TW201314824A - 載置單元及處理系統 - Google Patents

載置單元及處理系統 Download PDF

Info

Publication number
TW201314824A
TW201314824A TW101113887A TW101113887A TW201314824A TW 201314824 A TW201314824 A TW 201314824A TW 101113887 A TW101113887 A TW 101113887A TW 101113887 A TW101113887 A TW 101113887A TW 201314824 A TW201314824 A TW 201314824A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
gas
opening
box
container
Prior art date
Application number
TW101113887A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI517286B (zh
Inventor
Katsuya Toba
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201314824A publication Critical patent/TW201314824A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI517286B publication Critical patent/TWI517286B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本發明關於一種載置單元及處理系統，該載置單元係使保持有複數片基板之基板保持具相對於處理容器作升降，其具備有：載置用框體；升降機構，係使基板保持具升降；擋門部，係關閉處理容器的開口部；基板移載機構，係用以進行基板的移載；第1區劃箱，係圍繞升降機構並圍繞其移動範圍般所設置；第2區劃箱，係連結於第1區劃箱，而圍繞基板移載機構與其移動範圍般所設置；以及第3區劃箱，係連結於第1區劃箱，而圍繞擋門部般所設置；其中，第1區劃箱係設置有對第1區劃箱的內側噴射冷卻氣體之冷卻氣體噴射機構。

Description

載置單元及處理系統
本發明關於一種對半導體晶圓等之基板進行熱處理之處理系統及使用於其之載置單元。
一般來說，為了製造IC或LSI等半導體積體電路，係對半導體晶圓等之基板施予成膜處理、氧化擴散處理、蝕刻處理、退火處理等之各種熱處理。為了一次處理複數片該基板，係使用例如專利文獻1~3等所揭示之縱型批次式熱處理裝置。
該熱處理裝置係使載置有複數片(例如100~150片左右)半導體晶圓所構成的基板之晶舟從位在縱型石英製處理容器下方處之非活性氣體氛圍的載置室上升，並載置(***)於該縱型石英製處理容器內，然後，在密閉後的處理容器內進行成膜處理等之熱處理。然後，在進行熱處理後，將上述晶舟卸載(降下)，來交換處理後的基板與未處理的晶圓而進行移載。然後，重複與前述相同的熱處理。
為了升降上述晶舟係使用設置於上述載置室內之晶舟升降機，又，基板的移載係藉由上述載置室內所設置之移載機構而進行。
然而，如上所述地，設置在成為高溫狀態之處理容器下方的載置室內會有以防止矽基板等所構成之半 導體晶圓的自然氧化且冷卻被卸載後的高溫狀態基板為目的之作為非活性氣體的例如氮氣流動於水平方向，而成為非活性氣體氛圍，並循環使用該氮氣。然後，適當地補給氮氣來使載置室內氛圍中的氧濃度為特定值以下。
然而，上述載置室內的體積為相當大容量，故為了使該載置室內整體的氛圍經常地充滿氮氣氛圍，便必需大量的氮氣，因而有運轉成本增加之問題。又，由於係遍佈載置室內整體而導入具有冷卻氣體功能的氮氣，因此亦會存在有無助於基板冷卻的氣體，而不光是難以有效率地冷卻，且亦有冷卻需花費長時間而導致產能降低的情況。
特別是，最近，為了更加提高半導體積體電路的生產效率，而期待基板的直徑亦更加大口徑化，例如基板的直徑被要求從300mm擴大為450mm。如此地，若基板直徑變大，則為了使處理氣體充分地在基板間流動，便必須增加晶舟所載置之基板的間距。例如直徑300mm之基板的間距為6~7mm左右，但直徑450mm之基板的間距便被要求為8~12mm左右。
然後，即便是上述情況下，可一次處理之基板的片數仍基於生產效率提高的要求，而被要求為與傳統批次式熱處理裝置同樣的片數(例如100~150片左右)，因此上述基板間距增加的部分便導致處理容器的高度、晶舟的長度及使該晶舟升降之升降機變長。其結 果，便被強烈期望能夠解決包含有處理容器之處理單元與位在其下方處之載置室的體積會更加大容量化且必需大量的氮氣之上述問題點。
本發明係提供一種可以區劃箱來區劃僅有載置室內的所需部分，並藉由將非活性氣體導入至該區劃箱內，來大幅削減非活性氣體的使用量且提高冷卻效率之載置單元及處理系統。
本發明一實施型態之載置單元係為了對基板施予熱處理，而使保持有複數片該基板之基板保持具相對於下端呈開口且藉由蓋體被封閉的筒體狀處理容器作升降，其具備有：載置用框體，係圍繞外側整體而形成載置室；升降機構，係保持該基板保持具並使其升降；擋門部，係在該基板保持具降下時會關閉該處理容器下端的開口部；基板移載機構，係為了相對於降下後的該基板保持具進行該基板的移載而具有可升降的移載臂；第1區劃箱，係圍繞該升降機構並圍繞被升降之該基板保持具的移動範圍般所設置；第2區劃箱，係連結於該第1區劃箱，而圍繞該基板移載機構與該基板移載機構的移動範圍般所設置；以及第3區劃箱，係連結於該第1區劃箱，而圍繞該擋門部般所設置；其中，該第1區劃箱係設置有對該第1區劃箱的內側噴射冷卻氣體之冷卻氣體噴射機構。
以下，根據添附圖式來詳加述述本發明之載置單元及處理系統的一實施例。圖1係顯示具備有本發明載置單元之處理系統整體之剖視圖，圖2為沿圖1中的A-A線之剖視圖，圖3係顯示基板移載機構的一部分之橫剖視圖，圖4係顯示擋門部的一部分之橫剖視圖，圖5係顯示開閉閘部一例之剖視圖，圖6係顯示開閉閘部一例之俯視圖，圖7係顯示使用於冷卻氣體噴射機構之非活性氣體(冷卻氣體)的氣體循環系統一例之系統圖。
如圖1及如圖2所示，該處理系統2整體係設置在形成有清淨空氣的下向流(down-flow)之無塵室內的地面。然後，處理系統2整體係由例如不鏽鋼等所構成的大框體4而形成其外殻。
該框體4內係於高度方向上設置有例如不鏽鋼所構成的中央區劃壁6而將內部左右地分割為2，其前側(圖1中的右側)係形成而作為儲存單元8。又，上述中央區劃壁6與框體4後側的內面區劃壁10之間係於水平方向上設置有例如不鏽鋼所構成之作為區劃壁的基底板12而將內部上下地分割為2，上側係形成有處理單元14，下側係形成有載置單元16。於是，上述載置單元16與先前的儲存單元8便成為相互地並排設置之狀態。
