，沿背板146之外部週邊224安置複數個槽縫204。如第2A圖及第2C圖所示，在背板 146之第一側200中形成複數個槽縫204及該等槽縫僅部分延伸至背板146中。配置複數個槽縫204以對準製程屏蔽150上方的目標組件138。如第2A圖所圖示，每個槽縫大體上為U形，具有徑向向外面對的開口。舉例而言，每個槽縫204可包括與第二線性表面220平行之第一線性表面218，藉由弧形表面222連接該等兩個表面。第一線性表面218與第二線性表面220之間的距離為約0.75吋至約1.00吋。
如下文關於第3A圖至第3B圖、第4A圖至第4B圖及第5A圖至第5B圖所論述，在將腔室蓋134旋轉至關閉位置中時，複數個槽縫204(例如，藉由經配置以配合槽縫204的銷162)嚙合製程屏蔽150以導引整個目標組件138在製程屏蔽150的頂部上對準，以使得與第一端166附近的伸長環形主體164之內表面152間隔第一距離170(表示黑暗空間區域)有利地安置目標材料之外緣，以便減少電弧及提高沈積製程之均勻性。在一些實施例中，第一距離介於約0.030吋至約0.065吋之間。
在一些實施例中，如第2A圖至第2C圖所圖示，複數個槽縫204為三個槽縫204，但是在其他實施例中可提供其他數目之槽縫(例如，槽縫204之數目等於製程屏蔽150中的銷162之數目)。在此類實施例中，第一槽縫、第二槽縫及第三槽縫嚙合製程屏蔽150以與製程屏蔽150之內表面間隔第一距離170對準目標材料106之外緣。
在具有三個槽縫的一些實施例中，第一槽縫及第二槽縫與腔室蓋134之旋轉軸對準且比第三槽縫更接近於腔室 蓋134之旋轉軸，藉此允許第一槽縫及第二槽縫在第三槽縫前嚙合製程屏蔽150。第一槽縫及第二槽縫實質上同時(例如，藉由銷)嚙合製程屏蔽150。此有利地允許製程屏蔽150之銷162在腔室蓋於腔室主體136的頂部上下降時於兩個接點處共擔腔室蓋134之重量。目標組件138與第一銷及第二銷之此初始嚙合開始對準目標組件138。第三槽縫與製程屏蔽150之嚙合有利地提供在腔室蓋134於腔室主體136的頂部上關閉前目標組件138之最終對準。如下文關於第3A圖至第3B圖、第4A圖至第4B圖及第5A圖第5B圖所論述，目標組件138之最終對準以與第一端166附近的伸長環形主體164之內表面152間隔第一距離170對準目標材料106之外緣。
在具有三個槽縫204的一些實施例中，第一槽縫之中心與第二槽縫之中心相距約115度定位及第二槽縫之中心與第三槽縫之中心相距約115度定位。在具有三個槽縫的一些實施例中，如上文所論述的槽縫之中心至中心的位置可為彼此相距大於或小於115度。提供中心在>115°處的槽縫導致更垂直部件，且因此正面至背面之不對準較大。提供中心在<115°處的槽縫導致部件較不垂直，且因此正面至背面之不對準較小。然而，將需要更大力量克服O型環摩擦。儘管在圖式中圖示三個槽縫及銷，但是亦可使用更多個銷(亦即，>3)以提供更好對準。
如第2C圖所圖示，沿背板146之外部週邊224安置的複數個柱坑孔206自背板146之第一側200朝向背板146之第二側202延伸穿過背板146。配置複數個柱坑孔206以將 目標組件138耦接至腔室蓋134。
在一些實施例中，沿背板146之第二側202之外部週邊224在複數個槽縫204與第一邊緣214之間安置凹槽208。在凹槽208中安置密封件以在背板146與相對表面之間產生密封。
第3A圖圖示目標組件138與銷162嚙合前的目標組件138、銷162及週圍結構。腔室蓋134處於部分關閉位置中。如上文所描述，沿背板146之外部週邊224安置槽縫204，該槽縫自背板146之第一側200延伸及朝向背板146之第二側202僅部分延伸至背板146中。銷162可自唇部156中的開口160之底部以實質正交方向延伸。
在一些實施例中，製程屏蔽150可包含對準特徵(諸如銷162)以與目標組件138中之槽縫204建立界面或配合至該等槽縫中。在一些實施例中，如第3A圖所圖示，製程屏蔽150可包含銷162，該銷經配置以嚙合背板146中的槽縫204。製程屏蔽150中的銷162之數目等於背板中的槽縫204之數目。製程屏蔽150中銷162之置放鏡射出背板146中槽縫204之置放以允許銷162嚙合槽縫204及使目標組件138與製程屏蔽150對準。如第3B圖所圖示，在目標組件138與製程屏蔽150之間嚙合前，在製程屏蔽150上方安置目標材料106。
