201202553 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 [0001] 本發明涉及一種光電轉換裝置。 [先前技術] [0002] 能源問題係當代人類社會發展面臨的重大問題，在如何 更有效地獲得能源方面人們發展了很多種方法。太陽光 能或其他光能具有投資小或者無需投資的特點，因此具 有一定的經濟效益和利用價值，但係此類能源用其他能 量轉換方式無法加以有效利用，用光電轉換裝置製成光 ° 電轉換裝置係利用此類能源的較好方式。 [0003] 太陽能電池係光能-電能轉換的典型例子，係利用半導體 材料的光生伏特原理製成的。光生伏特效應，簡稱“光 伏效應”，指光照使不均勻半導體或半導體與金屬結合 的不同部位之間產生電位差的現象。常用的一類太陽能 電池為矽基太陽能電池。在矽基太陽能電池中，作為光 電轉換的材料的矽片襯底通常採用單晶矽製成。因此， Ο 要獲得高轉換效率的矽基太陽能電池，就需要製備出高 純度的單晶矽，且太陽能電池的結構較為複雜，導致了 該太陽能電池的成本較高，限制了太陽能電池的推廣應 用0 【發明内容】 [0004] 有鑒於此，提供一種結構簡單、成本較低的光電轉換裝 置實為必要。 [0005] —種光電轉換裝置包括至少一光電轉換模組，該光電轉 換模組包括：一第一光電轉換元件；以及一第二光電轉 099121983 表單編號Α0101 第3頁/共30頁 0992038720-0 201202553 換元件；其中，該第一光電轉換元件包括一第一光照區 域及一第一非光照區域，所述第二光電轉換元件包括一 第二光照區域及一第二非光照區域，所述第一光照區域 與第二光照區域電連接。 [0006] 相較於先前技術，本發明所提供的光電轉換裝置的光電 轉換模組的第一光電轉換元件和第二光電轉換元件分別 分為光照區域和非光照區域，通過光照區域吸收光能並 升高溫度，與非光照區域之間形成溫度差，利用溫差發 電原理進行發電，結構簡單，成本較低。 【實施方式】 [0007] 以下將結合附圖詳細說明本技術方案提供的光電轉換裝 置。以下各實施例中，不同實施例之間具有相同結構的 相同元部件的標號使用相同的***數字表示，不同的 元部件或者具有不同結構的相同元部件則使用不同的阿 拉伯數字表示。 [0008] 請參閱圖1，本發明第一實施例提供了一種光電轉換裝置 10。該光電轉換裝置10包括一光電轉換模組100、一基底 110及一覆蓋結構108。該光電轉換模組100設置於該基 底110的表面。該光電轉換模組100包括一第一光電轉換 元件12、一第二光電轉換元件14、第一電極162，一第二 電極164、一第三電極166及一第四電極168。該第一光 電轉換元件12包括一第一光照區域12a及一第一非光照區 域12b，該第二光電轉換元件14包括一第二光照區域14a 及一第二非光照區域14b。所述第一光照區域12a與該第 二光照區域14a電連接。所述第一電極162與該第一光照 099121983 表單編號 A0101 第 4 頁/共 30 頁 0992038720-0 201202553 區域12a電連接，所述第二電極164與該第一非光照區域 12b電連接。所述第三電極166與該第二光照區域14a電 連接，所述第四電極168與該第二非光照區域14b電連接 。該覆蓋結構18覆蓋該光電轉換模組100的第一非光照區 域12b及該第二非光照區域14b。 [0009]
ο 所述基底110用於支撐第一光電轉換元件12和第二光電轉 換元件14，可以理解，當第一光電轉換元件12和第二光 電轉換元件14為自支撐結構時，該基底110可以省略。所 述基底110用於支撐第一光電轉換元件12和第二光電轉換 元件14的表面的面積可以大於、等於或小於第一光電轉 換元件12和第二光電轉換元件14的一個表面的面積。所 述基底110的材料為絕緣材料，可以為玻璃、陶瓷、聚合 物或木質材料。所述基底110的材料還可以為表面塗覆有 絕緣材料的導電金屬材料等。優選地，該基底110的材料 應基本不吸收紅外線或者完全不吸收紅外線。