然後，藉由區劃該框體4的底部之底板區劃壁18來支撐該處理系統2整體的負重。上述儲存單元8之前面區劃壁20的下部係設置有搬出入埠24，該搬出入埠24係用以載置收納有半導體晶圓等所構成的複數片基板W之基板容器22。該基板容器22的前面係安裝有可開閉的蓋22A。然後，對應於該搬出入埠24之前面區劃壁20係設置有以開閉門26來開閉之搬出入口28，而可將上述基板容器22相對於儲存單元8內進行搬出或搬入。
作為上述基板容器22可使用能夠收納例如25片左右的基板W之晶圓匣盒或稱作FOUP(註冊商標)之密閉容器。此處係使用密閉容器，其內部則封入有為了防止基板W的氧化之N2氣體等非活性氣體。
上述儲存單元8內係設置有沿著上下方向形成為複數層之儲存架30，而將收納有未處理的基板W或處理後的基板W之基板容器22載置在該儲存架30來使其待機。然後，該儲存單元8內係設置有容器移載機構32。具體來說，該容器移載機構32係具有直立於上下方向所設置之導引軌道34，與沿著該導引軌道34上下移動之容器搬送臂36。該導引軌道34係包含有藉由例如馬達而受到驅動之滾珠螺桿。又，容器搬送臂36係可朝向水平方向自由彎曲且可在水平面內旋轉，而能夠在上述搬出入埠24與上述儲存架30之間搬送基板容器22。
又，該儲存單元8內係設置有安裝在上述中央區劃壁6之容器移載埠38，並且可將上述基板容器22載置於該容器移載埠38上。該容器移載埠38與上述儲存架30或搬出入埠24之間之基板容器22的搬送係使用上述容器搬送機構32來進行。
又，安裝有該容器移載埠38之上述中央區劃壁6係設置有以開閉門40來開閉之基板搬出入口42，則透過該基板搬出入口42便可在上述容器移載埠38與載置單元16內之間進行基板W的搬出或搬入。又，上述儲存單元8內係形成有清淨空氣的下向流。
然後，上述處理單元14內係設置有具有下端部呈開口的開口部44之圓筒體狀處理容器46。該處理容器46係具有例如耐熱性及耐腐蝕性之石英所構成的容器本體48，與設置於該容器本體48的下端部之例如不鏽鋼製分歧管50。然後，該分歧管50的下端便成為上述開口部44。該處理容器46的下部係藉由上述基底板12被加以支撐，而於此處支撐處理容器46的負重。
然後，該處理容器46的外周側係同心圓狀地設置有筒體狀加熱部54，來加熱收納在該處理容器46內的基板。又，該處理容器46之分歧管50的側壁係如圖2所示般地分別連接有供應熱處理所需的各種氣體之氣體供應系統51或控制處理容器46內氛圍的壓力並排氣之排氣系統53。然後，該處理容器46內便可 收納多層地保持有基板W之基板保持具56。
該基板保持具56係具有以特定間距多層地支撐上述基板W之石英製晶舟58，與設置於該晶舟58的下部來支撐其並維持基板W的溫度之石英製保溫筒60。該保溫筒60係可旋轉地或是被固定地支撐在關閉上述處理容器46的開口部44之例如不鏽鋼所構成的蓋62側。然後，該蓋62的周邊部與上述分歧管50的下端部之間係介設有例如O型環等所構成的密封組件64，而可氣密地密封處理容器46內。上述基板保持具56的升降係藉由載置單元16所設置之升降機構66(參照圖2)而進行。
此處，上述載置單元16的外殻係由載置用框體68所構成，其內側係成為氣密地被密閉之載置室70。於是，該載置室70便係由圖1中形成載置用框體68的上述基底板12、內面區劃壁10的下側部分、中央區劃壁6的下側部分、底板區劃壁18的左側部分及框體4之側面區劃壁19的下側部分(參照圖2)所加以區劃。
如此地，上述載置用框體68便成為連設於上述處理單元14的下部之狀態。又，上述基底板12係兼作為區劃出處理單元14之區劃壁，又，中央區劃壁6係兼作為區劃出儲存單元8之區劃壁。
然後，上述處理容器46正下方的部分與儲存單元8的容器移載埠38之間係設置有相對於基板保持具56 的晶舟58而進行基板W的移載之基板移載機構72。具體來說，該基板移載機構72係具有藉由自中央區劃壁6延伸的固定臂74來支撐上下端且直立於上下方向所設置之導引軌道76，與沿著該導引軌道76上下移動之移載臂78。該導引軌道76係包含有藉由例如馬達而受到驅動之滾珠螺桿。又，上述移載臂78係設置為複數根，且可在水平面內旋轉及屈伸，並且可在上述晶舟58與設置於上述容器移載埠38上之基板容器22之間一次性地移載複數片基板W。
又，使上述基板保持具56升降之上述升降機構66係如圖2亦有顯示般地具有直立於上下方向所設置之導引軌道80，與沿著該導引軌道80上下移動之保持臂82。該導引軌道80係包含有藉由例如馬達而受到驅動之滾珠螺桿。此處係將該導引軌道80的上端固定在基底板12，而將下端固定在底部區劃壁18。然後，上述保持臂82係延伸於水平方向，而以該保持臂82來支撐並保持上述基板保持具56的下部。
又，處理容器46之下端部外周側的載置室70內係設置有中央部的下方乃作為上述開口部44而呈開口之捕集箱84，並且，該開口部44係可開閉地設置有當將基板保持具56朝下方卸載時會被關閉之擋門部86。具體來說，該擋門部86係由相接於上述開口部44而將其密閉之擋門本體86A，與使該擋門本體86A往上下方向與水平方向移動之開閉驅動致動器 86B所構成。然後，該捕集箱84係連接有將其內部的氛圍排氣之排氣通道88，來防止處理容器46內的排氣熱流入至載置室70內。
然後，該載置室70內係設置有圍繞上述升降機構66與被卸載後的基板保持具56之第1區劃箱90、連結於上述第1區劃箱90且圍繞上述基板移載機構72之第2區劃箱92、連結於上述第1區劃箱90且圍繞上述擋門部86之第3區劃箱94、以及朝上述第1區劃箱90內噴射冷卻氣體之冷卻氣體噴射機構96。上述第1~第3各區劃箱90、92、94係分別由例如不鏽鋼般的金屬所形成。
具體來說，上述第1區劃箱90係具有圍繞上述被卸載後的基板保持具56周圍所設置之內筒98，與透過特定間隙而同心圓狀設置於該內筒98的外側之外筒100，該等內筒98與外筒100係成為雙重管構造。該等內筒98與外筒100的各上端係連接於上述捕集箱84，而各下端則連接於底板區劃壁18。
藉此，便成為會圍繞被升降之上述基板保持具56往上下方向的移動範圍。上述內筒98與外筒100的升降機構66側係沿著上下方向而成為凹陷般的狀態，該凹陷部分與上述框體4的側面區劃壁19(參照圖3)之間係設置有從兩側圍繞上述升降機構66之一對升降機構區劃壁102。
該一對升降機構區劃壁102的上端係連接於上述 基底板12及捕集箱84，而下端則連接於底部區劃壁18，藉此，便成為會圍繞上述升降機構66及其移動範圍。其結果，如圖3所示，上述內筒98內的晶舟收納區域104與升降機構收納區域106便成為連通狀態，而整體地成為氣密狀態。
