TW201011846A - Process and system for varying the exposure to a chemical ambient in a process chamber - Google Patents

Description

201011846 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本申請案係基於2008年七月二日提申之美國專利臨時申請案第 61/058103號’及請求該案的權益。 【先前技術】 藉由在基材上施加一或更多的薄膜，製成多種不同的裝置及產 品。該薄膜處理可包含薄膜層沈積、薄膜層蝕刻、表面處理或受處理 φ 基材表面上所生的特徵及表面清潔。例如在一實施例中，藉由多種方 法之一者’如一般所知之化學蒸氣沈積法，固態材料在小心地控制的 條件下由氣體或蒸氣沈積到一基材上。在另一實施例中，藉由移動一 個未受到遮罩或保護層保護的區域，使用任何熱、化學或物理處理組 合所驅動之姓刻方法，一固態層係加以式樣化。在另一實施例中，表 面的狀態係化學地及/或物理地加以改質，以便製備一基材用於下一個 處理。這種表面準備處理能包含造成裸露化學鍵之普通終結的處理， 如羥基或氫終結，或者去除污染，如微粒及殘餘。經由上述方法所製 產品的種類包含多種電子元件，如太陽能電池、平板顯示裝置及積體 ❹電路。 一般而言，一積體電路係指一收容在單一的單石晶片上的電路， 其包含正及負的電路元件。積體電路係在基材上以預選的式樣，對多 種材料的連續層加以擴散、沈積、部份的移除及移除，而製成。該材 料可包含半導體材料，如矽、導體材料，如金屬、及低介電材料，如 二氧化矽。具體特徵之一者為，收容在積體電路晶片中的薄膜材料係 用於形成幾乎所有的普通電子電路元件，如電阻、電容、二極體及電 晶體。 «川7.知 3 201011846 在電子裝置中使狀量的積體電路’如數位電腦，因為其尺寸 、 j、、低耗能及高可信度。積體電路的複雜度由簡單的邏輯閘及記憶體’ 單元開始，一直到能夠執行影音及印刷資料處理的大陣列。在目前， 對於在較小空間内能夠完成更多工作的積體電路晶片有所需求，同時 要求更低的能源需求。 如上所述’ _電路晶4储*在—基材上連_沈積及式樣化 不同材料的層體而加以製造。典型地，該基材係由—薄的破晶片加以 製成’雖然其他基材材料也得使用。然後，積體電路的正及負元件建 立在基材的頂部。積體電路的元件可包含不同傳導材料的層體，如金 屬，及整合有低及高介電絕緣材料的半導體材料。在改良積體電路晶⑩ 片的止圖中’注意力已經集中在降低基材上所生的特徵尺寸，同時改 良由該所製成特徵加以形成的性能。 例如’在過去’-般熟悉本項技術的人士，已嘴試由控制氣體餵 入製程腔巾及與^接朗方式，或控觀體由該腔翻的方式，改 良薄膜製程。-般熟悉本項技術的人士，也已嘴試在製程腔中併入多 種控制，柄地控椒度及壓力。本㈣侧 似裝置的製造係統與製程之進一步改良。 ，、他相 除了製造積體電路晶片之外，如將於下文所描述者，本發明的系© =及方法也良好地_於生產多種其他產品及裝置。例如，本發明的 不能用於處理任何合適的基材。其他可依照本發明教示而製造的產 ^含，例如，太陽能電池、顯示板、感應器、微電子機械系統(mems)、 不米結構表面、及任何其他合適的電子元件。 【發明内容】 ㈣rf而言’本發明係關於一用於處理基材(如半導體晶片）的改良 、程系統。例如，本發明的系統能夠用於在基材上實行許多不同的 201011846 _ 包含但不限於：化學氣她積，包含軒層沈積_漿加強的 理，包含錢綱處理；及表面處理及清洗 T系統通“含-製健，其包含—傳_，_快速地改變連 =腔之前廢氣(pre-exhaust)的料性。更加具體地，傳導閥提供一種 ^常迅速改變腔内壓力馳力，以便_纽運輸速度、氣體物種濃 f摩i處理魏。連通製雜前魏的傳_也_地適合用於 化學物種脈衝輸送到腔中的製程中。 例如在-實施财，本發明侧於—處理基材用的祕。該系統 籲^含-製程腔，其含有一基材基座’係加以構形而用於握持一 如半導體晶片。該製程腔能包含一處理區，界定有一入口及口， ，加強氣體、蒸氣及相似之類在製程腔内的循環。可選用地 =連通-输織置，其胁歸錢辦的溫度。紐制装置可 例如’―加熱的基材基座、多數個加熱燈泡、或其組合。 ，照本發明，該系統進—步包含_傳導閥，其與處理區的出口加 連通。該傳導閥包含一傳$限制件’其振盡而控制處理區内的壓力。 ❹ 傳導财包括任何合適關裝置。修在—實細巾， 限制件，其操作性地聯合—音圈軸器，及—撓性的風箱，立 允許9圈啟動器在隔離製健下加以操作。例如，音圈啟動器能安置 而連通一空氣軸承，然後用於控制傳導限制件的振盡。 在-實施例中’傳導限制件能安置在處理區的出口上。具體地 :該傳導閥的傳導限制件可朝向及遠離該出口而加以振盈。傳導限 你與處理區的出口形成—密封排列，以致於傳導限制件處在關閉 =時’該出口係關閉的。可更換地是，傳導限制件可與該出口形成 =封斜。修在本實施财，即使#料關件處於_位置， 4導限制件表面及出σ之間形成有—縫隙。該缝隙可小於，例如， 201011846 約100微米，如小於約30微米，如甚至小於約微米。 依照本發明，處理區可具有相對較小的容積。例如，就直徑300 mm 的晶片基材而言，處理區的容積可小於約2公升，如小於約1公升， 如小於約0.6公升。例如在一實施例中，處理區的容積係約0.3-0.6公 升。對於較大的基材，該容積可依照基材面積的比例加以成長。 處理區能包含一基材分級區。基材分級區能包含一基材基座，用 於握持該基材。處理區的出口能位在基材分級區的外圍’或遠遠地離 開基材分級區。在一實施例中’當遠遠地離開基材分級區時，處理區 界疋直線通道，其從基材分級區開始到出口為止。例如，處理區可❾ 包含一縫隙狀的通道，從基材分級區開始到出口為止。該缝隙，例如， 可具有環狀的形狀及從基材分級區向下延伸。可更換地，處理區能包 含一縫隙狀通道或一通道狀路徑，其水平地從處理區加以延伸。例如， 處理區可在通常平行於基材基座所收容之基材的方向上加以延伸。藉 由實質直線的路徑’較不可能流過處理區的流體將會變成擾流，或者 ^裂。