TW201412486A - 模具製作用毛坯（ｂｌａｎｋ）及模具的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種一面可擔保由鉻系材料所成之硬遮罩膜之硬遮罩功能，一面可藉由提高該硬遮罩膜之乾蝕刻速度而提高蝕刻加工性之新穎技術。設於基板(1)上之硬遮罩膜(2)係以含錫之鉻系材料成膜而成。構成硬遮罩膜(2)之含錫之鉻系材料對於氟系乾蝕刻條件之蝕刻抗性為與不含錫之鉻系材料膜之蝕刻抗性相同乃至其以上，另一方面在氯系乾蝕刻條件下，顯示比不含錫之鉻系材料顯著較高之蝕刻速度。其結果，可縮短氟系乾蝕刻之時間且得以減輕對於抗蝕圖型之損傷，可以高精度進行圖型轉印。

Description

模具製作用毛坯(blank)及模具的製造方法
本發明係關於用於製作於奈米壓印技術領域中可使用之模具之毛坯及利用該毛坯之模具製造方法。
奈米壓印技術作為不需要使用昂貴曝光裝置之微影方法受到期待，且作為半導體積體電路製造用之微細加工、或用以製作次世代光碟之新的微細加工方法受到矚目。
利用奈米壓印之微細圖型之形成有在被加工基板上，以熱使可塑化之樹脂抵壓成為3次元圖型之模框的模具而成形後，經冷卻獲得3次元樹脂圖型之方法，及將光硬化樹脂溶液塗佈於被加工基板上，以抵壓模具之狀態照射光，進行光硬化而獲得3次元樹脂圖型之方法。任一方法中，作為原版之模具的加工精度均重要，與光微影中光罩所要求之加工精度之情況相同。
用於製作模具之基板係使用石英基板，或成膜有氧化矽膜之矽基板、矽基板、碳化矽基板等，尤其石 英基板對光壓印或熱壓印均有用。
另一方面，作為將石英基板加工成高精度之技術，在光微影技術中，早已使用於製作力文森型遮罩(Levenson type mask)時，進行該遮罩之製作時，係以作為遮光膜使用之對氟系乾蝕刻具有高的蝕刻耐性之鉻系膜作為硬遮罩膜，藉由氟系乾蝕刻進行石英基板之加工。
該加工技術大致上可直接使用於模具之製造方法中，例如特開2011-207163號公報(專利文獻1)中提案具有在光罩中作為遮光膜材料使用之鉻氧化氮化碳化物膜作為硬遮罩膜之模具製作用基板。且，亦提案具有於表面側具備鉻材料層，於基板側具備鉭材料層之硬遮罩膜之模具製作用基板(特開2009-206338號公報：專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2011-207163號公報
[專利文獻2]特開2009-206338號公報
[專利文獻3]特開2007-241060號公報
[專利文獻4]特開2007-33470號公報
伴隨著半導體積體電路或光學裝置之圖型尺 寸微細化，而要求模具製作時之圖型尺寸更微細化。此種微細化要求微影時之阻劑膜之薄膜化。此係因為阻劑膜相對於圖型線寬太厚時，阻劑圖型之形狀無法成為適當者，而引起發生剝離之問題。
因此，為了製作形成微細圖型之模具，而要求相較於以往更能以薄膜之阻劑進行圖型加工之模具用毛坯。
如專利文獻1或2所揭示，對於基板加工用之硬遮罩膜要求在用於加工基板之蝕刻條件下具有高的蝕刻耐性。至於該種材料已知有鉻系材料，可使用作為用以將可藉氟系乾蝕刻加工之石英等之基板進行高精度加工之硬遮罩材料。
然而，對鉻系材料膜進行圖型化時，成為蝕刻遮罩之光阻膜對氯系乾蝕刻之蝕刻耐性不足，亦已知在氯系乾蝕刻中會發生偏移而成為問題(參照例如專利文獻3)。因此，要求使鉻系材料膜更容易圖型化之技術。