又，上述內筒98係形成有對向於降下後的基板保持具56之複數氣體噴射孔108。該氣體噴射孔108係形成上述冷卻氣體噴射機構96的一部分，且遍佈上述內筒98的全周及高度方向而設置為複數個。然後，如後述般地，供應至上述內筒98與外筒100之間的間隙110之冷卻氣體便會如箭頭112所示般地從各氣體噴射孔108被噴射。然後，相對於上述內筒98與外筒100之間的間隙110而形成有用以導入非活性氣體所構成的冷卻氣體(例如氮氣)之氣體導入口114(參照圖1及圖7)，且形成有用以排出所導入的氣體之氣體排出口116(參照圖3及圖7)。
於是，上述內筒98與外筒100之間的間隙110便會具有冷卻氣體的集氣管(header)之功能。然後，上述第1區劃箱90與第2區劃箱92的連結部係設置有用以使內部相互連通或阻隔的開閉閘部122(參照圖3)。具體來說，上述第1區劃箱90之內筒98與外筒100的基板移載機構72側係以基板W能夠沿著上下方向通過之寬度而成為凹陷狀態，且於此處形成有開口部120。
該開口部120之上下方向的長度係設定為與上述晶舟58相同長度，則上述基板移載機構72的移載臂78便可通過上述開口部120來進行基板W的移載。然後，上述內筒98與外筒100之間的間隙110內係設置有用以開閉上述開口部120之上述開閉閘部122。有關該開閉閘部122的構造將敘述於後。
然後，上述第2區劃箱92係具有圍繞上述基板移載機構72與該基板移載機構72的移動範圍所設置之移載機構區劃壁124。如圖3所示，該移載機構區劃壁124的一端係連接於上述第1區劃箱90之外筒100的外面，且上述開口部120係位在其內側。
又，該移載機構區劃壁124的另一端係連接於中央區劃壁6之基板搬出入口42的兩側。又，該第2區劃箱92的頂部側及底部側亦被移載機構區劃壁124圍繞。於是，該第2區劃箱92內便成為氣密狀態的移載機構收納區域126。然後，上述移載臂78之彎曲方向上的移載機構區劃壁124係形成有容許上述移載臂78的彎曲而朝外側突出之突出部128(參照圖3)，來使移載臂78與移載機構區劃壁124不會衝撞。
然後，相對於該移載機構收納區域126而形成有用以導入非活性氣體所構成的冷卻氣體之氣體導入口130(參照圖1及圖7)，且形成有用以排出所導入的氣體之氣體排出口132(參照圖1及圖7)。
再者，上述第1區劃箱90與第3區劃箱94的連 結部，亦即第1區劃箱90的上端部側係設置有用以使內部相互連通或阻隔之開閉閘部134(參照圖4)。具體來說，上述第1區劃箱90之內筒98與外筒100的擋門部86側係以擋門本體86A能夠通過之寬度而成為凹陷狀態，且於此處形成有開口部136。於是，該開口部136便可通過擋門本體86A而相對於第1區劃箱90內進入及遠離。然後，上述內筒98與外筒100之間的間隙110內係設置有用以開閉上述開口部136之上述開閉閘部134。有關該開閉閘部134的構造將敘述於後。
然後，上述第3區劃箱94係具有圍繞上述擋門部86與該擋門部86的移動範圍所設置之擋門部區劃壁138。如圖4所示，該擋門部區劃壁138的一端係連接於上述第1區劃箱90之外筒100的外面，且上述開口部136係位在其內側。
該擋門部區劃壁138的整體為箱狀，於是，該第3區劃箱94內便成為氣密狀態的擋門部收納區域140。然後，相對於擋門部收納區域140而形成有用以導入非活性氣體所構成的冷卻氣體之氣體導入口142(參照圖1及圖7)，且形成有用以排出所導入的氣體之氣體排出口144(參照圖1及圖7)。
此處，針對開閉上述第1區劃箱90與第2及第3區劃箱92、94之間之上述2個開閉閘部122、134加以說明。該兩閘部的大小尺寸雖不同，但由於構造上 為相同，因此此處便以開閉第1與第2區劃箱90、92之間的開閉閘部122為例並參照圖5及圖6來加以說明，而省略另一開閉閘部134的說明。圖5(A)係顯示以開閉閘部來密閉開口部前的狀態，圖5(B)係顯示以開閉閘部來密閉開口部後的狀態。又，圖6係顯示圖5(A)中之B-B線箭頭的俯視圖。
該開閉閘部122係具有較開口部120的面積稍大且平行地配置之2片一對的閘板150。該2片閘板150係形成為能夠在筒體狀第1區劃箱90之內筒98與外筒100之間的間隙110內沿著其圓周方向移動之曲面狀。
上述各閘板150的下部係設置有使閘板150沿著其曲面方向而往水平方向移動之水平移動機構154。具體來說，該水平移動機構154係具有設置於上述閘板150的下端部之齒條(rock)156，與安裝在內筒98及外筒100側而與上述齒條156囓合之小齒輪(pinion)158，藉由使兩小齒輪158同步地正反旋轉，便可使該閘板150朝向開口部側水平移動。另外，上述水平移動機構154不限於齒條156與小齒輪158的組合，只要是能夠使閘板150往水平方向移動之機構，則可使用任意機構。
又，上述開口部120之周圍附近的間隙110內係設置有具有與該開口部120相同或較大的開口160之固定框162。該固定框162係位在間隙110之寬度方 向的中央，且以安裝臂163等被固定在內筒98或外筒100側。此處，安裝臂163係被固定在外筒100側。
然後，該固定框162的兩面側係對應於位在開口部120之上述閘板150的周邊部而設置有按壓銷164。該按壓銷164係沿著閘板150的周邊而相對應般地分別設置為複數個，則如圖5(B)所示般地，藉由使該等按壓銷164出沒，便可分別同步地將上述一對閘板150中的一者往內筒98側，而將另一者往外筒100側按壓來加以密閉。此情況下，上述內筒98與外筒100的對向面係沿著上述開口部120的周邊部而環狀地設置有例如O型環所構成的密封組件166，藉由將上述閘板150按壓在該密封組件166來提高密閉時的密封性。
然後，載置單元16係設置有用以使非活性氣體所構成的冷卻氣體在上述第1~第3區劃箱90、92、94內循環之圖7所示的氣體循環系統170。
該氣體循環系統170係具有供非活性氣體循環之循環通道172。該循環通道172一端的上游側係連接於上述第1區劃箱90的氣體排出口116，另一端的下游側則連接於上述第1區劃箱90的氣體導入口114，而在與上述第1區劃箱90之間形成循環系統。
然後，該循環通道172的中途係沿著氣體流動方向而依序介設有第1開閉閥172A、冷卻器192、送風機174及第2開閉閥172B，如此便可冷卻並循環使用非活性氣體。上述送風機174雖可使用例如多葉送風 機(Sirocco fan)，但未限定於此。
又，上述第1開閉閥172A與冷卻器192之間的循環通道172係分歧而設置有用以補給非活性氣體(例如N2氣體)之氣體補給通道194，該氣體補給通道194的途中係沿著氣體流動方向而依序介設有如質流控制器之流量控制器194A及開閉閥194B。再者，上述第1開閉閥172A之直接上游側的循環通道172係分歧而設置有連通於工廠管路系統之氣體排氣通道196，該氣體排氣通道196的途中係介設有開閉閥196A，來使不需要的氣體流向工廠管路系統側而在大氣中逸散。
