TW201437340A

TW201437340A - 液晶組成物及使用其之液晶顯示元件

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Publication number: TW201437340A
Application number: TW102110583A
Authority: TW
Inventors: Joji Kawamura; Masahiro Niwa; Makoto Negishi; Yoshinori Iwashita
Original assignee: Dainippon Ink & Chemicals
Priority date: 2013-03-26
Filing date: 2013-03-26
Publication date: 2014-10-01
Also published as: TWI510601B

Abstract

一種液晶組成物，其係含有1種或2種以上的下述通式(i)所表示的化合物，含有1種或2種以上的下述通式(ii)所表示的化合物，且不含有具有氯原子為取代基之化合物的液晶組成物，□□(式中，Ri1、Ri2及Rii1各自獨立表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接之2個以上的-CH2-各自獨立一可以-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，該烷基中的氫原子亦可以氟原子取代，n表示1、2或3，Xi1、Xi2、Xi3及Xi4各自獨立表示氫原子或氟原子，Aii1表示反-1,4-伸環己基、或氫原子亦可以氟原子取代的1,4-伸苯基，n表示2或3的情形，Aii1可為相同亦可為不同，Zii1表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2CH2-、-CF2O-或-OCF2-，n表示2或3的情形，Zii1可為相同亦可為不同)。

Description

液晶組成物及使用其之液晶顯示元件

本發明係關於作為液晶顯示材料為有用的介電係數各向異性(△ε)顯示正值的向列型液晶組成物及使用其之液晶顯示元件。

液晶顯示元件係使用於以鐘錶、計算機為首的各種測定機器、汽車用儀表板、文書處理機、電子筆記本、印表機、電腦、電視、鐘錶、廣告顯示板等。作為液晶顯示方式，其代表性者有TN(扭轉向列)型、STN(超扭轉向列)型、使用TFT(薄膜電晶體)之垂直配向型與IPS(面內切換)型等。用於此等液晶顯示元件之液晶組成物係被要求對於水分、空氣、熱、光等的外在刺激為穩定的，又，能盡量在以室溫為中心的較廣溫度範圍內顯示液晶相，低黏性、且驅動電壓低。再者液晶組成物為了就各個顯示元件使介電係數各向異性(△ε)與折射率各向異性(△n)等為最適宜的數值，而由數種類至數十種類的化合物所構成。

垂直配向(VA)型顯示器係使用△ε為負的液晶組成物，TN型、STN型或IPS(面內切換)型等的水平配向型顯示器則使用△ε為正的液晶組成物。又，也已報告有藉由在無施加電壓時使△ε為正的液晶組成物呈垂直配向，並施加橫向電場以進行顯示的驅動方式，使得△ε為正的液晶組成物的必要性更為提升。另一方面，在全部的驅動方式中均要求低電壓驅動、高速應答、較廣的動作溫度範圍。亦即，其係要求△ε為正且絕對值大、黏度(η)小、高向列相-各向同性液體相轉移溫度(Tni)。又，為了將作為△n與晶胞間隙(d)的積之△n×d設定在規定值內，必須將液晶組成物的△n配合晶胞間隙而設定在適當的範圍內。此外由於在液晶顯示元件被應用於電視等之情形中高速應答性被認為是重要的，所以要求旋轉黏性(γ1)小的液晶組成物。

作為以高速應答性為目標的液晶組成物之結構，已揭露有例如將△ε為正的液晶化合物之下述式(A-1)或是下述式(A-2)所表示的化合物、及△ε為中性的液晶化合物之下述式(B)所表示的化合物加以組合而使用的液晶組成物。此等液晶組成物的特徵在於：△ε為正的液晶化合物具有-CF₂O-構造、及△ε為中性的液晶化合物具有烯基。此等特徵在液晶組成物的領域係廣為人知的(專利文獻1~4)。

另一方面，液晶顯示元件的用途已被擴大了，且也觀察到其使用方法、製造方法有很大的變化。為了對應此等變化，而要求將以往已知的基本物性值以外的特性加以最佳化。亦即，使用液晶組成物的液晶顯示元件已廣泛使用了VA型與IPS型等，其大小也已使用到能實現50型以上的超大型尺寸之顯示元件。伴隨基板尺寸的大型化，朝液晶組成物的基板注入的方法也有了變化，從以往的真空注入法而改為以滴下注入(ODF：One Drop Fill)法為注入方法的主流。然而，也使得液晶組成物滴下至基板時的滴下痕會導致顯示等級降低的問題被表面化了。再者，在利用ODF法而製造液晶顯示元件的步驟中，必須按照液晶顯示元件的尺寸而滴下最適當的量。若滴下量的偏差與最適值差很大時，事先設計的液晶顯示元件之折射率與驅動電場之平衡崩解，且會產生斑發生與對比不良等的顯示不良。尤其是最近流行的智慧型手機中大多使用的小型液晶顯示元件，由於最適當的液晶滴下量較少，所以其本身難以將與最適值的偏差控制在一定的範圍內。因此，為了提高保持液晶顯示元件的製造良率，而要求液晶組成物例如因液晶滴下時產生的滴下裝置內急遽的壓力變化與衝撃所造成的影響少，經過長時間仍能連續穩定的滴下。

如此，以TFT元件等驅動之主動矩陣驅動液晶顯示元件中所使用的液晶組成物，係要求開發：能維持作為高速應答性能等的液晶顯示元件所要求的特性與性能的同時，除了以往所重視的高比電阻值、高電壓保持率、對於光與熱等外部刺激之穩定性的特性外，還考慮到液晶顯示元件的製造方法。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2008-037918號公報

[專利文獻2]日本特開2008-038018號公報

[專利文獻3]日本特開2010-275390號公報

[專利文獻4]日本特開2011-052120號公報

本發明所欲解決的課題係提供一種△ε為正的液晶組成物，其能良率良好地製造具有廣溫度範圍的液晶相、黏性小、低溫的溶解性良好、比電阻與電壓保持率高、對於熱與光為穩定的、殘影與滴下痕等的顯示不良不易發生、顯示等級優異的液晶顯示元件，及使用該液晶組成物之液晶顯示元件。

本案發明人藉由研究各式各樣的液晶化合物及各式各樣的化學物質、並組合特定的液晶化合物，發現能解決前述課題，而完成本發明。亦即，本發明之第一態樣為以下的液晶組成物，本發明之第二態樣為以下的液晶元件。

[1]一種液晶組成物，其係含有1種或2種以上的下述通式(i)所表示的化合物，含有1種或2種以上的下述通式(ii)所表示的化合物，且不含有具有氯原子為取代基之化合物，

(式中，Rⁱ¹、Rⁱ²及Rⁱⁱ¹各自獨立表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接之2個以上的-CH₂-各自獨立一可以-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，該烷基中的氫原子亦可以氟原子取代，n表示1、2或3，Xⁱ¹、Xⁱ²、Xⁱ³及Xⁱ⁴各自獨立表示氫原子或氟原子，Aⁱⁱ¹表示反-1,4-伸環己基、或氫原子亦可以氟原子取代的1,4-伸苯基，n表示2或3的情形，Aⁱⁱ¹可為相同亦可為不同，Zⁱⁱ¹表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH₂CH₂-、-CF₂O-或-OCF₂-，n表示2或3的情形，Zⁱⁱ¹可為相同亦可為不同)。

[2]如前述[1]所記載的液晶組成物，其中前述通式(i)中的Xⁱ²為氟原子。

[3]如前述[1]或[2]所記載的液晶組成物，其中前述通式(i)中的Rⁱ¹及Rⁱ²之至少一者為丙基。

[4]如前述[1]至[3]中任一項所記載的液晶組成物，其中前述通式(ii)中的n為2，Aⁱⁱ¹之至少一者為反-1,4-伸環己基。

[5]如前述[1]至[4]中任一項所記載的液晶組成物，其中前述通式(ii)中的Zⁱⁱ¹為單鍵。

[6]如前述[1]至[5]中任一項所記載的液晶組成物，其係具有2種以上的前述通式(ii)所表示的化合物。

[7]如前述[1]至[6]中任一項所記載的液晶組成物，其中含有下述通式(L)所表示的化合物。

(式中，R^L1及R^L2各自獨立表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接之2個以上的-CH₂-各自獨立一可以-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，OL表示0、1、2或3，B^L1、B^L2及B^L3各自獨立表示由下述之群組中選出之基：(a)1,4-伸環己基(該基中存在的1個-CH₂-或沒有鄰接之2個以上的-CH₂-亦可被取代為-O-)及(b)1,4-伸苯基(該基中存在的1個-CH=或沒有鄰接之2個以上的-CH=亦可被取代為-N=)

上述的基(a)、基(b)中的1個或2個以上的氫原子亦可各自獨立以氰基、或氟原子取代，L^L1及L^L2各自獨立表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，OL為2或3且L^L2複數存在的情形，彼等可為相同亦可為不同，OL為2或3且B^L3複數存在的情形，彼等可為相同亦可為不同。但，通式(i)所表示的化合物除外)。

[8]如前述[1]至[7]中任一項所記載的液晶組成物，其係含有下述通式(M)所表示的化合物。

(式中，R^M1表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接之2個以上的-CH₂-各自獨立一可以-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，PM表示0、1、2、3或4，C^M1及C^M2各自獨立表示由下述之群組中選出之基：(d)1,4-伸環己基(該基中存在的1個-CH₂-或沒有鄰接之2個以上的-CH₂-亦可被取代為-O-或-S-)及(e)1,4-伸苯基(該基中存在的1個-CH=或沒有鄰接之2個以上的-CH=亦可被取代為-N=)

上述的基(d)、基(e)中的1個或2個以上的氫原子亦可各自獨立以氰基、或氟原子取代， K^M1及K^M2各自獨立表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-、-CF₂O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，PM為2、3或4且K^M1複數存在的情形，彼等可為相同亦可為不同，PM為2、3或4且C^M2複數存在的情形，彼等可為相同亦可為不同，X^M1及X^M3各自獨立表示氫原子或氟原子，X^M2表示氫原子、氟原子、氰基、三氟甲基、氟基甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基。但，通式(ii)所表示的化合物除外)

[9]一種液晶顯示元件，其係使用如前述[1]至[8]中任一項所記載的液晶組成物而成。

[10]一種IPS模式、OCB模式、ECB模式、VA模式、VA-IPS模式或FFS模式用液晶顯示元件，其係使用如前述[1]至[8]中任一項所記載的液晶組成物而成。

[11]一種液晶顯示器，其係使用如前述[8]或[9]所記載的液晶顯示元件而成。

具有本發明之正的介電係數各向異性的液晶組成物具有比以往還低的黏性、低溫的溶解性良好、且其比電阻與電壓保持率因熱與光而變化的程度非常的小。因此，本發明之液晶組成物於液晶製品的實用性(適用性)高，且使用前述液晶組成物之IPS型與FFS型等的液晶顯示元件可達成高速應答。又，因為即使在經歷液晶顯示元件之製造步驟後，本發明之液晶組成物仍可穩定地發揮其性能，而且由於能夠抑制起因於製造步驟的顯示不良，且可高良率地製造液晶顯示元件的緣故，所以非常的有用。

100‧‧‧第1基板

102‧‧‧TFT層

103‧‧‧像素電極

104‧‧‧鈍化膜

105‧‧‧第1配向膜

200‧‧‧第2基板

201‧‧‧平坦化膜(保護層)

202‧‧‧黑色矩陣

203‧‧‧彩色濾光片

203a‧‧‧紅色彩色濾光片

203b‧‧‧綠色彩色濾光片

203c‧‧‧藍色彩色濾光片

204‧‧‧透明電極

205‧‧‧第2配向膜

301‧‧‧密封材

302‧‧‧突起(柱狀間隔片)

303‧‧‧液晶層

304‧‧‧突起(柱狀間隔片)

401‧‧‧遮罩圖案

402‧‧‧樹脂層

L‧‧‧光

圖1為本發明之液晶顯示元件的剖面圖。將具備100~105之基板稱為「背板」，具備200~205之基板稱為「前面板」。

圖2為使用在黑色矩陣上形成之柱狀間隔片作成用圖案作為遮罩光罩圖案的曝光處理步驟的圖。

[實施發明之形態]

又，以下的組成物中「%」若沒有特別明示的話，係意味著『質量%』。

本案發明之液晶組成物係含有1種或2種以上的下述通式(i)所表示的化合物，含有1種或2種以上的下述通式(ii)所表示的化合物，且不含有具有氯原子為取代基之化合物。

(式中，Rⁱ¹、Rⁱ²及Rⁱⁱ¹各自獨立表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接之2個以上的-CH₂- 各自獨立一可以-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，該烷基中的氫原子亦可以氟原子取代，n表示1、2或3，Xⁱ¹、Xⁱ²、Xⁱ³及Xⁱ⁴各自獨立表示氫原子或氟原子，Aⁱⁱ¹表示反-1,4-伸環己基、或氫原子亦可以氟原子取代的1,4-伸苯基，n表示2或3的情形，Aⁱⁱ¹可為相同亦可為不同，Zⁱⁱ¹表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH₂CH₂-、-CF₂O-或-OCF₂-，n表示2或3的情形，Zⁱⁱ¹可為相同亦可為不同)

<通式(i)所表示的化合物>

前述通式(i)中，Xⁱ²較佳為氟原子，Xⁱ¹、Xⁱ³及Xⁱ⁴較佳為氫原子。

前述通式(i)中，Rⁱ¹及Rⁱ²係以碳原子數1~8之直鏈的烷基或碳原子數2~8之直鏈的烯基為佳，以碳原子數2~5之直鏈的烷基或碳原子數2~5之直鏈的烯基為佳，以甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或下述之構造為佳。

(式中，環構造係在右端進行鍵結者)

在重視應答速度之改善的情形係以烯基為佳，在重視成為液晶組成物之際的電壓保持率等可靠性的情形中，以烷基為佳。Rⁱ¹及Rⁱ²係其中之至少一者為丙基為佳，另一者為乙基或丙基為佳。

前述通式(i)所表示的化合物係可列舉通式(i-1)所表示的化合物。

(式中，R⁴¹及R⁴²各自獨立表示碳原子數1~5的烷基或碳原子數2~5的烯基)

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能而加以適當組合。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或在本發明之另一實施形態中為2種。

相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述通式(i-1)所表示的化合物的含量，以1~40質量%為佳，2~20質量%為較佳，4~15質量%為特佳。

通式(i-1)所表示的化合物係例如式(i-1-1.1)至式(i-1-1.9)所表示的化合物為佳，由於前述通式(i)中的Rⁱ¹及Rⁱ²之至少一者為丙基為佳，所以式(i-1-1.1)或式(i-1-1.3)所表示的化合物為較佳。

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，含有來自此等化合物中的1種~3種為佳，含有1種~2種為進一步較佳。又，因為選擇之化合物的分子量分布廣的話對於溶解性為有效的緣故，故例如選擇來自式(i-1-1.1)及(i-1-1.2)所表示的化合物之1種、來自式(i-1-1.4)及(i-1-1.5)所表示的化合物之1種、來自式(i-1-1.6)及式(i-1-1.7)所表示的化合物之1種、來自式(i-1-1.8)及(i-1-1.9)所表示的化合物之1種的化合物，將此等適當組合為佳，(i-1-1.1)與(i-1-1.4)的組合、(i-1-1.1)單獨、(i-1-1.3)單獨為佳。

