TW200941148A - Exposure mirror and exposure apparatus having same - Google Patents

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200941148 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明有關用於曝光設備之鏡片，且更特別 有關用於在大約10至15奈米波長之極紫外線（ 域的鏡片。 【先前技術】 _ 迄今，使用紫外線之縮小投射曝光已被施行 蝕刻方法，用於製造細微之半導體元件、諸如半 體及邏輯電路。 能被該縮小投射曝光所轉印之最小臨界尺寸 轉印的曝光光線之波長成正比的，且與該投射光 數値孔徑成反比的。因此，隨著電路圖案之精細 曝光光線之波長已由水銀燈i-線（3 65奈米）經: 分子雷射（ 248奈米）縮短至ArF準分子雷射（ « ) , 然而，半導體元件之精細度係迅速地增加， 外光之微影術具有限制。因此，爲了有效率地 0.1微米之很細微的電路圖案，使用EUV光的縮 光設備（EUV曝光設備）正被開發中，該EUV 紫外光之波長較短大約10至15奈米之波長。 構成EUV曝光設備之鏡片包括多層薄膜鏡 入射之全反射鏡片。於該EUV區域中，折射率 分係稍微比1較小。因此，當EUV光係在對該 地是，其 EUV )區 作爲微影 導體記憶 係與用於 學系統之 度增加， 過KrF準 193奈米 且使用紫 轉印低於 小投射曝 光具有比 片及傾斜 之實數部 表面的一 200941148 極小角度傾斜地入射時，發生全反射。一般地，於在相對 該表面至多數度之角度傾斜入射的案例中，能獲得百分之 數十或更多的高反射比，但光學設計自由度係低的。 因此，多層薄膜鏡片被用作具有高光學設計自由度之 EUV光鏡片，其中具有不同光學常數（折射率）之二種材 料被交替地沈積於諸層中。於多層薄膜鏡片之案例中，能 在接近該法線入射之入射角度獲得一想要之反射比。 用於EUV光之多層薄膜鏡片係藉由將在諸層中之鉬 及矽交替地沈積在一玻璃基板之表面上所形成，該玻璃基 板被拋光，以便具有一精密之表面形狀。譬如，每一鉬層 之厚度係大約2奈米，每一矽層之厚度係大約5奈米，且 層對之數目係大約20。二種材料層之厚度的總和被稱爲一 薄膜週期。於上面之範例中，該薄膜週期係2奈米+5奈 米=7奈米。 當EUV光係入射在此一鉬-矽多層薄膜鏡片上時，具 有特別波長之EUV光被反射。 如果吾人表示該入射角爲Θ，EUV光之波長爲λ，且該 薄膜週期爲d，僅只環繞著該波長λ具有一狹窄帶寬之 EUV光被有效率地反射，其大約滿足該布勒格方程式： 2xdxcos0 = λ ( 1) 於此案例中，該帶寬係大約0.6至1奈米。圖1 1Α及 11Β顯示一具有15度之入射角及7.2奈米之薄膜週期的多 -6- 200941148 層薄膜鏡片之反射比特徵。 於一實際之曝光設備中，入射在一鏡片上之相同位置 上的光線之角度不是恆定的，但不可避免地具有某一角度 分佈範圍。然而，如由該上面之布勒格方程式變清楚的， 設計成具有恆定之薄膜週期（週期性結構）的多層薄膜鏡 片僅只對於在某一入射角之光線具有高反射比。如果藉由 - 多層薄膜鏡片所反射之光線強度視該入射角而定，發生光 i 瞳透射率分佈中之不規則性，且該成像性能惡化。 Ό 爲解決此問題，於日本專利特許公開申請案第2007-1 3 44 64號中，設計成具有非恆定之薄膜週期（非週期性結 構）的多層薄膜鏡片係使用。譬如，根據圖12所示薄膜 厚度的設計値所製成之具有非週期性結構的多層薄膜鏡片 ，遍及寬廣範圍之入射角具有一均勻之反射特徵，如圖 1 3 A所示。 大致上，多層薄膜鏡片被設計成在該表面的徑向中具 φ 有薄膜厚度之斜度。如果一組成鏡片之薄膜厚度由該設計 . 値脫離，發生像差及光斑，且使該曝光設備之性能惡化。 關於薄膜厚度之設計値及一組成鏡片的薄膜厚度間之誤差 ，該有功分量能夠在該投射光學系統中被校正，但該其他 分量傳統上不能被校正。 如果吾人表示構成一投射光學系統的鏡片之數目爲η ，且EUV光之波長爲λ，可容許之形狀誤差σ (均方根値 )被該馬雷夏爾（Marechal)方程式所給與： 200941148 σ = λ/ ( 28χ^Λ η ) ( 2 ) 譬如，於具有六面鏡片及13.5奈米波長的系統之案 例中，該可容許之形狀誤差σ = 0.2奈米。該形狀誤差包括 用於該基板形狀及該薄膜形狀之分量。關於〇.2奈米之σ ，當允許用於該薄膜形狀之誤差係0.15奈米’且這是分 佈於該薄膜形狀之沈積及測量時，允許用於薄膜形狀之測 量的誤差係大約0.1奈米。既然多層薄膜之薄膜層的數目 係大約50，用於一層所需要之測量準確性係0.002奈米= 百分之0.015。 如在該布勒格方程式（1)及圖11Β所示，具有周期 性結構的多層薄膜鏡片之反射比的峰値波長視該薄膜厚度 而定。因此，藉由以高準確度測量該鏡片表面中之每一位 置的峰値波長，該鏡片表面中之薄膜厚度分佈能被測量。 然而，具有非週期性結構的多層薄膜鏡片之反射比特 徵不具有如圖13Β所示之峰値。因此，該薄膜厚度分佈不 能使用反射比之峰値波長被測量。此外，既然該X射線繞 射使用干擾之效應，其不能被應用至一具有非週期性結構 之多層薄膜鏡片。 橢圓光度法能被用於檢查具有非週期性結構之多層薄 膜鏡片的薄膜厚度。於多層薄膜鏡片之沈積期間，每一次 沈積一層即藉由橢圓光度法施行評估，且藉此評估該整個 薄膜厚度。然而，橢圓光度法之準確性係大約百分之土 〇. 1 5，譬如，於鉬層之測量的案例中，及不會滿足用於多 -8- 200941148 層薄膜鏡片所需要之測量準確性，譬如百分 曝光設備係配備有該多層薄膜鏡片。 