TW201325307A

TW201325307A - 發光裝置

Info

Publication number: TW201325307A
Application number: TW100145077A
Authority: TW
Inventors: Chen-Chi Lin; Po-Hsuan Chiang; Chang-Yen Wu; Chun-Liang Lin
Original assignee: Au Optronics Corp
Priority date: 2011-12-07
Filing date: 2011-12-07
Publication date: 2013-06-16
Also published as: US20130146908A1; CN102593364A

Abstract

一種發光裝置，包括一基板、一第一導電層、一第二導電層、一自發光層以及一第一輔助導電圖案層。第一導電層與第二導電層皆配置於基板上。自發光層配置於第一導電層與第二導電層之間以於基板上定義出一發光區域。第一輔助導電圖案層接觸於第一導電層。第一輔助導電圖案層的阻抗小於第一導電層的阻抗。第一輔助導電圖案層於發光區域內所佔的周長(um)與發光區域的面積(um2)間的比值大於0且小於等於0.0262(1/um)。

Description

發光裝置

本發明是有關於一種發光裝置，且特別是有關於一種自發光型的發光裝置。

有機電致發光(organic electroluminescence)裝置具有輕薄、自發光、低消耗功率、不需背光源、無視角限制及高反應速率等優良特性，已被視為平面顯示器的明日之星。另外被動式有機電致發光裝置可在輕薄、可撓式的基材上形成，所以也非常適合應用於照明，一般預估有機發光裝置的發光效率提升至約100Lm/W以上，且演色性(color rendering index)高於約80以上時，即有機會取代一般照明光源，因此有機發光裝置在照明設備上將扮演非常重要的角色。

然而，當有機電致發光裝置朝向大尺寸發展時，因有機電致發光裝置之發光均勻度往往不佳。因此，要製作大尺寸的有機電激發光裝置以應用於照明裝置尚存在一些問題。

本發明提供一種發光裝置，具有均勻的出光效果及理想的出光效率。

本發明提出一種發光裝置，包括一基板、一第一導電層、一第二導電層、一自發光層以及一第一輔助導電圖案層。第一導電層與第二導電層皆配置於基板上。自發光層配置於第一導電層與第二導電層之間以於基板上定義出一發光區域。第一輔助導電圖案層接觸於第一導電層。第一輔助導電圖案層的阻抗小於第一導電層的阻抗。第一輔助導電圖案層於發光區域內所佔的周長(um)與發光區域的面積(um²)間的比值大於0且小於等於0.0262(1/um)。

在本發明一實施例中，上述第一輔助導電圖案層位於第一導電層鄰近於自發光層的一側。

在本發明一實施例中，上述第一輔助導電圖案層位於第一導電層遠離於自發光層的一側。

在本發明一實施例中，上述第一輔助導電圖案層包括多個條狀圖案。舉例而言，條狀圖案相互連接成一網格。

在本發明一實施例中，上述第一輔助導電圖案層包括彼此分離的多個塊狀圖案。

在本發明一實施例中，上述第一輔助導電圖案層於該發光區域內所佔的周長與發光區域的面積間的比值實質上為0.022(1/um)。

在本發明一實施例中，上述發光裝置更包括一第二輔助導電圖案層，其接觸於第二導電層。第二輔助導電圖案層的阻抗小於第二導電層的阻抗。第二輔助導電圖案層於發光區域內所佔的周長與發光區域的面積間的比值例如大於0且小於等於0.0262(1/um)。第二輔助導電圖案層包括多個條狀圖案。此外，條狀圖案可以連接成一網格。第二輔助導電圖案層包括彼此分離的多個塊狀圖案。在一實施例中，第二輔助導電圖案層於發光區域內所佔的周長與發光區域的面積(1/um)間的比值實質上可以為0.022。

