TW201043083A - Light emitting diode circuit - Google Patents

Description

201043083 31250twf.doc/n 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種發光二極體電路，且特別是有關 於一種可防止流經發光二極體的電流產生劇烈變化的發光 二極體電路。 【先前技術】 發光二極體（Light Emitting Diode，簡稱 LED )耳有 ® 諸如哥命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗 等優點’因此已被廣泛應用於家用及各種設備中的指示器 或光源。近年來，發光二極體已朝多色彩及高亮度發展， 因此其應用領域已擴展至大型戶外看板、交通號誌燈及相 關領域。在未來，發光二極體甚至可能成為兼具省電及環 保功能的主要照明光源。 & 圖1是習知的一種發光二極體電路的示意圖。圖2是 習知的交流電壓的波形圖。圖3是習知的整流電壓的波形 Ο 圖。请合併參照圖1〜圖3，交流電源Vac可提供交流電 [AS1給整流器BD1。整流器BD1可依據交流電壓asi 提供整流電壓DS1給發光二極體LED1〜LEDN。限流電 阻R1例如為896Ω。發光二極體LED1〜LEDN例如是34 個。 值得一提的是，當交流電源提供的交流電壓A s丨不穩 定時，流經發光二極體LED1〜LEDN的電流也會產生劇 烈的變化，進而使發光二極體產生大幅度的亮度差異與色 3 201043083 ^ i250twf.doc/n 溫偏移。舉例來說’理想上交流電源Vac會提供il〇v的 父流電壓AS1，但實際上交流電壓AS1應該會在100V〜 120V之間振盪。 圖4是習知在不同的交流電壓下整流電壓的波形圖。 請合併參照圖1與圖4 ’當交流電壓AS1在100V〜120V 之間振盘，整流電麼DS1也會在圖4中的曲線ci盘C2 之間振盪。整流電壓DS1劇烈的振盪會造成流經發光二極 體LED 1〜LEDN的電流也發生劇烈變化，其中流經發光 二極體LED1〜LEDN的均方根電流值的差異達到 (26.53/15.194) ~1.75倍。這會造成發光二極體LEm〜 LEDN發生大幅度的亮度差異與色溫偏移 表二__的實驗數據 交流電壓 AS1(V) 發光二極體LED1〜 LEDN的均方根電壓 值(V) 100 88.854 110 94.02 120 98.72 綜上所述，如何在不同供應電壓下， 發光二極體LED1 〜LEDN的均方根 電流值(mA) 發光二極體LED1 〜LEDN的均方根 效率(％)

^ 改善發光二極體 電流差異與穩定電壓使電源可持續提供品質穩定之電壓至 極體、、藉以改善—發光二極體的亮度差異與色溫偏移 專問通’即成為此發光二極體領域之產業亟需努力的目標。 201043083 201043083 JL>JL/7U\/厶 1 31250twf.doc/n 【發明内容】 本發明提供一種發光二極體電路，可防止流經發光二 極體的電流產生劇烈變化。 > 本發明提出一種發光二極體電路，其包括交流電源、 整流器、限壓電路與發光二極體模組。交流電源提供交流 . 電壓。整流器耦接交流電源，可依據交流電壓產生第一敕 流電壓。限壓電路麵接整流器，可將第一整流電壓的上= 〇 值限制在額定電壓，藉以產生第二整流電壓，其中第二^ 流電壓低於額定電麈。發光二極體模_接限壓電路，可 接收第二整流電屢。 在本發明的一實施例中’發光二極體電路，更 間？端雙向可控㈣_光_ 在本，整二器為全橋_流器。 體的集極辆接ί路包括電晶體。電晶 ❹峨莫組的輪入端。電:體的上：的射極耦接發光二 电日日體的基極端耦接電壓。 又明的一實施例中壓 ，納二極體。電晶體的集極， 电曰日體的射極輕接發井— 伽·态的輸出端。 弟_接整流器的輪出端。限产:限抓電阻的 體的基極端。稽納 迪电阻的苐二端麵接電晶 承上述，在ΐ體=轉接電晶體的基極端。 