TW201437339A

TW201437339A - 液晶組成物及使用其之液晶顯示元件

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Publication number: TW201437339A
Application number: TW102110460A
Authority: TW
Inventors: Joji Kawamura; Masahiro Niwa; Makoto Negishi; Yoshinori Iwashita
Original assignee: Dainippon Ink & Chemicals
Priority date: 2013-03-25
Filing date: 2013-03-25
Publication date: 2014-10-01
Also published as: TWI482846B

Abstract

一種液晶組成物，其含有1種或2種以上之下述通式(i)所示的化合物，含有1種或2種以上之下述通式(ii)所示的化合物，□□(式中，Ri1、Ri2及Rii1各自獨立地表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH2-係各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，該烷基中的氫原子係可被氟原子或氯原子取代，Xi1、Xi2、Xi3、Xi4、Xii1及Xii2各自獨立地表示氫原子或氟原子，Aii1、Aii2及Aii3各自獨立地表示反式-1,4-伸環己基或氫原子可被氟原子或氯原子取代之1,4-伸苯基)。

Description

液晶組成物及使用其之液晶顯示元件

本發明關於適用作為液晶顯示材料之介電常數各向異性(Δε)顯示正值的向列液晶組成物及使用其之液晶顯示元件。

液晶顯示元件係以鐘錶、計算機為代表，使用於各種測定機器、汽車用面板、文字處理機、電子筆記本、印表機、電腦、電視、鐘錶、廣告顯示板等。作為液晶顯示方式，於其代表者中，有TN(扭轉向列)型、STN(超扭轉向列)型、使用TFT(薄膜電晶體)之垂直配向型或IPS(面內切換)型等。此等液晶顯示元件中所用的液晶組成物，係要求對水分、空氣、熱、光等之外在因素呈現安定，而且在以室溫為中心的盡可能寬廣之溫度範圍中顯示液晶相，為低黏性，且驅動電壓低。再者，為了使對於各個顯示元件來說，介電常數各向異性(Δε)及/或折射率各向異性(Δn)等成為最適值，液晶組成物係由數種類至數十種類的化合物所構成。

於垂直配向(VA)型顯示器中，使用Δε為負的液晶組成物，於TN型、STN型或IPS(面內切換)型等之水平配向型顯示器中，使用Δε為正的液晶組成物。又，亦有報告於電壓無施加時，使Δε為正的液晶組成物垂直地配向，藉由施加橫電場而顯示之驅動方式，Δε為正的液晶組成物之必要性係進一步升高。另一方面，於全部的驅動方式中，要求低電壓驅動、高速反應、寬廣的動作溫度範圍。即，要求Δε為正且絕對值大，黏度(η)小，高的向列相-各向同性液體相轉移溫度(Tni)。另外，為了將Δn與晶胞間隙(cell gap)(d)之乘積的Δn×d設定在規定值，必須使液晶組成物的Δn與晶胞間隙一致，調節至適當的範圍。此外，於將液晶顯示元件應用於電視等時，由於重視高速反應性，而要求旋轉黏性(γ₁)小之液晶組成物。

於以高速反應性為目標之液晶組成物的構成中，例如有揭示組合Δε為正的液晶化合物之下述式(A-1)或下述式(A-2)所示的化合物及Δε為中性的液晶化合物之下述式(B)所示的化合物而使用之液晶組成物。此等液晶組成物之特徵係：Δε為正的液晶化合物具有-CF₂O-結構者，及Δε為中性的液晶化合物具有烯基者。此等之特徵係此液晶組成物的領域中所廣泛已知(參照專利文獻1~4)。

另一方面，液晶顯示元件之用途係擴大，在其使用方法、製造方法亦看到大幅變化。為了對應於此等之變化，要求將如習知的基本物性值以外之特性最合適化。即，使用液晶組成物的液晶顯示元件係廣泛使用VA型或IPS型等，其大小為50型以上的超大型尺寸之顯示元件亦達到實用化而使用。隨著基板尺寸之大型化，液晶組成物對基板的注入方法亦變化，從以往的真空注入法變成以滴下注入(ODF：One Drop Fill)法成為注入方法之主流。然而，將液晶組成物滴下至基板時，滴下痕跡導致顯示品質的降低之問題係浮現。再者，於ODF法的液晶顯示元件之製程中，必須按照液晶顯示元件的尺寸來滴下最適量的液晶。滴下量的偏移若離最適值大，則預先設計的液晶顯示元件之折射率或驅動電場之平衡會崩潰，發生不均或對比不良等之顯示不良。特別地，最近流行之智慧型手機中所多用的小型液晶顯示元件，由於最合適的液晶滴下量為少量，將與最適值的偏移控制在一定範圍內者本身係困難。因此，為了維持高的液晶顯示元件之製造良率，於液晶組成物中，例如必須受到來自液晶滴下時所發生的滴下裝置內之急劇壓力變化或衝撃之影響少，可長時間安定地連續滴下。

如此地，於以TFT元件等驅動的主動矩陣驅動液晶顯示元件所使用之液晶組成物中，要求一邊維持高速反應性能等之作為液晶顯示元件所要求的特性或性能，一邊除了以往重視的高比電阻值、高電壓保持率、對於光或熱等之外在刺激的安定性之特性，還考慮液晶顯示元件之製造方法之開發。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2008-037918號公報

[專利文獻2]日本特開2008-038018號公報

[專利文獻3]日本特開2010-275390號公報

[專利文獻4]日本特開2011-052120號公報

本發明所欲解決之問題在於提供具有寬廣溫度範圍的液晶相，黏性小，低溫下的溶解性良好，比電阻或電壓保持率高，對於熱或光呈現安定，不易發生殘影(burn-in)或滴下痕跡等之顯示不良，可高良率地製造顯示品質優異的液晶顯示元件之Δε為正的液晶組成物，以及使用該液晶組成物之液晶顯示元件。

本發明者檢討各種的液晶化合物及各種的化學物質，發現藉由組合特定的液晶化合物，可解決前述問題，終於完成本發明。即，本發明的第一態樣係以下的液晶組成物，本發明的第二態樣係以下的液晶元件。

[1]一種液晶組成物，其含有1種或2種以上之下述通式(i)所示的化合物，含有1種或2種以上之下述通式(ii)所示的化合物，

(式中，Rⁱ¹、Rⁱ²及Rⁱⁱ¹各自獨立地表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂-係各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，該烷基中的氫原子係可被氟原子或氯原子取代，Xⁱ¹、Xⁱ²、Xⁱ³、Xⁱ⁴、Xⁱⁱ¹及Xⁱⁱ²各自獨立地表示氫原子或氟原子，Aⁱⁱ¹、Aⁱⁱ²及Aⁱⁱ³各自獨立地表示反式-1,4-伸環己基或氫原子可被氟原子或氯原子取代之1,4-伸苯基)。

[2]如前述[1]記載之液晶組成物，其中前述通式(i)之Xⁱ²係氟原子。

[3]如前述[1]或[2]記載之液晶組成物，其中前述通式(ii)之Aⁱⁱ¹係反式-1,4-伸環己基。

[4]如前述[1]至[3]中任一項記載之液晶組成物，其中前述通式(ii)之Aⁱⁱ²及Aⁱⁱ³係氫原子可被氟原子取代之1,4-伸苯基。

[5]如前述[1]至[4]中任一項記載之液晶組成物，其中前述通式(ii)之Xⁱⁱ¹係氟原子。

[6]如前述[1]至[5]中任一項記載之液晶組成物，其含有下述通式(L)所示的化合物，

(式中，R^L1及R^L2各自獨立地表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂-係各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，OL表示0、1、2或3，B^L1、B^L2及B^L3各自獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(此基中存在的1個-CH₂-或未鄰接的2個以上之-CH₂-可被-O-取代)及(b)1,4-伸苯基(此基中存在的1個-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被-N=取代)所組成之群組中的基，上述之基(a)、基(b)中的1個或2個以上之氫原子各自獨立地可被氰基、氟原子或氯原子取代，L^L1及L^L2各自獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，當OL為2或3且L^L2係複數存在時，彼等可相同或相異，當OL為2或3且B^L3係複數存在時，彼等可相同或相異)。

[7]如前述[1]至[6]中任一項記載之液晶組成物，其含有下述通式(M)所示的化合物，

(式中，R^M1表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂-係各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，PM表示0、1、2、3或4，C^M1及C^M2各自獨立地表示選自由(d)1,4-伸環己基(此基中存在的1個-CH₂-或未鄰接的2個以上之-CH₂-可被-O-或-S-取代)及(e)1,4-伸苯基(此基中存在的1個-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被-N=取代)所組成之群組中的基，上述之基(d)、基(e)中的1個或2個以上之氫原子各自獨立地可被氰基、氟原子或氯原子取代，K^M1及K^M2各自獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-、-CF₂O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，當PM為2、3或4且K^M1係複數存在時，彼等可相同或相異，當PM為2、3或4且C^M2係複數存在時，彼等可相同或相異，X^M1及X^M3各自獨立地表示氫原子、氯原子或氟原子，X^M2表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基；惟，通式(i)所示的化合物及通式(ii)所示的化合物除外)。

[8]一種液晶顯示元件，其使用如前述[1]至[7]中任一項記載之液晶組成物。

[9]一種IPS模式、OCB模式、ECB模式、VA模式、VA-IPS模式或FFS模式用液晶顯示元件，其使用如前述[1]至[7]中任一項記載之液晶組成物。

[10]一種液晶顯示器，其使用如前述[8]或[9]記載之液晶顯示元件。

本發明之具有正的介電常數各向異性之液晶組成物，係具有比往還低的黏性，低溫下的溶解性良好，其比電阻或電壓保持率係因熱或光所致的變化程度極小。因此，本發明的液晶組成物對於液晶製品的實用性(適用性)高，使用前述液晶組成物的IPS型或FFS型等之液晶顯示元件係可達成高速反應。又，由於即使經過液晶顯示元件的製程後，本發明的液晶組成物也可安定地發揮其性能，可抑制起因於製程所造成的顯示不良，可高良率地製造液晶顯示元件，故非常有用。

100‧‧‧第1基板

102‧‧‧TFT層

103‧‧‧畫素電極

104‧‧‧鈍化膜

105‧‧‧第1配向膜

200‧‧‧第2基板

201‧‧‧平坦化膜(罩面層)

202‧‧‧黑色矩陣

203‧‧‧彩色濾光片

203a‧‧‧紅色的彩色濾光片

203b‧‧‧綠彩色濾光片

203c‧‧‧藍彩色濾光片

204‧‧‧透明電極

205‧‧‧第2配向膜

301‧‧‧密封材

302‧‧‧突起(柱狀間隔物)

303‧‧‧液晶層

304‧‧‧突起(柱狀間隔物)

401‧‧‧遮罩圖案

402‧‧‧樹脂層

L‧‧‧光

第1圖係本發明的液晶顯示元件之截面圖。將具備100~105的基板稱為「背板(backplane)」，將具備200~205的基板稱為「前板(frontplane)」。

第2圖係使用在黑色矩陣上形成的柱狀間隔物作成用圖案作為光罩圖案之曝光處理步驟之圖。

[實施發明之形態]

又，以下的組成物中之「%」只要沒有特別明示，則意味『質量%』。

本案發明的液晶組成物含有1種或2種以上之下述通式(i)所示的化合物，含有1種或2種以上之下述通式(ii)所示的化合物，

<通式(i)所示的化合物>

前述通式(i)中，Xⁱ²較佳為氟原子，Xⁱ¹、Xⁱ³及Xⁱ⁴較佳為氫原子。

前述通式(i)中，Rⁱ¹及Rⁱ²各自獨立地較佳為碳原子數1~8之直鏈的烷基或碳原子數2~8之直鏈的烯基，更佳為碳原子數2~5之直鏈的烷基或碳原子數2~5之直鏈的烯基，尤佳為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或下述之結構，特佳為乙基、丙基、丁基或戊基，

(式中，以右端鍵結於環結構)。

當重視反應速度的改善時，較佳為烯基，當重視成為液晶組成物時的電壓保持率等之可靠性時，較佳為烷基。

作為前述通式(i)所示的化合物，較佳為通式(i-1)所示的化合物。

(式中，R⁴¹及R⁴²各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基或碳原子數2~5的烯基)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。再者，於本發明的又一實施形態中為3種類。更且，於本發明的再一實施形態中為4種類。再者，於本發明的別一實施形態中為5種類。更且，於本發明的另一實施形態中為6種類以上。其中特佳為含有2種類之實施形態。

再者，通式(i-1)所示的化合物例如較佳為由通式(i-1-1)所示的化合物群中選出之化合物。

(式中，R⁴³、R⁴⁴各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基)。

通式(i-1-1)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述通式(i-1-1)所示的化合物之含量較佳為1~40質量%，更佳為2~30質量%，尤佳為4~20質量%，特佳為8~16質量%。

通式(i-1-1)所示的化合物例如較佳為式(i-1-1.1)至式(i-1-1.9)所示的化合物。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，較佳含有此等之中的1種~3種類，更佳含有1種~2種類，特佳含有2種類。又，由於所選擇的化合物之分子量分布廣亦有效於溶解性，故例如較佳為選擇式(i-1-1.1)及(i-1-1.2)所示的化合物中之1種類、式(i-1-1.4)及(i-1-1.5)所示的化合物中之1種類、式(i-1-1.6)及式(i-1-1.7)所示的化合物中之1種類、式(i-1-1.8)及(i-1-1.9)所示的化合物中之1種類的化合物，適宜組合此等。

其中，較佳為(i-1-1.1)與(i-1-1.6)之組合、(i-1-1.4)與(i-1-1.6)之組合、(i-1-1.1)與(i-1-1.3)之組合、(i-1-1.1) 與(i-1-1.4)之組合，更佳為(i-1-1.1)與(i-1-1.6)之組合、(i-1-1.1)與(i-1-1.3)之組合、(i-1-1.1)與(i-1-1.4)之組合。

於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，式(i-1-1.1)所示的化合物之含量較佳為1~40質量%，更佳為2~20質量%，特佳為3~10質量%。

於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，式(i-1-1.3)所示的化合物之含量較佳為1~40質量%，更佳為2~20質量%，尤佳為4~10質量%，特佳為5~9質量%。

於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，式(i-1-1.4)所示的化合物之含量較佳為1~40質量%，於另一實施形態中，式(i-1-1.4)所示的化合物之含量為2~20質量%，於更另一實施形態中，式(i-1-1.4)所示的化合物之含量為5~10質量%。

於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，式(i-1-1.6)所示的化合物之含量較佳為1~40質量%，於另一實施形態中，式(i-1-1.6)所示的化合物之含量為2~20質量%，於更另一實施形態中，式(i-1-1.6)所示的化合物之含量為4~10質量%。

<通式(ii)所示的化合物>

前述通式(ii)中，Rⁱⁱ¹較佳為碳原子數1~8的烷基或碳原子數2~8之直鏈的烯基，更佳為碳原子數2~5之直鏈的烷基或碳原子數2~5之直鏈的烯基，尤佳為乙基、丙基、丁基、戊基或下述之結構

