TW201436299A - 發光體之封裝與方法 - Google Patents

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    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/233—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating a spot light distribution, e.g. for substitution of reflector lamps
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Abstract

揭示具有改良的效能的發光體封裝及有關方法。在一個態樣中，發光體封裝可包括安置在基板或子基板上方的至少一個發光體晶片。在一些態樣中，封裝可包括在發光體封裝之一部分內部彼此相鄰安置的反射聚合材料或聚合反射器(有時稱為「焊料遮罩」或「焊料遮罩材料」)、反射材料及導電材料。在一些態樣中，反射材料可包括金屬材料或金屬反射器，在縫隙內部反射聚合材料之前，該金屬材料或金屬反射器塗佈至跡線結構的側壁及/或跡線結構之間的縫隙部分內部。

Description

發光體之封裝與方法 【相關申請案之交叉引用】
本申請案主張於2013年2月27日提出申請的美國專利申請案第13/779,146號的優先權，該美國專利申請案的揭示內容以引用的方式整體併入本文。
本文揭示的標的一般係關於發光體封裝及有關方法。更特定而言，本文揭示的標的係關於陶基發光二極體(light emitting diode；LED)封裝及有關方法，該等封裝具有改良的光反射及/或改良的光提取。
發光體(諸如發光二極體(LED)或LED晶片)為固態裝置，該等固態裝置將電能轉換為光。可在發光體封裝中使用LED晶片以提供各種照明及光電子應用中有用的光的不同顏色及圖案。舉例而言，發光體封裝可用於各種LED燈泡及照明燈具應用中及正發展為針對白熾、熒光及金屬鹵化物高強度放電(high-intensity discharge；HID)照明應用之替代。
LED照明產品的製造商一直在尋找減少製造商成本的方法從而為顧客提供較低的原始成本及鼓勵採用LED產 品。更明亮、更有效的LED晶片及/或封裝可允許照明製造商使用更少的LED晶片以在較低的成本下獲得同樣的亮度及/或使用相同LED晶片計數及功率增加亮度位準。此類改良可使得改良的發光體封裝及/或系統的傳輸的總成本比其他解決方案更低。
一個關於併入發光體的習知發光體封裝的問題為：在多晶片封裝中，光在LED晶片之間的縫隙內部捕捉及/或由LED晶片之間相鄰縫隙之側壁吸收。對此問題的一個解決方案包括以下步驟：在縫隙內部塗佈白色焊料遮罩材料的覆蓋塗層以增加反射。然而，穿入及/或穿過焊料遮罩材料之部分的光仍然可在封裝的縫隙區域內部吸收或捕捉。如此，此解決方案無法實現封裝亮度的所欲增加。
因此，儘管市場上可購買各種發光體封裝，然而仍然需要更明亮的、更有成本效益的發光體封裝及/或方法，相較於習知的封裝該等封裝及/或方法消耗相同及/或更小的功率及更具有反射性。此類封裝及方法亦可使得終端使用者更容易從投資回報或回收角度證明轉向LED產品的合理性。
根據本案，本文揭示發光體封裝、系統及方法，及該等發光體封裝、系統及方法具有改良的效能。舉例而言，本文描述的封裝、系統及方法可有利地顯示改良的反射、改良的亮度、改良的光提取及/或製造的容易性。在一些態樣中，可提供改良的、更明亮的發光體封裝。改良的封裝可包含安置在子基板上方的至少一個發光體晶片。在一些態樣中，封 裝可進一步包含以第二反射層覆蓋的第一反射層。
在一些態樣中，第一反射層包含金屬層及/或鏡面反射層。在一些態樣中，第二反射層可包含白色材料或白色層、銀材料或銀層、反射塑膠材料或層、朗伯塗層、擴散反射塗層、反射聚合材料或適用於覆蓋第一反射層的任何其他反射塗層。
在一些態樣中，第一及第二反射層安置在非反射光阻隔結構、結構或塗層上方。光阻隔結構可包含任何非反射材料或結構。在一些態樣中，光阻隔結構包含導電材料或層，諸如銅(Cu)層。
在一些態樣中，發光體晶片發射的光可穿過第二反射層的一部分及可進一步從下面的第一反射層反射。在一些態樣中，光阻隔表面覆蓋有另一反射塗層。
在一些態樣中，可提供改良的、更明亮的發光體封裝，及該封裝包括安置在子基板上方的至少一個發光體晶片。在一些態樣中，反射材料、反射材料上方的反射塗層，及導電材料可在發光體封裝的一部分內部彼此相鄰安置。在一些態樣中，反射材料可包括鏡面反射金屬反射器或金屬層。在一些態樣中，反射材料上方的反射塗層可包括塑膠塗層、朗伯塗層或焊料遮罩塗層。
在一些態樣中，光可進入反射塗層(諸如焊料遮罩材料)及穿過焊料遮罩材料經由下面的反射材料反射回來。在一些態樣中，反射材料可包含化學鍍之銀。
在一些態樣中，可提供更明亮、更有效的發光體封 裝。發光體封裝可包含第一跡線結構(trace)及第二跡線結構。在一些態樣中，縫隙或溝槽可安置在第一及第二跡線結構之間。至少一個發光體晶片適用於與第一及第二跡線結構的部分電性連接。在一些態樣中，第一及第二跡線結構的第一及第二側壁分別跨過縫隙彼此相對，及第一及第二側壁可塗覆有反射材料。
在一些態樣中，反射聚合材料(有時稱為「焊料遮罩」或「焊料遮罩材料」)可提供於縫隙的部分中及/或在塗佈反射材料之後相鄰第一及第二跡線結構的側壁塗佈。在一些態樣中，反射材料可包含化學鍍之銀，該化學鍍之銀適用於反射穿過焊料遮罩的光。
在一些態樣中，揭示生產發光體封裝的方法。該方法可包含以下步驟：提供基板或子基板，在基板上方提供多個發光體晶片，及將一部分基板電鍍銅(Cu)跡線結構。該方法可進一步包含以下步驟：例如經由拋光或研磨跡線結構的表面，處理Cu跡線結構的表面。該方法可進一步包含以下步驟：在經處理的Cu表面上沉積化學鍍之Ag層及添加焊料遮罩。值得注意地，化學鍍之Ag可包含反射材料，該反射材料在添加焊料遮罩之前塗佈至發光體裝置的部分。相鄰焊料遮罩的部分安置的反射材料可有利地增加從發光體封裝反射的光的量。除了以上態樣之外，本案的目標為改良發光體封裝的亮度，而不必添加更多的發光體晶片或增加功率。
如可從本文的揭示內容中顯而易見的，本案的該等及其他目標至少由本文揭示的標的完全或部分地實現。
2‧‧‧路徑
3A‧‧‧線
3B‧‧‧線
10‧‧‧發光體封裝
12‧‧‧基板/子基板
14‧‧‧跡線結構
16‧‧‧跡線結構
20‧‧‧跡線結構
22‧‧‧跡線結構
22A‧‧‧跡線結構
22B‧‧‧跡線結構
24‧‧‧連接點
26‧‧‧貫通孔/通孔
30‧‧‧第一表面
32‧‧‧第二表面
40‧‧‧發光體封裝
42‧‧‧黏附層
44‧‧‧導電層
46‧‧‧反射層
50‧‧‧電性接觸
52‧‧‧電性接觸
54‧‧‧熱元件
56‧‧‧焊料遮罩材料
60‧‧‧發光體封裝
62‧‧‧子基板
64‧‧‧頂表面
66‧‧‧電性跡線結構
68‧‧‧電性跡線結構
70‧‧‧跡線結構
72‧‧‧跡線結構
74‧‧‧LED晶片
76‧‧‧貫通孔/通孔
78‧‧‧連接點
80‧‧‧密封劑層/透鏡
82‧‧‧保護層
84‧‧‧透鏡部分
86‧‧‧透鏡底座
90‧‧‧發光體封裝
92‧‧‧子基板
94‧‧‧光散射區域
96A‧‧‧跡線結構
96B‧‧‧跡線結構
98‧‧‧黏附層
100‧‧‧導電層
102‧‧‧反射層
110‧‧‧製程
112‧‧‧步驟
114‧‧‧步驟
116‧‧‧步驟
118‧‧‧步驟
120‧‧‧步驟
130‧‧‧製程
132‧‧‧步驟
134‧‧‧步驟
136‧‧‧步驟
138‧‧‧步驟
SM‧‧‧焊料遮罩
G‧‧‧縫隙
D1‧‧‧方向
D2‧‧‧方向
I‧‧‧區域
II‧‧‧區域
III‧‧‧區域
t‧‧‧厚度
本標的的整個及賦能揭示內容(包括對於本領域一般技藝人士最佳的本標的之模式)在說明書的剩餘部分中更特別地闡述，包括參閱隨附圖式，其中：第1圖為根據本案的一個態樣的發光體封裝的一部分的頂部平面圖；第2圖為根據本案的一個態樣的發光體封裝的側視圖；第3A圖及第3B圖為根據本案的態樣的發光體封裝的剖視圖；第4圖為根據本案的發光體封裝的底部平面圖；第5圖為根據本案的一個態樣的發光體封裝的分解視圖；第6圖為根據本案的一個態樣的發光體封裝的剖視圖；及第7A圖及第7B圖為根據依據本案的提供發光體封裝的方法的示例性步驟的流程圖。
本文揭示的標的針對與發光體(諸如發光二極體(LED)或LED晶片)一起使用的封裝及方法。本文描述的封裝及方法適用於顯示改良的效能，例如，改良的效率、亮度、光提取及/或熱管理。在一些態樣中，該等改良中的每一者有助於相較於習知的封裝較低的成本及/或可在相較於習知的封裝較低的成本下提供。
如本文使用的，術語「焊料遮罩」及/或「焊料遮罩材料」代表用於增加亮度及/或防腐的反射聚合材料。
