201010949 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種具有1〇面體之箱型形狀之氧化鈦粒 子之製造方法。 【先前技術】 最近，有報告指出一種具有10面體之箱型形狀、且主 ^ 要由銳欽礦（anatase)型結晶所成之氧化駄粒子（以下，稱 爲「10面體氧化鈦粒子」）及其製造方法（專利文獻1、2 及非專利文獻1參照）。此外，在此等之報告中，亦報告 1 〇面體氧化鈦粒子係以光觸媒而高活性者。 在上述文獻所報告之10面體氧化鈦粒子之製造方法， ' 幾乎都是將含有四氯化鈦及氧氣之氣體，在某種條件下， 急速加熱再急速冷卻之方法。然而，以此種方法所得到之 10面體氧化鈦粒子，其粒子徑幾乎都在100 nm以上者。 φ 因此，在過去之製造方法中，欲選擇性地獲得粒子徑在 100 nm以下之10面體氧化鈦粒子，便有其困難，從而其 課題即係存在於具有1〇面體之箱型形狀、且又將粒子徑減 小者。 另一方面，在得到微粒子氧化鈦之方法上，已知有將 四氯化鈦以氣相進行氧化時，使用氧氣及水蒸氣作爲氧化 性氣體之方法（專利文獻3參照）。 專利文獻1 :國際公開04/06343 1號手冊 專利文獻2:特開2006-52099號公報 -5- 201010949 專利文獻3 :特許第3656355號公報 非專利文獻1:草野•寺田•阿部•大谷’第98回觸 媒討論會（平成18年9月）討論會A預稿集，234頁 【發明內容】 發明之掲示 發明所欲解決之課題 φ 有鑒於傳統上存在之此種問題點’本發明之目的係提 供一種能選擇性且有效率地製造小粒徑之1 〇面體氧化鈦粒 子之氧化鈦粒子之製造方法。 解決課題之手段 本發明者們，爲解決上述課題而重複地努力進行檢討 ，其結果發現在將四氯化鈦以氣相高溫進行氧化時，如在 特定條件下併用：急速加熱再急速冷卻之方法、以及使用 水蒸氣作爲氧化性氣體之方法時，可選擇性地獲得粒子徑 在100 nm以下之10面體氧化鈦粒子。 亦即，本發明係提供以下之手段。 [1] 一種氧化鈦粒子之製造方法，其係藉由將含有四 氯化鈦蒸氣之氣體、及含有水蒸氣之氧化性氣體進行接觸 ，而選擇性地製造具有10面體之箱型形狀、且粒子徑又在 1 nm~ 10 0 nm範圍之10面體氧化鈦粒子的氧化鈦粒子之製 造方法；其特徵爲包含：將各自已在500°C以上預熱之含 有四氯化鈦蒸氣之氣體、及含有水蒸氣之氧化性氣體加以 -6- 201010949 混合，而送入加熱至800°C以上之環境之步驟。 [2] 如前項[1]之氧化鈦粒子之製造方法，其中該含有 四氯化鈦蒸氣之氣體係含有四氯化鈦蒸氣及氧氣之混合氣 體。 [3] 如前項[1]或[2]之氧化鈦粒子之製造方法，其中該 含有水蒸氣之氧化性氣體係含有水蒸氣及氧氣之混合氣體 〇 φ [4]如前項[1]至[3]中任一項之氧化鈦粒子之製造方法 ，其中在該加熱至800 °C以上之環境之氣體的滯留時間係 在300毫秒以下。 [5] 如前項[4]之氧化鈦粒子之製造方法，其中該滯留 時間係100毫秒以下。 [6] 如前項[1]至[5]中任一項之氧化鈦粒子之製造方法 ，其中該含有四氯化鈦蒸氣之氣體中之四氯化鈦濃度係 3~40體積％。 • [7]如前項[1]至[6]中任一項之氧化鈦粒子之製造方法 ，其中該含有四氯化鈦蒸氣之氣體中之（氧氣（〇2換算）之 物質量[mol] )/ (四氯化鈦之物質量[mol])之比例係 0.1 ~7 ° [8] 如前項[1]至[7]中任一項之氧化鈦粒子之製造方法 ，其中該含有水蒸氣之氧化性氣體中之水蒸氣之濃度係 1〇~80體積 ％。 [9] 如前項[1]至[8]中任一項之氧化鈦粒子之製造方法 ，其中該含有水蒸氣之氧化性氣體中之（氧氣（〇2換算）之 201010949 物質量[mol]) / (水蒸氣之物質量[mol])之比例係Ο.1〜5 〇 [1 0 ]如前項[1 ]至[9 ]中任一項之氧化鈦粒子之製造方 法，其中該含有水蒸氣之氧化性氣體之量，相對於含有四 氯化鈦蒸氣之氣體之量’以體積比計’係0.5~5倍。 [11] 如前項π]至[ίο]中任一項之氧化鈦粒子之製造方 法，其中由該含有四氯化鈦蒸氣之氣體及含有水蒸氣之氣 體所合倂氣體之組成，係四氯化鈦：氧氣：水蒸氣=1 : 0·5〜13 : 0.3〜5 (體積比）。 [12] 如前項[11]之氧化鈦粒子之製造方法，其中由該 含有四氯化鈦蒸氣之氣體及含有水蒸氣之氣體所合倂氣體 之組成，係四氯化鈦：氧氣：水蒸氣=1 : 1〜6 : 0.3~3 ( 體積比）。 發明之效果 • 如上所述，本發明之氧化鈦粒子之製造方法，其係藉 由將四氯化鈦以氣相在高溫下進行氧化時，在一定條件下 將：急速加熱再急速冷卻之方法以及使用水蒸氣作爲氧化 性氣體之方法，加以倂用之方法，從而可選擇性且有效率 地製造一種粒子徑在1 nm~100 nm範圍之10面體氧化鈦粒 子。此外，所得到之小粒徑之氧化鈦粒子，其係適合作爲 光觸媒材料者。因此，根據本發明，可在工業上將適當的 10面體氧化鈦粒子作爲光觸媒材料而製造。 201010949 【實施方式】 實施發明之最佳型態 以下，茲就本發明之氧化鈦粒子之製造方法，參照圖 面加以詳細地說明。 本發明之氧化鈦粒子之製造方法，其係藉由將含有四 氯化鈦蒸氣之氣體、及含有水蒸氣之氧化性氣體進行接觸 ，而選擇性地製造具有10面體之箱型形狀、且粒子徑又在 0 1 nm〜100 nm範圍之10面體氧化鈦粒子的氧化鈦粒子之製 造方法；其特徵爲包含：將各自已在5〇〇 °C以上預熱之含 有四氯化鈦蒸氣之氣體、及含有水蒸氣之氧化性氣體加以 混合，而送入加熱至800 °C以上之環境之步驟。 具體言之，本發明所謂「1 〇面體氧化鈦粒子」，係指 與上述專利文獻1所定義之氧化鈦粒子爲相同地，具有1〇 面體之箱型形狀之氧化鈦粒子。 此外，所謂「選擇性地製造10面體氧化鈦粒子」，係 Φ 指將所得到之氧化鈦粉末任意地進行取樣’並用電子顯微 鏡觀察時，當任意之視野所觀察到的氧化鈦粒子至少在 8 0 %以上時，即該當上述之條件。 本發明所謂「含有水蒸氣之氧化性氣體」’係指含有 水蒸氣、且與四氯化鈦蒸氣以高溫進行接觸時’可使氧化 鈦生成之氣體。在本發明中，所謂含有水蒸氣之氧化性氣 體，以至少含有氧氣及水蒸氣之2成份氣體爲較佳。含有 水蒸氣之氧化性氣體之具體例子’有：含有氧氣（〇2)及水 蒸氣之氣體、或含有臭氧（〇3)及水蒸氣之氣體等。此外’ -9- 201010949 含有水蒸氣之氧化性氣體，可爲將此等氣體加以混合者， 亦可爲此等氣體藉由不活性氣體進行稀釋者。因此，含有 水蒸氣之氧化性氣體，可使用水蒸氣及氧氣之混合氣體、 水蒸氣及不活性氣體之混合氣體、水蒸氣及氧氣及不活性 氣體之混合氣體等，進一步，氧氣及不活性氣體之混合氣 體，亦可使用空氣。 另一方面，在本發明中，含有四氯化鈦蒸氣之氣體， φ 例如可使用四氯化鈦蒸氣及不活性氣體之混合氣體、四氯 化鈦蒸氣及氧氣之混合氣體、四氯化鈦蒸氣及氧氣及不活 性氣體之混合氣體等。此外，氧氣及不活性氣體之混合氣 體，亦可使用空氣。 在本發明中，含有四氯化鈦蒸氣之氣體，其重要者係 :於預熱步驟中不會使氧化鈦生成者。 然而，上述含有四氯化鈦蒸氣之氣體，如僅係四氯化 鈦蒸氣及不活性氣體之混合氣體時，其混合氣體在被送入 # 加熱至800 °C以上之環境時，四氯化鈦蒸氣及氧氣之混合 會不充足，欲選擇性地得到10面體形狀者將有其困難。 