(式中，以右端鍵結於環結構)，尤更佳為丙基。

前述通式(ii)中，Aⁱⁱ¹較佳為反式-1,4-伸環己基。

又，前述通式(ii)中，Aⁱⁱ²及Aⁱⁱ³較佳為氫原子可被氟原子取代之1,4-伸苯基。

另外，前述通式(ii)中，Aⁱⁱ²較佳為1,4-伸苯基。

還有，前述通式(ii)中，Aⁱⁱ³較佳為氫原子可被氟原子取代之1,4-伸苯基。

前述通式(ii)中，Xⁱⁱ¹較佳為氟原子。

前述通式(ii)所示的化合物較佳為下述通式(ii-1)所示的化合物。

(式中，R¹⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。

通式(ii-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1~20質量%，更佳為2~16質量%，尤佳為2~13。特別地當考慮低溫下的析出之改善時，較佳為3~10質量%，更佳為4~8質量%，尤佳為5~7質量%。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(ii-1) 所示的化合物，具體地較佳為式(ii-1.1)至式(ii-1.4)所示的化合物，其中較佳含有式(ii-1.2)、式(ii-1.4)所示的化合物。

於本發明的液晶組成物中，式(ii-1.2)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1~35質量%，尤佳為2~25質量%，尤較佳2~15質量%，尤更佳為2~10質量%，特佳為4~8質量%。

於本發明的液晶組成物中，式(ii-1.4)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1~35質量%，更佳為2~25質量%，尤佳為2~15質量%，特佳為3~8質量%。

又，通式(ii)所示的化合物較佳為下述通式(ii-2)所示的化合物。

可組合的化合物係沒有特別的限制，考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類以上組合，更佳為1種至3種類以上組合。

通式(ii-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1~10質量%，更佳為2~8質量%，特佳為2~5質量%。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(ii-2)所示的化合物，具體地較佳為式(ii-2.1)至式(ii-2.4)所示的化合物，其中較佳含有式(ii-2.2)所示的化合物。

於本發明的液晶組成物中，式(ii-2.2)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1~10質量%，更佳為2~8質量%，特佳為2~5質量%。

又，前述通式(ii)所示的化合物較佳為下述通式(ii-3)所示的化合物。

通式(ii-3)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1~20質量%，更佳為2~16質量%，特佳為2~13。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(ii-3)所示的化合物，具體地較佳為式(ii-3.1)至式(ii-3.4)所示的化合物，其中較佳含有式(ii-3.2)所示的化合物。

於本發明的液晶組成物中，式(ii-3.2)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1~35質量%，更佳為2~25質量%，尤佳為2~15質量%，特佳為2~10質量%。

又，通式(ii)所示的化合物較佳為下述通式(ii-4)所示的化合物。

通式(ii-4)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為3質量%以上20質量%以下，更佳為6質量%以上16質量%以下，尤佳為9質量%以上12質量%以下，特佳為9質量%以上10質量%以下。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(ii-4)所示的化合物，具體地較佳為式(ii-4.1)至式(ii-4.4)所示的化合物，其中較佳含有式(ii-4.2)所示的化合物。

於本發明的液晶組成物中，式(ii-4.2)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1~10質量%，更佳為2~8質量%，特佳為2~5質量%。

又，通式(ii)所示的化合物較佳為下述通式(ii-5)所示的化合物。

通式(ii-5)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為3質量%以上20質量%以下，更佳為6質量%以上16質量%以下，尤佳為9質量%以上12質量%以下，特佳為9質量%以上10質量%以下。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(ii-5)所示的化合物，具體地較佳為式(ii-5.1)至式(ii-5.4)所示的化合物，其中較佳含有式(ii-5.2)所示的化合物。

於本發明的液晶組成物中，式(ii-5.2)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上35質量%以下，更佳為2質量%以上25質量%以下，尤佳為3質量%以上20質量%以下，尤較佳為3質量%以上15質量%以下，尤更佳為3質量%以上10質量% 以下，更較佳為4質量%以上10質量%以下。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(ii)所示的化合物，較佳為通式(ii-6)所示的化合物。

可組合的化合物係沒有特別的限制，考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類以上組合。

通式(ii-6)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為3質量%以上20質量%以下，更佳為6質量%以上16質量%以下，尤佳為9質量%以上12質量%以下，特佳為9質量%以上10質量%以下。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(ii-6)所示的化合物，具體地較佳為式(ii-6.1)至式(ii-6.4)所示的化合物，其中較佳含有式(ii-6.2)所示的化合物。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，較佳含有此等化合物之中的1種~3種類，更佳含有1種~2種類。

組合較佳為(ii-1.2)單獨、(ii-2.2)單獨、(ii-3.2)單獨、(ii-4.2)單獨、(ii-1.2)與(ii-1.4)之組合、(ii-1.2)與(ii-2.2)之組合、(ii-1.2)與(ii-4.2)之組合。

通式(ii)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1~25質量%，更佳為2~20質量%，特佳為4~16。

通式(i)所示的化合物及通式(ii)所示的化合物之合計含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為10質量%以上30質量%以下，更佳為13質量%以上28質量%以下，尤佳為16質量%以上25質量%以下，尤更佳為17質量%以上24質量%以下。

通式(i)所示的化合物及通式(ii)所示的化合物較佳為合計使用2~4種，更佳為使用3或4種，特佳為使用3種。當通式(i)所示的化合物及通式(ii)所示的化合物合計使用3種時，較佳為使用2種之通式(i)所示的化合物、1種之通式(ii)所示的化合物。此時，作為通式(i)所示的化合物，較佳為使用式(i-1-1.1)與式(i-1-1.6)之2種，式(i-1-1.1)與式(i-1-1.3)之2種、式(i-1-1.1)與(i-1-1.4)之2種，作為通式(ii)所示的化合物，較佳為使用式(ii-1.2)之1種。

本發明的液晶組成物亦可含有1種類或2種類以上之通式(L)所示的化合物。

(式中，R^L1及R^L2各自獨立地表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂-係各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，OL表示0、1、2或3，B^L1、B^L2及B^L3各自獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(此基中存在的1個-CH₂-或未鄰接的2個以上之-CH₂-可被-O-取代)及(b)1,4-伸苯基(此基中存在的1個-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被-N=取代)所組成之群組中的基，上述之基(a)、基(b)中的至少1個氫原子各自獨立地可被氰基、氟原子或氯原子取代，L^L1及L^L2各自獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，當OL為2或3且L^L2係複數存在時，彼等可相同或相異，當OL為2或3且B^L3係複數存在時，彼等可相同或相異；惟，通式(i)所示的化合物除外)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之所欲的性能來適宜組合而使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。又，於本發明的又一實施形態中為3種類。再者，於本發明的再一實施形態中為4種類。更且，於本發明的別一實施形態中為5種類。再者，於本發明的另一實施形態中為6種類。更且，於本發明的又一實施形態中為7種類。再者，於本發明的再一實施形態中為8種類。更且，於本發明的別一實施形態中為9種類。再者，於本發明的另一實施形態中為10種類以上。

於本發明的液晶組成物中，通式(L)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為1~95質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為10~95質量%。又，於本發明的又一實施形態中，前述含量為20~95質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為30~95質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為40~95質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為50~95質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為55~95質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為60~95質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為65~95質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為70~95質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為75~95質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為80~95質量%。

再者，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個形態中為1~95%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為1~85%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為1~75%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為1~65%。再者，於本發明的別一實施形態中，前述含量為1~55%。更且，於本發明的另一實施形態中，前述含量為1~45%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為1~35%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為1~25%。

於將本發明的液晶組成物之黏度保持低，需要反應速度快的液晶組成物時，較佳為上述的下限值高且上限值高者。再者，於將本發明的液晶組成物之Tni保持高，需要溫度安定性良好的液晶組成物時，較佳為上述的下限值高且上限值高者。又，為了保持低的驅動電壓而想增大介電常數各向異性時，較佳為降低上述的下限值且上限值是低者。

R^L1及R^L2，當其所鍵結的環結構為苯基(芳香族 )時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5的烷基、直鏈狀之碳原子數1~4(或其以上)的烷氧基及碳原子數4~5的烯基，當其所鍵結的環結構為環己烷、哌喃及二烷等之飽和環結構時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5的烷基、直鏈狀之碳原子數1~4(或其以上)的烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5的烯基。

於要求液晶組成物的化學安定性時，通式(L)所示的化合物較佳為在其分子內沒有氯原子。

通式(L)所示的化合物例如較佳為由通式(I)所示的化合物群中選出之化合物。

R¹¹-A¹¹-A¹²-R¹² (I)

(式中，R¹¹及R¹²各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數1~5的烷氧基或碳原子數2~5的烯基，A¹¹及A¹²各自獨立地表示1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或3-氟-1,4-伸苯基)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能來適宜組合而使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。又，於本發明的又一實施形態中為3種類。再者，於本發明的再一實施形態中為4種類。更且，於本發明之別一施形態中為5種類以上。再者，於本發明的另一實施形態中為6種類以上。

於本發明的液晶組成物中，通式(I)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為3~75質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為15~75質量%。又，於本發明的又一實施形態中，前述含量為18~75質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為20~75質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為29~75質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為35~75質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為42~75質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為47~75質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為53~75質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為56~75質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為60~75質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為65~75質量%。

再者，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述含量例如於本發明的一個形態中為3~75質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~65質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為3~55質量%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為3~50質量%。再者，於本發明的別一實施形態中，前述含量為3~45質量%。更且，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~40質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為3~35質量%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為3~30質量%。

於將本發明的液晶組成物之黏度保持低，需要反應速度快的液晶組成物時，較佳為上述的下限值高且上限值高者。再者，於將本發明的液晶組成物之Tni保持高，需要溫度安定性良好的液晶組成物時，較佳為上述的下限值是中庸且上限值是中庸者。又，為了保持低的驅動電壓而想增大介電常數各向異性時，較佳為降低上述的下限值且上限值是低者。

再者，通式(I)所示的化合物較佳為由通式(I-1)所示的化合物群中選出之化合物。

(式中，R¹¹及R¹²各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數1~5的烷氧基或碳原子數2~5的烯基)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能來適宜組合而使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。又，於本發明的又一實施形態中為3種類。再者，於本發明的再一實施形態中為4種類。更且，於本發明的別一實施形態中為5種類以上。

於本發明的液晶組成物中，通式(I-1)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中，前述含量為3~70質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為15~70質量%。又，於本發明的又一實施形態中，前述含量為18~70質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為25~70質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為29~70質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為31~70質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為35~70質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為43~70質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為47~70質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為50~70質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為53~70質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為56~70質量%。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個形態中，前述含量為3~70質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~60質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為3~50質量%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為3~45質量%。再者，於本發明的別一實施形態中，前述含量為3~40質量%。更且，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~35質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為3~30質量%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為3~26質量%。

再者，通式(I-1)所示的化合物較佳為由通式(I-1-1)所示的化合物群中選出之化合物。

(式中，R¹²各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~5的烷氧基)。

於本發明的液晶組成物中，通式(I-1-1)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為2~60質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為4~60質量%。又，於本發明的又一實施形態中，前述含量為7~60質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為11~60質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為13~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為15~60質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為17~60質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為20~60質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為25~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為30~60質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為32~60質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為35~60質量%。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個形態中為2~60質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為2~50質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為2~40質量%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為2~35質量%。再者，於本發明的別一實施形態中，前述含量為2~30質量%。更且，於本發明的另一實施形態中，前述含量為2~25質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為2~20質量%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為2~15質量%。

再者，通式(I-1-1)所示的化合物較佳為由式(1.1)至式(1.3)所示的化合物群中選出之化合物，更佳為式(1.2)或式(1.3)所示的化合物，特佳為式(1.3)所示的化合物。

式(1.2)或式(1.3)所示的化合物當各自單獨使用時，式(1.2)所示的化合物之含量稍高者係有效於反應速度之改善，式(1.3)所示的化合物之含量為下述所示的範圍由於可形成反應速度快、電氣、光學可靠性高之液晶組成物而較佳。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳含有3~35質量%之式(1.3)所示的化合物，更佳含有4~25質量%，特佳含有4~20質量%以下。相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個形態中為4~6質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為7~9質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為12~18質量%。

再者，通式(I-1)所示的化合物較佳為由通式(I-1-2)所示的化合物群中選出之化合物。

(式中R¹²各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數1~5的烷氧基或碳原子數2~5的烯基)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之所欲的性能來適宜組合而使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。又，於本發明的又一實施形態中為3種類。

於本發明的液晶組成物中，通式(I-1-2)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為7~60質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為15~60質量%。又，於本發明的又一實施形態中，前述含量為18~60質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為21~60質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為24~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為27~60質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為30~60質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為34~60質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為37~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為41~60質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為47~60質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為50~60質量%。

再者，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為7~60質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為7~55質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為7~45質量%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為7~40質量%。再者，於本發明的別一實施形態中，前述含量為7~35質量%。更且，於本發明的另一實施形態中，前述含量為7~30質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為7~25質量%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為7~20質量%。

更且，通式(I-1-2)所示的化合物較佳為由式(2.1)至式(2.4)所示的化合物群中選出之化合物，更佳為式(2.2)至式(2.4)所示的化合物。特別地，式(2.2)所示的化合物由於特別改善本發明的液晶組成物之反應速度而較佳。又，於要求高的Tni更勝於反應速度時，較佳為使用式(2.3)或式(2.4)所示的化合物。式(2.3)及式(2.4)所示的化合物之含量，為了使低溫下的溶解度成為良好，較佳為20%以上。

於本發明的液晶組成物中，式(2.2)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為5質量%以上55質量%以下。作為前述含量之更佳例，可舉出7質量%以上47質量%以下。

於本發明的液晶組成物中，式(2.2)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為5~55質量%，更佳為15~50質量%，尤佳為25~48質量%，尤更佳為35~48質量%，特佳為40~48質量%。

本案發明的液晶組成物亦可更含有具有與通式(I-1-2)所示的化合物類似之結構的式(2.5)所示的化合物。

較佳為按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能來調整式(2.5)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量而言，較佳含有11質量%以上的此化合物，更佳含有15質量%，尤佳含有23質量%，尤更佳含有26質量%以上，特佳含有28質量%以上。

再者，通式(I)所示的化合物較佳為由通式(I-2)所示的化合物群中選出之化合物。

(式中，R¹³及R¹⁴各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。又，於本發明的又一實施形態中為3種。

於本發明的液晶組成物中，通式(I-2)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為3~60質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為4~60質量%。又，於本發明的又一實施形態中，前述含量為15~60質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為25~60質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為30-60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為35~60質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為38~60質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為40~60質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為42~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為45~60質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為47~60質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為50~60質量%。

再者，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，於例如於本發明的一個形態中為3~60質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~55質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為3~45質量%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為3~40質量%。再者，於本發明的別一實施形態中，前述含量為3~30質量%。更且，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~20質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為3~15質量%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為3~5質量%。

更且，通式(I-2)所示的化合物較佳為由式(3.1)至式(3.4)所示的化合物群中選出之化合物，更佳為式(3.1)、式(3.3)或式(3.4)所示的化合物。特別地，式(3.2)所示的化合物由於特別改善本發明的液晶組成物的反應速度而較佳。又，於要求高的Tni更勝於反應速度時，較佳為使用式(3.3)或式(3.4)所示的化合物。式(3.3)及式(3.4)所示的化合物之含量，為了使低溫下的溶解度成為良好，較佳為20%以上。

再者，，通式(I-2)所示的化合物較佳為由式(3.1)至式(3.4)所示的化合物群中選出之化合物，更佳為式(3.1)、式(3.3)及/或式(3.4)所示的化合物。