如上面所述’尙未有一用於精確地評估 結構的多層薄膜鏡片之薄膜厚度的方法。 【發明內容】 - 本發明提供一曝光鏡，該曝光鏡係一具 0 構之多層薄膜鏡片，且具有一可精確地控制 佈。 根據本發明的一態樣，曝光鏡包括一基 域、及一第一區域。該有效區域係形成在該 括多層薄膜’第一材料層及具有與該第一材 同的折射率之第二材料層係交替地沈積在該 該第一區域係形成在一與該基板上之有效區 中’且由多層薄膜所構成，該等第一材料層 φ 料層係交替地沈積在該多層薄膜中。於該有 一材料層的厚度及第二材料層的厚度係非週 一區域中之第一材料層的厚度及第二材料層 性的。 按照本發明之另一態樣，用於製造曝光 在基板上形成一有效區域，及於—與該基板 不同的區域中形成第一區域。該有效區域包 第一材料層及具有與該第一材料之折射率不 第一材料層係交替地沈積在該多層薄膜中。 之 0.015 ，一 具有非週期性 有非週期性結 之薄膜厚度分 板、一有效區 基板上，且包 料之折射率不 多層薄膜中。 域不同的區域 及該等第二材 效區域中之第 期性的。該第 的厚度係週期 鏡之方法包括 上之有效區域 括多層薄膜， 同的折射率之 該第一區域係 -9- 200941148 由多層薄膜所構成’該第一材料層及該第二材料層係交替 地沈積在該多層薄膜中。於該有效區域中之第一材料層的 厚度與第二材料層的厚度係非週期性的。該第一區域中之 第一材料層的厚度與第二材料層的厚度係週期性的。該方 法另包括測量該第一區域中所形成之多層薄膜的厚度；及 基於在該測量步驟中所測量的第一區域中所形成之多層薄 膜的厚度，判斷及評估該有效區域中所形成之多層薄膜的 厚度。 具有“非週期性”厚度之多層薄膜意指一具有如上面 所述之非恆定薄膜週期的多層薄膜。具有“周期性”厚度 之多層薄膜意指一具有恆定之薄膜週期的多層薄膜。 本發明之曝光鏡具有一可精確地控制之薄膜厚度分佈 〇 本發明之進一步特色將參考所附圖面由示範具體實施 例之以下敘述變得明顯。 【實施方式】 現在將參考該等圖面敘述本發明之曝光鏡的具體實施 例。 首先，將槪述一應用本發明之曝光鏡的EUV曝光設 備。 該EUV曝光設備主要地係由光源、照明光學系統、 投射光學系統、光罩架台、及晶圓架台所構成。圖1係根 據本發明之第一具體實施例的EUV曝光設備之槪要視圖 -10- 200941148 譬如，雷射電漿光源被用作該EUV光源。目標供給 單元401供給一目標材料進入真空容器。一強烈之脈衝雷 射光源402以雷射光照射該目標材料，以產生高溫電漿， 該電漿放射具有大約13.5奈米波長之EUV光。目標材料 包括金屬薄膜、惰性氣體、及液體微滴。該目標材料係譬 如藉著氣體噴射供給進入該真空容器。爲增加由該目標所 放射之EUV光的平均強度，該脈衝雷射光源402之頻率 可爲高的，且通常係大約數千赫。 該照明光學系統包括複數多層薄膜鏡片403、405及 407及一光學積分器404。該第一鏡片403收集大體上等 向地由該雷射電漿所放射之EUV光。該光學積分器404 在預定之數値孔徑均勻地照明一罩幕。孔徑406係設在該 照明光學系統中之與光罩共軛的一位置。該孔徑406將該 光罩表面上之被照明區域限制至一弧形。 該投射光學系統係由複數多層薄膜鏡片408、409、 410及411所構成。少數鏡片改善EUV光之使用效率，但 造成難以作像差校正。於此具體實施例中，該投射光學系 統係由四面鏡片所構成，但其或可爲譬如由六或八鏡片所 構成。該等鏡片具有凸出或凹入之球狀或非球狀反射表面 。該投射光學系統之數値孔徑NA係大約〇·2至〇.3。 該光罩架台412及該晶圓架台415在與該縮減比成正 比的速度比中彼此同步地掃描。讓吾人表示該光罩414或 晶圓417的平面中之掃描方向爲X，與該光罩414或晶圓 -11 - 200941148 417的平面中之方向垂直的方向爲γ，及垂直於該光罩 414或該晶圓417之平面的方向爲Ζ。 該光罩414被該光罩架台412上之光罩夾頭413所固 持。該光罩架台412可在高速運動於該X方向中。該光罩 架台412可在該X方向、γ方向、ζ方向、及圍繞每一軸 之旋轉方向中細微地運動，且能夠藉此定位該光罩414。 該光罩架台412之位置及方位被一雷射干涉儀418所測量 。基於該等結果，該位置及方位被控制。 該晶圓417藉由晶圓夾頭416被固持在該晶圓架台 415上。像該光罩架台412，該晶圓架台415可在高速運 動於該X方向中。該晶圓架台415可在該X方向、Υ方向 、Ζ方向、及圍繞每一軸之旋轉方向中細微地運動，且能 夠藉此定位該晶圓417。該晶圓架台415之位置及方位被 一雷射干涉儀419所測量。基於該等結果，該位置及方位 被控制。 在完成該晶圓417上之掃描曝光之後，該晶圓架台 412於該X及Υ方向中步進運動，以移至該下一拍攝之掃 描曝光開始位置。以與該投射光學系統之縮減比成正比的 速度比，該光罩架台412及該晶圓架台415再次於該X方 向中同步掃描。 這樣一來’該光罩414及該晶圓417被以一形成在該 光罩414上而投射在該晶圓417上之圖案的縮減影像反覆 地同步掃描（步進與掃描）。這樣一來，該光罩414之圖 案被轉印至該晶圓417之整個表面上。 -12- 200941148