該基底110 的厚度不限，優選為1毫米至2厘米，本實施例中，基底 110的厚度為5毫米，所述基底110用於支撐第一光電轉換 元件12和第二光電轉換元件14的表面的面積的面積大於 所述第一光電轉換元件12和第二光電轉換元件14的總面 積。 [0010] 所述第一光電轉換元件12被分為兩個區域，分別為第一 光照區域12a和第一非光照區域12b。所述第一光照區域 12a和第一非光照區域12b的大小不限，第一光照區域 12a的面積可以大於、小於或等於第一非光照區域12b的 面積。所述第二光電轉換元件14被分為兩個區域，分別 099121983 表單編號A0101 第5頁/共30頁 0992038720-0 201202553 為第一光照區域14 a和第二非光照區域14 b。所述第二光 照區域14a和第二非光照區域14b的大小不限，第二光照 區域14a的面積可以大於、小於或等於第二非光照區域 14b的面積。本實施例中’第一光照區域丨2a的面積等於 第一非光照區域12b的面積，第二光照區域14a的面積等 於第二非光照區域14b的面積。 [0011]所述第一光電轉換元件12的第一光照區域12a用於接收光 能’並將光能轉換為熱能’使第一光照區域丨2a的溫度升 南’從而在第一光照區域12a和第·-非光照區域1 2b之間 產生溫度差’利用温差電效應，在第一光電轉換元件！ 2 的兩端產生電勢差。所述光能可以為太陽光、可見光、 紅外線 '紫外線或電磁波等。所述第一光電轉換元件j 2 的材料為一空穴導電型材料，所述第二光電轉換元件14 為一電子導電型材料。所述第二光電轉換元件14的第二 光照區域14a用於接收光能，並將光能轉換為熱能，使第 二光照區域14a的溫度升高，從而在第二光照區域14a和 第二非光照區域14b之間產生溫度差，利用溫差電效應， 在第二光電轉換元件14的兩端產生電勢差。當光線照射 第一光照區域12a和第二光照區域14a時，第一光照區域 12a吸收光能，溫度升高時，根據溫差電轉換原理，由於 第一光電轉換元件12為一空穴導電型材料，第一光照區 域12a的電勢高於第一非光照區域12b ;第二光照區域 14a吸收光能，溫度升高，根據溫差電轉換原理，由於第 二光電轉換元件14為一電子導電型材料，第二光照區域 14a的電勢低於第二非光照區域14t^由於第一光照區域 099121983 表單編號A0101 第6頁/共30頁 0992038720-0 201202553 12a和第二光照區域14a電連接，第一非光照區域12b和 第二非光照區域14b之間的電勢差等於第一光照區域12a 與第一非光照區域1 2 b之間的電勢差與第二光照區域14 a 和第二非光照區域14b之間的電勢差的和。 [0012] 所述第一光電轉換元件12和第二光電轉換元件14的材料 應滿足溫差電轉換係數較大、具有較強的光吸收性能及 具有較小的熱容。優選地，該第一光電轉換元件12和第 二光電轉換元件14均為一半導體材料。 0 [0013] 所述第一光電轉換元件12為一奈米碳管層，該奈米碳管 層包括複數個均勻分佈的奈米碳管，奈米碳管為空穴型 導電材料。奈米碳管為絕對的黑體，因此，具有非常強 的光吸收性能。該奈米碳管可以為單壁奈米碳管、雙壁 奈米碳管、多壁奈米碳管中的一種或幾種。該奈来碳管 層可以為一由奈米碳管構成的純奈米碳管結構。當該奈 米碳管層僅包括單壁奈米碳管時，該奈米碳管層為一P型 半導體層，當奈米碳管層包括雙壁奈米碳管或多壁奈米 Ο 碳管時，該奈米碳管層為一導體層。優選地，所述奈米 碳管層為由單壁奈米碳管組成的結構。單壁奈米碳管具 有半導體性，溫差電轉換吸收較大。 [0014] 所述奈米碳管層中的奈米碳管之間可以通過凡得瓦力（