且，特開2007-33470號公報(專利文獻4)中揭示藉由降低鉻系材料膜中之鉻含量，而提高氯系乾蝕刻中之蝕刻速度之方法。然而，降低鉻系材料膜中之鉻含量時，會有對於氟系乾蝕刻之蝕刻耐性下降之傾向。
本發明係鑑於上述問題而完成者，其目的係提供一種一面可擔保由鉻系材料所成之硬遮罩膜之硬遮罩功能，一面可藉由提高該硬遮罩膜之乾蝕刻速度而提高蝕刻加工性之新穎技術。
為解決上述課題，本發明之模具製作用毛坯係在可進行氟系乾蝕刻之基板上具備由含錫之鉻系材料所成之硬遮罩膜。
較好為前述含錫之鉻系材料之錫含量相對於鉻之含量以原子比計為0.01倍以上2倍以下。
另外，較好為前述含錫之鉻系材料為錫-鉻金屬、錫-鉻氧化物、錫-鉻氮化物、錫-鉻碳化物、錫-鉻氧化氮化物、錫-鉻氧化碳化物、錫-鉻氮化碳化物、錫-鉻氧化氮化碳化物之任一種。
例如，前述可藉氟系乾蝕刻之基板為矽系材料之基板。
較好為前述可藉氟系乾蝕刻之基板為石英基板。
本發明之模具之製造方法為使用上述之毛坯之模具製造方法，其具備下列步驟：以氯系乾蝕刻對前述由含錫之鉻系材料所成之硬遮罩膜進行蝕刻加工，形成硬遮罩圖型之步驟；以前述硬遮罩圖型作為遮罩，以氟系乾蝕刻對前述基板進行蝕刻加工之步驟。
本發明中，硬遮罩膜係由含錫之鉻系材料所成之膜。此鉻系材料膜為對於氟系乾蝕刻顯示高的耐性， 另一方面於氯系乾蝕刻則可獲得高蝕刻速度。
因此，即使使阻劑薄膜化，亦可容易且高精度地進行朝硬遮罩膜之圖型轉印。再者，以氟系乾蝕刻加工基板時亦可獲得充分之遮罩效果。結果，成為容易製造具有高精度圖型之奈米壓印用模具者。
1‧‧‧石英基板
2‧‧‧硬遮罩膜
3‧‧‧阻劑膜
4‧‧‧阻劑圖型
11‧‧‧腔室
12‧‧‧對向電極
13‧‧‧ICP產生用高頻發射器
14‧‧‧天線線圈
15‧‧‧試料
16‧‧‧平面電極
17‧‧‧RIE用高頻發射器
18‧‧‧排氣口
19‧‧‧氣體導入口
圖1係顯示本發明之模具製作用毛坯之構成之一樣態之剖面圖。
圖2係顯示模具製造製程之一樣態之圖。
圖3係用於說明乾蝕刻所用之裝置之構成概略之圖。
以下，參照圖式，針對實施本發明之形態加以說明。
本發明之模具製作用毛坯係在可藉氟系乾蝕刻之基板上具備由含錫之鉻系材料所成之硬遮罩膜。又，此種硬遮罩膜並不限於全體由含錫之鉻系材料所成之樣態。亦可為將硬遮罩膜設為多層構造，其中至少一層為由含錫之鉻系材料所成之樣態。後者之樣態，為上述由含錫之鉻系材料所成之層視為1種硬遮罩膜，及由不含錫之鉻系材料所成之層視為另一硬遮罩之觀念。本發明之範圍亦包含此種樣態者。
因此首先，針對含錫之鉻系材料進行說明。
鉻系材料由於具有比較良好的化學安定性，故已廣泛使用作為光學膜用材料，尤其是遮光膜材料。鉻系材料由於對氟系蝕刻氣體之耐性高，故亦可安心地使用作為藉由氟系之乾蝕刻使矽系材料圖型化時之蝕刻遮罩。
藉由圖型化使鉻系材料膜成膜時，一般使用不含金屬雜質之高純度鉻靶材。此係由於經驗上已知在經濺鍍成膜之鉻系材料膜中混入金屬雜質時，會降低鉻系材料膜之蝕刻速度等之故。
本發明人等針對一面可擔保由鉻系材料所成之膜之設計自由度一面可提高該膜之乾蝕刻速度之新穎方法重複各種檢討之結果，獲得在鉻系材料膜中含錫時，可提高進行氯系乾蝕刻時之蝕刻速度之見解，因而完成本發明。