於本發明的液晶組成物中，式(3.3)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為2質量%以上40質量%以下。更佳的含量，例如可舉出3質量%以上40質量%以下、4質量%以上40質量%以下、或3質量%以上5質量%以下、3質量%以上10質量%以下、3質量%以上12質量%以下、3質量%以上14質量%以下、3質量%以上16質量%以下、3質量%以上20質量%以下、3質量%以上23質量%以下、3質量%以上26質量%以下、3質量%以上30質量%以下、3質量%以上34質量%以下、3質量%以上37質量%以下。

再者，通式(I)所示的化合物較佳為由通式(I-3)所示的化合物群中選出之化合物。

(式中，R¹³表示碳原子數1~5的烷基，R¹⁵表示碳原子數1~4的烷氧基)

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。又，於本發明的又一實施形態中為3種類。

於本發明的液晶組成物中，通式(I-3)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為3質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為4~60質量%。又，於本發明的又一實施形態中，前述含量為15~60質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為25~60質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為30~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為35~60質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為38~60質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為40~60質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為42~60質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為45~60質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為47~60質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為50~60質量%。

再者，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個形態中，前述含量為3~60質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~55質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為3~45質量%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為3~40質量%。再者，於本發明的別一實施形態中，前述含量為3~30質量%。更且，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~20質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為3~15質量%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為3~5質量%。

於重視低溫下的溶解性時，若稍多地設定含量則效果高，相反地，於重視反應速度時，若稍少地設定含量則效果高。再者，於改良滴下痕跡或殘影特性時，較佳為將含量之範圍設定在中間。

再者，通式(I-3)所示的化合物較佳為由式(4.1)至式(4.3)所示的化合物群中選出之化合物，更佳為式(4.3)所示的化合物。

式(4.3)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為2質量%以上30質量%以下，更佳為4質量%以上30質量%以下，尤佳為6質量%以上30質量%以下，尤較佳為8質量%以上30質量%以下，尤更佳為10質量%以上30質量%以下，更佳為12質量%以上30質量%以下，更佳為14質量%以上30質量%以下，更佳為16質量%以上30質量%以下，更佳為18質量%以上25質量%以下，更佳為20質量%以上24質量%以下，特佳為22質量%以上23質量%以下。

再者，通式(I)所示的化合物較佳為由通式(I-4)所示的化合物群中選出之化合物。

(式中，R¹¹及R¹²各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數4~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。

於本發明的液晶組成物中，通式(I-4)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為3~50質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為5~50質量%。又，於本發明的又一實施形態中，前述含量為6~50質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為8~50質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為10~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為12~50質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為15~50質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為20~50質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為25~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為30~50質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為35~50質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為40~50質量%。

再者，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個形態中，前述含量為3~50質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~40質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為3~35質量%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為3~30質量%。再者，於本發明的別一實施形態中，前述含量為3~20質量%。更且，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~15質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為3~10質量%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為3~5質量%。

於得到高的雙折射率時，若稍多地設定含量則效果高，相反地，於重視高的Tni時，若稍少地設定含量則效果高。再者，於改良滴下痕跡或殘影特性時，較佳為將含量之範圍設定在中間。

再者，通式(I-4)所示的化合物較佳為由式(5.1) 至式(5.4)所示的化合物群中選出之化合物，更佳為式(5.2)至式(5.4)所示的化合物。

式(5.2)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為2~30質量%，更佳為4~20質量%，尤佳為6~15質量%，特佳為8~12質量%。

式(5.4)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為2~30質量%，更佳為4~20質量%，尤佳為6~15質量%，特佳為8~12質量%。

再者，通式(I)所示的化合物較佳為由通式(I-5)所示的化合物群中選出之化合物。

(式中，R¹¹及R¹²各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。

於本發明的液晶組成物中，通式(I-5)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為1~50質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為5~50質量%。又，於本發明的又一實施形態中，前述含量為8~50質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為11~50質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為13~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為15~50質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為17~50質量%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為20~50質量%。再者，於本發明的別一實施形態中，前述含量為25~50質量%。更且，於本發明的另一實施形態中，前述含量為30~50質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為35~50質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為40~50質量%。

再者，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個形態中為1~50%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為1~40%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為1~35%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為1~30%。再者，於本發明的別一實施形態中，前述含量為1~20%。更且，於本發明的另一實施形態中，前述含量為1~15%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為1~10%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為1~5%。

再者，通式(I-5)所示的化合物較佳為由式(6.1)至式(6.6)所示的化合物群中選出之化合物，更佳為式(6.3)、式(6.4)及式(6.6)所示的化合物。

例如，相對於本發明的液晶組成物之總質量，式(6.3)所示的化合物之含量較佳為2質量%以上30質量%以下，更佳為4質量%以上30質量%以下，尤佳為5質量%以上30質量%以下，尤較佳為6質量%以上30質量%以下，尤更佳為9質量%以上30質量%以下，特佳為10質量%以上30質量%以下。

本案發明的液晶組成物亦可更含有式(6.7)~式(6.8)所示的化合物。

較佳為按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能來調整式(6.7)~式(6.8)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量而言，較佳含有2質量%以上的此化合物，更佳含有3質量%以上，尤佳含有4質量%以上，尤更佳含有5質量%以上，特佳含有7質量%以上。

再者，通式(I)所示的化合物較佳為由通式(I-6)所示的化合物群中選出之化合物。

(式中，R¹¹及R¹²各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數4~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X¹¹及X¹²各自獨立地表示氟原子或氫原子，X¹¹或X¹²中的任一者為氟原子)。

通式(I-6)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為2質量%以上30質量%以下，更佳為4質量%以上30質量%以下，尤佳為5質量%以上30質量%以下，尤較佳為6質量%以上30質量%以下，尤更佳為9質量%以上30質量%以下，更佳為12質量%以上30質量%以下，更佳為14質量%以上30質量%以下，更佳為16質量%以上30質量%以下，更佳為18質量%以上25質量%以下，更佳為20質量%以上24質量%以下，特佳為22質量%以上23質量%以下。

再者，通式(I-6)所示的化合物較佳為式(7.1)所示的化合物。

更且，通式(I)所示的化合物較佳為由通式(I-7)所示的化合物群中選出之化合物。

(式中，R¹¹及R¹²各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數、1~4的烷氧基，X¹²各自獨立地表示氟原子或氯原子)。

通式(I-7)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上30質量%以下，更佳為2質量%以上30質量%以下，尤佳為3質量%以上30質量%以下，尤較佳為4質量%以上30質量%以下，尤更佳為6質量%以上30質量%以下，更佳為8質量%以上30質量%以下，更佳為10質量%以上30質量%以下，更佳為12質量%以上30質量%以下，更佳為15質量%以上25質量%以下，更佳為18質量%以上24質量%以下，特佳為21質量%以上22質量%以下。

再者，通式(I-7)所示的化合物較佳為式(8.1)所示的化合物。

更且，通式(I)所示的化合物較佳為由通式(I-8)所示的化合物群中選出之化合物。

(式中，R¹⁶及R¹⁷各自獨立地表示碳原子數2~5的烯基)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但較佳為按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合1種類至3種類。

通式(I-8)所示的化合物之含量，係按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電常數各向異性等之要求的性能，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為5質量%以上65質量%以下，更佳為10質量%以上65質量%以下，尤佳為15質量%以上65質量%以下，尤較佳為20質量%以上65質量%以下，尤更佳為25質量%以上65質量%以下，更佳為30質量%以上65質量%以下，更佳為35質量%以上65質量%以下，更佳為40質量%以上65質量%以下，更佳為45質量%以上60質量%以下，更佳為50質量%以上58質量%以下，特佳為55質量%以上56質量%以下。

再者，通式(I-8)所示的化合物較佳為由式(9.1)至式(9.10)所示的化合物群中選出之化合物，更佳為式(9.2)、式(9.4)及式(9.7)所示的化合物。

更且，通式(L)所示的化合物例如較佳為由通式(II)所示的化合物中選出之化合物。

(R²¹及R²²各自獨立地表示碳原子數2~5的烯基、碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基，A²表示1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，Q²表示單鍵、-COO-、-CH₂-CH₂-或-CF₂O-)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。又，於本發明的更一實施形態中為3種類。再者，於本發明的又一實施形態中為4種類以上。

於本發明的液晶組成物中，通式(II)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為3~50質量%。或者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為5~50質量%。又，於本發明的又一實施形態中，前述含量為7~50質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為10~50質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為14~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為16~50質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為20~50質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為23~50質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為26~50質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為30~50質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為35~50質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為40~50質量%。

再者，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個形態中為3~50質量%。又，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~40質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為3~35質量%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為3~30質量%。再者，於本發明的別一實施形態中，前述含量為3~20質量%。更且，於本發明的另一實施形態中，前述含量為3~15質量%。再者，於本發明的又一實施形態中，前述含量為3~10質量%。更且，於本發明的再一實施形態中，前述含量為3~5質量%。

更且，通式(II)所示的化合物例如較佳為由通式(II-1)所示的化合物群中選出之化合物。

(R²¹及R²²各自獨立地表示碳原子數2~5的烯基、碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基)。

通式(II-1)所示的化合物之含量，較佳為按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能來調整，較佳為4質量%以上24質量%以下，更佳為8質量%以上18質量%以下，尤佳為12質量%以上14質量%以下。

再者，通式(II-1)所示的化合物例如較佳為式(10.1)及式(10.2)所示的化合物，更佳為式(10.1)所示的化合物。

式(10.1)所示的化合物之含量，較佳為按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能來調整，較佳為4~24質量%，更佳為8~18質量%，尤佳為8~14質量%。

再者，通式(II)所示的化合物例如較佳為由通式(II-2)所示的化合物群中選出之化合物。

(R²³表示碳原子數2~5的烯基，R²⁴表示碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類以上。

於本發明的液晶組成物中，通式(II-2)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。

更且，通式(II-2)所示的化合物例如較佳為式(11.1)至式(11.3)所示的化合物，更佳為式(11.1)所示的化合物。

按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能，可含有式(11.1)所示的化合物，或含有式(11.2)所示的化合物，或含有式(11.1)所示的化合物與式(11.2)所示的化合物這兩者，或含有式(11.1)至式(11.3)所示的化合物全部。式(11.1)或式(11.2)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為3質量%以上40質量%以下，更佳為5質量%以上35質量%以下，尤佳為5質量%以上30質量%以下，特佳為5質量%以上25質量%以下，最佳為5質量%以上20質量%以下。

又，式(11.1)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為3~40質量%，更佳為4~20質量%，特佳為6~15質量%。

再者，通式(II)所示的化合物例如較佳為由通式(II-3)所示的化合物群中選出之化合物。

(R²⁵表示碳原子數1~5的烷基，R²⁴表示碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能，較佳含有此等化合物之中的1種~3種類。

通式(II-3)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。較佳的含量，例如相對於本發明的液晶組成物之總質量，可舉出前述化合物之含量為2~45質量%。更佳的含量，例如可舉出5~45質量%、8~45質量%、11~45質量%、14~45質量%、17~45質量%、20~45質量%、23~45質量%、26~45質量%、29~45質量%、或2~45質量%、2~40質量%、2~35質量%、2~30質量%、2~25質量%、2~20質量%、2~15質量%、2~10質量%。

再者，通式(II-3)所示的化合物例如較佳為式(12.1)至式(12.3)所示的化合物。

按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能，可含有式(12.1)所示的化合物，或含有式(12.2)所示的化合物，或含有式(12.1)所示的化合物與式(12.2)所示的化合物這兩者。

式(12.1)或式(12.2)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為3質量%以上40質量%以下，更佳為5質量%以上40質量%以下，尤佳為7質量%以上40質量%以下，尤較佳為9質量%以上40質量%以下，尤更佳為11質量%以上40質量%以下，更佳為12質量%以上40質量%以下，更佳為13質量%以上40質量%以下，更佳為18質量%以上30質量%以下，特佳為21質量%以上25質量%以下。又，式(12.2)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為3質量%以上40質量%以下，更佳為5質量%以上40質量%以下，尤佳為8質量%以上40質量%以下，尤較佳為10質量%以上40質量%以下，尤更佳為12質量%以上40質量%以下，更佳為15質量%以上40質量%以下，更佳為17質量%以上30質量%以下，特佳為19質量%以上25質量%以下。當含有式(12.1)所示的化合物與式(12.2)所示的化合物這兩者時，兩者之化合物的合計質量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為15質量%以上45質量%以下，更佳為19質量%以上45質量%以下，尤佳為24質量%以上40質量%以下，特佳為30質量%以上35質量%以下。

又，式(12.3)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為0.05質量%以上2質量%以下，更佳為0.1質量%以上1質量%以下，尤佳為0.2質量%以上0.5質量%以下。式(12.3)所示的化合物亦可為光學活性化合物。

再者，通式(II-3)所示的化合物例如較佳為由通式(II-3-1)所示的化合物群中選出之化合物。

(R²⁵表示碳原子數1~5的烷基，R²⁶表示碳原子數1~4的烷氧基)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能，較佳為含有此等化合物之中的1種~3種類。

通式(II-3-1)所示的化合物之含量，較佳為按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能來調整，較佳為1質量%以上24質量%以下，更佳為4質量%以上18質量%以下，尤佳為8質量%以上14質量%以下。

再者，通式(II-3-1)所示的化合物例如較佳為式(13.1)至式(13.4)所示的化合物，特佳為式(13.3)所示的化合物。

更且，通式(II)所示的化合物例如較佳為由通式(II-4)所示的化合物群中選出之化合物。

可僅含有此等化合物之中的1種類，也可含有2種類以上，較佳為按照所要求的性能來適宜組合。可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能，較佳含有此等化合物之中的1種~2種類，特佳含有1種~3種類。

通式(II-4)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上15質量%以下，更佳為2質量%以上15質量%以下，尤佳為3質量%以上15質量%以下，尤更佳為4質量%以上12質量%以下，特佳為5質量%以上7質量%以下。

再者，通式(II-4)所示的化合物例如較佳為式(14.1)至式(14.5)所示的化合物，特佳為式(14.2)或式(14.5)所示的化合物。

更且，通式(L)所示的化合物較佳為由通式(III)所示的化合物群中選出之化合物。

(R³¹及R³²各自獨立地表示碳原子數2~5的烯基、碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基)。

通式(III)所示的化合物之含量，係考慮所要求的溶解性或雙折射率等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳含有3質量%以上25質量%以下，更佳含有6質量%以上20質量%以下，尤佳含有8質量%以上15質量%以下。

再者，通式(III)所示的化合物例如較佳為式(15.1)~式(15.3)所示的化合物，特佳為式(15.1)所示的化合物。

式(15.1)所示的化合物之含量，係考慮所要求的溶解性或雙折射率等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳含有1~25質量%，更佳含有2~15質量%，尤佳含有3~10質量%，特佳含有4~8質量%。

再者，通式(III)所示的化合物較佳為由通式(III-1)所示的化合物群中選出之化合物。

(R³³表示碳原子數2~5的烯基，R³²各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基或碳原子數1~4的烷氧基)。

通式(III-1)所示的化合物，較佳為按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能來調整其含量，較佳為4質量%以上23質量%以下，更佳為6質量%以上18質量%以下，尤佳為10質量%以上13質量%以下。

通式(III-1)所示的化合物例如較佳為式(16.1)或式(16.2)所示的化合物。

再者，通式(III)所示的化合物較佳為由通式(III-2)所示的化合物群中選出之化合物。

(R³¹表示碳原子數1~5的烷基，R³⁴表示碳原子數1~4的烷氧基)。

通式(III-2)所示的化合物之含量，較佳為按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能來調整，較佳為4質量%以上23質量%以下，更佳為6質量%以上18質量%以下，尤佳為10質量%以上13質量%以下。