在本發明一實施例中，上述第一導電層位於自發光層鄰近於基板的一側，而第二導電層位於自發光層遠離於基板的一側。

在本發明一實施例中，上述第一導電層位於自發光層遠離於基板的一側，而第二導電層位於自發光層鄰近於基板的一側。

在本發明一實施例中，上述自發光層的材質包括有機發光材料。

在本發明一實施例中，上述發光裝置更包括一光取出層，配置於基板遠離自發光層的一側。

在本發明一實施例中，上述發光裝置更包括一保護基材，其中第一導電層、自發光層以及第二導電層位於保護基材與基板之間。

基於上述，本發明的發光裝置採用輔助導電圖案改善導電層的電流傳輸特性以在導電層中形成均勻分布的電場使，得發光裝置具有均勻的出光效果。此外，本發明的發光裝置中，輔助導電圖案基於發光面積的大小而具有特定的佈局設計使得發光裝置發出的光線不容易限制於發光裝置內因而達到理想的光取出效率。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1至圖5繪示為本發明數種實施例的發光裝置的剖面示意圖。請先參照圖1，發光裝置100包括一基板110、一第一導電層120、一第二導電層130、一自發光層140、一第一輔助導電圖案層150、一保護基材160以及一光取出層170。第一導電層120、第二導電層130、自發光層140、第一輔助導電圖案層150、保護基材160以及光取出層170皆配置於基板110上。

第一導電層120、第二導電層130以及自發光層140皆堆疊於基板110之同一側，即基板110的第一表面(或稱為基板110的內表面)，且自發光層140配置於第一導電層120與第二導電層130之間以於基板110上定義出一發光區域AA。在本實施例中，自發光層140的材質可以是包含有機發光材料，但不於此限，只要是可自發光之材料皆可使用。對發光裝置100施加能量，例如：電流時，電流通過第一導電層120與第二導電層130之間，可使電洞和電子在自發光層140內再結合(recombination)而發出光線。此時，基於自發光層140的材料特性，可以產生不同顏色之光線而提供所需的發光效果。

為了傳遞第一導電層120與第二導電層130所對應的電流，發光裝置100可以更設置有接觸於第一導電層120的第一電極122與接觸於第二導電層130的第二電極132以連接至外部電源。並且，第一電極122與第二電極132可以視自發光層140的特性而一者為陽極而另一者為陰極。也就是說，第一導電層120與第二導電層130實質上一者為陽極導電層而另一者為陰極導電層。在其他的實施例中，外部電源可以直接地連接於第一導電層120與第二導電層130而省略第一電極122與第二電極132的配置。

舉例而言，自發光層140通常包含依序堆疊的一電洞注入層、一電洞傳遞層、一發光層、一電子傳遞層以及一電子注入層(圖中未顯示)。但是，於其它實施例中，自發光層140包含依序堆疊的一電洞傳遞層、一發光層、一電子傳遞層(圖中未顯示)、或是自發光層140包含依序堆疊的一電洞注入層、一發光層以及一電子注入層(圖中未顯示)。當第一導電層120接觸自發光層140的電洞注入層或是電洞傳輸層時，第一導電層120可視為陽極導電層且第一電極122可視為陽極，而第二導電層130則接觸自發光層140的電子注入層或是電子傳輸層時，第二導電層130可視為陰極導電層且第二電極132可視為陰極。反之，自發光層140中各材料層的堆疊順序相反時，第一導電層120可視為陰極導電層且第一電極122可視為陰極，而第二導電層130可視為陽極導電層且第二電極132可視為陽極。也就是說，發光裝置100中陽極與陰極的設置可以由自發光層140的堆疊方式而決定，而不需特別地局限。

除此之外，自發光層140的兩側分別地設置有第一導電層120與第二導電層130。因此，為了使自發光層140所發出的光線射出，第一導電層120與第二導電層130至少一者具有一定的透光性。因此，在本實施例中，第一導電層120例如由透明導電材料所構成。不過，本發明不以此為限。在其他的實施例中，第二導電層130也可以選擇性地由透明導電材料製作而成。也就是說，發光裝置100可以由第一導電層120發出光線而具有單側發光的功能或是同時地由第一導電層120與第二導電層130發出光線而具有雙側發光的功能。

