TW200951914A - Image display device - Google Patents

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200951914 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及圖像顯示裝置，且係關於由例如EL(Eleetm Luminescence，電激發光）元件或有機仙元件及其他自發 光型之顯示元件（像素）構成顯示區域之圖像顯示裝置。 ' 【先前技術】 此類圖像顯不裝置具有其顯示元件（自發光元件）之發光 冗度與流經3亥元件之電流量成比例之性質，因此可藉由對 流經該元件之電流量進行控制而實現灰階顯示。 然而，例如有機EL元件具有如下性質：因該元件特性之 劣化而導致於並未作為持續顯示之像素之像素中產生亮度 差。 而且，該等顯示元件之亮度差會作為「殘像現象」而被 人們之眼睛識別出，且係導致作為圖像顯示裝置之壽命縮 短之主要因素。 〇 因此，例如下述專利文獻U日本專利特開2004-38209號 公報）所示揭示一技術，藉由設置對流經各顯示元件之電 . 流1進订測定並根據該測定出之電流量來對劣化部分進行 ; 校正之機構而消除上述「殘像現象」。 【發明内容】 發明所欲解決之問題 於此，上述專利文獻1所揭示之圖像顯示裝置，具備由 例如A/D(Analog/Digital，類比/數位）轉換器構成之電流測 定器來對流經各顯示元件之電流量進行測定。 136220.doc 200951914 然而，要求該電流測定器之測定範圍具有相當廣之範 圍。其原因在於各顯示元件之劣化所引起之電流變動較 大’又亦$充分應對溫度或製造差異所引起之電流變動。 於該if形時’有可能導致上述電流測定器之電路規摸擴 大因此要求避免該電流測定器之電路規模之擴大，但上 述專利文獻1中並無考慮到此方面之記載。 解決問題之技術手段 本發明之目的在於提供—種具備消除殘像現象而又不會 擴大規模之電路之圖像顯示裝置。 本發明之圖像顯示裝置係為了檢測因溫度所引起之較大 電抓變動#測疋流至顯示元件之電流量之檢測機構(電 流測定器)之標準電壓切換為可藉由使上述電流量反饋而 檢測因上述顯示元件劣化所引起之微小電流變化之標準電 壓，使該檢測機構之電流測定範圍追隨溫度變動。藉此， 可用同-個檢測機構檢測因變動較大之溫度狀輯引起之 電流量變動、及因變動微小之元件劣化所引起之電流量變 動之任一者。 枣發明之構成例 (1)本發明之圖像顯示裝置 — i <付做在於·其係包含例如包名 複數個顯示元件之顯示部、f - _ 于q 貝不部輸入顯示訊號電屬 之訊號線、及控制該顯示訊號 π ,爪I电壓之顯不控制部，且自 含： 檢測用電源；切換開關， 上述顯示元件；檢測電路 其係使該檢測用電源之電流流至 ，其係檢測流至上述顯示元件之 136220.doc 200951914 電流，及檢測資訊儲存電路,# /¾. Ak , 包路其係儲存由該檢測電路所拾 測出之資訊並根據該資訊校正卜汁翻_ >上 '^ 只代仅正上述顯不訊號電壓； 上述檢測電路構成為：於拇嬙 於根據第1標準電壓設定第1電产制 定範圍並進行電流檢測後，反饋所檢心之電流量，= 根據與上述第1標準電壓不同之第2標準電壓來設定第 流測定範圍並進行電流檢測。 其特 示訊 述顯 ⑺本發明之圖像顯示裝置例如以⑴之構成為前提，
徵在於：上述切換開關於-顯示期間中之與輸出該顯 號電壓之期間不同之期間，連接上述檢測用電源與上 示元件。 (3) 本發明之圖像顯示裝置例如以⑴之構成為前提，其特 徵在於：上述檢測用電源為恆定電流源。 八、 (4) 本發明之圖像顯示裳置例如以⑴之構成為前提，其特 徵在於：上述檢測電路判別劣化元件之位準，上述檢測資 訊儲存電路儲存—晝面份量之劣化元件之狀態。 ⑺本發明之圖像顯示裝置例如以⑴之構成為前提，其特 徵在於：上it顯示控制電路校正輸入至上述劣4匕元件之顯 示資料。 (6)本發明之圖像顯示裝置例如以⑴之構成為前提，其特 徵在於.s又有父換開關，其係在於供給上述顯示訊號電 壓並將擔®紅、綠、藍之各訊號分時供給至上述顯示部 内。 (7)本發明之圖像顯示裝置例如以（1)之構成為前提，其特 徵在於·上述第1電流測定範圍之幅度與第2電流測定範圍 136220.doc 200951914 之幅度相同。 (8) 本發明之圖像顯示裝置例如以（1)之構成為前提，其特 徵在於：上述第1電流測定範圍之幅度與第2電流測定範圍 之幅度不同。 (9) 本發明之圖像顯示裝置之特徵在於：其係具備例如包含 複數個顯示元件之顯示部、對該顯示部輸入顯示訊號電壓 之資料訊號線、及控制該顯示訊號電壓之顯示控制部，且 具備： 檢測用電源，切換開關，其係使該檢測用電源之電流經由 檢測汛號線而流至上述顯示元件；檢測電路，其係檢測流 至上述顯示元件之電流；及檢測資訊儲存電路，其係儲存 由該檢測電路所檢測出之資訊並根據該資訊校正上述顯示 訊號電壓； 上述資料訊號線及上述檢測訊號線包含由切換電路所切換 之共用訊號線； ' t述檢測電路構成為：於根據第1標準電壓設定第1電流測 定範圍並進行電流檢測後’反饋所檢測出之電流量，藉此 «與上述第i標準電厘不同之第2標準電壓設定第2電流 測定範圍並進行電流檢測。 ⑽本發明之圖像顯示裝置例如以(9)之構成為前提，其特 徵在於：上述切換開關係'於-顯示期間中之與輸出該顯示 訊號電壓之期間不同之期間 顯示元件。 ’連接上述檢測用電源與上述 (11)本發明之圖像顯示裝 置例如以（9)之構成為前提，其特 136220.doc 200951914 徵在於：上述檢測用電源為恆定電流源。 ⑽本發明之圖像顯示Μ例如以（9)之 徵在於··上述檢測電路判別劣化 杈其特 訊儲存電路儲存一書面量之二上述檢測資 —叫里又另化兀件之狀態。 發明之圖像顯示裝置例如以⑼之構成為前提，其特 =:上述顯示控制電路校正輸入至上述劣化元件之顯 :二發明之圖像顯示震置例如以(9)之構成為前提，其特 壓有切換開關，其係在於供給上述顯示訊號電 二。“紅、綠、藍之各訊號分時供給至上述顯示部 發明之圖像顯示裝置例如以（9)之構成為前提，其特 徵在於.上述第i電流測 之幅度相同。 ®之巾田度與第2電流測定範圍 以（9)之構成為前提，其特 之幅度與第2電流測定範圍 (16)本發明之圖像顯示裝置例如 徵在於：上述第1電流測定範圍 之幅度不同。 ’可於不脫離本發明 又，除上述構成以外 之記載或圖式當可明 再者，本發明並不限定於上述構成 之技術思想之範圍内進行各種變更。 之本發明《構成例由纟案說明書全體 白。 根據本發明之圖像顯示裝 不會擴大規模之電路。 關於本發明之其他效果， 置’可具備消除殘像現象而 由說明書全體之記載當可 又 明 136220.doc 200951914 白。 【實施方式】 一面參考圖式-面說明本發明之實施例。再者，於各圖 及各實施例中’對於相同或類似之構成要素附上相同符號 並省略其說明。 ' 於此’符號為如下：6_·.