本發明之曝光鏡被用作構成此一 EUV曝光設備之照 明光學系統及投射光學系統的每一鏡片。此外（或另一選 擇），本發明之曝光鏡可被用作一用於其他目的之EUV 光鏡片。 其次，參考圖2A及2B，將敘述此具體實施例之曝光 鏡的特定結構。圖2A係此具體實施例之曝光鏡的正面圖 ’且圖2B係其一槪要剖視圖。 0 於圖2A及2B中，參考數字11表示一基板，參考數 字12表示該基板之旋轉中心，參考數字13表示一有效區 域，參考數字14表示第一評估區域（第一區域），參考 數字15表示第二評估區域（第二區域），及參考數字16 表市第二評估區域（第二區域）。 該基板1 1係由剛性及竪硬之材料所形成，且該材料 具有低熱膨脹係數，譬如，低膨脹玻璃或碳化矽。該基板 11係藉由硏磨及拋光此一材料所形成，且藉此建立一繞著 φ 該旋轉中心12旋轉地對稱之預定反射表面形狀。 . 在該經拋光基板11之頂部上，鉬（第一材料）層及 砂（第二材料）層係交替地沈積作爲反射層。譬如，能夠 在5度至20度之寬廣入射角有效率地反射13.5奈米之光 線的多層薄膜具有60層對，每一層之厚度係不同（非週 期性多層薄膜）。該有效區域13包括此非週期性多層薄 膜。該“有效區域”一詞意指當該鏡片譬如被放置於一曝 光設備中時，以曝光光線照射之區域。該等鉬（第一材料 )層之厚度（依次由該基板11)係Μ1，Μ2，Μ3,.·_，Μ6〇〔 -13- 200941148 奈米〕。該等矽（第二材料）層之厚度（依次由該基板11 )係 S1，S2，S3，...，S60〔奈米〕。 該第一評估區域14、該第二評估區域15、及該第三 評估區域16係用於檢查及評估該有效區域13之區域，且 它們係形成在一與該基板Π上之有效區域13不同的區域 中。該第一評估區域14係一周期性多層薄膜，其中2奈 米厚鉬層及5奈米厚矽層被交替地沈積。該第二評估區域 15係鉬之單層薄膜。該第三評估區域16係矽之單層薄膜 。該第二評估區域15之薄膜厚度係等於構成該有效區域 13之非週期性多層薄膜的鉬層之總薄膜厚度、及構成該第 一評估區域14的周期性多層薄膜之鉬層的總薄膜厚度間 之差値。該第三評估區域16之薄膜厚度係等於構成該有 效區域13之非週期性多層薄膜的矽層之總薄膜厚度、及 構成該第一評估區域14的周期性多層薄膜之矽層的總薄 膜厚度間之差値。於此具體實施例中，雖然該第一評估區 域14中之第一材料層（鉬層）的厚度係2奈米，該等第 一材料層之厚度在本發明係不限於2奈米。譬如，該等第 一材料層之厚度可爲該有效區域13中所形成之複數第一 材料層的厚度之最小値，或其可爲該有效區域13中所形 成之複數第一材料層的厚度之平均値。另一選擇係，該等 第一材料層之厚度可爲在該有效區域13中所形成之複數 第一材料層的厚度之最小値及最大値間之預定厚度、一小 於或等於該最小値之厚度、或一大於或等於該最大値之厚 度。當該等第一材料層之厚度係該最小値時，一在下面敘 -14- 200941148 述之沈積製程係簡單的。當該等第一材料層之厚度係該平 均値時，該第一評估區域14中之第一材料層的總厚度係 等於該有效區域13中之第一材料層的總厚度’且因此該 有效區域13之厚度可由該第一評估區域14之厚度被精確 地預測。同樣可精確地預測該第一評估區域1 4中之第二 材料層（矽層）的厚度。 由於該濺鍍沈積系統之特徵，待沈積當作一薄膜之材 料的供給短時間爲穩定的，且因此於該圓周方向中之薄膜 厚度係大約相同的，但長時間係不穩定的’且因此於該徑 向中，在該薄膜厚度之偏差量中可發生一由該設計値之漂 移。 因此，爲於該徑向中涵蓋該有效區域13，該第一評估 區域14、該第二評估區域15、及該第三評估區域16被提 供，以便在該徑向中由該基板之旋轉中心12延伸朝向該 外部圓周。 該等評估區域14、15及16之形狀不限於一連續之條 帶形狀，諸如於圖2A所示者，但亦可爲一分開之條帶形 狀，諸如於圖3所示者，只要該徑向中之薄膜厚度分佈能 夠被得知。亦即，該等評估區域14、1 5及1 6僅只必需具 有此一尺寸，使得該有效區域13於該徑向中之薄膜厚度 分佈能被評估。 其次，將敘述用於沈積此具體實施例之曝光鏡的多層 薄膜之濺鍍沈積系統。圖4係該濺鏟沈積系統500之方塊 圖。 -15- 200941148 該沈積系統500係由真空室501、真空泵502、薄膜 厚度控制罩幕504、快門5 06、旋轉機件507、區域選擇罩 幕5 1 4、及在下面敘述之控制系統所組成。 於沈積期間，該真空室501藉由該真空泵5 02被維持 於一真空或減壓環境中，且容置每一零組件。該控制系統 包括薄膜厚度控制動作控制單元503、快門控制單元505 、直流電源5 1 0、射頻（RF )電源5 1 1、氬氣導入控制單 元513、及區域選擇罩幕動作控制單元515，它們被連接 至一控制電腦5 1 2及藉此控制之。 除了摻雜硼之複晶矽目標508及一鉬目標5 09，且每 一目標具有四吋之直徑以外，釕及碳化硼目標（未示出） 被附著。藉由轉動該等目標，每一材料能被交換，且每一 材料可被沈積在一基板上。該等目標之材料可被改變。 於該旋轉機件5 07中放置一玻璃基板，該玻璃基板具 有5 00毫米之直徑，且被拋光，以便具有一精密之表面形 狀。於沈積期間，該基板被旋轉。該快門506及該薄膜厚 度控制罩幕5 04係坐落在該基板及該等目標之間。該快門 506係藉由該快門控制單元505打開及關閉。該薄膜厚度 控制罩幕504係藉由該薄膜厚度控制動作控制單元503所 運動，以控制該基板上之薄膜厚度分佈。該區域選擇罩幕 5 14係坐落在該基板及該薄膜厚度控制罩幕504之間。該 區域選擇罩幕514係藉由該區域選擇罩幕動作控制單元 515打開及關閉，以限制該基板上之沈積區域。於沈積期 間，氬氣係作爲製程氣體由該氬氣導入控制單元5 1 3在 -16- 200941148 3 Osccm之比率導入。關於施加至該等目標之功率，該直 流電源510維持一預定之功率，且該RF電源511供給 13.56百萬赫及150瓦之高頻（RF)功率。該控制電腦 512隨著時間控制每一層之薄膜厚度。 其次，將參考圖5所示之流程圖敘述此具體實施例之 曝光鏡的多層薄膜沈積製程。 