TW201122493A - Microprobe structure and method of making the same - Google Patents

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201122493 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有觀針結構及錢造方法，更獅言之，係有 關於種適用於電子元件測試用之探針卡組件的微探針結構及其製 造方法，核敗雜針結構及其製妓法半導鮮程之微影、 電鍍平坦化、银刻技術，並以高分子來取代電鍛第二犧牲層金屬， 於一具有㈣無之級表面上，相娜成具有二層以上之微金屬結 構藉以知到具有該二層以上之微金屬結構的微探針結構，且利用本 發明之微探針製造方法所做出之微探針結構，具有強化懸臂樑之結構 …十’適用於各類電子元件測試用之組件，可用以做為探針卡之測試 頭。 【先前技術】 探針卡是應用在積體電路ic尚未封裝前，對裸晶以探針(probe) 做功能測試’藉以篩選出不良品、再進行之後的封裝工程。因此，是 積體電路製造巾對製造成本影響相當大的重要製程。簡言之，探針卡 疋測试機台與晶圓間之介面，每一種親電路1C至少需-片相對 應之探針卡’而測試的目的是使晶圓蝴後，讓良品將進人下一封褒 製程、並避免對不良品繼續加I而造成浪費。因此，高可靠度是判斷 探針卡製稍辭力相《要的指標。 201122493 傳統上所採用之技術，如美國專利us Patent N〇. 4, 757, 256中 所揭露之環氧樹脂環式探針卡(ep〇xy ring pr〇be card)，因這類具 有少量、多樣及彈性製造的優點，至今仍是業界廣泛能接受的技術β 此類探針卡的製造方式疋以人工逐根擺放的方式來組裝探針，然，此 種方式將限制探針數不能再成長、也不適合應用在多晶粒測試，例 如’ DARM測試’而僅適用在低腳數、低針數測試，例如，邏輯IC(L〇gic ic)。又，探針線路太長約數刪，頻寬限制約2〇〇MHz，而此對未來工 業界所需要之頻寬約lGHz而言，明顯無法予以適用。 於美國專利US Patent No. 6, 072,190巾，揭露-觀針卡，其 探針是以㈣«eantilever beam)錢放，難麟触於懸臂標 刖緣、呈金字塔結構(pyramid structure)、且其探針材料為石夕，電 子訊號連接方式是在觀_-淑積-導電_以連接待測元件 與檢測器。然，眾關知H脆性㈣，且其在特定晶面之材料 強度較弱、辆次數(tQueh_d_ _ber)將較低；又其電氣訊號僅 靠-薄膜傳送崎致使阻抗提高，貞絲容㈣高^鱗。簡言之， 這類探針卡可靠度將無法符合工業界的需求。 於美國專利US Patent Να 5,476, 21卜以及5, 926, 951中，揭 示-微電子元件彈簧互連元件之製造方法，然，這_針卡較難承受 側向應力，且娜簧互連元件較長，因而，不適於高頻測試。 201122493 又，於美國專利US Patent No. 2007/0024298 A1中，提出-具 特I"生之微彈性探針(切如加聊㈣pr〇be)，而每一探針設計一 微扭力#(torsion bar)藉以克服側向應力，然此將限制這麵針卡 細間距發展能力。 另’於中華民國專利公報之發明公告/公開號1279556中，提出 微彈性接觸器其微階梯懸臂樑設計可強化微探針受力狀況，但其第 -犧牲層金屬所佔的面積相當大時，必雜可能降低電鍍所造成之殘 留應力，否則容易使這類探針卡強度降低。 所以如何号求一種微探針結構及其製造方法，可適用於電子元件 測試用的探針卡Μ件，能解決目前高性能電氣I置(例如

，VLSI、ULSI 電路)於電路顺時’職之冑性能峨麟(piObe)課題;另，如何 尋求利用-種微探針製造方法，以製造出微探針結構而可用以做為探 針卡之測試頭，能適用於各類電子元件測試用之組件，如半導體元件 之裸晶測試(bare testing)、已封裝元件之燒機測試(burn_in)、印 刷電路板之測試躲細試制試組件，抑或，躺在電子耕之連 接裝置，如料體元件之引線及雖;且，做為探針卡之職頭用之 該微探針結構’可有效增加測試頻寬、縮小間距及提升並排測試能 力’均是待解決的問題。 201122493 【發明内容】 本發明之轉目驗是在讀供—觀料結構及其製造方 法，係適用於電子元件測試用的探針卡組件，本發明之微探針結構友 其製造方法_半⑽餘之郷、電鍍、平坦化、侧技術，並以 高分子來取代電鍍第二犧牲層金屬。 本發明之X-目驗是在於提供—鑛探針結構及其製造方 法’係適用於電子元件測試用的探針卡組件，利用本發明之微探針製 造方法所《之織構，具錢傾物之結構料，適用於各 類電子元件職用之組件’可用以做為探針卡之測試頭。 本發明之再-目的歧在概供__探躲淑其製造方 法’係適驗電子播職關騎輪件，本發社微探針製 造方法所做出之微探針結構，可有朗加測試敢、縮小間距及提升 並排測試能力。 本發明之$ —目驗私練供i娜針結構及其製造方 法，係適祕電子元制期峨針卡組件，_本發明之微探針製 造方法所«之微探針職，可適各_子元件峨用之組件， 如半導體元件之絲賴0赃testing)、已雖元件之燒機測試 (b_-in)、印刷電路板之測試與燒機測試等測試組件，抑或，應用 在電子耕之連接裝置，如半導航件之㈣及封裝。 201122493 本發明之$ -目_是树提供—觀探針結獻其製造方 法，係適用於電子元件測試用的探針卡組件，利用本發明之微探針製 造方法所做出之微探針結構，可適驗半導航件裸⑽細之探針 卡(probe card)的微探針。 根據以上所叙目的，本發明之鶴針製造方法包含之步驟為， 百先’準備-具有空間轉換(space transf〇rmer)的基板，以便於該 • 基板上進行後續之微探針結卿先接著，_铸體製程之微影、 電鍍、平坦化、蝕刻技術，並以高分子來取代電鍍第二犧牲層金屬， 於該基板表面上，相繼形成具有二層以上之微金屬結構，在此，每一 層微金屬結構係由一種材料所組成，而該二層以上之微金屬結構可由 相同材料及/或由不同之材料所組成；繼而，以液體或乾蝕刻去除該二 層以上之微金屬結構以外的其他材料，在此，該液體或乾姓刻不會姓 馨刻該二層以上之微金屬結構；最後，於基板上得到良好之具有該二層 以上之微金屬結構的微探針結構。 