再者，通式(III-2)所示的化合物例如較佳為由式(17.1)至式(17.3)所示的化合物群中選出之化合物，特佳為式(17.3)所示的化合物。

更且，通式(L)所示的化合物較佳為由通式(V)所示的群中選出之化合物。

(式中，R⁵¹及R⁵²各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，A⁵¹及A⁵²各自獨立地表示1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，Q⁵表示單鍵或-COO-，X⁵¹及X⁵²各自獨立地表示氟原子或氫原子)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。再者，於本發明的又一實施形態中為3種類。更且，於本發明的再一實施形態中為4種類。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於一個實施形態中為2~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為4~40質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為7~40質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為10~40質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為12~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為15~40質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述含量為17~40質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述含量為18~40質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述含量為20~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述含量為22~40質量%。

又，例如於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為2~30質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述化合物之含量為2~25質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述化合物之含量為2~20質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述化合物之含量為2~15質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為2~10質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述化合物之含量為2~5質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述化合物之含量為2~4質量%。

再者，通式(V)所示的化合物較佳為通式(V-1)所示的化合物。

(式中，R⁵¹及R⁵²各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X⁵¹及X⁵²各自獨立地表示氟原子或氫原子)。

再者，通式(V-1)所示的化合物較佳為通式(V-1-1)所示的化合物。

(式中，R⁵¹及R⁵²各自獨立地表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳含有1質量%以上15質量%以下的通式(V-1-1)所示的化合物，更佳含有2質量%以上15質量%以下，尤佳含有3質量%以上10質量%以下。

再者，通式(V-1-1)所示的化合物較佳為式(20.1)至式(20.4)所示的化合物，更佳為式(20.2)所示的化合物。

於本發明的液晶組成物中，式(20.2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1~20質量%，更佳為2~10質量%，特佳為3~6質量%。

再者，通式(V-1)所示的化合物較佳為通式(V-1-2)所示的化合物。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳含有1質量%以上15質量%以下的通式(V-1-2)所示的化合物，更佳含有2質量%以上15質量%以下，尤佳含有3質量%以上10質量%以下。

再者，通式(V-1-2)所示的化合物較佳為式(21.1)至式(21.3)所示的化合物，更佳為式(21.1)所示的化合物。

更且，通式(V-1)所示的化合物較佳為通式(V-1-3)所示的化合物。

(式中，R⁵¹及R⁵²各自獨立地表示碳原子數1~5 的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳含有1質量%以上的通式(V-1-3)所示的化合物，更佳含有2質量%以上，尤佳含有3質量%以上，特佳含有4質量%以上。又，最大可含有的比率較佳為15質量%以下，更佳為10質量%以下，尤佳為8質量%以下。

再者，通式(V-1-3)所示的化合物係式(22.1)至式(22.3)所示的化合物。較佳為式(22.1)所示的化合物。

再者，通式(V)所示的化合物較佳為通式(V-2)所示的化合物。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於一個實施形態中為2~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為4~40質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述化合物之含量為7~40質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述化合物之含量為10~40質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述化合物之含量為12~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為15~40質量%。更且，於本發明的又一實施形態中，前述化合物之含量為17~40質量%。再者，於本發明的再一實施形態中，前述化合物之含量為18~40質量%。更且，於本發明的別一實施形態中，前述化合物之含量為20~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為22~40質量%。

於希望本發明的液晶組成物為高Tni之實施形態時，較佳為使式(V-2)所示的化合物之含量成為稍多，於希望低黏度之實施形態時，較佳為使含量成為稍少。

再者，通式(V-2)所示的化合物較佳為通式(V-2-1)所示的化合物。

再者，通式(V-2-1)所示的化合物較佳為式(23.1)至式(23.4)所示的化合物，更佳為式(23.1)或/及式(23.2)所示的化合物。

更且，通式(V-2)所示的化合物較佳為通式(V-2-2)所示的化合物。

再者，通式(V-2-2)所示的化合物較佳為式(24.1)至式(24.4)所示的化合物，更佳為式(24.1)或式(24.2)所示的化合物。

更且，通式(V)所示的化合物較佳為通式(V-3) 所示的化合物。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之要求的性能來組合。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。再者，於本發明的又一實施形態中為3種類以上。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳含有2質量%以上16質量%以下的通式(V-3)所示的化合物，更佳含有4質量%以上16質量%以下，尤佳含有7質量%以上13質量%以下，特佳含有8質量%以上11質量%以下。

再者，通式(V-3)所示的化合物較佳為式(25.1)至式(25.3)所示的化合物。

本發明的液晶組成物亦較佳含有通式(M)所示的化合物。

(式中，R^M1表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂-係各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，PM表示0、1、2、3或4，C^M1及C^M2各自獨立地表示選自由(d)1,4-伸環己基(此基中存在的1個-CH₂-或未鄰接的2個以上之-CH₂-可被-O-或-S-取代)及(e)1,4-伸苯基(此基中存在的1個-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被-N=取代)所組成之群組中的基，上述之基(d)、基(e)中的1個或2個以上之氫原子各自獨立地可被氰基、氟原子或氯原子取代，K^M1及K^M2各自獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-、-CF₂O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，當PM為2、3或4且K^M1係複數存在時，彼等可相同或相異，當PM為2、3或4且C^M2係複數存在時，彼等可相同或相異，X^M1及X^M3各自獨立地表示氫原子、氯原子或氟原子，X^M2表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基；惟，通式(ii)所示的化合物除外)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之所欲的性能來組合使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。再者，於本發明的又一實施形態中為3種類。又，於本發明的再一實施形態中為4種類。再者，於本發明的別一實施形態中為5種類。更且，於本發明的另一實施形態中為6種類。再者，於本發明的又一實施形態中為7種類以上。

於本發明的液晶組成物中，通式(M)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為1~95質量%。再者，例如於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為10~95質量%。例如於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為20~95質量%。例如於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為30~95質量 %。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為40~95質量%。例如於本發明的更再一實施形態中，前述化合物之含量為45~95質量%。例如於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為50~95質量%。例如於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為55~95質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為60~95質量%。例如於本發明的更再一實施形態中，前述化合物之含量為65~95質量%。例如於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為70~95質量%。例如於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為75~95質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為80~95質量%。

又，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為1~95質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為1~85質量%。於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~75質量%。於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為1~65質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為1~55質量%。於本發明的更再一實施形態中，前述化合物之含量為1~45質量%。於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~35質量%。於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為1~25質量%。

於將本發明的液晶組成物之黏度保持低，需要反應速度快的液晶組成物時，較佳為使上述的下限值成為稍低，使上限值成為稍低。再者，於將本發明的液晶組成物之Tni保持高，需要溫度安定性良好的液晶組成物時，較佳為使上述之下限值成為稍低，使上限值成為稍低。又，為了保持低的驅動電壓而想增大介電常數各向異性時，較佳為使上述之下限值成為稍高，使上限值成為稍高。

R^M1當其所鍵結的環結構為苯基(芳香族)時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5的烷基、直鏈狀之碳原子數1~4的烷氧基及碳原子數4~5的烯基，當其所鍵結的環結構為環己烷、哌喃及二烷等之飽和環結構時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5的烷基、直鏈狀之碳原子數1~4的烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5的烯基。

通式(M)所示的化合物，於要求液晶組成物的化學安定性時，較佳為在其分子內沒有氯原子。再者，液晶組成物內具有氯原子的化合物較佳為5%以下，更佳為3%以下，尤佳為1%以下，尤更佳為0.5%以下，特佳為實質上不含有。所謂的實質上不含有，就是不意圖化合物製造時作為不純物所生成的化合物等，而意味僅含有氯原子的化合物混入液晶組成物中者。

通式(M)所示的化合物例如較佳為由通式(VIII)所示的化合物群中選出之化合物。

(式中，R⁸表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X⁸¹至X⁸⁵各自獨立地表示氫原子或氟原子，Y⁸表示氟原子或-OCF₃)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之所欲的性能來組合使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。再者，於本發明的又一實施形態中為3種類以上。

於本發明的液晶組成物中，通式(VIII)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為2~40質量%。再者，例如於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為4~40質量%。例如於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為5~40質量%。例如於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為6~40質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為7~40質量%。例如於本發明的更再一實施形態中，前述化合物之含量為8~40質量%。例如於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為9~40質量%。例如於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為10~40質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為11~40質量%。例如於本發明的更再一實施形態中，前述化合物之含量為12~40質量%。例如於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為14~40質量%。例如於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為15~40質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為21~40質量%。例如於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為23~40質量%。

又，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為2~40質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為2~30質量%。於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~25質量%。於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為2~21質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為2~16質量%。於本發明的更再一實施形態中，前述化合物之含量為2~12質量%。於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~8質量%。於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為2~5質量%。

於將本發明的液晶組成物之黏度保持低，需要反應速度快的液晶組成物時，較佳為使上述的下限值成為稍低，使上限值成為稍低。再者，於將本發明的液晶組成物之Tni保持高，需要溫度安定性良好的液晶組成物時，較佳為使上述的下限值成為稍低，使上限值成為稍低。又，為了保持低的驅動電壓而想增大介電常數各向異性時，較佳為使上述的下限值成為稍高，使上限值成為稍高。

再者，通式(VIII)所示的化合物較佳為通式(VIII-1)所示的化合物。

(式中，R⁸表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之所欲的性能來組合使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類以上。

再者，通式(VIII-1)所示的化合物具體地較佳為式(26.1)至式(26.4)所示的化合物，更佳為式(26.1)或式(26.2)所示的化合物。

式(26.1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為2~30質量%，更佳為3~20質量%，尤佳為3~10質量%，特佳為3~7質量%。

式(26.2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1~30質量%，更佳為2~20質量，尤佳為2~10質量%，特佳為2~6質量%。

再者，通式(VIII)所示的化合物較佳為通式(VIII-2)所示的化合物。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之所欲的性能來組合使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。或者，於本發明的更另一實施形態中為3種類以上。

通式(VIII-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，較佳為2.5質量%以上25質量%以下，更佳為8質量%以上25質量%以下，尤佳為10質量%以上20質量%以下，尤更佳為12質量%以上15質量%以下。

再者，通式(VIII-2)所示的化合物較佳為式(27.1)至式(27.4)所示的化合物，更佳為式(27.2)所示的化合物。

更且，通式(M)所示的化合物較佳為通式(VIII-3)所示的化合物。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之所欲的性能來組合使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。

再者，通式(VIII-3)所示的化合物具體地較佳為式(26.11)至式(26.14)所示的化合物，更佳為式(26.11)或式(26.12)所示的化合物，尤佳為式(26.12)所示的化合物。

又，通式(M)所示的化合物例如較佳為由通式(IX)所示的化合物群中選出之化合物。

(式中，R⁹表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X⁹¹及X⁹²各自獨立地表示氫原子或氟原子，Y⁹表示氟原子、氯原子或-OCF₃、U⁹表示單鍵、-COO-或-CF₂O-)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之所欲的性能來組合使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。再者，於本發明的又一實施形態中為3種類。又，於本發明的再一實施形態中為4種類。再者，於本發明的別一實施形態中為5種類。再者，於本發明的另一實施形態中為6種類以上。

於本發明的液晶組成物中，通式(IX)所示的化合物之含量，必須按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘影、介電常數各向異性等之要求的性能來適宜調整。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為3~70質量%。再者，例如於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為5~70質量%。例如於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為8~70質量%。例如於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為10~70質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為12~70質量%。例如於本發明的更再一實施形態中，前述化合物之含量為15~70質量%。例如於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為17~70質量%。例如於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為20~70質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為24~70質量%。例如於本發明的更再一實施形態中，前述化合物之含量為28~70質量%。例如於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為30~70質量%。例如於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為34~70質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為39~70質量%。例如於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為40~70質量%。例如於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為42~70質量%。例如於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為45~70質量%。

又，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量，例如於本發明的一個實施形態中為3~70質量%。再者，於本發明的另一實施形態中，前述化合物之含量為3~60質量%。於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為3~55質量%。於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為3~50質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為3~45質量%。於本發明的更再一實施形態中，前述化合物之含量為3~40質量%。於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為3~35質量%。於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為3~30質量%。於本發明的再另一實施形態中為25質量%。於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為3~20質量%。於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為3~15質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為3~10質量%。

於將本發明的液晶組成物之黏度保持低，需要反應速度快的液晶組成物時，較佳為使上述的下限值成為稍低，使上限值成為稍低。再者，於將本發明的液晶組成物之Tni保持高，需要不易發生殘影的液晶組成物時，較佳為使上述的下限值成為稍低，使上限值成為稍低。又，為了保持低的驅動電壓而想增大介電常數各向異性時，較佳為使上述之下限值成為稍高，使上限值成為稍高。

再者，通式(IX)所示的化合物較佳為通式(IX-1)所示的化合物。

(式中，R⁹表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X⁹²表示氫原子或氟原子，Y⁹表示氟原子或-OCF₃)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，但按照低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之所欲的性能來組合使用。所使用的化合物之種類，例如於本發明的一個實施形態中為1種類。或者，於本發明的另一實施形態中為2種類。再者，於本發明的又一實施形態中為3種類。又，於本發明的另一實施形態中為4種類以上。

再者，通式(IX-1)所示的化合物較佳為通式(IX-1-1)所示的化合物。

(式中，R⁹表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。

通式(IX-1-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，按照實施形態有較佳的上限值與下限值。

例如，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量係於一個實施形態中為1~40質量%，於另一實施形態中為2~40質量%，於更另一實施形態中為4~40質量%，又，於又另一實施形態中為10~40質量%，於再另一實施形態中為14~40質量%，於更另一實施形態中為16~40質量%。

又，例如相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量係於一個實施形態中為1~40質量%，於另一實施形態中為1~35質量%，於更另一實施形態中為1~30質量%，於又另一實施形態中為1~25質量%。

再者，通式(IX-1-1)所示的化合物較佳為式(28.1)至式(28.5)所示的化合物，更佳為式(28.3)或式(28.5)所示的化合物。

於本發明的液晶組成物中，式(28.3)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上30質量%以下。作為前述含量之更佳例，可舉出2質量%以上20質量%以下、2質量%以上15質量%以下、2質量%以上12質量%以下、2質量%以上9質量%以下、或4質量%以上20質量%以下、6質量%以上20質量%以下、8質量%以上20質量%以下。

於本發明的液晶組成物中，式(28.5)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為3質量%以上25質量%以下，更佳為3質量%以上20質量%以下，尤佳為3質量%以上15質量%以下，特佳為3質量%以上10質量%以下。

通式(IX-1)所示的化合物較佳為通式(IX-1-2)所示的化合物。

可組合的化合物之種類係沒有限制，考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，較佳為1種至3種類組合，更佳為1種至4種類組合。

通式(IX-1-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上30質量%以下，更佳為5質量%以上30質量%以下，尤佳為8質量% 以上30質量%以下，尤較佳為10質量%以上25質量%以下，尤更佳為14質量%以上22質量%以下，特佳為16質量%以上20質量%以下。

再者，通式(IX-1-2)所示的化合物較佳為式(29.1)至式(29.4)所示的化合物，更佳為式(29.2)或式(29.4)所示的化合物。

更且，通式(IX)所示的化合物較佳為通式(IX-2)所示的化合物。

(式中，R⁹表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X⁹¹及X⁹²各自獨立地表示氫原子或氟原子，Y⁹表示氟原子、氯原子或-OCF₃)。