顯示及檢測控制部、u...資料 線驅動機構、13...發光用電壓生成機構、15 .掃描線驅動 機構、17...自發光元件顯示器、18.元件特性檢測掃描機 構、21…殘像檢測及位置判別機構、24殘像資訊儲存機 構、26…殘像像素資料校正機構、28.驅動時序生成機 構、37…殘像校正量計算機構、44…第一 R選擇開關、 45…第一 G選擇開關、46…第一 B選擇開關、47...第二尺選 擇開關、62…育料寫入開關、63 .寫入電容、料…驅動電 晶體、65…有機EL、73...檢測用電源、74.第一檢測線開 關、75…第二檢測線開關、76…第三檢測線開關、77…第 四檢測線開關、79…移位暫存器、84...A/D轉換機構、 85…殘像像素位置資訊生成機構、94…有機EL電流對電壓 特性、97···劣化元件有機EL電流對電壓特性、1〇丨…高溫 有機EL電流對電壓特性、103…高溫劣化元件有機EL電流 對電壓特性、108…第1比較器、1〇9…第2比較器、110.··第 3比較器、111…第4比較器、112…第5比較器、113…第6比 較器、114…第7比較器、137…7to3解碼器、141...參考電 壓控制機構、143…上參考電壓生成機構、145…下參考電 壓生成機構、147…檢測時序控制機構、1 5丨…上參考電壓 136220.doc •10- 200951914 切換機構、152…下參考電壓切換機構、ι56…顯示/檢測切 換控制部、158…資料線驅動及殘像位置判別機構、160..· 資料線及檢測線共用自發光元件顯示器、161 一水平閂 鎖及類比轉換機構、167…第一資料線檢測切換開關、 . 168…第二資料線檢測切換開關、169…第三資料線檢測切 換開關、170…第四資料線檢測切換開關、175...rgb切換 • 控制機構。 Α (第一實施形態） 以下，使用圖式詳細說明本發明之第一實施形態。 圖1表示本發明之一實施形態之圖像顯示裝置，且表示 自發光元件顯示裝置之示例。 圖1中’ 1表示垂直同步訊號，2表示水平同步訊號，3表 示允許資料訊號，4表示顯示資料，5表示同步時脈。垂直 同步訊號1係顯示一畫面週期（一幀週期）之訊號，水平同步 訊號2係一水平週期之訊號，允許資料訊號3係表示顯示資 φ 料4有效之期間（顯示有效期間）之訊號。該等所有訊號係與 同步時脈5同步地輸入。於本實施形態中，該等顯示資料 * 之一晝面自左上端之像素依序以光柵掃描形式傳送，例如 . 個像素之資訊包含6位元之數位資料。6係顯示及檢測控 ' 制部，7係資料線控制訊號，8係掃描線控制訊號，9係檢 測掃描線控制訊號’ 10係檢測線控制訊號。顯示及檢測控 制部6根據垂直同步訊號1、水平同步訊號2、允許資料訊 號3、顯示資料4及同步時脈5 ’生成用以控制顯示之資料 線控制訊號7及掃描線控制訊號8，以及用以檢測下述顯示 136220.doc 200951914 元件之特）生之檢測掃描線控制訊號9及檢測線控制訊號 10。11係資料線驅動機構，12係資料線驅動訊號。資料線 驅動機構11根據資料線控制訊號7而生成寫入至由自發光 兀件構成之像素（下述）之訊號電壓及三角波訊號（下述）並 作為資料線驅動訊號12輸出。13係發光用電壓生成機構， 14係發光用電壓。發光用電壓生成機構13生成供給用以使 自發光π件（下述）發光之電流之電源電壓，並將其作為發 光用電壓14輸出。15係掃描線驅動機構，16係掃描線選擇 訊號。17係自發光元件顯示器。自發光元件顯示器17係指 使用發光二極體或有機EL等作為顯示元件之顯示器。自發 光元件顯不器17具有配置為矩陣狀之複數個自發光元件 (像素部）。自發光元件顯示器17之顯示動作，係根據自資 料線驅動機構11輸出至依據自掃描線驅動機構15輸出之掃 描線選擇訊號16所選擇及寫人控制之像素的資料線驅動訊 號12之訊號電壓所對應的像素之資料寫入、以及三角波訊 號而進打動作。驅動自發光元件之電壓係作為發光用電壓 14來供給。再者，資料線驅動機構u及掃描線驅動機構υ 可由各個 LSI(Large Seale IntegratiGn Ch>euit，大規模積體 電路）實現’亦可由-個LSI實現，進而亦可與像素部形成 於同一個玻璃基板上。自發光元件顯示器17具有例如 240X320點之解析度，1點係由從左起為R(紅）、G(綠）、 B(藍）之3像素構成。即，顯示器17之水平方向包含個 像素。自發光元件顯示器17可根據流至自發光元件之電流 量及自發光元件之點亮時間，來調整自發光元件之發光亮 136220.doc 12 200951914 度"IL至自發光元件之電流量越大，自發光元件之亮度就 越高。自發光元件之點亮時間越長，自發光元件之亮度就 越南1 8係元件特性檢測掃描機構，19係檢測掃描線選擇 訊號。元件特性檢測掃描機構18生成用以選擇對自發光元 , 件顯示器17之自發光元件之劣化狀態進行檢測之掃描線的 檢測掃描線選擇訊號19。20係檢測線輸出訊號，21係殘像 檢測及位置判別機構，22係殘像檢測結果，係位置資 ❹ 訊檢測線輸出訊號20係根據自發光元件顯示器17之由檢 測掃描線選擇訊號19所選擇之一水平線上之自#光元件之 劣化狀態的檢測結果’藉由殘像檢測及位置判別機構21而 輸出殘像檢測結果22及與該結果相對應之自發光顯示器Η 上之位置資訊23。24係殘像資訊儲存機構，25係殘像校正 像素資訊。殘像資訊儲存機構24根據位置資訊23而暫時儲 存殘像檢測結果22，並將其作為殘像校正像素資訊25加以 輸出。殘像檢測結果22表示劣化位準，位置資訊23係作為 © 表示畫面上之位置之位址資訊而輸出。殘像資訊儲存機構 24將劣化位準儲存於依據位置資訊23之位址上，藉此殘像 • 校正像素資訊25對照顯示時序而輸出劣化位準。 .圖2係表示上述顯示及檢測控制部6之内部構成之一實施 ㈣的圖。圖2中，26係殘像像素資料校正機構，27係顯 示校正資料。殘像像素資料校正機構26根據下述殘像校正 量而對顯示資料4進行校正，並作為顯示校正資料”加以 輸出。28係驅動時序生成機構，29係水平開始訊號，3〇係 水平移位時脈，3丨係垂直開始訊號，32係垂直移位時脈。 136220.doc •13· 200951914 驅動時序生成機構28生成表示顯示水平位置之最前端之水 平開始訊號29、成為逐個像素地閃鎖顯示資料4之時序之 水平移位時脈30 '表示顯示垂直位置之最前端之垂直開始 訊號31、以及使掃描線選擇料移位之垂直隸時脈^。 33係垂直檢測開始訊號’ 34係垂直檢測移位時脈，^係水 平檢測開始訊號，36係水平檢測移位時脈。驅動時序生成 . 機構28生成表示檢測動作之垂直方向之最前端的垂直檢㈣ P幵 1始訊號33、使檢測掃描線依序移位之垂直檢測移位時脈 34、 表示檢測之水平位置之最前端的水平檢測開始訊號 〇 35、 以及使檢測之水平位置依序移位之水平檢測移位時脈 36、 37係殘像校正量計算機構，38係殘像校正量。殘像校 正量汁算機構3 7根據殘像校正像素資訊25來判斷殘像位準 並计算杈正量，且作為殘像校正量3 8加以輸出。 