TW201308713A - 有機發光顯示器及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

揭露一種有機發光顯示器及製造該有機發光顯示器的方法。在一實施例中，有機發光顯示器包含：i)像素電極，其係設置於基板上、ii)相反電極，其係設置相反於像素電極、iii)有機發射層，其係設置於像素電極與相反電極之間；一光散射部分，其係設置於基板與有機發射層之間，其包含在具有不同折射率的絕緣層中用於散射從有機發射層所發射的光之複數個散射圖樣。有機發光顯示器可更包含複數個光吸收部分，其係設置於光散射部分與有機發射層之間以對應散射圖樣。

Description

有機發光顯示器及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於西元2011年8月9日向韓國智慧財產局申請，申請案號為10-2011-0079148之韓國專利申請案之優先權效益，其揭露之完整內容於此併入作為參考。
所述技術一般係關於一種有機發光顯示器及其製造方法。
有機發光顯示器由於其不僅可以低電壓而驅動、輕且薄、並且具有廣視角及優異的對比度，且亦具有快速的反應時間，因而被視為下一代的顯示器而受到注目。
發明的一態樣係為一種有機發光顯示器，其使用簡單製程而製造且具有降低的依據視角之顏色偏移、以及該有機發光顯示器的製造方法。
另一態樣係為一種有機發光顯示器，其使用簡單製程而製造且其藉由應用包含複數個散射圖樣的共振結構而具有改善的依據視角的顏色偏移、以及該有機發光顯示器的製造方法。
另一態樣是一種有機發光顯示器，其包含：像素電極，其係設置於基板上；相反電極，其係設置相反於像素電極；有機發射層，其係設置於像素電極與相反電極之間；光散射部分，其係設置於基板與有機發射層之間，且包含在具有不同折射率的複數個絕緣層中用於散射從有機發射層發射的光之複數個散射圖樣；以及複數個光吸收部分，其係設置於光散射部分與有機發射層之間以對應複數個散射圖樣。
每一複數個光吸收部分可包含半導體材料。
包含於光散射部分的複數個絕緣層可包含至少一對高折射率層及低折射率層。
高折射率層可包含矽氮化物(silicon nitride)，而低折射率層可包含矽氧化物(silicon oxide)。
複數個散射圖樣可形成於高折射率層中。
複數個散射圖樣可彼此相隔。
複數個散射圖樣可以固定間距彼此相隔。
每一複數個散射圖樣可圖樣化以具有圓形形狀。
有機發光顯示器可更包含額外絕緣層，其係設置於光散射部分上以覆蓋複數個光吸收部分。
覆蓋複數個光吸收部分的額外絕緣層可包含至少一對高折射率層及低折射率層。
高折射率層可包含矽氮化物，而低折射率層可包含矽氧化物。
有機發光顯示器可更包含薄膜電晶體，其係設置於基板上以相對於像素電極而橫向分隔，並包含主動層、閘極電極、源極電極及汲極電極；以及電容，其包含上電極及下電極。
薄膜電晶體的主動層可包含與複數個光吸收部分相同的材料。
電容的下電極可包含與複數個光吸收部分相同的材料。
覆蓋複數個光吸收部分的額外絕緣層可設置以延伸於主動層與閘極電極之間、以及下電極與上電極之間。
光散射部分可設置以於主動層及下電極下延伸。
包含於光散射部分的複數個散射圖樣可設置於僅對應至像素電極的區域。
複數個光吸收部分可分別實質地直接形成於複數個散射圖樣上。
另一態樣為製造有機發光顯示器之方法，其中該方法包含：形成複數個絕緣層於基板上，該絕緣層包含至少一對高折射率層及低折射率層，且在最頂端處具有高折射率層；藉由圖樣化設置於絕緣層最頂端處的高折射率層而形成複數個散射圖樣以散射光；形成至少一第一絕緣層以覆蓋複數個散射圖樣；形成光吸收層以在覆蓋複數個散射圖樣之至少一第一絕緣層上吸收光；藉由圖樣化吸收光的光吸收層而形成複數個光吸收部分，以對應至複數個散射圖樣；形成第二絕緣層以覆蓋複數個光吸收部分；以及依序地於第二絕緣層上形成像素電極、有機發射層、及相反電極以覆蓋複數個光吸收部分。
形成複數個散射圖樣以及形成複數個光吸收部分可藉由使用相同遮罩而執行。
形成複數個散射圖樣可包含：形成複數個散射圖樣、以及形成彼此相隔的複數個散射圖樣。
複數個散射圖樣可以固定間距而彼此相隔。
每一複數個散射圖樣可形成以具有圓形形狀。
在有機發光顯示器中，電壓係提供至陽極與陰極之間，電子和電洞會在設置於陽極與陰極之間的有機發射層中結合以使激子於該處形成，並於激子從激發態轉變為基態時發射光。