Van der Waals attractive force)緊密結合。該奈 米碳管層中的奈米碳管為無序或有序排列。這裏的無序 排列指奈米碳管的排列方向無規律，這裏的有序排列指 至少多數奈米碳管的排列方向具有一定規律。具體地， 當奈米碳管層包括無序排列的奈米碳管時，奈米碳管相 099121983 表單編號A0101 第7頁/共30頁 0992038720-0 201202553 互纏繞或者各向同性排列；當奈米碳管層包括有序排列 的奈米碳管時，奈米碳管沿一個方向或者複數個方向擇 優取向排列。所述奈米碳管層的厚度為100奈米至5毫米 。所述奈米碳管層的單位面積熱容可以小於2x1 (Γ4焦耳 每平方厘米開爾文，甚至可以小於等於1. 7xl(T6焦耳每 平方厘米開爾文。由於奈米碳管的熱容較小，所以該奈 米碳管層狀結構具有較快的熱回應速度，即在吸收光能 之後能快速的升高溫度，從而在第一光照區域12a和第一 非光照區域12b之間形成較大的溫度差，進而產生較大的 電勢差。 [0015] 所述奈米碳管層可包括至少一層奈米碳管膜。當奈米碳 管層包括多層奈米碳管膜時，該多層奈米碳管膜可層疊 設置或者並列設置。所述奈米碳管膜可以為一奈米碳管 拉膜。該奈米碳管拉膜為從奈米碳管陣列中直接拉取獲 得的一種奈米碳管膜。每一奈米碳管膜係由若干奈米碳 管組成的自支撐結構。所述若干奈米碳管為基本沿同一 方向擇優取向排列。所述擇優取向係指在奈米碳管膜中 大多數奈米碳管的整體延伸方向基本朝同一方向。而且 ，所述大多數奈米碳管的整體延伸方向基本平行於奈米 碳管膜的表面。進一步地，所述奈米碳管膜中多數奈米 碳管係通過凡得瓦力首尾相連。具體地，所述奈米碳管 膜中基本朝同一方向延伸的大多數奈米碳管中每一奈米 碳管與在延伸方向上相鄰的奈米碳管通過凡得瓦力首尾 相連。當然，所述奈米碳管膜中存在少數隨機排列的奈 米$炭管，這些奈米碳管不會對奈米破管膜中大多數奈米 099121983 表單編號A0101 第8頁/共30頁 0992038720-0 201202553 碳管的整體取向排職成明顯影響。所述自切為奈米 碳管膜不需要大面積的載體支#，而只要相對兩邊提供 支標力即能整體上懸空而保持自身膜狀狀態，即將該奈 米碳管膜置於（或固定於）間隔-固定距離設置的兩: 支撐體上時，位於兩個支撐體之_奈織管臈能夠懸 空保持自身膜狀狀態。所述自支稽主要通過奈米碳管膜 中存在連續的通過凡得瓦力首尾相連延伸排列的奈米碳 管而實現。 Ο 剛具體地，所述奈米碳管膜中基本朝同-方向延伸的多數 奈米碳管，並非絕對的直線狀，可以適當的彎曲；或者 並非完全按照延伸方向上排列，可以適當的偏離延伸方 向。因此’不能排除奈米碳管膜的基本朝同-方向延伸 的多數奈米碳管中並觸奈米碳管之㈣歸在部分接 觸。 [00Γ7]所述奈米碳管拉膜的厚度為〇· 5奈米至1〇〇微米，寬度與 ~ *有關 ’長度 〇 不限。 [0018]當所述奈米碳管層狀結構採用奈米碳管拉膜時，其可以 包括層疊設置的多層奈米碳管拉膜，且相鄰兩層奈米碳 管拉膜中的奈米碳管之間沿各層中奈米碳管的軸向形成 一父又角度α，α大於等於〇度小於等於9〇度（〇» “ 90 )。所述複數個奈米碳管拉骐之間或一個奈米碳管拉 膜之中的相鄰的奈米碳管之間具有間隙，從而在奈米碳 管結構中形成複數個微孔，微孔的孔徑約小於1 〇微米。 099121983 表單編號Α0101 第9頁/共30頁 0992038720-0 201202553 [0019]所述奈米碳管膜還可以為一奈米碳管絮化膜。所述奈米 碳管絮化膜為通過一絮化方法形成的奈米碳管膜。該奈 米碳·管絮化膜包括相互纏繞且均勻分佈的奈米碳管。所 述奈米碳管之間通過凡得瓦力相互吸引、纏繞，形成網 路狀結構。所述奈米碳管絮化膜各向同性。所述奈米碳 管絮化膜的長度和寬度不限。由於在奈米碳管絮化膜中 ，奈米碳管相互纏繞，因此該奈米碳管絮化膜具有很好 的柔韌性，且為一自支撐結構，可以彎曲折疊成任意形 狀而不破裂。所述奈米碳管絮化膜的面積及厚度均不限 ’厚度為1微米至1毫米。 [〇〇2〇]所述奈米碳管膜還可以為通過碾壓一奈米碳管陣列形成 的奈米碳管碾壓膜。該奈米碳管碾壓膜包括均勻分佈的 奈米碳管，奈米碳管沿同一方向或不同方向擇優取向排 列。奈米碳管也可以係各向同性的。所述奈米碳管礙壓 膜中的奈米碳管相互部分交疊，並通過凡得瓦力相互吸 引，緊岔結合。所述奈米碳管礙壓聽中的奈米碳管與形 成奈米碳管陣列的生長基底的表面形成一夾角冷，其中 ，召大於等於〇度且小於等於15度（〇 β 15。）