圖3係表示上述自發光元件顯示器17之内部構成之—實 施形態的圖。本實施形態係表示使用例如有機£1元件作為 自發光7G件之情形之示例。圖3中，39係第一資料線輸 出，40係第二資料線輸出，41係R選擇訊號，42係G選擇❹ 訊號，43係B選擇訊號，44係第一 R選擇開關，45係第—〇 選擇開關，46係第一 b選擇開關，47係第二R選擇開關。: 第一資料線輪出39連接於根據R選擇訊號41切換之第—R - 選擇開關44、根據G選擇訊號42切換之第一 〇選擇開關 45、以及根據B選擇訊號43切換之第一 B選擇開關，隨 後，直至第二、第三、…、第二四〇為止，資料線輸出均 連接於RGB之選擇開關。R選擇訊號41、〇選擇訊號、b 136220.doc • 14 · 200951914 選擇…係將-水平期間加以三等分而成為「〇N(接 通）」狀態之sH*號，藉由一Μ ψ iL· μ*. 根貝枓線輸出而將訊號電壓輸 ❹ ❹ 出至R、G、Β之三根資料線。48係第一 Rf料線，49係第 - G資料線，50係第—B資料線，51係第二r資料線，π係 第-掃描、線，53係第二掃描線，54係第—列第—行之汉像 素，55係第一歹,J第一行之〇像素，％係第一列第一行之b 像素，57係第一列第二行之R像素，58係第二列第一行之 R像素，59係第二列第—行之G像素，的係第二列第一行 之b像素，61係第：列第m像素。第―r資料線Μ、 第-G資料線49、第—Bf料線5()、第二Rf料線η係用以 將各個訊號電壓輸入至像素之資料線。第一掃描線^、第 二掃描線53分別係用以將第—掃描線選擇訊號及第二掃描 線選擇訊號(下述)輸入至像素之訊號線。經由各個資料線 對根據各個掃描線選擇訊號而選擇之掃描線上之像素寫入 訊號電壓’並根據訊號電壓來控制像素之亮度。此時之發 光用之電源成為發光用電壓14。於此，僅於第一列第一行 之R像素54表示像素之内部構成，但至於第—列第一行之 G像素55、第—列第—行之B像素％、第—列第二行之崎 素57 1二列第—行之R像素58、第二列第―行之g像素 59、第二列第—行之8像素60、帛二列第二行之R像素61 亦為相同之構成，資料寫入開關，63係寫入電容，料 久動電阳H，65係有機EL元件。資料寫入開關^藉由第 :掃：線52而成為接通狀態’並將來自第-R資料線48之訊 心壓儲存於寫人電容63中。驅動電晶體64將依照儲存於 136220.doc -15- 200951914 寫入電容63之訊號電壓之驅動電流供給至有機el元件65。 因此’表示有機EL元件65之發光亮度係取決於寫入至寫入 電容63之訊號電壓及發光用電壓14。又，如先前說明所 述’自發光元件顯示器17之像素數、即解析度為 240x320，就掃描線而言，水平方向之線係於垂直方向上 自苐1線至苐3 2 0線為止排列有3 2 0根，就資料線而言，r、 * G、B各自之垂直方向之線於水平方向上自第1點至第24〇 , 點為止排列有240根，即共計720根。66係檢測開關，67係 第一檢測掃描線，68係第二檢測掃描線，69係第一檢測 © 線’ 70係第二檢測線，71係第三檢測線，72係第四檢測 線。檢測開關66係於受到第一檢測掃描線67之選擇時將有 機EL元件65之特性輸出至第一檢測線69之開關。第二檢測 掃描線68、第二檢測線70、第三檢測線71、第四檢測線72 亦相同地經由各個像素之檢測開關連接於有機EL元件。於 此’檢測線亦排列有例如720根。 圖4係表示上述殘像檢測及位置判別機構以之内部構成 之一實施形態的圖。圖4中，73係檢測用電源，74係第一❹ 檢測線開關，75係第二檢測線開關，76係第三檢測線開 關，77係第四檢測線開關，78係檢測輸出線。第一檢測線 : 開關74、第二檢測線開關75、第三檢測線開關76、第四檢 * 測線開關77係藉由下述之移位暫存器而沿著水平方向依序 移位而進行選擇，並於將作為恆定電流源之檢測用電源73 依序連接於第一檢測線69 '第二檢測線70、第三檢測線 1第四檢測線72、…、第七二〇檢測線時之有機EL元件 136220.doc • 16- 200951914 之特性輸出至檢測輸出線78。79係移位暫存器，8〇係第一 檢測線選擇訊號，81係第二檢測線選擇訊號，㈣第三檢 測線選擇訊號，83係第四檢測線選擇訊號。根據水平檢測 開始訊號35及水平檢測移料脈％，將用以依序切換先前 說明之檢測線開關之坌 ^ ,at . 關之第一檢測線選擇訊號80、第二檢測線 選擇訊號81、第三檢測線選擇訊號82及第四檢測線選擇訊 號83加以輸出。84係A/D轉換機構。對作為類比值之自檢 ❿ 測輸出線78輸出之有機EL元件之特性進行數位轉換後作為 殘像檢測結果22加以輸出。85係殘像像素位置資訊生成機 構’根據水平檢測開始訊號35及水平檢測移位時脈36來判 斷像素位置並作為位置資訊23加以輸出。 圖5係表示上述自發光顯示器17中產生殘像之情形之表 現例的圖。圖5⑷表示將顯示區域之大部分顯示為里色之 ^形。86係顯示外框，87係、黑色顯示，88係固定顯示圖 ，、。將顯不外框86内之有效顯示區域之背景設為黑色顯示 87:其中表示將固定顯示圖案88長時間顯示於相同位置之 狀態。圖5(b)表示將整個顯示區域顯示為白色之情形。⑽ ，白色顯示’ 9〇係、殘像圖案’ 91係同—水平線。於長時間 减不上述固定圖案88之情形時，與周邊之黑色顯示W相比 劣化加重。因此，於設為白色顯示89時，在顯示劣化加重 圖"8之像素中觀察到殘像圖案9〇。因此，於顯示 问一水平線91上排列有不產生殘像之像素與 像之像素。 、生殘 圖6係表示上述有機EL元件65之檢測特性的圖。圖6中， 136220.doc -17· 200951914 92係電流軸，93係電壓軸’ 94係有機EL元件之電流對電塵 特性’ 95係恆定電流條件，96係恆定電流施加時電壓。電 流對電壓特性94係表示對有機EL元件65施加之電壓與電流 之關係的曲線。於此，特性檢測時連接作為恆定電流源之 檢測用電源73，故而電流對電壓特性94之曲線上之、作為 施加有恆定電流條件95時之電壓值之恆定電流施加時電壓 96成為應檢測之特性電壓。97係有機EL元件產生劣化時之 電流對電壓特性，98係有機EL元件產生劣化時之電流施加 時電壓。上述電流對電壓特性97於產生劣化時傾斜度小於 電流對電壓特性94，此時若施加恆定電流條件％，則成為 恆定電流施加時電壓98，於劣化時表現出檢測電壓增大。 圖7係表示圖5所示之同一水平線91上之像素於施加恆定 電流時之電壓之圖。圖7中，99係水平顯示位置，1〇〇係檢 測電壓。將縱軸設為電壓軸93，因此同一水平線“上之像 素之檢測電壓1〇〇表現為如下：於不產生殘像之像素中成 為怪定電流施加時電壓96,而於產生殘像之像素中成為恆 定電流施加時電壓98。 圖8係表示上述有機^件65之檢測特性於高溫時之變 動的圖。圖8中’ 1G1係高溫時之有機肛元件&之電流對電 壓特性’ 102係此時之定電流施加時電壓。