可組合的化合物之種類係沒有限制，考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，對每實施形態適宜組合使用。例如，於本發明的一個實施形態中為1種類，於另一實施形態中為2種類，於更另一實施形態中為3種類，於又另一實施形態中為4種類，於再另一實施形態中為5種類，於更再一實施形態中為6種類以上組合。

再者，通式(IX-2)所示的化合物較佳為通式(IX-2-1)所示的化合物。

可組合的化合物之種類係沒有限制，考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，較佳為1種至3種類組合。

通式(IX-2-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有較佳的上限值與下限值。

例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為1~40質量%。於另一實施形態中，前述化合物之含量為2~40質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為4~40質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為 10~40質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為14~40質量%，於更再一實施形態中，前述化合物之含量為16~40質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為21~40質量%。

又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為1~40質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為1~35質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~30質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為1~25質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為1~22質量%，於更再一實施形態中，前述化合物之含量為1~20質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~10質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為1~7質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為1~5質量%。

再者，通式(IX-2-1)所示的化合物較佳為式(30.1)至式(30.4)所示的化合物，更佳為式(30.1)至式(30.2)所示的化合物。

更且，通式(IX-2)所示的化合物較佳為通式 (IX-2-2)所示的化合物。

通式(IX-2-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為1~40質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為2~40質量%。

又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為1~40質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為1~35質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~30質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為1~25質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為1~22質量%，於更再一實施形態中，前述化合物之含量為1~15質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為1~12質量%。

再者，通式(IX-2-2)所示的化合物較佳為式 (31.1)至式(31.4)所示的化合物，更佳為式(31.2)至式(31.4)所示的化合物，尤佳為式(31.2)所示的化合物。

更且，通式(IX-2)所示的化合物較佳為通式(IX-2-3)所示的化合物。

可組合的化合物之種類係沒有限制，考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，較佳為1種至2種類組合。

通式(IX-2-3)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上30質量%以下，更佳為3質量%以上20質量%以下，尤佳為6質量%以上15質量%以下，特佳為8質量%以上10質量%以下。

再者，通式(IX-2-3)所示的化合物較佳為式(32.1)至式(32.4)所示的化合物，更佳為式(32.2)及/或式(32.4)所示的化合物。

更且，通式(IX-2)所示的化合物較佳為通式(IX-2-4)所示的化合物。

通式(IX-2-4)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上30質量%以下，更佳為3質量%以上20質量%以下，尤佳為6質量%以上15質量%以下，特佳為8質量%以上10質量%以下。

再者，通式(IX-2-4)所示的化合物較佳為式(33.1)至式(33.6)所示的化合物，更佳為式(33.1)及/或式(33.3)所示的化合物。

更且，通式(IX-2)所示的化合物較佳為通式(IX-2-5)所示的化合物。

可組合的化合物之種類係沒有限制，考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，對每實施形態適宜組合使用。例如，於本發明的一個實施形態中為1種類，於另一實施形態中為2種類，於更另一實施形態中為3種類，於又另一實施形態中為4種類以上。

通式(IX-2-5)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為4~45質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為8~45質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為12~45質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為21~45質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為30~45質量%，於更再一實施形態中，前述化合物之含量為31~45質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為34~45質量%。又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為4~45質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為4~40質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為4~35質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為4~32質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為4~22質量%，於更再一實施形態中，前述化合物之含量為4~13質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為4~9質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為4~8質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為4~5質量%。

再者，通式(IX-2-5)所示的化合物較佳為式(34.1)至式(34.7)所示的化合物，更佳為式(34.1)、式(34.2)、式(34.3)及/或式(34.5)所示的化合物。

更且，通式(IX)所示的化合物較佳為通式(IX-3)所示的化合物。

(式中，R⁹表示碳原子數1~5的烷基或碳原子數2~5的烯基，X⁹¹及X⁹²各自獨立地表示氫原子或氟原子，Y⁹表示氟原子、氯原子或-OCF₃)。

再者，通式(IX-3)所示的化合物較佳為通式(IX-3-1)所示的化合物。

通式(IX-3-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為3質量%以上30質量%以下，更佳為7質量%以上30質量%以下，尤佳為13質量%以上20質量%以下，特佳為15質量%以上18質量%以下。

再者，通式(IX-3-1)所示的化合物較佳為式(35.1)至式(35.4)所示的化合物，更佳為式(35.1)及/或式(35.2)所示的化合物。

更且，通式(M)所示的化合物較佳為通式(X)所示的化合物。

(式中，X¹⁰¹至X¹⁰⁴各自獨立地表示氟原子或氫原子，Y¹⁰表示氟原子、氯原子、-OCF₃，Q¹⁰表示單鍵或-CF₂O-，R¹⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，A¹⁰¹及A¹⁰²各自獨立地表示1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或但1,4-伸苯基上之氫原子可被氟原子取代；惟前述通式(ii)所示的化合物除外)。

可組合的化合物係沒有特別的限制，考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，對每實施形態適宜組合。例如，於本發明的一個實施形態中為1種。又，於本發明的另一實施形態中為2種類。於更另一實施形態中為3種類。於又另一實施形態中為4種類。於再另一實施形態中為5種類以上。

通式(X)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~45質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為3~45質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為6~45質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為8~45質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為9~45質量%，於更再一實施形態中，前述化合物之含量為11~45質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為12~45質量%。再者，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為18~45質量%。於再另一實施形態中，前述化合物之含量為19~45質量%。於更再一實施形態中，前述化合物之含量為23~45質量%。於更另一實施形態中，前述化合物之含量為25~45質量%。又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為2~45質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為2~35質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~30質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為2~25質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為2~20質量%，於更再一實施形態中，前述化合物之含量為2~13質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~9質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為2~6質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為2~3質量%。

於將本發明的液晶組成物之黏度保持低，需要反應速度快的液晶組成物時，較佳為使上述的下限值成為稍低，使上限值成為稍低。再者，於需要不易發生殘影的液晶組成物時，較佳為使上述的下限值成為稍低，使上限值成為稍低。又，為了保持低的驅動電壓而想增大介電常數各向異性時，較佳為使上述之下限值成為稍高，使上限值成為稍高。

本發明的液晶組成物中使用之通式(X)所示的化合物較佳為通式(X-1)所示的化合物。

(式中，X¹⁰¹至X¹⁰³各自獨立地表示氟原子或氫原子，R¹⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。

通式(X-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~40質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為3~40質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為5~40質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為6~40質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為7~40質量%，於更再一實施形態中，前述化合物之含量為8~40質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為9~40質量%。於又另一實施形態中，前述化合物之含量為13~40質量%。於再另一實施形態中，前述化合物之含量為18~40質量%。於更再一實施形態中，前述化合物之含量為23~40質量%。

又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為2~40質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為2~30質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~25質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為2~20質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為2~15質量%，於更再一實施形態中，前述化合物之含量為2~10質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~6質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為2~4質量%。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(X-1)所示的化合物，較佳為通式(X-1-1)所示的化合物。

可組合的化合物係沒有特別的限制，考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，對每實施形態適宜組合。例如，於本發明的一個實施形態中為1種。又，於本發明的另一實施形態中為2種類。於更另一實施形態中為3種類。於又另一實施形態中為4種類以上。

通式(X-1-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。例如、於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為3~30質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為4~30質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為6~30質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為9~30質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為12~30質量%，於更再一實施形態中，前述化合物之含量為15~30質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為18~30質量%。於又另一實施形態中，前述化合物之含量為21~30質量%。

又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為3~30質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為3~20質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為3~13質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為3~10質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為3~7質量%。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(X-1-1)所示的化合物，具體地較佳為式(36.1)至式(36.4)所示的化合物，其中較佳含有式(36.1)及/或式(36.2)所示的化合物。

更且，本發明的液晶組成物中使用之通式(X-1)所示的化合物，較佳為通式(X-1-2)所示的化合物。

通式(X-1-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上20質量%以下，更佳為2質量%以上16質量%以下，尤佳為6質量%以上12質量%以下，尤更佳為6質量%以上10質量%以下。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(X-1-2)所示的化合物，具體地較佳為式(37.1)至式(37.4) 所示的化合物，其中較佳含有式(37.2)所示的化合物。

於本發明的液晶組成物中，式(37.2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1~20質量%，更佳為2~10質量%，尤佳為2~8質量%，特佳為2~5質量%。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(X-1)所示的化合物，較佳為通式(X-1-3)所示的化合物。

通式(X-1-3)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上，更佳為2質量%以上，尤佳為6質量%以上。又，考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，最大比率較佳為20質量%以下，更佳為16質量%以下，尤佳為12質量%以下，特佳為10質量%以下。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(X-1-3)所示的化合物，具體地較佳為式(38.1)至式(38.4)所示的化合物，其中較佳含有式(38.2)所示的化合物。

本發明的液晶組成物中使用之通式(X)所示的化合物，較佳為通式(X-2)所示的化合物。

(式中，X¹⁰²至X¹⁰³各自獨立地表示氟原子或氫原子，Y¹⁰表示氟原子、氯原子、-OCF₃，R¹⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。

再者，通式(X)所示的化合物較佳為通式(X-3)所示的化合物。

(式中，X¹⁰²至X¹⁰³各自獨立地表示氟原子或氫原子，R¹⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(X-3)所示的化合物，較佳為通式(X-3-1)所示的化合物。

通式(X-3-1)所示的化合物之含量，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上，更佳為2質量%以上，尤佳為3質量%以上。又，考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，最大比率較佳為10質量%以下，更佳為8質量%以下，尤佳為6質量%以下，特佳為4質量%以下。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(X-3-1)所示的化合物，具體地較佳為式(41.1)至式(41.4)所示的化合物，其中較佳含有式(41.2)所示的化合物。

更且，通式(X)所示的化合物較佳為通式(X-4)所示的化合物。

(式中，X¹⁰²表示氟原子或氫原子，R¹⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(X-4)所示的化合物，較佳為通式(X-4-1)所示的化合物。

通式(X-4-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為2質量%以上20質量%以下，更佳為5質量%以上17質量%以下，尤佳為10質量%以上15質量%以下，特佳為10質量%以上13質量%以下。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(X-4-1)所示的化合物，具體地較佳為式(42.1)至式(42.4)所示的化合物，其中較佳含有式(42.3)所示的化合物。

於本發明的液晶組成物中，式(42.3)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1~20質量%，更佳為2~10質量%，特佳為2~8質量%。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(X)所示的化合物，較佳為通式(X-4-2)所示的化合物。

通式(X-4-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為2質量%以上20質量%以下，更佳為5質量%以上17質量%以下，尤佳為10質量%以上15質量%以下，特佳為10質量%以上13質量%以下。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(X-4-2)所示的化合物，具體地較佳為式(42.11)至式(42.14)所示的化合物，其中較佳含有式(42.13)或式(42.14)所示的化合物。

更且，本發明的液晶組成物中使用之通式(X)所示的化合物，較佳為通式(X-4-3)所示的化合物。

通式(X-4-3)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為2質量%以上20質量%以下，更佳為5質量%以上17質量%以下，尤佳為10質量%以上15質量%以下，特佳為10質量%以上13質量%以下。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(X-4-3)所示的化合物，具體地較佳為式(42.21)至式(42.24)所示的化合物，其中較佳含有式(42.22)所示的化合物。

更且，通式(X)所示的化合物較佳為通式(X-5)所示的化合物。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(X-5)所示的化合物，較佳為通式(X-5-1)所示的化合物。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(X-5-1)所示的化合物，具體地較佳為式(43.1)至式(43.4)所示的化合物，其中較佳含有式(43.2)所示的化合物。

本發明的液晶組成物中使用之通式(X)所示的化合物，較佳為通式(X-6)所示的化合物。

通式(X-6)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為4~30質量%，於另一實施形態中為5~30質量%，於更另一實施形態中為6~30質量%，於又另一實施形態中為8~30質量%。

又，例如於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為 1~30質量%，於另一實施形態中為1~20質量%，於更另一實施形態中為1~13質量%，於又另一實施形態中為1~10質量%。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(X-6)所示的化合物，具體地較佳為式(44.1)至式(44.4)所示的化合物，其中較佳含有式(44.1)及/或式(44.2)所示的化合物。

又，於本發明的液晶化合物中，亦可含有與通式(X)所示的化合物類似之化合物的通式(X-7)所示的化合物。

通式(X-7)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。

例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為4~30質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為5~30質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為6~30質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為8~30質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為9~30質量%，於更再一實施形態中，前述化合物之含量為11~30質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為14~30質量%。於又另一實施形態中，前述化合物之含量為18~30質量%。

又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為4~30質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為4~20質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為4~13質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為4~10質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為4~7質量%，於更再一實施形態中為3質量%。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(X-7)所示的化合物，具體地較佳為式(44.11)至式(44.14)所示的化合物，其中較佳含有式(44.13)所示的化合物。

更且，通式(X)所示的化合物較佳為由通式(XI)所示的群中選出之化合物。

(式中，X¹¹¹至X¹¹⁷各自獨立地表示氟原子或氫原子，X¹¹¹至X¹¹⁷中的至少一個表示氟原子，R¹¹表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，Y¹¹表示氟原子或-OCF₃)。

可組合的化合物係沒有特別的限制，考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，較佳為1種至3種類以上組合。

通式(XI)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~30質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為4~30質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為5~30質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為7~30質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為9~30質量%，於更再一實施形態中，前述化合物之含量為10~30質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為12~30質量%。於又另一實施形態中，前述化合物之含量為13~30質量%。於再另一實施形態中，前述化合物之含量為15~30質量%。於更再一實施形態中，前述化合物之含量為18~30質量%。

又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為2~30質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為2~25質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~20質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為2~15質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為2~10質量%，於更再一實施形態中，前述化合物之含量為2~5質量%。

當使用本發明的液晶組成物於晶胞間隙小的液晶顯示元件用時，宜使通式(XI)所示的化合物之含量成為稍多。當使用於驅動電壓小的液晶顯示元件用時，宜使通式(XI)所示的化合物之含量成為稍多。又，當使用於低溫環境下所用的液晶顯示元件用時，宜使通式(XI)所示的化合物之含量成為稍少。當為使用於反應速度快的液晶顯示元件之液晶組成物時，宜使通式(XI)所示的化合物之含量成為稍少。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(XI)所示的化合物，較佳為通式(XI-1)所示的化合物。

(式中，R¹¹表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。

可組合的化合物係沒有特別的限制，考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，對每實施形態適宜組合。例如，於本發明的一個實施形態中為1種類，於另一實施形態中為2種類，於更另一實施形態中為3種類以上組合。

通式(XI-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上20質量%以下，更佳為3質量%以上20質量%以下，尤佳為4質量%以上20質量%以下，尤更佳為6質量%以上15質量%以下，特佳為9質量%以上12質量%以下。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(XI-1)所示的化合物，具體地較佳為式(45.1)至式(45.4) 所示的化合物，其中較佳含有式(45.2)至式(45.4)所示的化合物，更佳含有式(45.2)所示的化合物。

於本發明的液晶組成物中，式(45.2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1~25質量%，更佳為2~15質量%，尤佳為3~10質量%，特佳為4~8質量%。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(XI)所示的化合物，較佳為通式(XI-2)所示的化合物。

(式中，R¹¹⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。

通式(XI-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上20質量%以下，更佳為3質量%以上20質量%以下，尤佳為4質量%以上20質量%以下，尤更佳為6質量%以上15質量%以下，特佳為9質量%以上12質量%以下。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(XI-2)所示的化合物，具體地較佳為式(45.11)至式(45.14)所示的化合物，其中較佳含有式(45.12)至式(45.14)所示的化合物，更佳含有式(45.12)所示的化合物。