。依據 碾壓的方式不同，該奈米碳管礙壓膜中的奈米碳管具有 不同的排列形式。當沿同一方向碾壓時，奈米碳管沿一 固定方向擇優取向排列。可以理解，當沿不同方向碾壓 時，奈米碳管可沿複數個方向擇優取向排列。該奈米碳 管碾壓膜厚度不限，優選為為丨微米至丨毫米。該奈米碳 管碾壓膜的面積不限，由碾壓出膜的奈米碳管陣列的大 小決定。當奈米碳管陣列的尺寸較大時，可以碾壓制得 099121983 表單編號Α0101 第10頁/共30頁 0992038720-0 201202553 較大面積的奈米碳管碾壓膜。本實施例中，所述光電轉 換元件106為一純的奈米碳管層，該奈米碳管層由單壁奈 米碳管構成，厚度為1mm。單壁奈米碳管為Ρ型半導體材 料，其具有較大的溫差電轉換吸收和較強的光吸收性能 〇 [0021] Ο 所述第二光電轉換元件14可以為金屬材料或N型半導體材 料。所述N型半導體包括N型矽、N型碲化鉍、N鉍或者N型 奈米碳管複合材料層。所述N型奈米碳管複合材料層可以 由上述奈米碳管層和多胺聚合物複合形成。該多胺聚合 物可以為多聚乙二亞胺、多聚乙二胺、曱基多胺聚乙烯 醚等。本實施例中，所述第二光電轉換元件14的材料為 多聚乙二胺與奈米碳管層形成的複合材料。 [0022]
該第一電極162、第二電極164均為線狀或帶狀結構，分 別設置於第一光電轉換元件12的兩端。該第一電極162、 第二電極164可以設置於該第一光電轉換元件12的表面， 分別與第一光電轉換元件12的兩個邊齊平。該第一電極 162、第二電極164也可以設置於該第一光電轉換元件12 的側面。該第三電極166、第四電極168均為為線狀或帶 狀結構，分別設置於第二光電轉換元件14的兩端。該第 三電極166、第四電極168可以設置於該第二光電轉換元 件14的表面，分別與第二光電轉換元件14的兩個邊齊平 。該第三電極166、第四電極168也可以設置於該第二光 電轉換元件14的侧面。該第一電極162、第二電極164、 第三電極166和第四電極168可以分別為一層導電膜。該 導電膜的材料可以為金屬、合金、銦錫氧化物（ITO)、 099121983 表單編號A0101 第11頁/共30頁 0992038720-0 201202553 録錫氧化物（ΑΤΟ)、導電銀膠、導電聚合物或導電性奈 米碳管等。該金屬或合金材料可以為鋁、銅、鎢、淘、 金、欽、鉉、把、鏠或其任意組合的合金。本實施例中 ，第一電極162、第二電極164、第三電極166和第四電 極168分別為導電銀漿印刷形成的線狀結構，第一電極 162位於第一光照區域12a並與第一光電轉換元件12的一 個邊齊平’第二電極164位於第一非光照區域i2b，並與 第一光電轉換元件12的另一個邊齊平。第三電極166位於 第二光照區域14a並與第二光電轉換元件14的一個邊齊平 ’第四電極168位於第.二非.光照.辱域1 _4七.，...並與第二光電 轉換元件14的另一個邊齊平。所述第一電極162與第三電 極166通過一導電片160電連接，從而使所述第一光照區 域12a與第二光照區域14a通過第一電極162和第三電極 166電連接’第二電極164與第四電極168分別為該光電 轉換裝置10的電壓輸出端。 [0023] 5玄光電轉換裝置10可進一步包括一第一電極引線（圖未 示）及一第二電極引線（圖未示）。第一電極引線與第 二電極164電連接。第二電極引線與第四電極168電連接 。第二電極引線一部分位於覆蓋結構1〇8内部，一部分延 伸至覆蓋結構108的外部。第一電極引線和第二電極引線 可使第二電極和第四電極方便地向外輸出電壓或者與外 部電連接。 所述覆蓋結構108用於覆蓋該光電轉換模組1〇〇的第一非 光照區域12b和第二非光照區域14b，防止第一非光照區 域1 2b和第一非光照區域丨4b被光照射到。覆蓋結構1 〇8 099121983 表單編號A0101 第12頁/共30頁 0992038720-0 [0024] 201202553 Ο