於步驟S1中，經拋光之基板11被放置在該濺鍍沈積 系統500之旋轉機件507中。於步驟S2中，該控制電腦 512對於該層對數目η代入1，顯示本鉬或矽層屬於哪一 層對。於步驟S3中，該控制電腦512以該區域選擇罩幕 514遮罩該第二評估區域15及該第三評估區域16。其次 ，於步驟S4中，該控制電腦512決定第η層對中之鉬層 的設計厚度Μη奈米是否大於2奈米。 如果於步驟S4中Μη>2奈米，則於步驟S5中，2奈 米厚之鉬層係同時沈積於該有效區域13及該第一評估區 域14的每一個中。其次，於步驟S6中，該第一評估區域 14及該第三評估區域16被遮罩’且於步驟S7中，Μη-2 奈米厚之鉬層係同時沈積於該有效區域13及該第二評估 區域15的每一個中。 如果於步驟S4中MnS 2奈米，則被於步驟S8中’ Μη奈米厚之鉬層係同時沈積於該有效區域13及該第一評 估區域14的每一個中。其次，於步驟S9中，該有效區域 13、該第二評估區域15、及該第三評估區域16被遮罩’ 且於步驟S10中，2-Μη奈米厚之鉬層係沈積於該第一評 -17- 200941148 估區域1 4中。 在步驟S7或步驟S10之後，於步驟S11中，該第二 評估區域15及該第三評估區域16被遮罩。於步驟S12中 ，該控制電腦512決定第η層對中之矽層的設計厚度Sn 奈米是否大於5奈米。 如果於步驟S12中Sn>奈米，則於步驟S13中，5奈 米厚之矽層係同時沈積於該有效區域13及該第一評估區 域14的每一個中。其次，於步驟S14中，該第一評估區 域14及該第二評估區域15被遮罩’且於步驟S15中’ Sn-5奈米厚之鉬層係同時沈積於該有效區域13及該第三 評估區域16的每一個中。 如果於步驟S12中SnS5奈米’則被於步驟S16中’ Sn奈米厚之矽層係沈積於該有效區域13及該第一評估區 域14的每一個中。其次，於步驟S17中，該有效區域13 、該第二評估區域15、及該第三評估區域16被遮罩’且 於步驟S18中，5-Sn奈米厚之矽層係沈積於該第一評估區 域14中。 在步驟S15或步驟S18之後’於步驟S19中’該控制 電腦512比較該層對數目η與60。如果於步驟S19中η 係大於或等於60’則該結果之鏡片被取出及遭受薄膜厚度 檢査。如果於步驟S19中η係小於60’則於步驟20中， η係增加’且該流程係返回步驟S4’以重複該製程。 經過上面之製程，周期性多層薄膜之第一評估區域14 、鉬單層薄膜之第二評估區域15、及砂單層薄膜之第三評 -18- 200941148 估區域1 6係形成在該有效區域1 3外側。 該沈積係經過上面之製程施行。實際上，如所設計之 沈積係困難的，且該鏡片表面中之薄膜厚度與該設計値不 同。因此，施行多層薄膜鏡片之檢查使用AFM (原子力顯 微鏡）、EUV反射計、及X射線繞射。該AFM直接測量 該有效區域13，以檢査該表面粗糖度。該EUV反射計及 X射線繞射在複數位置於該徑向中在該第一評估區域14、 該第二評估區域15、及該第三評估區域16之每一個中測 量該反射比。由該等結果，使用上面之布勒格方程式導出 該徑向中之薄膜厚度分佈。當橢圓光度法被使用時，藉由 使用該EUV反射計，該第一評估區域14能以百分之 0.015或更多之測量準確性被測量，其係高於大約±0.15百 分之測量準確性。 既然當該基板11被旋轉時施行沈積，該旋轉方向中 之薄膜厚度的不均勻性係小的。藉由測量該第一評估區域 φ 14、該第二評估區域.15、及該第三評估區域16所得知之 徑向中的薄膜厚度分佈，可被認爲等於該有效區域13中 之徑向中的薄膜厚度分佈。藉由將該第一評估區域14、、 該第二評估區域.15、及該第三評估區域16之薄膜厚度量 測加在在一起，能以高準確度判斷該有效區域13之薄膜 厚度分佈。該第二評估區域15及該第三評估區域16對該 整個薄膜厚度之比例係小的。該有效區域13之薄膜厚度 分佈能藉由僅只測量該第一評估區域14被判斷。因此’ 視所需之準確性而定’該第二評估區域15及該第三評估 -19- 200941148 區域1 6未總是必需被測量。當該有效區域1 3之薄膜厚度 分佈係僅只使用該第一評估區域14判斷時，其較佳的是 得知該沈積製程中之有效區域13中所形成的多層薄膜之 厚度、及該沈積製程中之第一評估區域14中所形成的多 層薄膜之厚度間之差値。在測量該第一評估區域1 4的厚 度之後，能基於該第一評估區域14之測量厚度、及該有 效區域13中所形成之多層薄膜的厚度及該第一評估區域 14中所形成之多層薄膜的厚度間之差値，以較高之準確度 判斷該有效區域13之薄膜厚度分佈。 在使用該評估區域的評估之後，鏡片未被安裝在一曝 光設備中該等鏡片具有一粗糙之有效區域13、低反射比、 不均勻之薄膜週期長度、或一與所設計之薄膜週期長度不 同的薄膜週期長度。 不遵從該檢査中之規格的鏡片再次由該拋光製程開始 。如果該表面粗糙度不遵從一界定値，其能被歸因於該基 板之不良拋光或該沈積製程中之缺陷。此一鏡片不會通過 該檢查。通過該檢查之鏡片被安裝於一曝光設備中。 於再次拋光之後，藉由相同之程序反覆地施行檢查。 如果該鏡片遵從該規格或能被校正，其被安裝在一曝光設 備中。 如上面所述，藉由在一與該基板11上之有效區域13 不同的區域中形成由周期性多層薄膜所組成之第一評估區 域14，能以高準確度施行薄膜厚度檢查。將已通過該檢查 之曝光鏡安裝於一曝光設備中將使其可能轉印一較細微之 -20- 200941148 圖案及製造高度整合之裝置。 多層薄膜之二材料不限於鉬及矽。譬如，其係已習由 鉬及鈹所形成之多層薄膜能被用於EUV光。 用於該第一具體實施例中所示之曝光鏡，既然該有效 區域的每一層之薄膜厚度不被限制，該設計自由度係高的 。