如上所述， 檢測特性時連接作為恆定電流源 兩溫狀態下進行檢測之情形時， 之檢測用電源73，故而於 上述電流對電壓特性101 之曲線上之、作為施加有恆定雷、户你 π r至疋电机條件％時之電壓值之恆 定電流施加時電壓102成a廄浴、目,丨> & 风為應檢測之特性電壓。103係因高 136220.doc 200951914 溫而導致劣化之有機EL元件65之電流對電壓特性，1 04係 此時之恆定電流施加時電壓。與上述相同地，上述電流對 電壓特性1 03於產生劣化時傾斜度小於上述電流對電壓特 性1 01，此時藉由施加恆定電流條件95而成為恆定電流施 加時電壓104，於劣化時表現出檢測電壓增大。於此，恆 定電流施加時電壓102及恆定電流施加時電壓1 04均向小於 常溫時之恆定電流施加時電壓96及恆定電流施加時電壓98 之方向變動，且大於劣化時之變動。 圖9係表示圖7所示之同一水平線9 1上之像素於施加恆定 電流時之電壓在高溫時之變動的圖。圖9中，105係高溫時 之檢測電壓，100係常溫時之檢測電壓。可判斷高温時之 檢測電壓105之總體位準要小於常溫時之檢測電壓100。 圖10係表示以於常溫時及高溫時均獲得檢測電壓之方式 設定A/D轉換之標準電壓之示例的圖。圖10中，106係常温 電壓設定範圍，107係高溫電壓設定範圍。就常溫電壓設 定範圍106而言，其最大值成為有機EL元件65產生劣化時 之恆定電流施加時電壓98，其最小值成為恆定電流施加時 電壓96。此例中，將殘像之檢測位準設為7位準，即A/D轉 換時自標準電壓之最大值至最小值為止以7位準之分辨率 檢測類比值，並將該類比值轉換為3位元之數位資料後加 以輸出。 此時，高温時之檢測電壓105偏離上述常溫電壓設定範 圍106，因此必須將A/D轉換時之標準電壓擴大到亦包括上 述常溫電壓設定範圍1 06在内之高溫電壓設定範圍107。並 136220.doc -19- 200951914 且’作為A/D轉換器，為對應於該高溫電壓設定範圍丨〇7， 而必須設置複數個A/D轉換器、或必須為擴大電壓設定範 圍且一併增大分辨率之A/D轉換器，故而均將不可避免地 導致電路規模之增大。 圖11係表示圖4所示之a/D轉換器84之内部構成之一實施 形態的圖。圖11中，108係第丄比較器，1〇9係第2比較器， 110係第3比較器，11丨係第4比較器，J丨2係第5比較器， 113係第6比較器，114係第7比較器，115係第j比較電壓， 116係第2比較電壓，1丨7係第3比較電壓，i丨8係第4比較電 壓，119係第5比較電壓，120係第ό比較電壓，121係第7比 較電壓’ 122係第1比較結果’ ία係第2比較結果，124係 第3比較結果，125係第4比較結果，126係第5比較結果， 127係第6比較結果，i28係第7比較結果。各比較器 108〜114係對檢測輸出線78之電壓與各個比較電壓Π5〜121 進行比較’並將結果作為比較結果1 22〜丨28加以輸出。例 如，於檢測輸出線7 8之電壓大於比較電壓之情形時，將 「1」作為比較結果輸出β 129係第1分壓電阻，1 3〇係第2 分壓電阻’ 131係第3分壓電阻，132係第4分壓電阻，133 係第5分壓電阻，134係第6分壓電阻，135係第7分壓電 阻’ 136係第8分壓電阻。藉由各分壓電阻丨29〜13 6，對下 述之上參考電壓與下參考電壓進行分壓而生成各比較電壓 115〜121。第1分壓電阻129及第8分壓電阻136大致為0歐 姆，弟1比較電壓115之電壓設為與上參考電壓相同，第7 比較電壓121之電壓設為與下參考電壓相同，第2分壓電阻 136220.doc •20· 200951914 130〜第7分壓電阻135為相等之電阻值，第2比較電壓116至 第6比較電壓120對上參考電壓與下參考電壓之間進行均等 分壓。137係7t〇3解碼器，138係數位第3位元輸出，139係 數位第2位元輸出，14〇係數位第i位元輸出。7t〇3解碼器 137係對比較結果122〜128進行解碼並作為3位元之數位輸 出138〜140加以輸出。於此，如先前說明所述，比較結果 122〜128 係以「 〇〇〇〇〇〇〇 」、「 〇〇〇〇〇〇1 」、「 〇〇〇〇〇11 」、 ❹ 「0000111」、「ooomi」、「〇0imi」、「0111111」、 「11111111」之8種形式來表示，因此分別轉換為 「〇〇〇」、「〇〇1」、「010」、「011」、「1〇〇」、「1〇1」、「11〇」、 「111」。141係參考電壓控制機構，142係殘像檢測時之參 考電壓，143係上參考電壓生成機構，144係殘像檢測時之 上參考電壓，145係下參考電壓生成機構，146係殘像檢測 時之下參考電壓，147係檢測時序控制機構，148係檢測切 換訊號，149係溫度檢測時之上參考電壓，15〇係溫度檢測 © 時之下參考電壓，151係上參考電壓切換機構，152係下參 考電壓切換機構，153係上參考電壓，154係下參考電壓。 ； 檢測時序控制機構147生成用以切換溫度檢測及殘像檢測 . 之時序之檢測切換訊號148。上參考電壓切換機構1 5 1及下 參考電壓切換機構152分別根據檢測切換訊號丨48，於溫度 才双測時切換溫度檢測時之上參考電壓149及溫度檢測時之 下參考電壓1 50，且於殘像檢測時切換殘像檢測時之上參 考電壓144及殘像檢測時之下參考電壓丨46，並分別作為上 參考電壓153及下參考電壓154加以輸出。參考電壓控制機 136220.doc -21· 200951914 構141根據溫度檢料之比較結果122〜128而生成成為殘像 檢測時之上下參考電壓之標準的殘像檢測時之參考電壓 142。上參考電壓生成機構143及下參考電壓生成機構"5 分別以殘像檢測時之參考電壓142為標準，生成殘像檢洌 時之上參考電壓144及殘像檢測時之下參考電壓146。 圖12係對上述A/D轉換器84之動作進行說明的圖。圖η 中’上圖⑷表示溫度檢測動作’下圖⑻表示殘像檢測動 作。155係溫度檢測點。於溫度檢測時，將上參考電壓⑸ 設為溫度檢測時之上參考電壓149(參考圖⑴並將下參考電 壓154設為溫度檢測時之下參考· i5()(參考圖⑴，因此 比較電壓115〜121成為對兩者之間進行均等分割之位準。 於此，本實施例中，溫度檢測時之上參考電壓149及溫度 $測時之下參考電壓15G具有與特性對於產品使用環境之 溫度變化而變動相斜庳 I動相對應之範圍，且係作為周邊溫度較高時 動料打說明。根據溫度檢測之結果，參考電壓之範圍 時：：=7比較電壓121至第4比較電麼118，且殘像檢測 壓142反映該結果。於本實施例中，將溫度檢 ΠΓ則定結果作為殘像檢測時之參考電—輸 出，並將與殘像檢測時之參考 測時之下參考電壓146(參考圖u)= 立參車考相雷同屉之殘像檢 m㈣像檢測時之參考電壓142與應檢測之最大幅 卩__時之上參考電壓叫參考圖 S153。藉此，殘像檢測時之比較電壓 12咏溫度檢㈣更精確，故何對應於更微小之變 136220.doc 200951914 動。 