因此，在本發明中，含有四氯化鈦蒸氣之氣體，係以 使用四氯化鈦蒸氣及氧氣之混合氣體、或四氯化鈦蒸氣及 氧氣及不活性氣體之混合氣體之任一者爲較佳。 在本發明中，如含有四氯化鈦蒸氣之氣體與含有水蒸 氣之氧化性氣體一接觸時，就會立即產生反應。因此，爲 選擇性地得到1 0面體氧化鈦粒子時，接觸時之溫度係十分 重要的。具體而言，四氯化鈦蒸氣含有水蒸氣之氧化性氣 -10- 201010949 體，必須要在接觸前，即先各自預熱在500 °C以上。如預 熱未達500 °C時，在使含有四氯化鈦蒸氣之氣體與含有水 蒸氣之氣體進行接觸時，就無法得到良好的10面體氧化鈦 粒子。 在本發明中，含有四氯化鈦蒸氣之氣體與含有水蒸氣 之氧化性氣體接觸後，必須將此等氣體送入加熱至8 0 0 °C 以上之環境中。其並以接觸後，立即送入加熱至800 °C以 φ 上之環境中者爲較佳。再者，在加熱至800 °C以上之環境 中之氣體滯留時間，係以300毫秒以下爲較佳，並以1 00毫 秒以下爲最佳。氣體之滯留時間如超過300毫秒時，所得 到之氧化鈦粒子之粒子徑會變大，且金紅石（rutile)型結 晶亦會變多，很難得到良好的1 0面體氧化鈦粒子。 在本發明中，含有四氯化鈦蒸氣之氣體中之四氯化鈦 濃度，係以3〜40體積％爲較佳。四氯化鈦濃度如未達3體 積％時，所得到之1 〇面體氧化鈦粒子之比例會變少。另一 方面，四氯化鈦濃度如超過40體積％時，氧化鈦粒子之粒 子徑會變大。因此，含有四氯化鈦蒸氣之氣體中之四氯化 鈦濃度，係以3〜40體積％之範圍爲較佳，並以15〜30體積％ 之範圍爲最佳。 在本發明中，含有四氯化鈦蒸氣之氣體中之（氧氣 (〇2換算）之物質量[mol]) / (四氯化鈦之物質量[m〇l]) 之比例，係以〇.1~7爲較佳。 該値如未達〇· 1時，所得到之1 0面體氧化鈦粒子之比 例會減少。另一方面，該値如超過7時，氧化鈦粒子之粒 -11 - 201010949 子徑就會變大。因此，含有四氯化鈦蒸氣之氣體中之（氧 氣（〇2換算）之物質量[mol] )/ (四氯化鈦之物質量[mol] )之比例，係以0.1 ~7之範圍爲較佳，並以2〜5之範圍爲最 佳。 在本發明中，含有水蒸氣之氧化性氣體中之水蒸氣濃 度，係以10〜80體積％爲較佳。水蒸氣之濃度如未達10體 積％時，氧化鈦粒子之粒子徑會變大。另一方面，水蒸氣 @ 之濃度如超過80體積％時，所得到之10面體氧化鈦粒子之 比例會減少。因此，含有水蒸氣之氧化性氣體中之水蒸氣 濃度，係以10〜80體積％之範圍爲較佳，並以15~40體積％ 之範圍爲最佳。 在本發明中，含有水蒸氣之氧化性氣體中之（氧氣 (〇2換算）之物質量[mol]) / (水蒸氣之物質量[mol])之 比例，係以0.1~5爲較佳。該値如未達〇.1時，所得到之1〇 面體氧化鈦粒子之比例會減少。另一方面，該値如超過5 ❹ 時，所得到之1 0面體氧化鈦粒子之比例會減少。因此，含 有水蒸氣之氧化性氣體中之（氧氣（〇2換算）之物質量[mol] )/ (水蒸氣之物質量[mol])之比例，係以〇」~5之範圍 爲較佳，並以0.5〜3之範圍爲最佳。 在本發明中，含有水蒸氣之氧化性氣體之量，相對於 含有四氯化鈦蒸氣之氣體之量，以體積比計，係以〇.5 ~5 倍爲較佳。該體積比如未達0.5倍時，氧化鈦粒子之粒子 徑會變大。另一方面，該體積比如超過5倍時，10面體氧 化鈦粒子之比例會減少。因此，含有水蒸氣之氧化性氣體 -12- 201010949 之量，相對於含有四氯化鈦蒸氣之氣體之量’以體積比計 ，係以0.5〜5倍之範圍爲較佳，並以〇.8~2之範圍爲最佳。 