通式(X)所示的化合物較佳為由通式(XII)所示的群中選出之化合物。

(式中，X¹²¹至X¹²⁶各自獨立地表示氟原子或氫原子，R¹²⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，Y¹²表示氟原子或-OCF₃)。

可組合的化合物係沒有特別的限制，考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，較佳為1種至3種類以上組合，更佳為1種至4種類以上組合。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(XII)所示的化合物，較佳為通式(XII-1)所示的化合物。

(式中，R¹²⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。

通式(XII-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上15質量%以下，更佳為2質量%以上10質量%以下，尤佳為3質量%以上8質量%以下，特佳為4質量%以上6質量%以下。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(XII-1)所示的化合物，具體地較佳為式(46.1)至式(46.4)所示的化合物，其中較佳含有式(46.2)至式(46.4)所示的化合物。

更且，通式(XII)所示的化合物較佳為通式(XII-2)所示的化合物。

通式(XII-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上20質量%以下，更佳為3質量%以上20質量%以下，尤佳為4質量%以上17質量%以下，尤更佳為6質量%以上15質量%以下，特佳為9質量%以上13質量%以下。

再者，本發明的液晶組成物中使用之通式(XII-2)所示的化合物，具體地較佳為式(47.1)至式(47.4)所示的化合物，其中較佳含有式(47.2)至式(47.4)所示的化合物。

更且，通式(M)所示的化合物較佳為由通式(XIII)所示的化合物群中選出之化合物。

(式中，X¹³¹至X¹³⁵各自獨立地表示氟原子或氫原子，R¹³表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，Y¹³表示氟原子或-OCF₃；惟，通式(i)所示的化合物除外)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，於此等化合物之中較佳含有1種~2種類，更佳含有1種~3種類，尤佳含有1種~4種類。

通式(XIII)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。

例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~30質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為4~30質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為5~30質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為7~30質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為9~30質量%，於更再一實施形態中，前述化合物之含量為 11~30質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為13~30質量%。於又另一實施形態中，前述化合物之含量為14~30質量%。於再另一實施形態中，前述化合物之含量為16~30質量%。於更再一實施形態中，前述化合物之含量為20~30質量%。

當使用本發明的液晶組成物於晶胞間隙小的液晶顯示元件用時，宜使通式(XIII)所示的化合物之含量成為稍多。當使用於驅動電壓小的液晶顯示元件用時，宜使通式(XIII)所示的化合物之含量成為稍多。又，當使用於低溫環境下所用的液晶顯示元件用時，宜使通式(XIII)所示的化合物之含量成為稍少。當為使用於反應速度快的液晶顯示元件之液晶組成物時，宜使通式(XIII)所示的化合物之含量成為稍少。

再者，通式(XIII)所示的化合物較佳為通式(XIII-1)所示的化合物。

(式中，R¹³表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳含有1~25質量%之通式(XIII-1)所示的化合物，更佳含有3~25質量%，尤佳含有5~20質量%，特佳含有10~15質量%。

再者，通式(XIII-1)所示的化合物較佳為式(48.1)至式(48.4)所示的化合物，更佳為式(48.2)所示的化合物。

更且，通式(XIII)所示的化合物較佳為通式(XIII-2)所示的化合物。

(式中，R¹³⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，較佳含有此等化合物之中的1種~2種類以上。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳含有5~25質量%之通式(XIII-2)所示的化合物，更佳含有6~25質量%，尤佳含有8~20質量%，特佳含有10~15質量%。

再者，通式(XIII-2)所示的化合物較佳為式(49.1)至式(49.4)所示的化合物，更佳為式(49.1)及/或式(49.2)所示的化合物。

於本發明的液晶組成物中，式(49.1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1~20質量%，更佳為2~10質量%，特佳為3~8質量%。

於本發明的液晶組成物中，式(49.2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1~20質量%，更佳為2~10質量%，特佳為3~8質量%。

再者，通式(XIII)所示的化合物較佳為通式(XIII-3)所示的化合物。

可組合的化合物之種類係沒有特別的限制，較佳含有此等化合物之中的1種~2種類。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳含有2~20質量%之通式(XIII-3)所示的化合物，更佳含有4~20質量%，尤佳含有9~17質量%，特佳含有11~14質量%。

再者，通式(XIII-3)所示的化合物較佳為式(50.1)至式(50.4)所示的化合物，更佳為式(50.1)或式(50.2)所示的化合物。

更且，通式(M)所示的化合物較佳為由通式(XIV)所示的化合物群中選出之化合物。

(式中，R¹⁴表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X¹⁴¹至X¹⁴⁴各自獨立地表示氟原子或氫原子，Y¹⁴表示氟原子、氯原子或-OCF₃，Q¹⁴表示單鍵、-COO-或-CF₂O-，m¹⁴為0或1)。

可組合的化合物之種類係沒有限制，考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，對每實施形態適宜組合。例如，於本發明的一個實施形態中為1種。再者，於本發明的另一實施形態中為2種類。或者，於本發明的更另一實施形態中為3種類。又，於本發明的又另一實施形態中為4種類。或者，於本發明的再另一實施形態中為5種類。或者，於本發明的更再一實施形態中為6種類以上。

通式(XIV)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。

例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為3~40質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為7~40質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為8~40質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為11~40質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為12~40質量%，於更再一實施形態中，前述化合物之含量為16~40質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為18~40質量%。於又另一實施形態中，前述化合物之含量為19~40質量%。於再另一實施形態中，前述化合物之含量為22~40質量%。於更再一實施形態中，前述化合物之含量為25~40質量%。

又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為3~40質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為3~35質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為3~30質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為3~25質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為3~20質量%，於更再一實施形態中，前述化合物之含量為3~15質量%。

當使用本發明的液晶組成物於驅動電壓小的液晶顯示元件用時，宜使通式(XIV)所示的化合物之含量成為稍多。又，於反應速度快的液晶顯示元件所用之液晶組成物時，宜使通式(XIV)所示的化合物之含量成為稍少。

再者，通式(XIV)所示的化合物較佳為通式(XIV-1)所示的化合物。

(式中，R¹⁴表示碳原子數1~7的烷基、碳原子數2~7的烯基或碳原子數1~7的烷氧基，Y¹⁴表示氟原子、氯原子或-OCF₃)。

再者，通式(XIV-1)所示的化合物較佳為通式(XIV-1-1)所示的化合物。

(式中，R¹⁴表示碳原子數1~7的烷基、碳原子數2~7的烯基或碳原子數1~7的烷氧基)。

相對於本發明的液晶組成物之總質量，通式(XIV-1)所示的化合物之含量較佳為2質量%以上，更佳為4質量%以上，尤佳為7質量%以上，尤更佳為10質量%以上，特佳為18質量%以上。又，考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，最大比率較佳為30質量%以下，更佳為27質量%以下，尤佳為24質量%以下，特佳為少於21質量%。

再者，通式(XIV-1-1)所示的化合物具體地較佳為式(51.1)至式(51.4)所示的化合物，更佳含有式(51.1)所示的化合物。

又，通式(XIV)所示的化合物較佳為通式(XIV-1-2)所示的化合物。

通式(XIV-1-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上15質量%以下，更佳為3質量%以上13質量%以下，尤佳為5質量% 以上11質量%以下，特佳為7質量%以上9質量%以下

再者，通式(XIV-1-2)所示的化合物具體地較佳為式(52.1)至式(52.4)所示的化合物，其中較佳含有式(52.4)所示的化合物。

更且，通式(XIV)所示的化合物較佳為通式(XIV-2)所示的化合物。

(式中，R¹⁴表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基，X¹⁴¹至X¹⁴⁴各自獨立地表示氟原子或氫原子，Y¹⁴表示氟原子、氯原子或 -OCF₃；惟，通式(i)所示的化合物除外)。

可組合的化合物之種類係沒有限制，考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，對每實施形態適宜組合。例如，於本發明的一個實施形態中為1種。再者，於本發明的另一實施形態中為2種類。或者，於本發明的更另一實施形態中為3種類。又，於本發明的又另一實施形態中為4種類。或者，於本發明的再另一實施形態中為5種類以上。

通式(XIV-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。

例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為3~40質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為7~40質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為8~40質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為10~40質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為11~40質量%，於更再一實施形態中，前述化合物之含量為12~40質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為18~40質量%。於又另一實施形態中，前述化合物之含量為19~40質量%。於再另一實施形態中，前述化合物之含量為21~40質量%。於又另一實施形態中，前述化合物之含量為22~40質量%。

又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為3~40質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為3~35質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為3~25質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為3~20質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為3~15質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為3~10質量%。

當使用本發明的液晶組成物於驅動電壓小的液晶顯示元件用時，宜使通式(XIV-2)所示的化合物之含量成為稍多。又，於反應速度快的液晶顯示元件所用之液晶組成物時，宜使通式(XIV-2)所示的化合物之含量成為稍少。

再者，通式(XIV-2)所示的化合物較佳為通式(XIV-2-1)所示的化合物。

(式中，R¹⁴表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。

通式(XIV-2-1)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為1質量%以上15質量%以下，更佳為3質量%以上13質量%以下，尤佳為5質量%以上11質量%以下，特佳為7質量%以上9質量%以下。

再者，通式(XIV-2-1)所示的化合物具體地較佳為式(53.1)至式(53.4)所示的化合物，其中較佳含有式 (53.4)所示的化合物。

更且，通式(XIV-2)所示的化合物較佳為通式(XIV-2-2)所示的化合物。

通式(XIV-2-2)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為3質量%以上20質量%以下，更佳為6質量%以上17質量%以下，尤佳為9質量%以上15質量%以下，特佳為12質量%以上14質量%以下。

通式(XIV-2-2)所示的化合物具體地較佳為式(54.1)至式(54.4)所示的化合物，其中較佳含有式(54.2)及/或式(54.4)所示的化合物。

再者，通式(XIV-2)所示的化合物較佳為通式(XIV-2-3)所示的化合物。

通式(XIV-2-3)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為5質量%以上30質量%以下，更佳為9質量%以上27質量%以下，尤佳為12質量%以上24質量%以下，特佳為12質量%以上20質量%以下。

再者，通式(XIV-2-3)所示的化合物具體地較佳為式(55.1)至式(55.4)所示的化合物，其中較佳含有式(55.2)及/或式(55.4)所示的化合物。

更且，通式(XIV-2)所示的化合物較佳為通式(XIV-2-4)所示的化合物。

可組合的化合物之種類係沒有限制，考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等，對每實施形態適宜組合。例如，於本發明的一個實施形態中為1種。再者，於本發明的另一實施形態中為2種類。或者，於本發明的更另一實施形態中為3種類以上。

通式(XIV-2-4)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性、雙折射率等之特性，在每實施形態有上限值與下限值。

例如，於本發明的一個實施形態中，相對於本發明的液晶組成物之總質量，前述化合物之含量為2~35質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為5~35質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為8~35質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為9~35質量%，於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為10~35質量%，於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為18~35質量%，於本發明的又另一實施形態中，前述化合物之含量為21~35質量%。於本發明的再另一實施形態中，前述化合物之含量為22~35質量%。於本發明的更另一實施形態中，前述化合物之含量為24~35質量%。

又，例如相對於前述總質量，於本發明的一個實施形態中，前述化合物之含量為2~35質量%，於另一實施形態中，前述化合物之含量為2~30質量%，於更另一實施形態中，前述化合物之含量為2~25質量%，於又另一實施形態中，前述化合物之含量為2~20質量%，於再另一實施形態中，前述化合物之含量為2~15質量%，於更再一實施形態中，前述化合物之含量為2~10質量%。

當使用本發明的液晶組成物於驅動電壓小的液晶顯示元件用時，宜使通式(XIV-2-4)所示的化合物之含量成為稍多。又，於反應速度快的液晶顯示元件所用之液晶組成物時，宜使通式(XIV-2-4)所示的化合物之含量成為稍少。

再者，通式(XIV-2-4)所示的化合物具體地較佳為式(56.1)至式(56.4)所示的化合物，其中較佳含有式(56.1)、式(56.2)或式(56.4)所示的化合物。

更且，通式(XIV-2)所示的化合物較佳為通式(XIV-2-5)所示的化合物。

(式中，R¹⁴⁰表示碳原子數1~5的烷基、碳原子數2~5的烯基或碳原子數1~4的烷氧基)。

通式(XIV-2-5)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為5質量%以上25質量%以下，更佳為10質量%以上22質量%以下，尤佳為13質量%以上18質量%以下，特佳為13質量%以上15質量%以下。

再者，通式(XIV-2-5)所示的化合物具體地為式(57.1)至式(57.4)所示的化合物。其中，較佳含有式(57.1)所示的化合物。

更且，通式(XIV-2)所示的化合物較佳為通式(XIV-2-6)所示的化合物。

通式(XIV-2-6)所示的化合物之含量，係考慮低溫下的溶解性、轉移溫度、電氣可靠性等，相對於本發明的液晶組成物之總質量，較佳為5質量%以上25質量%以下，更佳為10質量%以上22質量%以下，尤佳為15質量%以上20質量%以下，特佳為15質量%以上17質量%以下。

再者，通式(XIV-2-6)所示的化合物具體較佳為式(58.1)至式(58.4)所示的化合物，其中較佳含有式(58.2)所示的化合物。

本案發明的液晶組成物較佳為不含有在分子內具有過酸(-CO-OO-)結構等之氧原子彼此所鍵結的結構之化合物。

於重視液晶組成物的可靠性及長期安定性時，相對於前述組成物之總質量，具有羰基的化合物之含量較佳為5質量%以下，更佳為3質量%以下，尤佳為1質量%以下，最佳為實質上不含有。

於重視UV照射的安定性時，相對於前述組成物之總質量，氯原子取代的化合物之含量較佳為15質量%以下，更佳為10質量%以下，尤佳為5質量%以下，最佳為實質上不含有。

較佳為增多分子內的環結構皆6員環的化合物之含量，相對於前述組成物之總質量，分子內的環結構皆6員環的化合物之含量較佳為80質量%以上，更佳為90質量%以上，尤佳為95質量%以上，最佳為僅以實質上分子內的環結構皆6員環的化合物來構成液晶組成物。

為了抑制液晶組成物因氧化而劣化，較佳為減少具有伸環己烯基作為環結構之化合物的含量，相對於前述組成物之總質量，具有伸環己烯基的化合物之含量較佳為10質量%以下，更佳為5質量%以下，尤佳為實質上不含有。

於重視黏度的改善及Tni的改善時，較佳為減少在分子內具有氫原子可被取代成鹵素的2-甲基苯-1,4-二基的化合物之含量，前述在分子內具有2-甲基苯-1,4-二基的化合物之含量係相對於前述組成物之總質量而言較佳為10質量%以下，更佳為5質量%以下，尤佳為實質上不含有。

本發明之第一實施形態的組成物中所含有之化合物，當具有烯基作為側鏈時，當前述烯基鍵結於環己烷時，該烯基的碳原子數較佳為2~5，當前述烯基鍵結於苯時，該烯基的碳原子數較佳為4~5，前述烯基的不飽和鍵與苯較佳為不直接鍵結。