在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，式(i-1-1.1)所表示的化合物的含量係以1~40質量%為佳，2~20質量%為較佳，3~10質量%為較佳，4~7質量%為特佳。

在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，式(i-1-1.3)所表示的化合物的含量係以1~40質量為佳，2~20質量%為較佳，4~15質量%為較佳，6~12質量%為特佳。

在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，式(i-1-1.4)所表示的化合物的含量係以1~40質量%為佳，2~20質量%為較佳，4~10質量%為特佳。

又，通式(i-1)所表示的化合物係從例如通式(i-1-2)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

<通式(ii)所表示的化合物>

前述通式(ii)中，Rⁱⁱ¹係以碳原子數1~8的烷基或碳原子數2~8之直鏈的烯基為佳，碳原子數2~5之直鏈的烷基或碳原子數2~5之直鏈的烯基為佳，乙基、丙基、丁基、戊基或下述之構造為佳，乙基、丙基或戊基為特佳。

(式中，環構造係在右端進行鍵結者)

在重視應答速度之改善的情形係以烯基為佳，在重視成為液晶組成物之際的電壓保持率等可靠性的情形中，以烷基為佳。

前述通式(ii)中，n為1、2或3，2為佳。再者，n為2且Aⁱⁱ¹之至少一者為反-1,4-伸環己基為佳。

前述通式(ii)中，Zⁱⁱ¹為單鍵為佳。

前述通式(ii)所表示的化合物係以下述通式(ii-1)所表示的化合物為佳。

(式中，R¹⁴表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)

通式(ii-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有3~30質量%為佳，5~25質量%為較佳，7~20質量%為特佳。

通式(ii-1)所表示的化合物，具體而言係以式(ii-1.1)至式(ii-1.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(ii-1.2)及/或式(ii-1.4)所表示的化合物為佳。

通式(ii-1.2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1~20質量%為佳，2~17質量%為較佳，3~15質量%為較佳，5~12質量%為特佳。

通式(ii-1.4)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1~20質量%為佳，2~10質量%為較佳，3~8質量%為特佳。

又，通式(ii)所表示的化合物係以通式(ii-2)所表示的化合物為佳。

通式(ii-2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有5質量%以上30質量%以下為佳，9質量%以上27質量%以下為較佳，12質量%以上24質量%以下為進一步較佳，12質量%以上20質量%以下為特佳。

再者，通式(ii-2)所表示的化合物，具體而言係以式(ii-2.1)至式(ii-2.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(ii-2.2)及/或式(ii-2.4)所表示的化合物為佳。

又，前述通式(ii)所表示的化合物係以下述通式(ii-3)所表示的化合物為佳。

(式中，R⁹表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)

通式(ii-3)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1質量%以上30質量%以下為佳，3質量%以上20質量%以下為較佳，6質量%以上15質量%以下為進一步較佳，8質量%以上10質量%以下為特佳。

再者，通式(ii-3)所表示的化合物係以式(ii-3.1)至式(ii-3.6)所表示的化合物為佳，式(ii-3.1)及/或式(ii-3.3)所表示的化合物為佳。

又，前述通式(ii)所表示的化合物係以下述通式(ii-4)所表示的化合物為佳。

(式中，R¹⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)

能加以組合的化合物並未特別限制，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，以組合1種至2種以上為佳。

通式(ii-4)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1質量%以上為佳，2質量%以上為較佳，6質量%以上為進一步較佳。又，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，將最大比率限制在20質量%以下為佳，16質量%以下為進一步較佳，12質量%以下為較佳，10質量%以下為特佳。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(ii-4)所表示的化合物，具體而言係以式(ii-4.1)至式(ii-4.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(ii-4.2)所表示的化合物為佳。

又，前述通式(ii)所表示的化合物係以下述通式(ii-5)所表示的化合物為佳。

(式中，R⁸表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所期望的性能而加以組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或在本發明之另一實施形態中為2種。或者，在本發明之再另一實施形態中為3種以上。

通式(ii-5)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，以2.5質量%以上25質量%以下為佳，8質量%以上25質量%以下為佳，10質量%20質量%以下為較佳，12質量%以上15質量%以下為進一步較佳。

再者，通式(ii-5)所表示的化合物係以式(ii-5.1)至式(ii-5.4)所表示的化合物為佳，式(ii-5.2)所表示的化合物為佳。

又，前述通式(ii)所表示的化合物係以下述通式(ii-6)所表示的化合物為佳。

(式中，R¹¹⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)

能加以組合的化合物並未特別限制，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，可按實施形態而加以適當組合。例如，在本發明之一實施形態中為1種、在另一實施形態中為2種、在再另一實施形態中為3種以上加以組合。

通式(ii-6)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1質量%以上20質量%以下為佳，3質量%以上20質量%以下為較佳，4質量%以上20質量%以下為進一步較佳，6質量%以上15質量%以下為進一步較佳，9質量%以上12質量%以下為特佳。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(ii-6)所表示的化合物，具體而言係以式(ii-6.1)至式(ii-6.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(ii-6.2)至式(ii-6.4)所表示的化合物為佳，含有式(ii-6.2)所表示的化合物為較佳。

實施例中係如後所述，本發明之液晶組成物由於不含有具有氯原子為取代基之化合物，所以與含有具有氯原子為取代基之化合物的液晶組成物相比，Tni高、可靠性提升、而且黏度等各物性也提升了。

(i)與(ii)的組合，係以組合式(i-1-1.3)、式(ii-1.2)及式(ii-1.4)所表示的化合物為佳，組合式(i-1-1.1)及式(ii-1.2)所表示的化合物為佳。

在組合式(i-1-1.3)、式(ii-1.2)及式(ii-1.4)所表示的化合物的情形中，此等化合物的合計含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有10質量%以上30質量%以下為佳，15質量%以上25質量%以下為佳，17質量%以上23質量%以下為佳，18質量%以上22質量%以下為佳。

在組合式(i-1-1.1)及式(ii-1.2)所表示的化合物的情形中，此等化合物的合計含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有10質量%以上25質量%以下為佳，11質量%以上20質量%以下為佳，13質量%以上19質量%以下為佳，11質量%以上20質量%以下為佳，10質量% 以上25質量%以下為佳。

本發明之液晶組成物亦可含有1種或2種以上的通式(L)所表示的化合物。

上述的基(a)、基(b)中的1個或2個以上的氫原子亦可各自獨立以氰基、或氟原子取代，L^L1及L^L2各自獨立表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，OL為2或3且L^L2複數存在的情形，彼等可為相同亦可為不同，OL為2或3且B^L3複數存在的情形，彼等可為相同亦可為不同。但，通式(i)所表示的化合物除外)

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所期望的性能而加以適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或在本發明之另一實施形態中為2種。又，在本發明之另一實施形態中為3種。再者，在本發明之另一實施形態中為4種。再者，在本發明之另一實施形態中為5種。再者，在本發明之另一實施形態中為6種。再者，在本發明之另一實施形態中為7種。再者，在本發明之另一實施形態中為8種。再者，在本發明之另一實施形態中為9種。再者，在本發明之另一實施形態中為10種以上。

本發明之液晶組成物中，通式(L)所表示的化合物的含量，必須按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電係數各向異性等所要求的性能而加以適當調整。

相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如作為本發明之一實施形態為1~95質量%。或在本發明之另一實施形態中前述含量為10~95質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為20~95質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為30~95質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為40~95質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為50~95質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為55~95質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為60~95質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為65~95質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為70~95質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為75~95質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為80~95質量%。

再者，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如在本發明之一形態中為1~95%。又，在本發明之另一實施形態中為前述含量係以1~85%。再者，在本發明之另一實施形態中為前述含量係以1~75%。再者，在本發明之另一實施形態中為前述含量係以1~65%。再者，在本發明之另一實施形態中為前述含量係以1~55%。再者，在本發明之另一實施形態中為前述含量係以1~45%。再者，在本發明之另一實施形態中為前述含量係以1~35%。再者，在本發明之另一實施形態中為前述含量係以1~25%。

在降低保持本發明之液晶組成物的黏度、應答速度快速的液晶組成物為必要的情形，上述的下限值高且上限值高為佳。再者，提高保持本發明之液晶組成物的Tni、溫度穩定性良好的液晶組成物為必要的情形，上述的下限值高且上限值高為佳。又，為了降低保持驅動電壓而欲增大介電係數各向異性時，降低上述的下限值且上限值低為佳。

R^L1及R^L2在其鍵結的環構造為苯基(芳香族)的情形中，以直鏈狀的碳原子數1~5的烷基、直鏈狀的碳原子數1~4(或其以上)的烷氧基及碳原子數4~5的烯基為佳，在其鍵結之環構造為環己烷、吡喃及二烷等飽和的環構造之情形中，以直鏈狀的碳原子數1~5的烷基、直鏈狀的碳原子數1~4(或其以上)的烷氧基及直鏈狀的碳原子數2~5的烯基為佳。

通式(L)所表示的化合物係例如從通式(I)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

R¹¹-A¹¹-A¹²-R¹² (I)

(式中，R¹¹及R¹²各自獨立表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數1~5的烷氧基或碳原子數2~5的烯基，A¹¹及A¹²各自獨立表示1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟基-1,4-伸苯基或3-氟基-1,4-伸苯基)

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能而加以適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或在本發明之另一實施形態中為2種。又，在本發明之另一實施形態中為3種。再者，在本發明之另一實施形態中為4種。再者，在本發明之另一實施形態中為5種。再者，在本發明之另一實施形態中為6種以上。

本發明之液晶組成物中，通式(I)所表示的化合物的含量，必須按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電係數各向異性等所要求的性能而加以適當調整。

相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如作為本發明之一實施形態為3~75質量%。或在本發明之另一實施形態中前述含量為15~75質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為18~75質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為20~75質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為29~75質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為35~75質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為42~75質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為47~75質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為53~75質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為56~75質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為60~75質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為65~75質量%。

再者，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述含量係例如在本發明之一形態中為3~75質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~65質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~55質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~45質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~35質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~30質量%。

在降低保持本發明之液晶組成物的黏度、應答速度快速的液晶組成物為必要的情形，上述的下限值高且上限值高為佳。再者，提高保持本發明之液晶組成物的Tni、溫度穩定性良好的液晶組成物為必要的情形，上述的下限值為適度中等的且上限值為適度中等的為佳。又，為了降低保持驅動電壓而欲增大介電係數各向異性時，降低上述的下限值且上限值低為佳。

再者，通式(I)所表示的化合物係從通式(I-1)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(式中，R¹¹及R¹²各自獨立表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數1~5的烷氧基或碳原子數2~5的烯基)

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能而加以適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或在本發明之另一實施形態中為2種。又，在本發明之另一實施形態中為3種。再者，在本發明之另一實施形態中為4種。再者，在本發明之另一實施形態中為5種以上。

本發明之液晶組成物中，通式(I-1)所表示的化合物的含量，必須按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電係數各向異性等所要求的性能而加以適當調整。

相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如作為本發明之一實施形態為、前述含量為3~70質量%。或在本發明之另一實施形態中前述含量為15~70質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為18~70質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為25~70質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為29~70質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為31~70質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為35~70質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為43~70質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為47~70質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為50~70質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為53~70質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為56~70質量%。

相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如在本發明之一形態中為前述含量為3~70質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~45質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~35質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~30質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~26質量%。

再者，通式(I-1)所表示的化合物係從通式(I-1-1)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(式中R¹²各自獨立表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~5的烷氧基)

本發明之液晶組成物中，通式(I-1-1)所表示的化合物的含量，必須按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電係數各向異性等所要求的性能而加以適當調整。

相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如作為本發明之一實施形態為2~60質量%。或在本發明之另一實施形態中前述含量為4~60質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為7~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為11~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為13~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為15~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為17~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為20~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為25~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為30~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為32~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為35~60質量%。

相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如在本發明之一形態中為2~60質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為2~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為2~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為2~35質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為2~30質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為2~25質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為2~20質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為2~15質量%。

再者，通式(I-1-1)所表示的化合物係以式(1.1)至式(1.3)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳，式(1.2)或式(1.3)所表示的化合物為佳，尤其是以式(1.3)所表示的化合物為佳。

在式(1.2)或式(1.3)所表示的化合物為各自單獨使用的情形，藉由提高式(1.2)所表示的化合物的含量可有改善應答速度的效果，使式(1.3)所表示的化合物的含量在示於下述之範圍內由於可得到應答速度快速且電氣的、光學的可靠性高的液晶組成物而為佳。

相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有2~35質量%的式(1.3)所表示的化合物為佳，含有2~25質量%為較佳，含有3~15質量%以下為特佳。式(1.3)所表示的化合物的含量，例如在本發明之一形態中為3~7質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為8~12質量%。

再者，通式(I-1)所表示的化合物係從通式(I-1-2)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(式中R¹²各自獨立表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數1~5的烷氧基或碳原子數2~5的烯基)

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能而加以適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或在本發明之另一實施形態中為2種。又，在本發明之另一實施形態中為3種。

本發明之液晶組成物中，通式(I-1-2)所表示的化合物的含量，必須按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電係數各向異性等所要求的性能而加以適當調整。

相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述通式(I-1-2)所表示的化合物的含量，以2~60質量%為佳，3~55質量%為較佳，3~48質量%為特佳。式(I-1-2)所表示的化合物的含量，例如在本發明之一形態中為3~7質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為40~48質量%。

再者，通式(I-1-2)所表示的化合物係以從式(2.1)至式(2.4)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳，式(2.2)至式(2.4)所表示的化合物為佳。尤其是式(2.2)所表示的化合物因為特別改善了本發明之液晶組成物的應答速度而為佳。又，在要求比應答速度還高的Tni時，使用式(2.3)或式(2.4)所表示的化合物為佳。式(2.3)及式(2.4)所表示的化合物的含量，為了使低溫的溶解度良好而設定為20%以上故為不佳。

本發明之液晶組成物中，式(2.2)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有5~55質量%為佳，15~50質量%為較佳，25~48質量%為較佳，30~48質量%為較佳，40~48質量%為特佳。

本發明之液晶組成物中，式(2.4)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1~20質量%為佳，2~15質量%為較佳，3~8質量%為特佳。

本案發明之液晶組成物亦可進一步含有具有與通式(I-1-2)所表示的化合物類似的構造之式(2.5)所表示的化合物。

按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能而調整式(2.5)所表示的化合物的含量為佳，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有該化合物11質量%以上為佳，含有15質量%為進一步較佳，含有23質量%為進一步較佳，含有26質量%以上為更佳，含有28質量%以上為特佳。

再者，通式(I)所表示的化合物係從通式(I-2)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(式中，R¹³及R¹⁴各自獨立表示碳原子數1~5的烷基)

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能而加以適當組合。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或在本發明之另一實施形態中為2種。又，在本發明之另一實施形態中為3種。