[0025] 099121983 的大小應確保其不會覆蓋第一光照區域12a和第二光照區 域14a。所述覆蓋結構108的材料不限，可以為絕緣材料 也可以為導電材料。所述覆蓋結構108的材料可選擇為導 電材料，如金屬，也可為絕緣材料，如塑膠、塑膠等。 所述金屬包括不錄鋼、碳鋼、銅、鎳、鈦、鋅及銘等中 的一種或多種。可以理解的係，當覆蓋結構108的材料為 絕緣材料時，其可與第一非光照區域12b和第二非光照區 域14b直接接觸，覆蓋結構108可直接覆蓋在第一非光照 區域12b和第二非光照區域14b的表面。當覆蓋結構108 的材料為導電材料時，應確保覆蓋結構108與第一非光照 區域12b和第二非光照區域14b間隔絕緣設置。本實施例 中，所述覆蓋結構108為具有一容置空間的罩體。覆蓋結 構108的四周固定於基底110的表面。所述第一非光照區 域12b和第二非光照區域14b設置於該覆蓋結構108的容 ’ 置空間内部，並與該覆蓋結構108間隔一定距離設置。所 述覆蓋結構108的固定方式不限，可通過扣合、夾緊、螺 栓、黏結、鉚接等方式固定，本實施例中，覆蓋結構108 通過四個螺孔（圖未示）固定於基底110上。由於該覆蓋 結構108與所述第一非光照區域12b和第二非光照區域 14b間隔一定空間設置，所以，該覆蓋結構108的材料可 以為導電材料。可以理解，當基底110的材料和覆蓋結構 108的材料均為絕緣材料時，所述覆蓋結構108和基底 110可以一體成型。 本發明所提供的光電轉換裝置10的第一光電轉換元件12 分為第一光照區域12a和第一非光照區域12b，第二光電 表單編號A0101 第13頁/共30頁 0992038720-0 201202553 轉換元件1 4分為第二光照區域14a和第二非光照區域14b ，通過將第一光照區域1 2a和第二光照區域14a暴露於光 照環境下，接受光照，在第一光照區域12a和第一非光照 區域12b之間產生溫度差，在第二光照區域14a和第二非 光照區域14b之間產生溫度差，利用溫差發電原理進行發 電，結構簡單，成本較低。 [0026] 請參見圖2，本發明第二實施例提供一種光電轉換裝置20 。該光電轉換裝置20包括複數個光電轉換模組100及一覆 蓋結構208。該覆蓋結構208覆蓋每個光電轉換模組100 的第一非光照區域12b及該第二非光照區域14b。 [0027] 本實施例所提供的光電轉換裝置20與第一實施例所提供 的光電轉換裝置10的結構基本相同，其不同之處在於， 本實施例所提供的光電轉換裝置20包括複數個光電轉換 模組100。該複數個光電轉換模組100相互串聯。即，該 複數個光電轉換模組100中，處於中間位置的每兩個相鄰 的光電轉換模組100中，一個光電轉換模組100的第二非 光照區域14 b與另一個光電轉換模組1 0 0的第一非光照區 域12b電連接；該複數個光電轉換模組100中，處於兩端 的兩個光電轉換模組100，一個光電轉換模組100的第一 電極162作為輸出端，另一個光電轉換模組100的第四電 極16 8作為輸出端。本實施例中，處於中間位置的每兩個 相鄰的光電轉換模組100中，一個光電轉換模組100的第 四電極168與另一個光電轉換模組100的第一電極162電 連接；處於兩端的兩個光電轉換模組100，一個光電轉換 模組100的第一電極162作為輸出端，另一個光電轉換模 099121983 表單編號A0101 第14頁/共30頁 0992038720-0 201202553 組100的第四電極168作為輸出端。每個光電轉換模組 100之間可通過導線或導電片實現電連接。 [0028] 本實施例中，所述光電轉換裝置20包括12個光電轉換模 組100。圖3為採用不同能量的光能照射光電轉換裝置所 產生的電壓與光能量大小的關係，該光為紅外線光。所 述光電轉換裝置20的輸出電壓與光能的關係基本為直線 [0029] 本實施例所提供的光電轉換裝置20通過將複數個光電轉 0 換模組100串聯，可以將每個光電轉換模組100產生的電 動勢串聯，進而在輸出端得到更大的電勢差。 [0030] 請參見圖4，本發明第三實施例提供了一種光電轉換裝置 30。