第4A圖圖示在最接近於腔室蓋134之旋轉軸的槽縫204與製程屏蔽150之銷162中之一者接觸時的背板146、開口160內的銷162及週圍結構。在一些實施例中，如第4A圖所圖示，槽縫204之外緣接觸銷162之斜面週邊邊緣400。 斜面週邊邊緣400有利地允許槽縫204沿斜面週邊邊緣400向下滑動且處於在唇部156之頂表面上方延伸的側壁402的一部分上方。如第4B圖所圖示，在銷162接觸槽縫204時，目標材料106進入第一端166附近的製程屏蔽150之中央開口158。如第4B圖所圖示，配置目標材料106之外緣以在以弧形旋轉目標組件138至製程屏蔽150上時避免接觸製程屏蔽150之內表面。在一些實施例中，將目標材料106之外緣朝向目標材料106之中心與垂直面(或正交於目標表面)成約10度至約20度角。
第5A圖圖示在目標組件138與製程屏蔽150對準時的背板146、銷162及週圍結構。在一些實施例中，如第5A圖所圖示，包含第一表面500、斜面週邊邊緣400及側壁402之第一部分502的銷162的第一部分在槽縫204內嚙合。銷162之第一表面500不接觸槽縫204之上表面504。一旦銷162與目標組件138中之槽縫204完全嚙合，目標材料106即與製程屏蔽150對準以防止或最小化目標材料106與製程屏蔽150之間的電弧。如第5B圖所圖示，表示背板146與目標材料106之間的界面的第一邊緣214在伸長環形主體164之第一部分168上方自內表面152至外表面154延伸目標材料106，以有利地減少背板146之再濺射。
返回至第1圖，在一些實施例中，饋送結構110將射頻能量及視情況直流能量耦接至目標組件138。儘管下文描述特定饋送結構110，但是亦可使用具有其他配置的其他饋送結構。在一些實施例中，饋送結構110可包括主體112，該主 體具有第一端114，可將該第一端耦接至射頻電源118及視情況直流電源120，可分別使用該等電源向目標組件138提供射頻能量及直流能量。將與第一端114相對的饋送結構110之第二端116耦接至腔室蓋134。在一些實施例中，主體112進一步包括中央開口115，自第一端114穿過主體112至第二端116安置該中央開口。饋送結構110可由適宜導電材料製成以自射頻電源118及直流電源120傳導射頻能量及直流能量。
在一些實施例中，腔室蓋134可進一步包括源分配平板122以經由導電構件125分配能量，該能量經由饋送結構110施加於目標組件138之週邊邊緣。因此，在一些實施例中，可將主體112之第二端116耦接至源分配平板122。源分配平板包括孔124，該孔穿過源分配平板122安置及與主體112之中央開口115對準。源分配平板122可由適宜導電材料製成以自饋送結構110傳導射頻能量及直流能量。
導電構件125可為管形構件，該管形構件具有第一端126，在源分配平板122之週邊邊緣附近將該第一端耦接至源分配平板122之面向目標的表面128。導電構件125進一步包括第二端130，在目標材料106之週邊邊緣附近將該第二端耦接至目標材料106之面向源分配平板的表面132(或耦接至目標材料106之背板146)。
可提供接地屏蔽140以覆蓋腔室蓋134之外表面。可將接地屏蔽140例如經由腔室主體136之接地連接耦接至接地。在一些實施例中，接地屏蔽140可具有中央開口以允 許饋送結構110穿過接地屏蔽140而得以耦接至源分配平板122。接地屏蔽140可包含任何適宜導電材料，諸如鋁、銅或類似材料。在接地屏蔽140與源分配平板122、導電構件125及目標材料106(及/或背板146)之外表面之間提供絕緣間隙139，以防止射頻能量及直流能量直接路由至接地。絕緣間隙可填充有空氣或一些其他適宜介電材料，諸如陶瓷、塑膠或類似材料。
腔室主體136含有用於在基板支撐基座上接收基板104的基板支撐基座102。基板支撐基座102可位於接地外殼壁108內，該接地外殼壁可為腔室壁(如圖所示)或接地屏蔽。接地屏蔽140可覆蓋目標材料106上方的製程腔室100之至少一些部分。
製程屏蔽150沿上腔室適配器142的壁及外殼壁108向下延伸至基板支撐基座102之頂表面下方，及向上返回直至到達基板支撐基座102之頂表面上。當基板支撐基座102處於該基板支撐基座之下裝載位置時，覆蓋環186放置在向上延伸的製程屏蔽150之內部部分188之頂部上，但當基板支撐基座102處於上沈積位置時，覆蓋環186放置在基板支撐基座102之外部週邊上以保護基板支撐基座102免受濺射沈積。
儘管上文所述係針對本發明之實施例，但是可在不脫離本發明之基本範疇的情況下設計出本發明之其他及進一步實施例。