本發明之液晶組成物中，通式(I-2)所表示的化合物的含量，必須按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電係數各向異性等所要求的性能而加以適當調整。

相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如作為本發明之一實施形態為3~60質量%。或在本發明之另一實施形態中前述含量為4~60質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為15~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為25~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為30~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為35~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為38~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為40~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為42~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為45~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為47~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為50~60質量%。

再者，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如在本發明之一形態中為3~60質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~55質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~45質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~30質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~20質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~15質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~5質量%。

再者，通式(I-2)所表示的化合物係從式(3.1)至式(3.4)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳，式(3.1)、式(3.3)或式(3.4)所表示的化合物為佳。尤其是式(3.2)所表示的化合物因為特別改善了本發明之液晶組成物的應答速度而為佳。又，在要求比應答速度還高的Tni時，使用式(3.3)或式(3.4)所表示的化合物為佳。式(3.3)及式(3.4)所表示的化合物的含量，為了使低溫的溶解度良好而設定為20%以上故為不佳。

再者，通式(I-2)所表示的化合物係以式(3.1)至式(3.4)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳，式(3.1)、式(3.3)及/或式(3.4)所表示的化合物為佳。

本發明之液晶組成物中，式(3.3)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有2質量%以上40質量%以下為佳。較佳的含量，可列舉例如：3質量%以上40質量%以下、4質量%以上40質量%以下、或著、3質量%以上5質量%以下、3質量%以上10質量%以下、3質量%以上12質量%以下、3質量%以上14質量%以下、3質量%以上16質量%以下、3質量%以上20質量%以下、3質量%以上23質量%以下、3質量%以上26質量%以下、3質量%以上30質量%以下、3質量%以上34質量%以下、3質量%以上37質量%以下。

再者，通式(I)所表示的化合物係從通式(I-3)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(式中，R¹³表示碳原子數1~5的烷基，R¹⁵表示碳原子數1~4的烷氧基)

本發明之液晶組成物中，通式(I-3)所表示的化合物的含量，必須按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電係數各向異性等所要求的性能而加以適當調整。

相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如作為本發明之一實施形態為3質量%。或在本發明之另一實施形態中前述含量為4~60質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為15~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為25~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為30~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為35~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為38~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為40~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為42~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為45~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為47~60質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為50~60質量%。

再者，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如在本發明之一形態中為前述含量為3~60質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~55質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~45質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~30質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~20質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~15質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~5質量%。

在重視低溫的溶解性之情形若多設定些含量則效果較高，相反地，在重視應答速度之情形若少設定些含量則效果較高。再者，在改良滴下痕與殘影特性的情形，將含量的範圍設定在中間為佳。

再者，通式(I-3)所表示的化合物係從式(4.1)至式(4.3)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳，式(4.3)所表示的化合物為佳。

式(4.3)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有2質量%以上30質量%以下為佳，4質量%以上30質量%以下為較佳，6質量%以上30質量%以下為較佳，8質量%以上30質量%以下為較佳，10質量%以上30質量%以下為較佳，12質量%以上30質量%以下為較佳，14質量%以上30質量%以下為較佳，16質量%以上30質量%以下為較佳，18質量%以上25質量%以下為較佳，20質量%以上24質量%以下為較佳，22質量%以上23質量%以下為特佳。

再者，通式(I)所表示的化合物係從通式(I-4)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(式中，R¹¹及R¹²各自獨立表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數4~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)

本發明之液晶組成物中，通式(I-4)所表示的化合物的含量，必須按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電係數各向異性等所要求的性能而加以適當調整。

相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如作為本發明之一實施形態為3~50質量%。或在本發明之另一實施形態中前述含量為5~50質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為6~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為8~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為10~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為12~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為15~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為20~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為25~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為30~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為35~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為40~50質量%。

再者，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如在本發明之一形態中為前述含量為、3~50質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為、3~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為、3~35質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為、3~30質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為、3~20質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為、3~15質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為、3~10質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為、3~5質量%。

在得到高雙折射率之情形若多設定些含量則效果較高，相反地，在重視高Tni之情形若少設定些含量則效果較高。再者，在改良滴下痕與殘影特性的情形，將含量的範圍設定在中間為佳。

再者，通式(I-4)所表示的化合物係從式(5.1)至式(5.4)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳，式(5.2)至式(5.4)所表示的化合物為佳。

式(5.4)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1~30質量%為佳，2~20質量%為較佳，3~10質量%為特佳。

再者，通式(I)所表示的化合物係從通式(I-5)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(式中，R¹¹及R¹²各自獨立表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)

本發明之液晶組成物中，通式(I-5)所表示的化合物的含量，必須按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電係數各向異性等所要求的性能而加以適當調整。

相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如作為本發明之一實施形態為1~50質量%。或在本發明之另一實施形態中前述含量為5~50質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為8~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為11~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為13~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為15~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為17~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為20~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為25~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為30~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為35~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為40~50質量%。

再者，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如在本發明之一形態中為1~50%。又，在本發明之另一實施形態中為前述含量係以1~40%。再者，在本發明之另一實施形態中為前述含量係以1~35%。再者，在本發明之另一實施形態中為前述含量係以1~30%。再者，在本發明之另一實施形態中為前述含量係以1~20%。再者，在本發明之另一實施形態中為前述含量係以1~15%。再者，在本發明之另一實施形態中為前述含量係以1~10%。再者，在本發明之另一實施形態中為前述含量係以1~5%。

再者，通式(I-5)所表示的化合物係從式(6.1)至式(6.6)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳，式(6.3)、式(6.4)及式(6.6)所表示的化合物為佳。

例如，式(6.3)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有2質量%以上30質量%以下為佳，4質量%以上30質量%以下為較佳，5質量%以上30質量%以下為較佳，6質量%以上30質量%以下為較佳，9質量%以上30質量%以下為較佳，10質量%以上30質量%以下為較佳。

本案發明之液晶組成物亦可進一步含有式(6.7)~式(6.9)所表示的化合物。

按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能而調整式(6.7)~式(6.8)所表示的化合物的含量為佳，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有該化合物2質量%以上為佳，含有3質量%以上為進一步較佳，含有4質量%以上為進一步較佳，含有5質量%以上為進一步較佳，含有7質量%以上為特佳。

再者，通式(I)所表示的化合物係從通式(I-6) 所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(式中，R¹¹及R¹²各自獨立表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數4~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X¹¹及X¹²各自獨立表示氟原子或氫原子，X¹¹或X¹²之中的任一者為氟原子)

通式(I-6)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有2質量%以上30質量%以下為佳，4質量%以上30質量%以下為較佳，5質量%以上30質量%以下為較佳，6質量%以上30質量%以下為較佳，9質量%以上30質量%以下為較佳，12質量%以上30質量%以下為較佳，14質量%以上30質量%以下為較佳，16質量%以上30質量%以下為較佳，18質量%以上25質量%以下為較佳，20質量%以上24質量%以下為較佳，22質量%以上23質量%以下為特佳。

再者，通式(I-6)所表示的化合物係以式(7.1)所表示的化合物為佳。

再者，通式(I)所表示的化合物係從通式(I-7)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(式中，R¹¹及R¹²各自獨立表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X¹²各自獨立表示氟原子或氫原子)

通式(I-7)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1質量%以上30質量%以下為佳，2質量%以上30質量%以下為較佳，3質量%以上30質量%以下為較佳，4質量%以上30質量%以下為較佳，6質量%以上30質量%以下為較佳，8質量%以上30質量%以下為較佳，10質量%以上30質量%以下為較佳，12質量%以上30質量%以下為較佳，15質量%以上25質量%以下為較佳，18質量%以上24質量%以下為較佳，21質量%以上22質量%以下為特佳。

再者，通式(I-7)所表示的化合物係以式(8.1)所表示的化合物為佳。

再者，通式(I)所表示的化合物係從通式(I-8)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(式中，R¹⁶及R¹⁷各自獨立表示碳原子數2~5的烯基)

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能，而組合1種至3種為佳。

通式(I-8)所表示的化合物的含量，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電係數各向異性等所要求的性能，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有5質量%以上65質量%以下為佳，10質量%以上65質量%以下為較佳，15質量%以上65質量%以下為較佳，20質量%以上65質量%以下為較佳，25質量%以上65質量%以下為較佳，30質量%以上65質量%以下為較佳，35質量%以上65質量%以下為較佳，40質量%以上65質量%以下為較佳，45質量%以上60質量%以下為較佳，50質量%以上58質量%以下為較佳，55質量%以上56質量%以下為特佳。

再者，通式(I-8)所表示的化合物係從式(9.1)至式(9.10)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳，式(9.2)、式(9.4)及式(9.7)所表示的化合物為佳。

再者，通式(L)所表示的化合物係從例如通式(II)所表示的化合物中所選出的化合物為佳。

(R²¹及R²²各自獨立表示碳原子數2~5的烯基、碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基，A²表示1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，Q²表示單鍵、-COO-、-CH₂-CH₂-或-CF₂O-)

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能而加以適當組合。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或在本發明之另一實施形態中為2種。又，在本發明之再另一實施形態中為3種。再者，在本發明之另一實施形態中為4種以上。

本發明之液晶組成物中，通式(II)所表示的化合物的含量，必須按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電係數各向異性等所要求的性能而加以適當調整。

相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如作為本發明之一實施形態為3~50質量%。或在本發明之另一實施形態中前述含量為5~50質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為7~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為10~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為14~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為16~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為20~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為23~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為26~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為30~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為35~50質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為40~50質量%。

再者，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如在本發明之一形態中為3~50質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~35質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~30質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~20質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~15質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~10質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~5質量%。

再者，通式(II)所表示的化合物係從例如通式(II-1)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(R²¹及R²²各自獨立表示碳原子數2~5的烯基、碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基)

通式(II-1)所表示的化合物的含量，按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能而進行調整為佳，4質量%以上24質量%以下為佳，8質量%以上18質量%以下為較佳，12質量%以上14質量%以下為更佳。

再者，通式(II-1)所表示的化合物係以例如式(10.1)及式(10.2)所表示的化合物為佳。

再者，通式(II)所表示的化合物係從例如通式(II-2)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(R²³表示碳原子數2~5的烯基，R²⁴表示碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基)

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能而加以適當組合。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或在本發明之另一實施形態中為2種以上。

本發明之液晶組成物中，通式(II-2)所表示的化合物的含量，必須按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電係數各向異性等所要求的性能而加以適當調整。

再者，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如在本發明之一形態中為3~50 質量%。又，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~35質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~30質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~20質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~15質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~10質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為3~5質量%。

再者，通式(II-2)所表示的化合物係以例如式(11.1)至式(11.3)所表示的化合物為佳，式(11.1)、式(11.2)所表示的化合物為較佳，式(11.1)所表示的化合物為特佳。

按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能，可含有式(11.1)所表示的化合物、亦可含有式(11.2)所表示的化合物、亦可含有式(11.1)所表示的化合物與式(11.2)所表示的化合物兩者、亦可含有式(11.1)至式(11.3)所表示的化合物全部。式(11.1)或式(11.2)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1~40質量%為佳，1~20質量%為較佳，1~15質量%為特佳。

又，式(11.1)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有3~40質量%為佳，4~20質量%為較佳，6~15質量%為特佳。

又，式(11.2)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1~10質量%為佳，1~8質量%為較佳，1~4質量%為特佳。

含有式(11.1)所表示的化合物與式(11.2)所表示的化合物兩者之情形，兩者化合物的合計質量係相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有5質量%以上45質量%以下為佳，5質量%以上40質量%以下為較佳，5質量%以上35質量%以下為更佳，5質量%以上30質量%以下為特佳。

再者，通式(II)所表示的化合物係從例如通式(II-3)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(R²⁵表示碳原子數1~5的烷基，R²⁴表示碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基)

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能，含有來自此等化合物中的1種~3種為佳。

通式(II-3)所表示的化合物的含量，必須按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電係數各向異性等所要求的性能而加以適當調整。較佳的含量，可例舉例如相對於本發明之液晶組成物的總質量而言前述化合物的含量為2~45質量%。更佳的含量，可例舉例如：5~45質量%、8~45質量%、11~45質量%、14~45質量%、17~45質量%、20~45質量%、23~45質量%、26~45質量%、29~45質量%、或著2~45質量%、2~40質量%、2~35質量%、2~30質量%、2~25質量%、2~20質量%、2~15質量%、2~10質量%。

再者，通式(II-3)所表示的化合物係以例如式(12.1)至式(12.3)所表示的化合物為佳。

可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能，可含有式(12.1)所表示的化合物、可含有式(12.2)所表示的化合物、亦可含有式(12.1)所表示的化合物與式(12.2)所表示的化合物兩者。

式(12.1)或式(12.2)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有3質量%以上40質量%以下為佳，5質量%以上40質量%以下為較佳，7質量%以上40質量%以下為較佳，9質量%以上40質量%以下為較佳，11質量%以上40質量%以下為較佳，12 質量%以上40質量%以下為較佳，13質量%以上40質量%以下為更佳，18質量%以上30質量%以下為更佳，21質量%以上25質量%以下為特佳。又，式(12.2)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有3質量%以上40質量%以下為佳，5質量%以上40質量%以下為較佳，8質量%以上40質量%以下為更佳，10質量%以上40質量%以下為更佳，12質量%以上40質量%以下為更佳，15質量%以上40質量%以下為更佳，17質量%以上30質量%以下為更佳，19質量%以上25質量%以下為特佳。含有式(12.1)所表示的化合物與式(12.2)所表示的化合物兩者之情形，兩者化合物的合計質量係相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有15質量%以上45質量%以下為佳，19質量%以上45質量%以下為較佳，24質量%以上40質量%以下為更佳，30質量%以上35質量%以下為特佳。

又，式(12.3)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有0.05質量%以上2質量%以下為佳，0.1質量%以上1質量%以下為較佳，0.2質量%以上0.5質量%以下為更佳。式(12.3)所表示的化合物亦可為光學活性化合物。

再者，通式(II-3)所表示的化合物係從例如通式(II-3-1)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(R²⁵表示碳原子數1~5的烷基，R²⁶表示碳原子數1~4的烷氧基)

通式(II-3-1)所表示的化合物的含量，按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能而進行調整為佳，1質量%以上24質量%以下為佳，4質量%以上18質量%以下為較佳，8質量%以上14質量%以下為更佳。

再者，通式(II-3-1)所表示的化合物係以例如式(13.1)至式(13.4)所表示的化合物為佳，尤其是以式(13.3)所表示的化合物為佳。

式(13.3)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1~10質量%為佳，2~8質量%為較佳，3~7質量%為特佳。

再者，通式(II)所表示的化合物係從例如通式(II-4)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

可僅含有此等化合物中之1種、亦可含有2種以上，按照所要求的性能而加以適當組合為佳。能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能，含有來自此等化合物中的1種~2種為佳，含有1種~3種為特佳。

通式(II-4)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1質量%以上15質量%以下為佳，2質量%以上15質量%以下為較佳，3質量%以上15質量%以下為較佳，4質量%以上12質量%以下為較佳，5質量%以上7質量%以下為特佳。

