TW200950052A - Package structure having semiconductor component embedded therein and fabrication method thereof - Google Patents

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TW200950052A TW097120144A TW97120144A TW200950052A TW 200950052 A TW200950052 A TW 200950052A TW 097120144 A TW097120144 A TW 097120144A TW 97120144 A TW97120144 A TW 97120144A TW 200950052 A TW200950052 A TW 200950052A
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Description

200950052 兀、赞明說明： •【發明所屬之技術領域】 *' 本發明係有關於一種封裝处構及苴制、土 埋半導體元件之封裝結構及其^法。’尤指一種歲 【先前技術】 : 現行覆晶（Flip Chip)技術，主 -作用面上設有電極墊，同時於封穿 ^^體晶片的 •極墊之電性接觸墊，^又土板§又有相對應該電 ❹焊錫結構或其他導電黏著材料，㈣㈣之間形成 黏著材料提供該半導用料錫結構或導電 日月與封裝基板之間的電性搵 及機械連接’·相關技術如第W1G圖所示。…生連接 板太，f〇1A圖所不’百先提供一表面為介電層102之美 板本體10，係具有位於該介電層ϊ0?向 之基 及位於該介電㈣2上之複數電性接:墊 斤不，接著於該介電層 ❿防焊層1卜且於該防烊層 表面上心成一 接觸整103之開孔11〇β 7複數對應各該電性 η。之如孔第二=示，之後於該防輝層11表面、該開孔 IT 110 103^ =成有-v電層12’再於該導電層i2表面形成有阻層 ==3中形成有複數開口區13°，以議 琢各δ玄開孔11 〇及電性接縮執] 包『生接觸墊1〇3表面上 如第㈣所示，藉由該導電層12作為電鑛之電流傳 110725 6 200950052 导峪樘以於該開口區130中電纪 .勝以電性連接該電性接觸 =3成“焊錫之導電材 之1F B所*，然後移除該阻層及其所覆s 製程使該導電材料u融； :―14，，俾以完成-封裝基板卜 ^錫球之焊料凸塊 : 二第1G圖所示，係應用該封裝基板1之覆曰封驻处 構”亥封裝基板i具有相對之第：封I-❹lb’於該第—表面la a : 一表面 15具有一作用面ϊς ^坪卄凸塊14，—半導體晶片 焊料凸塊u，之導電3凸塊=用面…具有複數相對應該 包覆該導電凸塊’使该焊料凸塊14,經迴焊以 封裝基板卜且於士亥封:亥半導體晶片15電性連接該 充底勝（underfi⑴16 與半導體晶月15之間填 ❹該焊料凸塊〜此將佔用該封=迴嬋而接置於 之面積，而無法達到高 U 1 4 —表面la 間距之目的。 义佈線及焊料兀件14,之間的細 之作用：15:2=之第-表面1a與半導體晶片15 凸塊u,及底及底膠16,而該焊料 法達到薄小封農之目的曰加封裳結構之整體高度，因而無 又忒半導體晶片15藉由該焊料凸塊14,及該封裝基 ]10725 7 200950052 m却之導線，使信號可傳輸 •電路板電性導通，其電訊傳 以之^斗球而與 ..故相對地降低電性功能。 w長’且阻抗亦較高’ 距以達咼密度佈線、薄小封 Γ1的間 重要課題。 ^封破及降低阻抗，已成為業界之 【發明内容】 ο 供L方' 上述白知技術之缺失，本發明之-目的俜在於槎 供一種钱埋本塞邮+ X· _>* 1 j加、n & 裡甘人埋牛V瓶兀件之封裝結構 密度佈線。 八衣法俾此達到向 本發明又—目的係在於提供 封奘έ士棋β甘在,】、_!_ 4里甘入J里平導體7L件之 俾能達到輕薄&小之封裝結構。 封穿^及乂细目的係'在於提供—種嵌埋半導趙元件之 徑，以提高電性功能。_ ^且“電訊傳導路 ❹件之二二及^他目的’本發明提供—種嵌埋半導體元 I ’係包括：支撐框，係具有相對之第一及第 ;'面’且具有貫穿該第-及第二框面之框口；半導體晶 ^係設於該框π中，且具有相對之作用面及非作用面， ”亥作用面與該支撐框之第一框 數電㈣.帛八♦ 且該作用面具有複 介ίΓ二，係填充於該框口中，俾使該第- 半導體晶片形成-基板本體，且該 有相對之第一及第二表面’以對應該支標框之 及苐一框面，第一線路層，係設於該第一介電層上， 110725 200950052 m弟-介電層中具有複數第一 二::：:广係_基:本體:= ，以電性連接該第-線路層東路層上，且具有第二導電盲孔 月述之結構中，該支撐框得 係可與支擇框之第-框面齊平了為鋼，且該第一介電層 w述之結構中，該增層結構復可包括有至少 八 ❹
:f;二:成於第二介電層上之第二線路層，且該 包目孔故於弟二介電層中並部份電性 弟一 V 最外面之第二線路層具有電性接料^^路層，而 成防焊層，且形成開孔以顯露該電:接:^增層結構上形 依上述結構’該電性接觸墊上可設有 表面處理層係為鎳/金、鎳/鈀 層，该 如為錫球之焊料球。 銀或金，俾供設置例 散熱Γ另一實施態樣中，該基板本體之第二表面可結合 ❿ S者本發明復提供一種嵌埋半導 ，製法，係包括:提供-承載板;於該承载板上二， 者=合散熱板，·提供—支樓框，係具有 ^ :框：’且具有貫穿該第-及第二框面之框口丄S 口：！：框面以第二黏著層結合於該散熱板上“ 體晶片，該㈣體晶片具有相對之:之結合半導 作用面具有複數電極塾，且，亥半 丨用面’該 亥丰^晶片以該非作用面結 110725 9 200950052 w熱板上’該支樓桓之第一框面並高於該作周面； .框^1〇中填充第—介電層，且該第—介電層與 …' :1之第—框面齊平，俾使該第-介電層、該支撐框 ❹ 體曰::片係構成一基板本體，且該基板本體具有相 •’弟一及第二表面，並對應該支撐框之第一及第二框 於該第—介電層上形成有第-線路層，且該第一介電 :第一導電盲孔，以對應電性連接各該該電極 声"冓，1二二體之第一表面及第一線路層上形成有增 有第二導電盲孔以電性連接至該 整版面封;板。 第一黏著層及承載板，以形成一 前述之製法中， 藉由一離型層及第一 第一黏著層位於同一 黏著層及承载板。 該支+撐框係可為銅，且該承載板係可 黏著層結合至散熱板，而該離型層與 表面上，後續再移除該離型層、第一 别述之製法可包括切割該整版面封裝 :構單元：亦可包括移除該散熱板。 别：之製法中，該第一線路層之製法 5亥苐一介電層中形成第 竹J。括.於 框上、第-介電層上第：顯露電極塾；於該支擇 層；於該導電層上开1 ，孔中、及電極墊上形成導電 /絝電層上形成阻層， 电 導電層；於開口區中m /成開口區，以顯露部份 成第-導帝4 / 線路層，並於第一開孔中形 目孔，俾使第一線路芦 連接電極墊；以及0精由第一導電盲孔電性 乂及移除该阻層及其所覆蓋之導電層。 110725 10 200950052 月'j迷之製法中，該 層、形成於第二介電層上之第二括至少-第二介電 -介電層中且電性連接第一及0 u及形成於第二 孔，而最外面之第_岣 一4路層之第二導電盲 結構上形成防焊電性接觸墊，並於該增層 依上述=層，且形成開孔以顯露電性接觸塾。 