有機發光顯示器具有廣發射波長範圍，因此發光效率降低且色彩純度減少。由於從有機發射層發射的光沒有方向性，因此在預定方向發射的光子之中，許多光子因為全內反射(total internal reflection)而無法抵達觀賞者，從而降低了有機發光顯示器的萃取效率。因此，為了要增加發光效率，藉由使用分佈式布拉格反射鏡(distributed Bragg reflector (DBR) mirror)或調整有機層的厚度而在有機發光顯示器中形成共振結構。然而，儘管共振層改善了發光效率，仍可能依據視角而發生顏色偏移。
現將參照附圖詳述實施例。
第1圖為根據一實施例之有機發光顯示器1的剖面示意圖。
參照第1圖，設置於基板10上像素區域PXL中的光散射部分20包含複數個絕緣層20-1、20-2、20-3、20-4，絕緣層20-3包含散射圖樣。複數個光吸收部分130係設置於光散射部分20上以對應絕緣層20-3的散射圖樣，且第一像素電極151、有機發射層91、以及相反電極92係依序地設置於光吸收部分130上。在一實施例中，光吸收部分130係實質上直接在絕緣層20-3的散射圖樣上形成。
薄膜電晶體區域TFT以及電容區域CAP係設置於像素區域PXL的一側。薄膜電晶體區域TFT包含在基板10上之主動層230、第一閘極電極251及第二閘極電極252、以及源極電極271及汲極電極272，而電容區域CAP包含在基板10上之下電極330及第一上電極351。
基板10可由主要成分為二氧化矽(SiO2)的透明玻璃材料所製成。基板10可以各種材料製成，例如，透明塑膠。
光散射部分20包含具有至少一對高折射率層及低折射率層的絕緣層20-1、20-2、20-3、20-4。在本實施例中，光散射部分20包含四個絕緣層。此外，高折射率層係設置於最底端的位置，而一低折射率層、一高折射率層、以及一低折射率層係依序地堆疊於該高折射率層上。光散射部分20亦可交替地包含二個或多個具有不同折射率的層。交替設置的低折射率層及高折射率層藉由形成分佈式布拉格反射共振結構而改善了有機發光顯示器1的光萃取效率以及色彩再現範圍。
高折射率層及低折射率層表示具有相對不同的折射率之層。高折射率層可由選自矽氮化物(SiNx)、二氧化鈦(TiO2)、四氮化三矽(Si3N4)、四氧化二鉭(Ta2O4)、五氧化二鈮(Nb2O5)的群組之材料所製成，而低折射率層可由矽氧烷基(siloxane-based)材料或二氧化矽所製成。當設置複數個高折射率層時，高折射率層可由可提供於低折射率層的同樣或不同材料所製成。
絕緣層20-3包含用來散射從有機發射層91發射的光之散射圖樣。包含散射圖樣的絕緣層20-3可為高折射率層。
本實施例的有機發光顯示器1包含之散射圖樣僅位於對應至像素區域PXL的區域。雖然絕緣層20-3係完全被蝕刻而因此並無位於薄膜電晶體區域TFT及電容區域CAP中，但實施例並不受此所限。
舉例來說，複數個散射圖樣可以固定間距彼此分隔。此外，散射圖樣可具有圓形形狀，亦即，凸形狀，例如透鏡。散射圖樣亦可包含具有各種形狀的剖面，例如三角形狀、四角形狀、五角形狀、六角形狀、八角形狀等。雖然第1圖所繪示為三個散射圖樣，其亦可由四個或多個散射圖樣形成。
入射至具有散射圖樣的絕緣層20-3上之光係廣泛地藉由散射圖樣而反射。因此可減少橫向發射的光之顏色偏移。
光散射部分20可作為具有複數個散射圖樣的分佈式布拉格反射共振結構以改善光萃取效率，且由於分佈式布拉格反射共振結構而降低顏色偏移。此外，光散射部分20可作為緩衝層以避免雜質自基板10滲入並平坦化基板10的表面。
光吸收部分130係設置於光散射部分20上的像素區域PXL。光吸收部分130係設置以對應包含於光散射部分20的散射圖樣。光吸收部分130可以半導體材料如非晶矽或多晶矽所製成。光吸收部分130亦可由其他各種能夠吸收光的材料所製成。
一部分由有機發射層91所發射的光係入射至光吸收部分130並被吸收。因此，由有機發射層91所發射的光係直接入射於包含在光散射部分20中的散射圖樣並穿越基板10，從而減少了光直接發射至外部的強度。據此，由於僅有入射至光吸收部分130以外區域的光不被光吸收部分130所吸收而朝向光散射部分20發射，並因此藉由包含於光散射部分20的散射圖樣所散射，所以發射自有機發光顯示器1前面及側面之光可實質地均勻分佈，因而改善了視角。