本文描述的封裝可使用一或更多個新穎反射材料或塗層，該等材料或塗層可(例如)在塗佈第二反射塗層(諸如焊料遮罩)之前塗佈。在一些態樣中，一或更多個新穎反射材料或塗層可適用於反射穿過(例如)相鄰的跡線結構之間安置的縫隙或溝槽中的焊料遮罩的光。在一些態樣中，相對跡線結構的側壁以及跡線結構之間的縫隙的底面可塗覆有反射材料或層以改良反射及由此改良光提取而不必添加更多的LED晶片。
在一些態樣中，光可進入焊料遮罩材料及穿過焊料遮罩材料經由反射材料反射回來。在一些態樣中，反射材料可包含化學鍍之銀(Ag)。
在一些態樣中，焊料遮罩材料可提供於一或更多個縫隙的部分中及/或在塗佈反射材料之後相鄰於相鄰的跡線結構的側壁塗佈。在一些態樣中，反射材料可包含化學鍍之Ag，該化學鍍之Ag適用於反射穿過焊料遮罩的光。
在一些態樣中，揭示生產發光體封裝的方法。該方法可包含以下步驟：提供基板或子基板，在基板上方提供多個發光體晶片及將一部分基板電鍍銅(Cu)跡線結構。該方法可進一步包含以下步驟：例如，經由拋光或研磨跡線結構的表面，處理Cu跡線結構的表面。該方法可進一步包含以下步驟：在處理的Cu表面上沉積化學鍍之Ag層及添加焊料遮罩。值得注意地，化學鍍之Ag可包含反射材料，該反射材料在添 加焊料遮罩之前塗佈至發光體裝置的部分。相鄰焊料遮罩的部分安置的反射材料可有利地增加從發光體封裝反射的光的量。本案的目標為改良發光體封裝的亮度，而不必添加更多的發光體晶片或增加功率。
在一些態樣中，本文描述的封裝及方法可包含及/或包括以下步驟：提供第二反射層覆蓋的第一反射層。在一些態樣中，第一反射層包含金屬層及/或鏡面反射層。在一些態樣中，第二反射層可包含白色材料或白色層、銀材料或銀層、反射塑膠材料或層、朗伯塗層或適用於覆蓋第一反射層的任何其他反射塗層。
在一些態樣中，第一及第二反射層安置在非反射光阻隔結構、結構或塗層上方。光阻隔結構可包含任何非反射材料或結構。在一些態樣中，光阻隔結構包含導電材料或層，諸如銅(Cu)層。
在一些態樣中，發光體晶片發射的光可穿過第二反射層的一部分及可進一步從下面的第一反射層反射。在一些態樣中，光阻隔表面覆蓋有另一反射塗層。
將對本文標的的可能態樣或實施例進行詳細參閱，該等態樣或實施例的一或更多個實例圖示在圖式中。提供每一實例以解釋標的及並非作為限制。事實上，圖示或描述為一個實施例的部分的特徵可用於另一實施例中以產生更進一步的實施例。本文揭示及預想的標的旨在涵蓋此類修改及改變。
如在各種圖式中圖示的，出於說明目的，一些結構 或部分尺寸相對於其他結構或部分誇大及因此經提供以說明本標的的一般結構。此外，參閱結構或部分描述本標的的各種態樣，該結構或部分在其他結構、部分或兩者上形成。如熟習此項技術者將理解的，提及形成在另一結構或部分「上」或「上方」的結構考慮額外的結構、部分或兩者可***。提及另一結構或部分「上」形成的結構或部分而無***結構或部分在本文描述為「直接在結構或部分上形成」。類似地，將理解，當元件被稱為與另一元件「連接」、「附接」或「耦接」時，該元件可直接連接、附接或耦接另一個元件或可出現***元件。相反地，當元件被稱為「直接連接」、「直接附接」或「直接耦接」另一元件時，沒有出現***元件。
此外，本文使用相對術語，諸如「上」、「上方」、「上部」、「頂部」、「下部」或「底部」以描述一個結構或部分與另一結構或部分的關係，如圖式中圖示的。將理解，相對術語，諸如「上」、「上方」、「上部」、「頂部」、「下部」或「底部」旨在包含封裝或部件除了圖式中描繪的方向以外的不同方向。舉例而言，若圖式中的封裝或部件被翻轉，則描述為其他結構或部分「上方」的結構或部分現在將定向為其他結構或部分的「下方」。同樣地，若圖式中的封裝或部件沿著軸旋轉，則描述為其他結構或部分「上方」的結構或部分將定向為其他結構或部分的「鄰側」或「左側」。全文相同元件符號代表相同元件。
除非特定地敘述缺乏一或更多個元件，否則如本文使用的術語「包含」、「包括」及「具有」將解釋為開放性 術語，該等術語不排除存在一或更多個元件。
如本文使用的，「陶基材料」或術語「陶基」包括主要由陶瓷材料組成的材料，諸如金屬或類金屬及非金屬的化合物(例如，氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈹(BeO)、碳化矽(SiC))製造的無機非金屬材料。「非陶基材料」主要由金屬材料、主要有機(例如，聚合的)材料及/或主要合成或半合成有機固體組成，該等材料可分配或模塑成型(例如，塑膠)。
如本文使用的，術語「鏡面」反射及/或「鏡面地」反射描述來自表面的光的鏡樣反射，在該反射中來自單個進入方向的光以單個離開方向被反射。
如本文使用的，術語「擴散」反射及/或「擴散地」反射描述來自表面的光之反射，使得入射光線以複數個角度反射而不是如在鏡面反射情況中僅以一個角度反射。
根據本文描述的實施例的發光體封裝可包含基於第III-V族氮化物(例如，氮化鎵(GaN))的LED晶片或雷射。LED晶片及雷射的製造為普遍已知的及在本文僅簡短描述。LED晶片或雷射可在生長基板(例如，碳化矽(SiC)基板)上製造，諸如北卡羅來納州達拉謨的Cree公司製造及出售的彼等裝置。本文亦考慮其他生長基板，例如但非限於，藍寶石、矽(Si)及GaN。在一個態樣中，SiC基板/層可為4H多型碳化矽基板/層。然而，可使用其他SiC候選多型，諸如3C、6H及15R多型。適當的SiC基板可從本標的的受讓人，北卡羅來納州達拉謨的Cree公司購得，及用於生產此類基板的方法 闡明於科學文獻以及許多共同受讓的美國專利案中，包括但不限於美國專利案第Re.34,861號、美國專利案第4,946,547號及美國專利案第5,200,022號，以上專利案的揭示內容以引用方式整體併入本文。本文考慮任何其他適當的生長基板。
如本文使用的，術語「第III族氮化物」代表形成於氮及週期表的第III族中一或更多個元素(通常鋁(Al)、鎵(Ga)及銦(In))之間的彼等半導體化合物。術語亦代表二元、三元及四元化合物，諸如GaN、AlGaN及AlInGaN。第III族元素可與氮化合以形成二元(例如，GaN)、三元(例如，AlGaN)及四元(例如，AlInGaN)化合物。該等化合物可具有實驗公式，在該等實驗公式中一個莫耳的氮與總共一個莫耳的第III族元素化合。因此，諸如AlxGa1-xN(其中1>x>0)的公式經常用於描述該等化合物。用於第III組氮化物的外延生長的技術已經得到相當良好的發展及在適當的科學文獻中報道過。
儘管本文揭示的LED晶片的各種實施例可包含生長基板，然而熟習此項技術者將理解可移除其上生長包含LED晶片的外延層的晶體外延生長基板，及獨立的外延層可安裝在替代的載體基板或基板上，該基板可具有與原始基板不同的熱學、電性、結構及/或光學特性。本文描述的標的不受限於具有晶體外延生長基板的結構及可與以下結構一起使用：該等結構中外延層已經從外延層的原始生長基板移除及接合至替代載體基板。
根據本標的的一些實施例的基於第III族氮化物的 LED晶片，例如，可在生長基板(例如，Si、SiC或藍寶石基板)上製造以提供水平裝置(在LED晶片的同一側面上具有至少二個電性接觸)或垂直裝置(在LED晶片的相對側面上具有電性接觸)。此外，製造之後生長基板可維持在LED晶片上或可移除(例如，藉由蝕刻、碾磨、研磨等等)。可移除生長基板，例如，以減少所得LED晶片的厚度及/或減少經過垂直LED晶片的正向電壓。水平裝置(具有或不具有生長基板)，例如，可倒裝晶片接合(例如，使用焊料)至載體基板或印刷電路板(printed circuit board；PCB)或可為線結合的。垂直裝置(具有或不具有生長基板)可具有第一端子(例如，陽極或陰極)及第二端子(例如，相對的陽極或陰極)，該第一端子焊料接合至載體基板、安裝墊或PCB，該第二端子線結合至載體基板、電氣元件或PCB。舉例而言，垂直及水平LED晶片結構的實例在Bergmann等人的美國公開案第2008/0258130號中及由Edmond等人在2010年9月7日發佈的美國專利案第7,791,061號中論述，以上各案的揭示內容以引用的方式整體併入本文。
一或更多個固態發光體(諸如LED晶片)及尤其本文描述的部分發光體封裝(諸如部分陶基子基板、透鏡及/或跡線結構)可至少部分地塗覆有一或更多個熒光體。熒光體可吸收來自LED晶片的一部分光及發射不同波長的光使得發光體封裝發射來自LED晶片及熒光體的每一者的光組合。在一個實施例中，發光體封裝發射被視為來自LED晶片及熒光體的光發射組合產生的白光。在根據本標的的一個實施例 中，白光發射封裝可由LED晶片及熒光體組成，該LED晶片發射藍色波長光譜中的光，該熒光體吸收一些藍光及再發射黃色波長光譜中的光。封裝可因此發射藍光及黃光的白光組合。在其他實施例中，LED晶片發射藍光及黃光的非白光組合，如美國專利案第7,213,940號中描述的。本文亦考慮發射紅光的LED晶片或由吸收LED光及發射紅光的熒光體覆蓋的LED晶片。