然而，既然該有效區域之每一層係在二次沈積，該沈積 製程之步驟總數係大的。 用於本發明之第二具體實施例的曝光鏡，雖然該設計 自由度係較低的，該有效區域之每一層係同時沈積，且因 此該沈積製程之步驟總數係比該第一具體實施例中者較小 的。 使用此具體實施例之曝光鏡的EUV曝光設備、具有 以此具體實施例製成之曝光鏡的濺鍍沈積系統、及用於評 估此具體實施例之曝光鏡的薄膜厚度之方法係與該第一具 體實施例中之那些相同，故其多餘之敘述將被省略。 圖6A係此具體實施例之曝光鏡的正面圖，及圖6B係 其槪要剖視圖。 於圖6A及6B中，參考數字71表示一基板，參考數 字72表示該基板之旋轉中心，參考數字73表示一有效區 域，參考數字74表示第一評估區域，參考數字75表示第 二評估區域，且參考數字76表示第三評估區域。 該有效區域73係由非週期性多層薄膜所組成。在該 經拋光之基板71的頂部，鉬（第一材料）層及矽（第二 材料）層被交替地沈積。該等層對之數目係75。A奈米、 -21 - 200941148 B奈米、及C奈米厚度之三種鉬層、及a奈米、b奈米、 及c奈米厚度之三種矽層構成該有效區域73。 該第一評估區域74、該第二評估區域75、及該第三 評估區域76被用於評估及檢查。它們之每一個係由周期 性多層薄膜所組成，且沈積於一與該基板71上之有效區 域73不同的區域中。 該第一評估區域74、該第二評估區域75、及該第三 評估區域76之每一個可包括至少五層對，以藉由測量該 反射比增大該薄膜厚度之測量。於此具體實施例中，該第 一評估區域74之周期性多層薄膜係由20層對所組成。每 一鉬層具有第一薄膜厚度（A奈米），且每一矽層具有第 二薄膜厚度（a奈米）。該第二評估區域75之周期性多層 薄膜係由25層對所組成。每一鉬層具有與該第一薄膜厚 度不同之第三薄膜厚度（B奈米），且每一矽層具有與該 第二薄膜厚度不同之第四薄膜厚度（b奈米）。該第三評 估區域76之周期性多層薄膜係由30層對所組成。每一鉬 層具有與該第一薄膜厚度不同之第五薄膜厚度（C奈米） ，且每一矽層具有與該第二薄膜厚度不同之第六薄膜厚度 (c奈米）。 該第一評估區域74、該第二評估區域75、及該第三 評估區域76之每一個具有一寬度，該寬度於該徑向中由 該基板之旋轉中心72朝向該外部圓周涵蓋該有效區域73 。如於該第一具體實施例中，於此具體實施例中，每一評 估區域可在該徑向中被分開。 -22- 200941148 此具體實施例之曝光鏡的多層薄膜沈積製程將參考圖 7所示流程圖敘述。 一經拋光之基板71被放置在參考圖4所敘述之濺鍍 沈積系統500中，以開始該沈積。於步驟S21中，根據一 沈積程式，選擇將被遮罩之區域。既然該第一層係A奈米 厚之鉬層，該流程進行至步驟S22。於步驟S22中，該第 二評估區域75及該第三評估區域76被一區域選擇罩幕 514所遮罩。其次，於步驟S25中，鉬被選擇’且於步驟 S26中，鉬層被沈積。於步驟S28中，其係決定該沈積是 否被完成。如果否，該流程返回至步驟S21。既然該第二 層係a奈米厚之矽層，一矽層係經過步驟S22、S2 5及 S27沈積。 既然該第三層係B奈米厚之鉬層，該流程進行至步驟 523。 於步驟S23中，該第一評估區域74及該第三評估區 域76被該區域選擇罩幕514所遮罩。其次，於步驟S25 中，鉬被選擇，且於步驟S26中’鉬層被沈積。 既然該第四層係c奈米厚之矽層’該流程進行至步驟 524。 於步驟S24中，該第一評估區域74及該第二評估區 域75被該區域選擇罩幕514所遮罩。其次’於步驟S25 中，矽被選擇，且於步驟S27中’矽層被沈積。此—流程 被反覆地施行，直至該沈積被完成。 如上面所述，藉由在一與該基板71上之有效區域73 不同的區域上形成該第一評估區域74、該第二評估區域 75、及該第三評估區域76’其每一個由周期性多層薄膜所 -23- 200941148 組成，能以高準確度施行薄膜厚度檢查。將已通過該檢查 之曝光鏡安裝於一曝光設備中使其可能轉印一較細微之圖 案及製造高度整合之裝置。 鉬-矽多層薄膜具有一應力，且因此能影響該基板之 表面形狀。其係已知沈積一多層薄膜層（應力緩衝層）， 用於一基板的頂部上之應力緩衝，且接著沈積一多層薄膜 (反射層），用於在其頂部上反射EUV光，以免該基板 之變形。該反射層及該應力鬆驰層具有大小相等、但方向 相反之應力，藉此防止該基板之變形。 如果該應力鬆驰層不是以想要之準確度沈積，該反射 層之應力不能被抵消，且該基板變形。如果該基板之形狀 係如所設計地被維持，但該應力鬆弛層之薄膜週期於該表 面中係不均勻的，該反射波前被干擾。爲獲得高成像性能 ，其重要的是以高準確度沈積該應力鬆弛層。 基於這些考量，本發明之第三具體實施例有關一於該 有效區域中包括應力鬆驰層之曝光鏡。用於評估該應力鬆 弛層之評估區域被提供在與該基板上之有效區域不同的區 域中。 使用此具體實施例之曝光鏡的EUV曝光設備、具有 以此具體實施例製成之曝光鏡的濺鍍沈積系統、及用於評 估此具體實施例之曝光鏡的薄膜厚度之方法係與該第一具 體實施例中之那些相同，故其多餘之敘述將被省略。 圖8A係該第三具體實施例之曝光鏡的正面圖，且圖 8B係其一槪要剖視圖。 -24- 200941148 於圖8A及8B中，參考數字901表示一基板，參考數 字9 02表示該基板之旋轉中心，參考數字903表示一有效 區域，參考數字9 04表示第一評估區域，參考數字905表 示第二評估區域，參考數字906表示第三評估區域，參考 數字907表示第四評估區域，參考數字90 8表示第五評估 區域，及參考數字909表示第六評估區域。於圖8B中， 參考數字910表示一由周期性多層薄膜所組成之應力鬆弛 層，且參考數字911表示一由非週期性多層薄膜所組成之 反射層。