亦即，過去，為了不使鉻系材料膜之蝕刻速度下降，而使用高純度鉻靶材以不混入金屬雜質之方式成膜，相對於此，本發明人等係基於上述新穎見解，而刻意於鉻系材料膜中添加錫進行成膜。
依據本發明人等之檢討，鉻系材料膜中之錫含量(濃度)相對於鉻之含量以原子比計，較好為0.01倍以上，更好為0.1倍以上，又更好為0.3倍以上。
錫之含量相對於鉻以原子比計為0.01倍以上之鉻系材料膜在一般含氧之氯系乾蝕刻條件下，蝕刻速度顯著地提高。該效果因提高錫之含量而增大。又，錫含量 之上限雖無特別限制，但錫含量過量時，會有難以獲得顯示與不含錫之鉻系材料約相等之諸特性之膜的可能性。因此，錫含量相對於鉻，以原子比計較好為2倍以下，更好為1.5倍以下。
本發明之由構成硬遮罩膜之鉻系材料所成之層並不需要全部含有上述濃度之錫。然而，實用上，由構成硬遮罩之鉻系材料所成之層之全部層厚度中之50%以上之層較好含有上述濃度之錫。該值更好為75%以上。當然，亦可為由鉻系材料所成之硬遮罩膜全體係以上述濃度含錫之樣態。
含錫之鉻系材料層中，錫相對於鉻之含有比可為固定，或者，亦可依據層而改變錫對鉻之含有比。且，構成硬遮罩膜之各層中所含之錫於各層中並無必要均勻分布，亦可帶有在層之厚度方向(深度方向)具有濃度變化之分布。
例如，若係上層為不含錫，或者錫之含有比低的層，下層為錫之含有比高之層，則可對於上層(表面側)之蝕刻速度僅提高下層(基板側)之蝕刻速度，可設定短的過度蝕刻時間。另一方面，使基板側之錫含有比降低而設計時，可使藉由乾蝕刻時監測鉻進行終端檢測更容易。
上述含錫之鉻系材料，除了錫-鉻金屬外，可例示為錫-鉻氧化物、錫-鉻氮化物、錫-鉻碳化物、錫-鉻氧化氮化物、錫-鉻氧化碳化物、錫-鉻氮化碳化物、錫-鉻 氧化氮化碳化物等鉻化合物。該等中，最好為錫-鉻氮化物、錫-鉻氧化氮化物、錫-鉻氧化氮化碳化物。
且，硬遮罩膜之一部分為由不含錫之鉻系材料所成之構成時，該鉻系材料，除鉻金屬以外，可例示為鉻氧化物、鉻氮化物、鉻碳化物、鉻氧化氮化物、鉻氧化碳化物、鉻氮化碳化物、鉻氧化氮化碳化物等鉻化合物。該等中，以鉻氮化物、鉻氧化氮化物、鉻氧化氮化碳化物最佳。
本發明之含錫之鉻系材料層可基於一般用於使鉻系材料層成膜之習知方法(參照例如專利文獻1~4)進行，但若依據DC濺鍍或RF濺鍍等濺鍍法則可容易地獲得均質性優異之膜。
使本發明之含錫鉻系材料層進行濺鍍成膜時，可使用添加錫之鉻靶材(添加錫之鉻靶材)，亦可各別設置鉻靶材與錫靶材進行共濺鍍(同時濺鍍)。且，亦可在單一靶材中使用具有鉻區域與錫區域之複合靶材。再者，亦可使用複合靶材與鉻靶材進行共濺鍍。
鉻靶材中添加錫時，除了以金屬錫添加以外，亦可以錫氧化物、錫氮化物、ITO等錫化合物添加。
另外，使用含錫之靶材與不含錫之靶材進行共濺鍍時，不僅可藉由控制各靶材之濺鍍面積比，亦可藉由控制施加於各靶材之電力而調整無機材料膜中之錫濃度。
尤其，改變含錫之鉻系材料層間之鉻與錫之 比時，或緩慢改變一層中之鉻與錫之比時，可使用含錫之靶材與不含錫之靶材之組合，或者錫含量不同之靶材之組合進行共濺鍍，且藉由改變靶材間之施加電力比，可容易地形成期望之錫含有比例不同之層。
使本發明之硬遮罩膜成膜時之濺鍍氣體係依據膜組成適當選擇。膜中添加輕元素時，於使用利用濺鍍氣體之反應性濺鍍，添加選自氧、氮、碳之1種以上元素進行調整方面係與使習知之鉻系材料層成膜之情況相同。