例如在-實關中，處理區能加以設計而使舰製程腔内的流 ❺ 在一實施例中’為了幫助氣體及蒸氣流經處理區，該系統可包含 报1甫裝i其泵送机體從製程腔進人—廢氣通道。製程腔可加以構 大氣3=^!=^ _，冑_伽獅而在小於 600 0 ^ 操作(約760托耳)。例如，製程腔可在壓力約 而在任何場所細操作。在—實施财，製健可加以構形 而在-人大氣壓下加以操作，如約2() 力 例如' Γ丄,f優點之一者為’在製程腔之處理區内控制壓力的能 *下執行處 201011846 材進行交互作用。例如在一實施例中，可進行一製程，其中經過處理 區之化學物種的傳導性，藉由改變傳導限制件的位置，係可加以改變。 處理區能在高壓及低壓之間加以切換。該高壓係至少大於該低壓約〇 5 托耳’或大於該低壓數百倍❹依照本發明，腔壓從低壓到高壓的轉移 及從高壓到低壓的轉移，能夠在小於約500 ms (毫秒)的時間下依序發 生’如小於約350 ms，如小於約250 ms，如小於約1〇〇 ms。 更加具體地，腔壓從低壓到高壓的轉移可小於約5〇〇ms，如小於 約100 ms。相似地，腔壓從高壓到低壓的轉移可小於約25〇ms，如小 ❼ 於約50 ms 〇 在處理期間，處理區能維持在低壓及/或高壓於任何想要的時間。 例如，處理區能維持在低壓及/或高壓於約1〇〇ms〜約測咖。然而， 處理區維持在低壓及/或高壓的時間長度係取決於多種因子，包含具體 執行的處理。 處理區維持在高壓的時間、從高壓到低壓的轉移時間、處理區維 持在低壓的時間、從低塵到南壓的轉移時間，組成一壓力循環。在一 實施例中，處理區可經歷多種壓力循環，同時化學物種係流入處理區 〇 中。在可更換的例子中，不同的化學物種或單一化學物種的各種濃度， 可在多種壓力循環期間加以引入處理區。化學物種可在任何合適的速 率下流進處理區。例如’該流速可為約2〇〜2〇〇〇 scem。 在上述製程中使用本發明的傳導閥，提供了許多的優點及利益。 例如’使用配備有合適尺寸真空系統的傳導閥，綠在次大氣壓製程 系統中不可取得的迅速壓力循環時間，係成為可能。例如，壓力循環 頻率能為約0.05〜50Hz，如大於約2Hz，如大於約5Hz，如大於約1〇 Hz，如大於約20 Hz。 此外，壓力下降能夠非常迅速地發生。處理區内的壓力，例如， 201011846 能在小於約500 ms ’如小於約250ms下，下降約200托耳。 在另-實施例t ’本發明係有關—方法，用於校正前述的可變傳 導閥。例如，該可變傳導閥能包含一振|或旋轉的傳導限制件，其可 操作地聯合至少-驅動器。藉由驅動該驅動器至—停止位置，同時監 視-驅動電流及-編位置，該可變料_能加以校正。當該ς 動電流對-位置曲線的斜率相同於—預定數值時，該編碼器加: 及用於重組該傳導_零位。在—實施例中，該傳導_包含多於一 個的驅動器’例如’三個驅動器。在本實施例中，每— 獨 地經歷上述·正雜。 Α 本發明其他的概及觀,_在下文巾更加詳細地討論。 【實施方式】 -般縣本微術人士舒_細是，本討論對於本發明

-般^ ’本發明侧於—種驗處理基材(如半導體晶片㈣系 =該系統包含—製程腔，其係加以構形而握持基材於—處理區中； 及一傳導閥’其允許處理區中_力如所要地快速改變。 在過去，某麵穌徽_人托贿議：在料體晶片處理 製程腔内壓力的改變。因此，在過去已建議在晶片處理 ^k壓力’以便改良製程控制，及降低不想要的微粒輸送到 :^面。例如’頒給Liu的PCT公告職〇〇侧娜，揭示一系統 製程’用於原子層沈積，其中反應室係維持於-通常恆定壓力。 201011846 • 的製程腔’能與一傳導閥加以連通，其在製程腔之處理區内提供良好 的控制及迅速的壓力改變。進一步地，除了使用傳導閥之外，在一實 施例中’ 一依照本發明製成的製程腔，可加以建成，而在處理區及傳 導閥之間具有最小容積的前廢氣。已發現，結合最小容積前廢氣區之 處理區内的塵力改變，可避免不想要的微粒再循環。事實上，壓力變 化(如將於後文詳細描述者）’可改良形成在基材上的結構性質及/或基 材表面的條件。 Ο 在過去，一般熟悉本項技術人士已嚐試控制經過半導體基材製程 腔之廢氣的流動。例如，頒給Tepman的美國專利第6777352號，揭示 -種可變流動沈積賴’該專餅人本文以供參考。然而，本發明的 系統包含-傳導閥，其係特別設計而使其狀態的改變，從完全張開之 最大傳導，到完全或接近完全關閉之最小傳導，或從完全關閉到完全 張開，係遠遠地快過於任何先前控制廢氣流的閥(其具有相對較高的橫 斷面積跡核大縫孩理基材），及其係作職小尺寸的處理區 上二因而’她於過切方式，其似更加迅速的方式崎處理區中 。例如，本發明的系統包含一傳導閥，其能加以設計而在傳 11，如完全敝，則、— 獅⑽扉魏錢财受_魏務。這種性能 獨特的能力’其目前在商售閥上尚未可得。如將於下文中 更雜地討論者，本發明的系統及製程也提供多種其他的優點及利益。 施例參 第四圖顯示—依照本發明所製之製程系統ω之實 區13装〆所不’製程系統10包含一製程腔12，其界定一處理 二以構形來接收一用於各種處理的基材，如半導體曰片 例如，處理區13包含一其好萁成 千等體日日片。 理區卜 包含紐基座14，制加崎計靖基材於處 12能由多種材料 取決於具體之顧及财進行的處理，製程腔 CA^eume»2a〇90iCFU, 9 201011846 加以製成。例如，該腔能由金屬、陶瓷或兩者之混合加以製成，包含 但不限於鋁或不銹鋼，及氧化鋁或氮化鋁。例如，製程系統10能包含 ' 一”冷壁”系統’其中該製程腔包含由熱導材料製成的内壁，如鋁。可 更換地’該製程系統可包含一”熱壁”製程腔，其包含由傳導材料製成 的内壁’如鋁’或由非傳導材料所製成者，如石英。可更換地，處理 的内壁能由多種塗層加以塗覆，如氧化釔、氮化鋁、或氧化鋁，其對 於製程腔内進行的處理係非反應性的。 如將於下文更詳細地討論者，製程系統10能加以設計而執行不 同的處理。在某些處理中，製程腔12内所收容的基材係能加熱。因此， 雖然是可選用的，在某些實施例中，製程系統10可包含一連通到製程® 腔12的裝置，其用於控制被收容在基材基座上之基材的溫度。