層，且今表⑤! Χ可於該電性接觸墊上形成表面處理 且孩表面處理層係 π面處理 以可於表面處理層上形成焊料球…"金、銀或金， 法，係發明嵌埋半導#元件之封裝結構及其f 二半導體=结合具有框…樓框，心 體，再第一介電層，俾形成-基板本 ▽衣IF乐線路層以電性漣桩♦托拙4 術，本發明不需使 电11 ，目較習知技 路層盘電咖 塊及焊料凸塊，即可使第-線 的，且使第—⑽@密度佈線之目 丨 ν θ與半導體晶片之間無間隔’而達到薄 ::裝’又能縮短電流傳導路徑，並降 罾功能；另外，去浐拉π α、 代门电「生 心形成一環繞半導體晶片之圍蔽結構， 可私加封裝構件之防濕性。 【實施方式】 ▲以下係藉由特定的具體實例說明本發明之實施方 式’熟悉此技蟄之人士可由本說明書所揭示之内容輕易地 瞭解本發明之其他優點與功效。 。月參閱第2Α至2Κ圖，係詳細說明本發明之欲埋半導 組日日片之封裝結構之製法剖面示意圖。 110725 11 200950052 如弟2A圖所示，首先，提供一係為銅箔基板（c〇pper
Clad Laminates, CCL)之承載板 20。 - 如第2B圖所示，於該承載板20上以第一黏著層21a -及離型層22結合一散熱板23 ;再提供一係為銅（Cu)材 之支撐框24，該支撐框24係具有相對之第一及第二框面 24a，24b，且具有貫穿該第一及第二框面24心2仆之框口 • 240，該支撐框240之第二框面24b以第二黏著層2lb結 '合於散熱板23上，並藉框口 240顯露部份散熱板23，又 〇該離型層22與第-黏著層21a位於同—表面上且對應該 框口 240。 請參閱第2B，圖’於另一實施例中，該承載板2〇上 亦可僅以第-黏著層2la結合—散熱板23 ;㉟，於本實 施例中，該承載板20增設離型層22,以便於後續製程 之分離作業。 如弟2C圖所示’於該框口 240中顯露之散熱板23 上接置有半導體晶片25,所述之半導體晶片25具有相對 ®之作用面25a及非作用自现，且該作用面❿具有複數 電極塾25卜而該半導體晶片25以該非作用面现接置 於散熱板23上，·另外，該支撐框24之第一框面2 該半導體晶片25之作用面25a。 、 如第2D圖所示，於該框口 24()中填滿第—介 260，使該第一介電層k 屯增26〇表面與支撐框24之第一框面 ^齊平’且該第一介電層260與半導體晶片25之作用 面祝及側表面25c相結合，俾使該第一介電層26〇、支 110725 12 200950052 …及半導體晶片25構成 .體2具有_之第-表面2a及第二表;;^且縣板本 第-SI 2:圖所示’於該第一介電層26°中形成有複數 .弟開孔260a，以對庫眞苜臂夂# 251。 丁…颂路各该+導體晶片25之電極墊 如弟2 F圖所示，於今古p祐〜 箧一入希段η 於。亥支咎框24之第一框面24a上、 ：卜)丨电e 60上（即基板本體2之第一表面2a上）、 第一開孔260a之孔壁及泰搞執9 97 电極墊251上形成有導電層27, ❹：二 成有阻層28,且於該阻層28中形 成有㈣開口區28〇’以顯露部份之導電層仏 如第2G圖所示，於該開 杰古资^ A x開口區28〇中之導電層27上形 成有苐一線路層261，並於該第— ^ 一導電盲孔262，俾使哕$ % 8形成有第 π 9W 亥弟一線路層261藉由第一導電盲 1性連接至該半導體晶片25之電極塾251。 如第2Η圖所示，移除該阻 27,以顯露該第一線路層261。及-所覆盍之導電層