絕緣層40係設置於光散射部分20上以覆蓋光吸收部分130。絕緣層40可包含一個或多個選自由二氧化矽、矽氮化物、氮氧化矽(SiON)等所組成的群組的材料。舉例來說，在本實施例中，覆蓋光吸收部分130的絕緣層40係配置為單層。
第一像素電極151、有機發射層91、以及相反電極92係依序地設置於絕緣層40上。
第一像素電極151可以透明或半透明導電材料所製成。透明/半透明導電材料可包含選自氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide, IZO)、氧化鋅(zinc oxide, ZnO)、三氧化二銦(indium oxide, In2O3)、氧化銦鎵(indium gallium oxide, IGO)、氧化鋅鋁(aluminium zinc oxide, AZO)的群組之至少一種材料。第二像素電極152可分別設置於第一像素電極151的兩邊緣部分。第二像素電極152可由選自鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)的群組之金屬材料所製成以具有單層結構或多層結構。第二像素電極152可在製造製程中保護第一像素電極151。
有機發射層91可以低分子量有機材料或高分子量有機材料所製成。當有機發射層91係以低分子量有機材料所製成時，電洞傳輸層(HTL),、電洞注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)、以及電子注入層(EIL)可圍繞有機發射層91而堆疊，或也可在需要時另外堆疊其他各種層。在這方面，各種可用的有機材料之示例可包含銅酞菁(copper phthalocyanine, CuPc)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-聯苯胺(N,N’-di(naphthalene-1-yl)-N,N’- diphenyl-benzidine, NPB)、三-8-羥基喹啉鋁( tris-8-hydroxyquinoline aluminum, Alq3)等。當有機發射層91係由高分子量有機材料所製成時，有機發射層91可於發射層外另外包含電洞傳輸層(HTL)。電洞傳輸層可由聚-(2,4)-乙烯基-二氧基噻吩( poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene, PEDOT)、聚苯胺(polyaniline, PANI)等所製成。在這方面，可使用之有機材料之示例可包含聚苯伸乙烯基(polyphenylene vinylene-based, PPV-based)高分子量有機材料以及聚芴基(polyfluorene-based)高分子量有機材料等。
相反電極92可為包含反射材料的反射電極。在本實施例中，第一像素電極151作為陽極，而相反電極92作為陰極。然而，第一像素電極151亦可作為陰極，而相反電極92可作為陽極。相反電極92可包含選自鋁(Al)、鎂(Mg)、鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、以及氟化鋰/鋁(LiF/Al)的群組中之一個或多個材料。由於相反電極92為反射電極，因此由有機發射層91所發射的光係藉由相反電極92所反射，穿過由透明/半透明導電材料所製成的第一像素電極151而朝向基板10發射。在這方面，包含於光散射部分20的分佈式布拉格反射共振結構可增加有機發光顯示器1的光萃取效率以及色彩再現範圍。此外，如上所述，有機發光顯示器1的顏色偏移可由於光吸收部分130以及包含於光散射部分20的散射圖樣而降低。
主動層230、與主動層230絕緣的第一閘極電極251及第二閘極電極252、以及源極電極271與汲極電極272係設置於光散射部分20上的薄膜電晶體區域TFT中。
主動層230可由例如非晶矽或多晶矽的半導體材料所製成，或可由或不可由例如用於形成光吸收部分130的相同材料所製成。當光吸收部分130及主動層230係以同樣材料所製成時，光吸收部分130及主動層230可實質上同時地藉由執行相同遮罩製程而形成，並因而可簡化製造製程，此將於下文中詳細說明。摻雜雜質的雜質摻雜區域230a、230c係設置於主動層230的兩側。
第一閘極電極251及第二閘極電極252可分別以形成第一像素電極151及第二像素電極152的相同材料在同一層中所形成。