於本發明的液晶組成物中，為了製作PS模式、橫電場型PSA模式或橫電場型PSVA模式等的液晶顯示元件，可含有聚合性化合物。作為可使用的聚合性化合物，可舉出因光等的能量線進行聚合之光聚合性單體等，結構例如可舉出具有聯苯基衍生物、聯三苯基衍生物等的六員環以複數連結之液晶骨架的聚合性化合物等。更具體地，較佳為通式(XX)所示的二官能單體，

(式中，X²⁰¹及X²⁰²各自獨立地表示氫原子或甲基，Sp²⁰¹及Sp²⁰²各自獨立地表示單鍵、碳原子數1~8的伸烷基或-O-(CH₂)_s-(式中，s表示2至7之整數，氧原子係鍵結於芳香環)，Z²⁰¹表示-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-、-CH=CH-COO-、-CH=CH-OCO-、-COO-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-COO-CH₂CH₂-、-OCO-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂-COO-、-CH₂CH₂-OCO-、-COO-CH₂-、-OCO-CH₂-、-CH₂-COO-、-CH₂-OCO-、-CY¹=CY²-(式中，Y¹及Y²各自獨立地表示氟原子或氫原子)、-C≡C-或單鍵，M²⁰¹表示1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，式中的全部之1,4-伸苯基係任意的氫原子可被氟原子取代)。

較佳為X²⁰¹及X²⁰²皆表示氫原子的二丙烯酸酯衍生物、皆具有甲基的二甲基丙烯酸酯衍生物中之任一者，亦較佳為其中一者表示氫原子，而另一者表示甲基之化合物。此等化合物的聚合速度係二丙烯酸酯衍生物最快，二甲基丙烯酸酯衍生物慢，非對稱化合物為其中間，可按照其用途來使用較佳的態樣。於PSA顯示元件中，二甲基丙烯酸酯衍生物為特佳。

Sp²⁰¹及Sp²⁰²各自獨立地表示單鍵、碳原子數1~8的伸烷基或-O-(CH₂)_s-，但於PSA顯示元件中，較佳為至少一者是單鍵，較佳為皆表示單鍵的化合物，或其中一個為單鍵而另一個表示碳原子數1~8的伸烷基或-O-(CH₂)_s-之態樣。此時，較佳為1~4的烷基，s較佳為1~4。

Z²⁰¹較佳為-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-或單鍵，更佳為-COO-、-OCO-或單鍵，特佳為單鍵。

M²⁰¹表示任意的氫原子可被氟原子取代之1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，較佳為1,4-伸苯基或單鍵。當M²⁰¹表示單鍵以外的環結構時，Z²⁰¹較佳為單鍵以外之連結基，當M²⁰¹為單鍵時，Z²⁰¹較佳為單鍵。

基於此等之點，於通式(XX)中，Sp²⁰¹及Sp²⁰²之間的環結構具體地較佳為以下記載之結構。

於通式(XX)中，當M²⁰¹表示單鍵，環結構以二個環形成時，較佳表示下式(XXa-1)至式(XXa-5)，更佳表示式(XXa-1)至式(XXa-3)，特佳表示式(XXa-1)。

(式中，兩端係鍵結於Sp²⁰¹或Sp²⁰²)。

含有此等骨架的聚合性化合物，由於聚合後的配向管制力最適合於PSA型液晶顯示元件，得到良好的配向狀態，故顯示不均係被抑制或全然不發生。

根據以上，作為聚合性單體，特佳為通式(XX-1)~通式(XX-4)，其中最佳為通式(XX-2)。

(式中，Sp²⁰表示碳原子數2至5的伸烷基)。

於本發明的液晶組成物中添加單體之情況，即使聚合引發劑不存在時，聚合也進行，但為了促進聚合，亦可含有聚合引發劑。作為聚合引發劑，可舉出苯偶姻醚類、二苯基酮類、苯乙酮類、苄基縮酮類、醯基膦氧化物類等。

本發明的液晶組成物可更含有通式(Q)所示的化合物。

(式中，R^Q表示碳原子數1至22的直鏈烷基或支鏈烷基，該烷基中的1個或2個以上的CH₂基係以氧原子不直接鄰接之方式，可被-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-取代，M^Q表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或單鍵)。

R^Q表示碳原子數1至22的直鏈烷基或支鏈烷基，該烷基中的1個或2個以上的CH₂基係以氧原子不直接鄰接之方式，可被-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO- 、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-取代，較佳為碳原子數1至10的直鏈烷基、直鏈烷氧基、1個CH₂基被取代成-OCO-或-COO-之直鏈烷基、支鏈烷基、支鏈烷氧基、1個CH₂基被取代成-OCO-或-COO-之支鏈烷基，更佳為碳原子數1至20的直鏈烷基、1個CH₂基被取代成-OCO-或-COO-之直鏈烷基、支鏈烷基、支鏈烷氧基、1個CH₂基被取代成-OCO-或-COO-之支鏈烷基。M^Q表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或單鍵，較佳為反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。

通式(Q)所示的化合物更具體地較佳為下述之通式(Q-a)至通式(Q-d)所示的化合物。

式中，R^Q1較佳為碳原子數1至10的直鏈烷基或支鏈烷基，R^Q2較佳為碳原子數1至20的直鏈烷基或支鏈烷基，R^Q3較佳為碳原子數1至8的直鏈烷基、支鏈烷基、直鏈烷氧基或支鏈烷氧基，L^Q較佳為碳原子數1至8的直鏈伸烷基或支鏈伸烷基。於通式(Q-a)至通式(Q-d)所示的化合物中，更佳為通式(Q-c)及通式(Q-d)所示的化合物。

於本案發明的液晶組成物中，較佳含有1種或2種之通式(Q)所示的化合物，更佳含有1種至5種，其含量較佳為0.001至1質量%，更佳為0.001至0.1質量%，特佳為0.001至0.05質量%。

<液晶顯示元件>

本發明之含有聚合性化合物的液晶組成物，係可藉由紫外線照射來聚合其中所含有的聚合性化合物而賦予液晶配向能力，使用於利用液晶組成物之雙折射來控制光的透過光量之液晶顯示元件。於液晶顯示元件中，適用於AM-LCD(主動矩陣液晶顯示元件)、TN(向列液晶顯示元件)、STN-LCD(超扭轉向列液晶顯示元件)、OCB-LCD及IPS-LCD(面內切換液晶顯示元件)，特別適用於AM-LCD，可使用於透射型或反射型的液晶顯示元件。

液晶顯示元件中使用的液晶胞之2片基板係可使用如玻璃或塑膠之具有柔軟性的透明材料，其中一片亦可使用矽等之不透明材料。具有透明電極層的透明基板，例如可藉由在玻璃板等的透明基板上濺鍍銦錫氧化物(ITO)而得。

彩色濾光片例如可藉由顏料分散法、印刷法、電沉積法或染色法等來作成。以一例說明藉由顏料分散法的彩色濾光片之作成方法，將彩色濾光片用的硬化性著色組成物塗布在該透明基板上，施予圖案化處理，然後藉由加熱或光照射而使硬化。藉由對於紅、綠、藍的3色各自進行此步驟，可作成彩色濾光片用的畫素部。另外，於該基板上亦可設置設有TFT、薄膜二極體、金屬絕緣體金屬比電阻元件等之主動元件的畫素電極。

以透明電極層成為內側之方式使前述基板相向。於該情況下，亦可經由間隔物來調整基板之間隔。此時，較佳為以所得之調光層的厚度成為1~100μm之方式進行調整。1.5至10μm係更佳，使用偏光板時，較佳為以對比成為最大之方式，調整液晶的折射率各向異性Δn與晶胞厚度d之乘積。又，當有二片偏光板時，亦可調整各偏光板的偏光軸，以視野角或對比成為良好之方式進行調整。再者，為了擴大視野角，亦可使用相位差薄膜。作為間隔物，例如可舉出由玻璃粒子、塑膠粒子、氧化鋁粒子、光阻材料等所成之柱狀間隔物等。然後以設有液晶注入口之形式，將環氧系熱硬化性組成物等的密封劑予以網版印刷在該基板上，貼合該基板彼此，加熱而使密封劑熱硬化。

於2片基板間夾持含聚合性化合物的液晶組成物之方法，可使用通常的真空注入法或ODF法等。然而，於真空注入法中雖然不發生滴下痕跡，但具有注入的痕跡殘留之問題，於本案發明中，更適用於使用ODF法製造之顯示元件。於ODF法的液晶顯示元件製造步驟中，藉由在背板或前板中的任一基板上，使用分配器，將環氧系光熱併用硬化性等的密封劑描畫成為閉環堤防狀，於其中在脫氣下滴下指定量的液晶組成物後，接合前板與背板，可製造液晶顯示元件。本發明的液晶組成物，由於在ODF步驟中液晶組成物之滴下係安定的進行，而可適宜使用。

作為使聚合性化合物聚合之方法，由於為了得到液晶的良好配向性能，宜為適度的聚合速度，故較佳為藉由單一或併用或輪流地照射紫外線或電子線等之活性能量線而使聚合之方法。使用紫外線時，可使用偏光光源，也可使用非偏光光源。又，於2片基板間夾持含聚合性化合物的液晶組成物之狀態下進行聚合時，至少照射面側的基板必須對活性能量線給予適當的透明性。又，亦可使用：於光照射時使用遮罩僅使特定的部分聚合後，藉由改變電場或磁場或溫度等之條件，而使未聚合部分之配向狀態變化，再照射活性能量線以使聚合之手段。特別地，於紫外線曝光時，較佳為邊對含聚合性化合物的液晶組成物施加交流電場邊進行紫外線曝光。所施加的交流電場較佳為頻率10Hz至10kHz之交流，更佳為頻率60Hz至10kHz，電壓係依賴於液晶顯示元件之所欲的預傾角來選擇。即，可藉由所施加的電壓來控制液晶顯示元件之預傾角。於橫電場型MVA模式之液晶顯示元件中，從配向安定性及對比之觀點來看，較佳為將預傾角控制在80度至89.9度。

照射時之溫度較佳為將本發明的液晶組成物之液晶狀態保持之溫度範圍內。較佳為在接近室溫之溫度，即典型上在15~35℃之溫度使聚合。作為產生紫外線的燈，可使用金屬鹵化物燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又，作為照射紫外線之波長，較佳為照射不是液晶組成物的吸收波長範圍之波長範圍的紫外線，較佳為按照需要來遮斷紫外線而使用。所照射的紫外線之強度較佳為0.1mW/cm²~100W/cm²，更佳為2mW/cm²~50W/cm²。所照射的紫外線之能量係可適宜調整，較佳為10mJ/cm²至500J/cm²，更佳為100mJ/cm²至200J/cm²。照射紫外線時，亦可使強度變化。照射紫外線的時間係根據所照射的紫外線強度來適宜選擇，較佳為10秒至3600秒，更佳為10秒至600秒。

使用本發明的液晶組成物之液晶顯示元件，係可用於使高速反應與顯示不良之抑制並存，特別有用於主動矩陣驅動用液晶顯示元件，可適用於VA模式、PSVA模式、PSA模式、IPS(面內切換)模式、VA-IPS模式、FFS(邊緣場切換)模式或ECB模式用液晶顯示元件。

以下，一邊參照圖面，一邊詳細說明本發明的液晶顯示器之合適實施形態。

第1圖係顯示液晶顯示元件之截面圖，其具備：互相相向的二個基板，設置於前述基板間之密封材，與封入前述密封材所包圍的封閉領域內之液晶。

具體地，顯示液晶顯示元件之具體態樣，其具備：於第1基板100上設置TFT層102、畫素電極103，自其上設有鈍化膜104及第1配向膜105之背板；於第2基板200上，設置黑色矩陣202、彩色濾光片203、平坦化膜(罩面層)201、透明電極204，自其上起設置第2配向膜205，使與前述背板相向之前板；設置於前述基板間之密封材301；與，封入前述密封材所包圍的封閉區領域內之液晶層303；其中於前述密封材301所接觸的基板面，設有突起(柱狀間隔物)302、304。

前述第1基板或前述第2基板只要是實質上透明，則在材質沒有特別的限定，可使用玻璃、陶瓷、塑膠等。作為塑膠基板，可使用纖維素、三乙醯纖維素、二乙醯纖維素等之纖維素衍生物、聚環烯烴衍生物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯、聚丙烯、聚乙烯等之聚烯烴、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚碸、聚芳酯，更且玻璃纖維-環氧樹脂、玻璃纖維-丙烯酸樹脂等之無機-有機複合材料等。

再者，使用塑膠基板時，較佳為設置障壁膜。障壁膜之機能係在於使塑膠基板所具有的透濕性降低，提高液晶顯示元件的電氣特性之可靠性。作為障壁膜，只要各自透明性高、水蒸氣透過性小者，則沒有特別的限定，一般地使用採用氧化矽等的無機材料，藉由蒸鍍或濺鍍、化學蒸氣沉積法(CVD法)所形成之薄膜。

於本發明中，作為前述第1基板或前述第2基板，可使用相同材料，也可使用不同材料，沒有特別的限定。若使用玻璃基板，則可製作耐熱性或尺寸安定性優異之液晶顯示元件而較佳。又，若為塑膠基板，則適合藉由輥對輥法的製造方法，而且適合輕量化或可撓化而較佳。另外，若以平坦性及耐熱性賦予作為目的，則組合塑膠基板與玻璃基板者係可得到良好的結果。

再者，於後述的實施例中，使用第1基板100或第2基板200之材質的基板。

於背板中，係在第1基板100上設置TFT層102及畫素電極103。此等係可藉由通常的陣列步驟來製造。於其上設置鈍化膜104及第1配向膜105而得到背板。

鈍化膜104(亦稱為無機保護膜)係保護TFT用之膜，通常藉由化學氣相成長(CVD)技術等來形成氮化膜(SiNx)、氧化膜(SiOx)等。

又，第1配向膜105係具有使液晶配向之機能的膜，通常多使用如聚醯亞胺之高分子材料。於塗布液中，使用由高分子材料與溶劑所成之配向劑溶液。配向膜由於具有阻礙與密封材之黏著力的可能性，故圖案塗布在封閉區域內。於塗布中使用如膠版印刷法之印刷法、如噴墨之液滴吐出法。經塗布的配向劑溶液係在藉由暫時乾燥而蒸發溶劑後，藉由烘烤而使交聯硬化。然後，為了展現配向機能，進行配向處理。

配向處理通常藉由摩擦法進行。藉由在如前述所形成之高分子膜上，使用由如嫘縈的纖維所成之摩擦布來單向摩擦而產生液晶配向能力。

又，亦有使用光配向法。光配向法係藉由在含有具光感受性的有機材料之配向膜上，照射偏光而產生配向能力之方法，不發生摩擦法所致的基板之損傷或塵埃。作為光配向法的有機材料之例，有含有二色性染料的材料。作為二色性染料，可使用具有發生因光二色性之魏格特(Weigert)效應所致之分子的配向誘發或異構化反應(例：偶氮苯基)、二聚化反應(例：桂皮醯基)、光交聯反應(例：二苯基酮基)或光分解反應(例：聚醯亞胺基)般之成為液晶配向能力之起源的光反應之基(以下簡稱光配向性基)者。所塗布的配向劑溶液係在藉由暫時乾燥而蒸發溶劑後，藉由照射具有任意的偏向之光(偏光)，可得到在任意的方向具有配向能力之配向膜。