又，係形成為亦可對上述第2及第3區劃箱92、94內供應非活性氣體。亦即補給非活性氣體之其他氣體補給通道182係分歧為2個氣體導入分歧通道178、180。然後，其中一氣體導入分歧通道178係於其途中依序介設有如質流控制器之流量控制器178A及開閉閥178B，且連接於第2區劃箱92的氣體導入口130。
又，另一氣體導入分歧通道180係於其途中依序介設有如質流控制器之流量控制器180A及開閉閥180B，且連接於第3區劃箱94的氣體導入口142。另外，上述2個氣體補給通道182、194的形成亦可由1道氣體補給通道分歧而形成另一氣體補給通道。
然後，從上述第2區劃箱92的氣體排出口132係在途中延伸有介設有開閉閥184A之氣體排氣通道184。又，從上述第3區劃箱94的氣體排出口144係 在途中延伸有介設有開閉閥186A之氣體排氣通道186。然後，上述各氣體排氣通道184、186、196會匯流成一道，而如上所述般地朝工廠管路系統側排氣。藉由上述結構，則藉由進行各開閉閥的閥操作，便可依需要來對第1~第3各區劃箱90、92、94內選擇性地供應非活性氣體。
又，上述第1~第3各區劃箱90、92、94內係分別設定有氧濃度測量器200、202、204，可測量各區劃箱90、92、94中的氧濃度。然後，將該等各氧濃度測量器200、202、204的各測量值傳達至氛圍控制部206。該氛圍控制部206係在上述氧濃度的測量值低於設定值時會供應新的N2氣體，或是伴隨著基板W的熱處理而必須非活性氣體來作為冷卻氣體時等，會依需要來進行各開閉閥的開閉動作而導入非活性氣體，以使第1~第3區劃箱90、92、94內氛圍的氧濃度經常為設定值以下。然後，上述方式所形成之處理系統2的整體動作係藉由未圖示之電腦等所構成的系統控制部而受到控制。
接著，針對上述方式所構成之本發明的處理系統的動作加以說明。首先，說明整體的流程，設置於載置室70內之第1~第3各區劃箱90、92、94內係充滿非活性氣體之氮氣氛圍，且氧濃度係設定為一定的值以下。亦即，如圖7所示，氮氣會經由氣體補給通道194而在氣體循環系統170內受到流量控制且流動， 在循環通道172流動之氮氣則會經由氣體導入口114而被導入至第1各區劃箱90內。
然後，第1區劃箱90內的氛圍會經由氣體排出口116而再次在循環通道172內流動並循環。又，氮氣亦會分別經由氣體補給通道182及氣體導入分歧通道178、180而受到流量控制且被供應至第2及第3區劃箱92、94內。此處，當第1~第3各區劃箱90、92、94內所設置之氧濃度測量器200、202、204的測量值高於氧濃度的設定值之情況，則分別個別地打開上述各氣體排氣通道184、186、196所設置之各開閉閥184A、186A、196A而朝工廠管路系統側排氣。上述第1~第3各區劃箱90、92、94內氛圍的排氣係針對各第1~第3之各區劃箱90、92、94來獨立地控制。此時，在將流動於第1區劃箱90內的氛圍排氣之情況，係關閉循環通道172的第1開閉閥172A。
如此地，在第1~第3各區劃箱90、92、94內的空氣被置換為氮氣，且所有氧濃度測量器200、202、204的測量值低於設定值後，便關閉上述氣體排氣通道196的開閉閥196A，並且打開第1開閉閥172A來使氮氣在循環通道172內循環(第2開閉閥172B係成為打開狀態)。亦即，該氮氣會在冷卻器192被冷卻，且在送風機174被壓送而循環。然後，藉由關閉氣體補給通道194的開閉閥194B來停止氮氣的供應。
此處，由於第1~第3各區劃箱90、92、94會無 法避免發生氛圍一點一點地洩漏，因此便使連通於上述各氣體補給通道182、194之開閉閥178B、180B、194B斷續地或是連續地打開來分別適當地補充不足夠的氮氣。然後，上述各氧濃度測量器200、202、204係經常地進行氧濃度的測量，而在任一氧濃度測量器的測量值高於設定值之情況，會立即如上所述般地對該區劃箱內供應新的氮氣，同時，由於該區劃箱內的氛圍係含有濃度為設定值以上的氧，因此便會經由氣體排氣通道184、186、196而朝工廠管路系統側被排氣。然後，在第1區劃箱90內，當氧濃度的測量值成為設定值以下後，便再度循環使用氮氣。上述動作在以下所說明之基板W的熱處理中亦經常地進行。
如上所述地，在第1~第3各區劃箱90、92、94內的氛圍被置換為氮氣之狀態下進行基板W的熱處理。首先，於前步驟中處理結束後的複數片基板W係在被收納於充滿非活性氣體的氮氣氛圍之基板容器22內之狀態下設置於處理系統2前側的搬出入埠24上。設置於該搬出入埠24之基板容器22會在打開該搬出入埠24的開閉門26後藉由容器移載機構32的容器搬送臂36被保持，並被置放在儲存單元8內。
該被置放的基板容器22會暫時地載置於儲存架30上而待機。然後，當輪到處理順序時，係再度使用上述容器移載機構32來將該基板容器22載置於中央區劃壁6所設置之容器移載埠38上。將基板容器22 載置於該容器移載埠38上後，便打開相反側之基板搬出入口42側的開閉門40。
此時，藉由設置於基板搬出入口42之蓋開閉機構(未圖示)來同時卸下基板容器22的蓋22A並開放基板容器22內。此情況下，以未圖示之致動器來將上述容器移載埠38上所載置的基板容器22按壓在基板搬出入口42的周緣部而成為氣密狀態，如此地在按壓狀態下將上述基板容器22的蓋22A連同載置室70內的開閉門40一起開放。
然後，使用載置室70內之基板移載機構72的移載臂78來將上述基板容器22內的全部基板W移載至被卸載之基板保持具56的晶舟58上。此時，設置於第1與第2區劃箱90、92的連結部之開閉閘部122會往橫向滑移而將開口部120開放。然後，藉由重複上述操作，來將複數基板容器22內的基板W全部移載至晶舟58，而成為例如滿載狀態。此時，移載臂78係為了移載而沿著晶舟58的高度方向上下移動。
如上所述地，若基板W已滿載於晶舟58後，便使上述開閉閘部122往關閉方向滑移來關閉開口部120，並且驅動上述升降機構66來使保持臂82上升，再將該晶舟58從其下方朝處理單元14的處理容器46內***，而如圖1中之假想線所示般地將基板W載置於處理容器46內。此時，處理容器46下端的開口部44所設置之擋門本體86A會被收納在第3區劃箱94 內，來使上述開口部44成為開放狀態。然後，藉由使包含有晶舟58之基板保持具56完全地上升而被載置，而藉由上述蓋62來密閉處理容器46下端的開口部44。
如此地，在密閉處理容器46內後，便藉由處理容器46的外周所設置之加熱部54來將處理容器46內所載置之基板W升溫至製程溫度，並將特定處理氣體導入至該處理容器46內且維持在特定的製程壓力，來施予成膜處理等之特定的熱處理。
如此地，針對基板W之特定的熱處理結束後，便進行與前述動作相反的操作來將處理後的基板W搬出。首先，藉由驅動升降機構66並降下保持臂82，來將包含有晶舟58之基板保持具56從處理容器46內朝下方取出而將基板W卸載。