© 本發明藉由該第一線路層？ β 1 # I 體晶片25之電極塾25卜心羽直接⑪性連接該半導 道φ 才車父於習知技術’因不需透讲 導電凸塊及焊料凸塊，即可使 口不兩透過 片25連接，俾使封裝結構 、千等體日日 傳導路徑；又，該第一線跋思Λ度南’且縮短電流 並無外接凸塊，得以使整㈣驻/、+導體曰曰片25之間 叹正奴封裝結構體積縮小。 及第如^21圖所示，於該切框24、第一介電層26〇、 及第-線路層261上形成有增層結構3，該增層結構“系 】】0725 13 200950052 巴牯主少一第二介電層300、形成於該第二介電層3〇〇上 .之第二線路層301、以及形成於該第二介電層3〇〇中且電 •-性連接5亥第一線路層3 01之複數第二導電盲孔3 〇 2，其 -中，部份第二導電盲孔302電性連接該第—線路層261， 且於該增層結構3最外面之第二線路層301具有複數電性 接觸墊303，並於該增層結構3上形成防焊層33，並於該 :防焊層33中形成有複數開孔330，以對應顯露各該電性 ^ 接觸墊303。 ❺ 所述之電性接觸墊303之表面上形成表面處理層 34，且該表面處理層34係為鎳/金（Ni/Au)、鎳/鈀/ = (Ni/Pd/Au)、銀（Ag)及金（Au)之其中一者。 如第2J圖所示，藉由移除該第一黏著層21&及離型 層22，使該承載板20由散熱板23上分離，俾完成一整 版面封裝板4 ’之製作。 如第2K圖所示，切割該整版面封裝板4，以形成複數 封裝結構單元4,且該封裝結構單元4底面（即基板本體 © 2之第二表面2b)具有散熱板23，而該散熱板23與支樓 框24形成一環繞半導體晶片25之圍蔽結構，以增加封= 構件之防濕性；另外，該表面處理層34上形成 _ 之焊料球35。 然，於另一實施態樣中， 該散熱板23，以外露該半導體 便於散熱。 如第2Γ圖所示’復可移除 晶片25之非作用面25b而 依所述之製法’本發明復提供一種嵌埋半導體晶片之 Π0725 】4 200950052 蚵衮’，係包括：支撐框24，係具有相對之第一及第 .二框面24a，24b，且具有貫穿該第一及第二框面24a，24b 之框口 240’，·半導體晶片25，係設於框口 24〇中，且且 _有相對之作用面25a及非作用面挪，該作用面2… 撐框24之第一框面24a同側，並具有電極塾251 ;第一 介電層260’係填滿框口 24〇而包覆半導體晶片&，俾使 = 電層260、支撐框24及半導體晶片⑺形成一基 板=胜2,且該基板本體2具有相對之第一表面％及第 ❹一表面2b’以對應第一及第二框面24a，24b;帛一線路層 261，係設於第一介電層26〇 ， 且方、弟—介電層260中 具有複㈣-導電盲孔262以電性連接各電極塾Μη以 及增層結構3 ’係設於該基板本體2之第—表面2心 :電層260及第一線路層261上，且電性連接第一線路層 中’該增層結構3係包括至少-第二介電層300、 =於第二介電層300上之第二線路層3〇ι、以及設於第二 〇 ^電層_中且電性連接第一及第二線路層261，期 -導電盲孔302,且最外面之第二線路層斯具有電性 =墊303’而於該增層結構3上設有防焊層犯，該防焊声 具有開孔330以對應顯露該電性接觸墊3〇3。 再者，該電性接觸墊303上設有表面處理層34，俾 t设置例如為錫球之焊料球35,且於該基板本體2之第 二表面2b設有散熱板23。 綜上所述’本發明嵌埋半導體元件之封裝結構及其製 110725 15 200950052 α…亦相·由具有框口之支撐框埋設半導體晶片，再以第— • ’泉路層$性連接半導體晶片，俾使該第一線路層與半導體 -' 〗並無^電凸塊及焊料凸塊，不僅使該第一線路層 、與半導體晶片之間無間隔而達到薄小封裝，且達高密度佈 、’泉之目的，又能縮短電流傳導路徑及降低阻抗以提高電性 功此，另外，支撐框形成一環繞半導體元件之圍蔽結構， 以增加封裝構件之防濕性。 上述實施例僅例示性說明本發明之原理及其功效，而 〇非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在 背本發明之精神及範訂，對上述實施例進行修飾盘改