一側的前板，係在第2基板200上設有黑色矩陣202、彩色濾光片203、平坦化膜201、透明電極204、第2配向膜205。

黑色矩陣202例如係藉由顏料分散法來製作。具體地，於設有障壁膜201的第2基板200上，塗布黑色矩陣形成用的黑色著色劑經均勻分散之彩色樹脂液，而形成著色層。接著，烘烤著色層而硬化。於其上塗布光阻，將此預烘烤。通過遮罩圖案將光阻曝光後，進行顯像而將著色層圖案化。然後，剝離光阻層，烘烤著色層而完成黑色矩陣202。

或者，亦可使用光阻型的顏料分散液。此時，塗布光阻型的顏料分散液，於預烘烤後，通過遮罩圖案進行曝光後，進行顯像而將著色層圖案化。然後，剝離光阻層，烘烤著色層而完成黑色矩陣202。

彩色濾光片203係藉由顏料分散法、電沉積法、印刷法或染色法等來作成。若以顏料分散法為例，則將均勻分散有(例如紅色的)顏料之彩色樹脂液塗布在第2基板200上，於烘烤硬化後，在其上塗布光阻，進行預烘烤。通過遮罩圖案將光阻曝光後，進行顯像，而圖案化。然後剝離光阻層，再度藉由烘烤，完成(紅色的)彩色濾光片203(203a)。所作成的顏色順序並沒有特別的限定。同樣地，形成綠彩色濾光片203(203b)、藍彩色濾光片203(203c)。

透明電極204係設置在前述彩色濾光片203上(視需要在前述彩色濾光片203上設置表面平坦化用之罩面層(201))。透明電極204較佳為透射率高者，較佳為電阻小者。透明電極204係藉由濺鍍法等形成ITO等之氧化膜。

又，以保護前述透明電極204為目的，亦有在透明電極204上設置鈍化膜之情況。

第2配向膜205係與前述第1配向膜105相同者。

以上，對於本發明所使用的前述背板及前述前板，陳述具體的態樣，惟於本案中不受該具體的態樣所限定，符合所欲的液晶顯示元件之態樣係可自由地變更。

前述柱狀間隔物之形狀係沒有特別的限定，可使其水平截面成為圓形、四角形等之多角形等各式各樣的形狀，但考慮製程時的失準邊際(misalign margin)，特佳為使水平截面成為圓形或正多角形。又，該突起形狀較佳為圓錐台或角錐台。

前述柱狀間隔物之材質，只要是密封材或密封材所使用的有機溶劑或液晶所不溶解之材質，則沒有特別的限定，從加工及輕量化之面來看，較佳為合成樹脂(硬化性樹脂)。另一方面，前述突起係可藉由微影術之方法或液滴吐出法，設置在第一基板上之密封材相接面。基於如此的理由，較佳為使用適合微影術之方法或液滴吐出法的光硬化性樹脂。

作為例子，說明藉由微影法得到前述柱狀間隔物之情況。第2圖係作為光罩圖案，使用在黑色矩陣上所形成的柱狀間隔物作成用圖案之曝光處理步驟之圖。

於前述前板的透明電極204上，塗布柱狀間隔物形成用之(不含著色劑)樹脂液。接著，烘烤此樹脂層402而硬化。於其上塗布光阻，將此預烘烤。通過遮罩圖案401將光阻曝光後，進行顯像而將樹脂層圖案化。然後，剝離光阻層，烘烤樹脂層而完成柱狀間隔物(第1圖之302、0304)。

柱狀間隔物之形成位置係可藉由遮罩圖案來定位在所欲的位置。因此，可同時作成液晶顯示元件的封閉區域內與封閉區域外(密封材塗布部分)這兩者。又，較佳為以封閉區域的品質不降低之方式，可位於黑色矩陣之上的方式，形成柱狀間隔物。有將如此地藉由微影法所製作的柱狀間隔物稱為圓柱間隔物或光間隔物。

前述間隔物的材質係使用PVA-茋偶氮感光性樹脂等之負型水溶性樹脂或多官能丙烯酸系單體、丙烯酸共聚物、***系引發劑等之混合物。或者，亦有使用在聚醯亞胺樹脂中分散有著色劑之彩色樹脂之方法。於本發明中，沒有特別的限定，可按照所使用的液晶或與密封材的相合性，由眾所周知的材質得到間隔物。

如此地，於前板上之成為封閉區域的面上設置柱狀間隔物後，在該背板之密封材相接面上塗布密封材(第1圖中的301)。

密封材的材質係沒有特別的限定，可使用在環氧系或丙烯酸系之光硬化性、熱硬化性、光熱併用硬化性的樹脂中加有聚合引發劑之硬化性樹脂組成物。又，為了控制透濕性或彈性模數、黏度等，有添加由無機物或有機物所成之填料類。此等填料類的形狀係沒有特別的限定，有球形、纖維狀、無定形等。再者，為了良好地控制晶胞間隙，混合具有單分散徑的球形或纖維狀之縫隙材，或為了更強化與基板之黏著力，可混合與基板上突起容易纏絡之纖維狀物質。此時使用的纖維狀物質之直徑宜為晶胞間隙之1/5~1/10以下左右，纖維狀物質之長度宜比密封塗布寬度還短。

又，纖維狀物質的材質只要是得到指定的形狀者，則沒有特別的限定，可適宜選擇纖維素、聚醯胺、聚酯等之合成纖維或玻璃、碳等之無機材料。

作為塗布密封材之方法，有印刷法或分配法，但宜為密封材之使用量少的分配法。密封材的塗布位置，為了不對封閉區域造成不利影響，通常在黑色矩陣上。為了形成下一步驟的液晶滴下區域(以液晶不洩漏之方式)，密封材塗布形狀係成為閉環形狀。

於塗布有前述密封材的前板之閉環形狀(封閉區域)，滴下液晶。通常使用分配器。滴下的液晶量為了與液晶胞容積呈一致，基本上與將柱狀間隔物之高度和密封塗布面積相乘而得之體積同量。然而，為了晶胞貼合步驟中的液晶洩漏或顯示特性之最佳化，可適宜調整滴下的液晶量，也可使液晶滴下位置分散。

其次，塗布前述密封材，在已滴下液晶的前板上，貼合背板。具體地，使具有如靜電夾頭之吸附基板的機構之台吸附前述前板與前述背板，前板的第2配向膜與背板的第1配向膜係相向，配置在密封材與另一側的基板不相接之位置(距離)。於此狀態下將系內減壓。減壓結束後，一邊確認前板與背板之貼合位置，一邊調整兩基板位置(對準操作)。要是貼合位置的調整結束的話，使基板接近到前板上的密封材與背板相接之位置為止。於此狀態下在系內填充惰性氣體，邊徐徐開放減壓邊返回常壓。此時，藉由大氣壓力使前板與背板貼合，在柱狀間隔物的高度位置形成晶胞間隙。於此狀態下對密封材照射紫外線而使密封材硬化，形成液晶胞。然後，視情況而定，施予加熱步驟，促進密封材硬化。為了密封材的黏著力強化或電氣特性可靠性之提高，多施予加熱步驟。

[實施例]

以下舉出實施例來更詳細說明本發明，惟本發明不受此等實施例所限定。又，以下的實施例及比較例之組成物中的「%」係意味『質量%』。

實施例中，所測定的特性係如以下。

Tni：向列相-各向同性液體相轉移溫度(℃)

Δn：在298K的折射率各向異性(別名：雙折射率)

Δε：在295K的介電常數各向異性

η：在293K的黏度(mPa‧s)

γ1：在295K的旋轉黏性(mPa‧s)

VHR：於頻率60Hz、施加電壓4V之條件下，在333K的電壓保持率(%)

<殘影之評價>

液晶顯示元件之殘影評價，係在顯示區域內使指定的固定圖案顯示6星期後，進行全畫面均一顯示時，目視固定圖案的殘像之程度，藉由以下的4個等級評價來進行。

◎：無殘像

○：有極少的殘像，但也為可容許之程度

△：有殘像，無法容許之程度

×：有殘像，相當惡劣

<揮發性(製造裝置污染性)之評價>

於容量0.33L的真空攪拌脫泡混合機之專用容器中加入0.15kg液晶組成物，一邊以20S^-1的公轉速度、10.0S^-1的自轉速度運轉真空攪拌脫泡混合機，一邊脫氣至15kPa為止，目視觀察液晶材料之發泡。揮發性係依照從混合機運轉開始至發泡開始為止的時間，分類為以下4個程度。

◎：至發泡為止需要3分鐘以上。揮發所致的裝置污染之可能性低。

○：至發泡為止為1分鐘以上且少於3分鐘。有揮發所致的輕微裝置污染之掛慮。

△：至發泡為止為30秒以上且少於1分鐘。發生揮發所致的裝置污染。

×：至發泡為止為30秒以內。有揮發所致的重大裝置污染之掛慮。

<製程適合性之評價>

於ODF製程中，使用定容積計量泵，每1次50pL滴下液晶，進行100000次，用以下的4個等級來評價「0~100次、101~200次、201~300次、‧‧‧‧99901~100000次」之各100次滴下時的液晶量之變化。

◎：變化極小(可穩定地製造液晶顯示元件)

○：有稍微變化，但也為可容許之程度

△：有變化，無法容許之程度(由於發生不均而良率變差)

×：有變化，相當惡劣(發生液晶洩漏或真空氣泡)

<低溫下的溶解性之評價>

低溫下的溶解性評價，係在調製液晶組成物後，於1mL的樣品瓶中秤量0.5g液晶組成物，對此在溫度控制式試驗槽中，將以下「-25℃(1小時保持)→升溫(0.2℃/每分鐘)→0℃(1小時保持)→升溫(0.2℃/每分鐘)→25℃(1小時保持)→降溫(-0.2℃/每分鐘)→0℃(1小時保持)→降溫 (-0.2℃/每分鐘)→-25℃」當作1個循環，持續給予溫度變化，目視觀察來自液晶組成物的析出物之發生，進行以下的4個等級評價。

◎：480小時以上未觀察到析出物。

○：240小時以上未觀察到析出物。

△：於120小時以內觀察到析出物。

×：於60小時以內觀察到析出物。

(實施例1)

調製以下所示的組成物。表1中顯示實施例1的組成物之物性值。

(比較例1)

調製不含有前述通式(ii)所示的化合物之以下所示的組成物。表2中顯示比較例1的組成物之物性值。

不含有前述通式(ii)所示的化合物之比較例1的組成物，與含有前述通式(ii)所示的化合物之實施例1的組成物比較下，顯示Tni低、Δε小。

(實施例2)

調製以下所示的組成物。表3中顯示實施例2的組成物之物性值。

(實施例3)

調製以下所示的組成物。表4中顯示實施例3的組成物之物性值。

(實施例4)

調製以下所示的組成物。表5中顯示實施例4的組成物之物性值。

(實施例5)

調製以下所示的組成物。表6中顯示實施例5的組成物之物性值。

(實施例6)

調製以下所示的組成物。表7中顯示實施例6的組成物之物性值。

(實施例7)

調製以下所示的組成物。表8中顯示實施例7的組成物之物性值。

(實施例8)

調製以下所示的組成物。表9中顯示實施例8的組成物之物性值。

(實施例9)

調製以下所示的組成物。表10中顯示實施例9的組成物之物性值。

(實施例10)

調製以下所示的組成物。表11中顯示實施例10的組成物之物性值。

(實施例11)

調製以下所示的組成物。表12中顯示實施例11的組成物之物性值。

(實施例12)

調製以下所示的組成物。表13中顯示實施例12的組成物之物性值。

(實施例13)

調製以下所示的組成物。表14中顯示實施例13的組成物之物性值。

以上說明的各實施態樣中的各構成及彼等之組合等係一例，在不脫離本發明的宗旨之範圍內，構成的附加、省略、置換及其它的變更係可能。又，本發明係不受各實施態樣所限定，僅受申請專利範圍(claim)之範圍所限定。

表15~表17中記載各實施例記載的液晶組成物之初期VHR、加熱後(150℃、1小時)的VHR、殘影評價、揮發性之評價、製程適合性之評價及低溫下的溶解性之評價。

[產業上之可利用性]

可提供具有寬廣溫度範圍的液晶相，黏性小，低溫下的溶解性良好，比電阻或電壓保持率高，對於熱或光呈現安定，不易發生殘影或滴下痕跡等之顯示不良，可高良率地製造顯示品質優異的液晶顯示元件之Δε為正的液晶組成物，以及使用該液晶組成物之液晶顯示元件。

Claims

一種液晶組成物，其含有1種或2種以上之下述通式(i)所示的化合物，含有1種或2種以上之下述通式(ii)所示的化合物， (式中，Rⁱ¹、Rⁱ²及Rⁱⁱ¹各自獨立地表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂-係各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，該烷基中的氫原子係可被氟原子或氯原子取代，Xⁱ¹、Xⁱ²、Xⁱ³、Xⁱ⁴、Xⁱⁱ¹及Xⁱⁱ²各自獨立地表示氫原子或氟原子，Aⁱⁱ¹、Aⁱⁱ²及Aⁱⁱ³各自獨立地表示反式-1,4-伸環己基或氫原子可被氟原子或氯原子取代之1,4-伸苯基)。
如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其中通式(i)之Xⁱ²係氟原子。
如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其中通式(ii)之Aⁱⁱ¹係反式-1,4-伸環己基。
如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其中通式(ii)之Aⁱⁱ²及Aⁱⁱ³係氫原子可被氟原子取代之1,4-伸苯基。
如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其中通式(ii)之Xⁱⁱ¹係氟原子。
如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其含有下述通式(L)所示的化合物， (式中，R^L1及R^L2各自獨立地表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂-係各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，OL表示0、1、2或3，B^L1、B^L2及B^L3各自獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(此基中存在的1個-CH₂-或未鄰接的2個以上之-CH₂-可被-O-取代)及(b)1,4-伸苯基(此基中存在的1個-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被-N=取代)所組成之群組中的基，上述之基(a)、基(b)中的1個或2個以上之氫原子各自獨立地可被氰基、氟原子或氯原子取代，L^L1及L^L2各自獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，當OL為2或3且L^L2係複數存在時，彼等可相同或相異，當OL為2或3且B^L3係複數存在時，彼等可相同或相異；惟通式(i)所示的化合物除外)。
如申請專利範圍第1項之組成物，其含有下述通式(M)所示的化合物， (式中，R^M1表示碳原子數1~8的烷基，該烷基中的1個或非鄰接的2個以上之-CH₂-係各自獨立地可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，PM表示0、1、2、3或4，C^M1及C^M2各自獨立地表示選自由(d)1,4-伸環己基(此基中存在的1個-CH₂-或未鄰接的2個以上之-CH₂-可被-O-或-S-取代)及(e)1,4-伸苯基(此基中存在的1個-CH=或未鄰接的2個以上之-CH=可被-N=取代)所組成之群組中的基，上述之基(d)、基(e)中的1個或2個以上之氫原子各自獨立地可被氰基、氟原子或氯原子取代，K^M1及K^M2各自獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-、-CF₂O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，當PM為2、3或4且K^M1係複數存在時，彼等可相同或相異，當PM為2、3或4且C^M2係複數存在時，彼等可相同或相異，X^M1及X^M3各自獨立地表示氫原子、氯原子或氟原子，X^M2表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基；惟，通式(ii)所示的化合物除外)。
一種液晶顯示元件，其使用如申請專利範圍第1項之組成物。
一種IPS模式用、OCB模式、ECB模式、VA模式、VA-IPS模式或FFS模式液晶顯示元件，其使用如申請專利範圍第1項之組成物。
一種液晶顯示器，其使用如申請專利範圍第8或9項之液晶顯示元件。