覆蓋像素區域PXL的光吸收部分130之絕緣層40係設置於主動層230及第一閘極電極251之間。亦即，絕緣層40係設置以覆蓋主動層230並作為薄膜電晶體的閘極絕緣層。
源極電極271及汲極電極272可由選自鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、及銅(Cu)所組成的群組之一種金屬材料所製成以具有單層結構或多層結構。層間絕緣層60係設置於源極電極271及汲極電極272下，且源極電極271及汲極電極272之其中之一係透過在層間絕緣層60的通孔C2而連接至第二像素電極152，而源極電極271及汲極電極272係分別透過接觸孔C3及C4而連接至主動層230的雜質摻雜區域230a及230c。
下電極330及第一上電極351係設置於在光散射部分20上的電容區域CAP中。下電極330可由用於形成光吸收部分130及主動層230的相同材料在同一層中所形成，並可摻雜雜質。
第一上電極351可由用於形成第一像素電極151的相同材料在同一層中所形成，而由用於形成第二像素電極152的相同材料所形成的第二上電極352可設置於第一上電極351的兩邊緣部分上。
絕緣層40可設置於下電極330及第一上電極351之間以覆蓋光吸收部分130。絕緣層40作為電容的介電層。在這方面，電容的電容值係根據絕緣層40的介電係數、區域、厚度而定。因此，電容的電容值可藉由控制絕緣層40的厚度而控制。
第2圖至第9圖依序係為根據一實施例之製造第1圖的有機發光顯示器之方法的剖面示意圖。
參照第2圖，具有不同折射率的絕緣層20-1、20-2、及20-3係形成於基板10上。本實施例之示例中包含三個絕緣層20-1、20-2、及20-3。絕緣層20-1、20-2、及20-3中，設置於最頂端位置的絕緣層20-3可為高折射率層。
參照第3圖，散射圖樣係形成於設置在最頂端位置的絕緣層20-3中。儘管第3圖並未詳細地繪示製造過程，光阻(圖未示)係塗佈於絕緣層20-3上，且接著絕緣層20-3係使用利用第一遮罩(圖未示)的微影製程而圖樣化。第一遮罩製程係藉由執行一系列的製程而執行，例如，藉由使用曝光裝置而曝光第一遮罩(圖未示)、顯影、蝕刻、以及去光阻或灰化。下文接續的遮罩製程之相同說明將予於省略。
在本實施例中，散射圖樣僅形成於對應至像素區域PXL的區域，絕緣層20-3於薄膜電晶體區域TFT及電容區域CAP中係完全地被蝕刻，且形成於像素區域PXL中的散射圖樣係彼此相隔。
複數個散射圖樣可以固定間距彼此相隔。此外，散射圖樣可具有圓形形狀，亦即凸形狀，例如透鏡。為了形成圓形的散射圖樣，上述第一遮罩製程可在散射圖樣上執行並接著可另外對其加熱。
參照第4圖，絕緣層20-4可額外形成以覆蓋散射圖樣。絕緣層20-4可為低折射率層且可配置為包含低折射率層的複數層。
參照第5圖，光吸收部分130係藉由在具有複數個絕緣層20-1、20-2、20-3、20-4的光散射部分20上的像素區域PXL中執行第二遮罩製程所形成，主動層230係形成於薄膜電晶體區域TFT中，而下電極330則形成於電容區域CAP中。光吸收部分130係形成以對應至包含於光散射部分20的散射圖樣。
光吸收部分130、主動層230、以及下電極330可以相同材料在同一層中所形成。相同材料可為半導體材料，如非晶矽或多晶矽。半導體材料可藉由使用各種沉積方法而沉積於光散射部分20上，舉例來說，電漿增強化學氣相沉積法(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)、大氣壓力化學氣相沉積法(atmospheric pressure CVD, APCVD)、低壓化學氣相沉積法(low pressure CVD, LPCVD)等。光吸收部分130、主動層230、以及下電極330可同時地藉由於沉積的半導體材料上執行第二遮罩製程而形成。然而，光吸收部分130亦可由任何能夠吸收光的材料所製成，且可與主動層230及下電極330分隔。
參照第6圖，絕緣層40係形成於整個有機發光顯示器1以覆蓋光吸收部分130、主動層230、以及下電極330，且透明導電材料及金屬材料係依序地沉積於絕緣層40上。接著，第一像素電極151及第二像素電極152、第一閘極電極251及第二閘極電極252、以及第一上電極351及第二上電極352係藉由執行第三遮罩製程而分別同時地形成於像素區域PXL、薄膜電晶體區域TFT、以及電容區域CAP中。