只_中，限壓電路可更包括可變電 5 201043083 EL98024 31250twf.doc/n 電晶體的基極端與稽納二極體的陰極 施例中，限壓電路可更包括熱敏電阻。 =破電_接於電晶體的基極端與稽納二極體的陰極端之 間。 第-實施例中，限壓電路包括第一電晶體、 的:=阻與稽納二極體。第-電晶體的集極 模植中第~^端。弟一電晶體的射極麵接發光二極體 體的基極端與第體阻的第二端耦接第-電晶 揭接第體的基極端。稽納二極體的陽極端 發光，發光二極體模組包括電阻與 體串列的輪入』』端麵接限壓電路。發光二極 出端輕接-電壓。接 —端。發光二極體串列的輸 極體t:::體:施例中’發光二極體模組包括稽納二 路。發光二串列。稽納二極體的陰極端_限壓電 發光二極體串列的納二極體的陽極端’ 在本發明的一實施例中，發光二極體模經包括怪流二 201043083 31250twf.doc/n 極體與發光二極體串列。，㈣二紐的陽極端耦接限壓電 路。發光二極體串列的輸入端耦接恆流二極體的陰極端。 發光二極體串列的輸出端叙接一電壓。 在本發明的一實施例中，發光二極體模組包括可變電 阻與發光二極體串列。可變電阻的第一端耦接限壓電路。 發光二極體串列的輸入端耦接可變電阻的第二 極體串列的輸出端耦接一電壓。 Ο 〇 在本發明的一實施例中，發光二極體模組包括熱敏電 =與發光二極體串列。熱敏電阻的第—端耦接限壓電路。 發光二極體串列的輸入端耦接熱敏電阻的第二端。發光二 極體串列的輪出端耦接一電壓。 、在本發明的一實施例中，發光二極體模組包括電阻、 發光一極體串列與電晶體。電阻的第一端輕接限壓電路。 發光二極料列的輸人端输電阻的第二端。場效電晶體 的汲極輕接發光二極體串列的輸出端。場效電晶體的源極 耦接一電壓。場效電晶體的閘極端接收脈寬調變訊號。 *基於上述，本發明彻限壓電路可將提供給發光二極 體模組的電壓上限值限财電壓。如此—來可防止流 經發光二極體的電流產生劇烈變化，藉以改善 ^ 的亮度差異與色溫偏移等問題。 一4 ^ 為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特 舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。 7 201043083 tJLy «υ/4 ^i250twf.doc/n 【實施方式】 圖5是依照本發明的第—實施例的—種發光二極體電 路的不意圖。請參照圖5 ’在本實施财，發光二極體電 路1〇包括交流電源Vac、整流器BD卜限壓電路30與發 光一極體模組5G。交流電源Vae減整流器刪，可提供 如圖2的交流電壓AS1給整流器刪。整流器腿柄接 P艮壓電路3G。整流器BD1例如可以是全橋式整流器（Fuii Bridge Rectifier)，可對交流電壓趟進行整流藉以提供 如圖3的整流電壓DS1給限壓電路3〇。 值得-提的是，限愿電路30耗接發光二極體模組5〇。 限壓電路3G可將整流電壓DS1的上限值限制在額定電 壓，並據以提供低於上述額定電壓的整流電壓DS2給發光 二極體模組50。 'αΧ 在本實施例中，限壓電路30包括限流電阻R1、電晶 體Q1與稽納二極體（ZenerDiode) ZD1。限流電阻ri例 如是10ΚΩ。電晶體qi例如是雙载子接面電晶體。稽納 二極體ZD1的反向崩潰電壓例如是132V。如此一來，電 晶體Q1可提供電壓小於131.3V的整流電壓DS2給發光二 極體模組5〇。換言之，本實施例的額定電壓為m 3v。 在本實施例中’發光二極體模組50可包括限流電阻 R2與發光二極體LED1〜LEDN，其中發光二極體LEm 〜LEDN組成發光二極體串。限流電阻R2例如是218Ω。 發光二極體LED1〜LEDN例如是34個，須說明的是，在 其他貫施例中並不以此個數為限’發光二極體led 1〜 ❹