在本發明中，由含有四氯化鈦蒸氣之氣體及含有水蒸 氣之氣體所合倂氣體中，四氯化鈦及氧氣及水蒸氣之體積 比（四氯化鈦：氧氣：水蒸氣）係以1 : 〇·5〜13 : 0.3~5 ( 體積比）之範圍爲較佳，並以四氯化鈦：氧氣：水蒸氣= 1: 1~6: 0.5~3(體積比）之範圍爲最佳。 @ 如超過此範圍時，很難選擇性地得到1 〇面體氧化鈦粒 子。其原因目前尙不明瞭，惟推定係與：四氯化鈦因水蒸 氣而加水分解時之濃度、速度、加水分解以後之未反應四 氯化鈦與氧氣之反應速度、以及在反應區域之滯留時間等 有關者。 如上所述，適用於本發明之氧化鈦粒子之製造方法， 係將四氯化鈦以氣相在高溫下進行氧化時，在上述條件下 倂用：急速加熱再急速冷卻之方法以及使用水蒸氣作爲氧 • 化性氣體之方法，而可選擇性且有效率地製造粒子徑在1 nm〜100 nm範圍之10面體氧化鈦粒子。此外，所得到之小 粒徑之氧化鈦粒子，其係適合作爲光觸媒材料者。因此， 根據本發明，可在工業上將適當的10面體氧化鈦粒子作爲 光觸媒材料而製造。 其次，圖1中係表示：在適合本發明之氧化鈦粒子之 製造方法上所使用反應裝置之一例。 該反應裝置，如圖1所示，係具備有：用以使含有四 氯化鈦蒸氣之氣體、及含有水蒸氣之氧化性氣體進行接觸 -13- 201010949 之反應管1、用以將該反應管1之一部（加熱部1a)局部地 進行加熱之紅外線電器爐2、用以將反應管1內所生成之氧 化鈦粉末回收之生成物回收部3。 具體而言，反應管1，可使用例如由石英等所成之圓 筒管。此外，在反應管1，在用以將含有水蒸氣之氧化性 氣體導入之導入管4連接於一端側（上流側）之同時’該 用以將含有四氯化鈦蒸氣之氣體導入之導入管5則由一端 @ 側（上流側）***於內部。 在導入管4之上流側，係設有例如：將水及氧氣（〇2) 及氮氣導入之導入口 4a、及將該導入口 4a所導入之水進 行氣化之氣化器6。由導入口 4a所導入之含有水蒸氣之氧 化性氣體（含有水蒸氣及氧氣（〇2)及氮氣），係藉由通過 氣化器6，而變成水蒸氣、氧氣（02)、及氮氣之混合氣體 ，並由導入管4被導入反應管1。 在導入管5之上流側，係設有例如：將四氯化鈦 φ (TiCl4)導入之導入口 5a、將氧氣（02)導入之導入口 5b、及 將該導入口 5a所導入之四氯化鈦（TiCl4)進行氣化之氣化 器7»從而，由導入口 5a所導入之含有四氯化鈦（TiCU)蒸 氣之氣體（含有四氯化鈦及氧氣（〇2))，係藉由通過氣化 器6，而變成四氯化鈦（TiCl4)蒸氣及氧氣（〇2)之混合氣體 ，並由導入管5被導入反應管1。 此外，如前所述，導入管5係由反應管1之一端側（上 流側）開始被收容於反應管1之內部。接著，在導入管5之 前端上係照射由紅外線電器爐2而來之紅外線。接著，由 -14- 201010949 反應管1之他端側（下流側）開始，則***有緩衝物8。緩 衝物8，係將導入於反應管1內之氣體導引至成爲高溫之反 應管1之外周側者，其例如有將石英管之先端作成尖銳形 狀且閉塞者。此外，緩衝物8的先端在反應管1內與導入管 5的先端成相對方向，該導入管5之先端部分及緩衝物8之 先端部分，係位置在反應管1之加熱部la上。此外，緩衝 物8，亦具有使在後述之反應區B上之氣體之滞留時間縮 φ 短之功能。 在加熱部la之反應管1，係纏繞著白金板。加熱部la ，則藉由該白金板與紅外線電器爐2之組合，而能夠急速 加熱再急速冷卻。亦即，藉由使紅外線電器爐2所照射之 紅外線，由白金板吸收並發熱，而僅讓與白金接觸之部分 局部地被加熱。