此時，設置於第1與第3區劃箱90、94的連結部之開口部136係以開閉閘部134來預先關閉(參照圖4)，又，設置於第1與第2區劃箱90、92的連結部之開口部120係以開閉閘部122來預先關閉(參照圖3)，而使載置室70內預先成為密閉狀態。然後，在開始晶舟58之降下的同時，從冷卻氣體噴射機構96的各氣體噴射孔108如圖3中之箭頭112所示般地噴射冷卻氣體，來冷卻高溫狀態下之降下中的基板W。
亦即，此處係如圖7所示般地，藉由打開連通於載置室70之循環通道172的第2開閉閥172B，來將 冷卻氣體從氣體導入口114導入至內筒98與外筒100之間的間隙110內，並藉由將該導入後的冷卻氣體如上所述般地從各氣體噴射孔108自基板W的周圍朝向基板W持續噴射，來冷卻基板W。
然後，在基板保持具56的卸載結束後之時間點下，使設置於第1與第3區劃箱90、94的連結部之開閉閘部134往間隙110內滑移來打開開口部136，然後，驅動收納在第3區劃箱94內之擋門部86，而藉由該擋門本體86A來關閉捕集箱84的開口部(即處理容器46的開口部44)，以使熱排氣不會流入至載置室70內(參照圖4)。
然後，從上述氣體噴射孔108所噴射之冷卻氣體(氮氣)會從氣體排出口116(參照圖7)流出且經由循環通道172流動。然後，由於該冷卻氣體會因基板W的冷卻而成為高溫，因此在以冷卻器192被冷卻後，會再度在循環通道172內流動且被循環使用。
此時，傳統的處理系統由於係遍佈大容量的載置室整體而流有氮氣所構成的冷卻氣體，因此必需要有多量的氮氣，並且由於冷卻效率不高，因此必需花費較長時間來冷卻，但本發明的情況，由於係使冷卻氣體在載置室70內所區劃設置之容量較小的第1區劃箱90內流動，因此氮氣的使用量較少，且由於係從基板W的圓周方向來噴附冷卻氣體，因此可提高冷卻效率而在短時間內迅速地冷卻基板W。
然後，藉由上述冷卻操作來使基板W冷卻至特定溫度，並在確認第2區劃箱92內(移載機構收納區域126內)所設置之氧濃度測量器202(參照圖7)的測量值為特定濃度值以下後，便關閉開閉閥178B來停止從冷卻氣體噴射機構96的氣體噴射孔108所噴射之冷卻氣體。然後，使設置於第1與第2區劃箱90、92的連結部之開閉閘部122往間隙110內滑移來打開開口部120，而使該晶舟收納區域104與移載機構收納區域126相連通(參照圖3)。
然後，上述被冷卻至特定溫度後的基板W係經由與前述搬送路徑相反的路徑而被搬出。亦即，晶舟58中之處理後的基板W係藉由基板移載機構72的移載臂78而被取出，並將該基板W收納在容器移載埠38上所載置之空的基板容器22內。然後，一起關閉該容器移載埠38的開閉門40及基板容器22的蓋22A後，使用容器移載機構32的容器搬送臂36來將該處理後的基板容器22暫時地保管在儲存架30內，或是直接搬出至搬出入埠24。之後則如前述般將未處理的基板W移載至晶舟58來重複進行熱處理。
如此地，由於本發明係使非活性氣體在大容量的載置室70內所分離區劃而形成之較小容量的第1~第3區劃箱90、92、94內流動，因此可大幅削減所使用之非活性氣體的使用量。特別是，為了冷卻處理後之高溫狀態的基板W而導入冷卻氣體的情況，由於係將流 至第1區劃箱90的內筒98與外筒100之間所形成的間隙110之冷卻氣體從內筒98所設置之多個氣體噴射孔108朝向基板W噴射，因此使用於冷卻之冷卻氣體的流量只要非常少量即可，從而可減少氣體使用量。並且，由於係接近基板W的周緣部而設置有氣體噴射孔108，因此可在短時間內且有效率地冷卻基板W，其結果，可提高熱處理的產能。
如上所述地，依據本發明，便可在使保持有複數片基板之基板保持具56相對於對基板W施予熱處理的筒體狀處理容器46作升降之載置單元16中，以第1~第3區劃箱90、92、94來區劃僅有載置室內的所需部分，且藉由將非活性氣體導入至該區劃箱內，來大幅削減非活性氣體的使用量，且亦可提高冷卻效率。又，由於可提高冷卻效率來迅速地冷卻，因此亦可提高對於基板之熱處理的產能。
<第1變形實施例>
接著，針對本發明之載置單元的第1變形實施例加以說明。先前說明的實施例雖係針對第1區劃箱90內之朝晶舟收納區域104內降下中的基板保持具56，而從內筒98所設置之多個氣體噴射孔108來均等地噴附冷卻氣體，但除了從上述多個氣體噴射孔108來噴射氣體以外，亦可針對上述基板保持具56的熱容量較大之部分(即保溫筒60)來噴射特別多量的冷卻氣體，而更加提高基板保持具56整體的冷卻效率。圖8係顯 示上述般本發明之載置單元的第1變形實施例之部分放大剖視圖。圖8中，與圖1及圖2所示之結構部分相同的結構部分則賦予相同的參考符號，而省略其說明。
如圖8所示，此處，係設置有在上述基板保持具56的降下時，會對應於上述保溫筒60而降下之輔助冷卻機構210。具體來說，該輔助冷卻機構210係具有在第1區劃箱90的晶舟收納區域104內直立於上下方向所設置之複數根(例如2根)導引軌道212，與沿著該導引軌道212上下移動之環狀的中空狀冷卻氣體集氣管(gas header)214。該導引軌道212係包含有藉由例如馬達而受到驅動之滾珠螺桿。
該冷卻氣體集氣管214之上下方向的寬度係設定為例如與保溫筒60的高度大致相同，且該冷卻氣體集氣管214內係連接有從上述循環通道172(參照圖7)分歧所設置之例如蛇腹管般之可自由伸縮且具可撓性的氣體通道215。然後，該冷卻氣體集氣管214的內周面側係沿著其圓周方向而形成有複數氣體噴射孔216，來朝向位在其內側之保溫筒60噴附冷卻氣體。
此第1變形實施例係在結束基板W的熱處理且將基板保持具56從處理容器46降下而卸載時，會從內筒98所設置之多個氣體噴射孔108來噴射冷卻氣體，同時，連動於上述基板保持具56的保溫筒60，亦一起降下該輔助冷卻機構210的環狀冷卻氣體集氣管 214。然後，在該降下的同時，從該冷卻氣體集氣管214所設置之氣體噴射孔216來對上述保溫筒60而自其圓周方向來噴附冷卻氣體，以冷卻該熱容量較大的保溫筒60。藉此，由於可較先前實施例的情況要更有效率且在短時間內冷卻該保溫筒60，因此可更加提高熱處理的產能。
另外，上述各實施例中導入非活性氣體的情況，在使用氣體排氣通道196的開閉閥196A來將氣體排氣時，雖係使第1開閉閥172A為關閉狀態來使非活性氣體不會循環，但不限於此，而亦可使用可調整閥開度的開閉閥(亦即可調整流量的開閉閥)來作為例如上述氣體排氣通道196的開閉閥196A、第1開閉閥172A及氣體補給通道194的開閉閥194A，而使循環中之非活性氣體的一部分從氣體排氣通道196排氣並循環使用殘餘的非活性氣體，並且從氣體補給通道194補充不足量的非活性氣體。又，上述非活性氣體雖係以使用N2氣體的情況為例來加以說明，但不限於此，而亦可使用He、Ar等之稀有氣體。又，圖7中雖未圖示，第1~第3區劃箱90、92、94亦分別設置有供應清淨空氣之供應系統。