表二 Ϊ 】5的實驗數據 交流電壓 發光二極體LED1〜 發光二極體LED1 發光二極體LED1 AS1(V) LEDN的均方根電壓 〜LEDN的均方根 〜LEDN的均方根 值(V) 電流值(mA) 效率(％) 100 93.15 1 ~- ... 22.1 89% 110 96.96 —----- 25.35 _ 一— 83% 120 99.86 27.78 76% 热習本領域技術者應當知道，發光二極體的亮度與流 201043083 31250twf.doc/n LEDN也可以是其他數量。 圖6疋依照本發明的第一實施例在不同的交流電壓下 整流電壓的波形圖。請合併參照圖5與圖6，當交流電壓 AS1在100V〜120V之間振盪，整流電壓DS2只會在圖6 中的曲線C3與C4之間振盪。由下列表二中可清楚看出， 當交流電壓AS1在100V〜120V之間振盪時，流經發光二 極體LED1〜LEDN的均方根電流值的差異（27.78/22 1) 约1.26倍，相較於表一已大幅減少。需說明得是，本發明 選用稽納二極體（ZenerDbde) ZD1轉值越低，輸入交 流電，，S1變動時，電流的差異越小，但同時也會造成較 大能量損耗，因此電流差異及能量耗損可作一取捨。 红發光-極體的H成正相關。在本實施例中，當交流電 壓AS1在100V〜120V之間振盈時，流經發光二極體LEm 〜LEDN的均方根電流值的差異僅約⑶倍，相較於習知 技Ϊ本了施例可有效改善發光二_的亮度差異與色溫偏 移等問題。 201043083 ^y〇xj^ ->»250twf.doc/n 雖然，上述實施例中已經對發光二極體電路描繪出了 一個可能的型態，但所屬技術領域中具有通常知識^應當 知道，各廠商對於發光二極體電路的設計都不—樣，^二 本發明的應用當不限制於此種可能的型態。換言之，只要 是利用限壓電路將提供給發光二極體模組的電壓上限值限 制在額定電壓，就已經是符合了本發明的精神所在。以下 再舉幾個實施方式以便本領域具有通常知識者能夠更進一 步的了解本發明的精神，並實施本發明。 上述實施例中’限流電阻IU、R2與稽納二極體ZD1 雖可分別用單一元件實施，但本發明並不以此為限。在其 他實施例中，限流電阻R1、R2與稽納二極體ZD1也可& 別用多個元件串聯或並聯組成。整流器BD1雖以全橋式整 流為例，但本發明並不以此為限。在其他實施例中，= 流器BD1也可以用其他方式實施。舉例來說，也可以利用 半橋式整流器搭配電容來實施。限流電阻R1雖以丨 為例。限流電阻R2雖以218Ω為例。但本發明並不以此為 限。在其他實施例巾，也可用其他阻㈣㈣電阻 流電阻R1與R2。 ，此外’額定電壓雖以肌3V為例進行說明，但本發 明亚不以此為限。在其他實施例中，熟習本領域技術者也 可依其需求，變額定電壓。舉例來說，可改變稽納二極體 ZD1的反相崩潰電壓來改變額定電壓。又例如可改 至電晶體Q1的基極的參考電壓來改變額定電壓。 詳言之’在第—實施例中，圖5崎示的限壓電路 10 31250twf.doc/n 201043083 30與發光二極體模組5〇僅是一種選擇實施例’本發明並 不以此為限。在其他實施例中，熟習本領域技術者可依其 需求改變限壓電路3〇與發光二極體模組5〇的實施方式。

舉例來說’圖7是依照本發明的第二實施例的一種發 光二極體電路的示意圖。請合併參照圖7與圖5，發光二 極體電路11與發光二極體電路10相類似。其差異在於， 發光二極體電路11為多級並聯架構，其包括了限壓電路 31與發光—極體模組51。在本實施例中，限壓電路31可 包括限流電阻R卜稽納二極體ZD1與多個電晶體，本實 施例以Q1〜Q3為例。發光二極體模組51可包括多個發光 二極體串，本實施例以三串為例。第一發光二極體串可由 限流電阻R2-1與發光二極體LEDn〜LED1N所組成。第 二發光二極體串可由限流電阻R2_2與發光二極體LED2i 〜LED2N所組成。第三發光二極體串可由限流電阻R2-3 ，發光一極體LED31〜LED3N所組成。如此亦可達成與 弟一實施例相類似的功效。 η 圖8是依照本發明的第三實施例的一種發光二極體電 路的示意圖。請合併參_ 8與圖5，發光二極體電路η 與發光二極體電路1G _似。其差異在於，發光二極體電 路12的限壓電路μ。