再者，通式(II-4)所表示的化合物係以例如式(14.1)至式(14.5)所表示的化合物為佳，尤其是以式(14.2)或式(14.5)所表示的化合物為佳。

再者，通式(L)所表示的化合物係從通式(III)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(R³¹及R³²各自獨立表示碳原子數2~5的烯基、碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基)

通式(III)所表示的化合物的含量，考慮到所要求的溶解性與雙折射率等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有3質量%以上25質量%以下為佳，含有6質量%以上20質量%以下為較佳，含有8質量%以上15質量%以下為更佳。

再者，通式(III)所表示的化合物係以例如式(15.1)~式(15.3)所表示的化合物為佳，尤其是以式(15.1)所表示的化合物為佳。

式(15.1)所表示的化合物的含量，考慮到所要求的溶解性與雙折射率等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1~25質量%為佳，含有2~20質量%為較佳，含有3~15質量%為更佳，含有4~12質量%為特佳。

再者，通式(III)所表示的化合物係從通式(III-1)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(R³³表示碳原子數2~5的烯基，R³²各自獨立表示碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基)

通式(III-1)所表示的化合物係按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能而調整其含量為佳，4質量%以上23質量%以下為佳，6質量%以上18質量%以下為較佳，10質量%以上13質量%以下為更佳。

通式(III-1)所表示的化合物係以例如式(16.1)或式(16.2)所表示的化合物為佳。

再者，通式(III)所表示的化合物係從通式(III-2)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(R³¹表示碳原子數1~5的烷基，R³⁴表示碳原子數1~4的烷氧基)

通式(III-2)所表示的化合物的含量，按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能而進行調整為佳，含有1~25質量%為佳，含有2~20質量%為較佳，含有3~15質量%為更佳，含有4~12質量%為特佳。

再者，通式(III-2)所表示的化合物係從例如式(17.1)至式(17.3)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳，尤其是以式(17.3)所表示的化合物為佳。

式(17.3)所表示的化合物的含量，以考慮到所要求的溶解性與雙折射率等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1~25質量%為佳，含有2~20質量%為較佳，含有3~15質量%為更佳，含有4~12質量%為特佳。

再者，通式(L)所表示的化合物係從通式(V)表示之群組中所選出的化合物為佳。

(式中，R⁵¹及R⁵²各自獨立表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，A⁵¹及A⁵²各自獨立表示1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，Q⁵表示單鍵或-COO-，X⁵¹及X⁵²各自獨立表示氟原子或氫原子)

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能而加以適當組合。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或在本發明之另一實施形態中為2種。再者，在本發明之另一實施形態中為3種。再者，在本發明之另一實施形態中為4種。

相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，係例如在一實施形態中為2~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為4~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為7~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為10~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為12~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為15~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為17~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為18~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為20~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述含量為22~40質量%。

又，例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為 2~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~30質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~25質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~20質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~15質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~10質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~5質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~4質量%。

再者，通式(V)所表示的化合物係從通式(V-1)所表示的化合物為佳。

(式中，R⁵¹及R⁵²各自獨立表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X⁵¹及X⁵²各自獨立表示氟原子或氫原子)

再者，通式(V-1)所表示的化合物係從通式(V-1-1)所表示的化合物為佳。

(式中，R⁵¹及R⁵²各自獨立表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)

相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有通式(V-1-1)所表示的化合物1質量%以上15質量%以下為佳，含有2質量%以上15質量%以下為更佳，含有3質量%以上10質量%以下為更佳。

再者，通式(V-1-1)所表示的化合物係以式(20.1)至式(20.4)所表示的化合物為佳，式(20.2)所表示的化合物為佳。

本發明之液晶組成物中，式(20.2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1質量%以上20質量%以下為佳，2質量%以上15質量%以下為較佳，3質量%以上10質量%以下為進一步較佳，3質量%以上7質量%以下為特佳。

再者，通式(V-1)所表示的化合物係以通式(V-1-2)所表示的化合物為佳。

相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有通式(V-1-2)所表示的化合物1質量%以上15質量%以下為佳，含有2質量%以上15質量%以下為更佳，含有3質量%以上10質量%以下為更佳。

再者，通式(V-1-2)所表示的化合物係以式(21.1)至式(21.3)所表示的化合物為佳，式(21.1)所表示的化合物為佳。

再者，通式(V-1)所表示的化合物係以通式(V-1-3)所表示的化合物為佳。

相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有通式(V-1-3)所表示的化合物1質量%以上為佳，含有2質量%以上為更佳，含有3質量%以上為更佳，含有4質量%以上為特佳。又，可含有的最大比率，以15質量%以下為佳，10質量%以下為較佳，8質量%以下為進一步較佳。

再者，通式(V-1-3)所表示的化合物係以式(22.1)至式(22.3)所表示的化合物。式(22.1)所表示的化合物為佳。

再者，通式(V)所表示的化合物係以通式(V-2)所表示的化合物為佳。

相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，係例如在一實施形態中為2~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為4~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為7~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為10~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為12~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為15~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為17~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為18~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為20~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為22~40質量%。

又，例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為2~40質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~30質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~25質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~20質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~15質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~10質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~5質量%。再者，在本發明之另一實施形態中前述化合物的含量為2~4質量%。

在期待本發明之液晶組成物為高Tni之實施形態的情形，使式(V-2)所表示的化合物的含量多些為佳，在低黏度的實施形態為所期望的情形則使含量少些為佳。

再者，通式(V-2)所表示的化合物係以通式(V-2-1)所表示的化合物為佳。

再者，通式(V-2-1)所表示的化合物係以式(23.1)至式(23.4)所表示的化合物為佳，式(23.1)或/及式(23.2)所表示的化合物為佳。

再者，通式(V-2)所表示的化合物係以通式(V-2-2)所表示的化合物為佳。

再者，通式(V-2-2)所表示的化合物係以式(24.1)至式(24.4)所表示的化合物為佳，式(24.1)或式(24.2)所表示的化合物為佳。

再者，通式(V)所表示的化合物係以通式(V-3)所表示的化合物為佳。

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所要求的性能而加以適當組合。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或在本發明之另一實施形態中為2種。再者，在本發明之另一實施形態中為3種以上。

相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有通式(V-3)所表示的化合物2質量%以上16質量%以下為佳，含有4質量%以上16質量%以下為更佳，含有7質量%以上13質量%以下為更佳，含有8質量%以上11質量%以下為特佳。

再者，通式(V-3)所表示的化合物係以式(25.1)至式(25.3)所表示的化合物為佳。

本發明之液晶組成物亦可含有通式(M)所表示的化合物。

(式中，R^M1表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接之2個以上的-CH₂-各自獨立一可以-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代， PM表示0、1、2、3或4，C^M1及C^M2各自獨立表示由下述之群組中選出之基：(d)1,4-伸環己基(該基中存在的1個-CH₂-或沒有鄰接之2個以上的-CH₂-亦可被取代為-O-或-S-)及(e)1,4-伸苯基(該基中存在的1個-CH=或沒有鄰接之2個以上的-CH=亦可被取代為-N=)

上述的基(d)、基(e)中的1個或2個以上的氫原子亦可各自獨立以氰基、或氟原子取代，K^M1及K^M2各自獨立表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-、-CF₂O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，PM為2、3或4且K^M1複數存在的情形，彼等可為相同亦可為不同，PM為2、3或4且C^M2複數存在的情形，彼等可為相同亦可為不同，X^M1及X^M3各自獨立表示氫原子或氟原子，X^M2表示氫原子、氟原子、氰基、三氟甲基、氟基甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基。但，通式(ii)所表示的化合物除外)

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所期望的性能而加以組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或在本發明之另一實施形態中為2種。再者，在本發明之另一實施形態中為3種。又再者，在本發明之另一實施形態中為4種。再者，在本發明之另一實施形態中為5種。再者，在本發明之另一實施形態中為6種。再者，在本發明之另一實施形態中為7種以上。

本發明之液晶組成物中，通式(M)所表示的化合物的含量，必須按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電係數各向異性等所要求的性能而加以適當調整。

相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如作為本發明之一實施形態為1~95質量%。再者，例如作為本發明之另一實施形態係前述化合物的含量為10~95質量%。例如，例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為20~95質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為30~95質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為40~95質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為45~95質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為50~95質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為55~95質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為60~95質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為65~95質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為70~95質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為75~95質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為80~95質量%。

又，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如作為本發明之一實施形態為1~95質量%。再者，作為本發明之另一實施形態係前述化合物的含量係1~85質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量係以1~75質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量係以1~65質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量係以1~55質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量係以1~45質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量係以1~35質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量係以1~25質量%。

在降低保持本發明之液晶組成物的黏度、應答速度快速的液晶組成物為必要的情形，稍微降低上述的下限值、稍微降低上限值為佳。再者，提高保持本發明之液晶組成物的Tni、溫度穩定性良好的液晶組成物為必要的情形，稍微降低上述的下限值、稍微降低上限值為佳。又，為了降低保持驅動電壓而欲增大介電係數各向異性時，稍微提高上述的下限值、稍微提高上限值為佳。

R^M1在其鍵結的環構造為苯基(芳香族)的情形中，直鏈狀的碳原子數1~5的烷基、直鏈狀的碳原子數1~4的烷氧基及碳原子數4~5的烯基為佳，在其鍵結之環構造為環己烷、吡喃及二烷等飽和的環構造之情形中，直鏈狀的碳原子數1~5的烷基、直鏈狀的碳原子數1~4的烷氧基及直鏈狀的碳原子數2~5的烯基為佳。

通式(M)所表示的化合物在要求液晶組成物的化學穩定性的情形中，其分子內不含有氯原子為佳。再者液晶組成物內含有氯原子之化合物係以5%以下為佳，3%以下為佳，1%以下為佳，0.5%以下為佳，實質上不含有為佳。實質上不含有係意味著：於化合物製造時作為不純物所生成之化合物等的僅含有非所欲之氯原子的化合物混入液晶組成物中。

通式(M)所表示的化合物係從例如通式(VIII)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(式中，R⁸表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X⁸¹~X⁸⁵各自獨立表示氫原子或氟原子，Y⁸表示氟原子或-OCF₃。但，通式(ii)所表示的化合物除外)

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所期望的性能而加以組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或在本發明之另一實施形態中為2種。再者，在本發明之另一實施形態中為3種以上。

本發明之液晶組成物中，通式(VIII)所表示的化合物的含量，必須按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電係數各向異性等所要求的性能而加以適當調整。

相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如作為本發明之一實施形態為2~40質量%。再者，例如作為本發明之另一實施形態係前述化合物的含量為4~40質量%。例如，例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為5~40質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為6~40質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為7~40質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為8~40質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為9~40質量%。例如，例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為10~40質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為11~40質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為12~40質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為14~40質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為15~40質量%。例如，例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為21~40質量%。例如，例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為23~40質量%。

又，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如作為本發明之一實施形態為2~40質量%。再者，作為本發明之另一實施形態係前述化合物的含量為2~30質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為2~25質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為2~21質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為2~16質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為2~12質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為2~8質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為2~5質量%。

再者，通式(VIII)所表示的化合物係以通式(VIII-1)所表示的化合物為佳。

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所期望的性能而加以組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或在本發明之另一實施形態中為2種以上。

再者，通式(VIII-1)所表示的化合物，具體而言係以式(26.1)至式(26.4)所表示的化合物為佳，式(26.1)或式(26.2)所表示的化合物為佳，式(26.1)或式(26.2)所表示的化合物為進一步較佳，式(26.2)所表示的化合物為特佳。

式(26.1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有2~40質量%為佳，3~20質量%為較佳，4~10質量%為特佳。

式(26.2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有2~40質量%為佳，3~20質量%為較佳，4~10質量%為較佳，4~7質量%為特佳。

再者，通式(M)所表示的化合物係以通式(VIII-3)所表示的化合物為佳。

再者，通式(VIII-3)所表示的化合物，具體而言係以式(26.11)至式(26.14)所表示的化合物為佳，式(26.11)或式(26.12)所表示的化合物為佳，式(26.12)所表示的化合物為進一步較佳。

又，通式(M)所表示的化合物係從例如通式(IX)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(式中，R⁹表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X⁹¹及X⁹²各自獨立表示氫原子或氟原子，Y⁹表示氟原子、或-OCF₃，U⁹表示單鍵、-COO-或-CF₂O-。但，通式(ii)所表示的化合物除外)

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所期望的性能而加以組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或在本發明之另一實施形態中為2種。再者，在本發明之另一實施形態中為3種。又再者，在本發明之另一實施形態中為4種。再者，在本發明之另一實施形態中為5種。再者，在本發明之另一實施形態中為6種以上。

本發明之液晶組成物中，通式(IX)所表示的化合物的含量，必須按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕、殘影、介電係數各向異性等所要求的性能而加以適當調整。

相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如作為本發明之一實施形態為3~70質量%。再者，例如作為本發明之另一實施形態係前述化合物的含量為5~70質量%。例如，例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為8~70質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為10~70質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為12~70質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為15~70質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為17~70質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為20~70質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為24~70質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為28~70質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為30~70質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為34~70質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為39~70質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為40~70質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為42~70質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為45~70質量%。

又，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，例如作為本發明之一實施形態為3~70質量%。再者，作為本發明之另一實施形態係前述化合物的含量為3~60質量%。例如作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為3~55質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為3~50質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為3~45質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為3~40質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為3~35質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為3~30質量%。作為本發明之再另一實施形態係25質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為3~20質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為3~15質量%。作為本發明之再另一實施形態係前述化合物的含量為3~10質量%。

在降低保持本發明之液晶組成物的黏度、應答速度快速的液晶組成物為必要的情形，稍微降低上述的下限值、稍微降低上限值為佳。再者，在提高保持本發明之液晶組成物的Tni、不易發生殘影的液晶組成物為必要的1情形，稍微降低上述的下限值、稍微降低上限值為佳。又，為了降低保持驅動電壓而欲增大介電係數各向異性時，稍微提高上述的下限值、稍微提高上限值為佳。

再者，通式(IX)所表示的化合物係以通式(IX-1)所表示的化合物為佳。

(式中，R⁹表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X⁹²表示氫原子或氟原子，Y⁹表示氟原子或-OCF₃。但，通式(ii)所表示的化合物除外)

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，可按照低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等所期望的性能而加以組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一實施形態為1種。或在本發明之另一實施形態中為2種。再者，在本發明之另一實施形態中為3種。又再者，在本發明之另一實施形態中為4種以上。

再者，通式(IX-1)所表示的化合物係以通式(IX-1-1)所表示的化合物為佳。

通式(IX-1-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，按實施形態而有適宜的上限值與下限值。

相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有前述通式(IX-1-1)所表示的化合物的含量，以1~40質量%為佳，2~20質量%為較佳，4~15質量%為特佳。

又，例如，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量，在一實施形態中為1~40質量%、在另一實施形態中為1~35質量%、在再另一實施形態中為1~30質量%、在再另一實施形態中為1~25質量%、。