又，圖7所說明之氣體循環系統170僅係顯示一例，而未限定於此處的結構。又，上述各實施例中雖係將容器移載埠38形成為台座狀來將處理容器22載置於其上，但不限於此，而亦可設置有可開閉的密閉 型容器收納室來作為容器移載埠38。此情況下，該容器收納室亦可與例如第2區劃箱92內同樣地設置有非活性氣體的導入口、排氣口及氧濃度測量器來導入非活性氣體，而成為與第2區劃箱92內等同樣地受到管理之氛圍。又，圖7中雖未圖示，第1~第3區劃箱90、92、94亦分別設置有供應清淨空氣之供應系統。
又，此處雖係以半導體晶圓作為基板之範例來加以說明，但該半導體晶圓亦包含有矽基板或GaAs、SiC、GaN等之化合物半導體基板，再者，不限於該等之基板，而亦可將本發明適用於使用於液晶顯示裝置之玻璃基板或陶瓷基板等。
依據本發明之載置單元及處理系統，可發揮以下優異的作用效果。可在使保持有複數片基板之基板保持具相對於對基板施予熱處理的筒體狀處理容器作升降之載置單元中，以區劃箱來區劃僅有載置室內的所需部分，且藉由將非活性氣體導入至該區劃箱內，來大幅削減非活性氣體的使用量，且亦可提高冷卻效率。又，由於可提高冷卻效率來迅速地冷卻，因此亦可提高對於基板之熱處理的產能。
本申請案係依據2011年4月20日所申請之日本專利申請第2011-094365號而主張優先權，並以該日本申請案的全部內容作為參考文獻而援用於此。
W‧‧‧基板
2‧‧‧處理系統
4‧‧‧框體
6‧‧‧中央區劃壁
8‧‧‧儲存單元
10‧‧‧內面區劃壁
12‧‧‧基底板
14‧‧‧處理單元
16‧‧‧載置單元
18‧‧‧底板區劃壁
19‧‧‧側面區劃壁
20‧‧‧前面區劃壁
22‧‧‧基板容器
22A‧‧‧蓋
24‧‧‧搬出入埠
26‧‧‧開閉門
30‧‧‧儲存架
32‧‧‧容器移載機構
34‧‧‧導引軌道
36‧‧‧容器搬送臂
38‧‧‧容器移載埠
40‧‧‧開閉門
42‧‧‧基板搬出入口
46‧‧‧處理容器
48‧‧‧容器本體
50‧‧‧分歧管
51‧‧‧氣體供應系統
53‧‧‧排氣系統
54‧‧‧加熱器部
56‧‧‧基板保持具
58‧‧‧晶舟
60‧‧‧保溫筒
62‧‧‧蓋
64‧‧‧密封組件
66‧‧‧升降機構
68‧‧‧載置用框體
70‧‧‧載置室
72‧‧‧基板移載機構
74‧‧‧固定臂
76‧‧‧導引軌道
78‧‧‧移載臂
80‧‧‧導引軌道
82‧‧‧保持臂
84‧‧‧捕集箱
86‧‧‧擋門部
86A‧‧‧擋門本體
86B‧‧‧開閉驅動致動器
88‧‧‧排氣通道
90‧‧‧第1區劃箱
92‧‧‧第2區劃箱
94‧‧‧第3區劃箱
96‧‧‧冷卻氣體噴射機構
98‧‧‧內筒
100‧‧‧外筒
102‧‧‧升降機構區劃壁
104‧‧‧晶舟收納區域
106‧‧‧升降機構收納區域
108‧‧‧氣體噴射孔
110‧‧‧間隙
114‧‧‧氣體導入口
116‧‧‧氣體排出口
120‧‧‧開口部
122‧‧‧開閉閘部
124‧‧‧移載機構區劃壁
126‧‧‧移載機構收納區域
128‧‧‧突出部
130、142‧‧‧氣體導入口
132、144‧‧‧氣體排出口
134‧‧‧開閉閘部
136‧‧‧開口部
138‧‧‧擋門部區劃壁
140‧‧‧擋門部收納區域
圖1係顯示具備有本發明載置單元之處理系統整體之剖視圖。
圖2為沿圖1中的A-A線之剖視圖。
圖3係顯示基板移載機構的一部分之橫剖視圖。
圖4係顯示擋門部的一部分之橫剖視圖。
圖5係顯示開閉閘部一例之剖視圖。
圖6係顯示開閉閘部一例之俯視圖。
圖7係顯示使用於冷卻氣體噴射機構之非活性氣體(冷卻氣體)的氣體循環系統一例之系統圖。
圖8係顯示本發明載置單元的第1變形實施例之部分放大剖視圖。
W‧‧‧基板
4‧‧‧框體
18‧‧‧底板區劃壁
19‧‧‧側面區劃壁
44‧‧‧開口部
46‧‧‧處理容器
48‧‧‧容器本體
50‧‧‧分歧管
51‧‧‧氣體供應系統
53‧‧‧排氣系統
54‧‧‧加熱器部
56‧‧‧基板保持具
58‧‧‧晶舟
62‧‧‧蓋
66‧‧‧升降機構
68‧‧‧載置用框體
70‧‧‧載置室
80‧‧‧導引軌道
82‧‧‧保持臂
84‧‧‧捕集箱
86A‧‧‧擋門本體
90‧‧‧第1區劃箱
96‧‧‧冷卻氣體噴射機構
98‧‧‧內筒
100‧‧‧外筒
104‧‧‧晶舟收納區域
106‧‧‧升降機構收納區域
108‧‧‧氣體噴射孔
114‧‧‧氣體導入口
116‧‧‧氣體排出口
144‧‧‧氣體排出口

Claims (7)

  1. 一種載置單元，係為了對基板施予熱處理，而使保持有複數片該基板之基板保持具相對於下端呈開口且藉由蓋體被封閉的筒體狀處理容器作升降，其具備有：載置用框體，係圍繞外側整體而形成載置室；升降機構，係保持該基板保持具並使其升降；擋門部，係在該基板保持具降下時會關閉該處理容器下端的開口部；基板移載機構，係為了相對於降下後的該基板保持具進行該基板的移載而具有可升降的移載臂；第1區劃箱，係圍繞該升降機構並圍繞被升降之該基板保持具的移動範圍般所設置；第2區劃箱，係連結於該第1區劃箱，而圍繞該基板移載機構與該基板移載機構的移動範圍般所設置；以及第3區劃箱，係連結於該第1區劃箱，而圍繞該擋門部般所設置；其中，該第1區劃箱係設置有對該第1區劃箱的內側噴射冷卻氣體之冷卻氣體噴射機構。
  2. 如申請專利範圍第1項之載置單元，其中該冷卻氣體噴射機構係具有對向於降下後的該基板保持具所設置之複數氣體噴射孔。
  3. 如申請專利範圍第1項之載置單元，其中該第 1區劃箱與該第2區劃箱的連結部係設置有用以使內部相互連通或阻隔之開閉閘部。
  4. 如申請專利範圍第1項之載置單元，其中該第1區劃箱與該第3區劃箱的連結部係設置有用以使內部相互連通或阻隔之開閉閘部。
  5. 如申請專利範圍第1項之載置單元，其係設置有相對於該各區劃箱而用以導入非活性氣體之氣體導入口，與用以排出內部的氛圍之氣體排出口。
  6. 如申請專利範圍第1項之載置單元，其中該基板保持具係具有支撐該基板之晶舟與支撐該晶舟的下端部之保溫筒，且設置有在該基板保持具降下時會對應於該保溫筒而降下之輔助冷卻機構。
  7. 一種處理系統，其具備有：處理單元，係對基板施予熱處理；如申請專利範圍第1項之載置單元，係設置於該處理單元的下方；以及儲存單元，係並排設置於該載置單元，來使收納有複數片該基板之基板容器待機。
TW101113887A 2011-04-20 2012-04-19 載置單元及處理系統 TWI517286B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011094365A JP5779957B2 (ja) 2011-04-20 2011-04-20 ローディングユニット及び処理システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201314824A true TW201314824A (zh) 2013-04-01