在本實施例中，限壓電路％可包括 電晶體Q1 ’其中電晶體Q1 _於整流器刪與發光二 極體模組50之間’且電晶體Q1的基極耦接一參考電壓 VCC ’此外’藉由調整參考vcc之電壓，還可調整 201043083 EL98024 31250twf.doc/n LED1〜LEDN之亮度。 圖9疋依知本發明的第四實施例的一種發光二極體電 路的示意圖。請合併參照圖9與圖5，發光二極體電路13 與毛光一極體電路10相類似。其差異在於，發光二極體模 組52。在本實施例中，發光二極體模組52包括恆流二極體 (Current Regulative Diode，CRD) CRD1 與發光二極體 LED1〜LEDN。恆流二極體CRD1可取代限流電阻。其它 實施例中，恒流二極體亦可多個串聯或並聯使用，此元件 可使發光二極體模組52的電流維持在設定的電流以下。稽 納二極體ZD1可將電壓限制在某個適當範圍内，恆流二極 體的跨壓才不會太大，而導致元件燒毁。 圖10是依照本發明的第五實施例的一種發光二極體 電路的示意圖。請合併參照圖10與圖5，發光二極體電路 14與發光二極體電路1〇相類似。其差異在於，發光二極體 模組53。在本實施例中’發光二極體模組53包括稽納二極 體ZD2與發光二極體LED1〜LEDN。稽納二極體ZD2可 取代限流電阻。R2電阻以稽納二極體ZD2取代，稽納二極 體可將A、B兩點間多餘的跨壓吸收，避免發光二極體模 組53承受過大的跨壓而燒毀。 圖是依照本發明的第六實施例的一種發光二極體 12 201043083 〜〜一 3125〇twf_doc/n 電路的示意圖。請合併參照圖η與圖5，發光二極體電路 15與發光二極體電路10相類似。其差異在於，發光二極 體模組54。在本實施例中，發光二極體模組54包括可變 電阻（Variable Resistor) VR1 與發光二極體 LED1〜 • LEDN。可變電阻VR1可作為限流電阻。另外，藉由調整 . 可變電阻viu，進而調整發光二極體LED1〜LEDN的亮 度。如此一來，不但可達成與第一實施例相類似的功效， 還增加了發光二極體LED1〜LEDN的亮度調整功能。 ® 睛注意，在另一實施例中，圖11的可變電阻VR1也 可用熱敏電阻取代。如此一來，不但可達成與第一實施例 相類似的功效，還依據環境溫度調整發光二極體lED1〜 LEDN的亮度。 圖12是依照本發明的第七實施例的一種發光二極體 電路的示意圖。請合併參照圖12與圖5,發光二極體電路 16與發光^極體電路10相類似。其差異在於，限壓電路 33。在本貫施例中，限壓電路33包括可變電阻vri、限 Ο 流電阻R1電晶體Q1與稽納二極體zdi。藉由調整可變電 阻術，可改變電晶體Q1基極的電壓值，進而可調整發 光二極體LED1〜LEDN的亮度。如此一來，不但可達成 與第-實施例相類似的功效，還增加了發光二極體的亮度 調整功能。 請注意，在另一實施例中，圖12的可變電阻vRl也 可用熱敏電阻取代。如此-來，不但可達成與第一實施例 相類似的功效，還依據環境溫度調整發光二極體led1〜 201043083 .3 l250twf.doc/n LEDN的亮度。 圖13是依照本發明的第八實施例的一種發光二極體 電路的示意圖。請合併參照圖13與圖5，發光二極體電路 口與發光二極體電路10相類似。其差異在於，發光二極 體模組55。在本實施例中，發光二極體模組55包括電晶 體Q4、限流電阻幻與發光二極體LED1〜LEDN。電晶體 Q4的閘極端可接收脈寬調變（Pulse width Modulation )訊 號’藉由改變脈寬調變之週期可調整發光二極體LED1〜 LEDN的亮度。如此一來，不但可達成與第一實施例相類 似的功效，還增加了發光二極體LED1〜LEDN的亮度調 整功能。 圖14是依照本發明的第九實施例的一種發光二極體 電路的示意圖。請合併參照圖14與圖5,發光二極體電路 18與發光一極體電路相類似。其差異在於，發光二極 體電路18更包括三端雙向可控矽開關調光器 =mmer) 70。三端雙向可控矽開關調光器7〇耦接於交流 電源Vac與整流器BD1之間。