TW201344285A - 電光調製器 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種電光調製器，其包括一個基底、一對自該基底的一個第一表面向內擴散而形成的、相互平行的光波導及一對設置在該第一表面上、與該對光波導位置對齊、形狀匹配的電極。

Description

電光調製器
本發明涉及高速光通訊系統，特別涉及一種電光調製器。
隨著高速光通訊系統的發展，電光調製器成為熱門的研究課題。一種電光調製器的原理主要是利用電光效應將調製微波載入於電極，電極的極間電場作用於光波導、改變光波導的折射率，從而改變光波導傳輸的鐳射的輸出功率，實現調製的目的。然而，現有的電光調製器由於電極設置不合理，調製所需的半波電壓高，功耗較高。
有鑒於此，有必要提供一種可降低功耗的的電光調製器。
一種電光調製器，其包括一個基底、一對自該基底的一個第一表面向內擴散而形成的、相互平行的光波導及一對設置在該第一表面上、與該對光波導位置對齊、形狀匹配的電極。
如此設置，該對電極的極間電場與該對光波導傳輸的鐳射的光場(一般遍佈該對光波導的橫截面)的電光重疊積分因數(即電場與光場的重疊部分)最大，可以達到整個光場的大小(即該對光波導的橫截面積大小)。而調製所需的半波電壓與電光重疊積分因數成反比，因此，如此設置，調製所需的半波電壓可以降至最小，從而降低功耗。
請參閱圖1及圖2，本發明較佳實施方式的電光調製器10其包括一個基底11、一對自該基底11的一個第一表面110向內擴散而形成的、相互平行的光波導12及一對設置在該第一表面110上、與該對光波導12位置對齊、形狀匹配的電極13。
如此設置，該對電極13的極間電場E與該對光波導12傳輸的鐳射的光場(一般填滿該對光波導12的橫截面)的電光重疊積分因數(即電場與光場的重疊部分)最大，可以達到整個光場的大小(即該對光波導12的橫截面積大小)。
而根據電光效應的原理可知：
其中，為調製所需的半波電壓，為係數，為工作波波長，為該對光波導12之間的間距，為該基底11的非常光折射率，該基底11與該對電極13的極間電場方向相同的晶軸的電光係數，為該電光重疊積分因數，為該對光波導12的長度。
根據上式，調製所需的半波電壓與該電光重疊積分因數成反比，因此，該電光如此設置，調製所需的半波電壓可以降至最小，從而降低功耗。
由於鈮酸鋰(LiNbO3)晶體(LN)具有較高的反應速度，因此，該基底11的材料採用鈮酸鋰晶體，以提高該電光調製器10的帶寬。
該對光波導12構成方向耦合器(directional coupler)，而由於脊形方向耦合器可以提高耦合效率、改善鐳射與調製微波之間波速不匹配及提高重疊積分因數等優點，從而提高調製效率。因此，該電光調製器10宜採用脊形方向耦合器。具體的，該基底11基本呈矩形，在該第一表面110且位於該對光波導12的兩側分別形成一個切口112，使得該對光波導12及該對電極13位於該基底11的“脊”上。
另外考慮到，鈮酸鋰晶體的沿+Z晶軸的電光係數最大()，而調製所需的半波電壓與電光係數成反比。因此，該第一表面11面向+Z晶軸，該電光調製器10為+Z切。
另外，為了進一步改善鐳射與調製微波之間波速不匹配的現象，該電光調製器10還在該第一表面110及該兩個切口112的上表面形成有一個隔離層14。該對電極13設置於該隔離層14上。該隔離層14一般採用二氧化矽(SiO2)。
每個光波導12為通過金屬擴散而成的半圓柱結構。該對光波導12均延伸出一個輸出段15與光纖(圖未示)連接，而其中一個該光波導12與對應的輸出段15相背一端延伸有一個輸入段16。該輸入段延伸到該基底11的側面，並形成有一個入口162。
該對電極13與一個電源17連接。
工作時，鐳射通過該入口162進入該輸入段16，然後傳輸到該對光波導12構成的方向耦合器，進行耦合，該對電極13的控制鐳射經該對光波導12後的衰減，從而控制該對光波導12輸出該對輸出段15的功率大小，實現調製目的。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
10．．．電光調製器
11．．．基底
110．．．第一表面
112．．．切口
12．．．光波導
13．．．電極
14．．．隔離層
15．．．輸出段
16．．．輸入段
162．．．入口
17．．．電源
圖1為本發明較佳實施方式的電光調製器的立體示意圖。
圖2為圖1的電光調製器沿線II-II的剖面示意圖。
10．．．電光調製器
11．．．基底
110．．．第一表面
112．．．切口
13．．．電極
14．．．隔離層
15．．．輸出段
16．．．輸入段
162．．．入口
17．．．電源

Claims (7)

  1. 一種電光調製器，其包括一個基底、一對自該基底的一個第一表面向內擴散而形成的、相互平行的光波導及一對設置在該第一表面上、與該對光波導位置對齊、形狀匹配的電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電光調製器，其中，該基底的材料採用鈮酸鋰晶體。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的電光調製器，其中，該基底基本呈矩形，在該第一表面且位於該對光波導的兩側分別形成一個切口。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的電光調製器，其中，該第一表面面向+Z晶軸，該電光調製器為+Z切。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的電光調製器，其中，該電光調製器還在該第一表面及該兩個切口的上表面形成有一個隔離層；該對電極設置於該隔離層上。
  6. 如申請專利範圍第3項所述的電光調製器，其中，該隔離層採用二氧化矽。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的電光調製器，其中，每個光波導為通過金屬擴散而成的半圓柱結構；該對光波導均延伸出一個輸出段，而其中一個該光波導與對應的輸出段相背一端延伸有一個輸入段；該輸入段延伸到在該基底的側面，並形成有一個入口。
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