絕緣層40可包含選自二氧化矽、矽氮化物、氮氧化矽等的群組中之一種或多種材料，且可作為薄膜電晶體的閘極絕緣層及電容的介電層。絕緣層40可配置為單層或多層結構。
第一閘極電極251及第二閘極電極252可形成以對應至主動層230的中央部分230b。主動層230的兩邊緣部分係藉由使用第一閘極電極251及第二閘極電極252作為自動對準遮罩而摻雜離子雜質。
參照第7圖，層間絕緣層60係形成於第6圖中執行第三遮罩製程的產物上。接著，暴露第二像素電極152的第一開口C1及通孔C2、暴露部份主動層230的雜質摻雜區域230a及230c的接觸孔C3及C4、以及暴露電容的第二上電極352的第二開口C5係藉由執行第四遮罩製程透過圖樣化層間絕緣層60而形成。
參照第8圖，源極電極271及汲極電極272係藉由執行第五遮罩製程而形成於層間絕緣層60上。
源極電極271及汲極電極272之其中之一係透過通孔C2而連接至第二像素電極152，而源極電極271及汲極電極272係分別透過接觸孔C3及C4而連接至主動層230的雜質摻雜區域230a及230c。
當源極電極271及汲極電極272形成時，第二像素電極152及第二上電極352於同時間蝕刻。形成源極電極271及汲極電極272以及蝕刻第二像素電極152及第二上電極352可實質上同時地藉由使用相同的蝕刻液而執行或可依序地藉由使用不同的蝕刻液而執行。
在執行蝕刻後，電容的下電極330係摻雜雜質。
參照第9圖，用於定義像素區域PXL的像素定義層80係形成於第7圖執行第五遮罩製程後所產生的結構上，且像素定義層80係藉由執行第六遮罩製程而部分蝕刻，因此形成了暴露部份第一像素電極151的第三開口C6。
有機發射層91及相反電極92係沉積於藉由第三開口C6而暴露的第一像素電極151上，從而完成繪示於第1圖中的有機發光顯示器1的製造。在這方面，為共用電極的相反電極92可形成於整個有機發光顯示器1上。
第10圖為根據另一實施例的有機發光顯示器2的剖面示意圖。下文將主要說明本實施例與上述實施例之間的差異處。
參照第10圖，光散射部分20包含形成在像素區域PXL中之複數個圖樣120-3以散射由有機發射層91所發射的光、形成於薄膜電晶體區域TFT的圖樣220-3，其係類似於主動層230、以及形成於電容區域CAP的圖樣320-3，其係類似於下電極330。
形成於光散射部分20中的圖樣120-3、220-3、320-3係與光吸收部分130、主動層230、以及下電極330相似地形成。因此，用於圖樣化光散射部分20的第一遮罩製程及用於形成光吸收部分130、主動層230、及下電極330的第二遮罩製程可藉由使用相同遮罩而執行。因此，在本實施例中，在製造有機發光顯示器2的製程中使用的遮罩數目可減少，且形成於像素區域PXL的圖樣120-3及光吸收部分130可輕易地對應彼此而形成。
第11圖為根據另一實施例的有機發光顯示器3的剖面示意圖。
在根據本實施例的有機發光顯示器3中，形成以覆蓋光吸收部分130、主動層230、以及電容的下電極330之絕緣層40包含兩層，即下絕緣層41及上絕緣層42。下絕緣層41可為主要由矽氧烷基材料或二氧化矽所製成的低折射率層，而上絕緣層42可為選自矽氮化物、二氧化鈦、四氮化三矽、四氧化二鉭、及五氧化二鈮所組成的群組之一材料的高折射率層。
然而，絕緣層40可包含三個或多個層，且可使用各種用於形成低折射率層及高折射率層的材料。另外，用於形成低折射率層及高折射率層的材料可與用於形成包含於光散射部分20的低折射率層及高折射率層的材料相同。然而，由於下絕緣層41直接接觸主動層230，下絕緣層41可形成以具有較上絕緣層42較少的氫含量。
絕緣層40包含交替地形成的高折射率層及低折射率層，以使絕緣層40及光散射部分20可共同形成分佈式布拉格反射共振結構，從而進一步增加有機發光顯示器3的光萃取效率以及色彩再現範圍。
然而，由於絕緣層40係在電容區域CAP中作用為介電層，絕緣層40可不形成為過厚以使得電容的電容值不會過於降低。
此外，繪示於第1圖的有機發光顯示器1中，層間絕緣層60係形成以覆蓋第一像素電極151的兩邊緣部分以及電容的第一上電極351的兩邊緣部分，在有機發光顯示器3中，層間絕緣層60係圖樣化以不覆蓋第一像素電極151及電容的第一上電極351。在圖樣化層間絕緣層60的蝕刻製程中，覆蓋光吸收部分130及部份光散射部分20的絕緣層40係同步地被蝕刻。