LED晶片可使用許多不同的方法塗覆熒光體，其中一個適當的方法在美國專利申請案第11/656,759號及第11/899,790號中描述，二者標題皆為「Wafer Level Phosphor Coating Method and Devices Fabricated Utilizing Method」及兩者皆以引用方式整體併入本文。用於塗覆一或更多個LED晶片的其他適當的方法在於2011年11月15日發佈的標題為「Phosphor Coating Systems and Methods for Light Emitting Structures and Packaged Light Emitting Diodes Including Phosphor Coating」的美國專利案第8,058,088號及標題為「Systems and Methods for Application of Optical Materials to Optical Elements」的部分接續申請案美國專利申請案第12/717,048號中描述，以上各者的揭示內容在此以引用方式整體併入本文。LED晶片亦可使用其他方法(諸如電泳沉積(electrophoretic deposition；EPD))塗覆，其中適當的EPD方法在標題為「Close Loop Electrophoretic Deposition of Semiconductor Devices」的美國專利申請案第11/473,089號中描述，該美國專利申請案亦以引用方式整體併入本文。理解 到，根據本標的的發光體封裝及方法亦可具有多個不同顏色LED晶片，該等多個LED晶片中的一或更多者可為白光發射。
第1圖至第7B圖為與發光體(諸如LED晶片)一起使用的封裝及方法的實施例。本文描述的發光體封裝及系統可有利地配置用於改良的效能，諸如改良的亮度及/或反射，同時相較於習知的封裝及系統在改良的較低成本下傳輸更大LPW。
第1圖圖示一般指定為10的發光體封裝。發光體封裝10可包含基板或子基板12，該基板或子基板12可支撐多個固態發光體，諸如多個LED晶片(74，第5圖)。子基板12可包含任何適當的材料，例如，具有低熱阻及/或高導熱性的電性絕緣(例如，實質上不導電的)材料。在一個態樣中，子基板12可例如包含非金屬材料，諸如陶瓷或陶基材料。舉例而言，子基板12可包含三氧化二鋁或氧化鋁(Al2O3)及三氧化二鋁或氧化鋁的衍生物、氮化鋁(AlN)及氮化鋁的衍生物、碳化矽(SiC)及碳化矽的衍生物、二氧化鋯或氧化鋯(ZrO2)及二氧化鋯或氧化鋯的衍生物、二氧化鈦(TiO2)及二氧化鈦的衍生物、以上各者的組合及/或任何其他基於陶瓷或包含陶瓷的材料。在一個態樣中，子基板12可包含AlN及/或Al2O3，AlN及/或Al2O3可有利地包含低熱阻。當提供作為子基板12時候，具有低熱阻的一或多種材料可為有利的，因為熱可更容易地從LED晶片(74，第5圖)消散及允許本文揭示的發光體封裝在穩定狀態更低溫運行，由此增加流明輸出。
在一些態樣中，子基板12可包含具有近似30瓦特 每公尺克耳文(W/m．K)或更大的導熱性的材料(例如，氧化鋅(ZnO))。其他可接受的材料具有近似120W/m．K或以上的導熱性(例如，AlN，具有範圍可從近似140W/m．K至近似180W/m．K的導熱性)。在熱阻方面，一些可接受的材料具有近似2℃/W或更低的熱阻。亦可能使用其他材料，該等材料具有本文論述的範圍以外的熱特性。
在一些態樣中，導電材料的一或更多個區域或部分可安置在子基板12的一或更多個部分上方。舉例而言，第一導電跡線結構14及第二導電跡線結構16可提供在子基板12的部分上方。第一及第二跡線結構14及16可分別由一或更多個縫隙或溝槽(一般指定為G)實體及/或電性分離。在一些態樣中，複數個固態發光體或LED晶片(74，第5圖)可與第一及第二跡線結構14及16中的每一者的部分直接地(例如，經由直接晶粒附接)及/或間接地(例如，經由線結合)電性連通。第一及第二跡線結構14及16可分別包含封裝10的第一及第二電性端子或電性接觸。亦即，在一些態樣中，第一及第二跡線結構14及16被分別稱為封裝10的陽極及陰極。
在一些態樣中，導電材料的一或更多個區域或部分可沉積在第一跡線結構14及第二跡線結構16的部分之間。舉例而言，及在一些態樣中，複數個跡線結構(一般指定為20)可安置在第一跡線結構14及第二跡線結構16之間。複數個跡線結構20可包含一或更多個縫隙G分離的一個以上單獨的跡線結構22。在一些態樣中，每一單獨的跡線結構22 可適用於附接至至少一個LED晶片(例如，74，第5圖)的一部分。在一些態樣中，一些單獨的跡線結構22可從第一跡線結構14的部分延伸及一些單獨的跡線結構22可從第二跡線結構16的部分延伸。一些單獨的跡線結構亦可不附接至第一跡線結構14或第二跡線結構16的部分。如下所述，每一單獨的跡線結構22及第一及第二跡線結構14及16分別可包含鈦(Ti)、銅(Cu)及/或銀(Ag)的一或更多個層。在一些態樣中，化學鍍鎳浸金(electroless nickel immersion gold；ENIG)的一或更多個可選層亦可塗佈在跡線結構的部分上方用於改良發光體(諸如LED晶片)至材料的跡線結構層的線可接合性。
在一些態樣中，第一及第二跡線結構14及16可(但並非必須)為與複數個跡線結構20相同的一或多種材料。在一些態樣中，分別第一及第二跡線結構14及16及複數個跡線結構20經由化學沉積、物理沉積、化學氣相沉積、電漿沉積、電解、電鍍及/或化學鍍之技術可提供在子基板12上方。在一個態樣中，任何適當的處理技術可用於以導電材料塗覆非金屬部分(例如，子基板12)。在一些態樣中，經由化學鍍之製程沉積的化學鍍之金屬組成的第一及第二跡線結構14及16及複數個跡線結構20可為所欲的，因為此等技術可有利地產生相較於其他方法具有更均勻厚度的跡線結構。考慮在子基板12上方分層、塗覆及/或沉積導電材料以分別提供第一及第二跡線結構14及16以及複數個跡線結構20的任何方法。
在一些態樣中，一或更多個縫隙G可安置在複數個跡線結構20內部的相鄰單獨的跡線結構22之間。封裝10可包含適用於接收多個LED晶片的多跡線結構裝置。在一些態樣中，縫隙G可安置在部分第一跡線結構14及複數個跡線結構20之間。在一些態樣中，縫隙G亦可安置在部分第二跡線結構16及複數個跡線結構20之間。在一些態樣中，第一及第二跡線結構14及16可周圍地安置在複數個跡線結構20附近。亦即，在一些態樣中複數個跡線結構20可中心地安置在子基板12上方及由第一及第二跡線結構14及16的部分圍繞。在一些態樣中，複數個跡線結構20可包含實質上圓形的區域，該區域實質上中心地安置在子基板12的上方。在一些態樣中，第一及第二跡線結構14及16可包含實質上C形及/或彎曲的材料部分，該等部分可在圓形的複數個跡線結構20周圍彎曲。放置複數個LED晶片(74，第5圖)在複數個中心安置的跡線結構上方可改良封裝10內部的熱管理，因為複數個中心安置的LED晶片產生的熱可更容易地從封裝子基板12的中心至邊緣消散。此外，熱可散播遠離封裝10的中心。
在一些態樣中，一些單獨的跡線結構22可包含正方形及/或矩形的部分，該部分適用於附接及/或電性連通發光體，諸如LED晶片(74，第5圖)。舉例而言，至少一個發光體可安置在每一正方形或矩形的部分上方及可經由導電膏、焊接材料、黏著劑、助熔劑材料或環氧樹脂直接地附接及直接地電性連通單獨的跡線結構22。在其他態樣中，至少一個發光體可經由矽樹脂或其他非導電材料附接至單獨的跡 線結構22的一部分及發光體可經由電連接器(諸如線或線結合)電性連通單獨的跡線結構22。
在一些態樣中，一或更多個支柱部分可從一些單獨的跡線結構22的矩形或正方形部分延伸。支柱部分可比一些單獨的跡線結構22的矩形或正方形部分寬度更小及/或更薄。在一些態樣中，部分地藉由線結合發光體至單獨的跡線結構22的支柱部分，電訊號或電流可進入單獨的跡線結構22上方安置的複數個發光體及/或可經過第一及第二跡線結構14及16之間。複數個跡線結構20內部的一些單獨的跡線結構22的每一矩形及/或正方形部分可(但並非必須)為相同尺寸。複數個跡線結構20內部的一些單獨的跡線結構22的每一矩形及/或正方形部分可(但並非必須)為相同形狀。在一些態樣中，矩形及正方形發光體(例如，LED晶片)的組合可用於封裝10中。在一些態樣中，僅正方形發光體可用於封裝10中。在某些其他態樣中，僅矩形的發光體可用於封裝10中。