一般而言，為了實顯理想的透光性，透明導電材料的阻抗不如金屬材料理想。特別是，發光裝置100的發光區域AA面積增大時，第一導電層120的片阻抗越益增加。此時，傳遞在第一導電層120的能量，例如：電壓，將呈現不均勻的分布而導致由第一導電層120傳遞給自發光層140之能量不均勻使得自發光層140之出光效果不均勻。也就是說，經由歐姆定律公式換算得知，當電壓分佈於第一導電層120的不同區域呈現不均勻以及第一導電層120依所選擇的材料而已知第一導電層120的電阻時，會使得電流分佈於第一導電層120的不同區域亦不均勻，則自發光層140不同區域之發光強度亦不均勻。所以，本實施例的發光裝置100設置有第一輔助導電圖案層150，其中第一輔助導電圖案層150接觸於第一導電層120，且第一輔助導電圖案層150的阻抗實質上小於第一導電層120的阻抗。如此一來，第一導電層120所呈現的片阻抗可以獲得改善，使發光裝置100具有均勻的出光效果。

在發光裝置100中，為了保護第一導電層120、第二導電層130、自發光層140等構件，可選擇性地設置有保護基材160。在此，保護基材160可以是接觸於第二導電層130的保護基板、保護層或是保護膜，也可以是與第二導電層130相隔一距離且具有特定結構的結構物。也就是說，保護基材160可以藉由成膜沉積或塗佈等製程形成於第二導電層130上也可以藉由貼附的方式貼附於第二導電層130上，或是與基板110組裝在一起以將第一導電層120、第二導電層130、自發光層140封住。

進一步而言，為了達到理想的出光效率，發光裝置100可以更包括光取出膜170。在本實施例中，由於發光裝置100發出的光線是會穿過透明的第一導電層120而發出，並且第一導電層120位於自發光層140接近於基板110的一側，即基板110的第一表面(或稱為內表面)。光取出膜170可以配置於基板110遠離自發光層140的一側，即基板110的第二表面(或稱為外表面)，以降低光線在射出基板110的過程中發生內全反射的作用。在其他實施例中，當第二導電層130也是透明設計時，光取出膜170可以選擇性地配置於保護基材160遠離於自發光層140的一側，即保護基材160的第二表面(或稱為外表面)。也就是說，光取出層170可以設置在發光裝置100中發出光線的一側，以降低光線由發光裝置100入射環境(例如：空氣)的過程中因為在介面發生全反射作用而限制的光取出效率的現象。

另外，發光裝置100的設計不以此為限。請參照圖2，發光裝置200實質上與發光裝置100大致相同，因此兩實施例中相同的構件將以相同的元件符號標示。發光裝置200不同於發光裝置100之主要之處在於，發光裝置200中第一輔助導電圖案層150位於自發光層140與第一導電層120之間。也就是說，本發明不需特別地局限第一輔助導電圖案層150與第一導電層120的配置順序，其中第一輔助導電圖案層150與第一導電層120可依照任意的順序配置於自發光層140與基板110之間。

在另一實施例中，請參照圖3，發光裝置300實質上與發光裝置100大致相同，因此兩實施例中相同的構件將以相同的元件符號標示。發光裝置300不同於發光裝置100之主要之處在於，發光裝置300的第一導電層120位於自發光層140與保護基材160之間而第二導電層130位於自發光層140與基板110之間。此外，發光裝置300的光取出層170例如位於保護基材160遠離第一導電層120的一側，即保護基材160的第二表面(或稱為外表面)。

也就是說，圖3所繪示的實施例中，第二導電層130、自發光層140與第一導電層120依序由基板110向外堆疊。此時，第一輔助導電圖案層150可以位於第一導電層120遠離自發光層140的一側，即第一輔助導電圖案層150位於第一導電層120與保護基材160的第一表面(或稱為內表面)之間。或是，如圖4的發光裝置400一般，使得第一輔助導電圖案層150位於第一導電層120接近自發光層140的一側，即第一輔助導電圖案層150位於第一導電層120與自發光層140之間。

在圖3與圖4的實施例中，發光裝置300與發光裝置400可以由保護基材160發出光線，而具有單側發光功能。另外，當第二導電層130由透明導電材料製作時，發光裝置300與發光裝置400可以具有雙側發光功能。此外，由前述實施例的描述可知，第一輔助導電圖案層150的配置有助於提昇發光裝置300與發光裝置400的出光均勻性。