再者，通式(IX-1-1)所表示的化合物係以式(28.1)至式(28.5)所表示的化合物為佳，式(28.3)及/或式(28.5)所表示的化合物為佳。

本發明之液晶組成物中，式(28.3)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1~30質量%為佳，2~20質量%為較佳，3~10質量%為較佳，4~7質量%為特佳。

本發明之液晶組成物中，式(28.5)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1~30質量%為佳，2~20質量%為較佳，3~10質量%為較佳，4~7質量%為特佳。

通式(IX-1)所表示的化合物係以通式(IX-1-2)所表示的化合物為佳。

可加以組合之化合物的種類並無限制，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，以組合1種至3種為佳，組合1種至4種為較佳。

通式(IX-1-2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1質量%以上30質量%以下為佳，5質量%以上30質量%以下為較佳，8質量%以上30質量%以下為進一步較佳，10質量%以上25質量%以下為進一步較佳，14質量%以上22質量%以下為進一步較佳，16質量%以上20質量%以下為特佳。

再者，通式(IX-1-2)所表示的化合物係以式(29.1)至式(29.4)所表示的化合物為佳，式(29.2)或式(29.4)所表示的化合物為佳。

再者，通式(IX)所表示的化合物係以通式(IX-2)所表示的化合物為佳。

(式中，R⁹表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X⁹¹及X⁹²各自獨立表示氫原子或氟原子，Y⁹表示氟原子或-OCF₃。但，通式(ii)所表示的化合物除外)

可加以組合之化合物的種類並無限制，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，可按實施形態而加以適當組合使用。例如，在本發明之一實施形態中為1種、在另一實施形態中為2種、在再另一實施形態中為3種、在又再另一實施形態中為4種、在又再另一實施形態中為5種、在又再另一實施形態中為6種以上加以組合。

再者，通式(IX-2)所表示的化合物係以通式(IX-2-1)所表示的化合物為佳。

可加以組合之化合物的種類並無限制，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，以而組合1種至3種為佳。

通式(IX-2-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等的特性，則按實施形態而有較佳的上限值與下限值。

例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量係以1~40質量%。在另一實施形態中為前述化合物的含量為2~40質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量為4~40質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為10~40質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為14~40質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為16~40質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為21~40質量%。

又，例如，相對於前述總質量而言，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量係以1~40質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量係以1~35質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量係以1~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量係以1~25質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量係以1~22質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量係以1~20質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量係以1~10質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量係以1~7質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量係以1~5質量%。

再者，通式(IX-2-1)所表示的化合物係以式(30.1)至式(30.4)所表示的化合物為佳，式(30.1)至式(30.2)所表示的化合物為佳。

再者，通式(IX-2)所表示的化合物係以通式(IX-2-2)所表示的化合物為佳。

可加以組合之化合物的種類並無限制，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，以而組合1種至3種為佳，組合1種至4種為較佳。

通式(IX-2-2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。例如，在本發明之一實施形態中為相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量係以1~40質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量為2~40質量%、。

又，例如，相對於前述總質量而言，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量係以1~40質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量係以1~35質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量係以1~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量係以1~25質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量係以1~22質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量係以1~15質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量係以1~12質量%、。

再者，通式(IX-2-2)所表示的化合物係以式(31.1)至式(31.4)所表示的化合物為佳，式(31.2)至式(31.4)所表示的化合物為較佳，式(31.2)所表示的化合物為更佳。

再者，通式(IX-2)所表示的化合物係以通式(IX-2-5)所表示的化合物為佳。

可加以組合之化合物的種類並無限制，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，可按實施形態而加以適當組合使用。例如，在本發明之一實施形態中為1種、在另一實施形態中為2種、在再另一實施形態中為3種、在又再另一實施形態中為4種以上。

通式(IX-2-5)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。例如，在本發明之一實施形態中為相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述通式(IX-2-5)所表示的化合物的含量為5~45質量%為佳，10~40質量%為較佳，15~35質量%為特佳。

再者，通式(IX-2-5)所表示的化合物係以式(34.1)至式(34.7)所表示的化合物為佳，式(34.2)、式(34.3)及式(34.5)所表示的化合物為較佳。

本發明之液晶組成物中，式(34.2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1~30質量%為佳，3~20質量%為較佳，5~15質量%為較佳，8~12質量%為特佳。

本發明之液晶組成物中，式(34.3)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1~30質量%為佳，3~20質量%為較佳，5~15質量%為較佳，8~12質量%為特佳。

本發明之液晶組成物中，式(34.5)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1~30質量%為佳，2~20質量%為較佳，3~10質量%為較佳,4~7質量%為特佳。

再者，通式(IX)所表示的化合物係以通式(IX-3)所表示的化合物為佳。

(式中，R⁹表示碳原子數1~5的烷基或碳原子數2~5的烯基，X⁹¹及X⁹²各自獨立表示氫原子或氟原子，Y⁹表示氟原子、或-OCF₃)

再者，通式(IX-3)所表示的化合物係以通式(IX-3-1)所表示的化合物為佳。

可加以組合之化合物的種類並無限制，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，以組合1種至2種為佳。

通式(IX-3-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有3質量%以上30質量%以下為佳，7質量%以上30質量%以下為較佳，13質量%以上20質量%以下為進一步較佳，15質量%以上18質量%以下為特佳。

再者，通式(IX-3-1)所表示的化合物係以式(35.1)至式(35.4)所表示的化合物為佳，式(35.1)及/或式(35.2)所表示的化合物為佳。

再者，通式(M)所表示的化合物係以通式(X)所表示的化合物為佳。

(式中，X¹⁰¹~X¹⁰⁴各自獨立表示氟原子或氫原子，Y¹⁰表示氟原子、-OCF₃，Q¹⁰表示單鍵或-CF₂O-，R¹⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，A¹⁰¹及A¹⁰²各自獨立、1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、或下述式所示者。

1,4-伸苯基上的氫原子亦可以氟原子取代。但，前述通式(ii)所表示的化合物除外)

能加以組合的化合物並未特別限制，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，可按實施形態而加以適當組合。例如，在本發明之一實施形態中為1種。又，在本發明之另一實施形態中為2種。在再另一實施形態中為3種。在再又另一實施形態中為4種。在再又另一實施形態中為5種以上。

通式(X)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。例如，在本發明之一實施形態中為相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為2~45質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量為3~45質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量為6~45質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為8~45質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為9~45質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為11~45質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為12~45質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為18~45質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為19~45質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為23~45質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為25~45質量%。又，例如，相對於前述總質量而言，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量為2~45質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量為2~35質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~25質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~20質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~13質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~9質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~6質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~3質量%。

在降低保持本發明之液晶組成物的黏度、應答速度快速的液晶組成物為必要的情形，稍微降低上述的下限值、稍微降低上限值為佳。再者，在不易產生殘影的液晶組成物為必要的情形係以稍微降低上述的下限值、稍微降低上限值為佳。又，為了降低保持驅動電壓而欲增大介電係數各向異性時，稍微提高上述的下限值、稍微提高上限值為佳。

本發明之液晶組成物中所使用的通式(X)所表示的化合物係以通式(X-1)所表示的化合物為佳。

(式中，X¹⁰¹~X¹⁰³各自獨立表示氟原子或氫原子，R¹⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基。但，通式(ii)所表示的化合物除外)

通式(X-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。例如，在本發明之一實施形態中為相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為2~40質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量為3~40質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量為5~40質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為6~40質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為7~40質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為8~40質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為9~40質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為13~40質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為18~40質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為23~40質量%。

又，例如，相對於前述總質量而言，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量為2~40質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量為2~30質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~25質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~20質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~15質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~10質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~6質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~4質量%。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-1)所表示的化合物係以通式(X-1-1)所表示的化合物為佳。

能加以組合的化合物並未特別限制，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，可按實施形態而加以適當組合。例如，在本發明之一實施形態中為1種。又，在本發明之另一實施形態中為2種。在再另一實施形態中為3種。在再又另一實施形態中為4種以上。

通式(X-1-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為3~30質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量為4~30質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量為6~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為9~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為12~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為15~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為18~30質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為21~30質量%。

又，例如，相對於前述總質量而言，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量為3~30質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量為3~20質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量為3~13質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為3~10質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為3~7質量%。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-1-1)所表示的化合物，具體而言係以式(36.1)至式(36.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(36.1)及/或式(36.2)所表示的化合物為佳。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-1)所表示的化合物係以通式(X-1-2)所表示的化合物為佳。

通式(X-1-2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1質量%以上20質量%以下為佳，2質量%以上16質量%以下為較佳，6質量%以上12質量%以下為進一步較佳，6質量%以上10質量%以下為進一步較佳。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-1-2)所表示的化合物，具體而言係以式(37.1)至式(37.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(37.2)所表示的化合物為佳。

本發明之液晶組成物中，式(37.2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1~20質量%為佳，2~15質量%為較佳，3~10質量%為較佳，4~7質量%為特佳。

本發明之液晶組成物中所使用的通式(X)所表示的化合物係以通式(X-2)所表示的化合物為佳。

(式中，X¹⁰²~X¹⁰³各自獨立表示氟原子或氫原子，Y¹⁰表示氟原子、-OCF₃，R¹⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基。但，通式(ii)所表示的化合物除外)

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-2)所表示的化合物係以通式(X-2-1)所表示的化合物為佳。

能加以組合的化合物並未特別限制，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，以組合1種至2種以上為佳，組合1種至3種以上為較佳。

通式(X-2-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有3質量%以上20質量%以下為佳，6質量%以上16質量%以下為較佳，9質量%以上12質量%以下為進一步較佳，9質量%以上10質量%以下為特佳。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-2-1)所表示的化合物，具體而言係以式(39.1)至式(39.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(39.2)所表示的化合物為佳。

本發明之液晶組成物中，式(39.2)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1質量%以上35質量%以下為佳，2質量%25質量%以下為較佳，3質量%以上20質量%以下為較佳，3質量%以上15質量%以下為較佳，3質量%以上10質量%以下為更佳，4質量%以上10質量%以下為更佳。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-2)所表示的化合物係以通式(X-2-2)所表示的化合物為佳。

通式(X-2-2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有3質量%以上20質量%以下為佳，6質量%以上16質量%以下為較佳，9質量%以上12質量%以下為進一步較佳，9質量%以上10質量%以下為特佳。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-2-2)所表示的化合物，具體而言係以式(40.1)至式(40.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(40.2)所表示的化合物為佳。

再者，通式(X)所表示的化合物係以通式(X-3-1)所表示的化合物為佳。

通式(X-3-1)所表示的化合物的含量，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1質量%以上為佳，2質量%以上為較佳，3質量%以上為進一步較佳。又，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，將最大比率限制在10質量%以下為佳，8質量%以下為進一步較佳，6質量%以下為較佳，4質量%以下為特佳。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-3-1)所表示的化合物，具體而言係以式(41.1)至式(41.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(41.2)所表示的化合物為佳。

再者，通式(X)所表示的化合物係以通式(X-4)所表示的化合物為佳。

(式中，X¹⁰²表示氟原子或氫原子，R¹⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4 的烷氧基)

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-4)所表示的化合物係以通式(X-4-1)所表示的化合物為佳。

通式(X-4-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有2質量%以上20質量%以下為佳，5質量%以上17質量%以下為較佳，10質量%以上15質量%以下為進一步較佳，10質量%以上13質量%以下為特佳。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-4-1)所表示的化合物，具體而言係以式(42.1)至式(42.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(42.2)所表示的化合物為佳。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X)所表示的化合物係以通式(X-4-2)所表示的化合物為佳。

通式(X-4-2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有2質量%以上20質量%以下為佳，5質量%以上17質量%以下為較佳，10質量%以上15質量%以下為進一步較佳，10質量%以上13質量%以下為特佳。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-4-2)所表示的化合物，具體而言係以式(42.11)至式(42.14)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(42.13)或式(42.14)所表示的化合物為較佳。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X)所表示的化合物係以通式(X-4-3)所表示的化合物為佳。

通式(X-4-3)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有2質量%以上20質量%以下為佳，5質量%以上17質量%以下為較佳，10質量%以上15質量%以下為進一步較佳，10質量%以上13質量%以下為特佳。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-4-3)所表示的化合物，具體而言係以式(42.21)至式(42.24)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(42.22)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(X)所表示的化合物係以通式(X-5)所表示的化合物為佳。

(式中，X¹⁰²表示氟原子或氫原子，R¹⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-5)所表示的化合物係以通式(X-5-1)所表示的化合物為佳。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式 (X-5-1)所表示的化合物，具體而言係以式(43.1)至式(43.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(43.2)所表示的化合物為佳。

本發明之液晶組成物中所使用的通式(X)所表示的化合物係以通式(X-6)所表示的化合物為佳。

通式(X-6)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。例如，在本發明之一實施形態中為相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有前述化合物的含量為4~30質量%、在另一實施形態中為5~30質量%、在再另一實施形態中為6~30質量%、在又再另一實施形態中為8~30質量%。

又，例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有前述化合物的含量為1~30質量%、在另一實施形態中為1~20質量%、在再另一實施形態中為1~13質量%、在又再另一實施形態中為1~10質量%。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-6)所表示的化合物，具體而言係以式(44.1)至式(44.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(44.1)及/或式(44.2)所表示的化合物為佳。

又，本發明之液晶化合物亦可含有類似於通式(X)所表示的化合物之化合物、即通式(X-7)所表示的化合物。

通式(X-7)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。

例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為4~30質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量為5~30質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量為6~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為8~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為9~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為11~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為14~30質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為18~30質量%。

又，例如，相對於前述總質量而言，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量為4~30質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量為4~20質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量為4~13質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為4~10質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為4~7質量%、在又再另一實施形態中為3質量%。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(X-7)所表示的化合物，具體而言係以式(44.11)至式(44.14)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(44.13)所表示的化合物為較佳。

再者，通式(X)所表示的化合物係以通式(XI)表示之群組中所選出的化合物為佳。

(式中，X¹¹¹~X¹¹⁷各自獨立表示氟原子或氫原子，X¹¹¹~X¹¹⁷之至少一者表示氟原子，R¹¹表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，Y¹¹表示氟原子或-OCF₃)

能加以組合的化合物並未特別限制，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，組合1種至3種以上為佳。

通式(XI)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為2~30質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量為4~30質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量為5~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為7~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為9~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為10~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為12~30質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為13~30質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為15~30質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為18~30質量%。

又，例如，相對於前述總質量而言，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量為2~30質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量為2~25質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~20質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~15質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~10質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~5質量%。

當本發明之液晶組成物被用於晶胞間隙間隙小的液晶顯示元件用之情形，使通式(XI)所表示的化合物的含量稍微多些為適宜。當被用於驅動電壓小的液晶顯示元件用之情形，使通式(XI)所表示的化合物的含量稍微多些為適宜。又，當被用於在低溫之環境中所使用的液晶顯示元件用之情形，使通式(XI)所表示的化合物的含量稍微少些為適宜。當被用於應答速度快速的液晶顯示元件之液晶組成物的情形，使通式(XI)所表示的化合物的含量稍微少些為適宜。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(XI)所表示的化合物係以通式(XI-1)所表示的化合物為佳。

(式中，R¹¹表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)