根據有機發光顯示器3的配置，像素區域PXL的孔徑比係增加，從而增加光發射的區域，且電容的下電極330不會被層間絕緣層60所影響，且因此有機發光顯示器3可整體地摻雜雜質。
第12圖為根據另一實施例之有機發光顯示器4的剖面示意圖。
參照第12圖，除了包含於光散射部分20的圖樣化絕緣層20-3以外，有機發光顯示器4具有如第1圖所繪示的有機發光顯示器1之相同的配置。繪示於第1圖的絕緣層20-3僅設置於像素區域PXL中且包含彼此相隔的散射圖樣，而本實施例的絕緣層20-3包含形成於平坦區域的凸圖樣以彼此相隔。絕緣層20-3的平坦區域延伸至薄膜電晶體區域TFT及電容區域CAP。
依據一般情況，入射至絕緣層20-3上的光係於凸圖樣設置的區域散射並反射或滲透至其他區域。
根據上述有機發光顯示器及製造該有機發光顯示器之方法，根據視角的顏色偏移可藉由應用包含複數個散射圖樣的共振結構而降低。
雖然上述實施例已參照附圖而說明，其將被所屬技術領域具有通常知識者了解的是，其可在不脫離下列申請專利範圍的精神與範疇下進行各種形式及細節的變化。
1、2、3、4．．．有機發光顯示器
10．．．基板
20．．．光散射部分
40、20-1、20-2、20-3、20-4．．．絕緣層
41．．．下絕緣層
42．．．上絕緣層
60．．．層間絕緣層
80．．．像素定義層
91．．．有機發射層
92．．．相反電極
130．．．光吸收部分
151．．．第一像素電極
152．．．第二像素電極
230．．．主動層
230a、230c．．．雜質摻雜區域
230b．．．中央部分
251．．．第一閘極電極
252．．．第二閘極電極
271．．．源極電極
272．．．汲極電極
330．．．下電極
351．．．第一上電極
352．．．第二上電極
PXL．．．像素區域
TFT．．．薄膜電晶體區域
CAP．．．電容區域
C1．．．第一開口
C2．．．通孔
C3、C4．．．接觸孔
C5．．．第二開口
C6．．．第三開口
120-3、220-3、320-3．．．圖樣
第1圖係為根據一實施例之有機發光顯示器的剖面示意圖。
第2圖至第9圖依序係為根據一實施例之製造第1圖的有機發光顯示器之方法的剖面圖。
第10圖係為根據另一實施例的有機發光顯示器的剖面示意圖。
第11圖係為根據另一實施例的有機發光顯示器的剖面示意圖。
第12圖係為根據另一實施例之有機發光顯示器的剖面示意圖。
1．．．有機發光顯示器
10．．．基板
20．．．光散射部分
40、20-1、20-2、20-3、20-4．．．絕緣層
60．．．層間絕緣層
80．．．像素定義層
91．．．有機發射層
92．．．相反電極
130．．．光吸收部分
151．．．第一像素電極
152．．．第二像素電極
230．．．主動層
230a、230c．．．雜質摻雜區域
230b．．．中央部分
251．．．第一閘極電極
252．．．第二閘極電極
271．．．源極電極
272．．．汲極電極
330．．．下電極
351．．．第一上電極
352．．．第二上電極
PXL．．．像素區域
TFT．．．薄膜電晶體區域
CAP．．．電容區域
C2．．．通孔
C3、C4．．．接觸孔

Claims (22)

  1. 一種有機發光顯示器，其包含：
    一像素電極，其係設置於一基板上；
    一有機發射層，其係設置於該像素電極上；
    一相反電極，其係設置於該有機發射層上；
    一光散射部分，其係設置於該基板與該有機發射層之間，其中該光散射部分包含i)具有不同折射率的複數個絕緣層、ii)配置以散射從該有機發射層發射的光之複數個散射圖樣；以及
    複數個光吸收部分，其係設置於該光散射部分與該有機發射層之間以分別對應該複數個散射圖樣。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其中每一該複數個光吸收部分係以一半導體材料所形成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其中該複數個絕緣層包含至少一對一高折射率層及一低折射率層。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示器，其中該高折射率層係以矽氮化物(silicon nitride)所形成，而該低折射率層係以矽氧化物(silicon oxide)所形成。