在其他的實施例中，如圖5的發光裝置500所示，當第一導電層120與第二導電層130皆由透明導電材料製作，可以設置第二輔助導電圖案層180於發光裝置500中，其中第二輔助導電圖案層180接觸於第二導電層130。第二輔助導電圖案層180可以選擇性地配置於第二導電層130遠離自發光層140的一側，例如：如圖3所示、或是配置於第二導電層130接近自發光層140的一側，例如：如圖4所示。同時，第一輔助導電圖案層150可以選擇性地配置於第一導電層120遠離自發光層140的一側，例如：如圖1所示、或是配置於第一導電層120接近自發光層140的一側，例如：如圖2所示。因此，圖5之結構搭配會有四種變化模式，容待後序的段落中詳細提及。

此外，在其他實施例中，保護基材160遠離第二導電層130的一側，即保護基材160的第二表面(或稱為外表面)，可設置有光取出層170，與基板110遠離第一導電層120的一側，即基板110的第二表面(或稱為外表面)，可設置有光取出層170。

整體來說，本發明不須特別地限定輔助導電圖案層與導電層之間的疊置順序，只要輔助導電圖案層與導電層接觸就可以改善導電層的電流傳遞特性而使發光裝置具有均勻的出光效果。因此，上述多個實施例僅是舉例說明之用並非用以限定本發明。此外，上述多個實施例中，輔助導電圖案層的阻抗小於所接觸的導電層的阻抗。因此，輔助導電圖案層可為單層或多層結構，且其材質例如是金屬、合金材料等阻抗較低的材質。

一般來說，金屬或合金材料具有不透光的性質以及較高的反射率，因此第一輔助導電圖案層150的配置下，發光裝置100的出光效果如圖6所示。請參照圖6，其為圖1的發光裝置之局部放大示意圖，自發光層140所發出的光線L可能朝向多個方向射出。當第二導電層130的材料，例如：為金屬等具有反射性質的導電材料時，被反射的光線L可以朝向基板110射出。此時，發光裝置100即為單側發光的設計，也就是發光裝置100的出光面實質上為基板110的外表面。

根據圖6所示，被第二導電層130反射的光線L1以及直接由自發光層140發出的光線L2可能照射於金屬材料所構成的第一輔助導電圖案層150上。因此，光線L1、L2會被第一輔助導電圖案層150反射而無法穿透第一輔助導電圖案層150。如此一來，由基板110外表面觀察發光裝置100的發光效果時，可能感受到發光亮度較高的第一發光區域AA1與發光亮度較低的第二發光區域AA2，其中第一發光區域AA1中沒有第一輔助導電圖案層150，而第二發光區域AA2為第一輔助導電圖案層150周邊的區域。也就是說，由第二發光區域AA2射出基板110的光線量會低於由第一發光區域AA1射出基板110的光線量。此外，由上述可知，發光區域AA是由自發光層140配置於第一導電層120與第二導電層130之間以於基板110上所定義，且發光區域AA包含第一發光區域AA1及第二發光區域AA2。

由圖6可知，當第二發光區域AA2的面積越大，則光取出效率越差。可是，第二發光區域AA2的面積減小，意味著第一輔助導電圖案層150的周邊長度必須縮減。此時，可藉由縮小第一輔助導電圖案層150的面積或是調整第一輔助導電圖案層150的輪廓來實現周邊長度的縮減。不過，縮小第一輔助導電圖案層150的面積則第一輔助導電圖案層150可提供的輔助作用減弱，使得第一導電層120的所傳遞的能量，例如：電壓分布不均勻而造成自發光層140所接收的能量亦不均勻並產生不均勻的出光效果。也就是說，經由歐姆定律公式換算得知，當電壓分佈於第一導電層120的不同區域不均勻以及第一導電層120依所選擇的材料而已知第一導電層120的電阻時，會使得電流分佈於第一導電層120的不同區域亦不均勻，則自發光層140不同區域之發光強度亦不均勻。所以，第二發光區域AA2的佈局設計(也就是第一輔助導電圖案層150的圖案設計)對於發光裝置100的出光效果影響甚大。並且，上述現象同樣地可在圖2至圖5任一實施例中發現。

因此，為了實現理想的出光效果，以下遂基於本發明的精神提出數種輔助導電圖案層在發光區域內的佈局方式。然而，以下說明僅為舉例之用，並非用以侷限本發的精神及所涵蓋的範圍。同時，以下的佈局方式可以應用於前述實施例所述之第一輔助導電圖案層150與第二輔助導電圖案層180任一者或是同時應用於第一輔助導電圖案層150與第二輔助導電圖案層180中。