該有效區域903係由該應力鬆驰層910及該反射 層9 1 1所組成。 該第一評估區域（第一區域）9 04、該第二評估區域 (第二區域）905、及該第三評估區域（第三區域）906係 用於評估該反射層911之區域。該第四評估區域（第四區 域）907、該第五評估區域（第五區域）908、及該第六評 估區域（第六區域）909係用於評估該應力鬆弛層910之 區域。 在拋光該基板901之後沈積該應力鬆驰層910。雖然 該應力鬆弛9 1 0之材料層不受限制，由該沈積系統之簡化 的觀點，該應力鬆驰層910較佳地係由與該反射層911相 同之材料所形成。當該反射層911具有一壓縮應力時，該 應力鬆驰層9 1 0係給予其一後應力，亦即一伸張應力。 鉬-矽多層薄膜之應力視該厚度而定不同。因此，藉由適 當地設定該薄膜週期及薄膜之數目，鉬-矽多層薄膜能被 用作一反射層、或一應力鬆弛層，其抵消該反射層之應力 -25- 200941148 既然該應力鬆驰層910係一周期性多層薄膜，當該應 力鬆弛層910之薄膜週期係一適當値，以藉由測量該反射 比測量該薄膜厚度時，與該應力鬆弛層910相同之薄膜結 構可被形成在該第四評估區域907中。於此案例中，圖 8B所示該第五評估區域908及該第六評估區域909被製 成多餘的。當該應力鬆弛層910之薄膜週期不是一適當値 ，以測量該薄膜厚度時，該第四評估區域90 7之薄膜厚度 被設定至一適合用於測量之値，且該第五評估區域90 8及 該第六評估區域909係經過與該第一具體實施例中所示者 相同之沈積製程所形成。 用於沈積在該應力鬆弛層910的頂部上之反射層911 及用於評估該反射層911之區域，亦即該第一評估區域 904、該第二評估區域905、及該第三評估區域906，該第 一具體實施例或該第二具體實施例之薄膜結構及沈積製程 被使用。 使用該等應力鬆弛層評估區域之評估方法係與使用該 等反射層評估區域之評估方法相同。 如上面所述，在與該基板901上之有效區域903不同 的區域中，藉由不只形成用於評估該反射層911之區域， 同時也形成用於評估該應力鬆驰層910之區域，不只該反 射層911之薄膜厚度檢查、同時該應力鬆弛層910之檢查 亦能以高準確度施行。將已通過該檢查之曝光鏡安裝於一 曝光設備中使其可能轉印一較細微之圖案及製造高度整合 -26- 200941148 之裝置。 圖9A係本發明之第四具體實施例的曝光鏡之 ，且圖9B係其一槪要剖視圖。

於圖9A及9B中，參考數字101表示一基板， 字102表示該基板之旋轉中心，參考數字103表示 區域，參考數字104表示第一評估區域，參考數字 示第二評估區域，及參考數字106表示第三評估區J 使用此具體實施例之曝光鏡的EUV曝光設備 以此具體實施例製成之曝光鏡的濺鍍沈積系統、及 估此具體實施例之曝光鏡的薄膜厚度之方法係與該 體實施例中之那些相同，故其多餘之敘述將被省略 該有效區域103係由非週期性多層薄膜所組成 經拋光之基板1 〇 1的頂部上，鉬（第一材料）層及 二材料）層被交替地沈積。層對之數目係60。 六種A奈米、B奈米、C奈米、D奈米、E奈 F奈米厚度之鉬層，及五種a奈米、b奈米、c奈米 米、及e奈米厚度之矽層構成該有效區域103。 該第一評估區域104、該第二評估區域105、 三評估區域106被用於評估及檢查。它們之每一個 期性多層薄膜所組成’且沈積於一與該基板1 0 1上 區域103不同的區域中。 該第一評估區域104之周期性多層薄膜係由A 之鉬層及a奈米厚之矽層所組成。該第一評估區域 經過與該第二具體實施例者相同之沈積製程沈積° 正面圖 參考數 一有效 105表 或。 、具有 用於評 第一具 〇 。在該 矽（第 米、及 、d奈 及該第 係由周 之有效 奈米厚 104係 該第一 -27- 200941148 評估區域104被適當地遮罩，以致A奈米厚之鉬層及a奈 米厚之矽層被交替地沈積。譬如，當A奈米厚之鉬層被接 連地沈積時，該第一評估區域104被遮罩’直至a奈米厚 之矽層被沈積，這防止A奈米厚之鉬層被接連地沈積在該 第一評估區域104中。 於此具體實施例中，該第一評估區域有益地係由 至少五層對所組成，以藉由測量該反射比增大該薄膜厚度 之測量，雖然少於五層對可另一選擇地被使用。 該第二評估區域105係由鉬層所組成，該等鉬層具有 異於該第一評估區域1〇4中所沈積之鉬層的薄膜厚度’亦 即B奈米、C奈米、D奈米、E奈米、及F奈米。該第三 評估區域106係由矽層所組成，該等矽層具有異於該第一 評估區域104中所沈積之矽層的薄膜厚度，亦即b奈米、 c奈米、d奈米、及e奈米。 該第一評估區域104、該第二評估區域105、及該第 三評估區域106之每一個具有一寬度，該寬度於該徑向中 由該基板之旋轉中心102朝向該外部圓周涵蓋該有效區域 103。如於該第一具體實施例中，於此具體實施例中，每 一評估區域可在該徑向中被分開。 異於該第一評估區域104之評估區域可經過與該第二 具體實施例者相同之沈積製程沈積，故其多餘之敘述將被 省略。 如果設計該第一評估區域104，以便其係由五或更多 層對所組成，既然該有效區域103之每一層係在一次沈積 -28- 200941148 ，如於該第二具體實施例中，該沈積製程之步驟總數能被 減少。其他優點係與該第一及第二具體實施例之曝光鏡的 那些優點相同。 圖10A係本發明之第五具體實施例的曝光鏡之正面圖 ，且圖10B係其槪要剖視圖。 使用此具體實施例之曝光鏡的EUV曝光設備、具有 • 以此具體實施例製成之曝光鏡的濺鍍沈積系統、及用於評 0 估此具體實施例之曝光鏡的薄膜厚度之方法係與該第一具 體實施例中之那些相同，故其多餘之敘述將被省略。 