通式(XI-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1質量%以上20質量%以下為佳，3質量%以上20質量%以下為較佳，4質量%以上20質量%以下為進一步較佳，6質量%以上15質量%以下為進一步較佳，9質量%以上12質量%以下為特佳。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(XI-1)所表示的化合物，具體而言係以式(45.1)至式(45.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(45.2)至式(45.4)所表示的化合物為佳，含有式(45.2)或式(45.4)所表示的化合物為較佳。

本發明之液晶組成物中，式(45.2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1~25質量%為佳，2~20質量%為較佳，3~15質量%為進一步較佳，4~10質量%為較佳，4~7質量%為特佳。

通式(X)所表示的化合物係從通式(XII)表示之群組中所選出的化合物為佳。

(式中，X¹²¹~X¹²⁶各自獨立表示氟原子或氫原子，R¹²⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，Y¹²表示氟原子或-OCF₃。但，通式(ii)所表示的化合物除外)

能加以組合的化合物並未特別限制，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，組合1種至3種以上為佳，組合1種至4種以上為較佳。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(XII)所表示的化合物係以通式(XII-1)所表示的化合物為佳。

(式中，R¹²⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)

通式(XII-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1質量%以上15質量%以下為佳，2質量%以上10質量%以下為較佳，3質量%以上8質量%以下為進一步較佳，4質量%以上6質量%以下為特佳。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(XII-1)所表示的化合物，具體而言係以式(46.1)至式(46.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(46.2)至式(46.4)所表示的化合物為佳。

再者，通式(XII)所表示的化合物係以通式(XII-2)所表示的化合物為佳。

通式(XII-2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1質量%以上20質量%以下為佳，3質量%以上20質量%以下為較佳，4質量%以上17質量%以下為進一步較佳，6質量%以上15質量%以下為進一步較佳，9質量%以上13質量%以下為特佳。

再者，本發明之液晶組成物中所使用的通式(XII-2)所表示的化合物，具體而言係以式(47.1)至式(47.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(47.2)至式 (47.4)所表示的化合物為佳。

再者，通式(M)所表示的化合物係從通式(XIII)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(式中，X¹³¹~X¹³⁵各自獨立表示氟原子或氫原子，R¹³表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，Y¹³表示氟原子或-OCF₃。但，通式(ii)所表示的化合物除外)

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，含有來自此等化合物中之1種~2種為佳，含有1種~3種為較佳，含有1種~4種為更佳。

通式(XIII)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。

例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為2~30質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量為4~30質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量為5~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為7~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為9~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為11~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為13~30質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為14~30質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為16~30質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為20~30質量%。

當本發明之液晶組成物被用於晶胞間隙間隙小的液晶顯示元件用之情形，使通式(XIII)所表示的化合物的含量稍微多些為適宜。當被用於驅動電壓小的液晶顯示元件用之情形，使通式(XIII)所表示的化合物的含量稍微多些為適宜。又，當被用於在低溫之環境中所使用的液晶顯示元件用之情形，使通式(XIII)所表示的化合物的含量稍微少些為適宜。當被用於應答速度快速的液晶顯示元件之液晶組成物的情形，使通式(XIII)所表示的化合物的含量稍微少些為適宜。

再者，通式(XIII)所表示的化合物係從通式(XIII-1)所表示的化合物為佳。

(式中，R¹³表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)

相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有通式(XIII-1)所表示的化合物1~25質量%為佳，含有3~25質量%為進一步較佳，含有5~20質量%為進一步較佳，含有10~15質量%為特佳。

再者，通式(XIII-1)所表示的化合物係以式(48.1)至式(48.4)所表示的化合物為佳，式(48.2)所表示的化合物為佳。

再者，通式(XIII)所表示的化合物係以通式(XIII-2)所表示的化合物為佳。

(式中，R¹³⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，含有剌自此等化合物中之1種~2種以上為佳。

相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有通式(XIII-2)所表示的化合物5~25質量%為佳，含有6~25質量%為進一步較佳，含有8~20質量%為進一步較佳，含有10~15質量%為特佳。

再者，通式(XIII-2)所表示的化合物係以式 (49.1)至式(49.4)所表示的化合物為佳，式(49.1)及/或式(49.2)所表示的化合物為佳。

再者，通式(XIII)所表示的化合物係以通式(XIII-3)所表示的化合物為佳。

能加以組合之化合物的種類並未特別加以限制，含有來自此等化合物中之1種~2種為佳。

相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有通式(XIII-3)所表示的化合物2~20質量%為佳，含有4~20質量%為更佳，含有9~17質量%為更佳，含有11~14質量%為特佳。

再者，通式(XIII-3)所表示的化合物係以式(50.1)至式(50.4)所表示的化合物為佳，式(50.1)或式(50.2)所表示的化合物為佳。

再者，通式(M)所表示的化合物係從通式(XIV)所表示的化合物群組中選出的化合物為佳。

(式中，R¹⁴表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X¹⁴¹~X¹⁴⁴各自獨立表示氟原子或氫原子，Y¹⁴表示氟原子、或-OCF₃，Q¹⁴表示單鍵、-COO-或-CF₂O-，m¹⁴為0或1。但，通式(ii)所表示的化合物除外)

可加以組合之化合物的種類並無限制，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，可按實施形態而加以適當組合。例如，在本發明之一實施形態中為1種。再者，在本發明之另一實施形態中為2種。或者，在本發明之再另一實施形態中為3種。又，在本發明之再另一實施形態中為4種。或者，在本發明之再另一實施形態中為5種。或者，在本發明之再另一實施形態中為6種以上。

通式(XIV)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。

例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為3~40質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量為7~40質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量為8~40質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為11~40質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為12~40質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為16~40質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為18~40質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為19~40質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為22~40質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為25~40質量%。

又，例如，相對於前述總質量而言，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量為3~40質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量為3~35質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量為3~30質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為3~25質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為3~20質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為3~15質量%。

當本發明之液晶組成物被用於驅動電壓小的液晶顯示元件用之情形，使通式(XIV)所表示的化合物的含量稍微多些為適宜。又當被用於應答速度快速的液晶顯示元件之液晶組成物的情形，使通式(XIV)所表示的化合物的含量稍微少些為適宜。

再者，通式(XIV)所表示的化合物係以通式(XIV-1)所表示的化合物為佳。

(式中，R¹⁴表示碳原子數1~7的烷基、碳原子數2~7的烯基或碳原子數1~7的烷氧基，Y¹⁴表示氟原子、或-OCF₃)

又，通式(XIV)所表示的化合物係以通式(XIV-1-2)所表示的化合物為佳。

(式中，R¹⁴表示碳原子數1~7的烷基、碳原子數2~7的烯基或碳原子數1~7的烷氧基)

通式(XIV-1-2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1質量%以上15質量%以下為佳，3質量%以上13質量%以下為較佳，5質量%以上11質量%以下為進一步較佳，7質量%以上9質量%以下為特佳。

再者，通式(XIV-1-2)所表示的化合物，具體而言係以式(52.1)至式(52.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(52.4)所表示的化合物為佳。

再者，通式(XIV)所表示的化合物係以通式(XIV-2)所表示的化合物為佳。

(式中，R¹⁴表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X¹⁴¹~X¹⁴⁴各自獨立表示氟原子或氫原子，Y¹⁴表示氟原子、或-OCF₃。但，通式(ii)所表示的化合物除外)

可加以組合之化合物的種類並無限制，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，可按實施形態而加以適當組合。例如，在本發明之一實施形態中為1種。再者，在本發明之另一實施形態中為2種。或者，在本發明之再另一實施形態中為3種。又，在本發明之再另一實施形態中為4種。或者，在本發明之再另一實施形態中為5種以上。

通式(XIV-2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。

例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為3~40 質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量為7~40質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量為8~40質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為10~40質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為11~40質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為12~40質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為18~40質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為19~40質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為21~40質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為22~40質量%。

又，例如，相對於前述總質量而言，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量為3~40質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量為3~35質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量為3~25質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為3~20質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為3~15質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為3~10質量%。

當本發明之液晶組成物被用於驅動電壓小的液晶顯示元件用之情形，使通式(XIV-2)所表示的化合物的含量稍微多些為適宜。又當被用於應答速度快速的液晶顯示元件之液晶組成物的情形，使通式(XIV-2)所表示的化合物的含量稍微少些為適宜。

再者，通式(XIV-2)所表示的化合物係以通式(XIV-2-1)所表示的化合物為佳。

通式(XIV-2-1)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1質量%以上15質量%以下為佳，3質量%以上13質量%以下為較佳，5質量%以上11質量%以下為進一步較佳，7質量%以上9質量%以下為特佳。

再者，通式(XIV-2-1)所表示的化合物，具體而言係以式(53.1)至式(53.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(53.4)所表示的化合物為佳。

再者，通式(XIV-2)所表示的化合物係以通式(XIV-2-4)所表示的化合物為佳。

可加以組合之化合物的種類並無限制，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，可按實施形態而加以適當組合。例如，在本發明之一實施形態中為1種。再者，在本發明之另一實施形態中為2種。或者，在本發明之再另一實施形態中為3種以上。

通式(XIV-2-4)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等的特性，而在各實施形態有其上限值與下限值。

例如，在本發明之一實施形態中，相對於本發明之液晶組成物的總質量，前述化合物的含量為2~35質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量為5~35質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量為8~35質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為9~35質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為10~35質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為18~35質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為21~35質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為22~35質量%。在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為24~35質量%。

又，例如，相對於前述總質量而言，在本發明之一實施形態中為前述化合物的含量為2~35質量%、在另一實施形態中為前述化合物的含量為2~30質量%、在再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~25質量% 、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~20質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~15質量%、在又再另一實施形態中為前述化合物的含量為2~10質量%。

當本發明之液晶組成物被用於驅動電壓小的液晶顯示元件用之情形，使通式(XIV-2-4)所表示的化合物的含量稍微多些為適宜。又當被用於應答速度快速的液晶顯示元件之液晶組成物的情形，使通式(XIV-2-4)所表示的化合物的含量稍微少些為適宜。

再者，通式(XIV-2-4)所表示的化合物，具體而言係以式(56.1)至式(56.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(56.1)、式(56.2)或式(56.4)所表示的化合物為較佳，含有式(56.2)所表示的化合物為特佳。

本發明之液晶組成物中，式(56.2)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有1~30質量%為佳，4~20質量%為較佳，8~16質量%為特佳。

再者，通式(XIV-2)所表示的化合物係以通式(XIV-2-5)所表示的化合物為佳。

(式中，R¹⁴0表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)

通式(XIV-2-5)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有5質量%以上25質量%以下為佳，10質量%以上22質量%以下為較佳，13質量%以上18質量%以下為進一步較佳，13質量%以上15質量%以下為特佳。

再者，通式(XIV-2-5)所表示的化合物，具體而言係以式(57.1)至式(57.4)所表示的化合物。其中尤以含有式(57.1)所表示的化合物為佳。

再者，通式(XIV-2)所表示的化合物係以通式(XIV-2-6)所表示的化合物為佳。

(式中，R¹⁴⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)

通式(XIV-2-6)所表示的化合物的含量，考慮到低溫的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明之液晶組成物的總質量而言含有5質量%以上25質量%以下為佳，10質量%以上22質量%以下為較佳，15質量%以上20質量%以下為進一步較佳，15質量%以上17質量%以下為特佳。

再者，通式(XIV-2-6)所表示的化合物，具體而言係以式(58.1)至式(58.4)所表示的化合物為佳，其中尤以含有式(58.2)所表示的化合物為佳。

本案發明之液晶組成物較佳係不含有：分子內具有過酸(-CO-OO-)構造等的氧原子彼此鍵結之構造的化合物。

在重視液晶組成物的可靠性及長期穩定性的情形，相對於前述組成物的總質量而言將具有羰基之化合物的含量設為5質量%以下為佳，3質量%以下為較佳，1質量%以下為更佳，實質上不含有為最佳。

在重視UV照射之穩定性的情形，相對於前述組成物的總質量而言將氯原子取代之化合物的含量設為15質量%以下為佳，10質量%以下為較佳，5質量%以下為更佳，實質上不含有為最佳。

增多分子內的環構造全部為6員環之化合物的含量為佳，分子內的環構造全部為6員環之化合物的含量相對於前述組成物的總質量係80質量%以上為佳，90質量%以上為較佳，95質量%以上為更佳，實質上以分子內的環構造全部均僅為6員環之化合物來構成液晶組成物為最佳。

為了抑制因液晶組成物的氧化所致的劣化，減少作為環構造具有亞環己基之化合物的含量為佳，具有亞環己基之化合物的含量相對於前述組成物的總質量，以10質量%以下為佳，5質量%以下為較佳，實質上不含有為更佳。

在重視黏度的改善及Tni的改善之情形，氫原子亦可為鹵素所取代且減少分子內具有2-甲基苯-1,4-二基之化合物的含量為佳，分子內具有前述2-甲基苯-1,4-二基之化合物的含量相對於前述組成物的總質量，以10質量%以下為佳，5質量%以下為較佳，實質上不含有為更佳。

本發明之第一實施形態的組成物中含有的化合物為側鏈具有烯基之情形，在前述烯基與環己烷鍵結的情形該烯基的碳原子數為2~5為佳，而在前述烯基與苯鍵結之情形則該烯基的碳原子數為4~5為佳，前述烯基的不飽和鍵沒有與苯直接鍵結為佳。

本發明之液晶組成物中，為了製作PS模式、橫向電場型PSA模式或橫向電場型PSVA模式等的液晶顯示元件，可含有聚合性化合物。能使用的聚合性化合物可列舉利用光等的能量線而進行聚合的光聚合性單體等，構造可列舉例如：聯苯衍生物、聯三苯衍生物等的具有複數連結有六員環之液晶骨架的聚合性化合物等。更具體而言，通式(XX)

(式中，X²⁰¹及X²⁰²各自獨立表示氫原子或甲基，Sp²⁰¹及Sp²⁰²各自獨立表示單鍵、碳原子數1~8的伸烷基或-O-(CH₂)_s-(式中，s表示2~7的整數，氧原子為與芳香環鍵結者)，Z²⁰¹表示-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-、-CH=CH-COO-、-CH=CH-OCO-、-COO-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-COO-CH₂CH₂-、-OCO-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂-COO-、-CH₂CH₂-OCO-、-COO-CH₂-、-OCO-CH₂-、-CH₂-COO-、-CH₂-OCO-、-CY¹=CY²-(式中，Y¹及Y²各自獨立表示氟原子或氫原子)、-C≡C-或單鍵，M²⁰¹表示1,4-伸苯基、反-1,4-伸環己基或單鍵，式中的全部1,4-伸苯基的任意氫原子亦可為氟原子取代)所表示的二官能單體為佳。

X²⁰¹及X²⁰²係均表示氫原子之二丙烯酸酯衍生物、均具有甲基之二甲基丙烯酸酯衍生物中的任一者均為佳，亦可為其中一者表示氫原子而另外一者表示甲基之化合物。此等化合物的聚合速度係以二丙烯酸酯衍生物為最快、二甲基丙烯酸酯衍生物較慢、非對稱化合物為其中間，可按照其用途而使用較佳的態樣。PSA顯示元件中，二甲基丙烯酸酯衍生物為特佳。