例如， 在第一圖所示的實施例中’製程系統1〇包含一加熱的基材基座14， 其位在處理區内所收容之基材的下方。基材基座，例如，能包含一加 熱元件，如電阻抗加熱器，或感應加熱器，用於加熱基材。 除了使用加熱的基材基座14之外，應瞭解的是，製程系統1〇可 包含多種其他的加熱裝置。例如，在一可更換的實施例中，加熱的裝 置可包括多數的燈泡，如鎢絲鹵素燈、電弧燈泡、鐳射、或其混合。 例如，該燈泡可安置在基材上方、基材下方、或基材的上方及下方。參 進一步地，若需要時，該燈泡可由反射器或反射器組合加以包圍，用 於引導燈泡發散的熱能到達特定位置上的基材。當併入製程系統1() 時’燈泡能提供非常高的加熱速率。例如，使用燈泡能產生迅速的熱 製程系統，其提供迅速的能源’其典型地只需要非常短及良好地控制 的啟動時間。來自燈泡的能量流，也能在任何時間突齡加以停止。 在一實施例中，熱燈泡能連同溫度控制的基材基座14 一起使用。例 如，服度受控制的基座能用於控制基材在表面上的溫度，同時，燈泡 能用於加熱基材的特定位置，或在特定時間或製程腔中所執行處理期 10 201011846 間，迅速地加熱基材全體。 當基材的溫度在製程腔中受到控制時，在某些實施例中，我們想 要監視基材的溫度。在這-方面，製程系統10能包含一或更多溫度感 應裝置。輻射感應裝置，偵測基材所發散之特定波長的輻射。接著， 這個資訊能用於決定基材的溫度而無需接觸基材。例如在一實施例 中，輻射感應裝置可包含一高溫計。高溫計包含，例如，一光導管， 其係加以構形而接收基材所發散的輻射。該光導管可包括，例如，一 光纖，其係連通一光偵測器。光偵測器可產生有用的電壓訊號，用於 _ 決定基材的溫度。 、 ❹ 如前文所述，需要時，製程系統10能包含一或更多的溫度感應 裝置。例如，基材的溫度可在基材不同的位置上加以監視。知道基材 在不同位置上的温度之後，其可用於控制被施加到基材上的熱量，而 依照特定的溫度管轄(temperature regime)，小心地加熱基材。 例如在一實施例中，製程系統1〇能進一步地包含一控制器，如 一微處理器或一可程式化的邏輯單元。控制器能連通一或更多溫度感 應裝置及該加熱裝置’如溫度受控制的基座14 ^控制器能接收來自溫 馨度感應裝置的資訊，然後控制加熱裝置發散之用於加熱基材的熱量。 例如，控制器能夠以開放環模式或封閉環模式控制該加熱裝置。 在一實施例中，控制器也能夠用於自動地控制系統内的其他元 件。例如’控制器能夠用於控制流體’如氣體及蒸氣進入腔12的流率。 此外，在一實施例中，收容在製程腔中的基材基座可加以構形，而在 處理期間轉動基材。轉動基材可提升較大的溫度均勻性，及可提升基 材與任何循環經過處理區之流體的加強接觸，造成較大的處理均勻 性。在一實施例中’控制器能用於控制基材在腔中的旋轉速率。 依照本發明，處理區13進一步包含一入口 16及一出口 18。入口 11 c:\eamk» ao〇9«ePv 201011846 16及出口 18係用於循環一或更多流體經過處理區。例如，一先質流 如氣體、氣體混合物'一液體蒸氣、或液體蒸氣及/或氣體的混合，· 能引入處理區13中，與腔内收受的基材之表面進行交互作用。例如， 任何合適的化學物種可經由入口 16引入處理區13内，在基材表面上 形成膜或塗層。 入口 16可包括任何能夠傳送流體進入腔内的結構。如第一圖所 示者，例如’入口 16能簡單地包括一圓錐形的通道。在另一實施例中， 16 了包括一蓮逶頭狀的注入器。在另一實施例中，入口 16及出 口 18可加以排列，以致其定位在相同的水平面上，形成一個相關於基 材表面的橫斷流構形。如將於下文更詳細地討論者，入口 16也可連通® 任何合適的流體傳送裝置，其能夠脈衝式運送化學物種進入處理區。 在另一實施例中，入口 10可連通一電漿源，如感應式耦合的電 漿源，用於產生及提供離子進入腔内。電漿源可連同入口 16 一起使 用，例如，在電漿增強沈積或多種钱刻處理或表面處理或清洗製程期 間。 關於被饒入處理區13的流體，如氣體及蒸氣，該流體在排出腔 12之前，接觸基材及部份地基材表面。流體經由流體處理區25排出 β 處理區。如第一圖及第二圖實施例所示，在這個實施例中，流體處理 區25係一環狀形狀，以致於當流體接觸基材後，流體能以任何合適的 方向排出處理區13。然而應予以瞭理的是，流體處理區係設計來降低 氣體循環及其具有最小的容積’因而不實質地增加處理區抽真空至所 要壓力的時間。如第一圖所示’流體處理區25係終結於一出口 18。 然後流體從出口 18餵入腔的較低部24及進入廢氣通道22。在本 實施例中’如第一及二圖所示’處理區13包含一餵入區17的基材分 級區20 ’其中流體的方向係加以改變及餵入流體處理區25。流體處理 12 201011846 區25包圍基材分級區20内的基材基座及位在基材基座14的壁與製程 腔的側壁11之間加以形成。廢氣通道22能與一泵浦裝置加以連通， 該裝置係加以構形而泵送來自處理區13的氣體及/或蒸氣及經過流體 處理區25。例如，泵浦裝置不止用於協助流體流經系統，也能用於降 低處理區13的壓力。例如，在許多應用中，處理能在非常的壓力下在 處理區13中進行，如低於約10托耳。然而應瞭理的是，本發明的製 程腔也可在大氣壓下，或任何介於大氣壓或真空狀態間的場所下，加 以操作。例如，製程腔可在壓力約76〇〜2托耳或更低之下加以操作。 當在大氣壓以下進行操作時，處理區可能於約600〜接近〇托耳的壓力 一如第二圖所示及依照本發明，一傳導閥28係位在出口 Μ上。如 第二圖所不’傳導閥Μ包含一或更多的音圈啟動器％，其連同 導，制件32經由-空氣軸承34 一起操作。具體地說，音圈啟動器 係藉由一連接臂36而連接傳導關件32。如所示者，傳導限制件係 的及水平的’但在其他實施例巾其可為任何的形狀及定位，以 道於其在Μ位置時，触體處職25合作崎低傳_。例如 ❹ 氣在處於關位置時，可與—傳導途徑形成—出口，以降低 在出口為的了ίΓ，13嘯力，細28之傳導限制件32係位 合。例如，财理_ ’傳導限制件32可與出口進㈣合及解唾 與出口 18心& ]件32可藉由音圈啟動器3〇加以振盪或旋轉，而 遠離出口1及㈣合。