爲使熟悉該項技藝人士瞭解本發明之目的、特徵及功 效’茲藉由下述具體實施例’並配合所附之圖式，對本發明 詳加說明如後： 【實施方式】 201122493 第1圖為一流程圖’用以顯示說明本發明之微探針結構製造方法 的流程步驟。如第丨圖中所示之為本發明之微探針結構製造方法，首 先’於步驟11 ’準備一具有空間轉換的基板，以便於該基板上進行 後續之微探針結構形成，並進到步驟12。 於步驟12，利用半導體製程之微影、電鐘、平坦化、蝕刻技術， 並以高分子來取代電鍍第二犧牲層金屬，於該基板之表面上相繼形成 ® 二層以上之微金屬結構，在此，每一層微金屬結構係由一種材料所組 成，而該二層以上之微金屬結構可由相同材料及/或由不同之材料所 組成’並進到步驛13。 於步驟13，以液體或乾蝕刻去除該二層以上之微金屬結構以外 的其他材料，在此，該液體或乾钱刻不會蝕刻該二層以上之微金屬結 構，並進到步驟14。 φ 於步驟14，於基板上得到良好之具有二層以上之微金屬結構的 微探針結構。 第2圖為一流程圖，用以顯示說明於第1圖中之準備一基板之步 驟的詳細流程程序。如第2圖中所示之，首先，於步驟in，選取一 具有空間轉換(space transformer)的基板，該基板具備有將接觸墊 (contact pad)重佈（distribution)、間距放大及提供很好共平面产 (co-planner)的功能，並可在相反表面形成相應接觸墊，該基板係選 201122493 取自陶瓷基板、矽基板、玻璃基板或FR-4基板等，在此，陶瓷基板 可為多層陶瓷基板(multi-layer ceramics substrate，MLC)、低溫 共燒陶瓷基板（low temperature co-fired ceramics substrate， LTCC)或高溫共燒陶瓷基板(high temperature co-fired ceramics substrate，HTCC)，並進到步驟 112。 於步驟112，於該基板上沉積種子層（seed layer)，在此，該種 子層為電鍍起始層’需要有良好的導電性及與基板間的附著性，一般 可選取自 Cr/Au(Cr under Au)、Ti/Au(Ti under Au)、Ti/Cu(Ti under Cu)或 Ti-W/Au(Ti-W under Au)，以 Cr/Au or Ti/Au 為例，Cr 約 100-200A，Au約1000-2000A，另，沉積之技術選取自蒸鍍 (evaporation)、濺鍍(Sputtering)、無電鍍(electr〇iess)等；於步 驟112完成後，並進到步驟12。 第3圖為一流程圖，用以顯示說明於第丨圖中之於該基板之表面 上相繼形成二層以上之微金屬結構之步獅雜流程程序。由第3圖 中之步驟可知’本發明之觀構製造方法姻半導體製程之微 影、電鑛、平坦化、侧麟，並以高分子來取代電鄕二犧牲層金 屬。如第3圖中所示之，首先，於步驟121，於該基板上批覆光阻及 /或硬質蠘及/或高分子聚合物，端視實際施行_而定，在此，批覆 光阻可依光阻特㈣制適宜之技術，有_ __、sp_ 201122493 coating、lamination、casting 等，光阻可為正型、如 Clariant AZ4620、TOK LA900、PMMA，以及，光jj且可為負型、如 JSR THB126N、 MicroChem SU-8等;於步驟121完成後，並進到步驟122。 於步驟122 ’進行光阻烘烤，光阻經烘烤後，將其中溶劑蒸發使 光阻變硬，之後進行曝光、顯影，以成形所需之微結構圖案 (pattern)，其中，烘烤方法有加熱板直接加熱(direct backing by hot plate)、烘箱（Oven)或紅外線加熱（IR backing)等，曝光方式有 X-ray lithography、UV lithography、direct write e-beam 等；於 步驟122完成後，並進到步驟123。 於步驟123 ’在微結構圖案凹洞内電鍍所需之金屬結構，一般可 電鍍的金屬可選取自 Au、Cu、Ni、Ni-Mnalloy、Ni-Fe alloy、Ni-Co alloy、Sn-Pb等;於步驟123完成後，並進到步驟124。 於步驟124，進行平坦化，研磨加工將使得光阻厚度與電鍍金屬 厚度一致，其中，研磨加工方式選取自機化學加工(Chemical mechanical polishing’ CMP)、機械研磨（mechanical lapping).、 拋光(polishing)等，並進到步驟125。 於步驟125 ’重覆步驟121至步驟124，用以於該基板之表面上 形成二層以上之微金屬結構。 第4圖為一流程圖，用以顯示說明於第丨圖中之以液體或乾蝕刻 201122493 去除該二相上之微金屬結構料的其他材料之步驟的詳細流程程 序。如第4圖中所示之，於步驟131，以溶__去除光阻及/ 或硬戰W好聚合物，用_岭二私上之微金屬結構， 並進到步驟132。 於步驟132，以餘刻液移除種子層，並進到步驟。 第5圖為-餘目，肋顯示朗_本酬之赌針結構製造 方法的-實補，讀造出本發明之—微探針結構的_步驟。由第 5圖中之步料知，本M之微探觀造方法·半導體製程之 微影、電鍍、平坦化、蝕刻技術，並以高分子來取代電鍍第二犧牲層 金屬。如第5圖中所示之、並請參閱第6_a至第6_g圖之示意圖，首 先，於步驟2卜選取一具有空間轉換(space transf〇rmer)的基板 2〇〇，該基板200具備有將接觸墊(contact pad)重佈 (distribution)、間距放大及提供很好共平面度(co-planner)的功 能，並可在相反表面形成相應接觸墊，該基板200係選取自陶究基 板、碎基板、玻璃基板或FR-4基板等，在此，陶瓷基板可為多層陶 瓷基板(multi-layer ceramics substrate，MLC)、低溫共燒陶竟基 板（low temperature co-fired ceramics substrate ’ LTCC)或高溫 共燒陶瓷基板(high temperature co-fired ceramics substrate， HTCC);於該基板200上沉積種子層（seed layer)201，在此，該種子 201122493 層201為電鍍起始層，需要有良好的導電性及與基板2〇〇間的附著. 性’一般可選取自 Cir/Au(Cr under Au)、Ti/Au(Ti under Au)、Ti/Cu(Ti under Cu)或 Ti-W/Au(Ti-W under Au)，以 Cr/Au or Ti/Au 為例，