Sp²⁰¹及Sp²⁰²各自獨立表示單鍵、碳原子數1~8的伸烷基或-O-(CH₂)_s-，PSA顯示元件中至少一者為單鍵為佳，並且表示單鍵之化合物或其中一者表示單鍵而另一者表示碳原子數1~8的伸烷基或-O-(CH2)_s-的態樣為佳。該情形係以1~4的烷基為佳，s為1~4為佳。

Z²⁰¹係以-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-或單鍵為佳，-COO-、-OCO-或單鍵為較佳，單鍵為特佳。

M²⁰¹表示任意的氫原子亦可以氟原子取代的1,4-伸苯基、反-1,4-伸環己基或單鍵，以1,4-伸苯基或單鍵為佳。M²⁰¹表示為單鍵以外的環構造之情形，Z²⁰¹較佳為單鍵以外的連結基，M²⁰¹為單鍵的情形，Z²⁰¹為單鍵為佳。

從此等觀點來看，通式(XX)中，Sp²⁰¹及Sp²⁰²之間的環構造，具體而言係以下述記載的構造為佳。

通式(XX)中，M²⁰¹表示單鍵、環構造係以二個環而形成的情形中，表示以下的式(XXa-1)至式(XXa-5)為佳，表示式(XXa-1)至式(XXa-3)為較佳，表示式(XXa-1)為特佳。

(式中，兩端係為與Sp²⁰¹或Sp²⁰²鍵結者)

由於含有此等骨架的聚合性化合物係聚合後的配向控制能力最適合於PSA型液晶顯示元件，且能得到良好的配向狀態，所以能抑制顯示不均、或者使之全部不會發生。

根據以上所述，聚合性單體係以通式(XX-1)~通式(XX-4)為特佳，其中尤以通式(XX-2)為最佳。

(式中，Sp²⁰表示碳原子數2~5的伸烷基)

將單體添加於本發明之液晶組成物的情形中，雖然在聚合起始劑不存在的情形亦可進行聚合，但為了促進聚合亦可含有聚合起始劑。聚合起始劑可列舉苯偶姻醚類、二苯甲酮類、苯乙酮類、苯甲基縮酮類、醯基膦氧化物類等。

本發明中的液晶組成物可進一步含有通式(Q)所表示的化合物。

(式中，R^Q表示碳原子數1至22的直鏈烷基或支鏈烷基，該烷基中的1或2個以上的CH₂基係可以氧原子並未直接鄰接的方式而為-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-取代，M^Q表示反-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或單鍵)

R^Q表示碳原子數1至22的直鏈烷基或支鏈烷基，該烷基中的1或2個以上的CH₂基係可以氧原子並未直接鄰接的方式而為-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-取代，碳原子數1至10的直鏈烷基、直鏈烷氧基、1個CH₂基被取代為-OCO-或-COO-的直鏈烷基、支鏈烷基、分枝烷氧基、1個CH₂基被取代為-OCO-或-COO-的支鏈烷基為佳，碳原子數1至20的直鏈烷基、1個CH₂基被取代為-OCO-或-COO-的直鏈烷基、支鏈烷基、分枝烷氧基、1個CH₂基被取代為-OCO-或-COO-的支鏈烷基為更佳。M^Q表示反-1,4-伸環己基、1,4- 伸苯基或單鍵，以反-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基為佳。

通式(Q)所表示的化合物，更具體而言以下述的通式(Q-a)至通式(Q-d)所表示的化合物為佳。

式中，R^Q1係以碳原子數1至10之直鏈烷基或分枝鏈烷基為佳，R^Q2係以碳原子數1至20之直鏈烷基或分枝鏈烷基為佳，R^Q3係以碳原子數1至8之直鏈烷基、分枝鏈烷基、直鏈烷氧基或分枝鏈烷氧基為佳，L^Q係以碳原子數1至8之直鏈伸烷基或分枝鏈伸烷基為佳。通式(Q-a)至通式(Q-d)所表示的化合物中，以通式(Q-c)及通式(Q-d)所表示的化合物為更佳。

本案發明之液晶組成物中，含有1種或2種的通式(Q)所表示的化合物為佳，含有1種至5種為更佳，其含量為0.001至1質量%為佳，0.001至0.1質量%為更佳， 0.001至0.05質量%為特佳。

<液晶顯示元件>

含有本發明之聚合性化合物的液晶組成物，可藉由讓其中所含有的聚合性化合物照射紫外線而進行聚合，以賦予液晶配向能，並利用液晶組成物的雙折射而使用於控制光的穿透光量之液晶顯示元件。液晶顯示元件係以AM-LCD(主動矩陣液晶顯示元件)、TN(向列型液晶顯示元件)、STN-LCD(超扭轉向列型液晶顯示元件)、OCB-LCD及IPS-LCD(面內切換液晶顯示元件)為有用的，對AM-LCD為特別有用，可使用於透過型或反射型的液晶顯示元件。

使用於液晶顯示元件的液晶胞之2片基板，可使用具有如玻璃或塑膠般的柔軟性之透明材料、另一方面亦可為矽等不透明的材料。具有透明電極層的透明基板可藉由例如在玻璃板等的透明基板上濺鍍氧化銦錫(ITO)而製得。

彩色濾光片可利用例如顏料分散法、印刷法、電鍍法、或者染色法等而作成。當將利用顏料分散法所為的彩色濾光片之作成方法作為一例進行說明時，將彩色濾光片用的硬化性著色組成物塗布至該透明基板上、施以圖案化處理、然後藉由加熱或光照射而使之硬化。藉由針對紅、綠、藍3色分別進行該步驟，可作成彩色濾光片用的像素部。此外，亦可在該基板上設置設有TFT、薄膜二極體等的有源元件之像素電極。

以透明電極層為內側的方式使前述基板相對向。此時，亦可隔著間隔片來調整基板的間隔。此時係以所得之調光層的厚度成為1~100μm的方式進行調整為佳。1.5至10μm為更佳，使用偏光板的情形，以對比變成最大的方式來調整液晶之折射率各向異性△n與晶胞厚d的積為佳。又，有二片偏光板的情形，亦可調整各偏光板的偏光軸以視野角或對比變得良好的方式來進行調整。再者，亦可使用用以擴展視野角的相位差薄膜。間隔片可列舉例如由玻璃粒子、塑膠粒子、氧化鋁粒子、光阻材料等所構成的柱狀間隔片等。然後，以設有液晶注入口的形式，將環氧系熱硬化性組成物等的密封劑網版印刷於該基板，貼合該基板彼此，加熱且使密封劑予以熱硬化。

使含聚合性化合物之液晶組成物夾持在2片基板間的方法，可使用通常的真空注入法或ODF法等。然而真空注入法中雖然沒有產生滴下痕，取而代之而卻有殘留有注入痕跡的課題。本案發明中，能更適當地使用於用ODF法所製造的顯示元件。ODF法的液晶顯示元件製造步驟中，藉由在背板或前面板之中的任一基板上使用分配器將環氧系光熱併用硬化性等的密封劑描繪成閉合環路土堤狀，其中在脫氣下滴下規定量的液晶組成物後，貼合前面板與背板，而製造液晶顯示元件。本發明之液晶組成物由於能安定地進行ODF步驟中的液晶組成物的滴下，而可適當地使用。

使聚合性化合物予以聚合的方法，為了得到液晶的良好配向性能，且適度的聚合速度為所期望的緣故，藉由單一或併用或依序的方式照射紫外線或電子線等的活性能量線使其聚合的方法為佳。使用紫外線的情形，可使用偏光光源、也可使用非偏光光源。又，在使含聚合性化合物之液晶組成物夾持在2片基板間的狀態下進行聚合的情形中，至少照射面側的基板相對於活性能量線而言被賦與適當的透明性。又，在光照射時使用遮罩使僅特定的部分予以聚合後，亦可使用藉由改變電場與磁場或溫度等的條件，使未聚合部分的配向狀態改變，進一步照射活性能量線使其聚合的手段。尤其是在進行紫外線曝光之際，對含聚合性化合物之液晶組成物施加交流電場同時進行紫外線曝光為佳。施加的交流電場係以頻率數10Hz至10kHz的交流為佳，頻率數60Hz至10kHz為較佳，電壓係取決於液晶顯示元件所期望的預傾角來選擇。也就是說，可藉由施加的電壓來控制液晶顯示元件的預傾角。橫向電場型MVA模式的液晶顯示元件中，從配向安定性及對比的觀點來看，將預傾角控制在80度至89.9度為佳。

照射時的溫度較佳係在能保持本發明之液晶組成物的液晶狀態的溫度範圍內。在接近室溫的溫度、亦即典型上在15~35℃的溫度進行聚合為佳。產生紫外線的燈係可使用金屬鹵化物燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又，照射的紫外線之波長，係照射非液晶組成物的吸收波長區域之波長區域的紫外線為佳，可按照需要遮斷紫外線而使用為佳。照射的紫外線之強度係以0.1mW/cm²~100W/cm²為佳，2mW/cm²~50W/cm²為較佳。照射的紫外線之能量係可適當調整，以10mJ/cm²至500J/cm²為佳，100mJ/cm²至200J/cm²為較佳。照射紫外線之際，亦可變化強度。照射紫外線的時間可根據照射的紫外線強度而適宜選擇，以10秒至3600秒為佳，10秒至600秒為較佳。

使用本發明之液晶組成物的液晶顯示元件係對於兼具高速應答與抑制顯示不良為有用的，尤其是對於主動矩陣驅動用液晶顯示元件為有用的，可適用於VA模式、PSVA模式、PSA模式、IPS(面內切換)模式、VA-IPS模式、FFS(邊緣電場切換)模式或ECB模式用液晶顯示元件。

以下，一邊參照圖式、一邊詳細說明本發明之液晶顯示裝置的適宜實施形態。

圖1係表示具備：相互對向的二片基板、設置在前述基板間的密封材、與被封入於圍繞前述密封材之密封領域的液晶之液晶顯示元件的剖面圖。

具體而言，呈示一種液晶顯示裝置之具體例的態樣：於第1基板100上設有TFT層102、像素電極103，且其係具備：從其上方設有鈍化膜104及第1配向膜105的背板；於第2基板200上設有黑色矩陣202、彩色濾光片203、平坦化膜(保護層)201、透明電極204，從其上方設有第2配向膜205、且與前述背板相對向的前面板；設在前述基板間的密封材301；及被封入圍繞前述密封材之密封領域的液晶層303，而且在前述密封材301相接的基板面設有突起(柱狀間隔片)302、304。

前述第1基板或前述第2基板若為實質上透明的，則材質方面沒有特別地限制，可使用玻璃、陶瓷、塑膠等。塑膠基板可使用纖維素、三乙醯纖維素、二乙醯纖維素等的纖維素衍生物、聚環烯烴衍生物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯、聚丙烯、聚乙烯等的聚烯烴、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚碸、聚芳酯，以及玻璃纖維-環氧樹脂、玻璃纖維-丙烯酸樹脂等的無機-有機複合材料等。

此外使用塑膠基板之際，設有阻隔膜為佳。阻隔膜的功能在於降低塑膠基板具有的透濕性、提升液晶顯示元件的電氣特性之可靠性。阻隔膜各自只要透明性高且水蒸氣透過性小者即可，並未特別地加以限制，一般係使用：使用氧化矽等的無機材料且利用蒸鍍與濺鍍、化學氣相沉積法(CVD法)所形成的薄膜。

在本發明，前述第1基板或前述第2基板可使用相同的材料、也可以使用不同的材料，並未特別加以限制。使用玻璃基板時，可製作耐熱性與尺寸安定性優異的液晶顯示元件的緣故而為佳。又為塑膠基板時，適於利用成卷法的製造方法而且適於輕量化或可撓性化而為佳。又，若以賦予平坦性及耐熱性為目的，組合塑膠基板與玻璃基板時可得到良好的結果。

此外後述的實施例中，係使用基板作為第1基板100或第2基板200的材質。

背板係在第1基板100上設有TFT層102及像素電極103。此等係以通常的陣列步驟製造的。於其上設置鈍化膜104及第1配向膜105可得到背板。

鈍化膜104(也稱為無機保護膜)係用以保護TFT層的膜，通常係利用化學氣相成長(CVD)技術等來形成氮化膜(SiNx)，氧化膜(SiOx)等。

又，第1配向膜105係具有讓液晶配向的功能的膜，通常大多係使用如聚醯亞胺類的高分子材料。塗布液可使用由高分子材料與溶劑所構成的配向劑溶液。配向膜由於有妨礙與密封材的接著力之可能性，所以在密封領域內進行圖案塗布。塗布可使用如苯胺印刷法類的印刷法、如噴墨類的液滴吐出法。塗布的配向劑溶液係在藉由暫時乾燥使溶劑蒸發後，利用烘焙使其交聯硬化。然後，為了顯現出配向功能，而進行配向處理。

配向處理通常係以摩擦法來進行。藉由使用由如嫘縈般的纖維所構成的摩擦布，在如前述般形成的高分子膜上朝一方向摩擦，而產生液晶配向能。

又，也有使用光配向法。光配向法係藉由將偏光照射於含有具有光感受性之有機材料的配向膜上而產生配向能的方法，不會產生因摩擦法而造成之基板的傷痕與塵埃。光配向法中的有機材料的例子係有含有二色性染料的材料。二色性染料可使用具有：如起因於光二色性之魏格特效果所導致的分子配向誘發或異構化反應(例：偶氮基苯基)，二聚化反應(例：桂皮醯基)，光交聯反應(例：二苯甲酮基)，或光分解反應(例：聚醯亞胺基)般的、能產生為液晶配向能之起源的光反應的基(以下，簡稱為光配向性基)者。塗布的配向劑溶液係在利用暫時乾燥使溶劑蒸發後，藉由照射具有任意偏向的光(偏光)，可得到在任意方向具有配向能的配向膜。

一方的前面板係在第2基板200上設有黑色矩陣202、彩色濾光片203、平坦化膜201、透明電極204、第2配向膜205。

黑色矩陣202係用例如顏料分散法而製作。具體而言在設有阻隔膜201之第2基板200上，塗布使黑色矩陣形成用的黑色著色劑均勻分散而成的彩色樹脂液，形成著色層。繼而，烘焙著色層使之硬化。於其上塗布光阻，並對其進行預烘焙。在透過遮罩圖案使光阻曝光後，進行顯像將著色層圖案化。然後，剝離光阻層、烘焙著色層而完成黑色矩陣202。

或者，也可以使用光阻型的顏料分散液。在該情形，在塗布光阻型的顏料分散液且使之預烘焙後，透過遮罩圖案進行曝光之後，進行顯像將著色層圖案化。然後，剝離光阻層、烘焙著色層而完成黑色矩陣202。