106‧‧‧目標材料
138‧‧‧目標組件
146‧‧‧背板
200‧‧‧第一側
202‧‧‧第二側
204‧‧‧槽縫
206‧‧‧柱坑孔
218‧‧‧第一線性表面
220‧‧‧第二線性表面
222‧‧‧弧形表面
224‧‧‧外部週邊

Claims (20)

  1. 一種供具有一製程屏蔽的一基板處理腔室中使用之目標組件，該目標組件包含：一背板，具有一第一側及一相對的第二側，其中該第二側包含具有一第一直徑的一第一表面，藉由一第一邊緣約束該第一表面；一目標材料，具有黏合至該背板之該第一表面的一第一側；其中該第一邊緣為該背板與該目標材料之間的一界面；以及複數個槽縫，沿該背板之一外部週邊安置以在使用期間相對於該製程屏蔽對準該目標組件，其中在該背板之該第一側中形成該等複數個槽縫及該等複數個槽縫僅部分延伸至該背板中。
  2. 如請求項1所述之目標組件，其中該目標材料為鈦、鈷、鉭或銅中之一者。
  3. 如請求項1所述之目標組件，其中該背板之厚度介於約0.50吋至約0.62吋之間。
  4. 如請求項1所述之目標組件，其中該背板包含一導電材料。
  5. 如請求項1所述之目標組件，該目標組件進一步包含：一凹槽，沿該等複數個槽縫與該第一邊緣之間的該第二側之一外部週邊安置；及一密封件，安置於該凹槽中。
  6. 如請求項1所述之目標組件，其中該第一直徑為約17.10吋至約17.60吋。
  7. 如請求項1所述之目標組件，其中該目標材料之一外緣為錐形以在按一弧形旋轉該目標組件至該製程屏蔽上時，避免接觸該製程屏蔽之一內表面。
  8. 如請求項1至7中任一項所述之目標組件，其中該等複數個槽縫為三個槽縫。
  9. 如請求項8所述之目標組件，其中一第一槽縫之一中心與一第二槽縫之一中心相距約115度定位及其中該第二槽縫之該中心與一第三槽縫之一中心相距約115度定位。
  10. 如請求項9所述之目標組件，其中該第一槽縫及該第二槽縫在該第三槽縫前嚙合該製程屏蔽。
  11. 如請求項10所述之目標組件，其中該第一槽縫、該第二槽縫及該第三槽縫嚙合該製程屏蔽，以與該製程屏蔽之一內表面間隔一第一距離對準該目標材料之一外緣。
  12. 如請求項1至7中任一項所述之目標組件，該目標組件進一步包含複數個柱坑孔，沿該背板之一外部週邊安置該等柱坑孔，該等柱坑孔自該背板之該第一側延伸直至該背板之該第二側。
  13. 如請求項1至7中任一項所述之目標組件，其中每個槽縫包含與一第二線性表面平行之一第一線性表面，及其中藉由一弧形表面連接該第一線性表面及該第二線性表面。
  14. 如請求項13所述之目標組件，其中該第一線性表面與該第二線性表面之間的一距離為約0.75吋至約1.00吋。
  15. 一種基板處理腔室，該腔室包含：一腔室主體，具有一內容積；一腔室蓋，安置於該腔室主體的頂部上，其中該腔室蓋包含一旋轉軸，該旋轉軸經配置以將該腔室蓋旋轉至該腔室主體上；一製程屏蔽，安置於該腔室主體內且位於該腔室蓋下方；以及一目標組件，耦接至該腔室蓋之一下表面，該下表面在該腔室蓋處於一關閉位置中時面向該內容積，該目標組件包含： 一背板，具有一第一側及一相對的第二側，其中該第二側包含具有一第一直徑的一第一表面，藉由一第一邊緣約束該第一表面；一目標材料，具有黏合至該背板之該第一表面的一第一側；其中該第一邊緣為該背板與該目標材料之間的一界面；以及複數個槽縫，沿該背板之一外部週邊安置以在該蓋處於該關閉位置中時相對於該製程屏蔽對準該目標組件；其中在該背板之該第一側中形成該等複數個槽縫及該等複數個槽縫僅部分延伸至該背板中。
  16. 如請求項15所述之基板處理腔室，其中該等複數個槽縫為三個槽縫。
  17. 如請求項16所述之基板處理腔室，其中一第一槽縫之一中心與一第二槽縫之一中心相距約115度定位及其中該第二槽縫之該中心與一第三槽縫之一中心相距約115度定位。
  18. 如請求項15至17中任一項所述之基板處理腔室，其中每個槽縫包含與一第二線性表面平行之一第一線性表面，及其中藉由一弧形表面連接該第一線性表面及該第二線性表面。
  19. 如請求項18所述之基板處理腔室，其中該第一線性表面與該第二線性表面之間的一距離為約0.75吋至約1.00吋。
  20. 如請求項15至17中任一項所述之基板處理腔室，其中該目標材料之一外緣為錐形以在按一弧形旋轉該目標組件至該製程屏蔽上時，避免接觸該製程屏蔽之一內表面。
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