單獨的跡線結構22的矩形及/或正方形部分可包括任何適當的尺寸及可關於使用的一或更多個LED晶片的尺寸及/或形狀變化。舉例而言，及在一些態樣中，一些單獨的跡線結構22的矩形部分可具有長度及寬度大小，該等大小至少近似300μm×200μm；至少近似350μm×250μm；至少近似400μm×300μm；或大於近似500μm×400μm。舉例而言，及在一些態樣中，一些單獨的跡線結構22的正方形部分可具有長度及寬度大小，該等大小至少近似150μm×150μm；至少 近似200μm×200μm；至少近似300μm×300μm；至少近似400μm×400μm；或大於近似500μm×500μm。如前所述，複數個跡線結構20可包含可提供在子基板12上方的任何適當的尺寸的正方形及矩形部分的混合。在一些態樣中，可提供一些單獨的跡線結構22的僅正方形或僅矩形部分，因為可提供僅正方形或僅矩形發光體。
在一些態樣中，發光體封裝10可包含複數個發光體，該等複數個發光體的每一者為相同尺寸。在其他態樣中，不同尺寸(大的及小的)發光體可在封裝10內部一起使用。同樣地，可提供複數個跡線結構20內部的單獨的跡線結構22的不同尺寸及/或形狀。在一些態樣中，單獨的跡線結構22可包含正方形部分、矩形部分、非正方形部分、非矩形部分、圓形部分、不對稱形狀部分、對稱形狀部分、以上各者的組合及/或任何其他合適形狀及/或尺寸的部分。適用於發射不同顏色光的發光體亦可提供於封裝10中。舉例而言，可主要地提供綠色、青藍色、藍色、紅色、橙色、琥珀色、黃色及/或白色發光體。
仍然參閱第1圖，及在一些態樣中，封裝10可進一步包含一或更多個可選的連接點，一般指定為24。在一些態樣中，連接點24可包含焊料墊，該等焊料墊適用於連接來自外部功率源(未圖示)的線(未圖示)。在一些態樣中，連接點24可包含貫通孔及/或導電通孔用於連接至外部功率源(未圖示)。在一些態樣中，連接點24可包含Ag通孔及/或採用沉積在初始沉積的金屬層部分上方的焊料墊形式的Ti、 Cu、Ag或額外的金屬的層。在一些態樣中，連接點24可包含測試點，藉由該等測試點可測試封裝10的電性質及/或熱性質。至少一個連接點24可表示第一跡線結構14及/或第二跡線結構16的電極性。舉例而言，至少一個連接點24可包含「+」符號，該符號適用於表示最接近的跡線結構(諸如第一跡線結構14)的電極性。因此，第一跡線結構14可包含陽極，如藉由接近的「+」符號形狀的連接點24表示，及第二跡線結構16可包含陰極。
在一些態樣中，封裝10可包含一或更多個可選貫通孔或通孔，一般指定為26。通孔26可包含導電材料部分，該等部分在子基板12內部內在延伸用於允許各種封裝部分電性及/或熱連通。舉例而言，在一些態樣中，通孔26包含Ag或其他導電材料區域，該等區域可在子基板12的部分內部實質上垂直地及/或以成角配置延伸以分別電性連接第一或第二跡線結構14及16至底部電性接觸。通孔26可包含任何適當導電材料，諸如Ag、Cu、Au、Pt或任何其他金屬或金屬合金及可使用任何適當技術塗佈。當通孔26實體及/或電性連接各自的電性接觸(例如，電性接觸50及電性接觸52，第4圖)至各自的跡線結構(例如，跡線結構14及跡線結構16)時，理解到電性接觸及/或跡線結構可以任何佈置位於子基板12的部分上方。
第2圖圖示封裝10的側視圖。在一些態樣中，封裝10可包含第一表面30，在第一表面30上可沉積第一跡線結構14及第二跡線結構16。第一跡線結構14及第二跡線結構 16可周圍地圍繞複數個跡線結構20，該等複數個跡線結構20可沉積及可選地中心安置在第一表面30的部分上方。子基板12可包含與第一表面30相對的第二表面32。一或更多個接觸(例如，接觸50及接觸52，第4圖)可沉積在第二表面32的部分上方。在一些態樣中，接觸可包含Ti、Cu及/或Ag的一或更多個層，類似於複數個電性跡線結構20。通孔26(第4圖)可藉由內在延伸穿過子基板12的部分或在子基板12的部分內部延伸而電性連接第一及第二跡線結構14及16至底部接觸。
在如第2圖所圖示的一些態樣中，子基板12可包含厚度t，在厚度t上可沉積包括跡線結構及接觸的電子部件。厚度t(例如)範圍可從近似0.1mm至1mm。在一些態樣中，厚度t為近似0.5mm。在一些態樣中，厚度t可包含近似0.1mm及1mm之間的厚度的任何子範圍，包括(例如)範圍近似0.1mm至0.4mm；0.4mm至0.8mm或0.8mm至1mm。然而，考慮任何厚度。
值得注意地，封裝10可包含複數個縫隙G及/或縫隙G網路，該等縫隙G安置在複數個跡線結構20的單獨的跡線結構22的部分之間及在單獨的跡線結構22的部分之間延伸，及亦在第一及第二跡線結構14及16的部分之間延伸。每一縫隙G可藉由單獨的跡線結構22、第一跡線結構14及/或第二跡線結構16的橫向側壁界定。各種跡線結構的側壁之間的部分縫隙G及/或該等側壁或導電部分可經處理使得每一者可更具有反射性，由此改良每封裝的反射及光提取。在一 些態樣中，藉由經處理以更具有反射性，縫隙G的底面及/或跡線結構的暴露表面(包括跡線結構的上表面及側壁)可有利地變成封裝10內部總的光影響表面區域的重要部分。本文的標的至少部分地適應於增加複數個縫隙G及/或各種跡線結構(包括第一及第二跡線結構14及16以及單獨的跡線結構22)的側壁的反射率以改良封裝亮度。為了增加縫隙G及側壁的反射率，反射材料可塗佈或塗覆在縫隙G的部分內部以及第一及第二跡線結構14及16及複數個跡線結構20內部的一些單獨的跡線結構22的部分上方，使得光可從該等部分反射。在一些態樣中，縫隙G及側壁可經由在塗佈焊料遮罩之前在縫隙G的部分的內部及跡線結構側壁的部分上方塗佈反射材料處理。
第3A圖及第3B圖圖示發光體封裝(一般指定為40)的一部分的詳細剖視圖。發光體封裝10的部分40為第1圖中單獨的跡線結構22的部分上方沿著線3A/3B的剖視圖。如第3A圖及第3B圖圖示的，封裝10的部分40可包含一或更多個反射材料，在塗佈焊料遮罩之前該一或更多個反射材料已經塗佈在封裝部件的一或更多個表面上方，使得穿過焊料遮罩進入的光可從封裝的部分反射回來而不是保持捕捉在一或更多個縫隙G中的跡線結構之間及/或由跡線結構吸收。在一些態樣中，第一及第二相鄰的跡線結構22A及22B可包含沉積在子基板12的部分上方的一或更多個材料層。該等層中的至少一個可包含在塗佈第二反射材料(諸如焊料遮罩)之前沉積的反射材料及在一些實施例中初始塗佈的反射材料可 直接接觸焊料遮罩。
在一些態樣中，每一跡線結構(包括第一跡線結構14、第二跡線結構16及/或複數個跡線結構的任何單獨的跡線結構22(例如，第一及第二相鄰的跡線結構22A及22B))可包含第一可選材料黏附層42、安置在黏附材料層42上方的第二導電材料層44及安置在導電材料層44上方的反射材料層46。在一些態樣中，僅可沉積導電層44及反射層46。在一些態樣中，可選黏附層42可包含Ti薄層，例如，該薄層可為近似0.10μm厚。在一些態樣中，黏附層42可為近似0.05μm至0.10μm厚；近似0.10μm至0.15μm厚；或0.15μm以上厚。在一些態樣中，黏附層42可包含Ti黏附層，該Ti黏附層可在沉積導電層44之前在子基板12的部分上方濺射。
在一些態樣中，導電層44可包含提供在子基板12的部分上方及/或黏附層42(在存在黏附層的情況下)上方的導電材料層(諸如Cu)。在一些態樣中，導電層44可包含經由化學鍍製程、電解製程、電鍍製程及/或任何其他適當技術沉積的材料。化學鍍製程可用於塗覆非金屬部分及可類似於電鍍製程，不同之處在於可能不需要外部電流。金屬離子可由電鍍溶液中之化學試劑減少及沉積在子基板12的部分上方。化學鍍或處理可為有利的，因為可獲得更均勻厚度的金屬層。
在一些態樣中，導電層44可直接沉積在子基板12的部分上方，因為黏附層42為可選的。在一些態樣中，子基板12可使用光阻劑遮罩及導電層44可隨後在子基板上方濺 射由此形成導電材料的一或更多個區域，諸如導電跡線結構。任何適當的導電材料可用於提供導電層44。
在一些態樣中，導電層44可包含Cu層，該Cu層可(例如)近似50μm厚或更小，例如，導電層44可為近似50μm厚，近似45μm厚，近似40μm厚，近似35μm厚，近似30μm厚，近似25μm厚，近似20μm厚，近似15μm厚，近似10μm厚，或小於10μm厚。如上所述，導電層44不受限於Cu而是可包含任何適當厚度的任何適當的導電材料。在一些態樣中，導電層44可包含任何適當的導電金屬或金屬合金。
如第3A圖及第3B圖圖示的，至少一個縫隙G可安置於相鄰的跡線結構的部分之間；例如，第一及第二相鄰的跡線結構22A及22B之間。在一些態樣中，縫隙G可分別地實體及電性分離第一及第二相鄰的跡線結構22A及22B。縫隙G可使用任何適當技術形成。在一個態樣中，縫隙G可在沉積或塗佈導電層44之後至少部分蝕刻。亦即，第一及第二相鄰的跡線結構22A及22B可初始包含一或更多個金屬材料層組成的導電材料的均勻的區域或層。金屬材料層可隨後至少部分地蝕刻，由此經由提供縫隙G分離第一及第二相鄰的跡線結構22A及22B。在進一步態樣中，縫隙G可包含封裝10的區域，在子基板12上方濺射或電鍍導電層44以提供跡線結構之前該區域使用光阻劑遮罩。