Cr約100-200A，Au約1000-2000A，另，沉積之技術選取自蒸鍍 (evaporation)、濺鍍(Sputtering)、無電鍍(electroless)等，本實 施例以濺鍍為例，步驟21之製程如第6-a圖中所示之，並進到步驟 22。 於步驟22 ’先於該基板上批覆光阻202，所批覆之光阻可依光阻 特性所採用之適宜技術選取自spin coating、spray coating、 lamination、casting 等；光阻可為正型、如 CIariant AZ462〇、τ〇κ LA900、PMMA ,以及，光阻可為負型如 JSR THB一126N、Micr〇Chem 别_8 等，可依產品特性選擇合適的光阻，因本發明之後續須進行研磨加工 製程，因而，於本實施例，採用結構強度較高2ep〇xy_base photoresist/Su-8並以旋轉塗佈（Spin c〇ating)來批覆光阻202，以 有利於後續製程展開；繼而，進行第一層光阻202供烤，經烘烤後， 將其中溶劑蒸發使第-層光阻2〇2變硬，之後進行曝光、顯影，以成 形所需U絲微結構，其巾，輯;$·法有加熱板直接加熱、 火、序i或紅外線加熱等，曝光方式有X_ray lith〇graphy、uv lithography、direct write e-beam 等，本實施例以 hot plate m 12 201122493 backing/UV exposure為例，步驟22之製程如馀。，丄 _ A弗b-b圖中所示之， 於步驟22完成後，並進到步驟23。 於步驟23 ’在第-層光阻微結構204圖案凹洞内電綱需之金 屬205結構，-般可電鍍的金屬205可選取自Au、&、則、Ni_Mn alloy、Ni-Fe alloy、Ni-Co alloy、Sn_Pb 等，步驟 23 之製程如第 6-c圖中所示之，並進到步驟24。 於步驟24 ’進行平坦化’研磨加工以得到第一層金屬微結構 206，研磨加工將使得光阻202與電鍍金屬2〇5厚度一致，其中，研 磨加工方式選取自機化學加工(CMP)、機械研磨、拋光等；另，光阻應 採用具高機械強度之 epoxy-base photoresistwMicr〇Chem Su 8， 步驟24之製程如第6-d圖中所示之，並進到步驟25。 於步驟25，重覆步驟22至步驟24，於光阻結構203内、以及於 該基板200之表面上，將形成包含至少丨個以上之柱狀微結構1〇1、 水平懸臂樑102、103探針座、以及微探針1〇4的微探針結構218， 在此’微採針結構218為微探針陣列(micro probe array)型式;微探 針結構218包含至少1個以上之柱狀微結構1〇ι、水平懸臂樑1〇2、 探針座103、以及微探針1〇4，其中，該至少1個以上之柱狀微結構 101於其下連通基板200之接觸塾(contact pad)(未圖示出），該水 平懸臂樑102用以提供足夠之上、下變形量，以補償探針卡（未圖示 m 13 201122493 出）測°式機台（未圖示出）間之平面誤差，但該柱狀微結構101較水 平W嫁樑102的結構圖案之寬度、長度小，因此，在電鍍微水平懸臂 標1〇2月’J ’應再沉積一層電鐘起始層（未圖示出）；步驟25之製程如 第6-e圖中所示之，並進到步驟26。 於步驟26，以溶劑(未圖示出）或乾蝕刻（未圖示出）去除光阻結 構203 ’用以釋出包含至彡1個以上之柱狀微結構10卜水平懸臂樑 102探針座log、以及微探針工微探針結構批，步驟邡之製 程如第6—f W中所示之，並進到步驟27。 ;步驟27，以餘刻液（未圖示出）移除未被至少^個以上之柱狀 u冓i(u、水平懸臂樑102、探針座1〇3、以及微探針⑽所覆蓋 之種子層射;7 219 ’以於基板2〇〇上得到良好的微探針結構218，步 驟27之製程如第6-g圖中所示之。 第6-a至第6-g圖為示意圖’用以顯示說明於第5圖中之利用本 毛月之微缺製造方法的—實糊’崎如本發明之-娜針結構 尤流程步驟的製程情形。 第7圖為-流程圖，用以顯示說明利用本發明之微探針製造方法 的另-實施例’以製造出本發明之另—微探針結構的流程步驟。由第 7圖中之步料知’本發明之雌針轉製造綠半.導體製程之 微影、、平坦化、賴技術，並Μ分子絲航鍵第二犧牲層 201122493 金屬。如第7圖中所示之、並請參閱第8-a至第8-h圖之示意圖，首 先’於步驟31，選取一具有空間轉換(space transformer)的基板 300，該基板300具備有將接觸塾(contact pad)重佈 (distribution)、間距放大及提供很好共平面度(co-planner)的功 能’並可在相反表面形成相應接觸墊，該基板300係選取自陶究基 板、矽基板、玻璃基板或FR-4基板等，在此，陶瓷基板可為多層陶 Φ 瓷基板(multi-layer ceramics substrate，MLC)、低溫共燒陶竞基 板（low temperature co-fired ceramics substrate，LTCC)或高溫 共燒陶瓷基板(high temperature co-fired ceramics substrate， HTCC);於該基板300上沉積種子層（seed layer)301，在此，該種子 層301為電鍍起始層，需要有良好的導電性及與基板300間的附著 性，一般可選取自 Cr/Au(Cr under Au)、Ti/Au(Ti under Au)、Ti/Cu(Ti _ under Cu)或 Ti-W/Au(Ti-W under Au)，以 Cr/Au or Ti/Au 為例，