圖13係與圖8相對應之圖，且係表示上述有機EL元件65 之檢測特性於高溫時之變動表現出與圖8不同之特性之情 形的圖。與圖8相同地，ιοί係高溫時之有機£[元件65之電 . 流對電壓特性，1〇2係高溫時之恆定電流施加時電壓。183 係高溫時已產生劣化之有機EL元件65之電流對電壓第二特 性’ 1 84係高溫時已產生劣化之有機el元件65之恆定電流 Φ 施加時第二電壓。電流對電壓特性101於產生劣化時之傾 斜度較小，相對於此，上述電流對電壓第二特性183之變 動大於常溫時，此時若施加恆定電流條件95則成為恆定電 流施加時第二電壓184，從而可判斷出產生劣化時檢測電 壓之變動量大於常溫時。 圖14係與圖9相對應之圖，且係圖7所示之同一水平線91 上之像素於施加恆定電流時之電壓在高溫時之變動表現出 與圖9不同之特性之情形的圖。圖14中，185係高溫檢測第 Ο 一電壓’其總體位準小於常溫時之檢測電壓1 〇 〇，並且其 振幅（電流測定範圍之幅度）大於圖9所示之高溫檢測電壓 . 105 〇 圖15係與圖10相對應之圖，且係表示A/D轉換之標準電 ' 壓設定於高溫時之特性不同於圖1〇之情形之實施態樣的 圖。圖15中，常溫電壓設定範圍106及高溫電壓設定範圍 與圖10相同地，因高溫時之檢測電壓185偏離常溫電壓 〇又疋軌圍1 〇 6，故而必須將A/D轉換時之標準電壓擴大至高 溫電壓設定範圍107。為了應對該情況，必須設置複數個 136220.doc -23- 200951914 A/D轉換器、或擴大電壓設定範圍且增大分辨率，從而導 致電路規模增大。再者’圖15中，高溫時之檢測電壓185 之範圍大幅度大於圖1〇之情形。 圖1 6係與圖12相對應之圖，且係表示圖11所示之A/D轉 換器84之動作於高溫時之變動表現出與圖12不同之特性之 情形之實施態樣的圖。圖16中，雖然動作與圖12之情形相 同，但高溫時之檢測電壓185之範圍大於常溫時之檢測電 壓100，因此殘像檢測時之比較電壓115〜121大於圖16所示 之尚溫時或者圖12所示之高溫時。再者，高溫時之檢測電 壓185之範圍可根據圖n所示之特性而預先計算出，故而 可基於該計算資料而設定殘像檢測時之比較電壓 115〜121 。 以下，使用上述圖1至圖16，就與溫度變動相對應之殘 像檢測進打說明。首先，使用圖丨說明圖像顯示裝置中之 顯示資料之流程。圖丨中，顯示及檢測控制機構6根據垂直 同步sfl號1、水平同步訊號2、允許資料訊號3及同步時脈 5，而生成成為自發光元件顯示器17之顯示時序之資料線 控制訊號7及掃描線控制訊號8。並且’除生成上述訊號以 外，還生成成為用以對自發光元件顯示器丨7之像素狀態進 行檢測之時序的檢測掃描線控制訊號9及檢測線控制訊號 10。下文作詳細說明。資料線驅動機構u、掃描線驅動機 構15及發光用電壓生成機構13之動作與先前相同。元件特 1·生檢測掃描機構1 8在不同於顯示動作之期間而另行設定之 檢測期間内，為對所檢測之像素進行掃描而根據檢測掃描 136220.doc •24- 200951914 ❿ 線控制訊號9生成檢測掃描線選擇訊號19。殘像檢測及位 置判別機構21根據藉由檢測掃描線選擇訊號丨9而選擇之成 為掃描線上之像素特性之檢測線輸出訊號2〇的狀態，對元 件之劣化狀態進行檢測，並且根據檢測線控制訊號1〇判斷 像素位置，藉此生成用以儲存於殘像資訊儲存機構24中之 作為位址資訊之位置資訊23、及表示元件劣化之位準之殘 像檢測結果22。下文作詳細說明。殘像校正像素資訊。係 依照顯示時序而自殘像資訊儲存機構24讀出元件劣化位準 之資訊。接著，使用圖2,就上述顯示及檢測控制機構仏 動作之詳細情況加以說明。圖2中’殘像像素資料校正機 構26根據殘像校正量38僅對顯示資料4中已劣化之像素資 料進行校正，其他像素未經校正而作為顯示校正資料27二 出。下文料細說明。驅動時序生成機構28與先前相同地 生成水平開始訊號29、水平移位時脈3Q、垂直開始訊號Η 及垂直移位時脈32。進而，驅動時序生成機構斯一顯示 期間内’生成用以在不同於顯示期間而另行設定之檢測期 間内對檢測掃描線進行掃描之時序訊號即垂直檢測開始訊 號3 3、垂直檢測移位時脈3 4 4並生成用以將所選擇之檢測 掃描線上之像素狀態於水平方向上依序輸出之時序訊號即 水平檢測開始訊號35、水平檢測移位時脈36。接著，圖3 :’根據經由第-檢測掃描線67及第二檢測掃描線⑽依序 輸出之掃描線選擇訊號，各個像素之有機el元件Μ經由各 個像素之檢測開關而連接於第-檢測線69、第二檢測線 7。、第三檢測㈣、第四檢測線72至第三二。檢測二 136220.doc •25· 200951914 示），從而將各個特性作為檢測線輸出訊號20加以輸出。 圖4令’對檢測輸出線78僅輸出在溫度特性檢測時盘下 述溫度檢測點對應之檢測線選擇訊號、及藉由切換檢測線 開關而相應之像素之特性。於殘像檢測時，根據依照檢測 水平開始訊號35及檢測水平移位時脈糾由移位暫存器79 生成之第一檢測線選擇訊號80、第二檢測線選擇訊號Μ、 第三檢測線選擇訊號82及第四檢測線選擇訊號Μ，經由第 -檢測線開關74、第二檢測線開關75、第三檢測線開關 %、第四_線開㈣，时付向料移減進行切換 後輸出°此時’圖3所示之有機EL元件65連接於作為怪定 電流源之檢測用電源73(參考圖4)，因此具有圖8所示 性之有機EL元件65,於圖5所示之白色顯示的中，常溫時 將以電流施加時電壓96作為檢測特性輸出至檢測輪出線 78❸皿時將南溫恆定電流施加時電壓作為檢測特性 輸出至檢測輸出線78’且於殘像圖案9〇中，常溫時將劣化 兀件但定電流施加時電㈣作為檢測特性輸出至檢測輸出 線78 ’高溫時將高溫元件劣化時恆定電流施加時電壓104 作為檢測特性輸出至檢測輪出線78。其結果，圖5所干之 同一水平㈣上之元件特性之檢測結果如圖9所示。A 換機構84根據趟轉換之標準電壓之初始設定之溫度檢測 時之特性’來設定殘像檢测時之a/d轉換之標準電壓，並 於殘像檢測時將作為類比資料之檢測輸出_轉換為作為 數位資料之檢測結果22，硷後你主 木2殘像像素位置資訊生成機構85僅 於殘像檢測時’根據垂直檢測開始訊號33、水平檢測開始 136220.doc • 26 - 200951914 訊號35及水平檢測移位時脈％，對輸出檢測結果η之像素 位置進行判別，並作為位置資訊23加以輸出。 於上述有機EL元件65連接於作為桓定電流源之檢測用電 ^73之情形時’如圖8所示，該有機EL元件65之特性隨著 . '揽度而產生變動’且如圖9所示’常溫時將怪定電流施加 , ㈣壓96或者劣化元件怪定電流施加時電㈣作為檢測特 性，出至檢測線輸出訊號2〇，且高溫時將高溫怪定電流施 φ 加4電壓1G2及高溫元件劣化怪定電流施加時電壓HH作為 檢測特性輪出至檢測線輸出訊號2〇。其結果圖5所示之 同一水平線91上之元件特性之檢測結果，如圖9所示大幅 度變動。 上述A/D轉換機構84參考電壓設定範圍内之？位準來進行 數位轉換。