如此—來亦可調整發光二極 體LED1〜LEDN的亮度。圖15是圖14中三端^向可控 矽1關調光器70全輸出時，交流電壓AS2的波形圖。圖 16疋圖14中三端雙向可控矽開關調光器7〇全輪 敕 ^壓DS4的波形圖。圖17是圖14中三端雙向可控“ ，光器70半輸出時，交流電壓AS2的波形圖。圖^是 】雙__器7G半輸出時，整流電 _的波_。圖19⑼14中三端雙向可控 14 31250twf.doc/n 201043083 光器7〇四分之—輸出時，交流電壓AS2的波形圖。圖2〇 疋圖14中三端雙向可控石夕開關調光器70四分之-輸出 時，整流電壓DS4的波形圖。 S比較帛15圖至第2G圖之戦結果。當三端雙向可 控石夕開關調光器7〇全輸㈣至四分之—輸出，可從圖得知 • 本發明在交流電壓AS2下可產調光效果。 綜上所述，本發明利用限壓電路將提供給發光二極體 模組的電壓上限值限制在額定電壓，因此可防止流經發光 〇 二極體的電流產生劇烈變化。另外本發明的實施例還具有 下列功效： 1. 在限壓電路或發光二極體模組中加入可變電阻，可 調整發光二極體的亮度。 2. 在限壓電路或發光二極體模組中加入熱敏電阻，可 依據環境溫度調整發光二極體的亮度。 3. 在發光二極體模組中加入電晶體，配合脈寬調變訊 號可調整發光二極體的亮度。 Q 4·在發光二極體電路中加入三端雙向可控矽開關調光 器，可調整發光二極體的亮度。 5.在發光二極體模組中加入電晶體，電晶體的基極耦 接一參考電壓，藉由調整參考電壓可調整發光二極 體之亮度。 雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定 本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離 本發明的精神和範圍内’當可作些許更動與潤飾，故本發 15 201043083 bJLy«U24 Ji250twf.doc/n 明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1是習知的一種發光二極體電路的示意圖。 圖2是習知的父流電壓的波形圖。 圖3是習知的整流電壓的波形圖。 圖4是習知在不同的交流電壓下整流電壓的波形圖。 圖5是依照本發明的第一實施例的一種發光二極體電 路的示意圖。 圖6是依照本發明的第一實施例在不同的交流電壓下 整流電壓的波形圖。 圖7是依照本發明的第二實施例的一種發光二極體電 路的示意圖。 圖8是依照本發明的第三實施例的一種發光二極體電 路的示意圖。 圖9是依照本發明的第四實施例的一種發光二極體電 路的示意圖。 圖10是依照本發明的第五實施例的一種發光二極體 電路的不意圖。 圖11是依照本發明的第六實施例的一種發光二極體 電路的示意圖。 圖12是依照本發明的第七實施例的一種發光二極體 電路的不意圖。 圖13是依照本發明的第八實施例的一種發光二極體 31250tw£d〇c/n 201043083 電路的示意圖。 電路：4意i依照本發明的第九實施例的-種發光二細 圖15是圖14巾三端雙向可控石夕開關調光器7〇全 $，交流電壓AS2的波形圖。 Ο

圖16疋圖14中三端雙向可控石夕開關調光器7 屯時’整流電壓DS4的波形W。 ^ 圖17是圖14中三端雙向可抑開關調絲％ 印盼，交流電壓AS2的波形圖。 卞书 4日士圖M中三端雙向可控石夕開關調光器70半秦 氓捋，整流電壓DS4的波形圖。 午畢 ，圖14中三端雙向可控光器7〇四/ 輪出吋，交流電壓AS2的波形圖。 7、 欠是圖14中三端雙向可控發開關調光器70四/ 輪出牯，整流電壓DS4的波形圖。 7' 【主要元件符號說明】 10〜18 :發光二極體電路 30〜33 :限壓電路 50〜55 :發光二極體模組 70 :三端雙向可控矽開關調光器 A、B :端點 AS1、AS2 :交流電壓 BD1 :整流器 17 201043083 bLysu^4 ji250twf.doc/n