值得注意地，在使用反射聚合材料(諸如焊料遮罩(solder mask；SM))填充縫隙G之前，反射材料可定位、沉 積或以其他方式塗佈在縫隙G的部分內部。一旦塗佈焊料遮罩SM(例如，反射聚合材料)，在一些態樣中，反射材料即可由焊料遮罩至少部分地或全部地覆蓋或至少部分地掩蓋。舉例而言，在一些態樣中，反射層46可分別沉積在暴露的黏著劑及導電層42及44的部分上方，如第3A圖所圖示，以改良來自此等層的光反射率。在一些態樣中，反射層46可在塗佈SM之前直接沉積在子基板12的部分上方，如第3B圖所圖示的。然而，值得注意地，在塗佈焊料遮罩SM之前塗佈在子基板12的部分上方的反射層46可與塗佈在跡線結構上方(例如，導電層42及44上方)的反射層46電性絕緣及/或實體分離。亦即，在一些態樣中及如第3B圖圖示的，子基板12的部分可保持未塗覆，使得縫隙G中的反射層46與導電層42及44上方的反射層46實體分離(及由此電性絕緣)。此可阻止裝置短路。
在一些態樣中，反射層46可包含Ag層，該Ag層可沉積或以其他方式直接形成在暴露的Cu及/或Ti層上方，使得Cu層安置在Ti及Ag層之間。在一些態樣中，反射層46可包含Ag，該Ag經由化學鍍製程(例如，化學鍍之Ag)沉積。在一些態樣中，反射層46可(例如)近似0.1μm至1μm厚，及/或在0.1μm至1μm之間的任何子範圍內，諸如近似0.1μm至0.2μm厚，近似0.2μm至0.5μm厚，近似0.5μm至0.8μm厚及/或近似0.8μm至1μm厚。在一些態樣中，焊料遮罩SM可安置在第一及第二側壁之間的縫隙中及介於側壁上方安置的第一及第二反射層46之間。
在一些態樣中，及如第3A圖圖示的，封裝10的部分可包含沿著一個方向(一般指定為D1)的一三種材料系統。舉例而言，在一些態樣中，封裝10的部分可包含夾層結構，該夾層結構具有指定為I、II及III的區域中的至少三種不同材料。在一些態樣中，沿著方向D1的三種材料系統可包括區域I中的焊料遮罩SM部件、區域II中的諸如Ag的反射部件及區域III中的諸如Cu的導電部件。在一些態樣中，區域I中的焊料遮罩SM材料可直接相鄰區域II中的反射材料或層46。類似地，及在一些態樣中，區域II中的反射材料可為直接相鄰區域III中的導電材料或導電層44。舉例而言，反射層46可塗佈在相鄰單獨的跡線結構22A及22B的最外面及相對側壁的部分上方。在一些態樣中，反射材料或反射層46可安置在焊料遮罩SM的部分及導電材料或導電層44的部分之間。在一些態樣中，反射材料可在塗佈焊料遮罩SM之前塗佈至或沉積在部分縫隙G及/或跡線結構22A及22B的上方。值得注意地，反射層46可反射可進入縫隙G的部分的光，及由此減少或消除縫隙G的部分捕捉及/或吸收的光的量。
在一些態樣中，及如第3B圖圖示的，反射層46可沉積在焊料遮罩SM的部分下方，例如，縫隙G的底面上方。亦即，在一些態樣中，反射層46可安置在子基板12的部分上方，該等部分可安置在相鄰單獨的跡線結構22A及22B的側壁之間。反射層46亦可沉積在跡線結構22A及22B的部分上方。如第3B圖所圖示的，封裝10的部分可包括沿著一個方向(一般指定為D2)的一三種材料系統。舉例而言，在一 些態樣中，封裝10的部分可包括夾層結構，該夾層結構包括指定為I、II及III的區域中的至少三種不同材料。在一些態樣中，沿著方向D2的三種材料系統可包含區域I中的焊料遮罩SM部件、區域II中的諸如Ag的反射部件及區域III中諸如AlN或Al2O3組成的子基板12的陶瓷部件。可提供沿著方向D2安置的任何三種材料夾層結構，包括至少一種陶瓷材料、至少一種焊料遮罩材料及直接安置在該至少一種陶瓷材料及該至少一種焊料遮罩材料之間的至少一種反射材料。反射層46可有利地散射及/或反射可進入縫隙G及/或焊料遮罩SM的部分的光(參見，例如，第6圖)，由此改良每封裝的光提取及亮度。
參閱第3A圖及第3B圖，焊料遮罩SM可(例如)包含白色或銀白色液體可固化焊料遮罩材料。焊料遮罩SM可塗佈在縫隙G的部分內部，由此減少縫隙20所捕捉及/或吸收的光的量。此可進一步改良發光體封裝10的亮度及/或總的光學效能。在一個態樣中，焊料遮罩SM可僅塗佈在縫隙G內部及不塗佈在跡線結構(例如，跡線結構22A及跡線結構22B)部分上方，使得可減少每封裝使用的焊料遮罩材料的量，此可有利地降低了關於發光體封裝10的成本。在一些態樣中，焊料遮罩SM可僅安置在縫隙G內部，使得跡線結構(包括第一及第二跡線結構14及16)包含直接安置在透鏡(例如，透鏡80，第5圖)的部分下方及/或外部的暴露的金屬的區域。此新穎焊料遮罩放置當與暴露金屬跡線結構及安置在暴露金屬跡線結構之間的反射層組合時可改良發光體封 裝10的反射、光發射、亮度及總的效能。部分焊料遮罩SM及/或跡線結構(包括分別的第一及第二跡線結構14及16)及/或複數個跡線結構20的任何一者可選地使用光轉換材料(諸如至少一個熒光體、發光體及/或一個以上熒光體或發光體材料)覆蓋或分層。
一般參閱第3A圖及第3B圖，封裝10及40每一者分別可包括安置在光阻隔結構或表面上方的一個以上反射層。舉例而言，及在一些態樣中，封裝10及40可包含第二反射層覆蓋的第一反射層。亦可提供兩個以上反射層。在一些態樣中，第一反射層可包含金屬塗層或任何其他適當的材料，諸如之前描述的反射層46。在一些態樣中，第一反射層可為鏡面反射的。在一些態樣中，第二反射層可包含白色材料或白色層、銀材料或銀層、反射塑膠材料或層、朗伯塗層、擴散反射塗層或適用於覆蓋第一反射層的任何其他反射塗層。亦即，在一些態樣中，第二反射層可包含適用於覆蓋金屬表面的任何材料(諸如反射層46)。在一些態樣中，第二反射層可包括焊料遮罩SM。
在一些態樣中，第一及第二反射層(例如，諸如反射層46及反射焊料遮罩SM)可安置在非反射光阻隔結構、結構或塗層(例如，諸如導電層42)上方。光阻隔結構可包含任何非反射材料或結構。在一些態樣中，光阻隔結構包含導電材料或導電層42，諸如Cu層，如以前描述的。
在一些態樣中，諸如在第3B圖中，發光體封裝40可包括三個相鄰的反射層。舉例而言，第一反射層可包含沿 著第一側壁(例如，在第一跡線結構96A上方)沉積的Ag。第二反射層可包含沿著第二側壁(例如，第二跡線結構96B上方)沉積的Ag。第三反射層可包括安置在第一及第二反射層之間及直接相鄰第一及第二反射層的焊料遮罩SM層。
在一些態樣中及如進一步關於以下第6圖描述的，發光體晶片發射的一些光可穿過第二反射層(諸如焊料遮罩SM)的一部分及可進一步從下面的第一反射層46反射。一些光可由焊料遮罩SM的部分直接反射。在一些態樣中，光阻隔表面(諸如Cu或導電層42)可由反射層46覆蓋及另一反射塗層可安置在反射層(諸如焊料遮罩SM)上方。可塗佈焊料遮罩SM用於改良光反射。
第4圖圖示封裝10的底視圖。封裝10可包含第一及第二電性接觸50及52，該第一及第二電性接觸50及52適用於分別傳遞電訊號或電流進入第一及第二跡線結構14及16，產生封裝10內部的發光體照明。第一及第二電性接觸50及52可包含金屬化區域用於從外部源(未圖示)(例如，電路、PCB、金屬芯印刷電路板(metal core printed circuit board；MCPCB)、照明系統電路、撓曲電路、散熱片、所述各者的組合及/或適用於傳輸電流的任何其他源)接收電訊號。第一及第二電性接觸50及52可包含至少一個Cu層，及可選Ti層及/或Ag層。至少一個Cu層可包含以下厚度：(例如)範圍為近似25μm至近似100μm，及/或近似25μm至近似100μm之間的任何子範圍，諸如近似25μm至35μm；35μm至45μm；近似45μm至65μm；近似65μm至85μm；及/或近似 85μm至100μm。在一個態樣中，Cu層可包含近似35μm的總平均厚度。使用時，接觸50及52的可選Ti層可安置在子基板12及Cu層之間及可包含以下厚度：範圍為近似0.01μm至1μm，及/或近似0.01μm至1μm之間的任何厚度子範圍，諸如近似0.01μm至0.05μm；0.05μm至0.1μm；及/或0.1μm至1μm。在一個態樣中，Ti層可包含近似0.1μm的厚度或總厚度。
在一些態樣中，第一及第二接觸50及52分別可進一步包含可選Ag層，該層可直接沉積或以其他方式形成在Cu層上方，使得Cu層安置在Ti層及Ag層之間。使用時，Ag層可包含以下厚度：例如，從近似0.1μm至1μm及/或在近似0.1μm至1μm之間的任何子範圍內，諸如近似0.1μm至0.2μm，0.2μm至0.5μm，0.5μm至0.8，及/或0.8μm至1μm。在一些態樣中，第一及第二接觸50及52可包含化學鍍之Cu及化學鍍之Ag。