藉此，可將加熱部la加熱至120 0°C左右 。此外，加熱部1 a之溫度，藉由將紅外線電器爐2之紅外 線照射以溫度控制器（未圖示）加以控制，即可任意地加 • 以設定。 再者，在白金板纏繞之加熱部la之中，在導入管5之 . 先端前，係含有四氯化鈦蒸氣之氣體及含有水蒸氣之氧化 性氣體被預熱之部分（所謂「預熱區A」）：而由導入管 5之先端往下流，更具體言之，係由導入管5之先端到加熱 部1 a之端部爲止’則係將四氯化鈦以氣相在高溫下進行 氧化之部分（所謂「反應區B」）。 生成物回收部3係袋濾器，其係將通過連接於反應管1 之他端側（下流側）之排出管9而在反應管1內所生成之氧 -15- 201010949 化鈦粉末加以回收。再者，在生成物回收部3’其係以排 出管9不會發生閉塞，且可由下游以幫浦（未圖示）吸引 者爲較佳。 在具有上述構成之反應裝置中，係將：由導入管4導 入於反應管1之含有水蒸氣之氧化性氣體、及通過導入管5 ' 之含有四氯化鈦蒸氣之氣體，各自於預熱區A預熱至500 。(：以上後，再於反應區B進行混合’而加熱至800°C以上 @ 。含有四氯化鈦蒸氣之氣體及含有水蒸氣之氧化性氣體’ 係於反應區B接觸後立即發生反應’所得到之反應氣體’ 則以3 00毫秒以下之滯留時間通過反應區B。然後，通過 反應區B之氣體，被立即冷卻後再送回生成物回收部3。 在使用此種反應裝置時，因爲在將四氯化鈦以氣相高 溫進行氧化時，可倂用：急速加熱再急速冷卻之方法、以 及使用水蒸氣作爲氧化性氣體之方法之故’在上述條件下 ，即可選擇性且有效率地製得具有1〇面體之箱型形狀、且 ^ 粒子徑在1 nm〜1〇〇 nm範圍之10面體氧化鈦粒子。 實施例 以下茲舉出實施例進一步地詳細說明本發明之效果。 惟本發明並不受這些實施例之任何限制；其可在不變更要 旨之範圍內做適當的變更而實施。 實施例1 在實施例1中’係使用上述圖1所示之反應裝置’並於 -16- 201010949 下述條件下實際地進行氧化鈦粉末之製造。 亦即，在反應管1之加熱部1 a上將白金板纏繞約1 〇 cm左右，在該部分（加熱部la)上使紅外線加熱爐2之紅 外線照射之情形下，將紅外線加熱爐2以溫度控制器控制 ，同時使白金板之表面溫度達到12〇〇°C ° 反應管1係使用內徑21.4 mm之石英管。緩衝物8’係 使用外徑12.7 mm之石英管’並將該先端作成約30°之尖 銳形狀且閉塞者。此外，加熱部1a之橫斷面積’係2·3 cm2 ° 將含有四氯化鈦蒸氣之氣體導入之導入管5之先端’ 係配置於：由纏繞有白金板之加熱部la (白金板之寬度係 10 cm，因此加熱部la之寬度亦爲1〇 cm)之上流先端起 算之6 cm下流處，到此作爲預熱區A。由導入管5之先端 起之下流處，直至加熱部1 a之下流先端爲止處，則爲高 熱之反應區B ( 4 cm)。 在含有水蒸氣之氧化性氣體，係使用含有水蒸氣及氧 氣（〇2)及氮氣之混合氣體。水、氧氣、及氮氣之混合氣體 在由導入口 4a導入，並使其通過氣化器6之後，再由導入 管5之先端將含有水蒸氣之氧化性氣體導入於反應管1。再 者，通過氣化器6後之混合氣體之組成，係水蒸氣：氧氣 :氮氣= 20: 20: 60(體積比），且以流量合計係成爲 600 NmL/min之情形下而導入混合氣體。 在含有四氯化鈦蒸氣之氣體，係使用四氯化鈦蒸氣及 氧氣（〇2)之混合氣體。將TiCl4由導入口 5a導入，再將氧 -17- 201010949 氣（〇2)由導入口 5b導入’且使其通過氣化器7之後’再由 導入管5之先端導入於反應管1。此外，通過氣化器7後之 混合氣體之組成，係四氯化鈦：氧氣=20 : 80 (體積比） ，且以流量合計係成爲6〇〇 NmL/min之情形下而導入混合 氣體。 