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示器，其中該複數個散射圖樣係形成於該高折射率層中。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其中該複數個散射圖樣係彼此相隔。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示器，其中該複數個散射圖樣係實質上平均地彼此相隔。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示器，其中每一該複數個散射圖樣具有一圓形形狀。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，更包含設置以覆蓋該複數個光吸收部分之一額外絕緣層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示器，其中該額外絕緣層包含至少一對一高折射率層及一低折射率層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示器，其中該高折射率層係以矽氮化物所形成，而該低折射率層係以矽氧化物所形成。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示器，更包含：
    一薄膜電晶體，其係設置於該基板上以相對於該像素電極而橫向分隔，其中該薄膜電晶體包含一主動層、一閘極電極、一源極電極、及一汲極電極；以及
    一電容，其包含一上電極及一下電極。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示器，其中該主動層係以與該複數個光吸收部分相同的材料所形成。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示器，其中該電容的該下電極係以與該複數個光吸收部分相同的材料所形成。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示器，其中該額外絕緣層係設置於該主動層與該閘極電極之間、以及該下電極與該上電極之間。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示器，其中該光散射部分係設置以於該主動層及該下電極下延伸。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光顯示器，其中該複數個散射圖樣係僅設置於對應至該像素電極的一區域中。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其中該複數個光吸收部分係分別實質地直接形成於該複數個散射圖樣上。
  19. 一種製造有機發光顯示器之方法，該方法包含：
    形成複數個絕緣層於一基板上，該複數個絕緣層包含至少一對一高折射率層及一低折射率層，其中該高折射率層係形成於該複數個絕緣層的一最頂端處；
    圖樣化該最頂端處的該高折射率層以形成配置而散射光之複數個散射圖樣；
    形成覆蓋該複數個散射圖樣之至少一第一絕緣層；
    形成一光吸收層於該至少一第一絕緣層上；
    圖樣化該光吸收層以形成分別對應至該複數個散射圖樣的複數個光吸收部分；
    形成覆蓋該複數個光吸收部分之一第二絕緣層；以及
    依序地於該第二絕緣層上形成一像素電極、一有機發射層、以及一相反電極。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中圖樣化該最頂端處的該高折射率層以及圖樣化該光吸收層係使用一相同遮罩而執行。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該複數個散射圖樣係實質上平均地彼此相隔。
  22. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中每一該複數個散射圖樣係具有一圓形形狀。
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