第一及第二電性接觸50及52可安置在子基板12的表面上方，該表面相對於第一及第二跡線結構14及16及/或複數個跡線結構20放置。舉例而言，第一及第二電性接觸50及52可安置在子基板12的底表面上及第一及第二電性跡線結構14及16可安置在子基板12的頂表面上。導電通孔26可分別電性連接第一及第二電性接觸50及52至第一及第二跡線結構14及16。電流可隨後分別經過第一及第二接觸50及52之間至第一及第二跡線結構14及16，用於發光體的照明(第5圖)，此時電能轉換為光。
當封裝10在外部源(未圖示)上方安裝時，電流或電訊號可經由第一及第二電性接觸50及52從外部源施加。舉例而言，第一及第二電性接觸50及52可電性連通焊料接觸或位於外部源(未圖示)上的其他導電路徑，及分別傳遞電流至第一及第二跡線結構14及16中。外部源可包含能夠傳送或傳遞電流至封裝10內的任何適當的外部源。在圖示的實施例中，發光體封裝10可佈置為使用表面安裝技術安裝。在一些態樣中，第一及第二電性接觸50及52可至少部分地分別對齊第一及第二電性跡線結構14及16。
在一些態樣中及根據第4圖，發光體封裝10可進一步包含安置在子基板12的底部表面上方的熱元件54。熱元件54可可選地分別安置在第一及第二電性接觸50及52之間。在一個態樣中，熱元件54可實質上中心地安置在子基板12上方及一或更多個發光體(例如，LED晶片74，第5圖)下方。熱元件54可包含任何導熱材料及可與發光體至少部分垂直對齊。在一個實施例中，熱元件54可與子基板12的頂表面上的電性跡線結構14及16以及第一及第二接觸50及52電性分離。在一些態樣中，熱元件54可適應於藉由允許熱散播至熱元件54中而消散關於發光體的熱，在熱元件54中熱可更容易地從封裝10中消散。
對於表面安裝技術中使用的封裝或裝置，熱元件54及第一及第二電性接觸50及52的厚度可為近似相同的，使得所有三個部件可接觸側表面，諸如PCB。然而，為了改良焊料的濕潤及確保熱元件54及外部散熱片之間更穩固的接 觸，熱元件54可相較於第一及第二電性接觸50及52延伸遠離封裝10的主體更大的距離。亦即，考慮熱元件54可(但並非必須)比第一及第二電性接觸50及52更厚。
在一些態樣中及如第4圖圖示的，電性及/或熱絕緣材料的區域或部分(諸如焊料遮罩材料56的區域)可提供在熱元件54及第一及第二電性接觸50及52的每一者之間。在一個態樣中，焊料遮罩54可包含綠色及可(例如)近似1μm至25μm厚，及在近似1至25μm的任何子範圍內，諸如近似1μm至5μm，近似5μm至10μm，近似10μm至13μm，近似13μm至15μm，近似15μm至20μm及/或近似20μm至25μm。
在一些態樣中及根據第5圖，發光體封裝(一般指定為60)可進一步包含光學元件。發光體封裝60與封裝10採用類似形式及功能，但是可包括可選光學元件。封裝60中亦圖示發光體，諸如LED晶片74。出於說明目的，三個LED晶片74示意性地圖示為具有縱切側面的矩形，然而，如前所述，可提供發光體的任何尺寸及/或形狀的多個晶片。LED晶片74亦可線結合至跡線結構部分，及亦可提供具有傾斜側面的發光體。
發光體封裝60可包含子基板62。在一些態樣中，子基板62可包含陶基材料，諸如AlN或Al2O3。第一及第二電性跡線結構66及68分別可沉積在子基板62的頂表面64上方。第一及第二跡線結構66及68可周圍地安置在複數個跡線結構70附近。複數個跡線結構70可包含多個單獨的跡 線結構72，該等多個單獨的跡線結構適用於支撐及電性連通多個LED晶片74。複數個縫隙G可在第一跡線結構66及第二跡線結構68之間及複數個跡線結構70內部的單獨的跡線結構72之間安置或提供。值得注意地，在一些態樣中，反射材料可在於縫隙G內部塗佈焊料遮罩材料之前塗佈在部分跡線結構(例如，相鄰縫隙G之間的側壁及/或相鄰縫隙G)上方及/或縫隙G的底部上方。反射材料可增加從縫隙區域反射的光的量及改良光學性質，諸如每封裝60的亮度及光提取。
在一些態樣中，第一及第二電性跡線結構66及68可包含陽極及陰極對，該陽極及陰極對配置為傳遞電流或訊號至LED晶片74內。舉例而言，電流可經由子基板62及/或在子基板62內部從外部電功率源(未圖示)傳導至一或更多個底部電性接觸(例如，50、52，第4圖)中及由導電「貫通孔」或「通孔」(一般指定為76)傳導至各自跡線結構66及68中。在一些態樣中，通孔76可提供用於發光體封裝60內部的電流的導管。電流可隨後流動或經過第一及第二跡線結構66及68之間及進入LED晶片74，由此產生複數個LED晶片74的照明。電流可隨後經由至少一個底部電性接觸離開光發射體封裝。在一個態樣中，第一電性跡線結構66可包含安置在至少一個連接點78上方的陽極(如「+」形狀指示符號或記號表示的)。在一些態樣中，第二電性跡線結構68可包含陰極。
子基板62及/或發光體封裝60的尺寸可取決於(例如)LED晶片74的尺寸及/或數量變化。出於說明目的，圖 示三個LED晶片74，然而，本文亦考慮四個或更多個LED晶片74、複數個LED晶片74及/或一陣列LED晶片74。在一些態樣中，每封裝可提供五個以上LED晶片74，在其他態樣中，每封裝可提供20個以上LED晶片74，在其他態樣中，每封裝可提供30個以上LED晶片74，在其他態樣中，每封裝可提供40個以上LED晶片74，在其他態樣中，可提供50個以上LED晶片74。在一些態樣中，封裝60可包含96個LED晶片74。LED晶片74可包含相同及/或不同顏色及/或目標波長範圍，包括(例如)配置為發射紅光、藍光、青藍色光、綠光、琥珀色光、紅橙色光、黃光、白光及/或以上各者的組合。舉例而言，當使用多個LED晶片74時，LED晶片74可包含類似的及/或不同目標波長範圍，包括紅光、藍光、青藍色光、綠光、琥珀色光、紅橙色光及/或以上各者的組合。
LED晶片74可包含任何適當的大小、尺寸及/或形狀。舉例而言，本文考慮具有縱切及/或斜切側面的正方形及/或矩形LED晶片74。在一個態樣中，LED晶片74可包含具有近似0.1mm(例如，100μm)或以上的長度及/或寬度的晶片，例如，LED晶片74可包含0.1mm至0.5mm的長度及/或寬度；近似0.5mm至0.75mm；近似0.75mm至0.85mm；近似0.85mm至0.95mm；或近似1mm或以上。本文考慮LED晶片74的任何尺寸及/或形狀。
在一些態樣中，子基板62可包含介於近似0.25毫米(mm)及1.25毫米(mm)的厚度，如子基板62的最高及最低表面之間量測的。舉例而言，子基板62可包含以下厚度：近 似0.25mm至0.5mm；近似0.5mm；近似0.5mm至0.75mm；及/或近似0.75mm至1.25mm。子基板62可包含任何適當的形狀，例如，正方形、矩形、圓形、非圓形、規則、不規則及/或非對稱形狀。在一個態樣中，子基板62可包含實質上正方形形狀，具有近似2mm或以上的長度及寬度。舉例而言及非限制，子基板62可包含實質上正方形形狀，該正方形形狀分別具有以下長度及寬度大小：近似3.0mm×3.0mm(例如，近似9mm2的面積)；近似3.45mm×3.45mm(例如，近似11.9mm2的面積)；近似4.0mm×4.0mm(例如，近似16mm2的面積)；近似5mm×5mm(例如，近似25mm2的面積)；近似6mm×6mm(例如，近似36mm2的面積)；近似7×7mm(例如，近似49mm2的面積)；近似8×8mm(例如，近似64mm2的面積)；近似9×9mm(例如，近似81mm2的面積)；近似9.1×9.1mm(例如，近似82.8mm2的面積)；及/或近似10mm×10mm(例如，近似100mm2的面積)；及/或近似10mm×10mm以上的長度及/或寬度。在一個態樣中，可使用包含等於及/或大於近似45mm2的面積的子基板62。
在如第5圖圖示的一些態樣中，發光體封裝60可進一步包含光學元件。光學元件可包含任何組件或材料，該組件或材料配置為產生所欲形狀的光輸出及/或所欲方向之位置光，及可包含密封劑層及/或透鏡80。透鏡80可包含保護層82及實質上凹的或凸的透鏡部分84。在一些態樣中，透鏡部分84可包含實質上半球形部分，該半球形部分具有實質上圓形透鏡底座86，然而，可提供任何形狀的透鏡部分84及/或 透鏡底座86。
保護層82可從透鏡80的部分延伸，例如，從透鏡底座86的部分向外，及可配置為在子基板62上方延伸及直至子基板62的最外面的邊緣。透鏡80的至少一部分可分別安置在第一及第二跡線結構66及68的部分及複數個跡線結構70上方，該等複數個跡線結構70的每一者可包含暴露的金屬區域。光學元件或透鏡80可形成在子基板64的頂表面上及可中心地安置或中心地對齊在複數個跡線結構70的中心及/或子基板62的中心上方，使得頂點或最大高度區域對齊複數個跡線結構70的中心上方及/或子基板62的中心上方。在其他態樣中，透鏡80可關於複數個跡線結構70的中心及/或子基板62的中心非中心地(例如，偏心)安置。透鏡80可提供封裝部件(諸如LED晶片74)、線結合(未圖示)及/或暴露金屬跡線結構(諸如第一及第二跡線結構66及68及複數個跡線結構70)的環境及/或機械保護兩者。