圖7繪示為本發明一實施例之輔助導電圖案層的佈局方式。請參照圖7，輔助導電圖案層10是由多個線形(linear)圖案所構成。以本實施例來說，這些線形圖案各自為直線且連接成網格。不過，在其他的實施例中，構成輔助導電圖案層10的線形圖案可以是折線、弧線、曲線、或是其它合適的圖案。

以本實施例而言，輔助導電圖案層10構成網格且圍設出多個大小相同的矩形開口，其中矩形開口在不同方向上分別具有長度12、14。其中，開口的形狀會依線形圖案的形狀而有不同的形狀，例如：圓形、橢圓形、多角形、不規則形狀或是其它合適的形狀。如此一來，輔助導電圖案層10於發光區域AA內所佔的周長即約為十四倍的長度12與約八倍的長度14的總和。換言之，輔助導電圖案層10於發光區域AA內所佔的周長(micrometers,um)可以視為輔助導電圖案層10的邊界落於發光區域AA內的總長度(um)。在此，本實施例的設計以輔助導電圖案層10於發光區域AA內所佔的周長(um)與發光區域AA的面積(um²)間的比值(R，單位：(1/um))作為參數，意即比值(R)=輔助導電圖案層10於發光區域AA內所佔的周長(um)/發光區域AA的面積(um²)，並且藉由調整比值(R)來獲得所需要的出光效果。

詳言之，若對設置有輔助導電圖案層10的發光裝置進行出光亮度的量測，可發現比值(R)落在約0.0063(單位：1/um)時，發光裝置的出光效果可以藉由光取出層的配置而獲得約1.45的增益比(enhancement ratio)。當比值(R)落在約0.0164(單位：1/um)時，發光裝置的出光效果可以藉由光取出層的配置而獲得約1.3的增益比。另外，比值(R)落在約0.023(單位：1/um)時，發光裝置的出光效果可以藉由光取出層的配置而獲得約1.12的增益比。藉由上述量測結果可以推估比值(R)大於0且約小於等於0.0262(單位：1/um)時就可使發光裝置藉由光取出層的配置而具有增益的出光效率(也就是增益比實質上大於1)，同時有助於改善導電層的電流傳遞特性。因此，本實施例可以藉由圖案的外型與佈局設計使得輔助導電圖案層10的設計符合比值(R)大於0且約小於等於0.0262(單位：1/um)。

值得一提的是，為了避免線性圖案的線寬W過大而使人眼察覺，本實施例構成輔助導電圖案層10的線性圖案之線寬W例如大於0微米且約小於等於60微米。不過，上述數值僅是舉例說明，而實際的量測結果與線寬W的設計可能因為發光裝置之材質、尺寸、應用領域等的條件略有不同，因此這些數值並非用以限定本發明。不過，由這些數值可知，輔助導電圖案層10於發光區域AA內所佔的周長(um)與發光區域AA的面積(um²)間的比值(R)大於0且約小於等於0.0262確實可以使得發光裝置的發光效率被提昇。特別是，比值(R)約等於0.22時可以使發光裝置的光取出率與光均勻性符合所需設計。

另外，輔助導電圖案層的圖案佈局不一定限制為網格，而以下將以其他實施態樣來說明。圖8~10繪示為多種輔助導電圖案層在發光區域內的佈局方式。請參照圖8，輔助導電圖案層20可以是多個鋸齒狀的線性圖案，其中各個線性圖案具有不同延伸方向的邊界長度22、24。此時，輔助導電圖案層20於發光區域AA內所佔的周長可以藉由計算發光區域AA內邊界長度22、24的總合而獲得。當然，為了避免人眼察覺到輔助導電圖案層20的存在，線性圖案的線寬W可以是大於0微米且約小於等於60微米。