例如，使不含輕元素之含錫鉻系材料膜成膜時，只要僅使用氬氣即可。使含有輕元素之含錫鉻系材料膜成膜時，只要在氮氣、氧化氮氣體、氧氣、氧化碳氣體、碳化氫氣體等反應性氣體之1種以上，或者在該等反應性氣體與氬氣等惰性氣體之混合氣體中進行反應性濺鍍即可。
且，設計包含含錫之鉻系材料層作為構成要素之硬遮罩膜時，關於所添加之輕元素在習知之設計鉻系材料層時之範圍內亦可找到適當量。
濺鍍氣體之流量經適當調整。氣體流量在成膜中可設為固定，欲於膜之厚度方向改變氧量或氮量時亦可根據目標組成而變化。
又，本發明之硬遮罩膜之膜厚宜為與習知之硬遮罩完全相同地設計，於加工基板時依存於深度等之設計一般設為1~10nm。
含錫之鉻系材料膜對於氟系乾蝕刻條件之蝕 刻耐性與不含錫之鉻系材料膜之蝕刻耐性相等乃至超過。
另一方面，含錫之鉻系材料膜可與不含錫之鉻系材料膜同樣以氯系氣體進行乾蝕刻，相較於不含錫之鉻系材料膜顯示顯著較高的蝕刻速度。
此種氯系乾蝕刻可使用例如使氯氣與氧氣之混合比(Cl2氣體：O2氣體)以體積流量比計設為1：2~20：1，且視需要混合氦氣等惰性氣體之氣體而進行。另外，如專利文獻2所記載，含錫之鉻系材料膜為薄膜時，亦可進行不含氧之氯系之乾蝕刻。
如此，含錫之鉻系材料膜同時具有對氟系乾蝕刻之充分蝕刻耐性，與對於氯系乾蝕刻之高蝕刻速度。因此，如專利文獻1或2所揭示，用於製作具備由鉻系材料所成之硬遮罩膜之奈米壓印用模具之毛坯中，只要使硬遮罩膜成為由含錫之鉻系材料所成之膜，則可以維持膜厚之狀態，提高硬遮罩功能，並且在該硬遮罩膜進行濺鍍時降低對阻劑膜之負荷。其結果，可製造高精度之奈米壓印用模具。
本發明之模具製作用毛坯所用之基板只要是可藉氟系乾蝕刻加工者即可任意使用。可列舉為例如石英基板，或成膜有氧化系膜之矽基板、矽基板、碳化矽基板等。其中，石英基板可用於熱壓印亦可用於光壓印故而較佳。
圖1係顯示用於製作本發明之奈米壓印技術領域中可使用之模具之毛坯構成之一樣態之剖面圖。該圖 所示之樣態係在可藉氟系乾蝕刻之矽系材料基板的石英基板1上形成由含錫之鉻系材料所成之硬遮罩膜2。
使用此毛坯製造奈米壓印用模具之步驟可採用與以往習知之對具備由鉻系材料所成之硬遮罩膜之光罩毛坯進行加工之方法(參照專利文獻1或專利文獻2)完全相同之步驟，且概述如下。
圖2係顯示模具製造製程之一樣態之圖。首先，將光阻塗佈於圖1所示之毛坯之硬遮罩膜2上，形成阻劑膜3(圖2A)。
接著，獲得用於保護因圖型化而欲殘留之硬遮罩膜2之部分的阻劑圖型，經過對阻劑膜3進行電子束之圖型照射、顯像等特定步驟獲得阻劑圖型4(圖2B)。
使用該阻劑圖型4作為遮罩，藉由含氧之氯系乾蝕刻，使硬遮罩膜2圖型化(圖2C)。此時，由含錫之鉻系材料所成之硬遮罩膜2由於具有高的蝕刻速率，故縮短了蝕刻時間而減輕對阻劑圖型4之損傷。結果，可以高精度轉印圖型。
殘留之阻劑圖型4亦可去除，但並非必要。
接著，使用經圖型化之硬遮罩膜2作為遮罩，藉由氟系乾蝕刻，以特定深度蝕刻石英基板1(圖2D)。
最後，去除抗蝕圖型4(圖2E)，再以含氧之氯系乾蝕刻去除硬遮罩膜2，完成奈米壓印用之模具(圖2F)。
亦即，藉由具備以氯系乾蝕刻對由含錫之鉻系材料所成之硬遮罩膜2進行蝕刻加工，形成硬遮罩圖型之步驟，與以硬遮罩圖型作為遮罩，以氟系乾蝕刻對石英基板1進行蝕刻加工之步驟之方法，製作模具。