在一些態樣中，透鏡80可包含任何材料，諸如環氧樹脂、塑膠、玻璃及/或矽氧樹脂材料及可使用任何方法提供，諸如密封或模塑成型。透鏡80可(例如)包含模塑成型透鏡及可取決於所欲的光輸出形狀包含任何適當的形狀。如所圖示的一個適當的形狀為半球形的，其中透鏡80包含實質上圓形透鏡底座86。本文亦考慮具有非半球形或圓形橫截面及/或底座形狀的透鏡，諸如橢圓體子彈形狀透鏡、平坦透鏡、六角形透鏡及/或透鏡底座及/或正方形透鏡及/或透鏡底座。在一個態樣中，透鏡80可包含適合於模塑成型的矽氧樹脂材 料，及可提供適當的光透射性質。該材料亦可耐受隨後的回流製程及不顯著隨時間降解。理解到，透鏡80亦可為至少部分地紋理化以改良光提取及/或可塗覆有或包含光轉換、光散射及/或反射材料，諸如熒光體或光散射顆粒。
在一些態樣中，及如上所述，保護層82可實質上覆蓋子基板62的頂表面及在透鏡底座86的邊緣及子基板62的一或更多個邊緣之間延伸。保護層82可為發光體封裝60(諸如LED晶片74)的部件、暴露的金屬跡線結構、安置在縫隙G中的焊料遮罩及/或線結合提供額外保護。保護層82可進一步減少損害及/或污染，諸如後續處理步驟及使用期間的油脂或殘餘物。舉例而言，保護層82可保護跡線結構及/或光轉換材料免於處理期間剝落及/或脫離。保護層82可在透鏡80的形成期間形成及可包含與透鏡80相同及/或不同的材料。然而，理解到，亦可提供不具有保護層82的封裝60。理解到，發光體封裝60的透鏡佈置可容易地適用於最終使用者與第二透鏡或光學裝置一起使用，該等透鏡或光學裝置可包括在透鏡80上方，以促進波束成形。該等第二透鏡為所屬技術領域中一般已知的，其中許多第二透鏡為可購買的。
在一些態樣中，光轉換材料(未圖示)可提供在部分透鏡80、跡線結構及/或LED晶片74上方以從封裝60產生所欲顏色光輸出。光轉換材料可包含經由任何適當技術塗佈的一或更多個接合劑、熒光體、發光體或包含熒光體或發光體的材料及/或接合劑。在一個態樣中，光轉換材料可吸收從多個LED晶片74的任意一者發出的至少一些光及可轉而發 出具有不同波長的光，使得發光體封裝60發射來自一或更多個LED晶片74及熒光體的光組合。在一個態樣中，發光體封裝60可發出視為近似2700K至7000K的白光的光，諸如大約6000K的冷白(cool white；CW)光或大約3000K的暖白(warm white；WW)光。在一個態樣中，選擇使用的一或更多個LED晶片74可包含以下波長：該等波長在(例如)與熒光體或包含熒光體的材料發出的光混合之後以CW或WW光作為目標。可取決於應用及所欲的光發射選擇任何適當的波長範圍及/或熒光體組合。熒光體可適應於在吸收一或更多個LED晶片74發射的光之後發射黃光、綠光、紅光及/或以上各者的組合。
在一些態樣中，一或更多個靜電放電(electrostatic discharge；ESD)保護裝置(未圖示)可選地提供在封裝60內部及可電性連接至第一及第二跡線結構66及68及關於LED晶片74反向偏壓。使用時，ESD裝置可保護LED晶片74免於關於封裝60內部ESD的損害。舉例而言，LED晶片74及一或更多個ESD裝置的佈置可允許過量電壓及/或電流從ESD情況穿過封裝60進入及/或穿過一或更多個ESD裝置而不是LED晶片74，由此保護LED晶片74免於損害。ESD裝置可包含任何適當的裝置，例如，(垂直或水平結構的)矽(Si)齊納二極體、佈置為反向偏壓至LED晶片74的不同大小及/或較小LED晶片、表面安裝可變電阻器及/或橫向Si二極體。
在一些態樣中，如第6圖示意性地圖示的，全反射及光提取能力可由發光體封裝(一般指定為90)改良，因為 進入安置在相鄰的跡線結構之間的縫隙G的光可從該縫隙G反射回來。舉例而言，發光體封裝90可包含子基板92，在該子基板92上方可沉積第一跡線結構96A及第二跡線結構96B。第一及第二跡線結構96A及96B可包含反射層102、導電層100及可選的黏附層98。在一些態樣中，反射層102可包含任何反射材料，諸如Ag。在一些態樣中，導電層100可包括任何導電材料，諸如Cu。在一些態樣中，黏附層100可包括適用於改良跡線結構及子基板92之間的黏附的任何材料，包括Ti。在第3A圖及第3B圖中圖示及描述此類層的厚度。在一些態樣中，反射層102亦可安置在縫隙G的底面上方(例如，第3B圖)。
子基板92可包含陶瓷材料或陶基子基板，該陶瓷材料或陶基子基板可能期望用於本文描述的發光體封裝中以改良熱管理性質。此外，陶基子基板92可包含光散射區域94，該等光散射區域94適用於內部反射或散射接收自發光體晶片(74，第5圖)的光。光可因此進入一部分子基板92中，及可從散射區域94散射及/或反射及從子基板92發射回來。在部分導電層100上方提供反射層102可允許散射光從部分縫隙G反射而不是由縫隙G阻隔、捕捉或吸收。舉例而言，可包含Cu的導電層100可為暗的及/或不良反射器。同樣地，在部分導電層100上方提供反射層102可增加來自縫隙G的光反射，因為進入部分反射聚合材料(例如，焊料遮罩SM)及縫隙G的光可從反射聚合材料及縫隙G反射。值得注意地，反射層102可在塗佈焊料遮罩SM之前塗佈至跡線結構 側壁及/或縫隙G的底面(例如，第3B圖)。
光散射區域94可包含諸如光散射顆粒(例如，Al2O3、TiO2、BaSO4及/或AlN的顆粒)的光學材料的一或更多個區域、包含安置在陶瓷填充物材料之間的顆粒界限的區域、包含多孔性的區域及/或可反射及/或散射光的任何其他適當的區域。子基板92因此可接收至少一個LED晶片(74，第5圖)發射的光及再發射來自子基板92的表面的光，如箭頭所指示沿著路徑1及2發射。沒有在縫隙G內部捕捉及/或由暗導電材料吸收，光可繼續沿著路徑1及2及從部分反射層102反射及離開縫隙G。此可有利地改良封裝90的亮度及光提取。出於說明目的，內部散射或反射區域94經示意性地圖示及為可見的，然而，此類區域對於肉眼可能看不見及可包含子基板92內部的透明區域。
第7A圖及第7B圖為流程圖，該流程圖圖示(舉例而非限制步驟或步驟的順序)方法，該等方法可用於提供根據本案的發光體封裝。值得注意地，本文描述的方法可包含塗佈及/或處理與縫隙相鄰的部分子基板及/或部分跡線結構成為反射的，例如，藉由在如之前描述的在縫隙內部塗佈焊料遮罩材料之前在此類表面上方沉積反射層。
參閱第7A圖及在一些態樣中，反射材料或反射層可在製程(一般指定為110)中沉積或塗佈，該製程包括在一個以上表面上方的一個以上步驟。舉例而言，及初始時，陶瓷基板或子基板可提供用於發光體封裝中。根據步驟112，陶瓷基板或子基板可電鍍有導電材料，諸如暴露的金屬導電Cu 跡線結構。Cu跡線結構可包含側壁及安置在側壁之間的上表面。根據步驟114，反射材料或層(諸如化學鍍之Ag)可沉積在Cu跡線結構表面的暴露部分上方，諸如在側壁上方。在一些態樣中，導電跡線結構的側壁可初始地以化學鍍之Ag沉積。根據步驟116，焊料遮罩可隨後添加在基板上方及/或直接相鄰及在部分化學鍍之Ag塗覆的Cu跡線結構側壁上方。在一些態樣中，可添加及塗佈焊料遮罩至縫隙及化學鍍之Ag塗覆的Cu可包含電性跡線結構的側壁。在一些態樣中，焊料遮罩可使用任何適當的製程塗佈，包括使用幹膜技術或分配製程。
根據步驟118，可處理(例如，用於晶粒附接的拋光、研磨等等)Cu跡線結構的另一表面。在一些態樣中，Cu跡線結構的另一個表面可包含上表面，該上表面實質上正交Cu跡線結構側壁。亦即，在添加焊料遮罩之後待處理的Cu的另一個表面可包括部分跡線結構，LED晶片將晶粒附接及/或線結合至該部分跡線結構。根據步驟120，化學鍍之Ag反射材料層可塗佈至暴露的及處理的Cu表面。因此，根據第7A圖，反射層可在一個以上步驟中沉積。在一些態樣中，反射層可在塗佈焊料遮罩材料之前塗佈至跡線結構的側壁。跡線結構的上表面可隨後經處理及電鍍有反射材料，諸如化學鍍之Ag。
參閱第7B圖及在一些態樣中，根據製程(一般指定為130)可沉積或塗佈反射材料或反射層，其中在塗佈焊料遮罩之前，反射材料可在單個步驟中塗佈在Cu跡線結構的一個 以上表面上方。舉例而言，及初始時，陶瓷基板或子基板可提供用於發光體封裝中。根據步驟132，陶瓷基板可電鍍有Cu跡線結構。根據步驟134，Cu跡線結構的表面可經處理用於晶粒附接，諸如拋光及/或研磨Cu跡線結構的表面。根據步驟136，包括化學鍍之Ag的反射材料可沉積在暴露的Cu表面上方。根據步驟138，焊料遮罩可添加在部分電鍍Cu表面上方。焊料遮罩可包含經由幹膜塗佈技術或分配的受控焊料遮罩添加。