此外，請參照圖9，輔助導電圖案層30可以由多個彼此不相連的塊狀圖案所構成。在此，各個塊狀圖案的外形可以為圓形，所以輔助導電圖案層30於發光區域AA內所佔的周長可以為這些圓形塊狀圖案的圓周32之總和。當然，這些不相連的塊狀圖案可以具有三角形、四邊形、六角形、八角形、曲線形等其他的外形。另外，為了避免人眼察覺到輔助導電圖案層30的存在且同時維持發光區域的面積，各個塊狀圖案最大徑長T，例如：寬度可以是大於0微米且約小於等於60微米。若此圖案的最大徑長T超過60微米，則人眼察覺到輔助導電圖案層30的存在時，代表發光面積也同時的下降。

進一步而言，塊狀圖案不限定為實心的。以圖10所繪示的實施例而言，輔助導電圖案層40可以由多個空心的圖案所構成。此時，輔助導電圖案層40於發光區域AA內所佔的周長可以為這些空心圖案的內徑42與外徑44的總和。當然，圖10繪示的矩形空心圖案僅為舉例說明之用，而在其他實施例中，輔助導電圖案層40可以由多個圓形、橢圓形、多角形、不規則圖形等等外形的空心圖案所構成，或是構成輔助導電圖案層40的空心圖案之內徑42與外徑44可以圍設出不同的形狀。舉例而言，構成輔助導電圖案層40的空心圖案可以具有外圓內方、外方內圓等的外形設計。另外，為了避免人眼察覺到輔助導電圖案層40的存在且同時維持發光區域的面積，各個塊狀圖案的最大徑長T，例如：寬度可以是大於0微米且小於等於60微米。若此圖案的最大徑長超過60微米，則人眼察覺到輔助導電圖案層40的存在時，代表發光面積也同時的下降。

值得一提的是，上述輔助導電圖案層10、20、30、40是以均勻分佈的方式配置於發光區域AA中，但本發明不以此為限。具體來說，發光裝置中，導電層的阻抗分布不均勻時，可以調整輔助導電圖案層10、20、30、40在發光區域AA中的分布密度來使導電層的電壓均勻地分布於發光區域AA中。亦即，在導電層中阻抗較高的區域可以使輔助導電圖案層10、20、30、40的分布密度較高，而阻抗較低的區域可以使輔助導電圖案層10、20、30、40的分布密度較低。

另外，由圖1至圖5可知，發光裝置100~500發光時，要流經發光層140的能量，例如：電流是藉由第一電極122流入第一導電層120或是流出第一導電層120。相似地，要流經發光層140的電流是藉由第二電極132流入第二導電層130或是流出第二導電層130。此時，如圖1所繪示，能量，例如：電流流經第一導電層120相對遠離第一電極122的一側120A時，電流在第一導電層120中的傳遞路徑較長，而容易受到第一導電層120的阻抗所影響。因此，在一實施例中，第一輔助導電圖案層150的分布密度可以由第一電極122向外逐漸增加。相似地，圖5所繪示的第二輔助導電圖案層180的分布密度可以由第二電極132向外逐漸增加。整體而言，本發明不特別地侷限第一輔助導電圖案層150與第二輔助導電圖案層180需均勻地分布於發光區域AA中，而可以視實際的需求或是第一導電層120與第二導電層130的特性而以特定的分布密度配置。

綜上所述，本發明使輔助導電圖案層接觸導電層以改善導電層的電流傳輸特性。因此，發光面積(也就是發光區域的面積)增大時，發光裝置可以具有均勻的出光效果。另外，本發明的輔助導電圖案層以特定的佈局方式，例如：1.輔助導電圖案層配置於基板的第一表面(或稱為內表面)與第一導電層之間(如圖1所示)或者是第一導電層與自發光層之間(如圖2所示)，此時，光取出膜配置於基板的第二表面(或稱為外表面)且第一導電層為透明導電材質、2.輔助導電圖案層配置於保護基材的第一表面(或稱為內表面)與第一導電層之間(如圖3所示)或者是第一導電層與自發光層之間(如圖4所示)，此時，光取出膜配置於保護基材的第二表面(或稱為外表面)且第二導電層為透明導電材質、3.輔助導電圖案層同時配置基板的第一表面(或稱為內表面)與第一導電層之間以及保護基材的第一表面(或稱為內表面)與第二導電層之間，且第一、第二導電層皆為透明導電材質，而光取出膜同時配置於基板的第二表面(或稱為外表面)與保護基材的第二表面(或稱為外表面)、4.輔助導電圖案層同時配置基板的第一表面(或稱為內表面)與第一導電層之間以及第二導電層與自發光層之間，且第一、第二導電層皆為透明導電材質，而光取出膜同時配置於基板的第二表面(或稱為外表面)與保護基材的第二表面(或稱為外表面)、5.輔助導電圖案層同時配置第一導電層與自發光層之間以及保護基材的第一表面(或稱為內表面)與第二導電層之間，且第一、第二導電層皆為透明導電材質，而光取出膜同時配置於基板的第二表面(或稱為外表面)與保護基材的第二表面(或稱為外表面)、6.輔助導電圖案層同時配置第一導電層與自發光層之間以及第二導電層與自發光層之間，且第一、第二導電層皆為透明導電材質，而光取出膜同時配置於基板的第二表面(或稱為外表面)與保護基材的第二表面(或稱為外表面)，配置於發光裝置的發光區域中，而可以提升發光裝置中的光取出效率。其中，第3種~第6種的本發明輔助導電圖案層佈局方式是第5圖所要表達的詳細描述及其相關實施例。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10、20、30、40．．．輔助導電圖案層