TWI517286B TWI517286B (zh) 2016-01-11

Family

ID=47021470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101113887A TWI517286B (zh) 2011-04-20 2012-04-19 載置單元及處理系統

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9230843B2 (zh)
JP (1) JP5779957B2 (zh)
KR (1) KR101610992B1 (zh)
CN (1) CN102751222B (zh)
TW (1) TWI517286B (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI534929B (zh) * 2012-10-23 2016-05-21 日立國際電氣股份有限公司 基板處理設備、清除設備、製造半導體裝置的方法及記錄媒體
JP6191853B2 (ja) * 2012-11-21 2017-09-06 Tdk株式会社 ロードロックチャンバ
KR101398949B1 (ko) * 2013-01-15 2014-05-30 주식회사 유진테크 기판처리장치
JP5888288B2 (ja) * 2013-06-26 2016-03-16 株式会社ダイフク 物品保管設備の検査装置
JP6345134B2 (ja) * 2015-02-23 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 冷却装置及びこれを用いた熱処理装置、並びに冷却方法
CN104681402B (zh) * 2015-03-16 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 基板加热装置和基板加热方法
SG11201800143RA (en) * 2015-08-04 2018-02-27 Hitachi Int Electric Inc Substrate processing device, semiconductor device manufacturing method, and recording medium
JP6600408B2 (ja) * 2016-03-24 2019-10-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
FR3057391B1 (fr) * 2016-10-11 2019-03-29 Soitec Equipement de traitement thermique avec dispositif collecteur
US10262884B2 (en) * 2016-11-10 2019-04-16 Applied Materials, Inc. Systems, apparatus, and methods for an improved load port
JP6735686B2 (ja) * 2017-01-20 2020-08-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板の冷却方法
JP6896447B2 (ja) * 2017-02-14 2021-06-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6811638B2 (ja) * 2017-02-14 2021-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法及びその装置
CN107093652B (zh) * 2017-06-23 2020-02-21 浙江光隆能源科技股份有限公司 一种双85抗pid多晶太阳能电池片的制作工艺
TWI709163B (zh) * 2017-09-26 2020-11-01 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
JP7132483B2 (ja) * 2018-03-15 2022-09-07 シンフォニアテクノロジー株式会社 密閉設備
JP7339853B2 (ja) * 2019-10-31 2023-09-06 株式会社ジェイテクトサーモシステム 熱処理装置
CN111407110B (zh) * 2020-03-02 2024-03-19 精电有限公司 一种座椅调整方法、装置、电子设备和介质
CN113451183B (zh) * 2020-06-03 2023-03-31 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种晶圆盒

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5181819A (en) * 1990-10-09 1993-01-26 Tokyo Electron Sagami Limited Apparatus for processing semiconductors
US5303671A (en) * 1992-02-07 1994-04-19 Tokyo Electron Limited System for continuously washing and film-forming a semiconductor wafer
JP3330169B2 (ja) 1993-01-21 2002-09-30 東京エレクトロン株式会社 ガスシャワーノズルを備えた縦型熱処理装置
KR100251873B1 (ko) * 1993-01-21 2000-04-15 마쓰바 구니유키 종형 열처리 장치
JP3239977B2 (ja) * 1994-05-12 2001-12-17 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
US20020104206A1 (en) * 1996-03-08 2002-08-08 Mitsuhiro Hirano Substrate processing apparatus
JP4578615B2 (ja) 1999-07-21 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3941359B2 (ja) 2000-08-23 2007-07-04 東京エレクトロン株式会社 被処理体の処理システム
KR100345304B1 (ko) * 2000-10-12 2002-07-25 한국전자통신연구원 수직형 초고진공 화학증착장치