如上所述，新穎的電鍍、焊料遮罩放置及/或其他特徵或部件可單獨及/或組合使用以在較低成本下提供具有改良的光學效能的封裝及系統。舉例而言，關於跡線結構之間的縫隙的以反射材料電鍍的側壁可改良子基板的反射率及可改良光提取，不需要使用更多LED晶片及/或更多額功率。如本文揭示的實施例可提供以下有益的技術效應中的一或更多者：改良的封裝亮度；改良的每封裝光提取；改良的封裝反射；降低的發光體封裝或產品成本；減少的發光體晶片的尺寸或數量；改良的封裝熱消散(及伴隨的操作壽命改良)；及/或改良的發光體封裝的可製造性。
儘管已經關於特定態樣、特徵及/或說明性實施例描述本文標的，然而將理解，描述的標的的效用不因此受限，而是延伸及包含許多其他改變、修改及替代的實施例，如基於本案浮現在熟習本發明所屬技術領域者腦海中的。考慮本文描述的結構及特徵的各種組合及子組合及該等組合及子組合對瞭解本案的熟習此項技術者將為顯而易見的。如本文揭 示的各種特徵及元件中的任一者可與一或更多個其他揭示的特徵及元件組合，除非本文有相反指示。對應地，如以下主張的標的旨在廣泛地分析及解釋，如包括標的範圍內的所有此類改變、修改及替代實施例及包括申請專利範圍的等效物。
2‧‧‧路徑
3A‧‧‧線
3B‧‧‧線
10‧‧‧發光體封裝
12‧‧‧基板/子基板
14‧‧‧跡線結構
16‧‧‧跡線結構
20‧‧‧跡線結構
22‧‧‧跡線結構
24‧‧‧連接點
26‧‧‧貫通孔/通孔
G‧‧‧縫隙

Claims (58)

  1. 一種發光體封裝，該發光體封裝包含：一基板，用於至少一個發光體晶片；至少一個反射層，安置在該基板上方；及一反射聚合材料，安置在該反射層上方。
  2. 如請求項1所述之發光體封裝，其中該至少一個反射層直接安置在一導電層上方。
  3. 如請求項1所述之發光體封裝，其中該反射聚合材料安置在介於一第一反射層及一第二反射層之間的一縫隙中。
  4. 如請求項1所述之發光體封裝，其中該反射層安置在一導電層的一側壁上方。
  5. 如請求項1所述之發光體封裝，其中該反射聚合材料為白色的。
  6. 如請求項1所述之發光體封裝，其中該基板包含一陶基材料。
  7. 如請求項6所述之發光體封裝，其中該基板包含氮化鋁(AlN)。
  8. 如請求項6所述之發光體封裝，其中該基板包含氧化鋁(Al2O3)。
  9. 如請求項1所述之發光體封裝，其中該反射層包含一銀(Ag)層。
  10. 如請求項9所述之發光體封裝，其中該Ag為化學鍍的。
  11. 如請求項9所述之發光體封裝，其中該Ag在近似0.2μm及0.5μm之間。
  12. 如請求項1所述之發光體封裝，其中該導電層包含銅(Cu)。
  13. 如請求項12所述之發光體封裝，其中該Cu為電鍍的。
  14. 如請求項12所述之發光體封裝，其中該Cu之厚度在近似20及70μm之間。
  15. 如請求項1所述之發光體封裝，該發光體封裝包含至少一個發光二極體(LED)晶片。
  16. 如請求項1所述之發光體封裝，該發光體封裝包含多個發光二極體(LED)晶片。
  17. 如請求項1所述之發光體封裝，其中該反射聚合材料、該反射材料及該基板彼此相鄰安置在該發光體封裝的一部分內部，及其中該基板包含一陶基材料。
  18. 一種發光體封裝，該發光體封裝包含：一第一跡線結構；一第二跡線結構；一縫隙，安置在該第一及第二跡線結構之間；及至少一個發光體晶片，該至少一個發光體晶片適用於與該第一及第二跡線結構的部分電性連接；其中該第一及第二跡線結構的第一及第二側壁分別跨過該縫隙彼此相對，及其中該第一及第二側壁塗覆有一反射材料。
  19. 如請求項18所述之發光體封裝，其中一反射聚合材料安置在該縫隙內部相鄰該第一及第二側壁。
  20. 如請求項18所述之發光體封裝，該發光體封裝進一步包含五個以上發光體晶片。
  21. 如請求項18所述之發光體封裝，該發光體封裝進一步包含20個以上發光體晶片。
  22. 如請求項18所述之發光體封裝，該發光體封裝進一步包含96個發光體晶片。
  23. 如請求項18所述之發光體封裝，該發光體封裝進一步包含複數個跡線結構，該等複數個跡線結構中心地安置在該第一及第二跡線結構之間。
  24. 如請求項23所述之發光體封裝，該發光體封裝進一步包含在該等複數個跡線結構的單獨的跡線結構之間提供的複數個縫隙。
  25. 如請求項24所述之發光體封裝，其中該等複數個縫隙中的每一縫隙安置在該等複數個跡線結構的相鄰跡線結構的相鄰側壁之間。
  26. 如請求項25所述之發光體封裝，其中該等相鄰側壁中的每一者包含一銅層及一最外部銀層。
  27. 如請求項23所述之發光體封裝，其中一反射聚合材料提供在該等複數個縫隙的每一縫隙的一部分內部。
  28. 如請求項18所述之發光體封裝，該發光體封裝進一步包含一光學元件。
  29. 一種生產一發光體封裝的方法，該方法包含以下步驟：提供一基板；在該基板上方提供一反射層；在該反射層上方提供一反射聚合材料。
  30. 如請求項29所述之方法，其中提供該至少一個反射層的步驟包含以下步驟：在一導電層上方直接電鍍該反射層。
  31. 如請求項29所述之方法，其中提供該反射聚合材料的步驟包含以下步驟：在一第一反射層及一第二反射層之間的一縫隙中塗佈該反射聚合材料。
  32. 如請求項29所述之方法，其中提供該反射層的步驟包含以下步驟：在一縫隙的一底面的一部分上方電鍍該反射層。
  33. 如請求項29所述之方法，其中提供該反射層的步驟包含以下步驟：電鍍一導電層的一側壁。
  34. 如請求項29所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：在該基板上方提供一或更多個發光體晶片。
  35. 如請求項29所述之方法，其中提供該基板的步驟包含以下步驟：提供一氮化鋁(AlN)或(Al2O3)基板。
  36. 如請求項29所述之方法，其中提供該反射層的步驟包含以下步驟：在第一及第二相對導電跡線結構的第一及第二相對側壁的上方直接提供一第一反射層及其中提供該反射聚合材料的步驟包含以下步驟：以該反射聚合材料填充該第一及第二相對側壁之間安置的一縫隙。
  37. 如請求項36所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：拋光及研磨該第一及第二導電跡線結構的上表面。
  38. 如請求項37所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：在該第一及第二導電跡線結構的該等拋光及研磨上表面上方提供一第二反射層。
  39. 一種發光體封裝，該發光體封裝包含：一基板，用於至少一個發光體晶片；一第一反射層，安置在該基板上方；及一第二反射層，安置在該第一反射層上方。
  40. 如請求項39所述之發光體封裝，其中該第一反射層直接安置在一光阻隔表面上方。
  41. 如請求項40所述之發光體封裝，其中該光阻隔表面包含一導電材料層。
  42. 如請求項41所述之發光體封裝，其中該導電材料層包含銅(Cu)。
  43. 如請求項39所述之發光體封裝，其中該第一反射層包含一金屬塗層。
  44. 如請求項43所述之發光體封裝，其中該金屬塗層包含銀(Ag)。
  45. 如請求項39所述之發光體封裝，其中該第二反射層為白色。
  46. 如請求項39所述之發光體封裝，其中該第二反射層包含塑膠。
  47. 如請求項39所述之發光體封裝，其中該第二反射層包含一朗伯塗層。
  48. 如請求項39所述之發光體封裝，其中該第一反射層為鏡面反射的及其中該第二反射層為擴散反射的。
  49. 如請求項39所述之發光體封裝，其中該第一反射層安置在一導電層的一側壁上方。
  50. 如請求項39所述之發光體封裝，其中該基板包含一陶基材料。
  51. 如請求項50所述之發光體封裝，其中該基板包含氮化鋁(AlN)。
  52. 如請求項50所述之發光體封裝，其中該基板包含氧化鋁(Al2O3)。
  53. 一種生產一發光體封裝的方法，該方法包含以下步驟：提供一基板；在該基板上方提供一第一反射層；及在該第一反射層上方提供一第二反射層。
  54. 如請求項53所述之方法，其中提供該第一反射層的步驟包含以下步驟：在一導電材料層上方直接電鍍該反射層。
  55. 如請求項53所述之方法，其中提供該第二反射層的步驟包含以下步驟：在該第一反射層上方提供一反射聚合材料。
  56. 如請求項53所述之方法，其中提供該第一反射層的步驟包含以下步驟：提供一金屬鏡面反射層。
  57. 如請求項53所述之方法，其中提供該第一反射層的步驟包含以下步驟：電鍍一導電材料的一側壁。
  58. 如請求項53所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：在該基板上方提供一或更多個發光體晶片。
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