如圖1〇所示，例如常溫時，對以檢測㈣_ 表不之類比資料進行數位轉換，因此^常溫電壓設定範圍 成為A/D轉換機構所必需之電壓設定範圍。相對於此， ❹ ；周圍'皿度上升或者點燈時間較長而面板之溫度上升之情 形時，如高溫檢測電壓105所示，其位準之變動程度大= ' 檢測電壓⑽。於該情形時，於常溫電Μ設絲圍1〇6盈法 進行數位轉換。因此，為了能以同一個A/D轉換機構：應 =^述情況，必須如高溫電壓設定範圍1〇7般擴大電壓設 定範圍，且增加所轉換之位準數或者設置複數個a/d轉換 機構，但會產生電路規模擴大之不良情況。因此，於本實 施態樣中，如圖n所示，藉由設A/D轉換機構以之參考電 壓為可改變而應對不良情況。即，檢測時序控制機構Μ? 136220.doc -27- 200951914 進行時序控制，以便於檢測殘像之前必定檢測溫度特性。 溫度特性之檢測時，對溫度檢測點155之元件特性進行檢 測。此時，以溫度檢測時之上參考電壓149及溫度檢測時 之下參考電壓15〇為標準，生成各比較電壓115〜121。此時 之溫度檢測時之上參考電壓149及溫度檢測時之下參考電 壓設定為在有機EL元件65之特性所使用之溫度狀況下 可知用之最大範圍。因&，如圖12之上圖⑷所示，於較寬 之電壓設定範圍内各比較電壓之間隔設定得較大。如圖Μ 所π ’本實施態樣之溫度檢測點155上之a/d轉換之結&大❹ 概為第7比較電壓121附近，因此使殘像檢測時之參考電壓 142反映該結果。將與殘像檢測時之參考電壓142位準相同 之殘像檢測時之參考電壓146作為下參考電壓154加以輸 出’並將殘像檢測時之參考電壓142與應檢測之最大幅度 相^所得之值即殘像檢測時之上參考電壓Μ*作為上參考 电壓153 ’由此殘像檢測時之比較電壓ιΐ5〜ΐ2ι較溫度檢測 時更精確’亦可對應於更微小之變動。於此，於本實施態 樣中將服度檢測點155上之A/D轉換之結果作為下參考電❹ 壓’但亦可藉由以結果為中央加上上參考電壓並減去下參 考電壓而生成’亦可藉由設結果為上參考電壓並減去下參. 考電壓而生成。 以下說明常溫時之劣化 接著，如上述圖13至圖16所示， 特性與高溫時之劣化特性不同之情形。上述有機el元件^ 係連接於圖4所示之作為μ電流源之檢測用電源73，特 性隨著溫度產生變動之有機EL元件65，如圖_示常溫 136220.doc -28- 200951914 定電流施加時電壓96或者劣化元件以電流施加時 〜作為檢測特性而輸出檢測線輸出訊號2〇，高溫時將 =定電流施加時電壓102及高溫元件劣化恆定電流施 2時宅壓⑻作為檢測特性而輸出檢測線輸出訊號i其 :果/5所示之同—水平線91上之元件特性之檢測結 :圖17所示產生大幅度變動，當和常溫時之劣化特性 ^溫時之劣化特性相同之情形進行比較時，可判斷檢測 〜果之振幅（電流測定範圍之幅度）不同。 接著’如圖!5所示，A/D轉換機⑽參考電 ^之7位準並進行數位轉換。例如，常溫時，對以檢測電 壓⑽表示之類比資料進行數位轉換，因此常溫電壓設定 1巳圍106成為上述A/D轉換機構84所必需之電壓設定範圍。 =對於此，於周圍溫度上升或者點燈時間較長而面板之溫 又上升之情形時’高溫檢測電㈣5之位準變動大於上述 ❹ ㈣電壓1〇0 ’可判斷出不同於常溫時之劣化特性與高溫 ^之劣化特性相同之情形’其振幅（電流測定範圍之幅度） 亦產生變化。 使A/D轉換機構84之參考電麼（參考圖⑴為可改變，藉 此對應於上述之位準大幅變動及振幅之變化。動作與常溫 時之劣化特性和高溫時之劣化特性相同之情形大致相同， 但如圖16所示，卩高溫時之殘像檢測時之比較電壓 大於⑦概犄之方式生成上參考電壓153及下參考電 再者該上參考電壓153及下參考電壓154可根據 J如圖13所不之特性圖來設定圖丄咐)所示之⑴〜⑵之幅 136220.doc •29· 200951914 度’因此可根據該幅度來進行設定。 藉由上述動作，圖丨中殘像及位置判別機構21將自發光 元件顯示器17内之元件劣化所導致之殘像現象之檢測結 果，作為表示殘像之位準之殘像檢測結果22及表示其位置 之位置資訊23加以輸出，殘像資訊儲存機構24中於依照位 置資訊23之位址中儲存殘像檢測結果22。最後，自殘像資 訊儲存機構24根據顯示時序來讀出相應之像素之殘像資 訊，且視需要對顯示資料進行校正，藉此消除殘像。 (第二實施形態） 以下，使用圖式，詳細說明本發明之第二實施形態。 圖1 7表示本發明之第二實施形態之自發光元件顯示裝 置。圖17中，標註與圖丨相同之符號之部分之構成與第一 實施形態相同並進行相同之動作。156係顯示/檢測切換控 制部，157係顯示/檢測切換控制訊號，158係資料線驅動 及黑點缺陷位置判別機構，159係資料線驅動及檢測線輸 出§孔號’ 160係資料線及檢測線共用自發光元件顯示器。 顯不/檢測切換控制部丨56生成資料線控制訊號7、掃描線 控制訊號8、檢測掃描線控制訊號9，並且生成檢測線控制 讯唬上加上用以切換資料線驅動及檢測動作之訊號的顯示 /檢測切換控制訊號丨57。資料線驅動及殘像位置判別機構 158具有資料線驅動機構及第—實施形態所示之殘像檢測 及位置判別機構之兩方功能，使資料線驅動及檢測線輸出 訊號159經由共用之資料線連接於資料線及檢測線共用自 發光元件顯示器160。 136220.doc •30- 200951914 圖18係表示上述資料線驅動及殘像位置判別機構158之 内部構成之一實施形態的圖。圖18中，標註了與圖4相同 之符號的部分與第一實施形態相同，並進行相同之動作。 161係一水平閂鎖及類比轉換機構，162係第一資料線驅動 訊號輸出，163係第二資料線驅動訊號輸出，164係第三資 料線驅動訊號輸出，165係第四資料線驅動訊號輸出。一 水平閂鎖及類比轉換機構161係與第一實施形態相同地， 以水平開始訊號28為最前端並根據水平移位時脈29取入所 輸入之顯示校正資料26，將一水平期間之資料作為第一資 料線驅動訊號輸出1 62、第二資料線驅動訊號輸出163、第 三資料線驅動訊號輸出164、第四資料線驅動訊號輸出165 加以輸出。於該實施態樣中，與例如第一實施形態相同 地，輸出至第二四〇資料線驅動訊號輸出為止。166係檢測 切換訊號，167係第一資料線檢測切換開關，1 68係第二資 料線檢測切換開關，169係第三資料線檢測切換開關，170 係第四資料線檢測切換開關，171係第一資料線及檢測 線，172係第二資料線及檢測線，173係第三資料線及檢測 線，174係第四資料線及檢測線。於該實施態樣中，不同 於第一實施形態，因與資料線共用，故而檢測線之根數為 240根。第一資料線檢測切換開關167、第二資料線檢測切 換開關168、第三資料線檢測切換開關169、第四資料線檢 測切換開關170、…、第二四0資料線檢測切換開關係根據 檢測切換訊號166，於顯示驅動時，將第一資料線驅動訊 號輸出162、第二資料線驅動訊號輸出163、第三資料線驅 136220.doc •31 · 200951914 動訊號輸出164、第四資料線驅動訊號輸出ι65、…、第二 四0資料線驅動訊號輸出加以輸出至第一資料線及檢測線 171、第二資料線及檢測線172、第三資料線及檢測線 17 3、第四資料線及檢測線17 4、…、第二四〇資料線及檢 測線’藉此進行與第一實施形態之顯示動作相同之動作。 於檢測時，將第一檢測線69、第二檢測線7〇、第三檢測線 71、第四檢測線72、…、第二四〇檢測線連接於第一資料