12、14．．．長度

22、24．．．邊界長度

32．．．圓周

42．．．內徑

44．．．外徑

100、200、300、400、500．．．發光裝置

110．．．基板

120．．．第一導電層

120A．．．一側

122．．．第一電極

130．．．第二導電層

132．．．第二電極

140．．．自發光層

150．．．第一輔助導電圖案層

160．．．保護基材

170．．．光取出層

180．．．第二輔助導電圖案層

AA．．．發光區域

AA1．．．第一發光區域

AA2．．．第二發光區域

L、L1、L2．．．光線

T．．．最大徑長

W．．．線寬

圖1至圖5繪示為本發明數種實施例的發光裝置的剖面示意圖。

圖6為圖1的發光裝置之局部放大示意圖

圖7繪示為本發明一實施例之輔助導電圖案層的佈局方式。

圖8~10繪示為多種輔助導電圖案層在發光區域內的佈局方式。

10．．．輔助導電圖案層

12、14．．．長度

AA．．．發光區域

W．．．線寬

Claims

　一種發光裝置，包括：一基板；一第一導電層，配置於該基板上；一第二導電層，配置於該基板上；一自發光層，配置於該第一導電層與該第二導電層之間以於該基板上定義出一發光區域；以及一第一輔助導電圖案層，接觸於該第一導電層，該第一輔助導電圖案層的阻抗小於該第一導電層的阻抗，且該第一輔助導電圖案層於該發光區域內所佔的周長與該發光區域的面積間的比值大於0且小於等於0.0262(1/um)。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第一輔助導電圖案層位於該第一導電層鄰近於該自發光層的一側。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第一輔助導電圖案層位於該第一導電層遠離於該自發光層的一側。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第一輔助導電圖案層包括多個條狀圖案。
如申請專利範圍第4項所述之發光裝置，其中該些條狀圖案相互連接成一網格。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第一輔助導電圖案層包括彼此分離的多個塊狀圖案。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第一輔助導電圖案層於該發光區域內所佔的周長與該發光區域的面積間的比值實質上為0.022(1/um)。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括一第二輔助導電圖案層，接觸於該第二導電層，該第二輔助導電圖案層的阻抗小於該第二導電層的阻抗。
如申請專利範圍第8項所述之發光裝置，其中該第二輔助導電圖案層於該發光區域內所佔的周長與該發光區域的面積間的比值大於0且小於等於0.0262(1/um)。
如申請專利範圍第8項所述之發光裝置，其中該第二輔助導電圖案層包括多個條狀圖案。
如申請專利範圍第10項所述之發光裝置，其中該些條狀圖案連接成一網格。
如申請專利範圍第8項所述之發光裝置，其中該第二輔助導電圖案層包括彼此分離的多個塊狀圖案。
如申請專利範圍第8項所述之發光裝置，其中該第二輔助導電圖案層於該發光區域內所佔的周長與該發光區域的面積間的比值實質上為0.022(1/um)。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該自發光層的材質包括有機發光材料。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括一光取出層，配置於該基板遠離該自發光層的一側。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括一保護基材，其中該第一導電層、該自發光層以及該第二導電層位於該保護基材與該基板之間。