於圖10A及10B中，參考數字111表示一基板，參考 數字112表示該基板之旋轉中心，參考數字113表示一有 效區域，參考數字114表示第一評估區域，參考數字115 表示第二評估區域，參考數字U6表示第三評估區域，及 參考數字117表示第四評估區域。 此具體實施例之曝光鏡係基於該第一至第四具體實施 例中所示之結構，但在碳化硼（第三材料）被沈積於鉬（ .第一材料）及矽（第二材料）之間以形成用作反擴散層的 第三材料層不同。爲碳化硼單一層之第四評估區域（第四 區域）117係提供於一與該基板111上之有效區域113不 同的區域中。 每一評估區域具有一寬度，該寬度於該徑向中由該基 板之旋轉中心112朝向該外部圓周涵蓋該有效區域II3。 如於該第一具體實施例中，於此具體實施例中，每一評估 區域可在該徑向中被分開。 -29- 200941148 包括反擴散層、諸如此具體實施例中之有效區域113 的多層薄膜之薄膜厚度，亦能以高準確度藉由使用該第一 具體實施例中所示之薄膜厚度測量方法測量該第四評估區 域117之薄膜厚度、與隨同其它評估區域之測量評估該測 量而被判斷。該第四評估區域117對該整個薄膜厚度之比 例係小的。如果該第四評估區域1 1 7被省略，該有效區域 1 1 3之薄膜厚度分佈的評估上之效應係小的。 其次，參考圖14及15，第六具體實施例被敘述爲一 使用配備有本發明之曝光鏡的曝光設備之裝置製造方法。 圖1 4係一流程圖，用於說明裝置（譬如半導體晶片 ，諸如ICs及LSIs、LCDs、及CCDs)之製造。其次將敘 述用於製造半導體晶片之方法。 首先，於步驟S0 1 (電路設計）中，半導體裝置電路 被設計。於步驟S02 (罩幕製作）中，罩幕係基於所設計 之電路圖案製作。於步驟S03(晶圓製造）中，晶圓係由 諸如矽之材料所製造。於步驟S04(晶圓製程）中，其被 稱爲一前端製程，一實際之電路係藉由微影蝕刻術使用該 等罩幕及上述曝光設備形成在該晶圓上。於步驟S05(組 裝）中，其被稱爲一後端製程，半導體晶片係由步驟S04 中所處理之晶圓所製成。步驟S05包括一組裝製程（切丁 與接合）及一封裝製程（晶片封裝）。於步驟S06(檢查 )中，進行諸如在步驟S05中所製成之半導體裝置的操作 確認測試及耐用性測試之檢查。經過這些製程，半導體裝 置被完成，及於步驟S07中被裝運。 200941148 圖15係步驟S04之晶圓製程的一詳細流程圖。 於步驟S011 (氧化）中，該晶圓之表面被氧化。於 步驟S012(CVD)中，一絕緣薄膜係形成在該晶圓之表面 上。於步驟S013 (電極形成）中，電極係形成在該晶圓 上。於步驟S014(離子植入）中，離子被植入該晶圓中 。於步驟S015(抗鈾劑處理）中，該晶圓被塗以光阻劑 。於步驟S016(曝光）中，該光罩之電路圖案以該曝光 設備被投射於該晶圓上。於步驟S017 (顯影）中，該經 曝光之晶圓被顯影。於步驟S018(蝕刻）中，未被經顯 影的抗蝕劑影像所蓋住之晶圓部份被刮去。於步驟S 0 1 9 (抗蝕劑剝除）中，移除在該蝕刻之後不再需要的抗蝕劑 〇 藉由反覆地施行這些步驟，多層電路圖案係形成在該 晶圓上。此具體實施例之裝置製造方法使其可能基於本發 明之曝光鏡的應用使用該高準確性曝光性能製造更可靠之 裝置。 雖然本發明已參考示範具體實施例敘述，將了解本發 明不限於所揭示之示範具體實施例。以下申請專利之範圍 將給與最寬廣之解釋，以便涵括所有修改及同等結構與功 能。 【圖式簡單說明】 圖1係一槪要視圖，顯示EUV曝光設備之結構。 圖2A及2B分別係第一具體實施例之曝光鏡的正面圖 -31 - 200941148 及槪要剖視圖。 圖3顯示一曝光鏡之範例，其中每一評估區域係在該 徑向中分開。 圖4係一槪要視圖，顯示一濺鍍沈積系統之結構。 圖5係該第一具體實施例之沈積製程的流程圖。 圖6A及6B分別係第二具體實施例之曝光鏡的正面圖 及槪要剖視圖。 圖7係該第二具體實施例之沈積製程的流程圖。 圖8A及8B分別係第三具體實施例之曝光鏡的正面圖 及槪要剖視圖。 圖9A及9B分別係第四具體實施例之曝光鏡的正面圖 及槪要剖視圖。 圖10A及10B分別係第五具體實施例之曝光鏡的正面 圖及槪要剖視圖。 圖11A及11B分別顯示周期性多層薄膜鏡片之角度反 射比特徵及波長反射比特徵。 圖12顯示非週期性多層薄膜鏡片的每一層之薄膜厚 度。 圖13A及13B分別顯示非周期性多層薄膜鏡片之角度 反射比特徵及波長反射比特徵。 圖14係一流程圖，用於說明一裝置製造方法。 圖1 5係圖1 4之晶圓製程的一詳細流程圖。 【主要元件符號說明】 -32- 200941148 基板 旋轉中心 有效區域 第一評估區域 第二評估區域 第三評估區域 基板 ❹ 旋轉中心 有效區域 第一評估區域 第二評估區域 第三評估區域 :基板 :旋轉中心 :有效區域 :第一評估區域 :第二評估區域 :第三評估區域 :基板 :旋轉中心 :有效區域 :第一評估區域 :第二評估區域 :第三評估區域 -33- 200941148 1 1 7 :第四評估區域 401 :目標供給單元 4 0 2 :雷射光源 403 :多層薄膜鏡片 404 :光學積分器 405 :多層薄膜鏡片 4 0 6 :孔徑 407 :多層薄膜鏡片 408 :多層薄膜鏡片 409 :多層薄膜鏡片 410 :多層薄膜鏡片 411 :多層薄膜鏡片 412 :光罩架台 413 :光罩夾頭 414 :光罩 4 1 5 :晶圓架台 4 1 6 :晶圓夾頭 4 1 7 ·晶圓 4 1 8 :雷射干涉儀 4 1 9 :雷射干涉儀 5〇〇 :濺鍍沈積系統 501 :真空室 502 :真空泵 5 03 :控制單元 200941148 504 :薄膜厚度控制罩幕 505 :快門控制單元 506 :快門 507 :旋轉機件 508 :目標 509 ·目標 5 1 0 :直流電源 5 1 1 :射頻電源 5 1 2 :控制電腦 5 1 3 :控制單元 514 :區域選擇罩幕 5 1 5 :控制單元 9 0 1 :基板 9 0 2 :旋轉中心 903 :有效區域 904 :第一評估區域 905:第二評估區域 906 :第三評估區域 907 :第四評估區域 908 :第五評估區域 909 :第六評估區域 9 1 0 :應力鬆驰層 9 1 1 :反射層 -35-