，。因此’本發明之權利保護範圍，應如後述之中 範圍所列。 J 【圖式簡單說明】 第1A及1G圖係為習知覆晶式封裝基板之製 接合技術之剖視示意圖；以及 復日日 第2A至2K圖係為本發明之嵌埋半導體元件 ©構及其製法之剖視示意圖…，第2β，係為第2上 另一實施態樣剖視示意圖，且第2K，係為第2 之 實施態樣剖視示意圖。 另一 【主要元件符號說明】 1 封裝基板 la, 2a 第一表面 lb, 2b 第二表面 10, 2 基板本體 110725 16 200950052 i u i 102 1 03, 303 104 11, 33 110,330 12, 27 13,28 ^ 130,280 14 \A, 15, 25 15a, 25a 151 16 20 〇 21a 21b 22 23 24 240 251 25b 内層線路 介電層 電性接觸墊 導電盲孔 防焊層 開孔 導電層 阻層 開口區 導電材料 焊料凸塊 半導體晶片 作用面 導電凸塊 底膠 承載板 第一黏著層 第二黏著層 離型層 散熱板 支樓框 框口 電極墊 非作用面 200950052 乙 側表面 260 第一介電層 260 a 第一開孔 261 第一線路層 262 第一導電盲孔 3 增層結構 300 第二介電層 •301 第二線路層 ^ 302 ❹ 第二導電盲孔 34 表面處理層 35 焊料球 4 封裝結構單元 4， 整版面封裝板 ❿ 18 110725

Claims (1)

  1. 200950052 τ 1. ❹ ❹ 2. 3. 肀請專利範圍： 一種嵌埋半導體元件之封裝結構，係包括： 支撐框，係具有相對之第一及第二框面，且具有 貫穿該第一及第二框面之框口； 半導體晶片，係設於該框口中，且具有相對之作 用面及非作用® ’該作用面與該支#框之第-框面同 側，且該作用面具有複數電極墊； 第一介電層，係填充於該框口中，俾使該第 電層、該支撐框及該半導體晶片形成-基板本體，且 =基板：體具有相對之第一及第二表面，以對應該支 撑框之第一及第二框面； 第-線路層’係設於該第一介電層上，且於 一介電層中具有複數第一 ' ^ 電極塾；以及 Η目孔％性連接各該 增層結構，係設於該基板本體之第—表 w電層及该第一線路層上， _ 性連接該第一線路層。 、有弟盲孔以電 如申叫專利範圍第1項之後半 構，其中，該支榜框係為銅(CuH 之封裝結 :申2利範圍第i項之嵌埋半導體元件之封裝社 平該第-介電層係與該支撐框之第一框面； :申=利範圍第1項之谈埋半導體元件之封裝結 -°亥基板本體之第二表面結合散熱板。 Ο 110725 】9 4. 200950052 3.戈口 T請專利範圍第1 TS +山 .項之嵌埋半導體元件之封f处 構，其中，該增層結構復包括至少一第二^衣: -- 形成於該第二介電層上之第-綠々 θ及 、盲孔設於該第二介電#中;路層，且該第二導電 路層，而最外面之第二層份電性連接該第-線 编增層結構上形成有防焊層，且二=有 複數開孔以對應顯露各該電性接觸墊。 成有 如申請專利範圍第5項之 構，其中，該電性 h兀件之封裝結 也性接觸墊上設有表面處理層。 