Cr約100-200A ’ Au約1000-2000A，另，沉積之技術選取自蒸鐘 (evaporation)、濺鍍(Sputtering)、無電鍍(electroless)等，本實 施例以藏鍍為例，步驟31之製程如第8-a圖中所示之，並進到步驟 32 〇 於步驟32，先於該基板上批覆光阻302，所批覆之光阻可依光阻 特性所採用之適宜技術選取自spin coating、spray coating、

[SI 15 201122493 lamination、casting 等；光阻可為正型、如 Clariant AZ462〇、τ〇κ LA900、ΡΜΜΑ ’ 以及’光阻可為負型如 JSR ΤΗβ_、祖cr〇Qiem SU 8 等’可依產品特性聊合適的光阻，於本實施例，_結構強度較高 之 epoxy-base Ph〇t〇resist/Su_8 並以旋轉塗佈（spin c〇ating>來批 覆光阻302 ’以有利於後續製程展開；繼而，進行第一層光阻3〇2烘 烤，經烘烤後，將其中溶劑蒸發使第一層光阻3〇2變硬，之後進行曝 光、顯影’以成形所需之第一層光阻微結構3〇4，其中，輯方法有 加熱板直接加熱、供箱或紅外線加熱等，曝光方式有X—呵 lith〇graphy、UV lith0_y、仙奶 _ e__ 例以W細祕ing廣expQ_為例，細2讀程如第M 圖中所不之’於步驟32完成後，並進到步驟33。 於步驟33 ’在第-層光阻微結構3〇4圖案凹洞内電鍍所需之金 屬3〇5結構，一般可電鑛的金屬305可選取自Au、Cu、Ni、Ni_Mn 、Ni-Fe alloy、㈣〇 alI〇y、s_等步驟沿之製程如第 8-c圖中所示之，並進到步驟34。 於步驟.34，先以溶劑(未㈣）_刻（她出）將第一層 細蝴，職斷叫㈣合物以 第-硬質此第，層3。7材料， 時又可改善光阻選擇之限制，步驟34之製程如第W圖中所 201122493 示之’並進到步驟35。 於步驟35，進行平坦化，研磨加工以得到第一層金屬微結構 306，研磨加工將使得所塗覆之第一硬質層3〇7與電鍍金屬3〇5厚度 一致，其中，研磨加工方式選取自機化學加工(CMp)、機械研磨、拋 光專，步驟35之製程如第8-e圖中所示之，並進到步驟36。 於步驟36，重覆步驟32至步驟35，所塗覆之易溶解之硬質犧或 • 高分子聚合物將形成第二硬質層312，而於所塗覆之第一硬質層 307、以及第二硬質層312内、且於該基板3〇〇之表面上將形成包 含至少1個以上之柱狀微結構4〇1、水平懸臂樑4〇2、4〇3探針座、 以及微探針404的微探針結構418，在此，微探針結構418為微探針 陣列(micro probe array)型式;微探針結構418包含至少丨個以上之 柱狀微結構401、水平懸臂樑402、探針座4〇3、以及微探針4〇4， • 其巾，該至少1個以上之她微結構401於其下連通基板3〇〇之接觸 墊(contact pad)(未圖示出），該水平懸臂襟—用 下變形量，以補償探針卡(未圖示出）、測試機台（未圖示出）間之平面 誤差’但該水平懸臂樑402較微探針4〇4的結構圖案之寬度'長产巧， -因此，在電鐘形成麵針404之前，應再沉積—層電鍛起始層（未圖 示出）；步驟36之製矛王如第8-f圖中所示之，並進到步驟π。 於步驟37，以溶劑(未圖示出）或乾_(未圖示出）去除第一硬 17 201122493 質層307、以及第二硬質層312, 用以釋出包含至少1個以上之柱狀 、以及微探針404的微探 微結構4(H、水平懸臂樑402、探針座4〇3 針結雜’步驟37之製程如第8補中所示之，並進到步驟38。 於步驟38 ’以侧液(未圖示出）移除未被至少i個以上之柱狀 微結構仙、水平懸臂樑撕、探針座、以及微探針伽所覆蓋

之種子層部份319，以於基板3⑼上得到良好的微探針結構418，步 驟38之製程如第8-h圖中所示之。 第8-a至第8-h圖為示意圖’用以顯示說明於第7圖中之利用本 發明之微探針結構製造方法的另—實施例，以製造出本發明之另一微 探針結構之流程步驟的製程情形。 本發明之微麟結_其他實關，可齡本發.微探針製造 方法來予⑽行，而該些實蝴之娜針結構係顧重覆相同之微探 針製程、並可具有不同之二相上之微金屬結構，請參邮9⑷至 第9⑷圖、第10圖、第U⑷至第11(c)圖，為本發日月之微探針結 構的其他實施樣態。 第9(a)圖為一示意圖，用以顯示說明利用本發明之微探針結構 製造方法所形成之又一微探針結構.如第9(a)圖中所示之，微探針結 構518包含至少丨個以上之柱狀微結構5〇1、水平懸臂樑5〇2、水平 樑503、探針座504、以及微探針5〇5，其中，水平懸臂樑5〇2與水 201122493 平樑503相互堆疊連接’該至少1個以上之柱狀微結構501於其下電 性連通基板400之接觸墊(contact padx未圖示出），該水平懸臂樑 502用以提供足夠之上、下變形量，以麵探針卡(未圖示出）、測試 機台（未圖示出）間之平面誤差。 第9(b)圖為一示意圖，用以顯示說明利用本發明之微探針結構 製造方法所形成之再-微探針結構如第9⑹财所示之，微探針結 構618包含至少1個以上之柱狀微結構6〇1、水平懸臂樑6〇2、水平 樑603、探針座604、以及微探針605，其中，水平懸臂樑6〇2與水 平樑603相互堆疊連接’該至少丨個以上之柱狀微結構6〇1於其下電 性連通基板500之接觸墊(contact pad)(未圖示出），該水平懸臂樑 602用以提供足夠之上、下變形量，關償騎卡(未圖示⑴、測試 機台（未圖示出）間之平面誤差。 依據力學分析，第6(g)、8(h)圖中之微探針1〇4、404於受力時， 其最大應力位在水平懸臂樑1〇2與至少丨個以上之柱狀微結構1〇1的 接合介面 '以及位在水平懸臂樑4〇2與至少丨個以上之柱狀微結構 401的接合介面，在此，最有效增加強度的方式就是在水平懸臂樑 102、402的尾端上或下增加至少i個水平樑。因而，於第9(a)圖中， 於水平懸臂樑502之尾端下增加一水平樑503，而於第9(b)圖中，則 於水平懸臂樑602之尾端上增加一水平樑6〇3 201122493 第9(0圖為-示意圖，用以顯示說明利用本發明之微探針結構 製造方法卿成之又-娜針結構.4 9⑹針卿之，微探針结 構718包含至少i個以上之柱狀微結構加、水平懸臂襟观、水平 樑703、水平樑704、探針座705、以及微探針7〇6，其中，水平襟 703與其上之水平樑顺堆疊連接，而水平樑m與其上之水平懸臂 樑702堆疊連接，該至少i個以上之柱狀微结構7〇ι於其下電性連通