線及檢測線171、第二資料線及檢測線172、第三資料線及 檢測線173、第四資料線及檢測線174、…、第二四〇資料 線及檢測線，藉此於一水平期間内用R、G、B分割第一實 施形態之檢測動作。175係RGB切換控制機構，176係尺顯 不檢測選擇矾號，177係(3顯示檢測選擇訊號，178係丑顯 示檢測選擇訊號。RGB切換控制機構175係與第一實施形 態相同地將—水平期間三等分為R、G、B而進行資料線訊 、寫 此外生成成為用以對檢測亦相同地進行三等分之
切換Λ號之R顯示及檢測選擇訊號176、G顯示及檢測選擇 讯號177、B顯示及檢測選擇訊號178。 係表不上述資料線及檢測線共用自發光元件顯示
160之内錢成之—實施形態的圖。圖η中，標 相同之符號+ A ，之邛分與第一實施形態相同，並進行相同之 作。179係第贷__ 第R顯不檢測共用線，18〇係第一 G顯示檢測 用綠·，1 8 1伯隹 _ 似田姑 顯示檢測共用線，182係第二R顯示 ^ J如，R顯示檢測共用線、G顯示檢測共 、不檢測共用線分別排列有240根，即共計72〇根 136220.doc •32- 200951914 第一 R顯示檢測共用線179、第一 G顯示檢測共用線180、 第一 B顯示檢測共用線181、第二R顯示檢測共用線 1 82、…、第二四〇11顯示檢測共用線、第二四〇g顯示檢測 共用線、第二四〇B顯示檢測共用線，分別於顯示驅動時， 使各像素之資料寫入開關62設為接通狀態，藉此連接於寫 入電容63 ’並進行與第一實施形態相同之訊號電壓寫入動 作，於檢測時使各像素之檢測開關66設為接通狀態，藉此 連接於有機EL元件65並進行與第—實施形態相同之特性檢 測動作。 U上，於本實施形態中，除將資料線及檢測線作為共用 線進行切換而使用以外之動作，均與第一實施形態相同。 以上，使用實施例對本發明進行了說明，但至此為止之 實知例中所。兒明之構成僅為—示例，本發明可於不脫離 技術思想之範圍内進行適當變更。又，各個實施例中說明 之構成，只要不互相矛盾，亦可加以組合使用。
【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之圖像顯 一 豕顯不裝置之一實施形態的圖， 且表示自發光元件顯示裝置。 圖2係表示圖1所 實施形態的圖。 示之顯示及檢測控制部之内部構成之一 圖3係表示圖丨所示自 目發先几件顯不之内部構成之一 實細•开> 態的圖。 圖4係表示圖1所示之 成之一實施形態的 圖 殘像檢測及位置判別機構之内部構 136220.doc • 33 · 200951914 圖5(a)、（b)係表示圖丨所示之自發光顯示器中產生殘像 之情形之表現例的說明圖。 圖6係表示圖3所示之有機EL元件之檢測特性之一例的圖 表0 圖7係表示圖5所示之同一水平線上之各像素於施加恆定 電流時之電壓的圖。 圖8係表示圖6所示之有機EL元件之檢測特性於高溫時之 變動的圖。 圖9係表示圖7所示之同一水平線上之像素於施加恆定電 流時之電壓在高溫時之變動的圖。 圖係表示A/D轉換時之標準電壓設定之一例的說明 圖。 圖η係表示圖4所示之A/D轉換器之内部構成之一實施形 態的圖。 圖12(a)、（b)係用以說明圖〗〗所示之A/D轉換器之動作的 圖。 圖13係表示圖6所示之有機肛元件之檢測特性於高溫時 之變動表現出與圖8所示者不同之特性的圖。 圖14係表示圖7所示之同—水平線上之像素於施加怔定 電流時之電壓在高溫時之變動表現出與圖9所示者不同之 特性的圖。 圖15係表示A/D轉換之標準電壓設定之交換時之特性表 現出與圖10所示者不同之特性的圖。 圖l6(a)、（b)係表示圖u所示之A/D轉換器之動作於高溫 136220.doc 200951914 時之變動表現出與圖12所示者不同之特性之實施態樣的圖。 圖17係表示本發明之圖像顯示裝置之其他實施形態的 圖。 圖18係表示圖17所示之資料線驅動及殘像位置判別機構 之内部構成之一實施形態的圖。 圖19係表示圖17所示之資料線及檢測線為共用之自發光 •元件顯示器之内部構成之一實施形態的圖。 【主要元件符號說明】 © 1 2 垂直同步訊號 水平同步訊號 3 允許資料訊號 4 顯示資料 5 同步時脈 6 顯示及檢測控制部 7 資料線控制訊號 〇 8 9 掃描線控制訊號 檢測掃描線控制訊號 10 檢測線控制訊號 11 資料線驅動機構 • 12 資料線驅動訊號 13 發光用電壓生成機構 14 發光用電壓 15 掃描線驅動機構 16 掃描線驅動訊號 136220.doc •35· 200951914 17 自發光元件顯示器 18 元件特性檢測掃描機構 19 檢測掃描線選擇訊號 20 檢測線輸出訊號 21 殘像檢測及位置判別機構 22 殘像檢測結果 23 位置資訊 24 殘像資訊儲存機構 25 殘像校正像素資訊 26 殘像像素資料校正機構 27 顯示校正資料 28 驅動時序生成機構 29 水平開始訊號 30 水平移位時脈 31 垂直開始訊號 32 垂直移位時脈 33 垂直檢測開始訊號 34 垂直檢測移位時脈 35 水平檢測開始訊號 36 水平檢測移位時脈 37 殘像校正量計算機構 38 殘像校正量 39 第一資料線輸出 40 第二資料線輸出 136220.doc •36- 200951914
41 R選擇訊號 42 G選擇訊號 43 B選擇訊號 44 第一 R選擇開關 45 第一 G選擇開關 46 第一 B選擇開關 47 第二R選擇開關 48 第一 R資料線 49 第一G資料線 50 第一 B資料線 51 第二R資料線 52 第一掃描線 53 第二掃描線 54 第一列第一行之R像素 55 第一列第一行之G像素 56 第一列第一行之B像素 57 第一列第二行之R像素 58 第二列第一行之R像素 59 第二列第一行之G像素 60 第二列第一行之B像素 61 第二列第二行之R像素 62 資料寫入開關 63 寫入電容 64 驅動電晶體 136220.doc -37- 200951914 65 有機EL元件 66 檢測開關 67 第一檢測掃描線 68 第二檢測掃描線 69 第一檢測線 70 第二檢測線 71 第三檢測線 72 第四檢測線 73 檢測用電源 74 第一檢測線開關 75 第二檢測線開關 76 第三檢測線開關 77 第四檢測線開關 78 檢測輸出線 79 移位暫存器 80 第一檢測線選擇訊號 81 第二檢測線選擇訊號 82 第三檢測線選擇訊號 83 第四檢測線選擇訊號 84 A/D轉換機構 85 殘像像素位置資訊生成機構 86 顯示外框 87 黑色顯示 88 固定顯示圖案 136220.doc -38- 200951914 89 白色顯示 90 殘像圖案 91 同一水平線 92 電流軸 93 電壓軸 94 • 95 有機EL元件之電流對電壓特性 恆定電流條件 96 Ο π 恆定電流施加時電壓 97 98 99 有機EL元件產生劣化時之電流對電壓特性 有機EL元件產生劣化時之電流施加時電壓 水平顯示位置 100 檢測電壓 101 102 高溫時之有機EL元件65之電流對電壓特性 此時之恆定電流施加時電壓 103 由於高溫而產生劣化之有機EL元件65之電流 對電壓特性 104 此時之恆定電流施加時電壓 105 * 高溫時之檢測電壓 . 