如申請專利範圍第6項 構，並中，兮#&南 瓜埋+绔體凡件之封裝結 :、中遠表面處理層係為鎳/金（Ni/Au)、 金㈤/Pd/Au)、銀（Ag)或金（Au)。 桌/纪/ 如申請專利範圍第6項之嵌 構，1中n Μ +導件之封裝結 八甲5亥表面處理層結合焊料球。 一種，埋半導體元件之封裝結構之製法，係包括： 提供一承载板； 於'•亥承載板上以第一黏著層結合散熱板； 支撐框，係具有相對之第—及第二框面， ^貝穿該第-及第二框面之框口’且該支樓框之 口以第二黏著層結合於該散熱板上，並藉該框 口顯路部份之散熱板； ❹ φ 6. 7. 8. 9. 於該框口中之散熱板上結合半導體晶片，該 體晶片具有相對之作用 了乏作用面及非作用面，該作用面具有 電極塾，且該半導體晶以該非作用面結合於該 Π0725 20 200950052 職板上，該支㈣之第—框面並高 八於該支樓框之框口中填充第-介電層= … 4層與該支抛之第—框㈣+，心4=— 、層、該支樓框及該半導體晶片係構成— 電 該基板本體具有相對之第— 土板本體，且 • 馳之第-及第二框面 並對應該支 方…亥第"电層上形成有第-線路層 )丨電層中形成複數第一導電盲孔， 且该第— ❹該該電極墊； $目孔叫應電性連接各
    有增層結構，且該增層結構表:有及第第二;=:成 連接至該第一線路層；以及 “生 裝板移除該第一黏著層及承載板，以形成一整版面封 1〇.ί=Γ第9項之礙埋半導體元件之封裝結構 、/、中，*玄支撐框係為銅（Cu)。 之:、、:專:圍第9項之嵌埋半導體元件之封裝結構 社/、中承載板係藉由-離型層及該第 教熱板，且該離型層與該第-黏著層位 12.:!d圍第11項之嵌埋半導趙元件之封裝結 板。 移除該離型層、第一黏著層及承載 士申β月專利範圍第9項之嵌埋半導體元件之封裳結構 ]10725 21 200950052 &眾法，復包括移除該散熱板。 U.如申請專利範圍第Θ項之嵌埋丰 之萝，作 人埋+導體兀件之封裝結構 ,裝結構單2切割該整版面封裝板’以形成複數封 15.Π:專=圍第9項之嵌埋半導體元件之封裝結構 * 、、中，該第-線路層之製法，係包括： ' 介電層中形成有複數第-開孔，以對應 頒路各該電極塾； 4 l 〇 於該支稽框上、該第—介電層上、該第一開孔 及忒電極墊上形成有導電層； 於該導電層上形成有阻層 開口區，以顯露部份之導電層；、綱中形成有 於m 口區巾形成有第—線路層，並 孔中形成有第-導電盲孔’俾使 f開 © 16 第一導電盲孔電性連接該電極塾；以&日猎由該 移除該阻層及其所覆蓋之導電層。 =請專利範圍第9項之嵌埋半導體元件 之製法，其中’該增層結構係包 裝：構 層、形成於該第二介電層上之第_線路；弟-介電 於該第二介電層中且電性連接該^二層第^形成 之第二導電盲孔，而最外面之第二線 、、友路層 鱗塾，並於該增層結構上形成有防烊層接 形成有複數開孔以對應顯露各該電性接觸塾μ焊層 如申请專利範圍第】6項之嵌埋半導體元件之封裝結 110725 22 17. 200950052 傅 < 製法，復包括於該電性拉 層。 r接觸墊上形成有表面處理 .I8.如申請專利範圍第Π項之嵌埋半導體 構之製法，其中，該表面處理層蛊 封裴結 . 处理層係為鎳/金（Ni/Α,Λ 錄/▲巴 / 金（Ni/Pd/Au)、銀（Ag)或金（Au)。 u)、 19.如申請專利範圍第17項之嵌埋半導體元件士 構之製法，復包括於該表面處理層上形成焊料球，結
    110725 23
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