JP2003007800A (ja) * 2001-06-21 2003-01-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2003017543A (ja) * 2001-06-28 2003-01-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および搬送装置
JP2004235425A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Seiko Epson Corp 縦型炉および半導体装置の製造方法
KR100712783B1 (ko) * 2003-03-25 2007-05-02 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 용기, 용기제조 방법, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의제조 방법
JP4047826B2 (ja) * 2004-03-25 2008-02-13 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び移載機構の自動教示方法
WO2006049055A1 (ja) * 2004-11-01 2006-05-11 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法
WO2007040062A1 (ja) 2005-10-04 2007-04-12 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP4327206B2 (ja) * 2007-01-30 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び縦型熱処理方法
JP2010086986A (ja) * 2008-09-29 2010-04-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2012049342A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および基板処理方法
JP5243569B2 (ja) * 2011-03-07 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5296132B2 (ja) * 2011-03-24 2013-09-25 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5614352B2 (ja) * 2011-03-29 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 ローディングユニット及び処理システム
JP5760617B2 (ja) * 2011-04-07 2015-08-12 東京エレクトロン株式会社 ローディングユニット及び処理システム
JP6159536B2 (ja) * 2012-03-05 2017-07-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理装置の保守方法及び移載方法並びにプログラム
TWI534929B (zh) * 2012-10-23 2016-05-21 日立國際電氣股份有限公司 基板處理設備、清除設備、製造半導體裝置的方法及記錄媒體

Also Published As

Publication number Publication date
CN102751222B (zh) 2016-03-16
KR20120120052A (ko) 2012-11-01
US9230843B2 (en) 2016-01-05
JP5779957B2 (ja) 2015-09-16
KR101610992B1 (ko) 2016-04-08
TWI517286B (zh) 2016-01-11
JP2012227392A (ja) 2012-11-15
CN102751222A (zh) 2012-10-24
US20120269603A1 (en) 2012-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI517286B (zh) 載置單元及處理系統
JP4860167B2 (ja) ロードロック装置，処理システム及び処理方法
KR101664939B1 (ko) 로드록 장치
KR101524905B1 (ko) 일괄식 처리 장치
KR20180118523A (ko) 기판 가열 장치
JP2003007800A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP3585215B2 (ja) 基板処理装置
JP5614352B2 (ja) ローディングユニット及び処理システム
JP3599322B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2002083859A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JPWO2005083760A1 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
KR101150772B1 (ko) 반도체 열처리방법 및 반도체 열처리장치
JP2003092329A (ja) 基板処理装置
JP2002324790A (ja) 基板処理装置
JP4051358B2 (ja) 基板処理装置
JP3557382B2 (ja) 基板処理装置
KR100364089B1 (ko) 진공 버퍼 챔버를 구비한 핫플레이트 장치
JP2008112922A (ja) 基板処理装置
KR20230099544A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20230064401A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2004023032A (ja) 半導体製造装置
JP5955052B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム
JP4203252B2 (ja) 半導体製造装置
JP2001102374A (ja) 膜形成システム
JP3530810B2 (ja) 基板処理方法