106 常溫電壓設定範圍 107 高溫電壓設定範圍 108 第1比較器 109 第2比較器 110 第3比較器 111 第4比較器 136220.doc -39· 200951914 112 第5比較器 113 第6比較器 114 第7比較器 115 第1比較電壓 116 第2比較電壓 117 第3比較電壓 118 第4比較電壓 119 第5比較電壓 120 第6比較電壓 121 第7比較電壓 122 第1比較結果 123 第2比較結果 124 第3比較結果 125 第4比較結果 126 第5比較結果 127 第6比較結果 128 第7比較結果 129 第1分壓電阻 130 第2分壓電阻 131 第3分壓電阻 132 第4分壓電阻 133 第5分壓電阻 134 第6分壓電阻 135 第7分壓電阻 136220.doc -40 200951914 136 第8分壓電阻 137 7至3解碼器 138 數位第3位元輸出 139 數位第2位元輸出 140 數位第1位元輸出 141 參考電壓控制機構 142 殘像檢測時之參考電壓 143 上參考電壓生成機構 144 殘像檢測時之上參考電壓 145 下參考電壓生成機構 146 殘像檢測時之下參考電壓 147 檢測時序控制機構 148 檢測切換訊號 149 溫度檢測時之上參考電壓 150 溫度檢測時之下參考電壓 φ 151 上參考電壓切換機構 152 下參考電壓切換機構 , 153 上參考電壓 154 下參考電壓 - 155 溫度檢測點 156 顯示/檢測切換控制部 157 顯示/檢測切換控制訊號 158 資料線驅動及黑點缺陷位置判別機構 159 資料線驅動及檢測線輸出訊號 136220.doc • 41 - 200951914 160 資料線及檢測線共用自發光元件顯示器 161 一水平閂鎖及類比轉換機構 162 第一資料線驅動訊號輸出 163 第二資料線驅動訊號輸出 164 第三資料線驅動訊號輸出 165 第四資料線驅動訊號輸出 166 檢測切換訊號 167 第一資料線檢測切換開關 168 第二資料線檢測切換開關 169 第二貢料線檢測切換開關 170 第四資料線檢測切換開關 171 第一資料線及檢測線 172 第二資料線及檢測線 173 第三資料線及檢測線 174 第四資料線及檢測線 175 RGB切換控制機構 176 R顯示檢測選擇訊號 177 G顯示檢測選擇訊號 178 B顯示檢測選擇訊號 179 第R顯示檢測共用線 180 第一 G顯示檢測共用線 181 第一 B顯示檢測共用線 182 第二R顯示檢測共用線 183 電流對電壓第二特性 136220.doc -42 - 200951914 184 恆定電流施加時第二電壓 18 5 南溫檢測弟二電壓
136220.doc 43-

Claims (1)

  1. 200951914 七、申請專利範園： 1· -種圖像顯示農^，其特徵在m系包含包括複數個 顯示元件之顯示部、對該顯示部輸入顯示訊號電壓之訊 號線、及控制該顯示訊號電壓之顯示控制部；且包含： 檢測用電源；切換開關，其係使該檢測用電源之電流 流至上述顯示元件；檢測電路，其係檢測流至上述顯示 元件之電流；及檢測資訊儲存電路，其係儲存由該檢測 電路所檢測出之資訊並根據該資訊校正上述顯示訊號電 壓； 上述檢測電路構成為：於根據第1標準電壓設定第1電 流測定範圍並進行電流檢測後，反饋所檢測出之電流 量’藉此根據與上述第！標準電廢不同之第2標準電壓設 定第2電流測定範圍並進行電流檢測。 2·如請求項以圖像顯示裝置，其中上述切換開關於—顯 不期間中之與輸出該顯示訊號電壓之期間不同之期間， φ 連接上述檢測用電源與上述顯示元件。 θ 3·如請求们之圖像顯示裝置’其中上述檢 . 定電流源。 电源為恆 ：4·:請求項1之圖像顯示裝置’其中上述檢測電路列別劣 - 元件之位準，上述檢測資訊儲存電路儲存— 之劣化元件之狀態。 一a面份量 5·如請求们之圖像顯示裝置，其中上述顯 正輸入至上述劣化元件之顯示資料。 、路杈 6.如°青求項1之圖像顯示裝置，其中設有交換門 父換開關，其係 136220.doc 200951914 於上述顯示訊號電壓之供給，將負責紅、綠、藍之各訊 號分時供給至上述顯示部内。 7.如請求項1之圖像顯示裝置，其中上述第丨電流測定範圍 之幅度與第2電流測定範圍之幅度相同。 8_如请求項1之圖像顯示裝置，其中上述第丨電流測定範圍 之幅度與第2電流測定範圍之幅度不同。 9. -種圖像顯示裝置，其特徵在於：其係包含包括複數個 顯不兀件之顯不部、對該顯示部輸入顯示訊號電壓之資 料訊號線、及控制該顯示訊號電壓之顯示控制部；且包 含： 檢測用電源，切換開關，其係使該檢測用電源之電流 流至上述顯示元件；檢測電路，其係 經由檢測訊號線而 檢測流至上述顯示元件之電流；及檢測資訊儲存電路， 其係儲存由該檢測電路所檢測出之資訊並根據該資訊校 正上述顯示訊號電壓；上述資料訊號線及上述檢測訊號 線包含由切換電路所切換之共用訊號線； 上述檢測電路構成為：於根據第丨標準電壓設定第工電 A則定|巳圍並進行電流檢測後，反饋所檢測出之電流 量藉此根據與上述第1標準電壓不同之第2標準電壓設 定第2電流測定範圍並進行電流檢測。 1〇.如請求項9之圖像顯示裝置，*中上述切換開關於-顯 、月門中之與輸出該顯示訊號電壓之期間不同之期間， 連接上述檢測用電源與上述顯示元件。 11.如請求項9之圖像顯示裝置 其中上述檢測用電源為恆 136220.doc 200951914 定電流源。 12·如請求項9之圖像顯示裝置，其中上述檢 化元件> t 路列別劣 化兀件之位準，上述檢測資訊儲存電路儲存—全 之劣化元件之狀態。 息面伤量 A如請求項9之圖像顯示裝置’其中上述顯示控制電路校 正輸入至上述劣化元件之顯示資料。 14.如請求項9之圖像顯示裝置，其中設有交換開關，其係 ❿ 於上述顯示訊號電壓之供給’冑負責紅、綠、藍之各气 號分時供給至上述顯示部内。 •如請求項9之圖像顯示裝置，其中上述第i電流測定範圍 之幅度與第2電流測定範圍之幅度相同。 16.如請求項9之圖像顯示裝置’其中上述糾電流測定範圍 之幅度與第2電流測定範圍之幅度不同。 ❿ 136220.doc
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