又，亦可使用上述模具作為母板，製作奈米壓印用模具。該情況下，係將紫外線硬化性樹脂等塗佈於經上述步驟獲得之母板模具上，將形成有CrSn膜之石英基板抵壓於該母板模具。
接著，自母板模具側照射水銀燈等UV光，於CrSn膜上形成UV硬化樹脂圖型。以UV硬化樹脂圖型作為遮罩對CrSn膜進行蝕刻。接著蝕刻石英基板，最後去除CrSn膜時，完成奈米壓印用模具。
[乾蝕刻特性之評價實驗]
至於評價乾蝕刻特性之實驗例，係在一邊為152mm厚度為6mm之矩形石英基板上個別設置鉻靶材與錫靶材，利用共濺鍍之DC濺鍍法，以厚度44nm使錫濃度不同之2種CrON膜成膜。
CrON膜中之錫含量係藉由調整鉻靶材與錫靶材之施加電力而調整。又，濺鍍氣體為氬氣與氧氣、氮氣之混合氣體。
且，為了比較，亦使用Cr靶材，使不含錫之CrON膜成膜。
分別製作複數個上述3種類之鉻系材料膜之 試料。鉻系材料膜之組成分析係使用ESCA(JEOL製造之JPS-9000MC)測定。
針對該等各試料，比較44nm膜厚之鉻系材料膜之含氧之氯系乾蝕刻速度(清除時間)。
圖3係用於說明含氧之氯系乾蝕刻所用之裝置之構成概略之圖，該圖中，符號11為腔室，12為對向電極，13為感應放電電漿(ICP)產生用高頻發射器，14為天線線圈，15為試料，16為平面電極，17為RIE用高頻發射器，18為排氣口，19為氣體導入口。又，圖3亦兼具後述之氟系乾蝕刻所用之裝置之構成概略圖。
乾蝕刻係在腔室內壓力設為6mTorr，供給Cl2(185sccm)、O2(55sccm)、He(9.25sccm)作為蝕刻氣體，對RIE高頻發射器17之施加電壓設為700V(脈衝)，對ICP產生用高頻發射器13之電力供給設為400W(連續放電)之條件下進行。
表1為由反射率測定求得以上述之條件，進行含氧之氯系乾蝕刻時之實驗例1、實驗例2、及比較實驗例之各試料之清除時間之結果。又，此處係以比較實驗例之試料之清除時間作為1之相對值進行比較。
由上述結果可了解，CrON膜中含錫之實驗例1及2之試料相較於不含Sn之比較實驗例之試料，含氧之氯系乾蝕刻時之蝕刻速度均獲得提高。
且，針對該等試料，比較44nm膜厚之CrON膜之氟系乾蝕刻速度(清除時間)。該氟系乾蝕刻係在腔室內壓力設為5mTorr，供給SF6(18sccm)、O2(45sccm)作為蝕刻氣體，對RIE高頻發射器17之施加電壓設為54V(連續放電)，對ICP產生用高頻發射器13之電力供給設為325W(連續放電)之條件下進行。
表2為由反射率測定求得以上述之條件，進行氟系乾蝕刻時之實驗例1、實驗例2、及比較實驗例之各試料之清除時間之結果。又，此處係以氟系乾蝕刻之清除時間相對於含氧之氯系乾蝕刻之清除時間之比進行比較。
由上述結果可了解，CrON膜中含錫之實驗例1及2之試料相較於不含Sn之比較實驗例之試料，氟系乾蝕刻之清除時間相對於含氧之氯系乾蝕刻時之清除時間 之比均獲得提高。具體而言，含氧之氯系乾蝕刻之清除時間與氟系乾蝕刻之清除時間之比成為1比11以上。
[實施例] [實施例1]
使用直流濺鍍裝置，於石英基板上使由鉻與錫所成之硬遮罩膜(膜厚10nm)成膜。
靶材係使用鉻靶材與錫靶材2種，邊使石英基板以30rpm旋轉邊成膜。又，濺鍍氣體係使用Ar，以使腔室內之氣體壓力成為0.1Pa之方式調整。