基板6GG之接觸塾(⑽tact pad)(未圖示出），該水平懸臂樑沏用 以提供足夠之上、下變形量，以補償探針卡(未圖示出）、測試機台（未 圖示出）間之平面誤差。 第9(d)圖為-示意圖，用以顯示說明利用本發明之微探針結構 製造方法所形成之另一微探針結構.如第9(d)圖中所示之，微探針結 構818包含至少1個以上之柱狀微結構801、水平懸臂樑8〇2、水平 樑803、水平樑804、探針座805、以及微探針806，其中，水平懸 臂樑802與其上之水平樑803堆疊連接，而水平樑8〇3與其上之水平 樑704堆疊連接，該至少1個以上之柱狀微結構801於其下電性連通 基板6⑽之接觸墊(contact pad)(未圖示出）’該水平懸臂樑802用 以提供足夠之上、下變形量，以補償探針卡（未圖示出）、測試機台（未 圖示出）間之平面誤差。 依據力學分析，第6(g)、8(h)圖中之微探針104、404於受力時， 20 201122493 其最大應力位在水平懸臂錢2與至少丨個以上之柱狀微結構1〇1的 接合介面、以及位在水平懸臂樑402與至少（個以上之柱狀微結構 401的接合介面’在此’最有效增加強度的方式就是在水平懸臂樑 102、402的尾端上或下增加至少}個水平襟。因而，於第9(c)圖中， 於水平懸臂樑7G2之尾端下增加水平樑期、以及水平標綱，而於 第9(d)圖中，則於水平懸猶8〇2之尾端上增加水伟、以及水 # 平樑804. 第10®為示意圖’用關示說明利用本發明之微探針結構製 造方法所形成之再-微探針結構.如第1〇圖中所示之，微探針結構 918包3至夕1個以上之柱狀微結構卯卜水平懸臂標卿、水平標 903、水平樑904、探針座905、以及微探針9〇6，其中，探針座· 由微金屬結構905卜以及微金屬結構9〇52所組成，該至少i個以上 φ 之柱狀微結構901於其下電性連通基板·之接觸墊(contact pad)(未圖示出）’該水平懸臂樑9〇2用以提供足夠之上、下變形量， 以補償探針卡(未圖示出）、測試機台（未圖示出）間之平面誤差。 當探針卡垂直方向之撓曲約為75_，若探針座為如第6(g)、8(h) 圖中探針座103、403之細長結構時，則將較難予以製造，因而，於 第10圖中探針座905將由微金屬結構刪、以及微金屬結構· 所組成。 [S] 21 201122493 第11(a)圖為一不意圖，甩以顯示說明利用本發明之微探針結構 製造方法所形成之另-微探針結構如第u⑷圖中所示之，微探針 結構728包含柱狀微結構71卜水平懸臂樑712、探針座713、以及 微採斜714 ’其巾，柱狀微結構711於其下電性連通基板72〇之接觸 墊(contact pad)(未圖示出）’該水平懸臂樑712用以提供足夠之上、 下變形量，以補償探針卡(未圖示出）、測試機台（未圖示出）間之平面 籲 ㈣，在此，為增加柱狀微結構與基板間之附著力，因而加大柱狀微 結構與基板之接觸面積。 帛11(b)圖為-不意圖，用以顯示說明利用本發明之微探針結構 製造方法所形成之又-微探針結構.如第n⑹圖中所示之，微探針 結構828包含至少1個以上之柱織結構8U、水平懸臂樑812、水 平樑813、水平樑814、探針座815、以及微探針816，其中，水平 Φ 樑813與其上之水平樑814堆疊連接，而水平標814與其上之水平懸 臂標812堆疊連接，柱狀微結構811於其下電性連通基板之接觸 塾(contact pad)(未圖示出），該水平懸臂樑812用以提供足夠之上' 下變形量，以補傭針卡(未圖示出）、測試機台（未圖示出）間之平面 誤差’在此’為增加餘微結構與基板間之崎力，因*加大柱狀微 結構與基板之接觸面積。 第11(c)圖為-示意圖，用以顯示說明利用本發明之微探針結構 22 [S] 201122493 製造方法所形成之再一微探針結構.如第11(c)圖中所示之，微探針 結構928包含至少1個以上之柱狀微結構911、水平懸臂樑912、水 平樑913、水平樑914、探針座915、以及微探針916，其中，水平 懸臂樑912與其上之水平樑913堆疊連接，而水平樑913與其上之水 平樑914堆疊連接，柱狀微結構911於其下電性連通基板92〇之接觸 墊(contact pad)(未圖示出），該水平懸臂樑912用以提供足夠之上、 下變形量，以補償楝針卡（未圖示出）、測試機台（未圖示出）間之平面 誤差，在此，為增加柱狀微結構與基板間之附著力，因而加大柱狀微 結構與基杈乏接觸面積。 依據力學分析，第6(g)、8(h)圖中之微探針1〇4、404於受力時， 其最大應力位在水平懸臂樑102與至少丨個以上之柱狀微結構1〇1的 接合介面、以及位在水平懸臂樑4〇2與至少丨個以上之柱狀微結構 4〇1的接合介面，在此，最有效增加強度的方式就是在水平懸臂樑 1〇2、402的尾端上或下增加至少1個水平樑。因而，於第n(b)圖中， 於水平懸臂樑812之尾端下增加水平樑813、以及水平樑814，而於 第11(c)圖中，則於水平懸臂樑912之尾端上增加水平樑913、以及 水平樑914. 於以上之本發明之微探針結構的該些實施例中，依據力學分析， 例如，於第6(g)、8(h)圖中之微探針104、4〇4於受力時，其最大應 [S1 23 201122493 力位在水平懸臂樑102與至少1個以上之柱狀微結構1〇1的接合介 面、以及位在水平懸臂樑4〇2與至少1個以上之柱狀微結構4〇1的接 合介面，在此，增加強度的方式亦可將水平懸臂樑1〇2、水平懸臂樑 402的尾端寬度放大，而尾端寬度放大之水平懸臂樑之實施例的施行 情況’其原理相同、類似於以上之該些實施例所述之，在此不再贅述。 於以上該些利用本發明之微探針製造方法以製造出微探針結構 的實碎例中’為以高分子取代電鍍第二犧牲詹金屬；且，無論是於第 6-g圖中所示之微探針結構218、於第g_h圖中所示之微探針結構 418，及/或於第9(a)至第9⑷圖、第1〇圖、第u(a)至第u(c)圖 中之各微探針結構’該些微探針結構均具有強化懸臂標之結構設計， 適用於各類電子元件測試用之組件，可用以做為探針卡之測試頭;該 些微探針結構有效增加測試頻寬(bandwidth)、縮小間距(pi tch)及提 升並排(parallel)測試能力。 