錢這個方式，藉由料限制件接近或 節。 動’處理區13内的麼力能迅速地在高及健之間加以調 13 201011846 在一實施例中，當流體處理區25處於關閉位置時，傳導限制件 32能形成一密封抵住流體處理區25之出口 18。如果需要的話，一〜 封件，如〇-環係可安置包圍出口 18，以便確保形成適當的密封。费 魯 可更換地，傳導閥28之傳導限制件32可與出口 18形成非密 嚙合。例如在本實施例中，傳導限制件仍可在開啟及關閉位置之間加 以移動。然而在關閉位置時，在出口 18及傳導限制件之頂表面之 間仍保有非常小的間隙。非常有利的是，本發明已經發現，音圈啟= 器30係非常適合精確地控制傳導限制件％的位置。目此 器30能夠重複地將傳導限制件32之頂表面安置在處理區η之 18缝微米之内。例如在—實施例中，#處於酬位置時，傳 廢氣區18之、於約⑽«，域 之二:當 竭，料限制件物口 ❿ 音圈啟如開啟位置時所取得的間隙係由 曰圈啟動器係一種電磁裝置，其由單一錄願 _常====力姻™動器能 動器幻之位置，音圏敬 含一錯射二極體，其能感秦^ 、予、。例如，編碼器可包 連通音圈啟動器30、，以便確^傳^制件位置的圖樣。編碼器能 如在一實施财，取決_理，係位在合適的位置。例 _崎器係可加以校正，以致傳導限制 201011846 仅轉的111疋位置之間加以振蘯。在校正之後，編碼器係用於確 i 限f〗件維持在其於處理期間所游走範圍内的任何所要的位置 對於某些飾的處理’處理的條件可能影賴的料性。處理的 例子可包含侧或ALD處理，其巾副產品可能覆賴之界賴傳導性 的區域。期音®啟動H提供—酿的方法來錢地檢查校正及再校 正編碼器位置，以確絲小的料值轉在—具_公差内。進入音 ，内的電=係與施加_上的力成正比。如果騎完全地關至一固 •疋的;^水平’則這樣可雜閥在先前校正的關閉位置時的相同定位。 編碼器的位置係加以重組’及綱接著加以操作^若有需要，在每一 產品晶片循環之間可加以實行該程序。該程序可在晶片交鋪間加以 操作，如果這樣對於系統完全沒有衝擊。 處理區13對於輸人之流黯的壓力反應，係由其容積及廢氣區 傳導性^以決定。如第一到第四圖所示之傳導間28，對於從高到低及 從低到尚之壓力赫，均已轉現鶴地增加壓力反應，其如下文所 詳細討論者。因此，制傳導閥28，處理區13内_力能在非常快 參速的反應時間之下，在低廢及高壓之間轉移，或由高塵到低塵。進一 步地：處理區13内的壓力轉移能夠可1〇個因子或更多加以決定。例 如’當傳賴28與製健-峽用時，其絲有域的數十微秒下， 將小於1托耳的壓力轉移到大於！托耳。例如，由高到低或由低到高 轉移時之屋力差，係可小如約0.5托耳或大如2⑻托耳或更大。相似 地’當需要時，處理區13能快速地在數十秒秒下從高_低壓轉移。 除了使用傳導閥28之外’藉由處理區13容積的縮小，也能夠最 佳化對於處理的控制。在本文中，處理區13係由直接受到傳導閥28 所影響的處理空間加以界定。例如，如第一圖所示，處理區13從出口 18延伸到入口 16。依照本發日月，對於直# 3〇〇mm晶片種類之基材而 15 201011846 δ ’處理區13的容積通常能夠小於！公升，如小於約〇 6公升’如小 於約0.5公升。例如在-實施例中，處理區的容積係能約G 3公升^^ ， 公升。 如第一圖所示，除了流體處理區25之外，處理區13通常包含基 材分級區20。在-實施例中，處理區13能加以設計，以致流經處理 區的流體係受到設計而避免任何可能引起較長停留時間的流體循環迴 路及/或處__污^處理區13 _狀及容積雜制，在麼力反 應方面，也能提供顯著改良-。 例如在一實施例中，處理區13的出口 18能加以安置，以致流經_ 腔的流體不包含任何擾流途徑。例如在一實施例中，出口 18能直接安 置在基材分級區20的外圍上。在第一圖所示的實施例中，出口 18係 位在環狀通道或缝隙之末端上，其包括流體處理區25。如所示者，該 通道通常提供一直線的路徑，以致流體從晶片分級區排出後，流體通 常直線地在一直線上流動。具體地，在所示實施例中，一旦流體接觸 製程腔之基材表面後，流體以直線及水平地向外流過基材，然後向下 經過流體處理區25。 應瞭理的是’出口 18能安置在晶片分級區2〇之直線上的任何方 向，但並未在向下的方向上延伸。例如在一可更換的實施例中，出口 18可藉由一只在水平方向延伸的直線通道而與基材分級區2〇加以分 離。例如’出口能位在一個與腔内所收容基材通常平行的位置上。 任何從基材分級區20延伸的通道或路徑應有相對較小的容積。 例如，流體處理區25的容積可小於約〇.5公升，如小於約〇.3公升， 如小於約0.1公升。例如在一實施例中，就直徑3〇〇 mm之半導體晶片 型的基材而§ ’流體處理區25的容積可為約0.1〜0.03公升。在一具體 實施例中，流體處理區25的容積可為約〇.〇7公升，因而只佔整個處 16 201011846 小部份。然而’流體處理區25的容積係可正比於待處理 、如歧所述，在圖式所示者中，紐處理區25的娜或通道可 為環狀的械。應瞭解的是，該通道可為任何合適的橫斷面形狀。例 如該通道可為圓形或矩形的路徑，由基材分級區加以引導出來。相 似地’傳導限制件32也能具有任何合適的形狀，這取決於出口的形 狀例如，在第一圖至第四圖所示的實施例中，傳導限制件有-環狀 的形狀以便覆蓋出口。然而在其實施例中，傳導限制件可具有圓形、 ❹矩形或任何其他合適的構形。進一步地，除了朝向及遠離出口方向加 以振盪之外，傳導限制件也可加以構形而在開啟及關閉位置之間加以 旋轉。 為了不範非為槽狀之流體處理區25的通道的其他實施例，第七 圖係相關於縫隙之橫斷面積，其係小於(backt〇)或相同於相同傳導性 之圓形出口的橫斷面積。更具體地，當本發明的傳導閥係處於開啟位 置時，其離開出α 18約1〜2 mm，如離開出口約1.5 mm，該氣體流的 處理典型地係在一黏性流區(visc〇us n〇w regime)之内。在這些處理之 φ 下’氣體流大多是整批地引離受包圍的表面。