Cl〜C4 :曲線 CRD1 :恆流二極體 DS1〜DS4 :整流電壓 LED1 〜LEDN、LED11 〜LED1N、LED21 〜LED2N、 LED31〜LED3N :發光二極體 Q1〜Q4 :電晶體 IU、R2、R2-1〜R2-3 :限流電阻 Vac :交流電源 VCC :參考電壓 VR1 :可變電阻 ZD1、ZD2 :稽納二極體 18

Claims (1)

1. 201043083 31250twf.doc/n 七、申請專利範圍： 1. 一種發光二極體電路，包括： 一父流電源，用以提供一交流電壓； 一整流器，耦接該交流電源，依據該交流電壓產 第一整流電壓； ❹ 一限壓電路，耦接該整流器，將該第一整流電壓的上 限值限制在-額定電壓，藉以產生_第二整流電壓，其中 該第二整流電壓低於該額定電壓；以及 一發光二極體模組’耦接該限壓電路，接收該 流電壓。 2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體電路，更 包括： 一二端雙向可控矽開關調光器，耦接於該交流電盘 該整流器之間。 °、’、 3.如申請專利範圍第1項所述的發光二極體電路，其 中該整流器為全橋式整流器。 八

   4·如申請專利範圍第1項所述的發光二極體電路，盆 中該限壓電路，包括： ” 一電晶體，適以一集極耦接該整流器之—輸出端，兮 電晶體之一射極耦接該發光二極體模組之該輪入端，該^ 晶體之一基極輕接一電壓。 5.如申請專利範圍第丨項所述的發光二極體電 中該限壓電路，包括： ^ 一電晶體，適以一集極耦接該整流器之一輸出端，該 19 201043083 ϋΐ^δυζ 叫 Ji250tw£doc/n 電晶體之-射極減該發光二極體模組之 -限流電阻’適以—第_端_ 二:入k; 該限：之一第二端_電晶心的=端， -稽納二極體，適以—陽極端 $，以及 的輸出端，該稽納二極體的陰極端_=^二極體模組 中該限壓電路，更包括： 心的毛先一極體電路，其 體的陰域於該電晶體縣極端與該稽納二極 中該^^第5項所述的發光二極體電路，其 體的陰域於輯晶_基_触稽納二極 8·如申請專利範圍第1頊 中該限壓電路，包括： 、a'毛光二極體電路’其 複數電晶體，其中各該電晶 的輪出端，各該電晶體的射 :接該整流器 數發光二極體串列的輸人端^接錢光二簡模組中複 流電接該整流器的輸出端，該限 體的基極一電晶體的基極端與該第二電晶 的輸接該第-發光二極體串列 體的陰極端耦接該第輸出端’該稽納二極 弟電曰曰體的基極端與該第二電晶體的 31250twf.d〇c/n 201043083 基極端。 9.如申σ月專利乾圍第1項所述的發光-極體電路，豆 中該發光二極體模組，包括：㈣尤一杜體电路其 :以=限壓電路;以及 該發光二極體串列的丄端==嫌的第二端’ ❹ Ο 其中發::::=„述的發光二極趙電路’ 稽、：一極體，其陰極端耦接該限壓電路；以及 極，ΐί:極=其輸入端咖稽納二極體的陽 而，劇χ先―極體串列的輸出端電壓。 ^ 第1項所述的發光二極體電路， 其中該發光二極體模組，包括： 一懷肌一極體’其陽極端輕接該限壓電路；以及 極π 一3:極:其輸入端耗接該怪流二極體的陰 而’該發先-極體㈣的輸出端輕接—電麗。 12·如ΐ請專利_第i項所述的發光 其中該發光二極體模組，包括： 炮體電路 -可變電阻，其第―端缺該_電路；以反 一I光一極體串列，其輪入端耦接該可變 端，該發光二極體串列的輪出端耦接一電壓。 13· Μ請專難㈣丨項所義發先二 其中該發光二極體模紕，包括·· -屯 一熱敏電阻，其第一端耦接該限壓電路；以及 21 201043083 250twf.doc/n 一發光二極體串列，其輸入端耦接該熱敏電阻的第二 端，該發光二極體Ψ列的輸出端耦接一電壓。 14.如申請專利範圍第1項所述的發光二極體電路， 其中該發光二極體模組，包括： 一電阻，其第一端耦接該限壓電路； 一發光二極體串列，其輸入端耦接該電阻的第二端； 以及 一場效電晶體，其汲極耦接該發光二極體串列的輸出 端*該場效電晶體的源極揭接 電壓’該場效電晶體的間 極端接收一脈寬調變訊號。 U 22