再者，全反應氣體之組成，係四氯化鈦：氧氣：水蒸 氣=1: 5: 1，且在反應區B之反應氣體之滯留時間，約 爲5 0毫秒。 比較例1 除含有水蒸氣之氧化性氣體，改成不含水蒸氣之氧化 性氣體，亦即將氧氣及氮氣之混合氣體由導入口 4a導入 以外，其餘均與實施例1在同樣之條件下進行氧化鈦粉末 之製造。 φ 比較例2 除不導入含有水蒸氣之氧化性氣體，僅將四氯化鈦蒸 氣及氧氣（02)之混合氣體（四氯化鈦濃度爲6%)由導入管 5慢慢地（3 00 NmL/min )導入以外，其餘均與實施例1在 同樣之條件下進行氧化鈦粉末之製造。 接著，將此等實施例1、比較例1、及比較例2所得到 之氧化鈦粉末，以電子顯微鏡進行觀察。 以下，茲將實施例1、比較例1、及比較例2之各製造 條件、以及所得到之氧化鈦粒子之觀察結果，整理如表1 -18- 201010949 中所示者。此外，氧化鈦粉末，係採用任意採樣之3處所 之粉末，各自導入於掃描型電子顯微鏡之試料室中，並於 5處所以上之視野下進行觀察。
參 -19- 201010949
結果 0 。旨 ^ | 陌靼 2屮 不形成10面體形狀 0 ° i 梁7 聽Ο [S m 2 if 反應區之 滯留時間 50毫秒 50毫秒 200毫秒 m 赵瞰 1^1 ·Ν 樣Ini 陋趙 β a 1°| 1ξΒ| i= m B S S ή m m 僅反應區4cm 合計反應 氣體之組成 TiCl4: 〇2： H20 =1:5: 1 TiCl4: 〇2： H20 =1:6:0 TiCl4: 〇2： H2〇 =1:14:0 g鹦餵題 应餐强·· Z ^ μ ^ ' Η- 600NmL/min H2〇： 〇2： N2=20: 20: 60 600NmL/min H2〇： 〇2： N2=0: 40: 60 璀 g聽撖璀 | ^ g S -N .. 斯Μ强·. 4π抵-Μ强 600NmL/min TiCl4： 〇2=20: 80 600NmL/min TiCl4: 〇2=20: 80 300NmL/min TiCl4： 〇2： N2=6: 84: 10 實施例1 比較例1 比較例2 -20- 201010949 如表1所示者，在實施例1所得到之氧化鈦粉末，其粒 子徑係5 0〜9 0 nm之範圍之1〇面體氧化鈦粒子。 另一方面，在比較例1所得到之氧化鈦粉末，其並非 1 〇面體氧化鈦粒子，且粒子徑亦顯示有30〜200 nm範圍之 廣泛分布。 " 此外’在比較例2所得到之氧化鈦粉末，其雖係1 0面 體氧化鈦粒子，惟粒子徑顯示有70~150 nm範圍之廣泛分 & 布，且含有粒子徑大者。 如上所述，根據本發明，可選擇性且有效率地製造具 有10面體之箱型形狀、且粒子徑在1 nm〜100 nm範圍之10 面體氧化鈦粒子。 產業上可利用性 根據本發明之製造方法，可選擇性且有效率地製造粒 子徑在1 nm~ 10 0 nm範圍之1〇面體氧化欽粒子。此外，所 φ 得到之小粒徑氧化鈦粒子，其係適合作爲光觸媒材料者。 因此’根據本發明，可在工業上將適當的10面體氧化鈦粒 子作爲光觸媒材料而製造。 【圖式簡單說明】 圖1 :係適合於本發明之氧化鈦粒子之製造上使用之 反應裝置之一例的部件圖。 【主要元件符號說明】 -21 - 201010949 1 :反應管 1 a :加熱部 2 :紅外線電器爐 3 :生成物回收部 4 :導入管 5 :導入管 6 :氣化器
7 :氣化器 8 :緩衝物 9 :排出管
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