彩色濾光片203係用顏料分散法、電鍍法、印刷法或染色法等而作成。以顏料分散法為例時，將(例如紅色的)顏料均勻分散之彩色樹脂液塗布至第2基板200上、且烘焙硬化後，於該上塗布光阻並進行預烘焙。透過遮罩圖案進行曝光之後，對光阻進行顯像加以圖案化。隨後藉由剝離光阻層、進行再烘焙，而完成(紅色的) 彩色濾光片203(203a)。作成的顏色順序並未特別加以限定。同樣地進行來形成綠色彩色濾光片203(203b)、藍色彩色濾光片203(203c)。

透明電極204係設在前述彩色濾光片203上(視需要而在前述彩色濾光片203上設有為了表面平坦化用的保護層(201))。透明電極204係穿透率高者為佳，電氣電阻小者為佳。透明電極204係利用濺鍍法等而形成ITO等的氧化膜。

又，也有以保護前述透明電極204為目的，而在透明電極204上設有鈍化膜的情形。

第2配向膜205係與前述的第1配向膜105相同者。

以上，雖敘述了關於本發明使用的前述背板及前述前面板的具體態樣，但本案並不受限於該具體的態樣，可因應所期望的液晶顯示元件的態樣而自由的變更。

前述柱狀間隔片的形狀並未特別加以限制，可將其水平剖面作成為圓形、四角形等多角形等各式各樣的形狀，但考慮到步驟時的失準裕度，將水平剖面作成為圓形或正多角形為特佳。又該突起形狀係以圓錐台或角錐台為佳。

前述柱狀間隔片的材質只要是不溶解於密封材或密封材中使用的有機溶劑、或液晶的材質即可，沒有特別地限制，從加工及輕量化之面來看以合成樹脂(硬化性樹脂)為佳。另一方面，前述突起可利用光刻法的方法與液滴吐出法，設置在第一基板上的密封材相接的面。根據此種理由，使用適於光刻法的方法與液滴吐出法的光硬化性樹脂為佳。

就以光刻法得到前述柱狀間隔片之情形作為例子來加以說明。圖2係使用被形成在黑色矩陣上之柱狀間隔片作成用圖案來作為光罩圖案之曝光處理步驟的圖。

在前述前面板的透明電極204上，塗布柱狀間隔片形成用的(不含著色劑)樹脂液。繼而，烘焙該樹脂層402使之硬化。於其上塗布光阻，並對其進行預烘焙。在透過遮罩圖案401進行曝光後，對光阻進行顯像將樹脂層圖案化。然後，剝離光阻層、烘焙樹脂層，而完成柱狀間隔片(圖1的302、304)。

柱狀間隔片的形成位置可藉由遮罩圖案來決定所期望的位置。因此，考同時作成液晶顯示元件的密封領域內與密封領域外(密封材塗布部分)兩者。又柱狀間隔片係以不會降低密封領域品質、位於黑色矩陣上的方式而形成為佳。將如此利用光刻法所製作的柱狀間隔片稱為管柱間隔片或光間隔片。

前述間隔片的材質可使用PVA-茋唑(Stilbazo)感光性樹脂等的負型水溶性樹脂與多官能丙烯酸系單體、丙烯酸共聚物、***系起始劑等的混合物。或者也有使用讓著色劑分散於聚醯亞胺樹脂之彩色樹脂的方法。本發明中並未特別加以限制，可用依照液晶及與密封材的相性以周知的材質而得到間隔片。

如此一來，在成為前面板上的密封領域之面設置柱狀間隔片後，於該背板的密封材相接的面上塗布密封材(圖1中的301)。

密封材的材質並未特別加以限制，可使用在環氧系與丙烯酸系的光硬化性、熱硬化性、光熱併用硬化性的樹脂中添加聚合起始劑而成之硬化性樹脂組成物。又，為了控制透濕性與彈性率、黏度等，而添加由無機物與有機物所組成的填料類。此等填料類的形狀並未特別加以限制，有球形、纖維狀、無定形等。再者，為了良好地控制晶胞間隙可混合具有單分散徑的球形與纖維狀的間隙材，又為了更強化與基板的接著力也可以混合易於與基板上突起纏繞的纖維狀物質。此時使用的纖維狀物質之直徑被期望為：晶胞間隙的1/5~1/10以下左右，纖維狀物質的長度被期望為較密封塗布寬度要短的。

又，纖維狀物質的材質只要是能得到規定的形狀即可並未特別加以限制，可適當選擇纖維素、聚醯胺、聚酯等合成纖維與玻璃、碳等的無機材料。

塗布密封材的方法有印刷法與分散法，但最好是密封材的使用量少的分散法。密封材的塗布位置通常在黑色矩陣的上面，以使得不會對密封領域造成不良的影響。為了形成以下步驟的液晶滴下領域(使得液晶不漏出)，而將密封材塗布形狀形成為閉合環路狀。

在塗布有前述密封材之前面板的閉合環路狀(密封領域)滴下液晶。通常係使用分配器。為了讓滴下的液晶量與液晶胞容積一致，基本上要與將柱狀間隔片的高度與密封塗布面積相乘之體積為同量。然而，若為了讓晶胞貼合步驟中的液晶漏出與顯示特性的最佳化，而適當調整滴下的液晶量時，也能夠讓液晶滴下位置分散。

接著，將背板貼合至塗布前述密封材並滴下液晶之前面板上。具體而言，使前述前面板與前述背板被吸附於具有能吸附如靜電卡盤類的基板之機構的平台，讓前面板的第2配向膜與背板的第1配向膜相對向，而配置於密封材與另一基板不相接的位置(距離)。在該狀態下對系統內部進行減壓。減壓結束後，確認前面板與背板的貼合位置並同時調整兩基板位置(對準操作)。若貼合位置的調整結束了，讓基板靠近至前面板上的密封材與背板相接的位置。在該狀態下將惰性氣體填充至系統內部，緩緩地開放減壓並同時回復到常壓。此時，藉由大氣壓使前面板與背板貼合，在柱狀間隔片的高度位置形成晶胞間隙。在該狀態下對密封材照射紫外線使密封材硬化，而形成液晶胞。然後，根據情形增加加熱步驟，促進密封材硬化。為了提升密封材的接著力強化與電氣特性可靠性，大多增加了加熱步驟。

[實施例]

以下係列舉實施例來進一步詳述本發明，但本發明並不受限於此等實施例。又，以下的實施例及比較例之組成物中的「%」係意味著『質量%』。

實施例中，測定的特性係如以下所示。

Tni：向列向列相-各向同性液體相轉移溫度(℃)

△n：298K的折射率各向異性(別名：雙折射率)

△ε：295K的介電係數各向異性

η：293K的黏度(mPa．s)

γ1：295K的旋轉黏性(mPa．s)

VHR：在頻率數60Hz、施加電壓4V的條件下於333K的電壓保持率(%)

<殘影的評價>

液晶顯示元件的殘影評價係在將顯示區域內規定的固定圖案顯示6週後，以目視方式並用以下的4階段評價，對進行全畫面均一顯示時的固定圖案之殘像水準進行評價。

◎：無殘像

○：雖稍微有點殘像，但為可容許的水準

△：有殘像，且為無法容許的水準

×：有殘像，相當粗劣

<揮發性(製造裝置污染性)的評價>

在容量0.33L的真空攪拌脫泡混合機的專用容器中加入0.15kg的液晶組成物，一邊以公轉速度20S^-1、自轉速度10.0S^-1運轉真空攪拌脫泡混合機、一邊脫氣至15kPa，以目視觀察液晶材料的發泡。揮發性係藉由從混合機運轉開始直至發泡開始為止的時間，而分類為以下的4個等級。

◎：至發泡為止需要3分鐘以上。因揮發所為之裝置污染的可能性低。

○：至發泡為止要1分鐘以上且少於3分鐘。擔心會因揮發而有輕微的裝置污染。

△：至發泡為止要30秒鐘以上且少於1分鐘。因揮發而引起裝置污染。

×：至發泡為止在30秒以內。擔心會因揮發而有重大的裝置污染。

<製程適合性的評價>

在ODF製程中，使用定容計量幫浦於1次各滴下50pL的液晶，並進行上述100000次，且用以下的4階段來評價以下的「0~100次、101~200次、201~300次、．．．．99901~100000次」之每滴下100次時的液晶量的變化。

◎：變化非常小(可穩定地製造液晶顯示元件)

○：雖然稍微有些變化但仍為可容許的水準

△：有變化且為無法容許的水準(由於斑產生而使得良率惡化)

×：有變化且相當粗劣(發生液晶漏出與真空氣泡)

<低溫的溶解性的評價>

低溫的溶解性評價係在調製液晶組成物後，於1mL的試樣瓶中秤量0.5g的液晶組成物，於此在溫度控制式試驗槽中，將以下「-25℃(保持1小時)→升溫(0.2℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→升溫(0.2℃/每分鐘)→20℃(保持1小時)→降溫(-0.2℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→降溫 (-0.2℃/每分鐘)→-25℃」作為1週期且持續給予溫度變化，以目視觀察來自液晶組成物之析出物的發生，並用以下的4階段評價來進行評價。

◎：480小時以上沒有觀察到析出物。

○：240小時以上沒有觀察到析出物。

△：在120小時以內觀察到有析出物。

×：在60小時以內觀察到有析出物。

(實施例1)

調製示於以下之組成物。將實施例1之組成物的物性值示於表1。

(比較例1)

調製含有具有氯原子為取代基之化合物的示於以下之組成物。將比較例1之組成物的物性值示於表2。

含有具有氯原子為取代基之化合物的比較例1之組成物，與不含有具有氯原子為取代基之化合物的實施例1的組成物相比，顯示Tni的下降較大。

(比較例2)

調製不含有前述通式(ii)所表示的化合物、示於以下之組成物。將比較例2之組成物的物性值示於表3。

不含有前述通式(ii)所表示的化合物之比較例2的組成物，與含有前述通式(ii)所表示的化合物之實施例1的組成物相比，顯示Tni大幅下降。

(實施例2)

調製示於以下之組成物。將實施例2之組成物的物性值示於表4。

(實施例3)

調製示於以下之組成物。將實施例3之組成物的物性值示於表5。

(實施例4)

調製示於以下之組成物。將實施例4之組成物的物性值示於表6。

(實施例5)

調製示於以下之組成物。將實施例5之組成物的物性值示於表7。

(實施例6)

調製示於以下之組成物。將實施例6之組成物的物性值示於表8。

(實施例7)

調製示於以下之組成物。將實施例7之組成物的物性值示於表9。

(實施例8)

調製示於以下之組成物。將實施例8之組成物的物性值示於表10。

(實施例9)

調製示於以下之組成物。將實施例9之組成物的物性值示於表11。

在以上說明之各實施態樣中的各結構及此等的組合等係為範例之一，在不脫離本發明之趣旨的範圍內，結構的附加、省略、取代、及其他的變更係為可能。又，本發明並不受限於各實施態樣，僅因申請專利範圍第(申請專利範圍)的範圍而受到限定。

將各實施例所記載之液晶組成物的初期VHR、加熱後(150℃、1小時)的VHR、殘影評價、揮發性的評價、製程適合性的評價及低溫的溶解性的評價記載於表12~表13。

[產業上之可利用性]

本發明係提供一種△ε為正的液晶組成物，其能良率良好地製造具有廣溫度範圍的液晶相、黏性小、低溫的溶解性良好、比電阻與電壓保持率高、對於熱與光為穩定的、殘影與滴下痕等的顯示不良不易發生、顯示等級優異的液晶顯示元件，及提供一種使用該液晶組成物之液晶顯示元件。

Claims

一種液晶組成物，其係含有1種或2種以上的下述通式(i)所表示的化合物，含有1種或2種以上的下述通式(ii)所表示的化合物，且不含有具有氯原子為取代基之化合物， (式中，Rⁱ¹、Rⁱ²及Rⁱⁱ¹各自獨立表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接之2個以上的-CH₂-各自獨立一可以-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，該烷基中的氫原子亦可以氟原子取代，n表示1、2或3，Xⁱ¹、Xⁱ²、Xⁱ³及Xⁱ⁴各自獨立表示氫原子或氟原子，Aⁱⁱ¹表示反-1,4-伸環己基、或氫原子亦可以氟原子取代的1,4-伸苯基，n表示2或3的情形，Aⁱⁱ¹可為相同亦可為不同，Zⁱⁱ¹表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH₂CH₂-、-CF₂O-或-OCF₂-，n表示2或3的情形，Zⁱⁱ¹可為相同亦可為不同)。
如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其中前述通式(i)中的Xⁱ²為氟原子。
如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其中前述通式(i)中的Rⁱ¹及Rⁱ²之至少一者為丙基。
如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其中前述通式(ii)中的n為2且Aⁱⁱ¹之至少一者為反-1,4-伸環己基。
如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其中前述通式(ii)中的Zⁱⁱ¹為單鍵。
如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其中具有2種以上的前述通式(ii)所表示的化合物。
如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其中含有下述通式(L)所表示的化合物， (式中，R^L1及R^L2各自獨立表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接之2個以上的-CH₂-各自獨立一可以-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，OL表示0、1、2或3，B^L1、B^L2及B^L3各自獨立表示由下述之群組中選出之基：(a)1,4-伸環己基(該基中存在的1個-CH₂-或沒有鄰接之2個以上的-CH₂-亦可被取代為-O-)及(b)1,4-伸苯基(該基中存在的1個-CH=或沒有鄰接之2個以上的-CH=亦可被取代為-N=)上述的基(a)、基(b)中的1個或2個以上的氫原子亦可各自獨立以氰基、或氟原子取代，L^L1及L^L2各自獨立表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，OL為2或3且L^L2複數存在的情形，彼等可為相同亦可為不同，OL為2或3且B^L3複數存在的情形，彼等可為相同亦可為不同；但，通式(i)所表示的化合物除外)。
如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其中含有下述通式(M)所表示的化合物， (式中，R^M1表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接之2個以上的-CH₂-各自獨立一可以-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，PM表示0、1、2、3或4，C^M1及C^M2各自獨立表示由下述之群組中選出之基：(d)1,4-伸環己基(該基中存在的1個-CH₂-或沒有鄰接之2個以上的-CH₂-亦可被取代為-O-或-S-)及(e)1,4-伸苯基(該基中存在的1個-CH=或沒有鄰接之2個以上的-CH=亦可被取代為-N=)上述的基(d)、基(e)中的1個或2個以上的氫原子亦可各自獨立以氰基、或氟原子取代，K^M1及K^M2各自獨立表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-、-CF₂O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，PM為2、3或4且K^M1複數存在的情形，彼等可為相同亦可為不同，PM為2、3或4且C^M2複數存在的情形，彼等可為相同亦可為不同，X^M1及X^M3各自獨立表示氫原子或氟原子，X^M2表示氫原子、氟原子、氰基、三氟甲基、氟基甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基；但，通式(ii)所表示的化合物除外)。
一種液晶顯示元件，其係使用如申請專利範圍第1項之組成物。
一種IPS模式用、OCB模式、ECB模式、VA模式、VA-IPS模式或FFS模式液晶顯示元件，其係使用如申請專利範圍第1項之組成物。
一種液晶顯示器，其係使用如申請專利範圍第9或10項之液晶顯示元件。