另，雖於第6-g圖中所示之微探針結構218、於第8—h圖中所示 之微探針結構418，及/或於第9(a)至第9⑷圖、第1()圖、第叫） 至第11(c)圖中所示之各微探針結構，係為適用於半導體元件裸晶測 試用之探針卡(probe card)的微探針，然，本發曰月之微探針製造方法 亦可適用於製造出可義於各類電子元件測試用之組件，如半導體元 '件之裸晶測試、已封裝元件之燒機測試、印刷電路板之測試與燒機測 24 201122493 試等測試組件’抑或，翻在f子元件之連接裝置，如半導體元件之 引線及封裝，而其理均烟、類似於以找些實細，是故， 在此不再贅述。 综合以上之實❹丨’ _可_本侧之„_雛槪結構及其製 造方法，顧驗電枝剌_針切件，本剌之微探針結 構及其製造方法轉體縣之微影、電鍍、平坦化、侧技術， β 並以高分子來取代電鍍第二犧牲層金屬，於-具有空間轉換之基板表 面上，相繼形成具有二層以上之微金屬結構，藉以得到具有該二層以 上之微金屬結構的微探針結構，在此，每一層微金屬結構係由一種材 料所組成，而該二層以上之微金屬、结構可由相同材料及/或由不同之 材料所組成。利用本發明之微探針結構製造方法所做出之微探針結 構’具有強化懸臂樑之結構設計’適用於各類電子元件測試用之組 鲁 件可用以做為探針卡之測試頭，而有效增加測試頻寬、縮小間距及 提升並排舰能力。本發明之微探健紗献其結構包含以下優 點： 1.提供職探針結構及其製妨法，係顧於電子元件測試用的 探針卡組件’本發明之微探針結構及其製造方法製造方法為以高 刀子取代電鑛第―犧牲層金屬，利用本發明之微探針結構製造方 法所做出之觀針結構’具能域魏之結構設計，適用於各 25 [si 201122493 類電子元件測試用之組件，可用以做為探針卡之測試頭（testing head) 〇 2_利用本發明之微探針結構製造方法所做出之微探針結構，可有效 增加測試頻寬(bandwidth)、縮小間距(pitch)及提升並排 (parallel)測試能力。 3. 利用本發明之微探針結構製造方法所做出之微探針結構，可適用 於各類電子元件測試用之組件，如半導體元件之裸晶測試(bare testing)、已封裝it件之燒機測試(burn-in)、印刷電路板之測試 與燒機測試等測試組件，抑或，應用在電子元件之連接裝置，如 半導體元件之引線及封裝。 4. 利用本發明之微探針結構製造方法所做出之微探針結構，可適用 於半導體元件裸晶測試用之探針卡（(pr〇be card)的微探針。 以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之 摩巳圍，凡其匕未脫離本發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修 飾’均應包含在下述之專利範圍内。 【圖式簡單說明】 第1圖為一流程圖，用以顯示說明本發明之微探針結構製造方法 的流程步驟； 26 201122493 第2圖為-流程圖，用以顯示說明於第1圖令之準備一基板之步 驟的詳細流程程序； 第3圖為一流程圖，用以顯示說明於第1圖令之於該基板之表面 上相繼形成二層以上之_針結歡麵輯細流程程序； 第4圖為一流程圖’用以顯示說明於第1圖中之以液體或乾银刻

Mu UU微探針簡以相其蹄料之步獅詳細流程程 序； 第5圖為-流程圖，用以顯示說明利用本發明之微探針製造方法 的-實施例，以製造出本發明之—微探針結構的流程步驟； 第6 a至第6-g圖為示意圖，用以顯示說明於第5圖中之利用本 發明之微探針製造方法的—實_，讀造出本發明之—微探針結構 之流程步驟的製程情形； 第7圖為4圖’用簡示制彻本發明之微探針製造方法 的另一實_，以製造出本發明之另—微探針結構的流程步驟； 第8—a至第8_h圖為示意圖，用以顯示說明於第7圖中之利用本 發明之微探針製造方法㈣_實_，崎造出本發明之另—微探針 結構之流程步驟的製程情形； 第9(a)圖為—示意圖’肋顯錢明顧本發明之微探針結構 製造方法所形成之又一微探針結構； 27 [S] 201122493 ㈣侧本恢軸 製造方法所形成之再一微探針結構； 第（）圖為不思圖，用以顯示說明利用本發明之微探針結構 製造方法所形成之又一微探針結構. 第9(d)圖為-示意圖，用以顯示說明利用本發明之微探針結構 製造方法所形成之另一微探針結構； • 第1G圖為"*示意圖’用以顯示說明細本發明之微探針結構製 造方法所形成之再一微探針結構； 第11(a)圖為-示意圖’用以顯示說明利用本發明之微探針結構 製造方法所形成之另一微探針結構； 第11(b)圖為一示意圖，用以顯示說明利用本發明之微探針結構 製造方法所形成之又一微探針結構；以及 第11 (c)圖為一示意圖’用以顯示說明利用本發明之微探針結構 製造方法所形成之再一微探針結構。 【主要元件符號說明】 11 12 13 14 步驟 21 22 23 24 25 26 27 步驟 31 32 33 34 35 36 37 38 步驟 [S3 28 201122493 101柱狀微結構 102水平懸臂樑 103探針座 104微探針 111 112 步驟 121 122 123 124 125 步驟 131 132步驟 200基板 201 種子層 202 光阻 203光阻結構 204第一層光阻微結構 205金屬 218微探針結構 219種子層部份 300基板 3〇1種丰層 302光阻 304第一層光阻微結構 29 201122493 305金屬 306第一層金屬微結構 307第一硬質層 312第二硬質層 319種子層部份 400基板 401柱狀微結構 402水平懸臂樑 403探針座 404微探針 418微探針結構 500基板 501柱狀微結構 502水平懸臂樑 503水平樑 504探針座 505微探針 518微探針結構 600基板 201122493 601柱狀微結構 602水平懸臂樑 603水平樑 604探針座 605微探針 618微探針結構 700基板 701 柱狀微結構 702水平懸臂樑 703水平樑 704水平樑 705探針座 706微探針 711 柱狀微結構 712水平懸臂樑 713探針座 714微探針 718微探針結構 720基板 201122493 728微探針結構 811 柱狀微結構 812水平懸臂樑 813水平樑 814水平樑 815探針座 816微探針 820基板 828微探針結構 901 柱狀微結構 902水平懸臂樑 903水平樑 904水平樑 905探針座 906微探針 911 柱狀微結構 912水平懸臂樑 913水平樑 914水平樑 201122493 915探針座 916微探針 918微探針結構 920基板 928微探針結構 9051微金屬結構 9052微金屬結構