Claims (1)

1. 200941148 十、申請專利範圍 1.—種曝光鏡，包括： 一基板； —有效區域，其形成在該基板上，且包括多層薄膜， 第一材料層及具有與該第一材料之折射率不同的折射率之 第二材料層係交替地沈積在該多層薄膜中；及 第一區域，其形成在一與該基板上之有效區域不同的 區域中’且由多層薄膜所構成，第一材料層及第二材料層 係交替地沈積在該多層薄膜中， 其中於該有效區域中之第一材料層的厚度及第二材料 層的厚度係非週期性的，及 該第一區域中之第一材料層的厚度及第二材料層的厚 度係週期性的。 2·如申請專利範圍第1項之曝光鏡，其中該有效區 域中之第一材料層的數目係等於該第一區域中之第一材料 層的數目，且該有效區域中之第二材料層的數目係等於該 第一區域中之第二材料層的數目。 3·如申請專利範圍第1項之曝光鏡，其中該第一區 域中之第—材料層及第二材料層的每一層具有均勻之厚度 〇 4.如申請專利範圍第1項之曝光鏡，另包括第二區 域’其形成在一與該基板上之有效區域及第一區域不同的 區域中’且由多層薄膜所構成，該等第一材料層係沈積在 該多層薄膜中’其中該第二區域中之第一材料層的總厚度 -36- 200941148 ，係等於沈積在該有效區域中之第一材料層的總厚度與沈 積在該第一區域中之第一材料層的總厚度間之差値。 5. 如申請專利範圍第4項之曝光鏡，另包括第三區 域，其形成在一與該基板上之有效區域、第一區域、及第 二區域不同的區域中，且由多層薄膜所構成，該第二材料 層係沈積在該多層薄膜中，其中該第三區域中之第二材料 層的總厚度，係等於沈積在該有效區域中之第二材料層的 0 總厚度與沈積在該第一區域中之第二材料層的總厚度間之 差値。 6. 如申請專利範圍第1項之曝光鏡，其中該有效區 —材料層包括具有複數種厚度之層，該等厚度包 括第一厚度’該有效區域中之第二材料層包括具有複數種 厚度之層’該等厚度包括第二厚度，且於該第一區域之多 層薄膜中’具有該第一厚度之第一材料層與具有該第二厚 度的第二材料層係交替地沈積。 _ 7.如申請專利範圍第6項之曝光鏡，其中該有效區 材料層包括具有複數種厚度之層，該等厚度包 括與該第~~厚度不同之第三厚度，該有效區域中之第二材 Μ 具有複數種厚度之層，該等厚度包括與該第二厚 四厚度，且另包括由周期性多層薄膜所構成之 H = ’具有該第三厚度之第一材料層與具有該第四厚 = #料層係交替地沈積在該多層薄膜中。 8· %申請專利範圍第6項之曝光鏡，另包括第二區 $ ’ 由具有與該第一材料層之總厚度相同厚度的第 -37- 200941148 一材料層所組成，該等第一材料層構成該有效區域中所包 括之非週期性多層薄膜，且具有異於該第一厚度之厚度； 及第三區域，其僅只由具有與該第二材料層之總厚度相同 厚度的第二材料層所組成，該等第二材料層構成該有效區 域中所包括之非週期性多層薄膜，且具有異於該第二厚度 之厚度。 9.如申請專利範圍第1項之曝光鏡，其中該第一材 料係銷，且該第二材料係砂。 1 0 ·如申請專利範圍第1項之曝光鏡，其中形成該有 效區域及該第一區域的基板之表面係旋轉式對稱的，且以 此一形狀形成該第一區域，使得該有效區域的徑向中之薄 膜厚度分佈能被評估。 11.如申請專利範圍第1項之曝光鏡，其中該有效區 域之多層薄膜包括第三材料層，該等第三材料層用作交替 地沈積的第一材料層與第二材料層間之反擴散層。 12·如申請專利範圍第1項之曝光鏡，其中該有效區 域包括一由非週期性的多層薄膜及應力緩衝層所組成之反 射層，且該第一區域係一用於評估該反射層之區域。 13. 如申請專利範圍第12項之曝光鏡，其中該應力 緩衝層係由周期性多層薄膜所組成，且另包括一坐落在與 該基板上之有效區域及第一區域不同的區域中之區域，該 區域係由一具有與該應力緩衝層相同的結構之多層薄膜所 組成，且被用於評估該應力緩衝層。 14. 一種曝光設備，包括： -38- 200941148 一照明光學系統，其照明一光罩；及 一投射光學系統，其將該光罩上所形成之圖案投射至 —晶圓上， 其中該照明光學系統及該投射光學系統之至少一個具 有根據申請專利範圍第1項之曝光鏡。 15. —種用於製造曝光鏡之方法，包括： •在基板上形成一包括多層薄膜之有效區域，第一材料 ❹ 層及具有與該第一材料之折射率不同的折射率之第二材料 層係交替地沈積在該多層薄膜中； 於一與該基板上之有效區域不同的區域中形成第—區 域’其由多層薄膜所構成，該第一材料層及該第二材料層 係交替地沈積在該多層薄膜中， 其中於該有效區域中之第一材料層的厚度與第二材料 層的厚度係非週期性的，及 該第一區域中之第一材料層的厚度與第二材料層的厚 φ 度係週期性的； - 測量該第一區域中所形成之多層薄膜的厚度：及 基於在該測量步驟中所測量的第一區域中所形成之多 層薄膜的厚度，判斷及評估該有效區域中所形成之多層薄 膜的厚度。 16·如申請專利範圍第15項用於製造曝光鏡之方法 ’其中該有效區域中之第一材料的每一層及該第一區域中 之第一材料的每一層係同時形成，且該有效區域中之第二 材料的每一層及該第一區域中之第二材料的每一層係同時 -39- 200941148 形成。 -40-