以ESCA調查該遮光膜之組成，結果為Cr：Sn=9：1(原子比)。
接著，以100nm之厚度塗佈化學增幅型負型阻劑，進行曝光、顯像圖型化。接著，以該阻劑圖型作為遮罩，以氟氣體作為蝕刻氣體進行乾蝕刻，使上述硬遮罩膜(CrSn膜)圖型化。
隨後，以上述阻劑圖型與硬遮罩圖型作為遮罩，以氟氣體作為蝕刻氣體施以乾蝕刻，將石英基板未被遮蔽之區域乾蝕刻60nm。
上述蝕刻係在腔室內壓力設為5mTorr，供給SF6(185sccm)、O2(45sccm)作為蝕刻氣體，對RIE高頻發射器17之施加電壓設為54V(連續放電)，對ICP產生用高頻發射器13之電力供給設為325W(連續放電) 之條件下進行。
接著，剝離蝕刻圖型，再以氯與氧之混合氣體作為蝕刻氣體進行乾蝕刻，藉由蝕刻去除上述硬遮罩膜(CrSn膜)，完成壓印用之模具。
上述蝕刻係在腔室內壓力設為6mTorr，供給Cl2(185sccm)、O2(55sccm)、He(9.25sccm)作為蝕刻氣體，對RIE高頻發射器17之施加電壓設為700V(脈衝)，對ICP產生用高頻發射器13之電力供給設為400W(連續放電)之條件下進行。
如以上說明，本發明係將設於毛坯上之硬遮罩膜作成由含錫之鉻系材料所成之膜。由含錫之鉻系材料所成之膜在氟系乾蝕刻條件下具有充分的蝕刻耐性，另一方面，在氯系乾蝕刻條件下，與不含錫之鉻系材料膜比較，顯示顯著高的蝕刻速度。
因此，可縮短氟系乾蝕刻之時間並減輕對阻劑圖型之損傷，可以高精度轉印圖型。
[產業上之可利用性]
依據本發明，可容易地製造高精度奈米壓印用模具。
1‧‧‧石英基板
2‧‧‧硬遮罩膜

Claims (10)

  1. 一種模具製作用毛坯，其係在可進行氟系乾蝕刻之基板上具備由含錫之鉻系材料所成之硬遮罩膜。
  2. 如請求項1之模具製作用毛坯，其中前述含錫之鉻系材料之錫含量相對於鉻之含量以原子比計為0.01倍以上2倍以下。
  3. 如請求項1之模具製作用毛坯，其中前述含錫之鉻系材料為錫-鉻金屬、錫-鉻氧化物、錫-鉻氮化物、錫-鉻碳化物、錫-鉻氧化氮化物、錫-鉻氧化碳化物、錫-鉻氮化碳化物、錫-鉻氧化氮化碳化物之任一種。
  4. 如請求項2之模具製作用毛坯，其中前述含錫之鉻系材料為錫-鉻金屬、錫-鉻氧化物、錫-鉻氮化物、錫-鉻碳化物、錫-鉻氧化氮化物、錫-鉻氧化碳化物、錫-鉻氮化碳化物、錫-鉻氧化氮化碳化物之任一種。
  5. 如請求項1之模具製作用毛坯，其中前述可進行氟系乾蝕刻之基板為矽系材料之基板。
  6. 如請求項2之模具製作用毛坯，其中前述可進行氟系乾蝕刻之基板為矽系材料之基板。
  7. 如請求項3之模具製作用毛坯，其中前述可進行氟系乾蝕刻之基板為矽系材料之基板。
  8. 如請求項4之模具製作用毛坯，其中前述可進行氟系乾蝕刻之基板為矽系材料之基板。
  9. 如請求項5至8中任一項之模具製作用毛坯，其中前述可進行氟系乾蝕刻之基板為石英基板。
  10. 一種模具之製造方法，其為使用如請求項1至9中任一項之毛坯之模具製造方法，其具備下列步驟：以氯系乾蝕刻使前述由含錫之鉻系材料所成之硬遮罩膜進行蝕刻加工，形成硬遮罩圖型之步驟；以前述硬遮罩圖型作為遮罩，以氟系乾蝕刻對前述基板進行蝕刻加工之步驟。
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