就前述的黏性流區而言， 依照流動公式’縫隙的橫斷面積可能直接相關於於圓形出口橫斷面積： 在黏性流方面：等價圓形面積=(〇·88Υ)1/2(矩形面積） 如第七圖所示’圓形橫斷面形狀對於矩形橫斷面形狀的關係，係 取決於缝隙的緃橫比。例如’示於第一圖之縫隙的緃橫比可為約 0.08〜0.02，如約〇.〇5。例如，在〇 〇5的緃橫比之ητ，等價圓形橫斷面 積係通常約矩形橫斷面積尺寸的4〇/〇。因此，在某些實施例中，通道為 圓形係有利的’因為其位在基材分級區所延伸出之缝隙狀形狀的對面。 當傳導閥係在一非密封排列的關閉位置時，經過缝隙狀通道的流 17 201011846 體’係典型地 <到分子流體的條件(前廢祕第二末端與傳導限制件分 離小於約50微米’如約25微来）。在這些條件之下，氣流與含有它的 表面進行反應。等侧賴斷面積及矩形躺面積之間賴係不能為 直接相關的’因為傳導性也受到開口長度的影響。但在任何情況之下， 能夠估計的是’終結在窄歧的凹槽上之緃接近_的縫隙，大 約比等價的圓形出口多出60%的效率。

/傳導閥以縫隙加以實施能夠提供許多優點及利益。然而，以縫隙 形狀作為通道，可能需要良好的控制及傳賴之傳導限制件的重複移 動，以便在多個處理_提供穩定性。例如第人_示，由於想要較 大的壓力增加，製健壓力的增加，·出口鑛面躺改變更加地 敏感。更具體地，第人圖中所示_表係代表：_模擬_力增加一 250 Sccm的怪定流’其係相對應於傳導間等價圓形積而緣製。如上所 述’本發_傳_在製程腔巾，魏_常快速地轉移壓力由低到 高壓及由高到低壓。例如’參照第九®，其®示-模擬的職結果。 ❹ 具體的是’有三條曲鱗在第九圖巾以訓料闊糊益，其不 只產生較大壓力增加至特定的流體，也細地降低由高到低壓及由低 到南朗花費的轉移時間。對於每一曲線，進入處理區的氣體流係在 〇 250 sccm下’加以脈衝輸送約J秒。第一曲線或底部曲線說明處理 區對於傳導_壓力反應，其為在開啟位置時，於傳導_件及出口 ^門縫隙為I.5 mm的傳導閥。該模擬的壓力反應資料係顯示於第九 基於第-_示之賴型加以產生。如所示者，當傳導閱係 遺留在開啟位置時，處理區的壓力只增加約G1托耳。 =巾所示的第二條曲職示出，#傳_係保持在關、非密 ^之值^壓力反應。具體地’該資料係基於與出口共同形成25微米 聞件而產生。如所示者，處理區_壓力係從約〇托耳 約u托耳。然而如第九圖所示，當閥係處於關閉位置時，需 18 201011846 要約700 tns，使塵力由高到低加以轉移。 在最後一曲線中，傳導閥係與氣體脈衝加以同步化。具體地說， 傳導閥係在氣體脈衝的終端時移動到開啟位置。如所示者，依照這個 方式’從高壓到低壓的轉移時間係劇烈地降低。例如，從高壓到低壓 的轉移時間係小於200 ms。 第九圖所示的實施例中，氣體係脈衝輸送到腔内。當脈衝輸送氣 體時，如前文所述，傳導閥係能夠與脈衝的起始或終結加以同步化。 依照這個方式，傳導閥在腔内產生壓力變化，其能夠依序地改良即將 ❹發生之處理所需之氣體周圍的變化量。另一方面，如果該腔係維持一 恆定壓，腔内氣體的沖洗，只會以恆定地同於殘餘時間的時間之指數 方式加以衰退。 然而應予瞭解的是，本發明的傳導閥及製程系統也能用於處理維 持恆定速率的氣體。例如，第五圖圖示一實驗性的壓力測值，其係使 用一相似於第一圖所示之製程系統所得。在第五圖中，氣體係在25〇 SCCm之恆定流下引入處理區中。監視處理區中央壓力(P2)、處理區邊 緣的壓力(P1)及傳導閥下游的壓力(p3)(見第一圖）。 ® 錢體流動綱’傳導财開啟及關位置之間減振盈。在開 啟位置時’傳導閥之傳導限制件及出口之間的縫隙為15围。另一方 面，在關閉位置時，該縫隙只有約25微米。藉由傳導閥之傳導限制件 的振盪，處理區内壓力的變化係約0.1托耳至大於約0.8托耳。如所示 者壓力轉移係非常迅速地發生。例如，從高壓到低壓之壓力轉移係 約60 ms。處理區内快速的壓力轉移，並未反絲傳導閥在製程腔區下 游的壓力，其可由第五圖所示之P3 HI號的幾乎穩定之讀數加以印證。 ，導閥下游區之恆定的健，避免廢棄的處織體之喊及污染處理 區之副產品。 ’、 19 201011846 取決於具體之應用’也令人想要的是，當壓力從低到高壓轉移 時’進-步地增加壓力反應時間D如在—實施例中，額外的氣體流 可在同步於壓力脈衝之上升時間下，注人製程腔内。特财利的是， 因為傳導_效率’數量只是很小的流體將會大大地影_力轉移時 間。例如，第六圖說明-模擬結果，其指&:相較於脈衝的額外流， 怪定氣體流從侧高壓之上升_係增加。更具體地，脈衝的額外流 係相同於腔容積的4%。如所示者，脈衝_外流降低轉移_，由 320 ms成為只有70 ms。 可使用多種構形來提供㈣六騎示的脈衝額外流。 例如’在第十圖中說明-用於製程腔12之流體供應構形的實施 列。如所不者’流體能夠從一怪定的壓力源4〇加以供應進入兩個 。第—供絲48包含-第—閥42，其控制流體流入 ^程腔。另-方面，第二供應線50包含一第二閥44，其係與一汽 ^限制裝置46共同合作，該裝置可為，例如，—、—可調式喷嘴、 50 ίΠ。流動限制裝置係加以構形而用於減少流體流經供應線 處理期間’流體壓力及流動限制裝置，係能夠加以調整，而在 ❹ 時之敎狀_間，在處理區啸 ’在循環期間’對於額外流(其藉由流經未限制的闕42 所_之時間控制進行調整’使脈衝的形狀係能夠迅速地最佳:。 於前文所述者，但其-處：容 流雜蓮蓬則:_八物至氣雄或 積’並具有多數個孔以均狄分散氣體至板11隔離之充氣容 112之間的係存讀力差，以便提供均勻的氣體分散Γ第二= c：iea«teaeweii»(/( 20 201011846 示，氣體A供應至蓮蓬頭no。一第二氣體或流體，如顯示為氣體B 者，係經由直接進入處理模組的線路而提供至處理模組，及跳過該蓮 蓬頭狀的分散板111。 蓮蓬頭110的充氣容積係經由高傳導通風線H4及快啟閥116而 連接到真空排氣。蓮蓬頭通風線114之開啟及關閉係可同步於可變傳 導闕128 ’其用於處理模組以便在處理模組中進行快速地氣體改變。 氣體A及B係從分離的預混氣體之儲槽ι18及12〇加以供應。儲 槽之壓力係由測壓計122及124或其他合適的壓力感應器加以監視。 參氣體到達儲槽之流動係由一系列的質流控制器130加以控制。