該光電轉換裝置30包括一光電轉換模組100及一絕緣 體310。所述光電轉換模組100設置於所述絕緣體310的 表面。本實施例所提供的光電轉換裝置30的結構與第一 實施例所提供的光電轉換裝置30的結構基本相同，其不 同之處在於，該光電轉換裝置30不包括覆蓋結構及基底 Ο ，且該光電轉換裝置30包括一絕緣體310。 [0031] 該第一光電轉換元件12經過彎折形成一第一光照區域12a 及一第一非光照區域12b，該第一光照區域12a和第一非 光照區域12b彎折後的夾角小於等於90度，比如彎折成U 型或L型或者U型和L型之間的任意角度的形狀。該第二光 電轉換元件14經過彎折形成一第二光照區域14a及一第二 非光照區域14b，該第二光照區域14a和第二非光照區域 14b彎折後的夾角小於等於90度，比如彎折成U型或L型或 099121983 表單編號A0101 第15頁/共30頁 0992038720-0 201202553 者U型和L型之間的任意角度的形狀。此時，當採用光照 射第一光照區域12a和第二光照區域14&時，第一非光照 區域12b及第二非光照區域14b被擔住，從而光線無法= 射該非光照區域。該絕緣體310設置在第—光照區域i2a 和第一非光照區域12b之間及第二光照區域Ua和第二非 光照區域14bm其雜可配合第_光電轉換元件咖 第二光電轉換元件14的彎曲形狀。當第—光電轉換元件 12和第二光電轉換元件14不能自己保持—定形狀時該 絕緣體310可以作為基底來支揮該第一光電轉換元件12和 第二光電轉換元件14。本實施例中’絕緣體31〇為一基底 結構，所述第一光電轉換元件12和第二光電轉換元件i 4 設置於該絕緣體310的表面。 [0032] [0033] 所述絕緣體310包括一第一表面3102及一第二表面31〇4 ’第一表面3102與第二表面3104之間所形成一夾角α， α大於等於〇度小於等於90度〇 α大於〇度小於9〇度。當 α等於0度時’第一表面3102和苐二表面3104係兩個相 對的表面，即可以理解為，第二表面3104為第一表面 3102的背面。本實施例中，α等於45度。所述第一光電 轉換元件12的第一光照區域12a及第二光電轉換元件14的 第二光照區域14a設置於絕緣體310的第一表面3102上， 所述第一光電轉換元件12的第一非光照區域12b及第二光 電轉換元件14的第二非光照區域14b設置於絕緣體310的 第二表面3104上’所述非光照區域3064設置於絕緣體 310的第二表面3104。 進一步地，所述光電轉換裝置30進一步包括一反射膜（ 099121983 表單編號A0101 第16頁/共30頁 0992038720-0 201202553 Ο [0034] [0035]
圖未示）毅置於第一光照區域12a、第二光照區域14a和 絕緣體31〇之間°所述反射膜用於反射第一光照區域12a 和第二光照區域14a所產生的熱量和光能，防止該熱量和 光能被絕緣艘310吸收。由於第一光照區域123和第二光 照區域14a的熱量以紅外線或遠紅外線的形式向外傳播’ 因此，所述反射膜應對紅外線和遠紅外線具有較高的反 射效率，所述反射膜的材料為絕緣材料’可以為1^〇2- Ag-TiO、ZnS_Ag-ZnS、AINO-Ag-AIN、Ta2〇3-Si〇2 2 或Nb 0 -Si〇2。該反射膜通過塗敷或錢射的方式形成於 2 3 絕緣體310的表面。所述反射膜的厚度不限’優選地’反 射膜的厚度為.1 〇微米至5〇〇微米。.' 可以理解，本實施例所提供的光電轉換裝置30也可以包 括複數個相互串聯結構光電轉換模組100。每個光電轉換 模組100均按照上述方式相互並列設置於絕緣體310上。 請參見圖5及6 ’本發明第四實施例提供了 一種光電轉換 裝置40。該光電轉換裝置40包括----光電轉換模組100及 一覆蓋結構408。本實施例所提供的光電轉換裝置40的結 構與第一實施例所提供的光電轉換裝置10的結構基本相 同’其不同之處在於覆蓋結構408的結構，從而本實施例 的光電轉換裝置40不需要單獨的基底。 [0036] 所述覆蓋結構408為一具有中空結構的外殼，該光電轉換 模組100設置於該覆蓋結構408内部。該覆蓋結構408包 括一開孔區4086，該光電轉換模組1〇〇的第一光照區域 12a及第二光照區域i4a正對該開孔區4086設置，並可以 通過該開孔區4086接受光能。該光電轉換模組的第一非 099121983 表單編號A0101 第17頁/共30頁 0992038720-0 201202553 光照區域12b及第二非光照區域14b設置於該覆蓋結構 408的内部’並被覆蓋結構408所覆蓋。所述覆蓋結構 408的整體形狀不限’可以係中空的立方體、球體或圓柱 體等等。 [0037] 具體的，本實施例中，請參見圖6，該覆蓋結構408為一 立方體結構，其包括一上基板4082、一下基板4084及四 個侧板（圖未標）。所述探測元件406設置於該下基板 4084的表面’並正對上基板4082。所述上基板4082包括 一開孔區4086，該開孔區4086的面積小於該上基板4082 。所述開孔區4 0 8 6正對該第一光照區域12 a及第二光照區 域14a。該開孔區4086可以為一個大的開口，也可以由複 數個小的開口組成。本實施例中，所述開孔區4086為一 栅網結構，包括複數個網孔》所述探測元件406的光照區 域4062通過該複數個網孔接受光能。 [0038] 可以理解，本實施例所提供的光電轉換裝置40也可以包 括複數個相互串聯結構光電轉換模組100。每個光電轉換 模組100均按照上述方式相互it列,置於覆蓋結構4〇8内 部0 [0039] 綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提 出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例 ，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案 技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修錦或變化， 皆應涵蓋於以下申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 [0040] 圖1係本發明第一實施例提供的光電轉換裝置的結構示意 099121983 表單編號 A0101 第 18 頁/共 30 頁 0992038720-0 201202553 [0041] 圖。 圖2係本發明第二實施例提供的光電轉換裝置的結構示意 圖。 [0042] 圖3為圖2中光電轉換裝置的光照強度與輸出電壓的關係 圖。 [0043] 圖4係本發明第三實施例提供的光電轉換裝置的結構示意 圖。 ^ [0044] 〇 圖5係本發明第四實施例提供的光電轉換裝置的結構示意 圖。 [0045] 圖6係圖5中的光電轉換裝置的覆蓋結構的結構示意圖。 [0046] 【主要元件符號說明】 光電轉換裝置：10，20，30 [0047] 光電轉換模組：100 [0048] 第一光電轉換元件：12 〇 [0049] 第二光電轉換元件：14 [0050] 第一光照區域·· 12a [0051] 第一非光照區域：12b [0052] 第二光照區域：14a [0053] 第二非光照區域：14b [0054] 導電片：160 [0055] 第一電極：162 099121983 表單編號A0101 第19頁/共30頁 0992038720-0 201202553 [0056] 第二電極 ：164 [0057] 第三電極 ：166 [0058] 第四電極 ：168 [0059] 覆蓋結構 :108 ， 208 ， 308 ， 408 [0060] 基底：110 [0061] 第一表面 :3102 [0062] 第二表面 ：3104 [0063] 絕緣體： 310 [0064] 上基板： 4082 [0065] 下基板： 4084 [0066] 開孔區· 4086 099121983 表單編號A0101 第20頁/共30頁 0992038720-0