Claims (1)

1. 201122493 七、申請專利範圍： 1. -種微騎職製奴法’係_於電子元件觀㈣探針卡組 件，該微探針結構製造方法包含以下程序. 準備一具有空間轉換之基板； 於該基板之表面上相繼軸二層以上之微金屬結構； 以液體及/或乾敍來去除該二層以上之微金屬結構以外的其他材 • 料，該紐*會_該二層社之微金屬結構;以及 於該基板上得到具有該二如上之微金賴_雜針結構。 2. 如申請翻範圍第i項所狀該微探針結難造雜，其中，該準 備具有空間轉換之基板的程序包含以下步驟： 選取一具有空間轉換之基板；以及 於該基板上沉積種子層’該種子層具導電性、並具與該基板間的 _附著性，可選取自Cr under Au、Ti峰Au、Ti _ Cu、Μ under Au。 3·如申請專利範圍第1項所述之該微探結構針製造方法，其中，於該 基板之表面上相繼形成該二層以上之微金屬結構的程序包含以下步 驟： (a)批覆触及/或硬Μ及/或高分子聚合物； ⑹對所抵覆之該光阻進行烘烤，該光阻經烘烤後，將其中溶劑 34 [S] 201122493 蒸發使該光阻變硬’之後進行曝光、顯影，以成形所需之微結構圖案; (C)在該微結構圖案凹洞内電鍍所需之金屬結構； (d)進行研磨加工，研磨加工將使得該光阻與電鍍金屬厚度一致; 以及 選取、並利用以上步驟(a)至（d)，於該基板之表面上形成二層以 上之微金屬結構。 4. 如申請專利範圍第1項所述之該微探針結構製造方法，其中，該液 體為溶劑，用以去除光阻及/或硬質蠟及/或高分子聚合物，該溶劑不 會蝕刻該二層以上之微金屬結構。 5. 如申請專利範圍第2項所述之該微探針結構製造方法，其中，該液 體包含溶劑、以及蝕刻液，該溶劑用以去除光阻及/或硬質蠟及/或高 分子聚合物，該溶劑不會蝕刻該二層以上之微金屬結構，且以該蝕 刻液移除該種子層。 6. 如申請專利範圍第1項謂2項所述之紐探針結構製造方法其 中，該基板係選取自矽基板、玻璃基板、陶瓷基板等。 7. 如申請專利範圍第6項所述之該微探針結構製造方法，其中，該陶 究基板係選取自多層陶竟基板(MLC)、低溫共燒陶兗基板(ltcc)、高 溫共燒陶瓷基板(HTCC)。 8.如申請專利範圍第 2項所述之該微探針結構製造方法’其中，該沉 35 ES} 201122493 積之技術選取自蒸鍍、濺鐘、無電鍍等技術。 9·如申請專利範圍第3項所述之該微探針結構製造方法，其中，該」 層以上之微金屬結構係用以形成該微探針結構之至少丨個以上之柱 狀微結構、水平懸臂樑、探針座、以及微探針。 10.如申請專利範圍第3項所述之該微探針結構製造方法，其中，該 二層以上之微金屬結構制㈣成該微探針結構之至少i個以上之

   柱狀微結構、水平懸臂樑、水平樑、探針座 、以及微探針，其中，該 1個以上之柱狀微結構 水平懸臂樑與該水平樑相互堆疊連接，該至少 於其下雜連觸具有_無之基_接健，財傾臂標用以 提供足夠之上、下變形量’以補償探針卡、測試機台間之平面誤差。 11_如申請專職圍第3項所述之鎌探針結難造方法，其中，該

   二層以上之微金結構係用以形成該微探針結構之至少丨個以上之 柱狀微結構、水平襟、—水平樑ϋ平樑、探針座、以及微 探針’其中，該一水平樑與其上之該另一水平樑堆疊連接，而該另一 水平樑與其上之财平„_4連接，該至少丨_上之柱狀微結 構於其下雜連通該具有空間繼之基板的接輕，該水平懸臂標用 以提供足夠之上、下_量，_傭針卡、職機台間之平面誤差。 12_如申請專利第3項所述之雜探針結構製造方法，其中，該 -廣以上之微金屬結構係用以形成該微探針結構之至少i個以上之 36 201122493 柱狀微結構、水傾臂樑、—水平樑、另_水伟、麟座、以及微 抓針，其巾，該水平聽樑與其上之該—水平縣疊連接，而該一水 平標與其上之該另一水平樑堆疊連接，該至少1個以上之柱狀微結構 於其下電性連通該具有空間轉換之基板的接觸塾。 13. 如申凊專利範圍第9項或第1〇項或第n項或第12項所述之該微 仏針結構製造方法，其中，加大該至少一個以上之柱狀微結構與該具 有空間轉換之基板的接觸面積，藉以增加該至少一個以上之柱狀微結 構與該具有空間轉換之基板間之附著力。 14. 如申明專利範圍第η項或第12項所述之該微探針結構製造方 法’其中，該探針座由-微金屬結構、以及另—微金屬結構所組成。 15. 如申請專利範圍第3項所述之該微探針結構製造方法，其中，該 批覆光阻之技術選取自Spi請ating、spray⑽ting、_滅i〇n、 casting 等。 16. 如申請專利範圍第3項所述之該微探針結構製造方法其中該 批覆光阻為正型。 17. 如申請專利範圍第3項所述之該微揲針結構製造方法，其中，該 批覆光阻為負塑。 18. 如申請專利範圍第3項所述之該微探針結構製造方法，其中，該 焕烤之方式選取自加熱板直接加熱、供箱、紅外線加熱等，該曝光之 37 [S3 201122493 方式選取自 x-ray lithography、uv lithography、di e-beam 等。 19.如申請專利範圍第3項所述之該微探針結構製造方法，其中，該 研磨加工之方式選取自機化學加工(CMP)、機械研磨、拋光等。 2〇·如申請專利範圍第i項或第2項或第3項所述之該微探針結構製 造方法’其t，該二層社之微探針結構選取自Au、Cu、m alloy、Ni-Fe alloy、Ni_Co alloy、Sn-Pb 等。 