壓力感 應器122及124之輸出值’與設定點壓力presi，2進行比較’及該差異 訊號係過時地加以整合。所得的訊號乘以該固定的氣體比率值。結果 迅號控制質流控制器130，以供應氣體至儲槽，並維持儲槽於一穩定 的壓力，該壓力係在封閉環控制系統的時間優勢限制作me d〇main limits)之内。這是顯示於兩種氣體的系統，但可以普遍化到任何數量的 氣體。 處理模組112及氣體儲槽118及12〇之間的連接，分別由兩條途 ❹徑完成’-者具有高傳導C2,4，及另-者具有低導道C1，3，使處理模 組能夠快速充填，其如前文所述。沖洗氣體線136及138係提供來沖 洗氣體線及儲槽。因此，被傳送到製程腔112中氣體的流量以及在每 一循環期間的壓力，係可精確地及可重複地加以控制，以利於整個儲 槽壓力及閥開啟與關閉時序的精確處理控制。全部的處理係由系統控 制器132加以控制’而執行前述的處理配方，其係由高度可重複的處 理循環加以組成。 這種處理模組概念包含-RF電能供應14〇,其連接到一處理模纪 中的電源天線，以產生處理中所需要的電聚。Rp電能的定序係由處理 21 201011846 控制器132加以控制。 - 為了說明之緣故…循環處理次序係由第十—圖所示的處 、 加以實行。該處理需要以下的處理步驟，其全部在短時間次序内執行·· 1 ·氣體混合物A流動到前述的壓力閥

2. 由電漿激發氣體A 3. 關閉電漿及泵出氣體a

4. 氟體混合物B流動到前述的壓力閥 5·泵出氣體B 6.重複循環 對_項處_行_ ’以__環處理中，製程腔壓力恤 及蓮蓬頭壓力Psh對於時_期望值。在本項模擬中，顧之腔容積 Vchb為3公升，蓮蓬頭容積Vsh為〇 7公升。林擬中閥傳導咖 ^ Cfst的數值係實驗性地加以決定，麟壓力區操作。就本模擬而言， 簡化的假設為：料值鞠立於壓力。這個假設係合理的，目為就流 入分子管轄的氣體而言(其中努特生數大於丨，&>〇,傳導性係 壓力，於氣體流為轉移的或黏性的壓力區而言，該麟在有利壓力⑬ 附近之小範圍壓力下，係合理的。 就單循環處理而言，腔及製程腔壓力之模擬係顯示於第十二圖。 在本例中，使用1.2秒的循環時間，•然而較長或短的時間也已經選用， 其有相似的結果。就這個相同的循環而言，閥開啟及關閉的定序係顯 不於第十二圖。在本圖中，”VCD”代表可變傳導閥。本模擬從零時開 始。穩定狀態壓力值在第二循環結束前到達。 本項模擬顯示·腔壓由氣體A在12〇 ms内上升1〇〇毫粍耳到達 22 c:\oeuaict 2〇〇9ckcpv CASi0U>(M>Mvv-oee-0〇tev>(MMe-o〇f«-^*<A〇'〇9f 201011846 1.5托耳之穩定狀態壓。rf電能從該猶環開始錢〇伽㈣也〜1

高及低傳導閥，提升壓力至穩定狀態處理壓 咖’然後關閉處理氣體閥，及開啟VCD闕， 關閉蓮蓬頭分流，氣體B流經 理壓。过個處理步驟進行3〇〇 )闕’使處理氣體B的腔進行 φ 通風。該循環結束及下個循環開始。 本_酬本㈣力。树明，腔锻統能較 易地為多種處理進行改變。簡單地增添其他氣體混合物或沖洗氣體的 額外氣體儲槽，可增加下一個處理步驟。簡單地設定氣體儲槽壓力至 所要的壓力’即可輕易地靖處理壓。氣體壓力由高轉移到低所需的 時間’係直接地細於腔容積’及所選值的傳導值。其每—者均可改 變以到達所要的處理結果，或者符合產品全部的要求。 古在處理期間’如本圖所示者，處理區以重複循環的方式由低壓到 ®阿壓。處理區能在想要的時間之内，轉高壓及/或低麈，以利於腔内 待進行的處理。另-方面’傳導閥迅速地在麼力改變之間轉移處理區。 在實施例中，單一的化學物種可在處理區經歷多種壓力循環之下傳 送到處理區中。可更換地是，不同的化學物種可在處理區經歷多種壓 力循環之下傳制纽區+。化學物種可為將與紐進行反應的流 體，或可為沖洗處理區的非反應性氣體。處理區維持高壓及/或低壓的 ，間，可依照具體地應用而改變。例如，在許多應用中，處理區維持 阿壓及/或低壓的時間可為約〇1秒〜2秒。 化學物種進入處理區的流速，也能夠依照具體的應用而巨大地改 23 201011846 變。例如在某些應用中，化學物種的流速為約丨⑽财爪至約5⑽沉心 如圖表所示者，處理區由低壓到高壓之轉移所花費的時間，可小 於約500ms，如小於約300 ms，如小於約2〇〇咖，如約5〇咖〜15〇⑽。 另一方面，由高壓到低壓的轉移可小於約25〇ms，如小於約脂， 如小於約50ms。例如第五圖所示者，兩個方向上的轉移係約5〇挪。 特別有利的是，壓力在處理區内的改變量可為5或更大，如ι〇 或更大，如100或更大。例如在低麼時，處理區内壓力的改變可由小 於0.3托耳，如小於0.2托耳，到大於〇 8托耳，如大於！托耳。也特 別有利的疋本發明的系統允許處理區(包含流體處理區)内流體的層 流，這也能提供一些優點及利益。 在第-圖所示的實施例中，製程系統1〇係打算一次處理一個基 :其ΐ而可設計其他的系統，而在__於多種處理狀態下處理多 種基材0 |種不同的處理可在本發明系統内加以實行。例如在一實施例 ^製程綠可依照-飽和表面速率機制，用於 例如’在-具體實施例中，製程系統可用 的= ❹ =化流動，及惰性第二化學物種，如沖洗氣二 _蝴蝴崎_粒。接著， -相異於第-之第三化學物種流經處理區 =德:二!層可與第-單層進行反應。需要時，額 形二止。例’直到具有特別組成及/或厚度的層體已在基材上 區中了並與傳子層沈積期間’每一化學物種可脈衝輸送至處理 狀況下獻腔中。订同步化。可更換地是，化學物種可在惶定流速 24 201011846 彳在本發明系統内加以實行多種的處理，例如美國專利第 7220685號、美國專利第713咖號、美國專利第64鹏2號、美國 專利第綱〇〇號、美國專利第67_號、美國專利第^議號、 美國專利第麵37號、美國專利第_2〇號，其全部在本文中併 入以供I去。 …:而本㈣的製㈣統她於許乡胃知處理，紐供許多處理 優點。例如，料騎可允許化學物種以單—的方式引入及消耗 在處理區中。例如在-實施例中，起初沈積在基材表面上的化學物種 ❹可歓-製程財。在健觸終树，化學_可完全或接近完全 地從基材表面上加以解吸收1學物種的沈積可與基材表面產生多種 有利的交互_，以便在級上沈積—層體，改良基材上的層體，及/ 或清洗基材表面。 本發明的製程系統可用於在半導體基材上形成所有不同型式之 層體。例如’使用第-圖所示的系統，可在基材上形成傳導層、介電 層及半導體層。 在-實施财，製_統能與—電㈣連通，續進行 ® 及/或電漿增強的化學蒸氣沈積。 例如’在電衆增強的VCD處理期間，壓力及氣體流均可脈衝化。 反應氣體及壓力脈衝之間的她係可滅設定，轉得所要的結果。 例如’-反聽體可脈衝輸人處理區巾，減反親體係在傳導閥處 於-相位時進入處理區，進而處理區係處於高壓之下。依照這個方式， 可強迫反應氣體進入非常小的特徵，進而改良沈積覆蓋率及比率。 在其他實施例中，氣體及壓力的時程可差異地改變，以取得潛在 的相對成果。例如，氣體注人及壓力變化之關時程，也可為化學獨 立的，因而該系統可容許這兩個主要控制的相位改變。 ，β'ΡΙΑβ*Μι,,··5ρτ·〇»ρ.〇« ur.〇ee 25 201011846 本發明的製程系統也非常適合使用於餘刻製程，例如可能包含使 用電漿源的任何微粒去除處理。例如在電漿蝕刻處理期間，基材係暴 . 露在已受激之氣體電漿下，例如’其係由微波能源、或射頻能源加以 激發…偏_電壓可柄至已激發之氣體，以致於氣體中的帶電荷物 種(反應性離子)係朝向基材加以激發。在蝕刻方法中，形狀為窄通道、 孔或深溝之凹槽在基材中形成。 、 電漿蝕刻處理中使用本發明的系統時，電漿源可在傳導閥之相位 之内或之外。例如，相位在一特定蝕刻反應氣體濃度及壓力增加之間 的改變，可用於增強小特徵的银刻速率。相同的處理也可用於自晶片 表面去除微粒及/或殘餘。這些微粒或殘餘可能是基材上執行一或更多魯 製程時所生。這些製程的副產品可能在已製成的裝置表面上變成透= 的微粒’及可能使這些裝置成為不良或無功能的。本發明的系統係非 常適合去除這些存在的微粒及/或殘餘。 一般熟悉本項技術人士，在不離開後附申請專利範圍中更加具體 陳述之本發_神及細之下，均可實施這些及其他之本發明的變型 及改變。此外’應瞭解的是’許多實施例觀點之間可全部地或部份地 乂父換進步地’-叙熟悉本項技術人士將瞭解到，前述的說明 只是用於示範而已’及不打算關在後附”專利範圍内所進 ❹ 述之本發明。 田 【圖式簡單說明】 相關於一般熟悉本項技術人士之本發明完全而可實施的揭示，包 含其最佳模式’係更詳細地描述於本說明書的其餘部份，其係參昭 附的圖式，其中： … 第-圖係健本發明所製之製程祕實施觸橫斷面視圖； 第二圖係第-圖所示之製程腔部份切除的橫斷面視圖，其特別地 26 201011846 顯示一預廢氣區的實施例； 第三圖係可用於第一圖所示製程腔内的傳導閥實施例的隔離透 視圖， 第四圖係一音圈啟動器部份切除的透視圖，其可用於建造本發明 的傳導闕； 第五圖至第九圖係一圖表’呈現依照本發明所製之製程腔性質相 關的模擬設計或實驗性測值； 第十圖係用於餵入流體至本發明製程腔内的圖表實施例之示意 麻 圖； Ο 第十一圖係一晶片處理模組的示意圖，其使用在本發明中所開發 之概念，以兩種反應性氣體混合物，即氣體人及6，一步一步地實行 處理循環。該處理模組使用一蓮蓬頭進行氣體A的分散，而氣體B直 接注入腔中。該圖表亦顯示一藉由通過閥的蓮蓬頭，以改良氣體在製 程腔内的交換； 第十二圖係第十-圖之晶片處理模組的模擬結果之示意圖其中 製程腔壓力及蓮蓬頭壓力係在上方長條中顯現，及相對應的間時序係 顯示在下方長條中。使用在本模擬中的閥，係基於第一圖中的模型， 但疋上方腔室係由習知氣體蓮蓬頭加以取代。 在本說明書及圖式中使用相同的參考符號，係打算表示相同或近 似的本發明特徵或元件。 27 201011846 【主要元件符號說明】 ίο製程系統 12製程腔 14基材基座 17區 20基材分級區 22廢氣通道 28傳導閥 32傳導限制件 36連接臂 42第一闊 48及50供應線 111板 114高傳導通風線 118及120儲槽 128可變傳導閥 132系統控制器 140RF電能供應 11侧壁 13處理區 16入口 18出口 25流體處理區 24腔的較低部 30音圈啟動器 34空氣軸承 40壓力源 46流動限制裝置 110氣體或流體蓮蓬頭 112腔模組 116快啟閥 122及124測壓計 130質流控制器 136及138沖洗氣體線

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Claims (1)

1. 201011846 七、申請專利範圍： 鵪 1. 一種用於改變基材相對於化學周遭之曝露位向的製程，包括： 安置一基材至一製程腔的處理區中，該處理區包含一入口及一 出口 ’用於流動化學物種經過該處理區； 將該化學物種經由入口流動至該處理區中； 藉由改變處理區中化學物種的壓力而改變經由處理區之化學 物種的濃度，該處理區壓力係在一高壓及一低廢之間加以轉移該高 壓係大於該低壓至少〇.5托耳(lbrr)，及其找處理區壓力的由高°壓至 ❹低壓的轉移係小於約500ms。 2.如申π專利範圍第1項所述的製程，其中該處理區壓力的由低 壓至高壓的轉移係小於約500 ms。 — 3.如申請專機項所述_程，其愧處理區壓力的由^ 壓至低廢及由低愿至高壓的轉移係小於約250ms。 一 4.如申請專利範圍第！或2或3項所述的製程，其中該處理區詞 持尚壓的時間、由南壓到健的轉移時間、該處理區維持低壓的時間 由低壓到高壓的轉移時間，包括一壓力循環，及其中當化學物種流入 Φ處理區時，該處理區經歷多種壓力循環。 5. 如中請專利範圍第丨或2或3項所述的製程，其中該處理區勿 持南壓的時間、由高壓到低壓的轉移時間、該處理區維持低壓的時間 由低壓到高壓的轉移時間，包括一壓力循環，及其中在多個壓力獅 期間引導不同的化學物種進入處理區。 6. 如㈣專利範圍第卜4或5項所述的製程，其中依照飽和知 連率機制(Saturatmgsurf謝atemeehanism)，化學物種與基材表面射 反應。 7.如申物細第丨〜5或6綱述的製程，其中該處理區在第 29 201011846 -段時間轉高壓’及在第二段_轉低壓，及其巾該第一段時間 及該第二段時間為約0.1秒〜1秒。 