21· -種微探針結構’㈣麟電子元制試⑽探針卡組件，該微 才采針結構包含： 至少-個以上之柱狀微結構，該至少—個以上之柱狀微結構係形 成於一具有空間轉換之基板之表面上； 水平懸臂樑，於每-該至少一個以上之柱狀微結構之上形成一該 水平懸臂樑； 探針座，於每一該水平懸臂樑上形成-該探針座；以及 微探針，於每一該探針座上形成一該微探針； #t m'-^^之雜狀微結構、該水平懸臂樑該探針 座、該微探針係於該餘之絲面上相卿成，且，以紐及/或乾 钱刻來去除該至少-個以上之該柱狀微結構、該水平懸臂樑、該探針 座、該微探針以外的其他材料，财舰/或該乾蝴不會侧該微 m 38 201122493 探針結構。 22·—種微探針結構，係適用於電子元件測試用的探針卡組件，該微 探針結構包含： 至少-個社之減觀構，該至少—個以上之她微結構係形 成於一具有空間轉換之基板之表面上； 至少-偏上之水平樑，於每，至少—個以上之柱狀微結構之 上形成每—該至少一個以上之水平樑； 水平懸臂樑’於每-該至少一個以上之水平樑之上形成一該水平 懸臂樑； 探針座，於每一該水平懸臂樑上形成一該探針座；以及 微探針，於每一該探針座上形成一該微探針； 其申，該至少一個以上之該柱狀微結構、該至少一個以上之水平 樑、該水平懸臂樑、該探針座、該微探針係於該基板之該表面上相繼 形成，且，以液體及/或乾蝕刻來去除該至少一個以上之該柱狀微結 構、該至少一個以上之水平樑、該水平懸臂樑、該探針座、該微探針 以外的其他材料，該液體及/或該乾蝕刻不會蝕刻該微探針結構。 —種微探針結構，係適用於電子元件測試用的探針卡組件，該微 探·針結構包含： 至少一個以上之柱狀微結構，轉至少一個以上之柱狀微結構係形 [S] 39 201122493 成於一具有空間轉換之基板之表面上； 水平懸臂樑’於每一該至少一個以上之柱狀微結構之上形成一該 水平懸臂樑； 至少一個以上之水平樑，於每一該水平懸臂樑之上形成每一該至 少一個以上之水平樑； 探針座，於每一該水平懸臂樑上形成一該探針座；以及 ® 微探針，於每—賴針座上形成-該微探針； 其中，該至少一個以上之該柱狀微結構、該水平懸臂樑'該至少 -個以上之水伟 '聰雌、雜探針餘該基板之絲面上相繼 形成’且，以液體及/或乾钱刻來去除該至少一個以上之該柱狀微結 構、該水平懸臂樑、該至少-個以上之水平襟、該探針座、該微探針 以外的其他材料，該液體及/或該乾侧不會银刻該微探針結構。 • 24·如申請專利範圍第21項或第22項或第23項所述之該微探針結 冓八中加大該至少-個以上之柱狀微結構與該具有空間轉換之基 板之表面的接觸面積’藉以增加該至少一個以上之柱狀微結構與該具 有空間轉換之基板之表面間之附著力。 25. 如申請專利範圍第22項或第23項所述之該微探針結構，其中， 該探針座由-微金屬結構、以及另—微金屬結構所組成。 26. 如申請專利範圍第21項或第22項或第烈項所述之該微探針結構 201122493 係為微探針陣列型式。 月專利範圍第21項或第22項或第23項所述之該微探針結構 係選取 Sn-Pb 等 〇 28.如_利_ 21項_2項或第23項所述之鎌探針結 構’其中’魅少-巍上之_微輯於其下連通該基板之接觸墊。 29_如申請專利範圍第21項或第22項或第23項所述之該微探針結 冓，、中i Jc平懸身樑係用以提供足夠之上、下變形量，以補伽 .十卡>、'J式機D間之平面誤差，且該水平懸臂樑較該微探針之結構圖 案的寬度、長度為,j、。 ， 30. 如申請專利範圍第29項所述之該微探針結構，其中，該微探針係 以電鍍形成，於該電鍍形成鎌騎之前，_—電鍍起始層。

   31. 如申吻專利耗圍第21項或第22項或第23項所述之該微探針結 構"中先於該至少一個以上之柱狀微結構係形成於具有空間轉換 之該基板之該表面上之前’具有空_換之絲板之該表面上先沉積 種子層’該種子層具導電性、並具與該基板間_著性，可選取自 Cr under Au ^ Ti under Au ^ Ti under Cu ^ Tl-W under Au 〇 32. 如申請專利範圍第21項或第22項或第23項所述之該微探針結 構’其中，該至少-個以上之該柱狀微結構、該水平㈣樑、該探針 201122493 座、該微探針係於該基板之該表面上相繼形成，係選取、並利用以下 步驟來予以完成： 批覆光阻及/或硬質蠟及/或高分子聚合物； 對所批覆之該光阻進行烘烤’該光阻經烘烤後，將其中溶劑蒸發 使该光阻變硬，之後進行曝光、顯影，以成形所需之微結構圖案； 在該微結構圖案凹洞内電鍍所需之金屬結構；以及 鲁 進行研磨加工，研磨加工將使得該光阻與電鑛金屬厚度一致。 33·如申請專利麵第21項或第22項或第23項所述之職探針結 構’其中，該液體為溶劑，用以去除光阻及/或硬質壤及/或高分子聚 合物，該溶劑不會蝕刻該微探針結構。 34. 如申請專利細第31項所述之該微探針結構，其中，該液體包含 溶劑、以韻刻液，該溶劑用以去除光阻及/或硬質蠕及/或高分子聚 φ 合物’該溶劑不钱刻該微探針結構，且，以該_液移除該種子層。 35. 如申請專利範圍第31項或第32項或第33項所述之該微探針結 構，其中’該具有空間轉換之該基板係選取自矽基板、玻璃基板、陶 瓷基板等。 36. 如申請專利範圍第35項所述之該微探針結構，其令，該陶曼基板 係選取自多層陶究基板(MLC)、低溫共燒陶竟基板(服）、高溫共燒 陶瓷基板(HTCC)。 42 201122493 37·如中請專利賴㈣項所述之該微探針結構，其中，該沉積之技 術選取自蒸鍍、濺鍍、無電鍍等技術。 38_如申料利範圍第32項所述之顧探針結構，其巾，該批覆光阻 spin coating > spray coating ^ lamination ' casting 等。 39. 如申請專利範圍第π項所述之該微探針結構，其中，該批覆光阻 9 為正型。 40. 如申請專利範圍第32項所述之該微探針結構，其中，該批覆光阻 為負型。 41. 如申請專利範圍第32項所述之該微探針結構其中，該烘烤之方 式選取自加熱板直接加熱、烘箱、紅外線加熱等，該曝光之方式選取 自 X~ray lithography、UV lithography、direct write e-beam 等。 % 42·如申請專利範圍第32項所述之該微探針結構，其中，該研磨加工 之方式選取自機化學加工(CMP)、機械研磨、拋光等。 i SI 43