8.如申請專利範圍前述任一項所述的製程，其中該化學物種流入 處理區的流速為約1()()secm〜約5⑻嶋^。 w ;·如U概圍前述任一項所述的製程，其中該處理區内的壓 力係藉由-與該處理區出口連通安置的傳導閥加以改變。 心H如巾#專利範圍前述任"'項所述的製程，其中該處理區的容積 係小於約2公升。 m 減t申請專利範圍第1〜8或9項所述的製程，其中該處理區的容 積係小於約0.6公升。 括專利範圍第9項所述的製程’其中該傳導閥驅動器係包 括一與空氣轴承連通的音圈驅動器。 材八利範圍第12項所述的製程，其中該處理區包括一基 材刀級£及至少有-縫隙從該基材分級區向下延伸。 狀的二辦請專利顧第13項所述的製程，其中該缝隙有一類似環 15.如申請專利範圍第9項所述 第二位置之間加以縫，及其中該一第一位置及一 在第二位·大於_财/_在第—位置時小_2_及 於J7.如申請專利範圍前述任—項所述的製程，其中進-步包括-用 於從處理區泵送化學物種進入廢氣通道的步驟。進步匕括用 30 201011846 . 18·如申請專利範圍前述任一項所述的製程，其中處理區中的低壓 在處理時係維持低於約2托耳。 _ 專鄕_項職的製程，其中該化學物種係藉由脈 衝輸送引入處理區中。 2〇.如申請專利範圍第9項所述的製程，其中傳導閥在一開啟位置 及:關閉位置之間加以減，及其找化學物種係藉嫉衝輸送引入 該處理區中’該傳導閥係與該脈衝同步化，以致於脈衝在或接近末端 時，該傳導閥係處於開啟的位置。 _ /風^.如巾料概圍第2G項所述賴程，其巾傳導嶋進一步與 關二=脈衝加以同步化’以致於脈衝在起始時，該傳導間係處於 j、-H請專利範圍前述任一項所述的製程，其中該製程腔係與至 二:费以連通’及該製程包含一在化學物種引入該處理區時 加熱在製耘腔内的基材之步驟。 安置：申;項所述的製程，其中該加熱㈣括^ 摘軸时蝴經過該處理 約=如申請專利範圍第1項所述的製程’其中高壓係大於低壓至少 材八12撕獅錄，射__ 一基 材刀級£及-流動處理區，其從基材分級區水平地延伸。 27. 如申請專纖圍第15撕述賴程 閉位置時形成-密封抵住出口。 /傳導限制件在關 28. —種用於處理基材的系統，包括： 31 201011846 —製程腔’部份地界定一處理區，及包含一基材基座，係加以 構形來握持一基材於處理區中，該處理區包含一入口及一出口；及 一傳導閥’係連通該出口，用於控制處理區内的壓力，該傳導 閥包含一振盪傳導限制件，其與一音圈驅動器進行操作性聯合。 29.—種用於處理基材的系統，包括： 製私腔，部份地界疋一處理區，及包含一基材基座，係加以 構形來握持一基材於處理區中，該處理區包含一入口及一出口； 一加熱裝置，係連通該製程腔，用於加熱收容在基材基座上 基材； 一可變傳導閥’位在出口上，該可變傳導閥係加以構形來控制 處理區中的壓力；及 其中該處理區從握持在基材基座上的基材至處理區出口之間 具有一實質直線的路徑，該處理區具有一小於約2公升的容積。 、30,如申請專利範圍第28項所述的系統，其中該出口連通一廢氣 通道’該傳導閥係安置在出口於廢氣通道之前。 31. 如申請專利範圍第29或3〇項所述的系統，其中該處理區包括 基材为級區及至少有—縫隙從該基材分級區向下延伸。 32. 如申凊專利乾圍第31項所述的系統，其中該縫隙有一類似環 狀的形狀。 33·如中明專利範圍帛31顿述的系統’其中該缝隙從基材基座 至出口之間具有一實質直線的路徑。 34·如申專利範圍帛31項所述的系統’其中該傳導闕的傳導限 彳件覆蓋該觸的-端’及在朝向及雜出口的方向上加以振盪。 35·如申请專利範圍第28或29項所述的系統，其中該處理區的容 積係小於約1公升。 32 201011846 . 36.如申請專利範圍第30項所述的系統，其中傳導閥的傳導限制 件與出口形成一非密封嚙合。 37. 如申請專利範圍第29或36項所述的系統，其中傳導限制件與 出口形成一縫隙’該傳導限制件在一第一位置及一第二位置之間加以 振盪’及其中該縫隙在第一位置時小於約2〇微米及在第二位置係大於 約500微米。 38. 如申請專利範圍第29或3〇項所述的系統，其中進一步地包括 一泵浦，用於從處理區泵出氣體及揮發成份，該泵浦係位在傳導閥的 下游。 ❹ 39·如申請專利範圍第28或29項所述的系統，其中進一步包括一 加熱裝置’其連通於製程腔，用於加熱收容在基材基座上的基材。 40. 如申請專利範圍第29項所述的系統，其中該實質直線的通道 係從基材基座水平地延伸，以致於該直線通道係實質地平行於基材基 座上的基材。 41. 如申請專利範圍第28或39項所述的系統，其中進一步包括一 與入口加以連通的蓮蓬頭狀的氣體擴散板，該蓮蓬頭狀的氣體擴散板 將處理區與一氣體充氣區加以分離，該系統進一步地包含一高傳導 ®埠’由一高動作開/關閥加以控制，該傳導埠控制從氣體充氣區進入蓮 蓬頭狀的氣體擴散板的氣體流動。 42. 如申請專利範圍第28或29項所述的系統，其中該入口係連通 於一或更多的處理氣體儲槽，每一儲槽係由一閉環控制系統維持於一 恆定壓力。 43. 如申請專利範圍第42項所述的系統，其中進一步包含一控制 器’其控制該閉環控制系統，每一儲槽内的恆定壓力係由一置入該控 制器内的處理配方(process recipe)加以決定。 44. 一種氣體注入系統，用於餵入一或更多處理氣體至一製程腔 33 201011846 中，包括： 進行气體儲槽’包含至少—第—線及—第二線，各與—製程槽 仃流體連通，母—線係與―__通， 通，該糊細__讎輸歸^⑽糊連 45.-種用於校正一可變傳導閥的方法’該可變傳導閥包含 或旋轉的傳導限制件^ 又盪 茲α 興動器進订操作性聯合，該可變傳導閥係 f j下加以校正：驅動該驅動器至—停止位置，同時監視-驅動電 、、碼器位置，及其中當該驅動電流對一位置曲線的斜率相同於 一預定數值時，該編碼器加以紀錄及用於重組該傳導閥的零位。 〇 牝.如申請專利範圍第45項所述的方法，其中該傳導限制件係與 至夕一個驅動器加以聯合’每一驅動器獨立地進行申請專利範圍第45 項所述的校正方法。 ❿ 34